替爷出征

专利无效挑战赛

目标专利:1000036弹性波装置及其制造方法

专利公开号:CN103262410B

专利权人:株式会社村田制作所

无效请求书提交日期:2026年


上一项目 下一项目

2026年6月9日,欧洲统一专利法院(UPC)慕尼黑地方分院更新的案件信息显示,日本村田株式会社在该院起诉中国江苏卓胜微电子股份有限公司(简称“卓胜微”,证券代码:300782)及其香港公司的案件信息已获准公开。本案是日本村田于2025年12月9日发起的诉讼,指控卓胜微侵犯一件名为"弹性波装置及其制造方法"的欧洲专利EP2658123 B1。

优先权日期20101224



权利要求列表点击可跳转

序号 权利要求内容

1

一种弹性波装置,具有压电膜, 所述弹性波装置具备: 高声速支撑基板,由氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜或金刚石、或者以这各材料为主成分的材料、以这各材料的混合物为主成分的材料中的任意一者构成; 低声速膜,其层叠于所述高声速支撑基板上,且由氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、或者在氧化硅添加了氟或碳或硼而成的化合物、或者以这各材料为主成分的材料中的任意一者构成; 所述压电膜,其层叠于所述低声速膜上,由LiTaO3或LiNbO3构成;以及IDT电极,其形成于所述压电膜的一面,在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时,层叠于所述高声速支撑基板上且在所述压电膜之下形成的所述低声速膜的膜厚被设为0.1λ~0.5λ的范围。

2

根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,在所述压电膜进行传播的弹性波的能量的一部分分布在所述低声速膜以及所述高声速支撑基板中。

3

根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时,所述压电膜的膜厚被设为1.5λ以下。

4

根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时,所述压电膜的膜厚被设为0.05λ~0.5λ的范围。

5

根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,所述压电膜由欧拉角(0±5°,θ,ψ)的单晶LiTaO3构成,欧拉角(0±5°,θ,ψ)位于以SH波为主成分的弹性表面波模式的机电耦合系数为2%以上的范围。

6

根据权利要求5所述的弹性波装置,其中,所述压电膜的欧拉角(0±5°,θ,ψ)位于以SH波为主成分的弹性表面波模式的机电耦合系数为2%以上、且以成为寄生的SV波为主成分的弹性表面波模式的机电耦合系数成为1%以下的范围。

7

根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,所述低声速膜的固有声阻抗小于所述压电膜的固有声阻抗。

8

根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,在所述压电膜以及所述IDT电极之上形成有电介质膜,弹性表面波在所述压电膜进行传播。

9

根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,在所述压电膜以及所述IDT电极之上形成有电介质膜,弹性边界波在所述压电膜与所述电介质膜的边界进行传播。

10

分析


对比文件列表

编号 名称

权利要求1

一种弹性波装置,具有压电膜, 所述弹性波装置具备: 高声速支撑基板,由氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜或金刚石、或者以这各材料为主成分的材料、以这各材料的混合物为主成分的材料中的任意一者构成; 低声速膜,其层叠于所述高声速支撑基板上,且由氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、或者在氧化硅添加了氟或碳或硼而成的化合物、或者以这各材料为主成分的材料中的任意一者构成; 所述压电膜,其层叠于所述低声速膜上,由LiTaO3或LiNbO3构成;以及IDT电极,其形成于所述压电膜的一面,在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时,层叠于所述高声速支撑基板上且在所述压电膜之下形成的所述低声速膜的膜厚被设为0.1λ~0.5λ的范围。


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B权利要求1
论文无效检索报告

弹性波装置及其制造方法

检索基准  公开时间严格早于2010年12月24日
检索日期  2026年10月17日    文献范围  期刊与会议论文

一 检索结论

本轮筛得7篇具有不同程度贡献的论文,其中D1、D2、D3、D5已取得并核阅PDF全文。最值得优先用于无效分析的是D1与D2的组合路线,以及D3对0.225λ低声速层和高声速材料组合的明确公开。尚未发现经全文核实、能够单篇直接覆盖授权权利要求1全部技术特征的论文。

优先检验创造性攻击,暂不据此认定缺乏新颖性。D1的支撑材料是硅,未落入权利要求1材料清单;D2提供蓝宝石支撑的具体选材理由,但采用直接键合;D3虽给出范围内的SiO₂厚度,仍需处理高声速覆盖膜与支撑基板、压电基板与压电膜的对应争议。

优先级

文献

主要贡献

主要缺口

1

D1 Abbott 2005

IDT/LiTaO₃/中间SiO₂/Si;厚度与杂散研究

Si不属指定支撑材料

1

D2 Miura 2005

蓝宝石支撑与LT键合;明确比较硅和蓝宝石

无指定中间SiO₂膜

1

D3 Satoh 2007

AlN/SiO₂/Cu/LN;SiO₂为0.225λ

膜与基板角色存在争议

2

D4至D7

期刊追踪、支撑选材、薄膜转移和声能约束机理

分别存在全文或结构缺口

 

报告用途:为代理人选择证据、形成特征对照和设计后续取证提供技术依据。结论以本次取得的文本及下列权利要求理解为限;未调取审查意见、修改理由或优先权原始文本,不对优先权成立与否作判断。

阅读顺序:第二部分核对特征;第三至六部分查证论文;第七部分查看逐项对照;第八部分评估组合;第九至十一部分核对公开日期、检索路径和出处。

二 目标权利要求与检索边界

已核对工作区CN201180059880.4授权公告PDF的首页及权利要求书第1页。专利权人为株式会社村田制作所;申请日2011年12月20日;授权公告日2016年8月10日;首页载明日本优先权2010-288453,日期2010年12月24日。[T1]

权利要求1原文

一种弹性波装置,具有压电膜,所述弹性波装置具备:高声速支撑基板,由氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜或金刚石、或者以这各材料为主成分的材料、以这各材料的混合物为主成分的材料中的任意一者构成;低声速膜,其层叠于所述高声速支撑基板上,且由氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、或者在氧化硅添加了氟或碳或硼而成的化合物、或者以这各材料为主成分的材料中的任意一者构成;所述压电膜,其层叠于所述低声速膜上,由LiTaO3或LiNbO3构成;以及IDT电极,其形成于所述压电膜的一面,在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时,层叠于所述高声速支撑基板上且在所述压电膜之下形成的所述低声速膜的膜厚被设为0.1λ~0.5λ的范围。

编号

必须对应的限制

F1

指定材料构成的高声速支撑基板;纯硅Si未列入。

F2

指定低声速膜位于高声速支撑基板与压电膜之间。

F3

低声速膜上的压电膜材料为LiTaO₃或LiNbO₃。

F4

IDT位于压电膜的一面;本项未限定必须为外露上表面。

F5

中间低声速膜厚度为0.1λ至0.5λ;λ由IDT周期确定。

 

对应时须保留层的结构角色。权利要求1没有压电膜厚度上限,不能把从属权利要求的1.5λ或0.05λ至0.5λ补入;也不能只因论文使用“substrate”一词就自动排除其压电层。反过来,将器件图旋转,不会自动证明覆盖膜承担了“支撑基板”的角色。

不能以表面SiO₂帽层、压电膜厚度、电极厚度或kh值未经换算替代F5。IDT位于SiO₂与压电体界面本身不构成F4缺失;关键仍是F1至F3的角色及位置关系。

三 D1中间氧化硅键合层论文

D1 Abbott等 2005

文献题名及完整出处见第十一部分。已取得四页PDF,印刷页码926至929。其结构和研究对象与权利要求1接近,应作为首选起点。

可核验的公开内容

第926页图1及引言:铝电极位于LT表面,LT与硅之间设置SiO₂键合层。图中层次按器件表面向下为IDT/LT/SiO₂/Si。这是压电层下方的中间氧化硅层,并非表面温度补偿覆盖层。

第927页图4及相邻正文:比较普通LT、LT/Si、LT/SiO₂/Si的导纳,加入中间氧化硅层可抑制杂散模式幅度。该图示例的LT厚为8.8p,SiO₂厚为2p。第928页图6进一步研究氧化硅厚度变化对杂散频散的影响;图7至10讨论实际器件的Q值及杂散引起的劣化。

厚度特征的证据强弱

图6横轴为hₒₓ/(2p),扫描范围0至2。在普通单电极结构的基波λ=2p约定下,对应hₒₓ/λ为0至2,扫描覆盖目标0.1至0.5区间。这是图示参数范围及周期换算的对应,而不是原文以0.1λ至0.5λ给出的独立优选区间。

图4的SiO₂=2p示例按同一约定为1λ,不能写成0.5λ;8.8p为LT厚度,不能移作SiO₂厚度。正式主张F5时,应提交清晰的图1和图6并说明p的电极几何定义,避免把相邻指条间距与完整声周期混同。D6第873页另有栅格周期与声波波长为二倍关系的明确实例,但仍须核对两篇论文的符号使用。

对无效分析的贡献与限制

D1直接支持F2、F3、F4,并提供F5的范围扫描依据。其还把中间SiO₂与杂散抑制和谐振器Q联系起来,因此贡献超过单纯的键合工艺资料。

F1是明确缺口:所用支撑为硅,纯硅未列入目标材料清单。D1单独不足以完整覆盖权利要求1。其厚度扫描虽有交集,也未证明目标子区间在指定高声速支撑上具有相同效果。综合评价为“高价值创造性起点;单篇新颖性证据不足”。

证据定位:p.926图1与引言;p.927图4及正文;p.928图6、第三节;p.929结论。全文取得状态:已下载并核阅。

四 蓝宝石支撑及选材动机

D2 Miura等 2005

已取得四页PDF,印刷页码573至576。该文可用于补强D1缺失的蓝宝石支撑材料,并提供由硅转向蓝宝石的具体技术理由。

第573至574页第二节及表1:作者比较玻璃、硅与蓝宝石,讨论热膨胀、杨氏模量、热传导和电阻率。蓝宝石兼具较小热膨胀、较大刚度及高电阻率,适合作LT的支撑。此处的选材理由来自论文自身,不是从目标专利倒推出的组合理由。

第574页第三节及图1至3:采用室温表面活化键合连接LT与蓝宝石;界面非晶层约0.5至2 nm时具有较好键合强度。该纳米级界面并未被证明是目标清单内材料的0.1λ至0.5λ低声速膜,不能据此认定F2或F5已公开。

第575页第四节及图4、图5:研究10至40 μm LT厚度对频率响应、杂散和温度性能的影响。第576页讨论散热。D2的直接贡献为F1的蓝宝石候选,以及LT与IDT的器件基础;缺失指定中间低声速层和其厚度。

D5 Miura等 2007

期刊名称为IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems。已取得六页PDF,含一页英文扩展摘要及五页日文正文。J-STAGE明确记载2007年8月1日出版、9月1日上线,两日期均早于基准日。

正文第1162至1163页、图1至7及第三节:论述LT/蓝宝石接合结构;谐振器LT厚37 μm,约18λ;蓝宝石厚250 μm。它再次支持指定材料的支撑方案与界面杂散问题,但不公开目标中间SiO₂膜。

文献

能补强的内容

不能据此补齐的内容

D2

蓝宝石支撑;与硅比较的选材理由;键合可行性

不能把非晶键合界面当作F2和F5

D5

蓝宝石/LT器件与厚度及杂散关系;期刊日期清楚

不能将37 μm或18λ写成低声速层厚度

 

组合评估:D1与D2同属键合复合衬底SAW谐振器和温度稳定性研究,具有相近问题背景。但D2以直接键合实现性能,未要求保留D1的SiO₂。将D1支撑换成蓝宝石并保留氧化硅层,是需要论证的技术改动,不能把两文献各自优点简单相加。

五 D3明确公开范围内的氧化硅厚度

D3 Satoh与Yamanouchi 2007

该会议论文两页,印刷页157至158,论文编号1-06-01;页首直接载明2007年11月14至16日。已核阅全文和两页原始图像。

材料和精确参数

第157页图1及第二部分:在压电基板上设置电极、SiO₂及高声速介质膜,研究高声速材料AlN、Al₂O₃与LN、LT压电基板的组合。具体实验为AlN/SiO₂/Cu/Y-X LiNbO₃。

第158页第三部分、图6及图7:SiO₂归一化膜厚H₂/λ=0.225,Cu厚H₁/λ=0.04;图7给出的AlN厚H₃/λ=0.84。0.225处于0.1至0.5之间,无需以kh或绝对尺寸间接换算。图6说明当AlN厚达到约0.5λ以上时,共振频率变化趋缓。

第158页图4还给出不同金属电极下SiO₂厚度与边界波存在范围的关系。不同电极、模式和材料的阈值不同;不能把某个厚度点脱离其Cu电极与晶向条件后主张为所有结构的通用最优值。

与权利要求1的对应争议

相同之处:已公开高声速指定材料、SiO₂、LiNbO₃、与压电体接触的电极,以及明确的0.225λ低声速层。SiO₂夹在AlN与LN之间,不能把它仅当成无关的单层表面帽层。

尚存争议:论文把AlN作为在上方沉积的覆盖膜,把LN作为原有压电基板;目标则表述为高声速支撑基板、其上的低声速膜和压电膜。所需判断是这些实体能否依权利要求合理解释分别承担上述角色,而不是图的上下方向。

权利要求1未限制压电膜厚度,故不能只凭LN较厚就排除。另一方面,论文没有直接证明AlN覆盖层承担支撑基板作用,也没有将LN基板改成由AlN支撑的压电膜。若主张单篇新颖性攻击,应先解决“支撑基板”和“压电膜”的解释及证据;目前应列为有力的争议性候选,而非已确认的完整破坏文件。

适合的使用方式

在创造性分析中,D3可证明特定多层声学结构内使用0.225λ的SiO₂并非基准日后才出现。其更适合作数值选择与材料组合的辅助证据;向目标架构迁移仍需说明边界条件、压电层形式和预期声学效果。

证据定位:p.157图1、第二部分;p.158第三部分、图6、图7。注意0.04λ是Cu厚度,0.84λ是AlN厚度,只有0.225λ是SiO₂厚度。

六 其他有贡献的论文及其限度

D4 Yamanouchi与Satoh 2008

J. Appl. Phys. 103(11), 114105,DOI 10.1063/1.2936901。出版方提交的Crossref记录载明纸刊2008年6月1日、在线2008年6月6日。已核实题录和出版方摘要;AIP全文访问受限,本次未取得期刊PDF。

摘要确认多层膜/电极/压电基板的边界波结构,列出AlN或Al₂O₃、SiO₂和LN或LT,并涉及约500 MHz谐振器实验。它与D3作者及研究主题连续,可作为优先调取的期刊版本。不能未经核查便把D3的0.225λ及图号移植到D4,也不能把二者算作两份相互独立的完整结构证据。

D6 Pastureaud等 2007

IEEE TUFFC 54(4), 870–876,DOI 10.1109/TUFFC.2007.321。已核对PubMed题录、出版方元数据及作者上传的原论文网页中的相关段落;本次未保存完整PDF。

第870页引言及第872至873页技术部分:通过离子注入、直接键合和剥离,在硅上转移约0.5 μm定向单晶LN层,并制备IDT器件。第873页明确举出栅格周期2 μm和1 μm分别对应声波波长4 μm和2 μm。它支持定向LN薄膜器件及周期换算背景,可补强从块体压电材料转向薄膜的可行性。

其第870页同时说明采用无中间层的直接连接;支撑为硅。因此D6不是LN/SiO₂/指定高声速基板的完整公开,不能据其0.5 μm LN厚度推导F5。

D7 Elmazria等 2009

Applied Physics Letters 95(23), 233503,DOI 10.1063/1.3270536。原论文页首及元数据确认在线公开为2009年12月8日。已阅读作者公开全文网页中的结构、制造与实验段落;出版方PDF本次未下载。

第233503-1页及图1:在AlN/ZnO/金刚石层系内研究导波声能约束;文中器件使用金刚石支撑并使IDT接触压电膜。其可支持高、低声速材料组合约束声波的技术认识,但实际压电/导波材料为ZnO、AlN,未公开目标LN或LT与指定低声速膜的组合。

D7仅作机理背景与金刚石路线的辅助材料。作者网页的上传日期晚于论文公开日期;不能以网页上传日期排除论文,也不能把ZnO的厚度或材料替换为目标SiO₂和LT/LN。

七 核心论文逐项特征对照

下表按各篇论文自身的结构角色评价。“有”表示取得的文本明确支持;“部分”表示仅部分对应或需要解释、换算;“缺”表示未见该限制。此表不是将多篇论文拼成单篇的新颖性结论。

技术特征

D1 2005

D2 2005

D3 2007

D5 2007

F1 指定高声速支撑

缺
支撑为Si

有
蓝宝石支撑

部分
AlN是覆盖膜

有
蓝宝石支撑

F2 支撑与压电膜之间的指定低声速层

有
中间SiO₂

缺
直接键合

部分
SiO₂夹在AlN与LN之间,角色待解释

缺
未见指定中间膜

F3 低声速膜上的LT或LN压电膜

有
LT层

部分
LT有,但未处于所需低声速膜上

部分
LN基板,膜角色待解释

部分
LT有,但未见所需中间膜

F4 压电膜一面的IDT

有

有

有
界面Cu电极与谐振器

有

F5 中间低声速膜0.1λ至0.5λ

部分
图6扫描覆盖;须确认λ=2p

缺

部分
SiO₂=0.225λ明确;完整结构角色待解释

缺

 

对照表的使用限制

D1与D2的主要互补在于“中间低声速膜结构”与“指定蓝宝石支撑”。D1图6的数值交集不能自动证明在蓝宝石上仍具有相同效果。

D3的厚度数值公开强,整体结构角色公开弱。F5的数值子特征已明确,表中仍列“部分”,是因为F5还限定该膜与目标支撑基板和压电膜的关系。

D4目前仅核实摘要,不纳入逐项实质对照;D6缺少中间层且支撑为硅;D7材料体系不同。它们能够补充技术背景,但不应在证据表中被标成全特征覆盖。

尚未被单篇确认的组合

同一可实施装置中同时存在:指定材料的高声速支撑基板、其上指定低声速膜、其上LT或LN压电膜、压电膜一面的IDT,以及该中间膜0.1λ至0.5λ厚度。后续任何新颖性攻击均应围绕这一整体组合,而不是仅围绕材料名称重合。

八 创造性组合路线及反向因素

路线一 D1结合D2

起点:D1的IDT/LT/SiO₂/Si。区别:将硅支撑改为权利要求列举的蓝宝石,以及对氧化硅厚度区间作具体选择。可提出的实际问题是,在保持复合衬底与界面杂散控制的条件下,选择兼具电绝缘、热膨胀控制和散热能力的支撑。

组合依据:D2第574页第二节及表1在同类LT复合衬底背景下比较硅与蓝宝石,给出选用蓝宝石的明确理由;D1提供保留中间SiO₂以减小杂散幅度的理由。D1图6是厚度选择的第一证据,D3的0.225λ可作为需要进一步论证可迁移性的辅助证据。

预期反驳:D2采用直接表面活化键合,可能无需D1的氧化硅;蓝宝石与硅的弹性和界面反射不同;不能从电学或温度优势直接推定在目标厚度的声学Q值改善。应补充相同层序下的可预期性依据或原理分析。评价:目前最优先准备的创造性路线,仍存在选材与厚度的论证工作。

路线二 D3结合D6

起点:D3已经给出AlN、SiO₂、LN、界面电极及0.225λ。若“支撑基板”和“压电膜”的解释不足以单篇覆盖,D6可用于论证将LN做成定向薄膜的既有能力。

组合障碍:D6的转移对象是硅,且明确无中间层;它没有直接教导把D3的覆盖AlN改作承载支撑,同时转移LN并保留0.225λ SiO₂。需要改变结构角色和自由表面边界,不能仅以薄膜制造已知就认定所得声学模式、损耗和效果显而易见。评价:次选,依赖权利要求解释,推理链较长。

路线三 D1结合D2并辅以D3

仅在D1的扫描范围不足以支撑厚度区间选择时,再引入D3的明确0.225λ实例。三篇文献分别针对中间膜、支撑选材和厚度点,能够形成可核查的证据链,但也增加跨结构移植的负担。不得用D3的边界波实例替代对目标支撑/低声速膜/压电膜结构本身的论证。

不宜采用的论证

不宜将D1、D2拼合后主张单篇不新颖;不宜以D3图像上下翻转替代支撑作用证明;不宜以D7的ZnO导波层或D6的LN膜厚满足F5;不宜引用2011年后的IHP/HAL或LNOI结果反推基准日前已有全部技术启示。

九 公开时间及证据取得情况

文献

可核对的时间依据

本次取得层级

D1

2005年IEEE会议论文集,页926至929;PDF版权及会议目录相互对应

PDF全文已保存

D2

2005年IEEE会议论文集,页573至576;PDF版权及会议目录相互对应

PDF全文已保存

D3

PDF页首2007年11月14至16日,卷28页157至158

PDF全文已保存

D4

出版方元数据:纸刊2008年6月1日,在线6月6日

题录及出版方摘要已核实;未得期刊PDF

D5

J-STAGE:2007年8月1日出版,9月1日上线

PDF全文及出版页已核实

D6

IEEE期刊卷期及PubMed:2007年4月,54卷4期

题录及作者全文网页相关部分;未保存PDF

D7

原论文页首:2009年12月8日在线;元数据一致

作者公开全文网页相关部分;未保存PDF

 

以上7篇均可按现有书目信息进入基准日前文献筛选。对2005会议文献,不把本次镜像网页的抓取时间或近期上传日期当作原公开日;Crossref登记时间亦不是当然的出版日。正式证据应保留原论文、论文集版权页、目录和来源证明。

已经落地的证据

工作目录中保存D1、D2、D3、D5的原PDF及文本提取件,另保存主要DOI的出版方登记元数据。D1第928页图6及D3两页图像已人工核看,以排除厚度层别和字符提取错误。正文中的D1至D7编号以本报告为准,不以本地文件前缀为准。

提交无效程序前优先补齐的材料

第一,取得D4的正式期刊全文,核实其图、实验参数和是否补充了薄膜及支撑角色。第二,为D1和D2取得可出证的论文集版本与公开日期材料,保存图1、图6和表1的清晰复制件。第三,为D6、D7取得出版方PDF,避免只用作者网页摘录。第四,调取目标专利审查档案,核查材料清单及0.1λ至0.5λ限制的修改来源与解释。

本次没有因全文受限而将其标为已核阅全文,也未将审查员引证专利列为论文结果。未开展付费数据库和馆藏调卷;本报告不等同于已经完成程序性证据保全。

十 检索方法及排除记录

检索采用目标特征分解、英文材料/层序组合、中文与日文术语补充、作者及题名追踪、DOI元数据交叉核验。日期过滤仅用于缩小搜索范围;每一入选论文另核对自身出版信息。下表列本次真实执行检索中的代表性表达,不把多次命中同一论文计作新增证据。

检索组

代表性实际检索词

用途与结果

目标核对

CN103262410B patent

核对授权文本、优先权与材料限制

中间层

"LiTaO3" "SiO2" "2005" "bonding" SAW;"lithium tantalate" "silicon" "2005" "leaky"

发现D1并追至原文

支撑材料

"surface acoustic" "bonded" "sapphire" "2007";"LiTaO3/Sapphire Bonded SAW Substrate"

发现D2、D5及2004年前驱论文线索

高低声速组合

"acoustic" "SiO2" "LiNbO3" "AlN" "2008";"Piezoelectric acoustic boundary waves in the structure"

发现D3、D4并核实0.225λ

薄膜和机理

"High-frequency surface acoustic waves excited";"Isolated acoustic wave based on AlN/ZnO/diamond"

追踪D6、D7及相关会议版本

交叉排除

"LiNbO3" "SiO2" "diamond" before:2010-12-24;铌酸锂 二氧化硅 蓝宝石 声表面波 2009

排除后公开和仅覆盖层的相似结构

 

检索覆盖及尚存盲区

实际访问来源包括Google Patents目标文本、Purdue大学托管的IEEE论文镜像、USE会议原文、J-STAGE、PubMed、Crossref,以及作者公开的原论文网页。部分IEEE与AIP页面存在访问限制。未宣称已穷尽IEEE Xplore、Web of Science、Scopus、CNKI或日文馆藏。

已检索的材料路径包括AlN、蓝宝石、SiC及金刚石与LN/LT、SiO₂的组合;DLC、SiON、Ta₂O₅及掺杂SiO₂仍可能存在未检出的材料分支。未找到强候选不代表这些分支不存在现有技术。

典型排除与保留线索

2021年论文Investigation of Surface Acoustic Wave Propagation Characteristics in New Multilayer Structure: SiO2/IDT/LiNbO3/Diamond/Si,公开晚于基准日,且其SiO₂为外部覆盖层,只用于追踪参考文献。[X1]

2009年会议论文Isolated Acoustic Wave Based on AlN/ZnO/Diamond Structure for Sensor Applications,页305至308,与D7为同一研究路线;材料不符,故不另作补齐权利要求的核心证据。[X2]

十一 参考文献及可访问出处

下列链接分别指向DOI、原文或可核验题录。访问日期统一为2026年10月17日;正文所有[D]编号均可在此定位。

[D1] B. P. Abbott, J. Chocola, K. Lin, N. Naumenko, J. Caron. Characterization of Bonded Wafer for RF Filters with Reduced TCF. 2005 IEEE Ultrasonics Symposium, Vol. 2, pp. 926–929.

DOI 10.1109/ULTSYM.2005.1603002    原文或题录

[D2] M. Miura, T. Matsuda, M. Ueda, Y. Satoh, O. Ikata, Y. Ebata, H. Takagi. Temperature Compensated LiTaO3/sapphire SAW Substrate for High Power Applications. 2005 IEEE Ultrasonics Symposium, Vol. 1, pp. 573–576.

DOI 10.1109/ULTSYM.2005.1602917    原文或题录

[D3] Yusuke Satoh, Kazuhiko Yamanouchi. New Piezoelectric Acoustic Boundary Waves in the Structure of Multi-Layer Thin Films/Electrode/Piezoelectric Substrates. Proceedings of Symposium on Ultrasonic Electronics, Vol. 28, pp. 157–158, 14–16 November 2007, paper 1-06-01.

原文或题录

[D4] Kazuhiko Yamanouchi, Yusuke Satoh. Piezoelectric acoustic boundary waves in the structure of multilayer thin films/electrode/piezoelectric substrates. Journal of Applied Physics, 103(11), 114105, 2008.

DOI 10.1063/1.2936901    原文或题录    出版方摘要登记

[D5] Michio Miura, Shogo Inoue, Jun Tsutsumi, Takashi Matsuda, Masanori Ueda, Yoshio Satoh, Osamu Ikata, Yasuo Ebata. Temperature Compensated SAW Devices Using Bonded LiTaO3/Sapphire. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems, 127(8), pp. 1161–1165, 2007.

DOI 10.1541/ieejeiss.127.1161    原文或题录

[D6] Thomas Pastureaud, Marc Solal, Béatrice Biasse, Bernard Aspar, Jean-Bernard Briot, William Daniau, William Steichen, Raphaël Lardat, Vincent Laude, Alain Laëns, Jean-Michel Friedt, Sylvain Ballandras. High-Frequency Surface Acoustic Waves Excited on Thin-Oriented LiNbO3 Single-Crystal Layers Transferred Onto Silicon. IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control, 54(4), pp. 870–876, April 2007.

DOI 10.1109/TUFFC.2007.321    原文或题录    作者公开原文

[D7] Omar Elmazria, Sergei Zhgoon, Laurent Le Brizoual, Frédéric Sarry, Dmitry Tsimbal, Mohammed Abdou Djouadi. AlN/ZnO/diamond structure combining isolated and surface acoustic waves. Applied Physics Letters, 95(23), 233503, 2009.

DOI 10.1063/1.3270536    原文或题录    作者公开原文

十二 核验来源与后续取证索引

目标文本和判断口径

[T1] CN103262410B,弹性波装置及其制造方法,2016年8月10日授权公告。优先采用工作区授权公告PDF首页及权利要求书第1页。公开网页用于交叉核验,不能以网页摘要替代授权权利要求。

CN103262410B公开全文

[L1] 国家知识产权局客户服务中心,专利和论文先后顺序如何界定,2024年9月3日答复。用于公开时间的基本口径:优先权日前已公开的出版物可进入现有技术分析。新颖性按单篇整体公开核查;多文献组合另作创造性评估。

国家知识产权局答复

后公开排除项及相关会议版本

[X1] Hanqiang Zhang, Hongliang Wang. Investigation of Surface Acoustic Wave Propagation Characteristics in New Multilayer Structure: SiO2/IDT/LiNbO3/Diamond/Si. Micromachines, 12(11), 1286, 2021. 仅用于追踪,不能作本次基准日前现有技术。

出版方全文

[X2] Laurent Le Brizoual, Omar Elmazria, Sergei Zghoon, Akram Soussou, Frederic Sarry, Mohammed Abdou Djouadi. Isolated Acoustic Wave Based on AlN/ZnO/Diamond Structure for Sensor Applications. Joint EFTF–IEEE IFCS 2009, pp. 305–308. 本次读取了可访问PDF的正文信息,但未成功保存PDF;不把它计为独立补齐材料限制的证据。

IEEE会议论文镜像

更早的蓝宝石路线前驱

[R1] M. Miura, T. Matsuda, Y. Satoh, M. Ueda, O. Ikata, Y. Ebata, H. Takagi. Temperature Compensated LiTaO3/Sapphire Bonded SAW Substrate with Low Loss and High Coupling Factor Suitable for US-PCS Application. 2004 IEEE Ultrasonics Symposium, Vol. 2, pp. 1322–1325. DOI 10.1109/ULTSYM.2004.1418036。已由D2参考文献及DOI题录核实出处,未取得全文,不重复计入7篇实质分析结果。

R1 DOI题录

证据使用次序

优先保全D1、D2、D3的原文与出版证明;以D1+D2准备创造性特征对照,同时单独审查D3的结构角色解释。取得D4全文和目标审查档案后,再决定是否调整新颖性路线。任何后续组合论证均须保留差异、组合动机及相反技术因素,不能把本报告的“有贡献”直接表述为“已证明无效”。


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B
权利要求1无效检索报告

互联网档案馆检索与补充专利追溯

检索截止界限  2010年12月24日之前
报告日期  2026年10月17日

检索结论

本轮找到具有实质贡献的早期文献。最重要的补充专利是D1 US20080292127A1,公开日为2008年11月27日:其说明书第[0023]段明确给出位于承载基板与压电层之间的介电层优选厚度0.15λ~0.5λ,落入目标权利要求的0.1λ~0.5λ范围。

建议并行论证两条创造性路线:D3 CN1294780A结合D1,以及D1结合D2 US6046656A。前者以明确的压电薄层波导结构为起点,后者利用同类边界波装置中明确公开的IDT。当前证据尚不足以无保留地认定某一单篇文献已完整破坏权利要求1的新颖性。

证据

主要贡献

本轮评价

D1

Al₂O₃承载材料选项  低声速SiO₂夹层
LiTaO₃或LiNbO₃  0.15λ~0.5λ

优先证据
需处理IDT与压电膜解释

D2

明确的IDT  同位置SiO₂介电层
最终膜厚0.5λ

优先组合证据
承载材料为Si

D3

蓝宝石承载基体  SiO₂连接层
压电薄层与指状换能电极

优先组合起点
缺少目标膜厚

N1至N4

互联网档案馆中的材料声速
薄膜SAW和Love波资料

背景与材料选择补强
不单独承担全部特征

 

范围说明  实际访问了Internet Archive馆藏检索、元数据和公开下载接口,并尝试Wayback索引。D1至D5属于补充专利检索所得,不冒充馆藏命中。原始发表日期、专利公开日期和档案馆上架日期分别列示。

D1公开文本 Internet Archive

一  目标文本与特征边界

目标为用户提供的CN103262410B授权文本权利要求1。与所附“权利要求1.docx”核对一致。申请号201180059880.4;申请日2011年12月20日;主张日本优先权2010年12月24日;授权公告日2016年8月10日。[T]

权利要求1原文

一种弹性波装置,具有压电膜,所述弹性波装置具备:高声速支撑基板,由氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜或金刚石、或者以这各材料为主成分的材料、以这各材料的混合物为主成分的材料中的任意一者构成;低声速膜,其层叠于所述高声速支撑基板上,且由氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、或者在氧化硅添加了氟或碳或硼而成的化合物、或者以这各材料为主成分的材料中的任意一者构成;所述压电膜,其层叠于所述低声速膜上,由LiTaO3或LiNbO3构成;以及IDT电极,其形成于所述压电膜的一面,在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时,层叠于所述高声速支撑基板上且在所述压电膜之下形成的所述低声速膜的膜厚被设为0.1λ~0.5λ的范围。

比对使用的五组特征

编号

限定内容

检索时的判断重点

A

列举材料构成的高声速支撑基板

优先追踪Al₂O₃或蓝宝石支路;Si不在列举中

B

列举材料构成的低声速膜在支撑基板上

必须位于支撑基板与压电膜之间

C

低声速膜上的LiTaO₃或LiNbO₃压电膜

材料与薄层身份均须核实

D

压电膜一面的IDT电极

“一面”包括下表面;不限定仅在自由表面

E

上述低声速膜厚度为0.1λ~0.5λ

λ须对应IDT周期确定的所用弹性波波长

 

解释基准  权利要求1没有写入压电膜≤1.5λ、38.5°切角、特定SH模式或具体Q值;这些内容不能自动作为其必要限定。但“膜”与相对较厚的压电基板是否等同,仍需依说明书和审查档案解释。高低声速的技术含义可参照目标说明书第[0012]、[0073]~[0080]段;不能将不同方向、不同波型的速度直接混比。

T 授权文本

二  互联网档案馆检索记录

2026年10月17日,以Internet Archive Advanced Search作为馆藏入口,组合英文技术术语、材料名、专利号与日期字段。返回数量来自本轮接口响应,是馆藏元数据命中数,既不是唯一文献数,也不表示每条全文都已阅读。以标题、摘要、年代筛选后,下载相关公开原文核查。

序号

实际检索式

返回数

Q1

"surface acoustic wave" AND date:[* TO 2010-12-23]

503

Q2

"lithium niobate"

351

Q3

"lithium tantalate"

35

Q4

"acoustic wave" AND diamond

10

Q5

"acoustic wave" AND sapphire

16

Q6

"acoustic wave" AND "silicon dioxide"

7

Q7

title:(microwave acoustics handbook)

4

Q8

"Love wave" AND date:[* TO 2010-12-23]

43

Q9

"US20080292127"  或  "DE102005055870"
或  "WO2007059733"  分别检索

各0

 

原文获取和追溯

公开全文核查覆盖N1微波声学手册、N2薄膜SAW报告、N3蓝宝石薄膜SAW报告和N4 Love波论文;另检查了相关馆藏图书目录。以目标专利首页对比文件和说明书引文为起点,向前追溯到D1、D2、D3等专利,核对公开文本及相关图文。

Wayback及访问范围

对www.freepatentsonline.com/6445265.html和www.google.com/patents/US6445265进行了截至2010年12月23日的CDX查询,返回空记录;该结果仅适用于所查URL。针对D1的后续CDX查询遇到503错误,未取得可用快照;Internet Archive Scholar入口返回限流页。未将这些失败解释为文献当时未公开。

复核方式  在下列入口使用同一检索式;Advanced Search接口参数为q、fl[]、rows、output=json。筛选日期指文献元数据date字段,必须再用出版记录、原始PDF或专利首页核实其含义。

Advanced Search入口 Q1可复核查询 Wayback CDX记录

三  互联网档案馆文献及年代证据

编号

文献简称

原始年代证据

IA上架日期

N1

Microwave Acoustics Handbook
Volume 3 Bulk Wave Velocities

1980年报告
PDF及馆藏记录

2017-12-07

N2

Monolithic Thin Film
SAW Structures

1984-09-01
原封面

2018-01-28

N3

MOCVD ZnO Thin Films
on Sapphire Substrates

1997-09-05
报告登记页

2018-04-09

N4

Piezoelectric Love waves on
rotated Y-cut mm2 substrates

arXiv公开记录
2007-11-28

2013-09-17

 

N1  材料声速选择的补强资料

作者A. J. Slobodnik Jr.、R. T. Delmonico、E. D. Conway。手册给出各向异性材料的体波速度;LiNbO₃部分为印刷页122~147,蓝宝石为187~195。已核图示中,X面第一横波的LiNbO₃速度约为3.5~4.6 km/s,蓝宝石约为5.7~6.8 km/s,读图为近似值。定位:印刷页123、188,对应PDF第127、192页。可辅助说明选用氧化铝高速材料的技术基础;不能据此省略具体工作模式的核实。

N2和N3  薄膜SAW与支撑材料的历史背景

N2由R. L. Gunshor、S. Datta、R. F. Pierret撰写,讨论金属/ZnO/SiO₂/Si层状结构及高Q谐振器;定位PDF第7、11~12页。N3由Rajan Subramanian撰写,实际制作ZnO/蓝宝石SAW器件;定位PDF第1~3页和3.6节。二者可支持薄膜层叠及蓝宝石支撑的既有实践,但分别缺少权利要求1所需的材料组合或埋置低声速膜。

N4  可交叉核实早期公开的理论论文

Bernard Collet、Michel Destrade的论文以Ge层/KNbO₃基体为例讨论Love波与切角、波长的关系。IA下载PDF题名为“Love waves in a piezoelectric layered structure”,首页标有arXiv:0711.4439v1及2007年11月28日;arXiv提交历史可独立核对。它只能辅助解释层状介质波导,不直接公开A至E组合。

年代证据限制  IA上架日期均晚于临界日,不能作为2010年前网络公开的证明。N1馆藏date写1980-05-01,但原文另记1980-05-28收稿,因此本报告仅采用1980年。N1至N3的报告年代和公开发行标记提供早期线索,正式使用仍宜补充同期馆藏或公开发行记录;N4的早期网络记录较明确。

N1馆藏 N2馆藏 N3馆藏 N4馆藏 N4公开历史

四  D1的核心技术公开

D1  US20080292127A1

题名 Electroacoustic Component;发明人Werner Ruile、Ulrike Roesler;原申请人Epcos AG。美国申请公开日2008年11月27日,见PDF首页。同族页面还记录DE102005055870A1于2007年5月24日公开、WO2007059733A1于2007年5月31日公开;本报告的技术定位统一使用已下载核对的美国A1文本,不使用2012年授权文本替代早期公开内容。

定位

可核查内容

PDF第4页
[0004]~[0009]

承载基板与相对较薄的压电基板之间设置层系统;承载材料列出Al₂O₃;压电材料列出LiTaO₃、LiNbO₃。

PDF第4页
[0012]~[0016]

通过垂直声速分布形成波导;低速介电层处于较高速的两侧材料之间;介电层优选SiO₂;金属换能结构直接在压电层表面。

PDF第5页
[0023]

层系统厚度优选等于介电层厚度;介电层中的电极不向外凸出;厚度一般0.1λ~λ,优选0.15λ~0.5λ。

PDF第3及6~7页
图1G  [0045]~[0055]

承载基板2在下、介电层32居中、减薄的压电基板1在上;换能结构42位于压电基板与介电层的界面。

 

对特征E的直接贡献

原文短摘录:“The layer thickness in one variant is between 0.1λ and λ, preferably between 0.15λ and 0.5λ”。该句须与前句关于层系统厚度等于介电层厚度的说明一起理解。这里不是压电层厚度,也不是电极厚度。

0.15λ~0.5λ整体落在目标0.1λ~0.5λ范围内,因此本轮已找到具体的早期埋置介电层数值教导。数值有交集并不自动证明全部权利要求缺乏新颖性,还必须核实同一可实施技术方案中的材料、IDT及“膜”的含义。

同族德文说明书也出现0,15λ至0,5λ的表述,可作交叉核对;它与D1属同族,不能作为两个独立技术来源累计证明创造性。

D1 A1全文 D1原始PDF 同族德文

五  D1与权利要求1逐项比对

特征

D1中的对应

本轮判断

A

[0008]列出Al₂O₃承载基板;[0012]公开声速分布约束;N1可辅助说明氧化铝材料声速。

材料有直接选项。具体工作模式下高声速条件仍宜补核;不能使用Si实施例代替Al₂O₃选项。

B

[0012]~[0015]的低声速SiO₂;图1G中介电层32位于承载基板2上。

层序和材料有强对应。电极局部位于压电体与介电层界面,须整体理解层叠关系。

C

[0009]列出LiTaO₃或LiNbO₃;[0007]及[0021]公开减薄;图1G的层1。

材料明确,但优选厚度3λ~30λ、实施例50 μm;“相对薄的压电基板”能否视为目标“压电膜”存在解释争点。

D

[0016]及[0048]~[0049]公开直接形成于压电体表面的金属换能结构。

换能器身份明确;文字及已核附图未明确给出完整的叉指连接方式,不直接认定已明确公开IDT。

E

[0023]优选介电层厚度0.15λ~0.5λ,位置同上;[0006]的λ为工作或中心频率处GBAW波长。

范围直接命中。结合IDT文献时仍需说明同步激励的波长与目标定义一致,不能混用指间距。

 

不能遗漏的三项争点

第一,权利要求1只要求IDT位于压电膜“一面”。D1或D2的电极在下表面,不构成当然区别;但泛称换能器也不能无证据地自动转换成IDT。

第二,目标独立权利要求没有压电膜厚度上限,仍不能仅因D1具有较薄的压电体就消除术语争议。D3明确称压电材料薄层,适合作为另一组合起点。

第三,应将D1关于材料、低速层及优选厚度的通用教导连接到同一结构;不能把互不关联的参数任意拼接。Al₂O₃替代选项的声速和工艺可行性,是正式无效论证的补强重点。

评价  D1是目前最强的厚度及层序证据。单篇新颖性攻击保留为候选;创造性组合路径更稳妥。

六  两篇优先组合文献

D2  US6046656A

Elastic boundary wave device and method of its manufacture;2000年4月4日公开,早于临界日。其图1、图2及说明书第3~4栏公开LiNbO₃或LiTaO₃第一基板、在其主表面形成的IDT、覆盖IDT的SiO₂膜和另一侧的Si基板。权利要求6也明确要求叉指换能器。定位PDF第8~9页。

第4栏及图3(d)的最终SiO₂厚度为0.5λ,命中目标上端点。涂覆前的0.2λ~0.7λ不应取代最终厚度。该文献的Si承载材料不在目标A的列举中,因此不能单独覆盖A至E;它对D和E的贡献明确。D1第[0002]段直接引用本专利,形成同类技术关联证据。

D2全文 D2原始PDF

D3  CN1294780A及其同族

中文题名为“在由一分子连结器连结到一承载基体上的压电材料薄层中导向的表面声波器件及其制造的方法”;2001年5月9日公开。申请人为Thomson-CSF;同族包括WO2000041299A1和US6445265B1。其材料总述及图1、图4、图7公开承载基体/SiO₂分子连接层/LiNbO₃或LiTaO₃薄层/换能电极,承载材料含蓝宝石;中文“青玉”可用同族英文sapphire及后文“蓝宝石”交叉核对。

该文献明确讨论薄层中的声能波导和较高速承载材料,并在图7a给出交叉指状结构。可定位中文说明书关于图1、图4、图7的文字及PDF第12、14、16页附图;英文同族“DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS”亦可查。它对A至D结构的贡献强,但数百埃的连接层示例并未直接给出目标h/λ;不能自行配选未关联的尺寸得出E。

同族美国授权权利要求出现挖空承载基体的限定。本报告取中文公开文本图1的一般结构,未将美国授权权利要求反推为所有早期公开实施例的必然限制。

D3中文公开文本 D3原始PDF 英文同族

七  补充文献与容易误判的命中

D4  JP2005354650A

2005年12月22日公开。图1所示基板101上有绝缘层102和压电薄膜103,绝缘材料包括SiO₂、Ta₂O₅,压电材料选项含LiNbO₃,表面有IDT。可用来补强B、C和D以及薄膜器件实践。基板仅概括为硅、玻璃、陶瓷等,不能把“陶瓷”直接读成目标指定的某一种高速材料。

正文中出现的khp=2πtp/λ及0.04~0.5,描述的是压电膜的归一化厚度,且定义含2π;既不是低声速膜h/λ,也不能直接作为特征E。定位Google Patents描述中以“この実施形態では”开头的基板101段及图1。

D4全文 D4原始PDF

D5  US20100187947A1

2010年7月29日公开。其图1A、图1B及试验参数给出LiNbO₃基板/IDT/SiO₂/SiN结构,SiO₂约712 nm、λ约1.9 μm,由同一组参数可算得h/λ≈0.375。该数值落在目标范围,但SiO₂和SiN是压电基板上方的层,不能直接当成目标“压电膜下方的支撑基板和低速膜”。本轮用于证明厚度选值与温度补偿的背景,不列为单篇新颖性破坏证据。

D5公开文本及参数

目标首页及背景引文的筛选结论

文献

公开日

与本轮主线的关系

CN101145767A

2008-03-19

SiO₂和Al₂O₃在压电基板上方;含10 nm隔层,不能仅按材料名覆盖目标层序。

US20080211602A1

2008-09-04

交替材料声镜的布拉格带隙机制;不同于本轮单个低速夹层路线。

JP2007228120A

2007-09-06

陶瓷复合压电片与封装;0.04等数字主要涉及电极,不是E。

JP2003017967A

2003-01-17

金刚石与LiNbO₃薄层;[0062]~[0069]中的SiO₂在压电层上方,未据此认定B。

 

上述前三篇见目标授权文本首页;JP2003017967A也列于用户提供PDF首页。已被引用不等于已被证明完整覆盖权利要求1。

八  可形成的创造性论证路线

路线一  D3结合D1

起点  选择D3的蓝宝石承载基体、SiO₂连接层、LiNbO₃或LiTaO₃压电薄层及指状换能结构。与目标相比,本轮最明确的差异在于埋置SiO₂层的0.1λ~0.5λ厚度限定,而非笼统缺少三层材料结构。

补足  D1在同类弹性波波导中,将低声速SiO₂置于承载基板与压电体之间,并明确给出0.15λ~0.5λ的优选介电层范围。D1第[0022]~[0024]段将介电层与温度特性联系起来,第[0012]段讨论声能约束。这为调整D3连接层使其同时发挥声学和温度补偿作用提供技术教导。

结合理由  两者的共同材料、相同界面位置、波导目的和连接工艺,使组合具有可具体论证的联系。可将实际技术问题表述为“在既有薄层波导结构中选择埋置介电层厚度以兼顾声传播和温度稳定性”,避免把目标数值写进技术问题。

风险  D3的连接层很薄,而D1通常使用较厚压电体和GBAW;需要解释改变连接层厚度后仍可维持D3所需模式、耦合及键合。目标说明书中Q值改善及厚度曲线应正面回应。该路线具有较高优先级,但尚非无需补强的结论。

路线二  D1结合D2

起点与差异  以D1的Al₂O₃/SiO₂/LiTaO₃或LiNbO₃及0.15λ~0.5λ为起点,差异集中于明确的IDT实现和“压电膜”解释。D2明确给出相同界面位置的IDT,且最终介电层厚度0.5λ。D1第[0002]段对D2的直接引用强化了技术领域和实现方式的联系。

论证边界  采用IDT激励同类边界波通常比改变整个层序更容易说明。但D2没有解决D1压电体3λ~30λ与目标“膜”的术语争议;若解释为薄膜波导,应另以D3论证或转用路线一,不能把该差异隐去。

新颖性路线的处理

本报告不把D1与D2拼合后称为“单篇公开”。如后续找到D1同族中明确的叉指结构,并能确认压电体满足目标“膜”及所用声速条件,可再评估单篇新颖性。当前建议以创造性组合为主,分别说明已公开事实、结合动机和仍需补强的争点。

九  证据使用规则与尚存缺口

时间界限和文本版本

本轮依用户给定的2010年12月24日作为界限,仅把2010年12月23日及之前公开的技术内容列入主证据。没有对优先权成立与否进行独立审查,也没有以更早的申请日或优先权日替代公开日。未检索抵触申请路线。

D1、D2、D3、D4、D5的所用公开版本分别为2008、2000、2001、2005、2010年;D1的2012年授权同族仅用于识别家族,不承担早期公开的证明责任。新颖性按单一文献中的完整技术方案评估,创造性需要论证组合联系。[L]

本轮证据强度

问题

已经获得的材料

对无效工作的影响

低速膜数值范围

D1 [0023] 0.15λ~0.5λ
D2最终0.5λ

关键数值已有明确早期文本,避免仅依常规优化推断。

材料和层序

D3薄层波导;D1材料选项
N1材料速度图

仍需确认同一实施方案、氧化铝形态及具体声速关系。

IDT与波长

D2明确IDT;D3指状结构
D5明确IDT决定的λ参数

不能用指宽、半周期或2πh/λ直接代替目标h/λ。

IA早期公开证据

N4 arXiv历史;N1至N3
原报告及公开发行线索

上架时间较晚;后三者不单靠馆藏date认定精确公开日。

 

排除的晚公开线索

WO2011004665A1于2011年1月13日公开、JP2011041127A于2011年2月24日公开。即使其申请或优先权早于2010年12月24日,也不作为本轮要求的“此前已公开”文献。目标同族以及2017年以后IHP SAW论文亦不作为主证据。

进入无效请求书前最有价值的补证

优先取得目标审查档案及优先权文件,核对“压电膜”与高低声速含义;对D1的Al₂O₃选项和D3蓝宝石方案补充工作方向及波型说明;对路线一的模式兼容性提供文献或计算支持。N1至N3如需作为公知常识或公开文献提交,再补同期馆藏或发行证据,并准备外文关键段的中文译文。

法律依据  目标申请所在时期的《专利法》2008年修正文本第22条为新颖性、创造性及现有技术判断的基础。本报告是文献检索和技术比对结果,未对实际无效程序的事实认定或成功率作保证。

L 专利法2008年修正

十  可复核来源目录

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T  CN103262410B 授权文本及家族信息

D1  US20080292127A1 公开文本

D1原件  美国A1 PDF  第[0008] [0009] [0012] [0023]段

D1同族  DE102005055870A1 德文公开文本

D2  US6046656A 公开文本及图1至图3

D2原件  美国专利PDF 第3至4栏及权利要求6

D3  CN1294780A 中文公开文本

D3原件  中国申请公开PDF 图1 图4 图7

D3同族  US6445265B1 英文术语交叉核对

D4  JP2005354650A 图1及基板101说明段

D5  US20100187947A1 图1A 图1B及试验参数

N1  IA DTIC_ADA090947 1980年体波声速手册

N2  IA DTIC_ADA149782 1984年薄膜SAW报告

N3  IA DTIC_ADA332177 1997年蓝宝石薄膜SAW报告

N4  IA arxiv-0711.4439 Love波论文

N4历史  arXiv提交历史 2007年11月28日

L  CNIPA 专利法2008年修正 第22条

筛选核查链接

CN101145767A US20080211602A1 JP2007228120A

JP2003017967A 目标背景引文JP2004282232A

附录  原件校验及检索边界

已保存的关键公开PDF可用以下SHA256校验。本表只用于确认本轮阅读的文件版本;文件校验值不能证明该技术的原始公开日期。馆藏元数据JSON和检索返回记录亦保存在本地工作目录。

US20080292127A1.pdf

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US6046656A.pdf

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CN1294780A.pdf

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JP2005354650A.pdf

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DTIC_ADA090947.pdf

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DTIC_ADA149782.pdf

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DTIC_ADA332177.pdf

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arxiv-0711.4439.pdf

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没有作为已核实全文使用的资料

馆藏图书Surface acoustic wave devices in telecommunications modelling and simulation(Hashimoto,2000)和Surface acoustic wave devices for mobile and wireless communications(Campbell,1998)的元数据可查,但PDF及OCR标为受限。本轮没有读取受限全文,没有把其中可能的页码或内容填入特征比对。

Hashimoto馆藏目录 Campbell馆藏目录

本轮未获得D1的有效Wayback快照,亦未证明它已被Internet Archive单件馆藏收录。D1至D5的早期公开依据为专利公开记录和相应早期文本。不得把“当前可访问的旧文献”与“在临界日前已被网页存档”混为同一证据事实。

最终取舍  优先推进D3与D1、D1与D2两条创造性论证;N1重点用于材料速度补强;N2至N4作为历史技术背景。单篇新颖性、精确波速条件及膜厚改变后的模式兼容性保留进一步论证空间。


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B权利要求1
优先权日前期刊文献无效检索报告

弹性波装置及其制造方法

检索截止日 严格早于2010年12月24日
报告日期 2026年10月17日
检索对象 授权公告文本中的权利要求1

1 检索结论

本次检索发现可用于推进创造性评价的期刊文献。其中,D1 Tomar等2001年的论文摘要记载铌酸锂薄膜夹在两层各为0.1λ的二氧化硅层之间,下侧二氧化硅层的位置和厚度与目标限定接近;其硅支撑材料不在授权权利要求1的列举范围内。D2与D4分别提供金刚石、蓝宝石支撑铌酸锂薄膜的早期研究,可作为基板替换的候选技术启示。

目前未核实到单篇期刊文献直接、无歧义地公开权利要求1的全部技术特征。优先路线是D1与D2的组合,其次是D1与D4的组合。上述路线尚需补齐D1原刊全文、IDT与λ的定义以及更换支撑材料后保留埋层厚度的技术依据,不能据现有材料直接作出“权利要求1必然无效”的结论。

优先顺序

文献组合

实质贡献

当前状态

第一

D1 Tomar 2001
D2 Dogheche 2005

埋置0.1λ SiO₂层与LiNbO₃薄膜;金刚石支撑及表面IDT

值得推进
全文与组合依据待补

第二

D1 Tomar 2001
D4 Nishida 1997

埋置SiO₂层;蓝宝石支撑LiNbO₃薄膜

候选路线
IDT及模式需核

辅助

D3 Miura 2007
D5至D7薄膜生长研究

支撑基板工程可行性及SiO₂下垫层制备

部分特征证据

 

本报告按用户给定的2010年12月24日作为时间界限,仅将此前公开的期刊论文列为主证据候选。会议论文、学位论文、后公开论文和专利只作追溯或排除说明。未审查优先权是否有效成立,也未取得完整审查档案。

 

2 授权权利要求1及检索特征

依据用户工作目录中的CN103262410B授权公告PDF,权利要求书第1页,PDF第2页。下文保留授权文本的技术内容,统一空格和化学式排版。申请号为CN201180059880.4,名称为“弹性波装置及其制造方法”;授权公告日为2016年8月10日。

2 1 权利要求1原文

1. 一种弹性波装置,具有压电膜,所述弹性波装置具备:

高声速支撑基板,由氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜或金刚石、或者以这各材料为主成分的材料、以这各材料的混合物为主成分的材料中的任意一者构成;

低声速膜,其层叠于所述高声速支撑基板上,且由氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、或者在氧化硅添加了氟或碳或硼而成的化合物、或者以这各材料为主成分的材料中的任意一者构成;

所述压电膜,其层叠于所述低声速膜上,由LiTaO₃或LiNbO₃构成;以及

IDT电极,其形成于所述压电膜的一面,

在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时,层叠于所述高声速支撑基板上且在所述压电膜之下形成的所述低声速膜的膜厚被设为0.1λ~0.5λ的范围。

2 2 特征拆分

代号

需检索和对应的限定

F1

高声速支撑基板及列举材料。蓝宝石属于Al₂O₃;普通硅Si不在材料清单中。

F2

位于该支撑基板上的低声速膜,且材料属于授权列举范围。

F3

位于低声速膜上方的LiTaO₃或LiNbO₃压电膜。

F4

形成于压电膜任意一面的IDT电极。

F5

上述埋置低声速膜厚度为0.1λ~0.5λ,λ由IDT电极周期确定。

 

权利要求1未限定压电膜厚度、特定晶切角、具体波模或最低Q值。本报告不将从属权利要求或实施例中的这些限制附加到权利要求1。高声速、低声速的理解仍需结合说明书中的体波模式与传播模式定义。

授权文本在线核对

3 期刊候选及公开日期核验

下表列出8篇重点候选。日期优先采用出版者、学会页面或出版者提交的Crossref元数据。仅有年月的记录按原精度记载,不将数据库补齐的月初日期当作已证明的具体公开日。所有列示期刊年份均早于截止日。

编号

论文识别信息

公开日期依据

内容核验级别

D1

Tomar等
J Phys D 34 2267–2273

在线2001-07-17
卷期2001-08-07

C 书目及摘要转载
原刊全文未取得

D2

Dogheche等
Appl Phys Lett 87 213503

在线2005-11-17
卷期2005-11-21

B 出版者提交摘要
Crossref记录

D3

Miura等
IEEJ Trans EIS 127 1161–1165

期刊2007-08-01
J-STAGE上线09-01

A 学会原刊PDF
全文已核验

D4

Nishida等
Jpn J Appl Phys 36 6077–6082

卷期1997-09
Crossref及作者机构记录

C 书目及摘要转载
原刊全文未取得

D5

Wang等
Materials Letters 58 3597–3600

卷期2004-11
出版者与Crossref一致

B 出版者摘要
及正文预览

D6

Wang等
Materials Letters 61 1052–1055

卷期2007-02
出版者与Crossref一致

B 出版者摘要
及正文预览

D7

He与Ye
Chinese Science Bulletin 48 2290–2294

卷期2003-11
出版者页面及原文首页索引

B 出版者摘要
全文未取得

D8

Shikata等
IEEE TUFFC 51 1683–1689

卷期2004-12
Crossref及MEDLINE记录

B 原论文摘要
PubMed及Europe PMC

 

3 1 核验级别的含义

A级为原刊全文,B级为原论文摘要或出版者预览,C级为已核实书目但技术内容依赖摘要转载。B级、C级均不代表已读全文。日期合格不等于证据形式已满足无效程序;提交前应取得原刊复制件和必要翻译。

4 权利要求1逐项比对总表

“有”表示在已核验范围内有相应材料或构造;“摘要”表示对应仅见于摘要;“待核”表示不能凭现有材料认定;“缺”表示该文献已知方案存在差异。F1中的“有”先指材料与支撑作用,声速定义仍需结合实际波模核验。

文献

F1支撑

F2埋层

F3压电膜

F4 IDT

F5厚度

主要缺口

D1

缺
硅Si

摘要
SiO₂下层

摘要
LiNbO₃

待核

摘要0.1λ
λ定义待核

支撑材料及IDT;需原刊确认

D2

有
金刚石

缺

有
LiNbO₃

有
膜上表面

缺

未见埋置低声速层

D3

有
蓝宝石

缺

有
LiTaO₃层

有

缺

直接接合;压电层较厚

D4

摘要
蓝宝石

缺

摘要
LiNbO₃

待核

缺

未见埋置低声速层

D5

缺
硅Si

有
SiO₂

有
LiNbO₃

待核

待核
约230 nm

无可核对的声波λ及IDT

D6

缺
硅Si

有
SiO₂

有
LiTaO₃

待核

待核
100 nm

光学用途;无声波λ依据

D7

缺
硅Si

有
SiO₂

有
LiNbO₃

待核

待核

薄膜生长研究;无IDT依据

D8

有
金刚石

缺
SiO₂在顶层

有
LiNbO₃

有
界面处

缺

二氧化硅层位置不对应

 

4 1 层序必须逐层核对

方案

从支撑侧向外的层序

对应结论

目标权利要求1

列举的高声速支撑材料 → 低声速膜 → LiNbO₃或LiTaO₃膜;IDT在压电膜一面

F5只量取中间低声速膜

D1摘要方案

Si → SiO₂ 0.1λ → LiNbO₃ 0.235λ → SiO₂ 0.1λ

下侧SiO₂位置正确;Si支撑不符

D2实验方案

金刚石 → LiNbO₃ → IDT

支撑和压电膜正确;缺中间层

D8摘要方案

金刚石 → LiNbO₃ → IDT → SiO₂

顶层覆盖SiO₂不能充当埋层

 

D1包含额外的上侧SiO₂层。权利要求1使用“具备”的开放式表述,因此不能仅因存在覆盖层就排除D1的相关性;应继续核对其IDT是否位于压电膜一面。反过来,单有覆盖层的D8不能被当成公开了压电膜下方的低声速膜。

5 重点文献的贡献与限制

5 1 D1 埋置二氧化硅层的归一化厚度

Tomar、Gupta、Mansingh与Sreenivas,2001。完整书目与来源见第9节[D1]。本篇是本次最重要的数值与层序线索,内容核验为C级。

已核实内容 论文摘要转载记载,SiO₂/LiNbO₃/SiO₂/Si结构中,0.235λ厚的LiNbO₃位于两层各0.1λ厚的SiO₂之间,理论优化结果涉及零延迟温度系数与3.45%的耦合系数。期刊书目和在线日期由Crossref及作者机构出版目录交叉核验。

关键短引文 “between 0.1λ thick SiO2 layers”。定位为该论文Abstract末句,当前可读载体为ResearchGate论文记录;不是原刊全文页码。

比对判断 按摘要给出的完整层序,下侧SiO₂正处于支撑侧与LiNbO₃之间,0.1λ落在授权范围的下端点。该结果比仅讨论表面温度补偿覆盖膜的论文更有价值,能够为F2、F3和F5提供定向补证线索。

核对事项

本次结论

用于无效论证前须核实

F1

Si支撑不在授权材料清单内

需另有基板替换的技术启示

F2及F3

摘要层序能够对应

取得原刊结构图和边界条件

F4

摘要未交代IDT具体位置

核验电极与压电膜的接触面

F5

下侧层为0.1λ的摘要线索明确

确认λ为声波波长且与IDT周期一致

 

证据边界 原刊全文本次未取得。不能把摘要中的理论电开路、电短路边界条件自行补成实体IDT,也不能直接认定λ的定义已与目标权利要求一致。文献公开了理论结构,并不意味着已完成器件制备。

比对判断 若原刊核对确认F4与λ定义,则相对于D1,较集中的区别将是将Si支撑改为授权列举的金刚石或Al₂O₃等材料。D2与D4在相同声表面波领域讨论高声速支撑,可用于论证这种修改是否具有技术启示。原刊补证完成前,应将这一判断列为条件式路线。

D1 DOI  |  本次可读摘要  |  出版日期元数据

5 2 D2 金刚石支撑与膜上IDT

Dogheche、Remiens、Shikata、Hachigo与Nakahata,2005,内容核验为B级。

已核实内容 出版者提交至Crossref的原论文摘要记载:在多晶金刚石基板上射频磁控溅射LiNbO₃薄膜,在薄膜顶部制作传统IDT;实验实现超过2.30 GHz的滤波器,并将高传播速度作为金刚石声学基板的优势。

比对判断 本篇直接有助于F1、F3和F4。其价值在于给出“金刚石支撑—LiNbO₃膜—IDT”的实际器件路线,能够为D1改用金刚石支撑、追求较高工作频率提供候选动机。

证据边界 已核验的是出版者摘要及书目,原刊三页全文未取得。摘要没有埋置SiO₂膜,不支持F2或F5。还应核对金刚石基板的实际构造、厚度、声波模式及与D1的工艺兼容性。不能将其他论文中的金刚石薄膜加硅支撑结构自动并入本篇。

D2 DOI  |  出版者摘要及日期元数据

5 3 D4 蓝宝石支撑铌酸锂薄膜

Nishida、Ibrahim、Horiuchi、Shiosaki与Matsushige,1997,内容核验为C级。

已核实内容 论文摘要转载研究LiNbO₃薄膜与α-Al₂O₃支撑结构,改变膜厚、传播方向及模式,评价声速、耦合和温度特性。作者所在机构出版目录与Crossref可核对其1997年期刊书目。

比对判断 蓝宝石属于Al₂O₃,属于F1材料清单。该文献与D1均研究LiNbO₃薄膜声表面波,可形成“D1的Si支撑改用蓝宝石”的候选路线;相对于改变压电材料的路线,材料改动较集中。

证据边界 本次未取得原刊全文,不能确认是否公开实体IDT及其位置。未见压电膜下方的SiO₂层,不支持F2、F5。关于声速关系和晶向的具体参数,应在原刊结构图、计算模型和材料常数中核实。

D4 DOI  |  作者机构期刊记录  |  出版元数据

5 4 两种支撑材料路线的共同缺口

D2和D4证明了早期研究已考虑在授权列举的支撑材料上设置LiNbO₃薄膜。二者均不能单独证明在该支撑与压电膜之间增加0.1λ~0.5λ低声速膜属于既定设计。组合论证仍须解释:为什么技术人员会保留D1的埋层、如何处理更换基板后的色散变化,以及得到的波模是否满足说明书中高声速和低声速的定义。

5 5 D3 蓝宝石与钽酸锂直接接合器件

Miura等,2007,内容核验为A级。已下载J-STAGE原刊PDF,文件共6页,首1页为英文扩展摘要,其后为期刊1161–1165页。

已核实内容 原刊1163页图3显示IDT位于LiTaO₃上表面,其下为支撑基板;同页第3节记载LiTaO₃层为37 μm,约18λ,蓝宝石支撑为250 μm。论文采用直接接合路线,研究温度特性与寄生响应。

比对判断 本篇可支持F1、F3及F4的部分构造,同时说明蓝宝石的支撑用途和器件工程可行性。37 μm或18λ量取的是压电LiTaO₃层,既不是F5的低声速膜厚度,也不是可以直接代入的0.1λ~0.5λ参数。

证据边界 图3及正文已核验方案没有公开目标所需的埋置SiO₂膜。本篇直接接合与在压电层下另置薄膜是不同的界面设计,不能仅凭“接合”二字推定存在SiO₂。其厚LiTaO₃层的波能分布也可能与薄膜导波结构不同。

D3原刊PDF  |  学会书目与公开日期

5 6 D8 金刚石体系中的表面二氧化硅层

Shikata、Hachigo与Nakahata,2004年12月,内容核验为B级。

已核实内容 MEDLINE及Europe PMC保存的原论文摘要明确给出SiO₂/IDT/LiNbO₃/金刚石结构,研究零温度系数条件下的高耦合与高速传播。

比对判断 该结构有助于F1、F3、F4,以及说明SiO₂与金刚石体系均曾用于SAW性能设计。但SiO₂处于IDT与压电层之外,不能对应F2要求的压电膜下方层,更不能直接对应F5。

证据边界 本篇原刊全文未取得。即使全文列出0.1λ~0.5λ范围,只要量取的是同一顶层覆盖膜,仍不能消除层位置差异。若将覆盖膜移到压电膜下方,需要另行证明改变位置的技术启示及预期效果。

D8 DOI  |  原论文摘要记录  |  Europe PMC摘要接口

5 7 D5 铌酸锂下方二氧化硅层的工艺证据

Wang、Ye、He、Cao与Zhao,2004,内容核验为B级。

已核实内容 出版者摘要记载在Si上形成非晶SiO₂缓冲层,再沉积高c轴取向LiNbO₃膜,适宜的SiO₂缓冲层厚度约为230 nm;正文预览讨论其对取向与结晶质量的影响。

比对判断 有助于F2、F3以及在LiNbO₃下设置SiO₂层的制备可行性。其研究目的偏向薄膜生长和光学波导,不足以直接说明该层在目标SAW模式下的低声速作用。

证据边界 Si不属于F1列举材料;没有可核对的IDT和声波λ。230 nm是绝对厚度,不能通过自行选取λ将其改写成权利要求范围。本篇不直接证明F5。

D5 DOI  |  出版者预览

5 8 D6 钽酸锂下方二氧化硅层的工艺证据

Wang、Tian、Cao与Ye,2007,内容核验为B级。

已核实内容 出版者摘要及实验预览记载:Si基板上先形成100 nm非晶SiO₂层,再通过脉冲激光沉积LiTaO₃薄膜。

比对判断 有助于F2与F3中LiTaO₃分支的层序和材料组合,能够作为与D3配合时的工艺线索。它没有证明这种光学波导层序在蓝宝石支撑的SAW器件中具有同样的作用。

证据边界 缺少F1所需支撑材料,也没有IDT与声波λ依据。激光沉积过程中使用的248 nm光学波长不是权利要求中的弹性波波长,不能用于归一化100 nm埋层厚度。

D6 DOI  |  出版者预览

5 9 D7 非晶二氧化硅上的铌酸锂薄膜

He与Ye,2003,内容核验为B级。

已核实内容 Springer出版者摘要记载,采用脉冲激光沉积在Si晶片的非晶SiO₂缓冲层上形成高c轴取向LiNbO₃膜,并评价界面及光学导波。出版者页面列出2003年11月,48卷2290–2294页。

比对判断 本篇补充证明F2、F3涉及的薄膜层序已有早期制备研究。它与D5相互补充,但不是独立的声表面波器件公开。

证据边界 原刊全文未取得。没有据此确认IDT、声波波长或F5的归一化范围;Si支撑亦不符合F1。不能把光学导波低折射率与目标弹性波低声速两个概念直接等同。

D7 DOI及出版者摘要

6 候选无效论证路线

本节为技术比对基础上的研究判断。新颖性路线需要同一文献公开全部必要特征;创造性路线还需结合实际技术问题解释文献结合的动机与可预期性。不能仅把不同论文中出现的材料名称拼在一起。[L1]

6 1 优先路线 D1结合D2

以D1为起点保留LiNbO₃及其下方0.1λ SiO₂层,利用D2关于金刚石声学基板和膜上IDT的教导,将支撑由Si改为金刚石。D2追求高频工作的技术目的,为采用较高声速支撑提供了可讨论的动机。D1中的额外上侧覆盖层可以保留,不必为了形式一致而删除。

步骤

已有证据

仍需证明

确认D1起点

摘要含下垫SiO₂及0.1λ

原刊结构图、IDT、λ和模式

引入金刚石

D2有金刚石/LiNbO₃/IDT实验器件

为何把该支撑用于保留SiO₂埋层的D1

保留参数

D1摘要已有0.1λ下侧层

更换支撑后该参数仍为合理设计选择

落入权利要求

材料和层序具备组合潜力

声速定义、实体电极位置与完整公开

 

评价:该路线改变的材料种类较少,D2还可补强实体IDT结构,是当前最值得推进的方向。主要风险是D1的摘要不能替代完整模型,且基板改变会影响色散和能量分布;现有材料尚不能证明参数可不经重新设计而直接保留。

6 2 备选路线 D1结合D4

D4与D1均研究LiNbO₃薄膜SAW,蓝宝石属于F1允许材料,因而可讨论以蓝宝石替换Si支撑。应围绕较高声速、耦合或温度特性提出有文献依据的技术问题,并核验晶向、模式与电极边界条件。D3可佐证蓝宝石作支撑的器件可行性,但D3的LiTaO₃体系与较厚压电层增加了进一步解释负担。

6 3 较弱路线 D3结合D6及D1

D3提供蓝宝石/LiTaO₃/IDT,D6提供LiTaO₃下方SiO₂的制备,D1提供埋层0.1λ线索。此路线同时跨越直接接合与缓冲层、光学用途与SAW用途、LiNbO₃与LiTaO₃等差异,结合动机比前两条更难成立。建议作为辅助研究路线,避免把三篇部分对应当作充分的创造性结论。

Q值的处理:授权权利要求1没有给出最低Q值。对比文献未报告Q值,并不单独阻止其对结构特征产生贡献;反之,若主张厚度选择仅为常规优化,仍应面对说明书所述能量封闭和Q值效果,核验是否存在可预期效果或相反技术教导。

7 辅助线索与排除结果

7 1 可作背景补充的早期期刊

编号

文献与公开时间

贡献或不宜夸大的原因

S1

Shikata等
IEEE TUFFC 51 1308–1313
2004-10

LiNbO₃/金刚石理论研究,可补强高声速支撑路线;未见埋置低声速层,原刊全文未取得。

S2

Krishnamoorthy与Iliadis
Solid State Electronics 50 1113–1118
2006-06

ZnO/SiO₂/Si的Love波器件,涉及埋层与应变。Si与ZnO均不满足目标材料限定;50 nm/3.2 μm为约0.0156,也不在F5范围。

S3

Shandilya等
J Phys D 41 025108
在线2007-12-21

涉及LiNbO₃与金刚石的温度稳定结构。原论文摘要中的SiO₂是覆盖层,不能对应目标埋层;全文未取得。

 

S2计算依据为出版者结论预览中的同一组50 nm SiO₂层、3.2 μm声波波长。该计算只用于排除该已知例子对F5的直接覆盖,不代表该文献所有实施条件均已排除。

7 2 后公开及类型不合格的命中

线索

已识别的公开时间或类型

处理

Zhou等 LiNbO₃/金刚石/Si

Applied Physics Letters 99
2011年7月
DOI 10.1063/1.3609780

晚于截止日,只作引用追溯

Lu等 ZnO/SiO₂/SiC

Journal of Physics D 53 305102
2020年
DOI 10.1088/1361-6463/ab8324

晚于截止日,且ZnO非目标压电材料

SiO₂/IDT/LiNbO₃/金刚石/Si研究

Micromachines 12 1286
2021年
DOI 10.3390/mi12111286

晚于截止日,并有覆盖层位置差异

LiNbO₃/蓝宝石加SiO₂覆盖层研究

IEEE Ultrasonics会议论文

不列为期刊主证据;不能因二次文献标注[J]而改变类型

 

7 3 本次必须避免的误对应

表面SiO₂覆盖层不等于压电膜下方的SiO₂层;压电膜厚度、电极厚度不等于F5;Si不能因声速较高就替代授权清单中的材料;ZnO或AlN压电膜不属于F3;kh=2πh/λ必须先除以2π才能换成h/λ。使用绝对厚度时,必须有同一实施方案的声波波长依据。

8 检索方法和证据补齐清单

8 1 已执行的主要检索路径

本次通过公开网页检索、出版者和学会页面、Crossref出版元数据、MEDLINE及Europe PMC摘要记录核验候选。先按材料与层序检索,再沿作者、题名、DOI和参考文献追踪。中文、英文检索并行使用;下表为实际执行过的代表检索式,不是数据库命中数量统计。

路径

实际使用的代表检索式或追溯词

目标核验

CN103262410B;读取用户提供的授权PDF权利要求1

高声速支撑

"LiTaO3" "SiO2" "sapphire";"lithium niobate" "silica" "sapphire" acoustic wave 2009

金刚石体系

"LiNbO3" "SiO2" "diamond" surface acoustic wave 2008 journal;"LiNbO3/SiO2/diamond"

埋层与生长

"LiNbO3" "SiO2" "buffer" "acoustic" "2004";"Highly C-axis oriented LiNbO3 thin film on amorphous SiO2 buffer layer"

中文补检

声表面波 铌酸锂 二氧化硅 金刚石 2009 期刊;铌酸锂 二氧化硅 蓝宝石 薄膜 2005

归一化厚度

"LiNbO3/SiO2/Si" before:2011 "thickness";"Temperature stability of c-axis oriented";"LiNbO3" "0.235" "2001"

题名与日期

逐一用论文完整题名及DOI查找出版者、Crossref、作者机构记录;区分在线发表与卷期日期

 

8 2 尚需补齐的核心证据

· 第一优先:D1原刊2267–2273页及图表,核对下侧SiO₂=0.1λ、λ定义、IDT位置和同一参数组合对应的波模。保留原刊出版信息页。

· 第二优先:D2原刊213503全文,核对金刚石基板构造、IDT位置、层厚及其高声速作用;与D1模型逐项比较基板替换的影响。

· 备选路线:D4原刊6077–6082页,核对蓝宝石晶向、膜厚、波模、电极模型和可移用的支撑选材理由。

· 如拟正式提出无效:补充原刊复制件来源、必要中文译文及公开时间证明;结合审查档案核验0.1λ~0.5λ的修改背景和效果证据。

8 3 本次覆盖范围和限制

已取得D3完整原刊PDF;D2、D5至D8核验到摘要或出版者预览;D1、D4的关键技术内容仍依赖摘要转载。部分出版者全文存在订阅或访问限制,本次未绕过访问控制。未声称检索穷尽所有期刊,也未将搜索引擎返回的相似或后公开结果计为有效对比文献。

9 可核验书目与来源

以下书目均以原始期刊论文为引用对象。链接分别指向DOI、当前已读取的摘要或原刊载体、出版日期元数据。C级文献的摘要转载链接仅供复核线索,提交前应换用原刊全文。

[D1] Tomar M, Gupta V, Mansingh A, Sreenivas K. Temperature stability of c-axis oriented LiNbO₃/SiO₂/Si thin film layered structures. Journal of Physics D Applied Physics, 2001, 34(15): 2267–2273. DOI 10.1088/0022-3727/34/15/305.

DOI  |  已读摘要转载  |  出版元数据  |  作者机构出版目录

[D2] Dogheche E, Remiens D, Shikata S, Hachigo A, Nakahata H. High-frequency surface acoustic wave devices based on LiNbO₃/diamond multilayered structure. Applied Physics Letters, 2005, 87(21): 213503. DOI 10.1063/1.2135383.

DOI  |  出版者摘要及日期

[D3] Miura M, Inoue S, Tsutsumi J, Matsuda T, Ueda M, Satoh Y, Ikata O, Ebata Y. Temperature Compensated SAW Devices Using Bonded LiTaO₃/Sapphire. IEEJ Transactions on Electronics Information and Systems, 2007, 127(8): 1161–1165. DOI 10.1541/ieejeiss.127.1161.

原刊PDF  |  期刊书目与日期

[D4] Nishida T, Ibrahim R C, Horiuchi T, Shiosaki T, Matsushige K. Theoretical Study on Surface Acoustic Wave Characteristics of LiNbO₃ Films on Sapphire Substrates. Japanese Journal of Applied Physics, 1997, 36(9B): 6077–6082. DOI 10.1143/JJAP.36.6077.

DOI  |  出版元数据  |  作者机构记录  |  摘要追溯页面

[D5] Wang X, Ye Z, He J, Cao L, Zhao B. The role of SiO₂ buffer layer in the growth of highly textured LiNbO₃ thin film upon SiO₂/Si by pulsed laser deposition. Materials Letters, 2004, 58(27–28): 3597–3600. DOI 10.1016/j.matlet.2004.06.059.

出版者摘要及预览  |  出版元数据

[D6] Wang X, Tian Y, Cao L, Ye Z. Growth of highly oriented LiTaO₃ thin film on Si with amorphous SiO₂ buffer layer by pulsed laser deposition. Materials Letters, 2007, 61(4–5): 1052–1055. DOI 10.1016/j.matlet.2006.06.047.

出版者摘要及预览  |  出版元数据

[D7] He J, Ye Z. Highly C-axis oriented LiNbO₃ thin film on amorphous SiO₂ buffer layer and its growth mechanism. Chinese Science Bulletin, 2003, 48(21): 2290–2294. DOI 10.1360/03ww0053.

出版者页面  |  原刊首页检索载体

[D8] Shikata S, Hachigo A, Nakahata H. Simulation of characteristics of a SiO₂/c-axis-oriented LiNbO₃/diamond surface acoustic wave. IEEE Transactions on Ultrasonics Ferroelectrics and Frequency Control, 2004, 51(12): 1683–1689. DOI 10.1109/TUFFC.2004.1386685.

原论文摘要  |  出版元数据

9 1 辅助期刊文献

[S1] Shikata S, Hachigo A, Nakahata H, Narita M. Simulation of characteristics of a LiNbO₃/diamond surface acoustic wave. IEEE TUFFC, 2004, 51(10): 1308–1313. DOI 10.1109/TUFFC.2004.1350959.

原论文摘要

[S2] Krishnamoorthy S, Iliadis A A. Development of high frequency ZnO/SiO₂/Si Love mode surface acoustic wave devices. Solid-State Electronics, 2006, 50(6): 1113–1118. DOI 10.1016/j.sse.2006.04.033.

出版者预览

[S3] Shandilya S, Sreenivas K, Gupta V. Acousto-optical and SAW propagation characteristics of temperature stable multilayered structures based on LiNbO₃ and diamond. Journal of Physics D Applied Physics, 2008, 41(2): 025108. DOI 10.1088/0022-3727/41/2/025108.

