非显而易见性评估仅供参考,不构成法律建议。
| 编号 | 名称 |
|---|---|
| 0 | 2010-04-01_US2010078531A_发明申请_US20100078531A1 Cup Holder.docx |
| 0 | 2011-01-27_JP2011016705A_发明专利_JP2011016705A Method of and apparatus for producing filmy glass.docx |
| 0 | 2010-11-24_KR1020100123520A_发明公开_KR1020100123520A 칼라필터를 적용한 임의형상 측정방법.docx |
| 0 | 2010-11-18_JP2010262843A_发明专利_JP2010262843A Negative electrode for lithium ion secondary battery, lithium ion secondary battery using the same, collector of negative electrode for lithium ion secondar_+++A_B_C_G_H_K_d+++.docx |
| 0 | 2010-11-09_KR1020100119277A_发明公开_KR20100119277A Connector mounting on pcb.docx |
| 0 | 2010-11-04_JP2010250566A_发明专利_JP2010250566A System for design support of building wall structure.docx |
| 0 | 2010-08-18_EP2219249A_发明公开_EP2219249A1 Electrode for rechargeable lithium battery_+++A_C_G_H_K+++.docx |
| 0 | 2010-04-30_None_发明专利_JPWO2008081806A1 配線膜の形成方法、トランジスタ、及び電子装置.docx |
| 0 | 2010-04-30_None_发明专利_JPWO2008078755A1 集電体およびその製造方法_+++A_C_D_E_G_H_K_b_f+++.docx |
| 0 | 2011-02-03_US2011027646A_发明申请_US20110027646A1 ANODE MATERIAL OF EXCELLENT CONDUCTIVITY AND HIGH POWER SECONDARY BATTERY EMPLOYED WITH THE SAME_+++A_B_C_H_I_J_K_R+++.docx |
| 0 | 2010-02-18_JP2010040442A_发明专利_JP2010040442A Driving device for discharge lamp, driving method, light source device, and image display.docx |
| 0 | 2010-01-14_JP2010008547A_发明专利_JP2010008547A Color filter and liquid crystal display device using the same.docx |
| 0 | 2009-12-10_US2009303406A_发明申请_US20090303406A1 METHOD FOR FORMING WIRING FILM, TRANSISTOR AND ELECTRONIC DEVICE.docx |
| 0 | 2009-11-12_US2009280407A_发明申请_US20090280407A1 BATTERY, ELECTRODE, AND CURRENT COLLECTOR USED THEREFOR_+++A_C_E_F_G_H_K_b_d+++.docx |
| 0 | 2009-11-04_CN101573696A_发明公开_CN101573696A 信息处理设备及其控制方法、该控制方法的程序和该程序的记录介质.docx |
| 0 | 2009-10-08_US2009253112A_发明申请_US20090253112A1 RECOMMENDING QUESTIONS TO USERS OF COMMUNITY QIESTION ANSWERING.docx |
| 0 | 2009-09-16_EP2101268A_发明公开_EP2101268A1 INFORMATION PROCESSING DEVICE, INFORMATION PROCESSING DEVICE CONTROL METHOD, PROGRAM, AND RECORDING MEDIUM.docx |
| 0 | 2009-09-02_EP2096666A_发明公开_EP2096666A1 METHOD FOR FORMING WIRING FILM, TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE.docx |
| 0 | 2011-11-16_CN101529566B_发明授权_CN101529566B 布线膜的形成方法、晶体管及电子装置.docx |
| 0 | WO2011121950A1_Description_20260621_2220_+++A_H_I_J_K_R_c+++.docx |
| 0 | WO2008081967A1_Description_20260621_2220.docx |
| 0 | WO2008081806A1_Description_20260621_2220.docx |
| 0 | WO2008078755A1_Description_20260621_2220_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K+++.docx |
| 0 | 2015-07-30_None_发明专利_JPWO2013128685A1 集電体用アルミニウム箔及びその製造方法_+++A_B_C_G_H_K_d+++.docx |
| 0 | 2013-07-04_None_发明专利_JPWO2011121950A1 非水電解質二次電池用負極、およびその製造方法、ならびに非水電解質二次電池_+++A_H_I_J_K_R_c+++.docx |
| 0 | 2012-02-23_US2012045694A_发明申请_US20120045694A1 CATHODE, METHOD OF PREPARING THE SAME, AND LITHIUM BATTERY INCLUDING THE CATHODE_+++A_H_L_M_N_O_P_Q_i_j_r+++.docx |
| 0 | 2012-02-02_WO2012014793A_发明申请_WO2012014793A1 リチウムイオン二次電池_+++A_H_I_J_K_L_M_O_P_Q_R+++.docx |
| 0 | 2009-08-12_CN101507022A_发明公开_CN101507022A 电池、电极以及它们所使用的集电体_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K+++.docx |
| 0 | 2011-11-15_KR101083868B_发明授权_KR101083868B1 정보 처리 장치, 정보 처리 장치의 제어 방법 및 기록 매체.docx |
| 0 | 2011-10-26_EP2152048B_发明授权_EP2152048B1 Driving device and driving method of electric discharge lamp, light source device, and image display apparatus.docx |
| 0 | 2011-10-17_KR101073421B_发明授权_KR101073421B1 배선막의 형성 방법, 트랜지스터, 및 전자 장치.docx |
| 0 | 2011-09-22_KR101067034B_发明授权_KR101067034B1 정보 처리 장치, 정보 처리 장치의 제어 방법 및 기록 매체.docx |
| 0 | 2011-09-07_CN102176706A_发明公开_CN102176706A 信息处理设备及信息处理方法.docx |
| 0 | 2011-08-18_JP2011157241A_发明专利_JP2011157241A Laminated glass for automobile.docx |
| 0 | 2011-07-06_KR1020110077001A_发明公开_KR1020110077001A 전지, 전극 및 이들에 이용하는 집전체_+++A_B_C_H_e_f_k+++.docx |
| 0 | 2011-06-08_CN101573696B_发明授权_CN101573696B 信息处理设备及其控制方法.docx |
| 0 | 2003-04-23_CN1413365A_发明公开_CN1413365A 可再充电锂电池的电极和可再充电锂电池_+++A_B_C_H_K+++.docx |
| 0 | 2006-10-18_CN1280930C_发明授权_CN1280930C 再充电式锂电池的负电极及其制造方法_+++A_C_H_b_g+++.docx |
| 0 | 2006-05-26_CA2587885A_发明专利_CA2587885A1 HUMAN SERUM FOR CELL CULTURE.docx |
| 0 | 2004-11-25_US2004234858A_发明申请_US20040234858A1 Positive electrode for lithium secondary battery and lithium secondary battery_+++A_B_C_G_H_K+++.docx |
| 0 | 2004-11-25_JP2004335344A_发明专利_JP2004335344A Positive electrode for lithium secondary battery, and lithium secondary battery_+++A_B_C_H_k+++.docx |
| 0 | 2004-03-04_US2004043294A_发明申请_US20040043294A1 Negative electrode for lithium secondary cell and method for producing the same_+++A_C_H_g+++.docx |
| 0 | 2003-10-15_CN1449589A_发明公开_CN1449589A 再充电式锂电池的负电极及其制造方法_+++A_C_G_H_K+++.docx |
| 0 | 2003-08-29_JP2003241587A_发明专利_JP2003241587A Cartridge and image forming apparatus.docx |
| 0 | 2003-08-13_EP1335438A_发明公开_EP1335438A1 NEGATIVE ELECTRODE FOR LITHIUM SECONDARY CELL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME_+++A_C_b_g_h_k+++.docx |
| 0 | 2007-03-20_US7192673B_发明授权_US07192673B1 Electrode for rechargeable lithium battery and rechargeable lithium battery_+++A_B_C_H_K+++.docx |
| 0 | 2003-01-31_JP2003031807A_发明专利_JP2003031807A Semiconductor device.docx |
| 0 | 2002-02-08_JP2002042785A_发明专利_JP2002042785A Lithium battery_+++A_H_I_L_O_R+++.docx |
| 0 | 2001-08-03_JP2001210324A_发明专利_JP2001210324A Lithium secondary battery_+++A_H_I_J_K_O_R_p_q+++.docx |
| 0 | 2001-01-24_CN1280930A_发明公开_CN1280930A 管道式汽车倒车后视镜.docx |
| 0 | 1994-09-16_None_发明专利_JPH06260168A Lithium secondary battery_+++A_B_C_H_K_f+++.docx |
| 0 | 1993-10-12_None_实用新型_JPH0574479U Yarn guide tool of over lock sewing machine.docx |
| 0 | 1993-03-26_None_发明专利_JPH0574479A Spiral nonaqueous battery_+++A_B_C_F_H_K+++.docx |
| 0 | 1993-01-29_None_实用新型_JPH056766U SPECIAL relay terminal conversion adapter.docx |
| 0 | 2008-12-18_JP2008304561A_发明专利_JP2008304561A Laminated polyester film for transferring antireflection layer.docx |
| 0 | 2009-07-23_JP2009164137A_发明专利_JP2009164137A Battery, electrode and current collector to be used for these above_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K+++.docx |
| 0 | 2009-05-07_JP2009099512A_发明专利_JP2009099512A Electric collector for electrodes_+++A_C_H_K_b_d_e_f_g_l_m_o_p_q+++.docx |
| 0 | 2009-05-06_EP2056381A_发明公开_EP2056381A1 CELL, ELECTRODE, AND COLLECTOR USED IN THEM_+++A_B_C_E_F_H_K+++.docx |
| 0 | 2009-04-30_KR1020090042788A_发明公开_KR1020090042788A 전지, 전극 및 이들에 이용하는 집전체_+++A_B_C_D_E_F_H_k+++.docx |
