非显而易见性评估仅供参考,不构成法律建议。
| 编号 | 名称 |
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一种电压调节器,包括:传输晶体管;耦合在所述电压调节器的输入与所述电压调节器的输出之间;放大器;具有耦合到参考电压的第一输入;经由反馈路径耦合到所述电压调节器的输出的第二输入;以及输出;以及升压器;具有耦合到所述放大器的输出的输入以及耦合到所述传输晶体管的栅极的输出;其中所述升压器包括:第一电容器;第二电容器;第一开关;耦合在所述升压器的输入与所述第一电容器的第一端子之间;第二开关;耦合在所述升压器的输入与所述第二电容器的第一端子之间;第三开关;耦合在所述第一电容器的第一端子与所述升压器的输出之间;以及第四开关;耦合在所述第二电容器的第一端子与所述升压器的输出之间;电压源;其中所述电压源包括耦合在电源电压轨与地之间的分压器;控制电路;其中所述控制电路包括:第三电容器;第四电容器;第一晶体管;耦合在所述电压源与所述第三电容器的第一端子之间;以及第二晶体管;耦合在所述电压源与所述第四电容器的第一端子之间;其中所述第二晶体管的栅极被耦合到所述第一晶体管的源极;并且所述第二晶体管的源极被耦合到所述第一晶体管的栅极;其中所述第三电容器的第一端子被耦合到所述第一开关的控制输入;并且所述第四电容器的第一端子被耦合到所述第二开关的控制输入。
根据权利要求1所述的电压调节器,其中所述第三开关具有耦合到所述第二电容器的第一端子的控制输入。
根据权利要求2所述的电压调节器,其中所述第四开关具有耦合到所述第一电容器的第一端子的控制输入。
根据权利要求3所述的电压调节器,其中:所述第三开关包括第一晶体管;其中所述第三开关的控制输入位于所述第一晶体管的栅极处;以及所述第四开关包括第二晶体管;其中所述第四开关的控制输入位于所述第二晶体管的栅极处。
根据权利要求4所述的电压调节器,其中所述第一晶体管包括第一p型场效应晶体管PFET;并且所述第二晶体管包括第二PFET。
根据权利要求1所述的电压调节器,还包括耦合在所述升压器的输出与地之间的输出电容器。
根据权利要求1所述的电压调节器,其中所述分压器包括串联耦合的多个二极管连接的晶体管。
根据权利要求1所述的电压调节器,其中所述控制电路还包括升压电路;所述升压电路被配置为向所述第三电容器的第二端子和所述第四电容器的第二端子交替地施加升压电压。
根据权利要求1所述的电压调节器,其中所述控制电路被配置为:在第一时间段期间;使所述第一开关导通并且使所述第二开关关断;以及在第二时间段期间;使所述第一开关关断并且使所述第二开关导通。
根据权利要求9所述的电压调节器,其中所述控制电路被耦合到所述第一电容器的第二端子和所述第二电容器的第二端子;并且所述控制电路被配置为:在所述第一时间段期间;将升压电压施加到所述第二电容器的第二端子;以及在所述第二时间段期间;将所述升压电压施加到所述第一电容器的第二端子。
根据权利要求10所述的电压调节器,其中所述第三开关具有耦合到所述第二电容器的第一端子的控制输入。
根据权利要求11所述的电压调节器,其中所述第四开关具有耦合到所述第一电容器的第一端子的控制输入。
根据权利要求9所述的电压调节器,其中所述分压器包括串联耦合的多个二极管连接的晶体管。