DOI  |  原论文摘要转载  |  在线及卷期日期

9 2 目标专利和分析口径

[P1] CN103262410B,弹性波装置及其制造方法。授权公告2016年8月10日。核对用户提供的授权PDF第2页权利要求1;说明书用于核对声速定义和相关效果。

目标专利

[L1] 国家知识产权局《专利审查指南2010》第二部分第三章及第四章,用于区分新颖性单篇比对与创造性技术启示分析。本报告未对无效程序的全部适用规则、证据形式或最终审查结论作判断。

官方指南2010


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B 权利要求1

互联网档案馆非专利文献无效检索报告

检索日  2026年10月17日
在先公开界限  2010年12月24日之前
对象  中国授权公告文本权利要求1

一  检索结论

本轮在Internet Archive馆藏及开放文件中保留六组有贡献的非专利文献,其中声速手册含两卷。最值得优先利用的是N1、N2关于SiO₂或熔融石英层厚度与波长关系的早期教导,以及N3关于埋置SiO₂层与薄膜换能结构的公开。

尚未找到一篇经核实能够完整公开权利要求1全部限定的非专利文献。现有结果主要可用于创造性论证中的技术启示、参数选择及材料声速补强;仅凭本轮文献,尚不足以作出权利要求1已被单篇非专利文献破坏新颖性或必然缺乏创造性的结论。

顺位

文献组

对无效工作的主要贡献

保留的关键区别

1

N1  Cullen等 1983

SiO₂与LiNbO₃;IDT;实测h/λ约0.42

SiO₂为上覆层,缺少指定高速支撑

2

N2  Vetelino 1980

熔融石英厚λ/4;界面换能器;温度补偿

仍为覆层结构,非目标埋置层序

3

N3  Gunshor等 1984

Si/SiO₂/ZnO薄膜层序及叉指换能器

Si与ZnO不满足目标材料限定

4

N4  声速手册 1980

蓝宝石、金刚石及铌酸锂等材料声速

不公开目标器件组合及厚度

5

N5  Subramanian 1997

蓝宝石支撑、压电薄膜、周期叉指电极

压电膜为ZnO,缺少埋置低速层

6

N6  Collet等 2007

层状Love波、切角及厚度影响传播的理论

材料及层序均不同,属机理背景

时间证据须分层判断。原报告年代、期刊发表日期、arXiv提交日期与IA上架日期分别列示。IA在2013年至2018年入档的事实,不证明其在2010年以前已被网页存档。

二  目标权利要求与检索边界

专利名称为“弹性波装置及其制造方法”,申请号201180059880.4,授权公告日2016年8月10日。授权文本首页记载日本优先权2010-288453,日期2010年12月24日。本轮以该优先权成立为工作前提,主证据截止至2010年12月23日,不独立判断优先权有效性。

权利要求1原文

一种弹性波装置,具有压电膜,所述弹性波装置具备:高声速支撑基板,由氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜或金刚石、或者以这各材料为主成分的材料、以这各材料的混合物为主成分的材料中的任意一者构成;低声速膜,其层叠于所述高声速支撑基板上,且由氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、或者在氧化硅添加了氟或碳或硼而成的化合物、或者以这各材料为主成分的材料中的任意一者构成;所述压电膜,其层叠于所述低声速膜上,由LiTaO₃或LiNbO₃构成;以及IDT电极,其形成于所述压电膜的一面,在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时,层叠于所述高声速支撑基板上且在所述压电膜之下形成的所述低声速膜的膜厚被设为0.1λ~0.5λ的范围。

特征划分

编号

限定

比对要点

A

高声速支撑基板,材料来自权利要求所列选项

氧化铝或蓝宝石、金刚石等可追踪;普通Si不在列举内

B

指定低声速材料的膜在高声速支撑基板上

须位于支撑与压电膜之间;上覆SiO₂不能直接代入

C

低声速膜上的LiTaO₃或LiNbO₃压电膜

ZnO、AlN压电膜不满足此项

D

IDT电极形成于压电膜一面

“一面”可为上表面或下表面;须核实叉指结构

E

上述埋置低声速膜厚0.1λ~0.5λ

λ由IDT电极周期确定;膜的身份和位置须同时满足

原文经用户工作区授权PDF的PDF第2页核对。权利要求1没有独立限定压电膜≤1.5λ、特定切角或某个最低Q值,不能把从属权利要求或实施例条件直接加进权利要求1。高低声速术语的技术含义仍应结合说明书和具体波型解释。

T  授权文本在线核对

三  检索方法与公开时间判断

实际覆盖范围

实际访问Internet Archive Advanced Search、单件Metadata API及开放下载文件;并尝试Internet Archive Scholar和Wayback Machine。以目标层序、材料、叉指电极及h/λ为筛选线索,执行25组馆藏检索式。Q01、Q02扩大返回行数后分别取得503和251条;全轮汇总去重988条馆藏元数据记录,含不相关结果。这是检索返回与关键词筛选范围,并非988篇全文审读。

取得13份开放PDF作为核查池,重点分析六组七份正文;其他全文列入排除或低相关记录。先核对题名与摘要,再针对入选文献阅读结构、材料、尺寸、波长和原始日期页。馆藏creator经常记为Defense Technical Information Center,本报告实际作者以原文封面或登记页为准。

三个时间概念分别记录

时间类型

本轮如何使用

报告或出版物的原始年代

查看封面、Report Date、公开发行标记和文献内引文;可支持在先年代,但不将元数据中的月初默认日直接视为实际公开日。

可独立核查的发表或提交记录

N1关联期刊由AIP目录及Crossref核对1984年1月15日;N6由arXiv v1记录核对2007年11月28日。

IA的addeddate或publicdate

只说明当前馆藏进入档案馆系统的时间,不回溯证明当年的网络可得性。

证据强弱和评价方法

N1报告含同期公开发行标记,其附录论文有1984年期刊发表记录可交叉核对。N6的2007年arXiv公开记录较明确。N2至N5原报告具有早期年代和公开发行标记,适合作为在先文献候选;若用于正式程序,宜取得NTIS、DTIC或同期馆藏的发行与公众可得证明。报告形成或获准公开的日期,并不自动等于已经实际发行的精确日期。

依据专利法第二十二条,现有技术判断要求临界日前已为公众所知。新颖性须在单一文献的同一技术方案内评估;创造性须说明区别、技术问题与结合启示。下文将“材料相同”“数值相交”与“完整公开限定”分别处理。

IA检索入口   |   专利法第二十二条  CNIPA

四  N1  SiO₂膜厚与波长的定量教导

Donald E. Cullen、Gerald Meltz、Thomas W. Grudkowski,Research and Development of Subsurface Acoustic Wave Device Configurations for Sensor Applications,United Technologies Research Center,R83-926157/AFOSR-TR-83-0825,1983年9月。馆藏编号DTIC_ADA133659。

定位:PDF第3~4页为年代与公开发行信息;第32~41页为第4节;附录A为PDF第68~78页。关联期刊论文“Surface and interface acoustic waves in SiO₂/YX-LiNbO₃”,Applied Physics Letters 44(2),182–184,1984年1月15日,DOI 10.1063/1.94701。本轮技术逐字定位采用IA报告及其预印本,未宣称已核读期刊付费全文。

已核实的技术内容

附录A的PDF第69~70页明确说明:先在LiNbO₃上形成延迟线电极图形,再沉积SiO₂膜;采用单电极及双电极叉指换能器,波长12、16和24 μm。第72~73页以及报告第33页末段,将SH波的温度系数零点记为h约0.42λ。短摘录为“at h = 0.42λ”。这一数值处于0.1λ~0.5λ内,且对象确为SiO₂膜厚,不是电极或压电体厚度。

第33页还讨论h约0.4λ时开路与短路边界对泄漏波和束缚波的影响,并提示零温度系数附近对厚度较敏感。该内容可用于说明:优先权日前已经有依据波长选择SiO₂厚度、兼顾温度性能与模式约束的具体技术研究。

对权利要求1的贡献与缺口

方面

结论

B与C的材料关系

直接公开SiO₂/LiNbO₃这一材料界面;但SiO₂在LiNbO₃上方,不是目标埋置层。

D和E的局部教导

明确有IDT和波长定义;SiO₂的h/λ约0.42是可引用的数值先例。不能将其标为E整体已公开。

A及薄膜结构

未公开目标指定的高声速支撑基板/低速膜/LiNbO₃薄膜完整组合。

原文内部差异:报告第33页前部亦出现h/λ=0.405的写法;同页后文及附录第70页把0.405用于开路边界附近的模式截止条件,末段与附录摘要则记实测零温度系数约0.42。本报告保留该差异,采用后两处一致的0.42作数值先例,不把0.405和0.42视为同一测量值。

N1馆藏   |   N1原始PDF   |   关联期刊DOI   |   AIP期次目录

五  N2  四分之一波长介质层教导

J. F. Vetelino,Microwave Surface Acoustic Wave Materials,University of Maine at Orono,Final Scientific Report,1980年2月,合同AFOSR 75-2816,DTIC_ADA082079。PDF第4页为封面,第5页为登记页;第54页对应印刷页45。

关键定位和数值

印刷页45的“Overlays on LiNbO₃ and LiTaO₃ Substrates”小节讨论40 MHz的理论结果。其中较有希望的方案为41.5°旋转切向、X向传播的LiNbO₃,其上采用λ/4厚的熔融石英层,换能器置于层与基板的界面。文中记载零TCV、声速约4000 m/s及耦合值大于0.06。

原文短摘录:“a λ/4 wavelength thick fused quartz layer and the transducer at the layer-substrate interface”。四分之一波长可直接换算为h/λ=0.25,不涉及单位换算假设,也不应与文中其他图的hk混淆;若采用hk,必须先核实k的定义。

贡献的准确边界

该报告使“SiO₂类介质层采用目标区间内厚度以调节声学与温度性能”具有明确早期数值依据。换能器位于界面也有直接文字支持,说明不能仅因电极被介质覆盖就排除压电体“一面”上的电极。

然而,其对象是LiNbO₃基板上的熔融石英覆层,未给出目标高声速支撑材料;也未证明此处为薄的LiNbO₃膜叠在低声速膜之上。该数值属于材料与参数选择教导,不足以完整对应B、C和E的层序。该段对0.25λ方案的表述为理论结果,不在本报告中提升为已实测器件。

比对项

N2内容

可用程度

SiO₂类介质

熔融石英层

直接材料依据

厚度

λ/4,即0.25λ

数值直接落入目标区间

电极位置

介质层/LiNbO₃界面换能器

部分对应;IDT细节须同原文整体核实

目标层序及高速支撑

未在所引方案中找到

缺口保留

与N1的关系:两者研究不同切向或模式,并给出0.25λ和约0.42λ等不同厚度。它们可共同说明波长归一化厚度是既有设计变量;不能据此推断目标三层结构在整个0.1λ~0.5λ范围内必然具有相同效果。

N2馆藏   |   N2原始PDF

六  N3  埋置SiO₂与压电薄膜的层序

R. L. Gunshor、S. Datta、R. F. Pierret,Monolithic Thin Film SAW Structures,Purdue University,Interim Scientific Report,封面日期1984年9月1日,封面编号AFOSR 83-0237,DTIC_ADA149782。以封面日期为准,不把编号中的“83”当作该报告的公开年。

核实到的结构

PDF第11页介绍金属/压电膜/SiO₂/Si单片结构,并说明由压电膜表面的叉指换能器激励声表面波。第12页讨论ZnO/SiO₂/Si中的高阶Rayleigh或Sezawa模式。第16页即印刷页12给出工艺细节:Si基板氧化形成1000 Å绝缘层,随后沉积1.7 μm ZnO,顶面形成铝换能电极;换能区域下方另有铝短路面。

这一公开可作为埋置氧化物膜位于支撑与压电薄膜之间的直接历史证据。换能区域的金属中间层应随结构一并交代,不能将实际局部层系简单改写为无其他层的三层结构。

材料及厚度的限制

特征

N3中查到的事实

与目标的关系

A

支撑为Si

Si不在目标列举材料中

B

埋置SiO₂,1000 Å即0.1 μm

材料和位置有贡献;未完整满足目标A

C

压电薄膜为ZnO

不能代替LiTaO₃或LiNbO₃

D

压电膜表面叉指换能电极

结构思路有直接贡献

E

同例给电极指宽及间隙各17.75 μm

并未直接给出目标低速膜h/λ范围

不采用“1000 Å就是0.1λ”的误读。1000 Å是绝对厚度0.1 μm,λ须由相应换能结构确定。该段的17.75 μm是指宽和间隙,既不是低速膜厚度,也不是可直接代用的λ。即便按相应周期进一步推算,其氧化层也很薄,不能把此例列为0.1λ~0.5λ命中。

报告第7页讨论提高Q值,部分高Q实验还将ZnO限制在换能区域,传播区为SiO₂/Si或裸Si。因此不得把其最高Q值直接归于连续ZnO/SiO₂/Si三层全覆盖器件,更不能据此确认目标材料替换的效果。

N3馆藏   |   N3原始PDF

七  N4与N5  高声速材料及支撑的补强

N4  微波声学手册两卷

A. J. Slobodnik Jr.、R. T. Delmonico、E. D. Conway,Microwave Acoustics Handbook,Volume 3 Bulk Wave Velocities,RADC-TR-80-188;Volume 4 Bulk Wave Velocities Numerical Data,RADC-TR-80-190,1980年。馆藏DTIC_ADA090947与DTIC_ADA092957。

卷3目录和正文包含金刚石、LiNbO₃、LiTaO₃和蓝宝石的体波声速、切向及功率流角。LiNbO₃图位于印刷页122~147,蓝宝石位于187~195;已目视核查印刷页123和188,即PDF第127和192页。相应X平面第一横波曲线显示蓝宝石的速度高于该LiNbO₃曲线;本报告不将读图近似值提升为统一材料常数。

卷4提供对应数值表,目录定位LiNbO₃印刷页153~188、LiTaO₃为189~212、蓝宝石为245~256。卷4前言明确提示,两卷第一或第二横波的标记可能互换,不能直接把相同列名当成同一快慢波。

贡献在于支持选择氧化铝或蓝宝石、金刚石作为高速材料的技术基础。它不提供目标器件的层序、IDT和膜厚,也不能仅凭材料名证明特定切角、工作模式下的声速关系。卷3元数据给1980年5月1日,正文另记1980年5月28日收稿;卷4元数据给6月1日,正文记6月16日收稿。仅采用1980年,不把月初日期认作实际公开日。

N4卷3馆藏   |   卷3 PDF   |   N4卷4馆藏   |   卷4 PDF

N5  蓝宝石支撑的薄膜声表面波器件

Rajan Subramanian,Development of High Frequency Surface Acoustic Wave Devices Using MOCVD ZnO Piezoelectric Thin Films on Sapphire Substrates,RF Monolithics Inc.,STTR Phase I Final Report,合同DAAH04-96-C-0076,1997年9月5日,DTIC_ADA332177。PDF第2页有Report Date及公开发行标记;第3页为摘要。

报告实际制作ZnO/蓝宝石器件。PDF第12页解释周期叉指电极,第24~32页介绍测试结构与IDT;第29页的λ/4标注属于电极设计,不是低声速膜厚度。该文献对A的蓝宝石材料支路、薄膜支撑实践和D有补强意义;压电材料是ZnO且未在该方案中发现目标埋置低速膜,不能完整对应B、C、E。

N5馆藏   |   N5原始PDF

八  N6及逐项覆盖矩阵

N6  层状Love波理论的用途

Bernard Collet、Michel Destrade,IA及arXiv元数据题名Piezoelectric Love waves on rotated Y-cut mm2 substrates;下载PDF题名为Love waves in a piezoelectric layered structure。两者可由arXiv编号0711.4439及作者对应。PDF首页标记v1,2007年11月28日;正文另标2006,arXiv页面列IEEE TUFFC 53,2132–2139及DOI 10.1109/TUFFC.2006.153。

本轮采用可直接核对的2007年arXiv公开节点。论文以Ge层/KNbO₃基体为例讨论层状SH Love波及切角、波长和禁带条件;第1~3页为摘要、引言与模型。其贡献是提醒波导存在条件依赖材料与切向,不能只因材料声速一高一低就断定目标模式必然成立。其材料并非目标LiNbO₃、LiTaO₃,也未公开指定高速支撑及目标IDT膜厚组合,故仅作机理背景。

N6馆藏   |   N6原始PDF   |   arXiv公开历史

覆盖矩阵

“部分”表示只公开材料、数值或结构思路;不等于该项限定整体满足。“未见”仅指本轮核对内容。

文献

A 高速支撑

B 埋置低速膜

C 指定压电膜

D 膜上IDT

E 埋层h/λ

N1

未见

部分
SiO₂为覆层

部分
LiNbO₃基板

部分
基板上IDT

部分
覆层约0.42

N2

未见

部分
熔融石英覆层

部分
LiNbO₃基板

部分
界面换能器

部分
覆层0.25

N3

不符
Si

部分
SiO₂埋层

不符
ZnO

有相应结构
材料不同

未命中

N4

材料声速
补强

未见

材料数据

未见

未见

N5

部分
蓝宝石支撑

未见

不符
ZnO

有相应结构
材料不同

未见

N6

未见

模型背景

不符
KNbO₃

未见

未见

矩阵结论:没有一行同时满足A至E。N1、N2的数值与目标范围相交,不消除覆层与埋层的区别;N3的埋层结构也不能自动补足指定材料。多个局部公开拼接后,仍须单独论证组合动机及波型兼容。

九  对无效论证的具体贡献

参数选择的补充证据

若其他在先文献已公开指定高速支撑/SiO₂/LiNbO₃或LiTaO₃薄膜以及IDT,而主要差异是低声速膜的厚度,则N1与N2可用于论证:优先权日前已知利用波长归一化的SiO₂厚度调节温度系数和声波约束,并已有0.25λ及约0.42λ的具体教导。该路径的贡献明确,但前提是先取得相应三层结构的合格起点。

不能把客观技术问题直接写为“选择0.1λ~0.5λ”;可围绕已识别的技术效果表述为“在既有层状器件中选择介质层厚度,以兼顾温度稳定性和声传播性能”。仍须说明覆层参数为何能够转用于埋层、压电膜厚与边界条件如何改变所用模式,以及目标专利所示效果是否可合理预期。

埋层结构与材料替换的补充证据

N3直接提供支撑/埋置氧化层/压电薄膜/IDT的既有思路;N5展示蓝宝石支撑薄膜SAW实践;N4补充相应高速材料数据。这些资料可用于支持采用埋置层及选择支撑材料具有历史基础。

但是,以N3为起点至少要将Si换为列举高速材料、将ZnO换为LiNbO₃或LiTaO₃,并改变氧化物层的归一化厚度。N5的ZnO/蓝宝石结构没有填补这三项差异。单纯列出可用材料或把多个文献中的优点累加,不足以构成完整创造性论证。因此,本报告不建议仅凭N3、N5、N4和N1的机械组合断言权利要求无效。

证据优先使用顺序

顺序

建议用法

尚需完成的证明

1

N1与N2支持SiO₂厚度参数及相关技术启示

需有满足目标层序和材料的在先起点,并解释覆层到埋层的可迁移性

2

N3支持埋置SiO₂与薄膜IDT结构的历史基础

材料替换、厚度变化以及传播模式兼容性

3

N4与N5支持高速支撑材料选择

具体晶向、体波分支、工作波速及对应器件中的关系

4

N6支持边界与切向影响传播的基础解释

只作机理材料,不作目标组合的直接证据

本轮主文献均为非专利文献;目标专利仅用于确定比对对象。没有把工作目录中既有专利对比文件改列为非专利文献,也没有据其内容填补本轮未找到的非专利公开。

十  年代证据与入档日期

编号

原文或独立公开节点

IA addeddate

本轮判断

N1

1983年9月报告及公开发行标记;关联论文于1984-01-15发表

2018-01-14

在先年代有较强交叉依据;报告全文与期刊版本不宣称逐字相同

N2

1980年2月封面、登记页及公开发行标记

2017-11-09

报告原始年代明确;精确发行日期可补NTIS/DTIC记录

N3

1984-09-01封面;早期DTIC接收及公开发行线索

2018-01-28

采用封面年;不以编号83替代

N4a

1980年报告;正文记1980-05-28收稿

2017-12-07

不采用IA元数据的1980-05-01作精确公开日

N4b

1980年报告;正文记1980-06-16收稿

2017-12-09

不采用IA元数据的1980-06-01作精确公开日

N5

Report Date为9-5-97;公开发行标记及1997年处理线索

2018-04-09

以1997-09-05作为报告日期;实际发行可补证

N6

arXiv v1于2007-11-28提交并公开

2013-09-17

早期网络公开记录可独立复核

Scholar与Wayback的实际返回

Internet Archive Scholar检索“lithium tantalate” sapphire时返回“Rate limit reached”页面;不能视为零命中或已完成Scholar全文检索。

对Purdue托管的2005年Miura论文PDF,以及USE托管的2007年会议论文PDF,使用Wayback CDX,限定to=20101223、statuscode:200,均返回空数组。Available接口对前述Purdue URL和所查J-STAGE URL返回空archived_snapshots。结果仅覆盖本次所查URL及参数,不能推断相应论文当年未公开,或其所有URL从未存档。

这些未取得历史快照的论文不列入本轮“IA已核实全文”的六组主证据。本轮可核实的是当前IA保存的旧文献原件,以及原件或外部出版记录提供的早期年代。

十一  可复核检索记录

检索日2026年10月17日。Advanced Search查询面向馆藏元数据,不等同于全部OCR全文检索。以下T表示 AND date:[* TO 2010-12-23];没有T的查询用于补漏,不因命中而自动视为临界日前公开。每行编号可点击复核实际查询。计数为当时返回的numFound,彼此重叠。

编号

实际检索式简写

返回数

Q01

"surface acoustic wave"  T

503

Q02

"lithium niobate"  T

251

Q03

"lithium tantalate"  T

28

Q04

"acoustic wave" AND sapphire  T

14

Q05

"acoustic wave" AND diamond  T

9

Q06

"acoustic wave" AND "silicon dioxide"  T

7

Q07

"Love wave"  T

43

Q08

"thin film" AND acoustic  T

82

Q09

"guided acoustic"  T

20

Q10

"lithium niobate" AND sapphire

12

Q11

"lithium niobate" AND diamond

7

Q12

"surface acoustic" AND bonding  T

3

Q13

"surface acoustic" AND multilayer  T

3

Q01及Q02另以rows=700、identifier升序复取,分别完整取得503及251条;其余首轮各设rows=150。全轮最大返回数为503,因此扩大后的主要集合不存在超过700条的截断。各集合去重以identifier为准,共988条。

十二  补充查询与排除记录

编号

实际检索式简写

返回数

Q14

"boundary acoustic"  T

2

Q15

"Love waves" AND "silica"  T

0

Q16

"microwave acoustics handbook"

4

Q17

"lithium niobate" AND "silicon dioxide"

2

Q18

"lithium tantalate" AND "silicon dioxide"

0

Q19

"surface acoustic" AND "aluminum nitride"  T

5

Q20

"SAW" AND "LiNbO3"  T

20

Q21

"LiTaO3"  T

30

Q22

"LiNbO3" AND (film OR layer OR sapphire OR diamond)  T

33

Q23

"SAW" AND "bonded"  T

44

Q24

title:("surface acoustic") AND (layer OR thin OR boundary)  T

28

Q25

"isolated layer" AND acoustic  T

0

低相关及易误判材料

材料

处理理由

DTIC_ADA107686  LPE掺杂LiNbO₃与LiTaO₃薄膜  1981

掺杂外延与温度稳定性研究;未据此认定目标埋置层和高速支撑组合。

DTIC_ADA144245及ADA174673  STW温度补偿

着重表面光栅或质量负载;其深度与尺寸不能当成目标低声速膜厚。

DTIC_AD0769972  Sputtered Thin Film Research  1973

主要为ZnO、AlN、TiO₂及光波导结构;不是目标指定压电膜组合。

pubmed-PMC3790998  Love波聚合物导波层  2008

聚合物覆层/LiNbO₃,导波层材料和位置不满足目标B与E。

DTIC_ADA085035  Guided Acoustic Waves  1979

一般理论、周期电极与反射;未取得较六组主文献更直接的目标完整组合。

十三  来源目录与原件校验

下列链接对应本轮实际取得的IA原文及元数据记录。PDF页码均指下载文件顺序;印刷页码和正文段落已另行标明。IA元数据、检索返回及原始PDF保存在本报告所在目录的“证据”子目录。哈希只校验文件身份,不证明公开日期。

N1  Research and Development of Subsurface Acoustic Wave Device Configurations for Sensor Applications

Donald E. Cullen, Gerald Meltz, Thomas W. Grudkowski。原始年代见正文;定位:32–41、68–78。

馆藏   |   PDF   |   元数据

SHA256  de216d919a75133a767b93dfc3dec2f870d15d5c50eafd73b1bba0ebaba436d5

N2  Microwave Surface Acoustic Wave Materials

J. F. Vetelino。原始年代见正文;定位:4–5、54。

馆藏   |   PDF   |   元数据

SHA256  37982ad0009b12c420ecf82821fe9be8eba7f4322b78e058e8252a7a99fae42a

N3  Monolithic Thin Film SAW Structures

R. L. Gunshor, S. Datta, R. F. Pierret。原始年代见正文;定位:3–4、7、11–12、16。

馆藏   |   PDF   |   元数据

SHA256  713d02e7c9b004bc39615889ff5394546121a862af6bbc9c3c2855031ab8fc8d

N4a  Microwave Acoustics Handbook Volume 3 Bulk Wave Velocities

A. J. Slobodnik Jr., R. T. Delmonico, E. D. Conway。原始年代见正文;定位:5、8、127、192。

馆藏   |   PDF   |   元数据

SHA256  a4854c88796a60497753e2138066ec118d4cc15aea1e93446a28be7a8ee1117e

N4b  Microwave Acoustics Handbook Volume 4 Bulk Wave Velocities Numerical Data

A. J. Slobodnik Jr., R. T. Delmonico, E. D. Conway。原始年代见正文;定位:5–11;印刷页153–212、245–256。

馆藏   |   PDF   |   元数据

SHA256  4bb1600a3a9846f6a08019bb2cd35471736451dbf10fd5d15f0144b989c8399a

N5  Development of High Frequency Surface Acoustic Wave Devices Using MOCVD ZnO Piezoelectric Thin Films on Sapphire Substrates

Rajan Subramanian。原始年代见正文;定位:1–3、12、24–32。

馆藏   |   PDF   |   元数据

SHA256  c10dd41525b567435a7738a2bfc356c00557fb8769fb4acedc634a58528d9c7e

N6  Piezoelectric Love waves on rotated Y cut mm2 substrates

Bernard Collet, Michel Destrade。原始年代见正文;定位:1–3及模型推导。

馆藏   |   PDF   |   元数据

SHA256  c8e5efb85fb33c5c2549b9a3d442a321f2e98f151fca6bc1dfaef9b11f845add

T  目标专利以工作区CN103262410B授权PDF首页和权利要求书核对;网络辅助入口见第二节。N1关联期刊DOI及AIP目录见第四节;N6独立提交历史见第八节。法律依据链接见第三节。


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B 权利要求1

arXiv 公开文献无效检索报告

优先权日 2010年12月24日    检索日期 2026年10月17日

1 检索结论

本轮在 arXiv 中检出5篇在截止日前公开、可对部分技术特征或技术原理提供帮助的论文,另保留1篇铌酸锂薄膜制备背景文献,并追加核查3篇Love波传感器论文。最有价值的补强方向为多层结构的声波约束原理,以及铌酸锂表面叉指电极与声波波长的关系。

尚未检出能够独立完整公开权利要求1的单篇文献,也未形成仅凭本轮 arXiv 文献即可闭合的创造性无效证据组合。主要缺口是指定材料的高声速支撑基板与低声速膜及铌酸锂或钽酸锂膜的同一层叠结构,以及以IDT周期确定的低声速膜厚0.1λ~0.5λ限定。

文献

可贡献的内容

建议用途

D1

声速差 多层声波约束 布拉格隔离

优先保留 作为原理补强

D2

压电分层Love波 厚度对色散的影响

理论背景辅助

D3

LiNbO₃表面IDT 电极间距与波长

优先保留 作为局部特征证据

D4

LiNbO₃基片上的IDT声波器件

补充佐证 固定引用v1

D5

Si与SiO₂及ZnO的SAW层叠器件

架构启示 需补材料及膜厚证据

D6

亚微米LiNbO₃膜的离子切片及键合

仅背景 与本案结构差异明显

 

本报告以授权公告文本的权利要求1为分析对象,按用户指定优先权日设定截止,不对优先权是否成立作独立判断。文献“有贡献”指可证明局部事实或提供技术启示,不等于已足以宣告无效。

2 目标权利要求及检索要点

目标专利名称为弹性波装置及其制造方法,申请号201180059880.4,申请日2011年12月20日,授权公告日2016年8月10日,著录优先权为日本申请2010-288453,2010年12月24日。[P1]

授权权利要求1原文

一种弹性波装置,具有压电膜,所述弹性波装置具备:

高声速支撑基板,由氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜或金刚石、或者以这各材料为主成分的材料、以这各材料的混合物为主成分的材料中的任意一者构成;

低声速膜,其层叠于所述高声速支撑基板上,且由氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、或者在氧化硅添加了氟或碳或硼而成的化合物、或者以这各材料为主成分的材料中的任意一者构成;

所述压电膜,其层叠于所述低声速膜上,由LiTaO₃或LiNbO₃构成;以及IDT电极,其形成于所述压电膜的一面,

在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时,层叠于所述高声速支撑基板上且在所述压电膜之下形成的所述低声速膜的膜厚被设为0.1λ~0.5λ的范围。

编号

必须同时审查的特征

F1

高声速支撑基板及权利要求列举的材料或主成分材料

F2

列举材料的低声速膜位于高声速支撑基板上

F3

LiTaO₃或LiNbO₃压电膜位于低声速膜上

F4

IDT形成于压电膜的一面

F5

上述低声速膜厚0.1λ~0.5λ 且λ由IDT电极周期确定

 

检索解释:硅Si不在F1列举材料内;AlN作为压电层出现不等于其作为支撑基板出现;薄膜位于压电体上方与位于其下方应分别判断;本案F5是低声速膜厚,不能用压电膜厚代替。[P1]

3 检索范围与可复核检索式

核心数据库为 arXiv。站内高级检索采用全部领域、包含交叉分类、首次公告日期截至2010年12月23日、按首次公告日期降序、每页最多200条。下表检索式中的英文引号表示短语检索;每行编号链接可直接复核相同检索条件。

编号

站内检索式

返回条数

Q01

"surface acoustic"

145

Q02

"Love wave"

4

Q03

"lithium niobate" AND film

2

Q04

LiTaO3 OR "lithium tantalate"

21

Q05

piezoelectric AND layer

61

Q06

acoustic AND diamond

11

Q07

acoustic AND sapphire

4

Q08

LiNbO3 AND SiO2

2

Q09

acoustic AND "silicon carbide"

1

Q10

"guided waves" AND piezoelectric

1

Q11

niobate AND acoustic

6

Q12

acoustic AND SiO2

9

Q13

acoustic AND AlN

2

Q14

"high velocity" AND acoustic

3

 

本轮上述站内检索共返回272条记录,按arXiv编号合并为262篇。返回数量只反映本次页面结果,不是数据库穷尽性声明。另以网页检索补查材料同义词、相关作者及已知题名,随后返回arXiv版本页核实。

筛选路径为题名与摘要初筛、材料与层次位置复筛、原文页码核查、首次公开及版本检查。站内“全部领域”主要检索元数据,并不等于对所有PDF全文作穷尽检索。未命中也可能源于化学式写法、连字符、摘要用词及收录范围。

4 文献目录与时间证据

编号

arXiv编号及版本

v1记录日期

首次公告月份

PDF页数

D1

0811.3954v1

2008-11-24

2008-11

23

D2

0711.4439v1

2007-11-28

2007-11

22

D3

0712.3899v1

2007-12-23

2007-12

3

D4

1009.5798v1

2010-09-29

2010-09

9

D5

0805.0930v1

2008-05-07

2008-05

6

D6

0705.2392v1

2007-05-16

2007-05

15

 

上表“v1记录日期”取自论文页面Submission history,是原始提交记录;“首次公告月份”结合站内首次公告筛选结果核对。二者不能简单等同为精确到日的公众可得时刻,但所列月份均早于本案截止日。正式使用时宜一并固定版本页、首次公告记录及对应PDF。

D1  Piezoacoustic wave spectra using improved surface impedance matrix: Application to high impedance-contrast layered plates

Victor Y. Zhang,Bertrand Dubus 等    版本记录    v1全文

D2  Piezoelectric Love waves on rotated Y-cut mm2 substrates

Bernard Collet,Michel Destrade    版本记录    v1全文

D3  Annular interdigital transducer focuses piezoelectric surface waves to a single point

Vincent Laude,Davy Gérard 等    版本记录    v1全文

D4  Acoustically driven ferromagnetic resonance

Mathias Weiler,Lukas Dreher 等    版本记录    v1全文

D5  On-Chip Hotplate for Temperature Control of Cmos Saw Resonators

Anis Nordin,Ioana Voiculescu 等    版本记录    v1全文

D6  Electro-optically tunable microring resonators in lithium niobate

Andrea Guarino,Gorazd Poberaj 等    版本记录    v1全文

版本提示:D4的v2为2011年4月6日,晚于截止日,本报告技术对照仅使用v1。D2网页题名与v1 PDF内题名Love waves in a piezoelectric layered structure不同,以同一arXiv编号及版本进行绑定。页码均按下载PDF的物理页顺序计数,包含首页,不沿用期刊重排页码。

5 D1 多层结构声波约束的优先补强文献

D1为0811.3954v1,原始提交记录2008年11月24日,2008年11月首次公告。其价值集中在多层材料声速差、色散及能量约束原理。[D1]

已核实的原文位置

PDF位置

公开内容

第3页 引言

AlN压电层与W及SiO₂构成多层结构 以布拉格耦合层隔离谐振器和基板

第10页 第IV节

AlN层厚1 μm W层238.79 nm SiO₂层278.81 nm 讨论厚度模设计

第12至14页 图3至5及结论

分析慢层内声波约束及堆叠次序和相对厚度对模式的影响

第18页 表I

AlN横波声速5796 m/s SiO₂为3655 m/s W为2887 m/s

 

能够贡献的技术事实

D1表明,通过分层材料及相对厚度设计可以改变导波模式与约束。它还提供同一分析条件下AlN与SiO₂的声速数据,可辅助说明两者存在声速差。结论中的短语“confined in the slow W-layer”说明该文主要约束对象是慢速W层,而非本案压电膜。[D1,第14页]

与权利要求1之间的缺口

AlN在D1中是压电工作层,没有作为本案F1的支撑基板;压电材料不是F3的LiTaO₃或LiNbO₃。W与SiO₂反射堆叠及上下电极的结构,也没有直接公开本案三层结构和IDT。因而D1只能作为声速差与层厚设计的补充,不能标为完整公开F1至F4。

F5尤其不能直接套用。第10页所述四分之一波长设计涉及厚度方向体波与布拉格层;本案λ由IDT周期确定,是沿传播方向的弹性波波长。原文未给出将两者等同的依据。即使利用文中数值算得某个厚度比落在0.1~0.5之间,也不能据此证明本案F5已公开。

建议用途:在另有较接近本案完整层叠结构的主证据时,用D1解释为什么本领域会研究材料声速差和相对层厚。尚需主证据、具体结合动机以及在本案材料体系中选择膜厚范围的证据。

6 D2与D3 理论背景及叉指电极证据

D2 分层Love波理论

0711.4439v1,Bernard Collet与Michel Destrade,2007年11月28日提交,首次公告2007年11月。PDF第1至3页介绍有限厚介电层覆盖半无限压电基底的导波结构;第3页图1明确层次位置;第4至6页推导含波数与层厚乘积kh的关系,第15至17页给出Ge层和铌酸钾基底的数值讨论。[D2]

贡献在于说明导波色散与层厚及传播条件有关,可作为参数设计的理论背景。但它是介电覆盖层在上、压电基底在下的结构,材料为Ge与铌酸钾,且使用表面金属化边界条件。该边界不是叉指电极,也不是本案指定材料的高声速基板及压电薄膜结构。

kh是无量纲量。按通常波数定义,可以将其与厚度波长比作数学换算;这种换算本身不能证明本案特定低声速中间膜的0.1λ~0.5λ已经被该文公开或选定。D2不作为新颖性主证据。

D3 铌酸锂IDT及波长关系

0712.3899v1,Vincent Laude等,2007年12月23日提交,首次公告2007年12月。PDF第2页图2d及相邻正文给出环形IDT设计,说明相邻异电位电极间距为该方向声波波长一半的同步条件;同页实验采用Y切和Z切LiNbO₃基片,平均声波波长50 μm,电极指对数200。[D3]

其可用于证明LiNbO₃表面IDT与电极间距确定声波波长的既有技术事实,重点补强F4及F5中“λ由电极周期确定”的定义部分。相邻异电位电极间距与完整电极周期有倍数差异,实际对照时须统一周期口径。

D3采用铌酸锂基片,不能把其直接解释成F3中位于低声速膜上的铌酸锂膜。文中没有本案高声速支撑基板、低声速中间膜及其厚度范围。环形电极的面内聚焦也不等于本案沿厚度方向减少向基板泄漏的约束。

建议用途:D3作为IDT及周期波长关系的局部证据优先保留。D2仅提供分层导波背景,二者相加仍不能填补F1、F2、F3的完整层次位置及F5的数值范围。

7 D4与D5 器件佐证及层叠架构启示

D4 2010年原始版本的铌酸锂声波器件

1009.5798v1,Mathias Weiler等,2010年9月29日提交。PDF第1页图1示意两个IDT;第3页明确器件是在Y切LiNbO₃基片上沉积Ni薄膜,IDT将周期性射频电势转换为表面形变,并激发及检测声波。[D4]

它独立佐证截止日前LiNbO₃材料与表面IDT配合工作的技术事实。但Ni薄膜是铁磁功能层,不能对应低声速膜;LiNbO₃为基片,不能对应本案位于中间膜上的压电薄膜;F1与F5均未得到补足。该文的主要目的为声驱动铁磁共振,结合到本案层叠谐振器时仍需说明技术问题和改造理由。

版本控制:当前无版本号入口可指向2011年的v2。所有页码及上述事实均从本次下载的9页v1核对,不能以v2或2011年期刊版本中的新增内容补写本案在先公开。

D5 硅与氧化硅及压电层的SAW器件

0805.0930v1,Anis Nordin等,2008年5月7日提交,首次公告2008年5月。PDF第1页图1和图2给出CMOS SAW器件及截面,含Si基底、SiO₂、金属电极和ZnO压电层;第1至2页正文说明后加工集成ZnO,并将谐振频率关联到IDT周期。[D5]

可贡献的内容是氧化硅与压电层集成、在压电层界面设置IDT以及通过电极周期控制声波的器件设计背景。其温度控制方案主要采用加热器;不能把加热稳定效果直接归因于本案的低声速中间层。

关键差异:Si支撑不在F1材料清单中;ZnO不在F3压电膜材料清单中;存在CMOS金属及加热结构,不能直接认定为本案相同层叠;未公开F5的SiO₂膜厚与λ比值。IDT位于ZnO下侧并不当然排除F4,因为本案写的是“一面”,但仍不能由此认定完整权利要求已公开。

建议用途:D5适合作为氧化硅与压电薄层结合的架构启示。若用于组合论证,至少还需证据支持将Si换成权利要求指定高声速支撑材料、将ZnO换成LiNbO₃或LiTaO₃,并选择本案膜厚范围。

8 权利要求1的逐项对照与证据缺口

表中“局部”表示只公开该行的部分构成、材料或定义;“原理”表示理论启示;“未见”表示本次核查未发现对应公开。任何单元格均不表示文献已公开完整权利要求。

特征

D1

D2

D3

D4

D5

F1 指定高声速支撑

原理
AlN声速

未见

未见

未见

未见
采用Si

F2 指定中间膜及位置

局部
SiO₂参与多层

原理
上覆介电层

未见

未见

局部
SiO₂层

F3 膜材料及层次

未见
采用AlN

未见
铌酸钾基底

局部
LiNbO₃基片

局部
LiNbO₃基片

未见
采用ZnO

F4 压电膜一面的IDT

未见
上下电极模型

未见
金属化边界

局部
基片表面IDT

局部
基片表面IDT

局部
ZnO界面IDT

F5 低速膜厚与IDT定义λ

未见
体波λ不同

原理
kh色散

仅λ定义
无中间膜厚

周期激励
无中间膜厚

仅周期关系
无膜厚比值

 

材料相同仍须核查所在层及功能

D1出现AlN和SiO₂,D3及D4出现LiNbO₃,不能将三个材料名称跨文献拼接后视为同一层叠结构。尤其D1的AlN是压电工作层,D3及D4的LiNbO₃是基片,均与本案相应材料的层次角色不同。

需要填补的两个核心缺口

第一,找到同一实施例中明确采用F1清单材料作高声速支撑、以F2材料作中间低声速膜、其上为LiNbO₃或LiTaO₃膜并设置IDT的文献。现有arXiv命中尚未给出这一完整关系。

第二,取得该中间膜的厚度与IDT周期的对应数值,或能直接推导该比值的实施例。需要确认电极周期口径、传播方向和模式。布拉格体波层厚、光学波长或压电膜厚均不能直接替代本案F5。

后续应围绕同一材料体系中的耦合、泄漏及温度特性寻找具体参数研究。当前证据不足以支持将该膜厚范围直接归结为常规优化。

9 无效论证路径的可用性评估

单篇文献攻击新颖性

本轮不推荐将D1至D5中的任何一篇标为完整破坏权利要求1新颖性的主证据。每篇均缺少多个必要特征,其中F1与F3的层次角色,以及F5的膜厚定义和范围尤其关键。对照应保留全部限定,不将说明书中更宽的概括替换授权权利要求。[P1,L1]

以D1结合D3研究创造性

可以提炼的启示为:D1说明分层及声速差影响导波和能量约束;D3说明LiNbO₃表面IDT可按电极间距确定声波波长。两者主题具有声波器件层面的联系。

但这一路径仍要求改变D1的压电层材料与电极形式、重新配置支撑与低声速层,并选择0.1λ~0.5λ膜厚。两篇之间尚未发现完成这些改造的具体提示,不能据此形成已闭合的创造性否定结论。D4可佐证IDT应用,不能补足上述结构及参数缺口。

以D5结合D1及D3研究创造性

D5可作为氧化硅与压电层集成的出发点,D1提供声速差和约束背景,D3提供LiNbO₃表面IDT事实。需要论证的改造至少包括支撑Si的替换、ZnO的替换、层次关系及膜厚范围。现有命中没有同时给出这些替换的理由和在本案工作模式下可预期的结果,本报告仅将其列为进一步寻找证据的路线。

下一步优先取得的证据

优先寻找2010年12月24日前涉及LiNbO₃或LiTaO₃薄膜转移至AlN、Al₂O₃、SiC、Si₃N₄或金刚石支撑的声波器件,并核实中间SiO₂等膜的厚度、IDT周期及实测或仿真结果。目标专利首页已有若干对比专利,可作为后续外部检索入口,但本轮没有将它们混入arXiv命中统计。

本轮建议:保留D1、D3与D5作为补强资料,D2与D4作辅助。当前arXiv结果能够帮助收窄争点和组织技术背景,不能据此承诺权利要求1可被无效。

10 追加核查的Love波传感器文献

为核查是否存在可直接使用的低声速导波膜厚数值,又从站内命中中追加下载并检查以下3篇论文。它们提供SiO₂覆盖层或传感器背景,但未补足本案中间膜的层次位置及0.1λ~0.5λ范围。以下比例为本报告按论文给定尺寸计算。

S1 氧化硅导波覆盖层及具体厚度

Laurent Francis,Jean-Michel Friedt等。Influence of electromagnetic interferences on the gravimetric sensitivity of surface acoustic waveguides。arXiv:physics/0307122v1,2003年7月24日提交,首次公告2003年7月。[S1]

v1 PDF第12至13页给出ST切石英基片、1.2 μm厚的SiO₂上覆盖层,以及40 μm电极定义周期。按这两项尺寸计算,膜厚与周期比为0.03,低于本案0.1的下限。材料层位于压电基片上方,也不是本案位于压电膜之下的中间膜。可辅助说明低声速覆盖层导波背景,不能用该实施例直接证明F5。

S1 版本记录    v1全文

S2 另一SiO₂覆盖层器件

Jean-Michel Friedt,Laurent Francis。Combined surface acoustic wave and surface plasmon resonance measurement of collagen and fibrinogen layers。arXiv:physics/0310096v1,2003年10月20日提交,首次公告2003年10月。[S2]

v1 PDF第9至10页给出石英基片、1.13 μm厚SiO₂导波层与IDT标称波长40 μm。按文中尺寸计算的比值为0.02825,亦不在本案范围。蛋白吸附层的纳米厚度是被测对象,不能代换本案低声速膜厚。2016年的v2晚于截止,本轮仅使用49页的v1。

S2 版本记录    v1全文

S3 软吸附层测量及建模背景

Laurent Francis,Jean-Michel Friedt,C. Zhou,P. Bertrand。In Situ Evaluation of Density, Viscosity and Thickness of Adsorbed Soft Layers by Combined Surface Acoustic Wave and Surface Plasmon Resonance。arXiv:cond-mat/0311660v1,2003年11月28日提交,首次公告2003年11月。[S3]

v1 PDF第2至3页及第10页介绍Love波和表面等离激元联合测量,并示意石英与SiO₂传感结构。其厚度测量对象为吸附软层,不能对应本案中间膜。本轮仅核查10页v1。

S3 版本记录    v1全文

11 背景文献及不纳入主证据的结果

D6 薄膜制备已有技术背景

D6为0705.2392v1,2007年5月16日提交。其题名与作者见第4节。PDF第2页图1及第3页正文给出LiNbO₃薄膜通过BCB聚合物键合至LiNbO₃晶片、上覆SiO₂的光学微环器件;第7页方法部分补充制备步骤。[D6]

它能说明亚微米LiNbO₃薄膜的离子切片及键合在截止日前已有研究。但支撑材料为LiNbO₃,底部是BCB,SiO₂位于上方,电极用于电光调谐;并未公开本案高声速支撑及下置低声速膜与IDT。光学波长也不是本案λ。因此D6仅作制备背景,不作为无效主证据。

其他初筛结果及排除原因

编号

arXiv及v1日期

排除原因

E1

0712.1566
2007-12-10

摘要为LiNbO₃晶片板波研究 未给出本案指定中间层及支撑结构

E2

0805.3884
2008-05-26

薄膜拉曼及发光研究 不能据摘要认定含本案声波器件结构

E3

0811.4024
2008-11-25

预应变新胡克固体中的大振幅Love波 不是本案压电器件

E4

1810.01749
2018-10-01

与约束声波相关 但首次公开晚于截止日

E5

2307.05742
2023-07-11

薄膜LiNbO₃及蓝宝石相关 但首次公开晚于截止日

 

E1至E5按题名与摘要及版本页筛除,未列为已完成全文特征对照的文献。晚公开文献只能帮助识别术语或追踪更早参考文献,不能以其自身内容补写本案截止日前的公开。

E1 Plate Acoustic Waves in ZX-cut Lithium Niobate

E2 Resonant Raman of OH/OD vibrations and photoluminescence studies in LiTaO3 thin film

E3 Large-amplitude Love waves

E4 Highly confined Love waves modes by defect states in a holey SiO2 /quartz phononic crystal

E5 Thin-Film Lithium Niobate Acoustic Resonator with High Q of 237 and k2 of 5.1% at 50.74 GHz

12 来源与证据留存说明

目标文本及判断依据

[P1] 国家知识产权局授权公告文本 CN103262410B。已与工作区提供的授权PDF权利要求书第1页及权利要求1文档核对。在线复核入口:Google Patents中文授权文本

[L1] 国家知识产权局 中华人民共和国专利法 2008年修正 第二十二条。用于新颖性 创造性及现有技术的一般判断框架;本报告并未展开现行程序法适用或完整无效请求书撰写。国家知识产权局公布文本

论文原文定位与下载一致性

D1至D6的题名、作者、固定版本链接与日期见第4节,技术定位见第5至7节及第11节;S1至S3见第10节。随本次工作保存了对应v1 PDF、文本提取文件和arXiv版本网页。以下为D1至D6 PDF的SHA256校验值,用于核对本次留存文件,不证明历史公开日期。

D1  D1_0811.3954v1.pdf

d6d87b0cb0dd201363b341f69e656de2d36c86b32b10825d8ea5f0e374218b72

D2  D2_0711.4439v1.pdf

fb2bc77b798d0cf928ab97d0073dc3587f0f9e53f8306686f2e8a58266f4adf0

D3  D3_0712.3899v1.pdf

c1da8a3351e40c76c519a90a2977f6b66f1042fa184c3559dcfaf647c2dcaedb

D4  D4_1009.5798v1.pdf

e0c1d05f4eb1ebbf5a23403afa0f1e8c51641b1e6e836fcde83fb73a363a6ac4

D5  D5_0805.0930v1.pdf

8f136aa3b3cd9951ca20dacc49d868ef438f90bf64d18a5ef4236d2ead066429

D6  D6_0705.2392v1.pdf

916a862b4e5f24647446a202d13b4cab8ffb7e1d2356a50228f83f30d0299544

可复核材料的位置

本报告目录中的“证据”文件夹保存论文全文及版本网页;“工作文件”保存检索页面、native_search_announced.json检索日志及evidence_manifest.json下载记录。第3节各检索式附在线复核链接。

访问记录:arXiv API最初返回HTTP 429,随后采用站内检索;一次连接失败已重试成功。最终以首次公告日期筛选,避免后来修订造成早期文献漏检。

公开时间证据应与被引用的具体版本保持对应。正式提出无效请求前,宜按实际使用的事实补充必要中文译文、历史公开证明及文件完整性固定材料。本文结论限于本轮arXiv检索,未命中不等于相关技术从未公开。


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B 权利要求1无效检索报告

检索日期 2026年10月17日。检索对象为谷歌专利中的专利文献,公开日界限为严格早于2010年12月24日。中、英、日、法、德、韩六种语言分别完成30轮,共180轮;完整检索式、调整理由、结果和来源记录随附。

一 检索结论

本次最接近的单篇候选为DE102005055871A1,2007年5月24日公开。其一般结构明确给出Al₂O₃第二支撑基板、LT/LN第一压电层、SiO₂中间介质、界面梳齿电极,且介质厚优选0.15λ至0.5λ,与目标范围重叠。该文应优先用于单篇新颖性对比复核。[D16]

D16仍有两项需要论证:其支撑的体波速度与压电层工作弹性波速度是否满足目标“高声速”定义,以及其λ与IDT周期的明确对应。低介质层比两侧基片慢,并不单独证明前一比较。报告据此将它列为最强单篇候选,尚不直接认定权利要求1已被完整破坏新颖性。

另有WO2009133655A1和CN101030764A,直接给出SiO₂的0.4λ或0.33λ、0.38λ、0.42λ、0.45λ,并包含SiN或Al₂O₃高声速介质。它们的数值贡献很强,主要待证处是高声速介质层能否对应“支撑基板”,以及压电基板与权项“压电膜”的关系,不能只因示意图朝向而排除。[D20][D22]

创造性备选包括JPH06326553A与CN101777622A:前者明确公开高速支撑、下置SiO₂、LN薄板、梳齿电极及中间膜厚0.5λ和0.1λ端点;后者明确给出金刚石/SiO₂/LN材料配合和调节SiO₂厚度改善温度稳定性的理由。D1的非晶碳身份、D2缺实际IDT周期等不足均保留。[D1][D2]

法德交叉检索追到FR2788176A1,2000年7月7日公开,其一般方案及从属权利要求给出蓝宝石/SiO₂结合层/LT或LN和叉指电极,并讨论支撑材料中的体波声速高于压电材料中的体波声速;与工作弹性波速度的对应仍需核验。该文与D1的组合为另一条SAW路线,其数百Å结合层尚不直接对应F5。[D15]

优先级

证据路线

主要贡献及待解决问题

首选

D16单篇

材料、层序、界面IDT和重叠膜厚均接近;优先补核高声速定义及λ基准。

重要

D20、D22单篇

介质材料、界面IDT及归一化膜厚明确;支撑基板与压电膜的角色对应是主要争点。

备选

D1与D2

同为SAW结构;D1给电极和下膜厚端点,D2给限定的金刚石材料配合。需论证支撑替换及具体声速关系。

并行

D15与D1

D15给蓝宝石、SiO₂、LT/LN、IDT及高速支撑思路;D1补膜厚端点。需处理结合层厚度及声学作用的适用性。

备选

D2与D3

D3有下置SiO₂的0.10λ、0.13λ、0.16λ及0.103λ至0.175λ范围;Lamb模式和支撑条件的差异需要说明。

辅助

D4或D5与D1

D4有蓝宝石与SiO₂中间膜路线,D5有Al₂O₃或AlN与玻璃中间层路线;结合膜厚教导时仍要说明材料与作用的对应。

 

二 目标权利要求及检索边界

以用户提供的授权PDF权利要求书第1页和权利要求1.docx相互核对,分析对象为授权权利要求1。目标专利申请号为201180059880.4,申请日2011年12月20日,主张日本2010年12月24日优先权;本次沿用用户指定的优先权日作为固定检索界限。授权公告日为2016年8月10日。

特征

授权权利要求1的必要内容

F1

高声速支撑基板。材料为AlN、Al₂O₃、SiC、SiN、SiON、DLC膜、金刚石,或以所列材料或其混合物为主成分的材料。

F2

层叠于该支撑基板上的低声速膜。材料为氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、F/C/B掺杂氧化硅,或以这些材料为主成分的材料。

F3

层叠于低声速膜上的LiTaO₃或LiNbO₃压电膜。

F4

形成于压电膜一面的IDT电极。

F5

λ由IDT电极周期确定,位于高声速支撑基板之上且压电膜之下的低声速膜厚度为0.1λ至0.5λ。

 

检索时同时核对材料、层位、声速含义及波长基准。说明书对高低声速的解释涉及支撑材料中的体波、压电膜中的弹性波或体波,具体模式和各向异性会影响对应。仅看到“高阻抗/低阻抗”或材料名称,尚不足以直接代替声速比较。

权利要求1未限定压电膜的具体厚度、晶向、单晶结构或Q值,因而本报告不引入从属权利要求的数值限定。IDT可以位于压电膜任一面,包括与下层接触的界面。装置存在额外层也不当然排除对应,但应分清高声速膜与另设基底的结构是否真正公开了本项所称的高声速支撑基板。

对F5,原文明确给出的范围内单点、共有端点或重叠范围都有检索贡献,需结合全部特征评价。若采用kh=2πh/λ归一化,则h/λ=0.1至0.5对应kh约0.6283至3.1416;电极厚度、压电膜厚度、上方帽层厚度或材料内部另一种声波的波长比例均不直接等于F5。

三 检索方法及六语策略

每一轮均独立调用一个子代理执行,依据上一轮的命中、噪声或证据缺口调整检索式。三名检索子代理按两批语言复用,每轮仍为一次独立任务调用;另对网络故障轮作补检修复,不增加180轮计数。主代理负责权项解释、跨语言去重、重点文献复核及报告编制。

检索语言

完成轮数

完整记录范围

中文

30

ZH_01 至 ZH_30

英文

30

EN_01 至 EN_30

日文

30

JA_01 至 JA_30

法文

30

FR_01 至 FR_30

德文

30

DE_01 至 DE_30

韩文

30

KO_01 至 KO_30

 

最初使用谷歌专利数据库检索接口并保留原始JSON;接口持续返回503后,改用限定patents.google.com的网页检索入口及谷歌专利文献正文。两种入口均在逐轮记录中标明。网页的before条件或公开号前缀并未始终可靠筛除后公开文献,最终纳入与否均另核文献公开日。

六种语言是检索式用语,未将其机械等同于六个申请局。检索中使用了材料名称、低声速/中间层/缓冲层/接合层、归一化膜厚、IDT与波长,以及H03H9/02574等分类入口;随后转向引证文献、同族和分案。以下列示真实执行的代表式,其余逐轮变化见完整日志。

中文代表式 ZH_08

LiNbO3 SiO2 金刚石 多层压电膜 制备 CN101777622

英文代表式 EN_02

("lithium tantalate" OR "lithium niobate") ("low acoustic velocity" OR "low sound velocity") ("silicon dioxide" OR silica)

日文代表式 JA_20

非晶質炭素 酸化珪素 直接接合 表面弾性波 before:2010-12-24 site:patents.google.com

法文代表式 FR_17

silice carbone "ondes de surface" lithium before:2010-12-24 site:patents.google.com

德文代表式 DE_01

Oberflächenwellen Lithiumniobat Siliziumdioxid Diamant before:2010-12-24

韩文代表式 KO_05

산화실리콘 표면탄성파 다이아몬드 두께 site:patents.google.com before:2010-12-24

语言

主要贡献及筛除方向

中文

明确金刚石/SiO₂/LN材料方案D2;核中文授权件与A件时间区别。

英文

复核复合基板、接合中间膜和Lamb厚度方案;区分绝对厚度与归一厚度。

日文

追到D1原始公开及膜厚端点;核DLC、非晶碳、分案与层位。

法文

核D15原始材料依附链和IDT;排光学波导、BAW平板电极及上覆盖层噪声。

德文

找到D16单篇结构和0.15至0.5λ范围;追GBAW同优先权分支及λ定义。

韩文

交叉复核边界波、玻璃接合及金刚石路线;区别高介质覆盖层与实际支撑基板。

 

跨语言发现同一公开件、译文页面或同一技术来源时,按重复线索处理。JPH06326553A与后续分案JP2003273691A归为同一技术来源,不能作为两份独立教导叠加。每轮的零新增和排除理由均保留;检索式文本去重不意味着全部结果互不重叠。

四 核心文献及技术特征对比

编号

公开文献

公开日

核心用途

D16

DE102005055871A1

2007-05-24

最接近的单篇结构与膜厚候选

D20

WO2009133655A1

2009-11-05

0.4λ、IDT周期及高低声速

D22

CN101030764A

2007-09-05

Al₂O₃介质及0.33至0.45λ实测点

D1

JPH06326553A

1994-11-25

下置SiO₂与SAW膜厚端点

D2

CN101777622A

2010-07-14

限定的金刚石/SiO₂/LN层序

D3

WO2010004741A1

2010-01-14

下置SiO₂归一化厚度范围

D4

JP2004343359A

2004-12-02

蓝宝石与SiO₂接合中间膜

D5

JP2002016468A

2002-01-18

Al₂O₃或AlN与玻璃接合层

D6

US20100156241A1

2010-06-24

支持材料备选及背面SiO₂

D7

JP2007228225A

2007-09-06

DLC支撑与温补层辅助线索

D15

FR2788176A1

2000-07-07

高速支撑、分子结合及IDT路线

 

编号用于文献对照。下表的“明确”指已核相关材料或配置的文字公开;高低声速比较、膜与基板角色及完整组合仍应结合下文审查。D16的材料及厚度对应较完整,但其声速及λ的解释尚未被本报告当作已经证明。

文献

F1支撑

F2下膜

F3压电

F4电极

F5厚度

D16

Al₂O₃备选;速度待核

SiO₂低速明确

LT/LN明确

界面梳齿明确

0.15至0.5λ;λ待核

D20

SiN介质;支撑待证

SiO₂明确

LT基板;膜角色待释

界面IDT

0.4λ及明确周期

D22

Al₂O₃介质;支撑待证

SiO₂明确

LN基板;膜角色待释

界面IDT

0.33/0.38/0.42/0.45λ

D1

DLC身份待证

SiO₂明确

LN明确

梳齿明确

0.1/0.5端点

D2

金刚石明确

SiO₂明确

LN明确

仅一般背景

无λ不能算

D3

仅例Si

SiO₂明确

LT/LN

梳齿明确

明确范围

D4

蓝宝石等

SiO₂备选

LT/LN

IDT明确

缺失

D5

Al₂O₃/AlN

玻璃明确

LT/LN

IDT明确

缺失

D6

限定材料备选

背SiO₂备选

LT/LN

器件应用背景

无λ不能算

D7

DLC等备选

下温补层备选

LT/LN备选

IDT明确

层及λ基准不同

D15

蓝宝石备选

SiO₂明确

LT/LN备选

叉指明确

数百Å无比例

 

D16 最接近的单篇候选

D16  2007-05-24  DE102005055871A1 导引体声波器件及制造方法(德文原件)

[0005]为交错梳齿;[0014]至[0018]为低声速介质及界面电极;[0032]至[0034]为LT/LN压电层及Al₂O₃支持备选;[0037]为SiO₂;[0042]将中间系统厚度与介质厚度等同,给0.1λ至1λ,优选0.15λ至0.5λ。图1G、[0073]明确第二基板承担机械支撑。

按第二基板/SiO₂介质/LT或LN压电层的方向观察,电极位于压电层与介质的接触面,符合权项允许IDT设于任一面的解释。第一基板3至50λ的厚度不是权利要求1的数值排除条件。Al₂O₃与LT/LN来自同一一般结构相邻的材料段,相关材料选择不应与互斥实施例拼接混同。

其低介质速度比两侧基片至少低约10%的叙述,有助于F2,却不能直接等同支撑体波速度大于压电层工作弹性波速度。正文未核到λ与IDT周期的明示等式,需结合其周期梳齿和工作模式解释。WO2007059741A1的同优先权分支有λ=2d定义,可作独立解释线索;不将分支新增内容视为D16本身已经公开。

D20 明确的0.4λ及SiN高声速边界波方案

D20  2009-11-05  WO2009133655A1 Elastic boundary wave device

图1、图2、[0045]至[0052]及实验例1:LT/界面IDT/SiO₂ 0.4λ/SiN 3000nm(1.58λ);λ明确为IDT电极指周期。SiO₂约3750m/s、SiN约6000m/s,并明示第一介质慢于LT、第二快于LT。原始PDF物理第25至27页已核;[0008]至[0010]亦有一般教导。

介质材料、界面IDT、归一化膜厚和导波作用的集中公开,使D20成为重要单篇候选。原件称SiN为第二介质膜,LT为压电基板,尚未核到SiN承担机械支撑或LT薄膜化的明确内容。将其映射为目标支撑/低膜/压电膜,需要对功能和结构作出说明;图形翻转本身既不证明也不排除这一对应。其中文及美国公开件在2011年,采用2009年的WO A1作为时间合格证据。

D22 明确的氧化铝三介质与多个范围内单点

D22  2007-09-05  CN101030764A 弹性边界波器件、谐振器以及滤波器

韩文早期同族KR20070089645A于2007年8月31日公开,图2为LN/界面IDT/SiO₂/Al₂O₃;图4至7对应SiO₂归一厚度0.33、0.38、0.42、0.45λ,另有0.52、0.58λ作比较。所用λ为1.982μm,Cu电极厚188nm。高介质厚度约至少1λ,具有较高声速和能量拘束作用。

D22的F5为原件明确数值,不依赖人为选择λ;高介质仍称介质膜而非支撑基板,LN仍称基板,故角色对应是主要未决项。不能因为没有从属权利要求中的超薄压电膜参数而将其排除,也不能只凭可翻转层序就认定支撑作用已经公开。

补充的速度资料和条件推算路线

D21  2001-04-20  FR2799906A1 双介质界面声波装置(法文原件)

说明书表1(印刷第11页)给横波声速资料:Al₂O₃约6200m/s,SiO₂约3900m/s,LN约3500至4850m/s,LT约3350至4400m/s。可作为D16材料声速解释的早期旁证,但LT/LN切向和工作模式仍要对应。

D19  2010-12-02  US20100301969A1 Acoustic wave device

图2、[0033]至[0038]为LN/界面IDT/SiO₂约1.8μm/SiN约3μm;窄节距约1.82μm,其他指节距约1.92μm。同族CN101902211A于2010年12月1日公开,均早于本次界限。

若这些pitch按相邻异电位指中心距p解释并采用λ=2p,则1.8/(2×1.92)=0.46875,窄节距下约为0.4945。该计算以文献同例参数为基础,但λ=2p的明示定义尚未在此件核到,属于有条件的技术推导,不标成原文直接写出的F5;支撑角色仍有与D20类似的问题。

D24  2003-10-23  US20030199105A1 声表面波压电薄层剥离制造方案

[0069]至[0070]、图10给高声速蓝宝石或金刚石支撑上的氢注入剥离LT/LN单晶薄层及表面输入输出换能电极,可辅助说明支持与薄层的制造角色。该例直接接合;下氧化物属于[0071]、图11的CMOS/P型Si另一例,不能移入图10。缺F2及F5。

D1 高速支撑与下置膜厚端点

D1  1994-11-25  JPH06326553A 表面弾性波素子

原A[0224]至[0228]及图20公开高速硼、非晶质碳或石墨支撑/非晶SiO₂或SiN/单晶LN薄板/梳齿电极。[0228]给中间膜厚为所用SAW波长的1/2以下、更优选1/10以下,包含0.5λ及0.1λ端点。相关图17路线见[0194]至[0202]。

D1[0178]的非晶质碳声速约10000m/s有助于说明其高速用途,但已核相关实施例未将该材料具体限定为DLC。背景[0009]的蓝宝石或金刚石配ZnO/AlN体系不自动成为图20的支持材料。关联授权件为JP3435789B2;JP2003273691A为分案,按同一技术来源归并。

D2 明确的金刚石复合膜材料配合

D2  2010-07-14  CN101777622A LiNbO3/SiO2/金刚石多层压电膜及其制备方法

权利要求1、唯一附图明确金刚石/非晶SiO₂/LN。权利要求2给SiO₂厚0.05至0.6μm,LN厚0.2至3μm;例1分别0.13μm及0.45μm,例2分别0.3μm及0.6μm。说明书[0018]说明可通过SiO₂厚度补偿调节温度系数。原始PDF首页、权项及附图已核。

D2是材料层序的重要证据,实际实施例未给IDT及λ。背景提到缩短叉指电极周期,不足以证明所制膜已有特定IDT和归一化膜厚。其2011年9月14日的B件属于界限之后,报告采用2010年的A件。

D3 下置SiO₂的独立厚度范围

D3  2010-01-14  WO2010004741A1 Plate wave element and electronic equipment using same

[0007]至[0012]、图1为LT/LN压电层两侧的SiO₂及一面梳齿电极,下SiO₂之外可设支持基板,例为Si。[0020]给H₂/λ为0.10、0.13、0.16等;[0022]至[0023]给0.103至0.175等范围。λ与梳齿激励及周期的关系见[0013]、[0016]。

原始PDF图1为物理第27页,图4为第30页,[0020]在物理第7页。图1上下介质层均标H₂,故不是仅上方覆盖膜的数值。该文采用A1 Lamb板波;实施方式1未明确符合F1的支持材料,不能把实施方式2的高声速包层直接移入该方案。

D4 蓝宝石与接合中间膜

D4  2004-12-02  JP2004343359A 弾性表面波素子の製造方法

原A[0058]至[0059]、图7公开LT/中间膜/蓝宝石,并列SiO₂为中间膜材料;权利要求10、11、13、14涉及LT/LN、支撑材料和中间膜。对应授权件JP3774782B2于2006年5月17日公开。

F5仍缺具体对应。[0064]的15nm是AlN;[0054]的1μm是硅膜,均不属于所选SiO₂膜。[0063]还倾向中间膜尽量薄,组合分析需处理其接合目的和表面粗糙度因素。

D5 玻璃接合层路线

D5  2002-01-18  JP2002016468A 弾性表面波装置

[0022]至[0025]、图6为支持3/玻璃8/压电1/交错IDT5。[0023]支持材料包括Al₂O₃或AlN;[0024]列硼硅酸玻璃、石英玻璃等;[0044]列LT/LN。玻璃层归一化厚度未核到明确数值。

D5[0043]的线宽和间隔不是玻璃层厚度。[0048]具体例同时出现“氧化铝基板”和“玻璃”用语,材料结论采用前述一般实施形态的明确清单,不据该歧义例认定唯一基材。

D6 复合基板的背面SiO₂与支持材料

D6  2010-06-24  US20100156241A1 Method for manufacturing composite substrate and composite substrate

[0029]列LT/LN背面0.1至5μm的SiO₂层,以及蓝宝石、AlN、Al₂O₃等支持备选;[0030]和权利要求4给材料组合。结构含有机胶,文献没有相应λ,故只能贡献材料及接合背景。

D7 DLC及下置温补层的辅助线索

D7  2007-09-06  JP2007228225A Surface acoustic wave device

正文讨论DLC、金刚石和蓝宝石高声速基体,LT/LN压电备选,IDT及可位于压电层下侧的SiO₂温补层;仍另有声学缓和层13。原始权利要求3、6及[0020]至[0025]、[0028]、[0035]至[0037]可用于材料与层位分析。

[0037]允许SiO₂位于下侧,同时因阻抗因素更倾向放在上侧;这一取舍需保留。其0.2至0.3λ针对缓和层内部波长,图中0.1λ、0.2λ、0.3λ又属于Al₂O₃/ZnO具体方案,不直接对应F5。DLC与不定形碳的术语关联也不能反向证明D1所述每一种非晶质碳都是DLC。

D15 法文发现的分子结合SAW路线

D15  2000-07-07  FR2788176A1 薄层压电材料分子结合的导波装置及制造方法(法文原件)

原始PDF说明书第2页第12至15行列蓝宝石、SiO₂、LT/LN;第4页第1至6行及图1给下置结合层和电极,第4页第21至27行讨论支撑体波声速较高;第6页第25至29行明确叉指与周期。权利要求2、3、4、6的依附路径可将蓝宝石、SiO₂、数百Å及LT/LN组合。

正文数百Å的具体例用Si或GaAs,但权利要求4概括该厚度,不应仅限于这两种支持材料。它没有目标h/λ范围;第4页和权利要求7约1至30μm对应声波波长或压电层厚度,不能移作SiO₂厚度。相关同族US6445265B1于2002年9月3日公开,可辅助阅读,按同一技术来源处理。原始FR PDF说明书页码比物理页码少1页,权项在物理第13页。

五 优先组合及技术争点

先以D16作单篇对比,保留声速与波长争点

D16已经把目标的主要材料、层序、界面电极和膜厚重叠范围集中在一个文件中,应先核实其高声速支持与工作λ的对应,再决定能否提出单篇新颖性理由。D15的高速支撑导波说明及同优先权WO分支的周期定义可辅助理解技术常识;若须依赖其新增技术特征,论证应转为创造性组合,不能仍称D16单篇公开。[D15][D16]

D20和D22应并行审查“支撑基板/压电膜”的解释。如果确认高声速介质无法对应支撑,可将它们的明确IDT波长、声速和范围内膜厚用于D16或D15的创造性组合。结合理由包括相同的边界或导波拘束机制、SiO₂温补作用和下置介质层位;仍须说明接合和支撑设计的适用性。[D15][D16][D20][D22]

以D1为起点结合D2的金刚石材料配合

以D1图20的SiO₂/LN/梳齿电极方案为起点,D1还明确给出中间膜厚的0.5λ和0.1λ端点。相对于目标,主要未确认项是其高速非晶质碳等支撑是否属于F1限定材料。D2则在同为SAW用途的SiO₂/LN叠层中明确采用金刚石,并说明金刚石的高速作用、SiO₂缓冲及厚度温补作用。[D1][D2]

据此可构建的组合理由是:为在保留下置SiO₂及LN叠层的情况下使用明确的高声速支持材料,依据D2选择金刚石支持,并沿用D1的IDT和SAW波长相对膜厚教导。两个文件均围绕SAW、LN与下置SiO₂,结合的层位和用途较接近。这是独立于D16的创造性备选路线。

仍需验证的是金刚石材料的相关体波声速与所选LN模式的比较、基板替换后的传播条件,以及D1单晶薄板接合与D2择优取向薄膜沉积之间的适用关系。仅因各特征可在不同文件找到,尚不足以省略这些结合理由。D1与D2的组合也不作为单篇新颖性对比。

以D15结合D1的高速支撑和膜厚教导

D15可作为另一对比起点:它在同一SAW一般方案中给出蓝宝石支持、SiO₂分子结合层及LT/LN,并明确使用叉指结构和高速支撑的导波思路。D1同样处理单晶压电薄板与支撑之间的无机中间膜,可用于论证选择0.1λ或0.5λ厚度的技术教导。[D1][D15]

两文的接合结构较接近,D15也减少了D1的非晶碳身份争点。但D15结合层原有厚度为数百Å,不能只为满足权项而改厚;仍需说明采用D1厚度后的结合可行性、低声速层作用和传播损失,避免从不同层位或无关实施方式抽取数值。

以D2结合D3的归一化厚度范围

D3给出底部SiO₂和梳齿电极,以及落入0.1λ至0.5λ的明确数值;D2说明通过底部SiO₂厚度调节温度特性,二者存在温度稳定性这一作用联系。[D2][D3]

作为组合的数值示例,以D2例2的LN厚0.6μm、SiO₂厚0.3μm为基础,若设计者选择λ=2.4μm,则分别为0.25λ、0.125λ,落入D3[0023]给出的H₁/λ=0.225至0.275与H₂/λ=0.103至0.175配合范围。这里的λ=2.4μm是本报告构造的分析条件,不是D2公开的工作波长。

D3的上下对称SiO₂、Lamb模式和Si支持与D2的金刚石叠层存在差别,不能据上述数值吻合直接推定组合后的模式、Q值或温补效果。该路线作为独立备选,优先级低于同为SAW的D1与D2路线。

蓝宝石或玻璃接合层的辅助组合

D4及D5分别提供限定材料支持/SiO₂或玻璃/LT或LN/IDT的结构基础,D1可补充SAW中下置无机膜相对波长的厚度教导。其组合价值在于减少F1材料身份争点,但仍要说明接合层与低声速膜所起作用、膜与基板的角色,以及玻璃或SiO₂薄膜采用该厚度的依据。[D1][D4][D5]

六 目标首页引用及其他结果复查

目标授权首页列有下列对比文件。本次复查其具体贡献,未将其全部视为新的独立发现;首页记录也不代表已经取得完整审查案卷或已经穷尽相关技术内容。

首页文献

可贡献内容

对应上的主要限制

US20080211602A1

表面IDT、压电层、全向多层声镜及LN备选。

W/Al多层镜不是目标的单一高声速支撑;阻抗与声速须区分。[D9]

CN101145767A

LT/LN、IDT、介质与声速/温度特性的关系。

主要为压电基板上方介质结构;覆盖SiO₂数值不等于下置F5。[D10]

JP2005354650A

IDT与反射器及其线空比优化。

压电膜或电极的比例不能替代低声速中间膜厚。[D13]

JP2003017967A

单晶LN薄膜/金刚石及梳齿电极、离子分离接合。

相关SiO₂在LN上方或电极上方,未填补目标下膜。[D8]

JP2007228120A

LT/LN复合基板、粘合层和SiON保护层。

保护层位于上方,粘合层与目标低声速材料及F5不同。[D12]

 

说明书背景JP2004282232A涉及硬质高声速层及等电位层,对高速叠层有背景贡献,不能把该硬质层当作F2低声速膜。[D11] CN1938946A的SiO₂有0.1λ、0.3λ、0.5λ等数值,层序为LN基板/界面IDT/SiO₂/其他膜。实际高层例为多晶硅,非F1限定材料;一般材料表虽含AlN、蓝宝石或SiN,仍须核其承担支撑的配置。[D14]

韩文另核CN101796723A同族的Al₂O₃/SiO₂/LN边界波路线,原例Al₂O₃厚2μm,也列SiN或SiC备选。该第三介质主要为包覆与防蚀用途,主例未明SiO₂的归一化厚度,背景约0.3λ不直接移入主例。装置可翻转观察,埋置IDT也符合“一面”;不能仅因图上位置或“基板”名称排除。此路线的待证重点是支撑作用、压电膜对应及同一方案中的膜厚。[D18]

GB2363011A及其WO2001093421A1、JP2003535546A相关文本涉及二维SAW和缓冲层,部分单相电极与传统IDT的对应仍有疑问,缓冲层厚也未补齐,故不列入优先组合。各轮发现的2010年12月24日之后公开文本仅作为追溯入口;早优先权本身不使其成为本次界限前的公开证据。

七 尚待补证事项及覆盖局限

首要补证是D16的支持体波速度、压电层工作弹性波速度及IDT周期与λ的对应;D1则仍有高速非晶碳的具体身份问题。另有JPH0537284A被后续文献转述为金刚石或DLC/SiO₂/电极/压电层,已交叉查到1993年2月12日的公开信息,但本次未取得可访问原件或同族来核LT/LN及下置SiO₂厚度,故保留为未核线索。

本次实际检索均有逐轮记录,但每轮通常筛查接口或网页返回的首批结果,没有穷尽所有分页。接口总命中数为数据库估计;网页返回摘要数量不是全库总数,报告不将其相加冒充独立文献或同族数量。零新增或访问失败只描述本轮取得的结果,不证明相关现有技术不存在。

重点文献已核谷歌专利正文和精确段落;取得原始PDF的文献还核了有关首页、权项或附图。缺少原件、依赖译文、材料身份或数值基准仍有疑问的条目均在日志及正文说明。优先权实体有效性未被本次检索结果另行认定,时间筛选始终采用用户指定界限。

八 交付资料及复核路径

主报告给出结论、核心定位和技术对比。配套检索资料包含180轮完整CSV、可按语言和关键词筛选的HTML日志、每轮JSON及实际返回资料、重点文献正文和已取得的原始PDF。可先在HTML中按语言或公开号筛选,再打开该轮完整JSON和来源文件。

每轮JSON中的gp_search_url是谷歌专利关键词参考入口;实际采用数据库接口还是站点限定网页检索,应以search_method及原始返回文件为准。网页检索中的site或before等操作词不能被误认为数据库接口已经成功执行的证明。

技术对比采用单篇公开与组合教导分别评估的方法。对不同文件的结合,重点核查区别特征是否发挥相同作用及是否存在实际技术启示。方法参考国家知识产权局关于对比文件所公开特征评判的说明,具体证据结论以上述逐项分析为准。

方法参考  国家知识产权局 创造性评判中如何判断对比文件所公开的特征

附录 其余引用文献入口

目标  2016-08-10  CN103262410B 弹性波装置及其制造方法

D8  2003-01-17  JP2003017967A Surface acoustic wave device and manufacturing method

D9  2008-09-04  US20080211602A1 High Frequency Acoustic Wave Device

D10  2008-03-19  CN101145767A 声波器件和滤波器

D11  2004-10-07  JP2004282232A Surface acoustic wave device

D12  2007-09-06  JP2007228120A Surface acoustic wave element

D13  2005-12-22  JP2005354650A Surface acoustic wave device

D14  2007-03-28  CN1938946A Manufacturing method of boundary acoustic wave device and boundary acoustic wave device

D17  2007-05-31  WO2007059741A1 Component operated by guided acoustic waves

与D16共享优先权线索的PCT分支;图7附近明确指距d与λ=2d,可用于波长基准复核。分支的材料清单和新增内容不直接替代D16的原始公开。

D18  2010-08-04  CN101796723A 弹性波元件、双工器、通信模块、以及通信装置

同族WO2009057195A1于2009年5月7日公开,KR20100046024A于2010年5月4日公开。已读韩文A正文实施例及背景,层序与支撑角色的限制见正文;同族只作一个技术来源评价。

D23  2007-05-31  WO2007059733A1 Electroacoustic component

对应DE102005055870A1,具有Al₂O₃支持备选、LT/LN、SiO₂和优选0.15至0.5λ厚度旁证。其优先权申请与D16的DE102005055871不同,不因号码接近就合并为同一公开件;未补D16的最后速度比较。


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B 权利要求1无效可行性评估

评估日期  2026年10月17日    评估视角  无效请求人

本报告依据所提供的《CN103262410B_1_无效理由及技术特征》及本轮核对的专利公开文本,对授权权利要求1作证据强度评估。重点回答成功概率、最强单篇文献、最优组合、逐项对应及请求人最薄弱的环节。

一 核心判断

存在一篇公开绝大部分关键技术内容、足以担当主证据的文献:DE102005055871A1。现有证据下,将其单篇新颖性理由与有针对性的创造性备位理由一起组织,权利要求1被宣告无效的主观成功概率可估为70%—80%,工作中点约75%。这是依据证据强弱作出的判断区间,不是历史案件统计胜率,也不是对结果的保证。

判断项目

结论

决定性理由

总体把握

70%—80%
中点约75%

针对现有授权权利要求1;以DE为中心组织多条有明确分工的理由。各路径风险相关,概率不能相加。

只用DE攻击新颖性

60%—75%

结构、材料、IDT及中间层厚度已有强依据;仍存在同一方案组合理解、速度含义和λ对应的解释争议。

最优双文献主组合

DE102005055871A1
+WO2009133655A1

在保留DE全部承载结构的前提下,补强同类界面导波的IDT周期归一化及范围内工作点。

针对膜与承载的备位

DE102005055871A1
+US6445265B1

后者对应FR2788176A1,明确讨论高速承载体上的压电薄层导波;若该争点成为核心,此组合更对口。

最薄弱环节

模态和技术方案的完整对应

需要证明所选DE方案的相关支撑体波速度确实高于所用导波相速度,并说明材料、制造选项和层厚能够相容。

 

本轮最重要的修正,是DE原文权利要求38、39已经公开中间层体系与两个基板的体波速度排序。不能继续把它概括为“只说两侧比中间快,未说明两侧之间的关系”。该发现明显增强单篇攻击;但体波之间的排序仍需与目标所用弹性波模态建立对应。[E1]

二 权利要求解释与评估边界

检索截止点按目标文本记载的最早优先权日2010年12月24日处理,只采用此前公开的证据。目标申请日为2011年12月20日,授权公告日为2016年8月10日。本报告未以优先权不成立为前提,也未调取完整审查意见、修改说明、优先权原始文件及既有无效审理档案。[E0]

评估对象是授权权利要求1本身。其撤销概率不等于全部从属权利要求或整个专利被全部撤销的概率;如果专利权人作出被接受的进一步限定,需要对限定后的新方案重新比对。

1 必须保留的限制

A 高声速支撑基板:材料限定为氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC或金刚石,以及权利要求写明的主成分或混合物选择。纯硅并不在这份清单中。
B 位于该支撑基板上的低声速膜:材料清单包括氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽及所列掺杂氧化硅等。
C 低声速膜之上的压电膜:LiTaO₃或LiNbO₃。
D 压电膜一面上的IDT电极。
E 以IDT电极周期确定弹性波波长λ时,中间低声速膜厚度为0.1λ—0.5λ。该厚度指的是支撑与压电膜之间的低声速膜,不是IDT金属厚度或压电膜厚度。[E0及用户附件]

2 不能预先加入的限制

权利要求1没有写入压电膜必须小于1.5λ或0.5λ的厚度上限,也没有限定特定切角、仅使用某一SH模式、必须达到某个Q值,或IDT只能位于压电膜的外露上表面。压电膜厚度和切角等进一步限制出现在从属权利要求中;说明书也允许IDT位于压电膜下表面。因此,不能仅以DE电极位于界面、压电体被称为“第一基板”,或文献名称使用GBAW而非SAW,就直接排除其相关性。[E0:权利要求1、3—5及说明书关于IDT位置的说明]

3 高声速和低声速的含义

权利要求1没有逐字列出两条速度不等式,但“高声速支撑”“低声速膜”也不能被当作没有技术含义的名称。结合目标说明书,高声速支撑涉及支撑材料的相关体波速度高于所使用弹性波的速度;低声速膜涉及其相关体波速度低于压电材料中的体波速度。应在一致的波型、传播方向和晶向条件下解释,避免混用纵波、不同剪切波分支和装置模态相速度。[E0:说明书对高速支撑及低速膜的定义与比较例]

三 证据排序及各自作用

以下重新编号为E1至E6,避免附件多个报告重复使用D1等编号而发生混淆。日期为本报告选用公开文本的公开日。

编号

公开文本及日期

最有价值的内容

主要局限

E1

DE102005055871A1
2007年5月24日

主证据;Al₂O₃支撑选项、LT/LN压电层、SiO₂夹层、IDT、优选0.15λ—0.5λ及体波排序。

需论证一般选项的相容性、实际模态及λ对应。

E2

WO2009133655A1
2009年11月5日

同类界面导波;明确IDT指周期λ,SiO₂=0.4λ实例,速度剖面与波约束教导。

其高速层是覆盖媒质,不能单独直接等同机械支撑;未明确写出所需体波与相速度不等式。

E3

US6445265B1
2002年9月3日
FR2788176A1同族

高速承载基板上的LT/LN薄层导波,SiO₂分子接合及低损耗等设计动机。

归一化SiO₂厚度不是优势;其薄层导波与DE界面导波的模态仍需对应。

E4

JPH06326553A
1994年11月25日

LN薄板/SiO₂/承载基板及梳状电极;中间层≤0.5λ,进一步优选≤0.1λ。

具体承载材料为硼、非晶碳或石墨;非晶碳不能自动当作DLC。

E5

CN101777622A
2010年7月14日

金刚石/SiO₂/LN三层,支持E4的材料替换路线。

未明确给实际IDT与λ,不能由绝对层厚倒推已公开的归一化厚度。

E6

CN101030764A
2007年9月5日

LN/界面IDT/SiO₂/Al₂O₃;存在0.33λ、0.38λ、0.42λ、0.45λ的SiO₂条件。

高速覆盖层与机械支撑角色仍需处理;不能以局部数值一致证明全部限定。

 

E1正确的英文平行申请公开文本是US20080252396A1,公开于2008年10月16日,对应WO2007059740A2;其授权文本US7851977B2于2010年12月14日公开,也早于本案截止日。英文文本便于核对,但目前未发现其增加了足以消除全部争点的λ定义。[E1、E1英文]

必须区分相近分支:US20080292127A1对应DE102005055870A1/WO2007059733A1,并非DE102005055871A1的可互换英文版;WO2007059741A1也是内容有差异的另一PCT分支。不得从相近编号文献移入厚度、λ定义或声场结论,然后称为同一篇文献的公开。

四 权利要求1逐项比对

“明确公开”指文字或图文能够直接定位;“解释论证”指已有较强依据,但仍须说明其技术对应。第二文献用于创造性备位时,应与E1单篇新颖性理由分开。

特征

目标要求

E1的原文依据

判断及补强方式

A1

指定材料构成的承载基板

[0034]列出Al₂O₃作为第二基板材料;[0073]及图1G说明第二基板承担机械稳定和载体作用。

材料与承载角色依据强。Al₂O₃来自一般选材段落,不能称为某个Si数值实施例的实际材料。

A2

高声速支撑的功能含义

权利要求39:第一基板体波速度低于第二基板;权利要求38:夹层体系体波速度不超过两侧各自的90%;[0016]—[0017]说明速度剖面及两侧衰减的导波。

强解释依据。仍须把对应体波分支与实际工作模态相速度接上;E2或E3不能用一句材料声速排序自动替代此证明。

B

低声速材料层位于支撑与压电膜之间

[0037]和权利要求8公开SiO₂;权利要求38公开较低体波速度;图1G给出夹层位置。

材料、层序和低速方向依据强。应采用相同波型,避免将SiO₂剪切波与压电体任意另一分支比较。

C

LiTaO₃或LiNbO₃压电膜

[0032]公开LT/LN;[0033]允许先在生长基板形成压电层、结合后去除生长基板;权利要求14公开LT。

压电层并非完全缺失。须说明该一般制造选择与Al₂O₃承载、SiO₂夹层相容;E3用于对方坚持较窄薄膜解释时补强。

D

压电膜一面上的IDT

[0005]给出相互交错的梳形电极;[0018]及权利要求26给出金属换能结构直接形成于第一压电基板表面,并埋入夹层。

界面上的IDT仍属于压电层一面。目标并未要求电极只能在外露上面。E2也给出LT/SiO₂界面IDT。

E(a)

中间低速膜厚0.1λ—0.5λ

[0042]说明嵌入式金属不突出介电层时,层体系厚度等于介电层厚度;一般0.1λ—λ,优选0.15λ—0.5λ。

优选区间完整落入目标范围,是强对应。不能把它误当作金属厚度,也无需再寻找恰好0.1λ的实例。

E(b)

λ由IDT电极周期确定

E1有周期换能结构并按波长λ规定夹层厚度,但未核到与目标完全同句的λ定义。

首先论证属于同一设计波长;若认定公开不够明确,E2[0051]明确以IDT指周期定义λ,[0052]采用SiO₂=0.4λ。

 

单篇结论:E1不是只有三层结构示意的泛泛文献。它对A至E各组均有可定位的对应内容,足以优先提出新颖性攻击;但“覆盖绝大多数”与“所有限定在同一技术方案中均已直接、无歧义公开”仍是两个不同判断。[E1]

五 E1单篇新颖性理由如何形成完整论证

1 使用可并存的公开内容

DE权利要求存在可选择的依附链:39 → 38 → 36 → 26 → 25 → 14 → 8 → 2 → 1。这条链能够同时容纳体波排序、介电层厚度、直接接触第一基板的换能金属、LT第一基板及SiO₂层;它不必经过限定第一基板3λ—50λ的权利要求34。Al₂O₃材料仍来自[0034],优选0.15λ—0.5λ仍来自[0042],不能错误写成该依附链已逐字列出两者。[E1:权利要求及说明书]

在单篇论证中,应说明这些属于同一层状器件框架下的一般材料、制造和尺寸选择,且没有互相排斥的技术条件。不得把若干互不相容的实施例抽出特征随意拼成一个新方案;同样,也不能因为依据分布在同篇不同段落,就当然认定无法共同理解。真正要证明的是本领域技术人员能否直接读出这一相容组合。[L2:第二部分第三章新颖性判断]

2 解释导波的固有关系

E1关于速度剖面及能量向激励面两侧衰减的说明,是论证高声速支撑功能的重要内在依据。对于所选择的非泄漏导波,支撑侧相关体波与工作模态相速度的关系可能是其必然物理属性;如果能够在相应晶向和模态下证明,就有机会作为隐含公开成立。未逐字出现不等式不等于未公开;仅凭材料名称或“导波”二字也不能省略证明。[E1:0015—0017;L2:直接且无歧义确定的公开内容]

3 处理数值范围和λ

E1的0.15λ—0.5λ是目标0.1λ—0.5λ的内部子范围。只要层的身份、λ含义及其余结构条件对应,目标范围的下限较低本身不能恢复新颖性。也不应先虚构“E1没有层厚”这一差异,再用第三篇文献补齐。数值范围比较必须连同其他特征一起进行。[E1:0042;L2:第二部分第三章3.2.4]

六 最优组合及创造性攻击次序

建议把请求理由写成彼此独立、各有完整论证的路径:首先E1单篇缺乏新颖性;其次E1结合E2缺乏创造性;针对压电膜或承载导波解释的争议,再列E1结合E3的专项备位。E4结合E5可以保留为独立SAW材料路线。它们不是一条必须拼进四五篇文献才成立的组合。

1 首位双文献组合 E1结合E2

最接近现有技术取E1,保留其Al₂O₃第二基板、SiO₂夹层、LT/LN压电层及界面换能结构。首先主张λ对应不构成真正结构差异;仅在审理方认为这一对应尚未达到明确公开程度时,才由E2补强。E2的增量是同类界面导波器件明确采用IDT指周期定义λ,以及SiO₂=0.4λ的已实施条件。[E1;E2:0051—0052]

在这一条件性创造性论证中,实际技术问题可表述为“针对既定工作频段与换能器几何尺寸,确定中间介质的厚度”。E1和E2均涉及压电体与低速介质界面的激励和导波,厚度归一化参数含义接近;0.4λ又已经位于E1自身的优选范围中,因此有采用相关参数表达及设计方法的动机。论证重点是参数含义与技术用途,不是将两个范围机械相加。

这一组合完全保留E1的承载基板。E2的高速层可为SiN覆盖层,不能把它翻转后直接称为支撑基板;也不需要把E1的Al₂O₃替换成SiN。E2原文材料清单写作AlO,不应擅自改写成明确公开Al₂O₃;Al₂O₃证据应取自E1。E2中约6000 m/s是SiN的数值,不能移给Al₂O₃。[E2:0045—0052]

