非显而易见性评估仅供参考，不构成法律建议。
权利要求列表点击可跳转
对比文件列表
| 编号 | 名称 |
|---|
权利要求1
一种异质结双极晶体管HBT，包括： 集电极台面； 基极台面，在所述集电极台面上； 发射极台面，在所述基极台面上，其中所述发射极台面布置成具有多个开口的网状结构；以及多个基极金属，在连接到所述基极台面的所述多个开口中，其中所述多个开口提供围绕所述多个基极金属的窗口，还包括被布置在所述发射极台面外部并围绕所述发射极台面并连接到所述基极台面的外部基极金属，其中所述多个基极金属和所述外部基极金属电耦合，其中所述外部基极金属被布置为围绕所述发射极台面，并且其中所述外部基极金属通过另一金属层连接到所述多个基极金属。
权利要求2
根据权利要求1所述的异质结双极晶体管HBT，还包括耦合到所述发射极台面的发射极金属。
权利要求3
根据权利要求1所述的异质结双极晶体管HBT，还包括耦合到所述集电极台面的集电极金属。
权利要求4
根据权利要求1所述的异质结双极晶体管HBT，其中所述多个开口中的每一个开口具有相同的尺寸。
权利要求5
根据权利要求4所述的异质结双极晶体管HBT，其中所述多个开口中的每一个开口呈正方形形状。
权利要求6
根据权利要求4所述的异质结双极晶体管HBT，其中所述多个开口是至少四个。
权利要求7
根据权利要求4所述的异质结双极晶体管HBT，其中所述多个开口被布置为阵列。
权利要求8
根据权利要求7所述的异质结双极晶体管HBT，其中所述多个开口被布置为2×2、3× 3或3×1的阵列。
权利要求9
根据权利要求4所述的异质结双极晶体管HBT，其中所述多个开口中的每一个开口呈六边形形状。
权利要求10
根据权利要求9所述的异质结双极晶体管HBT，其中所述多个基极金属中的每一个基极金属呈六边形形状。
权利要求11
根据权利要求1所述的异质结双极晶体管HBT，其中所述发射极台面与所述多个基极金属之间的间隔是所使用的工艺技术允许的最小尺寸。
权利要求12
根据权利要求1所述的异质结双极晶体管HBT，其中所述基极台面的面积与所述发射极台面的面积之比小于1.8。
权利要求13
一种用于制造异质结双极晶体管HBT的方法，包括：提供包括集电极台面堆叠、基极台面堆叠和发射极台面堆叠的晶片； 将所述发射极台面堆叠图案化来形成布置成具有多个开口的网状结构的发射极台面； 在连接至所述基极台面堆叠的所述多个开口中提供多个基极金属，其中所述多个开口提供围绕所述多个基极金属的窗口；以及将所述基极台面堆叠图案化来形成基极台面， 还包括提供被布置在所述发射极台面的外部并围绕所述发射极台面并且连接到所述基极台面的外部基极金属，其中所述多个基极金属和所述外部基极金属电耦合，其中所述外部基极金属被布置为围绕所述发射极台面，并且其中所述外部基极金属通过另一金属层连接到所述多个基极金属。
权利要求14
根据权利要求13所述的方法，其中所述多个开口中的每一个开口具有相同的尺寸。
权利要求15
根据权利要求14所述的方法，其中所述多个开口被布置为2×2、3×3或3×1的阵列。
权利要求16
根据权利要求14所述的方法，其中所述发射极台面具有4个或更多个开口。
权利要求17
根据权利要求13所述的方法，其中所述多个开口中的每一个开口呈正方形形状。
权利要求18
根据权利要求13所述的方法，其中所述多个开口中的每一个开口呈六边形形状。
权利要求19
根据权利要求18所述的方法，其中所述多个基极金属中的每一个基极金属呈六边形形状。
权利要求20
根据权利要求13所述的方法，其中所述基极台面的面积与所述发射极台面的面积之比小于1.8。