非显而易见性评估仅供参考，不构成法律建议。
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对比文件列表
| 编号 | 名称 |
|---|---|
| 0 | 2012-03-21_发明公开_CN102388358A 在混合存储环境下配置存储设备的方法和系统_+++r+++.docx |
| 0 | 无说明书.docx |
| 0 | 2014-12-08_发明专利_JP2014229325A メモリ装置_+++F_a_b_c_d_e_g_h_k_l+++.docx |
| 0 | 2014-11-20_发明专利_JP2014218733A 蒸着装置、有機発光ディスプレイ装置の製造方法及び有機発光ディスプレイ装置.docx |
| 0 | 2014-06-11_发明公开_CN103858169A 具有单个磁隧道结叠层的多位自旋动量转移磁阻随机存取存储器.docx |
| 0 | 2014-06-04_发明公开_EP2738664A4 METHOD AND SYSTEM FOR CONFIGURING STORAGE DEVICES UNDER HYBRID STORAGE ENVIRONMENT_+++A_a+++.docx |
| 0 | 2014-06-04_发明公开_EP2738664A1 METHOD AND SYSTEM FOR CONFIGURING STORAGE DEVICES UNDER HYBRID STORAGE ENVIRONMENT.docx |
| 0 | 2014-05-21_发明公开_CN103810118A 一种新型的STT-MRAM缓存设计方法_+++D_L_M_R_a_b_o_p+++.docx |
| 0 | 2014-03-06_发明专利_JP2014041693A Semiconductor storage device_+++C_D_E_F_H_K_L_P_a_b_g_q+++.docx |
| 0 | 2014-01-23_发明申请_WO2014015173A1 SPIRAL DESIGN GRAPHENE NANORIBBON.docx |
| 0 | 2013-10-24_发明申请_US20130279244A1 HIERARCHICAL MEMORY MAGNETORESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY (MRAM) ARCHITECTURE_+++A_D_L_O_P_R_b_c_e_k_m+++.docx |
| 0 | 2013-02-28_发明申请_US20130051134A1 SEMICONDUCTOR RECORDING DEVICE_+++A_C_D_E_F_G_H_K_L_b_p_q+++.docx |
| 0 | 2013-02-21_发明申请_US20130044537A1 MAGNETIC MEMORY, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF DRIVING THE SAME_+++A_C_D_E_L_b_f_p_r+++.docx |
| 0 | 2012-10-02_发明授权_US08279662B2 Multi-bit magnetic memory with independently programmable free layer domains.docx |
| 0 | 2012-09-27_发明申请_US20120241828A1 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF_+++D_p+++.docx |
| 0 | 1989-11-02_发明申请_WO1989010431A1 PROCESS AND COMPOSITION FOR PREPARING PRINTED CIRCUIT THROUGH-HOLES FOR METALLIZATION.docx |
| 0 | 2012-01-25_发明公开_CN102334166A 降低自旋力矩转移磁阻性随机存取存储器(STT-MRAM)中的源极负载效应_+++D_M_R+++.docx |
| 0 | 2011-12-14_发明公开_CN102282621A 自旋转移力矩磁阻随机存取存储器内的位线电压控制_+++A_D_f_l_m_r+++.docx |
| 0 | 2011-09-29_发明申请_US20110235391A1 Reference Cell Write Operations At A Memory_+++D_a_i_r+++.docx |