E2并未用精确的体波与工作模态相速度不等式补齐本案最弱环节。其速度排序和0.4λ实例说明相关导波设计已知,但不能证明E1任何材料、晶向和厚度组合都具有相同模态或相同损耗。这部分仍须回到E1的具体方案和声场解释。

2 专项备位 E1结合E3

如果争点转为“E1第一基板究竟是否属于目标压电膜”或“高速承载体与薄层导波的功能是否一致”,E3更有针对性。其说明书将承载体体波速度高于压电层体波速度与薄层声波导相联系,并说明低损耗、较高反射及水平极化时的功率性能,同时给出蓝宝石承载、LT/LN及SiO₂分子接合的选择。[E3:图1及相关说明]

E1已经公开生长压电层和体波排序,因此E3的作用是加强受支撑压电薄层导波的设计联系,不能再写成它补上了E1完全缺失的材料或速度关系。E3也没有直接写出支撑体波速度大于目标所用相速度这一精确结论。其压电层约一个波长的优选不能强行加给E1;不必要的减薄可能反而带来模式兼容问题。

两组组合的相对优势接近,不能据此人为上调总体概率。在当前权利要求1未限定压电膜厚度的文字范围下,本报告把E1结合E2排在前面;如果审理方采纳更窄的薄膜或承载导波理解,应让E1结合E3成为主要备位。

3 独立备选 E4结合E5

E4实施例4—2已经给出承载体/SiO₂/LN薄板和梳状电极,中间层不大于0.5λ、进一步优选不大于0.1λ。其主要短板是该例承载材料没有明确落入目标清单,不能把非晶碳直接等同DLC。E5给出金刚石/SiO₂/LN层序,可用于讨论将E4承载材料选为金刚石的动机和可实现性。[E4:0224—0228;E5:权利要求1、2及实施例]

这一路线要处理材料替换理由、E4键合与E5沉积制造之间的相容性,以及实际模态。可以保持E4的键合路线并借鉴E5的材料结构,不必整体移植E5的沉积工艺。E5只有绝对膜厚,不能任取一个λ反算“已公开0.1λ—0.5λ”。E4明确写出0.1λ和0.5λ端点,也不能仅因进一步优选更薄就称其存在反向教导。

七 请求人最薄弱的环节与对方最佳抗辩

最薄弱的环节是:将E1关于体波速度、导波声场、材料选项和压电层制造的公开,连接成一个与目标限定一致且可以实现的技术方案。这里面最值得集中投入的是速度及模态的对应。

1 必须分清的两类速度关系

用c中表示中间层相关体波速度,c压表示压电体相关体波速度,c支表示支撑相关体波速度,v模表示所用导波相速度。E1权利要求38、39已给出c中<c压<c支方向的排序。目标的高声速含义则涉及v模<c支。前一排序本身不能在文字逻辑上自动推出后一关系;还需结合对应导波模态的色散和能量衰减条件。

例如,不能将SiO₂的一种剪切波速度与LT另一剪切分支比较后,未经解释就认定“低声速”;不能拿其他文献的SiN声速证明E1的Al₂O₃;也不能把目标专利自己的计算结果当作申请日前证据。目标说明书可用于解释其术语,不能用来反向补造现有技术。

对方可能主张

我方已有回应

仍应完成的工作

E1只有体波排序,没有目标模态速度

权利要求38、39加[0016]—[0017]的速度剖面和两侧衰减,形成较强内在依据。

固定一个E1明确支持的材料及晶向方案,说明相关体波分支、工作模式及支撑侧衰减条件。

E1是厚基板,目标是薄膜

[0033]允许形成压电层后转移;权利要求1没有压电膜数值上限,依附链也不必经过E1权利要求34。

核对目标审查中的限缩解释;如确有较窄意义,用E3建立薄层承载导波的技术联系。

Al₂O₃、LT、厚度来自不同段落

这些处于同一器件的一般材料和尺寸选择框架内;依附链能共同容纳多项特征。

写清选择的相容性,避免把硅具体例的数值和效果无条件搬到Al₂O₃。

E1的λ不是IDT电极周期

周期激励结构和设计波长已有解释基础,E2提供同类器件的明确定义。

说明电极全周期、相邻指节距及可能的分裂指配置,避免λ与λ/2混淆。

E2高速层仅是盖膜

主组合的机械支撑全部由E1提供,E2只承担参数与同类导波设计的限定用途。

明确每一被采用教导的技术作用,不把两篇器件的整个声场直接视为相同。

 

2 最值得补强的证据

优先取得一份可以复核的模态说明:明确E1所选Al₂O₃承载、SiO₂夹层及LT或LN压电层的晶向、金属边界、层厚、所用分支,列出材料常数出处及其公开时间,并展示工作模态和支撑侧衰减的对应。专家说明或计算应解释文献已公开方案的物理性质,而不是凭目标专利参数重新设计一个恰好落入范围的器件。

其次调取目标的审查意见、答复及修改依据,核对“压电膜”“高声速支撑”和0.1λ—0.5λ是否曾被以特定机理限缩解释。现阶段没有这些档案,正是不能把概率推到90%以上的重要原因之一。

八 概率口径及敏感性

总体70%—80%建立在以下条件上:授权权利要求1保持当前范围;主要公开文本的真实性、公开日和中文译文能够可靠提交;E1一般选项与所用导波关系得到完整论证;审理方没有基于尚未取得的档案采用更窄解释。概率同时反映新颖性与创造性理由的整体把握,二者共享解释和模态风险,并非独立事件。

情景

对判断的影响

实务含义

当前证据并补齐论证组织

总体70%—80%

值得提出有重点的无效请求;以E1为中心,并分别陈述E2、E3的备位用途。

只能提交关键词式比对,无法说明模态与选项相容性

可能降至约50%—60%

材料表和范围重合仍有价值,但新颖性会受直接公开标准制约,创造性也可能遭遇事后拼接质疑。

取得有说服力的模态证明及有利的审查档案核对

可考虑上调至约80%—85%

这是补证后可能达到的情景,不是本次已经取得的结论。

权利要求1被进一步限定

本报告概率不直接适用

应针对被接受的新特征重新确定最接近技术、区别、技术问题和组合证据。

 

不宜给出95%或“基本必然无效”:决定性功能仍有解释空间,E1材料与制造选项的共同适用需要论证,目标审查档案尚未纳入。也不宜只因文献没有逐字重复目标术语就把成功率压得很低,因为E1已提供相当完整的结构、尺寸及导波内在依据。

九 附件应立即修正的事项

第一,将针对新颖性和创造性的法律依据明确为《专利法》第二十二条第二款、第三款。附件反复出现的“专利法第二条”是对发明创造等的定义条款,不能作为本案这两类无效理由的对应条款。[L1]

第二,加入E1权利要求38、39及正确依附链,修正“未公开两侧体波速度排序”的表述;明确Al₂O₃和优选厚度各自位于说明书[0034]、[0042]。第三,统一文献编号并核实相近PCT和US分支;原文、译文、公开日和引用段落应一一对应。

第四,将“直接公开”“隐含公开的技术解释”“创造性组合”分栏或分段陈述。新颖性原则上与一项现有技术的具体技术方案比较;不能把另一篇的λ定义或高声速盖膜直接移入E1单篇。创造性可以使用多个技术启示,但需明确区别特征、实际技术问题、采用动机和合理的实现预期。[L2:第二部分第三章与第四章]

第五,删去三个过度表述:把任意非晶碳视为DLC;把覆盖膜仅凭旋转附图视为机械承载基板;把任何体波速度排序视为实际工作模态速度排序。层厚数值、IDT位置与“膜”的争点都应按已核实文本作准确而有限的主张。

十 主要核对来源

段落定位以公开文本原始页为准。下列链接便于复核;正式证据应使用可证明公开日的公开文本及准确中文译文。法律规则引用采用国家知识产权局公开文本,相关2025年修改决定自2026年1月1日起施行。[L3]

[E0] CN103262410B,授权权利要求1、3—5及说明书关于材料、速度和IDT位置的段落。

https://patents.google.com/patent/CN103262410B/zh

[E1] DE102005055871A1,2007年5月24日;重点[0005]、[0015]—[0018]、[0032]—[0042]、[0073]及权利要求8、14、26、36、38、39。

https://patents.google.com/patent/DE102005055871A1/de

[E1英文] US20080252396A1,2008年10月16日;对应WO2007059740A2;核对时注意德国与美国文本的权利要求依附形式并不完全相同。

https://patents.google.com/patent/US20080252396A1/en

[E2] WO2009133655A1,2009年11月5日;重点[0045]—[0052]和实验例1。

https://patents.google.com/patent/WO2009133655A1/en

[E3] US6445265B1,2002年9月3日;图1、薄层导波及高速承载体相关说明。FR2788176A1于2000年7月7日公开。

https://patents.google.com/patent/US6445265B1/en

[E4] JPH06326553A,1994年11月25日;实施例4—2,[0224]—[0228];[0069]及[0227]用于电极周期关系。

https://patents.google.com/patent/JPH06326553A/en

[E5] CN101777622A,2010年7月14日;权利要求1、2及金刚石/SiO₂/LN实施例。

https://patents.google.com/patent/CN101777622A/zh

[E6] CN101030764A,2007年9月5日;图2及SiO₂归一化层厚比较。

https://patents.google.com/patent/CN101030764A/zh

[L1] 国家知识产权局公开的2008年修正《中华人民共和国专利法》,第二十二条;本案申请于2011年。

https://www.cnipa.gov.cn/art/2015/9/2/art_97_28193.html

[L2] 国家知识产权局《专利审查指南》2023文本,第二部分第三章关于新颖性和数值范围、第四章关于创造性。

https://www.cnipa.gov.cn/attach/0/da9d262dfdfa4b9d82910c98cc3b7cbd.pdf

[L3] 国家知识产权局2025年修改《专利审查指南》的决定及施行信息。

https://www.cnipa.gov.cn/art/2025/11/14/art_99_202568.html


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B 权利要求1
六语种专利无效检索报告

公开日界限 2010年12月24日之前    报告日期 2026年10月17日

一 检索结论

本报告针对CN103262410B授权权利要求1,寻找在2010年12月24日之前已经公开、能够贡献于新颖性或创造性评价的专利文献。重点核查限定材料的高声速支撑基板、埋置低声速膜、LiTaO3或LiNbO3压电膜、叉指换能器电极(IDT),以及低声速膜厚度与IDT所确定波长的关系。

已找到两类可实质推进无效分析的证据:一类在早期文献中明确公开蓝宝石或金刚石支撑与埋置SiO2、LT或LN的叠层;另一类直接公开埋置SiO2的0.1λ、0.3λ、0.5λ数值或可可靠换算的0.3747λ。关键缺口已由“是否存在埋置氧化层及该厚度”收敛为:这些数值能否与权利要求限定的支撑材料及各层实体角色,落在同一明确技术方案中。

目前未核实一篇截止日前公开文献的同一具体方案,直接、无歧义地覆盖F1至F6全部特征。因此不宜把本次结果表述为已经证明权利要求1缺乏新颖性。较值得进一步形成无效理由的路线,是JPH06326553A及其关联EP0616426公开的中间层厚度教导,与US6445265B1或JP2004343359A的蓝宝石支撑叠层相结合;CN101789769A则提供材料和数值同时接近的平行路线。

该判断不等于认定权利要求有效,也不是成功率预测。组合论证仍须证明材料选择、厚度选择与声学模式之间存在可解释的技术动机,并回应“薄键合层”“边界波媒质与支撑基板角色不同”等反驳。本报告将支持点与未闭合环节分开列示。

完成中文、英文、日文、法文、德文、韩文各30轮,共180轮逐次调整检索。附录按每一轮列出实际发现检索式、调整理由与结果摘要;文献原文核验和同族追溯不另行增加轮次。

二 目标权利要求与解释范围

目标文献及日期

项目

核实信息

专利

CN103262410B,弹性波装置及其制造方法,申请人村田制作所

优先权日与申请日

优先权日2010年12月24日;申请日2011年12月20日

中国公开与授权

CN103262410A于2013年8月21日公开;CN103262410B于2016年8月10日授权公告

本次时间界限

只纳入公开日早于2010年12月24日的文献,即不晚于2010年12月23日。早优先权但晚公开,不因此取得本报告所需的时间资格。

权利要求版本

授权公告文本权利要求1,原PDF第2页。未以申请公开文本或从属权利要求替换。

 

来源:CN103262410B 中文原文;公开文本 PDF

授权权利要求1全文

1.一种弹性波装置,具有压电膜,所述弹性波装置具备:高声速支撑基板,由氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜或金刚石、或者以这各材料为主成分的材料、以这各材料的混合物为主成分的材料中的任意一者构成;低声速膜,其层叠于所述高声速支撑基板上,且由氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、或者在氧化硅添加了氟或碳或硼而成的化合物、或者以这各材料为主成分的材料中的任意一者构成;所述压电膜,其层叠于所述低声速膜上,由LiTaO3或LiNbO3构成;以及IDT电极,其形成于所述压电膜的一面,在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时,层叠于所述高声速支撑基板上且在所述压电膜之下形成的所述低声速膜的膜厚被设为0.1λ~0.5λ的范围。

技术特征拆分

编号

核查对象

判断要点

F1

弹性波装置

不限于标称SAW。边界波、板波或IDT激励的其他弹性波,均按实际结构和波长定义判断。

F2

限定材料的高声速支撑基板

AlN、Al2O3、SiC、SiN、SiON、DLC或金刚石等权1列举材料;既要核材料,也要核高声速关系及支撑基板角色。

F3

位于支撑与压电膜之间的限定低声速膜

SiO2、玻璃、SiON、Ta氧化物或规定掺杂SiO2等。顶部保护层、金属电极及错误层位不能代替。

F4

其上LT或LN压电膜

LiTaO3(LT)或LiNbO3(LN);不能以ZnO、AlN、KNbO3等压电材料替代。膜角色须结合实体结构。

F5

压电膜一面的IDT电极

包括上表面或下表面及界面一侧的IDT,不人为加上仅在自由顶面的限制。

F6

埋置低声速膜厚度0.1λ至0.5λ

λ由IDT电极周期确定。可评价落入点、端点或重叠,但须是正确层、正确波长及可相互对应的技术方案。

 

不宜加设或省略的限定

权利要求1没有“仅声表面波”“IDT仅位于顶面”“各相邻层必须直接接触且不得插层”或“压电膜厚度不超过1.5λ”的文字。最后一项来自其他权利要求,不能用来排除本权利要求的对比文件。目标说明书也明确IDT可位于压电膜下表面,并在第十二实施方式讨论边界波。

“膜”和“支撑基板”不能只按名称作机械判断。对比文件把LN称作基板,不当然排除它具有膜结构;但任意厚压电块体也不能自动等同压电膜。图的上下方向可以旋转,并不改变层序,却不能仅靠旋转把覆盖媒质证明为支撑基板。对“金刚石膜加Si承载体”亦须分析实际承载和声学角色。目标权利要求10另述支撑基板加高声速膜,有助于提示这种区分,但不能反向添加“整个装置不得另有任何支撑层”的限制。

蓝宝石属于Al2O3,可进入F2材料判断;非晶碳则不必然是DLC,不能把宽泛的amorphous carbon直接改写成类金刚石碳。高声速和低声速还涉及相应体波速度与采用的弹性波模式,材料名称重合并不免除声速关系核查。目标说明书关于压电膜与低声速层整体能量约束的记载,可用于检验组合兼容性,不另作为权1未写明的效果限定。

三 检索方法与可复核性

检索入口和轮次口径

按六种查询语言组织检索,而不是限制六个公开号国家。实际尝试Google Patents原生结果入口未取得可读结果列表,因此采用外部搜索引擎的site:patents.google.com定域查询发现候选,再打开Google Patents公开文本核验。本次不声称完成180次成功的Google Patents原生页面操作,也不声称已穷尽该数据库。

每轮由一个新建的独立检索任务完成一条发现查询;得到结果后,下一轮改变材料分支、波模式、层位、键合术语、数值或排除条件。已知候选的直接打开、引证回溯、同族日期核对及失败后的合法重试,归入该轮核验,不计为额外发现轮次。重复族仍可在后轮用于消歧,但不重复计作新的独立技术启示。

查询语言

轮次编号

轮数

中文

CN01 至 CN30

30

英文

EN01 至 EN30

30

日文

JP01 至 JP30

30

法文

FR01 至 FR30

30

德文

DE01 至 DE30

30

韩文

KR01 至 KR30

30

 

查询中的before:2010-12-24属于实际提交的检索算符,不是合格公开日的证明。多轮结果仍返回2011年以后的文献,所以筛选以各公开文本的公开日为准。少数明确公开号或引证回溯查询本身未写日期算符,仍按相同截止日逐篇核对。附录保留原式,不补写未实际提交的日期条件。

检索概念的覆盖

概念

主要语言表达与变化

装置与波型

弹性波、声表面波、界面波、剪切水平波、板波;acoustic、surface、boundary、Love、Lamb;弾性表面波、境界波、板波;ondes acoustiques、élastiques、Stoneley;akustische、Oberflächenwellen;탄성파、표면탄성파、경계파、SH파。

限定高声速材料

金刚石和DLC先行,再转蓝宝石、AlN、SiC、SiN及SiON。各语言采用化学式与材料译名、历史拼写和近义词交替。

低声速层与键合

SiO2、silica、oxide、玻璃及掺杂物;interlayer、bonding、埋层、中间层、接合、collage、couche intermédiaire、Zwischenschicht、중간층。避免把光学波导、顶部导波和封装绝缘层误纳入。

数值和模式

λ、wavelength、波長、膜厚、épaisseur、Dicke、파장等,与IDT、叉指或梳齿电极结合;区分埋置介质厚度、压电厚度、金属厚度和局部体波四分之一波长。

 

证据分级和恢复记录

正文优先采用已直接读取的早期公开正文与原始PDF。Google Patents正文可支持段落核验,但只有取得并目视核对的PDF才标注“PDF已核”。第三方镜像、检索片段或后公开文献的引用说明,只作较低强度线索,不用它们冒充早期全文。所列“待核”不与合格主证混计。

2026年10月17日约04时07分UTC,本次工作区近期资料发生丢失,原因未确认。104轮既有记录根据真实可见的查询指令、此前读到的记录和各轮返回结论恢复;其中原始搜索返回及部分精确完成时间未能恢复。恢复不等于重新执行,也不补造原始命中清单。本报告以“恢复记录”标识这些轮次,并据后续重新取得的原文纠正技术判断。

因此,附录可以复核本次实际查询内容、调整轨迹与已保留结论,但不能称为每一轮均具有完整原始搜索返回的审计链。失败、零命中、全文未取到、同族重复和晚公开文献都如实保留;零命中只表示该次查询未找到材料,不证明相关现有技术不存在。KR21实际先外部查询后补原生入口探查,未将其改写为正常回退次序。

四 核心候选文献与同族归并

以下编号用于本报告的比对和路线分析。日期是所引具体公开文本的公开日,不以优先权日期替代。相关同族或共同优先权文献归并评价;相同内容的多个语言版本不能充当多个独立组合来源。

组号

主引公开文本及公开日

主要贡献

D1

JPH06326553A 1994年11月25日
EP0616426B1 1998年9月16日

LN薄片、IDT、埋置无机层及≤0.5λ和优选≤0.1λ;F2材料的同篇关联仍有争议。

D2

US6445265B1 2002年9月3日
FR2788176A1 2000年7月7日

蓝宝石支撑、SiO2键合层、LN或LT薄层和IDT;无已核实埋氧F6数值。

D3

JP2004343359A 2004年12月2日

第三实施形态的蓝宝石、SiO2中间膜选项、LT及IDT;F6缺口。

D4

CN101714858A 2010年5月26日
WO2005093949A1 2005年10月6日

完成例2的SiO2为0.1、0.3、0.5λ,λ由IDT周期定义;polySi与支持角色需论证。

D5

CN101789769A 2010年7月28日

LN、SiO2、SiN界面波叠层;同例712nm÷1.9μm=0.3747;支撑基板及膜角色待解释。

D6

CN101777622A 2010年7月14日

金刚石、SiO2、LN准确层序;无同方案IDT和IDT定义λ证据。

D7

US6046656A 2000年4月4日

LN或LT、IDT、埋SiO2、Si第二基板;最终SiO2=0.5λ,F2仍为Si。

D8

US20040036381A1 2004年2月26日

Si、SiOx、LT或LN、IDT;厚度换算仅有条件成立,不能替代明确F6。

D9

US20080067891A1 2008年3月20日

界面波SiO2为0.1至1.0λ,λ为梳齿电极周期;高速层可选Al2O3或SiN,支撑和压电膜角色未闭合。

 

D1 早期无机中间层厚度教导

JPH06326553A的实施例4之2,在[0224]至[0228]记载高声速非压电基板52、LN薄片21、中间层42及梳齿电极。中间层明确为非晶SiO2或非晶氮化硅,厚度不超过半波长、优选不超过十分之一波长。结合前述实施方式的电极与波长关系,这是正确埋层上的强数值证据;0.5λ和0.1λ端点落入目标闭区间。

该例基板52的例示材料是硼、非晶碳或石墨,不可自动归入权1清单。全文[0009]另有蓝宝石和金刚石高声速非压电基板的背景记载,配合的是ZnO或AlN;[0012]讨论沉积膜组合限制与单晶质量,[0234]及[0238]至[0239]允许其他材料组合并强调设计自由度。因此,争点不是全文绝对没有F2材料,而是技术人员能否从同篇上下文直接、无歧义读出限定支撑材料与例4薄片及中间层的具体结合。

EP0616426B1的例2之2(PDF第12页、第22栏)以石英、SiO2或SiN、LN及IDT给出≤λ/2、优选≤λ/10,层位与端点较清楚,但石英不在F2清单。例4(第16页、第30栏)进一步公开高声速非压电支撑、无机层、单晶压电片和IDT;第17页、第31至32栏涉及SiOx和小于0.5λ、进一步小于0.1λ的厚度教导。

EP原件也存在必须保留的文字矛盾:第31至32栏出现“足够大”与随后“小于”的方向不一致,第19页、第35栏的例4之2先称SiO2或SiN,后又变为非晶硅或多晶硅,层号也不一致。这不是可静默修复的OCR错误。日文JPH06326553A对应段落可以作为另一公开文本的清晰证据,但不能用它把EP原件改写成不存在的无歧义文字。

归并关系:EP0616426A1于1994年9月21日公开,US5446330A于1995年8月29日公开,DE69413280T2于1999年4月22日公开。JPH06326553A与EP组共同涉及1993年3月15日的JP5-53431优先权和对应披露,但Google Patents将其显示为不同族号;本报告按关联披露归组,不将日、欧两篇当成两个独立技术启示。JP3435789B2于2003年8月11日公告。

用途:D1是最强的单篇进一步审查对象,也是数值和整体叠层教导的重要组合来源。现有核验尚不足以直接断言同一具体实施例已经无争议地满足F2。日文仅已核HTML正文;EP已核PDF,二者证据形态不混称。

来源:JPH06326553A 日文原文

来源:EP0616426B1 英文原文;公开文本 PDF

D2 蓝宝石支撑的薄层波导结构

US6445265B1公开承载体4、键合层3、压电薄层1及电极2,图1与图3的叠层可在原PDF第2页核对。承载体可为蓝宝石,键合层可为SiO2,薄压电层可为LN或LT,并设置IDT。正文说明承载体的体波速度高于压电层,有助于形成波导并限制声能,因而F1至F5具有较强结构和作用关系支撑。

全文的“几百埃”氧化层不能直接换算成0.1λ至0.5λ;“1至30μm、约一个波长”的叙述指压电层,不能移给SiO2。具体几百埃沉积还与Si或GaAs表面工艺相连,权利要求4也将数百埃列为一个从属分支;不能隐去这一偏薄教导,也不能反向断言所有蓝宝石实施方式都只能采用这一极薄厚度。独立权利要求中的镂空结构与图5有关,图1普通实心实施方式仍须单独评价,不能只读独权便排除全篇。

该族的FR2788176A1于2000年7月7日、WO2000041299A1于2000年7月13日公开,均早于截止日。它们与US6445265B1是同一技术来源;EP1060562B1于2005年2月9日公开,也属于该组,不重复计数。D2最适合作为蓝宝石支撑叠层及声导作用的主证,厚度差异仍需另一文献及实际选择动机补足。

来源:US6445265B1 英文原文;公开文本 PDF

来源:FR2788176A1 法文原文

D3 第三实施形态的蓝宝石中间膜结构

JP2004343359A的第三实施形态及图7,在PDF第10至11页[0058]至[0059]明确LT基板11、中间膜23和蓝宝石基板21;中间膜优选材料列为SiO2、SiN或AlN。这比全文中分散列举材料更接近一个明确实施形态。IDT及相应声表面波构造可结合[0046]至[0047]、[0060]和[0065]读取。

决定性不足是中间SiO2层的归一化厚度。[0063]认为膜越厚表面粗糙度越大,宜尽量薄;[0064]的15nm属于AlN,不是SiO2。[0054]的1μm是另一实施形态的Si层,不能用它除以2.1μm的SAW波长,拼出第三实施形态的SiO2约0.476λ。蓝宝石选材的热膨胀及加工理由很明确,但本案声速关系与所选模式还应补充论证。

US7331092B2、JP3774782B2为关联同族版本;本报告技术主引仍是截止日前的JP2004343359A。用途是与D1数值教导形成平行的两篇组合,或用于检验D4、D5中支撑与压电膜角色的替换是否合理。

来源:JP2004343359A 日文原文;公开文本 PDF

D4 明确的埋置SiO2数值系列

CN101714858A在边界波装置中公开LN、界面IDT、SiO2第二媒质及polySi第三媒质。PDF第8页[0066]明确λ=2P,由IDT电极周期确定;第12页的实施例2及[0115]至[0116]给出完成结构中SiO2厚度0.1λ、0.3λ、0.5λ。这是比仅有绝对微米值或跨实例换算更可靠的F6证据。

该例后续还加入厚度1λ的SiO2第四媒质,[0112]对此有明确记载。不能为了贴近目标而删掉该实际层,也不能把第四媒质厚度当作目标埋层。例1先采用0.1λ后再调厚,引用时也须说明完成结构状态。原PDF第8页[0065]确写λ为30μm;本报告保留原文,不用猜测修正该数值。

第9页[0078]允许第三媒质另制薄膜或板状体再贴合第二媒质,这对其可承担支持角色有利;第13页[0125]的通用材料菜单包含AlN、蓝宝石、SiN,[0126]允许多层。但实际数值例第三媒质是polySi,不能仅用一般材料清单替换为权1限定支撑,就宣布全部特征已同例公开。LN的压电膜角色也需结合实体尺寸和制备方式解释。

早期关联公开包括WO2005093949A1(2005年10月6日)、CN1938946A(2007年3月28日)、JPWO2005093949A1(2008年2月14日)、JP2010166592A(2010年7月29日)、EP1732214A1(2006年12月13日)及KR100804407B1(2008年2月15日)。KR20060129514A的元数据公开日为2006年12月15日,但本次未取到该A文本全文,不用B文本内容伪装为A文本已核。全组只按一个技术来源评价。

来源:CN101714858A 中文原文;公开文本 PDF

来源:WO2005093949A1 公开文本

D5 材料与数值同时接近的三媒质方案

CN101789769A公开LN压电体2、界面IDT3、SiO2层6及SiN第二介体7。原PDF第7页[0072]至[0073]确认LN与SiO2界面的IDT;第8页[0082]说明第二介体可用基板粘合工艺形成,[0083]公开SiO2为0.2λ至0.7λ,且其横波速度低于LN和SiN,使声能集中在低声速媒质中;[0084]给出SiN厚度例如1λ以上。

同一实验参数列表明确:IDT指节距定义的λ为1.9μm([0092]),SiO2厚度为712nm([0098]),SiN厚度为2000nm(第9页[0099])。因此712÷1900=0.3747368,落入0.1至0.5;这一计算来自同例对应数据,不是从不同实施方式拼接。

第9页[0110]称低声速SiO2“被夹持在”较高声速的LN与SiN之间,并说明速度条件不满足时会产生泄漏。原文没有“支撑”两字,直接支持的是声学夹持和波导,不能升级为SiN机械承载的明示证据。第二介体是否构成权1的高声速支撑基板、LN压电体是否构成压电膜,仍须结合实体结构及[0082]基板粘合工艺解释;不能因它画在上方便排除,也不能靠图示旋转或声学夹持替代证明。

本件于2010年7月28日公开,早于截止日;优先权日2009年1月26日不是纳入依据。JP2010193429A于2010年9月2日公开,为相关同族;主分析采用已核CN公开原件。D5可作为强数值与材料组合证据,也可与D2或D3的薄压电支撑技术形成备选路线,但需检验低速介质主导的界面波与目标薄膜复合导波结构的能量分布和工艺兼容。

来源:CN101789769A 中文原文;公开文本 PDF

D6 金刚石SiO2与LN的准确材料层序

CN101777622A的权利要求1、发明内容和唯一附图明确金刚石1、SiO2层2、LN膜3,原PDF第6页可直接核层序。SiO2厚度为0.05至0.6μm,实施例包含0.13μm和0.3μm;LN为0.2至3μm。文献将SiO2与温度补偿、减轻晶格失配、抑制金刚石氧化及声表面波应用联系。

它对F2至F4的材料和相对位置有直接贡献,但实施例与附图没有实际IDT,背景提及叉指周期不等于同方案完成IDT器件。没有对应的IDT波长,不能自行选择λ把0.13μm或0.3μm换算进目标范围。公开日应取A文本2010年7月14日,而非B文本2011年9月14日。

用途是支持金刚石与SiO2、LN材料相容和温补动机,或与D1明确IDT及波长归一厚度教导组合。若选择该路线,仍应说明为何采用D1的数值能够保留D6的材料与工艺效果,而不是单纯把两个清单拼在一起。

来源:CN101777622A 中文原文;公开文本 PDF

D7 最终SiO2半波长厚度的辅助证据

US6046656A的图1至图3与实施方式公开LN或LT第一基板、其上的IDT、SiO2膜和经键合的Si第二基板。英文全文及PDF解析文字第8页第3至4栏支持该结构;图3(d)对应的最终抛光SiO2明确为0.5λ,即1.2μm。先沉积0.2至0.7λ再抛光的前体范围,不如最终0.5λ的记载直接。

局限有三项。第二基板是Si或其非晶、多晶形式,不属于F2限定材料;第一压电基板的膜角色未明确;虽权利要求5将λ称为声表面波波长,本次尚未确认该实施例用IDT电极周期作同样明确定义。背景另述电极节距不能移入图3实施例补齐。原PDF已取得并解析,但本次未完成该页图像目视核验,证据形态应如实区别。

已核同族目录包含WO1998051011A1(1998年11月12日)、CN1225760A(1999年8月11日)和EP0920129A1(1999年6月2日)。D7是截止日前埋氧层0.5λ的有力辅助来源,仍需独立的支撑材料替换理由,不是现成全特征单篇。

来源:US6046656A 英文原文;公开文本 PDF

D8 绝对厚度与有条件换算

US20040036381A1的[0021]至[0023]公开Si支撑、SiOx层、LT或LN及IDT,氧化层厚度1至15μm。其1900MHz实例中压电层5μm约为2.5λ,可在同条件成立时推得λ约2μm,进而1μm氧化层约0.5λ;但这仍须确认各参数属于可结合的同一方案,证据强度低于D4、D5和D7的明确归一厚度。

F2支撑为Si,不能满足材料清单。文献中的1μm氧化层配10Ω·cm Si效果较差、6μm配300Ω·cm较好,涉及电阻率等耦合因素,不能泛化成蓝宝石结构的相同选择动机。压电层≥2.5λ本身不构成权1排除理由,因为本权利要求未设压电膜最大厚度。US7105980B2与该A公开属于同族,不重复计数。

来源:US20040036381A1 英文原文;公开文本 PDF

D9 界面波埋介质范围与高速层选项

US20080067891A1于2008年3月20日公开,Google Patents英文全文已核。其界面波实施方式的第二介质膜26优选SiO2,厚度0.1λ至1.0λ,λ明确为梳齿电极14的周期;相邻第三介质膜28的声速更高,可选Al2O3、Si或SiN。LN或LT压电基板也有明确记载。0.1至1.0λ与目标区间重叠,具有数值贡献,不必强求逐字出现0.5λ上端点。

该器件另有位于电极指下方的第一介质层,指间部分被移除。权1未明示直接接触或禁止插层,故不能仅据此排除,但实际IDT与压电膜一面的形成关系应继续说明。实质缺口仍是高速覆盖膜28是否承担高声速支撑基板角色,以及LN或LT基板是否为压电膜。

同篇Love波变体给出更窄0.1λ至0.3λ,却明确不采用第三介质膜28,不能把这一范围移植到带高速层的界面波方案。中文同族CN101150302A索引标示2008年3月26日公开,但本次中文原页未取到;本组主证使用英文早期全文,不以2011年1月26日的CN101150302B代替。

定位:Google Patents正文的界面波实施方式、第二及第三介质膜26与28说明,以及权利要求6至8。D9适合与D4、D5、D7组成不同来源的埋层归一化数值对照,但自身尚不是全特征单篇。

来源:US20080067891A1 英文原文

五 核心特征比对矩阵

“明确”指已核对应结构或数值;“部分”指具有有关教导但具体材料、角色或同例联系未闭合;“缺口”指不能据已核文本确认。矩阵是定位工具,不把同一列中来自不同实施形态的内容自动合成单一实施例。

文献组

F1

F2

F3

F4

F5

F6

D1 日文及EP

明确

部分

明确

明确

明确

端点及重叠

D2 蓝宝石波导

明确

明确

明确

明确

明确

缺口

D3 第三实施形态

明确

材料明确
声速需论证

明确

LT明确

明确

缺口

D4 边界波数值

明确

polySi例
替换待证

明确

LN明确
膜角色待证

明确

明确

D5 三媒质数值

明确

SiN明确
支撑角色待证

明确

LN明确
膜角色待证

明确

明确

D6 金刚石复合膜

SAW用途

材料明确

明确

明确

背景提示

仅绝对厚度

D7 半波长埋氧

明确

Si不符

明确

材料明确
膜角色待证

明确

0.5λ明确
定义待补

D8 Si复合基板

明确

Si不符

明确

明确

明确

条件换算

D9 界面波介质

明确

材料明确
支撑角色待证

明确

材料明确
膜角色待证

IDT明确
插层需核

范围重叠

 

D1的F2“部分”包含全文背景出现限定材料这一有利事实,而非断言其完全没有蓝宝石或金刚石。D4、D5的“膜角色待证”不是依名称直接排除。D5的F6来自同例IDT定义与厚度计算;D7尚缺同样明确的λ定义核查。D2与D3不能用压电层厚度、AlN厚度或别的实施形态Si层厚度填入F6。

六 单篇评价与优先组合路线

单篇新颖性路线的强点和停止条件

优先继续审查D1日文文本的内部关联:例4高声速非压电支撑与无机层、LN薄片、IDT及半波长上限已相连,背景又明确蓝宝石或金刚石,且有其他材料组合的开放教导。对请求人有利的是,这些不是相距甚远的无关技术领域;不利的是,背景组合配ZnO或AlN,而例4具体支撑例示不是目标清单。若必须进行材料替换或跨语境选择才能得到目标,宜按创造性组合陈述,不应伪装成单篇直接公开。

D5是另一值得进一步解释的单篇候选:材料序列、IDT位置和0.3747λ都很接近,且原文存在声学夹持和基板粘合记载。停止条件是必须补清SiN介体为何是高声速支撑基板、LN压电体为何是压电膜。不能仅因这些词不同就排除,但也不能靠图翻转或薄膜常识的泛称补齐。

优先路线一 以D1为起点结合D2

以D1日文例4之2为起点,保留其LN单晶薄片、SiO2中间层、IDT及≤0.5λ、优选≤0.1λ的范围与端点教导,仅针对高声速支撑材料选择蓝宝石。D2提供蓝宝石承载、SiO2键合及LN或LT薄层,并说明高速载体导波和声能约束目的;D1自身背景也已提示蓝宝石是高声速选材方向。这比反过来把D2的几百埃胶层主动增厚,更少受到反向教导攻击。

两篇均处理薄压电单晶与非压电载体之间的无机层,结构和声导作用对应,而不是从顶部温补层搬移数值。主要反驳是D1硼或碳类支撑可能依赖特定声速与热膨胀,D2薄胶层倾向也不证明蓝宝石体系在0.1λ必有相同损耗。应围绕已公开选材方向、速度与工艺相容性及合理预期效果论证,不把相同Q值当作权1额外特征,也不宣称整个区间都已实际验证。若主张0.1λ端点,材料、层序和膜身份也须落在论证后的同一方案内。

平行路线二 以D1为起点结合D3

同样从D1保留薄片、IDT和归一化中间膜设计,以D3第三实施形态证明蓝宝石、优选SiO2中间膜与LT实际接合可行。两篇均以无机中间层改善异种基板接合及器件性能,工艺联系较强;D3的限定材料在同一实施形态中关联明确,减少从大清单选料的争议。

主要反驳比路线一更具体:D3[0063]强调膜尽量薄以抑制粗糙度,D1的0.1λ至0.5λ选择可能增加膜厚。请求理由应分析“尽量薄”的工艺语境、实际工作波长和仍可接受的表面状态,同时呈现其CMP镜面化补救,不能视为绝对禁止较厚膜。D3[0045]把LT由250μm研薄至30μm,[0046]λ约2.1μm;这不是≤1.5λ,但权1也无该上限。膜语义及厚度可行性仍须具体解释,避免把15nm或另一例1μm硬套进来。

材料替换路线三 以D1为起点结合D6

D6明确金刚石、非晶SiO2、LN薄膜的SAW用途与温度补偿和材料相容理由,可用于把D1高声速支撑具体化为金刚石,并保留D1的IDT及归一化中间层设计。该论证不需要把D6未给出的IDT波长自行倒算成直接公开。

最强反驳是D6采用取向沉积LN,D1则为特定切向单晶薄片和接合工艺,晶向、界面制造及声模并非当然互换。D6能够支持选材和相容性,不等于已经证明全部工艺可直接替换;仍须解释为何换材后保留D1所选归一厚度具有可行性。因D6自身无完整IDT实例,它仍不是单篇全特征文献。

结构重构备选 D5与D2或D3

以D5保留同例的SiN、SiO2、LN、IDT及0.3747λ,利用D2或D3的薄压电体与承载基板技术讨论实体角色或制备转换。它避免从绝对厚度猜λ,也避免用非限定polySi作起点,因此值得保留,但不因覆盖特征多就排在前述材料替换路线之前。

反驳重点是改造是否改变基本工作原理。D5把声能集中于低速媒质的界面波体系,D2或D3的薄压电支撑和温度、加工目标不完全相同。这往往同时涉及LN薄化、机械支撑重新分配及模式变化,D2也没有直接教导SiN承载基板。必须说明转换后仍能形成可用的IDT弹性波、速度关系和支撑功能,不能仅把声学夹持或结构倒置视作显而易见的全部理由。

备选路线 D4或D7与限定材料支撑文献

D4提供明确0.1、0.3、0.5λ及IDT定义;D7提供最终SiO2=0.5λ。两者能反驳“此前没有埋置氧化层在该数值附近”的笼统主张,但具体数值例的Si或polySi不在F2材料清单。可研究D2、D3或D6的限定材料及支撑技术是否提供替换动机,同时检验速度、温度补偿、界面结合和模式是否仍然相容。

若选择D6与D1,D6的材料层序、温补和材料相容理由有利,但必须补清实际IDT器件化及归一厚度选择。D8更适合作为薄膜器件和氧化层厚度变化的辅助材料,不宜因条件换算而优先于D1、D4、D5或D7。一般不宜一开始就堆叠三至四篇,以掩盖最接近方案及真实区别不清。

数值范围规则与适用前提

国家知识产权局《专利审查指南》第二部分第三章3.2.4,对数值落入、部分重叠或共同端点具有新颖性意义,但以其余技术特征相同等条件为前提。本案不能因为D1出现0.1λ或0.5λ,就跳过F2材料与同一方案的争点;也不能因为对比文件没有逐字写出整段0.1至0.5,便认为其端点或范围完全无用。3.2.2关于上位概念不自动公开下位具体概念,也提示不能把全部非晶碳直接等同DLC。

上述为检索技术评价的简要法律背景。参考2023年官方指南相关页,并与2025年第84号修改决定及其2026年1月1日施行安排并读;不把2023年PDF称作未经后续修改的现行全文。正式请求书仍须结合适用法、优先权、证据形式和具体权利要求解释审查。

来源:国家知识产权局 专利审查指南官方PDF

来源:国家知识产权局 第84号修改决定

七 辅助文献与不宜使用的证据

仍有部分贡献的早期文献

文献

保留价值

主要限制

JP2007228225A
2007年9月6日

金刚石或蓝宝石支持、LT或LN及位于压电层下方的SiO2温补层选项。

[0047]至[0049]的0.1、0.2、0.3λ属于Al2O3缓和层,不是SiO2。另一个λ/4按层内波长定义,不能混为IDT波长。

JP2004312309A
2004年11月4日

SiC、SiN或蓝宝石支持,LT或LN、IDT和埋SiOx。

优选中间层厚度≥2λ,与目标区间不同;不直接证明F6。

JP2003124767A
2003年4月25日

金刚石、AlN、SiN等第二基板和LT或LN薄板及IDT。

实例为树脂胶或直接键合;硼属于支持材料列表,不是掺硼SiO2。

US7812692B2
2010年10月12日

金刚石结构板、可选SiO2缓冲层、压电层和指状激励。

压电材料是ZnO、AlN或PZT,未见LN或LT。pitch不能未经确认直接当λ;小于0.5μm并非F6。

US5838089A
镜像标示1998年11月17日

Si承载上的金刚石或DLC膜、SiO2、LN或LT可选材料及IDT。

本次依Justia镜像;金刚石膜与Si支持的角色需证,绝对厚度不能自动成为0.1至0.5λ。证据级别低于原文已核主证。

 

来源:JP2007228225A 日文原文;公开文本 PDF

来源:JP2004312309A 日文原文

来源:JP2003124767A 日文原文

来源:US7812692B2 英文原文

来源:US5838089A Justia全文镜像

技术接近但公开日晚于界限

文献或族

已核最早相关公开日

处理

WO2011046117A1及JP5354020B2关联族

2011年4月21日

虽优先权在2009年,且有0.05至1.4λ埋置SiO2,仍不能纳入本次截止日前证据。

WO2011007690A1及US8427032B2关联族

2011年1月20日

晚于截止日,不因早优先权或技术相近而纳入。

FR2950154A1

2011年3月18日

DLC相关线索,但晚公开且涉及光学膜片驱动。

WO2012086639A1及目标后期同族

2012年6月28日

目标自身关联公开,不作为截止日前现有技术。

 

错误层位和错误归一化的常见陷阱

顶部SiO2温补层或保护层:如KR100503953B1及KR20030063160A中的0.15至0.40λ,层位在IDT上方,不能替代压电膜下的低声速膜。JPH或US其他温补覆盖层文献即使范围接近,也必须先核层位。

错误分母:JP2002261572A的0<2πh/λ≤1,正确换算是h/λ≤约0.15915,不是≤1;它仍涉及顶部膜。压电层厚度、金属IDT厚度、反射镜局部体波λ/4、光学波长或层厚比,都不能当成F6的埋层厚度与IDT波长比。

错误材料角色:AlN可能是活性压电层而非高声速支持,SiN可能是刻蚀掩膜或顶部质量块,diamond可能只是切割工具。普通Si不是SiC或SiN,石英或玻璃支撑也不因存在“硅”字而进入F2。额外中间层并非自动排除理由,但其作用和实际低声速层必须单独核查。

全文或公开日尚未闭合的线索

WO2003088482A1的片段提示低声速中间层与界面波导向,可能有材料选择动机价值,但本次原文取用遭自动查询阻断,未继续绕过。确切公开日和关键全文未完成核验,仅列待核,不作为已核早期主证。

JP2006121228A的索引和片段提示埋非晶SiO2、LT或LN与限定支持选项,绝对厚度≤1000nm、优选1至100nm;多次原文不可取,尚缺可靠公开日、同方案IDT及归一化确认。JP3952666B2、JP2010136317A的早期文本及KR20100024952A等也保留为待核线索。后公开版本或引证表不能替代未取得的早期内容。

八 证据准备与后续使用建议

第一,优先准备D1日文原文与EP原PDF、D2和D3的早期公开文本及书目页。将D1例4之2的准确中间层材料和厚度、D2蓝宝石承载及波导目的、D3第三实施形态的SiO2选项分别做定位对照,保留原文矛盾而非修改。需要正式提交时,再核官方来源、译文和相关优先权关系。

第二,单独准备D5的同例数值页和结构图:LN与SiO2界面IDT、基板粘合、SiO2范围、λ=1.9μm、712nm与2000nm、声学夹持措辞。围绕“支撑基板”和“压电膜”形成具体实体解释,避免把两个术语争议隐藏在特征勾选表里。

第三,D4和D7作为数值备用证据时,保留完成结构、层号及λ定义差异。不要把D4的第四媒质、D7的沉积前体或D8的压电层参数剪裁后当作更强公开。组合前应对工作模式、材料声速、键合及粗糙度要求作小范围技术核查。

第四,最终无效路线应在单篇内部直接公开、两篇创造性组合和仅作背景的辅助材料之间作明确选择。建议优先展开以D1为起点分别结合D2、D3的两条可对照路线,再保留D1与D6的金刚石材料替换路线;D5作为数值很强但结构重构较大的备选。现阶段不输出缺乏依据的胜率,也不以检索次数替代论证强度。

关联分案无效程序的后续调查线索

另有一项值得优先调取的后续材料,但不计入180轮发现检索,也不是截止日前现有技术。Google Patents将CN106209007B(申请号201610512603.9)列为CN103262410B的关联分案;该分案权利要求1的高声速支撑明确为硅,压电材料范围也更宽,与本次权1不能混同。

新浪转载的卓胜微2025年11月21日公告2025-086称,ZL201610512603.9于2025年1月被国家知识产权局宣告全部权利要求无效。本次未取得官方决定书、实际引用证据或司法终局材料,Google页面仍显示Active。故该公告只能引导优先调取分案无效决定及引证,不能作为本案已经无效或该分案法律状态已最终确定的证明,也不改变上述检索结论。

来源:CN106209007B 关联分案原文

来源:卓胜微公告2025 086 新浪转载

 

附录 六种语言全部逐轮检索记录

各条“实际检索式”保留该轮提交的发现查询,包含当时实际使用的site、日期和排除条件;不把原文打开或已知公开号核验伪装成新增查询。查询语言只是执行分组,检索命中文献可来自任何国家。

调整与结果为中文归纳,结合后续原文复核纠正早期误判;“未新增”包括无命中、重复族、晚公开、技术不符或全文未核等情形。“恢复记录”表示原始搜索返回不可完整恢复,正文第三节已说明;未标此项不等于所有命中文献均已全文验证。

中文检索 CN01 至 CN30

CN01  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com 压电膜 金刚石 氧化硅 铌酸锂 声表面波 before:2010-12-24

调整:首轮按金刚石、SiO2、LN的完整材料层序检索。

结果:直接结果多为晚公开;CN108631747A于2018年公开,排除。US20040061575A1虽早,但SiO2覆盖LN和IDT,是顶部层而非埋层。

CN02  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com 蓝宝石 氧化硅 铌酸锂 表面波 键合

调整:CN01金刚石结果偏晚,结合英文蓝宝石线索改换支撑材料。

结果:12项未得早期合格候选。CN113300683A中的0.01至0.5λ属于电极而非氧化层,且2021年公开;另有全文未取到的晚期线索。

CN03  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com 氧化铝 钽酸锂 中间层 接合 声表面波 波长

调整:CN02键合结果偏近年,转薄氧化层和中间层术语。

结果:未新增早期候选。CN1578134A的中间或缓冲层涉及电极和TiN,未证为目标埋置低速层;原文及日期未完成核验。

CN04  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com 金刚石 铌酸锂 氧化硅 离子 剥离

调整:CN03中间层词引入电极噪声,改用薄膜转移相关表达。

结果:12项以晚期文献为主。CN112420914A和CN114068803A分别于2021、2022年公开;500nm也无对应λ,不能补F6。

CN05  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com 声表面波 蓝宝石 二氧化硅 接合 before:2010-12-24

调整:CN04离子剥离结果偏晚,换用较早的氧化硅和接合措辞。

结果:CN1665131A于2005年公开,LT、蓝宝石与IDT相关,但0.3至2.5nm界面为非晶LT或蓝宝石等,并非SiO2。另一近似族最早2011年公开,排除。

CN06  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "WO2010116783" 界面 声速

调整:沿CN05的截止日前边界波引证追踪层序和厚度。

结果:WO2010116783A1索引公开日2010年10月14日,含LN、SiO2、SiN与界面IDT线索;膜与支撑角色未证,归一数值属Pt电极。早期全文未取到。

CN07  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "WO2008108215" 氧化硅 厚度

调整:追查CN06所引更早的边界波族,区分介质与电极数值。

结果:WO2008108215A1于2008年9月12日公开,0.05至0.16λ涉及IDT导体。只取得早期摘要与元数据,未以2011年US授权正文替代早期公开。

CN08  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com 边界声波 氮化铝 氧化硅 铌酸锂 膜厚

调整:CN07的数值属于电极,转向三媒质界面波结构。

结果:CN101145767A于2008年公开,LN、SiO2、Al2O3相关,但Al2O3支撑角色未证;0.22至0.38λ在背景顶部层,1050nm实例约0.511至0.529λ。

CN09  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "CN101926090A" 氧化硅 波长

调整:核验CN08出现的可能接近截止日的旧文献。

结果:CN101926090A于2010年12月22日公开,氧化物填充晶界或孔洞,非独立埋层;波长与WDX探测有关,非目标SAW。全文未取到,仅片段排查。

CN10  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com 类金刚石 声表面波 氧化硅 铌酸锂

调整:CN09是填充而非膜,改查DLC与非晶碳的材料联系。

结果:CN1750392A于2006年公开,结构为IDT、ZnO、非晶金刚石、Si;高sp3碳有助消歧,但350nm属于碳层,非低速SiO2,且活性压电材料不符。

CN11  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "四面体非晶碳" "声" "氧化硅"

调整:CN10区分高sp3碳后,测试更精确的历史碳材料表达。

结果:两项结果无合格候选。CN118074658A晚至2024年;CN101663558A涉及指纹传感器保护层,日期未核,不能构成目标声学支撑证据。

CN12  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "金刚石" "绝缘中间层" 声

调整:CN11碳词噪声大,改用绝缘中间层表达锁定层位。

结果:12项、11个公开号,无新增早期候选。CN116131801A仅有晚期索引线索;金刚石是另一高声速中间层选项,全文与日期未核。

CN13  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com 金刚石 铌酸锂 接合层 氧化物 before:2010-12-24

调整:CN12固定译词仍偏晚,转玻璃接合与薄膜转移表达。

结果:CN115241041A虽层序接近但2022年公开。CN1371434A于2002年公开,属LN离子切割和低熔点玻璃工艺,无已核IDT、限定支撑及F6。

CN14  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com 声表面波 低熔点玻璃 铌酸锂 基板

调整:CN13玻璃工艺缺声学要素,加入弹性波应用限定。

结果:CN101644611A于2010年公开,但0.1λ SiO2在石英顶部导波背景,器件为LGS传感器;其余封装线索不补目标埋层。

CN15  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "无机" "接合层" "叉指" "蓝宝石"

调整:CN14玻璃与封装噪声,进一步收紧实际器件层序。

结果:三项无合格候选。CN104170056A为2014年模具,CN120660188A为2025年混合键合;太阳能叉指并非声学IDT。

CN16  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com 声表面波 氧化硅 接合 铌酸锂 "2004"

调整:CN15泛化词无效,明确较早SAW与三媒质结构。

结果:取得D4 CN101714858A及早族,完成例2埋SiO2为0.1、0.3、0.5λ,λ=2P,但polySi与支撑角色未闭合。D6 CN101777622A材料层序准确,却无同方案IDT或λ。

CN17

实际检索式:site:patents.google.com 境界波 蓝宝石 板状体 氧化硅

调整:CN16数值例是polySi,改查边界波蓝宝石及贴合板术语。

结果:引证核验得到D5 CN101789769A:SiO2为0.2至0.7λ,同例712nm÷1900nm=0.3747。界面IDT不构成排除理由;LN膜与SiN支撑角色仍需论证。

CN18

实际检索式:site:patents.google.com 碳化硅 氧化硅 钽酸锂 洛夫波

调整:CN17存在高速覆盖介体角色问题,换SiC和Love波寻找真正承载结构。

结果:12项多为近年SiC、LN或LT的SH0器件;两件全文证实晚公开,另两件相关全文未取到。未核实截止日前SiC埋层方案。

CN19

实际检索式:site:patents.google.com 氧化铝 氧化硅 铌酸锂 剪切水平波 before:2010-12-24

调整:CN18 SiC结果偏晚,换氧化铝和剪切水平波,保留SiO2与LN。

结果:12项、11公开号,多为晚期。引证JP2006254507A于2006年公开,但SiO2覆盖IDT,未证目标支撑、埋氧及压电膜层序。

CN20

实际检索式:site:patents.google.com 氧化钽 铌酸锂 声表面波 薄膜

调整:CN19氧化铝仍是近年SH噪声,切换权1允许的低速氧化钽。

结果:未找到早期埋置氧化钽结构。CN1829082A或B可作LN或LT薄膜与表面IDT辅助,但Si支撑、无埋低速层及F6,不能补全权1。

CN21

实际检索式:site:patents.google.com 硼硅玻璃 铌酸锂 声波 接合

调整:CN20氧化钽分支无早期结果,改查掺硼玻璃与键合LN。

结果:12项无已核早期合格候选;近似叠层族晚公开,BSG或BPSG多为牺牲层。WO2005008889A1仅引证日期线索,原文未取,未作特征主证。

CN22

实际检索式:site:patents.google.com 兰姆波 铌酸锂 氧化硅 金刚石

调整:CN21牺牲层不能证明保留埋层,扩展到Lamb或板波及IDT几何。

结果:直接命中均偏晚。引证JP2008054163A于2008年公开,IDT与λ关系明确,但为压电板,未得目标限定支持与埋层叠层;不因Lamb标签一概排除。

CN23

实际检索式:site:patents.google.com 氮氧化硅 钽酸锂 中间层 波长

调整:CN22空腔结构有缺口,改查SiON中间材料与LT归一厚度。

结果:12项未确认早于截止日。CN112152587A片段有0.2至1λ中间层及陶瓷支持,但公开日及低声速关系不满足或未核;六次正文取用失败。

CN24

实际检索式:site:patents.google.com 声反射层 铌酸锂 叉指 氧化硅

调整:CN23 SiON结果偏晚,转固体支撑的IDT声反射镜,区分四分之一波长定义。

结果:12项均偏晚,两件近似全文核为2023或2024年,排除。2003年引证和2008年相似文献未取到原文,贡献未核。

CN25

实际检索式:site:patents.google.com "CN101150302" 氧化硅

调整:CN22与CN24重复出现旧引证,改用公开号加氧化硅定向消除晚期噪声。

结果:D9 US20080067891A1早期全文核实SiO2为0.1至1.0λ,λ为梳齿周期,Al2O3或SiN高速层可选。支撑与膜角色仍缺;不能拼入无高速层Love变体的0.1至0.3λ。

CN26

实际检索式:site:patents.google.com "掺碳" "氧化硅" "声" "压电"

调整:CN25已补界面波数值,测试允许的碳掺杂SiO2并区分DLC支持。

结果:12项、11公开号,无新核实早期候选;CN109039298A是顶部温补,CN119210389A埋碳掺杂介质却晚至2024年,其他近似LT或LN器件亦晚。

CN27

实际检索式:site:patents.google.com "低声速" "膜厚" "0.5" "2009"

调整:CN26掺杂结果偏晚,去材料过约束,改低声速、厚度、0.5及2009线索。

结果:12项仍多为目标或后期关联文献;六个已核确切公开日均晚。数值0.5还可能属高速层或压电层,不能单独证明F6;其余原文未取。

CN28

实际检索式:site:patents.google.com "氧化硅" "接合" "0.3λ"

调整:CN27低声速泛词多为目标自身,改键合表达及准确0.3λ厚度。

结果:12条、11公开号仍多为目标或晚期。CN102577120B技术接近,但其最早WO2011046117A1于2011年4月21日公开,不能纳入。

CN29

实际检索式:site:patents.google.com "弹性波" "低声速膜" "2010" -CN103262410

调整:CN28重复晚期族,加2010并排除目标公开号词根;实际外部排除未有效生效。

结果:仍多目标或晚期结果。引证JP2004282232A早公开且有LN或LT、IDT及高速硬介质,但缺埋低速层及F6;硬层0.8至1.2是kh=2πT/λ,非低速埋层厚比。与其他轮去重,仅作背景。

CN30

实际检索式:site:patents.google.com "蓝宝石" "氧化硅" "0.1λ" "2005"

调整:CN29旧低速词仍是目标或晚期,改蓝宝石、SiO2、归一数值及2005年份词。

结果:12项无新独立早期族。复核CN1938946A及WO2005093949A1已知D4族的IDT定义和埋SiO2数值,最早核2005年10月6日;有部分贡献,未构成全特征单篇。

 

英文检索 EN01 至 EN30

EN01  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "diamond" "silicon dioxide" "lithium niobate" "surface acoustic"

调整:中文初轮金刚石命中偏晚,英文改查蓝宝石完整叠层。

结果:JP2003535546A于2003年公开,蓝宝石、SiO2、下电极、LN或LT、上电极有部分组合价值;未见归一化埋层厚度。

EN02  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "US6445265" "layer"

调整:EN01双面电极有缺口,直接核早期分子键合候选。

结果:发现查询无命中;已知US6445265B1原文确认蓝宝石、SiO2、LN或LT和IDT。几百埃是氧化层,1至30μm及约一波长是压电层,不能混用。

EN03  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "lithium niobate" "silicon dioxide" "0.2" "diamond"

调整:EN02缺较厚埋氧的归一数值,增加波长和厚度约束。

结果:US9048813B2为晚期顶部膜。引证WO2005034347A1于2005年公开,0.15至0.4λ及0.27λ实例是LN和IDT上方SiO2,非目标埋层。

EN04  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "lithium tantalate" "buried" "oxide" "acoustic" before:2010-12-24

调整:EN03顶部温补层数值噪声,强调埋置与器件中间层。

结果:US7442250B2和US7628853B2分别2008、2009年公开,但“埋置”是LT加工粉末环境,非器件氧化物膜;无新增候选。

EN05  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "US7105980" "oxide"

调整:EN04粉末噪声后,核查较早的键合复合基板线索。

结果:US20040036381A1于2004年公开,Si、埋SiOx、LT或LN和IDT明确。Si不符F2;1μm约0.5λ仅条件换算,不能当直接区间。

EN06  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "silicon carbide" "lithium tantalate" "bonding layer"

调整:EN05支撑仅为Si,改查权1允许的SiC。

结果:12项无早期合格候选;JP2019217530A为2019年非晶键合界面,非已证氧化层;US20210215955A1为2021年电光器件。

EN07  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "silicon carbide" "silicon oxide" "surface acoustic wave" before:2010-12-24

调整:EN06近年键合噪声,换用SiC声学和低速层表述。

结果:US8427032B2关联WO2011007690A1最早2011年1月20日公开,排除;SiO2还在IDT上方。EP1460759A1只得保护电极摘要,日期未核。

EN08  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "silicon nitride" "lithium niobate" "intermediate layer" before:2010-12-24

调整:EN07仍为SiC顶部层,改换高速材料分支。

结果:JP2004226583A的SiN是刻蚀掩膜、LN为光学波导,不是所需叠层;陶瓷支持引证仅作线索。多件原文未取,未新增合格候选。

EN09  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "diamond-like carbon" "surface acoustic" "1994"

调整:D1非晶碳不当然为DLC,专查材料术语桥接。

结果:US5426340A片段有DLC与非晶硬膜联系,但全文日期未核,不能反推所有非晶碳都是DLC。US6661152B2于2003年公开,有金刚石、LN或LT、IDT,缺埋氧厚度。

EN10  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "i-carbon" "silicon oxide" "acoustic"

调整:EN09仍未证明DLC具体实施方式,换历史碳材料同义词。

结果:12项以保护或阻挡涂层为主,无合格新候选。US20010002284A1与JP3737291B2仅术语线索,正文和准确日期未核。

EN11  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "i-carbon" "interdigital"

调整:EN10涂层噪声,加入IDT限定声学结构。

结果:EP0674386B1及EP0930702B1涉及金刚石、LN与上方SiO2,非埋层。JP3374557B2的绝缘中间层DLC线索原文未取,日期未闭合。

EN12  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "diamond substrate" "silicon dioxide" "intermediate" "acoustic"

调整:EN11氧化层仍在上方,显式要求中间层。

结果:US7812692B2于2010年10月12日公开,有金刚石、SiO2及指状激励,但压电为ZnO、AlN或PZT而非LN或LT。小于0.5μm不能直接换算F6。

EN13  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "Love wave" "lithium niobate" "sapphire"

调整:EN12压电材料不符,改走导波和LN或LT分支。

结果:US20130127565A1为2013年公开,不同实例中分别有LT与蓝宝石或LN与上SiO2,不能拼接。US8089196B1正文及日期未核。

EN14  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "sapphire" "silicon dioxide" "shear horizontal"

调整:EN13 Love波主要是顶部层,转SH和限定材料隔离层。

结果:US7619347B1于2009年公开,有LN或LT、IDT、SiO2及多种高速隔离材料,但支持角色与F6未闭合;另一个族最早2018年,排除。

EN15  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "US20050099091" "layer"

调整:追查EN14引用的较早边界波结构。

结果:发现查询无命中;直接核US20050099091A1(2005年)见LN或LT、双SiO2和Si及界面IDT,总氧化层0.5至1λ、优选0.6λ。F2不符,IDT定义未证。

EN16

实际检索式:site:patents.google.com "US6046656" "substrate"

调整:EN15引用第二基板旧结构,核US6046656的支持材料和最终埋氧厚度。

结果:D7 US6046656A明确最终SiO2=0.5λ,Si支撑仍不符F2,膜角色与IDT周期定义未补全。另得GBAW辅助族,压电或总叠层厚度不可冒充埋氧数值。

EN17

实际检索式:site:patents.google.com "US5838089" "layer"

调整:EN16虽有半波长厚度却仅Si支持,追金刚石或DLC与SiO2的旧引证。

结果:US5838089A的Justia镜像标示1998年11月17日,含Si上金刚石或DLC膜、SiO2、LN或LT选项与IDT。支撑角色和F6未证,镜像证据降级。

EN18

实际检索式:site:patents.google.com "US5235233" "thickness"

调整:EN17引US5235233,核其埋氧数值是否按声波波长定义。

结果:发现查询无命中,US5235233A原文未取到。引文所述为金刚石、SiO2、AlN,0.01至0.1是氧化层与AlN层厚比,不是h除以λ。

EN19

实际检索式:site:patents.google.com "silicon oxynitride" "lithium tantalate" "substrate" before:2010-12-24

调整:EN18压电是AlN,转尚未充分覆盖的SiON与LT。

结果:12项均偏晚,EP3573088A1、US20200395914A1、US20250192749A1的晚公开日已核;未获得早期材料、埋层及IDT归一厚度组合。

EN20

实际检索式:site:patents.google.com "fluorine" "silicon dioxide" "lithium niobate" "acoustic"

调整:EN19 SiON结果偏晚,改查允许的氟掺杂SiO2与LN声学结构。

结果:无新增早期目标叠层。最接近材料的WO2019197087A1为2019年;US20180316333A1为2018年顶部氧化层。早期引证只提供弱几何背景或未核线索。

EN21

实际检索式:site:patents.google.com "glass" "sapphire" "lithium niobate" "wavelength" before:2010-12-24

调整:EN20氟掺杂无早期结果,转玻璃、蓝宝石或氧化铝与归一厚度。

结果:12项无新增合格候选;看似较早的命中为光催化或光生物活化,正文未取。最接近技术的WO2025119255A1已核太晚。

EN22

实际检索式:site:patents.google.com "Lamb wave" "sapphire" "silicon dioxide"

调整:EN21玻璃引入光学噪声,扩展横向IDT板波或Lamb器件。

结果:CN101741344A已核2010年6月16日公开,提供材料、IDT与薄膜部分教导,但未证明保留埋氧0.1至0.5λ;两个日文旧线索全文未取。

EN23

实际检索式:site:patents.google.com "tantalum oxide" "lithium niobate" "interdigital"

调整:EN22板波未补完整埋层,改查氧化钽、LN和IDT。

结果:12项、11公开号多为晚期。US20240380377A1虽含所需埋层术语但太晚;早期引证WO2005083881A1仍是顶部涂层背景。

EN24

实际检索式:site:patents.google.com "solidly mounted" "lithium niobate" "interdigital" before:2010-12-24

调整:EN23氧化钽主要为顶部层,转固体支撑IDT和声反射镜。

结果:WO2010013197A2于2010年2月4日公开,有IDT薄膜谐振器及AlN或氧化铝、SiO2交替反射层;未证LT或LN、目标声速关系或IDT定义的F6。

EN25

实际检索式:site:patents.google.com "bonded" "sapphire" "oxide" "0.5" "acoustic" before:2010-12-24

调整:EN24反射镜缺口后,重查蓝宝石或氧化铝键合支持与0.5数值。

结果:12项偏晚;WO2020079958A1于2020年公开,0.01至0.5μm是绝对厚度。引证回到D3已知族及US7213314B2,未新增独立族或F6。

EN26

实际检索式:site:patents.google.com "lithium niobate" "intermediate" "quarter wavelength"

调整:EN25只有绝对微米值,查历史四分之一波长,区分介质内和IDT波长。

结果:US20040174772A1等匹配层族的λ在匹配材料中定义,未见目标IDT叠层;CN1086244C四分之一波长指横向电极间距。无新增F6桥接证据。

EN27

实际检索式:site:patents.google.com "low velocity layer" "lithium" "2008"

调整:EN26四分之一波长不是IDT定义,改旧低声速词、锂材料及2008。

结果:12项均未核为早期合格文献。US9190981B2族晚公开;引证JP2004282232A虽在截止日前,只有材料、IDT和波长部分证据,缺埋低速层及厚度。其0.8至1.2是kh=2πT/λ,非直接T/λ。

EN28

实际检索式:site:patents.google.com "US20080061657" "layer"

调整:EN27旧低速词仍偏晚,定向核2008年Epson线索及中间层厚度。

结果:唯一发现查询无结果,US20080061657A1两种地址均取用失败。文献身份、公开日和层厚未核,本轮不贡献可用现有技术证据。

EN29

实际检索式:site:patents.google.com "US20100038993" "oxide"

调整:EN28旧候选无法取用,改核另一名义2010年引证US20100038993及埋氧厚度。

结果:唯一发现查询零命中,US20100038993A1原文未取。正文、公开日及权1特征贡献均未核实,未新增证据。

EN30

实际检索式:site:patents.google.com "US20090085429" "layer"

调整:EN28和EN29旧引证无法取用,末轮核2009年线索的实际中间层范围。

结果:US20090085429A1索引标示2009年4月2日,0.16至0.30λ属于IDT上方第二SiO2层,不是埋层;最上SiN调频涂层非支持。正文直达未取,仅依索引返回,未新增主证。

 

日文检索 JP01 至 JP30

JP01  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com 弾性表面波 ダイヤモンド 二酸化珪素 ニオブ酸リチウム

调整:首轮按金刚石、SiO2与LN层序检索。

结果:JP2006121228A片段有埋非晶SiO2、LT或LN及金刚石或蓝宝石支持选项,但日期、IDT与归一厚度未核。JP2002261572A是顶部SiO2,层位不符。

JP02  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com バッファ層 アモルファス SiO2 圧電体層 波長

调整:JP01出现缓冲层线索,改用非晶材料及波长。

结果:重复JP2006121228A,其优选1至100nm仍无对应λ;JP2001285018A为KNbO3及顶部SiO2,排除。原文未取到。

JP03  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com サファイア 酸化シリコン ニオブ酸リチウム 接合 弾性波

调整:JP02缺归一厚度,转蓝宝石键合。

结果:D3 JP2004343359A于2004年12月2日公开,蓝宝石、SiOx、LT或LN与IDT有强关联;15nm属于AlN,不能当SiO2厚度,F6未补。

JP04  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com サファイア 中間層 酸化珪素 弾性表面波 膜厚 波長

调整:JP03结构接近而F6缺,聚焦中间层归一厚度。

结果:JP2007228225A及JP2005102182A有部分价值;前者归一数值不属SiO2层。JP5354020B2的早期族留待核验。

JP05  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "R面サファイア" "LN" "0.07λ" "0.72λ"

调整:追踪JP04独特数值及最早公开族。

结果:JP5354020B2关联WO2011046117A1最早2011年4月21日公开,早优先权不能补救。其0.05至1.4λ埋SiO2技术近,但时间不合格。

JP06  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com ダイヤモンド ニオブ酸リチウム 接合界面 二酸化珪素 1997 1998

调整:JP05数值族太晚,转旧金刚石键合。

结果:JP2002217666A索引有金刚石支持及LN或LT,但日期、埋氧和F6未核;JPH0786866A为玻璃或Si支持的氧化键合,未补F2。

JP07  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "ダイヤモンド" "ニオブ酸リチウム" "酸化珪素" "中間層"

调整:JP06年份词过窄,去掉年份并加中间层。

结果:JP2004312309A于2004年公开,SiC、SiN或蓝宝石支持及LT或LN、IDT、埋SiOx有贡献,但优选厚度≥2λ。另文中间层1至20μm仍缺限定支持。

JP08  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com サファイア タンタル酸リチウム "接合層" "波長"

调整:JP07中间层太厚,寻找薄键合层。

结果:JP2005252550A于2005年公开,蓝宝石、LT及梳齿电极明确,但0.3至2.5nm是非晶界面,材料与归一厚度未补。

JP09  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "酸化珪素" "中間膜" "波長" "ニオブ酸リチウム"

调整:JP08非晶界面未证为氧化物,明确氧化中间膜。

结果:重复D3,不能将SOI另一实施例的1μm除以2.1μm,移植成蓝宝石SiO2方案的归一膜厚。

JP10  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "酸化シリコン" "中間膜" "弾性表面波" "厚さ"

调整:JP09重复且有光学噪声,换氧化硅措辞并要求SAW厚度。

结果:仍重复D3;1μm是Si、15nm是AlN,都不是第三实施形态SiO2厚度。JP2009074001A留待核验。

JP11  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "バッファ層" "サファイア" "波長" "圧電"

调整:JP10中间膜重复,改缓冲层并寻找IDT周期。

结果:JP3704017B2及早族JP2001285019A涉及蓝宝石、LT缓冲层和KNbO3活性层,材料角色不符;JP2006121228A原文仍未取到。

JP12  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "接合層" "酸化珪素" "ニオブ酸リチウム" "ダイヤモンド"

调整:JP11缓冲词引来KNbO3外延,转键合氧化层。

结果:JP2002250949A及JP3848093B2是光波导,diamond为切割刀具,不是高声速支持;原文和准确日期未核。

JP13  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "弾性表面波" "中間層" "ダイヤモンド基板" "SiO2"

调整:JP12光学刀具噪声,明确SAW及实际基板。

结果:JP2003347612A片段为Si、金刚石膜、SiO2、缓冲层、KNbO3、保护氧化层和IDT;F2身份、F4及F6未补,日期未核。

JP14  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "サファイア" "ニオブ酸リチウム" "埋め込み" "酸化"

调整:JP13金刚石膜及KNbO3偏离,转蓝宝石、LN和埋氧。

结果:JP2003015098A于2003年公开,为蓝宝石、Ru、LN与上电极的光学结构,缺F3、F5、F6;JP2015005931A晚公开,排除。

JP15  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "サファイア" "酸化珪素" "弾性波" "接合"

调整:JP14埋置词仍引光学,增加声波及键合限定。

结果:引证回到D3已知族,结构教导较强但F6仍缺;不把另一SOI实施例数值移植,也不作为新增独立来源。

JP16  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "窒化アルミニウム基板" "酸化珪素" "弾性波"

调整:JP15蓝宝石重复,切换限定AlN支持。

结果:WO2011046117A1的埋层数值接近,但2011年4月21日公开,不符合截止日;0.05至1.4λ不能免除时间筛选。

JP17  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "炭化珪素基板" "ニオブ酸リチウム" "中間層"

调整:JP16 AlN仅得晚期族,改SiC。

结果:JP2022084527A、JP7796396B2等为晚期复合材料或无关化学内容;原文失败,无已核合格候选。

JP18  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "炭化ケイ素" "圧電薄膜" "酸化珪素"

调整:JP17 SiC精确词结果少,换异写并放宽压电膜。

结果:主要为半导体或夹盘噪声;WO2017043607A1已核2017年3月16日公开,排除。

JP19  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "窒化珪素" "弾性表面波" "ニオブ酸リチウム"

调整:JP18噪声后强调声学并转SiN。

结果:JP2003124767A有限定支持、LN或LT及IDT,但实例埋层为UV树脂。D1 JPH06326553A有SiO2≤0.5λ、优选≤0.1λ;非晶碳不能自动等同DLC。

JP20  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "酸窒化珪素" "支持基板" "弾性波"

调整:JP19为树脂或已知碳族,改查SiON支持身份。

结果:主要为2018至2024年结果。JP2009278610A虽是较早引证,原文未取,公开日与埋层数值未核。

JP21

实际检索式:site:patents.google.com "弾性境界波" "酸化珪素" "0.3λ"

调整:JP20 SiON偏晚,转边界波、SiO2及0.3λ追早期同族。

结果:核D4日文早族及2010年分案;完成例2为LN、IDT、SiO2的0.1或0.3或0.5λ及polySi,λ由IDT周期定义。限定材料仅一般清单,不是同例支持。

JP22

实际检索式:site:patents.google.com "境界波" "サファイア" "板状体"

调整:JP21数值例第三媒质是polySi,要求蓝宝石及板状体实际承载。

结果:仍命中D4同族,未见蓝宝石支承板具体例。第三媒质可贴合板状体,但一般蓝宝石清单不能自动替代数值例polySi。

JP23

实际检索式:site:patents.google.com "DLC" "酸化シリコン" "弾性波" "圧電膜" before:2010-12-24

调整:JP22重复polySi族,转允许DLC支持及声学薄膜埋氧。

结果:2004年DLC传播膜转移和2009年金刚石、ZnO线索均未证明目标完整层序;原文取用失败,只作片段排查。多项2018年后结果排除。

JP24

实际检索式:site:patents.google.com "ラブ波" "ニオブ酸リチウム" "酸化珪素" before:2010-12-24

调整:JP23多为ZnO或错层,改用Love波寻氧化物声约束。

结果:12项、10公开号均为2014年后传感器;片段多是厚LT或LN基板和表面IDT,没有限定支持、埋氧和F6。日期过滤未可靠生效。

JP25

实际检索式:site:patents.google.com "石英ガラス" "接合" "圧電薄膜" "波長" -センサ before:2010-12-24

调整:JP24 Love波偏后期传感器,转玻璃接合薄膜并排除传感器。

结果:JPH08153915A涉及磷酸镓接合,WO1993022706A1为光通信与玻璃支持;全文和确切日期未核。其余多2011年后,无新合格候选。

JP26

实际检索式:site:patents.google.com "ラム波" "ニオブ酸リチウム" "サファイア" before:2010-12-24

调整:JP25玻璃多为不符F2的支持,转IDT板波或Lamb波及LN。

结果:发现2010年公开的部分相关空腔悬膜结构,但未确认声作用区保留埋低速层0.1至0.5λ。空腔外氧化层保留部分贡献,不因Lamb名称排除。

JP27

实际检索式:site:patents.google.com "酸化タンタル" "ニオブ酸リチウム" "中間層" "弾性波" before:2010-12-24

调整:JP26多移除氧化物形成空腔,切换非空腔氧化钽埋层。

结果:12项全部晚于截止日。JP6648346B1与JP6731539B2虽有氧化钽中间层,已核分别2020年2月、7月公开,排除。

JP28

实际检索式:site:patents.google.com "非晶質炭素" "中間層" "0.5λ" before:2010-12-24

调整:JP27氧化钽仅晚期,回核D1日文例4之2的材料歧义。

结果:发现查询零命中。直接原文[0224]至[0228]核中间层为SiO2或SiN,≤0.5λ、优选≤0.1λ。支撑例为硼、非晶碳或石墨;背景限定材料仍需同篇关联分析。

JP29

实际检索式:site:patents.google.com "フッ素" "酸化珪素" "弾性表面波" "中間層" before:2010-12-24

调整:JP28限定支持仍跨语境,改查氟掺杂SiO2埋层。

结果:只得晚期显示器同族,声表面波词来自引证污染;JP2001053569A引证日期标2001年,原文未取,未得新合格叠层。

JP30

实际检索式:site:patents.google.com "硼素" "酸化珪素" "弾性波" "薄膜" before:2010-12-24

调整:JP29氟词带来显示器噪声,改允许掺杂物硼并要求弹性波薄膜。

结果:JP2003124767A仍为树脂或直接键合,硼在支持材料列表而非掺硼SiO2。JP3952666B2有玻璃胶片段,但全文未取;无全特征候选。

 

法文检索 FR01 至 FR30

FR01  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "diamant" "niobate de lithium" "silice" before:2010-12-24

调整:首轮以法文金刚石、SiO2和LN材料三元组合检索。

结果:CA2553861A1于2007年公开,属EP1748556关联族;为对置BAW电极和上部SiO2,所述厚度属压电层,非目标埋氧。

FR02  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "ondes acoustiques de surface" "diamant" "interdigités" before:2010-12-24

调整:FR01混入BAW,加入表面波及IDT限定。

结果:FR2906421A1的金刚石是切割锯工具,准确日期未核;FR3079667A1晚公开。未新增合格候选。

FR03  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "saphir" "niobate" "collage moléculaire" before:2010-12-24

调整:FR02切割噪声,追查US6445265分子键合的法文早族。

结果:FR2788176A1(2000年7月7日)及WO2000041299A1(7月13日)同族已核,支持蓝宝石、SiO2、LN或LT及SAW电极。1至30μm是压电层,F6仍缺。

FR04  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "ondes de Love" "niobate" "silice" before:2010-12-24

调整:FR03缺厚度,改查导波和声能约束。

结果:WO1996026435A1及FR2730810A1是石英上的顶部SiO2传感器,1.48÷32=0.04625,层位和区间均不符;本轮全文和精确日期未核。

FR05  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "acoustiques" "carbone amorphe" "niobate" before:2010-12-24

调整:FR04顶部导波误命中,转D1的非晶碳与归一化厚度。

结果:发现仅见2022或2024年族;直接复核D1有正确埋氧端点价值,但非晶碳不当然为DLC,EP例4之2材料文字有矛盾。

FR06  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "carbone de type diamant" "niobate" "oxyde" before:2010-12-24

调整:FR05非晶碳身份未闭合,收紧为明确DLC术语。

结果:仅FR2950154A1,索引标示2011年3月18日,虽优先权2009年仍晚;属光学膜片驱动器。原文未取到。

FR07  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "saphir" "niobate" "silice" before:2010-12-24

调整:FR06 DLC过窄且仅晚期,改用蓝宝石。

结果:EP1060562B1重复D2同族,其他为通用转移、低温或光学波长噪声;原文取用失败,无新增证据。

FR08  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "carbure de silicium" "niobate" "oxyde" before:2010-12-24

调整:FR07蓝宝石重复或光学噪声,转SiC支持。

结果:EP2174105A1及WO2009013236A1为BAW传感器材料列表,未核目标埋氧、IDT与F6;本轮日期未核,后续FR09补查。

FR09  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "nitrure d'aluminium" "niobate" "ondes de surface" before:2010-12-24

调整:FR08为BAW材料列表,改加表面波和AlN支持。

结果:补核EP2174105A1(2010年4月14日)、WO2009013236A1(2009年1月29日)、FR2938136A1(2010年5月7日);分别BAW或HBAR,AlN角色多为压电,非目标支持。

FR10  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "nitrure de silicium" "niobate" "silice" before:2010-12-24

调整:FR09 AlN主要是压电层,换SiN支持。

结果:光学导波和通用键合噪声为主,声学相关命中偏晚;原文失败,未核实新的早期结构及日期。

FR11  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "ondes de surface" "saphir" "silice" "niobate" before:2010-12-24

调整:FR10光学噪声,强化声学专用表达。

结果:重复D2的EP1060562组;CA2553861A1已核2007年公开,但为对置电极和上附加层,不满足目标埋层方案。

FR12  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "saphir" "couche de collage" "épaisseur" "acoustiques" before:2010-12-24

调整:FR11重复已知族,明确键合层及厚度。

结果:再次核实FR2788176A1及其几百埃氧化层,压电层波长不能移用;未补F6,不计作新独立技术来源。

FR13  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "diamant" "silice" "longueur d'onde" "niobate" before:2010-12-24

调整:FR12键合厚度仍缺,改查金刚石叠层的归一数值。

结果:CA2553861A1的0.15至0.75λ属于压电层;SiO2在上方,且λ按局部体波速度除以频率定义,不能当IDT周期波长。

FR14  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "interdigités" "silice" "diamant" before:2010-12-24

调整:FR13重复HBAR,要求IDT并放宽LN或波长词。

结果:12项无早期合格新候选。FR3079668A1已核2019年10月4日公开,其λ/2至λ/4属压电层;另有功率开关等噪声。

FR15  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "ondes" "peignes" "silice" "saphir" before:2010-12-24

调整:FR14现代词噪声,换IDT同义表达和蓝宝石。

结果:仍无新增合格候选,FR3079668A1晚公开且错层;FR2951336A1和2014年导波线索原文未取。

FR16  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "onde de frontière" "silice" "niobate" before:2010-12-24

调整:FR15仍偏晚,转D4已发现的边界波数值线索。

结果:复核CN101714858A的0.1、0.3、0.5λ和IDT定义;第三媒质可为贴合板,但例中为polySi。AlN、蓝宝石、SiN一般清单不是同例限定支持。

FR17  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "ondes acoustiques de frontière" "nitrure" before:2010-12-24

调整:FR16支撑身份不清,转边界波及氮化物。

结果:主要为晚期噪声;核D4同族目录EP1732214A1(2006年12月13日)及WO2005093949A1(2005年10月6日)。法文EP正文未取,不作为新增独立来源。

FR18

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "onde de Stoneley" "saphir" "silice" before:2010-12-24

调整:前轮泛化边界波结果不理想,换Stoneley、蓝宝石及SiO2中间层。

结果:单次发现查询无结果,未新增候选或特征证据;不据此断言不存在相关先前技术。

FR19

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "ondes acoustiques d'interface" "silice" "nitrure" before:2010-12-24

调整:FR18零命中,换界面波和氮化物表达,并复核D5结构角色。

结果:发现查询仍无结果。已知CN101789769A公开日合格,具有数值贡献,但LN膜与SiN支持角色未闭合,未确认为完整单篇。

FR20

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "couche de liaison" "silice" "longueur d'onde" before:2010-12-24

调整:FR19零命中且支撑身份有争点,放宽支持材料寻找氧化层厚度动机。

结果:Love化学传感器的SiO2在石英上且覆盖IDT,1.48μm÷32μm=0.04625λ,不符层位或范围;其余为光学及溶胶涂层噪声。

FR21

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "ondes acoustiques" "collage" "oxyde" "épaisseur" before:2010-12-24

调整:FR20光学与顶部导波噪声,要求声波、氧化物键合和厚度同时出现。

结果:12项均为后期结果,FR3047355A1已核2017年8月4日;其周期性埋界面散射概念不能作为早期现有技术。

FR22

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "ondes élastiques" "couche intermédiaire" "polissage" before:2010-12-24

调整:FR21键合词偏现代,换弹性波、中间层和抛光旧表达。

结果:WO2003088482A1片段提示低速中间层导向和LT、IDT工艺,但公开日及全文未核。未证明限定支持、具体低层材料或F6,仅留线索。

FR23

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "ondes acoustiques d'interface" "saphir" "épaisseur" before:2010-12-24

调整:FR22线索缺限定支持和数值,收紧界面波、蓝宝石及厚度。

结果:发现查询无命中。已知WO2003088482A1取用遇自动查询阻断,未获得新日期或特征证据;只列待核,不绕过限制。

FR24

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "onde acoustique de frontière" "tantalate" "longueur d'onde" before:2010-12-24

调整:FR23精确界面波无命中,换边界波、LT及归一波长词。

结果:三项无合格候选,两项属2014年后期族,另一为光学频率变换或陀螺仪;全文不可取,准确日期未核。

FR25

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "ondes guidées" "silice" "nitrure d'aluminium" before:2010-12-24

调整:FR24杆谐振器和光学噪声,改用导波、SiO2与AlN检验材料角色。

结果:四项合并为两族,均晚于截止日。AlN在不同段落分别作为压电、高速基底或布拉格镜材料,不能合并成一个目标方案。

FR26

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "ondes d'interface" "couche intermédiaire" "saphir" before:2010-12-24

调整:FR25导波AlN仍偏晚,换旧界面波中间层词,并核已知FR2936100线索。

结果:发现查询零命中。FR2936100A1时间合格但只贡献部分装置、材料和压电特征,未公开目标中间层与IDT叠层。

FR27

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "silice" "niobate" "période" "collage" before:2010-12-24

调整:FR26出现畴周期和整面电极,要求键合LN、SiO2与周期。

结果:未新增早期合格公开;键合词仍偏周期极化的纵向谐振器,未见IDT周期定义的0.1至0.5λ埋SiO2。

FR28

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "silice" "interdigités" "épaisseur" "saphir" before:2010-12-24

调整:FR27畴周期及空腔噪声,要求SiO2、叉指、厚度与蓝宝石同时出现。

结果:无新增合格候选。FR3047355A1和FR3079668A1已核分别2017、2019年公开;CN100539228C引证取用遭自动查询阻断,停止并留待核。

FR29

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "couche enterrée" "dioxyde de silicium" "niobate" before:2010-12-24

