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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
所述器件包括
B
单层电介质材料
C
所述单层电介质材料具有第一折射率n1
D
和其中形成的腔
E
填充所述腔的元件
F
所述元件具有低于所述第一折射率n1的第二折射率n2;并且中所述腔被配置为使得当电磁波入射在所述器件上时
G
所述器件生成具有辐射的角度的束
H
使得所述束相对于入射电磁波的传播方向倾斜
I
倾斜的束具有在$0.5\lambda_1$至$10\lambda_1$之间的长度
J
$\lambda_1$是所述入射电磁波在所述电介质材料中的波长。
权利要求 2
K
其中
L
所述倾斜的束与辐射的角度相关联
M
所述辐射的角度是所述第一折射率n1
N
所述第二折射率n2
O
所述入射电磁波的入射角
P
所述腔的基部角中的一个或多个的函数。
权利要求 3
Q
其中
R
所述辐射的角度为(90°‑asin(n2/n1))/2
S
所述第一折射率在范围[1.3,1.4]和[1.5,1.8]之一内
T
所述第二折射率等于1;并且中
U
所述入射电磁波是法向入射电磁波。
权利要求 4
V
其中
W
所述辐射的角度为$\theta_B = (\theta_{B90°} / 90°) \times \alpha$
X
其中$\theta_{B90°}$等于(90°‑asin(n2/n1))/2
Y
$\alpha$是70°至120°之内的基部角。