一种印刷电路板，包括；绝缘层；以及电路图案；所述电路图案设置在所述绝缘层上；其中，所述电路图案包括上表面、下表面、第一侧表面和第二侧表面；并且所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.31μm以下；其中，在所述电路图案的表面中长度长的部分的粗糙度小于长度小的部分的粗糙度

作为一名经验丰富的专利代理师，我将为您对目标专利的权利要求1进行深度解析，并结合对比文件D1进行详细的特征比对、创造性评述、无效请求风险评估，并给出下一步的进阶检索策略。

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### 一、 目标专利说明书对权利要求的原意解释

为了准确限定权利要求的保护范围，必须紧密结合目标专利说明书（CN113243145B）的上下文进行“原意解释”：

1. **技术领域与背景技术（高频最小化信号损失）：** 说明书\[0001\]、\[0006\]-\[0010\]明确指出，本发明的核心目的是解决高频信号传输中的**趋肤效应（skin effect）**带来的导体损失。高频信号仅在导体表面极薄的层（趋肤厚度d）中传输，表面粗糙度会成为信号传输的“抵抗/阻抗”，因此**降低电路图案的表面粗糙度 Ra 可以使信号损失最小化**。

2. **特征F（至少三个表面 Ra $\le$ 0.31$\mu$m）：** 说明书\[0014\]、\[0093\]-\[0094\]、\[0098\]指明，电路图案包括上表面（ts）、下表面（bs）、第一侧表面（ls1）和第二侧表面（ls2）。控制其中“至少三个表面”的粗糙度在该低值范围内，是为了确保信号无论在哪个表面区域流动，其受到的表面电阻干扰都降到最低（如示例性实施例1-4所示）。

3. **特征G（长度长的部分粗糙度 < 长度小的部分粗糙度）：** 这是本发明的**核心限制特征**。说明书\[0017\]-\[0020\]、\[0103\]-\[0108\]、\[0123\]-\[0128\]给出了精炼的定义：

* **“长度”的定义：** 指的是“在电路图案的宽度方向上的横截面中的长度”。具体而言，上表面和下表面的“长度”对应其**宽度**，侧表面的“长度”对应其**高度**（即电路图案的厚度）\[0104\]。

* **技术逻辑：** 信号移动的区域（幅度）与该横截面边缘部分的长度成正比，**“长度长的部分中电流（信号）移动的区域变得更大”**\[0108\]。为了最大化信号传输特性，必须针对性地让**信号移动区域更大（长度长）的那个表面拥有更小的表面粗糙度**，从而针对性地降低最大通流面积上的阻抗。

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### 二、 权利要求特征分解与对比文件特征比对（含出处）

在本次分析中，对比文件 **D1** 指代：**JP2004193168A** (*Wiring board and its manufacturing method*)。

下面将权利要求1分解为技术特征A~G，并与D1的原文进行实质比对：

#### 权利要求1的技术特征比对表

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### 三、 最接近对比文件（D1）的创造性分析

#### 1. 整体解决的技术问题与技术效果分析

* **目标专利：** 旨在解决高频电路中因**趋肤效应**导致的**高频信号传输损失和导体损失**\[0001, 0010\]。其达到的技术效果是通过对通流面积大的表面进行超精细粗糙度控制（Ra$\le$0.31$\mu$m），使得高频阻抗最小化，阻抗达到35.3$\Omega$以下\[0022, 0151\]。

* **对比文件 D1（JP2004193168A）：** 旨在解决配线基板在电子部品热循环过程中，因绝缘基板（APPE树脂）与配线导体（铜箔）之间的热膨胀系数差异，在交界处产生热应力集中，导致侧壁产生间隙、断线以及层间剥离的**机械结构/连接可靠性问题**\[0007-0010\]。其达到的技术效果是通过将配线导体做成台形状，并在侧面夹缝中充填环氧树脂增强粘接力，利用锚固效应消除间隙\[0013, 0027\]。

#### 2. D1 适合作为最接近对比文件的理由

尽管 D1 与目标专利解决的**根本技术问题完全不同**（D1 解决的是热应力开裂和粘接力问题，目标专利解决的是高频趋肤信号损失），但从**技术方案的整体结构**来看，D1 依然最适合作为本案最接近的对比文件（D1 可以作为唯一的“最接近对比文件”）：

* **结构高度相似：** D1 同样公开了带有绝缘层、台形截面电路图案（具备上下左右四个表面）的印刷电路板，在空间构型和基本材料组件上与目标专利提供了最相近的架构。

#### 3. 区别技术特征及其他对比文件公开情况

基于上述比对，本权利要求1相对于D1的区别技术特征为：

1. **区别特征1（特征F的部分）：** 电路图案的“至少三个表面”的表面粗糙度 Ra 均在 0.31$\mu$m 以下（D1仅含糊给出了侧面0.1-2$\mu$m的宽泛范围，且未定义其他表面）。

2. **区别特征2（特征G）：** 在电路图案表面中，宽度或高度方向上横截面“长度长”的部分，其粗糙度小于“长度小”的部分（即长短边粗糙度呈现反比例控制）。

**其他对比文件公开情况：** 本案目前仅检索到 D1 一篇对比文件。在现有记录中，**没有其他对比文件**公开上述区别特征2（特征G）这种将“几何边缘长度”与“粗糙度级别”相挂钩的动态控制规则。

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### 四、 无效请求方最薄弱的技术特征（即专利权人最稳固的护城河）

若您代表**无效请求方**尝试去宣告该专利无效，目前看来**最薄弱（最难攻克、最容易失败）的技术特征是：技术特征G**（在电路图案的表面中长度长的部分的粗糙度小于长度小的部分的粗糙度）。

**原因分析：**

1. **技术盲区/无结合启示：** 传统电子制造工艺中，铜箔的粗糙度通常取决于其本身的生产工艺（如ED铜箔的毛面与光面，或整体化学微蚀刻）。在常规工艺中，无论电路的宽窄、厚薄，其表面的粗糙度一般是整体均匀的。

2. **特定的功能性对应：** 目标专利说明书给出了一套非常规的技术逻辑——为了应对趋肤效应，通流区域大（横截面长度长）的表面对总体阻抗的贡献最大，因此需要被“重点照顾”赋予更低的粗糙度。这种“按长度比例非均匀控制粗糙度”的设计，在常规PCB热应力机械优化（如D1）或普通的阻抗匹配中**完全不具备技术启示**。

3. **显著的进步效果：** 目标专利在说明书表1中通过示例性实施例1-4与比较例1-2进行了严密的实验数据对比，证明了当 Ra 控制在 0.31$\mu$m 以下并进行这种特定排布时，阻抗出现了明显的定量下降（从37.4$\Omega$降至35.3$\Omega$及以下）。无效请求方极难通过“惯用手段”或“公知常识”对其进行显而易见性的说理辩驳。

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### 五、 针对薄弱特征的进一步检索策略

为了攻克上述“技术特征G”和“特征F（多表面微观粗糙度控制）”，建议无效请求方转换检索思路，采取以下进阶检索策略：

1. **调整检索关键词与语义拓扑：**

* 放弃从常规的“PCB叠层”或“热应力”角度检索，转而切入**“信号完整性（Signal Integrity）”**、**“高频/微波传输线”**、**“趋肤效应损耗（Skin Effect Loss）”**、**“非均匀粗糙度（Non-uniform roughness / Asymmetric roughness）”** 领域。

* **核心检索词组合：** `(印刷电路板 OR 传输线 OR 铜箔) AND (趋肤效应 OR 高频损耗 OR 阻抗) AND (粗糙度 OR Ra OR Rq) AND (侧壁 OR 上表面 OR 宽 OR 高 OR 厚度) AND (不同 OR 差异化 OR 比例 OR 降低)`。

2. **紧盯特定生产工艺源头（如铜箔及特殊蚀刻技术）：**

* 这种“不同表面粗糙度不同”的技术特征往往是由**特定的加工制造工艺**（例如：单面微蚀刻、激光精密表面处理、各向异性蚀刻，或采用带有特殊载体的超薄铜箔转印）天然导致的。

* 重点检索**铜箔制造厂商**（如三井金属、JX金属等）或**微蚀刻药水商**（如麦德美乐思、安美特）在 **2023年6月之前**（目标专利申请日前）公开的专利或技术白皮书。这类白皮书经常会讨论“如何专门降低高频信号主通流通路上的铜箔粗糙度，而保留其他面粗糙度以维持结合力”。

3. **跨学科/跨组件检索（微波与射频波导）：**

* 在微波射频（RF/Microwave）以及毫米波（Millimeter-wave）雷达布线领域，工程师非常关注微带线（Microstrip）或带状线（Stripline）的侧壁粗糙度对高频衰减的影响。

* 重点前往 **IEEE Xplore 数献库**、**IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques** 等期刊检索相关学术论文。一旦有论文在目标专利申请日前公开了“*因为微带线宽度大于高度，微带线上表面的粗糙度对高频损耗的贡献大于侧壁，因此应优先降低上表面粗糙度*”的理论或仿真，即可作为强有力的突防证据（技术启示）。

作为一名经验丰富的专利代理师，在针对目标专利（CN113243145B，印刷电路板）进行无效宣告或稳定性分析时，我们需要紧密围绕权利要求的**字面含义（Literal meaning）**、说明书的**发明目的与技术效果**，以及对比文件（D1-D4）的**实质公开内容**进行细致的协同分析。

以下是针对本案的深度权利要求解析、特征比对、创造性评价及检索策略报告：

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## 一、 权利要求解释与说明书协同分析

### 1. 权利要求1的架构与技术特征分解

根据专利法及审查指南，权利要求1可划分为以下7个技术特征：

* **特征A**：一种印刷电路板，包括；

* **特征B**：绝缘层；

* **特征C**：以及电路图案；

* **特征D**：所述电路图案设置在所述绝缘层上；

* **特征E**：其中，所述电路图案包括上表面、下表面、第一侧表面和第二侧表面；

* **特征F**：并且所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.31μm以下；

* **特征G**：其中，在所述电路图案的表面中长度长的部分的粗糙度小于长度小的部分的粗糙度。

### 2. 结合说明书对核心特征的法律与技术内涵释明

* **关于特征E/F中表面的定义与粗糙度数值范围限制（0.31μm以下）：**

* **技术解释**：说明书第`[0089]`-`[0091]`段明确释明，电路图案的“上表面ts”为电镀种子层与绝缘层接触的**下接触面**（注意：此处的“上”为特定层级命名，实际为与绝缘层接触的面），“下表面bs”为图案相反的**上表面**，而第一/第二侧表面为连接两者的侧面。说明书第`[0094]`、`[0099]`、`[0111]`等段落反复论证了“**0.31μm**”是导体损失的**关键临界点**。当高频信号（如1GHz以上，见`[0041]`、`[0137]`）传输时，由于“趋肤效应（Skin Effect）”，电流极度集中于导体表面。若Ra超过0.31μm，表面起伏产生的阻抗（抵抗）会急剧增大导致信号严重衰减。实验数据（表1）表明，当Ra控制在0.31μm以下（如0.31, 0.17等）时，阻抗可压低至35.3Ω以下，显著优于比较例（Ra=0.68μm时阻抗跳跃至37.4Ω）。