调整:FR28厚度词重复晚期,改埋氧近义词而不沿空腔术语。

结果:12项按索引均偏晚,最早线索EP2591515A1约2013年;原文失败,未编造确切日期。没有新增合格早期公开。

FR30

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "transducteur" "saphir" "silice" "longueur d'onde" before:2010-12-24

调整:FR29埋氧词漂向光学,加入换能器、蓝宝石、SiO2与波长。

结果:回到D2早期蓝宝石键合族,仍无埋氧0.1至0.5倍IDT波长;EP1748556A1是对置电极HBAR。没有新增全特征候选。

 

德文检索 DE01 至 DE30

DE01  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Diamant" "Lithiumniobat" "Siliziumdioxid" before:2010-12-24

调整:首轮德文材料三元组合,并注意法文出现的BAW噪声。

结果:12项中11项偏晚,DE69634514T2是颜料而非声学;原文或日期未完成核验,无合格候选。

DE02  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Saphir" "Lithiumniobat" "Interdigital" before:2010-12-24

调整:DE01颜料和晚期噪声,改用蓝宝石与IDT。

结果:DE2513210A1或C2涉及图像读取器、蓝宝石与LN及埋电极,但无埋氧或F6;准确公开日未核。其余多为晚期。

DE03  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Lithiumniobat" "Siliziumdioxid" "Zwischenschicht" before:2010-12-24

调整:DE02无氧化物层,明确中间层术语。

结果:12项均偏晚,DE112019002430T5及DE112018003634T5属近年键合体,正文未取;无已核早期候选。

DE04  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Lithiumniobat" "Siliziumoxid" "Oberflächenwellen" "Diamant" before:2010-12-24

调整:DE03近年键合噪声,换声学、金刚石与氧化物同义词。

结果:DE102008025691A1已核2008年12月11日,属ScAlN FBAR;LN仅背景,氧化底层不构成目标LT或LN与IDT归一叠层。

DE05  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Lithiumtantalat" "Siliziumdioxid" "Saphir" "Interdigital" before:2010-12-24

调整:DE04混入ScAlN及光学,收紧LT、蓝宝石和IDT。

结果:12项多为现代钝化、刻蚀阻挡或压电层厚度专利,未核早期合格材料;准确日期与全文仍有缺口。

DE06  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Diamant" "Lithiumniobat" "Zwischenschicht" "Oberflächenwellen" before:2010-12-24

调整:DE05 LT结果偏晚,换较早SAW表达与金刚石。

结果:重复DE102008025691A1的ScAlN金属或氮化物层,LN仍是背景;其他偏晚。未新增技术来源。

DE07  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Diamant" "Siliziumdioxid" "Oberflächenwellen" "Wellenlänge" before:2010-12-24

调整:DE06中间层是ScAlN相关,改查氧化物和波长。

结果:DE19758195C2的0.03至0.15λ属于电极指,不是埋氧;金刚石背景配ZnO,准确日期未核。其余多晚期。

DE08  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Verbundsubstrat" "Lithiumniobat" "Siliziumdioxid" before:2010-12-24

调整:DE07电极或顶部层噪声,改用复合基板。

结果:12项偏晚。DE102019208328A1涉及尖晶石、SiO2、LN与IDT,但尖晶石不能自动当权1材料,且原文与早期日期未证。

DE09  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Ionenimplantation" "Lithiumniobat" "Saphir" before:2010-12-24

调整:DE08复合与抛光词偏现代,换旧离子转移表达。

结果:DE19630759A1已核1997年2月6日,但为Pt或其合金上金刚石生长及碳植入表面处理,非压电薄膜转移;其余多晚期。

DE10  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Love-Wellen" "Siliziumdioxid" "Lithiumniobat" before:2010-12-24

调整:DE09金刚石生长噪声,转导波表达。

结果:六项合并三族;DE102008022215B4的SiO2在LN上方,非埋层。早期A公开日期和全文未取到,不以B内容补造早公开。

DE11  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Saphir" "Lithiumniobat" "Zwischenschicht" before:2010-12-24

调整:DE10顶部导波,明确支持与中间层。

结果:12项均偏晚,DE102017130929A1及DE112019002430T5虽有键合关联,未得合格早期公开全文。

DE12  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Siliziumkarbid" "Lithiumtantalat" "Wellenleiter" before:2010-12-24

调整:DE11现代蓝宝石结果,换SiC、LT及导波。

结果:四项、三个近年族,无已核截止日前候选;准确公开日和目标层序未补全。

DE13  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Siliziumkarbid" "Lithiumtantalat" "Oberflächenwellen" before:2010-12-24

调整:DE12仍有光学导波,强化声学术语。

结果:EP0810724A2是声电混合与半导体材料线索,埋氧、F6及准确日期未核;DE102018132862A1已核2020年6月25日,排除。

DE14  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Siliziumnitrid" "Lithiumniobat" "Oberflächenwellen" before:2010-12-24

调整:DE13半导体噪声,转SiN与LN。

结果:SiN多为顶部保护层。DE10248444B4的≤0.02λ同属顶部膜,非埋SiO2;多件原文未取,准确日期未核。

DE15  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Siliziumnitrid" "Trägersubstrat" "Lithiumniobat" before:2010-12-24

调整:DE14 SiN是顶部层,明确其支持身份。

结果:结果均偏晚,SiN介质未必是支撑基板。WO2014135442A1已核2014年9月12日,其US7522020B2引证仅保留线索。

DE16  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "diamantartiger Kohlenstoff" "Zwischenschicht" "Lithiumniobat" before:2010-12-24

调整:DE15现代材料噪声,审查D1非晶碳能否具体联系DLC。

结果:发现查询零命中,没有取得D1实际叠层的DLC桥接证据。

DE17

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "diamantähnlicher Kohlenstoff" "Lithiumtantalat" before:2010-12-24

调整:DE16零命中,换DLC同义词并转LT,放宽中间层词。

结果:三项都偏晚;2017年多工器片段有DLC高速膜、低速膜及LT或LN,但不能证明2010年前公开。另一项为2024年光学晶圆。

DE18

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "amorpher Kohlenstoff" "Oberflächenwellen" before:2010-12-24

调整:DE17 DLC与LT太晚,放宽压电限制并换非晶碳。

结果:旧WO2001061336A1片段中碳是顶部钝化,EP2172416A1为纳机电碳电极,均非已证支持层;正文失败,准确日期未核。

DE19

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Siliziumoxynitrid" "Lithiumniobat" before:2010-12-24

调整:DE18碳是保护层或电极,改查SiON与LN的真实层位。

结果:仅晚期文献,近似SiON高速或低速层来自2016年后族;未建立早期F6或支持证据。

DE20

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Siliziumoxidnitrid" "Lithiumtantalat" "akustisch" before:2010-12-24

调整:DE19 SiON结果偏晚,采用另一旧德文拼写并换LT。

结果:单次发现查询无结果,未能验证任何候选的层位、支持或归一厚度。

DE21

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Siliziumoxinitrid" "Lithiumniobat" "akustisch" before:2010-12-24

调整:DE20旧拼写无命中,测试SiON另一拼写并恢复LN和声学词。

结果:单次查询仍零命中;不把零结果解释为不存在现有技术。

DE22

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Tantaloxid" "Lithiumniobat" "Oberflächenwellen" before:2010-12-24

调整:DE20与DE21 SiON无结果,切换权1允许的氧化钽低速材料。

结果:十项都偏晚,氧化钽多为IDT顶部质量负载。正文与准确日期未核,没有合格早期埋置低速层证据。

DE23

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "fluordotiertes" "Siliziumdioxid" "akustisch" before:2010-12-24

调整:DE22氧化钽是顶部负载,转氟掺杂SiO2。

结果:发现查询零命中,未得文献或特征组合,不推论技术组合不存在。

DE24

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "dotiertes Siliziumdioxid" "Lithiumniobat" before:2010-12-24

调整:DE23氟掺杂声学词无结果,放宽掺杂表达并要求LN。

结果:四项无合格候选;三项声学掺杂SiO2偏晚,较早一项是光学干涉传感器,不属于目标弹性波装置。

DE25

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Bor" "dotiert" "Siliziumdioxid" "Oberflächenwellen" before:2010-12-24

调整:DE24掺杂LN混入光学,明确掺硼SiO2与声波。

结果:三项均晚于2010年。DE102018109833A1片段有埋导波层掺硼SiO2,但晚公开,且另述顶部电极调谐层,不能混为一层。

DE26

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Zwischenschicht" "Wellenlänge" "Saphir" "Lithiumtantalat" before:2010-12-24

调整:DE25掺硼只有晚期结果,转蓝宝石、LT、中间层与波长数值。

结果:主要为晚期声学或键合专利,唯一看似较早者是光存储,光学波长不能当IDT波长;无合格候选。

DE27

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Führungsschicht" "Siliziumdioxid" "Lithiumniobat" "0,1" before:2010-12-24

调整:DE26波长词偏压电深度,要求导波层、氧化物及明确小数。

结果:三项均为同一后期磁性Love波传感器族;10%至30%的IDT周期厚度属于顶部导波层,非LN或LT下的埋氧。

DE28

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Saphir" "Lithiumtantalat" "Siliziumdioxid" "zwischen" "0,5" before:2010-12-24

调整:DE27是顶部Love层,增加“之间”、蓝宝石、LT与0.5定位埋层。

结果:12项均偏晚,全文取用失败,准确日期未核;未新增合格早期候选,不能凭before算符认定时间合格。

DE29

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Zwischenschicht" "Wellenlänge" "Aluminiumoxid" "Lithiumniobat" before:2010-12-24

调整:DE28小数引入键合强度噪声,换文字波长、中间层、氧化铝和LN。

结果:12项中十项偏晚;另核一件早期超声换能器及可能德国对应文献,均未建立IDT定义的埋低速层,未新增合格候选。

DE30

实际检索式:site:patents.google.com/patent/ "Interdigital" "Siliziumoxynitrid" "Trägersubstrat" "Wellenlänge" before:2010-12-24

调整:DE29四分之一波长耦合不是IDT器件,明确叉指、支持、SiON和波长。

结果:八条、七公开号均偏晚;DE112016002839B4及T5索引时间线分别2022年、2018年。其他正文与准确日期未核,没有合格早期埋层数值证据。

 

韩文检索 KR01 至 KR30

KR01  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com 탄성표면파 다이아몬드 이산화규소 니오브산리튬

调整:首轮以韩文金刚石、氧化物和LN检索。

结果:KR20040097892A的金刚石膜支持角色未核;KR100676152B1为顶部保护石英线索,日期未核。无完整叠层证据。

KR02  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com 탄성파 사파이어 산화규소 니오브산리튬 접합

调整:KR01金刚石多为膜或晚期结构,转蓝宝石键合。

结果:12项均偏晚;KR20130086378A已核2013年8月1日公开,排除。

KR03  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "탄성 표면파" "리튬 니오베이트" "접합층" 파장

调整:KR02偏晚,换旧SAW表达及LN译名。

结果:仅KR20250002694A双语言页,2025年1月7日公开,且支持为玻璃或GaAs,时间和材料均不合。

KR04  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com 다이아몬드 SiO2 압전막 파장 탄성파

调整:KR03精确词仅得2025结果,放宽压电膜并采用化学式。

结果:KR100511806B1及早族KR19990036843A涉及金刚石、ZnO和IDT,λ为6.4μm,但无目标埋氧及LT或LN。

KR05  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com 사파이어 "중간층" "니오브산 리튬" "탄성 표면파"

调整:KR04 ZnO不符,转蓝宝石、中间层和LN。

结果:KR100678797B1片段有1至20μm玻璃中间层,但支持未明;另族为Si支持。原文及准确日期未核,不能补全。

KR06  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "다이아몬드 기판" "산화 실리콘" "탄탈산 리튬"

调整:KR05中间层与支持混淆,明确金刚石基板及LT。

结果:单次发现查询无结果,没有新增可核验候选。

KR07  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com 다이아몬드 SiO2 LiTaO3 탄성표면파

调整:KR06零命中,采用化学式以减少译名分词影响。

结果:KR100503953B1及KR20030063160A的SiO2 0.15至0.40λ覆盖IDT,是顶部层而非埋层;另一早期族未核。

KR08  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com 다이아몬드 SiO2 LiNbO3 압전막

调整:KR07顶部LT氧化膜噪声,换LN压电膜。

结果:重复ZnO族KR100511806B1。KR101944722B1虽有0.35λ接近数值,但2019年2月1日公开,排除。

KR09  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "사파이어" "매립" "산화물" "압전"

调整:KR08金刚石重复或偏晚,明确埋氧。

结果:KR20030051782A于2003年公开,为薄膜转移工艺,缺声学IDT及F6;KR20140008286A晚至2014年,排除。

KR10  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "탄성 표면파" "절연층" "사파이어" "파장"

调整:KR09半导体转移噪声,要求声表面波绝缘层。

结果:KR102320449B1及KR20200078347A分别2021、2020年公开,绝缘层多属封装,未得合格早期埋层。

KR11  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "산화규소" "다이아몬드" "탄탈산리튬" "막 두께"

调整:KR10封装噪声,明确氧化物、LT与膜厚。

结果:KR20190109521A及WO2018164209A1均晚公开;KR20090045123A于2009年公开但属SOI制造,未补目标声学叠层。

KR12  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "탄성 표면파" "접합" "사파이어" "2005"

调整:KR11偏晚,加入较早键合SAW年份线索。

结果:KR20060043316A及KR20080093370A片段涉及蓝宝石与LT的纳米非晶界面,材料和F6未核;10λ属于LT层。

KR13  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "사파이어" "탄탈산" "실리콘 산화물" "접합"

调整:KR12非晶界面未证氧化物,收紧氧化词。

结果:仅KR20250029245A、KR20200138196A、KR102567211B1等晚期结果,原文未取,无合格候选。

KR14  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "이산화규소" "사파이어" "니오브산" "탄성"

调整:KR13现代措辞偏晚,改旧氧化物同义词。

结果:单次发现查询零命中,未新增证据。

KR15  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com 산화규소 사파이어 압전막 파장

调整:KR14零命中,放宽LN及引号条件。

结果:12项、11公开号,重复目标晚期关联族KR20130086378A,2013年8月1日公开;不作现有技术。

KR16  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "질화알루미늄 기판" "산화규소" "탄성파"

调整:KR15蓝宝石重复,改AlN支持。

结果:单次发现查询无结果,未取得候选。

KR17  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "질화 알루미늄" "이산화규소" "압전"

调整:KR16零命中,拆分AlN并放宽压电条件。

结果:12项多为晚期BAW,AlN是活性压电膜而非支持;原文失败,未核早期合格结构。

KR18  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "탄화규소" "니오브산 리튬" "탄성파"

调整:KR17 AlN角色错误,换SiC和LN。

结果:KR20250052451A等均为晚期结果;高速膜与实际支持必须区分,未新增早期证据。

KR19  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "질화규소" "탄성 표면파" "리튬" "산화"

调整:KR18 SiC偏晚,改SiN及旧SAW表达。

结果:仅KR20260018109A,时间不合格;支持为Si,SiN属于质量块介质选项,不能充目标支撑。

KR20  恢复记录

实际检索式:site:patents.google.com "경계 탄성파" "산화규소" "질화알루미늄"

调整:KR19仍晚期,转跨语言已发现的D4边界波数值。

结果:发现查询无结果;核CN101714858A及韩文早族,SiO2有0.1、0.3、0.5λ,但polySi仍非限定支持。韩国A文本仅日期元数据,未称全文已核。

KR21

实际检索式:site:patents.google.com "탄성 경계파" "사파이어" "기판"

调整:KR20数值例为polySi,改韩文界面波、蓝宝石和基板寻实际支持。

结果:仍为D4已知族。第三媒质可另制板状体贴合,但限定材料只是一般菜单;完成例还加1λ SiO2第四媒质,不得删改实际结构。

KR22

实际检索式:site:patents.google.com "다이아몬드" "니오브산" "접착층" "2008" before:2010-12-24

调整:KR21支持未闭合,核金刚石、SiO2、LN的D6及IDT和厚度。

结果:韩文发现仅存储器噪声;已知CN101777622A准确层序有价值,但无实施例IDT或IDT定义λ,不能认定全特征单篇。

KR23

实际检索式:site:patents.google.com "DLC" "탄탈산 리튬" "매립" before:2010-12-24

调整:KR22 LN接合引来存储器,转LT、埋置及DLC。

结果:原生列表不可读,唯一外部发现查询无结果;无候选,不证明相关技术不存在。

KR24

实际检索式:site:patents.google.com "러브파" "압전" "산화규소" before:2010-12-24

调整:KR23精确DLC无命中,改Love波韩语表达并检查上下层位。

结果:外部查询零命中,未取得可验证专利候选。

KR25

实际检索式:site:patents.google.com "SH파" "니오브산" "산화" "기판" before:2010-12-24

调整:KR24 Love音译无结果,换SH파并放宽氧化物及基板词。

结果:四条合并为一个同族,均2015或2020年公开。0.25λ是覆盖IDT的上SiO2,不能充目标埋层。

KR26

实际检索式:site:patents.google.com "램파" "니오브산 리튬" "사파이어" before:2010-12-24

调整:KR25只有晚期顶部膜,转IDT Lamb波及蓝宝石支持。

结果:唯一外部查询无结果。未新增候选,不将其他文献的压电层归一厚度移给埋氧。

KR27

实际检索式:site:patents.google.com "판파" "압전 박막" "산화규소" before:2010-12-24

调整:KR26 Lamb音译无命中,换板波同义词及压电薄膜、SiO2。

结果:原生入口不可访问,单次外部定域查询零命中;未新增可核验文献。

KR28

实际检索式:site:patents.google.com "산화탄탈" "니오브산" "탄성파" before:2010-12-24

调整:KR27板波无结果,转权1允许的氧化钽低速材料。

结果:仅KR20250052451A,属于2025年编号后期文献。原文不可取,未核准确日期或更早同族,不作合格证据。

KR29

实际检索式:site:patents.google.com "불소" "산화규소" "압전막" before:2010-12-24

调整:KR28氧化钽只得晚期,改氟掺杂SiO2埋层。

结果:12条、11公开号均偏晚;三件代表的原文日期已核不合格。before过滤未有效限制公开日,无新增合格候选。

KR30

实际检索式:site:patents.google.com "유리층" "탄성파" "두께" "파장" before:2010-12-24

调整:KR29氟结果偏晚,末轮转埋置玻璃及归一厚度,区分玻璃支持。

结果:12项中11项明显偏晚且多为显示器。KR20100024952A只作极薄压电制造线索,原文、准确日期、限定支持和玻璃F6未核,不列主证。


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B 权利要求1
当前无效评估与六语补充检索指示

评估日期 2026年10月17日    现有技术公开日界限 2010年12月24日之前

一 当前结论与主观概率

当前综合判断为40%–65%的主观宽工作区间。 针对当前授权文本权利要求1提出新颖性或创造性无效主张,已经具有实质证据基础,值得继续推进;但尚不能称为稳胜。单篇新颖性路线偏弱,JPH06326553A与US6445265B1的创造性组合为目前最有希望的主攻路线。

本区间对应的事件仅为:针对当前授权文本权利要求1的新颖性或创造性无效主张获支持。 专利权人仅自愿限缩、尚未形成无效判断,不直接计作同一成功事件;它也不代表整件专利的全部权利要求均无效,或修改后的剩余保护范围必然失守。

该区间是供证据补强和办案排序使用的主观判断,不是经案件样本校准的统计胜率、置信区间或法律结果保证。不同文献、不同组合和不同语言命中高度相关,不能把概率相加,已完成的检索轮数本身也不增加胜率。

区间依赖的假设

区间下部对应专利权人对组合动机、换材后的声学效果或接合可行性提出有力反驳;上部对应按照现授权权1文字解释时,材料替换及所选归一厚度具有足够技术依据,而且没有足以改变判断的效果证据。本案审查档案、无效决定、对方答辩与专家声学验证尚未形成完整评估资料,因此不宜进一步收窄区间。

当前权1采用多个材料可选分支。只要某一具体已公开或显而易见的方案落入该宽泛权1,并满足其余全部限定,形成符合新颖性或创造性判断要求的无效理由,即可能支持对现文本的无效主张;不必先证明全部“或”分支均失去专利性。删除分支或进一步限缩后的文本须另行评价,不能直接沿用40%–65%。

本次交付的边界

以下评估以已经核验的专利公开文本为基础。文后的六套指示是可分别交给大模型的补充检索任务,按中文、法文、德文、日文、韩文、英文排序;所有查询式均为待执行方案,本次没有开展新一轮补充检索。 未核论文、未取得的分案无效决定及未验证的声学推断,不作为提高当前概率的事实依据。

二 请求人最薄弱的环节

根本短板不是缺少0.1λ至0.5λ这个数字,而是同一技术方案中的联系尚未闭合:为什么本领域技术人员会选用权1限定的支撑材料,保留相应埋置低声速膜厚度,并合理预期声学与接合条件仍然可用。

证据节点

当前强度

决定性保留意见

JPH06326553A例4之2

薄片、埋SiO2、IDT及厚度教导强

[0224–28]的具体支撑为硼、非晶碳或石墨。≤0.5λ及优选≤0.1λ为范围与端点教导,不是已经实测0.1λ。

JPH06326553A背景材料

材料存在强,同方案联系弱

[0009]列蓝宝石和金刚石,但搭配ZnO或AlN沉积膜;不能自动接到例4之2,也不能把非晶碳等同DLC。

US6445265B1结构与目的

强

蓝宝石载体、SiO2键合、LN或LT薄层及高速导波目的有依据;数百埃键合层不直接证明F6,约一波长是压电层厚度。

JPH06326553A与US6445265B1组合

中等,目前主攻

两者结构及导波目的相关,但选材后为何保留所选归一厚度,以及声速、损耗、接合可行性,仍须具体论证。

CN101789769A同例数值

数值强,实体角色弱

712nm÷1.9μm=0.3747,落入区间;SiN是否实际支撑基板、LN是否压电膜未闭合。声学夹持不是机械承载。

 

专利权人最有力的回应

专利权人可主张:早期日文叠层的材料体系与美国文献薄键合层各自依赖声学和工艺条件;请求人是在知道目标后才选取蓝宝石与0.1λ,尚未证明材料替换后能够保持相应波模式、速度关系与接合条件。CN101789769A路线还可能要求同时薄化压电体并重新分配承载,不能靠旋转示意图完成特征对应。

回应应集中于具体材料、波模式和工艺可迁移性的证据,而不是仅称“常规替换”或“常规优化”。同时无需额外证明组合达到与目标相同的Q值,或0.1λ至0.5λ整段均最优,因为权1没有这些效果限定。不得从从属权利要求移入压电膜≤1.5λ,也不能仅因边界波或界面IDT排除候选。

三 优先组合与补证顺序

第一顺位 保留日文厚度设计再具体化蓝宝石支撑

JPH06326553A+US6445265B1。 从日文例4之2出发,保留LN薄片、SiO2埋层、IDT及既有归一厚度教导,由US文献具体化蓝宝石载体及高速导波、能量局域目的。此路线比从US数百埃键合层反向增厚到目标区间,更能减轻事后选择和薄层倾向的反驳。优先补充“蓝宝石替换方向+所选厚度+结构可用性”的同一证据链。

第二顺位 用实际接合结构支持材料替换

JPH06326553A+JP2004343359A。 后者第三实施形态将LT、蓝宝石与中间膜联系起来,[0059]将SiO2列为优选绝缘材料。必须同时披露[0063]尽量薄的倾向及CMP补救;15nm实测属于AlN,不能移作SiO2厚度。该篇高声速导波目的弱于US文献,因此作为强平行备选,不优于第一顺位。

第三顺位 用金刚石材料叠层支持替换

JPH06326553A+CN101777622A。 中国文献明确金刚石/非晶SiO2/LN薄膜叠层,可支持具体材料兼容性;其SiO2为0.05至0.6μm,不能在缺少对应IDT周期时自行设定λ换算。沉积取向LN与日文单晶薄片接合工艺存在区别,仍须补证换材并保留归一厚度的合理性。

平行突破口 证实CN101789769A的实体角色

该文同例h/λ=0.3747的数值有效,不能贬为无关顶盖或错误波长。更有价值的补证是:从原文、同族或明确关联工艺中证明同一器件内的LN薄化与SiN实际承载。若证实,可能改变单篇路线排序;目前不宜仅凭特征数量将其列为无争议单篇主证。

 

四 中文补充检索任务

完整可复制任务  查询尚未执行  LN=LiNbO3  LT=LiTaO3
D1=JPH06326553A  D2=US6445265B1

请先核对CN103262410B授权原文。高声速支撑材料为AlN、Al2O3(含蓝宝石)、SiC、SiN、SiON、DLC或金刚石,以及权1规定的主成分或混合物。低声速材料还包括玻璃、SiON、氧化钽及规定掺杂SiO2等;本任务优先沿SiO2分支补证,不将权1缩窄为只允许SiO2;其他允许低速材料的更强证据同样纳入。

任务目标与时间范围

请用中文检索补强CN103262410B授权权1,仅采实际公开日≤2010-12-23的证据,不能以早优先权替代早公开。聚焦同一方案F1弹性波、F2权1限定材料的高声速支撑基板、F3其上且位于压电膜下的低速SiO2、F4 LN/LT膜、F5膜一面的IDT、F6该埋层厚度h/IDT定义λ为0.1–0.5;其他允许材料以授权原文为准。

优先问题与可替代路线

首选JPH06326553A+US6445265B1:保留前者例4-2的LN薄片、SiO2、IDT及≤0.5λ、优选≤0.1λ教导,仅把支撑具体化为蓝宝石/金刚石等限定材料。0.1λ不是已验证实测点。追查为何换支撑仍保留该厚度设计的具体声学、接合证据,不得在无技术依据下由US数百埃键合层跳到目标厚度,不用“常规优化”代替动机。次线追CN101789769A的SiN实体承载、LN薄膜化和模式兼容;其同例λ=1.9μm、SiO2=712nm约0.375λ已知,缺的是实体身份及改造合理性。

JPH06326553A起点只是优先顺序;若找到界日前明确增厚动机及可行性证据,可将US6445265B1增厚路线另列备选。其他更强完整路线也应保留,不能为既定组合筛除。

检索推进与证据判断

先以“支撑+键合+压电”找具体联系,再全文追λ/厚度,勿把所有种子词强制AND;无需字面写“蓝宝石替硼”。不要求完整0.1–0.5λ原句,落入点、重叠或共同端点均可贡献,但其余要素须同方案明确。事后仿真只能解释/佐证,不能倒造界日前结合启示。

检索入口与待执行查询式

先用Google Patents原生检索,选择公开日早于2010-12-24,并追同族/引证。以下是未执行种子;原生不可用时,外部索引备用式才在各条前加site:patents.google.com、末加before:2010-12-24。它们不是原生字段或公开日证明,可按结果拆词:

1. (蓝宝石 OR 金刚石) 铌酸锂 氧化硅 支撑材料 (波导 OR 声速)

2. 氮化硅 (板状体 OR 自支撑) (基板贴合 OR 直接键合) 铌酸锂

3. 蓝宝石 氧化硅 (CMP OR 化学机械抛光) (粗糙度 OR 传播损耗)

4. (铌酸锂 OR 钽酸锂) 氧化硅 直接接合 (膜厚选择 OR 声能局域)

5. (类金刚石碳 OR DLC) (sp3 OR 四面体) 氧化硅 压电 接合

6. 氮化硅 氧化硅 (叉指电极周期 OR 归一化膜厚) (根模 OR 泄漏)

核验规则与交付要求

全文及原件复核层号、λ、厚度同方案;不拼实例,不把非晶碳直接当DLC,不额外加入压电≤1.5λ,不靠旋图把盖层当支撑;CN101789769A[0110]仅“被夹持在”,没有机械支撑明示。核横/纵体波速度、相速度及模态,不混用。输出公开号、实际公开日、同族、原文段/图、同例F1–F6、λ/厚度出处、替换动机及最强反驳、新增或重复、链接。记录实际检索式;原生检索失败、替代途径、未命中或原件未获均如实写,不编造。

 

五 法文补充检索任务

完整可复制任务  查询尚未执行  LN=LiNbO3  LT=LiTaO3
D1=JPH06326553A  D2=US6445265B1

请先核对CN103262410B授权原文。高声速支撑材料为AlN、Al2O3(含蓝宝石)、SiC、SiN、SiON、DLC或金刚石,以及权1规定的主成分或混合物。低声速材料还包括玻璃、SiON、氧化钽及规定掺杂SiO2等;本任务优先沿SiO2分支补证,不将权1缩窄为只允许SiO2;其他允许低速材料的更强证据同样纳入。

任务目标与时间范围

请以法文关键词检索CN103262410B授权权1的薄弱证据,公开号国家不限,仅纳入实际公开≤2010-12-23的文献。核同一方案F1弹性波、F2限定材料的高声速支撑基板、F3支撑与压电膜间低速SiO2、F4 LN/LT膜、F5任一面IDT、F6埋SiO2厚度为IDT所定义λ的0.1–0.5;完整材料范围查授权原文。

优先问题与可替代路线

优先JPH06326553A+US6445265B1:沿前者例4-2保留薄片/埋层/IDT及≤0.5λ、优选≤0.1λ设计,查将支撑换成蓝宝石或金刚石的具体动机、合理预期及反向证据,不得在无技术依据下由US数百埃键合层跳到目标厚度。JPH06326553A的0.1λ仅为范围端点教导。法文同族FR2788176A1/WO2000041299A1可核原语措辞,不作为独立新启示。次线查CN101789769A式SiN第二介体是否实体承载、LN如何薄膜化、原约0.375λ埋层与边界模态能否保留。

JPH06326553A起点只是优先顺序;若找到界日前明确增厚动机及可行性证据,可将US6445265B1增厚路线另列备选。其他更强完整路线也应保留,不能为既定组合筛除。

检索推进与证据判断

先以“支撑+键合+压电”找具体联系,再全文追λ/厚度,勿把所有种子词强制AND;无需字面写“蓝宝石替硼”。不要求完整0.1–0.5λ原句,落入点、重叠或共同端点均可贡献,但其余要素须同方案明确。事后仿真只能解释/佐证,不能倒造界日前结合启示。

检索入口与待执行查询式

先用Google Patents原生检索,按公开日设2010-12-24之前,再追同族/引证。以下种子未执行;原生失败时才用外部索引备用式:各条前加site:patents.google.com、末加before:2010-12-24。不可当原生字段或日期证明,可拆同义词:

1. (saphir OR diamant) niobate silice "choix du substrat" "guidage acoustique"

2. "nitrure de silicium" (plaque OR autoportant) "collage direct" niobate

3. saphir silice (CMP OR "polissage mécano-chimique") (rugosité OR pertes)

4. (niobate OR tantalate) silice "collage moléculaire" "épaisseur normalisée"

5. (DLC OR "carbone de type diamant") (sp3 OR tétraédrique) silice piézoélectrique

6. silice "nitrure de silicium" "période des électrodes" ("mode fondamental" OR fuite)

核验规则与交付要求

逐篇全文/原件核验,日期过滤仅助发现;早优先晚公开排除。同族去重,包括JP/EP相关披露,不凭family ID不同双计。不把非晶碳上位概念等同DLC,不增加压电≤1.5λ;不能旋图证明支撑,[0110]声学夹持不等于机械承载。分别核体波横/纵速度、模态相速度、层厚与IDTλ,禁止跨层跨例换算。结果列公开号/实际公开日/同族/原文段图/同例F1–F6/λ与厚度同方案/选材保厚动机及反驳/新增或重复/链接。原生失败须说明替代渠道、实际检索式和未核内容;没有新增就如实结束,不编命中或机械扩大轮次。

 

六 德文补充检索任务

完整可复制任务  查询尚未执行  LN=LiNbO3  LT=LiTaO3
D1=JPH06326553A  D2=US6445265B1

请先核对CN103262410B授权原文。高声速支撑材料为AlN、Al2O3(含蓝宝石)、SiC、SiN、SiON、DLC或金刚石,以及权1规定的主成分或混合物。低声速材料还包括玻璃、SiON、氧化钽及规定掺杂SiO2等;本任务优先沿SiO2分支补证,不将权1缩窄为只允许SiO2;其他允许低速材料的更强证据同样纳入。

任务目标与时间范围

请用德文检索CN103262410B授权权1的未补强环节,语言不限制国家;证据必须实际公开≤2010-12-23。关注F1弹性波、F2权1限定材料的高声速支撑基板、F3其与压电膜之间的低速SiO2、F4 LN/LT膜、F5膜任一面IDT、F6埋层h/IDT定义λ=0.1–0.5,其他允许材料以授权原文为准。

优先问题与可替代路线

以JPH06326553A例4-2为D1、US6445265B1为D2,先查蓝宝石/金刚石替换D1支撑,而保留其LN薄片、SiO2埋层、IDT及≤0.5λ、优选≤0.1λ的技术理由。该端点并非实测点;不得在无技术依据下由D2数百埃键合层跳到目标厚度。重点找声能约束、热膨胀/接合兼容及厚度对损耗的具体关系,同时找不利证据。次线核CN101789769A同例SiO2约0.375λ下SiN能否真正承载、LN薄化后速度和模态是否变化,不能只把结构名称改掉。

JPH06326553A起点只是优先顺序;若找到界日前明确增厚动机及可行性证据,可将US6445265B1增厚路线另列备选。其他更强完整路线也应保留,不能为既定组合筛除。

检索推进与证据判断

先以“支撑+键合+压电”找具体联系,再全文追λ/厚度,勿把所有种子词强制AND;无需字面写“蓝宝石替硼”。不要求完整0.1–0.5λ原句,落入点、重叠或共同端点均可贡献,但其余要素须同方案明确。事后仿真只能解释/佐证,不能倒造界日前结合启示。

检索入口与待执行查询式

先在Google Patents原生检索设置公开日早于2010-12-24,沿同族/引证追证。种子均未执行;原生失败才用外部索引备用式:各条前加site:patents.google.com、末加before:2010-12-24,不是原生字段或日期证明。必要时拆词:

1. (Saphir OR Diamant) Lithiumniobat Siliziumdioxid Substratwahl Wellenführung

2. Siliziumnitrid (Platte OR selbsttragend) Direktbonden Lithiumniobat

3. Saphir Siliziumdioxid (CMP OR "chemisch-mechanisches Polieren") (Rauheit OR Dämpfung)

4. (Lithiumniobat OR Lithiumtantalat) Siliziumdioxid Direktbondung normierte Schichtdicke

5. (DLC OR "diamantartiger Kohlenstoff") (sp3 OR tetraedrisch) Siliziumdioxid piezoelektrisch

6. Siliziumnitrid Siliziumdioxid Elektrodenperiode (Grundmode OR Leckwellen)

核验规则与交付要求

查全文和原件,区分载体、涂膜、盖层及制造过程,不靠旋图推支撑;CN101789769A[0110]只有声学夹持,未写机械支撑。不能把非晶碳当DLC、添加压电≤1.5λ、拼实例或混用压电/电极/顶盖厚度与埋层厚度。横波速度、纵波速度、相速度和IDTλ分别核实。公开日不能用优先权日或搜索过滤替代,同族去重。按公开号、实际公开日、同族、原文段图、同例F1–F6、λ和厚度关联、保持厚度的动机/反驳、新增或重复、链接报告,并保留真实查询。原生失败、原件未获及零新增均透明说明,不虚构命中或预设追加轮数。

 

七 日文补充检索任务

完整可复制任务  查询尚未执行  LN=LiNbO3  LT=LiTaO3
D1=JPH06326553A  D2=US6445265B1

请先核对CN103262410B授权原文。高声速支撑材料为AlN、Al2O3(含蓝宝石)、SiC、SiN、SiON、DLC或金刚石,以及权1规定的主成分或混合物。低声速材料还包括玻璃、SiON、氧化钽及规定掺杂SiO2等;本任务优先沿SiO2分支补证,不将权1缩窄为只允许SiO2;其他允许低速材料的更强证据同样纳入。

任务目标与时间范围

请用日文检索CN103262410B授权权1的关键缺口,不限日本公开号;仅采实际公开日≤2010-12-23。聚焦F1弹性波、F2权1限定材料的高声速支撑基板、F3其上且在压电膜下的低速SiO2、F4 LN/LT膜、F5膜一面IDT、F6埋SiO2为IDT定义λ的0.1–0.5,完整材料范围以授权原文为准。

优先问题与可替代路线

首查JPH06326553A[0224–28]及图20,与US6445265B1结合:保留例4-2的薄片/中间膜/IDT及≤0.5λ、优选≤0.1λ教导,只具体化蓝宝石/金刚石支撑。追[0009]背景材料与[0234]其他组合之间有无明确联系,不能把开放列举当全部组合已公开;0.1λ也非实测点。重点找保留归一厚度的声学/接合动机,及JP2004343359A“宜薄”与CMP补救的真实边界。次线查CN101789769A同例约0.375λ叠层中SiN板状实体承载、LN薄膜化及边界波模式相容性。

不得在无技术依据下由US数百埃键合层跳到目标厚度。JPH06326553A起点只是优先顺序;若找到界日前明确增厚动机及可行性证据,可将US6445265B1增厚路线另列备选。其他更强完整路线也应保留,不能为既定组合筛除。

检索推进与证据判断

先以“支撑+键合+压电”找具体联系,再全文追λ/厚度,勿把所有种子词强制AND;无需字面写“蓝宝石替硼”。不要求完整0.1–0.5λ原句,落入点、重叠或共同端点均可贡献,但其余要素须同方案明确。事后仿真只能解释/佐证,不能倒造界日前结合启示。

检索入口与待执行查询式

先用Google Patents原生检索,选择公开日早于2010-12-24,追同族/引证。以下种子未执行;若原生失败,外部索引备用式才在各条前加site:patents.google.com、末加before:2010-12-24,不是原生字段或日期证明。可拆分:

1. (サファイヤ OR サファイア OR ダイヤモンド) 酸化珪素 ニオブ酸リチウム 基板選択 導波

2. 窒化珪素 (板状体 OR 自立基板) (基板貼合せ OR 直接接合) 薄片

3. サファイア 酸化珪素 (CMP OR 化学機械研磨) (表面粗さ OR 伝搬損失)

4. (ニオブ酸リチウム OR タンタル酸リチウム) 中間膜 直接接合 規格化膜厚

5. (DLC OR ダイヤモンドライクカーボン) (sp3 OR 四面体) 酸化珪素 接合

6. 窒化珪素 酸化珪素 電極周期 (基本モード OR 漏洩) 膜厚

核验规则与交付要求

核原语言全文及原件;JPH06326553A目前仅HTML原文已核,不冒称PDF已看。核层号、IDTλ及同例厚度,不拼不同实施例;体波横/纵速度与模态相速度分别列明。不把非晶质碳直接当DLC、不加压电≤1.5λ、不旋图自动认支撑;CN[0110]“被夹持在”不是机械承载。EP对应披露有原文矛盾且与JP归组,不能静默修正或当独立启示。输出公开号/实际公开日/同族/段图/同例F1–F6/λ-厚度出处/保厚换材动机与反驳/新增或重复/链接。记录真实检索式,原生失败、替代渠道、原件缺失或无新增均如实报告。

 

八 韩文补充检索任务

完整可复制任务  查询尚未执行  LN=LiNbO3  LT=LiTaO3
D1=JPH06326553A  D2=US6445265B1

请先核对CN103262410B授权原文。高声速支撑材料为AlN、Al2O3(含蓝宝石)、SiC、SiN、SiON、DLC或金刚石,以及权1规定的主成分或混合物。低声速材料还包括玻璃、SiON、氧化钽及规定掺杂SiO2等;本任务优先沿SiO2分支补证,不将权1缩窄为只允许SiO2;其他允许低速材料的更强证据同样纳入。

任务目标与时间范围

请以韩文关键词检索CN103262410B授权权1的薄弱点,不限定韩国公开号;证据实际公开日须≤2010-12-23。目标是同方案F1弹性波、F2权1限定材料的高声速支撑基板、F3其与压电膜间的低速SiO2、F4 LN/LT膜、F5任一面IDT、F6埋层h/IDT所定义λ=0.1–0.5;完整材料清单查授权原文。

优先问题与可替代路线

首选JPH06326553A+US6445265B1,保留前者例4-2的薄片、SiO2、IDT与≤0.5λ、优选≤0.1λ,仅将支撑替成蓝宝石/金刚石等限定材料。查换材后仍保留该归一厚度的具体动机和性能合理预期,并核粗糙度、损耗及“越薄越好”反驳;0.1λ不是实测点,不得在无技术依据下由US数百埃键合层跳到目标厚度。次线查CN101789769A约0.375λ同例的SiN实体支撑和LN薄膜化,证明机械角色,检查由原边界波转为薄膜叠层时速度、波模与厚度关系。

JPH06326553A起点只是优先顺序;若找到界日前明确增厚动机及可行性证据,可将US6445265B1增厚路线另列备选。其他更强完整路线也应保留,不能为既定组合筛除。

检索推进与证据判断

先以“支撑+键合+压电”找具体联系,再全文追λ/厚度,勿把所有种子词强制AND;无需字面写“蓝宝石替硼”。不要求完整0.1–0.5λ原句,落入点、重叠或共同端点均可贡献,但其余要素须同方案明确。事后仿真只能解释/佐证,不能倒造界日前结合启示。

检索入口与待执行查询式

先用Google Patents原生检索,按公开日设2010-12-24之前,追同族/引证。以下种子未执行;原生失败才用外部索引备用式,各条前加site:patents.google.com、末加before:2010-12-24,不是原生字段或日期证明。按线索拆分:

1. (사파이어 OR 다이아몬드) 니오브산리튬 산화규소 기판선택 음향도파

2. 질화규소 (판상체 OR 자립기판) (기판접합 OR 직접접합) 압전박막

3. 사파이어 산화규소 (CMP OR 화학기계연마) (표면거칠기 OR 전파손실)

4. (니오브산리튬 OR 탄탈산리튬) 중간막 직접접합 정규화막두께

5. (DLC OR 다이아몬드상탄소) (sp3 OR 사면체) 산화규소 압전 접합

6. 질화규소 산화규소 전극주기 (기본모드 OR 누설파) 막두께

核验规则与交付要求

复核全文和原件,同义词可扩为带空格写法;不把机译摘要当原文。确认实际公开日,早优先晚公开不纳入,同族不双计。不将非晶碳直接等同DLC、不加压电≤1.5λ、不靠旋图把盖层当支撑;CN[0110]只说明声学夹持。列清横/纵体波速度和模态相速度,核IDTλ与埋层厚度同例,禁止错层错λ。逐篇给公开号、实际公开日、同族、原文段图、同例F1–F6、λ/厚度出处、保厚换材动机及反驳、新增或重复、链接。记录真实查询,原生失败或原件未获须明示,未命中如实写,不虚构结果或机械追加轮数。

 

九 英文补充检索任务

完整可复制任务  查询尚未执行  LN=LiNbO3  LT=LiTaO3
D1=JPH06326553A  D2=US6445265B1

请先核对CN103262410B授权原文。高声速支撑材料为AlN、Al2O3(含蓝宝石)、SiC、SiN、SiON、DLC或金刚石,以及权1规定的主成分或混合物。低声速材料还包括玻璃、SiON、氧化钽及规定掺杂SiO2等;本任务优先沿SiO2分支补证,不将权1缩窄为只允许SiO2;其他允许低速材料的更强证据同样纳入。

任务目标与时间范围

请用英文检索补强CN103262410B授权权1,仅用实际公开≤2010-12-23的文献,检索语言不限制公开号国家。聚焦同一方案F1弹性波、F2权1限定材料的高声速支撑基板、F3其与压电膜之间的低速SiO2、F4 LN/LT膜、F5膜任一面IDT、F6埋SiO2厚度h/IDT定义λ=0.1–0.5;完整可选材料按授权原文。

优先问题与可替代路线

优先从JPH06326553A例4-2出发,用US6445265B1具体化蓝宝石等支撑,保留前者的薄片/埋SiO2/IDT及≤0.5λ、优选≤0.1λ设计。追查“只换支撑而保留厚度”的实际动机、制造兼容与合理预期,不得在无技术依据下由US数百埃键合层跳到目标厚度,不把0.1λ端点写成实测。金刚石路线可追CN101777622A,但沉积LN与接合单晶的差异必须解释。次线追CN101789769A同例约0.375λ下SiN实体承载、LN薄化,以及原边界导波能否保留,不能只按特征数量拼接。

JPH06326553A起点只是优先顺序;若找到界日前明确增厚动机及可行性证据,可将US6445265B1增厚路线另列备选。其他更强完整路线也应保留,不能为既定组合筛除。

检索推进与证据判断

先以“支撑+键合+压电”找具体联系,再全文追λ/厚度,勿把所有种子词强制AND;无需字面写“蓝宝石替硼”。不要求完整0.1–0.5λ原句,落入点、重叠或共同端点均可贡献,但其余要素须同方案明确。事后仿真只能解释/佐证,不能倒造界日前结合启示。

检索入口与待执行查询式

先用Google Patents原生检索,设公开日早于2010-12-24,追同族/引证。以下种子未执行;原生失败才用外部索引备用式,各条前加site:patents.google.com、末加before:2010-12-24,不是原生字段或日期证明。可拆词调整:

1. (sapphire OR diamond) "lithium niobate" silica "substrate selection" "acoustic confinement"

2. "silicon nitride" ("plate-like body" OR "self-supporting") "wafer bonding" piezoelectric

3. sapphire silica (CMP OR "chemical mechanical polishing") (roughness OR "propagation loss")

4. ("lithium niobate" OR "lithium tantalate") "direct bonding" "normalized thickness" oxide

5. (DLC OR "diamond-like carbon") (sp3 OR tetrahedral) silica piezoelectric bonding

6. "silicon nitride" silica "electrode period" ("fundamental mode" OR leakage) thickness

核验规则与交付要求

全文/原件核验,不能用晚公开早优先或搜索过滤代替实际日期。同族去重,JP/EP对应披露不作两项独立启示。不把amorphous carbon直接当DLC,不加压电≤1.5λ,不旋图自动认支撑;CN[0110]是声学夹持而非机械承载。核横/纵体波速度、模式相速度、IDTλ与同例埋层厚度,禁止跨层跨例拼数。报告公开号/实际公开日/同族/原文段图/同例F1–F6/λ-厚度关联/保厚换材动机及反驳/新增或重复/链接。记录真实检索式,原生失败、替代来源、原件缺失或无新增均明示,不编造命中、不预设扩展轮数。

 

十 证据标准与复核门槛

1 时间资格和公开文本

仅将实际公开日不晚于2010年12月23日的文献作为本次现有技术候选。数据库过滤和外部before算符只帮助发现,不能替代公开日证明;早优先权、晚公开不自动合格。记录所引用的具体版本、公开号、公开日及同族关系,不把多个翻译或共同优先权版本当作独立技术启示。

2 单一技术方案及数值对应

逐项标注F1至F6为“直接明确”“解释后可能”或“缺失”,并指出同一实施例、段落与附图的对应关系。区间内单点、范围重叠或共同端点均可能贡献数值公开,但必须先满足其余特征的同方案要求。厚度换算必须同时保存原厚度、IDT周期定义、λ来源及计算;不能跨层、跨例或自设λ。

3 材料和实体角色

分别核实高声速材料、机械承载、低声速埋层、压电膜和IDT所在面。相同材料名不自动证明相同功能;非晶碳不当然等于DLC。图的上下方向、介体名称或“被夹持在”文字,不自动证明支撑基板身份。横波体波速度、纵波体波速度和器件模态相速度应分开记录,不能混用。

4 组合理由及不利证据

组合评价要说明起点、区别特征、所解决技术问题、选材与保留厚度的依据,以及技术人员可合理预期的结果。既要报告有利桥梁,也要报告宜薄倾向、损耗变化、接合粗糙度和模态迁移等最强反驳。仿真或专家分析可以解释已有教导,不能把事后目标倒写成当年的技术启示。不得预设必须服从本报告的组合排序。

5 原件和译文的证据固定

保存原语言正文、公开页、相关附图与可核验链接;明确哪些PDF已取得并目视,哪些只有HTML原文。JPH06326553A当前为日文HTML已核,其正式原件仍宜补取。EP0616426B1对应段落的材料、层号和厚度语句存在原文矛盾,不能静默修成无歧义内容;日文清晰披露应独立准确引用。

6 负结果和概率更新

若未找到新增证据,应准确交付实际查询、重复同族、未命中、未取得原件、尚存争点及最小下一步验证问题,不虚构命中,不预设轮数。只有同方案公开、实体角色或实质组合桥梁获得补强时,才重新讨论主观概率;不得仅因命中数、语种数或检索轮数增加而上调。

十一 主要来源与定位

以下公开文本支撑当前技术判断;检索任务中的种子本身不是证据。官方审查规则用于核对判断框架,并不替代具体个案和权利要求解释。

S1 目标权利要求  CN103262410B

授权PDF第2至3页,权1、权3、权10至11;第十二实施方式。权1不限于表面波或顶面IDT,压电膜≤1.5λ并非权1限定。

S2 日文主引  JPH06326553A

1994年11月25日公开;[0009]、[0224–28]、[0234]及图20。日文HTML原文已核,尚未目视正式PDF。

S3 结构及导波目的  US6445265B1

2002年9月3日公开;原PDF正文列2至3、图1与图5、权4。注意压电层厚度与SiO2键合层厚度分离。

S4 接合结构平行备选  JP2004343359A

2004年12月2日公开;[0045–46]、[0057–65]及图7。SiO2为优选材料选项,15nm实测为AlN。

S5 金刚石叠层  CN101777622A

2010年7月14日公开;原PDF第3至4页及图1。材料层序明确,未给出可将SiO2厚度直接归一化的完整IDT实例。

S6 数值及实体角色争点  CN101789769A

2010年7月28日公开;原PDF第7至9页,[0072–73]、[0082–84]、[0092]、[0098–99]、[0110]及图1。同例0.3747λ可靠,承载与薄膜身份仍待闭合。

S7 同群披露对照  EP0616426B1

1998年9月16日公开;原PDF列22、列30至32及列35。与日文主引共同追溯JP5-53431优先权,不双计独立技术来源。

S8 厚度与调频辅助  CN101714858A

2010年5月26日公开;原PDF第12页[0109]、[0115–19]及第13页[0125]。完成结构中有0.1λ、0.3λ、0.5λ,材料菜单不自动等于同例替换。

S9 数值和修改规则  专利审查指南2023官方文本

第二部分第三章3.2.2、3.2.4;第四部分第三章4.6.2。数值规则以前提特征对应为基础;修改后范围须另行评价。

S10 后续规则修改  国家知识产权局第84号令

2025年11月14日公布,2026年1月1日起施行。与前项并读,不把2023官方PDF表述成未有后续修改的现行完整文本。


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

SUPPLEMENTAL PRIOR-ART SEARCH  /  CLAIM 1

CN103262410B
六语48轮补充检索报告

无效请求人视角 · 检索截止日:2010年12月23日 · 报告日期:2026年10月17日

本次结论

本轮有实质补强,但尚未核实一篇能够无争议地、在同一相容方案中公开权利要求1全部限定的新增文献。DE102005055871A1仍为现有主证据;新增S1补材料与键合相容性,新增S2补实际模态速度及泄漏条件。

 

最有价值的两项新增结果

证据

实际贡献

不能据此推定

S1:JP2004343359A
2004-12-02

LT/LN与蓝宝石承载;SiO₂可作为两者之间的键合中间膜。[S1]

未核实SiO₂=0.1λ—0.5λ;1μm是Si,15nm是AlN。

S2:US20060071579A1
2006-04-06

直接讨论LN界面SH波速度低于两侧慢横波速度,以及电极质量负载、耦合和泄漏。[S2]

未直接证明DE所选Al₂O₃/SiO₂/LT或LN参数的实际模态;其表11采用SiO₂=3λ。

 

策略变化

保留DE单篇新颖性理由;如争点是工作模态,新增“DE+S2”作为优先论证的专项创造性备位;如争点是材料与制造选项相容性,采用“DE+S1”专项补强。原“DE+WO2009133655A1”仍适合解决λ定义及参数表达争议,不再承担其未公开的具体模态证明。

执行口径

已提交48组独立查询(六语各8组,12个提交批次),并继续执行公开号、同族、引证和段落核查。查询通过谷歌专利索引完成,再访问专利页面;未完成原生搜索结果页的全量翻页与筛选。本报告附实际检索式、批次结果、取舍依据及来源链接。

本报告不是正式无效请求书或结果保证。新增数量不等于证明强度;同族版本不重复当作独立文献。

 

SCOPE & EXECUTION

一、范围、方法与完成程度

1. 检索与法律时间边界

对象为CN103262410B现有授权权利要求1。按其最早优先权日2010年12月24日设置严格公开日边界:仅将2010年12月23日及以前已公开的技术文本作为本次现有技术候选。优先权早而公开日较晚的文件,不因此自动具备在先公开资格。[T0][L1]

没有预设优先权不成立;也没有把从属权利要求的压电膜厚度、切角等附加限制读入权利要求1。专利权人如进一步限定,应重新评估。[T0]

2. 实际执行,而非计划清单

语言

编号

已提交查询

主要目标

英文

EN01—EN08

8

相速度、GBAW衰减、材料、厚度

德文

DE01—DE08

8

DE同类技术、Al₂O₃、键合

日文

JP01—JP08

8

SAW承载结构、完整中间膜

中文

CN01—CN08

8

声速、层序、早期中文同族

法文

FR01—FR08

8

高速承载、Love波、分子接合

韩文

KR01—KR08

8

模态阈值、薄层与界面波

 

3. 检索通道及可重复性限制

实际查询采用site:patents.google.com,或关键词配合patents.google.com域名限制;随后读取可访问的专利HTML原文、家族时间线和引证。原生Google Patents搜索界面及部分全文页发生访问错误,因此日期资格由候选公开文本逐件人工核对,而非声称在每一轮原生界面中成功运行日期过滤。

每个批次含4条查询。工具返回的结果存在合并、排序和截断,不足以支持可靠的“每轮总命中数”“已查完所有结果”或“新增家族穷尽数”。附录保留准确查询文本和批次处置,不编造这些数值。

复现时可在Google Patents选择Publication并设before:20101224;这是建议的原生界面复现设置,不等同于本次已成功操作该界面。

 

CLAIM CONSTRUCTION

二、特征口径与证据阅读规则

编号

本次必须证明的内容

主要误配风险

A1

限定材料构成的机械支撑:AlN、Al₂O₃、SiC、SiN、SiON、DLC、金刚石及权利要求所列主成分/混合物选择。

纯Si不在清单;高速覆盖膜并非当然是支撑。

A2

结合说明书解释“高声速支撑”:相关体波速度高于实际使用弹性波模态速度。

体波之间排序,不自动等于体波与导波相速度排序。

B

支撑与压电膜之间的低声速膜,采用权利要求列明材料,例如SiO₂。

顶面温补层、IDT金属、Si中间层不能混用。

C

LiTaO₃或LiNbO₃压电膜。

石英、ZnO、AlN压电层不匹配;名称“基板”需结合厚度和结构解释。

D

压电膜一面上的IDT。

不是只允许外露上表面;埋入界面的IDT不能单凭位置排除。

E

低速膜厚0.1λ—0.5λ;λ由IDT电极周期确定。

厚度层身份、全周期/半周期与单位必须一致;不得自选λ反算命中。

 

以上是工作拆分,并非替代授权权利要求逐字文本。材料清单的完整表述以[T0]为准;本次最关键的新证据以Al₂O₃(蓝宝石)/SiO₂/LT或LN路线进行比对。

采用三个彼此独立的核验标签

“全文核查”表示已读取相关HTML连续段落、权利要求或表格文字;“索引片段核查”表示只核到谷歌专利检索索引返回的具体原文片段;“前次保留”表示信息来自上传报告,本轮未完成重新核对。不得把三者全部写成“原始PDF逐页核验”。

本轮PDF页面截图尝试未成功;层序判断依赖说明书文字和图示说明,不把未查看的图形尺寸、比例或声场曲线当作已核事实。中文释义为工作翻译,不是核证译文。

新颖性理由必须立足单项在先公开本身;第二篇文献可以服务于创造性论证或技术解释,但不能被写成第一篇文献的原始公开。法律基础参见[L1]第二十二条;具体证据使用仍须结合审理要求。

 

EXISTING EVIDENCE

三、主证据复核及前次结论的保留范围

E1:DE102005055871A1仍是最适合深挖的主证据

定位

对无效有利的内容

仍须说明

[0032]—[0034]

LT/LN,压电层形成/转移;Al₂O₃作为第二基板选项。

一般制造和材料选项是否能共同用于所选方案。

[0037]、[0042]

SiO₂介电夹层;优选0.15λ—0.5λ落入目标范围。

嵌入金属不突出时的层厚身份;λ含义一致。

[0005]、[0018];权26

周期梳状/界面换能电极。

与目标一面IDT对应,不任意改动金属边界。

权利要求38、39

中间层体波低于两侧,第一基板体波低于第二基板。

比较同类相关分支;仍需与实际模态相速度接上。

[0015]—[0017]、[0073]

导波速度剖面与衰减;第二基板承载作用。

不是任何Al₂O₃、晶向、层厚组合都当然取得该模态。

 

上述基础来自前次报告及本轮返回的DE索引原文复核;本轮未取得固定Al₂O₃/SiO₂/LT或LN方案的实测或计算声场。因此“公开绝大部分特征”仍成立为证据评价,“单篇已经毫无争议公开全部限定”仍不能成立为本轮结论。[R0][E1]

原有备位文献继续保留,但不重复当作新发现

E2(WO2009133655A1)适合λ与0.4λ实例;E3(US6445265B1)适合薄层承载与分子键合。E4(JPH06326553A)和E5(CN101777622A)保持独立SAW材料路线。E6(CN101030764A)本轮未稳定取得相关全文,不列为新增核实结果。[E2]—[E6]

必须分清相近公开分支

DE102005055871A1对应英文平行公开US20080252396A1/WO2007059740A2。US20080292127A1/WO2007059733A1属于相近但不同分支,WO2007059741A1也不能无条件互换。家族图接近、申请人相同或编号相邻,均不能代替逐文献的公开内容认定。[R0][E1-EN]

 

NEW FINDINGS

四、新增候选证据总表

“新增”仅相对已上传的前次评估报告和本次已知证据清单;不宣称相对所有历史检索从未出现。下列7组按主要公开文本列出,跨国同族不重复计数。

编号/公开日

代表公开文本

检索所得及建议用途

核验层级

S1
2004-12-02

JP2004343359A

蓝宝石/中间膜/LT,SiO₂选项;材料、制造相容性最有价值。

全文核查

S2
2006-04-06

US20060071579A1

LN/介质界面SH模态低于两侧慢横波;电极负载、泄漏、λ定义。

全文核查

S3
2008-07-02

CN101213743A

石英界面波慢横波条件;反向引证找到S2。用于机理交叉佐证。

全文核查

S4
2008-09-18

WO2008110576A1

GBAW衰减,压电层可设于高速非压电承载上;但低速介质主要在上侧。

索引片段

S5
2010-01-28

WO2010009719A1

介质制备及明确引用E1对应PCT;同领域制造线索。

索引片段

S6
1981-07-24

FR2474243A1

Al₂O₃/SiO₂/ZnO路线;压电材料不符,层厚换算不落入目标。

索引片段

S7
2009-07-16

WO2009087290A1

LT/LN薄层的氧化物辅助键合;仅一般工艺补助。

索引片段

 

筛选结论

S1与S2适合进入实质无效论证准备;S3作为独立机理交叉验证,通常无需与S2同时堆叠。S4、S5、S7仅宜保留为待补原文的辅助候选。S6应记录为结构相近但关键材料和数值不符的负面筛选结果,不应列为高强度无效证据。

同族的使用方式

S1优先采用已核查的日本申请公开A文本,JP3774782B2仅交叉核对。S2采用已读的US20060071579A1,不必依赖尚未完整比对的更早WO同族。S3由韩文KR20090130873A进入,最终以可读的中文CN101213743A进行技术核查。[S1]—[S3-KR]

 

JP2004343359A  /  2004-12-02

五、S1:同一材料与键合方案的实质补强

1. 可以肯定的增量

S1不是把三种材料散列在无关列表中。[0057]—[0059]在第三实施形态明确说明LT基板与蓝宝石支撑之间设置中间膜,SiO₂为优选绝缘材料选项;[0065]将其余构成接回第一实施形态。[0047]说明LT上面设置IDT,[0051]允许LN替换。[S1]

与只凭材料声速表相比,这条证据更直接地说明目标材料组合具备先前公开的制造路径。其作用是削弱“Al₂O₃+SiO₂+LT/LN从来不能作为同一器件组合”的抗辩,而不是证明任意层厚均有目标导波效果。

原文定位

核实内容

应有的限定

[0036]、[0046]—[0047]

LT 30μm、蓝宝石300μm;1.9GHz器件,λ约2.1μm;上面IDT。

这些是第一实施形态条件;压电层不是数值上当然的亚波长薄膜。

[0057]—[0059]

第三实施形态:LT/中间膜/蓝宝石;SiO₂绝缘选项。

可作为同一材料框架;SiO₂实际膜厚没有随之给出。

[0063]—[0065]

沉积、溅射、CMP和接合;其余结构继承第一实施形态。

表面粗糙度、膜厚与接合条件必须兼顾。

 

2. 两个最容易导致错误结论的数值

[0052]—[0054]的约1μm中间膜是Si;[0064]的15nm中间膜是AlN。二者都不能替换名称后当作SiO₂厚度,也不能拿第一实施形态λ反算后声称第三实施形态已经公开目标厚度。这样做会同时混淆材料、实施形态与物理作用。[S1]

3. 反向信息必须一并提交

[0048]指出LT/蓝宝石接合界面体波反射带来寄生响应;[0063]为减小表面粗糙度偏好尽量薄的中间膜。这些不是“不准使用目标厚度”的绝对反向教导,但说明由制造可行到声学相容仍需论证。采用[0068]研磨/蚀刻路线时,还必须核对中间膜耐蚀性。[S1]

S1的建议地位

作为DE+S1的相容性专项补强,而非替代DE的单篇新颖性主证据;暂不宣称其已经公开A2和E。

 

 

US20060071579A1  /  2006-04-06

六、S2:工作模态与两侧慢横波关系

1. 本轮最对口的模态证据

S2在权利要求1及BEST MODE说明中,将界面SH波的实际速度与两侧固体的慢横波速度相比较。其说明各向异性固体中P、SH、SV分量可能耦合,相关分量满足泄漏条件时产生传播损耗;通过较高密度、低声速电极的质量负载降低界面波速度,可形成更强局域约束。[S2]

这比仅找到“支撑体波速度高于压电体体波速度”更接近原缺口:比较对象已经包含实际器件模态。具体压电实例是LN,而不是仅以石英代替目标LT/LN。

位置/内容

可用于证明

不能用于证明

权利要求1;BEST MODE开头

实际SH界面模态与两侧慢横波阈值有关;不能混用无关分支。

DE任意选材或任意电极厚度必定满足阈值。

电极质量负载、波型耦合及泄漏说明

在界面型器件中选择材料和电极厚度具有声学设计动机。

省略电极材料、晶向、夹层边界仍能直接套用结论。

表11及其后文字

λ与IDT条带周期对应,并由频率和周期确定相速度。

表11的SiO₂=3λ等于目标0.1λ—0.5λ。

 

2. 表11是校验,不是目标膜厚实例

表11列出SiO₂厚度3λ、Au电极厚度0.055λ、周期λ=2.2μm。这说明电极、介质厚度与实际模态是联动参数。其后文字给出从频率与电极周期得到边界波相速度的关系;仅这一参数含义可以作λ对应的辅助,不能把整个数值实例搬进DE。[S2]

3. 必须保留的模式敏感性

在其Y切X传播LN及厚SiO₂条件下,文献讨论Au很薄(如小于约0.0105λ)时SH波不传播或衰减显著的情况。这属于特定边界条件下的结果,不是通用设计阈值,但足以反驳“有层序即可自动有目标非泄漏模式”的过度推断。[S2]

本报告引用的是HTML表格及文字,不声称已目视验证对应实验曲线或原始PDF全部附图。

 

CONDITIONAL TECHNICAL BRIDGE

七、如何使用新增模态证据而不事后拼接

以下为基于E1和S2的分析框架,而非本轮已经完成的有限元结论。符号c中、c压、c支分别指相关中间层、压电体及支撑的体波速度;v模指实际工作导波相速度。

已有文献关系与待证关系

E1提供体波方向上的排序:c中<c压<c支。
目标高声速含义涉及:v模<c支。
S2提供在相应界面模式及参数条件下控制v模低于两侧慢横波的设计教导。
关键待证事实:该教导如何在DE自身支持的Al₂O₃/SiO₂/LT或LN方案上实现。

 

能成立的论证方式

先固定DE公开支持的具体材料、传播方向、晶向、电极结构、金属材料、归一化层厚及工作分支。再说明S2所讨论的质量负载和慢横波比较为什么适用于这一界面型设计;若需采用某一选择或调整,应在创造性理由中明确写出该选择及其动机,而非称其已逐字存在于DE。

只有当所选方案确实满足相关分支的v模<c压,且E1对应分支满足c压<c支时,才能对该固定方案完成到v模<c支的推导。对各向异性问题应检查实际可辐射分支和边界条件,不能只做材料手册中两个标量的形式排序。

不能成立的三个捷径

错误捷径

本报告的处理

把S2的SiO₂=3λ改为DE的0.15λ—0.5λ后,直接沿用相速度或衰减。

夹层变薄会改变色散和与支撑的耦合,须重新证明。

拿S2的Au厚度阈值证明DE的W、Pt或其他金属电极。

质量密度、弹性常数及图形占空比不同,不能无说明互换。

将S2的速度条件直接写入“DE单篇已经公开”。

必须区分第一文献的固有属性证明与采用第二文献的创造性选择。

 

对最薄弱环节的更新

薄弱点由“缺少直接讨论实际模态阈值的在先文献”,缩小为“尚未把已知阈值和设计方法具体落实到DE所选方案”。这是有效补强,但不是全部证据闭合。

 

SUPPORTING REFERENCES

八、辅助结果S3—S5:作用与边界

S3:CN101213743A/KR20090130873A

韩文检索找到界面波实际速度与两侧慢横波的比较,回查到中文公开CN101213743A。该文献的主要实施对象为石英及介质界面,不能代替LT/LN压电膜,也没有直接给出目标高速支撑/低速夹层/压电膜三层结构。[S3][S3-KR]

其最重要的新增作用是引证入口:背景部分引用WO2004/070946,由此回查到S2的LN界面波方案。S3还可交叉验证声学比较须针对实际模态与相关慢横波;但不能将石英或SiN的材料常数转用于DE的LT/Al₂O₃。

S4:WO2008110576A1

索引原文描述GBAW、波场衰减,以及压电层设置在非压电承载上的选项,其中包括Al₂O₃。该信息有利于同类界面/导波器件的承载角色解释。[S4]

关键限制是其低速介质主要在压电层和电极上侧,涉及TeO₂等覆盖体系;不能将覆盖层移到支撑与压电膜之间,也不能把TeO₂当作权利要求中的钽氧化物。索引片段支持进一步核取原文,不足以将S4提升为全特征主证据。

S5:WO2010009719A1

索引原文涉及玻璃或氧化物等介质层的制备,并明确引用WO2007/059740,即E1相关PCT。这是比仅凭“同一技术领域”更具体的文献关联,但其关联对象是制备与介质层背景,不等于已给出本案每项选择的组合动机。[S5]

使用2010年1月28日公开的WO文本;不能因为其优先权较早,就把2011年才公开的CN或US国家阶段全文中的独有内容作为2010年以前证据。

是否需要把S1—S5全部加入一条组合?

不需要。应按真实争点选择最少且分工明确的证据。S2已经足以承担主要模态解释时,通常没有必要再加入S3;S4、S5暂不承担决定性限定。

 

 

NEGATIVE CHECKS

九、S6—S7与必须剔除的高相似结果

S6:FR2474243A1——层序相近仍不能判为命中

索引文字含Al₂O₃/SiO₂/ZnO层状器件,压电材料ZnO不满足LT/LN限定。另核到相关SiO₂厚度为3.2/k—6.3/k,并定义k=2π/λ;换算约为0.509λ—1.003λ,不能舍入成0.5λ再称落入目标范围。另一些系数范围属于压电层,不能移用于低速层。[S6]

因此S6最多是早期高速承载/低速介质概念的低权重辅助,不能作为本轮完整单篇发现,也不宜为了使用该文献而同时替换压电材料、厚度和模式。

S7:WO2009087290A1——一般键合工艺补助

索引文字涉及LT/LN的氧化物辅助分子键合与薄层转移,有利于工艺可行性背景。未核到目标IDT、低速层归一化厚度及具体工作模态;在S1和E3已有较贴近工艺教导的情况下,S7并非优先的第二文献。[S7]

其他筛查结果及不采纳理由

文献/线索

处理结果

US8283835B2;US20110266917A1

第一申请公开晚于本次界限;2010年优先权不能替代公开。只作反向引证入口。

JP2010187373A

虽在界限前,但主要Si承载及粘接材料路线不等于指定承载+SiO₂;降级。

CN1665131A/CN100511996C

直接键合、纳米级非晶界面,不能当作目标0.1λ—0.5λ SiO₂膜。

US6879225B2、US7418772B2

出现相似归一化SiO₂厚度,但为压电体表面的覆盖层;位置不匹配。

KR20210087762A、KR20250011519A、FR3079667A1

明显后公开,仅可追溯早期引证,不能用于本次在先公开。

CN106209007B及目标相关后续公开

目标/相关分支的后公开自命中,不是独立在先证据。

 

 

FEATURE MATRIX

十、权利要求1补检后特征比对

符号说明:“明确”指相关内容在被核查文字中有定位;“需论证”指有依据但解释链尚未闭合;“未核到”不等于法律上证明文献完全没有该内容。

特征

E1:DE主证据

S1:日本键合方案

S2:LN界面波方案

A1
指定支撑

Al₂O₃一般选项+载体作用。明确,但选项共同适用须说明。

蓝宝石明确为LT/中间膜结构支撑。材料及角色补强。

未核到目标独立高速承载基板。

A2
模态关系

有体波排序和导波衰减教导;实际分支与参数待证。

未明确证明目标v模<c支;出现界面反射寄生。

明确讨论实际SH界面波低于两侧慢横波;尚非DE三层参数证明。

B
低速膜

SiO₂夹层及相对低速有依据。

SiO₂可处LT/蓝宝石之间;声速功能还需解释。

SiO₂为界面一侧介质,未同时形成目标独立三层支撑关系。

C
LT/LN膜

LT/LN及层形成、转移选项;与承载路线相容性待说明。

LT、LN替换;有减薄路径。具体实例压电体较厚。

LN实例明确;不能替代证明独立承载上的薄膜。

D
一面IDT

界面梳状电极,符合“一面”的可主张范围。

压电体上面IDT明确。

压电体/介质界面IDT明确。

E
0.1λ—0.5λ

介电层优选0.15λ—0.5λ;需核对适用条件及λ含义。

未核到SiO₂目标层厚。1μm Si、15nm AlN不可混用。

表11 SiO₂=3λ,不在目标范围;λ及相速度定义可辅助。

总体
证据用途

保留主证据;不宣布无争议单篇全覆盖。

相容性专项第二文献。不是完整新颖性证据。

模态专项第二文献。不是完整结构证据。

 

组合比对不能把该表三列横向相加就认定缺乏新颖性。创造性论证也应逐条说明:哪项区别真实存在、为何会采用另一文献的教导、是否保留了原方案工作条件,以及有无合理实现预期。

 

ATTACK SEQUENCE

十一、补检后的无效理由排列建议

路径

证据及目标

需要写出的核心论证

主要风险

主位

E1单篇新颖性

相同框架的一般选项如何共同适用;优选厚度与λ;固定方案导波性质。

新证据不能直接充当E1单篇公开内容。

模态专项

E1+S2

面对声能泄漏/界面约束问题,利用实际模态与慢横波比较及电极负载教导。

S2厚SiO₂与DE较薄夹层不同;电极和色散不能直接移植。

相容性专项

E1+S1

证明LT/LN、SiO₂、蓝宝石承载已有共同制造框架与接合动机。

S1的薄膜偏好和表面工艺约束;不能替代A2及E。

λ专项

E1+E2

在同类界面波设计中采用明确IDT周期归一化及0.4λ条件。

E2高速盖层不是支撑,亦不独立补齐A2。

薄层承载专项

E1+E3

高速承载上的压电薄层与键合、导波功能联系。

E3的极薄键合层与目标声学中间膜不应混同。

 

本轮是否更换最优主证据?

不更换。没有新的完整单篇经过核实足以取代E1。新增S1/S2改变的是“最需要补强的争点”的证据配置,而不是凭相似结构把主证据推倒重来。

最优第二文献应跟随实际区别特征

若审理焦点确为实际模态阈值,S2比仅补λ的E2更对口,建议将E1+S2提升为专项优先路径。若争点是Al₂O₃/SiO₂/LT能否共同采用,S1更对口。不能在尚未认定区别特征时无条件宣称某个二文献组合必然最优。

避免扩大实际技术问题

模态路径的问题可围绕“在既定层状界面换能结构中降低传播泄漏并形成声能约束”表述;制造路径围绕“形成稳定的压电体与承载接合并控制电学影响”表述。不要把完整目标材料、层序和0.1λ—0.5λ预先写进技术问题,再反向寻找答案。

 

RESIDUAL RISK

十二、剩余薄弱点与成功概率的更新口径

薄弱点

本轮变化

尚未完成的决定性工作

实际模态与支撑体波比较

S2提供直接的在先模式阈值教导,已明显改善。

对DE支持的固定材料、晶向、电极和层厚,给出对应分支相速度/支撑侧衰减。

同一材料方案相容性

S1给出明确共同层序和键合方法,优于孤立材料表。

解释DE的界面金属、夹层厚度和制造步骤为何仍相容。

完整新增单篇

尚未得到经核实的无争议全特征新增文献。

不得以把S1、S2各自强项拼起来的表格替代单篇新颖性判断。

λ与层厚身份

E1/E2已较强,S2补周期定义;识别出Si、AlN假命中。

保证全周期、波长与所比厚度属于同一装置及同一层。

档案与程序证据

本轮未调取完整审查和优先权档案。

核对术语限缩、修改依据、优先权支持及原文/译文取证。

 

概率不因检索轮数自动增加

前次报告的70%—80%是以现有权利要求范围、E1为中心并补足论证为条件的主观评估,不是历史统计值。[R0] 本轮没有完成特定方案的声学证明,亦没有新的完整单篇或审查档案,因而不据此上调为80%—85%或更高的稳定胜率。

客观变化是:支持开展无效请求的理由更具体;模态和材料相容性的抗辩已有更贴近的回应。但在固定方案的参数链未核实前,原条件性区间不能被误写为已经闭合后的结果预测。不同路径共享解释风险,概率不能相加。

当前最值得投入的下一项工作

形成一份可复核的“E1固定方案模态说明”:材料与晶向出处、压电层/中间膜/金属厚度、IDT全周期和占空比、相应体波分支、所用模态的色散及向支撑的能量辐射。专家计算只能解释在先公开方案的固有性质,不能借目标参数重新设计一个新器件后称为E1原始公开。

 

SEARCH LOG  /  EN01—EN08

附录A · 英文8轮实际查询

下列为实际提交文本。年份词用于降噪,不是公开日筛选;最终资格均按公开文本日期另行核对。

EN01  以实际相速度+第二基板切入

site:patents.google.com "phase velocity" "bulk wave" "second substrate"

EN02  转向GBAW波场衰减

site:patents.google.com "guided bulk acoustic" "decay" substrate

EN03  锁定材料和IDT共同层序

site:patents.google.com sapphire "silicon dioxide" "lithium tantalate" interdigital

EN04  核对0.4λ与电极/层身份

site:patents.google.com "silica" "0.4" "electrode" "wavelength"

EN05  排查非泄漏模式条件

site:patents.google.com acoustic "phase velocity" "substrate" "non-leaky"

EN06  金刚石替代支撑路线

site:patents.google.com "diamond" "silicon dioxide" "lithium niobate" "2004"

EN07  筛查结构高度与能量约束

site:patents.google.com "guided bulk acoustic wave" "reduced height"

EN08  追查DE优选归一化厚度

site:patents.google.com "acoustic" "dielectric layer" "0.15" "wavelength"

批次所得与处置

01—04返回S4等GBAW线索及相近WO2007059733分支;也出现US8283835B2等后公开结果。05—08进一步识别US6879225B2/US7418772B2的顶面覆盖层假命中。未获得可替代E1的完整单篇。

将GBAW衰减转入S4核查;将2011年后申请公开剔除;相同膜厚但位于顶面的结果不计入B。

结果按批次记录,避免将合并返回的某一文献无依据地归到单条查询;同族、重复和后公开均已区别处理。

 

SEARCH LOG  /  DE01—DE08

附录A · 德文8轮实际查询

下列为实际提交文本。年份词用于降噪,不是公开日筛选;最终资格均按公开文本日期另行核对。

DE01  区分体波与模式相速度

site:patents.google.com Volumenwellengeschwindigkeit Phasengeschwindigkeit

DE02  检索边界能量衰减

site:patents.google.com "geführten Volumenwellen" "Abklingen"

DE03  锁定Al₂O₃/SiO₂/LT

site:patents.google.com "Aluminiumoxid" "Siliziumdioxid" "Lithiumtantalat"

DE04  以中间层、波长和IDT交叉

site:patents.google.com "Zwischenschicht" "Wellenlänge" "Interdigitalwandler"

DE05  更换氧化铝化学式

"geführten Volumenwellen" "Al2O3"

DE06  加入压电体化学式限定

"Phasengeschwindigkeit" "SiO2" "LiTaO3"

DE07  沿日本支撑专利反向定位

"Trägersubstrat" "3774782"

DE08  沿E1的PCT明确引证定位

"dielektrischen Schicht" "2007/059740"

批次所得与处置

01—04出现DE102008034372的后授权文本及相关后期承载技术;回查早期公开到S5,并发现JP3774782线索。05—08集中追踪Al₂O₃、支撑和E1引用关系,没有把后期DE文本直接作为在先证据。

DE05—DE08另设置patents.google.com域名限制;其余用site限定。S5选用2010年WO公开,S1进一步核至2004年JP申请公开。

结果按批次记录,避免将合并返回的某一文献无依据地归到单条查询;同族、重复和后公开均已区别处理。

 

SEARCH LOG  /  JP01—JP08

附录A · 日文8轮实际查询

下列为实际提交文本。年份词用于降噪,不是公开日筛选;最终资格均按公开文本日期另行核对。

JP01  蓝宝石与氧化硅完整层序

site:patents.google.com サファイア 酸化シリコン 圧電薄膜 表面弾性波

JP02  直接锁定模态比较

site:patents.google.com バルク波音速 位相速度 支持基板

JP03  Love波/压电中间层路线

site:patents.google.com ラブ波 中間層 圧電

JP04  规范化膜厚和IDT周期

site:patents.google.com 酸化シリコン 規格化膜厚 電極周期

JP05  对前批候选作公开号核查

site:patents.google.com "3774782" "接合"

JP06  核查另一界限前承载方案

site:patents.google.com "2010187373"

JP07  界面波早期文献扩展

site:patents.google.com "境界弾性波" "音速" "2003"

JP08  追踪目标背景的早期种子

site:patents.google.com "2004282232" "低音速"

批次所得与处置

01—04返回JP2002176331等承载线索及多项2011年后结果。05—08确认S1路线,并核查JP2010187373的Si承载/粘接条件;JP2004282232未在本轮完成相关全文核验。

S1从B2回溯A公开并核读[0057]—[0065];对1μm Si、15nm AlN的材料身份作反向校验,避免把其当作SiO₂。

结果按批次记录,避免将合并返回的某一文献无依据地归到单条查询;同族、重复和后公开均已区别处理。

 

SEARCH LOG  /  CN01—CN08

附录A · 中文8轮实际查询

下列为实际提交文本。年份词用于降噪,不是公开日筛选;最终资格均按公开文本日期另行核对。

CN01  检查术语直匹配及时间线索

site:patents.google.com "高声速" "低声速" "2010"

CN02  锁定指定三种材料

site:patents.google.com "氧化铝" "氧化硅" "钽酸锂" "2005"

CN03  比较实际模态和体波

site:patents.google.com "体波" "相速度" "界面波"

CN04  联结膜、夹层与电极周期

site:patents.google.com "压电薄膜" "中间层" "电极周期"

CN05  复核前次中文候选

site:patents.google.com "CN101030764"

CN06  追踪导波和氧化硅早期公开

site:patents.google.com "导波" "氧化硅" "2007"

CN07  追查蓝宝石键合中文同族

site:patents.google.com "声表面波" "蓝宝石" "接合" "2004"

CN08  金刚石/LN备选路线

site:patents.google.com "金刚石" "铌酸锂" "波长" "2010"

批次所得与处置

01—04结果包含目标相关后续公开、自命中及无关光学文献;05—08发现CN1665131A/CN100511996C直接纳米键合路线,以及层位置不符的封装/表面膜结果。E6未稳定获取相应原文。

将0.3—2.5nm非晶接合界面与声学SiO₂低速膜分开;后续从韩文种子回查取得的CN101213743A另记在引证追踪,不虚计为本组首次命中。

结果按批次记录,避免将合并返回的某一文献无依据地归到单条查询;同族、重复和后公开均已区别处理。

 

SEARCH LOG  /  FR01—FR08

附录A · 法文8轮实际查询

下列为实际提交文本。年份词用于降噪,不是公开日筛选;最终资格均按公开文本日期另行核对。

FR01  实际相速度与体波比较

site:patents.google.com "vitesse de phase" "ondes de volume" substrat

FR02  Love波和低速SiO₂导波

site:patents.google.com "ondes de Love" "substrat" "silice"

FR03  蓝宝石/LT材料路线

site:patents.google.com "saphir" "silice" "tantalate"

FR04  中间层的归一化厚度

site:patents.google.com "couche intermédiaire" "longueur d'onde" "piézoélectrique"

FR05  回查E3的早期法文同族

site:patents.google.com "2788176" "silice"

FR06  对新增S6作厚度精查

site:patents.google.com "2474243" "épaisseur"

FR07  承载速度与薄层设计动机

site:patents.google.com "vitesse" "substrat porteur" "piézoélectrique"

FR08  氧化物辅助分子键合

site:patents.google.com "collage moléculaire" "tantalate" "silice"

批次所得与处置

01—04取得S6早期多层器件及石英Love波线索,同时出现2019年后的明确速度关系文件。05—08核对E3同族,并回查S7分子键合。

S6压电材料为ZnO,SiO₂相关范围按k=2π/λ换算不落入目标;S7仅作工艺辅助。晚于界限的明确公式不能移入早期技术。

结果按批次记录,避免将合并返回的某一文献无依据地归到单条查询;同族、重复和后公开均已区别处理。

 

SEARCH LOG  /  KR01—KR08

附录A · 韩文8轮实际查询

下列为实际提交文本。年份词用于降噪,不是公开日筛选;最终资格均按公开文本日期另行核对。

KR01  模态、体波与支撑直接相交

site:patents.google.com 벌크파 위상속도 지지기판

KR02  指定支撑与SiO₂材料

site:patents.google.com 표면탄성파 사파이어 이산화규소

KR03  Love波/中间层的替代叫法

site:patents.google.com 러브파 압전층 중간층

KR04  膜厚与IDT周期共同定位

site:patents.google.com 저음속층 막두께 전극주기

KR05  用早期年份及LT译名降噪

site:patents.google.com "탄탈산리튬" "사파이어" "2004"

KR06  用LN与SiO₂检索早期公开

site:patents.google.com "니오브산리튬" "산화규소" "2007"

KR07  拉宽表面波中间层术语

site:patents.google.com "표면 탄성파" "중간층" "2006"

KR08  沿S1家族跨语言回查

site:patents.google.com "3774782" "산화실리콘"

批次所得与处置

01—04主要返回2021年、2025年等后公开及压电材料不符的结果;05—08取得KR20090130873A界面波线索,随后核读CN101213743A,并沿其WO2004/070946引用找到S2。

S3的石英模态仅作物理佐证;S2的LN实例更贴近本案。将新增S2记录为引证追踪结果,不虚写成韩文原文直接公开LT/Al₂O₃全部结构。

结果按批次记录,避免将合并返回的某一文献无依据地归到单条查询;同族、重复和后公开均已区别处理。

 

FOLLOW-UP AUDIT TRAIL

附录B · 引证追踪、复核与未完成事项

链条

本轮实际动作

得到的结论

德文承载线索 → JP3774782B2 → JP2004343359A

先读B2,再回溯并读A公开[0057]—[0065]。

S1为界限前完整材料/键合框架;目标SiO₂膜厚缺失。

韩文KR20090130873A → CN101213743A → WO2004/070946 → US20060071579A1

回查中文全文引证,再读取对应US早期公开。

S2为本轮最直接的LN实际模态阈值教导。

DE102008034372后授权 → WO2010009719A1

按家族时间线回溯早期PCT;核对其对WO2007/059740引用。

保留S5早期文本,不用2011年国家阶段或2013年授权独有内容。

FR2474243A1 → k和层身份

核查归一化符号及系数所属层,作算术换算。

低速层相关范围非0.1λ—0.5λ;ZnO不符。

DE/E1英文与相近PCT分支

比较公开号和家族关联,不把相近编号并成一篇。

E1本身与第二证据/旁支的内容必须分开。

 

本轮没有完成,不作为既成成果

未调取完整中国审查档案及日本优先权文件;未检索穷尽所有CPC分类结果;未完成非专利文献数据库的系统全文检索;未计算DE具体方案色散/有限元声场;未取得经核证译文、公证或认证证据。

原指示中的JP2004282232A、WO2010004741A1及部分前次中文证据没有在本轮完成足够的相关连续全文复核,不能因先前计划出现其编号就计为本轮已完成的技术发现。

