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蒋晓勇

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序号	权利要求内容
1	一种用于在集成电路(IC)上形成一个或多个单独带通滤波器的方法，所述方法包括；通过以下操作来形成多个三维(3D)电感器；在所述集成电路(IC)上的晶片层中定位第一重分布层(RDL)；在所述晶片层上方放置多个垂直导电柱；将第一钝化层涂覆到所述晶片层；在所述第一钝化层上镀制第二重分布层(RDL)；以及在所述第二重分布层(RDL)上方涂覆第二钝化层；以及将多个平面谐振器芯片组装到所述晶片层上；以将所述多个平面谐振器芯片并联电连接到所述多个3D电感器；其中；所述多个平面谐振器芯片包括小于中心频率的5％的第一滤波器传递函数的固有通带；并且其中；所述多个平面谐振器芯片和所述多个3D电感器的组合包括大于所述中心频率的5％的第二滤波器传递函数的外部通带。
2	根据权利要求1所述的方法，其中所述晶片层是模制晶片层。
3	根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个垂直导电柱是铜(Cu)柱或铝(Al)柱。
4	根据权利要求1所述的方法，其中所述晶片层是高电阻率硅(HRS)晶片；砷化镓(GaAs)晶片；或玻璃晶片。
5	根据权利要求1所述的方法，其中所述多个谐振器芯片中的一个谐振器芯片是体声波(BAW)谐振器。
6	根据权利要求1所述的方法，还包括；使用模制材料覆盖所述晶片层以形成模制晶片层。
7	根据权利要求6所述的方法，其中所述模制材料是环氧树脂。
8	根据权利要求6所述的方法，还包括；使用转移模制工艺或压缩模制工艺以使用所述模制材料覆盖所述晶片层。
9	根据权利要求6所述的方法，还包括；对所述模制晶片层进行背面研磨以暴露所述一个或多个垂直导电柱。
10	根据权利要求6所述的方法，还包括；在所述第二钝化层上方形成互连层。
11	根据权利要求10所述的方法，其中所述互连层包括焊球或导电焊盘中的一个或多个。
12	根据权利要求10所述的方法，还包括；切割所述集成电路(IC)以获得所述一个或多个单独带通滤波器。

对比文件列表

编号	名称

权利要求1

下载无效理由

一种用于在集成电路(IC)上形成一个或多个单独带通滤波器的方法，所述方法包括；通过以下操作来形成多个三维(3D)电感器；在所述集成电路(IC)上的晶片层中定位第一重分布层(RDL)；在所述晶片层上方放置多个垂直导电柱；将第一钝化层涂覆到所述晶片层；在所述第一钝化层上镀制第二重分布层(RDL)；以及在所述第二重分布层(RDL)上方涂覆第二钝化层；以及将多个平面谐振器芯片组装到所述晶片层上；以将所述多个平面谐振器芯片并联电连接到所述多个3D电感器；其中；所述多个平面谐振器芯片包括小于中心频率的5％的第一滤波器传递函数的固有通带；并且其中；所述多个平面谐振器芯片和所述多个3D电感器的组合包括大于所述中心频率的5％的第二滤波器传递函数的外部通带。