* **关于特征G中“长度长部分的粗糙度 小于 长度小部分的粗糙度”的映射关系：**

* **技术解释**：说明书第`[0104]`、`[0124]`段对“长度”给出了极其关键的限定——“**是指在电路图案的宽度方向上的横截面中的长度**”，即上表面/下表面对应横截面的**宽度**，侧表面对应横截面的**高度**。说明书第`[0108]`、`[0128]`及`[0156]`段揭示了其本质逻辑：横截面中哪个边的尺度长，信号在该边移动的宏观区域就更大，对趋肤效应产生的总导体损失贡献率更高，因此**人为地使该长边的粗糙度更小**，从而在整体上实现最佳的信号优化。例如，当宽度（上/下表面长度）大于高度（侧表面长度）时，使上/下表面的粗糙度Ra小于侧表面的粗糙度。

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## 二、 对比文件特征比对表格

为清晰展现各对比文件对权利要求1的公开情况，以下附上各文件的特征比对矩阵。

### 对比文件身份说明：

* **D1**: JP2001102696A (配线基板及其制造方法)

* **D2**: US20040154930A1 / **D3**: KR1020040073387A (高频铜箔及其制造方法，二者为同族专利，技术内容基本等同)

* **D4**: US20040229024A1 (多层印刷电路板及其制造方法)

### 特征比对表：

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## 三、 对比文件详细出处分析与实质公开论证

### 1. D1 (JP2001102696A) 毫无疑问公开的内容

* **出处**：说明书第`[0010]`-`[0011]`段、第`[0014]`-`[0016]`段及【图1】。

* **论证**：D1公开了一种高频配线基板，其明确将电路图案区分为“信号线（微细配线层3）”和“地层（幅宽配线层4）”。D1第`[0010]`段指出：“*前記微細配線層の前記絶縁基板との界面の表面粗さが０．３μｍ以下であり*”；第`[0016]`段进一步强调：“*信号導体線３においては、絶縁基板２との界面３ａの表面粗さ（Ｒａ）を０．３μｍ以下、特に０．２μｍ以下とすることが重要であり*”。

* **结论**：D1毫无疑问地公开了目标专利权利要求1中的**特征A、B、C、D、E**，并在**单边表面（与绝缘层贴合的界面）**上公开了Ra $\le$ 0.3μm（落入0.31μm以下）。但D1并未公开对“至少三个表面”同时做低粗糙度限制，也未公开特征G。

### 2. D2/D3 (US2004154930A / KR1020040073387A) 实质公开与局限性

* **出处**：D2/D3的说明书【表3】、【表4】以及`[0007]`-`[0010]`段。

* **论证**：D2/D3属于从基础材料（铜箔）角度解决高频传输损失的发明。其在第`[0007]`段讨论了趋肤效应（Skin effect），指出高频下电流仅流过铜箔的皮层表面（Shiny side和Matte side）。为了提高剥离强度（Peel strength）同时不恶化高频损失，其利用包含墨卡托基（mercapto group）的电解液制备出表面具有小疙瘩突起（Knob-like projections）的铜箔。表4（条件D）中公开了未处理铜箔的Matte side表面粗糙度Rz为0.8μm。

* **结论**：根据行业公认换算，十点平均粗糙度Rz为0.8μm时，其中央算术平均粗糙度Ra必然落入0.31μm以下（通常在0.08μm~0.15μm左右）。因此，D2/D3实质公开了**利用低粗糙度铜箔制造高频PCB电路以降低趋肤效应损失**的技术思想。但其保护的是整张铜箔原始面，在后续PCB图形转移（蚀刻）后，两侧边（侧表面）是由蚀刻工艺决定的，D2/D3并未提及、也无法控制蚀刻侧表面的粗糙度，故未公开“至少三个表面Ra $\le$ 0.31μm”的整体结构，更未公开特征G。

### 3. D4 (US2004229024A) 实质公开与局限性

* **出处**：说明书第`[0013]`段、第`[0043]`段及【图3A】。

* **论证**：D4专注于多层板内部高频传输线（Strip line/Microstrip line）的粗糙度设计。其第`[0043]`段明确提及：“*one surface of each grounding conductive pattern 2g, which is disposed on the small surface roughness 2gs side, faces each other. Therefore, the strip line shown in FIG. 3A has the small surface resistance...*”。即，D4注意到在线路结构中，为了对冲高频交变电流的趋肤效应，应当让信号线与地线“互相对视/朝向”的表面的粗糙度做小。

* **结论**：D4在技术思路上最贴近目标专利，它认识到了需要对高频电路图案的**多个表面**（如信号线的上下表面、地层的相对面）进行粗糙度差别化控制。然而，D4属于定性描述，**未能公开Ra $\le$ 0.31μm的量化技术参数**，且其粗糙度控制依据是“朝向电场方向”，而不是“横截面几何长度的长短”，故未公开特征G。

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## 四、 最接近对比文件（D1 vs D4）的选择与创造性评述

在针对本专利进行创造性分析（三步法）时，存在两个非常优秀的**最接近对比文件（主答辩/主无效证据）**通路：

### 路线一：以 D1 为最接近的对比文件（从技术效果与定量指标出发）

* **理由**：D1同样属于热硬化性树脂PCB领域，其明确提出了针对高频信号传输（10GHz），将微细信号线的Ra控制在**0.3μm以下**，这一技术参数与目标专利的“0.31μm以下”高度吻合，且直接公开了Ra的技术测定单位。

* **发明实际解决的技术问题**：如何在高频PCB中，进一步降低由于三维电路图案（上、下、两侧面）全局趋肤效应引起的导体损耗。

* **创造性评述（结合D2/D4）**：

* 目标专利相比于D1，区别特征在于：① 将低粗糙度（$\le$ 0.31μm）的范围从单一贴合面扩大至“**至少三个表面**”；② 引入了**特征G**（长边粗糙度小于短边）。

* 关于至少三个表面的低粗糙度控制：高频信号由于趋肤效应沿着导体的四周表皮移动，这在公知常识（及D2 `[0007]`）中是必然发生的。D4（`[0013]`、`[0043]`）也已经给出了明确启示：不仅是贴合面，只要是高频信号传输经过的相对表面，都应当做低粗糙度处理。因此，本领域技术人员在D1的基础上，结合D4的启示和D2的低粗糙度铜箔材料，为了全面减小阻抗，非常容易想到将电路图案的顶面、底面及侧面（至少三个面）同时调整为Ra $\le$ 0.31μm，这属于常规方案的组合或自然延伸。

### 路线二：以 D4 为最接近的对比文件（从整体解决的技术问题与拓扑结构出发）

* **理由**：D4完美对应了目标专利解决高频信号损失的宏观背景，且D4的研究视角是“三维图案的各个单面（如Facing surface和Opposite side）”。它直接指导技术人员去根据高频电流流过的表面来精细化定制多面粗糙度。

* **发明实际解决的技术问题**：如何为高频传输线设定精确定量的粗糙度门槛，并根据图案截面的几何特性最大化优化信号传输特性。

* **创造性评述**：

* 区别特征在于：① 定量限定Ra $\le$ 0.31μm；② 引入特征G。

* 本领域技术人员结合D1（明确公开Ra $\le$ 0.3μm以优化10GHz信号），很容易为D4中“需要做平滑处理的表面”赋予0.31μm以下的定量参数。

### 关于特征G的创造性评述（请求方最薄弱的技术特征）

无论选择D1还是D4做主证据，**特征G（在电路图案的表面中长度长的部分的粗糙度小于长度小的部分的粗糙度）均未被任何对比文件直接公开**。

* **最薄弱特征分析（对请求方而言）**：特征G是无效请求方最难攻破的堡垒。因为D4等文件控制粗糙度的逻辑是“**电场和场强分布（朝向地层）**”，而目标专利将其纯粹绑定在“**横截面单边几何尺寸的长短**”上。如果说明书能够证明“由于横截面长边的宏观表面积大，对趋肤效应总导体损耗的贡献权重大，因此优先做低长边粗糙度能够带来预料不到的阻抗降低效果”，则该特征具有极强的创造性抗辩力。

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## 五、 进一步的精准检索策略

为了彻底无效掉权利要求1，必须针对特征G以及“三个面同时满足定量粗糙度”进行强力阻击。建议采取以下进阶检索策略：

### 1. 概念解构与检索式修正（针对特征G的破局）

特征G的实质是：**对于矩形或台形导线截面，由于宽度（Width）与高度（Height）不相等，在表面处理或蚀刻时，对宽边和窄边进行了差异化的粗糙度控制（Differential Roughness Control）。**

* **关键词扩展**：

* (电路图案 OR 导线 OR 铜箔 OR trace OR line OR conductor)

* (截面 OR 横断面 OR 宽度 OR 高度 OR 长边 OR 短边 OR cross section OR width OR height OR aspect ratio)

* (粗糙度 OR 差异 OR 差别 OR 比例 OR 不同 OR roughness OR differential OR non-uniform OR micro-roughness)

* **推荐布尔逻辑式（IPC分类号锁定：H05K1/09, H05K3/06）**：

`((trace OR conductor OR line) 3D (roughness OR Ra OR Rz)) AND ((side OR top OR bottom) 2D (differential OR distinct OR vary OR difference)) AND (skin effect OR high frequency OR loss)`

### 2. 工艺源头逆向检索（重点关注加成法/半加成法工艺）

说明书第`[0051]`段提到电路图案可通过加成工艺（Additive）、半加成工艺（SAP/MSAP）制造。在MSAP工艺中：

* 电路的**下表面**（原始铜箔面粗糙度由材料决定）；

* 电路的**侧表面**（由于干膜光刻胶侧壁的光洁度或闪蚀 flash etching 决定）；

* 电路的**上表面**（由电镀铜层表面的微蚀或抗氧化OSP处理决定）。

* **策略**：去检索2015-2023年间专门研究**MSAP/SAP工艺中控制导线侧壁粗糙度（Sidewall Roughness Control）**的高频电路制造文献（如深南电路、生益科技、日立化成、JSR等公司的专利）。通常，这类工艺文献中会天然记录“由于蚀刻速率或光刻胶限制，线宽侧（长边）的粗糙度往往能够做到比电镀增长侧（短边）更低”的客观物理现象，从而利用“**工艺必然导致的技术结果**”来否定特征G的创造性（主张其属于伴随特定工艺必然产生的参数，非人为创造）。

### 3. 寻找公知常识证据（教科书/仿真软件手册）

在高频微波EDA仿真领域（如Ansys HFSS, Cadence Sigrity），设置传输线损耗时，通常要求用户分别输入导线的 Top Roughness, Bottom Roughness 和 Sidewall Roughness。

* **检索方向**：查阅微波电路、信号完整性（Signal Integrity）经典教科书（如Eric Bogatin的《信号完整性与电源完整性分析》）。若书中写明“*在线宽远大于线厚的微带线中，由于上下表面面积大，其粗糙度对趋肤效应损耗的影响占据主导地位，因此工艺上应优先确保上下表面的光洁度*”，此段话即可完美等同于特征G的技术逻辑，可作为**公知常识（教科书级证据）**直接斩断特征G的创造性高度。

作为一名经验丰富的专利代理师，我将为您对上述目标专利（下称：本申请）的权利要求1进行深度解析，并结合四份对比文件（D1至D4）的原文进行详细的特征比对、最接近对比文件选择、无效请求最薄弱特征分析及下一步检索策略的制定。