| 0 | 2009-04-23_US2009100793A_发明申请_US20090100793A1 COMPOSITE STRUCTURAL PANELS AND THEIR DESIGN, MATERIALS, MANUFACTURING, HANDLING, ASSEMBLY AND ERECTION METHODS USED FOR CONSTRUCTING HOMES AND COMMERCIAL.docx |
| 0 | 2009-04-20_KR1020090038309A_发明公开_KR1020090038309A 이차전지용 전극, 그 제조방법 및 이를 채용한 이차전지_+++A_B_D_H_I_J_K_R_c+++.docx |
| 0 | 2009-04-16_US2009098457A_发明申请_US20090098457A1 ELECTRODE FOR SECONDARY BATTERY, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND SECONDARY BATTERY EMPLOYING THE SAME_+++A_B_D_H_I_R_c+++.docx |
| 0 | 2009-01-08_US2009009847A_发明申请_US20090009847A1 INTEGRATED IMODS AND SOLAR CELLS ON A SUBSTRATE.docx |
| 0 | 1993-01-14_None_发明专利_JPH056766A Battery_+++A_B_C_G_H_K+++.docx |
| 0 | 2008-10-16_US2008256207A_发明申请_US20080256207A1 INFORMATION PROCESSING APPARATUS, METHOD OF CONTROLLING INFORMATION PROCESSING APPARATUS, PROGRAM FOR CONTROL METHOD, AND RECORDING MEDIUM FOR PROGRAM.docx |
| 0 | 2008-10-02_US2008241689A_发明申请_US20080241689A1 NONAQUEOUS ELECTROLYTE BATTERY, BATTERY PACK AND VEHICLE_+++A_B_H_I_J_K_L_O_R_c+++.docx |
| 0 | 2008-10-01_TW200839946A_发明专利_TW200839946A 配線膜之形成方法、電晶體及電子裝置 METHOD FOR FORMING A WIRING FILM, TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE.docx |
| 0 | 2008-09-04_JP2008204637A_发明专利_JP2008204637A Manufacturing method of electrode for lithium-ion secondary battery_+++A_B_D_E_F_G_H_K+++.docx |
| 0 | 2008-07-17_JP2008165633A_发明专利_JP2008165633A Information processor, control method of information processor, program, and recording medium.docx |
| 0 | 2008-05-29_None_发明专利_JPWO2006054448A1 細胞培養用ヒト血清.docx |
| 0 | 2007-06-14_JP2007149612A_发明专利_JP2007149612A Anode and battery_+++A_B_C_D_F_H_K+++.docx |
一种制造二次电池用电极的方法,所述电极包含涂布在集电器上的电极活性材料;所述方法包括:对所述集电器进行表面处理以具有在集电器的整个表面上的形态;从而增强所述电极活性材料与所述集电器之间的粘附力;其中以使用在表面处具有浮雕图案的辊对所述集电器进行辊压的方式实施所述表面处理;其中所述图案的垂直横截面为多边形、圆形或椭圆形形状;以及其中形成在所述集电器的表面处的不规则处之间的间隔为0.001μm~10μm;且所述不规则处之间的谷的深度为0.001μm~10μm;其中表面粗糙度Ra大于1μm且不大于10μm;其中所述电极为正极和负极中的至少一种;其中所述负极包含由下式4表示的锂金属氧化物作为负极活性材料:LiaTibO4 (4) ;其中0.5≤a≤3,1≤b≤2.5;其中所述集电器的厚度为3μm~500μm。
作为一名经验丰富的专利代理师,我将为您对目标专利(CN107425178B)的权利要求1进行深度解析,并紧密结合四份对比文件(D1~D4)的原文及详细出处进行逐项特征比对、最接近现有技术分析、无效请求最薄弱特征(即创造性最强/最难被无效的特征)判定,并给出下一步的检索策略。
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## 一、 权利要求1的技术特征拆解与目标专利说明书解释
根据您的梳理,权利要求1共包含11个技术特征(A~K)。结合目标专利说明书的公开内容,各特征的实质内涵解释如下:
* **特征A(基本构型):** 电极包含涂布在集电器上的活性材料。说明书\[0005\]指出这是锂二次电池的常规结构。
* **特征B、C、D、E(表面处理工艺及形貌):** 通过在表面具有**浮雕图案的辊进行辊压**的方式,对集电器的**整个表面**进行表面处理,形成特定的多边形、圆形或椭圆形横截面形态,以增强粘附力。说明书\[0017\]和\[0021\]-\[0023\]解释,此辊压机械处理能产生细小不规则处,增加表面积。
* **特征F、G(不规则处的微观尺寸):** 间隔0.001μm~10μm,谷深0.001μm~10μm,表面粗糙度$Ra > 1\mu m$且$\le 10\mu m$。说明书\[0018\]-\[0020\]强调,若Ra太小无法分配体积膨胀应力,太大则应力分布效果下降。本案限定$Ra > 1\mu m$属于较粗的形貌。
* **特征H、I、J(电极极性与负极特定活性材料):** 负极活性材料为式4的锂钛氧化物(LTO):$Li_aTi_bO_4$($0.5\le a\le 3, 1\le b\le 2.5$)。说明书\[0047\]-\[0048\]特别指出,LTO(如$Li_{1.33}Ti_{1.67}O_4$)自身的电导率低,容易在体积变化时脱落,因此迫切需要本发明的特殊表面形貌结构来增强粘附力。
* **特征K(集电器厚度):** 3μm~500μm,属于常规薄膜厚度范围(说明书\[0040\]、\[0046\])。
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## 二、 权利要求1与对比文件原文特征比对表
以下将四份对比文件分别代入进行特征比对:
* **D1:** JPH056766A (Battery)
* **D2:** JPH0574479A (Spiral nonaqueous battery)
* **D3:** JPH06260168A (Lithium secondary battery)
* **D4:** JP2001210324A (Lithium secondary battery)
### 权利要求1特征比对表
| 权利要求1的技术特征 | D1 (JPH056766A) 比对及出处 | D2 (JPH0574479A) 比对及出处 | D3 (JPH06260168A) 比对及出处 | D4 (JP2001210324A) 比对及出处 |
| 特征A:电极包含涂布在集电器上的电极活性材料 | 公开。\[0002\]“平面状集電体の表面に電極構成物質層が形成されている” | 公开。\[0004\]“金属箔表面とよく接着するために…塗布あるいは塗工” | 公开。\[0003\]“活物質層と集電体との接着が弱い” | 公开。\[0035\]“ペースト状の正/負極合材を…集電体表面に塗布” |
| 特征B:对集电器进行表面处理以具有在整个表面上的形态 | 公开。\[0010\]“電極の集電体の表面が粗面化されている” | 公开。\[0008\]“集電体としての金属箔の表面を…粗くして用いる” | 公开。\[0006\]“両面に…凹凸を有する電解金属箔を用いる” | 未公开。未提及对集电器箔材表面进行粗面化处理。 |
| 特征C:从而增强电极活性材料与集电器之间的粘附力 | 公开。\[0018\]“集電体の表面と電極構成物質層との間の密着性が向上する” | 公开。\[0007\]“活物質粒子と金属箔との接着性を従来より格段に高める” | 公开。\[0008\]“活物質層と集電体との密着強度が著しく向上する” | 未公开。 |
| 特征D:以使用在表面处具有浮雕图案的辊对集电器进行辊压的方式实施表面处理 | 未公开。\[0021\]、\[0060\]使用的是酸处理(硫酸)。 | 未公开。\[0020\]使用的是蚀刻、激光、电镀或喷砂。 | 未公开。\[0007\]使用的是电解法直接制备或后续电铸/蚀刻。 | 未公开。 |
| 特征E:图案垂直横截面为多边形/圆形/椭圆形;且不规则处间隔为0.001μm~10μm | 未公开。酸处理形成的是微观不规则晶界蚀刻坑,非规则几何浮雕。间距未提及。 | 未公开。喷砂/蚀刻等工艺无法获得规则多边形/椭圆形横截面。间距未提及。 | 未公开。电解粗糙面为尖峰放电形貌,非规则几何浮雕。间距未提及。 | 未公开。 |
| 特征F:不规则处之间的谷的深度为0.001μm~10μm | 实质公开。\[0017\]最大高度Rmax = 8.3Ra。若Ra=0.15~3.0μm,谷深(最大高度)可覆盖该范围。 | 实质公开。\[0021\]“金属箔表面の凹部の深さ…平均の深さを表面粗度とする(0.1〜0.9μm)” | 实质公开。\[0006\]“両面に0.1μm以上で20μm以下の凹凸を有する”覆盖此范围。 | 未公开。 |
| 特征G:其中表面粗糙度Ra大于1μm且不大于10μm | 实质公开。\[0010\]、\[0045\]限定“0.15μm≤Ra≤3.0μm”,部分重叠(1μm < Ra ≤ 3.0μm)。 | 未公开。\[0008\]限定表面粗糙度平均为0.1~0.9μm,未达 >1μm。 | 未公开。\[0013\]提及平均高度0.5μm,且未明确定义为标准Ra值。 | 未公开。 |
| 特征H:电极为正极和负极中的至少一种 | 公开。\[0012\]“負極及び正極の両方或はいずれか一方に用いてよい” | 公开。\[0009\]、\[0014\]同时提及了正极和负极金属箔的粗糙化。 | 公开。\[0013\]、\[0016\]具体应用于负极集电体。 | 公开。\[0035\]、\[0037\]正负极皆有。 |
| 特征I、J:负极包含由式4表示的锂金属氧化物作为负极活性材料:$Li_aTi_bO_4$ ($0.5\le a\le 3, 1\le b\le 2.5$) | 未公开。\[0026\]使用的是碳材料(常见焦炭)。 | 未公开。\[0012\]中虽提及正极可用$Li_XTi_2O_4$,但其负极使用的是碳质材料(\[0014\])。 | 未公开。\[0014\]其负极活性材料使用的是人造黑铅。 | 毫无异议公开。\[0011\]、\[0032\]明确公开负极活性材料为$Li_aTi_bO_4$,且列举了$Li_{1.33}Ti_{1.67}O_4$。 |
| 特征K:其中集电器的厚度为3μm~500μm | 公开。\[0021\]、\[0051\]厚度为10μm,且要求在50μm以下。 | 公开。\[0013\]、\[0015\]铝箔厚10~30μm,铜箔厚8~25μm。 | 公开。\[0006\]、\[0014\]厚度为20μm,且要求在50μm以下。 | 公开。\[0048\]、\[0049\]正极铝箔20μm,负极铜箔10μm。 |
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## 三、 最接近对比文件(D1/D2/D3/D4)的筛选与创造性逻辑
在创造性分析中,判断谁适合作为“最接近的对比文件”,通常从**技术领域、解决的技术问题、技术效果以及核心构型**四个维度考量。本案中存在两个演进方向,因此**最接近的对比文件有两个,分别为 D1 和 D4**。
### 1. 为什么 D1 (JPH056766A) 适合作为最接近的对比文件?
* **技术问题与效果高度一致:** D1聚焦于解决“随着电池充放电循环,活性材料膨胀收缩导致与集电器分离、容量劣化”的技术问题(D1的\[0008\]),其技术效果是通过“平面状集电器表面适度粗面化以提高密着性”(D1的\[0018\]、\[0065\])。这与目标专利说明书\[0007\]-\[0010\]、\[0015\]的核心发明目的完全契合。
* **技术特征重合度极高(形貌参数流派):** D1不仅公开了正负极通用的粗面化,更核心的是,它在\[0045\]中限定了 $0.15\mu m \le Ra \le 3.0\mu m$,这与目标专利特征G($1\mu m < Ra \le 10\mu m$)在 **$1\mu m < Ra \le 3\mu m$ 范围内发生了实质重叠**。
* **D1缺失的特征:** 辊压浮雕工艺(特征D、E)以及负极活性材料为钛酸锂(特征I、J)。
### 2. 为什么 D4 (JP2001210324A) 也适合作为最接近的对比文件?
* **材料构型与化学体系体系高度一致:** D4从电池化学体系出发,其核心目的在于解决锂二次电池成本高以及高温下循环劣化的问题。D4在\[0011\]、\[0014\]、\[0032\]中极其精准地公开了**正极使用锂锰氧化物 + 负极使用 $Li_aTi_bO_4$(钛酸锂)**的特殊搭配,并直接指明了 $Li_{1.33}Ti_{1.67}O_4$。这与目标专利权利要求1中特征I、J的化学式及下标范围完全相同。
* **D4缺失的特征:** D4完全没有意识到需要对集电器表面进行粗糙化处理以增强粘附力(特征B、C、D、E、F、G全缺失)。
### 3. 缺失特征是否被其他对比文件公开?(结合评述)
若以 **D1 为最接近的对比文件**(解决粘附力问题的参数流派)提出无效组合:
* **特征I、J(钛酸锂材料):** 已被 D4 完全公开。由于钛酸锂(LTO)在电池界是公知的“零应变”或低电导率材料,D4也指出了其能抑制负极电解液分解。将D4的负极材料替换到D1中属于电池领域的常规材料替换。
* **特征D、E(规则浮雕辊压工艺):** D1使用的是酸洗,D2使用的是喷砂/蚀刻,D3使用的是电解。**没有任何一份对比文件公开了“使用表面具有浮雕图案的辊对集电器进行辊压”来制造规则几何横截面(多边形、圆形、椭圆形)形貌的特征。**
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## 四、 无效请求方最薄弱的技术特征(本专利的护城河)
若您代表**无效请求方**尝试去无效这件目标专利,您会发现最难攻克的、最薄弱的武器在于以下特征组合:
