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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
所述方法包括
B
通过以下操作来形成多个三维(3D)电感器
C
在所述集成电路(IC)上的晶片层中定位第一重分布层(RDL)
D
在所述晶片层上方放置多个垂直导电柱
E
将第一钝化层涂覆到所述晶片层
F
在所述第一钝化层上镀制第二重分布层(RDL)
G
在所述第二重分布层(RDL)上方涂覆第二钝化层
H
将多个平面谐振器芯片组装到所述晶片层上
I
以将所述多个平面谐振器芯片并联电连接到所述多个3D电感器
J
其中
K
所述多个平面谐振器芯片包括小于中心频率的5％的第一滤波器传递函数的固有通带；并且中
L
所述多个平面谐振器芯片和所述多个3D电感器的组合包括大于所述中心频率的5％的第二滤波器传递函数的外部通带。
权利要求 2
M
其中所述晶片层是模制晶片层。
权利要求 3
N
其中所述一个或多个垂直导电柱是铜(Cu)柱或铝(Al)柱。
权利要求 4
O
其中所述晶片层是高电阻率硅(HRS)晶片
P
砷化镓(GaAs)晶片
Q
玻璃晶片。
权利要求 5
R
其中所述多个谐振器芯片中的一个谐振器芯片是体声波(BAW)谐振器。
权利要求 6
S
还包括
T
使用模制材料覆盖所述晶片层以形成模制晶片层。
权利要求 7
U
其中所述模制材料是环氧树脂。
权利要求 8
V
还包括
W
使用转移模制工艺或压缩模制工艺以使用所述模制材料覆盖所述晶片层。
权利要求 9
X
还包括
Y
对所述模制晶片层进行背面研磨以暴露所述一个或多个垂直导电柱。
权利要求 11
Z
其中所述互连层包括焊球或导电焊盘中的一个或多个。