**对比文件名称**：2000-12-26_JP2000357736A_发明专利_JP2000357736A Semiconductor device and manufacture thereof
**目标专利名称**：1679透明光掩模及其制造方法及用其形成导电网格图案的方法CN106462087B
**调用的模型名称**：DeepSeek-Chat
以下为特征比对表格。对于目标专利权利要求中列出的技术特征（A～W），逐一判断对比文件是否直接公开或隐含公开。公开性判断标准：直接公开指本领域技术人员能毫无疑义地从对比文件得出相同技术方案；隐含公开指对比文件的内容有可能公开该特征（标准极宽松）。
| 第一栏：技术特征描述及公开性判断 | 第二栏：对比文件原文引用（翻译成中文） | 第三栏：公开性论述 |
| **技术特征A**：1)在基板上形成第一光敏材料层<br>《直接公开》 | 【0021】“……在层间绝缘层31上沉积作为掩模层32的Si3N4……之后，在掩模层32上涂布光致抗蚀剂（膜厚约300nm）”。<br>【0044】“也可以使用光致抗蚀剂替代Si3N4作为掩模层”。 | 对比文件明确在基板（层间绝缘层）上形成光致抗蚀剂（第一光敏材料层）。无论是否采用硬掩模，替代方案中光致抗蚀剂直接形成在基板上。因此本领域技术人员能毫无疑义地得出该特征，直接公开。 |
| **技术特征B**：2)通过使刻有线形图案的透明光掩模与第一光敏材料层的上表面接触形成第一光敏材料图案层<br>《隐含公开》 | 【0021】“……使用具有线形图案的玻璃掩模（该线形图案的间隔对应于所需接触孔的一边）进行光刻，将线形光致抗蚀剂33‑1转印到掩模层32上”。 | 对比文件使用了透明的玻璃掩模（刻有线形图案），通过光刻形成第一光致抗蚀剂图案。虽然未明文记载“掩模与光刻胶接触”，但接触式曝光是半导体光刻中的已知方式；本领域技术人员在实施对比文件的方法时，完全有可能采用接触式曝光使透明掩模与光敏材料层直接接触（例如为获得更高分辨率或使用柔性掩模），从而合理推断出该特征。故隐含公开。 |
| **技术特征C**：3)在具有第一光敏材料图案层的基板上形成第二光敏材料层<br>《直接公开》 | 【0023】“再次涂布光致抗蚀剂（膜厚约300nm）”。<br>【0044】“也可以使用光致抗蚀剂替代Si3N4作为掩模层，通过交叉的两条线形光致抗蚀剂掩蔽未蚀刻区域”。 | 对比文件明确在形成第一图案（光致抗蚀剂或Si3N4）后，涂布第二光致抗蚀剂层。特别是替代方案中，第一图案直接由光致抗蚀剂构成，第二光致抗蚀剂直接涂覆于其上。故能毫无疑义得出该特征，直接公开。 |
| **技术特征D**：4)使刻有线形图案的透明光掩模与第二光敏材料层的上表面接触，使得第一光敏材料图案层的线形图案与透明光掩模的线形图案交叉而在基板上形成第二光敏材料图案层<br>《隐含公开》 | 【0023】“……使用线形图案与第一掩模层正交且间隔等于所需接触孔一边的玻璃掩模进行光刻，将线形图案转印到光致抗蚀剂33‑2上”。 | 对比文件使用正交的线形透明玻璃掩模，通过光刻形成第二光致抗蚀剂图案，使两图案交叉（网格状）。与B同理，虽未明确记载“接触”，但接触式曝光是已知选项；本领域技术人员在采用该方法时，可合理选择接触曝光，从而推断出“透明光掩模与第二光敏材料层上表面接触”。故隐含公开。 |
| **技术特征E**：5)蚀刻基板上未形成第一光敏材料图案层和第二光敏材料图案层的部分<br>《直接公开》 | 【0024】“以与第一掩模层正交的线形光致抗蚀剂（第二掩模层）为掩模进行RIE蚀刻，将层间绝缘层31的SiO2蚀刻500nm”。 | 对比文件明确蚀刻未被第一、第二掩模图案覆盖的区域（层间绝缘层）。该特征与目标专利的蚀刻步骤实质相同，直接公开。 |
| **技术特征F**：6)通过去除第一光敏材料图案层和第二光敏材料图案层制造具有凸出网格图案的母模<br>《未公开》 | 对比文件蚀刻后去除掩模层（如【0025】用磷酸去除Si3N4），形成的是凹入的接触孔或沟槽图案，而非凸出网格图案。 | 对比文件通过蚀刻获得凹入结构（接触孔/沟槽），其目的是形成开口，而非制造凸出的网格图案母模。目标专利的“凸出网格图案”指基板表面凸起的网格线，两者结构相反。对比文件未给出任何关于凸出网格图案的教导或暗示，故未公开。 |