为了方便表述，各对比文件的公开号及简称对应如下：

* **D1**：JP3669284B2（ink cartridge）

* **D2**：TW200715919A（二層軟性電路板）

* **D3**：KR1020080020077A（고밀도 인쇄회로기판 및 그 제조 방법）

* **D4**：US7535095B1（Printed wiring board and method for producing the same）

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## 一、 权利要求1的紧密结合说明书解释

权利要求1保护的是一种“印刷电路板”，其核心发明点在于**电路图案表面粗糙度的控制（技术特征F）**以及**表面不同长度部分的粗糙度异质性分布（技术特征G）**。结合目标专利说明书，其真实技术意图阐释如下：

1. **关于0.31μm以下的表面粗糙度（特征F）**：说明书第`[0006]`-`[0010]`段及`[0026]`-`[0027]`段明确指出，在高频信号传输中，由于**趋肤效应（skin effect）**，电信号会流向导体表面。若表面粗糙度过大，其会作为电阻（抵抗）起作用，导致信号损失增加。因此，将至少三个表面的Ra控制在0.31μm以下（甚至更优的0.1μm至0.17μm），能使在高频信号传输过程中的**导体损失（信号损失）最小化**。

2. **关于长度长部分的粗糙度小于长度小部分的粗糙度（特征G）**：说明书第`[0104]`段和`[0108]`段做出了具体的常识性及技术性定义：这里的“长度”是指在**电路图案宽度方向上的横截面中的长度**，即“上表面和下表面的长度对应于**宽度**，侧表面的长度对应于**高度**”。说明书强调，在长度长（即宽度大）的部分，电流（信号）移动的区域更大，通过让其粗糙度更小，能够最大程度地缓和对信号传输的干扰，从而**使信号传输的特性最大化**。

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## 二、 对比文件特征比对及出处分析

以下分析各对比文件是否毫无异议地公开或实质公开了权利要求1的技术特征：

### 1. 各对比文件公开情况详细分析

* **D1 (JP3669284B2)**：

* 该专利实际上涉及一种**墨盒（ink cartridge）**，其利用光学传感器检测墨水残量。

* 其结构中虽然包含了由“光透过性材料”制成的“侧壁51”、“倾斜部51a”和“区画壁41, 42”。但其内部容纳的是“柔性多孔质体（泡沫）48”和“墨水”。其既不属于电子学领域的“印刷电路板”，也没有导电意义上的“电路图案”及相应的粗糙度异质性分布。

* 因此，**D1仅公开了极其上位的“层”或“壁”的概念，未公开电路板、电路图案及粗糙度等核心特征**。

* **D2 (TW200715919A)**：

* 该专利公开了一种**二层软性电路板**，属于同一技术领域（公开了**特征A、B、C、D**）。

* 关于粗糙度（**特征F**），D2说明书第4页明确公开：“銅層的表面粗糙度(Ra)為0.10至0.25 μm，以0.12至0.24 μm為佳”。该范围（0.10-0.25μm）完全落入本申请“0.31μm以下”的范围内。

* 关于特征E，D2公开了绝缘体膜上的铜层，作为常规的三维线路，其自然包含上、下及双侧面。但D2**并未提及特征G**（宽度/高度等横截面长度长短与粗糙度大小的异质性对应关系）。

* **D3 (KR1020080020077A)**：

* 该专利公开了一种**高密度印刷电路板及其制造方法**（公开了**特征A、B、C、D**）。

* 关于粗糙度（**特征F**），D3在其技术方案中提及在树脂基板上形成嵌入式铜箔层，其“具有0.2～7㎛的表面粗糙度(Rz)”。注意，D3采用的是十点平均粗糙度（Rz），且其范围上限达到了7㎛（未实质公开本申请Ra为0.31μm以下的高平滑度特征，通常Ra 0.31μm对应的Rz要小得多）。

* D3**未公开特征G**。

* **D4 (US7535095B1)**：

* 该专利公开了一种**多层积层印刷电路板**（公开了**特征A、B、C、D**）。

* D4的核心在于解决高频信号下的趋肤效应（说明书第`[0009]`段），为了防止信号延迟，要求降低层间树脂绝缘层和导体回路的表面粗糙度，使其呈现平坦和水平的表面（Ra不大于1μm，优选更低）。D4公开了利用 transition metal（过渡金属层）来增强平滑铜回路与树脂之间的粘合力。

* D4披露了电路图案的Ra可以做到非常低，从而实质公开了**特征F**，但其**未公开特征G**。

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### 2. 技术特征比对表格

为了直观展现比对结果，特制备如下国内外通用的专利特征比对表（SMC）：

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## 三、 最接近对比文件的分析与确定

在创造性（非显而易见性）评判中，选择最接近的对比文件通常遵循**领域相同或相近、解决的技术问题相同、公开的技术特征最多**的原则。

### 1. 候选最接近对比文件筛选：D2 与 D4

* **D2 (TW200715919A)**：

* **技术领域**：完全相同，均为绝缘膜上直接形成铜层的印刷电路板。

* **技术问题与效果**：D2旨在解决“精细图线（Fine Line）的形成”以及“提高密接性、消除表面缺陷、提升良率”。它通过精细控制表面粗糙度（0.10-0.25μm）来达到在微细化电路中维持粘合力的效果。

* **特征构合**：公开了特征A、B、C、D、E，并且其公开的Ra范围（0.10-0.25μm）与本申请特征F（0.31μm以下）完美重叠。

* **D4 (US7535095B1)**：

* **技术领域**：完全相同，高频多层积层电路板。

* **技术问题与效果**：D4旨在解决“随着信号高频化（GHz频段），由于趋肤效应，信号选择性在导体表面传输，粗糙表面会导致信号传导噪声及延迟”的问题。这与目标专利说明书第`[0006]`-`[0012]`段试图解决的**“降低趋肤效应引起的导体损失”的技术问题和技术效果完全一致**。

* **特征构合**：同样公开了特征A、B、C、D、E及平滑表面的特征F。

### 2. 结论

在无效宣告程序中，请求方适合将 **D4** 或 **D2** 作为最接近的对比文件（本案可以主张**双出发点**）：

* 若从**技术问题和高频应用场景的最强相关性**出发，选择 **D4** 作为第一最接近对比文件（最适合用以攻击特征F在趋肤效应下的显而易见性）；

* 若从**粗糙度Ra数值范围的精确重合度**出发，选择 **D2** 作为另一最接近对比文件。

* *注：D1属于机械/光学组件领域，D3的粗糙度过大且非同种表征单位，均不适合作为最接近的对比文件。*

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## 四、 无效请求方最薄弱的技术特征分析

通过上述 SMC 表格和案情梳理可以发现，本申请权利要求1对于请求方（即试图无效掉该专利的一方）来说，**最薄弱、最难攻克的防线是：技术特征G**（在所述电路图案的表面中长度长的部分的粗糙度小于长度小的部分的粗糙度）。

### 为什么特征G最薄弱？

1. **现有技术集体缺失**：无论是D2、D3还是D4，现有技术对电路板线路粗糙度的认知均停留在“整体微粗糙化（增韧粘合）”或“整体平滑化（减小趋肤损耗）”。没有任何一份对比文件关注到在线路横截面的不同边界（上表面、下表面、侧表面）上，根据其绝对边长（宽度 vs 高度）的长短，去进行**差异化的异质粗糙度设计**。

2. **具备预料不到的技术效果**：本申请创造性地提出，在信号传输区域较大的面上（长度长的部分，如宽线图案的上下面）将粗糙度降得更低，而在信号传输区域小的面上（长度短的部分，如侧面）允许粗糙度稍大。这种“看人下菜碟”的异质控制，既最大化了信号传输特性，又兼顾了工艺可行性，在法律上极易被认定为“具有突出的实质性特点和显著的进步”。

3. **结合启示极难确立**：由于D2、D4等均是教导进行整体一性的表面处理（例如D2整体加添加剂电镀，D4整体PVD溅射），请求方很难从现有技术中找到“在同一根导线的不同表面上制造不同粗糙度”的**技术启示（Suggestion）**。

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## 五、 进一步的检索策略

鉴于特征G（横截面长短边的粗糙度差值控制）目前形成了坚固的专利壁垒，作为无效请求方，若想彻底推翻权利要求1，必须调整检索策略，发动第二轮精准检索：

1. **关键词微调与多语种扩展（聚焦工艺实现）**：

* 特征G要在工艺上实现，必然伴随着特殊的制造流程。例如：先通过平整的压延铜箔或PVD形成极低粗糙度的上/下表面，再通过高各向异性的刻蚀（Etching）或特殊的电镀增厚工艺，导致侧墙（侧表面）产生微小的凸起或由于刻蚀条纹而使得侧面粗糙度大于上下面。

* **检索词组合**：`(电路图案 OR 导线 OR 线路 OR 回路) AND (上表面 OR 顶面 OR 表面) AND (侧面 OR 侧墙) AND (粗糙度 OR 异质 OR 差异 OR 侧壁条纹 OR 刻蚀形貌) AND (趋肤效应 OR 高频)`

* **英文/日文关键词**：`(conductor line OR trace) AND (top surface AND side wall) AND (roughness difference OR differential roughness OR line edge roughness) AND (skin effect OR high frequency)`。

2. **转向“半导体大马士革工艺”或“超细线路（MSAP/SAP）工艺”领域检索**：

* 常规的PCB（如D2、D3）线宽较粗，工艺较糙。但在**IC载板（Substrate）、高密度封装、半导体掩膜版或芯片后道互连（BEOL）**领域，线宽已经进阶到几微米甚至纳米级。

* 在这些领域中，物理气相沉积（PVD）薄膜的表面Ra通常自然极低（<0.05μm），而通过反应离子刻蚀（RIE）或湿法化学刻蚀形成的导线侧墙，由于光刻胶边缘粗糙度（LER）的传递，**天然会导致“侧面粗糙度大于上下面”**。

* **策略**：去 IPC 分类号 `H01L21/768`（半导体器件的层间绝缘层上的导电层形成）或 `H05K3/06`（通过除去导电材料形成电路）项下，检索关于“超细线路侧墙粗糙度对高频损耗影响”的学术论文或专利。

3. **检索公知常识/教科书（将特征G打造成工艺必然结果）**：

* 如果能检索到电镀学、微细加工或PCB刻蚀工艺的教科书，证明“由于各向异性刻蚀中横向腐蚀与纵向腐蚀的速率差，或者光刻胶侧墙转移，必然导致长度短的侧面形貌比原铜箔表面（长边）更粗糙”，则可以主张特征G属于**工艺固有的公知常识表现**，无需创造性劳动即可获得，从而瓦解该防线。

## 一、 权利要求与目标专利说明书的深度解析

在进行无效宣告或创造性分析前，首先需要深刻理解目标专利的权利要求1及其技术实质。

### 1. 权利要求1的架构与特征拆解

目标专利权利要求1可拆解为以下核心技术特征：

* **特征A（前序部分主体）：** 一种印刷电路板，包括；

* **特征B（绝缘基础）：** 绝缘层；以及

* **特征C（导电主体）：** 电路图案；

* **特征D（空间位置关系）：** 所述电路图案设置在所述绝缘层上；

* **特征E（几何形体结构）：** 其中，所述电路图案包括上表面、下表面、第一侧表面和第二侧表面；

* **特征F（粗糙度定量限定）：** 并且所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和第二侧表面中的**至少三个表面**的表面粗糙度(Ra)为**0.31μm以下**；