| 0 | 2011-09-27_发明公开_KR1020110105558A 은행 대출을 통한 자동차 금융 시스템 및 그 운용 방법.docx |
| 0 | 2010-05-19_发明公开_CN101711408A 改进的高容量低成本多态磁存储器_+++A_C_D_E_I_L_M_f+++.docx |
| 0 | 2010-03-08_发明公开_KR1020100024765A 멀티 비트 자기 메모리 셀 및 그 제조 방법_+++A_C_D_E+++.docx |
| 0 | 2008-08-21_发明申请_WO2008100872A3 AN IMPROVED HIGH CAPACITY LOW COST MULTI-STATE MAGNETIC MEMORY_+++D+++.docx |
| 0 | 2008-08-21_发明申请_WO2008100872A2 AN IMPROVED HIGH CAPACITY LOW COST MULTI-STATE MAGNETIC MEMORY_+++A_C_D_L_b_e_i_j_m_p+++.docx |
| 0 | 2006-11-02_发明申请_US20060245227A1 Serial transistor-cell array architecture_+++C_D_E_K_L_M_R_a+++.docx |
| 0 | 2006-08-29_发明授权_US07098643B1 Wire identifier.docx |
| 0 | 2006-02-23_发明申请_US20060039183A1 Multi-sensing level MRAM structures_+++C_D_E_L_a_b_p+++.docx |
| 0 | 2005-09-29_发明申请_US20050213375A1 Soft-reference three conductor magnetic memory storage device_+++f_k+++.docx |
| 0 | 2004-06-29_发明授权_US06757189B2 Magnetic random access memory with memory cells of different resistances connected in series and parallel_+++C_D_L_e+++.docx |
| 0 | 1990-11-08_发明专利_DE368943T1 METHOD FOR PRODUCING PRINTED CIRCUITS WITH CONTINUOUS HOLES FOR METALIZATION.docx |
权利要求1
一种设备，包括： 具有第一读取余裕的第一磁性隧道结(MTJ)元件； 具有第二读取余裕的第二MTJ元件，所述第一读取余裕大于所述第二读取余裕的两倍； 以及 耦合在所述第一MTJ元件与所述第二MTJ元件之间的存取晶体管，其中所述存取晶体管的栅极耦合至字线，其中所述第一MTJ元件、所述第二MTJ元件和所述存取晶体管形成多位自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)存储器单元；以及被配置成将所述STT-MRAM存储器单元的感测出的值与第二值进行比较的电路系统，所述第二值基于所述感测出的值与第一值的比较，其中所述第一值是与所述第二MTJ元件相关联的第一参考电平，并且所述第二值是与所述第二MTJ元件相关联的第二参考电平，以及其中所述第一参考电平和所述第二参考电平是从平均参考电平值推导的，所述平均参考电平值从初始化设备确定或者由其它MTJ结构确定。
你好！作为一名经验丰富的专利代理师，我非常乐意为您提供详尽的权利要求比对分析。
根据您的要求，我们将对比文件 WO2008100872A2 简称为 D1。本次分析的核心在于：D1 是否单独或组合毫无疑义的公开或实质公开了目标专利的【技术特征J】。
结论摘要
结论：对比文件 D1 (WO2008100872A2) 没有单独、也没有毫无疑义地实质公开技术特征J。
虽然 D1 公开了使用参考电阻的平均值作为参考电平（这部分对应了技术特征I），但 D1 并未公开该平均参考电平值是“从初始化设备确定”或“由其它MTJ结构确定”。D1 中的参考电平是由传统的“参考电阻（reference resistor）”提供的，并没有明确指出这些参考电阻是由 MTJ 结构构成的，也未提及初始化设备。
特征比对分析
为了更直观地展示分析过程，以下是针对技术特征J的详细比对表格：
