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对比文件列表
| 编号 | 名称 |
|---|---|
| 0 | 2011-10-06_JP2011198258A_发明专利_JP2011198258A Information input device, information input_output device and electronic device.docx |
| 0 | 2014-02-03_None_发明专利_JPWO2012039049A1 無停電電源装置及び電子計算機システム.docx |
| 0 | 2014-01-22_JP5392656B_发明专利_JP5392656B2 Information input device, the information input and output device, and electronic equipment.docx |
| 0 | 2013-12-16_TW201351062A_发明专利_TW201351062A 透過捲到捲光刻法製造用於透明電極與偏光片之微米級與納米級導體柵之方法_+++A_B_E_G_H_I_Q_T_U_V_W_n_o_p_r+++.docx |
| 0 | 2013-12-16_KR101341838B_发明授权_KR101341838B1 내진성을 갖는 배관 이음장치.docx |
| 0 | 2013-11-13_JP5343991B_发明专利_JP5343991B2 Packaging material for polymer battery.docx |
| 0 | 2013-10-24_WO2013158543A_发明申请_WO2013158543A1 METHODS FOR MAKING MICRO- AND NANO-SCALE CONDUCTIVE GRIDS FOR TRANSPARENT ELECTRODES AND POLARIZERS BY ROLL TO ROLL OPTICAL LITHOGRAPHY_+++A_B_G_H_Q_U_W_n_o_p_v+++.docx |
| 0 | 2013-10-10_JP2013208200A_发明专利_JP2013208200A Game parlor system.docx |
| 0 | 2013-05-23_WO2013073539A_发明申请_WO2013073539A1 高耐圧半導体装置.docx |
| 0 | 2013-05-02_KR1020130044058A_发明公开_KR1020130044058A 나노 메쉬 투명 전극과 이의 제조방법, 나노 메쉬 투명 전극을 포함하는 터치 스크린 및 디스플레이 장치_+++A+++.docx |
| 0 | 2012-04-19_JP2012079435A_发明专利_JP2012079435A Formation method of film pattern and manufacturing method of light-emitting device_+++A_C+++.docx |
| 0 | 2012-03-29_WO2012039049A_发明申请_WO2012039049A1 無停電電源装置及び電子計算機システム.docx |
| 0 | 1999-08-31_None_发明专利_JPH11237744A Device and method for exposure_+++A_C_e_l_m+++.docx |
| 0 | 2011-09-29_US2011236833A_发明申请_US20110236833A1 Double Patterning Method_+++A_C_E_I+++.docx |
| 0 | 2011-09-01_WO2011105324A_发明申请_WO2011105324A1 光周波数コム発生装置及びそれを用いた光パルス発生装置、並びに光周波数コム発生方法及びそれを用いた光パルス発生方法.docx |
| 0 | 2011-07-14_JP2011138789A_发明专利_JP2011138789A Packaging material for polymer battery.docx |
| 0 | 2011-06-08_JP4697622B_发明专利_JP4697622B2 Piezoelectric element.docx |
| 0 | 2011-03-17_JP2011053669A_发明专利_JP2011053669A Pattern forming process, chemically amplified positive resist material, and resist-modifying composition_+++A_C_E+++.docx |
| 0 | 2010-06-24_US2010156840A_发明申请_US20100156840A1 TOUCH SCREEN SENSOR HAVING VARYING SHEET RESISTANCE_+++G_H_Q_a_b_p+++.docx |
| 0 | 2010-03-25_JP2010066492A_发明专利_JP2010066492A Positive radiation-sensitive resin composition and resist pattern forming method using the same_+++A+++.docx |
| 0 | 2002-09-27_JP2002280873A_发明专利_JP2002280873A Piezoelectric element.docx |
| 0 | 2001-01-01_TW417181B_发明专利_TW417181B 曝光裝置及方法_+++A_C_b_d_e_l_m+++.docx |
| 0 | 2000-12-26_JP2000357736A_发明专利_JP2000357736A Semiconductor device and manufacture thereof_+++A_C_E_b_d+++.docx |
权利要求1
一种用于制造透明光掩模的方法，包括： 1)在基板上形成第一光敏材料层； 2)通过使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一光敏材料层的上表面接触形成第一光敏材料图案层； 3)在具有所述第一光敏材料图案层的所述基板上形成第二光敏材料层； 4)使刻有所述线形图案的所述透明光掩模与所述第二光敏材料层的上表面接触，使得所述第一光敏材料图案层的线形图案与所述透明光掩模的所述线形图案交叉而在所述基板上形成第二光敏材料图案层； 5)蚀刻所述基板上未形成所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的部分； 6)通过去除所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层制造具有凸出网格图案的母模； 7)在所述母模上形成透明树脂层；以及 8)从所述母模上去除所述透明树脂层。
权利要求2
如权利要求1所述的方法，其中，步骤1)中的所述基板包括配置在其一个表面上的导电层，以及步骤5)是通过蚀刻所述导电层上未形成所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的部分来制造导电网格图案的步骤。
权利要求3
如权利要求2所述的方法，还包括： 在步骤6)之后，蚀刻所述基板上未形成所述导电网格图案的部分；以及去除所述导电网格图案。
权利要求4
如权利要求1所述的方法，还包括： 在步骤4)之后，在具有所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的所述基板上形成第三光敏材料层；以及在所述基板上形成第三光敏材料图案层。
权利要求5
根据权利要求1至4中的任一项制造的透明光掩模，所述透明光掩模具有线宽为 100nm以上900nm以下的凹入网格图案。
权利要求6
如权利要求5所述的透明光掩模，其中，所述凹入网格图案的深度是50nm以上10μm以下。
权利要求7
如权利要求5所述的透明光掩模，其中，所述凹入网格图案的间距是2μm以上500μm以下。
权利要求8
如权利要求5所述的透明光掩模，其中，所述透明光掩模包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或它们的共聚物中的至少一种。
权利要求9
如权利要求5所述的透明光掩模，还包括：不透明图案层，所述不透明图案层配置在刻有所述凹入网格图案的所述透明光掩模的表面上。
权利要求10
如权利要求9所述的透明光掩模，其中，所述不透明图案层的图案是路由器图案。
权利要求11
如权利要求9所述的透明光掩模，其中，所述不透明图案层包括金属或碳类材料。
权利要求12
如权利要求5所述的透明光掩模，包括：中空圆柱形基板； 配置在所述基板的外周面上的包覆层，所述包覆层具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案；以及配置在所述圆柱形基板内部的紫外灯。
权利要求13
一种用于制造导电网格图案的方法，包括：在包括导电层的基板的所述导电层上形成光敏材料层； 通过使权利要求5所述的透明光掩模与所述光敏材料层的上表面接触形成光敏材料网格图案层； 蚀刻所述导电层上未形成所述光敏材料网格图案层的部分；以及去除所述光敏材料网格图案层以制造导电网格图案。
权利要求14
如权利要求13所述的方法，其中，步骤 包括在所述透明光掩模与所述光敏材料层的所述上表面接触之后向所述透明光掩模辐射一次紫外线的步骤。 2 2
权利要求15
如权利要求14所述的方法，其中，所述紫外线的强度是10mJ/cm以上200mJ/cm以下。
权利要求16
如权利要求13所述的方法，其中，所述导电网格图案的线宽是100nm以上900nm以下。
权利要求17
如权利要求13所述的方法，其中，所述导电层包括银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)和铂(Pt)中的至少一种金属，或其中的两种或更多种金属的合金。