> **最薄弱技术特征:特征D + 特征E(使用具有浮雕图案的辊进行辊压,形成垂直横截面为多边形、圆形或椭圆形的不规则结构)**
### 为什么该特征最难被无效?
1. **现有技术工艺路径偏离:** 在2013年(本案优先权日/申请日)之前,电池集电器(铜箔/铝箔)的粗浅化流派几乎全部集中在**化学/电化学领域**(如D1的酸洗、D2的化学蚀刻、D3的电解毛箔/电铸)。这些工艺手段在微观上产生的形貌是**随机的、不规则的晶界坑或针状放电结晶**。
2. **机械规则构型的显而易见性极低:** 本专利另辟蹊径,采用**机械加工中的微纳压印/辊压工艺**,在箔材表面制造出具有规则空间几何横截面(多边形、圆形、椭圆形)的浮雕微观图案,且将不规则处的间距控制在 $0.001\mu m \sim 10\mu m$。这种从化学改性向精密机械制造的跨界工艺,在现有对比文件D1~D4中完全没有给出任何技术启示。
3. **对特定材料的协同技术效果:** 说明书特别提及,针对LTO这种导电率差、易脱落的活性材料,这种规整的机械浮雕谷深结构(特征F)能够提供极佳的应力分配(说明书\[0019\]),其实施例1(52 gf/cm)相比于未处理(36 gf/cm)粘合强度提升巨大。请求方很难论证“从随机化学电蚀坑跨越到精密机械浮雕辊压”对审查员来说是显而易见的。
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## 五、 进一步的检索策略建议
鉴于上述分析,目前的对比文件在“机械辊压微观规整几何形貌”这一特征上形成了检索断层。为了成功无效该权利要求,建议调整检索策略,启动第二轮精准检索:
### 1. 改变检索分类号(IPC/CPC)——引入精密机械加工与箔材压延领域
不要仅局限于电池电极制造(H01M4/*),应大量检索集电器箔材在上游加工过程中的轧制、表面精整工艺:
* **B21B 1/40** (金属箔的轧制)
* **B21B 27/00** (轧辊本身的设计或制造,尤其是带有微观图案的轧辊)
* **B41M 1/00** (压印、浮雕加工)
* **H01M 4/20 / H01M 4/66** (涉及集电器表面机械微结构加工)
### 2. 关键词微调与跨界组合
在检索式中,强行将“轧辊”、“辊压”、“浮雕”、“压印”与“电池集电器”或“金属箔”进行交叉。
* **控制/特征词:** (辊压 OR 轧制 OR 压印 OR 浮雕辊 OR 凹凸辊 OR texturing roll OR embossed roll) **AND** (集电器 OR 铜箔 OR 铝箔 OR 金属箔 OR current collector) **AND** (粗糙度 OR 谷深 OR 周期 OR 横截面 OR Ra OR micron)
* **针对负极材料的专向检索:** 尝试检索是否存在早期的LTO(钛酸锂)专利,其中为了解决LTO脱落问题,提及了“机械压痕”或“网格化压韧”的工艺。
### 3. 重点检索区域与目标公司
* **日韩上游箔材巨头:** 检索日本三井金属(Mitsui Kinzoku)、古河电气(Furukawa Electric)、日立化成、JXTG等在1990-2013年间申请的**电池用粗糙化铜箔/铝箔的改性专利**。这些企业往往会申请纯机械轧制拉毛的箔材专利。
* **微纳制造领域:** 检索专门从事微纳结构压印(Nanoimprint lithography)工程应用在金属薄膜上的早期研究论文或专利。
作为一名经验丰富的专利代理师,我将为您对目标专利(CN107425178B)的权利要求1进行深度法律与技术解析,并结合D1至D4四份对比文件进行全方位的无效可行性与创造性防御/进攻分析。
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## 一、 目标专利权利要求1的技术实质解析
目标专利的核心发明点在于:为了解决二次电池充放电过程中,活性材料因体积效应脱落导致容量衰减的技术问题,放弃了现有技术中常用的“化学电解粗糙化”或“砂纸打磨”等随机粗糙化手段,改用**特定的机械结构(表面具浮雕图案的辊)对集电器进行辊压**,从而在集电器表面构筑出**几何形状规则、微观尺寸(间隔、谷深、粗糙度Ra)精确受控的微观形态**。
特别是针对LTO(锂钛氧化物,式4)这种导电率低但骨架稳定的活性材料,匹配特定厚度(3μm~500μm)的集电器,以达到兼顾高电导率、强粘附力和长循环寿命的技术效果。
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## 二、 权利要求特征分解与对比文件属性
为实现精准比对,将权利要求1分解为如下技术特征:
* **特征A**:电极包含涂布在集电器上的电极活性材料;
* **特征B**:对集电器进行表面处理以具有在集电器的整个表面上的形态;
* **特征C**:从而增强电极活性材料与集电器之间的粘附力;
* **特征D**:以使用在表面处具有浮雕图案的辊对集电器进行辊压的方式实施表面处理;
* **特征E1**:图案的垂直横截面为多边形、圆形或椭圆形形状;
* **特征E2**:形成在集电器表面处的不规则处之间的间隔为0.001μm~10μm;
* **特征F**:不规则处之间的谷的深度为0.001μm~10μm;
* **特征G**:表面粗糙度Ra大于1μm且不大于10μm;
* **特征H**:电极为正极和负极中的至少一种;
* **特征I**:负极包含由下式4表示的锂金属氧化物作为负极活性材料:$Li_aTi_bO_4$ (4);
* **特征J**:0.5≤a≤3,1≤b≤2.5;
* **特征K**:集电器的厚度为3μm~500μm。
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## 三、 技术特征比对表
以下将目标专利的各技术特征与对比文件进行客观比对,并给出各对比文件的原文详细出处:
| 目标专利技术特征 | D1 (JP2002042785A) | D2 (CN1413365A) | D4 (CN1449589A) |
| 特征A (活性材料涂布) | 实质公开<br>【0005】将浆料涂布在金属箔等集电器上。 | 毫无异议公开<br>第1页“包括由活性材料构成的薄膜...沉积在集电器上的电极”。 | 毫无异议公开<br>【0009】在导电金属箔表面上提供活性材料颗粒...层。 |
| 特征B、C (处理表面增粘) | 未公开<br>其采用整体烧结体,未对集电器箔材做形态处理。 | 实质公开<br>第2页“集电器的表面是粗糙的...改进了集电器和活性材料之间的粘合”。 | 毫无异议公开<br>【0018】“使用这种具有特定表面粗糙度Ra的导电金属箔,增加了...接触面积...从而增强...粘附性”。 |
| 特征D (浮雕图案辊辊压) | 未公开<br>【0033】提及辊压成型造粒活物质,而非辊压集电器。 | 未公开<br>第2页提及使用电解铜箔或金刚砂纸研磨,无浮雕辊压。 | 未公开<br>【0022】提及使用电解铜箔,通过电解沉积使其粗糙。 |
| 特征E1 (图案截面几何形状) | 未公开 | 未公开<br>第2页提及凸出部分形状最好是锥形的(电解晶粒形成)。 | 未公开<br>说明书附图及文字未给出规则几何截面。 |
| 特征E2 (间隔0.001-10μm) | 未公开 | 实质公开<br>第2页满足关系式100Ra $\ge$ S,Ra为0.01-1μm,S存在重叠。 | 实质公开<br>【0020】满足100Ra $\ge$ S,S数值区间在微米级存在重叠。 |
| 特征F (谷深0.001-10μm) | 未公开 | 实质公开<br>其Ra在0.01-1μm,电解波谷深度落入该范围。 | 实质公开<br>其Ra在0.2-10μm,电解波谷深度落入该范围。 |
| 特征G (Ra大于1μm且$\le$10μm) | 未公开 | 未公开<br>第2页“表面粗糙度Ra最好在0.01-1μm的范围内”。 | 实质公开<br>【0019】“表面粗糙度Ra的实际上限可以时10微米以下”,【0018】“Ra在0.2微米以上”。 |
| 特征H (正/负极至少一种) | 毫无异议公开<br>【0018】“リチウム電池は...”。 | 毫无异议公开<br>第1页“供可再充电锂电池使用的电极”。 | 毫无异议公开<br>【0001】“涉及再充电式锂电池的负电极”。 |
| 特征I、J (式4的锂钛氧化物) | 毫无异议公开<br>【0018】“活物質が...$Li_4Ti_5O_{12}$...”。<br>*(注:$Li_4Ti_5O_{12}$可等标简写为$Li_{1.33}Ti_{1.67}O_4$,系数完全落入范围)* | 未公开<br>其采用硅、锗等负极材料。 | 未公开<br>其采用硅、硅合金负极颗粒。 |
| 特征K (集电器厚度3-500μm) | 未公开<br>其采用无集电器的独立板状烧结体。 | 毫无异议公开<br>第4页“成卷的铜箔(18μm厚)”。 | 毫无异议公开<br>【0030】“导电金属箔的厚度...以10微米~100微米的范围为宜”。 |
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## 四、 最接近对比文件(D1 vs D4)的选择与分析
在创造性分析中,本案适合选择**多篇最接近的对比文件**从不同的侧重点发起无效攻击:
### 1. 结构与工艺侧重点:D4 (CN1449589A)
* **技术领域**:均属于锂二次电池电极的制造及集电器改良领域。
* **解决的技术问题**:D4明确针对“活性材料反复充放电体积膨胀收缩导致从集电器分离脱离”的技术问题(见D4背景技术及发明内容【0018】),这与目标专利解决的“因体积变化导致电极活性材料与集电器之间分离”(【0007】)**完全相同**。
* **技术效果**:均通过构造粗糙表面(Ra最高可达10μm)增大接触面积、增强粘附性。
* **结论**:**D4最适合作为主要的最接近对比文件**。其公开了特征A、B、C、F、G、H、K,以及特征E2的大部分。
### 2. 材料侧重点:D1 (JP2002042785A)
* **技术领域及材料**:明确公开了负极活性材料使用 $Li_4Ti_5O_{12}$(即 $Li_{1.33}Ti_{1.67}O_4$,完美对齐目标专利的特征I、J)。
* **结论**:D1可在材料端作为最接近对比文件,或作为辅助对比文件与D4结合。
### 3. 未被最接近对比文件(D4)公开的特征是否被其他文件公开?
D4未公开特征D、E1(浮雕辊压工艺及特定几何横截面)以及特征I、J(LTO负极材料)。
* **特征I、J**已由**D1**明确公开。
* **特征D、E1**(采用表面带浮雕图案的辊对集电器进行辊压以获得特定微观形态)**在D1、D2、D3、D4中均未被公开**。
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## 五、 对请求方而言最薄弱的技术特征(专利权人的坚固防线)
若发起无效宣告请求,对于请求方而言,**最薄弱(即最难被现有技术推翻、创造性最强)的技术特征组合是:[特征D + 特征E1 + 特征E2/F/G的偶联]**。
> **薄弱原因分析(站在请求方视角):**
> 现有技术(如D2、D4)中为了获得1μm~10μm左右的粗糙集电器,普遍采用的是**电解法(如电解铜箔的天然晶粒生长)**或**化学/物理打磨法**。这些方法在微观上产生的粗糙形态是**随机的、无序的、不可控的**(例如D2提及凸出部分是随机的锥形)。
>
> 而目标专利创造性地引入了**机械精密辊压加工领域**的手段,采用“具有浮雕图案的辊”在薄至几微米的集电器箔材上直接压印出规则的、横截面为“多边形、圆形或椭圆形”的微观阵列。这种机械加工手段在电池制备领域没有明确的技术启示,且能精准控制间隔和谷深在0.001μm~10μm。现有技术完全未给出这一工艺路径的暗示。
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## 六、 针对薄弱环节的进一步检索策略
为了攻破上述“浮雕图案辊辊压集电器”这一坚固防线,建议请求方调整检索方向,采取跨领域检索策略:
1. **跨领域检索(精密机械加工/金属箔材轧制)**:
* **理由**:集电器的箔材本身属于金属加工件。不要局限在“电池”分类号下(H01M),应扩大到**B21B(金属轧制)**、**B44B(浮雕或压花)**。
* **关键词**:`辊压`、`压花`、`轧制`、`微压印`、`织构化`、`Texturing`、`Micro-patterning`、`Embossing`。
2. **检索“非晶/微晶薄膜基底”领域**:
* 寻找在半导体或太阳能电池领域,为了增强薄膜在外基底上的附着力,利用压花辊对金属衬底(铝箔、铜箔)进行微观几何形貌压印的现有技术。
3. **针对LTO与集电器表面形态的特定检索**:
* 专门检索针对钛酸锂(LTO)由于导电率低,利用“特定规则微观沟槽/微结构集电器”来缩短电子传输路径、增大机械咬合力的文献。
作为一名经验丰富的专利代理师,我将为您对目标专利权利要求1进行深度解析,并紧密结合四份对比文件(D1~D4)的原文及出处,进行严谨的技术特征比对和创造性分析,最后为您指出最薄弱的技术特征并制定下一步检索策略。
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## 一、 目标专利权利要求1的技术特征拆解
根据目标专利(CN107425178B)的说明书及权利要求书,权利要求1包含以下**11个技术特征(A~K)**:
* **A(前序部分主体)**:一种制造二次电池用电极的方法,所述电极包含涂布在集电器上的电极活性材料;
* **B(工艺步骤主体)**:所述方法包括:对所述集电器进行表面处理以具有在集电器的整个表面上的形态;
* **C(功能效果限定)**:从而增强所述电极活性材料与所述集电器之间的粘附力;
* **D(表面处理方式)**:其中以使用在表面处具有浮雕图案的辊对所述集电器进行辊压的方式实施所述表面处理;
* **E(横截面及间隔限定)**:其中所述图案的垂直横截面为多边形、圆形或椭圆形形状;以及其中形成在所述集电器的表面处的不规则处之间的间隔为0.001μm~10μm;
* **F(谷深度限定)**:且所述不规则处之间的谷的深度为0.001μm~10μm;
* **G(粗糙度Ra限定)**:其中表面粗糙度Ra大于1μm且不大于10μm;
* **H(电极极性限定)**:其中所述电极为正极和负极中的至少一种;
* **I(活性材料成分)**:其中所述负极包含由下式4表示的锂金属氧化物作为负极活性材料:$Li_aTi_bO_4$ (4);
* **J(活性材料系数)**:其中0.5≤a≤3,1≤b≤2.5;
* **K(集电器厚度)**:其中所述集电器的厚度为3μm~500μm。
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## 二、 对比文件指代说明及各对比文件原文出处比对
为了行文严谨清晰,各对比文件公开号及简称对应如下:
* **D1**:US7192673B (Electrode for rechargeable lithium battery...)