| 技术特征 | 目标专利说明书的解释 | 对比文件 D1 (WO2008100872A2) 的相关公开内容 | 比对结果 |
|
技术特征J： 所述平均参考电平值从初始化设备确定或者由其它MTJ结构确定。 |
说明书 [0047] 段指出：“参考电平值可从平均参考电平值推导，该平均参考电平值从“初始化”设备(例如，特定测试设备100)确定。替换地，该参考电平可由其他存储器单元或其他MTJ结构(未示出)确定。” 这明确了平均参考电平的硬件来源必须是初始化设备或其他MTJ结构。 |
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未公开 |
深入的侵权/无效分析依据
作为专利代理师，在进行新颖性和创造性评价时，我们需要严格基于“毫无疑义的公开（Unambiguous Disclosure）”原则：
1. D1 公开了“平均值”，但未公开特定的“产生结构”
D1 的确在 [p0085] 段落中提到了平均值的概念（"the resistance of the resistor 1026 is the average of the resistances of the MTJs 1010 and 1012 at the states 1 and 4"）。这实质上公开了目标专利中的技术特征I（第一参考电平和第二参考电平是从平均参考电平值推导的）。但是，D1 只是在说明书里交代了在设计上如何计算或设定这些阻值，并未公开在实际电路上，这些阻值是如何动态生成或物理提供的。
2. D1 未公开“其它MTJ结构”作为参考源
在 D1 的电路设计（参考原文 [p0081]）中，提供参考电平的硬件是“参考电阻 1026, 1030, 1034”（reference resistor）。在专利语言的严格解释中，普通的“电阻（resistor）”并不等同于“磁性隧道结（MTJ）结构”。如果要主张 D1 实质公开了由“其它MTJ结构”确定，D1 必须明确记载该“参考电阻”是由一个处于特定状态（平行或反平行）的虚拟/参考 MTJ (Dummy/Reference MTJ) 构成的。由于 D1 通篇未明确这一点，本领域技术人员不能“毫无疑义”地推导出它使用了其它 MTJ。
3. D1 未公开“初始化设备”
查阅 D1 的全文，没有出现类似于“initialization device”或特定测试设备用于校准、确定平均参考电平的描述。D1 倾向于这些电阻值是预先设定好的固定平均值硬件。
总结
因为 D1 未公开平均参考电平值的物理来源（初始化设备或其它MTJ结构），所以 D1 不能单独破坏该权利要求的新颖性。在应对审查意见或进行无效宣告时，您可以紧紧抓住 D1 仅使用了普通“参考电阻”这一缺陷，强调目标专利使用“其它MTJ结构”能更好地匹配存储阵列的工艺偏差和温度漂移（因为同一种工艺制造出的MTJ，其阻值变化趋势相同，比普通电阻具有更好的参考精确度），从而主张极强的创造性。
需要我为您进一步分析技术特征A至I在 D1 中的公开情况，或者帮您起草一份针对审查意见的正式答复草案吗？
1
2
权利要求2
如权利要求1所述的设备，其特征在于，进一步包括，耦合至所述第一MTJ元件的位线以及耦合至所述第二MTJ元件的源线，其中所述电路系统被进一步配置成基于所述感测出的值与所述第二值的关系来确定所述第二MTJ元件的电阻状态。
权利要求3
如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述存取晶体管被配置成响应于字线信号而将所述第一MTJ元件耦合至所述第二MTJ元件。
权利要求4
如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述存取晶体管是n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。
权利要求5
如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述存取晶体管是p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。
权利要求6
如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一MTJ元件具有第一数据保持时间，并且所述第二MTJ元件具有比所述第一数据保持时间长的第二数据保持时间。
权利要求7
如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一MTJ元件具有第一大小，并且所述第二MTJ元件具有大于所述第一大小的两倍的第二大小。
权利要求8