| **技术特征G**：7)在母模上形成透明树脂层<br>《未公开》 | 对比文件全文未涉及在母模上形成透明树脂层的步骤。 | 对比文件的最终目的是形成接触孔或沟槽，没有制造透明光掩模的相关工艺，故未公开。 |
| **技术特征H**：8)从母模上去除透明树脂层<br>《未公开》 | 对比文件全文未涉及去除透明树脂层的步骤。 | 同上，未公开。 |
| **技术特征I**：其中，步骤1)中的基板包括配置在其一个表面上的导电层，以及步骤5)是通过蚀刻导电层上未形成第一光敏材料图案层和第二光敏材料图案层的部分来制造导电网格图案的步骤。<br>《未公开》 | 对比文件步骤5蚀刻的是层间绝缘层（SiO2），而非导电层；且未公开将蚀刻导电层作为形成导电网格图案的手段。 | 对比文件中基板虽包含金属配线层（导电层），但蚀刻的对象是绝缘层，并非导电层本身，也未公开形成导电网格图案的目的。故未公开。 |
| **技术特征J**：还包括：在步骤6)之后，蚀刻基板上未形成导电网格图案的部分<br>《未公开》 | 对比文件无此步骤。 | 对比文件在去除掩模后即完成，没有再次蚀刻基板的步骤。未公开。 |
| **技术特征K**：去除所述导电网格图案<br>《未公开》 | 对比文件无此步骤。 | 对比文件在蚀刻后不需要去除导电网格图案，因为其并未形成独立的导电网格图案。未公开。 |
| **技术特征L**：还包括：在步骤4)之后，在具有第一光敏材料图案层和第二光敏材料图案层的基板上形成第三光敏材料层<br>《未公开》 | 对比文件仅进行两次光刻，未涉及第三次光刻形成第三光敏材料层。 | 对比文件无任何关于第三次涂布光敏材料或形成第三图案的记载。未公开。 |
| **技术特征M**：在基板上形成第三光敏材料图案层<br>《未公开》 | 同上。 | 未公开。 |
| **技术特征N**：所述透明光掩模具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案<br>《未公开》 | 对比文件未涉及透明光掩模，更未提及凹入网格图案的线宽范围。 | 对比文件的产品是带有接触孔或沟槽的半导体器件，其图案尺寸可能落在该范围（如0.2μm＝200nm），但无法毫无疑义或推理得出该透明光掩模特征。故未公开。 |
| **技术特征O**：其中，凹入网格图案的深度是50nm以上10μm以下<br>《未公开》 | 对比文件未提及凹入网格图案深度，其蚀刻深度为500nm或7000nm等，但非用于透明光掩模。 | 未公开。 |
| **技术特征P**：其中，凹入网格图案的间距是2μm以上500μm以下<br>《未公开》 | 对比文件未公开透明光掩模的间距。 | 未公开。 |
| **技术特征Q**：其中，透明光掩模包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)类聚合物等材料<br>《未公开》 | 对比文件使用玻璃掩模，未涉及PDMS等柔性透明材料。 | 未公开。 |
| **技术特征R**：还包括：不透明图案层，配置在刻有凹入网格图案的透明光掩模的表面上<br>《未公开》 | 对比文件无透明光掩模，也无不透明图案层。 | 未公开。 |
| **技术特征S**：其中，不透明图案层的图案是路由器图案<br>《未公开》 | 对比文件无路由器图案概念。 | 未公开。 |
| **技术特征T**：其中，不透明图案层包括金属或碳类材料<br>《未公开》 | 对比文件未涉及。 | 未公开。 |
| **技术特征U**：包括：中空圆柱形基板<br>《未公开》 | 对比文件未涉及卷对卷装置，无圆柱形基板。 | 未公开。 |
| **技术特征V**：配置在基板的外周面上的包覆层，包覆层具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案<br>《未公开》 | 对比文件无包覆层结构。 | 未公开。 |
| **技术特征W**：配置在圆柱形基板内部的紫外灯<br>《未公开》 | 对比文件未涉及紫外灯在圆柱形基板内部的配置。 | 未公开。 |
**结论代码**：根据上述分析，对比文件直接公开了技术特征A、C、E，隐含公开了技术特征B、D。其他特征未公开。
按照输出格式要求，在回答结尾插入对应代码（直接公开用大写，隐含公开用小写）。
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