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蒋晓勇

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序号	权利要求内容
1	一种用于从入射在其上的传播电磁波在近区形成场强分布的器件，所述器件包括；单层电介质材料；所述单层电介质材料具有第一折射率n1；和其中形成的腔；填充所述腔的元件；所述元件具有低于所述第一折射率n1的第二折射率n2；以及其中所述腔被配置为使得当电磁波入射在所述器件上时；所述器件生成具有辐射的角度的束；使得所述束相对于入射电磁波的传播方向倾斜；并且倾斜的束具有在$0.5\lambda_1$至$10\lambda_1$之间的长度；$\lambda_1$是所述入射电磁波在所述电介质材料中的波长。
2	如权利要求1所述的器件，其中；所述倾斜的束与辐射的角度相关联；所述辐射的角度是所述第一折射率n1；所述第二折射率n2；所述入射电磁波的入射角；以及所述腔的基部角中的一个或多个的函数。
3	如权利要求1所述的器件，其中；所述辐射的角度为(90°‑asin(n2/n1))/2；所述第一折射率在范围[1.3，1.4]和[1.5，1.8]之一内；并且所述第二折射率等于1；并且其中；所述入射电磁波是法向入射电磁波。
4	如权利要求1所述的器件，其中；所述辐射的角度为$\theta_B = (\theta_{B90°} / 90°) \times \alpha$；其中$\theta_{B90°}$等于(90°‑asin(n2/n1))/2；并且$\alpha$是70°至120°之内的基部角。
5	如权利要求1所述的器件，其中；所述辐射的角度为$\theta_B = 0.75\theta + \theta_{B90°}$；其中$\theta_{B90°}$等于(90°‑asin(n2/n1))/2；并且$\theta$对应于所述入射电磁波的入射角。
6	如权利要求1所述的器件，其中；所述入射电磁波是具有480nm或525nm或650nm的中的任一个的波长的单色电磁波。
7	如权利要求1所述的器件，其中；所述腔是所述单层电介质材料中的通孔。
8	如权利要求1所述的器件，其中；所述腔的目标是柱形或锥形。
9	如权利要求1所述的器件，其中；所述腔的高度H的目标是使得$H \ge 0.5\lambda_1$；其中$\lambda_1$是所述入射电磁波在所述电介质材料中的波长。
10	如权利要求1所述的器件，其中；所述器件还包括至少一个层；以形成邻接所述单层电介质材料的基板。
11	如权利要求10所述的器件，其中；所述器件还包括形成覆板的至少一个层；所述单层电介质材料位于所述基板和所述覆板之间。
12	如权利要求11所述的器件，其中；所述基板和所述覆板由与所述单层电介质材料相同的电介质材料制成。
13	如权利要求1所述的器件，其中；所述电介质材料从包括以下的组中选择；‑玻璃；‑塑料；‑聚合物材料。
14	如权利要求11所述的器件，其中；所述覆板的材料是从包括以下的组中选择的；‑玻璃；‑塑料；‑液体；‑聚合物材料。

对比文件列表

编号	名称

权利要求1

下载无效理由

一种用于从入射在其上的传播电磁波在近区形成场强分布的器件，所述器件包括；单层电介质材料；所述单层电介质材料具有第一折射率n1；和其中形成的腔；填充所述腔的元件；所述元件具有低于所述第一折射率n1的第二折射率n2；以及其中所述腔被配置为使得当电磁波入射在所述器件上时；所述器件生成具有辐射的角度的束；使得所述束相对于入射电磁波的传播方向倾斜；并且倾斜的束具有在$0.5\lambda_1$至$10\lambda_1$之间的长度；$\lambda_1$是所述入射电磁波在所述电介质材料中的波长。