非显而易见性评估仅供参考，不构成法律建议。
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对比文件列表
| 编号 | 名称 |
|---|
权利要求1
一种堆叠式电光活性有机二极管，包括阳极电极层(102)；阴极电极层(162)；设置在所述阳极电极层(102)和所述阴极电极层(162)之间的第一电光活性有机层(110)；设置在所述第一电光活性有机层(110)和所述阴极电极层(162)之间的第二电光活性有机层(130)；设置在第一电光活性有机层(110)和第二电光活性有机层(130)之间的低电子亲和性层(120)；所述低电子亲和性层(120)由第一透明无机半导体材料形成；以及设置在所述第二电光活性有机层(130)和低电子亲和性层(120)之间的高电子亲和性层(121)；所述高电子亲和性层由第二透明无机半导体材料形成；其中所述第二透明无机半导体材料具有比所述第一无机半导体材料更高的电子亲和性；其特征在于，所述低电子亲和性层(120)具有至少$5\text{ nm}$的厚度。
权利要求2
如权利要求1所述的堆叠式电光活性有机二极管，其中第一无机半导体材料的电子亲和性在0.5eV到3.5eV之间。
权利要求3
如权利要求1或2所述的堆叠式电光活性有机二极管，其中第二无机半导体材料的电子亲和性在4eV到8eV之间。
权利要求4
如权利要求1或2所述的堆叠式电光活性有机二极管，其中低电子亲和性层(120)的厚度超过$10\text{ nm}$。
权利要求5
如权利要求1或2所述的堆叠式电光活性有机二极管，其中高电子亲和性层(121)的厚度至少为$5\text{ nm}$。
权利要求6
如权利要求5所述的堆叠式电光活性有机二极管，其中高电子亲和性层(121)的厚度超过$10\text{ nm}$。
权利要求7
如权利要求1或2所述的堆叠式电光活性有机二极管，其中第一无机半导体材料和/或第二无机半导体材料具有比所述阴极电极层的材料更高的熔化温度。
权利要求8
如权利要求1或2所述的堆叠式电光活性有机二极管，其中第一无机半导体材料的带隙大于2.7eV。
权利要求9
如权利要求8所述的堆叠式电光活性有机二极管，其中第一无机半导体材料的带隙大于3eV。
权利要求10
如权利要求1或2所述的堆叠式电光活性有机二极管，其中第一无机半导体材料包括碱土金属或镧系元素的硫属化物或二元氧化物。
权利要求11
如权利要求10所述的堆叠式电光活性有机二极管，其中第一无机半导体材料包括BaO、BaSe、La2O3或Ce2O3。
权利要求12
如权利要求1或2所述的堆叠式电光活性有机二极管，其中第二无机半导体材料包括过渡金属的二元氧化物。
权利要求13
如权利要求12所述的堆叠式电光活性有机二极管，其中第二无机半导体材料包括WO3、MoO3或者V2O5。
权利要求14
如权利要求1或2所述的堆叠式电光活性有机二极管，还包括设置在阴极电极层(162)和第二电光活性有机层(130)之间并且与所述阴极电极层(162)相邻的短路保护层(160)；其中所述短路保护层(160)由无机半导体材料形成。
权利要求15
如权利要求1或2所述的堆叠式电光活性有机二极管，还包括覆盖层(364)；其设置成与阴极电极层的表面相接触；使得阴极电极层位于第二电光活性有机层和所述覆盖层(364)之间；其中所述覆盖层(364)由相对于与所述覆盖层(364)相接触的阴极电极层材料基本呈惰性的材料形成；并且其中所述惰性材料沉积在所述阴极电极层的所述表面上；使得整个表面被覆盖并且表面缺陷得到消除。