* **D2**:JP2007149612A (Anode and battery)
* **D3**:JP2008204637A (Manufacturing method of electrode for lithium-ion secondary battery)
* **D4**:US20080241689A1 (NONAQUEOUS ELECTROLYTE BATTERY, BATTERY PACK AND VEHICLE)
### 1. 各对比文件的详细技术特征分析
#### **D1 (US7192673B)**
* **实质/毫无异议公开的特征**:
* **特征A、H**:公开了锂二次电池用电极(负极),其包含沉积在集电器上的活性材料薄膜(硅/锗薄膜)。
* **特征B、C**:公开了集电器表面粗糙化(roughened),以提高集电器与活性材料之间的粘附力,防止脱落。
* **特征G**:公开了表面粗糙度Ra。但其明确限定Ra优选为0.01~1μm(原文`[0021]: surface roughness Ra of the current collector is preferably in the range of 0.01–1 μm`),这与目标专利的“大于1μm且不大于10μm”**不相交**。
* **特征K**:公开了铜箔集电器厚度,例如其铜箔厚度为12μm、18μm、35μm等(原文`Table 7/Experiment A`),落入了目标专利3μm~500μm的范围。
* **未公开的特征**:D1未公开使用“具有浮雕图案的辊进行辊压”这一机械表面处理方式(特征D、E、F均未公开);同时,D1的活性材料是硅或锗薄膜(`[0037]...silicon thin film`),未公开特征I、J(钛酸锂氧化物活性材料)。
#### **D2 (JP2007149612A)**
* **实质/毫无异议公开的特征**:
* **特征A、H**:公开了负极集电器上设有含硅的负极活物质层。
* **特征B、C**:公开了负极集电器具有周期性的第一凹凸结构和更微细的第二凹凸结构,用以分散应力、提高集电器与活物质层之间的密着性、防止脱落。
* **特征D**:公开了利用具有凹凸形状的辊(ローラー)等对金属箔进行机械压缩,从而将辊的凹凸形状转印到集电器上(原文`[2]...凹凸形状を有するローラーなどにより金属箔を機械的に圧縮してローラーの凹凸形状を集電体上に転写する方法などでも形成できる。`)。
* **特征E(部分)**:公开了第一凹凸结构的形状可以是圆形、多边形、流线形或格子状(原文`[2]...凹凸構造は、円形、多角形、、流線形あるいは格子状などどのような形状でもよい。`)。其第一凹凸结构的周期为10μm~100μm。
* **特征F、G**:公开了第二凹凸结构的表面粗糙度$Rz_{\text{JIS}}$为1.0μm~5.0μm。但未直接公开表面粗糙度Ra大于1μm且不大于10μm,其特征G与目标专利存在参数类型及数值差异。
* **特征K**:公开了集电器的厚度,例如实施例中采用20μm的压延铜箔。
* **未公开的特征**:D2的不规则处间隔(周期为10μm以上)未完全覆盖特征E的“0.001μm~10μm”;未公开不规则处谷深为0.001μm~10μm(特征F);未公开特征I、J(钛酸锂活性材料,D2使用的是硅基材料)。
#### **D3 (JP2008204637A)**
* **实质/毫无异议公开的特征**:
* **特征A、H**:公开了集电器上具有活物质层的锂离子二次电池电极。
* **特征B、C**:公开了对集电器进行加工以形成凹凸形状,从而在容许活物质膨胀的同时提高接着性。
* **特征D**:明确公开了使用具有凹凸形状的辊(ローラー)等通过机械压缩将辊的凹凸形状转印到集电器上的方法(原文`[2]...凹凸形状を有するローラーなどにより金属箔を機械的に圧縮してローラーの凹凸形状を集電体上に転写する方法などでも形成できる。`)。
* **特征E(部分)**:明确公开了凸部上部的形状特别优选多边形、圆形、椭圆形(原文`[2]...凸部上部形状に特に制限はないが、多角形、円形、椭圆形などの形状が好ましい。`)。此外,其实施例1中公开了突起间隔为10μm(原文`突起間隔が10μmであった`),刚好落入目标专利的10μm端点。
* **特征G**:实施例1公开了算术平均粗糙度Ra为3.1μm(原文`表面粗さRaは3.1μmで`),完美落入了目标专利“Ra大于1μm且不大于10μm”的范围!
* **特征K**:其实施例1公开了使用14μm厚的压延铜箔(落入3μm~500μm范围)。
* **未公开的特征**:D3的工艺目的主要是为了活性材料未涂布区与金属引线的焊接,且其突起间隔为10μm(仅触及特征E范围的上限上限值),谷深(特征F)未给出具体数值(高度为6μm);同样未公开特征I、J(钛酸锂活性材料)。
#### **D4 (US20080241689A1)**
* **实质/毫无异议公开的特征**:
* **特征A、H、K**:公开了非水电解质电池的正负极,正负极集电器由铝或铝合金箔制成,厚度为10μm~30μm(落入3μm~500μm范围)。
* **特征I、J**:**毫无异议地公开了特征I和J**!D4明确指出其负极活性材料采用具有尖晶石结构的钛酸锂($Li_{4+x}Ti_5O_{12}$,即等同于通式$Li_aTi_bO_4$,其中当$a=4/3 \approx 1.33, b=5/3 \approx 1.67$时,完全落入$0.5 \le a \le 3, 1 \le b \le 2.5$的范围)。(原文`[0060]: lithium titanate having a spinel structure such as Li4+xTi5O12...`)。
* **特征B、C、G(部分)**:公开了对铝合金箔集电器进行表面粗糙化处理(如电化学碱洗、酸洗、蚀刻),以增加比表面积,防止活性材料剥落。其负极集电器的特定电容优选小于20μF/cm²,表面通常被一层致密的氧化铝层覆盖,不进行过度的粗化(特征G未满足Ra > 1μm)。
* **未公开的特征**:D4未公开使用具有浮雕图案的辊进行辊压(特征D、E、F的机械图案加工)。
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### 2. 特征比对表格
以下为权利要求1各技术特征与对比文件D1~D4的详尽比对表:
| 权利要求1的技术特征 | D1 (US7192673B) 比对及出处 | D2 (JP2007149612A) 比对及出处 | D3 (JP2008204637A) 比对及出处 | D4 (US20080241689A1) 比对及出处 |
| 特征A (二次电池电极/活性材料涂布) | 已公开<br>[0005]: thin film composed of active material... deposited on a current collector | 已公开<br>[2]: 負極集電体に...負極活物質層が設けられた | 已公开<br>[2]: 集電体上に活物質层を有する | 已公开<br>[0012]: negative electrode including a negative electrode layer... |
| 特征B (集电器表面处理) | 已公开<br>[0030]: metal foil... roughened at its surface | 已公开<br>[2]: 第1の凹凸構造11Aと...第2の凹凸構造11Bとが形成 | 已公开<br>[2]: 集電体上に...凹凸が形成された | 已公开<br>[0162]: aluminum alloy foil was subjected to surface roughening treatment |
| 特征C (增强粘附力) | 已公开<br>[0024]: improves adhesion between the current collector and the thin film | 已公开<br>[2]: 負極集電体と負極活物質層との密着性を向上 | 已公开<br>[2]: 活物質の膨張を許容しつつ、リードの接着性を高める | 已公开<br>[0162]: to uniformly used... peeling/detachment suppressed |
| 特征D (利用具有浮雕图案的辊进行辊压) | 未公开<br>(其采用电解或磨砂纸打磨) | 已公开<br>[2]: 凹凸形状を有するローラーなどにより金属箔を機械的に圧縮して...転写 | 已公开<br>[2]: 凹凸形状を有するローラーなどにより金属箔を機械的に圧縮して...転写 | 未公开<br>(其采用电化学/化学蚀刻) |
| 特征E (截面多边/圆/椭圆;不规则处间隔0.001-10μm) | 未公开<br>(仅提及锥形凸起,[0023]) | 实质公开<br>[2]: 凹凸構造は、円形、多角形...(但其第一周期优选10-100μm) | 实质公开<br>[2]: 凸部上部形状は多角形、円形、楕円形...<br>实施例1: 突起間隔が10μm | 未公开 |
| 特征F (不规则处谷深0.001-10μm) | 未公开 | 未公开<br>(仅公开Rz 1-5μm) | 未公开<br>(仅公开凸部高度6μm,未限定谷深通式) | 未公开 |
| 特征G (表面粗糙度Ra >1μm且 <=10μm) | 不公开(矛盾)<br>[0021]: 明确限定Ra在0.01–1 μm范围内 | 未公开<br>(仅给出了Rz为1-5μm) | 已公开<br>实施例1: 表面粗さRaは3.1μmで | 未公开<br>(负极电容小,未做大粗糙度加工) |
| 特征H (正极和负极至少一种) | 已公开<br>[0001]: novel electrode for a rechargeable lithium battery | 已公开<br>[2]: 負極およびそれを用いた電池 | 已公开<br>[2]: 負極用集電体、正極集電体... | 已公开<br>[0011-0012]: a negative electrode... a positive electrode |
| 特征I (负极活性材料为式4:$Li_aTi_bO_4$) | 未公开<br>(D1为硅、锗薄膜) | 未公开<br>(D2为硅基材料) | 未公开<br>(D3为硅基材料) | 已公开<br>[0060]: lithium titanate having a spinel structure such as Li4+xTi5O12 |
| **特征J** ($0.5 \le a \le 3, 1 \le b \le 2.5$) | **未公开**<br/> | **...
| **未公开**<br/> | **未公开**<br/> | **已公开**<br/>`[0060]`: $Li_4Ti_5O_{12}$ 换算通式后完全落入该系数范围 |
| **特征K** (集电器厚度3μm-500μm) | **已公开**<br/>`Table 7`: 铜箔厚度12μm, 18μm, 35μm, 70μm | **已公开**<br/>`[2]`: 厚み20μmの圧延銅箔 | **已公开**<br/>`实施例1`: 厚み14μmの圧延銅箔 | **已公开**<br/>`[0053]`: thickness is preferably from 10 μm to 30 μm |
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## 三、 最接近对比文件(D1~D4)的筛选与分析
在创造性评评定中,选择**最接近的对比文件**应从技术领域、解决的技术问题、技术效果以及公开技术特征的数量三个维度进行综合考量。在本案中,**D3和D4均适合作为最接近的对比文件(存在双起点可能)**。分析如下:
### 起点一:以 D3 (JP2008204637A) 作为最接近的对比文件(工艺及形貌起点)
* **技术领域与特征重合度最高**:D3同样属于制造锂二次电池用电极的方法。在工艺上,D3公开了利用“具有凹凸图案的辊机械压制转印”来处理集电器(特征D),且明确指出了凸部横截面为“多边形、圆形、椭圆形”(特征E),最关键的是,D3的实施例1公开了**表面粗糙度$Ra = 3.1\mu m$**,直接公开了权利要求1中极难被引证的**特征G**($Ra > 1\mu m$ 且 $\le 10\mu m$)。
* **解决的技术问题与技术效果**:D3通过在集电器表面构筑上部概平坦的凹凸规则图案,解决的是在电极浆料涂布后,活性材料在充放电循环体积膨胀时“应力容纳及防止脱落”的问题(同时兼顾引线焊接),这与目标专利通过形貌增强活性材料与集电器粘附力、改善循环特性的整体技术问题和效果完全一致。
* **其余特征的结合**:D3未公开的特征主要为负极活性材料采用$Li_aTi_bO_4$(特征I、J)。然而,特征I、J已经被**D4**在相同的锂二次电池负极技术领域中毫无异议地公开。
### 起点二:以 D4 (US20080241689A1) 作为最接近的对比文件(材料与电极结构起点)
* **核心活性材料完全一致**:D4公开了一种非水电解质电池,其负极活性材料明确采用了**尖晶石结构的钛酸锂($Li_{4+x}Ti_5O_{12}$)**,换算通式后与权利要求1的特征I、J完全相同。
