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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
包括
B
第一差分开关,具有第一输入和第二输入、第一输出和第二输出以及控制输入
C
第二差分开关,具有耦合到所述第一差分开关的相应所述第一输出和所述第二输出的第一输入和第二输入,所述第二差分开关还具有第一输出和第二输出以及控制输入
D
分流电容器,耦合在所述第一差分开关的所述第一输出与所述第二输出之间,所述分流电容器还耦合在所述第二差分开关的所述第一输入与所述第二输入之间
E
第一分流开关,具有控制输入、输入和输出,所述输入和所述输出耦合到所述第一差分开关的所述控制输入
F
第二分流开关,具有控制输入、输入和输出,所述输入和所述输出耦合到所述第二差分开关的所述控制输入
G
其中所述第一差分开关、所述第二差分开关、所述第一分流开关、所述第二分流开关和所述分流电容器被配置为分体式差分t型开关。
权利要求 2
H
其中所述第一差分开关包括第一晶体管和第二晶体管
I
其中所述第一差分开关的所述第一输入包括所述第一晶体管的第一端子
J
其中所述第一差分开关的所述第二输入包括所述第二晶体管的第一端子
K
其中所述第一差分开关的所述第一输出包括所述第一晶体管的第二端子
L
其中所述第一差分开关的所述第二输出包括所述第二晶体管的第二端子;并且中所述第一差分开关的所述控制输入包括所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极。
权利要求 3
M
其中所述第一分流开关包括第三晶体管,所述第三晶体管具有耦合到所述第一晶体管的所述栅极的漏极和耦合到所述第二晶体管的所述栅极的源极,并且其中所述第一分流开关的所述控制输入包括所述第三晶体管的栅极。
权利要求 4
N
其中所述第二差分开关包括第四晶体管和第五晶体管
O
其中所述第二差分开关的所述第一输入包括所述第四晶体管的第一端子
P
其中所述第二差分开关的所述第二输入包括所述第五晶体管的第一端子
Q
其中所述第二差分开关的所述第一输出包括所述第四晶体管的第二端子
R
其中所述第二差分开关的所述第二输出包括所述第五晶体管的第二端子;并且中所述第二差分开关的所述控制输入包括所述第四晶体管的栅极和所述第五晶体管的栅极。
权利要求 5
S
其中所述第二分流开关包括第六晶体管,所述第六晶体管具有耦合到所述第四晶体管的所述栅极的漏极和耦合到所述第五晶体管的所述栅极的源极,并且其中所述第二分流开关的所述控制输入还包括所述第六晶体管的栅极。
权利要求 6
T
其中所述第一差分开关、所述第二差分开关、所述分流电容器、所述第一分流开关和所述第二分流开关是接收电路的第一接收路径的一部分。
权利要求 7
U
还包括
V
所述接收电路的第一混频器,耦合到所述第二差分开关
W
所述接收电路的第二接收路径,所述第二接收路径耦合到所述第一混频器。
权利要求 8
X
其中所述第二接收路径包括开关电路系统,所述开关电路系统包括耦合到所述第一混频器和所述第二差分开关的输出。
权利要求 9
Y
还包括变压器,所述变压器具有耦合到所述第一差分开关的所述第一输入和所述第二输入的变压器差分输出。
权利要求 10
Z
还包括开关电路系统,所述开关电路系统包括第一开关连接和第二开关连接,其中所述第二开关连接被耦合到所述变压器的输入,并且其中所述第一开关连接被耦合到低噪声放大器。