取证补齐顺序

先固化S1、S2、E1的相应申请公开PDF、官方著录项目和完整中文工作译文;再对S1数值、S2模式条件及E1选择链逐项标注;最后针对固定DE方案取得材料常数出处与模态说明。部分PDF截图访问失败应补核,不能用未查看的图形承担决定性事实。

附录A的48次查询与上述后续复核分别计量。没有按同族数量、原文打开次数或翻译语言重复扩大“轮数”。

 

SOURCES  /  PUBLICATION-SPECIFIC REFERENCES

附录C · 来源与定位(1/2)

公开日取本报告实际选择的版本。标题中部分为主题简译,仅供定位;正式标题及法律状态以原始公开文本和官方登记为准。链接访问日:2026-10-17。

[R0]  用户提供的前次评估报告  |  2026-10-17

CN103262410B_权利要求1无效概率与证据组合评估.docx。前次证据排序、概率及薄弱环节。非现有技术证据。

[T0]  CN103262410B  |  2016-08-10

Elastic wave device and manufacturing method thereof。授权权利要求1、从属权利要求及说明书定义;用于确定评估对象,不作为在先技术。

https://patents.google.com/patent/CN103262410B/zh

[E1]  DE102005055871A1  |  2007-05-24

Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement。[0015]—[0018]、[0032]—[0042]、[0073];权利要求38、39。本轮检索索引原文复核。

https://patents.google.com/patent/DE102005055871A1/de

[E1-EN]  US20080252396A1  |  2008-10-16

Acoustic wave component。DE正确英文平行公开候选;对应WO2007059740A2。不得与WO2007059733A1混用。

https://patents.google.com/patent/US20080252396A1/en

[E2]  WO2009133655A1  |  2009-11-05

Boundary acoustic wave device。[0051]—[0052]:IDT周期、SiO₂=0.4λ;高速覆盖层不是机械支撑。

https://patents.google.com/patent/WO2009133655A1/en

[E3]  US6445265B1  |  2002-09-03

Surface acoustic wave device on a composite substrate。图1相关文字、压电薄层与高速承载、SiO₂分子接合。

https://patents.google.com/patent/US6445265B1/en

[E3-FR]  FR2788176A1  |  2000-07-07

Dispositif à ondes acoustiques de surface。E3法文同族;日期与家族回查,不作为新增独立家族。

https://patents.google.com/patent/FR2788176A1/fr

[E4]  JPH06326553A  |  1994-11-25

Surface acoustic wave device。前次报告保留证据:[0224]—[0228]。本轮未重新完成全篇核验。

https://patents.google.com/patent/JPH06326553A/ja

[E5]  CN101777622A  |  2010-07-14

金刚石/SiO₂/LN相关结构。前次报告保留证据;只有绝对层厚,不据此自设λ。

https://patents.google.com/patent/CN101777622A/zh

[E6]  CN101030764A  |  2007-09-05

界面弹性波器件相关公开。本轮公开号回查未稳定取得相关全文;沿用前次线索,不列为本轮新核实结果。

https://patents.google.com/patent/CN101030764A/zh

[S1]  JP2004343359A  |  2004-12-02

弾性表面波素子の製造方法。全文页面;[0036]、[0046]—[0048]、[0051]—[0065]、[0068]。

https://patents.google.com/patent/JP2004343359A/ja

 

SOURCES  /  PUBLICATION-SPECIFIC REFERENCES

附录C · 来源与定位(2/2)

[S1-B]  JP3774782B2  |  2006-05-17

弾性表面波素子の製造方法。S1授权版本,交叉核对;权利要求的分割限定须保留。PDF页面截图未成功。

https://patents.google.com/patent/JP3774782B2/ja

[S2]  US20060071579A1  |  2006-04-06

Elastic boundary wave device。权利要求1;BEST MODE开头的慢横波、耦合和泄漏条件;表11及其后相速度定义。

https://patents.google.com/patent/US20060071579A1/en

[S2-WO]  WO2004070946A1  |  2004-08-19

Elastic boundary wave device。S2早期PCT同族;家族和引证回查。分析直接采用已读US公开文本。

https://patents.google.com/patent/WO2004070946A1/en

[S3]  CN101213743A  |  2008-07-02

弹性边界波装置。全文页面;发明内容、慢横波阈值、石英实例、背景引用WO2004/070946。

https://patents.google.com/patent/CN101213743A/zh

[S3-KR]  KR20090130873A  |  2009-12-24

탄성 경계파 장치。韩文检索进入点;与S3同族,不重复计算独立证据。

https://patents.google.com/patent/KR20090130873A/ko

[S4]  WO2008110576A1  |  2008-09-18

Electroacoustic component with dielectric layers。索引原文片段:GBAW衰减、压电层/非压电支撑选择;低速介质主要是覆盖层。

https://patents.google.com/patent/WO2008110576A1/en

[S5]  WO2010009719A1  |  2010-01-28

Acoustic component and manufacture of dielectric layers。索引原文片段:介质成膜及对WO2007/059740的引用。

https://patents.google.com/patent/WO2010009719A1/en

[S6]  FR2474243A1  |  1981-07-24

Dispositif à ondes acoustiques de surface。索引原文:Al₂O₃/SiO₂/ZnO;权利要求14的3.2/k—6.3/k及k定义。

https://patents.google.com/patent/FR2474243A1/fr

[S7]  WO2009087290A1  |  2009-07-16

Molecular bonding of piezoelectric substrates。索引原文:LT/LN等的氧化物辅助分子键合与薄层转移。

https://patents.google.com/patent/WO2009087290A1/en

[L1]  中华人民共和国专利法(2008年修正)  |  2008年修正

国家知识产权局公开文本。第二十二条:新颖性、创造性、现有技术;与本案申请时期相衔接。非完整程序法律意见。

https://www.cnipa.gov.cn/art/2015/9/2/art_97_28193.html

工作报告与公开专利原文地位不同:R0仅用于承接既有分析。法律说明以[L1]第二十二条为限,本报告不覆盖全部程序期限、证据形式或当前法律状态。


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B 权利要求1 六语专利无效检索报告

检索主题  低声速膜厚度0.1λ至0.5λ
先行技术公开日  严格早于2010年12月24日
检索日期  2026年10月17日  亚洲上海时区

检索发现了对目标膜厚特征具有实质贡献的早期专利。JP2007267366A在LN/SiO₂/高速媒质体系中给出0.39λ≤H<0.46λ等条件子区间,并明确IDT周期λ。WO2007124732A1给出SiOx中间层0.4λ至0.5λ优选子范围;DE102005055871A1和US20080292127A1给出层系统0.15λ至0.5λ,且该厚度优选等于介电层厚度。数值证据支持评价该参数选择,但不能替代对权利要求1全部技术特征的逐项比对。

本报告按中文、英文、日文、法文、德文、韩文各20轮完成,共120轮;每轮由一个独立子代理执行并形成独立记录。逐轮记录包含97个去重后的专利公开文本,其中92个记录的公开日在指定截止日前;这个数量包含相关、辅助及排除评审记录,不等于具有破坏力的文献数。核心证据按家族合并评价。

一  目标特征与评价口径

目标为CN103262410B授权权利要求1。其结构为高声速支撑基板/低声速膜/LiTaO₃或LiNbO₃压电膜,并在压电膜一面形成IDT。重点参数是位于支撑基板与压电膜之间的低声速膜厚度h满足0.1≤h/λ≤0.5;λ为IDT电极周期确定的所用弹性波波长。

要素

权利要求1的限定与检索含义

声速关系

高声速支撑基板的体波声速高于压电膜中弹性波声速;低声速膜的体波声速低于压电膜中体波声速。仅比较SiO₂与盖层两者的速度不足以代替这两项关系。

支撑材料

氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC、金刚石及所述主成分或混合材料;仅有Si支撑仍有材料差异。

低声速膜

氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、掺氟或碳或硼的氧化硅及所述主成分材料;重点核查厚度对象与夹层位置。

压电膜与IDT

LiTaO₃或LiNbO₃;IDT只要求位于一面,没有顶面限制,独立权利要求没有压电膜厚度上限。

数值与波长

明确优选子范围、范围内单点、宽范围交集分别评价;kh=2πh/λ须换算,体波厚度方向λ及指宽不能直接替代IDT周期λ。

 

器件整体翻转不改变夹层关系。若图示低速膜覆盖压电体,而另一侧还有高速盖层,应继续核查其是否满足支撑功能,不能只因图示上下位置排除。较厚压电基板是否可落入“压电膜”须结合权利要求解释,不因其名称或超过从属权利要求厚度而当然排除。

目标授权文本  CN103262410B 权利要求1

二  优先文献及贡献概览

编号

采用的早期公开文本

对目标特征的贡献

主要边界

D1

US20080292127A1
2008-11-27

层系统厚度优选0.15λ至0.5λ,且优选等于低速SiO₂介电层厚度;支撑列Al₂O₃、压电体列LN/LT。

优选子区间直接落入目标;需核查IDT周期及膜的解释。

D2

WO2007124732A1
2007-11-08

LT/周期电极/SiOx/Si夹层,优选0.4λ至0.5λ;同一组例有0.4λ与0.5λ。

数值及IDT波长关系强;第二基板只明确Si或玻璃。

D3

US6046656A
2000-04-04

Si/SiO₂/LN或LT及IDT;最终磨平后的SiO₂厚度明确为0.5λ。

目标上端点的实例;Si支撑不在所列材料中。

D4

US20100225201A1
2010-09-09

LN/交替电极/SiOx/Si夹层;中间层20%至200%波长,明确25%计算参数即0.25λ。

目标内单点;一般宽范围仅部分重叠。

D5

DE102010016431A1
2010-11-04

LT/IDT/SiO₂/高速SiN;同例760 nm与λ约1.9 μm,计算h/λ约0.4。

计算得到的范围内单点;高速盖层支撑功能须核对。

D6

WO1998052279A1
1998-11-19

LN/SiO2/高速材料及IDT;权13为0.375λ至0.525λ,正文有0.3λ、0.45λ计算参数。

早期明确比值与材料选择;区间部分重叠,切角条件须保留。

D7

CN1294780A
2001-05-09

蓝宝石/SiO₂分子连接层/LN或LT压电薄层及指状换能结构;补强材料和层序。

连接层只有几百埃,未直接揭示目标归一化厚度。

D8

WO2010119796A1
2010-10-21

LT/IDT/SiO₂/高速SiN;SiO₂一般0.2λ至1.4λ、优选0.3λ至0.8λ,实施例原文明示0.4λ。

明确单点与部分重叠;盖层支撑功能及周期定义须核。

D9

CN101385240A
2009-03-11

第二SiO₂膜明确0.16λ至0.40λ,另有0.16λ至0.30λ子区间;第三实验0.24/0.29/0.34λ。

目标内明确子区间;薄SiN调频膜不能自动视作支撑。

D10

US5446330A
1995-08-29

薄LN或LT与连续无机夹层及IDT;夹层≤0.5λ,更优≤0.1λ,IDT线宽/间隔各约λ/4。

上限教导与0.1λ端点;石英支撑有材料差异,部分实例有原始矛盾。

D11

JP2007267366A
2007-10-11

LN/SiO₂/高速Al₂O₃等及IDT;条件子区间0.39λ≤H<0.46λ、0.41λ≤H<0.48λ,IDT周期定义明确。

目标内明确子区间;电极/晶切条件、支撑功能和膜的解释须保留。

D12

DE102005055871A1
2007-05-24

明确梳状IDT、低速SiO₂夹层、LN/LT及Al₂O₃支撑选项;层系统优选0.15λ至0.5λ且优选等于介电膜厚度。

与D1相近的不同家族;保留层系统/介电膜联系,周期λ尚未明式。

 

以下日期均指所列公开文本的公开日。同族的较早版本、译文与授权版本用于交叉核对时分别标明,不能把一个家族累计成数个独立技术来源。

三  关键段落与技术证据

D1  US20080292127A1

Electroacoustic Component,原申请人Epcos。介电层位于承载基板与压电体之间,明确称为两侧较快材料之间的低速薄层;层系统厚度优选等于介电层厚度。其一般范围为0.1λ至λ,优选0.15λ至0.5λ。同族DE102005055870A1于2007年5月24日公开,不能与本美国文本重复累计为独立来源。

定位  美国A1原始PDF第5页[0023];材料见[0008]至[0009],低速夹层机理见[0012]至[0014];λ定义见[0006]。

评价  对低速膜的归一化厚度贡献较强,但应保留层系统厚度优选等于介电层厚度这一联系。λ定义为工作或中心频率处的GBAW波长,所读美国全文仅泛称换能器及金属结构,未找到明确的叉指电极周期公式;该项不作直接公开结论。压电体虽称基板且优选3λ至30λ,不能据此自动排除权利要求1中的膜。

来源  US20080292127A1 谷歌专利原文  同族交叉核对文本

D2  WO2007124732A1

Elektroakustisches Bauelement。SiOx为两基板间低速波导中间层。μ约−75度的W电极上下文中明确优选中间层厚度0.4λ₀至0.5λ₀;同组例分别为0.4λ₀和0.5λ₀。另一W电极条件给出0.1λ₀单点。这些不同条件分别成立,不能拼接成原文公开了完整0.1λ至0.5λ范围。

定位  WO德文[0058]优选子范围,[0060]至[0061]同组实例,[0054]另一个0.1λ₀实例;早期英文同族US20090108961A1(2009-04-30)原始PDF第6页[0080]、[0084]、[0086]。

评价  相反极性电极间距为λ₀/2,建立周期电极与所用波长联系。第二基板材料仅明确Si或玻璃,不能自动替换为目标所列高速材料;LT通常为厚基板。对膜厚特征的直接贡献强于其对完整材料组合的贡献。

来源  WO2007124732A1 谷歌专利原文  同族交叉核对文本

D3  US6046656A

Elastic Boundary Wave Device and Method of Its Manufacture,Toshiba。先在压电基板上形成IDT,再覆盖SiO₂、磨平,并与Si基板键合。图3(d)的最终SiO₂厚度为0.5λ;图3(c)的0.2λ至0.7λ为磨平前厚度,不能将其冒作最终工作膜厚范围。

定位  原始PDF第3至第4栏,特别第4栏图3(c)至图3(f)的制造步骤;图1至图3及权利要求6。

评价  提供目标范围上端点和夹层内IDT的早期实现。界面IDT满足位于压电体一面的形式要求,不能仅因在下表面而排除。仍须处理Si支撑材料差异、压电基板与膜的解释及周期波长对应。D1背景直接引用此文献,构成技术联系线索。

来源  US6046656A 谷歌专利原文

D4  US20100225201A1

Electroacoustic Component,Epcos。中间层为SiOx,厚度相对于所用波长为20%至200%,并明确计算25%厚度器件的温度系数、反射及耦合,25%即0.25λ。其较早同族WO2007085237A1于2007年8月2日公开。

定位  美国A1原始PDF第4页[0028]至[0032];交替电极及周期关系见[0015]至[0016],夹层层序见[0020]至[0024]、[0038]至[0039]。

评价  25%为中间层而非电极或压电层,属于目标范围内明确计算参数。波长与相反极性电极间距的联系清楚。Si支撑及优选较厚LN仍需与目标材料和膜形态比对,不能把20%至200%写成原文公开了完整目标范围。

来源  US20100225201A1 谷歌专利原文  同族交叉核对文本

D5  DE102010016431A1

原生德文全文给出LT、界面IDT、SiO₂及高速SiN构成的三媒质器件。SiO₂约760 nm,所用波长约1.9 μm,两者在同一实施例中可对应,因此760/1900约为0.4。本报告将它列为计算所得单点,没有改写为原文直接记载0.4λ范围。

定位  德文公开文本[0043]的SiO₂厚度与[0047]的IDT所用波长;本轮de_04原生全文核验。

评价  高速盖层还列SiON、AlN、Al₂O₃及Si等选项,提供目标部分高速材料与低速SiO₂的组合线索。整体翻转不会改变夹层;但盖层是否具有支撑基板功能、压电体是否满足膜的解释仍须论证。计算值只保留原数值精度。

来源  DE102010016431A1 谷歌专利原文

D6  WO1998052279A1

原始日文公开文本权利要求13同条记载LN单晶、SiO2中间膜、多种外侧材料、梳齿电极周期λ及厚度h1。其中0.375λ≤h1≤0.525λ与0≤θ≤82度对应,和目标范围在0.375λ至0.5λ部分重叠。正文另列h1/λ为0.3和0.45的计算参数;它们不是本轮由绝对尺寸推算的值,也不冒充实物试验。

定位  原始WO PDF第16页即印刷页14,权利要求13;PDF第12页即印刷页10,LN的0.3、0.45及0.6计算参数;正文PDF第8页实物0.625λ在目标外。

评价  0.45λ对应LN的θ为0至82度;权13同列SiN、Al2O3、AlN等外侧材料,其他描述另有SiC、金刚石。λ与电极周期的关系直接明确。压电单晶基板和外侧膜能否分别满足压电膜及支撑基板的解释仍需论证。权14的LT方案仅给h1≥0.2λ,不能自行截成0.2λ至0.5λ。后续KR100890844B1背景直接引用此WO,评价时不将同一技术教导重复累计为独立起源。

来源  WO1998052279A1 谷歌专利原文

D7  CN1294780A

Thomson-CSF的压电薄层波导器件。材料总述列蓝宝石承载体、硅石分子连接层、LN或LT压电材料;图1、图4及图7公开薄层与指状换能结构。英文同族US6445265B1可交叉核对sapphire。权利要求4明确连接层仅在几百埃范围。

定位  中文说明书材料总述、图1、图4、图7;权利要求1至6,特别权利要求4;原始中文PDF及早期英文同族。

评价  它是材料及压电薄层结构的组合起点,不是目标数值范围的直接证明。若结合D1或D2,需要说明从极薄连接层调整为声学低速层后的波导兼容性、温度特性及结合动机,不能只把两文献并列。

来源  CN1294780A 谷歌专利原文  同族交叉核对文本

D8  WO2010119796A1

Boundary acoustic wave device。与D5为不同家族,虽共享部分实例尺寸,不能仅因标题、申请人及760 nm尺寸相同合并。SiO₂厚度B与沟深A、主电极D、辅助电极F分别定义;权1的B为20%至140%,权2为30%至80%。第1实施例直接写B为40%,同时给出SiO₂ 760 nm和主IDT波长1.9 μm;第3实施例也明示40%。这是原文直接记载的0.4λ单点,证据类型与D5的尺寸换算不同。

定位  权利要求1至2;说明书[0024]至[0028]层序、[0038]至[0039]参数对象、[0044]至[0049]第1实施例及[0057]第3实施例;本轮ja_10原生日文全文。 主代理另目视复核原始WO PDF第9至10页[0044]至[0050]。

评价  夹层另一侧较高速介电体列SiN、SiON、AlN、Al₂O₃及Si。目标内的0.4λ不能扩大为原文公开完整0.1λ至0.5λ;数值还与LT晶切、重金属IDT、沟深、占空比和辅助电极条件联系。文本定义λ为IDT激励的边界波波长,主IDT、窄节距区及反射器波长须分别使用。高速盖层的承载功能、LT基板的膜形态及严格周期定义仍须逐项比对。 D5和D8虽为不同家族,共有尺寸的实施例不作为两次独立实验重复计权。

来源  WO2010119796A1 谷歌专利原文

D9  CN101385240A

LN基板上Cu-IDT与第一SiO₂膜并排等高,第二SiO₂膜覆盖其上。权2和权4明确限定第二膜厚度;不是第一膜与第二膜的总厚。第三实验使用λ=2.07 μm,第二膜500/600/700 nm,原文对应0.24/0.29/0.34λ。

定位  原始CN PDF第2页权2、权4;说明书第三实验;第四、第五实验另列SiN调频膜。主代理已复核原始权利要求页及原生全文。

评价  数值对目标参数有直接贡献,须保留LN晶切、Cu电极和杂散抑制条件。SiN约15至25 nm,功能为调频,SiC亦为材料选项,未证明目标支撑功能;压电基板与膜、λ与IDT周期的对应仍待论证。不得跨例拼接或把膜6厚度冒作膜7。

来源  CN101385240A 谷歌专利原文

D10  US5446330A

例2-2明确石英/氧化硅或氮化硅连续夹层/LN薄单晶板/IDT;例2-3另为石英/硼硅玻璃/LT薄单晶板。两例均给夹层不超过半波长、更优不超过十分之一波长。原始权10、31也明确夹层上限半波长。不同从属项分别限定材料、声速和压电体,不能冒作一条完整依附链。

定位  原始美国PDF第19页第19至20栏例2-2、例2-3;第14页第10栏49至55行IDT几何;第25至27页权10、31、35、38。主代理目视复核例2-2、例2-3。

评价  上限域包含目标数值,但没有0.1λ下限;更优≤0.1λ只在0.1λ端点与目标相接。石英、硼、石墨不属于目标支撑材料,非晶碳也不能自动等同DLC。例4-2的氧化物/硅材料矛盾及工艺大小关系矛盾在美国原始PDF中确实存在;不据此拼出无矛盾的目标全组合。优先采用清楚的权项及例2-2/2-3。

来源  US5446330A 谷歌专利原文  同族交叉核对文本

D11  JP2007267366A

富士通的弹性边界波方案。设h为IDT厚度、a为电极密度与Cu密度之比。0.045λ/a≤h<0.0525λ/a时,25°≤θ<26.5°对应0.39λ≤H<0.46λ;26.5°≤θ<27.5°对应0.41λ≤H<0.48λ。H为独立SiO₂膜厚,θ为LN旋转Y切角。参数窗口用于抑制邻近SV主成分Stoneley杂散,不能脱离这些条件合并。

定位  原始日本PDF第2页权1,主代理已目视核对第一h窗口及严格上界;说明书图2及波长定义,权7至9的外侧媒质材料与厚度。

评价  λ明确对应隔一个电极的间距,即IDT重复周期。外侧列Al₂O₃、AlN、SiN或Si,厚约不小于λ;Si不属于目标材料清单。盖侧媒质能否构成支撑基板、LN基板与压电膜的对应仍须解释,并按目标口径核对声速关系。不能将第三窗口0.42λ≤H<0.51λ截成原文明示至0.5λ。

来源  JP2007267366A 谷歌专利原文

D12  DE102005055871A1

介电层位于第一压电体与第二承载体之间。梳状交错换能电极明确,压电体可为单晶或在生长基片上形成、后去除生长基片的LN/LT等压电层。第二承载体列Al₂O₃、Si等。厚度段首先限定层系统0.1λ至λ、优选0.15λ至0.5λ,并明确层系统厚度优选等于介电层厚度;权36另限定介电层0.1λ至λ。

定位  原始DE PDF第4页[0042]膜厚、[0034]承载材料及[0037]SiO₂;梳状换能器及生长压电层见前文。权36另限定介电层一般范围。主代理已目视核对PDF第4页。

评价  与D1为不同GP家族37770692及37801573,数值与部分说明相近,不作为独立实验证明重复计权。相比D1,梳状IDT及压电生长层选项更清楚;但未见周期与λ的明确等式,具体图示支撑优选Si,仍须核目标材料组合及声速口径。

来源  DE102005055871A1 谷歌专利原文

四  补充数值线索及对象区分

文献与公开日

数值教导

贡献边界

US20080067891A1
2008-03-20

三媒质方案SiO₂一般0.1λ至1λ。另一Love波变体为0.1λ至0.3λ。

Love波变体省略高速盖层,不能把它的优选范围直接移入三媒质方案。

KR100593354B1
2006-06-28

总SiO₂为0.5λ至1λ,优选0.6λ;两部分膜分别有0.04λ至0.28λ及0.2λ至0.6λ。

总厚度仅0.5λ端点落入目标;分层厚度不可冒作总厚度,且Si支撑有材料差异。

JP2010011440A
2010-01-14

SiO₂为0.475λ至0.775λ,与目标交于0.475λ至0.5λ;λ联系IDT周期。

部分重叠范围;须保留原器件、电极及层序条件。

WO2006136729A1
2006-12-28

SiO₂ Love波导层小于0.25λ,优选小于0.15λ,另有0.1125λ单点。

石英自由表面波导结构,缺少目标LN/LT压电膜与高速支撑夹层组合。

WO2007138840A1
2007-12-06

表3第二SiO₂=0.2λ、第三Ta₂O₅=0.03λ、第四SiO₂=8λ;表5第二SiO₂约0.1988λ。Ta₂O₅另有≤0.3λ、优选≤0.2λ及0.2λ例,属不同层与条件。

四媒质结构,Ta₂O₅声速低于SiO₂;不据此证明外侧高速支撑。第二层SiO₂与第三层Ta₂O₅的数值分别评价。

KR100890844B1
2009-03-27

背景记载SiO₂约0.2λ至0.4λ并引用D6;实际仿真1.05 μm/2.084 μm约0.50384λ。

后者在目标范围外,不能四舍五入成0.5λ;背景不是该文献实物实施例,也不重复累计为独立起源。

KR100900874B1
2009-06-04

SiO₂实例0.63λ及0.8λ;另有两个谐振器之间膜厚差0.1λ至0.3λ。

膜厚差不是单膜厚度;实际实例在目标外,Al₂O₃盖层的机械支撑功能未确认。

CN1894850B
2010-08-25

实例7明确SiO₂夹层0.1λ;Au电极厚度为另一对象。同族WO2005060094A1于2005-06-30公开。

LN仍为衬底,外侧是多晶Si,未满足目标列举的高速材料。λ为SH边界波波长,另实例的具体IDT周期不可跨例换算。

KR100856218B1
2008-09-03

同例SiO₂ 500 nm,IDT周期2,000 nm,计算h/λ=0.25;外侧为较高速Al₂O₃。

范围内计算单点;Al₂O₃的机械支撑功能及压电体与权利要求中“压电膜”的对应仍须证明。

DE3336281C2
1995-04-20

SiO₂夹层0<2πD/λ<1,换算上界为1/(2π),约0.159155;与目标下段部分重叠。

载体为Si,压电膜为AlN;LN/LT仅在背景。未明确给出IDT周期公式。

JP2005260296A
2005-09-22

覆盖绝缘层H/λ为0.07至0.18,优选0.10至0.14;材料包含氟化氧化硅,λ明确关联IDT周期。

H为压电基板/IDT自由表面覆盖层,无另一侧高速支撑;材料选项及优选范围不直接证明目标夹层。

JP2009225476A
2009-10-01

[0084]高品位SiO₂约0.5λ;外侧另有约1λ低品位SiO₂吸音层。

范围上端单点;SiN/DLC外层属于不同变形,未配套同一厚度,不可跨例拼接。

WO2007138844A1
2007-12-06

[0048]/图5的低声速多组分玻璃D有0.1λ点;图6相邻SiO₂膜14有0.2/0.3/0.4/0.5λ离散点。

玻璃夹在两层SiO₂之间;SiO₂膜14外侧更慢,未证明目标高速支撑。不同玻璃、图例和层号不混用;λ与IDT周期的明确等同仍不足。

JP2009010927A
2009-01-15

图13 LN/SiO₂/AlN实验中SiO₂=0.225λ;图15 LT实验为0.25λ;图16另例为0.3λ。

不同压电体及格栅条件分别保留。AlN为追求薄化的高速盖膜,未明确机械支撑功能;λ按中心频率边界波定义,尚无明确IDT周期式。

JPH08265088A
1996-10-11

SiO₂膜0.22λ至0.38λ,优选0.26λ至0.36λ,实例0.295λ;与KR100890845B1背景的早期来源对应。

自由表面覆盖膜,无所需高速外侧支撑。λ以声波波长记载,未找到明确IDT周期等同;不把后文另加Al₂O₃的方案自动移入本例。

JP2003209458A
2003-07-25

SiO₂优选0.1λ至0.35λ、0.15λ至0.35λ,实例0.13λ。

自由表面覆膜;未补齐目标高速支撑夹层。λ与IDT周期明确等同仍不足,不直接移用其整体结构。

JPWO2008004408A1
2009-12-03

SiO₂膜明确0.20λ至0.35λ、0.20λ至0.40λ范围及0.25λ单点。

LN上的平坦自由覆盖膜;λ为Rayleigh波波长,未明确IDT周期等式及所需另一侧高速支撑。

FR2474243A1
1981-07-24

蓝宝石/SiO₂/ZnO;SiO₂为2/k至9/k,k=2π/λ,即约0.3183λ至1.4324λ。

与目标部分重叠;压电材料为ZnO,未见目标声速关系或IDT周期明示。不能仅凭SiO₂材料名称认定低声速限定。

DE102007012383A1
2008-09-18

独立第一介电层一般0.2λ至λ;优选TeO₂,权4另允许SiO₂。

一般膜厚与具体材料方案须关联;TeO₂不在目标低速材料清单。未补齐目标高速支撑及明确IDT周期式。

CN101789769A
2010-07-28

SiO₂夹层0.2λ至0.7λ;IDT周期λ=1.9 μm,同例712 nm计算约0.3747λ;SiN外层2,000 nm。

范围部分重叠及计算单点;外侧SiN机械支撑功能、LN基板与压电膜对应仍待论证。本族为回查,不冒计新发现。

JP2010068503A
2010-03-25

SiO₂独立膜600 nm,IDT几何定义λ=3.6 μm,计算h/λ=1/6,约0.1667。

AlN压电材料;金刚石/AlN/自由表面SiO₂,缺目标低速夹层关系。

KR20040010108A
2004-01-31

Hs为第一与第二SiO₂膜合计:权6为0.03λ至0.45λ,权13等为0.10λ至0.40λ。

复合氧化物总厚度线索,不等同任一独立膜厚;第一膜与IDT等高并排、第二膜覆盖,外侧无目标高速承载层,IDT周期等同未明确。

 

补充线索均保留在逐轮日志。宽范围的交集只是评价位置,不是原文直接记载的子范围;推算值也不等同于明示值。

辅助文献原文  US20080067891A1  KR100593354B1  JP2010011440A  WO2006136729A1  WO2007138840A1  KR100890844B1  KR100900874B1  CN1894850B  KR100856218B1  DE3336281C2  JP2005260296A  JP2009225476A  WO2007138844A1  JP2009010927A  JPH08265088A  JP2003209458A  JPWO2008004408A1  FR2474243A1  DE102007012383A1  CN101789769A  JP2010068503A  KR20040010108A

五  对无效论证的使用方式

参数证据应优先采用明确的优选子范围和实施例,避免只凭一个宽泛区间主张目标参数已被完整公开。D1说明埋置低速介电层采用0.15λ至0.5λ已有早期技术教导;D2进一步以周期电极及具体器件条件联系中间层归一化厚度。D3与D4提供独立的端点或范围内计算实例;D6给出更早的周期定义、材料选择与切角相关区间,D8给出原文明示的0.4λ实施例。D9给出第二氧化硅膜的明确子范围,D10给出薄压电单晶与连续夹层≤0.5λ的更早上限教导。D11把独立SiO₂条件子区间、IDT周期和外侧高速材料联系于同一界面波体系,宜优先核查其与目标的剩余区别。D12补强梳状IDT、压电生长层和承载材料教导;其与D1相近的数值不重复累计为独立实验。它们可补强该厚度选择的技术背景。

一条可进一步构建的路径是以明确具有目标支撑材料、SiO₂连接层、LN或LT薄层及指状换能结构的文献为结构起点,再评价D1或D2的低声速夹层厚度教导。论证时应说明增厚连接层后波型、温度补偿、耦合及声能分布为何仍兼容,不能把不同工作模式和实施条件任意拼接。

另一条路径是以已有数值范围的GBAW或三媒质界面波器件为起点,核查其材料选项、支撑功能、压电体形态及IDT周期是否满足独立权利要求。界面IDT不是当然区别;Si支撑与目标材料列举之间的差异、低声速与低声阻抗的区别、具体波型及声速关系才应逐项证明。当前检索结果支持开展上述技术论证,尚不能仅凭膜厚数值认定权利要求1整体无效。

六  排除规则及检索限制

目标同族、截止日后公开的记录不作为本任务先行技术。仅优先权早于截止日不足以证明已公开;后续授权文本的早期同族内容也须单独核对。原生检索结果页的公开日过滤只用于筛选,最后以逐件Info及公开文本首页日期为准。

将压电层0.1λ至0.5λ、自由表面覆盖层、布拉格镜λ/4、金属电极厚度、两共振器膜厚之差、微米数值及化学配比误作目标低速膜厚度,是主要噪声来源。单点换算必须来自同一实施例且具有一致的波长定义。电极指pitch未说明同极或异极齿距时,不直接假定λ等于两倍pitch。报告明确区分原文直接记载与检索者计算。

六种语言指检索式语言,未按国家限制文献。非原始语言页面可能包含机器翻译,关键参数使用原始公开文本或早期英文同族交叉核对。每轮先承接上一轮结果调整材料、层序、波型、数值写法、申请人或分类轴;已评审家族若出现,只作为回查记录,不冒计新技术来源。

D1、D3及D7来自工作区已有线索,本轮重新核对了公开文本及其技术含义;新增家族与既有家族回查在逐轮记录中分开标注。最终贡献排序以公开内容及与目标特征的关联为依据,不以首次发现时间排序。

最初部分轮次的网页读取工具不能打开原生检索页,采用站点限定索引检索继续核查。随后浏览器成功读取谷歌专利原生结果,对这些轮次按原式补查并保留原始失败历史。日志分别记录主式命中、前轮遗留种子追溯及全文核查;主式零结果而继续核查前轮种子的情形不伪装成主式命中。原生About计数为估算总量,不代表有效证据数;零结果也只适用于该轮检索式及本次界面状态。

七  检索完成情况与复核入口

检索式语言

轮次

独立子代理

原生零结果轮次

评审公开文本数

中文

20

20

8

14

英文

20

20

4

16

日文

20

20

1

19

法文

20

20

8

13

德文

20

20

2

20

韩文

20

20

3

16

 

各语言评审文本数可能交叉,不能直接相加作为独立家族总数。附录列出全部120个主检索式、原生计数及调整摘记;配套HTML日志和JSON保留完整URL、命中文献、证据定位、公开日、贡献与局限。已取得的核心及部分辅助原文PDF随检索资料包保存。

后续重点  优先围绕D11解释LN基板与“压电膜”、高速媒质与支撑基板的对应;核查D12的λ与IDT周期关系及Al₂O₃组合;复核D2同一晶切和电极条件下的优选区间。正式提出无效理由前,可围绕所选组合取得原始公开文本、关键段落译文及目标审查档案,形成完整特征比对。

 

附录  六语全部主检索式与逐轮调整

统一检索条件 before=publication:20101224。下表保留主式;调整和贡献列为摘记,省略部分以省略号标明,完整记录见配套HTML日志。原生估算计数不作为相关性判断。

中文二十轮

轮次

主检索式

原生计数

核查结果摘记

实质调整摘记

zh_01

(低声速膜 OR 低音速膜 OR 氧化硅) ("0.1λ" OR "0.5λ") (弹性波 OR 表面波)

约45

CN101714858A;CN101526501A
单点(0.1λ、0.3λ、0.5λ)及机理线索;对目标层序分类为不相关,不能据此认定完整揭示目标权利要求。

首轮;rounds目录中未发现已有中文轮次。按分配轴检索低声速/氧化硅+0.1λ或0.5λ+弹性波/表面波;发现新旧混杂和上覆膜…

zh_02

(埋置氧化硅 OR 分子连接层 OR 键合层) (压电薄膜 OR 压电薄层) (厚度 OR 波长)

约66,999

CN1294780A;US20080292127A1
机理与层序;厚度范围未揭示。不是精确等于范围、部分重叠或单点证据。

已读取zh_01.json;由上覆Love波/边界波SiO2及0.1λ、0.5λ数值轴,实质改为埋置氧化硅/分子连接层/键合压电…

zh_03

(蓝宝石 OR 氧化铝) 氧化硅 (钽酸锂 OR 铌酸锂) (厚度 OR 波长)

约5,040

WO2021213410A1
机理与层序仅供噪声识别;日期不合格,不能作为先行技术。不是精确等于范围、部分重叠或单点证据。

已读取zh_01.json、zh_02.json。由上一轮埋置氧化硅/分子连结器/键合层的功能和界面电极轴,实质改为蓝宝石或氧化…

zh_04

("氮化硅" OR "碳化硅" OR "金刚石") "氧化硅" ("弹性波" OR "表面声波") ("膜厚" OR "厚度")

约201

CN101087127B
机理与夹层拓扑线索;数值尚不能归为精确范围、部分重叠或单点。

已读取zh_01、zh_02、zh_03;由上一轮蓝宝石/氧化铝支撑轴改为氮化硅/碳化硅/金刚石高速材料+氧化硅+弹性波膜厚轴。…

zh_05

("氧化硅" OR "二氧化硅") ("中间层" OR "接合层") ("弹性边界波" OR "声界面波") ("0.2λ" OR "0.3λ" OR "0.4λ")

0

未新增全文评审

已读取zh_01至zh_04及全局reviewed_patents.json。由zh_04的氮化硅/碳化硅/金刚石材料轴改为氧化…

zh_06

("介电层" OR "中间膜") ("导向体声波" OR "导波体声波") ("20%" OR "25%" OR "40%" OR "50%") 厚度

0

未新增全文评审

已读取zh_01至zh_05的既有检索式、结果及下一方向,并读取全局reviewed_patents.json。zh_05氧化硅…

zh_07

("声波导" OR "导波层") ("键合" OR "连接") ("钽酸锂" OR "铌酸锂") "支撑基板"

0

未新增全文评审

已读取zh_01至zh_06的既有检索式及下一方向、zh_06完整结果和全局reviewed_patents.json。zh_0…

zh_08

("接合层" OR "粘合层") "压电薄膜" ("转移" OR "剥离") "叉指电极" ("声波" OR "弹性波")

0

未新增全文评审

已读取zh_01至zh_07的既有检索式及下一方向、zh_07完整结果和全局reviewed_patents.json。zh_0…

zh_09

("压电单晶" OR "压电薄片") ("研磨" OR "减薄") ("接合膜" OR "绝缘接合层") "表面声波"

0

未新增全文评审

已读取zh_01至zh_08的既有检索式及下一方向、zh_08完整结果和全局reviewed_patents.json。zh_0…

zh_10

("温度补偿" OR "温度稳定") ("钽酸锂" OR "铌酸锂") ("复合基板" OR "介电层" OR "中间层") ("表面声波" OR "声表面波")

约3

TWI292252B
截止日前的多层SAW、可调中间层及温度补偿保护层机理线索;可用于辨别厚度对象和IDT λ定义,不提供目标低声速夹层0…

已读取zh_01至zh_09既有检索式、原生结果及下一方向,并完整读取zh_09与reviewed_patents.json。前…

zh_11

("剪切水平波" OR "SH波" OR "勒夫波") ("氧化硅" OR "二氧化硅") ("中间膜" OR "中间层" OR "埋层") ("厚度" OR "波长")

0

未新增全文评审

已读取zh_01至zh_10既有检索式及下一方向、完整zh_10与reviewed_patents.json。上轮温度补偿轴最接…

zh_12

("声能" OR "能量约束" OR "能量集中") ("介电膜" OR "氧化硅" OR "二氧化硅") ("叉指" OR "交叉指")

约15

CN1902817B
提供截止日前中文声能约束机理与IDT周期λ的直接教导;对目标独立低声速SiO2膜的0.1λ–0.5λ数值没有新增贡献…

已阅读zh_01至zh_11既有查询/下一方向、zh_11完整结果及reviewed_patents.json。上轮SH/勒夫波…

zh_13

("传播方向" OR "切割角" OR "欧拉角") ("介电膜" OR "固态层" OR "氧化硅") ("厚度" OR "波长")

约618

CN1894850B
新增埋置SiO2 0.1λ下端单点与晶切/传播方向调节声学性质的直接教导;可为膜厚特征提供先行技术证据,但未证明目标…

已读zh_01至zh_12查询和下一方向、zh_12全文结果及reviewed_patents.json。上轮声能约束新族的Si…

zh_14

("氧化钽" OR "五氧化二钽" OR "氮氧化硅") ("弹性边界波" OR "声界面波" OR "叉指") ("膜厚" OR "波长")

约11

CN101694989A
不提供目标低速膜厚度证据;补充剔除SiON机械桥膜与界面波集成工艺同篇共现造成的材料误命中。

已读zh_01–zh_13检索式及下一方向、指定zh_13全文结果和reviewed_patents.json。上轮晶切/传播方…

zh_15

("掺氟" OR "含氟" OR "掺硼" OR "含碳氧化硅" OR "硼硅玻璃") ("弹性波" OR "声界面波" OR "叉指") ("厚度" OR "膜厚" OR "波长")

约22

CN1783711A
补充掺硼磷氧化膜/BPSG和SiO2位于声学压电层下方的材料及制造机理;CMP均匀化可稳定频率/通过特性。仅机制级材…

已读zh_01–zh_14的检索式/下一方向、zh_14完整结果及reviewed_patents.json。由上一轮Ta2O5…

zh_16

("kH" OR "kh" OR "2π" OR "归一化膜厚" OR "标准化膜厚") ("氧化硅" OR "二氧化硅") ("声表面波" OR "表面声波" OR "边界波" OR "叉指")

约29

CN101385240A
明确氧化硅膜归一厚度子区间;与膜6及金属电极厚度可分开定位。

已读zh_01–zh_15检索式/下一方向、zh_15全文结果及reviewed_patents.json。由掺杂玻璃/总绝缘叠…

zh_17

(cpc:H03H9/0222 OR cpc:H03H9/02535) ("低声速" OR "低音速" OR "氧化硅" OR "二氧化硅") ("钽酸锂" OR "铌酸锂") ("电极周期" OR "波长" OR "膜厚")

0

未新增全文评审

已读protocol、zh_01–zh_16全部既有检索式与下一方向、zh_16结果及reviewed_patents.json…

zh_18

cpc:H03H9 ("碳化硅" OR "类金刚石" OR DLC) ("钽酸锂" OR "铌酸锂") ("氧化硅" OR "二氧化硅" OR "低声速") ("层叠" OR "多层" OR "声表面波" OR "表面声波") ("厚度" OR "膜厚" OR "波长")

0

未新增全文评审

已读protocol、zh_01–zh_17全部检索式与下一方向、zh_17完整结果及reviewed_patents.json…

zh_19

("村田" OR "东芝" OR "富士通" OR "爱普科斯") ("氧化硅" OR "二氧化硅" OR "低声速") ("叉指" OR IDT) ("膜厚" OR "归一化" OR "周期") ("声波" OR "弹性波")

约20

CN101789769A
回查确认独立SiO2夹层归一化范围与目标部分重叠,且给出IDT周期定义下的内部单点和目标材料组高速外层选项,可作为厚…

已读protocol、zh_01–zh_18检索式及下一方向、zh_18完整JSON、reviewed_patents.json…

zh_20

("品质因数" OR "Q值" OR "泄漏" OR "耦合系数") ("氧化硅" OR "二氧化硅") ("氮化硅" OR "氧化铝" OR "支撑" OR "粘合") ("叉指" OR IDT) ("膜厚" OR "周期")

约30

CN101018045A
补充目标范围内的独立SiO2离散单点,以及膜厚选择与高声速支撑SAW速度、温度特性和Q实测的技术联系;非上下限连续范…

已读protocol、zh_01–zh_19检索式/下一方向、zh_19完整记录及reviewed_patents去重表。撤去申…

 

英文二十轮

轮次

主检索式

原生计数

核查结果摘记

实质调整摘记

en_01

"low acoustic velocity" "thickness" "surface acoustic wave"

约69

US20080067891A1;WO2012086639A1
机理;仅数值部分重叠,不能视为完整技术特征揭示。

本语言首轮,开始时rounds目录无既有轮次。第一轴为低声速膜及0.1–0.5λ归一化厚度;前两式大量命中晚公开文献,故本轮加入…

en_02

"buried oxide" "piezoelectric" "thickness" "acoustic"

约90

US20080292127A1
部分重叠:0.15λ–0.5λ是目标范围的子区间;低声速埋层/高声速支撑/材料组合的强证据,不能称完整揭示目标权利要…

已阅读protocol及本语言唯一既有en_01。针对上一轮上覆SiO2及晚公开噪声,本轮改为埋置氧化物、键合压电膜及中间层厚度…

en_03

"lithium niobate" "interdigital" (bonded OR transferred) oxide thickness wavelength

约443

US7213314B2
机理/层序与键合工艺证据;未达到目标数值范围揭示。

已读en_01与en_02。en_02为埋置氧化物与界面换能器,本轮转为压电体暴露表面的IDT和键合/转移LiNbO3复合基板;…

en_04

piezoelectric (ion-sliced OR transferred) (silica OR "silicon dioxide") acoustic thickness

约53,007

US7684109B2
机理;在目标厚度范围判定上不相关(波长定义与实施例材料不符),不列为0.1λ–0.5λ重叠或单点证据。

已读en_01、en_02、en_03及reviewed_patents.json。en_03的键合SiOx仅给绝对厚度,本轮实…

en_05

("lithium niobate" OR "lithium tantalate") "silicon dioxide" "thickness" ("0.2" OR "0.3" OR "0.4") "boundary wave"

0

未新增全文评审

已读en_04及reviewed_patents.json;en_04的ion-sliced/transferred轴命中BAW…

en_06

("Love wave" OR "guided SH wave") ("silica" OR "silicon dioxide") ("guide layer" OR "intermediate layer") thickness wavelength

约3

CN1528050A
机理/层序背景;目标0.1λ–0.5λ数值范围不相关(未揭示相应厚度对象),不计部分重叠或单点。

已读en_01至en_05及reviewed_patents.json。上轮boundary wave与字面0.2/0.3/0.…

en_07

("lithium niobate" OR "lithium tantalate") ("sapphire" OR "diamond") ("buried oxide" OR "silicon dioxide" OR "intermediate layer") ("thin film" OR "piezoelectric film") NOT (sensor OR "zinc oxide")

约176

JP4289399B2
机理/层序背景;目标范围判定不相关(埋层厚度未揭示),不计部分重叠或单点。

已读en_01至en_06、protocol及reviewed_patents.json。en_06的Love/guided-S…

en_08

(multilayer OR layered) "surface acoustic wave" ("silicon dioxide" OR SiO2) (dispersion OR "normalized thickness" OR kh)

约1,791

US6037699A
机理背景;目标低声速膜范围判定不相关,不计精确范围、部分重叠或单点。

已读protocol、en_01至en_07各式/新增族/下一方向以及reviewed_patents.json。与en_07材…

en_09

"intermediate layer" "silicon dioxide" (Sezawa OR "higher order mode" OR "higher mode") dispersion

约9

EP0363495A1
机理/夹层背景。仅ξ=.2的计算色散点可推算为目标区间内单点;不计连续范围证据,不计全特征命中。

已读protocol、en_01至en_08检索式/新族/下一方向及reviewed_patents.json。上轮裸kh导致汽…

en_10

("lithium niobate" OR "lithium tantalate") "silicon dioxide" "intermediate layer" (Rayleigh OR "shear horizontal") (thickness OR wavelength) cpc:H03H9

0

未新增全文评审

已读protocol、en_01至en_09的检索式/新族/下一方向及reviewed_patents.json。由en_09的…

en_11

("lithium niobate" OR "lithium tantalate") ("bonding layer" OR "buried oxide") acoustic confinement thickness

约13

WO2009136100A1
可贡献LN/LT层转移及埋置SiO2键合膜的制造背景和400nm绝对厚度单值;本轮不是0.1λ–0.5λ命中。

已读protocol、en_01至en_10检索式/新族/下一方向和reviewed_patents.json。en_10波型/…

en_12

("lithium niobate" OR "lithium tantalate") ("silicon oxide" OR silica OR "silicon dioxide") ("energy trapping" OR "velocity contrast" OR "slow layer") (thickness OR wavelength)

约53

CN101644611A
保留有效数值教导:早公开专利的背景明确上覆SiO2波导层0.1λ单点,可供导波/温度补偿背景;不是目标埋置低声速膜范…

已读取protocol.txt、en_11.json、reviewed_patents.json,并通读en_01至en_11的…

en_13

(fluorine OR boron OR carbon) (doped OR doping) ("silicon oxide" OR "silicon dioxide") ("surface acoustic wave" OR "low acoustic velocity" OR "intermediate layer") (thickness OR wavelength)

约17,361

未新增全文评审

已读protocol.txt、en_12.json、work/reviewed_patents.json,并读en_01至en_…

en_14

("fluorinated silica" OR "fluorinated silicon oxide" OR "fluorine-doped silicon dioxide" OR "boron-doped silicon oxide" OR "carbon-doped oxide") ("surface acoustic wave" OR "interdigital transducer") (thickness OR wavelength)

约9

JP2005260296A
有用厚度教导:0.10–0.14λ优选子区间及F取代Si–O材料选项;应保留为覆盖层厚度/温度补偿证据。

已读protocol.txt、en_13.json、全部en_01–en_13既有检索式/新族/下一方向及reviewed_pa…

en_15

("fluorinated silica" OR "fluorinated silicon oxide" OR "fluorine-doped silicon dioxide" OR "boron-doped silicon oxide" OR "carbon-doped oxide") ("boundary acoustic wave" OR "bonded piezoelectric" OR "intermediate layer" OR "buried layer") (interdigital OR wavelength OR thickness)

约476

WO2007138844A1
保留含硼多组分氧化硅玻璃低声速夹层机理、0.1λ端点,以及SiO2 0.2/0.3/0.4/0.5λ离散厚度教导。比…

已读protocol.txt、en_14.json、en_01–en_14的既有检索式/新族/下一方向及reviewed_pat…

en_16

"boundary acoustic wave" interdigital (borosilicate OR glass) ("high velocity" OR "high acoustic velocity" OR "higher acoustic velocity" OR "high sound velocity" OR cladding OR "silicon nitride" OR "aluminum oxide" OR diamond) (thickness OR wavelength)

约24

JP2009010927A
新增40325493族;对目标材料夹层邻接与范围内SiO2厚度提供直接数值教导,玻璃为明确声学介电膜替代。可作为Al…

已读protocol.txt、en_01–en_15的既有检索式/评审族/下一方向及reviewed_patents.json。…

en_17

cpc:H03H9/0222 ("lithium niobate" OR "lithium tantalate") ("silicon dioxide" OR SiO2 OR "low velocity") (thickness OR wavelength OR period)

0

未新增全文评审

已读protocol、en_01–en_16既有检索轴/评审族/下一方向及最新reviewed_patents。由en_16的b…

en_18

cpc:H03H9 ("lithium niobate" OR "lithium tantalate") ("silicon carbide" OR SiC OR "diamond-like carbon" OR DLC) (oxide OR "bonding film" OR "intermediate layer") (wavelength OR thickness)

0

未新增全文评审

已读protocol、en_01–en_17检索轴/评审族/下一方向及最新reviewed_patents。将en_17的H03…

en_19

(Epcos OR Toshiba OR Fujitsu) ("guided bulk acoustic wave" OR "boundary acoustic wave") (oxide OR "silicon dioxide") (thickness OR wavelength OR period)

约43

WO2003088482A1
机理/夹层拓扑背景;不构成0.1λ–0.5λ数值证据。

已读protocol、en_01–en_18轴和既审身份。撤去en_18 CPC/SiC/DLC必选,改Epcos/Toshib…

en_20

("guided bulk acoustic wave" OR "boundary acoustic wave") ("first dielectric layer" OR "second dielectric layer") (thickness OR wavelength OR "electrode period")

约35

DE102007012383A1
独立低速介电层的归一化厚度与目标部分重叠,并支持界面IDT及层间速度差导波;有SiO2第一层权利要求变体。

已读protocol、en_01–en_19及reviewed_patents。撤去en_19申请人/氧化物必选,改第一/第二介…

 

日文二十轮

轮次

主检索式

原生计数

核查结果摘记

实质调整摘记

ja_01

("低音速膜" OR "低音速層") "膜厚" ("0.1λ" OR "0.5λ") "弾性波"

0

JP5910763B2;JP4423976B2
用于确认精确日文术语及识别自命中,不可作为可用先行技术。

日文首轮;检索前未发现ja_*.json,无上一轮。先执行指定低音速膜/低音速層+0.1λ/0.5λ+膜厚+弾性波轴;精确范围返…

ja_02

("埋込み酸化膜" OR "接合層" OR "音響導波路") ("LiNbO3" OR "LiTaO3") ("弾性表面波" OR "弾性波")

约6

未新增全文评审

已阅读ja_01.json(检索时唯一既有日文轮次)。前轮现代低音速膜标签多命中目标同族,埋置绝缘层线索的数字却属于压电膜。本轮…

ja_03

(イオン注入 OR 剥離 OR 転写) 圧電薄膜 (酸化珪素 OR 酸化シリコン) 接合 波長

约935

WO2009081651A1
提供离子注入剥离、常温直接接合与薄膜SAW制造背景;日期满足先行技术筛选。

已读全部既有日文ja_01和ja_02。ja_02的埋込み酸化膜/接合層/音響導波路轴未取到原生结果、同式索引零返回;本轮实质转…

ja_04

("中間層" OR "絶縁膜") ("SH波" OR "SH波" OR "横波") ("圧電薄膜" OR "圧電体薄膜") ("膜厚" OR "波長")

约11

WO1998056109A1
提供早期中间层与Love波薄膜层序背景。

已读ja_01、ja_02、ja_03及reviewed_patents。前轮离子注入/剥離/転写轴产生大量接合及半导体噪声,故…

ja_05

("ラブ波" OR "Love波") ("酸化珪素" OR "酸化シリコン") ("膜厚" OR "波長")

约21

JP2010028459A
补充盖膜夹层和声能约束背景;不能作为完整目标范围证据。

已阅读ja_01至ja_04和reviewed_patents。ja_04的SH波+中間層+圧電薄膜轴主要产生BAW和压电膜厚噪…

ja_06

弾性境界波 酸化珪素 (窒化シリコン OR 酸化アルミニウム) 電極周期

约128

JP2010011440A
新增可用的归一化SiO2夹层厚度与IDT周期证据。

已读ja_01至ja_05及reviewed_patents。前轮Love波+SiO2导波材料轴发现绝对膜厚但缺本实施例IDT波…

ja_07

(四媒質 OR 第4の媒質) 境界波 (中間層 OR 音速 OR 膜厚)

约4,230

JPWO2007138840A1
新增夹层SiO2=0.2λ单点及对应IDT周期证据;补充四媒质声能分配与温度补偿机理。

已阅读ja_01至ja_06及reviewed_patents。前轮三媒质SiO2/AlN案为0.475λ–0.775λ部分重叠…

ja_08

(低熱膨張 OR 低熱膨張率) (支持基板 OR 接合層) (SH波 OR 境界波) 膜厚

约101

JPWO2008078481A1
新增背面支撑对高次SH模泄漏与温度补偿的机理文献;同时识别同文比较例的Si/SiO2/IDT/LN夹层,避免仅按“覆…

已阅读ja_01至ja_07的检索轴、下一方向及reviewed_patents。ja_07四媒质温补案的SiO2仅0.2λ单点…

ja_09

(弾性境界波 OR 境界弾性波) (酸化珪素 OR 酸化シリコン) (多結晶シリコン OR 電極周期 OR 膜厚)

约2,809

WO1998052279A1
新增强膜厚先行技术:部分重叠明确范围及两个目标内SiO2单点,IDT周期λ证据明确;且补强目标高速材料与SiO2/L…

已阅读ja_01至ja_08各轮检索式及下一方向、ja_08全文结果、reviewed_patents和既有curated_ev…

ja_10

弾性境界波 (溝 OR 埋め込み OR 埋込み) (酸化珪素 OR 酸化シリコン) 膜厚

约598

WO2010119796A1
新增较强膜厚先行技术:原文明示0.4λ实际实施例单点,附带连续部分重叠范围和高速外侧材料教导。不是de_04同族回查…

已读protocol、ja_01–ja_09各轮检索式/下一方向、ja_09完整结果、reviewed_patents及de_0…

ja_11

(酸化ケイ素 OR 酸化珪素) (平坦化 OR 研磨) (SH型 OR SH型) 誘電体 膜厚

约648

WO2008044411A1
排除一条前轮表格片段误读风险,并提供自由表面SiO2下限0.8λ与能量约束机理;没有新增目标0.1–0.5λ膜厚先行…

已读protocol、ja_01–ja_10已有各轮主式/下一方向、ja_10完整结果与reviewed_patents。由ja…

ja_12

(RFスパッタ OR スパッタリング) (第3媒質 OR 第3媒質) 膜厚

约4,320

JP2009177829A
提供更慢第三层位于两媒质间、可在压电体/第三层界面布IDT的定性教导,并纠正把第二媒质≥7λ移给第三层的风险;未增加…

已读protocol、ja_01–ja_11各轮主式/下一方向、ja_11完整结果及reviewed_patents全表。由ja…

ja_13

(フッ素 OR ホウ素 OR 炭素) (添加 OR ドープ) (酸化珪素 OR 酸化ケイ素) (弾性波 OR IDT) (膜厚 OR 波長)

约5,964

JP2009225476A
新增SiO2高品位近场层约0.5λ的端点单点教导;提供声速较低层集中声能、外层吸音抑杂散的机理;SiO2/SiN及S…

已读protocol、ja_01–ja_12主式/下一方向、ja_12完整结果和共享已审全表。按本轮明确分配,由ja_12的RF…

ja_14

(弾性境界波 OR 境界弾性波) (支持 OR 補強 OR 剛性) (窒化アルミニウム OR AlN OR 窒化珪素 OR 窒化シリコン) (中間層 OR 誘電体層) (膜厚 OR 波長)

约641

未新增全文评审

已读protocol、ja_01–ja_13主式和下一方向、ja_13完整记录及共享已审表。按本轮分配由ja_13的F/B/C掺…

ja_15

(弾性境界波 OR 境界弾性波) (応力 OR 反り OR 亀裂 OR クラック) (誘電体層 OR 第3媒質 OR 第三媒質) (酸化珪素 OR 低音速 OR 中間膜) (膜厚 OR 波長)

约434

未新增全文评审

由ja_14的支持/補強/剛性机械功能轴,实质改用外侧介电层応力、反り、亀裂/クラック抑制轴,结合弾性境界波、第3媒质、低音速/…

ja_16

(積層 OR 多層) (酸化珪素 OR 酸化シリコン OR 中間膜) (電極周期 OR 規格化膜厚) (弾性表面波 OR 圧電薄膜) (H03H9/02535)

约78

JPWO2008004408A1
新增早公开相关家族;提供SiO2 0.20–0.35λ、0.20–0.40λ子区间和0.25λ单点的膜厚设计教导。

由ja_15的応力/反り/亀裂宽词,实质转为CPC H03H9/02535分类轴,并结合積層/多層、酸化珪素/酸化シリコン/中間…

ja_17

(炭化珪素 OR SiC OR ダイヤモンドライクカーボン OR DLC) (圧電体薄膜 OR 圧電薄膜 OR 接合層) (酸化珪素 OR 酸化シリコン) (膜厚 OR 波長)

约26,685

WO2008038493A1
新增一个早公开相关家族,提供IDT周期λ定义与二媒质边界波封闭机理;作为膜厚对象易混淆的排除证据。

由ja_16積層/CPC与自由SiO2覆膜数值轴,实质转为高速候选材料炭化珪素/SiC、ダイヤモンドライクカーボン/DLC,结合…

ja_18

(弾性境界波 OR 導波型バルク弾性波 OR GBAW) (機械的導波 OR 低音速 OR 中間層) (電極周期 OR 膜厚)

约4,164

WO2003088475A1
新增相关家族;机理和封装拓扑背景。

已读ja_01–17及既审清单。由ja_17无声学限定的SiC/DLC材料轴,实质转向早期GBAW/機械的導波、低音速中間層及電…

ja_19

(村田製作所 OR 東芝) (酸化珪素 OR 酸化ケイ素) 膜厚 (IDT OR 電極周期) 弾性境界波

约54

JP2007267366A
新增相关家族;有效贡献独立SiO2归一化厚度条件子区间、实测单点及高速层声学闭込机理。

已读ja_01–18检索式/核验对象、ja_18及既审表。由GBAW/機械的導波总界面轴,转村田/東芝申请人技术谱系词+独立酸化…

ja_20

(ダイヤモンド OR 窒化アルミニウム OR 炭化珪素) (圧電体薄膜 OR 圧電薄膜 OR 圧電層) (酸化珪素 OR 酸化シリコン) (膜厚 OR 電極周期) (弾性波 OR IDT)

约2,076

JP2010068503A
新增一个早公开材料差异家族,为独立SiO2膜厚和IDT周期轴提供目标内计算单点。

已读ja_01–19检索式/对象、ja_19及ja_17遗留方向与既审表;由ja_19晶切角/金属厚度条件窗口转高速材料差异(D…

 

法文二十轮

轮次

主检索式

原生计数

核查结果摘记

实质调整摘记

fr_01

"onde de surface" "couche" "faible vitesse" épaisseur "longueur d'onde" (0.1 OR 0.5)

0

EP2658123B1;EP0756182A1
精确等于范围,但为本案同族回查,且公开日晚,不能作可用先行技术;不计新增。

法语第01轮,无已有fr_*.json。首轴为低声速层的归一化膜厚、波长与表面波;以法语faible vitesse、épais…

fr_02

"couche intermédiaire" silice "niobate de lithium" "liaison moléculaire" épaisseur

0

未新增全文评审

已阅读fr_01.json。上一轮低声速与归一化膜厚式产生目标同族及地震噪声;本轮实质改为SiO2中间层、铌酸锂与分子键合的制造…

fr_03

"tantalate de lithium" silice ("substrat composite" OR "couche enterrée")

约8

EP0742598B1
机理:复合压电基板键合制造背景;未新增目标归一化低声速膜范围证据。

已读fr_01、fr_02和reviewed_patents。fr_02的liaison moléculaire加铌酸锂中间层式…

fr_04

("onde acoustique guidée" OR "ondes acoustiques guidées") silice (saphir OR diamant OR "nitrure d'aluminium") épaisseur

约3

FR2882205A1
机理(新家族):声镜支撑、可选LiNbO3与表面IDT的导波器件背景;非目标范围命中。

已阅读fr_01、fr_02、fr_03及reviewed_patents。fr_03复合基板/埋层制造轴命中8件,但新增EP0…

fr_05

("onde de Love" OR "ondes de Love") ("couche guide" OR "couche de guidage") (silice OR "dioxyde de silicium") épaisseur "longueur d'onde"

约2

WO2006136729A1
单点/机理(新家族):SiO2导波层0.1125λ落入目标数值区间;上限<0.25λ与目标0.1λ–0.5λ仅数值部…

fr_04导波+高速材料轴最佳为Al/W全向声镜。本轮删除saphir/diamant/nitrure d’aluminium限…

fr_06

("onde de cisaillement horizontal" OR "onde d'interface") "couche intermédiaire" ("tantalate de lithium" OR "niobate de lithium") épaisseur

0

未新增全文评审

fr_05的Love波+guide式仅2项,最佳为石英自由表面SiO2导波层,缺指定压电膜及第二高速支撑。本轮实质转向水平剪切/…

fr_07

("onde de frontière" OR "onde acoustique de limite") silice alumine épaisseur période électrode

0

未新增全文评审

fr_06水平剪切/界面波+couche intermédiaire式原生0。本轮实质改为onde de frontière /…

fr_08

("vitesse transversale" OR "vitesse de cisaillement") silice (saphir OR diamant OR "nitrure de silicium") épaisseur

约161

EP1222735B1
提供高速第二介质与LiNbO3/LiTaO3、界面IDT的机理背景;新增评审家族1,新增目标膜厚范围家族0。

fr_07边界波精确短语式原生0。本轮删除onde de frontière/onde acoustique de limite…

fr_09

("ondes limites élastiques" OR "onde élastique de frontière") silice épaisseur "longueur d'onde"

0

未新增全文评审

fr_08的vitesse transversale/vitesse de cisaillement与高速材料OR产生约161件…

fr_10

("deuxième milieu" OR "couche diélectrique") silice ("niobate de lithium" OR "tantalate de lithium") épaisseur

约16

FR2917918A1
本轮新增排除性核查:可说明在SAW金属反射器上局部改变SiO2等钝化层厚度会改变反射行为;对目标0.1λ–0.5λ夹…

fr_09用精确弹性边界波名称加silice/膜厚/波长为原生0。本轮实质改为第二媒质/介电层结构轴(deuxième mili…

fr_11

("couche de liaison" OR "film enterré") silice "électrodes interdigitées" ("niobate de lithium" OR "tantalate de lithium")

0

未新增全文评审

fr_10的deuxième milieu/couche diélectrique结构轴约16件且多数为光学噪声,新增FR291…

fr_12

("collage direct" OR "transfert de couche") "oxyde de silicium" ("niobate" OR "tantalate") épaisseur

约10

EP2195835A1
新制造/夹层机理线索1族;氧化硅材料、埋置层位置、锂盐薄膜转移和nm尺度厚度有明确全文依据。目标0.1λ–0.5λ新…

fr_11键合/埋置精确结构短语+silice+叉指电极为原生0。本轮实质改成直接键合/层转移制造工艺轴collage dire…

fr_13

("oxyde de tantale" OR Ta2O5 OR "oxynitrure de silicium") ("onde de surface" OR "ondes de surface" OR "onde d'interface") (épaisseur OR "longueur d'onde")

约100

FR2730810A1
新增已核验机理家族1;新增目标范围或内部单点家族0;未新增Ta2O5/SiON低速膜归一化厚度证据。

fr_12主轴为collage direct/transfert de couche+oxyde de silicium+nio…

fr_14

(Ta2O5 OR "oxyde de tantale") (acoustique OR H03H9) (vitesse OR confinement) (épaisseur OR "longueur d'onde")

约9

FR2933824A1
新相关家族0;目标范围/内部单点0。仅新增已核查排除记录1。

针对fr_13表面化学功能化噪声,删除SiON材料OR与表面/界面波精确短语,只保留Ta2O5/oxyde de tantale…

fr_15

("vitesse acoustique" OR "vitesse transversale" OR "couche lente") (inférieure OR "plus faible" OR lente) (interdigitées OR interdigitales) ("couche intermédiaire" OR oxyde) épaisseur

0

未新增全文评审

针对fr_14材料名命中一般制造、vitesse命中蚀刻速度的噪声,删除Ta2O5/oxyde de tantale强制材料条件…

fr_16

("ondes de volume" OR "vitesse de cisaillement") ("couche diélectrique" OR "couche intermédiaire") (niobate OR tantalate) épaisseur (supérieure OR inférieure)

约6

FR2827720A1
补充高速表面介电层的机理对照,提供独立介电膜声学归一化厚度;非目标范围命中。

fr_15原生0后,删除强制叉指词及couche lente/vitesse acoustique/transversale组;…

fr_17

vitesse (inférieure OR "plus lente") (silice OR "oxyde de silicium") (guidage OR "couche intermédiaire" OR "couche diélectrique") épaisseur

约7,928

未新增全文评审

fr_16有高速TiO2表层噪声。本轮删除supérieure,仅留inférieure/plus lente比较方向;实质新增…

fr_18

("onde acoustique" OR "onde de surface") silice ("couche intermédiaire" OR "couche isolante") (épaisseur OR période)

约10

FR2474243A1
截止日前新族;贡献是指定候选支撑材料Al2O3之上的独立SiO2层厚度部分重叠教导和夹层拓扑。

fr_17的泛vitesse产生钢、光学、输送工艺噪声。本轮删除vitesse及比较关系词;实质新增H03H9分类约束和强制声学…

fr_19

("onde acoustique" OR "ondes acoustiques") silice (température OR "guide acoustique") épaisseur

约29

CA2553861A1
无新增目标膜厚教导;保留为已核排除项,防止把压电体范围或声镜四分之一波长误算为目标膜厚。

fr_18主要命中早期ZnO/SiO2/蓝宝石温补夹层。本轮删除ZnO谱系及couche intermédiaire/couch…

fr_20

("onde de surface" OR "ondes de surface" OR "onde de frontière") ("couche diélectrique" OR silice) (epaisseur OR "longueur d'onde") ("compensation thermique" OR "compensé en température" OR "coefficient de température") (IDT OR interdigitées OR interdigitales)

0

未新增全文评审

由Thomson-CSF/Thales/Epcos申请人谱系及泛温度/声学波导轴,实质切换为Murata申请人,强制SAW/边界…

 

德文二十轮

轮次

主检索式

原生计数

核查结果摘记

实质调整摘记

de_01

("niedrige Schallgeschwindigkeit" OR Zwischenschicht) (Schichtdicke OR Dicke) Wellenlänge (akustische OR piezoelektrische)

约235

WO2007085237A1;DE10325281A1
分类:部分重叠,并有范围内单点0.25λ;这是本轮最佳新增同族。并非完整精确0.1λ–0.5λ范围。

德语首轮,无既有de_*.json。依分配首轴,以低声速/中间层、膜厚及波长的材料层序为技术轴;避开主代理已全文核验的DE102…

de_02

Lithiumtantalat Kristallschnitt SiOx Schichtdicke "geführte Volumenwellen"

0

WO2007124732A1
分类:部分重叠;另有完全位于目标内的子范围0.4λ0–0.5λ0及单点0.1λ0、0.4λ0、0.5λ0。不是精确等…

已读de_01(德语既有轮次仅此一轮)。从泛低声速/中间层+膜厚+波长切换到LiTaO3晶切、SiOx材料和GBAW模式的组合技…

de_03

(Grenzflächenwellen OR Rand-Schallwellen) (Lithiumtantalat OR LiTaO3) (Deckschicht OR Zwischenschicht) (Dicke OR Wellenlänge)

约3

US20050162048A1
分类:机理/部分结构;不是精确范围、部分重叠或范围内单点证据。新增不同族27799062。

已读de_01、de_02及reviewed_patents.json。de_02的晶切/SiOx/GBAW精确短语原生0命中;…

de_04

akustische Grenzflächenwelle SiO2 Deckschicht (Siliziumnitrid OR Aluminiumoxid) Dicke

0

DE102010016431A1
分类:范围内单点(计算约0.4λ,原始尺寸均为约数),并提供高速外侧材料及低速SiO2夹层拓扑;不是精确等于完整目标…

已读de_01、de_02、de_03及work/reviewed_patents.json。从双LiTaO3界面波转向高速外侧…

de_05

("piezoelektrische Dünnschicht" OR "piezoelektrische Schicht") (Lithiumniobat OR LiNbO3) (Saphir OR Diamant) (Oxid OR Zwischenschicht)

约13

DE10252828A1
分类:机理/夹层结构与独立SiO2绝对膜厚背景。新增申请族DE10252828.4A;未形成目标0.1λ–0.5λ的…

已读取de_01至de_04及work/reviewed_patents.json。由de_04的边界波/高速SiN或Al2O3…

de_06

Diamant (Siliziumdioxid OR SiO2) (Zwischenschicht OR Zwischenlage) Interdigitalwandler (Wellenlänge OR Schichtdicke)

约1

US5838089A
分类:机理/夹层及绝对膜厚背景;新增族25183273。对金刚石支撑、SiO2夹层、LT/LN选项和IDT提供结构线…

已读de_01–de_05及work/reviewed_patents.json。承接de_05的DLC/纳米氧化物粘结层,实质…

de_07

(Lithiumtantalat OR LiTaO3) Diamant (Oberflächenwelle OR Oberflächenwellen) (Phasengeschwindigkeit OR Kopplung OR Schichtdicke)

约9

US5646468A
分类:机理/层序背景;目标归一化低声速膜范围不相关(主要厚度对象为压电膜;短路金属膜具体实例范围外)。新增以US08…

已读de_01–de_06已有式、新族及下一方向,并读work/reviewed_patents.json。de_06的SiO2…

de_08

(Verbundsubstrat OR Wafer) (Bonden OR Verbinden OR Übertragen) "piezoelektrische Schicht" (Oxid OR Verbindungsschicht)

约36

DE69508679T2
分类:目标低声速膜厚度不相关;仅提供高速金刚石晶圆与IDT加工的背景。新增未审同族15546263,但不能作为0.1…

已读de_01–de_07的检索式、新族和下一方向,以及work/reviewed_patents.json。de_07的金刚石…

de_09

(Lithiumtantalat OR Lithiumniobat OR LiTaO3 OR LiNbO3) (Einkristall OR einkristallin) (Isolierschicht OR Oxidschicht OR Zwischenschicht) (Wellenlänge OR Schichtdicke)

约41

DE69228458T2
分类:机理/结构及绝对膜厚教导。支持LT/LN—SiOx—载体拓扑和无有机胶直接键合;不属于目标0.1λ–0.5λ精…

已读de_01–de_08各式、新族和下一方向及work/reviewed_patents.json。本轮由泛晶圆/转移及刚性“…

de_10

(Oberflächenwellen OR Interdigitalwandler OR Kammelektroden) (Lithiumtantalat OR Lithiumniobat OR Einkristall) (Isolierschicht OR Oxidschicht OR Siliziumdioxid) (Wellenlänge OR Bonden)

约155

DE69429848T2
分类:机理/结构与绝对膜厚。可支持LT/LN—保留绝缘氧化层—支撑的直接键合及夹层电极封装;不支持0.1λ–0.5λ…

由de_09的LT/LN+强制单晶+绝缘层+膜厚/波长四轴,实质增加SAW/Interdigitalwandler/Kammel…

de_11

(Temperaturkompensation OR Temperaturkoeffizient) (Lithiumtantalat OR Lithiumniobat) (Siliziumdioxid OR SiO2) (Schichtdicke OR Wellenlänge)

约34

DE3336281C2
部分重叠:提供SiO2中间层D/λ<约0.159的明确归一上界及温补/传输损耗/色散权衡,交集0.1λ至约0.159…

按分派由de_10的键合/绝缘封装支路转向温度补偿与归一膜厚,强制Temperaturkompensation/Temperat…

de_12

(Tantaloxid OR Ta2O5 OR Siliziumoxynitrid OR SiON) (Oberflächenwellen OR Interdigitalwandler) (Dicke OR Wellenlänge)

约363

DE69723957T2
无目标低声速膜厚度贡献;仅记录SAW/IDT归一厚度对象的排除依据。

按分派由de_11温度补偿/TCF与LT/LN/SiO2转向未单独检索的新低速材料Tantaloxid/Ta2O5、Silizi…

de_13

("dotiertes Siliziumdioxid" OR ((Fluor OR Bor OR Kohlenstoff) dotiert)) (Oberflächenwelle OR Interdigital) (Dicke OR Wellenlänge) (Zwischenschicht OR Wellenleiter OR Wellenführungsschicht)

约9

未新增全文评审

从de_12的Ta2O5/SiON背景噪声转向掺F/B/C的SiO2新材料轴,主式采用dotiertes Siliziumdio…

de_14

(Fluorsilikatglas OR Borsilikatglas OR Borphosphorsilikatglas) (akustisch OR Interdigital) Zwischenschicht (Dicke OR Wellenlänge) NOT (Lichtwellenleiter OR "optische Verkapselung")

约1

未新增全文评审

从de_13的dotiert/元素掺杂用语转向Fluorsilikatglas、Borsilikatglas、Borphosph…

de_15

(geschichtete OR laminierte OR Oberflächenwellen) Lithiumniobat (Interdigitalwandler OR Interdigital) (Trägersubstrat OR Substratträger OR Verbindungsschicht) (Dicke OR Wellenlänge)

约8

DE69321083T2
机理/结构与绝对高度:独立保持基板、界面IDT、LN/LT和可选SiO2局部连接支撑。保留其1μm支撑高度及0.7μ…

由de_14掺杂玻璃专名轴实质转向早期层叠SAW:去掉Fluorsilikatglas/Borsilikatglas/Borph…

de_16

(laminierte OR geschichtete) (Lithiumniobat OR Lithiumtantalat) (Einkristallplatte OR Einkristall) (Oxidschicht OR Siliziumdioxid OR Verbindungsschicht) (Interdigitalwandler OR Interdigital) (Dicke OR Wellenlänge)

约1

DE69413280T2
连续夹层拓扑及有效上限数值教导:≤0.5λ覆盖目标厚度域,不能降格成仅机械支撑;IDT线宽/间距约λ/4明确。主张全…

由de_15局部间隔支撑/保持基板轴转向连续层叠薄单晶板及氧化粘接层:去除Trägersubstrat/Substratträg…

de_17

(Klebeschicht OR Verbindungsschicht OR Haftschicht) (Einkristallplatte OR Einkristall) (Halbwellenlänge OR "halbe Wellenlänge" OR "0,5") (Interdigitalwandler OR Interdigital)

约2

US5446330A
强化既有族的原始证据,不新增族:连续夹层及≤0.5λ上限具有有效数值教导;优选≤0.1λ是趋薄教导。原始权30/31…

已读de_01–de_16检索式/下一方向、de_16全文记录及reviewed_patents总表。由de_16泛层叠/LN-…

de_18

(Siliziumcarbid OR SiC OR DLC OR "diamantartiger Kohlenstoff") (Lithiumniobat OR Lithiumtantalat OR LiNbO3 OR LiTaO3) (Siliziumoxid OR Siliziumdioxid OR SiO2) (Schichtdicke OR Wellenlänge) (H03H9)

约19

DE102007000117A1
新增1个已核验家族的噪声排除记录;对目标膜厚/λ无有效新增教导。

已读de_01–de_17的检索式/下一方向、de_17原始证据审计及reviewed_patents清单。由粘接层+半波长上限…

de_19

(Epcos OR Fujitsu) (Oberflächenwellen OR "geführte Volumenwellen") (dielektrische OR Siliziumdioxid) (Schichtdicke OR Wellenlänge OR Elektrodenperiode)

约50

DE102007012384A1
机理/层序辅助;明确防止把第一层、二层总厚或压电薄层的λ数值混用。

已读protocol、de_01–de_18各式/下一方向及91项既审表,另读en_19/en_20。由de_18的SiC/DL…

de_20

(Oberflächenwellen OR Grenzflächenwellen) (Siliziumdioxid OR dielektrische) (Temperaturkompensation OR Reflektoren) (Fingerperiode OR Elektrodenperiode OR Schichtdickenverhältnis)

约11

DE102005055871A1
优选子区间/层序佐证;新增族可独立引用该膜厚选择,但数值教导与已审D1相同。

读protocol、de_01–de_19检索式/下一方向和93条既审记录。由de_19的申请人名称及双SiO2总厚≥1.5λ,…

 

韩文二十轮

轮次

主检索式

原生计数

核查结果摘记

实质调整摘记

ko_01

("저음속막" OR "저음속 막" OR "저음속층") "막 두께" 파장 탄성파 (0.1 OR 0.5)

0

KR20200026304A
机理;层序相关,目标膜厚数值未揭示;晚公开排除。

韩语首轮,开始时不存在ko_*.json;采用指定首轴:저음속막/저음속층、膜厚、波长和弹性波,并用0.1或0.5寻找目标0.1…

ko_02

중간층 산화규소 (니오브산리튬 OR 탄탈산리튬) 탄성파 두께

约5

KR100593354B1
单点:完整SiO2夹层0.5λ端点;部分重叠:膜5/7个别分层厚度;机理:键合中间层及温度补偿。未直接揭示目标全组合…

ko_01窄术语저음속막/저음속층、膜厚、波长、0.1/0.5原生0结果。本轮改为中间层材料与键合夹层轴:중간층、산화규소及Li…

ko_03

압전 (박막 OR "이온 주입") (매립 산화막 OR 접합층) (사파이어 OR 탄화규소)

约317

KR100850696B1
机理:单晶压电薄膜键合与机械减薄制造背景;对目标低声速膜0.1λ~0.5λ为不相关,非精确范围、非部分重叠或单点。

已读ko_01与ko_02。ko_02确认中间SiO2键合层相关但只有完整厚度0.5λ端点,并缺目标支撑材料与IDT周期λ证据。…

ko_04

(횡파 OR 러브파) ("빗살 전극" OR IDT) (산화규소 OR "산화 규소") (도파층 OR 파장 OR 두께)

约16

KR100890844B1
部分重叠:背景SiO2约0.2λ–0.4λ;机理:高声速盖膜限制边界波。未直接揭示目标完整组合。

已读ko_01、ko_02、ko_03及reviewed_patents。ko_03的薄膜转移与SiC/蓝宝石材料轴引出FBAR…

ko_05

(고음속 OR 고속) (지지기판 OR "지지 기판" OR 피복층) (접합 OR 중간층) (산화규소 OR "산화 규소" OR SiO2) (압전막 OR "압전 막" OR 압전층)

约255

未新增全文评审

已读ko_01至ko_04及reviewed_patents。ko_04以횡파/러브파与IDT得到39187837的SiO2/A…

ko_06

(IDT OR "빗살 전극" OR "빗살형 전극") 음속 (덮개 OR "상부 기판" OR 피복층) (산화규소 OR "산화 규소" OR SiO2) (파장 OR 두께)

约2

KR20020066991A
新核验不相关同族;帮助识别盖体/음속/膜厚同时出现时的封装及电极厚度噪声。本轮未新增目标相关膜厚先行证据。

已读ko_01至ko_05及reviewed_patents。ko_05的独立고속引入高速加工和显示等泛义噪声,本轮实质改为明确…

ko_07

IDT SiO2 (접합 OR 지지) (질화규소 OR 산화알루미늄 OR 사파이어) 파장

约1

未新增全文评审

已读ko_01至ko_06及work/reviewed_patents.json。ko_06以音速、盖体/上部基板和SiO2仅检…

ko_08

("경계 음향파" OR "탄성 경계파") ("매립 절연층" OR 중간막) (실리카 OR 이산화규소) (캐리어 OR "지지 기판")

0

未新增全文评审

已读ko_01至ko_07、work/protocol.txt和work/reviewed_patents.json。ko_07…

ko_09

("니오브산 리튬" OR "탄탈산 리튬" OR "니오브산리튬" OR "탄탈산리튬") 단결정 ("절연 완충층" OR 접착층 OR 산화막) 두께

约119

KR100890845B1
提供目标范围内部的明确SiO2子区间教导(背景),并证明LiNbO3/SiO2/高速Al2O3及界面IDT可共同出现…

已读work/protocol.txt、ko_01至ko_08全部已有轮次及work/reviewed_patents.json…

ko_10

("온도 보상" OR 러브파 OR "러브 파") (산화실리콘 OR 산화규소 OR SiO2) ("전극 주기" OR 도파막 OR "0.22" OR "0.38")

约11

KR100900874B1
提供温补设计与LiNbO3/SiO2/高速Al2O3相邻结构机理,帮助辨别声学盖层和机械支撑;并提供未审原始引文线索…

已读protocol、ko_01至ko_09的检索与结果记录及reviewed_patents。ko_09的单晶绝缘缓冲/接着层…

ko_11

("삼매질" OR "3매질" OR "제2 매질") ("전극 주기" OR "막 두께") (SiO2 OR 산화규소 OR 산화실리콘)

约10

KR100856218B1
贡献目标范围内低速膜单点及三媒质相邻拓扑。

已阅读protocol、ko_01至ko_10的历轮query/next_direction以及reviewed_patents…

ko_12

("불소" OR "붕소" OR "탄소") AND ("도핑" OR "첨가") AND ("산화규소" OR "산화실리콘" OR "SiO2") AND ("탄성파" OR "IDT") AND ("두께" OR "파장")

约8

未新增全文评审

已阅读protocol、ko_01至ko_11各轮query/next_direction、ko_11完整结果及reviewed…

ko_13

("산질화규소" OR "산질화실리콘" OR "SiON" OR "산화탄탈" OR "오산화탄탈" OR "Ta2O5") AND ("경계파" OR "IDT") AND ("두께" OR "파장")

约7

KR20100128249A
机理:2010-12-07即公开SiON材料替选、较低声速介电层/较高声速外层的声学束缚拓扑与IDT;提供SiO2层…

阅读protocol、ko_01至ko_12各轮检索式/后续方向、ko_12完整记录与reviewed_patents.json…

ko_14

("탄성 경계파" OR "계면파") ("제3 매질" OR "3매질" OR "삼매질") ("전극 주기" OR "저속층" OR "막 두께")

约4

JPH08265088A
补实0.22λ–0.38λ早期专利来源及更窄0.26λ–0.36λ优选、0.295λ实例;贡献目标范围内部的SiO2…

已读protocol、ko01–ko13全部query/next_direction、ko13与ko11完整记录及reviewe…

ko_15

("탄성 경계파" OR "계면파") ("고음속" OR "고속층" OR "제3 매질") ("전극 주기" OR "규격화 막 두께" OR "저속층")

0

JP2003209458A
补实早期优选子区间及0.13λ实例,可用于厚度特征线索。

已读protocol、ko01–ko14各query/next_direction、ko14全文及ko11种子身份记录;revi…

ko_16

("질화규소" OR "알루미나" OR SiN OR Al2O3) (SiO2 OR "산화규소") ("전극 주기" OR "규격화 막 두께") ("경계파" OR "탄성파")

约3

KR20100046024A
背景0.3λ及可选外层材料线索。

已读protocol、ko01–ko15全部query/next_direction、ko14/ko15完整记录及reviewe…

ko_17

(SiO2 OR "산화규소") ("유전체막 두께" OR "규격화 막 두께" OR "막 두께") ("전극 주기" OR "IDT 주기")

约1

KR20100014134A
相关三媒质机理及拓扑线索;独立低速膜数值贡献为零。

已读protocol、ko01–ko16全部query/next_direction、ko14/ko16完整结果及reviewe…

ko_18

(SiO2 OR "산화규소") ("막두께/파장" OR "규격화두께" OR "규격화 두께" OR "파장비" OR "전극지 간격" OR "전극지 피치" OR "전극 피치")

约22

KR20100098281A
机理和对象区分证据;确认0.7㎜是总膜厚,不能将其误引成SiO2=0.35λ。

已读protocol、ko01–ko17的query/next_direction、ko17完整结果及reviewed_pate…

ko_19

(SiO2 OR "산화규소") ("합계" OR "총두께" OR "총 두께") ("파장" OR "전극 주기" OR "전극 피치")

约1,991

KR20040010108A
提供目标内SiO2合计膜厚子区间和严格对象区分证据;不能据此宣称完整目标组合。

已读protocol、ko01–18全部query/next_direction、ko18完整结果和reviewed表。由ko1…

ko_20

(IDT OR "탄성 표면파" OR "탄성 경계파") ("제2 유전체막" OR "제2 절연막" OR "제2 산화규소막") ("규격화" OR "정규화" OR "전극 주기" OR "전극지 피치")