* **解决的技术问题与技术效果**:D4使用钛酸锂作为负极,正是为了利用其“零应变”或低体积膨胀系数来抑制充放电过程中的结构破坏。目标专利在说明书`[0048]`中也明确指出:“当将锂钛氧化物(LTO)用作负极活性材料时,LTO具有低的电导率,由此可以具有上述电极结构”。两者的材料及电极设计的化学本质高度重合。
* **其余特征的结合**:D4虽然公开了通过电化学蚀刻来进行表面粗化(特征B、C),但未公开通过“浮雕辊辊压转印不规则图案”的机械手段(特征D、E、F、G)。而这一机械加工手段和特定的形貌参数,已经被**D3或D2**完整公开。
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## 四、 无效请求方最薄弱的技术特征分析
对于无效请求方(即试图推翻这件专利的一方)来说,本案在证据链条组合上**最薄弱(即最难攻克、对专利权人来说最稳固)**的技术特征为:
> **特征E和特征F中的参数范围限定组合,即:形成在集电器表面处的不规则处之间的间隔为0.001μm~10μm,且谷的深度为0.001μm~10μm。**
### 原因分析:
1. **D3的端点试探**:D3虽然公开了突起间隔为$10\mu m$,但其数值刚好卡在目标专利限定范围的上限端点上($10\mu m$)。在无效宣告的审查实践中,D3的$10\mu m$孤点并不能自然等同于公开了“$0.001\mu m \sim 10\mu m$”的宽泛连续范围,尤其是目标专利主打的是更微细的、微纳米级的细小不规则形态(如说明书`[0017]`提到的“细小的不规则处”)。
2. **D2的参数不匹配**:D2虽然提到了第一凹凸结构和第二凹凸结构,但其第一凹凸结构的周期(间隔)明确限定为$10\mu m \sim 100\mu m$,第二凹凸结构只给出了表面粗糙度$Rz_{\text{JIS}}$为$1.0\mu m \sim 5.0\mu m$,**并未直接公开“谷的深度”以及“细至0.001μm”的微观间隔**。
3. **加工机理的协同技术效果**:目标专利通过特征D、E、F、G形成了一组协同形貌限定。不规则处的间隔和谷深被双重限定在$0.001\mu m \sim 10\mu m$内,且Ra要大于$1\mu m$。这种微观形态在辊压转印中对辊的雕刻精度和压力控制有极高的要求。无效请求方目前手头的对比文件(D1~D4)缺乏对于“**同时满足间隔、谷深在0.001-10μm且Ra>1μm**”这一特定微纳结构的精确数值披露。
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## 五、 进一步检索策略建议
为了弥补现有证据链在“**微观辊压间隔与谷深参数(0.001μm~10μm)**”上的不足,建议无效请求方采取以下进一步检索策略:
1. **重点突破机械辊压/压印领域,打破IPC分类限制**:
* 当前的D1~D4多局限于电池电极本身的制造分类。建议将检索范围扩大至**箔材微加工、金属表面机械改性、纳米压印(Nanoimprint)、微压花(Micro-embossing)**等通用机械加工领域。
* **检索方向**:寻找在金属箔(铜箔/铝箔)表面利用浮雕辊(微雕辊)冷辊压制备微纳米级(尺度在$1\mu m$以下,如数百纳米、即落入0.001-10μm范围)规则几何图案(多边形、圆形网格)的工艺技术文献。
2. **锁定超细微不规则处的“谷深”和“间隔”关键词检索**:
* 在检索式中强化对微观形貌参数的追逐。
* **英文关键词组合**:`(roller OR roll pressing OR embossing) AND (copper foil OR aluminum foil OR current collector) AND (pitch OR spacing OR interval) AND (depth OR groove) AND (micrometer OR nm OR "sub-micron")`
* **中文关键词组合**:`(辊压 OR 压花 OR 转印 OR 压印) AND (集流体 OR 铜箔 OR 铝箔) AND (不规则 OR 凹凸 OR 浮雕) AND (间隔 OR 周期 OR 节距) AND (谷深 OR 槽深 OR 深度)`
3. **密切关注钛酸锂(LTO)极片专用集电器的定制文献**:
* 目标专利强调了由于钛酸锂(式4)导电率低,因而更需要这种高接着性的粗化集电器。可以检索在2013年(目标专利优先权日)之前,各大电池巨头(如东芝、
汤浅、日立等,因LTO电池多由日韩车用电池企业开发)针对钛酸锂负极专门开发的**“定制化粗化铝箔/铜箔”其表面的微观形貌表征论文或专利申请**,极有可能在其实施例的电镜(SEM/AFM)测试数据中找到符合特征E、F、G参数区间的现有技术。
尊敬的申请人/请求人,作为一名经验丰富的专利代理师,我将为您对该目标专利(制造二次电池用电极的方法)的权利要求1进行深度解析,并紧密结合四份对比文件(D1: JP2009099512A, D2: JP2009164137A, D3: CN101507022A, D4: US2009280407A)的原文及详细出处进行逐字逐句的特征比对、创造性分析、无效薄弱点剖析及下一步检索策略的制定。
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## 一、 目标专利权利要求1的合理解释与技术架构
结合目标专利说明书第`[0015]-[0024]`段、实施例1及附图说明,权利要求1的核心发明点在于:**通过具有特定几何形态和微观不规则特征(Ra、深度、间隔)的辊压浮雕图案辊,在集电器表面形成精细微观拓扑形态,从而在不增加粘结剂比例的前提下,通过“机械咬合”和“增大接触面积”双重机制,实质性提升特定活性材料(钛酸锂 LTO,式4)与集电器的粘附力,解决循环容量衰减问题。**
为了后续精确比对,我们将权利要求1拆解为以下11个技术特征:
* **特征A**:一种制造二次电池用电极的方法,所述电极包含涂布在集电器上的电极活性材料;
* **特征B**:所述方法包括:对所述集电器进行表面处理以具有在集电器的整个表面上的形态;
* **特征C**:从而增强所述电极活性材料与所述集电器之间的粘附力;
* **特征D**:其中以使用在表面处具有浮雕图案的辊对所述集电器进行辊压的方式实施所述表面处理;
* **特征E**:其中所述图案的垂直横截面为多边形、圆形或椭圆形形状;并且形成在所述集电器的表面处的不规则处之间的间隔为0.001μm~10μm;
* **特征F**:所述不规则处之间的谷的深度为0.001μm~10μm;
* **特征G**:其中表面粗糙度Ra大于1μm且不大于10μm;
* **特征H**:其中所述电极为正极和负极中的至少一种;
* **特征I**:其中所述负极包含由下式4表示的锂金属氧化物作为负极活性材料:$Li_aTi_bO_4$ (4);
* **特征J**:其中$0.5 \le a \le 3$,$1 \le b \le 2.5$;
* **特征K**:其中所述集电器的厚度为3μm~500μm。
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## 二、 对比文件同族关系与原文实质公开分析
经过对四份对比文件的文献登记信息及原文文本核对,首先需要明确一个极为重要的法律事实:
> **重要法律事实认定:** > D2(JP2009164137A)、D3(CN101507022A)与D4(US2009280407A)为**同一发明创造的海外同族专利/申请**,其核心国际申请号为 PCT/JP2007/074890。D1(JP2009099512A)则是该技术团队在同年度 filed 的另一项关联发明。因此,D2、D3、D4 记载的技术实质完全等同。
### 1. 各对比文件对技术特征的公开情况
#### **D1 (JP2009099512A)**
* **技术实质**:公开了一种锂电池集电器,基材表面具有第一规则排列的突起,突起顶部具有更微小的第二突起,用于缓解Si、Sn系活性材料在蒸镀时的膨胀应力,主要采用**抗蚀剂掩膜+镀覆法**或**长尺压延法**。
* **公开特征**:毫无异议地公开了特征A、B、C、D、H、K。对于特征E,其明确指出了横截面可为“矩形、多角形、圆形、椭圆形”(原文第`[2]`页第11段)。
* **未公开特征**:特征F、G、I、J。D1中第一突起高度要求为3-15μm,Ra要求为0.3-5μm,与本案特征G有重叠但Ra范围不完全一致,且D1的核心活性材料为Si、Sn系,未提及钛酸锂式(4)。
#### **D2 (JP2009164137A) / D3 (CN101507022A) / D4 (US2009280407A) —— 同族文献**
* **技术实质**:全面公开了一种集电器结构。具有基材平坦面、规则排列的第一突起、以及第一突起顶部的第二突起。公开了采用**一对配置有规则图案凹部的一对辊之间通过辊压(Press)**来制造第一突起的方法。
* **公开特征**:毫无异议地公开了特征A、B、C、D、E、F、H、K。
* *关于特征E和F*:D3原文指出“不规则处(突起)的间距S优选为3~100μm”或“10-100μm”。这与目标专利的“0.001μm~10μm”在**3μm~10μm**范围内发生**实质重叠**;并且D3中通过辊压制造的第一突起高度为3~15μm(对应谷的深度),与特征F的“0.001μm~10μm”在**3μm~10μm**范围内**实质重叠**。
* **实质公开/隐含公开分析**:
* *特征G(Ra大于1μm且不大于10μm)*:D3实施例1-1中明确记载,制备得到的集电器“十点平均高度Rz2为8.2μm,算术平均粗糙度**Ra为1.7μm**”。这已经落入了目标专利权利要求1中“Ra大于1μm且不大于10μm”的数值区间。因此,特征G已被D3(实施例1-1)**明细公开/实质公开**。
* **未公开特征**:特征I、J。D3/D4虽然提及了正极可为锰酸锂、钴酸锂等,负极活性材料重点保护的是高容量的单质Si、Si系、Sn系材料,**未公开由式4表示的锂钛氧化物(LTO)**。
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## 三、 特征比对表格(特征矩阵)
下表紧密结合目标专利与各对比文件原文的详细出处(段落及页码)进行逐项客观比对:
| 目标专利权利要求1的技术特征 | D1 (JP2009099512A) 公开情况及出处 | D3 (CN101507022A) / D4 (US2009280407A) 公开情况及出处 | 比对结论与法律实质分析 |
| 特征A:制造二次电池用电极的方法,涂布活性材料于集电器。 | 完全公开。<br>原文第[2]页第2段:“非水电解质二次电池...电极の活物质として...” | 完全公开。<br>D3说明书第3页倒数第4段:“本发明涉及具有上述的电极用集电体、和担载于该集电体上的活性物质层的电极。” | 属于本领域惯常技术方案,已被全盘公开。 |
| 特征B:对集电器表面处理具有在整个表面上的形态。 | 完全公开。<br>原文第[2]页第10段:“集电体の表面に突起を形成することが有効である。” | 完全公开。<br>D3说明书第3页倒数第7段:“电极用集电体,其具有有平坦面的基材部、从平坦面突出的多个第1突起...” | 已被全盘公开。 |
| 特征C:从而增强活性材料与集电器之间的粘附力。 | 完全公开。<br>原文第[2]页第10段:“活物质と集电体との接触面积を大きくする...剥离を抑制...” | 完全公开。<br>D3说明书第5页倒数第1段:“通过使用本发明的集电体...在吸藏Li时,可抑制由活性物质的膨胀应力所导致的活性物质从集电体的剥离。” | 技术目的与技术效果完全一致,被完全公开。 |
| 特征D:以使用在表面处具有浮雕图案的辊对集电器进行辊压的方式实施表面处理。 | 完全公开。<br>原文第[2]页第11段:“金属シ—トをプレスすることにより得ることができる。” | 完全公开。<br>D3说明书第4页第10段:“准备片状基材的工序(i)...包括使片状的材料在分别以规则的图案配置了凹部的一对辊之间通过的工序(辊压法)。” | 辊压工艺及浮雕(凹部)辊的采用已被完全公开。 |
| 特征E:图案垂直横截面为多边形、圆形或椭圆形形状;不规则处间隔为0.001μm~10μm。 | 部分公开。<br>截面形状完全公开(第[2]页第11段记载了多角形、圆形、椭圆形)。间距未详述此区间。 | 实质公开。<br>D3说明书第6页第10段:“第1突起(不规则处)横截面可为矩形、多角形、圆形、椭圆形”;第6页倒数第6段:“间距S优选为3~100μm”。<br>数值发生部分重叠(3μm-10μm)。 | 截面几何形状完全重合;微观间隔在3μm~10μm范围内属于重叠公开。 |
| 特征F:谷的深度为0.001μm~10μm。 | 未明确公开具体谷深区间。 | 实质公开。<br>D3说明书第3页倒数第9段及第6页倒数第8段明记:“第1突起的高度(即对应压出的谷深)优选为3~15μm”。<br>数值发生部分重叠(3μm-10μm)。 | 辊压突起的高度在物理几何学上必然对应集电器表面的谷深。数值范围在3μm-10μm内重叠。 |
| 特征G:表面粗糙度Ra大于1μm且不大于10μm。 | 部分重叠。<br>原文第[2]页第8段保护Ra:0.3~5μm。 | 完全公开。<br>D3说明书第7页倒数第1段(实施例1-1第2工程后)明确记载:“算术平均粗糙度Ra:1.7μm”。此数值完全落入1-10μm的区间。 | 被D3实施例1-1完全公开。 属于无需创造性劳动即公开的特征。 |
