The Non oBviousness
Game
Invalidation of patent, the AI way
最新资讯
登录
登录
The Non oBviousness
Game
主页
历史访问项目
登录后查看历史访问项目
Search
返回项目页面
对比文件列表
暂无对比文件
请从左侧选择对比文件查看内容
权利要求与技术特征
权利要求 1
A
包括：电阻元件
B
包括第一端子和第二端子
C
其中所述电阻元件被耦合在功率放大器与天线之间
D
第一平方电路
E
包括输入和输出
F
第一衰减器
G
被耦合在所述电阻元件的所述第一端子与所述第一平方电路的输入之间
H
第二平方电路
I
包括输入和输出
J
第二衰减器
K
被耦合在所述电阻元件的所述第二端子与所述第二平方电路的输入之间
L
差分电路
M
被耦合到所述第一平方电路的输出和所述第二平方电路的输出。
权利要求 2
N
其中：所述第一平方电路包括第一晶体管
O
所述第二平方电路包括第二晶体管。
权利要求 3
P
其中：所述第一晶体管的栅极被耦合到所述电阻元件的所述第一端子
Q
所述第一晶体管的漏极被耦合到所述差分电路
R
所述第二晶体管的栅极被耦合到所述电阻元件的所述第二端子
S
所述第二晶体管的漏极被耦合到所述差分电路。
权利要求 4
T
其中：所述差分电路包括包含第一输入、第二输入和输出的差分放大器
U
所述差分放大器的第一输入被耦合到所述第一平方电路的输出
V
所述差分放大器的第二输入被耦合到所述第二平方电路的输出。
权利要求 5
W
还包括：低通滤波器
X
被耦合到所述差分放大器的输出。
权利要求 9
Y
还包括：低通滤波器
Z
被耦合到所述差分放大器的输出。