* **特征G（各表面粗糙度与尺寸的相对关系）：** 其中，在所述电路图案的表面中**长度长的部分的粗糙度小于长度小的部分的粗糙度**。

### 2. 紧密结合说明书对技术特征的法律与技术诠释

* **关于特征F（至少三个表面Ra $\le$ 0.31μm）：**

说明书第`[0026]`、`[0027]`、`[0095]`段等明确指出，高频信号在传输时由于**趋肤效应**，电流会流向导体表面。表面粗糙度在此起到“抵抗（电阻）”的作用。将至少三个表面的Ra控制在0.31μm以下，能够使由趋肤效应引起的信号损失最小化（结合说明书表1，Ra=0.31μm时，阻抗为35.3$\Omega$，处于可接受的低损失状态）。

* **关于特征G（长度长的部分粗糙度 < 长度小的部分粗糙度）：**

说明书第`[0104]`段和`[0124]`段给出了极具法律意义的定义：**“在此，上表面、下表面和侧表面的长度是指在电路图案的宽度方向上的横截面中的长度，上表面和下表面的长度可以分别对应于上表面和下表面的宽度，并且侧表面的长度可以对应于侧表面的高度。”**

说明书第`[0108]`段进一步解释了该特征的技术效果：“由于在上表面ts、第一侧表面ls1和第二侧表面ls2中的**长度长的部分中电流（即信号）移动的区域变得更大**，为了使电路图案的信号损失最小化，上表面ts、第一侧表面ls1和第二侧表面ls2中长度长的部分的表面粗糙度可以小于长度短的部分的表面粗糙度。”

这说明，特征G不仅是一道几何学限定，其本质在于**通过将主要信号传输区域（横截面中占更长线条宽度的表面）的粗糙度压得更低，以此实现信号传输特性的最大化平衡**。

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## 二、 对比文件原文证据全景比对

各对比文件在特征比对中的表述与详细出处如下：

* **D1：KR1020100063526A**

* **实质公开特征：** A, B, C, D, E

* **关于粗糙度的公开情况：** 原文第`[06]`、`[12]`、`[19]`、`[21]`、`[41]`段提到了“낮은 표면조도（低表面粗糙度）”、“표면 조도가 거의 없기 때문에（因为几乎没有表面粗糙度）”以及能够“고주파에서 표피효과(skin effect)에 의한 신호손실을 줄일 수 있다（减少高频下趋肤效应引起的信号损失）”。然而，D1**未公开具体粗糙度数值是否在0.31μm以下（特征F）**，更**未提及表面粗糙度与表面长度之间的相对控制关系（特征G）**。

* **D2：US20120152594A1**

* **实质公开特征：** A, B, C, D, E, F

* **关于粗糙度的公开情况：** 原文第`[0010]`段明确公开：“The surface roughness of the at least one surface preferably is reduced to no more than 20 microinches RMS, more preferably is reduced to no more than 10 microinches RMS, and most preferably reduced to no more than 5 microinches root-mean-squared RMS.” 经单位换算，5 microinches RMS $\approx$ 0.127μm，10 microinches RMS $\approx$ 0.254μm，均落入“0.31μm以下”的范围。同时第`[0006]`段指出通过抛光以降低横向和纵向制作粗糙度。但D2**完全未涉及根据横截面边缘长度长短来非对称调控粗糙度的设计（特征G）**。

* **D3：US08568856B2**

* **实质公开特征：** A, B, C, D, E, F

* **关于粗糙度的公开情况：** 原文第`[0010]`、`[0029]`段明确公开：提供了无胶两层柔性基板，其铜层的表面粗糙度（Ra）为 **0.10至0.25μm**，该范围完全落入“0.31μm以下”的区间。第`[0031]`段详细描述了其随距离渐变的晶粒控制。然而，D3同样**未公开特征G中关于表面粗糙度随横截面长度长短而变化的非对称特征**。

* **D4：KR1020130126433A**

* **实质公开特征：** 仅公开了“第1金属板”、“第2金属板”以及夹在其中的“橡胶板”，该设备属于芯片元器件外部电极形成用的**治具（载板，Carrier Plate）**。其第`[0023]`段虽提及“거칠기면（粗糙面）”以增加橡胶与金属板的粘接力，但其技术领域与电路板上的高频微细布线毫无关联，**未能公开本案的任何核心导电电路图案粗糙度特征（特征F、G均不公开）**。

### 权利要求1技术特征比对表

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## 三、 最接近对比文件（D1/D2/D3）的系统性创造性分析

### 1. 最接近对比文件的选择与确立

在本案中，**D2（US20120152594A1）** 或 **D3（US8568856B2）** 均适合作为创造性分析中的**最接近对比文件**。

* **从整体解决的技术问题角度分析：**

* 目标专利的核心诉求在于：通过精细化控制微细布线各表面的粗糙度，解决高频信号在趋肤效应下表面电阻过大、信号传输损失严重的技术问题（说明书`[0006]`-`[0010]`）。

* **D2** 同样针对应电子元器件高频化趋势下发生的“趋肤效应（skin effect）”，致力于通过减小电路布线各表面的粗糙度来缩短电子行程，降低电阻，提升高频信号性能（D2第`[0003]`-`[0005]`段）。其解决的技术问题、技术诉求与目标专利高度一致。

* **D3** 则侧重于高密度、窄线宽电路板中，通过平衡铜层表面粗糙度（Ra在0.10-0.25μm间）来兼顾阻焊剂附着力（防止剥离）与精细线条刻蚀特性（D3第`[0005]`-`[0007]`段、`[0030]`段）。这也属于控制粗糙度以优化高频微细布线性能的范畴。

* 相比之下，D1虽然也提及了高频趋肤效应，但属于工艺改进型大篇幅叙述；D4则完全属于机械治具领域，直接排除。

* 因此，**D2或D3由于其公开的定量粗糙度特征最契合，最适合作为主要出发点。**

### 2. 区别技术特征的确定

以D2或D3为主线，权利要求1与它们相比，其**区别技术特征**均为：

> **特征G：在所述电路图案的表面中，横截面长度长的部分的粗糙度小于长度小的部分的粗糙度（即：根据横截面各边缘的长短，采取差异化的非对称粗糙度精细控制）。**

### 3. 特征G是否被其他对比文件公开及技术启示分析

横排检索所有对比文件（D1-D4），**没有任何一篇文献公开或隐含暗示了特征G**。

* **D2** 的做法是利用电抛光、化学抛光或气相沉积，对暴露出的一切表面进行整体的、均一性的平滑化（减少“纵向和横向”制作粗糙度）。

* **D3** 的做法是通过渐进式调整电流密度，令铜层从靠近绝缘膜的一端向外晶粒逐渐变大，其在平面方向上的粗糙度控制仍然是宏观均一的。

* 各对比文件均无法提供如下**技术启示**：根据布线横截面宽度（上/下表面长度）与高度（侧表面长度）的相对比例关系，主动让宽面具有更低的粗糙度，窄面保留相对稍高的粗糙度，以便在“最大化降低主要信号传输面的导体损失”与“维持电路图案结构稳定性/侧边工艺窗口”之间达成一种动态平衡。

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## 四、 诉讼防线：请求方最薄弱的技术特征

若您作为**无效宣告请求方（试图无效掉这件专利）**，对您而言**最薄弱、最难攻克的防线（即专利权人最稳固的护城河）就是特征G**。

### 1. 为什么特征G最薄弱（对请求方而言）？

1. **文本字面无法构成实质公开：** D1、D2、D3等文件虽然极力阐述“需要降低粗糙度以对抗趋肤效应”，但所有现有技术都停留于“**全表面一刀切抛光/均一低粗糙度**”的思维框架内。目标专利通过横截面几何尺寸（长度长短）与粗糙度高低的反向绑定，构成了现有技术从未涉足的“非对称/差异化调控”设计。

2. **说明书有充分的数据和机理解释支持：** 目标专利说明书第`[0104]`-`[0108]`段非常精妙地将几何名词（长度长短）锚定到了高频信号的“实际移动区域（移动幅值）”上，并给出了明确的表1实验数据，证明了其控制方法的合理性与有益技术效果。这种“按需精准分配粗糙度”的构思，在传统的全盘抛光技术面前，具备极强的**显著的进步**与**非显而易见性**。

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## 五、 破局之刃：进一步的精细检索策略

鉴于目前的D1-D4对特征G无法形成强力的创造性合围，为了彻底击穿特征G，建议请求方立刻调整检索方向，实施以下**针对性检索策略**：

### 1. 放弃常规PCB工艺大类，锁定“各向异性蚀刻/差异化表面处理”专项工艺

* **检索方向：** 特征G在制造上的实现，必然依赖于电路图案在不同方向上的分步、定向处理。例如：在种子层（底面）采用极低粗糙度箔材，顶面进行深度化学抛光，而两侧面因干膜保护或蚀刻速率差异而保留了稍大的粗糙度。

* **关键词拓展：**

* (电路图案 OR 导线 OR 布线 OR 铜箔) AND (非对称粗糙度 OR 差异化粗糙度 OR 定向抛光 OR 侧壁粗糙度 OR 各向异性表面处理)

* (trace OR conductor OR copper) AND (asymmetric roughness OR differential roughness OR sidewall roughness OR vertical vs horizontal roughness OR selective polishing)

### 2. 深入挖掘“信号仿真、传输线理论与阻抗微调”文献

* **检索方向：** 特征G的这种“宽面粗糙度低、窄面粗糙度高”的设计，极有可能是高频信号仿真工程师在利用超微型传输线（如微带线 Microstrip 或共面波导 CPW）进行三维电磁场仿真（HFSS等）时计算出的优化结论。

* **检索源：** IEEE Xplore、电气电子工程师学会高频微波期刊、高速数字电路学术会议论文集。

* **切入点：** 查找2010-2020年间，关于“粗糙度非均匀分布（Non-uniform roughness distribution）对微细导线趋肤效应导体损耗影响”的仿真算法或微波理论论文。一旦在学术论文中找到此类“长边配低粗糙度以实现高性价比减损”的理论公开，即可作为强有力的公知常识或创造性对比文件补充。

### 3. 追踪特定高端半导体载板（Substrate-like PCB / MSAP工艺）领头企业的专利池

* **目标企业：** 欣兴电子、揖斐电（Ibiden）、迅达科技（TTM）、三星电机等深耕高频微细布线（线宽/线距 $\le$ 15μm）的行业巨头。

* **检索逻辑：** 这种在横截面上精细调控四周不同面Ra的技术，通常伴随着MSAP（改进型半加成法）或SAP工艺中对侧壁微蚀刻（Micro-etching）的特殊控制专利。应重点调取这些企业在2015-2022年间申请的、关于“侧壁抛光控制”或“防趋肤效应多层铜布线”的底层工艺专利。

作为一名经验丰富的专利代理师，我将为您对该目标专利（CN113243145B 印刷电路板）的权利要求1进行深度解析，并结合提供的四份对比文件（D1至D4）进行详尽的特征比对、最接近对比文件分析、无效请求最薄弱特征诊断，以及给出下一步的进一步检索策略。

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## 一、 权利要求1的技术特征拆解与技术内涵解释

紧密结合目标专利说明书的背景技术及具体实施方式，权利要求1各技术特征的真正技术内涵解析如下：

* **技术特征A（包括）、B（绝缘层）、C（电路图案）、D（所述电路图案设置在所述绝缘层上）：**

属于印刷电路板（PCB）的常规骨架结构。说明书主要涉及在平板状的绝缘层基板（110）表面通过常规印制工艺（MSAP、SAP等）形成导电金属电路图案（112），其材料优选为具有高电导率的铜（Cu）。

