目标专利:3817屏蔽至少一个亚波长尺度物体免受入射电磁波的设备和方法
专利公开号:CN109844579B
专利权人:交互数字
无效请求书提交日期:2026年
非显而易见性评估仅供参考,不构成法律建议。
| 编号 | 名称 |
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一种用于屏蔽亚波长尺度物体(10)免受电磁波(20)的设备,该电磁波根据入射方向入射在所述设备上;所述设备包括介电材料层(112);该介电材料层的表面具有形成台阶的水平变化;所述介电材料具有第一折射指数;以及具有小于所述介电材料的第一折射指数的第二折射指数的介质;其中该介质与所述台阶接触;并且其中所述亚波长尺度物体(10)位于所述设备内的静区中;其中所述静区内的电磁场强度小于与所述亚波长尺度物体的电磁灵敏度相关的阈值;其中所述至少一个亚波长尺度物体(10)在所述静区内被屏蔽以免受所述电磁波(20);其中所述静区沿着与所述入射电磁波(20)的入射方向相同的方向在所述台阶附近的所述表面上方延伸。
根据权利要求1所述设备,其中所述台阶由在所述介电材料层(112)中制成的凹槽的边缘形成。
根据权利要求1所述的设备,其中所述台阶由在所述介电材料层(112)中制成的腔(111)的边缘形成。
根据权利要求3所述的设备,其中所述静区沿着所述电磁波的入射方向在所述腔内部和在所述腔上方部分地延伸。
根据权利要求3和4中任一项所述的设备,其中所述腔属于具有至少两个腔的组。
根据权利要求3和4中任一项所述的设备,其中所述腔的目标是圆柱形或锥形。
根据权利要求3和4中任一项所述的设备,其中所述腔在所述入射电磁波的入射方向上以及在与所述入射电磁波的入射方向正交的任何方向上的尺寸;在所述介电材料中所述入射电磁波的波长的一小部分与在所述介电材料中所述入射电磁波的几个波长之间。
根据权利要求3和4中任一项所述的设备,其中所述设备还包括形成基板的层(110);所述基板与所述介电材料层邻接。
根据权利要求8所述的设备,其中所述设备还包括形成覆板的层(113);所述介电材料层位于所述基板和所述覆板之间。
根据权利要求9所述的设备,其中形成所述基板的层和形成所述覆板的层由与所述介电材料层(112)的介电材料相同的介电材料制成。
根据权利要求10所述的设备,其中所述介电材料选自包括下列项的组(i)玻璃;(ii)塑料;(iii)聚合物材料;(iv)其中不发生等离子体效应的有机光学透明导电氧化物;和(v)其中不发生等离子体效应的无机光学透明导电氧化物。
根据权利要求9所述的设备,其中所述覆板和所述基板中的一者或多者的材料选自包括下列项的组(i)玻璃;(ii)塑料;(iii)聚合物材料;(iv)半导体材料;(v)液体;(vi)其中不发生等离子体效应的有机光学透明导电材料;(vii)其中不发生等离子体效应的无机光学透明导电材料;和(viii)气体。
根据权利要求1至4中任一项所述的设备,其中所述亚波长尺度物体选自包括下列项的组(i)量子点;(ii)等离子体粒子;(iii)荧光染料;(iv)有机元素;和(v)纳米结构。
根据权利要求1至4中任一项所述的设备,其中多个电磁波入射在所述设备上;并且与所述设备相关联的所述静区对应于在与所述多个电磁波相关联的静区的交叉点处的区域;其中所述多个电磁波中的每个电磁波与各自的波长相关联。
根据权利要求1至4中任一项所述的设备,其中所述介质是真空、固体、气体或液体。
根据权利要求1所述的设备,其中所述至少一个亚波长尺度物体(10)发射另一电磁波。