对比文件的名称：2001-09-21_JP2001257380A_发明专利_JP2001257380A Light-emitting diode array and manufacturing method therefor
目标专利的名称：1661发光器件CN104752451B
本次调用的模型名称：资深专利代理师评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：衬底**<br>《直接公开》 | [0037]：“１１は半絶縁性ＧａＡｓ基板”<br>（１１是半绝缘GaAs基板） | 对比文件公开了半绝缘GaAs基板11，作为发光结构的支撑衬底，与目标专利的衬底作用完全相同，本领域技术人员能毫无疑义地确定该特征已被公开。 |
| **技术特征B：在所述衬底上设置为彼此间隔开的多个发光单元**<br>《直接公开》 | [0042]：“各発光ダイオードのカソード部分を分離するために、ウエットエッチングによって第一メサ・エッチング溝（分離溝）２５を形成する。”<br>[0037]：“２１は発光部”<br>（为了分离各发光二极管的阴极部分，通过湿法蚀刻形成第一台面蚀刻沟（分离沟）25；21是发光部） | 对比文件在基板上形成多个发光部21，并通过第一台面蚀刻沟25使其彼此间隔开，实现了多个发光单元在衬底上的间隔设置，与目标专利的技术方案实质相同。 |
| **技术特征C：构造为电连接所述发光单元中的相邻发光单元的连接线**<br>《直接公开》 | [0045]：“各ブロックＢ１〜Ｂｍのカソード電極同士を接続するため、Ａｕを蒸着した後にパターンエッチングすることにより共通カソード電極２４を形成する。”<br>（为了连接各块B1~Bm的阴极电极之间，在蒸镀Au之后通过图案蚀刻形成共阴极电极24） | 对比文件的共阴极电极24用于连接同一块内各发光单元的阴极，其中包括相邻发光单元的阴极，该电极跨过发光单元之间的沟道，起到电连接相邻发光单元的作用，与目标专利的连接线功能一致，本领域技术人员可直接识别。 |
| **技术特征D：其中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的第一相邻发光单元的在第一方向上的长度之和大于所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的第二相邻发光单元的在第一方向上的长度之和**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件没有公开发光单元之间的长度差异，也未涉及因间隔不同而导致长度之和不同的技术教导。其发光部的尺寸在图中看起来相同，故无法得出该长度之和的比较关系。 |
| **技术特征E：其中所述第一相邻发光单元和所述第二相邻发光单元的在第二方向上的宽度是相同的**<br>《隐含公开》 | 说明书附图3显示多个发光部21沿列方向排列，在垂直于列的方向（宽度方向）上具有一致的尺寸。 | 对比文件的图3示出了各发光部在宽度方向上的均匀性，这是发光二极管阵列的常规设计，本领域技术人员从附图及常规实践可合理推断出宽度相同，因此属于隐含公开。 |
| **技术特征F：所述第二方向不同于所述第一方向；并且中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的所述第一相邻发光单元的面积大于所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的所述第二相邻发光单元的面积**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件未定义第一和第二方向，也没有公开不同间隔导致面积差异的方案。由于未公开间隔大小的比较及长度变化，无法得出面积更大的结论。 |
| **技术特征G：其中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的第一相邻发光单元之间的第一间隔距离比所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的第二相邻发光单元之间的第二间隔距离小**<br>《未公开》 | [0042]与[0043]分别描述了第一台面蚀刻沟25和第二台面蚀刻沟26的形成，但未明确两者的宽度关系。 | 对比文件虽然具有两种台面蚀刻沟，但未给出沟宽度的具体大小或比较。若按常规理解，第二沟（用于隔离不同块）可能更宽，反而会得出与目标专利相反的间隔关系。因此本特征未被公开或暗示。 |
| **技术特征H：其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的2-1间隔距离**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件没有定义第一方向、2-1间隔距离等概念，也未进行任何间隔距离的方向性比较。 |
| **技术特征I：其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第二方向上使彼此间隔开的2-2间隔距离**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件没有定义第二方向和2-2间隔距离，也没有公开该比较关系。 |