* **技术特征E（其中，所述电路图案包括上表面、下表面、第一侧表面和第二侧表面）：**

定义了电路图案（导线）在宽度方向上横截面的空间几何包络。说明书第`[0091]`段明确规定，上表面ts通常定义为与绝缘层接触的接触面（或种子层表面），下表面bs为与其相对的图案上表面，两侧表面ls1、ls2为连接面。

* **技术特征F（所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.31μm以下）：**

**技术内涵：** 说明书第`[0008]-[0009]`、`[0026]-[0028]`及公式部分指出，在高频信号传输时，由于“趋肤效应”（Skin Effect），电流和信号仅局限于导体表面极其薄的趋肤厚度（$d$）内传输。此时，导体表面粗糙度（Ra）如果超过$0.31\mu\text{m}$，其凹凸不平的表面将对高频电流产生巨大的表面电阻（即起到抵抗作用），从而大幅增加导体损失。将至少三个表面的Ra控制在$0.31\mu\text{m}$以下（如示例性实施例1-4所示），能有效缓和这种阻抗，使高频信号的传输损失降到最低。

* **技术特征G（其中，在所述电路图案的表面中长度长的部分的粗糙度小于长度小的部分的粗糙度）：**

**技术内涵：** 该特征是目标专利的核心精髓所在。紧密结合说明书第`[0103]-[0108]`段，这里的“长度”是指电路图案在宽度方向横截面中的几何周长分段（即上表面/下表面的宽度，侧表面的高度），这些长度实际上定义了沿着该特定表面移动的信号和电流的“移动区域幅度”。说明书指出，由于在长度越长的表面部分中，电流（信号）移动的区域范围也越大，因此为了使整体信号损失最大化地降低，必须**针对性地使长度长（即承载更多高频电流流过）的表面部分具备更小的表面粗糙度**，而长度短的部分可以允许稍大的粗糙度，从而实现非对称、按需分配的粗糙度优化控制。

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## 二、 权利要求1的技术特征对比表

以下为针对各对比文件（D1-D4）是否公开权利要求1各技术特征的详细比对表：

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## 三、 对比文件实质公开内容及最接近对比文件（D1-D4）分析

### 1. 各对比文件的实质公开内容分析

* **D1 (JP2014093355A)：** 实质公开了一种利用带有塑料/金属支持体的树脂シート（树脂工作片）在层压热硬化、激光打孔、除胶渣（デスミア处理）期间保护绝缘层表面的工艺，从而在撕去支持体后能获得低粗糙度的绝缘层表面，有利于微细配线的结合。它关注的是**“绝缘层本身”的保护性低粗糙度**。

* **D2 (US20140186651A1) 与 D3 (KR1020140086523A)：** 这两份文件属于同族专利（内容完全等同）。其实质公开了为了解决高频信号损失与层间粘附力之间的矛盾，在电镀铜再布线层（RDL）时，通过调节电镀抑制剂（聚乙烯二醇PEG）的浓度，人为控制铜结晶中111型（致密）和220型（稀疏）的混合比例。随后利用卤素（氯气）复合气体等离子体进行各向异性偏好化学腐蚀，由于220型易被腐蚀而111型留存，从而在电路图案表面形成**갈고리 모양（钩状/倒扣状）的锚固结构（Anchor structure）**。其发明公开了将Ra控制在$0.01\sim0.5\mu\text{m}$（实施例中为$0.05\mu\text{m}$），且提供了两种工艺路线：一种是去除干膜后对上表面及侧表面共同进行等离子体粗化（特征F的三个表面Ra为0.05），另一种是在未去除干膜时进行等离子体处理从而仅在图案的上表面形成粗糙度。

* **D4 (JP2015008260A)：** 实质公开了一种高周波（高频）印制电路板，其采用氟树脂作为绝缘层，并严格限定了**配线平均宽度（25~300μm）、绝缘层厚度（5~125μm）以及两者之间的几何比例（2.4~30倍）**。为了降低趋肤效应带来的导体损失，它明确限定了导电层与绝缘层界面的十点平均粗糙度Rz $\le 2\mu\text{m}$，算术平均粗糙度Ra $\le 0.2\mu\text{m}$（属于特征F的$0.31\mu\text{m}$以下）。

### 2. 哪个文件适合作为最接近的对比文件？

在本案的创造性分析中，**D2（或其等同同族D3）最适合作为最接近的对比文件（第一最接近对比文件）**，同时**D4可作为辅助的最接近对比文件（第二最接近对比文件）**。

* **理由（从技术问题和效果角度）：**

* **D2/D3：** 本发明的核心技术问题是“在高频信号处理中，如何通过降低/控制电路图案不同表面的表面粗糙度，既保证与绝缘层的粘附力（Interlocking 锚固），又最大程度减少由于趋肤效应引起的信号导体损失（减小阻抗）”。D2/D3针对的完全是同一技术领域（半导体封装RDL和微细高频PCB），其通过调整PEG抑制剂配合等离子腐蚀，在图案表面制造Ra为$0.05\mu\text{m}$（远低于权利要求1限制的$0.31\mu\text{m}$）的钩状锚固层，完美解决了高频损失与粘附力相冲突的技术问题，并达到了极高的接口剥离强度（$0.5\text{ kgf/cm}$）。其技术架构、解决的技术问题和达到的技术效果与目标专利最为接近。

* **D4：** 同样旨在解决高频PCB高频传输损失（传动损失 $\alpha d$）过大的技术问题，并通过严格限定Ra $\le 0.2\mu\text{m}$ 来对抗趋肤效应带来的衰减，在技术问题和定量效果上与本发明高度契合，但其缺乏对电路图案侧表面的精细表面处理工艺描述。

### 3. 未被最接近对比文件公开的特征，是否被其他对比文件公开？

最接近对比文件（D2/D3、D4）未能公开的技术特征主要是**技术特征G**。

经过对D1、D4的全面穿透检索与分析，**技术特征G（长度长的部分粗糙度 < 长度小的部分粗糙度）在任何一份对比文件中均未被公开**。

* D2/D3虽然提到了通过干膜掩膜版可以有选择性地“仅在顶部”或“在顶部和两侧”产生粗糙度，但其表面粗糙度的大小纯粹是由其内部的铜结晶各向异性（111/220晶向比例）决定的均匀化学反应结果，实施例1中明确指出无论顶部还是侧部，其通过稀疏晶向剥离后形成的平均粗糙度均为恒定的$0.05\mu\text{m}$左右。D2/D3完全没有将粗糙度值的大小去与该表面的宏观截面几何长短（宽度或高度）建立反比控制关系的构想。

* D4仅控制了配线整体几何宽高比，对表面粗糙度 Ra 的限定是对整个导电层界面的各向同性统一限定（$\le 0.2\mu\text{m}$），完全未涉及根据局部表面段的长度进行粗糙度差异化设计。

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## 四、 无效请求方最薄弱的技术特征及检索/攻击策略

### 1. 诊断请求方最薄弱的技术特征：技术特征G

通过上述特征比对可以得出，若您代表无效请求方（拟证明该专利无效的一方），**你手中目前最薄弱、最难攻克的特征就是“技术特征G”**。

* **难点在于：** 这是一个典型的**“非对称/差异化粗糙度控制”**特征。目前的通用PCB或RDL表面粗糙度化学处理（如微蚀、黑化、等离子冲刷）或物理处理（喷砂），在其特定反应环境中，无论导线横截面上表面有多宽、侧表面有多高，反应速率和得到的Ra值在统计学上都是各向同性的、均匀的。而目标专利创造性地提出“因为宽（长）的表面通过的高频信号总能量和流幅大，所以要把宽表面的Ra做得更低；窄（短）的表面通过的信号幅度小，可以容忍稍高的Ra”，并以非对称几何分配作为权利要求的保护边界，构筑了极高的创造性壁垒。

### 2. 进一步的无效检索策略（如何打破最薄弱特征）

为了攻克技术特征G，目前的4份现有技术显然不够，必须启动第二轮针对性精准检索。建议采取以下三步检索策略：

* **策略一：转向“制造工艺/掩膜微加工”维度的检索（物理阻挡/分步蚀刻）**

* *检索逻辑：* 既然各向同性的整体表面处理无法做出“长短部分粗糙度不同”的结构，那么目标专利如果要实现技术特征G，在工艺上必然涉及“分步处理”或“局部掩膜遮蔽（Shadow Masking）”。例如：先对宽表面（上表面）进行精细抛光或使用低粗糙度电镀，然后通过局部干膜遮蔽，仅将窄表面（两侧面）暴露出来进行微蚀刻或粗化。

* *检索关键词组：* `(电路图案 OR 导线 OR 重新布线层) AND (上表面 OR 顶面 OR 侧面) AND (局部 OR 选择性 OR 分步 OR 掩膜) AND (粗糙度 OR 粗化 OR 蚀刻) AND (差异 OR 不同 OR 梯度)`

* **策略二：从“高频趋肤效应/多维阻抗匹配”理论文献及专利中检索（技术启示源头）**

* *检索逻辑：* 检索高频微波、毫米波传输线设计领域的资深企业（如罗杰斯Rogers、泰科微电子、或者是高端IC封装设计芯片厂如台积电、日月光关于高频封装的专利）。寻找是否有论文或专利指出过：“为了优化差分信号或微带线在高频下的趋肤导体损耗，由于微带线上表面的电流密度大于侧表面（或相反），应当使电流密度大的表面粗糙度小于电流密度小的表面粗糙度。”一旦在理论文献中找到这种对粗糙度与表面电流承载区（由表面长度决定）关系的论述，就能以**“属于本领域技术人员根据电磁场趋肤效应理论进行的显而易见的设计选择”**为由，结合D2的工艺将其无效掉。

* *检索关键词组：* `(趋肤效应 OR 导体损耗 OR 高频信号) AND (表面电流密度 OR 电流分布) AND (边缘效应 OR 侧面) AND (表面粗糙度 OR Ra) AND (匹配 OR 优化 OR 差异化 OR 负相关)`

* **策略三：利用D2/D3的“工艺漏洞”进行公知常识结合（创造性逻辑突围）**

* *检索逻辑：* 紧密盯住D2/D3的图5工艺。D2/D3公开了：如果在未去除光刻胶（PR）时进行等离子粗化（图5），由于光刻胶挡住了电路图案的两个侧表面，因此**“侧表面”将完全保持其原始电镀状态的极低粗糙度（例如Ra=0.01μm），而“上表面”受到了氯气等离子体攻击形成了锚固粗糙度（例如Ra=0.05μm）**。

* 如果目标电路板由于设计要求，其高宽比很大，导致高度（侧表面长度）大于宽度（上表面长度），那么按照D2图5的工艺，自然就实现了“长度长（侧面）的粗糙度（极低）小于长度短（上面）的粗糙度（较高）”的客观状态。

* *具体实操：* 检索PCB微细线路中**“高深宽比导线”**（High Aspect Ratio Line）或者高窄配线的技术公知常识，证明只要配线横截面满足高度大于宽度的几何设计，结合D2图5的未去胶粗化工艺，必然且毫无异议地会产生技术特征G所描述的粗糙度状态。以此直接斩断技术特征G的创造性。