约2

KR20070015477A
周期定义与金属厚度噪声排除证据;保留可加强外侧保护层的结构线索。

已读protocol、ko01–19全部query/next_direction、ko19及ko16完整记录和reviewed表…

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

检索后,我建议优先评估两条日文证据组合:

  1. JP2004343359A+JPH06326553A:前者提供“蓝宝石支撑/SiO₂中间膜/LT/IDT”的材料与层序,后者提供埋置无机接合膜相对于波长的厚度限定。这是目前我认为应当优先展开的路线。
  2. JP2006270360A+JP2003017967A:前者提供“金刚石支撑/埋置SiO₂/压电膜/IDT”及具体归一化膜厚,后者提供采用LN/LT替换ZnO的技术动机和制造方法。Google Patents

本次还保留了其他结构、材料和声速旁证,下面共列出 9件公开日在2010年12月24日之前的日文公报。目前尚未核实到一件能单独、直接且无歧义地公开授权权利要求1全部限定的日文文献;已有证据的主要价值在于构建具体的创造性攻击,而不是直接宣称单篇破坏新颖性。

一、先明确本次检索对应的授权权利要求1

我核对的是 CN103262410B的授权权利要求1。关键限定如下,后文将LiTaO₃简称为LT、LiNbO₃简称为LN。Google Patents

特征 本次对比口径
高声速支撑基板 支撑基板由AlN、Al₂O₃、SiC、SiN、SiON、DLC膜、金刚石,或权利要求规定的相应主成分材料构成
埋置低声速膜 位于高声速支撑基板之上、压电膜之下;材料包括氧化硅、玻璃、SiON、氧化钽、掺F/C/B的氧化硅等
压电膜 LT或LN
电极 IDT形成于压电膜的一面
关键膜厚 上述埋置低声速膜的厚度为0.1λ~0.5λ;λ由IDT电极周期确定

这里有两个直接影响检索结论的区别:

  • 权利要求1采用的是高声速材料构成的支撑基板。仅有“普通支撑基板+高声速薄膜”的文献,需要进一步分析,不能直接套用另一独立权利要求10的结构。
  • 权利要求1没有写入压电膜≤1.5λ、≤0.5λ或特定能量分布;这些内容分别出现在从属权利要求中。不过,“压电膜”“高声速”“低声速”的含义,仍需结合说明书解释。Google Patents

二、值得保留的9件日文公报

下表日期均为所列日文公开文本的公开日,没有用优先权日替代公开日。公开号链接指向Google Patents日文全文。

编号 日文公报及公开日 对权利要求1的主要贡献 主要缺口
D1 JP2004343359A;2004-12-02;《弾性表面波素子の製造方法》 蓝宝石/SiO₂可选中间膜/LT/IDT;首选主结构证据 未明确给出SiO₂的目标膜厚比例。Google Patents
D2 JPH06326553A;1994-11-25;《表面弾性波素子》 LN及埋置SiO₂接合膜;膜厚≤0.5λ,进一步优选≤0.1λ 相关高速支撑具体列为硼、非晶碳、石墨,尚不能对应权1的指定支撑材料。Google Patents
D3 JP2006270360A;2006-10-05;《弾性表面波素子》 金刚石/埋置SiO₂/压电膜/IDT;有归一化膜厚及仿真点 压电膜是ZnO。Google Patents
D4 JP2003017967A;2003-01-17;《弾性表面波素子及びその製造方法》 给出金刚石体系采用LN/LT的动机及单晶薄膜转移方法 主要实例为Si支撑+金刚石层;SiO₂并非目标埋置位置。Google Patents
D5 JP2002016468A;2002-01-18;《弾性表面波装置》 Al₂O₃或AlN支撑/玻璃接合层/LT或LN/IDT 未给出玻璃层厚度与λ的对应关系。Google Patents
D6 JP2006121228A;2006-05-11;《弾性表面波素子、弾性表面波素子の製造方法、電子デバイスおよび電子機器》 支撑材料可选金刚石、蓝宝石、氧化铝等;SiO₂缓冲层位于LT/LN可选压电层之下 SiO₂下方还有金属或半导体底层;缺目标归一化膜厚。Google Patents
D7 JP2007228225A;2007-09-06;《弾性表面波デバイス》 高速材料本身可作支撑;压电层可选LN/LT;SiO₂可设在压电层下面 另有声阻抗缓和层;其0.2~0.3λ不是SiO₂膜厚。Google Patents
D8 JP2005354650A;2005-12-22;《弾性表面波デバイス》 同一实施方式明确埋置SiO₂或Ta₂O₅/LN可选压电膜/IDT 支撑仅泛称硅、玻璃、陶瓷等;缺具体合格高速支撑及目标膜厚。Google Patents
D9 JPWO2008078481A1;2010-04-15;《弾性境界波装置》 提供LT、SiO₂、蓝宝石相关波型的声速,补强材料属性解释 主要SiO₂为压电体上方介质,不能证明目标埋置膜厚。Google Patents

三、最重要的证据位置与使用方式

1. D1:JP2004343359A——最值得作为起点的结构文献

重点核对第三实施方式、图7、[0057]—[0065]。

其中,[0058]明确使用LT基板11与蓝宝石支撑基板21;紧接的[0059]把SiO₂列为中间膜23的优选绝缘材料。[0060]提及压电基板上面的IDT,[0065]说明其他结构沿用第一实施方式。

因此,“蓝宝石/SiO₂/LT/IDT”是同一实施形态中连贯公开的材料选择,不必靠拼接几个互不关联的实施例才能得到。Google Patents

它的膜厚证据需要严格区分:

  • [0064]实际制作的是AlN中间膜15nm。
  • [0054]的1μm属于另一实施方式的Si膜。
  • 这两项都不能转写成第三实施方式的SiO₂厚度,更不能据此算出符合目标的SiO₂/λ比例。Google Patents

这件适合承担“材料和层序”的主体证据,膜厚需要D2补充。日文公报PDF

2. D2:JPH06326553A——对埋置膜厚最有贡献的旧公报

重点核对图17、图20,以及[0194]—[0206]、[0224]—[0228]。

图20的实施例4-2明确公开:

构件 对应内容
支撑体52 声速较快的硼、非晶碳或石墨
埋置膜42 在支撑体上形成的非晶氧化硅或氮化硅
压电薄板21 41°Y切、X传播的单晶LN
电极30、30′ 压电薄板上的梳齿电极

[0228]的膜厚正是上述埋置无机膜的厚度,原文为:

「1/2波長以下、さらに好ましくは1/10波長以下」

即 ≤0.5λ,进一步优选≤0.1λ。通用实施例的[0202]也给出相同的波长比例,并提到约0.1~1μm的膜厚尺度;[0206]联系到接合及传播损耗。Google Patents

其数值贡献不能因为“没有原样写出0.1λ~0.5λ”而被忽略。 0.1λ、0.5λ都是明确界限,与目标范围存在端点对应。但它仍欠缺同一方案中的合格支撑材料:不能仅凭“非晶碳”就认定必然属于DLC。

对于新颖性,《专利审查指南》的数值范围规则以其余技术特征相同为前提,涵盖范围重叠或共同端点的情形;同时,新颖性要求单独对比。因此,D2对膜厚限定有直接贡献,并不等于D2单篇已经破坏整个权利要求1的新颖性。cnipa.gov.cn

3. D3:JP2006270360A——埋置SiO₂有具体归一化数值,但压电材料不同

重点核对权利要求1、图2、[0011]—[0014]及图3—10。

这件的层序非常清楚:金刚石基板40/SiO₂绝缘膜50/ZnO压电膜60/IDT30。其中,埋置SiO₂厚度为 \(h_1\),明确规定:

\[ 0.2\leq kh_1\leq1.2 \]

文献还对 \(kh_1=0.2、0.4、0.6、0.8、1.0\) 等参数进行扫描仿真。Google Patents

按照通常的角波数定义 \(k=2\pi/\lambda\),换算为:

\[ 0.0318\lambda\leq h_1\leq0.1910\lambda \]

具体计算点对应如下:

公报中的参数 换算后的埋置SiO₂厚度 与目标范围的关系
\(kh_1=0.8\) \(h_1\approx0.1273\lambda\) 落入0.1λ~0.5λ
\(kh_1=1.0\) \(h_1\approx0.1592\lambda\) 落入0.1λ~0.5λ

这是数学换算,不是公报直接以 \(h_1/\lambda\) 书写的数值。 D3将k称为波数;同领域的D8明确采用 \(kh=2\pi t/\lambda\) 的归一化形式,使用证据时应保留这一步定义和换算,不能把kh直接当成h/λ。Google Patents

D3的决定性缺口是ZnO不属于权利要求1限定的LT或LN,所以需要材料替换的具体启示。日文公报PDF

4. D4:JP2003017967A——为ZnO替换路线提供具体理由

这件的价值集中在 [0009]—[0010]、[0033]—[0040]:

  • 讨论ZnO的耦合与带宽限制,以及LN/LT单晶材料的优势和成膜困难。
  • 给出在金刚石层上接合、转移单晶LN薄膜的制造方法。
  • 实施例形成约0.4μm的LN层,随后制作IDT,并具体比较采用ZnO与LN时的声速和机电耦合取舍。Google Patents

因此,它能支持“为什么考虑LN/LT,以及怎样获得相应薄膜”。但其主要实例仍有Si支撑和金刚石层,而且所述SiO₂主要位于LN上方或IDT附近,不能把它本身当作目标埋置SiO₂结构证据。Google Patents

四、其他文献各自能补到什么位置

D5:玻璃接合路线有独立价值

JP2002016468A的图6、[0022]—[0024]、[0044],可以对应到:

Al₂O₃或AlN支撑基板3/玻璃接合层8/LT或LN压电基板1/IDT5。

这里的Al₂O₃、AlN确实包括直接与压电基板接合的基板3,不只是外围封装基板。玻璃层则包括硼硅酸玻璃、石英玻璃等。Google Patents

它可以作为 D5+D2 的备用组合起点。不过,[0043]的微米数值是电极尺寸;[0048]有关“0.3mm玻璃”的文字也不能认定为接合层8的厚度。该文没有给出可用的玻璃层/λ对应值。Google Patents

D6—D8:适合作补充,不宜抢占主证据位置

文献 建议定位的证据 使用时必须保留的区别
D6:JP2006121228A 图2;权3—7;缓冲层4与压电层5的材料说明。支持在LT/LN可选压电层下设置非晶SiO₂的制造思路 支撑与SiO₂之间另有金属或半导体底层3。缓冲层≤1000nm没有与λ配对;实际示例为ZnO和10nm SiO₂,不能任取λ生成目标范围。Google Patents
D7:JP2007228225A [0022]允许金刚石、蓝宝石等基体本身构成支撑基板;[0025]列LN/LT;[0036]—[0037]允许SiO₂设在压电层的基体侧 额外声阻抗缓和层13应保留。[0024]的0.2~0.3λ属于缓和层13,且该处λ是层内波长,不是目标SiO₂厚度。Google Patents
D8:JP2005354650A 图1、[0024]—[0026]:支撑/SiO₂或Ta₂O₅绝缘层/LN可选压电膜/IDT “陶瓷支撑”未具体公开Al₂O₃或AlN;kh数值属于压电膜。“压电膜+绝缘层总厚小于λ”也不等于埋置绝缘层0.1~0.5λ。Google Patents

D9:可用于回应“材料是否具备高、低声速属性”的争议

JPWO2008078481A1讨论了42°YX LT/R面蓝宝石结构,并给出相关波型的声速:

材料及波型 公报记载的声速
SiO₂横波 3757m/s
LT中的SH波 4227m/s
蓝宝石横波 6463m/s

这些记载可以支持相应模式下的材料声速关系。D1第一实施方式[0036]也明确使用42°YX LT及R面蓝宝石,因此旁证有具体关联。这些数值不能不分晶向、波型地推广,也不是D1样品的实测结果。Google Patents

应使用公开于2010-04-15的 JPWO2008078481A1;同族授权文本JP4894861B2于2012年公开,不符合本次时间范围。Google Patents

五、我建议如何组织无效攻击

第一顺位:D1+D2,D9补强声速属性

这条路线所需的结构和材料改动最少。

以D1同一实施形态中的SiO₂选择为起点,结合D2对同类单晶压电SAW接合结构中埋置无机膜的厚度教导,优先论证采用其明示界限 0.1λ。结合理由应围绕:在维持接合可靠性的同时,控制中间层对声波传播及损耗的影响,而不只是声称“膜厚属于常规优化”。Google Patents

如果用D1所述约2.1μm的波长说明组合方案,0.1λ相当于约0.21μm。这是组合设计的计算示例,不能称为D1原始SiO₂样品的尺寸。Google Patents

这条路线最需要正面处理两个反驳:

  1. “为什么采用0.1λ?”
    D1[0063]倾向于把中间膜做薄以减少粗糙度;D2也进一步优选≤0.1λ。明示端点提供了具体依据,但“允许采用”与“有充分动机采用”仍有区别。应论证接合、表面处理和传播性能之间的关系,不能把两个范围机械拼接后就认定显而易见。

  2. “厚压电板是否对应目标压电膜?”
    D1的LT为30μm,按其波长约为14.3λ。这会成为专利权人强调声学机制不同的有力理由。权1没有压电厚度上限,故不能直接以从属权利要求的薄膜范围排除D1;但也不能反过来声称D1已经实现了目标说明书讨论的同等能量约束或Q值改善。Google Patents

我的判断:这是一组有实质攻击价值、应优先展开的创造性证据;现有材料不足以承诺无效成立。

第二顺位:D3+D4,必要时以D2补充无机接合启示

这条路线先保留D3已有的金刚石支撑、埋置SiO₂及落入目标范围的计算点,再用D4支持引入LN/LT的理由和薄膜制造方法。

它的强项是膜厚数值具体,材料替换也有实际技术文献依据;较大的争议则是:

  • D3的参数是针对ZnO体系及其振动模式筛选的。
  • 换成LN/LT后,压电层厚度、晶向、模式和中间膜厚度会相互影响。
  • 因而,不能把ZnO体系的优选参数直接宣布为LN/LT体系的同样优选参数。D4本身也强调声速、耦合与压电层厚度的关系。Google Patents

这条路线值得作为独立备选保留,用来应对第一路线中关于“厚板/薄膜”的解释争议。

六、反复检索中需要排除的几类“强相似命中”

下面三件容易因材料或数字相似而被高估。我已将其从主证据中降级。

文献 容易误读之处 核查结果
JP2009278610A,2009-11-26 出现0.1~0.5 这是有机胶的优选厚度,单位是μm,不是λ;不是目标无机低声速膜。Google Patents
JP2007228120A,2007-09-06 同时出现Al₂O₃、LN、SiON及≤0.1λ ≤0.1λ属于顶面SiON保护膜。具体埋置层为5μm有机胶,λ为2μm,即约2.5λ。Google Patents
JP2010187373A,2010-08-26 同时出现LT、SiO₂及亚微米尺寸 SAW实施方式主要采用Si/有机胶/LT;另一分支的SiO₂等属于FBAR牺牲层,不能移入SAW实施方式作为永久埋膜。Google Patents

七、本次检索路径与可复核检索式

检索以Google Patents中的日文公开文本为对象,交替采用日文关键词变换、公开号回查、同族追踪、前后引用链回溯、段落及原始公报核对。重点反复检查了三件事:材料是否在同一技术方案中出现、膜位于压电层上方还是下方、数值究竟属于哪一层。

以下是实际使用过的代表性检索式:

site:patents.google.com/patent/JP "サファイア" "酸化シリコン" "タンタル酸" before:2011

site:patents.google.com/patent/JP "無機薄膜層" "1/2波長"

site:patents.google.com/patent/JP "ダイヤモンド" "酸化珪素" "タンタル酸リチウム"

site:patents.google.com/patent/JP "ニオブ酸リチウム" "接合層" "2009"

site:patents.google.com/patent/JP "弾性表面波" "中間層" "0.5λ"

site:patents.google.com/patent/JP "サファイア" "音速" "横波" "2004"

其中年份词和before:2011只是召回条件,最终入选仍逐件核对日文公报的实际公开日,严格按你指定的 2010-12-24之前筛选。

就后续无效证据编排而言,建议把D1、D2放在首位,D9用于材料属性说明,D3、D4组成独立备选,D5保留玻璃接合路线。最需要补强的具体问题,是采用0.1λ端点的结合动机,以及“压电膜”对D1厚压电板结构的解释范围。

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

检索结论

本轮在 Google Patents 中,通过中、英、韩关键词扩展、前后向引证追踪及同族回溯,筛选出 5件韩国公开的韩文专利文献。其中,优先用于进一步构建无效证据链的是前三件:

**KR20010083777A 是较强的结构主引证;KR20070092110A 和 KR20060129514A 是低声速膜相对厚度的重要补充证据。**三件韩国公开文本的公开日均早于 2010年12月24日。谷歌专利

需要先明确结论的边界:**本轮尚未确认一件韩文文献,能够单独、直接、完整地公开授权权利要求1的全部技术特征。**目前更有价值的方向是,以第一件文献为基础,结合第二件或第三件研究创造性论证,而不是把“结构接近”直接认定为“已破坏新颖性”。

以下“韩文专利”指韩国公开的韩文专利文本,不限定申请人必须为韩国企业。日期以韩国公开号对应的公开日为准,不以优先权日或外国同族公开日替代。


一、先锁定授权权利要求1的真正检索对象

CN103262410B的名称为《弹性波装置及其制造方法》。其授权权利要求1并非泛指“压电层+二氧化硅层+支承体”,还包含以下限定:谷歌专利

特征 授权权利要求1的要求
F1:高声速支撑基板 材料为AlN、Al₂O₃、SiC、SiN、SiON、DLC膜或金刚石,或权利要求所述以这些材料及其混合物为主成分的材料
F2:低声速膜及位置 位于高声速支撑基板上;材料包括氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、掺氟/碳/硼的氧化硅等指定材料
F3:压电膜 位于低声速膜上,材料为LiTaO₃或LiNbO₃
F4:电极 IDT电极形成于压电膜的一面
F5:关键厚度 位于压电膜之下、高声速支撑基板之上的低声速膜,厚度为0.1λ~0.5λ;λ由IDT电极周期确定

本次比对特别注意了三点:单质Si不在授权权利要求1的高声速支撑基板材料列表内;权利要求1没有限定压电膜必须≤1.5λ;“支撑基板+高声速膜”的结构属于另一独立权利要求10的表述,不能不加区分地套用于权利要求1。谷歌专利

二、筛选出的韩文专利及优先级

下表中的A、B文本属于同一韩国申请的不同公开版本,不按两件独立证据重复计数。

编号 韩国公开文本 韩国公开日 原始申请人 本轮评价
D1 KR20010083777A 2001-09-01 Thomson-CSF/汤姆逊-CSF 结构主引证:优先级最高。谷歌专利
D2 KR20070092110A;对应授权文本KR100856218B1 2007-09-12;B文本2008-09-03 富士通媒体器件、富士通 同材料体系及0.25λ参数证据。谷歌专利
D3 KR20060129514A;对应授权文本KR100804407B1 2006-12-15;B文本2008-02-15 村田制作所 0.1λ、0.3λ、0.5λ具体厚度及调节作用证据。谷歌专利
D4 KR20020084332A;对应授权文本KR100576249B1 2002-11-07;B文本2006-05-03 서울전자통신(주) 金刚石/压电薄膜/IDT的辅助证据。谷歌专利
D5 KR20050045913A;对应授权文本KR100593354B1 2005-05-17;B文本2006-06-28 富士通媒体器件、富士通 氧化硅键合层及厚度选择的辅助证据。谷歌专利

三、核心文献逐件分析

D1:KR20010083777A——最值得优先使用的结构主引证

韩文名称:
지지 기판상에 분자 접합제로 접합되는 압전 재료의박층에서 안내되는 표면 음파 장치와, 그 제조 방법

**中文意译:**通过分子键合连接于支承基板的压电材料薄层中的导波声表面波装置及其制造方法。

1. 对权利要求1的实质贡献

该文献公开的基本层叠关系是:

支承基板4 → 分子键合层3 → 压电薄层1 → 换能电极2。

其材料说明及权利要求进一步列出:支承体可采用蓝宝石;键合层可采用SiO₂;压电材料可采用LiNbO₃或LiTaO₃。因此,应重点研究其蓝宝石材料分支,而不是文献同时列出的Si支承体分支。相关定位为权利要求1~3、6,以及说明书材料选择部分。谷歌专利

这篇文献的重要性在于,它公开的是由支承体承载的压电薄层,不是仅在厚LiNbO₃基板上沉积若干覆盖膜。说明书还讨论了支承体中声速高于压电层中声速的导波条件,以及由此实现的能量约束。谷歌专利

图1及图2e则提供了电极位于压电薄层表面的结构依据。其IDT对应应结合图1中的交替极性换能电极排列理解,不能仅凭摘要中的“电极”二字认定。专利图片

2. 明确缺口:没有找到0.1λ~0.5λ的直接公开

D1的权利要求4给出的键合层厚度是“数百埃”量级,而不是目标权利要求的归一化厚度范围。文中关于“1~30μm”的表述关联压电薄层/声波波长尺度,不能转用于证明SiO₂键合层厚度。专利图片

因此,我将D1评价为:

结构对应较强,适合作为主引证;低声速膜相对厚度仍需其他证据补强。

**优先取证位置:**韩文公开文本权利要求1~4、6;PDF第2~4页、第7页;第10页图1及第12页图2e。正式比对还应核实所采用材料分支、传播模式与“高/低声速”含义的一致性。


D2:KR20070092110A——最有针对性的0.25λ及声速关系证据

**韩文名称:**탄성 경계파 디바이스
**中文意译:**弹性边界波器件。

1. 明确公开的相关结构

D2公开了LiNbO₃压电基板、IDT电极、SiO₂膜和Al₂O₃膜构成的边界波结构,并说明SiO₂的声速低于相邻介质,较高声速的Al₂O₃层有助于约束声波;LiTaO₃也被列为可选压电材料。核心位置是说明书第**〈37〉、〈40〉、〈60〉段**。专利图片

2. 最有价值的厚度数据

说明书第**〈59〉段**明确记载:

  • SiO₂膜14的厚度为 500nm;
  • 电极12的周期为 2000nm。

结合该文献以电极周期表示λ的定义,可直接计算:

\[ \frac{h_{\mathrm{SiO_2}}}{\lambda} =\frac{500\,\mathrm{nm}}{2000\,\mathrm{nm}} =0.25 \]

即SiO₂膜厚度为0.25λ,处于目标0.1λ~0.5λ范围内。该数据已在韩文PDF第8页核对。专利图片

这里有一个容易发生的误读:同段及图12中的 0.25λ、0.30λ、0.35λ曲线系列,讨论的是Al₂O₃膜厚度,不是SiO₂膜厚度。用于低声速膜比对的证据,应当是上述“500nm/2000nm”的明确数据。专利图片

3. 为什么它仍不宜单独用于完整新颖性攻击

D2中的LiNbO₃主要被公开为压电基板,Al₂O₃主要为覆盖膜。这与目标的“高声速支撑基板/低声速膜/压电膜”在层的结构角色上有差异;把附图上下翻转,并不能自动把覆盖膜变成支撑基板、把体基板变成压电膜。图11清楚显示了这一差别。专利图片

评价:D2适合补强相关材料体系、声速配置和范围内厚度点,但不能略去“压电膜”和“支撑基板”两项结构差异。

**优先取证位置:**第〈37〉、〈40〉、〈59〉、〈60〉段;PDF第6、8页及第15页图11。第〈59〉段原文将500nm/2000nm数据关联到图9,制作证据摘录时宜保留这一原始表述,不擅自改写为图11的具体参数。


D3:KR20060129514A——厚度选择及其技术作用的重要证据

**韩文名称:**탄성 경계파 장치의 제조방법 및 탄성 경계파 장치
**中文意译:**弹性边界波装置的制造方法及弹性边界波装置。

1. 直接命中范围内的多个具体数值

D3的实施例2明确制作了SiO₂膜厚分别为:

0.1λ、0.3λ、0.5λ和1.0λ

的结构。图9、图10又分别给出SiO₂厚度为0.1λ、0.3λ、0.5λ时,声速及频率温度系数随另一介质层厚度变化的关系。这些数值确实属于SiO₂第二介质层H2,不是电极厚度。专利图片

这件文献比“恰好出现一个数值”更有价值:它讨论了层厚变化与声速、频率调整及温度特性的关系。因此,可用于研究“相对厚度是具有已知声学作用的可调参数”这一论证方向。谷歌专利

2. 必须保留的结构差异

上述具体实施例采用LiNbO₃基板、SiO₂及多晶Si层,不是明确的蓝宝石支撑基板/SiO₂/LiNbO₃薄膜结构。说明书虽在一般材料列表中列出蓝宝石、AlN、氮化硅等,也不能据此声称同一具体实施例已经明确采用蓝宝石替代多晶Si。谷歌专利

另外,引用时宜准确表述为“公开了位于目标范围内的多个厚度点及相关调节规律”,而不是把几个离散实施值改写成原文直接提出了同一完整连续范围。

评价:D3是较强的参数选择和技术启示辅助文献,与D1配合的研究价值明显高于其单独使用价值。

**优先取证位置:**实施例1、2;PDF第10~12页,以及第17页图9、图10。


四、另外两件可保留的辅助文献

D4:KR20020084332A——金刚石与压电薄膜的组合证据

**韩文名称:**다이아몬드 박막을 이용한 표면 탄성파 필터의 제조 방법
**中文意译:**利用金刚石薄膜制造声表面波滤波器的方法。

该文献公开了金刚石薄膜、压电薄膜及IDT结构;压电材料候选明确包括LiNbO₃、LiTaO₃,并允许IDT位于压电薄膜上方或下方。它可补充说明金刚石声学层与这些压电薄膜材料的组合及制造可行性。谷歌专利

**主要限制:**其金刚石层属于由Si基板承载的复合结构;更重要的是,制程中出现的SiO₂层20是随后去除的工艺层,不能把它当成最终器件中位于金刚石与压电膜之间的低声速膜。故本篇不宜作为主要完整对比文件。谷歌专利

D5:KR20050045913A——氧化硅键合层及总厚度选择证据

**韩文名称:**탄성 경계파 디바이스 및 그 제조방법
**中文意译:**弹性边界波器件及其制造方法。

该文献公开将压电基板一侧的SiO₂膜与第二基板一侧的SiO₂膜直接键合,并按声学、温度特性选择中间层总厚度。其说明书优选总厚度约0.6λ,同时列举可考虑0.5λ~1λ范围,因此其下端点0.5λ对本次厚度分析具有辅助价值。谷歌专利

但应强调:**不能只抽取其中一层的0.3λ或0.28λ,把两层合成后的低声速中间层也写成这个厚度。**而且,其示例中的Si第二基板及压电体基板角色,仍不能直接覆盖目标权利要求1。谷歌专利

五、三件核心文献的技术特征对照

下表是技术比对,不代表已经完成新颖性或创造性的法律判断;“对应”仍须连同具体材料分支、结构及传播模式理解。依据为前述三件文献及目标授权权利要求。谷歌专利

目标特征 D1:KR20010083777A D2:KR20070092110A D3:KR20060129514A
指定材料的高声速支撑基板 较强对应:蓝宝石支承材料分支,并有导波声速条件说明 Al₂O₃材料相关,但其角色主要是覆盖膜 具体实施例为多晶Si层;一般材料列表不能替代具体结构对应
中间低声速膜材料 SiO₂键合层;声速属性需结合材料和模式核实 SiO₂及低声速作用明确 SiO₂第二介质层
低声速膜位于支承体与压电薄膜之间 基本层序较接近 压电基板与覆盖膜的结构角色有差别 压电基板及多介质覆盖结构有差别
LiTaO₃/LiNbO₃压电膜 压电薄层明确,材料候选明确 材料对应,但主要公开为基板 LiNbO₃主要公开为基板
压电膜一面的IDT 需结合图1、图2e确认换能电极对应 IDT明确,但仍存在压电膜角色问题 IDT明确,但仍存在压电膜角色问题
低声速膜0.1λ~0.5λ 未找到直接公开 500/2000=0.25λ 0.1λ、0.3λ、0.5λ具体值
本轮适宜角色 结构主引证 材料、声速及参数辅引证 参数选择与调节作用辅引证

六、值得优先研究的两条组合路线

路线一:D1+D2——结构与同材料体系参数的结合

这一路线的研究重点,是保留D1的薄膜型导波装置基本结构,考察D2关于SiO₂低声速层及范围内厚度点的教导,是否给出了调整D1中间层厚度的合理技术理由。

其优势在于,不必从一个厚压电基板器件出发,再同时论证压电薄膜化和支撑体角色转换;主结构由D1提供,参数补强由D2提供。

但不能省略的论证是:D1的SiO₂首先承担分子键合功能,而D2讨论的是边界波器件中的声学介质层。需要解释在D1结构中增大该层相对厚度的动机、可行性及可预期声学影响,不能仅以“材料都是SiO₂”就直接搬用0.25λ。上述区别来自两篇文献各自公开的结构与用途。谷歌专利

路线二:D1+D3——结构与厚度调节规律的结合

这一路线更侧重于:D3不仅提供落入范围的具体厚度值,还研究了层厚变化对传播特性的影响,是否足以支持在D1结构中将相对厚度作为声学设计参数进行选择。

需要重点防范“事后拼接”:D3的多晶Si覆盖结构、边界波传播条件与D1不完全一致。充分的技术论证应说明哪些规律可以迁移,哪些受压电薄膜厚度、晶向、电极位置和边界条件影响,不能只罗列“D1有结构、D3有数字”。谷歌专利

此外,D1的数百埃键合层描述也应正面处理:它本身不等于禁止更厚的键合层,但不能据其未禁止,就反推目标厚度选择必然显而易见。


最终评价

本轮最值得优先保全并制作中文特征对照译文的是:

KR20010083777A+KR20070092110A,以及KR20010083777A+KR20060129514A。

前者侧重接近的层叠结构、相关材料体系与0.25λ参数;后者侧重接近的层叠结构与多个厚度实施值、厚度调节作用。D4、D5适合作为材料及工艺背景补强,不宜与前三件赋予同等权重。

目前的关键工作已从“找一篇也有SiO₂和LiNbO₃的文献”,推进到更具体的问题:**能否证明,在D1的薄膜型支承结构中,将SiO₂中间层厚度选入0.1λ~0.5λ,具有在先技术启示和可合理预期的技术效果。**这将比继续堆积仅有相同材料名称的文献,更直接关系到对授权权利要求1的有效攻击力度。

本报告属于技术检索与证据分析,不构成专利无效结论或法律意见。

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

检索结论

本轮检索中,最值得优先用于评估 CN103262410B 权利要求1稳定性的英文专利,是 US5446330A、US6445265B1 和 US20040226162A1。

这三件文献的作用不同:US5446330A 提供“埋置无机中间膜厚度不超过半个表面声波波长”的明确限定;US6445265B1 和 US20040226162A1 则提供蓝宝石支撑基板、二氧化硅中间层、铌酸锂或钽酸锂压电层及电极的结构依据。 因此,当前证据更适合重点研究“两件文献组合”的路线,而不是直接宣布某一件已经完整破坏目标权利要求1的新颖性。专利图片

以下按授权权利要求1比对,筛选门槛为英文文献本身的公开日早于2010年12月24日,不是仅看优先权日。报告属于技术检索与证据分析,不构成无效结果的法律判断。


一、先明确目标权利要求1的检索要素

CN103262410B 名称为“弹性波装置及其制造方法”,其记载的最早优先权日为2010年12月24日,授权公告日为2016年8月10日。授权权利要求1可以拆分为以下五组要素。谷歌专利

编号 需要比对的技术要素
F1 高声速支撑基板:材料限定为氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC或金刚石,以及权利要求规定的以这些材料为主成分的材料或混合材料。
F2 低声速膜位于高声速支撑基板上:材料包括氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、掺氟/碳/硼的氧化硅等。
F3 压电膜位于低声速膜上,材料为 LiTaO₃ 或 LiNbO₃。
F4 IDT电极形成于压电膜的一面。
F5 以IDT电极周期确定的弹性波波长为λ,上述埋置低声速膜的厚度为0.1λ~0.5λ。

上述拆分直接来自授权文本。特别需要避免三种误读:硅基板不在F1所列材料中;权利要求1要求的是高声速“支撑基板”,不能直接替换为权利要求10的“另外的支撑基板+高声速膜”;权利要求1没有写入从属权利要求中的压电膜厚度上限、晶体切角或SH模式限定。 此外,“一面”不等于必须是裸露的最上表面。谷歌专利


二、筛选出的英文专利清单

下表中的六件美国文献均满足用户指定的公开时间条件;另列一件更早的英文欧洲同族文本。

编号 英文专利文献 公开日 对目标权利要求1的主要贡献 当前定位
D1 US5446330A — Surface acoustic wave device having a lamination structure 1995-08-29 非压电支撑/无机中间膜/单晶压电薄板/IDT;明确中间膜厚度≤0.5λ;列举氧化硅、LN/LT。 最重要的归一化膜厚证据。谷歌专利
D2 US6445265B1 — 分子键合压电薄膜导波器件及其制造方法 2002-09-03 蓝宝石支撑、SiO₂键合层、LN/LT压电薄膜及电极;讨论支撑与压电层声速关系及导波。 优先考虑的结构主文献。谷歌专利
D3 US20040226162A1 — Method and manufacturing surface acoustic wave device 2004-11-18 第三实施例明确蓝宝石/中间膜/LT/SAW电极;中间膜优选材料包括SiO₂。 另一件重要的结构主文献。谷歌专利
D4 US20040036381A1 — 常温键合的SAW滤波器及制造方法 2004-02-26 LN/LT与支撑之间设置SiOx键合膜,给出1~15 μm厚度范围。 埋置氧化硅层及厚度设计的辅助证据;硅支撑不匹配F1。谷歌专利
D5 US20030199105A1 — 氢离子注入分层制造压电谐振器及SAW器件 2003-10-23 在蓝宝石、金刚石等高声速基底上形成LN/LT薄层及换能电极。 高声速支撑材料选择、薄膜转移的辅助证据。谷歌专利
D6 US5998907A — Surface acoustic wave devices and their manufacturing method 1999-12-07 Si支撑/1000 Å氧化硅中间层/LT/梳状电极。 较早的埋置氧化硅键合结构证据;材料和归一化厚度仍有缺口。谷歌专利

D1的更早英文同族:EP0616426A1,公开日1994年9月21日。 已核对其英文原始公开文本及封面日期。可与US5446330A同时留存,但它们属于同族,不能当成两个彼此独立的技术来源重复计算。下文采用美国文本的权利要求编号定位证据。专利图片


三、三件核心文献的深入比对

1. D1:US5446330A——最关键的是权利要求31,而不只是摘要

建议定位:美国原文第34~35栏,权利要求30、31、35、36、38、39;第30栏,Example 4-2;图20。

其权利要求30给出非压电基板、单晶压电薄板、位于二者之间的无机薄膜,以及用于激发表面声波的IDT。权利要求31进一步规定该无机薄膜厚度:

“equal to or less than half of the wavelength”

也就是不超过所述表面声波波长的二分之一。这不是把微米数值事后换算成λ,而是文献本身写出的归一化厚度限制。专利图片

围绕同一结构,该文献还记载:无机薄膜可以是氧化硅或氮化硅;压电薄板声速可以低于非压电基板声速;压电材料可以选用铌酸锂或钽酸锂。图20也显示了支撑、中间膜、压电薄板及其上电极的层叠关系。专利图片

对目标膜厚的贡献。 Example 4-2写到,中间膜厚度为半波长以下,更优选十分之一波长以下。因此,D1不仅与目标的0.1λ~0.5λ存在数值范围交集,还涉及0.5λ和0.1λ这两个边界。但应准确表述为:它公开了上限及优选上限,并没有原样写出“下限0.1λ、上限0.5λ”的目标区间。专利图片

不能忽略的缺口与文本问题:

  • 支撑材料并未干净匹配目标列表。 Example 4-2及权利要求39列举硼、非晶碳、石墨。不能仅凭“非晶碳”便认定其必然是目标权利要求中的DLC。专利图片
  • Example 4-2原文存在前后不一致。 开头写中间膜为氧化硅或氮化硅,后面的具体描述却出现非晶硅或多晶硅。这一问题在原始PDF中也存在,不只是网页识别错误。因此,应以清楚的权利要求30、31、35等结合说明书整体取证,不能只摘录其中有利的一句。专利图片

我的判断:D1是本轮最有价值的膜厚补充文献,但现阶段不宜把它单独标成已完整覆盖目标权利要求1的文献。 尤其不能将并列材料选择、不同段落和背景技术不加分析地拼成一个具体实施例。

2. D2:US6445265B1——优先作为结构主文献

建议定位:说明书第1栏的发明概述、第3~4栏的具体结构和制造方法;图1、图2a~2e。

该文献在同一总体方案中说明:承载材料可以选择蓝宝石等,压电材料可以选择石英、LN或LT,分子键合材料可以选择二氧化硅。其制造过程是在压电材料上形成SiO₂键合层,与承载基板键合,再减薄压电材料并制作电极。图2e对应的基本关系可概括为:

承载基板40/SiO₂键合层30/压电薄层10/电极20。谷歌专利

其价值不只在于材料名称重合。说明书明确讨论:承载基板中的体声波速度高于压电层中的声速时,压电薄层能够表现为声波导,并获得较低损耗等效果。 这使其与目标的声速分层思路有实质联系,而不只是普通机械粘接结构。谷歌专利

主要缺口是氧化硅膜厚。 文献出现“数百埃”的SiO₂沉积厚度,但这不能直接写成目标的0.1λ~0.5λ。文中“一个声波波长量级、约1~30 μm”的描述指向压电层厚度,不是氧化硅层厚度。谷歌专利

还有一个取证细节:其授权权利要求1包含承载基板在活性区对应位置被挖空的限定。 因而作为目标结构证据时,应重点引用说明书及图1、图2的相关未挖空结构,而不能只复制其权利要求1,便把它说成完整的实心支撑方案。谷歌专利

我的判断:D2适合承担材料、层次关系和导波思想的主证据角色,再由D1补充归一化中间膜厚度。

3. D3:US20040226162A1——蓝宝石/SiO₂/LT的另一直接入口

建议定位:第三实施例,[0071]~[0079],尤其[0072]、[0073]及图7。

[0072]明确采用LT压电基板11、蓝宝石支撑基板21,并在两者之间设置中间膜23;[0073]将SiO₂列为该中间膜的优选绝缘材料之一。图7对应蓝宝石、LT和其上的SAW谐振器结构。因此,这不是仅在背景中分别提到三个材料,而是在同一实施例框架中给出了相互位置及中间膜选择。谷歌专利

两处容易造成错误结论的数值必须分清:

文献中的数值 实际对应对象 不能作出的推断
[0068]约1 μm 第二实施例中的硅薄膜 不能将其替换成1 μm的SiO₂膜。
[0078]15 nm 实验使用的AlN中间膜 不能写成SiO₂膜的实测厚度。

此外,[0077]从保持表面平滑、利于键合的角度,提出中间膜尽可能薄;这不是对0.1λ~0.5λ区间的直接支持,组合分析时必须正面处理这一偏好。谷歌专利

该文献将压电部分称为“基板”,同时另有键合后减薄的说明。因此,其与目标“压电膜”的对应应结合结构及减薄过程核对,不能只按名称判断相同或不同。谷歌专利

我的判断:D3是重要的替代主文献,尤其适合证明蓝宝石/氧化硅/LT层叠选择;其不足仍是目标归一化膜厚。


四、核心要素对应表

下表表示已核实的披露程度,不是新颖性或创造性的最终法律结论。

目标要素 D1:US5446330A D2:US6445265B1 D3:US20040226162A1
F1 指定材料的高声速支撑基板 有高声速非压电支撑思想;具体材料与目标列表仍有缺口 蓝宝石选项,并讨论较高声速承载基板 明确蓝宝石支撑
F2 位于支撑与压电层之间的指定低声速材料膜 氧化硅中间膜有明确记载 SiO₂键合层明确 SiO₂为中间膜优选材料
F3 LN或LT压电膜 LN/LT薄板选择明确 LN/LT薄膜选择明确 LT结构明确;“基板/膜”对应需结合减薄内容
F4 压电层一面的IDT 明确 明确 明确
F5 埋置膜厚0.1λ~0.5λ ≤0.5λ;更优选≤0.1λ,与目标区间重叠,但非原样区间 未找到明确对应区间 未找到明确对应区间

各列依据分别为D1的权利要求及Example 4-2、D2的总体方案与制造流程、D3的第三实施例。材料名称对应之外,高/低声速的物理对应仍应结合所采用声波模式核验。专利图片


五、优先研究的两条组合路线

路线A:D2 US6445265B1 + D1 US5446330A

这是我建议优先评估的一组。

技术分析的起点是:D2已经给出相当接近目标的材料和层叠结构,并涉及高声速承载基板上的薄膜导波;待补充的关键是埋置SiO₂层的归一化厚度。D1恰好讨论同类层叠SAW器件中无机中间膜的波长尺度,并明确写出≤0.5λ。两者的联系在于压电薄层、无机键合中间膜及声学性能设计,不只是共有“二氧化硅”一词。谷歌专利

这条路线仍需解决一个实质问题:为什么会将D1的厚度教导用于D2,并选择落入目标区间的厚度? 特别是D1更优选≤0.1λ,而D2举出的键合膜也较薄。我的判断是,D1给出了有用的范围及边界证据,但仅以“常规优化”四个字代替组合理由,证据链仍不充分。专利图片

路线B:D3 US20040226162A1 + D1 US5446330A

这一路线的优势在于:D3第三实施例对蓝宝石支撑/中间膜/LT/SAW电极的对应更直观,且SiO₂是明确的中间膜选项;D1提供波长尺度厚度依据。谷歌专利

相较路线A,主要难点是D3对中间膜的讨论偏向键合强度、表面平整及电气影响,并提出尽量薄。因此,需进一步说明将D1的声学厚度设计用于这一键合结构的技术理由,不能因为两件文献分别出现“SiO₂”和“0.5λ”,就视为组合已经成立。谷歌专利

不建议目前直接采用的说法是:“D1的非晶碳就是DLC,所以D1单独完整公开了权利要求1。” 这一等同需要更具体的材料披露支持,现有文字不足以排除其他非晶碳材料。专利图片


六、其余三件文献如何发挥作用

D4:US20040036381A1——证明埋置氧化硅膜厚是可设计参数

定位:权利要求1、3、6、7、8,以及11、13、16、19。

其披露LN/LT压电部分、表面电极、Si支撑和氧化硅键合膜,键合膜厚度范围为1~15 μm。适合辅助说明:在此类复合SAW结构中,埋置氧化硅层并不只限于极薄的界面残留层,其厚度可以作为器件设计参数。谷歌专利

不足是Si支撑不符合目标F1,微米范围也不自动等于目标λ范围。该文献关于减小寄生电容的部分理由针对硅支撑,不能不加区别地转用于绝缘蓝宝石支撑。因此,它更适合辅助说明,不宜取代D1作为膜厚主证据。谷歌专利

D5:US20030199105A1——补强高声速材料选择与薄膜制造

定位:[0068]~[0071],尤其[0069]、[0070]。

文献明确讨论在蓝宝石、金刚石或硅上金刚石等高声速材料上形成薄压电层,并将LN/LT列入可采用材料;还说明形成输入、输出换能电极及离子注入分层工艺。它适合支持高声速支撑材料选择及LN/LT薄层制造的可行性。谷歌专利

但高声速基底实施例和后面的CMP氧化层/集成电路实施例并不相同,不能把二者直接拼成“金刚石/SiO₂/LN”具体实施例;目标膜厚区间也没有因此得到补足。谷歌专利

D6:US5998907A——较早的氧化硅中间层结构

定位:第六实施例,图7及对应说明。

其记载Si辅助基板、1000 Å氧化硅绝缘膜、LT主基板及梳状电极,并说明通过中间膜连接两种基板。它可作为埋置氧化硅键合结构的历史性证据。谷歌专利

其不足同样明确:Si不匹配目标支撑材料;1000 Å=0.1 μm,不是0.1λ,没有同一实施例的波长依据便不能作这种替换。该文献还采用相对声波波长较厚的压电部分,声学结构对应需要进一步核验。谷歌专利


七、检索中应降级处理的“表面命中”文献

为避免把关键词命中误判成有效证据,以下文献虽满足时间条件,但不宜承担目标关键特征的主证明作用。

文献 看似相关之处 不能直接用于目标比对的原因
US20090085429A1,2009-04-02 SiO₂及0.25λ、0.35λ等归一化厚度 相应SiO₂是电极区域填充/表面覆盖结构,不能当作目标压电膜下方的埋置低声速膜。谷歌专利
US20090256444A1,2009-10-15 压电体与支撑之间有薄键合层,出现0.1~0.5数值 相关层为有机粘接材料,且厚度单位是μm,不是λ;材料与单位均不能偷换。谷歌专利
US20100038993A1,2010-02-18 金刚石、压电层、SiO₂及归一化厚度 相关方案采用AlN压电层,且涉及表面覆盖层;其中2πH/λ也不能直接当作H/λ。谷歌专利
US20080211602A1,2008-09-04 压电层下方的多层声反射结构 多层反射镜结构及材料与目标不同,不能将反射镜的厚度设计直接替代目标单一低声速膜的IDT波长归一化厚度。谷歌专利

此外,检索到的JP2007228225A等日文文献可以用于追踪技术线索,但Google Patents显示的机器英文翻译,不等于该专利曾以英文原文公开。本报告没有把这类页面当成满足“英文专利”要求的主清单文献。谷歌专利


最终建议的证据优先级

第一优先组:US6445265B1+US5446330A。 前者承担接近目标的结构及声速分层思想,后者承担埋置中间膜的波长尺度厚度证据。

第二优先组:US20040226162A1+US5446330A。 前者承担更直观的蓝宝石/SiO₂/LT结构对应,后者补充膜厚。以上两组是基于本轮已核实披露作出的技术优先级判断。谷歌专利

就本轮结果而言,真正值得继续集中论证的,不是“LN/LT上有没有IDT”,而是“将已知蓝宝石/SiO₂/LN或LT结构中的埋置SiO₂层选为0.1λ~0.5λ,是否已有足够明确的技术启示”。 D1显著增强了这一方向的证据,但材料选择、区间选择及薄膜偏好的组合理由,仍是决定证据强度的关键。

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

检索结论

本轮检索中,最值得优先用于比对CN103262410B授权权利要求1的是DE102005055871A1和DE102005055870A1,二者均于2007年5月24日以德文公开。关键不只是材料名称相同:两篇文献都明确记载了位于压电体与支撑体之间的介电层,以及0.15λ—0.5λ的优选厚度范围。我已核对这两处记载的德文原始PDF。专利图片

另外,DE69413280T2、DE102006019961A1和DE69522747T2分别可补强薄单晶压电层、归一化膜厚及电极周期定义、金刚石与LiTaO₃材料组合等方面。以下将“单篇接近完整对应”和“只能补充部分特征”分开,不把它们统称为能够直接无效权利要求1的文献。

本次采用的时间条件是:所引用德文文本自身的公开日严格早于2010年12月24日,而不是优先权日早于该日期。

一、建议保留的核心德文文献

以下编号D1—D5仅用于本报告中的比对。

编号 德文公开号 德文文本公开日 德文名称 本轮评价
D1 DE102005055871A1 2007-05-24 Elektroakustisches Bauelement,电声元件 优先级最高:单篇完整比对候选。patents.google.com
D2 DE102005055870A1 2007-05-24 Elektroakustisches Bauelement,电声元件 与D1并行保留,尤其适合层叠关系及膜厚范围分析。谷歌专利
D3 DE69413280T2 1999-04-22 Akustische Oberflächenwellenanordnung mit laminierter Struktur,具有层叠结构的声表面波装置 重要补强文献:薄单晶压电层和下方无机中间膜。谷歌专利
D4 DE102006019961A1 2007-10-31 Elektroakustisches Bauelement,电声元件 重要补强文献:电极周期与波长、具体归一化厚度取值。谷歌专利
D5 DE69522747T2 2002-02-28 Akustische Oberflächenwellenanordnung von Diamant-LiTaO3,金刚石—LiTaO₃声表面波装置 材料组合补强;不能替代下方低声速膜证据。谷歌专利

D3、D5采用的是正式公开的德国T2译文文献,不是把美、日专利的Google Patents显示语言切换为德文后视作“德文专利”。


二、首先锁定授权权利要求1的实际限定

本报告比对的是CN103262410B的授权权利要求1,不是摘要,也不是另一项独立权利要求10。其关键特征可拆成以下六项。谷歌专利

特征 授权权利要求1的限定
F1:支撑体 高声速支撑基板;材料限定为氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜、金刚石,或权利要求列明的以这些材料/混合物为主成分的材料。
F2:中间膜材料 低声速膜;材料限定为氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、添加氟/碳/硼的氧化硅化合物,或以这些材料为主成分的材料。
F3:压电膜 由LiTaO₃或LiNbO₃构成。
F4:电极 IDT电极形成于压电膜的“一面”。
F5:层叠位置 低声速膜在高声速支撑基板上,并位于压电膜之下。
F6:厚度 下方低声速膜厚度为0.1λ—0.5λ;λ是由IDT电极周期确定的弹性波波长。

这里有三点直接影响检索判断:**纯硅Si并不在F1的材料清单中;权利要求1没有把IDT限定在压电膜的上表面;压电膜≤1.5λ的数值限定属于从属权利要求3,不是权利要求1的文字限定。**因此,不能因为文献使用硅支撑体就认定材料命中,也不能仅因采用埋置IDT或较厚压电层就立即排除。谷歌专利


三、D1:DE102005055871A1——当前最强的单篇候选

1. 精确定位与对应关系

下表页码采用德文PDF页脚页码,段落号采用原始公报段落号。

比对项目 D1中的对应记载 证据位置
F1:规定材料的支撑体 第二基板的备选材料明确包括Al₂O₃。 [0034],第4/15页。专利图片
F2:低声速膜材料 介电层优选为SiO₂。 [0037];权利要求8。专利图片
F3:LiTaO₃/LiNbO₃压电膜 列明这两种压电材料;另公开生长压电层、后续剥离生长基板的形式。 [0032]—[0033],第3—4/15页。专利图片
F4:压电体一面的IDT 换能器具有相互交错的梳状电极;电极位于压电第一基板与介电层之间。 [0005]、[0018]。专利图片
F5:下方中间膜 图1D显示:第一基板1在上,介电层32居中,第二基板2在下。 图1D,第12/15页。专利图片
F6:膜厚范围 层系统厚度优选等于介电层厚度;一般范围0.1λ—λ,优选范围0.15λ—0.5λ。 [0042],第4/15页。专利图片
声速关系 记载中间层声速较低,并在权利要求38、39进一步限定层系统及两基板的声速关系。 [0016]—[0017];权利要求38、39。专利图片

**最值得摘录的是[0042],而不只是权利要求36。**后者仅给出较宽范围;说明书中的优选范围则完全落入目标范围:

\[ [0.15\lambda,\;0.5\lambda]\subseteq[0.1\lambda,\;0.5\lambda] \]

这意味着,厚度方面不能仅以“D1下限0.15λ与目标下限0.1λ不同”作为未命中的理由。

2. 对D1的评价

我的判断是:D1已经值得作为新颖性分析的首要单篇候选,而不仅是一般背景文献。

但“各特征能够定位”与“已经完成单篇完整公开的论证”仍有区别。最需要核实的是:Al₂O₃备选支撑体、生长/转移压电层形式、上述优选介电层厚度,是否能够在D1的整体教导下直接组成所比对的同一技术方案,而不是把几个互不相容的实施选择拼在一起。

另一个关键是“压电膜”的解释。不能只看到D1使用“第一基板”这个名称就排除,也不能反过来把所有压电基板都直接称作膜。[0033]中的生长压电层及生长基板剥离方案,是处理这一问题的重点证据。


四、D2:DE102005055870A1——同样明确命中优选膜厚

D2不是D1的编号变体,而是另一件德国公开申请;两者均来自EPCOS,且在同一天公开。专利图片

D2中最有价值的定位如下:

位置 对目标权利要求1有贡献的内容
[0004]—[0009],第2/11页 支撑体/中间层系统/较薄压电体结构;支撑体备选包括Al₂O₃;压电材料包括LiTaO₃、LiNbO₃。
[0012]—[0014],第2/11页 中间介电层具有较低声速,优选SiO₂。
[0016],第3/11页 电极结构埋置于压电体与介电层之间。
[0023],第3/11页 介电层对应的厚度一般为0.1λ—λ,优选0.15λ—0.5λ。

上述内容可在德文PDF第2、3页直接复核。专利图片

D2的额外价值是对“支撑体”以及λ含义的表述较清楚。[0006]将λ解释为工作频率或中心频率处的GBAW波长;但其压电体优选厚度为3—30个波长,因此“压电体是否对应目标所称压电膜”仍需单独分析。专利图片

我的排序仍将D1放在D2之前:不是因为D2缺少关键中间膜厚度,而是D1提供了更直接的压电层形成方式线索。D1、D2应分别完成比对,不宜因为出自同一申请人就把它们当成一份文件。


五、D3:DE69413280T2——薄单晶压电层与下方无机膜的重要早期证据

这篇文献的优势在于,它不是仅讨论块状压电基板上的表面覆盖膜,而是公开了非压电支撑体、无机中间膜、薄单晶压电片及IDT的组合。其权利要求1、3、7、8可用于定位这一层叠关系。谷歌专利

建议重点提取以下权利要求:

权利要求 相关内容
34 无机中间膜厚度不大于声表面波波长的一半,即**≤0.5λ**。
38 中间膜可采用氧化硅。
39 薄压电片的声传播速度低于非压电支撑体。
41 压电材料包括LiNbO₃、LiTaO₃。
43 薄单晶压电片厚度**≤λ**。

这些限定在德文权利要求文本中均可直接定位。谷歌专利

**它的主要缺口是支撑材料,而不是有没有层叠结构。**权利要求42列举的是硼、非晶碳和石墨。就本轮核实的这条材料链而言,不能未经进一步证明,就把“非晶碳”当作目标权利要求中的DLC,也不能将石墨当作金刚石。谷歌专利

因此,我把D3定位为:针对“薄单晶压电层+下方氧化硅中间膜+半波长厚度上限”的强补充证据。但只有“≤0.5λ”的上限,也不能直接表述成已经逐字公开了目标的完整0.1λ—0.5λ区间。


六、D4:DE102006019961A1——对波长定义及具体膜厚取值尤其有用

这篇文献值得保留,尤其因为它把两个容易混淆的问题写得相当明确。

其一,电极周期与波长的关系。[0024]—[0025]说明周期电极栅中,沿传播方向相反极性电极之间的间距为半波长。这里使用的声波波长符号是λ₀;不要与该文中表示第一欧拉角的λ混淆。专利图片

其二,中间膜有具体落入目标范围的优选值。[0039]记载SiOₓ中间层;在其指定晶切和W电极条件下,[0062]给出0.4λ₀—0.5λ₀的优选范围,[0064]进一步列出0.4λ₀和0.5λ₀的实施取值。专利图片

其贡献不是只凭一个“大范围相交”,而是能够支持以下技术分析:

埋置周期电极所激励声波的波长,可以作为下方介电中间膜的归一化厚度基准;0.4λ—0.5λ附近已有具体设计教导。

不过,它的具体支撑体方案包括Si,而且压电基板较厚,不能因此认定目标的F1和F3已经完整对应。谷歌专利

D4更适合补强D1/D2的技术解释或组合分析,不能把D4的明确记载直接移入D1,再称为“D1单篇公开”。


七、D5:DE69522747T2——金刚石与LiTaO₃组合的材料证据

D5的权利要求4、5明确公开:

金刚石层/多晶C轴取向LiTaO₃层/位于LiTaO₃层上的IDT。谷歌专利

这使它对目标的“金刚石+LiTaO₃+IDT”材料和器件搭配具有直接贡献,尤其可用于研究D3的支撑材料替换路线。

但其证据边界也很清楚:上述结构没有公开目标所要求的下方低声速中间膜。另外,D5中用 \(kh_1=2\pi t_1/\lambda\) 表示的 \(t_1\),是LiTaO₃层厚度,不是氧化硅或其他低声速膜厚度。不能把这个参数换算后用于证明F6。谷歌专利

所以,D5应作为材料补强文献,而不应作为单篇完整对比文件。


八、建议优先开展的技术比对路线

路线一:先做D1单篇完整比对,D2并行复核

这是目前最有价值的方向。分析时应锁定同一套结构和材料选择,分别回答:

是否确实选用了目标允许的支撑材料;压电层形式是否对应“压电膜”;埋置IDT是否满足“一面”;低声速膜厚度及λ定义是否一致。

尤其需要区分两个层次:D1/D2已有明确的优选厚度记载,但材料选择、压电层形式与该厚度能否共同适用,仍应结合上下文论证,而不是依靠关键词相加。

路线二:以D3处理薄单晶压电层方面的争议

若单篇分析的主要争议落在压电基板与压电膜的对应关系,可进一步研究D1或D2+D3。

不过,组合分析还必须说明:从相关GBAW结构转为较薄单晶压电层后,声学模式、能量分布和中间膜作用是否仍能成立。“层序画得出来”不等于技术上已经证明可以直接组合。

路线三:以D4补强周期、波长和膜厚选择的技术语境

D4适合用于解释和交叉核对归一化膜厚,并考察特定厚度选择的已有技术理由。它不能消除其他文献的材料缺口,也不能将多篇文件的内容合并为单篇新颖性证据。

相较之下,D3+D5的金刚石材料路线可作为备用,但还需要处理中间膜加入后对传播模式的影响,不宜排在D1/D2之前。


九、本轮筛查中特别排除的两类误命中

**有机胶层不能直接当作所要求的低声速膜。**例如,DE102009001192A1虽然于2009年10月29日公开,并列举LiNbO₃/LiTaO₃以及AlN、Al₂O₃等材料,但其核心中间层是有机粘接层。它可补充支撑材料选择,却不宜替代目标规定的无机低声速膜证据。谷歌专利

**早优先权不能替代早公开。**例如,检索链中出现的DE102010056053A1,其优先权日为2010年12月23日,但公开日为2012年6月28日,因此不满足本次要求。谷歌专利

最终排序

优先投入详细比对:D1、D2。
重点补强:D3的薄单晶压电层,D4的波长定义及具体中间膜厚度。
材料备用:D5的金刚石—LiTaO₃组合。

本轮最关键的检索成果,是定位到D1的[0042]和D2的[0023]:这两处不是泛泛提及薄膜,而是针对相关中间介电层明确给出了落入目标范围的优选厚度。当前证据足以支持优先开展单篇完整对应分析;但在材料备选项的共同适用、压电膜解释和声学模式对应完成核实前,不宜直接写成“权利要求1必然无效”。

以上为基于Google Patents及所核对德文公报的技术检索分析,不是无效结论或法律意见;比对版本为CN103262410B授权公报所载权利要求1,未将后续程序中可能发生的修改视为已核实。

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

检索结论

本轮检索中,最值得优先用于构建无效证据组合的两件全文法文专利是:FR2788176A1和FR2474243A1。 前者接近目标的材料及层叠结构;后者明确给出了氧化硅中间层的归一化厚度范围,换算后与目标的 0.1λ~0.5λ存在部分重叠。两件文献分别对应“主体结构”和“膜厚选择”两个关键问题。专利图片

此外,EP0616426B1 的正式法文权利要求提供了中间无机层厚度不大于半波长的公开,但其说明书正文是英文,应与全文法文文献区别列示;FR2882205A1 可作为声能约束、层叠声学结构方面的辅助证据。专利图片

目前核实到的证据,更适合构建创造性评价的组合路线;尚未核实到一件在截止日前公开、能够单独直接且明确地对应授权权利要求1全部技术特征的法文专利。 以下将明确区分已公开内容、数值换算结果及仍需论证的缺口。


一、先明确目标:应检索授权权利要求1,而不是摘要中的一般结构

CN103262410B《弹性波装置及其制造方法》的授权权利要求1可拆分如下。其结构是“高声速支撑基板/低声速膜/压电膜/IDT”,不要与该专利权利要求10中的“支撑基板+高声速膜”结构混为一谈。谷歌专利

特征 授权权利要求1的限定
F1:高声速支撑基板 氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜或金刚石,以及权利要求列明的以这些材料或其混合物为主成分的材料
F2:低声速膜 层叠在上述基板上;材料包括氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、掺氟/碳/硼的氧化硅,以及相应主成分材料
F3:压电膜 层叠在低声速膜上,材料为 LiTaO₃或LiNbO₃
F4:电极 IDT电极形成于压电膜的一面
F5:低声速膜厚度 0.1λ~0.5λ;λ是由IDT电极周期确定的弹性波波长

本次重点对应其中的 氧化铝基板/氧化硅中间膜/铌酸锂或钽酸锂压电膜这一材料路线。膜厚比较必须针对压电膜下方的低声速膜,不能拿压电膜自身厚度、表面覆盖膜厚度或体波声镜的四分之一波长直接替代。谷歌专利

检索日期条件采用:公开日早于2010年12月24日,而不是仅要求优先权日在该日期之前。

二、筛选出的重点文献

编号 文献及公开日 法文情况 对权利要求1的主要贡献
D1 FR2788176A1;2000-07-07 全文法文 蓝宝石支承基板、二氧化硅分子粘接层、LN/LT压电薄层及表面换能电极;最接近主体结构。谷歌专利
D2 FR2474243A1;1981-07-24 全文法文 氧化铝/氧化硅/压电层结构;氧化硅层厚度范围换算后与目标范围重叠;但压电材料为ZnO。谷歌专利
D3 EP0616426B1;1998-09-16 正式法文权利要求;说明书正文英文 中间无机膜≤λ/2,以及氧化硅、LN/LT、不同声速基板等相关限定;适合作为补充证据。谷歌专利
D4 FR2882205A1;2006-08-18 全文法文 压电膜、表面叉指电极与多层声镜;贡献在声学约束及层厚设计思路,而非目标材料和膜厚范围的完整对应。专利图片

D1:FR2788176A1——优先作为主体结构证据

题名:《通过分子粘接层将压电材料薄层粘接于支承基板的导波声学器件及其制造方法》
法文题名开头为 Dispositif à ondes acoustiques guidées dans une fine couche…。原申请人为 Thomson-CSF。谷歌专利

关键定位:说明书印刷页第4页,权利要求2~7所在的第12页,图1、图2e、图4a及其对应说明。

其材料和结构公开与目标的对应关系如下:

目标特征 D1中的具体公开 评价
氧化铝支撑基板 权利要求2列出蓝宝石支承基板 对应目标的氧化铝材料路线;蓝宝石与α-氧化铝的关系也在D2正文中明确说明
基板与压电膜之间的氧化硅膜 权利要求3规定分子粘接层为二氧化硅 材料和层位高度相关
LN/LT压电膜 权利要求6列出铌酸锂、钽酸锂 与目标压电材料直接对应
压电膜表面IDT 图1、图2e、图4a及说明书中关于交指电极、周期和换能器的描述 可用于对应表面电极及波长相关结构

上述对应可由法文权利要求原件、结构附图及正文相互核对;其中蓝宝石即α-氧化铝的说明,见D2说明书第4页。专利图片

D1还讨论了支承基板中的体波声速高于压电薄层、使声能形成导波的机制。因此,它不仅是制造工艺上的“粘接结构”,也具有与目标接近的声学结构意义。专利图片

但D1的关键缺口是氧化硅层厚度。 权利要求4给出的分子粘接层厚度为“数百埃量级”,不能直接视为公开了0.1λ~0.5λ。尤其不能把权利要求7关于压电层厚度约为一个声波波长、约1~30 μm的内容,错用于氧化硅粘接层。谷歌专利

**我的评价:**D1是本轮最值得优先采用的主体结构文献,但不宜单独据此宣称权利要求1已经缺乏新颖性。针对膜厚限定,需要另找直接公开或有充分技术联系的补充证据。

同族中还可调取全文法文的 WO2000041299A1,公开日2000-07-13,以及 EP1060562A1,公开日2000-12-20。这些是同一技术来源的不同公开文本,不应计作三项独立发明证据;引用具体段落时仍应核对各版本内容。谷歌专利

D2:FR2474243A1——最重要的全文法文膜厚补充

法文题名: Dispositif générateur d’ondes acoustiques de surface
中文题名:《表面声波发生装置》
原申请人: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.。谷歌专利

关键定位:说明书印刷页第4、6页;第11页的权利要求1、4~6;图1及图4。

其图1实施结构自下而上为:

α-Al₂O₃蓝宝石基板/氧化硅中间层/很薄的金属短路电极/ZnO压电层/叉指换能电极。

法文正文给出了上述层序;同族英文文本US4354130A也明确将上方电极称为 interdigital electrode,可辅助核对法文旧译术语,但不将该英文同族计入法文检索结果。专利图片

最有价值的内容:氧化硅层厚度与目标范围部分重叠

D2权利要求4规定,氧化硅层厚度为2/k~9/k。正文定义:

\[ k=\frac{2\pi}{\lambda},\qquad kd'=\frac{2\pi d'}{\lambda} \]

其中,\(d'\)是氧化硅层厚度,λ是表面声波波长;正文进一步给出:

\[ 2\leq kd'\leq9 \]

以上不是把ZnO厚度误当成氧化硅厚度,而是已在法文原件中分别核对了变量和层位。专利图片

由此计算:

\[ \frac{d'}{\lambda}\in \left[\frac{2}{2\pi},\frac{9}{2\pi}\right] \approx[0.3183,\ 1.4324] \]

与目标范围的交集为:

\[ \boxed{ [0.3183,\ 1.4324]\cap[0.1,\ 0.5] =[0.3183,\ 0.5] } \]

这意味着:D2公开的氧化硅中间层厚度范围,有一部分落入目标权利要求1的厚度范围。 这里的数值是对D2原始公式的换算,而不是D2逐字写出了“0.3183λ”。

D2还将氧化硅层厚度变化与频率温度系数联系起来,图4和相应正文提供了调节该中间层厚度以改善温度特性的技术依据。它的价值不止是“数字碰巧相交”。专利图片

必须保留的限制

第一,压电材料不同。 D2具体采用ZnO,而目标限定LiTaO₃或LiNbO₃。D2背景技术提到LiNbO₃,并不等于它已经公开了以LiNbO₃替换实施例中的ZnO。谷歌专利

第二,重叠发生在较宽的厚度区间。 D2另给出的更窄范围包括3.2/k~6.3/k、3.9/k~5.3/k;其中前者下限换算约为0.5093λ,已略高于目标上限。因此,不能声称D2的更优选范围也落入目标区间。专利图片

第三,存在附加金属短路层。 其作用、位置及对模式的影响需要核对,不能在对比图中直接删除;但也不宜未经权利要求解释,就认定附加层必然排除“层叠于”的对应关系。值得注意的是,D1权利要求5本身也公开了位于分子粘接层与压电层之间的金属层,可作为进一步分析两件文献结构兼容性的连接点。专利图片

**我的评价:**在本次全文法文结果中,D2对“0.1λ~0.5λ”这一限定的贡献最具体;它更适合作为D1的组合证据,而不是单独作为覆盖全部权利要求的文献。

D3:EP0616426B1——有正式法文权利要求的补充证据

法文题名: Dispositif à ondes acoustiques de surface à structure laminée
中文题名:《具有层叠结构的表面声波装置》。该授权文本公开于1998年9月16日,包含正式法文权利要求;并非将英文网页切换为“/fr”后得到的普通机器翻译。谷歌专利

关键定位:授权PDF印刷页第27~28页的法文权利要求。

其中值得提取的是:权利要求17的中间无机层厚度不大于半个声波波长;权利要求21的氧化硅材料;以及非压电基板分支中权利要求34、38、39、41涉及的膜厚、含硅中间层、压电薄板声速低于支承基板、LN/LT材料等内容。专利图片

它可支持“在压电薄板与支承基板之间设置薄无机中间层,并按声波波长约束其厚度”的技术思路,但**“≤0.5λ”不等于专门选定“0.1λ~0.5λ”**。其英文正文还给出更优选约不大于0.1λ的薄层方案,不能只摘取半波长上限而忽略这一取向。谷歌专利

此外,其高声速非压电支承材料分支列出硼、非晶碳、石墨等;不能不加区分地把“非晶碳”直接等同于目标的DLC,也不能将不同分支的材料选项拼成一个已经明确公开的实施例。谷歌专利

**我的评价:**D3适合作为D1的另一条膜厚补充路线。若证据筛选要求是“说明书和权利要求均须为法文”,应将其放在补充清单,而不是全文法文主清单。

D4:FR2882205A1——声学约束机制的辅助文献

法文题名: Dispositif à ondes acoustiques haute fréquence
中文题名:《高频声波装置》。谷歌专利

其权利要求1~3公开压电膜、表面交指电极,以及具有交替高/低声阻抗层的全向声镜;权利要求7还涉及结合色散关系选择层厚。相关结构见图3。谷歌专利

局限很明确:高/低声阻抗不等于高/低声速。 该文献所示声镜结构也不能直接替代目标的氧化硅低声速膜,更未直接补足所要求的0.1λ~0.5λ范围。因此,我将它列为声能约束和层厚设计方面的辅助证据,而非优先的数值补充证据。谷歌专利

其同族US20080211602A1已出现在目标专利的引用文献中,所以也不宜将D4包装成一项全新的、此前未出现的核心检索发现。谷歌专利

三、建议优先论证的证据组合

首选:D1+D2——主体材料结构与明确膜厚范围相结合

这条路线的技术逻辑是:以D1的蓝宝石/氧化硅/LN或LT/表面换能电极为起点,再研究D2关于同类氧化铝支承基板上的氧化硅中间层,其厚度按声波波长选择并影响温度特性的教导。D2给出的较宽区间与目标厚度范围存在实际交集。专利图片

结合动机并非完全没有文献依据:D1也讨论了降低器件温度敏感性的设计,D2则将温度特性与氧化硅层厚度直接关联。这为围绕温度性能提出组合分析提供了起点。谷歌专利

但以下是必须补强、而不是可以省略的论证:

  • **材料转换的可预期性:**为什么ZnO体系中关于氧化硅膜厚的教导,可以用于D1的LN/LT体系?
  • **增厚中间层的合理性:**D1偏向数百埃的粘接层,为什么技术人员会将其调整到约0.3183λ~0.5λ,而不破坏原有导波、耦合或粘接设计?
  • **波长和模式的一致性:**两篇文献的归一化参数应对应同一类横向传播声波尺度,不能引入体波声镜厚度参数进行混算。

这些问题决定组合的说服力。仅将两件文献的材料和数值列在一起,还不足以得出确定的无效结论。

备选:D1+D3——粘接型层叠结构与半波长上限相结合

这条路线在“压电薄板+无机粘接中间层”的结构思路上较接近,但D3只给出更宽的厚度上限,并存在优选更薄中间层的描述。因此,仍需解释为什么选择目标区间,而不是直接断言凡是落在≤0.5λ之内的厚度都属于已经被明确教导的选择。专利图片

相较之下,D1+D4不是优先的膜厚组合路线:D4更适合说明声学层叠与限域设计背景,不能直接解决目标数值限定。

四、日期排除项与取证定位

一个需要特别排除的相近结果是 FR2947398A1《导波声学谐振装置及其制造方法》。其优先权日虽为2009年6月30日,但公开日为2010年12月31日,晚于用户指定截止日,不能作为本次“2010年12月24日之前公开”的文献列入主证据清单。谷歌专利

正式整理证据时,建议按以下位置提取原件,而不是只保存Google Patents摘要:

文献 优先保存的原文位置 主要证明目的
FR2788176A1 说明书印刷页4;权利要求页12;图1、2e、4a 材料、层序、表面电极、导波机制,以及“数百埃”这一真实膜厚公开。专利图片
FR2474243A1 说明书印刷页4、6;权利要求页11;图1、4 氧化铝/氧化硅结构、氧化硅厚度公式、数值范围及温度性能关联。专利图片
EP0616426B1 印刷页27~28的法文权利要求,并附英文对应正文 半波长上限、中间层材料、压电材料和声速关系;同时保留薄层优选条件。专利图片

最终排序:全文法文主证据优先采用FR2788176A1和FR2474243A1;EP0616426B1作为正式法文权利要求补充,FR2882205A1作为较低优先级的机制背景证据。

本轮最实质性的发现,是 FR2474243A1对氧化硅中间层给出的2/k~9/k范围,换算后与目标低声速膜厚度范围在0.3183λ~0.5λ内相交。尚未解决的核心不是“是否存在相近结构或重叠数值”,而是该厚度教导能否有充分理由从ZnO体系用于D1的LN/LT层叠体系。这应是后续技术论证的中心,而不是直接将检索结果表述为权利要求1已经被单篇文献完整公开。

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B

权利要求1六国补充检索执行报告

中国 法国 美国 日本 韩国 德国

执行及报告日期  2026年10月19日    评价对象  现授权权利要求1

一 本轮结论

已执行补充检索指示中的36条种子查询,并提交30条概念扩展及定向复核查询,共66条,分21个批次。候选定位采用Google Patents的外部网页索引,随后返回Google Patents全文和公报原件核查;未将原生检索页的日期筛选冒称为已成功运行。取得45个全文页面及44份公报PDF,数量包含目标文本、同族版本和辅助候选,不代表45项独立技术启示。

未找到比DE102005055871A1更强、且能无争议地在同一方案中对应权利要求1全部限定的单篇文件。D1仍公开绝大多数内容:Al₂O₃支撑选项、SiO₂夹层、LT或LN压电层、界面IDT及0.15λ至0.5λ优选厚度。最薄弱的同方案声学和实体角色对应,获得部分补强,尚未完全补齐。

本轮最有价值的进展

实际改变与限制

N1 US20060071579A1

核实慢横波阈值、实际界面波速度、泄漏及电极负载之间的直接教导。可加强D1的模态解释及创造性备位;不是所选Al₂O₃支撑方案的直接计算或实测。

N2 CN101030764A

取得此前不稳定的全文及原始公报。第23页闭合LN/IDT/SiO₂/Al₂O₃器件的λ、切角、电极厚度与多组目标内膜厚。Al₂O₃仍是覆盖膜,未变为机械支撑。

韩国及法国种子核查

确认0.25λ属于SiO₂的500/2000参数链;另组0.25、0.30、0.35λ属于Al₂O₃。法国薄层承载路线得到原语言取证,但未增加独立技术来源。

 

推荐保留D1单篇新颖性主张;若争点落在工作模态,优先研究D1结合N1的专项创造性备位;若争点落在材料与薄层承载,可使用D3或D8。每条组合只处理实际区别,不能把多篇文字合并写成D1的原始公开。

N编号表示本执行报告新增的核验条目,可能已出现在用户历史材料中;不表示首次发现该公开号。本轮不因查询或国家数量而上调前次无效可能性判断。

 

 

二 六国执行情况与核验边界

时间界限为实际公开日不晚于2010年12月23日。国别按CN、FR、US、JP、KR、DE公开号登记;EP和WO只作跨局辅助。外部索引可能放宽关键词和国家路径,因此各采用文本均以其自身著录日期复核,不能把检索页显示的优先权日或网页抓取日当作公开日。

国家

实际查询及主要核查对象

本国结果及原件状态

中国

CN 01至06及X CN 01至03;CN101030764A、CN1294780A、CN101034879A、D5及CN101777622A。

N2原公报第23页参数链有增量;D3中文同族补取证。覆盖膜角色仍未闭合。相关全文及PDF已取得。

法国

FR 01至06及X FR 01至03;FR2788176A1、FR2474243A1及相关引证。

未取得补齐最弱环节的新独立技术来源。FR2788176A1原公报第3、5页核看;与D3同族。FR2474243A1是ZnO路线。

美国

US 01至06及X US 01至03;D1e、D2e、D3、N1、US6046656A及US20090174284A1。

N1补工作模态与泄漏;明确半无限模型和3λ、0.71λ实例边界。重点PDF页已核看。未发现替代D1的更强单篇。

日本

JP 01至06及X JP 01至03;D4、D7、D8、JP2009516967A、JPWO2004070946A1。

D1与N1日文同族补取证;D8支持蓝宝石接合但未给目标膜厚。部分日文PDF渲染缺字,技术判断依可读日文HTML;D4无PDF链接。

韩国

KR 01至06及X KR 01至03;KR20070092110A、KR20060129514A、KR20050045913A、KR20010083777A等。

KR20070092110A第8页原公报已核看;其他重点段落及家族已核。参数重复多于角色补强。KR20050107417A为N1同族。

德国

DE 01至06及X DE 01至03;D1、D2、DE10325281A1、DE69923667T2及两个覆盖层候选。

D1原公报关键页再核;N5提示厚压电承载与薄层导波不可直接互换。D3德文同族重试后取得。无更明确Al₂O₃实测方案。

 

原生Google Patents检索页只返回动态框架,补充请求也未返回可用结果。本轮实际采用外部索引定位再读谷歌专利全文,没有完成原生结果页的全量翻页。本报告不提供无法验证的命中总数或穷尽家族数。

核验分层:甲为关键公报页已目视并与全文交叉;乙为相关HTML连续内容已核且PDF已保存,未逐页目核;丙为仅网页或仅著录线索。保存PDF不等于已目视全篇。后文对日文缺字、扫描公报及段落编号分别说明。

 

 

三 D1单篇的特征对应

A为指定材料的高声速支撑,B为指定低速中间膜,C为LT或LN压电膜,D为其一面的IDT,E为以该IDT周期确定λ及中间膜厚0.1λ至0.5λ。权1没有压电膜厚上限、限定切角或仅限SAW的附加要求;纯Si支撑不在其材料清单。

子特征

D1原文定位

本轮判断

A 材料

[0034] Al₂O₃为第二基板选项;PDF第4页。

明确列出合格材料;具体尺寸例偏向Si,不能称已有Al₂O₃实测例。

A 机械支撑

[0073] 第二基板厚度保证机械稳定;图1G;PDF第6、13页。

实体角色明确。此处支撑本来就有文字依据,无须借助把图翻转。

A 声速及模态

[0015]至[0017] 低速夹层、两侧法向衰减及速度剖面;权38、39;PDF第2、9页。

有强隐含公开论据。权38为夹层体系体波速度,权39为两基板体波排序,仍须联系所选实际模态。

B 材料与位置

[0037] SiO₂且适于直接键合;[0018]、图1G,权8。

材料和层位明确;[0017]涉及较慢介电层。不能把体系速度与纯SiO₂材料速度无条件等同。

C 压电膜

[0032] LT/LN;[0033] 生长压电层并在接合后去除生长基板;PDF第3至4页。

膜形式有直接依据。3λ至50λ是优选,目标权1无此上限;共同选择仍需整体解释。

D 一面IDT

[0005] 交错梳形电极;[0018]、权26为直接位于第一压电体的界面结构。

明确。埋入低速膜的下表面IDT也属于压电膜的一面。

E 膜厚

[0042] 金属嵌入且不突出时,体系厚度优选等于介电层厚度;优选0.15λ至0.5λ;权36。

目标内子范围明确。要保留厚度等同的条件;无需原文逐字重复整个0.1λ至0.5λ。

E λ对应

[0021] 周期换能结构;[0042] 用声波波长归一膜厚。

存在周期和设计波长对应基础;本轮未发现与目标逐字相同的定义。N1及N2可解释同类技术,不能补入D1新颖性事实。

 

D1的共同选择有文本基础,不能因没有逐一材料实测就否认公开。真正需要说明的是:技术人员是否直接把Al₂O₃、LT或LN、SiO₂与目标内厚度理解为该导波框架下相容的一个方案。依附链39→38→36→26→25→14→8→2→1可组织多项限定;Al₂O₃和优选厚度仍来自说明书,并非该链全部逐字限定。

关键短句及释义:[0034] “Möglich ist aber auch Al2O3”表示也可采用Al₂O₃;[0016] “klingt in beiden Richtungen vertikal dazu ab”表示能量沿法向两侧衰减。衰减比单纯材料速度排序更接近模态条件,但其适用对象仍须锁定。

DE102005055871A1

D1正确英文对应 US20080252396A1

 

 

四 重点候选的交叉特征表

明确表示子特征有直接出处;部分表示材料、层位或参数相近但功能或共同适用不足;缺口表示未取得充分公开。各列不能相加形成单篇新颖性。K1为KR20070092110A;D3采用其FR和US同族交叉核对。

特征

N1 US20060071579

N2 CN101030764

D3 FR2788176/US6445265

K1 KR20070092110

A 材料及支撑

部分;AlN、Al₂O₃可作外部保护层,[0212]至[0213];未固定为目标支撑。

部分;Al₂O₃为覆盖介质膜;图2及PDF第23页。

明确蓝宝石承载选项及压电薄层支撑;FR第3、5页。

部分;Al₂O₃为第三覆盖媒质;第40、59段。

A 模态速度

明确SH波低于两侧慢横波的设计;[0136]至[0139]。未计算D1选定结构。

SH主分量、计算及实测对照;仍缺所需支撑相关体波与该模态的直接对应。

载体较快体波用于薄层导波;没有目标厚度下实际模态速度。

低速膜较两侧慢及声学约束;未证明Al₂O₃承载实体。

B 低速夹层

SiO₂与LN界面明确;外保护层方案可形成多层,具体厚度见下。

明确SiO₂介于LN与Al₂O₃之间;图2及第23页。

明确SiO₂分子接合层;FR权3、4。

明确SiO₂夹于LN与Al₂O₃之间;第40、59、60段。

C LN或LT膜

LN例明确;[0214]允许压电膜。薄层边界不能直接借用半无限计算。

LN基板明确;未给相应受Al₂O₃支撑的压电薄层。

明确LN/LT薄层及减薄制造;FR第3、5至6页。

LN基板,LT为扩展;薄膜及承载关系缺口仍在。

D 一面IDT

明确界面IDT;[0141]至[0144]。

明确Cu界面IDT;第23页。

表面或埋入换能电极;FR图1、4及说明。

明确界面IDT;第37、59段。

E 厚度

表10、11为3λ;[0216]例为1λ和0.71λ。未补目标内SiO₂。

明确同组实制H/λ为0.33、0.38、0.42、0.45;另有0.52、0.58。

SiO₂数百埃,缺同一器件h/IDT周期链;压电层约1λ不是SiO₂厚度。

第59段500 nm/2000 nm=0.25λ;该参数回指图9。

E λ来源

[0210] 相速度为响应频率乘IDT条周期;表11列周期2.2 μm。

第23页λ=隔一个电极齿的重复距离,λ为1.982 μm。

有周期换能描述;缺接合层归一厚度实例。

第59段明定电极周期λ;0.25等曲线另为Al₂O₃厚度。

 

N2和K1是数值、材料层序很强的候选,但并未胜过D1的真实支撑公开。D3在薄层承载上更明确,却缺目标膜厚;N1在模态物理关系上最明确,却缺所选支撑及目标中间层厚度。

 

 

五 N1对声速和泄漏的实质补强

N1 US20060071579A1

实际公开日2006年4月6日。共同技术来源为WO2004070946A1所示界面波研究;本轮补取KR20050107417A及JPWO2004070946A1。它们是同族取证版本,不能作为三项独立物理实验累计。该公开号已在用户历史资料出现,本轮贡献为原件及连续条件的重新核实。

PDF第84至85页的[0136]至[0144]区分快、慢横波及耦合分量,解释超出相关体波阈值导致泄漏,降低SH界面波速度可使能量集中并减少传播损耗。通过电极厚度和占空比控制模态速度,有直接文字支持。这使“v模与体波速度如何接上”不再仅靠报告作者泛化推理。

证据

对请求人的贡献

不能跨过的边界

[0138]至[0139]
PDF
第84至85页

工作模态越过相关横波阈值会泄漏;非泄漏条件可作为隐含公开分析依据。

两媒质SH界面波规则不能无条件替代有限厚多层中的所有GBAW分支。

[0149]
PDF
第85页

明确模型边界,便于评价其可迁移范围。

SiO₂与LN视为无限厚;并非0.15λ至0.5λ低速层和薄压电层的直接计算。

表10与表11
PDF
第90至91页

LN/Au IDT/SiO₂实物参数及IDT周期对应明确。

SiO₂为3λ;表11的0.055λ是Au电极,不是低速膜厚。

[0212]至[0217]
PDF
第91页

允许外保护层及压电膜;例8展示外层改变后可减薄介质。

保护层可为AlN或Al₂O₃不等于指定厚度的承载基板。0.71λ例用环氧树脂,LN为146λ;不能直接移植。

 

原文短句“the thicknesses of SiO2 and LiNbO3 were regarded as infinite”意为两层按无限厚处理;“piezoelectric film formed on a dielectric substance”意为允许在介电体上形成压电膜。两句分别提供模型限制与结构扩展,不能仅取后句而略去前者。

最强反证是[0216]自身记载:SiO₂由1λ减至0.71λ时,插入损耗由1.5 dB增至1.8 dB。该例说明减薄与外侧介质有耦合,不证明更薄到目标区间必然不可行,也不证明D1所选多层的性能已被计算验证。

US20060071579A1

KR20050107417A

JPWO2004070946A1

 

 

六 中国和韩国的参数证据链

N2 CN101030764A

实际公开日2007年9月5日。已取得111页原公报,并目核PDF第23页。原文在LN基板10上设置Cu IDT16,SiO₂膜12覆盖IDT,其上再设Al₂O₃膜14。λ、h和H分别表示重复电极周期、电极厚度和SiO₂厚度,三者身份明确。

同组参数

原件公开

评价

波长及电极

λ=1.982 μm;h=188 nm;θ=30°。

均来自PDF第23页同一比较框架;h/λ约0.095,不冒作H/λ。

目标内SiO₂厚度

H/λ=0.33、0.38、0.42、0.45。

原文称制得器件并测量频率特性;不是本轮任取λ倒算。

目标外对照

同组还列0.52、0.58。

完整保留对照,不把整组数值都称为落入权1。

剩余缺口

Al₂O₃为覆盖介质;LN为基板。

尚无其实际承载、LN受其支撑的薄层以及对应模态速度的共同证据。

 

