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权利要求与技术特征

A 其中所述第三开关具有耦合到所述第二电容器的第一端子的控制输入。

B 其中所述第四开关具有耦合到所述第一电容器的第一端子的控制输入。

C 其中：所述第三开关包括第一晶体管
D 其中所述第三开关的控制输入位于所述第一晶体管的栅极处
E 所述第四开关包括第二晶体管
F 其中所述第四开关的控制输入位于所述第二晶体管的栅极处。

G 其中所述第一晶体管包括第一p型场效应晶体管PFET
H 所述第二晶体管包括第二PFET。

I 还包括耦合在所述升压器的输出与地之间的输出电容器。

J 其中所述分压器包括串联耦合的多个二极管连接的晶体管。

K 其中所述控制电路还包括升压电路
L 所述升压电路被配置为向所述第三电容器的第二端子和所述第四电容器的第二端子交替地施加升压电压。

M 其中所述控制电路被配置为：在第一时间段期间
N 使所述第一开关导通并且使所述第二开关关断
O 在第二时间段期间
P 使所述第一开关关断并且使所述第二开关导通。

Q 其中所述控制电路被耦合到所述第一电容器的第二端子和所述第二电容器的第二端子
R 所述控制电路被配置为：在所述第一时间段期间
S 将升压电压施加到所述第二电容器的第二端子
T 在所述第二时间段期间
U 将所述升压电压施加到所述第一电容器的第二端子。

V 其中所述第三开关具有耦合到所述第二电容器的第一端子的控制输入。

W 其中所述第四开关具有耦合到所述第一电容器的第一端子的控制输入。

X 其中所述分压器包括串联耦合的多个二极管连接的晶体管。
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