作为一名经验丰富的专利代理师，我将为您对该目标专利的权利要求1进行深度解析，并结合D1至D4四份对比文件的原文进行严密的实质性公开与毫无异议公开特征比对。

在无效宣告程序中，特征比对、最接近对比文件的选择、薄弱特征的识别以及后续检索策略的制定，是决定案件胜负的核心。以下是针对本案的完整无效宣告法律与技术分析报告：

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## 1. 权利要求解释与目标专利技术分析

### 权利要求1的技术特征拆解

根据说明书的整体发明构思，权利要求1被拆解为以下7个特征要素：

* **特征A**：包括；

* **特征B**：绝缘层；

* **特征C**：电路图案；

* **特征D**：所述电路图案设置在所述绝缘层上；

* **特征E**：其中，所述电路图案包括上表面、下表面、第一侧表面和第二侧表面；

* **特征F**：并且所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度($Ra$)为$0.31\mu\text{m}$以下；

* **特征G**：其中，在所述电路图案的表面中长度长的部分的粗糙度小于长度小的部分的粗糙度。

### 目标专利说明书的内在定义与技术实质

1. **技术问题与趋肤效应**：说明书第[0006]-[0010]段明确指出，在高频信号传输时，由于铜箔的“趋肤效应”（Skin Effect），信号流向导体表面（趋肤厚度减小）。若电路图案表面粗糙度大，则表面电阻增大，导致严重的“导体损失”。本发明要解决的核心技术问题是**如何控制电路图案各表面的粗糙度，以使高频信号传输过程中的信号损失最小化**。

2. **特征F的内涵**：说明书第[0093]-[0094]、[0108]段解释，控制整个立体图案中“至少三个表面”（如上表面、第一侧面、第二侧面，或上下左右四面）的$Ra \le 0.31\mu\text{m}$，是为了全面抑制趋肤效应带来的阻抗。

3. **特征G的内涵（核心发明点）**：说明书第[0104]-[0108]段给出了明确的几何与物理对应关系——“长度”是指在电路图案宽度方向横截面上的长度。具体而言，上表面/下表面的长度对应“宽度”，侧表面的长度对应“高度”。由于“长度长的部分”代表电流/信号移动的主要区域、幅度更大，因此**将长度长的部分的表面粗糙度设置得更小，能最大化地优化信号传输特性，使损耗降到最低**。

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## 2. 对比文件技术特征比对表格

以下为权利要求1与四份对比文件的详细特征比对分析。

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## 3. 对比文件实质公开与毫无异议公开的详细分析

### D1 (US20150014027A1)

* **技术领域与核心方案**：D1公开了一种核心布线板及制造方法，通过在支撑体上电镀、层压绝缘层、随后剥离支撑体并刻蚀阻挡层的方式来制造嵌入式电路图案。

* **特征比对与出处分析**：

* **毫无异议公开（特征A、B、C、D、E）**：D1在[0021]-[0024]公开了具有绝缘层（insulating layer 12）、焊盘/布线（pads 11/wiring patterns 21），且图案嵌入在绝缘层的凹陷部（first recess portions 12y）中。在[0032]、[0034]中明确界定了焊盘和布线具有下表面（lower surface 11c）、侧表面（side surface 11b）以及上表面/外围部分（upper surface 11a / upper peripheral portion 11y），毫无异议公开了立体电路图案的四面结构。

* **实质公开（特征F）**：根据D1第[0034]段原文：*“For example, the roughness Ra of the lower surface 11c of each pad 11 may be equal to or higher than about 0.2 μm and lower than about 0.3 μm... the roughness of the side surface 11b of each pad 11 can be approximately the same as that of its lower surface 11c.”*。这表明其下表面和两个侧表面（共3个表面）的 $Ra$ 落在 $0.2\mu\text{m} \le Ra < 0.31\mu\text{m}$ 的范围内，属于**实质公开了“至少三个表面的 $Ra \le 0.31\mu\text{m}$”**。

* **未公开（特征G）**：D1中各个表面的粗糙度是由不同工艺阶段的粗化或转移决定的（例如其上表面外围11y为了增加阻焊层粘合力而特意粗化至 $0.5\sim0.8\mu\text{m}$，见[0035]），并非根据表面长度长短进行自适应控制。

### D2 (KR1020160093403A)

* **技术领域与核心方案**：D2公开了一种电子波屏蔽结构物，旨在通过在屏蔽罩内表面物理/化学加工出特定的表面阻度（粗糙度），再镀上金属屏蔽层，以解决异种材料CTE不匹配导致的起泡（blister）和侧滑问题。

* **特征比对与出处分析**：

* **技术实质偏离**：D2属于**电子元器件屏蔽罩（EMI Shielding）**领域，其“金属性屏蔽层（120, 130）”是包裹在整个电子元件（20）外围的防辐射壳体，**不属于印刷电路板上的“电信号传输电路图案”**（特征C）。

* **粗糙度数值相反公开**：D2第[0018]段指出：*“상기 차폐구조물의 상면의 표면조도(Ra)는 1㎛~7.5㎛의 범위로 구현하고, 상기 차폐구조물의 측면의 표면조도(Ra)는 0.05㎛~3.5㎛의 범위로 구현할 수 있도록 한다.”*（上表面的 $Ra$ 为 $1\sim7.5\mu\text{m}$，侧面 $Ra$ 为 $0.05\sim3.5\mu\text{m}$）。首先，该数值几乎全盘不满足特征F（ $\le 0.31\mu\text{m}$）；其次，上表面横向长度通常大于侧面高度，而D2中长部分（上表面）的粗糙度（ $1\sim7.5\mu\text{m}$）反而**大于**短部分（侧面 $0.05\sim3.5\mu\text{m}$），这在技术方案上构成了与特征G**完全相反的公开**。

### D3 (US9516765B2)

* **技术领域与核心方案**：D3公开了一种利用带支撑体的树脂片（Resin sheet with support）在电路板上制作绝缘层和精细导线的方法。其核心是在不撕去PET支撑体膜的状态下进行去毛刺（desmear）处理，从而保护绝缘层表面不被化学破坏，维持极低的表面粗糙度以利于制作精细线条。

* **特征比对与出处分析**：

* **毫无异议公开（特征A、B、C、D）**：在说明书[0047]-[0053]（步骤A至F）及附图1b中，明确公开了在内层电路基板上层压树脂、热固化形成绝缘层（4）、并在其表面形成导电层（7）。

* **实质公开（特征F）**：根据D3第[0171]段原文：*“the arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the insulating layer is preferably 180 nm or less... 90 nm or less, 80 nm or less, 70 nm or less, or 60 nm or less.”*（ $Ra \le 180\text{nm}$，即 $\le 0.18\mu\text{m}$）；并在“实施例1”的表2中，明确给出了制得的电路板 $Ra$ 低至 **$51\text{nm}$（即 $0.051\mu\text{m}$）**。由于导电层是沉积在如此光滑的绝缘层表面上的，其接触面必然表现出极低的粗糙度。D3的目的是整体实现精细布线的高频低损耗，实质公开了特征F的超低粗糙度范围。

* **未公开（特征G）**：D3并未关注立体图案不同几何面上由于趋肤效应差异而导致的“长短部分粗糙度调配”。

### D4 (US20170127519A1)

* **技术领域与核心方案**：D4公开了一种利用干膜刻蚀和半加成法制造高密度精细布线板的方法。其通过对铜层进行图形刻蚀形成梯形截面的“凸起”，层压介质层后，再从背面进行整体机械抛光（Polishing）。

* **特征比对与出处分析**：

* **毫无异议公开（特征A、B、C、D、E）**：在[0021]-[0025]及[0040]中公开，介质层（17）第一侧嵌入有第一电路图案（15），每个图案的截面为梯形（trapezoid），其宽度沿延伸方向逐渐减小。由于是梯形，必然毫无异议公开了其包含四个表面（顶面、底面、两个侧斜面）。

* **未公开（特征F、G）**：D4的抛光工艺（Block 305, [0055]-[0057]）只是为了切断图案底部相连的铜皮，从而使各导线在电气上相互独立，并顺带改变导线的高度（Height）。其整个工艺过程完全没有提及任何关于表面粗糙度（ $Ra$ ）的量化控制或长短边粗糙度对比。

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## 4. 最接近对比文件（Base Patent）分析

在创造性分析中，选择**最接近的对比文件**应当遵循技术领域相同或最接近、解决的技术问题最相似、具有最多共同技术特征的原则。本案中，最适合作为最接近对比文件的有**两个**，分别从“结构路线”和“性能路线”切入：

### 候选一：D1 (US20150014027A1) —— 【结构与工艺路线最接近】

* **理由**：

1. **技术领域与结构完全一致**：D1与目标专利均属于印刷电路板（PCB）领域，且均采用“嵌入式/布线板（Build-up / Embedded）”的先进结构工艺。

2. **技术特征重合度最高**：D1已经公开了权利要求1中除特征G以外的绝缘层、嵌入式电路图案、图案的立体四表面，并且其下表面和侧表面通过工艺控制，其实际粗糙度（ $Ra$ 为 $0.2\sim0.3\mu\text{m}$）已经天然落入了目标专利的核心限定范围（ $\le 0.31\mu\text{m}$）。

* **技术问题与效果**：虽然D1研发的初始初衷是解决“提高焊盘与阻焊层/芯片电极的连接可靠性”（见[0008]），但其客观上构成了低粗糙度的三面结构。

### 候选二：D3 (US9516765B2) —— 【技术实质与性能路线最接近】

* **理由**：

1. **技术宗旨高度吻合**：D3在背景技术[0005]-[0008]中极力探讨的正是目标专利所关心的核心痛点——**如何在形成精细高频微分布线（fine wiring）的同时，既保证低表面粗糙度（降低高频损耗），又能兼顾高粘合强度**。

2. **数值重合度极高**：D3公开的 $Ra \le 0.18\mu\text{m}$（实施例中低至 $0.051\mu\text{m}$）与目标专利说明书表1中“示例性实施例”所追求的超低 $Ra$ （如 $0.10\mu\text{m}, 0.13\mu\text{m}$）完美重合。

* **技术问题与效果**：D3从“高频信号传输、降低导体损失”的物理实质出发，技术动机与目标专利最为接近。

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## 5. 无效请求方最薄弱的技术特征

对于无效宣告请求方（我方）而言，**最薄弱（即最难攻克、对方答辩防守最稳固）的技术特征是：特征G**。

$$在所述电路图案的表面中长度长的部分的粗糙度小于长度小的部分的粗糙度$$

### 核心难点分析：

1. **缺乏直接的文献文字公开**：无论是精细线路的D1、D3，还是物理抛光的D4，现有技术中对于电路图案表面粗糙度的控制，往往局限于“整体粗化”或“整体化学减薄/平滑”。没有任何一篇对比文件自发地想到去测量电路图案截面的“长短边长度”，并据此“分配”不同的粗糙度。

2. **D2的相反干扰**：唯一的文献D2虽然提到了“不同表面（上表面与侧面）给予不同粗糙度”（[0018]），但如前文所述，D2的公开方式恰恰与特征G**完全相反**（长边粗糙度大，短边粗糙度小），这反而会被专利权人在答辩时用作反面教材，证明现有技术存在“相反的技术启示”，从而强化本特征的非显而易见性。

3. **技术效果的闭环支撑**：专利权人在说明书[0108]和[0155]段做好了严密的理论闭环。他强调特征G是有意的技术手段——高频电流主要在横截面较长的表面上滑行（移动区域大），对该处的粗糙度作“重点拔高/极度平滑控制”能带来阻抗骤减的显著技术效果（如表1中阻抗从 $37.4\Omega$ 降至 $32.6\Omega$ ）。这种“结构几何形状 $\rightarrow$ 趋肤效应区域 $\rightarrow$ 差异化粗糙度调配”的联动设计，在常规PCB刻蚀工艺中极易被认定为具有“突出的实质性特点和显著的进步”。

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## 6. 进一步的检索策略建议

为了在后续的无效案中彻底打掉特征G，扭转目前的被动局面，建议请求方立刻调整检索方向，采取以下更为精准的检索策略：

### 1. 改变关键词策略：聚焦“趋肤效应差异化表面处理”

目前的检索过于偏向PCB制造大工艺。特征G的本质是“根据趋肤效应在导体表面的空间分布不均，进行局部差异化处理”。

* **新增检索词组合**：

* (电路图案 OR 导线 OR 铜箔 OR 传输线) AND (趋肤效应 OR 趋肤厚度 OR 高频传输) AND (差异化 OR 局部 OR 局部选择性 OR 选区) AND (粗糙度 OR 微刻蚀 OR 平滑)

* 英文组合：(circuit pattern OR trace OR copper foil) AND (skin effect OR skin depth) AND (selective OR localized OR asymmetric) AND (roughness OR etching OR smoothing).

