非显而易见性评估仅供参考，不构成法律建议。
权利要求列表点击可跳转
对比文件列表
| 编号 | 名称 |
|---|
权利要求1
一种用于修改电感器的磁场的方法，所述方法包括：以通过调整施加于包括离子化的磁性颗粒的组件的电极的电势来选择性地控制经密封的包封中的所述离子化的磁性颗粒的移动的方式修改电感器的磁场。
权利要求2
如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电极与所述电感器的所述磁场横切地定位。
权利要求3
如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电势使所述离子化的磁性颗粒在朝与所述电感器的所述磁场横切的方向相对于所述电极移动。
权利要求4
如权利要求1所述的方法，其特征在于， 当所述离子化的磁性颗粒被安排在第一配置中时，所述离子化的磁性颗粒调整所述电感器的所述磁场达第一量，其中当所述离子化的磁性颗粒被安排在第二配置中时，所述离子化的磁性颗粒调整所述电感器的所述磁场达第二量，并且其中所述第一量不同于所述第二量。
权利要求5
如权利要求1所述的方法，其特征在于，选择性地控制所述离子化的磁性颗粒的移动是由集成到电子设备中的处理器发起的。
权利要求6
如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：向所述电感器施加电流，其中所述电感器响应于所述电流而生成所述磁场。
权利要求7
如权利要求1所述的方法，其特征在于，修改所述电感器的所述磁场修改所述电感器的有效电感。
权利要求8
如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：选择一个或多个电感器参数；以及 基于所述一个或多个电感器参数来修改所述电感器的所述磁场。
权利要求9
一种半导体器件，包括： 电感器；以及 第一可变磁通密度组件，其被定位成毗邻所述电感器以在电流被施加于所述电感器时影响所述电感器的磁场，其中所述第一可变磁通密度组件包括经密封的包封中的离子化的磁性颗粒并且包括电极，所述电极被配置成响应于跨所述电极施加的电势而使所述离子化的磁性颗粒移动。
权利要求10
如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述第一可变磁通密度组件与所述电感器的所述磁场横切地定位。
权利要求11
如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述第一可变磁通密度组件被放置在所述电感器的第一侧上。
权利要求12
如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括与所述电感器的所述磁场横切地定位的且放置在所述电感器的与所述第一可变磁通密度组件相对的一侧上的第二可变磁通密度组件。
权利要求13
如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述第一可变磁通密度组件包括电感控制组件，所述电感控制组件包括离子化的磁性颗粒和所述电极。
权利要求14
如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于， 当所述离子化的磁性颗粒被安排在第一配置中时，所述离子化的磁性颗粒调整所述电感器的所述磁场达第一量，其中当所述离子化的磁性颗粒被安排在第二配置中时，所述离子化的磁性颗粒调整所述电感器的所述磁场达第二量，并且其中所述第一量不同于所述第二量。
权利要求15
如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述离子化的磁性颗粒中的至少一个磁性颗粒包括基于铁的化合物。
权利要求16
如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述离子化的磁性颗粒中的至少一个磁性颗粒包括：纳米级Fe3O4核；以及 SiO2壳。
权利要求17
如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括耦合至所述第一可变磁通密度组件的控制器，其中所述控制器被配置成通过向所述第一可变磁通密度组件施加控制信号来控制所述电感器的有效电感。
权利要求18
如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括：天线；以及 耦合至所述天线的电路，其中影响所述电感器的所述磁场促成所述天线与所述电路之间的阻抗匹配。
权利要求19
如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括：所述电感器和所述第一可变磁通密度组件被集成到其中的半导体管芯。
权利要求20
如权利要求9所述的半导体器件，进一步包括其中集成有所述电感器和所述第一可变磁通密度组件的设备，所述设备选自：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、以及计算机。
权利要求21
一种用于修改电感器的磁场的方法，所述方法包括：用于通过调整施加于包括离子化的磁性颗粒的组件的电极的电势来选择性地控制经密封的包封中的所述离子化的磁性颗粒的移动的步骤；以及用于向所述电感器施加电流的步骤，其中所述电感器响应于所述电流而生成所述磁场，并且其中所述组件被定位成毗邻所述电感器。
权利要求22
如权利要求21所述的方法，其特征在于，所述用于选择性地控制移动的步骤和所述用于施加电流的步骤是由集成到电子设备中的处理器发起的。
权利要求23
一种半导体器件，包括： 用于存储磁场中的能量的装置，所述存储是在电流被施加于所述用于存储能量的装置时进行的；以及用于响应于控制信号而可控地影响所述用于存储能量的装置的所述磁场的装置，其中所述用于可控地影响的装置毗邻所述用于存储能量的装置并且包括用于通过调整施加于包括离子化的磁性颗粒的组件的电极的电势来控制经密封的包封中的所述离子化的磁性颗粒的移动的装置。
权利要求24
如权利要求23所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括所述用于存储能量的装置和所述用于可控地影响的装置被集成到其中的半导体管芯。
权利要求25
如权利要求23所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括其中集成有所述用于存储能量的装置和所述用于可控地影响的装置的设备，所述设备选自：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、以及计算机。
权利要求26
一种存储指令的非瞬态计算机可读介质，所述指令在由处理器执行时使所述处理器：发送控制信号； 所述控制信号用于通过选择性地控制经密封的包封中的离子化的磁性颗粒的移动来修改电感器的磁场，其中所述离子化的磁性颗粒通过调整施加于包括所述离子化的磁性颗粒的组件的电极的电势来选择性地控制，并且其中所述组件被定位成毗邻所述电感器。
权利要求27
如权利要求26所述的非瞬态计算机可读介质，其特征在于，所述组件对应于电感控制组件。
权利要求28
一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：接收数据文件，所述数据文件包括对应于半导体器件的设计信息；以及根据包括在所述数据文件中的所述设计信息来制造所述半导体器件，其中所述半导体器件包括：电感器；以及 可变磁通密度组件，其被定位成毗邻所述电感器以在电流被施加于所述电感器时影响所述电感器的磁场，其中所述可变磁通密度组件包括经密封的包封中的离子化的磁性颗粒并且包括电极，所述电极被配置成响应于跨所述电极施加的电势而使所述离子化的磁性颗粒移动。
权利要求29
如权利要求28所述的方法，其特征在于，所述数据文件具有GERBER格式。
权利要求30
如权利要求28所述的方法，其特征在于，所述数据文件具有GDSII格式。