| 特征H:电极为正极和负极中的至少一种。 | 完全公开。<br>第[2]页第2段:“正极および负极のそれぞれにおいて...” | 完全公开。<br>D3说明书第3页倒数第4段:“本发明涉及包含上述的电极、其对电极和电解质的电池。”说明书后续指出可作负极或正极。 | 已被全盘公开。 |
| 特征I、J:负极包含由下式4表示的锂金属氧化物:$Li_aTi_bO_4$ ($0.5 \le a \le 3$, $1 \le b \le 2.5$)。 | 未公开。<br>D1专注于Si系和Sn系负极。 | 未公开。<br>D3/D4聚焦于Si单质、Si合金、SiO单质等负极活性材料。 | 核心区别特征。 对比文件全盘未提及钛酸锂负极材料。 |
| 特征K:集电器的厚度为3μm~500μm。 | 完全公开。<br>第[2]页第10段:“集电体の厚みは...1〜50μmが一般的”。 | 完全公开。<br>D3说明书第7页第4段:“集电体的厚度没有特别的限定,例如一般为1~50μm...优选为10-50μm”。范围在3-500μm内。 | 属于工艺常规尺寸,已被对比文件公开。 |
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## 四、 最接近对比文件的选择与创造性评述
### 1. 最接近对比文件的确定
在本案中,**D3(或同族D2、D4)最适合作为无效程序或创造性分析中的“最接近的对比文件”(主引用文件/D1)**。
* **技术领域相同**:均属于锂二次电池电极制造及集电器表面形态处理技术领域。
* **解决的技术问题相同**:均是为了解决在充放电循环过程中,活性材料因体积变化/应力问题从集电器表面剥离、脱落,进而导致电池循环寿命和容量急剧衰减的技术问题(对比目标专利`[0007]-[0010]`段与D3说明书“背景技术”部分)。
* **公开的技术特征最多**:由上述特征矩阵可见,D3不仅公开了集电器的精细表面结构、特定的辊压制造工艺(特征A、B、C、D、H、K),甚至在**特征E、F的微观量化尺寸上与目标专利发生实质重叠**,并且在其具体实施例1-1中**直接公开了 Ra = 1.7μm 这一完全落入特征G范围的核心参数**。
### 2. 创造性评述(三步法)
* **第一步**:确定最接近的对比文件为D3。
* **第二步**:确定发明的区别特征。目标专利权利要求1与D3相比,核心区别特征仅在于:**特征I和特征J**,即:*目标专利指定由式4表示的锂钛氧化物(钛酸锂,LTO)作为其负极活性材料,而D3使用的是单质Si或SiOx。*
* **第三步**:判断是否显而易见。
* **请求方(无效方)视角**:钛酸锂($Li_4Ti_5O_{12}$ 等,满足式4)是电池领域极其公知的**“零应变”负极材料**。在已知D3的辊压集电器表面处理方法能有效提供微观咬合力、解决Si系材料(膨胀率超300%)剥离问题的背景下,本领域技术人员为了制备高倍率、长寿命电池,极易想到将该集电器应用到另一种常规的负极材料——钛酸锂上。这属于**公知常识的简单叠加或材料的常规选择**,未带来意料不到的技术效果,不具创造性。
* **专利权人(防御方)反驳立足点**:钛酸锂(LTO)本身是零应变材料,本领域技术人员通常认为其本身在循环中不易剥离,无需进行复杂的集电器粗压处理。而目标专利说明书第`[0048]`段指出了特殊原因:“*当将锂钛氧化物(LTO)用作负极活性材料时,LTO具有低的电导率,由此可以具有上述电极结构*”。目标专利表面处理后带来的Ra参数与LTO的极低导电性相结合,极大地降低了电极接触电阻。这一技术效果是D3(针对高膨胀材料)未启示的。
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## 五、 无效请求方最薄弱的技术特征
若您代表**无效请求方(提出无效宣告的一方)**,在闭合此案时,整个权利要求1里对您而言**最薄弱、反击最困难的技术特征是:特征I和特征J(式4:$Li_aTi_bO_4$ 负极活性材料)**。
* **薄弱原因**:现有四份对比文件(D1-D4)构成的证据链极为单一(由于D2-D4为同族,实际仅等于D1和D3两个独立证据源)。这两个证据源全部牢牢地锁死在**“硅(Si)系和锡(Sn)系负极材料”**上。Si/Sn负极以“极高膨胀率、极不稳定”著称,这与“结构稳定、零应变、低导电率”的钛酸锂(LTO)在材料物理性质上呈现两极分化。
* **法律风险**:专利权人极易在口头审理中通过强调“发明孤立地将D3中针对高膨胀Si负极的集电器设计,应用到无膨胀但低导电的LTO上,解决了LTO接触阻抗大的技术难题,存在反向技术启示”来对抗您的显而易见性指控。
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## 六、 针对最薄弱特征的进一步检索策略
为了彻底攻克上述薄弱点(特征I、J),必须打破目前仅依赖D1-D4这组同族文献的僵局,建议采取以下精准检索策略:
1. **“集电器粗糙化 + 钛酸锂(LTO)”的交叉强相关检索**:
* **核心检索式逻辑**:`(辊压 OR 粗糙化 OR 浮雕 OR 突起 OR 凹凸 OR 集电体表面处理) AND (钛酸锂 OR LiaTibO4 OR LTO OR 锂钛氧化物) AND (粘附 OR 剥离 OR 电导率 OR 接触电阻)`。
* **检索目的**:寻找在2013年4月16日(分案原申请日)之前,是否有文献启示了为了解决钛酸锂导电率低、极片易脱粉或需要增大接触面积的问题,而对铝箔/集电器进行辊压或压延不规则形态的方案。
2. **锁定相同发明人或竞争对手的早期专利布局**:
* 该四份对比文件呈现高度的家族化(具有日本大厂背景)。可针对D2/D3的**原始申请人、发明人团队**进行追踪检索,检索其在2006-2013年间是否撰写过将该粗面化集电器应用在LTO负极上的关联申请。
3. **钛酸锂(LTO)极片常规加工工艺教科书/公知常识证据搜集**:
* 检索2013年以前锂电池制造行业的通用技术手册。如果能证明“由于钛酸锂粘附力弱或导电差,在集电器上制造微观拓扑结构/粗面化箔是本领域的常规工艺手段”,则可直接以**区别特征属于公知常识**为由,配合D3文件将权利要求1彻底宣告无效。
作为一名经验丰富的专利代理师,我将为您针对目标专利的权利要求1,结合说明书及4份对比文件(D1~D4)进行深入的涉案技术特征比对、创造性架构分析、无效宣告策略评估以及后续的检索策略制定。
以下是详细的法律与技术分析报告:
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## 一、 权利要求1的技术特征拆解与说明书支持分析
首先,我们将权利要求1拆解为11个独立的技术特征(特征A至K),并结合目标专利说明书的实施例和附图进行合理解释。
* **特征A:所述电极包含涂布在集电器上的电极活性材料**
* *说明书解释*:对应说明书`[0002]`和`[0005]`,属于锂二次电池电极的通用结构。
* **特征B~C:对所述集电器进行表面处理以具有在集电器的整个表面上的形态;从而增强所述电极活性材料与所述集电器之间的粘附力**
* *说明书解释*:对应说明书`[0002]`和`[0015]`,强调通过在“整个表面”上形成预定形态(细小不规则处)来增大接触面积,解决背景技术中由于体积变化导致活性材料脱落的技术问题。
* **特征D:其中以使用在表面处具有浮雕图案的辊对所述集电器进行辊压的方式实施所述表面处理**
* *说明书解释*:对应说明书`[0021]`及实施例1。表面处理采用机械辊压法(物理微挤压),辊表面具有浮雕图案,从而在集电器上压印出对应的特殊不规则形态。
* **特征E:其中所述图案的垂直横截面为多边形、圆形或椭圆形形状;并且形成在所述集电器的表面处的不规则处之间的间隔为0.001μm~10μm**
* *说明书解释*:对应说明书`[0022]`、`[0023]`以及附图1A~1C(线性、四边形、三角形凸出)。间隔对应微观形貌的水平周期。
* **特征F:所述不规则处之间的谷的深度为0.001μm~10μm**
* *说明书解释*:对应说明书`[0020]`及`[0025]`,即压印出的图案微观形貌的垂直深度。
* **特征G:其中表面粗糙度Ra大于1μm且不大于10μm**
* *说明书解释*:对应说明书`[0015]`,但需注意,说明书正文通篇撰写的Ra范围是**$0.001\mu\text{m} \sim 10\mu\text{m}$**(见`[0002]`、`[0015]`),仅在权利要求1中限定为“大于$1\mu\text{m}$且不大于$10\mu\text{m}$”。实施例1中明确给出的Ra为$0.5\mu\text{m}$(属于说明书正文范围,但不落入权利要求1限定的$>1\mu\text{m}$的范围)。
* **特征H:其中所述电极为正极和负极中的至少一种**
* *说明书解释*:对应说明书`[0026]`。
* **特征I~J:其中所述负极包含由下式4表示的锂金属氧化物作为负极活性材料:$Li_aTi_bO_4$ (4);其中$0.5 \le a \le 3$,$1 \le b \le 2.5$**
* *说明书解释*:对应说明书`[0036]`~`[0038]`,具体指锂钛氧化物(LTO),如$Li_{1.33}Ti_{1.67}O_4$(即Spinel钛酸锂)或$LiTi_2O_4$。
* **特征K:其中所述集电器的厚度为3μm~500μm**
* *说明书解释*:对应说明书`[0040]`、`[0046]`,属于标准电极集电器(箔材)的厚度范围。
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## 二、 权利要求1与对比文件(D1~D4)特征比对表格
为清晰展现各对比文件对权利要求1技术特征的公开情况,特制备如下特征比对表。
### 对比文件公开号指代说明:
* **D1**:`JPWO2008078755A1`(集电体及其制造方法)
* **D2**:`EP2219249A1`(充电锂电池用电极)
* **D3**:`JP2010262843A`(锂离子二次电池负极、其集电体及电池)
* **D4**:`US20110027646A1`(高功率二次电池负极材料)
### 特征比对表
| 权利要求1的技术特征拆解 | D1 (JPWO2008078755A1) | D2 (EP2219249A1) | D3 (JP2010262843A) | D4 (US20110027646A1) |
| 特征A (电极包含涂布在集电器上的活性材料) | 完全公开<br>见[0020] | 完全公开<br>见[0009] | 完全公开<br>见[0012] | 完全公开<br>见[0004] |
| 特征B (对集电器表面处理使其具有整个表面的形态) | 完全公开<br>见[0015]、[0026] | 完全公开<br>具有Ra $\ge 0.2\mu\text{m}$ 的粗糙表面 | 完全公开<br>见[0012]、突起5及粗面化 | 未明确公开<br>仅提及集电器常规形状 |
| 特征C (从而增强活性材料与集电器的粘附力) | 完全公开<br>见[0036](抑制剥离) | 完全公开<br>见[0018](改善附着力) | 完全公开<br>见[0016](提高密着力) | 部分提及<br>属于结合剂的常规效果 |
| 特征D (使用表面具浮雕图案的辊对集电器辊压实施表面处理) | 完全公开<br>见[0026]、[0031](用具有凹部的辊/一对压辊プレス) | 未公开<br>(其采用电降解电镀法或喷砂,未提及辊压) | 实质公开<br>见[0022](第6发明:金属箔集電体をプレス加工する) | 未公开 |
| 特征E (图案垂直截面为多边/圆/椭圆形;且不规则处间隔0.001μm~10μm) | 完全公开<br>见[0019]、[0041](横截面矩形/多边形;突起间距/螺距S为$3 \sim 100\mu\text{m}$) | 未公开<br>未限定具体的规律图案截面及此微观微米级间距 | 完全公开<br>见[0013]、[0043](正四角柱突起,幅/间隔为$10 \sim 100\mu\text{m}$) | 未公开 |
| 特征F (不规则处谷的深度/高度为0.001μm~10μm) | 完全公开<br>见[0016]、[0046](第1突起高度H为$3 \sim 15\mu\text{m}$) | 未公开<br>未具体限定突起的高度/谷深 | 未公开<br>其突起高度限定为$10 \sim 100\mu\text{m}$,不包含$<10\mu\text{m}$部分 | 未公开 |
| 特征G (表面粗糙度Ra大于1μm且不大于10μm) | 实质公开<br>见[0016]、[0050](其突起顶表面粗糙度Rz2为$0.9 \sim 9\mu\text{m}$,实质等同包含该Ra) | 实质公开<br>见[0019](Ra上限未特定,但实质落在$10\mu\text{m}$以下) | 实质公开<br>见[0043](粗面化处理后Ra为$0.01 \sim 8\mu\text{m}$,重叠) | 未公开 |
| 特征H (电极为正极和负极中的至少一种) | 完全公开<br>见[0020] | 完全公开<br>见[0009] | 完全公开<br>见[0012] | 完全公开<br>见[0037] |
| 特征I (负极活性材料为式4表示的锂金属氧化物:$Li_aTi_bO_4$) | 未公开<br>主攻Si系、Sn系高容量材料 | 未公开<br>主攻Si系、Si合金材料 | 未公开<br>主攻Si、Sn等不含树脂结合剂的薄膜 | 完全公开<br>见[0001]、[0014]、[0019]明示LTO材料 |