该文件加强了E及多层器件的参数可实施性,也说明材料层序和膜厚可以集中于一组公开。但它与D1的Al₂O₃载体/压电膜路线仍有实体角色差异。创造性中若要改变承载侧及减薄LN,应正面分析声场和边界改变,不能仅通过翻转附图完成对应。其英文同族为US20070229192A1;并非D7的可互换译文。

CN101030764A

US20070229192A1

K1 KR20070092110A及其中文同族

2007年9月12日公开;原公报第8页第59段已核。韩文短句“산화 실리콘막(14)의 막 두께를 500nm”对应SiO₂厚500 nm,“전극(12)의 주기를 2000nm”对应电极周期2000 nm,故h低/λ=0.25。该句明确回指图9所用器件,不能静默改成图11厚Al₂O₃实例的所有参数。

同段的0.25λ、0.30λ、0.35λ曲线指Al₂O₃膜厚;第60段所述低速膜较两侧慢能补声学夹持,却不证明覆盖Al₂O₃承担机械支撑。CN101034879A是本族中文公开文本;两版是一个技术来源。

KR20070092110A

CN101034879A

 

 

七 承载路线和反向证据

D3的法国原件及多国同族

FR2788176A1于2000年7月7日公开。PDF第3页将蓝宝石、LN或LT、SiO₂分子接合及压电体减薄置于统一制造框架;第5页把较快载体体波与薄层导波、低传播损耗联系起来。这加强材料和薄层承载相容性,属于D3原有技术来源的取证补强。US6445265B1、CN1294780A、KR20010083777A及DE69923667T2不能再各计一次独立启示。

第5页的“quelques centaines d’Angstrôms”指数百埃SiO₂,具体语境为Si或GaAs载体;权4也给该数量级。1至30 μm属于薄压电层。没有同一实际IDT周期链,不能由此算成目标SiO₂归一厚度;若从D3出发增厚,需解释为何保留导波目的且有合理预期。

FR2788176A1

CN1294780A

日本接合证据与厚度偏好

D8 JP2004343359A公开蓝宝石承载及LT/LN接合,SiO₂可作中间膜。日文HTML[0063]的宜薄取向与粗糙度、CMP语境相连,不构成对一切较厚层的绝对禁止。[0064]中的15 nm实际为AlN,不能写成SiO₂实例。本轮保存PDF但其日文渲染缺字,以上依据可读日文HTML及前次定位,不声称本轮已目视完整公报正文。

D4的≤0.5λ及优选≤0.1λ有数值价值;但具体硼、非晶碳或石墨不自动等于DLC或指定支撑。D7可补LN/SiO₂窗口与周期,需保留切角和电极条件。它们均未提供更强的完整支撑方案。

JP2004343359A

JPH06326553A

JP2007267366A

N4和N5限制跨结构推断

N4 US6046656A于2000年4月4日公开。PDF第8页有LN或LT、SiO₂、IDT及平坦化后0.5λ实例,但第二基板是Si或其非晶/多晶形式,不能当作目标指定材料。N5 DE10325281A1于2004年12月23日公开;第2页[0007]评价该类压电体作为承载基板的旧结构不适于其所追求的横向体波导引。

N5的评价针对其叙述的特定旧结构,不能推翻后来D1明确给出的压电层、载体及导波框架;它提示改变承载和压电厚度可能改变模式,不能无条件把两类器件的计算互搬。

US6046656A

DE10325281A1

 

 

八 最薄弱环节是否被补齐

争点

本轮最强补强

尚未补齐及最强反向条件

增量结论

W1 同一方案

D1原件再核;D3法国原件与D8支持Al₂O₃/接合膜/LT或LN的制造相容性。N2给同组多层参数。

尚未发现把D1所选Al₂O₃、压电层形式、目标内膜厚和实际模态逐项固定的更明确单篇;菜单共同适用仍须解释。

部分补强;没有闭合为无争议全特征单篇。

W2 声速与模态

N1直接连接慢横波阈值、实际SH模态、泄漏与电极设计。D1本身已有两侧衰减和导波速度剖面。

N1半无限模型、不同金属和切角;有限厚多层及Al₂O₃边界未直接计算。不能混用纵波、横波、相速与群速。

本轮最实质的原文补强;固有关系证明仍需对象对应。

W3 实体和膜角色

D1[0073]本就有真实承载;[0033]有压电层和去除生长基片。D3跨国原件再次支持受载薄层。

N2、K1、D5及D7高速实体仍为覆盖层。N1外保护层用于强度不等于该层就是目标支撑。

主要是取证巩固;新候选没有消除覆盖层路线缺口。

W4 参数和组合动机

N2的λ、h、θ、H同组链;K1的500/2000链;N1[0210]相速与IDT周期定义。

K1回指图9;双面接合须用总厚度。N1减薄损耗变化、D8宜薄偏好提示需论证保留D1厚度的理由。

参数更牢;共同结构变化的可预期性仍未完全补足。

 

最薄弱环节仍是W1和W2的交叉:在同一个可理解的Al₂O₃支撑/SiO₂/LT或LN方案中,目标内膜厚、实际工作模态和支撑侧体波阈值能否共同成立。W3在D1本身已有强依据,不能再被误写为D1完全缺失;它主要阻挡覆盖膜候选替换为主证据。

技术上可作的解释是:若D1所述两侧衰减确为选定非泄漏工作模态的性质,相应支撑体波速度条件可能已属隐含公开。没有一条字面不等式不等于没有公开;但只凭c低<c压<c支排序,也不能逻辑跳到v模<c支。必须说明对应分支、方向和边界。

因此,本轮取得了补强最弱环节的原文依据,尚未取得一件将最弱环节一次补齐的新文件。D1排序不变,专项创造性论证比简单再加厚度文献更值得推进。

 

 

九 推荐论证路线及无效判断

D1新颖性主张继续保留

起点为D1自身,主张Al₂O₃、SiO₂、LT或LN压电层、界面梳状电极与优选目标内膜厚共同适用于其导波设计。依赖其直接公开和可论证的隐含公开;N1只可解释技术含义,不能使D1原来缺失的选择变为原有记载。专利权人的最强回应是多项选择与模态关系并未在同一具体技术方案固定。

按实际区别组织创造性备位

若区别是工作模态与体波阈值的明确联系,优先研究D1+N1:实际问题为在既有低速夹层导波器件中确定能量约束与泄漏条件。D1已有低速速度剖面和金属层,N1提供电极厚度、占空比与SH模态速度的联系。采用理由来自共同的界面能量约束目的,不能仅说两个文件都属于声波器件。

最强回应是N1基于SiO₂/LN半无限模型及重金属电极,其厚度和模式与D1有限层不同。请求人应先解释一般约束原理的适用范围,再确定是否需要改变D1的电极或层结构;若必须新增设计才能成功,不能称D1原方案必然具备该性质。

若区别是材料和薄膜承载,则用D1+D3或D8专项说明键合与减薄相容性,并保留D1已有厚度;若仅争λ定义,可用N1、N2或原D6的明确周期教导。避免一次串联四五篇文件后仍说不清真实区别。N2或K1单独起点的覆盖层改承载路线,需要额外结构及模态论证,排在D1之后。

本轮不因数量上调概率

前次报告给出现授权权利要求1被否定的主观工作区间65%至80%,中心约70%。本轮保留该区间,不另造一个更精确的百分比:N1和N2使证据组织更扎实,但关键共同适用问题未消失。该范围未经统计校准,也不意味着任何进一步限缩后的权利要求必然无效。

最小下一步取证问题

先固定D1中已公开的一个选择,列出Al₂O₃载体、LT或LN层、SiO₂厚度、金属边界、传播方向及模态。只针对v模与相关c支、c低与c压是否为该方案固有关系补专家解释或计算;同时核查其所需常数和边界是否已在先公开。事后计算只能验证原文方案的固有性质,不能创造临界日前的方案选择或组合动机。

另一项具体工作是补取可正常显示的D7、D8日文公报和D4原件,形成可提交的页段译文。未把这些尚未完成的证据形式工作冒称为本轮已完成。

 

 

附录一 主要公开文本与来源

访问日期均为2026年10月19日。表内日期属于列明的具体公开版本;“同族”仅用于去重和取证,不表示不同文本可逐句互换。甲、乙、丙的含义见第二部分。公开号可点击访问原文;取得页面、PDF、校验值及批次响应保存在本地检索档案。

编号

公开号

公开日

层级

用途或排除原因

D1

DE102005055871A1

2007-05-24

甲

材料、衰减、承载、膜厚;第2、4、6页再目核。

D1e

US20080252396A1

2008-10-16

乙

D1正确英文对应,非D2。

D1j

JP2009516967A

2009-04-23

乙

D1日文同族;承载段为[0070],不照抄德文段号。

D2

DE102005055870A1

2007-05-24

乙

相近分支;厚度见[0023]。

D2e

US20080292127A1

2008-11-27

乙

D2英文对应。

D3f

FR2788176A1

2000-07-07

甲

蓝宝石、接合和薄层;PDF第3、5页。

D3

US6445265B1

2002-09-03

乙

同一技术来源的英文公报。

D3c

CN1294780A

2001-05-09

乙

D3中文同族;[0034]、[0036]、[0062]及权4。

D3k

KR20010083777A

2001-09-01

乙

D3韩文同族;PDF文字编码不宜直接引用。

D3d

DE69923667T2

2006-04-06

乙

D3德文同族;重试后全文及PDF取得。

D4

JPH06326553A

1994-11-25

丙

日文HTML;未取得PDF。

D5

CN101789769A

2010-07-28

乙

712/1900约0.3747;本轮保留前次原件定位。

D7

JP2007267366A

2007-10-11

乙

条件窗口和覆盖层;PDF渲染缺字。

D8

JP2004343359A

2004-12-02

乙

蓝宝石接合;15 nm为AlN;PDF缺字。

N1

US20060071579A1

2006-04-06

甲

PDF第84、85、91页重点目核。

N1k

KR20050107417A

2005-11-11

乙

N1韩文同族,慢横波阈值。

N1j

JPWO2004070946A1

2006-06-01

乙

N1日文同族取证。

N2

CN101030764A

2007-09-05

甲

PDF第23页,参数及同组实制器件。

N2e

US20070229192A1

2007-10-04

乙

N2英文同族,未当另一独立教导。

N3

CN101213743A

2008-07-02

乙

石英主体界面波,材料与目标不符;仅作物理解释。

N3e

US7489064B2

2009-02-10

乙

N3同族;主体仍为石英。

N3j

JP2007036344A

2007-02-08

乙

N3同族,不独立累计。

N3k

KR20090130873A

2009-12-24

乙

N3同族,不独立累计。

N4

US6046656A

2000-04-04

甲

PDF第8页0.5λ;支撑只给Si系。

N5

DE10325281A1

2004-12-23

甲

PDF第2页[0007],结构和模态边界。

K1

KR20070092110A

2007-09-12

甲

PDF第8页第59、60段。

K1c

CN101034879A

2007-09-12

乙

K1中文同族,非N2同族。

K2

KR20060129514A

2006-12-15

乙

多组目标内厚度;具体第三媒质为多晶Si。

K3

KR20050045913A

2005-05-17

乙

双面SiO₂接合;总厚0.5至1λ,优选0.6λ。

K3e

US20050099091A1

2005-05-12

乙

K3英文同族;[0044]、[0045]、[0050]。

K4

KR20020084332A

2002-11-07

乙

SiO₂为工艺层并被去除,不是成品低速膜。

 

 

 

附录二 辅助文献和排除记录

公开文本

公开日

用途和本轮边界

WO2004070946A1

2004-08-19

N1更早PCT同族;跨局辅助,不计入六国主文件或独立启示。

WO2008110576A1

2008-09-18

GBAW介电层及衰减相关;未补所选高速承载与目标内膜厚的同一方案。

WO2010009719A1

2010-01-28

介电成膜、键合及D1引用链;工艺关联不等于实际模态验证。

WO2009087290A1

2009-07-16

分子接合和薄层转移;未补完整IDT归一膜厚及对应声学链。

FR2474243A1

1981-07-24

Al₂O₃/SiO₂/ZnO;2/k至9/k可相交,但ZnO及附加金属不同;优选下限3.2/(2π)约0.5093。

CN101777622A

2010-07-14

金刚石/SiO₂/LN薄膜;仅绝对层厚,缺实际IDT周期实例。

DE102010016431A1

2010-11-04

低速膜归一厚度相近;SiN仍是覆盖层。

DE102007012383A1

2008-09-18

优选TeO₂不在目标低速材料清单;SiO₂选项仍需共同适用。

US20090174284A1

2009-07-09

低于SiO₂慢横波并保留速度裕度;未给目标指定承载方案。

JP2010068546A

2010-03-25

界面波及漏波设计线索;未形成更强单篇对应。

JP2010187373A

2010-08-26

具体支持体为Si,接合为环氧树脂;未匹配目标材料清单。

DE102009001192A1

2009-10-29

有机接合层热机械问题;不是目标低速材料结构。

KR20040087904A

2004-10-15

蓝宝石机械支撑及薄层可行性;未补同例低速膜厚和模态。

 

晚公开记录另列,均不作为本报告普通现有技术主证据:FR2947398A1为2010年12月31日;DE102010056053A1为2012年6月28日;US20110254406A1为2011年10月20日;CN106416067A为2017年2月15日;CN106209007A为2016年12月7日。以上日期均已本轮返回谷歌专利著录页核实。早优先权不能使晚公开文本倒填为在先教导。

其他常见误配:双面SiO₂接合要合计最终厚度;0.055λ金属厚不等于SiO₂厚;一般非晶碳不自动等于DLC;“硅化铝”等原文用语不自行改写成目标氮化铝。只作材料检索命中的光学波导、海底声学及非IDT器件已排除。

 

 

附录三 中国实际查询日志

日期为2026年10月19日;通道为Google Patents外部网页索引。01至06实际提交时统一前缀为 site:patents.google.com/patent/CN 后接一个空格,再接表内检索内容;X行列出完整提交式,不再加此前缀。全部已执行。

查询编号

实际查询内容

CN-01

"氧化铝" "氧化硅" "钽酸锂" "导波"

CN-02

"高声速支撑基板" "压电膜"

CN-03

"相速度" "体波" "界面波" "支撑"

CN-04

"氮化硅" "基板接合" "铌酸锂"

CN-05

"生长基板" "去除" "压电层" "氧化硅"

CN-06

"归一化膜厚" "叉指" "非泄漏"

X-CN-01

site:patents.google.com/patent/ "铌酸锂" "蓝宝石" "氧化硅" "2007"

X-CN-02

site:patents.google.com/patent/ "弹性边界波" "慢横波"

X-CN-03

site:patents.google.com/patent/CN101030764A

 

调整及处置:种子批次多返回CN106416067、CN106209007等晚公开文本或无关光学、海底声学。扩展批次定位CN101030764A、CN1926763A、CN101964642A等,再逐文献筛选。采用N2;另沿D3与K1同族核CN1294780A、CN101034879A。CN101964642A未被列为已核主证据。

国家路径属于候选定位限定,返回结果并未严格遵守。采用文本的公开日逐篇核实;未在普通网页查询中使用before日期算符证明公开资格。每三条查询的响应合并返回,不将批次中的每件结果强行归给某一条,也不报告单条命中总数。

批次原响应:batch_CN-01_CN-03.json、batch_CN-04_CN-06.json及X-CN.json。CN首批仅保留已读响应的部分结果摘要;其余批次保留返回文本。query_log.json记录66条精确提交式。

 

 

附录三 法国实际查询日志

日期为2026年10月19日;通道为Google Patents外部网页索引。01至06实际提交时统一前缀为 site:patents.google.com/patent/FR 后接一个空格,再接表内检索内容;X行列出完整提交式,不再加此前缀。全部已执行。

查询编号

实际查询内容

FR-01

"saphir" "silice" "niobate de lithium" "guidage"

FR-02

"substrat porteur" "ondes de volume" "vitesse de phase"

FR-03

"tantalate de lithium" "silice" "onde non rayonnante"

FR-04

"collage moléculaire" "couche piézoélectrique" "épaisseur"

FR-05

"nitrure de silicium" "substrat" "niobate de lithium"

FR-06

"couche intermédiaire" "évanescent" "ondes acoustiques"

X-FR-01

site:patents.google.com/patent/FR "saphir" "acoustiques" "silice"

X-FR-02

site:patents.google.com/patent/FR "lithium" "couche" "porteur"

X-FR-03

site:patents.google.com/patent/FR "ondes" "diamant" "silice"

 

调整及处置:种子定位FR2788176A1及大量后期共振器或POI结构,扩展仍多为后期或跨局文本。回查FR2788176A1与FR2474243A1;未得到新的独立补强。EP法文页面不按FR计,FR2947398A1越过临界日。

国家路径属于候选定位限定,返回结果并未严格遵守。采用文本的公开日逐篇核实;未在普通网页查询中使用before日期算符证明公开资格。每三条查询的响应合并返回,不将批次中的每件结果强行归给某一条,也不报告单条命中总数。

批次原响应:batch_FR-01_FR-03.json、batch_FR-04_FR-06.json及X-FR.json。CN首批仅保留已读响应的部分结果摘要;其余批次保留返回文本。query_log.json记录66条精确提交式。

 

 

附录三 美国实际查询日志

日期为2026年10月19日;通道为Google Patents外部网页索引。01至06实际提交时统一前缀为 site:patents.google.com/patent/US 后接一个空格,再接表内检索内容;X行列出完整提交式,不再加此前缀。全部已执行。

查询编号

实际查询内容

US-01

"guided bulk acoustic wave" "alumina" "silicon dioxide"

US-02

"carrier substrate" "phase velocity" "bulk wave"

US-03

"lithium tantalate" "silica" "evanescent"

US-04

"piezoelectric layer" "growth substrate" "removed" "bonding"

US-05

"sapphire" "lithium niobate" "normalized thickness"

US-06

"silicon nitride" "support substrate" "nonleaky"

X-US-01

site:patents.google.com/patent/ "guided bulk acoustic" "Al2O3"

X-US-02

site:patents.google.com/patent/ "lithium niobate" "slow transverse" "boundary"

X-US-03

site:patents.google.com/patent/US "sapphire" "silica" "acoustic" "2004"

 

调整及处置:种子结果中后期膜转移和光学器件较多;扩展定位US7489064B2、US20090174284A1及晚公开US20110254406A1。沿历史线索和引用回查N1、D1e、D2e、D3与N4;US20110254406A1只留线索。

国家路径属于候选定位限定,返回结果并未严格遵守。采用文本的公开日逐篇核实;未在普通网页查询中使用before日期算符证明公开资格。每三条查询的响应合并返回,不将批次中的每件结果强行归给某一条,也不报告单条命中总数。

批次原响应:batch_US-01_US-03.json、batch_US-04_US-06.json及X-US.json。CN首批仅保留已读响应的部分结果摘要;其余批次保留返回文本。query_log.json记录66条精确提交式。

 

 

附录三 日本实际查询日志

日期为2026年10月19日;通道为Google Patents外部网页索引。01至06实际提交时统一前缀为 site:patents.google.com/patent/JP 后接一个空格,再接表内检索内容;X行列出完整提交式,不再加此前缀。全部已执行。

查询编号

实际查询内容

JP-01

"サファイア" "酸化珪素" "ニオブ酸リチウム" "導波"

JP-02

"支持基板" "位相速度" "バルク波"

JP-03

"タンタル酸リチウム" "低音速" "非漏洩"

JP-04

"成長基板" "剥離" "圧電層"

JP-05

"窒化珪素" "基板接合" "薄板"

JP-06

"中間膜" "規格化膜厚" "電極周期"

X-JP-01

site:patents.google.com/patent/ "弾性表面波" "サファイア" "中間" "2004"

X-JP-02

site:patents.google.com/patent/ "弾性境界波" "遅い横波"

X-JP-03

site:patents.google.com/patent/ "支持基板" "LiTaO3" "SiO2" "2007"

 

调整及处置:种子多为晚公开器件、光学或非声学接合;扩展定位JP2007036344A、JP2010068546A等。回查D4、D7、D8并追D1和N1的日文同族。部分原始PDF缺字,未把无法目核的图表作为决定性事实。

国家路径属于候选定位限定,返回结果并未严格遵守。采用文本的公开日逐篇核实;未在普通网页查询中使用before日期算符证明公开资格。每三条查询的响应合并返回,不将批次中的每件结果强行归给某一条,也不报告单条命中总数。

批次原响应:batch_JP-01_JP-03.json、batch_JP-04_JP-06.json及X-JP.json。CN首批仅保留已读响应的部分结果摘要;其余批次保留返回文本。query_log.json记录66条精确提交式。

 

 

附录三 韩国实际查询日志

日期为2026年10月19日;通道为Google Patents外部网页索引。01至06实际提交时统一前缀为 site:patents.google.com/patent/KR 后接一个空格,再接表内检索内容;X行列出完整提交式,不再加此前缀。全部已执行。

查询编号

实际查询内容

KR-01

"사파이어" "산화규소" "니오브산 리튬"

KR-02

"지지 기판" "위상 속도" "벌크파"

KR-03

"탄탈산 리튬" "전단파" "도파"

KR-04

"압전 박막" "성장 기판" "제거"

KR-05

"질화규소" "기판 접합" "음향파"

KR-06

"중간층" "정규화 두께" "전극 주기"

X-KR-01

site:patents.google.com/patent/KR2007 "탄성" "경계파"

X-KR-02

site:patents.google.com/patent/KR2006 "SiO2" "LiNbO3"

X-KR-03

site:patents.google.com/patent/ "사파이어" "탄성" "2001"

 

调整及处置:种子多为后期半导体/膜转移;拆分后定位KR100856218B1、KR20040087904A等。回溯其A公开文本及既有四个种子,确认K1数值与角色;D3和N1同族去重。

国家路径属于候选定位限定,返回结果并未严格遵守。采用文本的公开日逐篇核实;未在普通网页查询中使用before日期算符证明公开资格。每三条查询的响应合并返回,不将批次中的每件结果强行归给某一条,也不报告单条命中总数。

批次原响应:batch_KR-01_KR-03.json、batch_KR-04_KR-06.json及X-KR.json。CN首批仅保留已读响应的部分结果摘要;其余批次保留返回文本。query_log.json记录66条精确提交式。

 

 

附录三 德国实际查询日志

日期为2026年10月19日;通道为Google Patents外部网页索引。01至06实际提交时统一前缀为 site:patents.google.com/patent/DE 后接一个空格,再接表内检索内容;X行列出完整提交式,不再加此前缀。全部已执行。

查询编号

实际查询内容

DE-01

"geführte Volumenwellen" "Al2O3" "Siliziumdioxid"

DE-02

"Trägersubstrat" "Phasengeschwindigkeit" "Volumenwelle"

DE-03

"Lithiumtantalat" "Transversalwelle" "Abklingen"

DE-04

"Wachstumssubstrat" "abgelöst" "piezoelektrische Schicht"

DE-05

"Saphir" "Siliziumdioxid" "Schichtdicke"

DE-06

"Siliziumnitrid" "Trägersubstrat" "Wellenführung"

X-DE-01

site:patents.google.com/patent/DE "GBAW" "Al2O3"

X-DE-02

site:patents.google.com/patent/DE "geführte" "Volumenwellen"

X-DE-03

site:patents.google.com/patent/DE "Lithiumniobat" "Saphir"

 

调整及处置:种子大多无相关早期新增,部分结果为晚公开。扩展定位D1、DE102009001192A1等;沿D1[0002]追N4、N5及US20050099091A1。D3德文同族取得;没有固定Al₂O₃实测导波方案。

国家路径属于候选定位限定,返回结果并未严格遵守。采用文本的公开日逐篇核实;未在普通网页查询中使用before日期算符证明公开资格。每三条查询的响应合并返回,不将批次中的每件结果强行归给某一条,也不报告单条命中总数。

批次原响应:batch_DE-01_DE-03.json、batch_DE-04_DE-06.json及X-DE.json。CN首批仅保留已读响应的部分结果摘要;其余批次保留返回文本。query_log.json记录66条精确提交式。

 

 

附录四 跨国扩展和定向查询日志

日期及通道同附录三。以下12条均已实际提交;批次返回存在关键词放宽,故定向查询未可靠命中时,直接访问已知公开号全文,不用无关索引结果替代原文。本轮查询共66条,另有两次未取得可用结果的原生检索尝试,单独归档而不计入66条。

查询编号

完整提交式

X-ALT-01

site:patents.google.com "lithium niobate" "diamond" "silicon dioxide" "2005"

X-ALT-02

site:patents.google.com "lithium tantalate" "sapphire" "guided" "2006"

X-ALT-03

site:patents.google.com "tantalum oxide" "lithium niobate" "substrate" "1998"

X-ALT-04

site:patents.google.com "silicon carbide" "lithium niobate" "intermediate" "2007"

X-MATERIAL-01

site:patents.google.com/patent/ "sapphire" "lithium tantalate" "silicon dioxide" "1999"

X-MATERIAL-02

site:patents.google.com/patent/ "Al2O3" "GBAW" "2007"

X-MATERIAL-03

site:patents.google.com/patent/ "硅氧化物" "支撑" "薄膜" "CN101777622"

X-MATERIAL-04

site:patents.google.com/patent/ "saphir" "silice" "FR2788176"

X-VERIFY-01

site:patents.google.com/patent/DE102005055871A1 "0016" "0034"

X-VERIFY-02

site:patents.google.com/patent/US20060071579A1 "slow transverse" "3"

X-VERIFY-03

site:patents.google.com/patent/FR2788176A1 "centaines" "vitesse"

X-VERIFY-04

site:patents.google.com/patent/KR20070092110A "500nm" "2000nm"

 

跨国材料扩展主要返回D3家族、晚公开器件及光学结构,未取得更强早期完整方案。定向数值查询出现无关结果,已通过专利公开号直接全文复核D1、N1、FR原件和K1,没有将这些响应算作新的技术命中。未因同义扩展继续重复而无实质增量无限增加查询。

 

 

附录五 档案与剩余核验项

检索档案位于 C:/patent/research/supplement_20261019。query_log.json和query_log.csv包含66条查询的精确提交式、日期、通道、批次候选与筛选说明;batch_index.json登记21个批次。native_search_attempt.json及native_xhr_attempt.json记录原生检索未取得可用结果的情况。

patents文件夹保存45个Google Patents全文页面、对应提取文本与元数据、44份PDF;元数据含访问时间、版本公开日和SHA256。部分PDF沿用前次已下载的同一公报,元数据已标记,不冒称全部重新下载。late_exclusions.json单列五件晚公开页的核验日期。evidence_pages保存本轮关键页面图像。

本轮核验中发现CN101030764A公报正文没有采用网页内部num作为段号,因此主引用改用PDF第23页和图2至图7。D1德文[0073]在日文对应为[0070]。外国同族、机器翻译或HTML内部序号一律不替代所用公开版本的真实定位。

尚未完成且会影响提交质量的事项

一是D4原始PDF及D7、D8正常可显示日文公报的取得和页段翻译;二是D1选定方案在一致晶向、分支和边界下的固有模态解释;三是如改用覆盖膜候选为主证据,证明承载角色变化与压电体减薄后仍保有相应导波性质。上述事项未完成,不妨碍已确认的D1强对应及N1、N2补强成立,也不能以更多重复检索替代。

本轮停止检索的依据

六国种子、概念扩展和主要同族/引证已执行到可核查结果。后续候选主要重复材料、厚度或不同角色,剩余决定性问题是原件显示、证据形式和特定方案的技术解释。本轮据此收束:最弱环节得到部分补强,尚未完全补齐;无证据支持把当前结论改为权利要求1必然无效。

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B 权利要求1六国专利补充检索报告

执行日期 2026年10月19日

评价文本 CN103262410B 授权权利要求1

在先公开界限 所引具体版本须不晚于2010年12月23日公开

一 核心结论

本轮未找到能够替换D1、并在同一相容装置中明确闭合A至E全部特征及相关声速条件的更强单篇。D1仍是优先研究的主线,不能把其已公开的压电层、界面IDT、夹层厚度和速度关系误写为完全缺失;也不能把分散的一般选项、特定实例和速度排序直接写成已经验证的Al₂O₃完整器件。

最有价值的补充不是另一个落入0.1λ至0.5λ的数字,而是两类证据。第一,D3家族的美国图8a及韩国图9a在双面实心封装条件下,把载体体波速度高于导波中的速度与低传播损耗直接联系起来。它比仅比较两种材料的体波速度更接近W2,但属于已有技术来源的新定位,并未证明D1选定材料、晶向和厚度的固有性质。第二,新核查的衰减与承载文本、接合后减薄工艺及反向设计偏好,使W3和部分W4的论证更具体,同时暴露出模式和膜厚迁移仍需证明。

最薄弱环节尚未全部补齐。主要缺口是:把D1的Al₂O₃承载体、LT或LN压电层、SiO₂夹层、相应IDT周期及0.15λ至0.5λ放入同一有依据的选定方案后,证明实际工作模态在支撑侧满足所需非辐射或衰减条件,并说明选定体波分支、晶向及边界。材料名称相同、同族版本增多和检索国家增多,均不能代替这一证明。

优先路线为R2:先在D1自身框架内建立共同选择及固有声学关系,再用D3家族解释真实承载薄层和速度条件。若该链不能闭合,才转R3创造性组合,并明确区别、技术问题、采用动机和模式相容性。D4换支撑、D5或D7将覆盖媒质改成承载体是结构变动更大的备选,不能因厚度数字已有重叠而排在前面。

二 评价对象和证据规则

目标授权文本

本轮实际核对了CN103262410B中文授权全文。该版本授权公开日为2016年8月10日,页面记载优先权日为2010年12月24日。权利要求1与用户附件引用一致。本报告沿用附件指定的公开时间门槛,不另行评价优先权有效性,也不把目标专利本身作为在先证据。

A为指定材料构成的高声速支撑基板,须同时核对材料、机械承载角色和高声速含义;B为夹在该基板与压电膜之间并最终保留的指定低声速膜;C为LT或LN压电膜;D为压电膜任一面上的IDT;E为该中间低速膜的0.1λ至0.5λ厚度,λ由相应IDT电极周期确定。

目标说明书要求按实际工作模态选取相关体波分支。这里以c支、c压、c低分别表示支撑体、压电体和低速膜的相关体波速度,以v模表示工作模态相速度。需要核实的关系是v模<c支及c低<c压。不同剪切分支、纵波、相速度、群速度及声阻抗不互相替代。

权利要求1没有压电膜≤1.5λ或≤0.5λ、指定切角或指定Q值限制;这些不能从从属项补入。正文允许IDT位于压电膜下表面,并不限于表面波。独立权利要求10的普通支撑基板加高速膜结构,不能不加说明地替代权利要求1的高声速支撑基板。

证据分级和日期处理

全文已读、PDF文字可读、局部PDF已目视和完整PDF已目视是不同核验层级。以下逐件写明实际状态;仅索引或摘要可见的文件不进入已核重点证据。引用的段号、图号和权项属于所标明的具体版本,不能跨语言版本直接移用。

本轮以Google Patents原语言全文、同族与引证表为主要对象,并通过外部搜索索引执行国家前缀查询。未成功实现的Google Patents原生筛选不记为已完成。公开日期均以所引具体文本的元数据、版本表或可读公报核对;普通网页before算符仅作召回辅助,不能证明专利公开日。

表中“原文明确”表示所引版本直接记载相应内容;“隐含公开需论证”表示具有原文基础但尚须技术推理;“缺失或相反”不等同于证明该技术绝不可能,而是该文本未给出目标对应或给出不同方案;“未核实”表示原件或定位不足。一般可并存选项与具体实施例分开评价。

主清单按CN、FR、US、JP、KR、DE公开号归国。WO和EP仅作跨局辅助。同一家族按共同技术来源合并,再登记具体公开文本;增加译文、公开局或同族数量不增加独立技术启示的数量。晚公开文本不进入普通现有技术或创造性主组合。

三 六国执行与日期表

表一 六国实际执行概况

下列查询编号对应附录一的逐条实际查询。所有执行日期均为2026年10月19日;日期筛选为逐篇核对公开日,不宣称已成功运行站内自动过滤。表中日期属于所列具体版本。

国家

实际入口与采用查询

主要已核版本及公开日

原件状态与未完成项

中国 CN

Google Patents中文全文、外部索引CN01至CN06;扩展CNE01、CNE02;同族和引证追踪

CN101789769A 2010-07-28;CN101777622A 2010-07-14;CN1294780A 2001-05-09

前三件中文全文已读。D5 PDF未取得;CN101777622A PDF文字可读但截图失败。D1中国国家阶段未确认;D2中国同族未独立追尽。

法国 FR

法文全文及扫描公报;FR01至FR06、FRE01;FR种子和引证

FR2788176A1 2000-07-07;FR2474243A1 1981-07-24

前者PDF第4和5页已目视,其余为文字核查;后者PDF可读但未完成图像目视。FR2423870A1、FR2946478A1正文未取得。

美国 US

英文全文及公报;US01至US06;精确号、引证及参数定义扩展

US20080252396A1 2008-10-16;US20080292127A1 2008-11-27;US20100231330A1 2010-09-16;US20090108961A1 2009-04-30

前两件PDF文字已核;后两件PDF第4页已目视。D3全文/PDF已打开未目视。US5446330A正文未取得;两个早期扩展候选PDF未取得。

日本 JP

日文全文,JP01至JP06;接合结构扩展及前向引证

JPH06326553A 1994-11-25;JP2007267366A 2007-10-11;JP2004343359A 2004-12-02;JP2005252550A 2005-09-15

D4日文网页已核,无可取得PDF链接;D7及接合种子PDF文字可读,未可靠目视。D3日文同族JP2002534886A仅核身份,正文失败。

韩国 KR

保留韩文的Google Patents页面,KR01至KR06;精确公开号和参数检索

KR20010083777A 2001-09-01;KR20060129514A 2006-12-15

前者/en页面韩文正文已核,未取得PDF;后者韩文及PDF文字可读。KR20070092110A、KR20050045913A只核索引日期,未取得正文,不列主证据。

德国 DE

德文全文、公报及带原文的/en页面;DE01至DE06;材料词扩展、精确号和引证

D1/D2均2007-05-24;DE102007012383A1 2008-09-18;DE102006019961A1 2007-10-31

D1 PDF第4和12页目视,其余相关定位文字核验。D2 PDF文字核;两扩展家族德文已读而DE PDF未目视。DE102010016431A1正文未取得。

 

四 共同技术来源与具体公开文本

保留附件D1至D7。N编号仅表示本报告扩展或单列的文献,不表示首次发现,也不表示相对于用户既有证据体系必然全新。N1、N2技术来源已在前次评估中出现,本轮新增的是国家版本核查、定位或解释。原有种子会明确标注。

共同来源

本轮使用的具体公开文本

关系和去重处理

D1 电声元件分支

DE102005055871A1;US20080252396A1;WO2007059740A2为辅助

优先权2005-11-23。US文本为同一正确英文分支,不计独立新证据。WO2007059741A1不得当成可直接替换译文。

D2 相近电声元件分支

DE102005055870A1;US20080292127A1;WO2007059733A1为辅助

优先权2005-11-23。与D1相近但不同;段号、权项和λ定义各自引用。

D3 分子键合承载薄层

US6445265B1 2002-09-03;FR2788176A1 2000-07-07;CN1294780A 2001-05-09;KR20010083777A 2001-09-01

共同优先权1998-12-30。JP2002534886A 2002-10-15仅身份确认,正文未得。四个已读文本属于一个技术来源,不是四次独立实验。

D4 D5 D7

JPH06326553A;CN101789769A;JP2007267366A

各自保留原编号,不能因厚度接近而合并实例。US5446330A本轮未核正文,不作为已确认D4替代文本。

D6 跨局辅助

WO2009133655A1

附件已有定位,本轮没有独立完成原件复核;不计为六国主清单的新核证据,也不据此强化结论。

N1 承载与衰减来源

DE102007012383A1;US20100231330A1;WO2008110576A1 2008-09-18为辅助

优先权2007-03-14。既有技术来源,本轮增补DE/US具体公开版本。WO、DE、US不能重复加权。

N2 周期与参数来源

US20090108961A1;DE102006019961A1;WO2007124732A1为身份辅助

优先权2006-04-28。既有技术来源,本轮加强电极周期及参数迁移限制定位。

N3 N4 原理与反证

US4328472A;US6933810B2

本轮沿引证扩展核查。分别为原理辅助和限制性证据,不能以早期公开自动提升为全覆盖主证据。

N5 N6 原有种子

CN101777622A;FR2474243A1

前者为独立中国来源;后者与US4354130A、JPS5687913A同源,后两件仅身份关联,不追加技术权重。

N7 N8 N9

JP2004343359A;KR20060129514A;JP2005252550A

N7、N8为原有种子,N9为引证扩展。N8同族含WO2005093949A1、CN1938946A、US20070018536A1;N9同族含US7208859B2、CN1665131A、KR20060043316A,仅身份核对。

 

五 重点专利A至E特征比对表

表二 同方案特征比对

本表按共同技术来源汇总,具体版本、原文和PDF链接见证据卡。格内分别记录状态与定位;同一格中“原文明确”只覆盖其后的特定要素,不扩张至整项。D3图号同时标明版本,避免跨版误引。

文献

A 材料 承载 声速

B 低速膜及C 压电膜

D 电极

E 厚度与λ

D1

材料和承载原文明确:[0034]、[0073]。声速隐含公开需论证:[0015]至[0018]、权38/39,不等于v模。

B原文明确:[0037]SiO₂。C原文明确:[0032]/[0033]LT/LN及移除生长基片分支。

原文明确:界面梳齿结构及[0018]。

厚度原文明确:[0042]0.15λ至0.5λ,须嵌入等厚。IDT周期联系隐含公开需论证,未核得自身明确半周期式。

D2

材料原文明确:US[0008]。承载薄化及完整速度条件隐含公开需论证:[0012]至[0014]、[0029]至[0031]。

B原文明确:SiO₂及夹层。C材料原文明确:LT/LN,膜角色须结合制造。

原文明确:US夹层结构段。

US[0023]数值原文明确;[0006]为工作波长,周期对应需论证。

D3家族

蓝宝石及载体角色原文明确:FR权2及制造图。导波速度条件原文明确:US图8a、KR图9a;对应D1晶向和厚度需论证。

B/C原文明确:FR权3及6、图2;SiO₂接合、LT/LN薄层。

原文明确:US/FR图4c;不同配置周期不能混同。

缺失目标范围:权4数百埃。λ不可任取;1至30μm并非SiO₂厚度。

D4

承载原文明确;指定材料缺失或相反:[0224]至[0228]硼、非晶碳或石墨,不自动等于DLC。

B/C原文明确:SiO₂或SiN与LN薄板;仅SiO₂落入目标B。

原文明确:图20梳状电极。

范围原文明确:≤0.5λ,优选≤0.1λ;IDT几何对应仍需论证。

D5

SiN及衰减原文明确;机械承载缺失:层7为覆盖媒质,图1及实施方式。

B原文明确:SiO₂层6。C为LN压电体2,薄膜化/基片去除未核得。

原文明确:LN/SiO₂界面IDT3。

同例原文明确:712nm/1900nm≈0.3747;λ来自电极指节距。改承载后保持模式未证。

D7

Al₂O₃媒质膜14原文明确;机械承载缺失,图2/3。

B原文明确SiO₂膜12;C为LN基板10,减薄未证。

原文明确:界面IDT16。

图10条件窗口原文明确,H与h须分开;λ为隔一个电极的间隔,严格上界不能删。

N1

Al₂O₃载体/生长基片原文明确:US[0028];高速促衰减动机[0029]。目标同模态对应需论证。

C原文明确:US[0018]/[0019]。B缺失目标夹层:TeO₂/SiO₂主要在压电层另一侧。

原文明确:US图1/3。

缺失目标中间膜厚。不能把覆盖介质厚度搬到载体与压电层之间。

N2

缺失具体Al₂O₃同例:US具体第二基板Si/玻璃;[0035]示材料影响切角。

B/C原文明确:US[0061]SiOₓ、LT。

原文明确:[0046]/[0047]半波长间距。

原文明确:λ₀与0.4λ附近窗口;跨支撑迁移仍需论证。

N5

金刚石衬底原文明确:权1及结构图;声速完整对应未核实。

B/C原文明确:SiO₂中间层、c轴LN薄膜,权1至4及例一/二。

缺失:未给成品IDT。

缺失λ定义。绝对SiO₂厚度0.05至0.6μm不能任意归一化。

N6

蓝宝石底座原文明确:权1;目标LN/LT模态速度缺失。

B原文明确SiO₂并有金属短路层;C相反,为ZnO,图1/4。

原文明确:图1及5为不同分支。

宽范围部分相交;较优子范围均>0.5λ。k定义明确,完整IDT周期对应需论证。

N7

蓝宝石支持基板21原文明确;声速模态关系需论证,[0058]至[0068]。

B/C选项原文明确:[0059]SiO₂;[0068]LT接合后磨薄。

原文明确:表面IDT、图7。

缺失目标SiO₂相对膜厚;[0064]15nm为AlN,不能误植。

N8

具体第三媒质多晶Si,材料相反;机械承载未证,实施例1/2。

B原文明确SiO₂;C为15°Y切X传播LN基板,薄膜身份未证。

原文明确:IDT及λ=2P。

例2分别取0.1、0.3、0.5、1.0λ,不是一个实例;覆层改变工作模式。

 

N3、N4只用于原理和反证;N9仅用于接合工艺背景,未将其不完整组合列为候选全覆盖方案。其A至E状态见相应证据卡。

六 W1至W4实质增量表

表三 最强补充定位与剩余缺口

问题

最强补充及已有种子

本轮实质补强

尚未补齐的缺口

最强反证或限制

W1 同方案

D1一般架构重新核实;N5真实LN/SiO₂/金刚石;D3依附关系

D1的材料、制造和等厚条件可在统一架构内讨论,不能当作完全无联系的菜单。N5证明部分材料工艺相容。

尚无更强单篇把指定载体、LT/LN膜、目标厚度、IDT和完整声速链落实为同一相容方案。

D1具体图1G为LT/Si,非Al₂O₃实验。N5缺IDT/λ;N1低速层在另一侧。

W2 声速与模态

D3的US图8a/KR图9a;D1垂向衰减;N1 US[0029]

D3已有家族新定位把载体体波与导波速度直接联系;N1提供高速非压电层促衰减的选择动机。

D1所选Al₂O₃状态、晶向、相关剪切分支及实际v模未逐项闭合;c低<c压仍须同方案解释。

D3速度句有双面实心封装上下文;N3的有效材料速度不是v模;不同模态/边界不可通用。

W3 实体与膜

D1[0033]/[0073];D3键合/减薄;N7[0068]

真实载体承担机械支撑、压电薄层可由键合后减薄形成,均有明确公开。

D5/D7的覆盖层不能直接变承载;移除或减薄LN后是否保持原导波条件未证明。

N8覆盖层形成前后由表面波转边界波;N4薄化可增加界面反射寄生,结论限其特定设计。

W4 参数与动机

N2半周期定义和优化;N7 CMP补救;N6范围核算

λ与具体电极结构的联系更明确;宜薄可由CMP处理部分粗糙度问题,不是绝对禁阻。

采用指定支撑或变更层角色后,为什么保留原相对膜厚且模式可预期,仍缺针对性证明。

N2最优切角依赖金属/夹层/第二基板;N6较优SiO₂范围均在目标外;D3数百埃偏薄。

 

七 重点证据卡

D1 电声元件的德国原文及正确英文分支

身份与时间:DE102005055871A1,Elektroakustisches Bauelement,德国申请公开,2007-05-24;US20080252396A1为同一技术分支的美国申请公开,2008-10-16。优先权均追至2005-11-23。D1为原有主种子。日期来源为Google Patents时间线及PDF首页。US7851977B2虽于2010-12-14公开,本轮不将授权修改倒填至申请文本。

取得与定位:德文原文;德文公报PDF;英文申请全文;英文公报PDF。德文PDF第4页及第12页已目视,其他所引位置经文本核查;英文PDF已打开文字定位,未目视。德文第2页[0015]至[0018]、第3至4页[0032]至[0042]、第6页[0073]、第9页权38/39;英文相关内容见PDF第7至8页。

同方案A至E:Al₂O₃第二基板、LT/LN压电层、SiO₂夹层、界面梳齿电极及优选厚度均有原文基础。它们位于同一一般架构,不应拆成全无联系的词语;但具体图1G实例的第二基板是Si,不能写成Al₂O₃全要素实测。A的材料和承载、B、C选项、D及E数值为原文明确,完整高速含义及选择共同适用性仍属隐含公开需论证。

原文关键短句:“Möglich ist aber auch Al₂O₃”,意为也可以采用Al₂O₃;“klingt in beiden Richtungen vertikal dazu ab”,意为能量沿垂直于传播面的两个方向衰减。前者是[0034]材料选项,后者是[0016]一般导波解释,不能省去它们各自的上下文。

速度与角色:[0033]明确可在生长基片上生长压电层,并在两基板接合后优选剥离生长基片;[0073]说明第二基板的机械稳定作用。[0015]至[0018]以低速夹层及垂向速度剖面实现导波。权38规定层体系的体波速度至多为两基板对应速度的90%,权39另规定第一基板体波速度低于第二基板。夹层体系包含金属和介质,其速度不自动等于SiO₂单一材料速度,两项体波关系也不自动等于工作模态相速度上界。

厚度计算:[0042]一般层体系厚度为0.1λ至λ,优选0.15λ至0.5λ,另述0.3至1μm。只有在金属结构嵌于介质且优选不突出、层体系厚度等于介质层厚度的条件下,才可将该优选范围对应目标低速膜厚。不是将层体系和任何单层无条件等同。本轮未核得D1自身逐字定义异极相邻电极间距为λ/2的式子。

增量与反证:本轮确认D1有真实压电层与承载制造分支,缩小了不必要的结构争点。第一基板优选3至50λ不能补入目标权1,也不能抹去生长压电层分支。Al₂O₃与玻璃、FR4并列,反而说明不能把所有菜单材料一概视为目标高速支撑。依附链39→38→36→26→25→14→8→2→1可容纳相关限定,但Al₂O₃和优选厚度仍来自说明书,不能称整条链逐字限定全部特征。

适用路线:R2优先。应先证明选定材料和模式落入D1共同框架,再讨论固有声学关系;若需N1或N2补足采用动机,应明确转为多篇创造性论证。专利权人的最强回应是:具体Si实例、一般Al₂O₃选项与速度条件尚未证明在目标厚度内共同实现。

D2 与D1相近但不同的电声元件分支

身份与时间:DE102005055870A1,Elektroakustisches Bauelement,2007-05-24;US20080292127A1,2008-11-27。共同优先权2005-11-23,日期见Google Patents版本记录。原有种子,不与D1混同。

取得与定位:德文原文;德文PDF;英文原文;英文PDF。两份PDF文字已核,未目视。美国PDF第4页[0006]至[0014]、第5页[0023]至[0031]为主要定位。

同方案和声学:A材料选项原文明确,完整高速/膜角色需论证;B、C材料和D原文明确。US[0006]以工作或中心频率的GBAW波长定义λ;[0008]/[0009]分别列Al₂O₃及LT/LN;[0012]至[0014]说明垂向衰减、低速夹层和SiO₂。其共同技术原理可辅助解释,但不能把D2[0023]改称D1段落。

厚度与限制:US[0023]优选0.15λ至0.5λ,保留嵌入等厚条件;[0024]说明温度性能,[0029]至[0031]说明平坦化、调频和键合。此处数值明确,但IDT周期对应仍需解释。调厚应以最终键合后的目标工作频率为准,反对改变结构后机械保留原数字。

适用路线:同类技术背景或R3备选。主要贡献为W1、部分W2及W4;没有独立解决D1所选Al₂O₃器件的全部模态问题,也不能当作D1的另一译文。

D3 分子键合承载薄层家族

身份与时间:美国US6445265B1,Device with acoustic waves guided in a fine piezoelectric material film bonded with a molecular bonding on a bearing substrate and method for making same,2002-09-03;法国FR2788176A1,2000-07-07;中国CN1294780A,2001-05-09;韩国KR20010083777A,2001-09-01。共同优先权1998-12-30,具体日期见各版本Google Patents首页/时间线。D3为原有技术来源,本轮增加取证版本和速度定位,未新增独立技术启示。

取得与定位:美国全文及美国PDF;法文全文及法文PDF;中文全文;保留韩文的韩国页面。美国PDF已打开但未目视;法文24页扫描PDF已取得,目视第4、5页;CN和KR正文已核,未取得可用PDF链接。日本同族仅确认身份,未核正文。

同方案A至E:蓝宝石是真正的substrat porteur,即“承载基体”选项。FR权3可依权2,权6可依权1至5,故蓝宝石、silice即硅石接合层、LT/LN薄层具可并存的权项基础,不是从完全无关实施例拼取。图2的键合后离子分裂/抛光确立压电薄层身份,表面或埋入电极明确。目标0.1λ至0.5λ中间膜厚缺失。

速度与模式:早先材料速度比较之外,美国说明书图8a双面实心封装段还有更直接条件。短引“the speed of the bulk waves in the carrier substrate is greater than it is in the guide”,意为载体中的体波速度大于导波体中的速度;原段由此说明可得很低的传播损耗。韩国对应段为图9a,不得统一写成同一图号。该新定位实质补强W2,但仍未直接给出D1所选Al₂O₃状态、晶向、相关剪切分支和目标厚度下的v模数值或必然关系。

厚度及电极:权4的“quelques centaines d’Angstrôms”或韩文“수백 옹스트롱”均为数百埃。法文PDF第5页、印刷第4页14至20行的具体沉积例是硅/GaAs载体,不能写成蓝宝石实验。紧接21至26行的约1至30μm属于压电层波长量级,不是SiO₂膜厚。图4c的λ周期与此前λ/2配置有区别,不能将任意节距都等同工作波长。

增量与反证:W3支持真实承载与减薄,W2提供导波损耗条件;W4仍无把数百埃增至D1目标相对厚度的明确动机。美国权1存在空蚀载体分支,图8a又是实心双面封装,应分开引用。法文图9封装变化影响响应,不能假定边界改变没有影响。

适用路线:作为D1结构与速度解释的优先辅助。若从D3出发再增厚键合层,真实区别是工作厚度、波型和边界,而不只是材料名称;最强回应为薄键合取向与D1较厚夹层的功能不当然相容。

D4 日本薄板夹层结构

身份与时间:JPH06326553A,表面弾性波素子,1994-11-25公开,优先权1993-03-15。原有种子,日期来自Google Patents元数据。取得与定位:日文原文,[0224]至[0228]、图20及一般扩展[0234]至[0236]。网页已核,本轮未取得PDF下载链接、未目视原公报。

同方案A至E:承载实体原文明确,但其硼、非晶碳或石墨并非目标指定高速材料;一般非晶碳不能直接改称DLC。中间层42为SiO₂或SiN,仅SiO₂落入目标B;C为41°Y切X传播LN薄板21;D为梳状电极30/30′。E原文有数值贡献:“1/2波長以下、さらに好ましくは1/10波長以下”,即≤半波长、更优≤十分之一波长,不能因没有0.1λ下限而排除其交集。

声学与限制:该段使用所用SAW波长,IDT周期对应仍须结合几何,不宜直接假定。W1/W3的夹层薄板角色较清楚,但指定支撑材料缺口及替换后的体波分支、相速度、模式维持未补齐。最强反向条件为更薄优选和不同支撑材料。

适用路线:仅作换支撑备选。必须先给换成蓝宝石、金刚石等目标材料的理由及保留相对层厚的预期,不可把材料替换写成单篇已有公开。US5446330A未完成本轮原文核验,不用其内容补强本卡。

D5 中国弹性界面波器件

身份与时间:CN101789769A,弹性波装置,2010-07-28,优先权2009-01-26。原有种子,日期来源为Google Patents首页/时间线。中文原文;PDF链接。中文全文已读,PDF获取失败,未目视。定位为图1及“SiN膜7的厚度”“制作的弹性界面波共振器的规格”等段落;附件所标[0092]/[0098]/[0099]/[0110]未完成本轮PDF段号校验。

同方案与计算:SiN层7、SiO₂层6、LN压电体2和界面IDT3明确。同例λ=1.9μm,由IDT电极指节距确定;SiO₂=712nm,SiN=2000nm,712/1900=0.3747368,约0.3747λ。一般SiO₂范围约0.2至0.7λ,与具体单点分开。

速度与角色:SiN较SiO₂横波快,并要求SiN外表面位移近零,厚度例如≥λ,对原边界波限域有直接解释价值。但SiN被公开为覆盖媒质,不等于机械承载基板;未找到去除/减薄LN原基片而使其成为目标承载薄膜结构的制造教导。因此A材料、B相对夹层、D和E数值明确,A承载与C目标膜角色缺失或需论证。

反证与路线:SiO₂增厚改善TCF与高阶模杂散存在权衡,ψ旋转用于抑制杂散。覆盖层转承载且LN减薄后,不能假定模态不变。主要供W2/W4解释,作为替代D1的单篇仍卡W3。

D7 日本条件化边界波窗口

身份与时间:JP2007267366A,弾性境界波素子、共振器およびフィルタ,2007-10-11,优先权2006-02-28。原有种子。日文全文;60页公报PDF。日文网页与PDF文字可读,未完成可靠图像目视。定位图2至3结构/定义及图10条件窗口。

同方案与厚度:Al₂O₃媒质膜14、SiO₂膜12、LN基板10及界面IDT16明确。H为SiO₂厚度,h为金属厚度,a为金属密度与Cu密度之比,λ为隔一个电极的间隔。示例同时要求0.0525λ/a≤h<0.065λ/a及24°≤θ<25°时,0.3λ≤H<0.32λ。这些是联合条件,不可删去切角、金属密度或严格上界。

速度与角色:工作SH主模,并抑制SV/Stoneley;较快覆盖媒质可围限SiO₂能量,但未证明膜14承担机械支撑,亦未证明LN薄化。故A材料和声学用途、B、D、E条件化窗口原文明确;A承载、C薄膜及覆盖层转承载后的模式相容性未补齐。

适用路线:W4参数与W2模式辅助,不能凭图的上下方向替代实体角色证明,也不是全覆盖单篇。

N1 高速非压电载体与衰减动机

身份与时间:US20100231330A1,Component Working with Guided Bulk Acoustic Waves,2010-09-16;DE102007012383A1,2008-09-18。优先权2007-03-14。DE为附件种子,该共同来源此前已有评估,本轮新增具体版本和定位,不称全新家族。日期见Google Patents记录及US PDF首页。

取得与定位:美国全文;美国PDF;含德文原文的德国页面;德国PDF链接。US PDF第4页、印刷说明书第2页[0027]至[0029]已目视;DE正文已读、PDF未目视。WO2008110576A1只作跨局辅助。

同方案与速度:US[0028]列Al₂O₃非压电层,作为极薄压电层的载体或生长基片;[0029]以较高声速促进声波快速衰减,并举1.5倍差异。[0018]至[0020]给LN/LT及SH模式,[0054]允许实施例结合。A材料、承载选择与高速动机,C、D有直接贡献;目标B和E缺失。

层序与限制:主要结构是非压电层/压电层/电极及TeO₂、SiO₂介质层,不能把位于另一侧的SiO₂直接搬到载体和压电层之间。TeO₂是氧化碲,不是目标清单的氧化钽。高速动机是W2/W3实质补强,但不能倒称D1已有明确Al₂O₃模态数值,也不能证明换层序后保留原厚度的结果。

适用路线:D1技术解释或创造性采用动机辅助,非单篇替代。专利权人的最强回应是层序不同、速度对象与实际工作模式未完全对应。

N2 电极周期与相对膜厚的技术联系

身份与时间:US20090108961A1,Electroacoustic Component,2009-04-30;DE102006019961A1,2007-10-31。共同优先权2006-04-28。既有技术来源,本轮增补参数定位。美国全文;美国PDF;德文全文。US PDF第4页已目视,DE正文已读、PDF未打开。

同方案与计算:US[0046]至[0048]定义通带工作波长,相邻异极电极间距为“half a wavelength”,即半波长,算例λ₀=2.5μm。[0061]给中间SiOₓ及20%至80%有利范围;[0062]的0.4λ±0.05λ最佳区同时对应μ=−48°及Al厚度为16%λ,不可丢弃电极条件。A的具体第二基板为Si或玻璃,未直接补目标Al₂O₃同例;B、C的LT、D及E参数联系明确。

增量与反证:[0097]明确引入D1/D2等实施方式,构成具体技术联系,但多篇仍不能合成单篇新颖性公开。[0035]说明最优切角依赖金属层、夹层及第二基板材料,故不能把Si算例性能整体移给Al₂O₃。这是本轮W4最直接的补强,也同时限制其适用范围。

适用路线:优先解释IDT周期与参数优化;组合时须说明材料变更下的模式和切角可预期性。最强回应为参数协同依赖,不能无条件迁移。

N3 早期导波原理辅助

身份与时间:US4328472A,Acoustic guided wave devices,1982-05-04,优先权1980-11-03;日期来自Google Patents公开和优先权记录。本轮引证扩展候选。英文全文;PDF链接。全文已核,PDF点击失败,未目视。定位权1、9、10及图1/2后材料选择段。

关键含义:原文“effective acoustic velocity”是有效声速。其两个半空间声速高于导波体有效速度,材料选择涉及具体晶向刚度与密度;这不是明确写出的目标工作模态相速度v模不等式。0.1至0.5λ量级也并非目标中间SiO₂同方案。

A至E与路线:A/B/C的各别材料菜单不能拼成联合实施,完整对应缺失或需论证;D有电极结构贡献,E仅原理性数值。它可支持W2/W4的慢层/快边界思想,也强调材料、晶体方向和工艺相容性;不提供完整各向异性模态求解,不是单篇全覆盖候选。

N4 蓝宝石承载LT的限制性设计

身份与时间:US6933810B2,Surface acoustic wave device with lithium tantalate on a sapphire substrate and filter using the same,2005-08-23;优先权2002-12-02。其US20040135650A1于2004-07-15公开,本报告引用B2自身内容,不将授权内容自动追溯。日期见Google Patents版本表。英文全文;PDF链接。全文已读,PDF未取得/未目视。定位SUMMARY式1/2、图11后总结及背景SiO₂覆IDT讨论。

A至E与反证:A的蓝宝石承载、C的LT及D有直接贡献,B和E不补。该热稳定设计要求T/λ>10,薄化可能增强界面反射体波寄生。因此“真实支撑上LT越薄越无代价”不是普遍规律。

适用限度:其不用SiO₂是该设计的选择,背景批评对象是覆盖IDT的SiO₂工艺和损耗,不是普遍禁止D1埋置SiO₂。它可限制W3/W4泛化结合论证,但不能据此认定D1不能工作。该文件按反向证据使用,不升格为正向全覆盖组合。

N5 中国LN与SiO₂及金刚石材料层序

身份与时间:CN101777622A,LiNbO3/SiO2/金刚石多层压电膜及其制备方法,2010-07-14,日期见Google Patents版本记录,页面记载优先权2010-01-12。原有检索种子。CN101777622B为2011-09-14,不能替代A版作为界限内版本。

取得与定位:中文全文;PDF链接。中文全文已读,6页PDF文字可读,截图失败,未目视。权1至4、发明内容、实施例一/二及唯一结构图。

同方案与厚度:金刚石衬底1、非晶SiO₂缓冲层2、c轴取向LN压电薄膜3及最终层序明确,故A材料/承载、B和C具较强同方案证据。D成品IDT缺失,E缺少λ定义。SiO₂一般0.05至0.6μm,LN为0.2至3μm;例一SiO₂/LN为0.13/0.45μm,例二为0.3/0.6μm。不得任意选λ把绝对厚度改成目标比值。

速度与动机:背景的金刚石表面波快、LN/金刚石计算速度,不能移作该三层同例的相关体波和v模证明。SiO₂缓冲用于抑制金刚石氧化、缓和晶格失配及温度补偿,是W1/W3和部分W4的真实相容性贡献;c轴沉积膜与D1晶向/工作模式仍有区别。

适用路线:材料工艺佐证,不能独立替代D1。其引证CN100468965C于2009-03-11公开,实际为LN/ZnO/金刚石,ZnO不在目标B清单;CVD金刚石下面的硅是否去除未确认。该引证只作背景,不以其二层速度模拟补足本三层方案。

N6 法国蓝宝石与SiO₂及ZnO器件

身份与时间:FR2474243A1,Dispositif générateur d’ondes acoustiques de surface,1981-07-24,优先权1979-12-19;日期来自Google Patents公开记录。原有种子,与US4354130A、JPS5687913A同源,仅按本法文版本评价。

取得与定位:法文全文;PDF链接。法文全文已核,17页PDF可读但截图失败,未目视。权1、4至6、10及图1、4、5;OCR权项次序错行,数值与图4说明交叉核对。

同方案与计算:α-Al₂O₃单晶蓝宝石底座、SiO₂中间层明确,另有金属短路层;压电层是ZnO,C与目标相反。d′为SiO₂厚度,k=2π/λ。宽范围2<kd′<9对应0.3183099<h/λ<1.4323945,只有大于0.3183099且不超过0.5的部分与目标相交。较优3.2<kd′<6.3对应0.5092958<h/λ<1.0026761;再优3.9<kd′<5.3对应0.6207043<h/λ<0.8435212,均不落入目标。图4计算还有ZnO的kd=1条件。

电极与速度:图1顶侧及图5界面电极属于不同分支;λ为声表面波波长,本轮未找到直接逐字以完整IDT重复周期定义的式子,需结构解释。未给与LT/LN工作模态的同方案体波对照。

增量与路线:厚度选取与TCF有真实关系,但不能只引用宽范围交集而省略更优范围和ZnO差异。它不是绝对教导远离全部目标区间,也不能独立替代D1;只作W4有限参数动机和反向条件佐证。

N7 日本蓝宝石接合与磨薄工艺

身份与时间:JP2004343359A,弾性表面波素子の製造方法,2004-12-02,优先权2003-05-14;Google Patents及PDF首页可核。原有种子,US7331092B2仅作同族识别。

取得与定位:日文全文;公报PDF。日文与PDF文字可读,未可靠目视。主要[0058]至[0068]、图7,PDF第11页[0063]/[0064]。

同方案A至E:蓝宝石支持基板21、[0059]SiO₂中间膜选项、LT基板11及[0068]接合后磨薄、表面IDT明确;高速模态关系仍需论证,目标SiO₂归一厚度缺失。

关键短句与反证:“可能な限り薄く形成する方が良い”,即宜尽可能薄。其理由是厚膜增加粗糙度、削弱接合;同段给CMP镜面化补救,因此不是绝对禁止目标厚度。[0064]“AlN膜…15nm”指15nm AlN,不是SiO₂,不得用别例λ拼出比值。

路线:W3真实支撑/薄化及W4工艺可行性辅助。CMP能处理部分粗糙度问题,不反向产生采用目标厚度和维持模式的明确动机。最强回应为相对厚度与声学效果仍未公开。

N8 韩国覆盖媒质形成与模式变化

身份与时间:KR20060129514A,탄성 경계파 장치의 제조방법 및 탄성 경계파 장치,2006-12-15,优先权2004-03-29。原有种子;同族含WO2005093949A1、CN1938946A、US20070018536A1,各版本不得混用。

取得与定位:韩文全文;18页PDF。韩文和PDF文字可读,未可靠目视。PDF第10至11页实施例1/2、图3及5至10。

同方案与参数:具体第三媒质为多晶Si,不在目标A材料清单,且未证机械承载;B为SiO₂,C为15°Y切X传播LN基板,非已核压电薄膜;D为IDT且λ=2P。例2分别研究0.1、0.3、0.5、1.0λ,不能合成单例。

声学增量及反证:第三媒质中能量衰减、H3>0.5λ提供W2解释;例1的SiO₂增厚降低速度并改善TCF。尤其重要的是,形成第三/第四媒质前为表面波,之后才为边界波,说明删除或改造覆盖层可能改变模式。该事实不能用于认定一切改变均失败,但足以阻止无论证的层角色替换。

路线:W2/W4解释与模式敏感性证据;不作全覆盖候选。

N9 日本直接接合工艺背景

JP2005252550A,接合基板、弾性表面波素子および弾性表面波デバイス,2005-09-15,Google Patents元数据核日期,页面记载优先权2004-03-03。沿N7前向引证取得。日文全文,权1、5及图1至2;正文已读,PDF未取得/未目视。

A的LT/蓝宝石真实支撑及C、D结构有贡献,具体为40μm LT与250μm R面蓝宝石;接合区为0.3至2.5nm非晶层。B的目标SiO₂身份缺失,E无目标h/λ。不能将非晶接合区自动改称SiO₂。仅支持W3工艺背景,同族US7208859B2、CN1665131A、KR20060043316A不重复加权,不列强组合。

八 推荐路线及最强回应

R1 单篇新颖性路线

本轮没有找到比D1更强且已闭合全部特征的单篇。D1具有较完整的一般架构,应保留为首要候选,但当前证据不支持写成“全部要素已无争议地在同一Al₂O₃器件中实现”。D3、N5更直接证明真实承载薄层,却缺目标归一厚度或IDT;D5、D7厚度更具体,却未解决覆盖媒质与机械支撑的区别。不得将多篇优点合并后仍称单篇新颖性公开。

R2 优先解释D1共同方案

最接近文件为D1。应从其[0015]至[0018]的导波速度剖面、[0033]的生长与基片移除、[0034]的Al₂O₃、[0037]的SiO₂、[0042]的嵌入等厚和[0073]的机械承载出发,写出具体选定方案,再核权38/39与实际工作模态的关系。真实争点不是抽象地“缺一个材料名”,而是该选择是否在相应晶向和边界下实现必要声速关系。

D3的真实支撑薄层和图8a/9a速度条件可帮助解释何以采用较快载体;N1补强高速非压电载体促衰减的动机;N2给IDT周期与厚度优化的具体联系。这些只可作为技术解释来源或转入R3的采用理由,不能自动归入D1单篇文字。专利权人的最强回应仍是不同切角、金属、电极厚度和支撑材料改变色散,现有资料没有证明所选全部条件共存。

R3 有区别的创造性组合

若D1自身共同公开不能充分成立,建议只针对已确认区别论证组合。技术问题可表述为:在保持D1导波、温度性能及电极夹层框架下,实现选定高速实体的可靠承载并控制支撑侧能量泄漏。该表述以原文件目的为基础,不预设答案必然为目标结构。

采用D3或N1的理由是其真实承载/薄层及衰减教导;采用N7的理由是接合后磨薄与粗糙度补救,不是因为碰巧出现SiO₂。保留D1相对膜厚的理由必须仍来自其夹层和温度性能框架,并评估N2指出的材料/金属/切角依赖。CMP只处理表面平坦度,不保证声学相容。若需重新选择结构、重新优化模式或重新发明参数,则不能称纯粹验证既有方案。

从D3起步增厚数百埃键合层、从D4替换承载材料、从D5/D7把盖层改成承载,均是备选且证明负担更大。必须分别说明实际区别、保留厚度的原因和边界变化后可预期的工作模式;不能用“没有明确禁止”代替采用动机。

九 本轮边界和最小下一步

本轮完成六国概念种子查询、可访问重点全文核查及相关同族/引证追踪。相当一部分命中为同族重复、晚公开或不相干光学/转移结构;仍有正文和公报获取失败。因而本报告是按实际可核证据收束的补充检索,不是所有数据库或所有引证的穷尽证明,也不以查询轮数、国家数或命中量提高无效把握。

最小技术取证问题是固定D1一个有原文依据的材料与边界组合:Al₂O₃晶体或多晶状态、LT/LN切向、IDT金属及厚度、SiO₂厚度及完整周期。随后确认相关剪切分支、实际工作模态相速度和支撑侧衰减是否在该方案内共同成立;同时说明低速膜与压电体相关体波的比较。不得使用任意最快纵波作为泄漏阈值。

如进行计算,应明确是验证文献已经公开方案的固有性质,还是引入新结构或参数选择。前者可能帮助说明隐含公开,后者不能补造优先权日前不存在的公开或组合启示。计算前先固定可追溯输入,避免计算结果反向决定文献“原来公开了什么”。

最小原件补证为US5446330A、DE102010016431A1及两件未取得正文的韩国种子;韩国双面SiO₂键合尤其需核最终总厚度和真正承载体。只有这些原件改变W1至W4评价时才提升为主证据,不为数量继续无边界同义检索。

最终结论:W3得到较强文字支持,W2获得更直接的已知家族速度定位,W4获得周期和工艺限度的澄清;但D1所选完整方案的模态必然性以及跨文件保留膜厚的针对性理由仍未全补齐。本轮未取得足以闭合全部最弱环节的新单篇证据。

附录一 实际查询日志

通用记录规则

执行日期统一为2026-10-19。数据库对象为Google Patents;概念查询通过外部网页搜索索引执行,site前缀限制公开号国家路径但不能保证结果严格服从。未成功启用专利公开日自动筛选,实际按主清单各具体版本的公开日≤2010-12-23核验。查询中的before只用于召回,不作为日期证明。

以下保留实际提交的查询式。返回样本只表示结果列表确曾出现,不等于该文件已打开全文。全文实际检查、PDF状态和未取得文件分别见本报告证据卡及附录二。重复提交的相同DE/US查询不另算独立轮次;附件未执行项目会说明,不把待执行种子复制成完成记录。

中国和法国实际查询

CN01 site:patents.google.com/patent/CN "氧化铝" "氧化硅" "钽酸锂" "导波"

CN02 site:patents.google.com/patent/CN "高声速支撑基板" "压电膜"

CN03 site:patents.google.com/patent/CN "相速度" "体波" "界面波" "支撑"

第一批主要为CN106209007A、CN106416067A/B等晚公开;排除,不能倒填。

CN04 site:patents.google.com/patent/CN "氮化硅" "基板接合" "铌酸锂"

CN05 site:patents.google.com/patent/CN "生长基板" "去除" "压电层" "氧化硅"

CN06 site:patents.google.com/patent/CN "归一化膜厚" "叉指" "非泄漏"

第二批多为CN111492496A、CN108781064A、CN109964405A、CN115362628A等晚公开;CN1154478A传感器非所需导波链,未提升为主证据。

FR01 site:patents.google.com/patent/FR "saphir" "silice" "niobate de lithium" "guidage"

FR02 site:patents.google.com/patent/FR "substrat porteur" "ondes de volume" "vitesse de phase"

FR03 site:patents.google.com/patent/FR "tantalate de lithium" "silice" "onde non rayonnante"

第一批含FR2997027A1晚公开及跨局EP1060562B1(D3同源,非FR结果);未产生独立新早期方案。

FR04 site:patents.google.com/patent/FR "collage moléculaire" "couche piézoélectrique" "épaisseur"

FR05 site:patents.google.com/patent/FR "nitrure de silicium" "substrat" "niobate de lithium"

FR06 site:patents.google.com/patent/FR "couche intermédiaire" "évanescent" "ondes acoustiques"

第二批含FR3116652A1、FR3130112A1、FR3141592A1、FR3079533A1等晚公开及EP跨局;未产生早期新强证据。

CNE01 site:patents.google.com/patent/CN "铌酸锂" "金刚石" "叉指" before:2011

CNE02 site:patents.google.com/patent/CN "导引体声波" "氧化铝"

FRE01 site:patents.google.com/patent/FR "saphir" "silice" "guidées" before:2011

这三条仍出现晚公开(如CN212414744U、CN113300683A、FR2951336A1);日期算符未产生可靠专利日期过滤,不计其为合格先例。

直接核查:CN101789769A、CN101777622A、FR2788176A1、FR2474243A1。

命中驱动:FR2788176同族→CN1294780A(成功);CN101777622引证→CN100468965C(成功)、CN1731676A(打开失败,仅版本表核日期);FR2474243引证→FR2423870A1(打开失败,未取得正文,不评级);FR2788176引证表→FR2946478A1(打开失败,未证其技术贡献)。

D1家族检索:打开DE102005055871A1英文页并find CN无匹配;本国检索未确认中国国家阶段,不猜号。D2未在本国检索独立追尽中国同族,本轮未补齐。

德国和美国实际查询

DE01 site:patents.google.com/patent/DE "geführte Volumenwellen" "Al2O3" "Siliziumdioxid"

返回样本:未返回可登记公开号。样本不是全部已核全文。

DE02 site:patents.google.com/patent/DE "Trägersubstrat" "Phasengeschwindigkeit" "Volumenwelle"

返回样本:DE112017005316B4、DE212021000552U1。样本不是全部已核全文。

DE03 site:patents.google.com/patent/DE "Lithiumtantalat" "Transversalwelle" "Abklingen"

返回样本:未返回可登记公开号。样本不是全部已核全文。

DE04 site:patents.google.com/patent/DE "Wachstumssubstrat" "abgelöst" "piezoelektrische Schicht"

返回样本:DE102005055871A1、DE112020006886T5、DE102022107602A1。样本不是全部已核全文。

DE05 site:patents.google.com/patent/DE "Saphir" "Siliziumdioxid" "Schichtdicke"

返回样本:DE102018107483A1、DE112012007215T5、DE2543083C3。样本不是全部已核全文。

DE06 site:patents.google.com/patent/DE "Siliziumnitrid" "Trägersubstrat" "Wellenführung"

返回样本:DE102018108114B3、EP1873879B1、DE102017102183A1。样本不是全部已核全文。

US01 site:patents.google.com/patent/US "guided bulk acoustic wave" "alumina" "silicon dioxide"

返回样本:US20230308072A1、US20260088800A1、US20250183868A1。样本不是全部已核全文。

US02 site:patents.google.com/patent/US "carrier substrate" "phase velocity" "bulk wave"

返回样本:US20260039274A1、US20210305965A1、FR2981203A1。样本不是全部已核全文。

US03 site:patents.google.com/patent/US "lithium tantalate" "silica" "evanescent"

返回样本:US7570850B1(其余返回路径未含完整种类代码,未据此登记正式公开号)。样本不是全部已核全文。

US04 site:patents.google.com/patent/US "piezoelectric layer" "growth substrate" "removed" "bonding"

返回样本:US20230299733A1、US20180054176A1、US11070184B2。样本不是全部已核全文。

US05 site:patents.google.com/patent/US "sapphire" "lithium niobate" "normalized thickness"

返回样本:US20250202452A1、US9843304B2、US8183737B2。样本不是全部已核全文。

US06 site:patents.google.com/patent/US "silicon nitride" "support substrate" "nonleaky"

返回样本:未返回可登记公开号。样本不是全部已核全文。

DEUS扩展01 site:patents.google.com/patent/DE "Lithiumniobat" "Siliciumdioxid" "Diamant"

DEUS扩展02 site:patents.google.com/patent/US "acoustic" "intermediate layer" "diamond" "lithium tantalate" before:2011-01-01

DEUS扩展03 "US5446330A" patents

DEUS扩展04 "DE102010016431A1"

DEUS扩展05 "DE" "Aluminiumoxid" "Lithiumniobat" "Grenzwelle"

DEUS扩展06 site:patents.google.com/patent/US "sapphire" "silica" "guided" "2004"

调整及实际检查:精确种子出现晚公开和光学波导噪声,故转材料同义词、精确号和引证。实际打开D1/D2的DE和US版本、DE102007012383A1、DE102006019961A1、US20100231330A1、US20090108961A1、US6445265B1、US4328472A、US6933810B2及US20080211602A1。US5446330A、DE102010016431A1正文失败。N1/N2同族合并,不重复加权。

日本和韩国实际查询

JP01:site:patents.google.com/patent/JP "サファイア" "酸化珪素" "ニオブ酸リチウム" "導波";返回样本:JP2006343355A、JP6613238B2、JP2002250949A、JP3848093B2、JP2003177263A、JP3517876B2、WO2005019886A1、JP2025078758A。样本不代表已核全文,状态见证据卡和附录二。

JP02:site:patents.google.com/patent/JP "支持基板" "位相速度" "バルク波";返回样本:JP2021093570A、JP2025507024A、JP7088316B2、JP7850819B2、JP7433873B2、JP2024067557A、JP7163965B2、JP3965026B2。样本不代表已核全文,状态见证据卡和附录二。

JP03:site:patents.google.com/patent/JP "タンタル酸リチウム" "低音速" "非漏洩";返回样本:JPWO2020122005A1、JPWO2012086639A1、JP5910763B2、WO2021177340A1、WO2022176738A1、WO2021177341A1、WO2021157714A1、WO2023003006A1。样本不代表已核全文,状态见证据卡和附录二。

JP04:site:patents.google.com/patent/JP "成長基板" "剥離" "圧電層";返回样本:JP2003216052A、JP2003218402A、JP2020142363A、JP7851608B2、JP7517840B2、JP2025078758A、JP5193051B2、JP2009516967A。样本不代表已核全文,状态见证据卡和附录二。

JP05:site:patents.google.com/patent/JP "窒化珪素" "基板接合" "薄板";返回样本:JP2004342635A、JP2004307307A、JP2010238899A、JP5251677B2、JP5756888B2、JP6300229B2、JP2011159882A、JP3952666B2。样本不代表已核全文,状态见证据卡和附录二。

JP06:site:patents.google.com/patent/JP "中間膜" "規格化膜厚" "電極周期";返回样本:JPH10117122A、JP2025118557A、WO2016021266A1、JP7887532B2、WO2024057165A1。样本不代表已核全文,状态见证据卡和附录二。

KR01:site:patents.google.com/patent/KR "사파이어" "산화규소" "니오브산 리튬";返回样本:KR101650065B1、KR100913211B1、KR101424788B1、KR101284201B1、KR101447020B1、KR20080003926A、KR20080082478A。样本不代表已核全文,状态见证据卡和附录二。

KR02:site:patents.google.com/patent/KR "지지 기판" "위상 속도" "벌크파";返回样本:KR101636901B1、KR19980064569A、KR102063563B1。样本不代表已核全文,状态见证据卡和附录二。

KR03:site:patents.google.com/patent/KR "탄탈산 리튬" "전단파" "도파";返回样本:未返回结果。样本不代表已核全文,状态见证据卡和附录二。

KR04:site:patents.google.com/patent/KR "압전 박막" "성장 기판" "제거";返回样本:KR102457270B1、KR20220031413A、KR102480141B1、KR102227213B1、KR20220155353A、KR20210136669A、KR20220034037A、KR20220047773A。样本不代表已核全文,状态见证据卡和附录二。

KR05:site:patents.google.com/patent/KR "질화규소" "기판 접합" "음향파";返回样本:KR102690629B1、KR20180104666A、KR20250075566A。样本不代表已核全文,状态见证据卡和附录二。

KR06:site:patents.google.com/patent/KR "중간층" "정규화 두께" "전극 주기";返回样本:未返回结果。样本不代表已核全文,状态见证据卡和附录二。

扩展实际查询:精确公开号KR20070092110A、KR20050045913A;site:patents.google.com/patent/KR20050045913A "thickness";site:patents.google.com/patent/KR20070092110A "500";site:patents.google.com/patent/JP サファイア 酸化シリコン 圧電 接合 before:2010-12-24;site:patents.google.com/patent/KR 사파이어 접합 SiO2 LiNbO3 before:2010-12-24。调整原因:原种子出现光学/晚期噪声,转承载接合和具体疑点。继续沿JP343359引证打开JP5252550,沿命中打开JP4304622、JPH10117122及JP3216052。未命中并不证明不存在。

直接入口失败记录:尝试Google Patents的country=JP及before=publication:20101224查询页未成功,故未声称站内日期筛选完成。后续逐篇核日期;下载失败不记成功。实际已读D4、D7、N7、N8、N9、D3韩国版,以及JP2004304622A、JPH10117122A和JP2003216052A。两件KR重点种子及D3日文同族正文未取得。

目标核查与补充定位记录

直接核查CN103262410B授权文本,仅用于确定评价对象与解释边界;直接核查WO2008110576A1全文为N1跨局辅助。追加核对US6445265B1图8a和KR20010083777A图9a速度文字,未视为新家族。报告整理时再次打开D1、D2、US20100231330A1、US20090108961A1、US4328472A、US6933810B2、US6445265B1、CN101777622A、JP2005252550A,核对标题、日期和优先权记录;此类复核不算独立概念检索轮次。

附录二 未取得原件与排除记录

原文未取得或核验层级不足

KR20070092110A:索引和KR100856218B1关联页显示2007-09-12公开,但/ko、/en及无后缀正文访问均失败。候选页面。Al₂O₃角色、500nm/2000nm链和0.25λ对象均未在本轮核实,不以旧报告代替。

KR20050045913A:索引和EP1538748A3关联页显示2005-05-17公开,正文各路径失败。候选页面。双面SiO₂接合后的总膜厚未核,不能把一侧厚度当总厚;未取得PDF。

US5446330A:精确号检索旁证日期1995-08-29,但原文多路径返回错误。DE102010016431A1:同族表旁证日期2010-11-04,原文未取得。这两件仅保留待补证身份,不采附件概述为本轮已证事实。

FR2423870A1、FR2946478A1:沿引证表访问失败,未取得正文,不评技术贡献。JP2002534886A:D3同族表显示2002-10-15,原文失败,仅作身份线索。KR19980064569A、KR20080003926A:/ko与/en均失败,不能因失败而作技术上无关的负面结论。

CN1731676A:正文打开失败,其2006-02-08公开日仅由CN100468965C版本表核对。已读的是2009-03-11公开的C版,未把C版具体内容倒推为A版必然相同。

本轮未完成完整图像目视的PDF,包括D1除指定页以外、D2、D3美国版、D7、N5、N6、N7、N8等,均按证据卡限定核验层级。PDF无法显示与全文缺失不混为同一状态。

已读但降为背景或排除的命中

CN100468965C:LN/ZnO/金刚石而非目标SiO₂中间层;基底硅是否去除未确认。US20080211602A1:2008-09-04,主要为多层声镜带隙及高相速导波,AlN/ZnO为例、LN为选项,未补目标指定承载、SiO₂夹层和厚度,不列强组合。

JP2004304622A:2004-10-28,所读原文围绕IDT的金属封接和腔体,不是目标连续低速中间层。JPH10117122A:1998-05-06,Li₂B₄O₇基板及Al电极归一厚度,不是LT/LN/SiO₂层。JP2003216052A:2003-07-30,显示元件排列/转移,排除。

晚公开及跨局溢出

外部索引命中CN106209007A、CN106416067A/B、CN111492496A、CN108781064A、CN109964405A、CN115362628A、FR2997027A1、FR3116652A1、FR3130112A1、FR3141592A1、FR3079533A1、JP2021093570A、JP2025507024A、DE112017005316B4、DE212021000552U1等后公开文件。它们不进入本轮在先主清单,其后期更清楚的声速描述不能倒填至早期方案。结果中EP、WO页面也不按查询词语言或申请人归入FR等国家。

尚未执行或未追尽的范围

附件各国六条概念种子均已实际提交,但这不代表所有近义词组合、所有发明人/申请人链和所有前后引证已穷尽。D1中国国家阶段未确认,D2中国同族未独立追尽;D6仅沿用附件定位而未独立复核原件。以上不记为已完成核验,也不为填足数量猜测公开号。

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B

特征A声速比较证据补充检索报告

中国 法国 德国 美国 日本 韩国

执行日期 2026年10月19日    普通现有技术公开日界限 2010年12月23日

一 D1氧化铝方案尚未取得完整声速证明

现有原文足以确认D1的Al₂O₃第二基板选项及其机械承载角色;尚不足以无条件确认,该选项与LT或LN压电层、SiO₂夹层及所选工作模态共同使用时,相关支撑体波声速严格高于实际工作模态相速度。因此本轮结论为“特征A的材料和承载已明示,决定性的模态声速关系仍需证明”,并非认定D1完全没有A,也非认定该方案在物理上不能实现。

需要纠正上一轮报告对D3的表述。US6445265B1中“in the guide”所在句自然承接前述bulk waves,法文和韩文对应文本也未把比较对象明确定义为工作模态相速度。上一轮表中“导波速度条件原文明确”过强,应改为“材料体波排序与低损耗的关联教导;对实际模态相速度的连接仍需推断”。不能继续用该句补齐D1的决定性不等式。

D1权利要求38和39也须按具体依附选择使用:39可以选择依附38并累计两项体波条件,但39不是在所有依附方案中都强制包含38。可选择依附路径本身仍有价值;问题是不能将它写成所有D1实施方式的无条件约束。

新增候选按证明力与用途排序

本轮保留3个有实质速度增量的新增独立家族,并另列1个独立反证家族;它们均非D1氧化铝A的完整证明。D1、D3、D7和指定种子DE10325281A1另行复核,不把已有同族、译文或重复定位累计为新增方案。

来源与公开日

文献自身的关系

对D1的价值及限制

S1 US20070090898A1
2007-04-26

强:明确SH工作相速度与两侧慢横波的严格比较

最清楚的相速阈值辅助;无Al₂O₃承载同例,半无限LN/SiO₂不能直接移植

S2 FR2799906A1
2001-04-20

受限模型直接给≤界限;对严格关系仅中等条件性

6mm纯SH双半空间及材料表;等号、晶向和模式存在域不可省

S3 FR2936100A1
2010-03-19

中:较慢导模/指数衰减分支;亦明示可能漏波

真实实体承载材料选择动机,同时限制“guided即非泄漏”;非IDT激励

R1 US20080111450A1
2008-05-15

明确区分近零损耗与慢横波阈值;属反证用途

否定“低损耗必已低于慢横波”的捷径;石英结构,不证明D1失败

 

二 评价口径与声速链

目标采用CN103262410B授权权利要求1及具体实施方式的高低声速定义段;本轮复核HTML,未重新目视目标PDF。目标自身和2010年12月23日之后公开的文本不作在先独立证明。本轮沿用指示文件所列优先权界限,不另行判断优先权是否有效。

符号

本轮含义

必须避免的替代

c支

所选支撑体中与辐射或衰减相关的体波分支速度

不能任取最快纵波,也不能只报材料名

c压 与 c低

压电体与低速层的相关体波速度

材料间体波排序不直接等于模态上界

v模

该器件实际利用工作模态的相速度

群速度、声阻抗、低损耗或“高速”称呼均不能替代

A的决定关系

c支 严格大于 v模

“不小于”只含等号时不足;须证明相同方案和相关分支

 