### 2. 扩大IPC分类号至微观表面处理及高频微带线设计

不要仅局限于 H05K（印刷电路）。目标专利的这一特征带有极强的“微波/电磁场理论”色彩。

* **重点锁定分类号**：

* **H01P 3/08**：微带线型波导（高频传输线设计的重灾区，经常探讨导线粗糙度对高频回损的影响）。

* **C23F 1/00**、**C25D 5/02**：选择性化学刻蚀、选择性电镀（实现不同表面粗糙度交替的工艺出处）。

### 3. 追溯目标专利发明人的学术背景与参考文献

* **操作方法**：利用审查历史档案（Wrapper），调取该专利在实审阶段的全部小通知书，查看审查员曾引用的对比文件。同时，对该专利的**发明人团队**（通常为各大PCB巨头如臻鼎、欣兴、深南电路或三星电机的研发人员）进行深度检索，追踪他们在学术期刊（如IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology）上发表的关于“高频趋肤效应下铜箔表面粗糙度优化”的论文。很多时候，这类“长短边差异化粗糙度”的理论最早源于高校或实验室的仿真论文，只要能检索到早于其申请日的学术论文公开了该物理模型，即可作为结合启示。

## 一、 目标专利权利要求1的释义分析

根据目标专利（CN113243145B）说明书及附图的记载，对权利要求1中的关键技术特征进行专利法意义上的客观释义：

* **技术特征F（表面粗糙度 Ra $\le$ 0.31 $\mu$m）：**

说明书第`[0094]`、`[0098]`、`[0110]`等段落指出，传统高频信号由于趋肤效应（skin effect）沿着电路图案的表面移动。当粗糙度超过 0.31 $\mu$m 时，表面起伏会作为电阻增大信号损失。因此，将电路图案表面（上、下、侧面中的至少三个）的 $Ra$ 控制在 0.31 $\mu$m 以下（具体实施例中优选为 0.1 $\mu$m 至 0.17 $\mu$m，甚至 0.1 $\mu$m 至 0.13 $\mu$m），其真正意图是为了**降低高频传输中的趋肤效应阻抗，使信号传输损失最小化**。

* **技术特征G（长度长的部分粗糙度 < 长度小的部分粗糙度）：**

说明书第`[0104]`段和`[0124]`段对“长度”给出了明确定义：“*在此，上表面、下表面和侧表面的长度是指在电路图案的宽度方向上的横截面中的长度，上表面和下表面的长度可以分别对应于上表面和下表面的宽度，并且侧表面的长度可以对应于侧表面的高度。*”

第`[0108]`和`[0128]`段解释了其物理机理：由于在长度长的部分中，电流（信号）移动的区域变得更大，为了最大化使信号损失最小化，**将信号移动幅度大（即长度长）的表面的粗糙度控制得比长度短的部分更低**。

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## 二、 对比文件特征比对分析

在下述分析中，对比文件指代如下：

* **D1：** KR1020170107040A

* **D2：** JP2017191894A（与D3为同族专利）

* **D3：** US20170303394A1（与D2为同族专利）

### 1. 各对比文件的技术特征比对表

### 2. 详细公开事实分析

#### D1 (KR1020170107040A)

* **毫无疑问公开：** 公开了高频印刷电路板（特征A）、绝缘层（特征B）、配线图案铜箔（特征C）及二者的层压设置关系（特征D）。

* **实质公开：** 特征E。虽然未用“第一侧表面、第二侧表面”等词汇，但其公开了对铜箔进行三维粗化颗粒处理并层压，任何印制电路板的导线图案在客观物理结构上均由上、下、左侧、右侧四个表面围成，属于本领域技术人员毫无异议的实质公开。

* **未公开：** 特征F和特征G。D1限定的是十点平均粗糙度 $Rz_{jis} = 0.6 \sim 1.7\mu m$，并未直接公开 $Ra \le 0.31\mu m$，更未提及根据各表面长度大小来针对性控制粗糙度的构思。

#### D2/D3 (JP2017191894A / US20170303394A1)

* **毫无疑问公开：** D2/D3为同族专利，明确公开了特征A、B、C、D。对于特征F，D2在`[0006]`段（D3在`[0004]`段）明确限定：“*表面导体层在阻焊层侧的面的算术平均粗糙度(Ra)小于100nm（即小于0.1 $\mu$m）*”。0.1 $\mu$m 毫无疑问落入目标专利“0.31 $\mu$m 以下”的数值范围内。由于导体层通常由算术平均粗糙度(Ra)小于100nm的基底（如电解铜箔）直接电镀形成（见D2`[0007]`），其除内部接合层以外的其余表面（上、侧面等至少三个面）均保持该低粗糙度状态。

* **实质公开：** 同D1，特征E作为电路板导体的固有几何属性，已被实质公开。

* **未公开：** 特征G。D2/D3均未公开“长度长的部分粗糙度小于长度小的部分”这一特殊的一体化粗糙度非对称控制特征。

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## 三、 最接近对比文件的确立与分析

**结论：** **D3 (US20170303394A1)** 或 **D2 (JP2017191894A)** 最适合作为本案创造性分析的**最接近对比文件（D1可作为主要辅助对比文件）**。

### 1. 技术领域与整体解决的技术问题角度分析

* **目标专利：** 旨在解决由于高频信号在电路图案表面传输时的“趋肤效应”导致的信号传输损失和导体损失问题（见目标说明书`[0010]`、`[0027]`）。

* **D2/D3：** 明确指出“*在高频领域电流流过导体层时，会产生电流仅在导体层表面附近流过的趋肤效应*”（D2 `[0005]` / D3 `[0148]`），并直面“*若将导体层表面粗化，会导致趋肤效应发生时电阻增大、产生电损失*”的技术缺陷，从而通过将表面导体层粗糙度 $Ra$ 控制在 100nm 以下来解决这一电损失问题。

* **D1：** 同样关注高频用途下的趋肤效应和传输损耗（D1 `[0002]`），但其核心是通过降低十点平均粗糙度 $Rz_{jis}$ 并控制粗化颗粒高度的半高宽来平衡“剥离强度”与“传输损耗”。

### 2. 技术效果角度分析

D2/D3通过限定表面导体层的 $Ra < 100nm$，达到了“*即使因趋肤效应导致导体层表面附近的电流密度变高，也能将导体层的电阻压得比较低，从而减少电损失*”的技术效果（D2 `[0027]` / D3 `[0049]`）。这与目标专利通过控制粗糙度值在 0.31 $\mu$m 以下来“*使在高频信号传输过程中由趋肤效应引起的信号损失最小化*”（目标说明书`[0027]`）的技术效果方向完全一致、对等。

### 3. 选定理由总结

相比于D1（使用 $Rz$ 指标且未直接给出 $Ra$ 的小范围绝对值），**D2/D3在技术领域、面对的趋肤效应技术缺陷、采用的 $Ra$ 粗糙度参数限定、以及降低高频损耗的技术效果上，与目标专利的契合度最高**，且公开了权利要求1绝大部分的技术特征。因此，以D2或D3作为最接近对比文件，最符合审查指南中关于“最接近对比文件”的检索与确立原则。

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## 四、 无效宣告请求的薄弱点与检索策略

### 1. 请求方最薄弱的技术特征（即专利所有人的“安全岛”）

请求方最薄弱的技术特征是 **技术特征G**：

> “其中，在所述电路图案的表面中长度长的部分的粗糙度小于长度小的部分的粗糙度”

**薄弱原因分析：**

1. **现有技术完全缺失：** 无论是高频低损耗流派（D2/D3追求全面低粗糙度），还是结合力流派（D1追求均匀粗化），现有技术均是默认对导线的某个表面进行**整体、均匀**的粗糙度控制。

2. **特殊的非对称控制设计：** 目标专利特征G打破了常规。它要求在单根导线的微观横截面上，根据“上/下/左/右”各边实际几何长度的长短（例如：扁平导线的宽大于高，则上表面长度大于侧表面），将长度长的部分（信号流动主区域）的粗糙度做得更低（如0.1~0.13$\mu$m），长度短的部分（信号流动次区域）粗糙度相对高一些（如0.1~0.17$\mu$m）。这种在一个截面上对不同精细部位实施非对称粗糙度匹配的设计，在目前大范围公开的常规PCB制造对比文件中极难被直接披露。

### 2. 进一步的检索策略

为了攻破特征G，请求方应调整检索重点，建议采取以下深挖策略：

1. **转向“制造工艺/加工方法”层面的专利检索：**

特征G属于结构特征，但其在印制电路板中必须通过特殊的“差异化蚀刻”、“定向各向异性微粗化”或“选择性电镀/减成法”工艺实现。建议检索主分类号 **H05K3/**（印制电路的制造），寻找是否存在在导线不同侧面施加不同程度蚀刻/粗化的工艺专利。

2. **追踪“微带线/共面波导”等微波射频高频传输线的专项结构专利：**

在超高频（如 5G/6G 毫米波、雷达芯片封装）领域，针对微带线（Microstrip Line）的导线边缘效应和趋肤效应，学术界和产业界常有极度精细的导体表面结构设计。应重点检索包括 **H01P11/00**（微波传输线制造）或 **H01P3/08**（微带线）分类号下的技术。

3. **关键词组合精细化：**

放弃单一的“粗糙度”检索，引入具有“非对称/差异化/选择性”含义的逻辑限制。

* *检索式示意：* `(电路图案 OR 导线 OR 铜箔 OR 传输线) AND (各向异性粗化 OR 选择性粗化 OR 差异粗糙度 OR 侧壁粗糙度 OR 非对称粗化) AND (趋肤效应 OR 传输损耗)`

* *英文检索式示意：* `(track OR line OR conductor OR "copper foil") AND ("differential roughness" OR "anisotropic roughening" OR "sidewall roughness" OR "selective roughening") AND ("skin effect" OR loss)`

