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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
阳极电极层(102)
B
阴极电极层(162)
C
设置在所述阳极电极层(102)和所述阴极电极层(162)之间的第一电光活性有机层(110)
D
设置在所述第一电光活性有机层(110)和所述阴极电极层(162)之间的第二电光活性有机层(130)
E
设置在第一电光活性有机层(110)和第二电光活性有机层(130)之间的低电子亲和性层(120)
F
所述低电子亲和性层(120)由第一透明无机半导体材料形成
G
设置在所述第二电光活性有机层(130)和低电子亲和性层(120)之间的高电子亲和性层(121)
H
所述高电子亲和性层由第二透明无机半导体材料形成
I
其中所述第二透明无机半导体材料具有比所述第一无机半导体材料更高的电子亲和性
J
所述低电子亲和性层(120)具有至少 的厚度
权利要求 2
K
其中第一无机半导体材料的电子亲和性在0.5eV到3.5eV之间
权利要求 3
L
其中第二无机半导体材料的电子亲和性在4eV到8eV之间
权利要求 4
M
其中低电子亲和性层(120)的厚度超过
权利要求 5
N
其中高电子亲和性层(121)的厚度至少为
权利要求 6
O
其中高电子亲和性层(121)的厚度超过
权利要求 7
P
其中第一无机半导体材料和/或第二无机半导体材料具有比所述阴极电极层的材料更高的熔化温度
权利要求 8
Q
其中第一无机半导体材料的带隙大于2.7eV
权利要求 9
R
其中第一无机半导体材料的带隙大于3eV
权利要求 10
S
其中第一无机半导体材料包括碱土金属或镧系元素的硫属化物或二元氧化物
权利要求 11
T
其中第一无机半导体材料包括BaO、BaSe、La2O3或Ce2O3
权利要求 12
U
其中第二无机半导体材料包括过渡金属的二元氧化物
权利要求 13
V
其中第二无机半导体材料包括WO3、MoO3或者V2O5
权利要求 14
W
还包括设置在阴极电极层(162)和第二电光活性有机层(130)之间并且与所述阴极电极层(162)相邻的短路保护层(160)
X
其中所述短路保护层(160)由无机半导体材料形成。