| 特征J (式4中:$0.5 \le a \le 3$,$1 \le b \le 2.5$) | 未公开 | 未公开 | 未公开 | 完全公开<br>见[0019]通式(1) $Li_xTi_yO_4$ ($0.5\le x\le 3, 1\le y\le 2.5$) |
| 特征K (集电器厚度为$3\mu\text{m} \sim 500\mu\text{m}$) | 完全公开<br>见[0063](集电体厚度一般为$1 \sim 50\mu\text{m}$或$10 \sim 50\mu\text{m}$) | 完全公开<br>见[0030](金属箔厚度为$10 \sim 100\mu\text{m}$) | 完全公开<br>见[0042](金属箔厚度为$4 \sim 100\mu\text{m}$) | 完全公开<br>见[0045](集电器厚度为$3 \sim 500\mu\text{m}$) |
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## 三、 对比文件公开技术特征的详细出处与毫无异议/实质公开分析
### 1. D1 (JPWO2008078755A1)
* **详细出处与毫无异议公开**:
* **特征A、B、C、H**:说明书`[0015]`、`[0020]`毫无异议地公开了在具有平坦面和规则排列的第一突起的集电体上担持活物质层构成电极(正极和负极均可),目的是扩大接合面积,抑制Li吸藏时活物质因膨胀应力从集电体剥离。
* **特征D**:说明书`[0026]`毫无异议地公开了“シート状の材料の表面に、規則的なパターンの開口を有するレジストからなるマスクを形成し……または、それぞれ規則的なパターンで凹部が配置された一対のローラの間にシート状の材料を通過させる工程を含む(使长条状片材通过表面具有规则图案凹部的一对压辊间)”,完全公开了**辊压法**实施表面处理。
* **特征E、F、K**:说明书`[0016]`、`[0046]`、`[0048]`、`[0063]`毫无异议地公开了第一突起的高度H为$3 \sim 15\mu\text{m}$(完全覆盖谷深$0.001 \sim 10\mu\text{m}$),横截面可为矩形、多边形或圆形,突起中心间距(ピッチ)S为$3 \sim 100\mu\text{m}$,其中包含了$0.001 \sim 10\mu\text{m}$的重叠范围。集电体厚度为$10 \sim 50\mu\text{m}$(落在$3 \sim 500\mu\text{m}$范围内)。
* **实质公开(特征G - 表面粗糙度Ra)**:
* D1的`[0016]`、`[0049]`公开了突起顶部的表面粗糙度十点平均高度Rz2为$0.9 \sim 9\mu\text{m}$或$1.5 \sim 7\mu\text{m}$。根据三维形貌几何换算和电池箔材领域的常识,当Rz在$1.5 \sim 9\mu\text{m}$范围内时,其算术平均粗糙度Ra实质上必然有很大一部分重叠并落在“大于$1\mu\text{m}$且不大于$10\mu\text{m}$”的区间内,属于**实质公开**。
### 2. D3 (JP2010262843A)
* **详细出处与毫无异议公开**:
* **特征D**:说明书`[0022]`明确指出“第6の発明は、金属箔集電体をプレス加工する工程と……薄膜を形成する工程とを具備する(第六发明包括对金属箔集电器进行压制加工的步骤)”。通过模具或辊实施模压变形,毫无异议公开了物理压制处理。
* **特征E**:`[0013]`、`[0043]`公开了突起宽度为$10 \sim 100\mu\text{m}$,间距为$10 \sim 100\mu\text{m}$,正四角柱(多边形截面)。其公开的“$10\mu\text{m}$”端点与本案特征E的上限“$10\mu\text{m}$”精准重合。
* **实质公开(特征G - 表面粗糙度Ra)**:
* `[0043]`明确指出,突起形成后进行粗面化处理,“粗面化処理後の表面は、表面粗さRaが$0.01 \sim 8\mu\text{m}$程度であることが好ましい”。这一范围与本案的 $1\mu\text{m} < \text{Ra} \le 10\mu\text{m}$ 存在极大的重叠区间(即 $1\mu\text{m} < \text{Ra} \le 8\mu\text{m}$ ),属于**实质公开**。
### 3. D4 (US20110027646A1)
* **详细出处与毫无异议公开**:
* **特征I、J**:说明书`[0001]`、`[0014]`、`[0019]`毫无异议地公开了负极活性材料包含锂钛氧化物(LTO),且在`[0019]`中直接给出了负极活性材料通式:$$\text{Li}_x\text{Ti}_y\text{O}_4 \quad (0.5 \le x \le 3, \; 1 \le y \le 2.5)$$该化学式及系数范围与本案权利要求1的式4($0.5 \le a \le 3, 1 \le b \le 2.5$)完全相同,文字及数值完全对齐。
* **特征K**:说明书`[0045]`明确写明“The anode current collector is generally fabricated to have a thickness of 3 to $500\mu\text{m}$”,与本案特征K完全一致。
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## 四、 最接近对比文件的选择与创造性整体架构分析
在创造性分析中,确定“最接近的对比文件(主引用文件)”应优先选择**技术领域相同、解决的技术问题最近、且公开核心技术特征最多**的文件。
基于此原则,本案具有**两个独立演进的创造性评进路径**,即可以确定**D1**或**D4**均适合作为最接近的对比文件:
### 路径一:以 D1 作为最接近的对比文件(工艺/结构路径)
* **技术问题与效果一致性**:D1同样属于二次电池电极集电体领域。其面对的整体技术问题是“由于活性材料在充放电循环中体积膨胀收缩,导致其从集电体上剥离、脱落,使循环寿命劣化”。其采用的技术手段是通过物理加工(辊压/掩膜めっき)在集电体整个表面制备规则的微观形貌突起(截面为多边形、圆形,高度和间距均为微米级),技术效果同样是“大幅提高接合面积,增强活性材料与集电体的粘附力,抑制剥离,提升循环特性”。这与目标专利在说明书`[0007]`、`[0012]`、`[0017]`中要解决的问题和达到的效果完全重合。
* **未公开特征的解决途径**:D1唯一未公开的是特征I、J(负极活性材料采用LTO系列特定化学式及配比)。然而,将电池负极活性材料由D1的Si/Sn系材料替换为高安全性的常规LTO材料,属于本领域技术人员为了追求不同的电池电压或高倍率安全性,在D4(明示了$Li_xTi_yO_4$通式及配比)的引导下将其应用到D1的集电器上的常规技术结合,不具备创造性。
### 路径二:以 D4 作为最接近的对比文件(活性材料路径)
* **技术问题与效果一致性**:D4属于二次电池负极活性材料领域,直接公开了本案引以为傲的负极活性材料:式4的锂金属氧化物(LTO,包括比例参数限制)。D4同样在其说明书`[0005]`~`[0006]`和`[0015]`中指出,其技术效果是LTO具有极稳定的晶体结构,在循环中体积变化极小,可显著降低内阻、抑制SEI膜分解。
* **未公开特征的解决途径**:D4未公开特征D、E、F、G(即利用表面具有浮雕图案的辊对集电器进行辊压、以及控制微观形貌间隔、谷深和Ra值)。然而,为了解决LTO虽然变性小但在大电流下依然需要高附着力、或者为了在薄膜沉积时进一步增大比表面积的问题,本领域技术人员有动机引入D1或D3中已经非常成熟的“通过凹凸图案辊对金属集电器实施压印/辊压,以获得特定微米间距、深度和Ra值的微观形貌”的工艺。
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## 五、 无效宣告请求方最薄弱的技术特征分析
若您代表**无效请求方(意图推翻该专利)**,或者需要评估该案的稳定度,本权利要求1中对于请求方而言**最薄弱、最难攻克的法律/技术防御点(即专利所有人的主要抗辩壁垒)**在于:
### 1. 特征G的数值倒挂与说明书公开充分/支持问题(最容易突破的软肋)
* **致命矛盾**:权利要求1限定表面粗糙度Ra“**大于1μm**且不大于10μm”。但是,翻看目标专利说明书唯一的具体实施例1(见说明书`[0065]`),其中明确记载:“为了在Al集电器的表面上形成**0.5μm的表面粗糙度Ra**,使用……完成二次电池用负极的制造”。
* **薄弱点分析**:实施例1的 $\text{Ra} = 0.5\mu\text{m}$ 根本不满足权利要求1限定的 $\text{Ra} > 1\mu\text{m}$!这意味着权利要求1保护的范围($1 < \text{Ra} \le 10$),在说明书中**完全没有给出任何一个对应此区间的具体实施例和实验数据**(说明书正文仅泛泛提及 $0.001 \sim 10\mu\text{m}$)。
* **法律武器**:请求方应猛烈抨击其不符合**《专利法》第26条第4款(权利要求书应当以说明书为依据)**或**《专利法》第26条第3款(说明书公开不充分)**。专利权人若想抗辩 $1 < \text{Ra} \le 10$ 带来的特殊附着力效果,将因缺乏实施例数据支持而陷入无法举证的绝境。
### 2. 工艺特征(特征D:辊压)对产品/方法权利要求的限定作用
* 本案是一件**方法权利要求**(“一种制造二次电池用电极的方法……其特征在于以使用在表面处具有浮雕图案的辊对所述集电器进行辊压的方式实施所述表面处理”)。
* 尽管D1公开了辊压,D3公开了压制,但目标专利将“辊压(物理冷机械加工)”与后文的“特定微米间隔(特征E:$0.001 \sim 10\mu\text{m}$)”、“微米谷深(特征F:$0.001 \sim 10\mu\text{m}$)”以及“负极活性材料为LTO(特征I、J)”进行联合交织。请求方在做创造性组合时,如果主引D4(LTO材料),通常极难在普通的材料浆料涂布或气相沉积中,直接推导出来必须使用“**表面具浮雕图案的辊进行辊压**”这一特定机械加工动作,这常常被专利权人抗辩为具有“工艺带来了非显而易见的微观规则形貌,且该形貌恰好与LTO材料的颗粒度匹配,产生了协同附着效果”。
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## 六、 进一步的精准检索策略建议
为了在后续的诉讼或正式无效宣告中彻底封死该专利,建议请求方采取以下深挖和精准检索策略:
1. **锁定“LTO活性材料 + 粗糙/图案集电器”的交叉联合检索**
* 目前D1、D2、D3均是将这种微观结构集电器用于解决**Si系、Sn系材料**(因为Si/Sn体积膨胀高达$300\% \sim 400\%$,对集电体形貌依赖度极高)。而D4虽然公开了LTO,但集电器是常规的。
* **检索方向**:应重点检索在2013年4月16日(本案原始申请日)之前,是否有针对**钛酸锂(LTO)薄膜电池**或**高功率LTO电池**的专利,其中为了解决LTO导电率低(说明书`[0047]`亦承认LTO导电率低)的问题,而提出对集电体实施微成型(Micro-forming)、压印(Imprinting)或凹凸辊压,以改善三维接触面积的文献。
2. **利用关键参数与单位转化扩检索词**
* 本案限定了“不规则处间隔 $0.001 \sim 10\mu\text{m}$”、“谷深 $0.001 \sim 10\mu\text{m}$”。在机械加工和箔材成型领域,常使用的术语包括:**“微压印 (Micro-stamping)”、“网格化 (Mesh/Grid Pattern)”、“微压花 (Micro-embossing)”、“皮秒/飞秒激光刻蚀”、“压延花纹”**。
* 利用这些工艺词在世界知识产权组织(WIPO)、日本特许厅(JPO)的J-PlatPat中进行德文、英文和日文检索,重点挖掘集电器加工厂(如古河电工、日立电线、大橡机械等)在2013年前公开的花纹箔压延工艺专利。
3. **针对“Ra > 1μm”实施常识性证据(教科书/工具书)检索**
* 针对特征G($\text{Ra} > 1\mu\text{m}$),去检索电池用锂电铜箔、铝箔的国家标准或行业标准(如中国GB、日本JIS标准)。在标准中,经过常规毛化处理或两阶段电镀粗化处理的箔材,其Ra或Rz表面粗糙度超过 $1\mu\text{m}$ 属于广泛公开的技术常识。通过公知常识标准结合D1/D3的辊压工艺,可以直接全盘否定特征G的创造性。
作为一名经验丰富的专利代理师,我将为您针对目标专利权利要求1进行深入的全面法律与技术分析。
以下分析将紧密结合目标专利说明书的内在含义,并全面比对D1至D4四份对比文件的原文及详细出处,最终给出创造性最接近对比文件的选择、无效请求的薄弱特征以及针对性的进一步检索策略。
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## 一、 目标专利权利要求1的拆解与技术特征比对
为了进行精确的对比分析,首先将目标专利权利要求1拆解为11个独立的技术特征(A至K),并与各对比文件的公开内容进行逐项比对。
