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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
包括：衬底
B
所述衬底包括第一有源区
C
第二有源区
D
位于所述第一有源区和所述第二有源区之间的场区
E
第一晶体管
F
位于所述衬底之上
G
其中所述第一晶体管包括所述第一有源区和栅极
H
第二晶体管
I
位于所述衬底之上
J
其中所述第二晶体管包括所述第二有源区和所述栅极
K
第一栅极接触件
L
耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述栅极
M
其中所述第一栅极接触件被配置为电耦合到所述集成器件的互连件
N
第二栅极接触件
O
耦合到所述栅极
P
其中所述第二栅极接触件完全位于所述衬底的所述场区之上
Q
其中所述第二栅极接触件仅直接电耦合到所述栅极；并且中所述第一栅极接触件位于所述衬底的所述场区之上。
权利要求 2
R
还包括耦合到所述第一栅极接触件的接触互连件。
权利要求 3
S
其中所述第二栅极接触件被配置为调节在所述第一晶体管中引发第一电流并且在所述第二晶体管中引发第二电流所需的阈值电压。
权利要求 4
T
其中所述第一晶体管包括p沟道场效应晶体管(PFET)
U
所述第二晶体管包括n沟道场效应晶体管(NFET)。
权利要求 5
V
其中所述第一晶体管包括n沟道场效应晶体管(NFET)
W
所述第二晶体管包括p沟道场效应晶体管(PFET)。
权利要求 6
X
其中所述第一晶体管包括第一鳍状物和第二鳍状物。
权利要求 7
Y
其中所述第一栅极接触件位于包括所述第一鳍状物和所述第二鳍状物的区域之上。
权利要求 8
Z
其中所述第二晶体管包括第三鳍状物和第四鳍状物。