4. **关注目标专利发明人的学术论文及同族前序申请：**

针对此类精细的微观结构特征，发明人可能在发表高频PCB印制工艺、趋肤效应仿真优化等学术论文时有所透露，通过非专利文献（NPL）检索往往能发现意想不到的公知常识或先发披露。

作为一名经验丰富的专利代理师，我将针对目标专利权利要求1进行深入的法律与技术解析，紧密结合目标专利说明书的公开内容，并与您提供的三份对比文件进行客观、严谨的逐字逐特性的比对。

在本次分析中，三份对比文件分别用以下公开号指代：

* **D1**：`US9832914B2` (Structure for shielding electromagnetic waves)

* **D2**：`JP2018010931A` (配線基板及びその製造方法)

* **D3**：`US10170405B2` (Wiring substrate and semiconductor package)

以下是具体的权利要求解释、特征比对、最接近对比文件选择以及无效宣告请求策略分析：

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### 一、 紧密结合目标专利说明书的权利要求解释

为了准确界定权利要求的保护范围，必须结合目标专利说明书的逻辑进行“依说明书解释”：

1. **“绝缘层”与“电路图案”的关系**：说明书第`[0043]`及`[0049]`段明确，电路图案是设置在绝缘层表面的高电导率金属布线（如铜）。

2. **“上表面、下表面、第一侧表面和第二侧表面”的定义**：说明书第`[0090]`段至`[0091]`段对这四个表面进行了明确的物理定义：

* **上表面（ts）**：定义为电路图案/电镀种子层与绝缘层接触的**接触面**。

* **下表面（bs）**：定义为与上表面相反的、图案最外侧的表面。

* **第一、第二侧表面（ls1, ls2）**：定义为将上表面和下表面连接的侧向连接面。

3. **表面粗糙度（Ra） $\le 0.31\mu m$ 的技术意图**：说明书第`[0026]`、`[0132]`、`[0137]`段指出，在高频信号传输中，由于**趋肤效应**，电信号会流向导体表面。表面粗糙度如果过大（如超过 $0.31\mu m$），会产生巨大的表面电阻并作为“抵抗”起作用，导致信号严重损失。因此，限制**至少三个表面**的粗糙度在此低范围内，其本质是为了最大化地使高频信号的传输导体损失和信号损失最小化。

4. **“长度长的部分的粗糙度小于长度小的部分”的定义**：说明书第`[0104]`及`[0124]`段明确，“长度”是指在电路图案宽度方向上的**横截面中的长度**。即，上/下表面的长度对应其“宽度”，侧表面的长度对应其“高度”（厚度）。电路图案的“长度长的部分”意味着信号移动幅度更大、通过电荷更多的核心区域（第`[0108]`、`[0128]`段），该部分粗糙度更小，能使高频信号传输特性最大化。

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### 二、 技术特征比对表格及详细出处分析

下面将权利要求1拆解为特征A至G，并与D1、D2、D3的原文及出处进行详细比对。

#### 权利要求1技术特征比对表

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### 三、 最接近对比文件的选择与创造性分析

#### 1. 哪个对比文件适合做最接近的对比文件？

在本案的创造性分析中，**D3 (`US10170405B2`)** 或 **D2 (`JP2018010931A`)** 最适合作为最接近的对比文件（D2与D3为同族专利，技术方案高度一致，以下以D3为主进行分析）。

* **技术领域及整体解决的技术问题相近**：D3与本目标专利均属于“印刷电路板/布线基板”制造领域。目标专利旨在解决高频信号在电路图案中传输时由于趋肤效应导致的信号导体损失问题；而D3旨在解决核心布线基板在微细化（Fine Pattern）过程中，レジスト層（抗蚀剂层）由于高长径比导致的剥离不良以及焊盘变脆问题。

* **技术特征重合度最高**：从上表可见，D3毫无疑问地公开了特征A、B、C、D、E，并且其电路图案同样具有因微细化加工带来的不同截面尺寸（特征G的几何形貌基础）。因此，以D3作为论证起点最为自然。

#### 2. 没有被最接近对比文件公开的特征是否被其他对比文件公开？

D3未公开的特征为**特征F**和**特征G**。

* **关于特征F（至少三个表面Ra $\le 0.31\mu m$）**：D1虽然在第`[0019]`段提到侧部内表面的粗糙度Ra范围可以低至0.05μm（落入0.31μm以下的范围），但D1设置该粗糙度的技术目的是为了解决“金属屏蔽罩与外壳树脂之间的热膨胀系数不匹配、防止起泡（blister）和界面刮伤（chipping）”，这与目标专利“利用高平滑度降低高频趋肤效应下的导体损失”属于**完全不同的发明构思**。因此，即使D1有数值重叠，也无法给本领域技术人员提供结合到D3中去控制电路图案至少三个表面Ra的技术启示。

* **关于特征G（长度长的部分粗糙度 < 长度小的部分）**：**没有任何一份对比文件公开了该特征**。相反，D1公开的内容甚至在技术流向上是完全背离的（D1中上部较长表面的Ra为1~7.5μm，反而大于侧部较短表面的0.05~3.5μm）。D2和D3仅仅提到了宏观上“窄的部分（第1部分）比宽的部分（第2部分）层厚更薄”，这是一种电镀建浴（控制硫酸铜/硫酸浓度比）带来的宏观厚度差异，未涉及微观表面粗糙度与尺寸的反比设计。

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### 四、 无效请求方最薄弱的技术特征

对于无效宣告请求方（即试图推翻该专利的一方）来说，**最薄弱（最难攻破、对方专利权人最稳固）的技术特征是：特征G**（“在所述电路图案的表面中长度长的部分的粗糙度小于长度小的部分的粗糙度”）。

**原因分析**：

1. **技术效果的不可替代性（定性支持）**：结合目标专利说明书第`[0028]`、`[0156]`段，该特征具有明确且突出的技术效果：在横截面长度长的区域，高频电信号移动和通过的宏观面积更大，对阻抗的敏感度更高。将其表面粗糙度刻意做得比短的部分更小，能精准、最大化地清除高频趋肤效应带来的衰减。这种“按截面长短分配粗糙度”的设计在常规PCB加工中属于非显而易见的反向设计。

2. **现有技术存在反向教导（定量阻碍）**：如前所述，唯一提到不同表面粗糙度对比的D1，给出的教导是“长表面的粗糙度大于短表面”，这构成了对无效请求方的**直接反向教导**。审查指南中规定，若现有技术存在反向教导，则结合论证极其困难。

3. **加工工艺的非显而易见性**：要在同一个电路图案的不同表面（如上表面和侧表面）根据其横截面宽度和高度的长短，精准控制微观粗糙度的相对大小，通常需要特殊的差异化蚀刻或激光定向改性。现有技术D2、D3仅能通过调整常规电镀液浓度比来改变“厚度”，无法协同控制并实现这种微观粗糙度的大小反转。

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### 五、 进一步的检索策略建议

鉴于特征F和特征G构成图纸上的坚固堡垒，为了成功提起无效请求，建议采取以下针对性的补充检索策略：

1. **转攻“高频/微波印刷电路板”的专项领域**：

目前的D2、D3都属于通用常规PCB领域。建议引入新的检索IPC分类号（如 `H05K1/02` - 涉及高频特性的电路板细节，或 `H01P3/08` - 微带线/高频传输线）。在高频微波板、5G天线阵列板或毫米波雷达板的专利中，由于对传输损耗（Insertion Loss）要求苛刻，导体表面通常会进行超平滑铜箔（VLP - Very Low Profile 或 HVLP - Hyper Very Low Profile）处理，Ra通常就工作在 $0.1\mu m \sim 0.3\mu m$ 甚至更低。这有助于彻底击破**特征F**。

2. **追踪电路图案蚀刻/剥离过程中的侧壁效应专利**：

特征G提到侧表面与上表面的粗糙度不同。在半导体大马士革工艺（Damascene）或PCB的MSAP（改进型半加成法）工艺中，电路图案的顶部（上表面）通常由化学机械抛光（CMP）或光洁的种子层决定，粗糙度极低；而侧壁（第一、第二侧表面）由于受到了闪蚀（Flash Etching）或显影液的横向侧蚀，其微观粗糙度自然会受到蚀刻速率的影响。

* **策略**：去检索MSAP或SAP工艺中关于“侧蚀控制（Side Etch Control）”或“防止高频衰减的走线侧壁形貌优化”的制造工艺专利。如果能找到一篇文献，其中由于工艺的必然（例如：顶部CMP抛光导致Ra极小，而侧壁由于闪蚀时间短、截面高度小导致Ra相对略大，从而客观上形成了“长部分粗糙度 < 短部分粗糙度”的形貌），即可用**“固有显著性”或“工艺必然导致的产品结构”**来主张特征G已被实质公开。

3. **关键词微调与联合检索**：

建议在英文或日文数据库中，使用以下关键词组进行联合检索：

* `(skin effect OR conductor loss OR high frequency OR insertion loss)`

* `AND (surface roughness OR Ra OR Rq OR profile)`

* `AND (cross section OR width OR thickness OR lateral OR sidewall OR top)`

通过观察是否有文献探讨过“为了降低趋肤效应损失，对传输线截面主传导面和次传导面进行非对称/差异化粗糙度控制”的技术方案。

根据权利要求1所述的印刷电路板，其中，所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.17μm以下

根据权利要求1所述的印刷电路板，其中，所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.1μm至0.13μm

根据权利要求1所述的印刷电路板，其中，所述电路图案的宽度方向上的横截面中的所述上表面的长度和所述下表面长度中的至少一个与所述电路图案的所述横截面中的所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度中的至少一个不同；其中，所述电路图案的所述上表面和所述下表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)与所述电路图案的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)不同

根据权利要求4所述的印刷电路板，其中，所述电路图案的所述横截面中的所述上表面的长度和所述下表面的长度中的至少一个大于所述电路图案的所述横截面中的所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度中的至少一个；并且其中，所述电路图案的所述上表面和所述下表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)小于所述电路图案的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)

根据权利要求3所述的印刷电路板，其中，所述上表面的长度是所述上表面的宽度；其中，所述下表面的长度是所述下表面的宽度；并且所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度是所述电路图案的高度

根据权利要求1所述的印刷电路板，其中，所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.42μm以下

根据权利要求1所述的印刷电路板，其中，所述电路图案的阻抗为35.3Ω以下

根据权利要求1所述的印刷电路板，其中，所述电路图案包括：电镀种子层；所述电镀种子层设置在所述绝缘层上；以及图案层；所述图案层设置在所述电镀种子层上

根据权利要求9所述的印刷电路板，其中，所述电路图案的所述上表面是所述图案层的上表面；其中，所述电路图案的所述下表面是所述电镀种子层的下表面；其中，所述电路图案的所述第一侧表面包括所述电镀种子层的第一侧表面和所述图案层的第一侧表面；并且其中，所述电路图案的所述第二侧表面包括所述电镀种子层的第二侧表面和所述图案层的第二侧表面

根据权利要求1所述的印刷电路板，其中，所述电路图案的宽度方向上的横截面中的所述上表面的长度小于所述电路图案的所述宽度方向上的所述横截面中的所述下表面的长度

根据权利要求11所述的印刷电路板，其中，所述电路图案的所述宽度方向上的所述横截面中的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个具有规定的倾斜角度并且连接在所述电路图案的所述上表面和所述下表面之间