| **技术特征J：其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的2-1间隔距离**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 与特征H实质相同，对比文件同样未公开。 |
| **技术特征K：所述第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第二方向上使彼此间隔开的2-2间隔距离**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 与特征I实质相同，对比文件同样未公开。 |
| **技术特征L：其中所述2-1间隔距离和所述2-2间隔距离是相同的**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件没有区分2-1和2-2间隔距离，故未公开该相同性。 |
| **技术特征M：其中所述2-1间隔距离和所述2-2间隔距离是彼此不同的**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件未涉及此差异，未公开。 |
| **技术特征N：其中所述第二相邻发光单元在所述第一方向上彼此间隔开2-1间隔距离**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件未定义第一方向，也未定义2-1间隔距离。 |
| **技术特征O：所述第一间隔距离与所述2-1间隔距离相同**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件未公开此相同关系。 |
| **技术特征P：其中所述第二相邻发光单元在所述第二方向上彼此间隔开2-2间隔距离**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件未定义第二方向和2-2间隔距离。 |
| **技术特征Q：所述第一间隔距离与所述2-2间隔距离相同**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件未公开此相同关系。 |
| **技术特征R：其中所述第一间隔距离是所述第二相邻发光单元彼此间隔开的第二间隔距离的0.2倍或更大**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件未公开任何倍率关系。 |
| **技术特征S：比所述第二间隔距离小**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 与特征G重复，对比文件未公开。 |
| **技术特征T：其中所述第一方向是垂直方向**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件未指明方向属性。 |
| **技术特征U：所述第二方向是水平方向**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件未指明方向属性。 |
| **技术特征V：其中所述第一相邻发光单元的数目比所述第二相邻发光单元的数目大**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件未涉及数目比较。 |
| **技术特征W：其中所述发光单元中的每个发光单元包括**<br>《直接公开》 | [0040]及[0047]描述每个发光部的层结构（p型GaAs层13、p型GaAlAs层14、n型GaAlAs层15、n型GaAs层16）及电极形成。 | 对比文件每个发光部（发光单元）均包含多层半导体结构及电极，与目标专利的发光单元组成公开。 |
| **技术特征X：包括依次设置在所述衬底上的第一导电型半导体层有源层和第二导电型半导体层的发光结构**<br>《直接公开》 | [0040]：“ｐ型ＧａＡｓ層１３、ｐ型ＧａＡｌＡｓ層１４、ｎ型ＧａＡｌＡｓ層１５及びｎ型ＧａＡｓ層１６を順次成長させる。”<br>（依次生长p型GaAs层13、p型GaAlAs层14、n型GaAlAs层15及n型GaAs层16） | 对比文件公开了在衬底上依次生长的p型层（第一导电型）和n型层（第二导电型），且p型GaAlAs与n型GaAlAs之间形成pn结，有源层位于结区，整体构成发光结构，与目标专利的发光结构一致。 |
| **技术特征Y：设置在所述第一导电型半导体层上的第一电极**<br>《直接公开》 | [0047]：“アノード電極２３はｐ型ＧａＡｓ層１３の上にＡｕＺｎ／Ｎｉ／Ａｕを蒸着し、アロイ化することにより形成する。”<br>（阳极电极23通过在p型GaAs层13上蒸镀AuZn/Ni/Au并合金化形成） | 对比文件的阳极电极直接设置在第一导电型（p型）半导体层上，与目标专利的第一电极作用相同，本领域技术人员可直接确定。 |
| **技术特征Z：设置在所述第二导电型半导体层上的第二电极**<br>《直接公开》 | [0047]：“カソード電極２２はｎ型ＧａＡｓ層１６の上にＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕを蒸着し、アロイ化することにより形成する。”<br>（阴极电极22通过在n型GaAs层16上蒸镀AuGe/Ni/Au并合金化形成） | 对比文件的阴极电极设置在第二导电型（n型）半导体层上，与目标专利的第二电极作用相同，本领域技术人员可直接确定。 |
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