非显而易见性评估仅供参考,不构成法律建议。
| 编号 | 名称 |
|---|
一种发光器件包括,衬底;在所述衬底上设置为彼此间隔开的多个发光单元;以及构造为电连接所述发光单元中的相邻发光单元的连接线;其中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的第一相邻发光单元的在第一方向上的长度之和大于所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的第二相邻发光单元的在第一方向上的长度之和;其中所述第一相邻发光单元和所述第二相邻发光单元的在第二方向上的宽度是相同的;所述第二方向不同于所述第一方向;以及其中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的所述第一相邻发光单元的面积大于所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的所述第二相邻发光单元的面积;其中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的第一相邻发光单元之间的第一间隔距离比所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的第二相邻发光单元之间的第二间隔距离小
根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的2-1间隔距离
根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第二方向上使彼此间隔开的2-2间隔距离
根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的2-1间隔距离;并且所述第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第二方向上使彼此间隔开的2-2间隔距离
根据权利要求4所述的发光器件,其中所述2-1间隔距离和所述2-2间隔距离是相同的
根据权利要求4所述的发光器件,其中所述2-1间隔距离和所述2-2间隔距离是彼此不同的
根据权利要求3所述的发光器件,其中所述第二相邻发光单元在所述第一方向上彼此间隔开2-1间隔距离;所述第一间隔距离与所述2-1间隔距离相同
根据权利要求2所述的发光器件,其中所述第二相邻发光单元在所述第二方向上彼此间隔开2-2间隔距离;所述第一间隔距离与所述2-2间隔距离相同
根据权利要求2所述的发光器件,其中所述第一间隔距离是所述第二相邻发光单元彼此间隔开的第二间隔距离的0.2倍或更大;并且比所述第二间隔距离小
根据权利要求4至8中任一项所述的发光器件,其中所述第一方向是垂直方向;并且所述第二方向是水平方向
根据权利要求1至9中任一项所述的发光器件,其中所述第一相邻发光单元的数目比所述第二相邻发光单元的数目大
根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件,其中所述发光单元中的每个发光单元包括;包括依次设置在所述衬底上的第一导电型半导体层有源层和第二导电型半导体层的发光结构;设置在所述第一导电型半导体层上的第一电极;以及设置在所述第二导电型半导体层上的第二电极
根据权利要求12所述的发光器件,其中所述发光结构的侧表面相对于所述衬底是倾斜的
根据权利要求12所述的发光器件,其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离对应于所述第一相邻发光单元的所述第一导电型半导体层之间的间隔距离;并且所述第二相邻发光单元彼此间隔开的第二间隔距离对应于所述第二相邻发光单元的所述第一导电型半导体层之间的间隔距离
根据权利要求9所述的发光器件,其中所述多个发光单元中的每个发光单元包括;包括依次设置在所述衬底上的第一导电型半导体层有源层和第二导电型半导体层的发光结构;其中所述第一间隔距离对应于所述第一相邻发光单元的所述第二导电型半导体层之间的间隔距离;并且所述第二相邻发光单元彼此间隔开的第二间隔距离对应于所述第二相邻发光单元的所述第二导电型半导体层之间的间隔距离
根据权利要求12所述的发光器件,其中所述发光单元中的每个发光单元还包括设置在所述第二导电型半导体层与所述第二电极之间的导电层;所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离对应于所述第一相邻发光单元的所述导电层之间的间隔距离;并且所述第二相邻发光单元彼此间隔开的所述第二间隔距离对应于所述第二相邻发光单元的所述导电层之间的间隔距离
根据权利要求14所述的发光器件,其中所述第一间隔距离在4μm与20μm之间;并且所述第二间隔距离大于20μm
根据权利要求15所述的发光器件,其中所述第一间隔距离在10μm与25μm之间;并且所述第二间隔距离大于25μm
根据权利要求1所述的发光器件,还包括绝缘层;所述绝缘层设置在所述连接线与所述第二相邻发光单元之间;并且被构造为将所述连接线电隔离于所述第二相邻发光单元
根据权利要求12所述的发光器件,其中所述发光单元中的一些发光单元的所述第一电极或所述第二电极中的至少之一与所述连接线一体化
根据权利要求12所述的发光器件,其中所述第一导电型半导体层的第一侧表面相对于所述衬底以第一角度倾斜;第一导电型半导体层的与其露出的上部相邻的第二侧表面以第二角度倾斜;所述第一角度和所述第二角度在30度至80度之间