### 1. 对比文件公开号及简称指代
* **D1**:KR1020110077001A
* **D2**:WO2012014793A1
* **D3**:US20120045694A1
* **D4**:JPWO2011121950A1(即WO2011121950A1)
### 2. 技术特征比对表格
下表详细列出了权利要求1的各技术特征(A-K)在对比文件D1-D4中的全同公开(毫无疑问公开)或实质公开情况,并附带详细的原文出处(段落号)。
| 权利要求1的技术特征拆解 | D1 (KR1020110077001A) | D2 (WO2012014793A1) | D3 (US20120045694A1) | D4 (JPWO2011121950A1) |
| 特征A:一种制造二次电池用电极的方法,所述电极包含涂布在集电器上的电极活性材料; | 毫无疑问公开<br>见[0001]、[0032]:包含集电体和其上担持的活物质的电极。 | 毫无疑问公开<br>见[2]第三段:正负极由正负极集电体和活物质构成。 | 毫无疑问公开<br>见[0021]、[0033]:在集电体上形成第一正极活性物质层的方法。 | 毫无疑问公开<br>见[0007]、[0013]:电极具有金属制集电体及表面的活物质合剂层。 |
| 特征B:所述方法包括:对所述集电器进行表面处理以具有在集电器的整个表面上的形态; | 实质公开<br>见[0021]、[0041]:具有平坦面和第1突起,通过轧辊压制形成。 | 未公开<br>未提及对集电体进行表面形态处理。 | 未公开<br>直接在铝集电体上涂布,未提及集电体表面形态处理。 | 未公开<br>使用的是本身具有贯通孔的金属箔,非形态表面处理。 |
| 特征C:从而增强所述电极活性材料与所述集电器之间的粘附力; | 毫无疑问公开<br>见[0006]、[0054]:增大接触面积,抑制活物质剥离,使结合坚固。 | 未公开 | 未公开 | 毫无疑问公开<br>见[0005]、[0013]:解决合剂层剥离,改善合剂层保持性。 |
| 特征D:其中以使用在表面处具有浮雕图案的辊对所述集电器进行辊压的方式实施所述表面处理; | 毫无疑问公开<br>见[0041]、[0049]:使材料通过一对具有规则排列凹部的辊子之间进行压制。 | 未公开 | 未公开 | 未公开 |
| 特征E:其中所述图案的垂直横截面为多边形、圆形或椭圆形形状;并且中形成在所述集电器的表面处的不规则处之间的间隔为0.001μm~10μm; | 实质公开<br>见[0065]、[0073]、[0287]:横截面为多边形(大体菱形)。第2虚拟直线间距$S_2$(即突起间隔)为19µm-24µm,与10µm非常接近。 | 未公开 | 未公开 | 未公开 |
| 特征F:所述不规则处之间的谷的深度为0.001μm~10μm; | 毫无疑问公开<br>见[0022]、[0071]、[0349]:第1突起高度为3-15µm,具体实施例公开了5.2µm、6µm、7.2µm等,完全落入0.001-10µm。 | 未公开 | 未公开 | 未公开 |
| 特征G:其中表面粗糙度Ra大于1μm且不大于10μm; | 毫无疑问公开<br>见[0308]、[0458]、[0522]、[0551]:明确公开了第2突起形成后的算术平均粗糙度Ra为1.7µm、1.8µm、2.2µm。 | 未公开 | 未公开 | 未公开 |
| 特征H:其中所述电极为正极和负极中的至少一种; | 毫无疑问公开<br>见[0002]、[0032]:适用于阳极(正极)和阴极(负极)。 | 毫无疑问公开<br>见[2]第三段:包含正极和负极。 | 毫无疑问公开<br>见[0021]:一种包含第一和第二活性物质层的正极。 | 毫无疑问公开<br>见[0007]:非水电解质二次电池用负极。 |
| 特征I:其中所述负极包含由下式4表示的锂金属氧化物作为负极活性材料:LiaTibO4 (4); | 未公开<br>D1主要公开的是Si系或Sn系高容量负极材料(见[0037])。 | 毫无疑问公开<br>见[2]第五段、[0030]:负极包含钛酸锂$Li_yTi_{5/3-c}M2_cO_4$。当c=0时即为该式。 | 未公开<br>D3主要公开的是正极活性材料修饰。 | 毫无疑问公开<br>见[0007]、[0013]、[0046]:负极活物质包含尖晶石结构的钛酸锂$Li_4Ti_5O_{12}$(完全符合式4)。 |
| 特征J:其中0.5≤a≤3,1≤b≤2.5; | 未公开 | 毫无疑问公开<br>见[0030]:公式II中$4/3 \le y \le 7/3$,当c=0时,转换为$Li_{1.33}Ti_{1.67}O_4$至$Li_{2.33}Ti_{1.67}O_4$,范围完全落入。 | 未公开 | 毫无疑问公开<br>见[0046]:明确公开$Li_4Ti_5O_{12}$,即等比缩放为$Li_{1.33}Ti_{1.67}O_4$,对应a=1.33, b=1.67,完全落入。 |
| 特征K:其中所述集电器的厚度为3μm~500μm。 | 毫无疑问公开<br>见[0089]:集电体厚度一般为1-50µm,优选15-40µm(具体实施例公开了18µm、20µm、35µm)。 | 毫无疑问公开<br>见[2]正极/负极制作段落:公开了正极集电体20µm,负极集电体10µm。 | 毫无疑问公开<br>见[0055]:公开了50µm的第一活性层涂布在铝集电体上。 | 毫无疑问公开<br>见[0040]:集电体厚度T优选为5-40µm,实施例公开了20µm。 |
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## 二、 最接近的对比文件(D1)之选定与分析
在创造性审查或无效宣告程序中,**对比文件D1(KR1020110077001A)最适合作为本专利创造性分析的最接近对比文件**。其原因在于:
### 1. 从技术领域和整体解决的技术问题角度分析
* **技术领域完全一致**:D1与目标专利均属于二次电池(尤其是锂二次电池)电极制造技术领域。
* **解决的技术问题高度契合**:
* **目标专利**在说明书背景技术[0007]-[0010]中明确指出:传统电池在充放电循环中,由于活性材料体积变化,容易导致“电极活性材料与集电器之间分离/剥离”,从而使容量和寿命特征劣化。其追求的目标是在“使用合适量的粘合剂”的前提下“增强电极活性材料与集电器之间的粘连力”。
* **D1**在[0003]、[0016]及[0020]中同样明确指出:活性材料在吸藏释放锂离子时会发生结构变化和膨胀,导致“从集电体上脱落/剥离”,电子传导性降低。D1的核心发明目的即为“抑制活性物质从集电体上的剥离以及电极的变形”。
* **技术手段具有极高的重合度**:D1与目标专利都抛弃了单纯增加化学粘结剂的方法,而是采用**机械辊压物理改性法**。D1明确公开了利用“表面布置有规则凹部的辊子对金属箔进行辊压”来制造具有第一突起(即目标专利中的形态/不规则处)和第二突起的集电体。
### 2. 结合说明书对技术效果的深入分析
* **目标专利的技术效果**:说明书【有益效果】[0062]及[0072]表明,通过使用具有浮雕图案的辊压表面处理,Al集电体获得了$0.5\mu m$的表面粗糙度Ra,使得负极的剥离强度从36 gf/cm(未处理的比较例1)显著提升至**52 gf/cm**(实施例1)。
* **D1的技术效果**:D1在说明书[0054]、[0257]及表11中指出,通过辊压和后续调控,使第一突起表面粗糙度$Rz_2$达到3.2以上(或Ra达到$0.79\mu m \sim 2.2\mu m$),50次循环后的容量劣化率从77%大幅降低至**1.8%~11.4%**,且“活性物质层从集电体上剥离几乎观察不到”。
* **结论**:D1公开了目标专利权利要求1中绝大多数与**集电体表面形态加工**相关的核心工艺特征和构思(特征A、B、C、D、F、G、H、K)。
### 3. 未被最接近对比文件公开的特征(附加特征)
D1中唯一未涉及的特征是**特征I和特征J**(负极活性材料为特定的尖晶石结构锂钛氧化物:$Li_aTi_bO_4$及特定比例)。
这一部分特征**已被对比文件D2和D4完全公开**:
* **D2**在[0030]中明确公开了式(II)$Li_yTi_{5/3-c}M2_cO_4$,且实施例中广泛应用了钛酸锂负极。
* **D4**在[0007]和[0046]中明确公开了负极活性物质采用具有尖晶石结构的复合氧化物$Li_4Ti_5O_{12}$(等比缩写即为$Li_{1.33}Ti_{1.67}O_4$,完全落入式4)。
由于D1已经构成了极强的集电体改性基础,将D1作为最接近的对比文件,再结合D4或D2关于LTO(钛酸锂)负极活性材料的常规选择,将具有非常顺畅的创造性评述逻辑(属于多份对比文件结合的显而易见性)。
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## 三、 对无效请求方而言最薄弱的技术特征分析
若您代表无效宣告请求方对该专利提起诉讼,本案中**最薄弱的技术特征(即最难攻克的特征)**是:
> **特征E中的参数限定:“形成在所述集电器的表面处的不规则处之间的间隔为0.001μm~10μm”**
### 薄弱原因分析:
1. **D1的明确数值偏高**:对比文件D1(甚至包括D2-D4)所明确给出的实施例中,其不规则处(第一突起)的间距通常是由网格虚拟线$S_1$和$S_2$决定的。D1公开的间距数值通常在 **$19\mu m \sim 24\mu m$**(见D1之[0287]、[0352])。
2. **不规则处加工精度的技术壁垒**:不规则处之间的间隔(周期)如果缩短到 **$0.001\mu m \sim 10\mu m$**(尤其是纳米级至微米级超细微加工),其对辊轮表面的微纳雕刻浮雕图案精度要求极高。
3. **技术效果的突变(说明书内在证据)**:目标专利说明书[0019]-[0020]中专门进行了技术效果的解释:“当表面粗糙度太小时……体积膨胀时可能难以分配应力。……特别地,形成在集电器表面处的不规则处之间的间隔可以为0.001μm~10μm”。这在专利法上极易被专利权人辩称为“带来了预料不到的技术效果”或“克服了由于间距过大导致LTO特殊高倍率应力分配不均的缺陷”。
4. **常规组合难以直接覆盖**:由于D1的数值在$19\mu m$以上,请求方如果仅靠D1+D4组合,在面对“$10\mu m$以下”这一技术参数时,极易被专利局以“对比文件存在反向教导”或“属于盲目调整”为由维持权利要求有效。
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## 四、 针对薄弱特征的进一步检索策略
为了彻底攻克上述特征E中关于“间隔0.001μm~10μm”以及特征G中“Ra大于1μm且不大于10μm”的参数组合壁垒,建议请求方调整思路,采取以下针对性的检索策略:
### 1. 改变检索关键词与分类号:聚焦“微纳压印”与“微结构集电体”
目前检索到的对比文件主要来自于电池活物质大厂(如松下、三星)。应将检索触角延伸至**精密箔材加工、金属材料表面改性、微纳制造工艺**等非标准电池大厂。
* **IPC/CPC分类号拓宽**:
* `B21D31/00` 或 `B21D13/00`(金属板带的压花、波形加工、辊压)
* `B41M1/10`(凹凸版加工)
* `H01M4/66` 结合压印特征。
* **核心检索式构筑(中英文/日韩文)**:
* (集电体 OR 铜箔 OR 铝箔) AND (辊压 OR 压花 OR 压印 OR 浮雕) AND (微结构 OR 阵列 OR 周期 OR 间隔 OR 间距) AND (微米 OR 纳米)
* (current collector OR copper foil OR aluminum foil) AND (roll pressing OR embossing OR imprinting) AND (pitch OR spacing OR interval OR period) AND (micron OR "um" OR nanometer)
### 2. 锁定特定领域的对比文件(D5)
* **策略目标**:寻找一份专门公开了“通过浮雕辊压方式,在电池集电体(铜箔或铝箔)表面制备出具有**周期/间距小于10微米**的微观不规则阵列结构”的工艺对比文件(D5)。
* **无效逻辑重组**:一旦检索到该D5,无效评述逻辑将升级为:**以D1或D4作为最接近的对比文件,结合D5关于集电体表面超细微辊压间距(小于10µm)的技术教导,以解决如何进一步提高活性物质在超高倍率充放电下应力分配均匀性的技术问题**。此时,权利要求1将由于D1/D4 + D5 + 公知常识的结合而彻底丧失创造性。
根据权利要求1所述的方法,其中所述正极包含由下式1表示的锂金属氧化物作为正极活性材料:LixMyMn2-yO4-zAz (1);其中0.9≤x≤1.2,0 M为选自如下元素中的至少一种元素:Al、Mg、Ni、Co、Fe、Cr、V、Ti、Cu、B、Ca、Zn、Zr、Nb、Mo、Sr、Sb、W、Ti和Bi;且A为至少一种一价阴离子或二价阴离子。
根据权利要求2所述的方法,其中式1的氧化物由下式2表示:LixNiyMn2-yO4 (2);其中0.9≤x≤1.2,0.4≤y≤0.5。
根据权利要求3所述的方法,其中所述氧化物为LiNi0.5Mn1.5O4或LiNi0.4Mn1.6O4。
根据权利要求1所述的方法,其中所述锂金属氧化物为Li1.33Ti1.67O4或LiTi2O4。