如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第二MTJ元件与由所述第一值指示的第一参考电平和由所述第二值指示的第二参考电平相关联，并且其中所述第一MTJ元件与一个参考电平相关联。
权利要求9
如权利要求1所述的设备，其特征在于，进一步包括其中集成有所述第一MTJ元件、所述第二MTJ元件和所述存取晶体管的装置，所述装置选自移动电话、平板设备、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、以及计算机。
权利要求10
一种用于操作包括存取晶体管、第一磁性隧道结(MTJ)元件和第二MTJ元件的设备的方法，所述方法包括：激活所述存取晶体管，其中所述第一MTJ元件和所述第二MTJ元件响应于所述存取晶体管，其中所述第一MTJ元件具有第一大小，并且其中所述第二MTJ元件具有大于第一大小的两倍的第二大小；以及通过以下操作确定所述第二MTJ元件的电阻状态： 执行将感测出的值与第一参考值的第一比较；以及 执行将感测出的值与第二参考值的第二比较，其中所述第二参考值基于所述第一比较的结果，其中所述第一参考值是与所述第二MTJ元件相关联的第一参考电平，并且所述第二参考值是与所述第二MTJ元件相关联的第二参考电平，以及其中所述第一参考电平和所述第二参考电平是从平均参考电平值推导的，所述平均参考电平值从初始化设备确定或者由其它MTJ结构确定。
权利要求11
如权利要求10所述的方法，其特征在于，进一步包括，在耦合至所述第一MTJ元件的位线处施加特定电流，其中所述存取晶体管经由被施加到所述存取晶体管的栅极的字线信号被激活，并且其中施加所述特定电流发生在确定所述电阻状态之前。
权利要求12
如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一MTJ元件、所述第二MTJ元件和所述存取晶体管形成多位自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)存储器单元。
权利要求13
如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一MTJ元件的电阻状态和所述第二MTJ元件的电阻状态基于所述第一MTJ元件的平行状态或反平行状态与所述第二MTJ元件的平行状态或反平行状态的一个或多个组合。
权利要求14
一种装备，包括： 用于存储第一磁状态的第一装置，其中所述用于存储的第一装置具有第一大小； 用于存储第二磁状态的第二装置，其中所述用于存储的第二装置具有大于所述第一大小的两倍的第二大小； 用于将所述用于存储的第一装置和所述用于存储的第二装置耦合的装置，其中所述用于耦合的装置耦合至字线，并且其中所述用于存储的第一装置、所述用于存储的第二装置、和所述用于耦合的装置形成多位自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)存储器单元； 以及 用于将所述STT-MRAM存储器单元的感测出的值与第二值进行比较的装置，所述第二值基于所述感测出的值与第一值的比较，其中所述第一值是与所述第二装置相关联的第一参考电平，并且所述第二值是与所述第二装置相关联的第二参考电平，以及其中所述第一参考电平和所述第二参考电平是从平均参考电平值推导的，所述平均参考电平值从初始化设备确定或者由其它MTJ结构确定。
权利要求15
如权利要求14所述的装备，其特征在于，进一步包括，耦合至所述用于存储的第一装置的位线以及耦合至所述用于存储的第二装置的源线，所述用于耦合的装置被配置成响应于字线信号而将所述用于存储的第一装置耦合至所述用于存储的第二装置，所述第一值指示与所述用于存储的第二装置相关联的第一参考电平，所述第二值指示与所述用于存储的第二装置相关联的第二参考电平，并且所述用于比较的装置被进一步配置成基于所述感测出的值与所述第二值的关系来确定所述用于存储的第二装置的电阻状态。
权利要求16
一种装置，包括： 第一磁性隧道结(MTJ)子阵列，其由存储器阵列的多个第一MTJ元件形成；以及第二MTJ子阵列，其由所述存储器阵列的多个第二MTJ元件形成，其中所述第一MTJ子阵列被配置成基于用于第一存储器使用的第一参数集操作，并且所述第二MTJ子阵列被配置成基于用于不同于所述第一存储器使用的第二存储器使用的第二参数集操作；以及被配置成将与所述多个第二MTJ元件中的一MTJ元件相关联的感测出的值与第二值进行比较的电路系统，所述第二值基于所述感测出的值与第一值的比较，其中所述多个第一MTJ元件中的每一个MTJ元件具有第一读取余裕，其中所述多个第二MTJ元件中的每一个MTJ元件具有第二读取余裕，并且其中所述第一读取余裕大于所述第二读取余裕的两倍，其中所述第一值是与所述多个第二MTJ元件中的所述MTJ元件相关联的第一参考电平，并且所述第二值是与所述多个第二MTJ元件中的所述MTJ元件相关联的第二参考电平，以及其中所述第一参考电平和所述第二参考电平是从平均参考电平值推导的，所述平均参考电平值从初始化设备确定或者由其它MTJ结构确定。
权利要求17
如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述电路系统被进一步配置成基于所述感测出的值与所述第二值的关系来确定所述第二MTJ元件的电阻状态，所述多个第一MTJ元件中的每一个MTJ元件具有第一大小，并且所述多个第二MTJ元件中的每一个MTJ元件具有大于所述第一大小的两倍的第二大小。
权利要求18
如权利要求16所述的装置，其特征在于，进一步包括，存储器控制器，其被配置成寻址所述第一MTJ子阵列的所述多个第一MTJ元件中的每一者以及所述第二MTJ子阵列的所述多个第二MTJ元件中的每一者。
权利要求19
如权利要求16所述的装置，其特征在于，进一步包括，存储器控制器，其被配置成基于在所述存储器控制器处从中央处理单元(CPU)接收到的优先级指示符在所述第一MTJ子阵列处或在所述第二MTJ子阵列处存储数据，所述优先级指示符指示与要被存储的数据相关联的优先级水平。
权利要求20
如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述第二MTJ子阵列被配置成存储作为被存储在所述第一MTJ子阵列处的对应数据的复制值的数据值。
权利要求21
如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述第一MTJ子阵列被配置成操作为数据高速缓存。
权利要求22
如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述第二MTJ子阵列被配置成操作为用于所述第一MTJ子阵列的临时存储阵列。
权利要求23
如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述第二MTJ子阵列被配置成存储被用作电子设备的休眠模式操作的一部分的数据。
权利要求24
如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述第二MTJ子阵列被配置成存储被用作电子设备的初始化操作的一部分的数据。
权利要求25
如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述第一参数集基于所述多个第一MTJ元件中的每一者的物理特性，并且其中所述第二参数集基于所述多个第二MTJ元件中的每一者的物理特性。
权利要求26
如权利要求25所述的装置，其特征在于，所述第一MTJ元件的物理特性包括第一大小，并且其中所述第二MTJ元件的物理特性包括大于所述第一大小的两倍的第二大小。
权利要求27
如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述第一MTJ子阵列和所述第二MTJ子阵列被集成在至少一个管芯中。
权利要求28
如权利要求16所述的装置，其特征在于，进一步包括其中集成有所述第一MTJ子阵列和所述第二MTJ子阵列的设备，所述设备选自移动电话、平板设备、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、以及计算机。
权利要求29
一种存储指令的非瞬态计算机可读介质，所述指令在由装置的处理器执行时使得所述处理器执行包括以下的操作：激活存取晶体管，其中所述装置处的第一MTJ元件和第二MTJ元件响应于所述存取晶体管，其中所述第一MTJ元件具有第一大小，并且其中所述第二MTJ元件具有大于第一大小的两倍的第二大小；以及通过以下操作确定所述第二MTJ元件的电阻状态： 执行将感测出的值与第一参考值的第一比较；以及 执行将感测出的值与第二参考值的第二比较，其中所述第二参考值基于所述第一比较的结果，其中所述第一参考值是与所述第二MTJ元件相关联的第一参考电平，并且所述第二参考值是与所述第二MTJ元件相关联的第二参考电平，以及其中所述第一参考电平和所述第二参考电平是从平均参考电平值推导的，所述平均参考电平值从初始化设备确定或者由其它MTJ结构确定。
权利要求30
如权利要求29所述的非瞬态计算机可读介质，其特征在于，所述操作进一步包括基于指示与要被存储的数据相关联的优先级水平的优先级指示符在所述第一MTJ子阵列处或在所述第二MTJ子阵列处存储数据。