以下将“文献对自身方案的关系是否明示”与“能否迁移至D1氧化铝方案”分开评价。强证据需材料、结构、波型和实际速度关系能够对应;中证据需写出非泄漏或衰减推理及必要条件;仅高速材料、体波排序或笼统低损耗属于弱证据。明确的不等式可以证明原文自己的模型,却不当然证明D1。

同一装置的导模具有共同面内相位传播条件。若援引非辐射或支撑侧指数衰减推得阈值关系,必须核对晶相、取向、传播方向、极化及允许耦合的体波分支,并排除仅由声镜、空腔、金属负载、吸收或有限厚度干涉造成的低损耗。无同例参数时不补造m/s数值,不用任意频率与另一实施例的波长相乘。

三 六国实际执行及原件状态

各国均以实际公开号归属,EP/WO不填入六国名额。官方入口状态、有效查询与备用检索分开记录;未得到官方结果不写成零命中。原件已取得不等于逐页目视,下表及证据卡只报告实际核验层级。

国家

实际检索范围

最强已核文本及状态

CN

CNIPA入口只有JavaScript提示,未完成库内检索;外部索引3种子及材料/速度扩展

CN1294780A 2001-05-09:D3原件及速度句/图9a目视,降级。CN101777622A 2010-07-14:层序和结构图核验,无新增完整速度链。

FR

DATA INPI入口/高级页可读但无可用专利字段结果;外部3种子、申请人及同族扩展

FR2799906A1和FR2936100A1:新独立族,公式/材料表/速度限制及相关图目视。FR2788176A1原句及图9a重核。

DE

DEPATISnet精确号检索1件成功;3组复杂Basis式未形成有效结果;外部3种子及引证扩展

D1 2007-05-24:材料、权38/39、图1D至1G核。DE10325281A1 2004-12-23:原件及图1至5核,缺Al₂O₃。

US

Patent Public Search入口仅JS空壳,未完成库内查询;外部3种子、同族与前引追踪

S1 A1/B2原件已得,图1至4目视;R1 A1已得,PDF第15页[0068]目视,图5/6未目视。D3美国原件速度句及图8a目视。

JP

J-PlatPat显示Loading,未获官方结果;外部3种子、多材料/晶向/相速扩展

JP2007267366A 2007-10-11:图2/3/5等目视,新增同例v模估算;Al₂O₃仍为覆膜。未获新独立强A证据。

KR

KIPRIS搜索界面可达但查询未返回可读结果;外部3种子及同族扩展

KR20010083777A 2001-09-01:原件第6页速度句/第17页图9a核。KR100856218B1 2008-09-03:覆层和吸声原件核,排除。

 

同族覆盖不是内容移植许可。S1已确认存在JP/KR/CN同族线索,但本轮未取得的国家版本不能以美文段落补证;S3的JP/US/EP公开在界限之后,只有本轮已核FR A1及其界限内WO可按各自版本使用。非专利文献仅见专利引证,未独立取得全文,不作已证材料常数。

四 核心证据卡

D1 原有主证据的材料承载与速度限定

身份与时点:DE102005055871A1,Elektroakustisches Bauelement,申请人EPCOS AG;德国申请日及最早优先权日均为2005-11-23,公开日2007-05-24。正确美国分支US20080252396A1于2008-10-16公开;同属一个技术来源,不能把相邻DE102005055870A1或另一PCT分支当其译文。

同一架构:按承载侧到压电侧为Al₂O₃第二基板可选材料、SiO₂介质与嵌入金属/梳齿电极层系统、LT或LN第一压电基板或压电层。[0033]含生长压电层后移除生长基片的分支;[0073]确认第二基板厚度提供机械稳定性。具体图1G的Si第二基板实例不是Al₂O₃实测实例。

原文与定位:[0034]“Möglich ist aber auch Al₂O₃”,即“也可以采用Al₂O₃”;[0016]“klingt in beiden Richtungen vertikal dazu ab”,即沿垂直于传播面的两侧衰减。公报PDF第2页[0015]至[0017]、第4页材料与层序、第6页[0073]、第9页权38和39;图1D/E在第12页、图1F/G在第13页并已目视。

四项速度:[0017]及权38说明层系统体波速度较周围基板低,权38上限为两侧相应体波速度的90%;权39可选择再限定第一基板体波速度低于第二基板。这里的层系统含金属和介质,不能直接改称单一SiO₂的c低。原文未在一个已固定Al₂O₃工作点同时列出c支、c压、c低和v模数值;更重要的是,尚未取得可直接适用的v模上界或明确模态—分支桥梁。

波型与条件:体波优选横波,但未就所选Al₂O₃方案点明SH/SV、快/慢横波、Al₂O₃晶相/取向及相应传播方向。Si(111)/(110)条件不可移植。频率与温度尚未同该Al₂O₃速度比较绑定;支撑有限厚度和机械稳定性不自动构成声学半空间。D1以速度剖面解释垂向衰减,同时有金属负载,不能把原结构简化为未加载的两个均匀体。

权项与厚度:[0032]至[0033]、[0037]和[0042]为LT/LN、SiO₂及优选0.15λ至0.5λ的原文基础。厚度对应介质膜须保留金属嵌入等厚条件。权38依权1至15或20至37任一项;权39依权1至38任一项。39→38是一条可选择的累积路径,非全部39方案必含38;其两项比较仍是体波对体波。

证明力:材料与真实承载明示;速度剖面和垂向衰减提供中等强度的条件化推断基础;目标c支严格大于v模尚未闭合。最强反对意见不是“没有Al₂O₃”,而是一般材料选项、所选模式和边界之间的适用性尚未证成。可用原文必要关系或可靠上下界补足,不以必须提供数值仿真为前提。

原件与全文:D1德文全文;D1德国公报PDF;正确美国申请分支

S1 美国SH边界波相速度与慢横波阈值

身份与时点:US20070090898A1,Boundary acoustic wave device,Murata Manufacturing Co., Ltd.;优先权2003-12-16,日本PCT申请2004-12-02,美国国家阶段日期2006-06-09,A1公开2007-04-26。同一申请的US7737603B2公开2010-06-15;本卡段号、图号和权29、30均属A1。家族34697104还包括WO2005060094A1等,与下述R1石英家族不同。JP/KR/CN同族仅作取证线索,未核原文者不增加各国已证内容。

同例结构:图1A/B为LN单晶基板4、界面IDT及反射栅、SiO₂实体覆盖层5。LN才是真正基板;虽另列Al₂O₃等固体层选项,不能把该菜单组合成Al₂O₃承载、SiO₂中间膜和有限LN压电膜。数值模型为Y板X传播LN,欧拉角(0°,90°,0°),以SH为主分量;Au、Ag、Cu、Al电极随H/λ变化,金属负载是关键条件。

量

原文同例数据或状态

c压

LN纵波6547、快横波4752、慢横波4031 m/s

c低

SiO₂纵波5960、横波3757 m/s;各向同性SiO₂的剪切速度

c支

没有Al₂O₃承载体同例速度;3757是本模型SiO₂半空间速度,不是目标指定支撑速度

v模

V明称相速度,随电极H/λ变化;权29、30为低于两侧慢横波的严格条件,图文零损耗阈值为≤3757 m/s

 

原文与定位:权29短句“acoustic velocity of an SH type boundary acoustic wave is lower than”表达SH型边界波声速低于比较速度,完整权项分别要求低于固体层和压电单晶基板中的慢横波声速;权30继续限定该条件。正文[0115]、[0117]把V明确称作phase velocities,因此这里确为工作模态相速,而非D3式的省略体波比较。

边界与核验:[0113]假定LN及SiO₂无限厚;电学边界分别处理自由界面与短路界面。图2模型没有给同例绝对频率;[0115]以20、25、30°C的相速度求TCF,不等于全温域关系。A1 PDF第34页[0096]至[0102]、第35页[0111]至[0119]、第36页阈值文字、第43页权29/30/41已文字核查;图1A/B在第2页、图2/3/4在第3页已目视。

证明力:对原文自身SH模型和严格相速阈值为强;对D1氧化铝方案为弱至有条件解释,未闭合A。数值≤3757含等号,不能删等号后用作目标严格“大于”;应依严格权项或已核严格低于阈值的工作范围。图中曲线未作新的数值读图。把其电极加载策略引入D1属于新增手段,有限SiO₂、LT/LN切向及Al₂O₃辐射通道仍需说明相容性。

原件与全文:S1美国A1全文;S1美国A1公报PDF;同申请B2全文

S2 法国纯SH双半空间的速度界限与存在域

身份与时点:FR2799906A1,Filtre à ondes acoustiques d’interface notamment pour les liaisons sans fil,原申请人及发明人Pierre Tournois;申请FR9912992,申请及最早日1999-10-15,公开2001-04-20。家族9551074含WO2001029964A1、EP1222735和US6737941B1,仅计一项独立来源;前轮未列该族。

同方案结构:两个实体相接,至少一个压电,界面布置IDT或受控凹槽内电极。推导视为双半无限介质,实际厚度为数十波长量级,能量向两侧衰减;没有目标SiO₂中间膜。蓝宝石的具体支路为在Al₂O₃上外延AlN;LT/LN另配YAG,另有Si/LN支路,不可拼成蓝宝石、SiO₂与LT/LN。图1为传播、极化和衰减方向,图2为界面电极,图3为存在域。

速度与原文:式(5)后的最短句“la vitesse v est donc inférieure ou au plus égale à la plus petite des vitesses”意为“v不高于两种相关速度中较小者”。原文给v≤min(vP,vNP),不是严格小于。表1以m/s给Al₂O₃横向速度6200、LN 3500至4850、LT 3350至4400、AlN 6300、SiO₂ 3900;这些是材料表代表值或范围,不是同一器件的四速度测量组,SiO₂也未在该例成为中间膜。

必要条件:该简化方程针对一个压电体、一个非压电体;压电材料为6mm晶类、纯横向界面波,C轴位于界面并垂直传播,电学边界区分短路与非短路。LN/LT的三方晶体与Q-SH不能不经修正直接套用。表中Al₂O₃未给切面、传播方向、快/慢剪切分支或温度;未给蓝宝石/LT或LN同例v模、频率或波长。

定位与核验:原说明书第9页第18至21行及式(5),对应PDF第10页;表1为原第11页/PDF第12页;AlN/蓝宝石权15为PDF第18页;图1/2为第19页、图3为第20页。首页、公式、表、权15和相关附图均已目视;21页全本取得但未称逐页目视。没有按存在域曲线读取或捏造速度数值。

证明力:不高于两侧横波速度是该受限模型的直接公开;对需要严格不等式的目标仅中等条件性价值,对D1迁移为弱。必须排除等号临界点,并确认支撑侧确有衰减。图3另说明材料排序不足保证模式存在;仅用6200与任意LN速度相减不能完成A。改变成双半空间或重新选晶向时,应记作新设计而非D1固有性解释。

原件与全文:S2法国全文;S2法国公报PDF

S3 法国双实体承载导波与允许漏波的限制

身份与时点:FR2936100A1,Dispositif à ondes acoustiques d’interfaces,原申请人Direction Générale pour l’Armement及Centre National de la Recherche Scientifique;申请FR0805124,申请及最早日2008-09-18,A1公开2010-03-19。家族40800426;WO2010031924A1于2010-03-25公开可辅助。US20110133857A1、EP2324516A1及JP2012503394A均晚于界限,不充作对应国家早期主证据。

同方案结构:图1依次为上实体基板、连续金电极、交替极化LN铁电层、连续金电极、下实体基板。具体例为Si,实体基板确有承载兼封装作用;一般变例列蓝宝石、SiC和金刚石。金刚石厚膜20至100μm以PDF为准,不采用网页OCR的pm。整面电极结合周期极化域激励,不是IDT;无目标SiO₂夹层及其厚度。横向Bragg结构不得替代垂直方向的衰减证明。

正向原文:“la vitesse de propagation des ondes élastiques guidées dans la couche est plus faible”,意为层中被导引弹性波速度较低,后文比较基板中弹性波速度。原说明书第5页/PDF第6页第11至13行;同页第16至19行列高速基板材料。Si具体例说明基板内指数衰减,提供真实承载实体及速度设计的教导。

决定性限制:“au-delà de la vitesse de rayonnement dans les substrats”,即高于基板中的辐射速度。原说明书第9页/PDF第10页第19至24行称,某些主要纵向极化界面波在该区域也能被导引,需细选换能器厚度/波长工作点来减小辐射损失。因此“被导引”不自动等于严格非泄漏;前段关系不能推广为全部模式与材料的无条件命题。

四项速度与条件:蓝宝石/SiC/金刚石未给同例相关c支分支或数值;所选压电体c压及目标c低未给。v模存在明确较慢分支教导,但未给蓝宝石方案同切向和厚度比下数值。频率仅为数百MHz至数GHz一般范围,无配对fλ;温度未给。另一个石英例的3800与大于4100 m/s不属于Al₂O₃,不能移植。周期约等于λ的定义来自极化域,而非IDT。

核验与评级:16页公报全本取得,首页、PDF第5/6页结构及速度、第10页限制、第11页权1和第13页图1已目视。对选定指数衰减分支和高速载体动机为中;对D1氧化铝方案为弱,且同时提供漏波限定。改用其整面电极和极化域并加入SiO₂将改变激励及色散,不是D1单篇新颖性补丁。

原件与全文:S3法国全文;S3法国公报PDF

R1 近零损耗不能反推慢横波严格阈值

身份与时点:US20080111450A1,Boundary acoustic wave device,Murata Manufacturing Co., Ltd.;优先权2005-07-22,相关PCT申请2006-05-11,美国延续申请US11/970,623于2008-01-08提出,A1公开2008-05-15;US7489064B2公开2009-02-10。家族37668550,与S1不是同族,不因标题或发明人相同而合并。

同例结构及条件:SiN实体层、界面IDT、石英基板,石英欧拉角(0°,145°,90°),两侧厚度按无限处理。石英不是LT/LN;Al₂O₃等覆盖介质选项也不等于D1机械承载。原文对SH型边界波的电极加载及传播损耗作比较,未提供目标Al₂O₃同例c支或目标c低。

四速度关系:石英快横波约4881m/s、慢横波约4139m/s是明确分开的体波阈值;工作模态速度随电极条件变化。图5/6后的文字指出某些金属在低于快横波阈值时损耗已近零;低于慢横波阈值是优选零损耗范围,但允许按实际可接受损耗选择不必低于后者的工作点。因此“很低损耗”本身不能确定相关分支或严格阈值。没有从未目视曲线提取新v模数字;同例绝对频率、温度和目标Al₂O₃晶向未在本卡取得。

最短原文:“does not necessarily have to be determined within such a region”及“acceptable for practical use”,即“不必限定在该区域内”及“实际使用可接受”。前句的该区域指图5中低于约4139m/s的区域。精确定位为说明书[0068],印刷第5页左栏、PDF总第15页,图5/6结果讨论;关键原句已目视。

定位及核验:A1全文和权项已读,公报PDF已取得,[0068]所在第15页已目视。此前网页PDF按钮失败不再是最终取得状态;图5/6本轮仍未目视,不以B2曲线替代A1核图。证明力仅针对“低损耗必低于慢横波”的过度推理,并非D1自身泄漏的证明;本件不列完整A替代方案。

原件与全文:R1美国A1全文及身份;R1美国A1公报PDF;同申请B2记录

五 既有家族的纠正与有限增量

D3 三语核验只支持体波比较与低损耗关联

身份与时点:FR2788176A1,Dispositif à ondes acoustiques guidées dans une fine couche de matériau piézo-électrique collée par une colle moléculaire sur un substrat porteur et procédé de fabrication,申请人Thomson-CSF;法国申请及优先权1998-12-30,公开2000-07-07。PCT申请1999-12-21;US6445265B1公开2002-09-03,CN1294780A公开2001-05-09,KR20010083777A公开2001-09-01。CN申请1999-12-21,KR首页申请/译文提交2000-08-30,与PCT日区分。各版本属于一个家族;本轮是原件与语义复核,不是新增四个独立启示。

同方案结构:蓝宝石载体为明确选项,承载侧依次为载体、硅石分子接合层、LT或LN薄压电层及表面或埋入电极。FR权2、3、6具有相关可并存基础;接合后分裂或磨薄确认压电层可为薄层。数百埃接合层未给目标0.1λ至0.5λ;双面实心封装速度段另有上下两个载体,不能无说明移入单面自由边界。

关键原文:“the speed of the bulk waves in the carrier substrate is greater than it is in the guide”。忠实译为“载体基板中的体波速度,大于导波体中的该体波速度”。it自然回指体波速度;法文celle对应vitesse,韩文第二项也省略继承同一比较对象,没有新增“相速度”限定。guide表示导波结构,不能自行改译为导波模态。

精确定位与核验:US PDF总第11页、印刷第6栏约第50至53行,图8a在PDF总第8页;FR PDF总第11页、印刷第10页第9至11行,图9a在PDF总第21页。两语关键页与图已目视。CN PDF第11页速度句及第17页图9a、KR PDF第6页速度句及第17页图9a均已目视;中文使用“分散波”的译法不能另解成工作模态;跨版图8a和图9a不可混引。

速度与条件:c支与导波体材料体波排序为文字教导;相关体波分支、c低、v模数值或其严格上界、晶向、传播方向、频率和温度未在该封装段同例固定。低损耗被联系到该排序,但不能据此逆推出已跨越某一慢横波阈值。未进行跨实例fλ或材料常数计算。

证明力与反证:D3对真实承载和薄层结构仍有价值;对A决定性速度关系仅为弱证据。它不是明确v模比较来源,也不能以法、英、韩译文重复加权。US图8c/FR图9c的正文与画出的腔形存在图号或措辞疑点,本报告不据图c断言“无腔”,仅保留边界改变会影响响应的一般文字教导。

原件与全文:D3法国全文;D3法国公报PDF;D3美国公报PDF;D3中国文本;D3韩国文本

D8 指定种子DE10325281A1的实际核查

DE10325281A1,Elektroakustisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung;EPCOS AG;申请/优先权2003-06-04,公开2004-12-23。同族US20060076852A1公开2006-04-13、US7262676B2公开2007-08-28;D1[0002]明确引述该德国文件。

图1为S1载体、压电层PS、金属IDT、介电平坦化层DS、S2;可另加中间层及金属。公开基板主要为玻璃、半导体和压电体,未见明确Al₂O₃或蓝宝石支撑。AlN位于压电层清单,不可改成支撑。原文[0015]/权10印LiNiO₃存在拼写疑点,不悄悄更正;[0086]另有LN基板选项。

真正增量为[0017]按穿透深度选厚度,使GBAW向外充分衰减,进一步加厚或外加层不再影响它。原文“so daß die GBAW nach außen hin ausreichend abklingt”即“使GBAW朝外充分衰减”。基板优选2λ至5λ、压电层0.1λ至λ、总层系统λ至2λ,不是目标SiO₂厚度。[0014]把压电层与两基板中“geführten Volumenwelle”的传播速度分开比较,但未明确工作模态相速对相关体波分支;四项速度均无数值,晶向、极化、同例频温未给。

PDF第3页[0014]至[0018]、第5页[0038]至[0042]、第8至9页[0084]至[0090]及第14至15页相关权项已核,图1至5在第17至18页已目视。其“机械厚度须转为声学衰减深度判断”对D1有中等解释价值,对Al₂O₃的A仅弱,未获得完整替代。

原件与全文:D8德国全文;D8德国公报PDF

D7 日本同例SH模态相速度估算

JP2007267366A,弾性境界波素子、共振器およびフィルタ;富士通及富士通メディアデバイス;优先权2006-02-28,申请2007-01-29,公开2007-10-11。它是前轮D7,不是新增独立家族。图2/3及[0020]为LN基板10、Cu-IDT16、SiO₂膜12、Al₂O₃覆膜14;LN是真正基底,尚无Al₂O₃机械承载薄LN的公开。

同例计算:[0022]给λ=1.982μm、金属h=188nm、θ=30°;图5(a)为H/λ=0.33器件的实测SH响应,峰频图读约1.90±0.02GHz。按v模≈fλ,得到1.90×10⁹×1.982×10⁻⁶=3765.8m/s,取约3766±40m/s。误差仅反映频率读图分辨率,并非完整实验不确定度;这不是群速度,也非精确原文速度值。λ定义为隔一个电极的间距。

原文[0012]只比较覆膜声速较SiO₂快;未给Al₂O₃适用体波速度、晶相、晶向或快慢分支,四速度链仍不完整,工作温度未给。工作SH主分量与低频侧SV/Stoneley杂模在[0005]有区分。θ30°实测例不得与权项另一个切角/金属负载下0.3λ至0.32λ窗口拼接。

PDF第19至21页相关段及第43至44页图1至9已目视。该计算仅补充v模项,不能补足承载角色和c支;相对A为弱证据。

原件与全文:D7日本全文;D7日本公报PDF

其他原件排除及已有背景

KR100856218B1,탄성 경계파 디바이스,富士通媒体器件及富士通;优先权2006-03-07,韩国申请2007-03-02,本次所引B1公开2008-09-03,注册日2008-08-27不等于公开日。原A版KR20070092110A于2007-09-12公开,但本次取得并引用B1,不倒填A版。PDF第5至6页[0037]至[0040]及第10页图3/4已核:LN基板、Cu-IDT、SiO₂膜、Al₂O₃顶膜、吸声树脂。相关四项同例速度未给;150°C为树脂耐热条件,非速度测试温度。其束缚/低杂散受覆膜和吸声影响,不能改写成高速支撑侧倏逝。

原件与全文:韩国B1全文;韩国B1公报PDF

CN101777622A,LiNbO₃/SiO₂/金刚石多层压电膜及其制备方法,郑州大学;申请/最早日2010-01-12,公开2010-07-14。全文和权项已核、PDF第6页结构图目视。金刚石、非晶SiO₂、c轴LN的层序明确,但无成品IDT及同例四速度;例1膜厚0.13/0.45μm、例2为0.3/0.6μm,不能任取λ归一化。背景两层理论速度不能用于三层同例,更不能证明Al₂O₃。相比前轮没有新的速度增量。

原件与全文:中国金刚石层序全文;中国金刚石层序公报PDF

既有N1 US20100231330A1(2010-09-16)及DE102007012383A1(2008-09-18)同族,本轮美国图1至3目视。Al₂O₃非压电层、压电层、金属和TeO₂/SiO₂覆盖层的层序,与目标中间SiO₂位置不同;较高非压电声速促衰减的动机不等于同例v模比较。CN100435482C已读全文但为ZnO/a-D/Si,a-D薄膜不当然是独立支撑,排除完整替代。

原件与全文:既有N1美国原件;中国其他材料核查

晚公开线索单列:US9276558B2家族最早优先权2011,不能用其Al₂O₃数值回填D1;JPWO2011046117A1最早检得WO公开2011-04-21;JP7088316B2相关族最早WO公开2020-06-18。FR3079667A1等晚公开材料/方位表仅供追溯。EP/WO及非专利引证不另计六国独立命中,未取得全文的非专利资料不作材料常数证明。

六 三条可用路线及适用界限

路线一 用在先证据解释D1已公开方案的固有关系

最接近的基础仍为D1。先从其原文选择有依据的Al₂O₃承载、LT或LN压电层、SiO₂夹层和嵌入电极方案,再确认[0016]速度剖面和支撑侧衰减教导是否适用于该方案。D1[0042]已有0.15λ至0.5λ的优选层系统厚度;仅在金属嵌入且等厚等原条件满足时对应介质膜厚,不另堆积相似数字。

在无损、均匀、各向同性半空间的解耦SH模型内,指数倏逝可以推出相速度低于该侧横波体波速度。这只是分析模型,不是认定D1已采用该模型。用于D1时须说明对应分支、切向传播、有限厚度背面影响与实际模态的连接;各向异性或混合极化须检查允许的部分波和辐射通道。FR2799906的6mm纯SH前提不能直接代替LT或LN的分析。

这里不要求法律意义上的公开必须列齐每个数值或必须进行仿真。明确的必要关系、可适用的速度上下界,或对原文既定方案成立的必然推断,也可以完成证明。当前欠缺的是这种适用性桥梁;不能把补入新的切角、层序或电极优化后才出现的结果,倒称为D1原方案的固有性质。

路线二 将新手段明确列入创造性组合

若仅依D1无法闭合A,区别应准确表述为所选Al₂O₃方案中相关支撑体波速度与工作相速度的关系,而不是笼统“缺高速材料”。可研究的问题是如何在D1已有夹层、电极与承载框架下控制向支撑侧辐射,并保持所需工作模式。采用动机应来自在先文献对辐射阈值、极化和低损耗的具体教导。

US20070090898提供通过电极条件降低SH型边界波相速度至慢横波阈值以下的明确手段,但其LN和SiO₂为半无限介质,无Al₂O₃支撑;引入D1后会改变金属负载、色散和有限层边界。FR2936100采用周期极化压电层及实体上下电极,也不是可直接保留D1 IDT的同构替换。组合论证须说明为何采用该手段、保留哪些D1条件、预计得到何种模式及其合理预期,不能仅以“没有禁止”替代结合理由。

D3保留为真实承载薄层的结构和工艺辅助,其数百埃接合层不能自动放大到D1厚夹层;N1等旧材料菜单不重复累计技术权重。若需要重新选层序、切角和电极后广泛搜索工作点,证据应如实记为新的设计选择,而非纯粹验证。

路线三 寻找可替代D1的完整单篇方案

本轮没有取得可在同一相容方案内完整替代D1的更强单篇。FR2799906的Al₂O₃具体支路与AlN搭配,缺LT或LN及SiO₂中间膜;FR2936100的周期极化和实体电极不同;两件美国边界波文件分别以LN或石英为基体,未证明目标机械承载层序。将其优点拼接只能形成明确标示的多篇组合,不能继续称单篇新颖性公开。

七 剩余缺口与下一步取证顺序

优先级

需要解决的问题

可接受的闭合证据与停止标准

1

D1中Al₂O₃选择与导波条件的共同适用

查找直接定义所用模态及支撑辐射阈值的在先原文或可适用界限;足以建立严格关系即可,不强制要求数值仿真。

2

必要分支和边界尚未固定

核明Al₂O₃晶相或有效介质状态、相关极化/传播方向、有限支撑与衰减深度的关系。仅在这些条件影响结论时补测或计算。

3

从半无限边界模型到D1有限夹层的迁移

将SiO₂厚度、金属负载、IDT周期和支撑背面纳入同一模型;区分检验既有方案与重新设计,不以结果反推原文公开。

4

替代完整方案仍缺机械角色或结构

优先追踪本轮新增家族的在先引证和具体实施方式;只有出现目标承载、LT/LN、SiO₂与相速度条件的共同增量才升级。

 

反证的用途仅是限制论证:D3的低损耗句不能自动给出慢横波阈值,FR2936100中的guided名称不排除小量辐射;二者都不是D1必然泄漏的证明。下一轮应围绕上述可判定缺口补证,而不是凭国家数、同族译文数或同义词轮数提高结论强度。

附录 实际查询日志与失败记录

下列均为2026年10月19日实际提交或实际打开的操作。外部检索字段为网页全文索引;site路径、OR及before是实际提交文字,不能保证服务按专利字段解析。普通现有技术门槛由具体版本公开日逐篇核验。返回条目为工具可见样本,非数据库总量;未提供可靠总量时明确记不可得。

官方入口与有效性

CNIPA公共服务平台打开仅获JavaScript提示;DATA INPI首页及企业/专利高级检索页只呈现标题导航,未取得可执行专利字段结果。J-PlatPat显示Loading;KIPRIS可达专利搜索界面,但带queryText=사파이어 탄성파的只读查询不可获取,未形成库内命中。USPTO Patent Public Search只返回JS空壳。上述均非零命中结论。

DEPATISnet Basis精确号DE10325281A1第一次字段不完整返回异常,补齐后成功1件,取得官方著录和公报入口。随后3个全文种子设置公开区间1900-01-01至2010-12-23,公开号字段b_Pn=DE*被拒为非法字符;移除后,布尔式被Basis转换为近邻语法并报ProximityOperatorUnexpected。它们没有有效结果,不能记零篇或宣称官方日期筛选成功。

DPMA DE01 全文字段b_Bi:(Aluminiumoxid OR Saphir OR Al2O3) AND (Lithiumtantalat OR Lithiumniobat OR piezoelektrisch) AND (Volumenwelle OR Grenzflächenwelle OR Oberflächenwelle)

DPMA DE02 全文字段b_Bi:Phasengeschwindigkeit AND (Volumenwelle OR Transversalwelle OR Scherwelle) AND (Trägersubstrat OR Substrat)

DPMA DE03 全文字段b_Bi:(geführte Volumenwelle OR Wellenleiter OR Abklingen) AND (Aluminiumoxid OR Saphir) AND (Geschwindigkeit OR Substrat)

德国与美国外部检索

DE01 site:patents.google.com/patent/DE (Aluminiumoxid OR Saphir OR Al2O3) (Lithiumtantalat OR Lithiumniobat OR piezoelektrisch) (Volumenwelle OR Grenzflächenwelle OR Oberflächenwelle) before:2010-12-24。返回条目12;总命中数不可得。

DE02 site:patents.google.com/patent/DE Phasengeschwindigkeit (Volumenwelle OR Transversalwelle OR Scherwelle) (Trägersubstrat OR Substrat) before:2010-12-24。返回条目12;总命中数不可得。

DE03 site:patents.google.com/patent/DE ("geführte Volumenwelle" OR Wellenleiter OR Abklingen) (Aluminiumoxid OR Saphir) (Geschwindigkeit OR Substrat) before:2010-12-24。返回条目12;总命中数不可得。

US01 site:patents.google.com/patent/US (alumina OR sapphire OR "aluminum oxide" OR "aluminium oxide") ("lithium tantalate" OR "lithium niobate" OR "piezoelectric film") ("guided wave" OR "boundary acoustic wave") before:2010-12-24。返回条目0;总命中数不可得。

US02 site:patents.google.com/patent/US ("bulk shear velocity" OR "bulk acoustic velocity") "phase velocity" (substrate OR cladding) before:2010-12-24。返回条目12;总命中数不可得。

US03 site:patents.google.com/patent/US ("guided bulk acoustic wave" OR "non-leaky" OR evanescent) ("support substrate" OR "carrier substrate") (alumina OR sapphire) before:2010-12-24。返回条目12;总命中数不可得。

DE01/DE02及US03返回多为2010年后材料结构;DE03命中旧DE102007012383A1及无关等离子/晶体转化;US02含材料测量、声触控及晚公开器件。筛除晚公开、领域或结构不符和未取得正文者,语言副本/同族不重复计数。US01为空返回,仅限该检索式。

DEUS扩展 site:patents.google.com/patent/DE EPCOS "Al2O3" "Volumenwellen"

DEUS扩展 site:patents.google.com/patent/DE "Saphir" "Phasengeschwindigkeit" "2004"

DEUS扩展 site:patents.google.com/patent/US "sapphire" "phase velocity" "guided" "2003"

以上扩展合批返回12条可见样本,总数不可得。命中DE69029080T2、DE3308365C2及ES2386680T3等;前两件不同体系或原件不足,ES同族回溯FR2936100A1。D1[0002]沿引证打开DE10325281A1、其同族及引证表;US02经晚公开US9276558B2前引取得S1 A1/B2,晚公开数值未用于主证。R1精确号重新核身份;网页PDF按钮失败后,经同一公开PDF地址下载成功并目视[0068]。

中国与法国外部检索

CN01 site:patents.google.com/patent/CN (氧化铝 OR 蓝宝石 OR Al2O3) (钽酸锂 OR 铌酸锂 OR 压电膜) (导波 OR 边界波 OR 声表面波) before:2010-12-24

CN02 site:patents.google.com/patent/CN (体波声速 OR 横波声速 OR 剪切波速度) (相速度 OR 非泄漏 OR 能量束缚) (支撑基板 OR 承载基板 OR 高声速层) before:2010-12-24

CN03 site:patents.google.com/patent/CN (氮化铝 OR 碳化硅 OR 氮化硅 OR 氮氧化硅 OR DLC OR 金刚石) (支撑基板 OR 承载) (压电膜 OR 叉指) (声速 OR 导波) before:2010-12-24

FR01 site:patents.google.com/patent/FR (alumine OR saphir OR Al2O3) (piézoélectrique OR LiTaO3 OR LiNbO3) ("onde guidée" OR "onde de surface" OR "onde d’interface") before:2010-12-24

FR02 site:patents.google.com/patent/FR "vitesse de phase" ("onde de volume" OR "onde transversale") (substrat OR support) before:2010-12-24

FR03 site:patents.google.com/patent/FR ("onde non rayonnante" OR "confinement acoustique" OR "décroissance exponentielle") ("électrodes interdigitées" OR transducteur) (alumine OR saphir) before:2010-12-24

FRE01 site:patents.google.com/patent/FR "vitesse" "guide" "saphir" "acoustiques"

CNE01 site:patents.google.com/patent/CN "蓝宝石" "体波" "速度"

CNE02 site:patents.google.com/patent/CN "氧化铝" "相速度" "界面"

CNE03 site:patents.google.com/patent/CN "氮化铝" "支撑" "导引体声波"

FRE02 site:patents.google.com/patent/FR "alumine" "vitesse" "Tournois"

FRE03 site:patents.google.com/patent/FR "Ballandras" "vitesse de phase" "saphir"

CNE04 site:patents.google.com/patent/CN "金刚石" "剪切波" "铌酸锂" before:2010-12-24

CNE05 site:patents.google.com/patent/CN "陶瓷" "导引体声波" "速度" before:2010-12-24

CN01至03合批返回样本含CN113243083A、CN108631747A、CN109802650B等,均朝晚公开方向,未得可靠总数/逐式数。FR01至03合批11条可登记样本,包括旧D3、晚公开FR3079667A1/FR2998420A1、光学FR2633401A1和焊缝检测FR2558960A1,另有跨局噪声。

FRE01返回12条可见样本,新增FR2799906A1;CNE01至03与FRE02合批12条,大量晚公开,较早CN101824592A/CN101235540A为AlN沉积工艺而非所需速度链;FRE03与CNE04/05合批12条,核查CN100435482C后因ZnO/a-D/Si层序及速度缺口排除。上述12均非总命中数。

JP5433697B2及ES2386680T3晚公开译文线索回溯FR2936100A1,并独立核其A1全文、权项和PDF。直接重核FR2788176A1、CN1294780A、CN101777622A;FR2946478A1的fr/en路径及CN1665131A/zh失败,不以摘要补证。

日本与韩国外部检索

JP01 site:patents.google.com/patent/JP (酸化アルミニウム OR サファイア OR Al2O3) (タンタル酸リチウム OR ニオブ酸リチウム OR 圧電膜) (弾性波 OR 導波) before:2010-12-24

JP02 site:patents.google.com/patent/JP (バルク波 OR 横波) (音速 OR 伝搬速度) "位相速度" (支持基板 OR 支持体) before:2010-12-24

JP03 site:patents.google.com/patent/JP (非漏洩 OR 非漏えい OR 閉じ込め) (圧電膜 OR IDT OR くし形電極) (サファイア OR 高音速) before:2010-12-24

KR01 site:patents.google.com/patent/KR (산화알루미늄 OR 사파이어 OR Al2O3) (탄탈산 리튬 OR 니오브산 리튬 OR 압전막) (탄성파 OR 유도파) before:2010-12-24

KR02 site:patents.google.com/patent/KR (벌크파 OR 횡파) (음속 OR 전파 속도) "위상 속도" (지지 기판 OR 지지체) before:2010-12-24

KR03 site:patents.google.com/patent/KR (유도 벌크파 OR 비누설 OR 음향 구속) (압전막 OR 빗살 전극 OR IDT) (사파이어 OR 고음속) before:2010-12-24

JP三种子合批返回12条可见样本,KR三种子亦12条;各式独立命中数和数据库总数均不可得。JP多数晚公开,JP2007243918A全文后结构不符;KR多数晚公开,KR100678797B1全文为高速中间层而非所需低速夹层,其他仅材料处理粉末的命中不计。

JK扩展 1. site:patents.google.com/patent/JP "サファイア" "位相速度" "横波"

JK扩展 2. site:patents.google.com/patent/KR "사파이어" "위상" "횡파"

JK扩展 3. site:patents.google.com/patent/JP "酸化アルミニウム" "非漏洩"

JK扩展 4. site:patents.google.com/patent/JP "sapphire" "phase velocity" "2005"

JK扩展 5. site:patents.google.com/patent/JP "サファイア" "横波" "2000"

JK扩展 6. site:patents.google.com/patent/JP "サファイア" "音速" "低音速" "2006"

JK扩展 7. site:patents.google.com/patent/KR "사파이어" "속도" "2007" "음향"

JK扩展 8. site:patents.google.com/patent/KR "위상 속도" "기판" "2004" acoustic

JK扩展 9. site:patents.google.com/patent/JP "サファイア" "バルク波" "2008" "速度"

JK扩展 10. site:patents.google.com/patent/JP "基板" "位相速度" "サファイア" -JP7088316 -JP2021 -JP2022 -JP2023 -JP2024 -JP2025 -JP2026

JK扩展 11. site:patents.google.com/patent/KR "벌크파" "가이드" "속도"

JK扩展 12. site:patents.google.com/patent/JP "ダイヤモンド" "LiNbO" "SiO" "速度"

JK扩展 13. site:patents.google.com/patent/JP "窒化アルミニウム" "支持基板" "相速度"

JK扩展 14. site:patents.google.com/patent/KR "다이아몬드" "니오브산" "위상 속도"

JK扩展 15. site:patents.google.com/patent/KR "탄화규소" "지지" "2010" "탄성파"

JK扩展 16. site:patents.google.com/patent/JP "炭化珪素" "圧電膜" "低音速" "2009"

JK扩展 17. site:patents.google.com/patent/JP "ダイヤモンド" "ニオブ酸リチウム" "中間層" "2005"

JK扩展 18. site:patents.google.com/patent/KR "다이아몬드" "중간층" "2006" "음속"

JK扩展 19. site:patents.google.com/patent/JP "バルク横波" "基板"

JK扩展 20. site:patents.google.com/patent/JP "基板" "位相速度" "ダイヤモンド"

JK扩展 21. site:patents.google.com/patent/JP "支持基板" "横波" "2007" "ダイヤモンド"

JK扩展 22. site:patents.google.com/patent/KR "고음속" "벌크" "2009"

JK扩展 23. site:patents.google.com/patent/JP "ダイヤモンド" "低音速層"

JK扩展 24. site:patents.google.com/patent/JP "横波の音速" "弾性波の音速" "2009"

JK扩展 25. site:patents.google.com/patent/JP "横波の音速" "弾性境界波の音速" "アルミナ"

JK扩展 26. site:patents.google.com/patent/KR "횡파의 음속" "탄성 경계파" "기판"

扩展1至11回到D3/D7及晚公开各向异性线索,并回溯S3法国文本;12至23转其他A材料,排除上方SiO₂补偿层、仅抛光硅石、晚公开及原件未取得;24至26出现直接慢横波比较,但若JP/KR原件未得,仅作为S1或其他家族线索,未以索引数字补证。各扩展总数不可得。

精确公开号搜索逐项执行:JPH09219632A、JPH10322158A、JP2002534886A、JP3965026B2、KR20070092110A、KR20050045913A。

精确扩展 "JP5433697B2" "Other versions";"JP3371289B2" "Other versions"

精确扩展 "JP3132065B2" "Other versions";"JP5193051B2" "Other versions"

精确扩展 "JP5001947B2" "Other versions";"JP2009516967A" "体積" "速度"

精确扩展 "JP5001947B2" "速度";"JP7088316B2" "Other versions"

精确扩展 "JP2007036344A" "PDF" "2007";"JP2007036344A.pdf"

精确扩展 "JP2002534886A.pdf";"JPH09219632A.pdf"

精确扩展 "US20070090898A1" "JP";"KR100851219B1" "US20070090898"

精确扩展 "JP4178328B2" "2007" "2003";"JP2004312198A" "Publication date"

精确扩展 "JP2007243918A" "Publication date"

带.pdf的三个精确搜索在该批次无返回,只表示本次工具结果,不表示专利不存在。其余逐项总数不可得。

JK材料补式 site:patents.google.com/patent/JP (窒化シリコン OR 酸窒化シリコン OR DLC OR ダイヤモンドライクカーボン) (支持基板 OR 支持体) (ニオブ酸リチウム OR タンタル酸リチウム) (音速 OR 位相速度) before:2010-12-24

JK材料补式 site:patents.google.com/patent/KR (질화규소 OR 산질화규소 OR DLC) (지지 기판 OR 지지체) (니오브산 리튬 OR 탄탈산 리튬) (음속 OR 위상 속도) before:2010-12-24

材料补式合批12条可见结果,含JP2018056866A的两种语言重复;其余含KR20110137217A、KR101106173B1等,均晚于界限,太阳能封装另属领域无关。未把before当成成功的专利公开日过滤。

原件取得失败与核验边界

JP/KR未取得相应原件的重点线索包括JP2009516967A、JP2009516968A、JP5193051B2、JP5001947B2、JP2002534886A、JP3132065B2、JPH09219632A、JP3965026B2、JP2007036344A、JP4178328B2、JP2009290914A、JPWO2005060094A1、JP4419961B2、KR20050045913A、KR100593354B1、KR100851219B1、KR20050107417A、KR20080008396A、KR20090130873A、KR100785242B1及KR20060095775A。打开返回Cache miss或不可访问,JP2007036344A另返回HTTP503;不据失败认定技术上无关。

PDF路径失败和全文失败分别记录:S1、D1/D3及两件FR候选从公开PDF地址取得原件并本地目视指定页;R1 A1 PDF现已取得并目视正文第15页[0068],图5/6未目视。KR100678797B1、JP2010187373A、JP2004312198A、JP2007243918A及JPWO2011046117A1仅HTML全文已读,相关图未核。不主张六国官方库检索或全部同族/引证穷尽。

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B 无效检索证据分析报告

特征E 工作波长 IDT周期及低声速膜厚度

证据复核日期 2026年10月21日    数据来源 Google Patents及原始公开公报

结论提要

对特征E已有多件早公开专利提供直接贡献。DE102005055871A1不仅披露0.15λ至0.5λ的优选介电层厚度,还给出LT或LN压电层、Al2O3第二基板、SiO2介质及机械支撑的文字依据,适合作为整项权利要求1的主要对比文件候选。

CN101789769A同一实例中的712nm膜厚与1.9μm工作设计波长,可计算得H/λ约0.3747;WO2010131736A1的具体条件a1给出0.375λ至0.425λ的完整窗口。这两项都能避免只凭宽区间重叠来证明E。

证据已明显削弱将E单独作为区别点的论证。整项权利要求是否失效,仍取决于同一方案能否同时满足压电膜、高声速支撑、材料选择和声速条件;不能把多个文本中的内容合称为D1已经逐字公开。

优先阅读

作用

本报告位置

D1

整项主证据候选 兼具膜厚 材料和支撑依据

第四部分及第七部分整项比对

D2 D3

解释GBAW工作波长与IDT周期

第五部分及第八部分

D4至D8

周期定义和范围内具体膜厚的独立补强

第五部分及第七部分E比对

 

阅读顺序  先固定授权权利要求及日期,再核原文引文和逐项表,最后查看新颖性与创造性的分别论述。

一 评价对象和证据使用方法

本报告承接前次中国 法国 德国 美国 日本 韩国 EP WO补充检索,对已有候选重新筛选并回到Google Patents专利页及其原始公报核查。它集中列出对本次无效有贡献的公开文本,替代以轮次日志为主的呈现方式;本次原文复核不重计为新一轮240次检索。

评价对象固定为CN103262410B授权文本的权利要求1,重点是特征E,并检验E与整项层叠材料结构之间的对应。授权公告日为2016-08-10;本案所载优先权日为2010-12-24。本报告以该优先权有效为工作前提,普通现有技术采用不晚于2010-12-23实际公开的版本,不以早申请或早优先权代替早公开。

目标来源  CN103262410B授权文本    授权公报PDF

证据采用三种表述。明示是原文直接说明相应结构或参数;推断是结合该文上下文所得的技术解释;待论证表示存在可用路线但尚不能把它写成直接覆盖。原文短引文保留语言和精确位置,中文释义不是原文逐字引述。未把Google机器翻译本身当作原始公报。

高声速术语与架构  授权说明书[0012] PDF第5页将高声速支撑体波声速与压电膜中工作弹性波声速比较,低声速膜则与压电膜中的体波声速比较。声学阻抗高不等于声速高。权利要求10另采用支撑基板加高声速膜,权利要求11再加E;不得用这一架构替换权利要求1的高声速支撑基板。

新颖性应对照单一对比文件中能够直接且无歧义确定的同一技术方案。创造性则应识别实际差异、技术问题和结合启示,评价权利要求限定的整体方案。多个文献对E各有支持,不等于整项权利要求可用简单多数表决认定无效。

评价标准来源  专利法二〇〇八年修正第二十二条    专利审查指南及二〇二五年修改决定

后者自2026-01-01施行的修改进一步强调创造性针对权利要求整体技术方案评价。本报告以技术证据的公开内容和对应关系为中心,未用现有证据替代尚未核验的审查档案或优先权原件。

二 授权权利要求及特征分解

下表依据授权公报PDF第2页权利要求1逐项整理。材料列表为归纳,精确用语以链接中的授权公报为准。A至E编号仅用于本报告比对,E拆为波长定义 层位 厚度三个子项。

项

授权限定

比对时须固定的含义

A1

具有压电膜的弹性波装置

总体对象。不能以“基板”称谓或厚于1.5λ单独排除是否属于压电膜。

A2

高声速支撑基板及其材料

AlN Al2O3 SiC SiN SiON DLC膜 金刚石,或以这些材料或其混合物为主成分的材料;须同时说明高声速及支撑身份。

B1

低声速膜位于高声速支撑基板上

低声速膜必须对应实际中间介质,不能拿电极或高速覆盖层替代。

B2

低声速膜的材料

SiO2 玻璃 SiON Ta2O5,或在SiO2中加入F C B形成的化合物,及以所列材料为主成分的材料。

C

LiTaO3或LiNbO3压电膜位于低声速膜上

材料和层序均须匹配;权利要求1没有写入压电膜1.5λ以下。

D

IDT电极形成于压电膜的一面

该面并未限定为暴露于空气的顶面;界面IDT不当然不符。

E1

λ为由IDT电极周期确定的弹性波波长

不是任意节距符号,也不是射频电磁波波长;无需另加任意相邻指距必等于λ的限定。

E2

H对应高声速支撑与压电膜之间的低声速膜

该层与B项必须为同一物理层,统一原文H h H2等符号。

E3

H处于0.1λ至0.5λ范围

比较实际公开的窗口或具体点;换算前先固定λ的身份及比例。

 

授权范围中容易混淆的两点

压电膜厚度  权利要求1没有限定压电膜为1.5λ以下;该数值在权利要求3,0.05λ至0.5λ在权利要求4。因此,D1的3λ至50λ或D4的至少7.5λ不能仅凭厚度直接排除对权1的贡献,但也不能直接拿来证明权3和权4。

电极所在的一面  权利要求1未把IDT限定为暴露顶面的电极。对比文件把IDT放在压电体与介质界面,仍需实质比对,不能据“界面”二字即判定不符。

三 有贡献的公开文本清单

共列14件代表公开,涉及13个Google family组。D1与D11同组但为不同PCT分支。所有代表文本均在本案优先权日前公开;同族按技术贡献去重,各版本单独判断日期。下表保留旧别名便于核对。

编号

代表公开号及旧别名

实际公开日

对无效论证的贡献

D1

DE102005055871A1
原D1

2007-05-24

整项权利要求主证据及中间膜厚度

D2

DE102004049498A1
原S3

2006-04-13

GBAW工作波长与横向电极周期的主要解释证据

D3

DE10325281A1
原S1

2004-12-23

异电位指距与模态相关波长的补强证据

D4

US20100225201A1
原N4

2010-09-09

低声速中间层与0.25λ0的直接实例

D5

US20070284965A1
原N5

2007-12-13

明确λ等式及SiO2的0.1 0.3 0.5倍实例

D6

WO2009133655A1
原S2

2009-11-05

指周期定义及SiO2厚度0.4λ的图文证据

D7

CN101789769A
原N6家族的中文早公开文本

2010-07-28

中文原文节距波长及712nm的可复算实例

D8

WO2010131736A1
原N7

2010-11-18

IDT节距定义与0.375至0.425倍完整参数窗口

D9

CN101030764A
原N1

2007-09-05

中文波长定义与多个范围内SiO2实例

D10

KR20070092110A
原N2

2007-09-12

500nm与2000nm周期的0.25比值核验

D11

US20080266024A1
原D1同族另一PCT分支

2008-10-30

同边量距与λ等于2d的辅助几何证据

D12

WO2008110576A1
工作波长辅助材料

2008-09-18

归一化厚度中的λ为工作频率声波波长

D13

FR2650919A1
原N3

1991-02-15

单指与分裂指及谐波适用条件的反向校验

D14

EP0802627A1
局部周期与超周期辅助材料

1997-10-22

基波局部周期与8λ整组重复距离的区分

 

四 D1整项主证据的原文分析

D1 DE102005055871A1

Elektroakustisches Bauelement

原申请人 Epcos AG  优先权 2005-11-23  申请 2005-11-23  公开 2007-05-24

来源  Google Patents专利页    原始公报PDF    复核 2026年10月21日

贡献  整项权利要求主证据及中间膜厚度

以下为原语言短引文。中文释义与其后的技术判断分别表述;PDF页码按文件从首页连续计数。

引文1  [0005] PDF第2页

“ineinander greifende kammartige Elektroden”

释义  交错啮合的梳状电极。

引文2  [0033] PDF第3至4页

“piezoelektrische Schicht”

释义  压电层;该段另列LiTaO3和LiNbO3。

引文3  [0034] PDF第4页

“Al2O3”

释义  第二基板的一种明确材料选项为氧化铝。

引文4  [0037] PDF第4页

“Siliziumdioxid”

释义  介电层优选二氧化硅。

引文5  [0042] PDF第4页

“vorzugsweise zwischen 0,15λ bis 0,5λ”

释义  优选在0.15λ至0.5λ之间。

引文6  [0073] PDF第6页

“Trägersubstrat”

释义  承载基板或支撑基板。

证据为何优先  D1既给出目标厚度范围内的完整优选区间,又给出压电层与较厚第二基板夹持介电层的架构。它比仅有一条λ与节距等式的文献更适合作为无效主证据。比对应从D1自身选择一个连贯方案,再判断尚需解释的术语;不能先把全部外部文献的优点拼在一起。

压电膜与材料的对应  [0032]的单晶材料和[0033]的生长压电层是两种表述。后者明确允许在生长基板上形成压电层,并允许结合后移除生长基板;材料列表包括LiTaO3和LiNbO3。因此,不能仅因D1把部件1称作第一基板,就断言没有压电膜。另一方面,[0040]的3λ至50λ是厚度实施方式,不直接公开从属权利要求3的1.5λ以下。授权权利要求1本身没有该数值上限。

高声速支撑与低声速膜的对应  [0034]不仅有硅,还明确给出Al2O3;只有后者直接落在目标权利要求1列举的高声速支撑材料内。[0073]说明第二基板较厚并承担机械稳定作用。[0016]至[0017]说明低速介电层位于较高速材料之间;权利要求38和39另对层系与两基板体波速度、第一与第二基板体波速度作出限定,可补强声速关系。但“高声速支撑”的说明书含义涉及支撑体波速度与工作弹性波速度的比较,不能仅由材料名称或两种体波的排序推出所有方向和模态均满足,仍须选定晶向与声模。

厚度数字适用的条件  [0042]先讨论金属嵌入介电层且优选不突出的情形,此时层系厚度优选等于介电层厚度,然后给出0.1λ至λ以及更窄的0.15λ至0.5λ。应连同此前提使用优选窗口。权利要求36另直接给出介电层0.1λ至λ。不可把[0028]和[0029]的金属厚度当作待比对的低声速膜厚H。

λ与IDT的联系  [0015]至[0018]把λ归一化尺寸置于工作GBAW及其激励结构的声学语境中,[0005]又给出梳状换能器,因此把λ理解为器件工作的声波设计波长有充分技术线索。D1未逐字给出普通单指的λ等于完整电位周期的公式。图1G只是层叠剖面,[0069]说明附图不按比例;不得量图反算指距。[0021]的周期阻带也不能单独证明某个反射节距就是激励波长。

同一方案与可用结论  建议考察的D1方案为移除生长基板后的LT或LN压电层 加SiO2介电层 加Al2O3第二支撑基板,并采用不突出的嵌入电极及[0042]优选膜厚。这些一般教导是否直接共同适用,是单篇新颖性论证的关键;[0077]具体硅基板例不能被改写成已经实作的Al2O3例。现阶段D1足以形成有力度的整项比对和附条件的新颖性路线,但对同一方案可确定性、声速关系及波长含义的论证仍须随请求书展开。

版本说明  US20080252396A1为同一Google family内另一语言文本;D11为另一PCT分支。各公开文本分别使用,不把其新增等式视为D1逐字记载。

五 波长及膜厚的直接补强证据

本部分D2和D3解释GBAW的工作波长与电极周期;D4至D8进一步把周期波长与低速中间介质的范围内厚度联系起来。各文献的贡献分别成立,采用创造性组合时仍须说明结合关系。

D2 DE102004049498A1

Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

原申请人 Epcos AG  优先权 2004-10-11  申请 2004-10-11  公开 2006-04-13

来源  Google Patents专利页    原始公报PDF    复核 2026年10月21日

贡献  GBAW工作波长与横向电极周期的主要解释证据

以下为原语言短引文。中文释义与其后的技术判断分别表述;PDF页码按文件从首页连续计数。

引文1  [0012] PDF第2页

“bei der Betriebsfrequenz des Bauelements”

释义  在器件的工作频率下。

引文2  [0015] PDF第3页

“gibt die Wellenlänge λ der GBAW vor”

释义  确定GBAW的波长λ。

引文3  [0018] PDF第3页

“vorzugsweise im Wesentlichen λ/2”

释义  优选基本为λ/2。

引文4  [0082] PDF第7页

“einen Bruchteil von λ1”

释义  λ1的一个分数。

直接填补的缺口  [0012]先固定λ为工作频率下的声波波长;[0015]再把横向周期电极排列与GBAW波长联系起来;[0018]分别说明同电位和相反电位结构的中心距离。三处联读能直接支持普通横向激励中完整电位周期约为一个工作波长,避免只凭SAW教材类比GBAW。

不能省略的变型  [0080]至[0082]区分横向主激励和沿压电厚度方向的次激励,并允许L为相关波长的分数或整数倍。因此,D2不是“任意电极节距恒等于λ”的证明。引用时应把所用方案固定为普通横向交错激励,并说明所比对的工作模态。

对D1的使用方式  如果D2只是证明D1已有梳状横向GBAW结构中“波长”的技术含义,可以作为解释资料;若为了得到该关系而必须改变D1的电极连接、激励方向或模式,则形成技术组合,应转入创造性论证。D2不负责提供目标SiO2中间膜0.1λ至0.5λ的厚度,不能单独完成权利要求1的比对。

版本说明  WO2006040001A1于2006-04-20公开,JP2008516490A于2008-05-15公开,可作同族核读线索;后续授权文本的日期另行判断。

D3 DE10325281A1

Elektroakustisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung

原申请人 Epcos AG  优先权 2003-06-04  申请 2003-06-04  公开 2004-12-23

来源  Google Patents专利页    原始公报PDF    复核 2026年10月21日

贡献  异电位指距与模态相关波长的补强证据

以下为原语言短引文。中文释义与其后的技术判断分别表述;PDF页码按文件从首页连续计数。

引文1  [0030] PDF第4页

“eine halbe Wellenlänge”

释义  半个波长。

引文2  [0048] PDF第6页

“durch die Periodizität der Elektrodenfinger”

释义  由电极指的周期性。

引文3  [0048] PDF第6页

“durch die Dicke der piezoelektrischen Schicht”

释义  由压电层的厚度。

几何贡献  [0030]明确把相邻不同电位激励指的中心距离与半波长对应,并区分反射结构。[0048]又说明工作GBAW与指周期及压电层厚度共同相关。其价值在于给出明确的中心距端点,同时提醒薄层色散与工作模态不可忽略。

为何作为补强  D1的[0053]在微调结构语境中引用该文献,并不使D3的全部电极实施方式自动成为D1的同一个实施例。[0103]至[0108]还有同一上母线与下电极共同激励等构型,不能不核连接方式就套入普通单指的两倍关系。D3记载的某些0.1λ至λ厚度属于压电层,不是本案低声速膜H;它是几何解释证据,不能代替中间膜证据。

版本说明  D1存在对该文献的引用,可增强技术背景联系;引用语境本身不能消除不同实施方式之间的差别。

D4 US20100225201A1

Electroacoustic Component

原申请人 Epcos AG  优先权 2006-01-26  申请 2007-01-24  公开 2010-09-09

来源  Google Patents专利页    原始公报PDF    复核 2026年10月21日

贡献  低声速中间层与0.25λ0的直接实例

以下为原语言短引文。中文释义与其后的技术判断分别表述;PDF页码按文件从首页连续计数。

引文1  [0016] PDF第3页

“a frequency that lies in the passband”

释义  位于通带内的频率。

引文2  [0016] PDF第3页

“half a wavelength”

释义  半个波长。

引文3  [0028] PDF第4页

“relative layer thickness of 25%”

释义  相对层厚为25%。

同一文本中的证据链  [0016]把声波λ0与通带工作频率及带相反电荷电极的半波长间隔相连;[0022]规定中间层ZS比两侧基板声速低;[0028]给出SiOx中间层及25%与150%层厚对比;[0031]至[0032]继续采用25%层厚的结构。因而0.25λ0不是从不相关图的坐标读出的估算,而有明确文字实例。

与本案E的对应  当λ0与目标的工作设计波长统一时,0.25属于0.1至0.5的内部点。[0016]所说电极间隔没有在该句逐字指定中心端点,不能据此声称原文已完整定义中心到中心的p。目标权利要求只要求波长由IDT周期确定,未要求把每个局部相邻距离直接命名为λ。

整项比对的限制  [0024]两侧基板优选至少7.5λ0厚,第二基板采用硅;厚度本身不自动排除授权权利要求1,但硅不在其高声速支撑材料列表内。中间层SiOx的化学计量范围也不能整段等同于纯SiO2,需引用原文接近化学计量SiO2的具体选择。该文献首先补强E,若作为主证据,还需为支撑材料及压电膜身份给出完整理由。

符号与权项边界  原文裸λ另用作第一欧拉角,声波波长为λ0,必须保留下标。权利要求7、9、11及18、20、22的依附关系不能被串接成一条未记载的组合权项。本报告的中间层 数值 电极关联依靠说明书连续披露。

版本说明  公开日早于本案优先权日;早优先权和该美国公开日分别记录,未以优先权日代替公开日。

D5 US20070284965A1

Boundary acoustic wave device and process for producing same

原申请人 Murata Manufacturing Co Ltd  优先权 2004-03-29  申请 2007-08-07  公开 2007-12-13

来源  Google Patents专利页    原始公报PDF    复核 2026年10月21日

贡献  明确λ等式及SiO2的0.1 0.3 0.5倍实例

以下为原语言短引文。中文释义与其后的技术判断分别表述;PDF页码按文件从首页连续计数。

引文1  [0058] PDF第12页

“λ=2×P”

释义  λ等于2乘P。

引文2  [0058] PDF第12页

“center-to-center distance of the spaces between adjacent electrode fingers”

释义  相邻电极指之间空隙的中心到中心距离。

引文3  [0097] PDF第15页

“about 0.1λ, about 0.3λ, about 0.5λ”

释义  约0.1λ、约0.3λ、约0.5λ。

波长和周期都有明文  [0037]至[0038]以声速 频率 波长关系讨论工作声波;[0058]给出明确公式并定义P的量取端点。因此它比只有“period”字样的索引摘要更有价值。本报告使用P完全遵从其原文;该段的L是电极指宽度,不能把它误当成本报告记号中的完整电位周期。

膜厚实例与电极的联系  [0084]和[0096]说明相应实例采用图2所示的电极结构,因而[0058]与后续膜厚并非毫无关联的摘句。[0097]的第二实例比较SiO2第二介质膜H2约0.1、0.3、0.5及1倍波长;前三个为目标范围内的明确点,最后一个在范围外。结合[0100]至[0101]最终增加第四SiO2层后构成边界波器件,不宜把中间工序测得的SAW结果直接写成最终器件全部性能。

不能混淆的厚度  目标相关量是H2,而图9横轴为第三介质膜H3。[0107]的H2优选值可与第二实例一并使用;第三层多晶硅的膜厚及电极h不应替代H2。原文还存在局部压缩或展开的电极间隔,[0057]不能被简化为全器件每个局部距离都严格等于固定半波长。

无效贡献的边界  这份文献把周期波长与具体低声速介质膜厚连在一个文本中,对“E只是任意归一化尺寸”的辩解有直接反驳价值。但LN基体及多层覆盖架构不当然等于本案高声速支撑 低声速膜 压电膜三层架构;不能单凭三个数值就判定整项权利要求失去新颖性。

版本说明  同族WO2005093949A1可作补充核读。该美国公开申请对应的授权为US7581306B2;不把其他关联授权误写成同一版本。

D6 WO2009133655A1

弾性境界波装置

原申请人 Murata Manufacturing Co Ltd  优先权 2008-04-30  申请 2009-03-31  公开 2009-11-05

来源  Google Patents专利页    原始公报PDF    复核 2026年10月21日

贡献  指周期定义及SiO2厚度0.4λ的图文证据

以下为原语言短引文。中文释义与其后的技术判断分别表述;PDF页码按文件从首页连续计数。

引文1  [0051] PDF第26页

“電極指の周期をλ”

释义  以电极指的周期为λ。

引文2  [0052] PDF第27页

“H/λが0.4”

释义  H/λ为0.4。

原文与附图相互核对  [0051]定义第一介质SiO2的厚H和电极厚h,并把λ与电极指周期联系;[0052]给出LT基体、SiO2的H/λ为0.4、Au电极和上层SiN。图2的λ箭头跨越相邻两个指距,而H和h有不同的竖向标注。文字和图线相互支持,不必靠附图比例测量得到0.4。

对E的贡献及剩余差异  0.4是目标区间内部值;低速SiO2位于LT和较高速SiN之间,可支持波导层角色。SiN的3000nm对应1.58λ,是上层厚度,不能写成1.58H。该文本的上层SiN主要作为覆盖介质,是否同时承担本案支撑基板角色仍需论证;其下侧LT称基板也不能未经解释就换成目标薄膜。它证明E及低速夹层设计早已有具体实施,不单独证明全部权利要求1。

版本说明  日文国际公布为2009年早公开证据;日本国家阶段JPWO2009133655A1的2011年公开及2013年授权不能倒填为2009年日本公开。

D7 CN101789769A

弹性波装置

原申请人 株式会社村田制作所  优先权 2009-01-26  申请 2010-01-20  公开 2010-07-28

来源  Google Patents专利页    原始公报PDF    复核 2026年10月21日

贡献  中文原文节距波长及712nm的可复算实例

以下为原语言短引文。中文释义与其后的技术判断分别表述;PDF页码按文件从首页连续计数。

引文1  [0092] PDF第8页

“节距确定的波长λ=1.9μm”

释义  按原文确定工作设计波长为1.9μm。

引文2  [0098] PDF第8页

“712nm”

释义  SiO2膜厚的具体值。

中文公报形成直接数值链  [0072]至[0073]及[0081]至[0083]给出LN压电体、界面IDT、SiO2层及上方SiN,说明SiO2比LN及SiN声速低。[0092]明确以IDT电极指节距确定λ,[0098]明确SiO2为712nm。二者同属该实例,可直接换算H/λ为712/1900,约0.3747。

比宽区间更强的使用方式  [0083]一般优选范围为0.2λ至0.7λ,只与本案部分重合;712nm和1.9μm的具体实例则明确落入本案区间内部。应优先以该实例证明确切的落入点,不能把整个0.2至0.7都说成在0.1至0.5之内。目标只要求波长由IDT周期确定,这里的文字已直接对应,无须额外主张一个未核的相邻指距等于λ。

结构贡献与不足  它提供同一方案中的材料 速度 层位及膜厚关联,是比纯几何词典更有力的E证据。[0099]的2000nm属于SiN层;[0101]区分基本SH与高次模态。比对仍应核实高声速层能否承担支撑身份以及LN体能否对应压电膜。不能仅因把器件上下翻转,就推定所有功能已相同。

版本说明  JP2010193429A于2010-09-02公开,是同一Google family的日文核读版本;本报告以更早且直接可读的中文A公开为主要引文,技术贡献只计一次。

D8 WO2010131736A1

弾性境界波装置及びその製造方法

原申请人 Murata Manufacturing Co Ltd  优先权 2009-05-15  申请 2010-05-14  公开 2010-11-18

来源  Google Patents专利页    原始公报PDF    复核 2026年10月21日

贡献  IDT节距定义与0.375至0.425倍完整参数窗口

以下为原语言短引文。中文释义与其后的技术判断分别表述;PDF页码按文件从首页连续计数。

引文1  [0013] PDF第5页

“ピッチで定められる”

释义  由节距确定。

引文2  [0013]及权利要求4

“0.3<H/λ<0.7”

释义  第一与第三介质之间的第二介质厚度采用严格开区间。

引文3  [0024]条件a1 PDF第7页

“0.375λ~0.425λ”

释义  第二介质层H的具体参数窗口。

从原始日文公报固定证据  本次取得181页原始公报,并核对[0010]的三介质及界面IDT结构、[0013]的节距波长与一般H范围,以及[0024]的具体条件a1。一般0.3至0.7并非全部在目标范围内,但a1的0.375至0.425完整窗口位于目标范围内部,比仅引用两个大区间相交更有说服力。

具体窗口须连同参数使用  a1同时约束三层电极金属及厚度、厚度分配比、LN切角及SiO2第二介质:h1+h3为0.0175λ至0.0225λ,h3/(h1+h3)为0.55至0.575,h2为0.07λ至0.09λ,LN切角为21.5°至27°,第一及第三金属为Pt、第二金属为Al。引用H窗口应保留这些条件;权利要求1对分配比严格大于0.55时,依附评价还须保留这一开边界。

可用于何种论证  [0010]明确第二介质比第一及第三介质慢;权利要求8、9、11等分别涉及SiO2、LN及第三介质材料选择。a1本身已把LN SiO2和特定电极系统联系起来,可直接加强E的已知性。第三高速介质是否为本案高声速支撑,以及其材料选择能否与a1共同直接确定,仍须作整项比对;不能将各个并列从属权项随意串接。

与D7的区别  D7和D8属于不同家族,具体膜厚和电极参数不同。D7的712nm和D8的a1窗口分别引用,不互换实例数据。D8中的h1、h2、h3是金属电极各子层厚度,H才是低声速介质厚度。

版本说明  国际公布日距本案优先权日较近,但仍在普通现有技术截止日之前;以2010-11-18实际公开日认定,不以2009年优先权替代。

六 原文核验及几何边界的辅助证据

辅助证据对参数校核或术语解释有实用贡献,但不与整项主证据混同。D9和D10另有具体范围内厚度;D11至D14主要帮助控制量距 模式 层号及版本解释。

D9 CN101030764A

弹性边界波器件、谐振器以及滤波器

原申请人 富士通株式会社及富士通媒体器件株式会社  优先权 2006-02-28  申请 2007-02-28  公开 2007-09-05

来源  Google Patents专利页    原始公报PDF    复核 2026年10月21日

贡献  中文波长定义与多个范围内SiO2实例

以下为原语言短引文。中文释义与其后的技术判断分别表述;PDF页码按文件从首页连续计数。

引文1  说明书第7页 PDF第23页

“每隔一个电极齿之间的距离”

释义  跨过一个电极齿的重复距离,用来定义工作声波波长。

贡献与校核  说明书第7页把工作弹性波λ和电极齿重复距离明确联系,并给出SiO2的H/λ为0.33、0.38、0.42、0.45、0.52及0.58的器件。前四个在目标范围内,后两个在范围外。它既支持波长身份,也提供中文具体数值实例;Al2O3上覆层的支撑身份及LN基体的膜角色仍须另证。

原文疑似笔误的处理  同页还列λ为1.982μm、电极h为188nm,却出现H/λ为0.095的文字。188/1982约为0.0949,更符合电极h/λ;本报告保留这一疑点,不将该0.095当作已确认的低声速膜H比值。无效论证可采用其清晰列出的0.33至0.45实例,无须依赖疑似笔误。

版本说明  US20070229192A1和KR20070089645A为相关同族版本,不能因语种不同重复计算技术贡献。

D10 KR20070092110A

탄성 경계파 디바이스

原申请人 Fujitsu Ltd及Fujitsu Media Devices Ltd  优先权 2006-03-07  申请 2007-03-02  公开 2007-09-12

来源  Google Patents专利页    原始公报PDF    复核 2026年10月21日

贡献  500nm与2000nm周期的0.25比值核验

以下为原语言短引文。中文释义与其后的技术判断分别表述;PDF页码按文件从首页连续计数。

引文1  说明书第0059段 PDF第8页

“주기를 2000nm”

释义  周期为2000nm。

引文2  同段

“500nm”

释义  SiO2膜厚500nm。

贡献与使用边界  第0059段记载图9器件的SiO2层500nm及电极周期2000nm,故H/λ为0.25;第0060段说明中间介质宜慢于两侧介质。它是韩文原文可独立核验的范围内实例。该段另有0.25λ、0.3λ及0.35λ曲线,这些属于Al2O3层h的厚度变化,不能移作SiO2的H。

避免跨图拼接  500nm与2000nm明确回指图9;图11及图12讨论的是另一较厚Al2O3实施例。引用时应维持图9实例与数值的配对。其主要贡献是E和低速夹层设计,尚未单篇完成目标支撑及压电膜的全部角色认定。

版本说明  CN101034879A及US20070210676A1为同族核读线索;正文引文以该韩文公开为准。

D11 US20080266024A1

Component operated by guided acoustic waves

原申请人 Epcos AG  优先权 2005-11-23  申请 2006-11-20  公开 2008-10-30

来源  Google Patents专利页    原始公报PDF    复核 2026年10月21日

贡献  同边量距与λ等于2d的辅助几何证据

以下为原语言短引文。中文释义与其后的技术判断分别表述;PDF页码按文件从首页连续计数。

引文1  说明书第0060段 PDF第7页

“Advantageously: λ=2d”

释义  优选λ等于2d。

引文2  同段

“left or, alternatively, right edges”

释义  选择左边缘或右边缘量取。

价值和同族限制  第0059至0060段及图7给出交替连接的两组电极,d按相继电极的相同侧边缘量取,从而把几何端点和λ等式明确化。它可帮助说明普通交替激励的量距方法。其PCT/DE2006/002034与D1相关的002029分支不同;即使Google把它们置于同一family,也不能把该等式写成D1自己的原文。

膜厚不可反向移植  第0072段的介电层厚度为0.5λ至5λ,与D1的优选0.15λ至0.5λ不是同一句披露。对D1的无效主张应引用D1自身厚度,再说明采用D11究竟是术语解释还是创造性结合,不能假称一份早期德文已经同时逐字公开两个文本的所有内容。

版本说明  同family仅作来源提示;本报告将D11单列为可核对公开文本,不作为新增独立技术来源累加。

D12 WO2008110576A1

Elektroakustisches Bauelement

原申请人 Epcos AG  优先权 2007-03-14  申请 2008-03-12  公开 2008-09-18

来源  Google Patents专利页    原始公报PDF    复核 2026年10月21日

贡献  归一化厚度中的λ为工作频率声波波长

以下为原语言短引文。中文释义与其后的技术判断分别表述;PDF页码按文件从首页连续计数。

引文1  说明书第4页 PDF第6页

“Wellenlänge bei der Betriebsfrequenz des Bauelements”

释义  器件工作频率下的波长。

可用内容与不能挪用的内容  该页及权利要求12明确把第一介电层的0.2λ至1.0λ与工作频率的声波波长联系起来,支持同类声学器件尺寸归一化的波长身份。但该页优选第一介质为TeO2,第二介质为SiO2。因此不能把第一层的厚度窗口直接移给第二SiO2层,亦不能仅凭“低声速”名称将未落入目标材料列表的TeO2写成权利要求1已经列举的材料。

版本说明  用于术语解释与证据边界校验,不列为本次直接膜厚主证据。

D13 FR2650919A1

Dispositif acoustoelectrique a ondes de surface perfectionne

原申请人 Dassault Electronique SA  优先权 1989-08-10  申请 1989-08-10  公开 1991-02-15

来源  Google Patents专利页    原始公报PDF    复核 2026年10月21日

贡献  单指与分裂指及谐波适用条件的反向校验

以下为原语言短引文。中文释义与其后的技术判断分别表述;PDF页码按文件从首页连续计数。

引文1  说明书第2页 PDF第3页

“fréquence fondamentale”

释义  基频。

引文2  同页

“harmonique 3”

释义  三次谐波。

对本次无效的实际贡献  该页比较普通单指和分裂指结构:前者指宽与间隙为局部声波波长的四分之一;后者采用八分之一的尺度,并讨论三次谐波寄生响应。这说明“相邻一根指”的几何尺度依结构而变,能约束对D1的论证,避免被分裂指反例推翻。它不提供目标低声速夹层H,不是独立破坏新颖性的主文献。

版本说明  EP0412854A1于1991-02-13公开;法国文本单独以FR2650919A1的实际日期引用。

D14 EP0802627A1

Surface acoustic wave transducer and surface acoustic wave filter

原申请人 NGK Insulators Ltd  优先权 1995-11-08  申请 1996-11-08  公开 1997-10-22

来源  Google Patents专利页    原始公报PDF    复核 2026年10月21日

贡献  基波局部周期与8λ整组重复距离的区分

以下为原语言短引文。中文释义与其后的技术判断分别表述;PDF页码按文件从首页连续计数。

引文1  说明书第3页及权利要求1

“fundamental surface acoustic wave”

释义  基波表面声波。

几何解释贡献  该文把λ固定为基波SAW,正电极指中心周期为λ,相反电位指中心距离为λ/2;图5实施方式又使两段激励结构间距为8λ并同相。由此可见,局部激励周期与包含反射段的整组重复距离能同时存在。若把8λ整组距离直接当作目标λ,就会制造八倍的错误换算。

适用限制  它是具有自然单相单向换能特性的各向异性SAW设计,并非D1的GBAW层叠。其作用是核验“周期”一词的层级,不提供低声速膜H,也不独自证明D1采用同一模态。

版本说明  WO1997017757A1为同族线索;EP文本保留其独立公开身份。

七 特征比对表及数值核算

权利要求1与D1逐项比对

本表对整项权利要求进行比较;它保留直接对应与仍需论证的区别。证据位置均属于D1,E1栏另标D2的解释作用。

目标项

D1原文位置

对应披露

比对判断及限制

A1 C

[0032]至[0033] 第3至4页

LT或LN压电层,允许生长基板移除

可对应;须确定采用生长层或可称作膜的薄化方案。3λ至50λ不直接否定权1,但不能证明权3和权4。

A2 材料

[0034] 第4页

Al2O3第二基板是明示选项

材料有直接对应;D1优选硅不在本案列举列表内,不能将硅例原封不动说成完整覆盖。

A2 支撑

[0073] 第6页

较厚第二基板承担机械稳定

支撑功能有文字支持;与Al2O3选择共同适用的依据应说明。

A2 B1 声速

[0016]至[0017];权38至39 第9页

低速介电夹层及两基板体波速度关系

低速夹层关系可对应;本案高声速术语涉及体波速度与工作波速度,仍须固定模式和传播方向。

B1 B2 E2

[0018] [0037] [0073] 第3 4 6页

介电层SiO2位于第一压电层与第二支撑之间

层位及材料均有来源;不得从金属子层厚度替换介电膜厚度。

D

[0005] [0018] 第2至3页

梳状换能电极在压电第一基板的一面并嵌入介质

可对应一面IDT;界面位置并非当然差异。实际母线和激励构型须与E1保持一致。

E1

[0005] [0015]至[0018];D2解释

工作GBAW和声学设计尺寸中的λ

工作声波身份有力;D1未直接给出完整电位周期等式。D2只解释既有结构时可辅助,若改结构则改按创造性组合。

E3

[0042] 第4页;权利要求36

优选0.15λ至0.5λ;一般0.1λ至λ

优选子区间全部落入本案。保留嵌入金属不突出及层系厚等于介电层厚的语境;一般宽区间不应冒充全部落入。

同一技术方案

以上一般教导与图1G

LT或LN层 SiO2 Al2O3支撑及优选厚度

可构建具体无效比对路线;尚不能把多个可选列表和硅基板具体例无说明地合并成一个已直接记载的实作例。

 

表中“可对应”表示有具体原文来源,不表示已跨越同一方案审查。最有价值的进一步论证,是证明生长压电层 Al2O3第二基板 SiO2介电层及优选厚度属于可共同实施的一般教导,而非互斥的独立实施方式。

特征E与主要参数证据逐项比对

下表将E1 E2 E3分开比较。这里的落入仅针对E的相应子项,不能把材料层位相似直接提升为整项权利要求完全覆盖。原文短引文见各证据分析。

证据

E1 波长与周期

E2 物理层

E3 H除以λ

贡献边界

D1

声学语境强;IDT周期联系需解释

SiO2夹于压电第一层和支撑第二层

0.15至0.5 优选窗口

主证据;E1及同一方案附条件

D4

工作λ0及相反电荷电极半波长间隔

ZS低速中间层 SiOx

0.25 具体实例

E直接有力;支撑硅及材料细化待论证

D5

工作声波及λ等于2P明示

H2为SiO2中间介质

约0.1 约0.3 约0.5

周期和厚度同文本;总体层叠有差异

D6

电极指周期定义 图2箭头支持

SiO2在LT和SiN之间

0.4 具体实例

E强;SiN支撑及LT膜角色需判断

D7

中文明示节距确定工作λ

SiO2在LN和SiN之间

712/1900 约0.3747

同实例可计算;高层支撑身份未自动成立

D8

节距定义及权4一般范围

低速第二介质位于两侧之间

a1为0.375至0.425

完整内含窗口;保留a1各条件

D9

工作波长及每隔一齿的重复距离

SiO2在LN和Al2O3之间

0.33 0.38 0.42 0.45

采用明确实例;排除0.095疑似笔误

D10

电极周期2000nm

图9 SiO2层500nm

500/2000 为0.25

计算直接;不得移用另一图厚度

 

范围内厚度的核算和引用边界

证据位置

采用的H除以λ

与0.1至0.5的关系

使用条件

D1 [0042]

0.15至0.5

优选子区间全部在内

先统一λ及介电层厚度语境

D4 [0028]

0.25

具体内点

λ0为声波;原文欧拉角λ另义

D5 [0097]

约0.1 约0.3 约0.5

三个范围内名义值

1λ实例在外;端点约值不冒称精密边界

D6 [0052]

0.4

具体内点

H是SiO2 h是Au电极

D7 [0092] [0098]

712nm / 1900nm 约0.3747

具体内点

同实例同单位;一般0.2至0.7仅部分重合

D8 [0024] a1

0.375至0.425

完整子窗口全部在内

保留金属厚度 切角 组分条件

D9 说明书第7页

0.33 0.38 0.42 0.45

四个内点

0.52和0.58在外;0.095原文疑点不采

D10 第0059段

500nm / 2000nm 为0.25

具体内点

来自图9;Al2O3曲线厚度不是H

 

上述两式是本报告对明确原文数值的计算,非额外实验数据。D7及D10的单位已先统一为nm。区间内具体点、完全内含的子区间和仅部分相交的大区间,证明力度及适用语境不同。D5的近似端点不应被写成测量精度未给出的精确边界。

八 周期波长换算的技术说明

为避免符号错置,本报告以p表示普通单指中相邻异电位激励指的中心距离,以L表示电位图样完整重复周期,以λT和λD分别表示目标与对比文件的工作声波波长。这些记号不覆盖原文自己的定义;例如D5的L是指宽,D4的声波波长是λ0。

情形

应当量取的量

与波长的关系

证据及适用条件

普通单指基频

相邻异电位中心距p;同电位完整周期L

通常L约等于2p,λ约等于L

D2 [0015] [0018];D3 [0030];并须核连接和模式

同侧边缘量距

相继电极相同侧边缘d

D11明示λ等于2d

同宽规则结构可与中心距对应;不同指宽或局部修正不自动同一

反射栅

反射电极重复距及反射相位

常与半波长条件相关

不是有效激励周期的独立证明;D3 D11均区分反射和激励

分裂指

同电位成组指及完整电位重复

λ尺度须从整组电位图样确定

D13显示八分之一尺度及谐波;不能见相邻指就套普通p

整组超周期

含激励段 反射段的重复距离

可能为多个λ 如8λ

D14局部λ和整组8λ并存;整组距不能直接命名为工作λ

高阶或厚度模态

横向主模 纵向次模及空间谐波

λ与周期之间可能为整数或分数关系

D2 [0080]至[0082];D3 [0048]提醒厚度和色散

 

怎样处理两倍或其他比例差异

若原文实际膜厚为H=rλD,而经结构与模态核实λD=kλT,则H/λT=rk。只看两个符号都写λ而不检验k,或者一见节距相差两倍就自动排除范围,都会误判。下列换算仅为条件分析,不宣称D1已经证实k等于其中某值。

对D1优选r的假设

换算为H除以λT

与目标范围关系

k为1

0.15至0.5

整个优选窗口落入

k为二分之一

0.075至0.25

仅0.1至0.25重合

k为2

0.3至1.0

仅0.3至0.5重合

 

对整数或分数关系,应先看有效激励单元、电位连接、传播方向和工作模态。频响出现三次谐波,不足以独自决定所有色散声模的波长比例。D13与D14提供的反例不会否定普通单指规则,但要求说明规则何以适用于所选D1方案。

九 无效论证路径及主要抗辩

路线一 以D1为单篇新颖性主证据

主张应落在一个具体方案上:以LT或LN压电层作为第一层,SiO2作为中间介质,以Al2O3作为承担机械支撑的第二基板,配合梳状激励电极及D1优选膜厚。先证明这些一般教导可以在该文同一方案中直接共同适用,再解释其λ就是IDT所激励工作声波的设计波长。D2及D3在此仅说明既有技术用语和普通结构的含义,不作为填补新硬件结构的隐蔽拼接。

最强抗辩是各个可选材料和生长压电层属于不同分支,未直接记载一个同时具有全部组合的例子;另有高声速体波条件与GBAW模式的差别。回应应以D1的段落逻辑、通用层系、支撑用途及所选模式证明共同适用,而不能只重复材料清单。若仍需新增技术条件,则本路线应保留附条件评价,转用创造性路线展开。

路线二 以D1结合D2论证创造性

若其余限定能够由D1对应,差异仅是明确表述IDT周期所确定的λ,那么D2与D1同属GBAW、同有横向周期电极及波导设计,其关于工作λ和电极周期的关系具有直接技术联系。可将技术问题表述为如何在既有横向激励器件中明确膜厚设计所采用的声学尺度,说明采用完整激励周期归一化并不会引入新的结构变化。

这一结合理由不能无限扩张。若D1实际方案并非普通横向交错激励,或必须增加对置电极 改变接线 选取另一阶模态,需把该改动作为真实差异评价。D2的多模变型反而要求确认应用条件,不支持所有方案都自然满足同一λ等式。

路线三 以D4至D8补强参数选择的已知性

这些文献分别提供同类波导结构中的范围内低速介质膜厚。D4的0.25λ0、D6的0.4λ、D7的约0.3747及D8的完整内部窗口,使采用该量级膜厚的可行性具有具体出处。D5又给出λ与P的明式,可回答“波长是任意符号”的争点。它们适合作为参数与技术效果讨论的后备证据。

如果真正差异是把覆盖层改作支撑基板、把厚LN体改成特定压电膜或改变约束声模,就应说明相应修改与目标技术问题的联系,并证明原有模式和效果能合理延续。不同结构中的相同H/λ不自动意味着相同器件性能。本报告未核得足以不加条件覆盖全部从属限制的单一实施例。

建议在请求书中明确回应的争点

争点

已有证据

需要形成的具体论述

D1是否有膜

[0033]生长层及移除生长基板

从“基板”名称回到实际层结构;分别处理权1与厚度从属项

第二层能否支撑

D1 [0034] Al2O3 [0073]承载

说明材料选择与支撑一般教导可共同适用

声速条件是否相同

D1 [0016]至[0017];目标[0012]

区分体波 工作弹性波 声阻抗及晶向条件

λ是否取错周期

D2 D3直接说明;D11 D13 D14反向校验

固定电位重复单元 激励与反射分工及工作模式

厚度是否跨层或跨例

D1 [0042];D7同例值;D8 a1

保留嵌入条件及完整参数组;不移植H h H2 H3

多个证据能否合并

本报告各文献角色分明

新颖性单篇同一方案;创造性另写差异 问题 启示

 

十 总结性论述

E在先公开的证据已形成连续链条  D1的优选厚度窗口已经完整落在目标0.1λ至0.5λ范围内;D2和D3补强同类GBAW中工作波长与电极周期的联系。D4至D10又分别给出工作声波定义、低速中间介质及明确厚度窗口或具体数值。D7的0.3747和D8的0.375至0.425尤其适合用作可复核的内部落入实例。故将E中的数值区间及周期波长归一化本身表述为首次出现,已缺乏事实基础。

单篇新颖性路线应以D1整体方案为中心  D1对LT或LN层、Al2O3第二基板、SiO2中间层、机械承载及优选厚度均有明确来源,使其具有超出“只碰到一个膜厚数字”的贡献。请求书可以依次说明材料选择属于可共同适用的一般教导、支撑功能与低速夹层的对应,以及IDT工作波长的技术含义。如果这些联系能够从D1直接且无歧义确定,D1有条件承担单篇新颖性攻击;如果必须从不同独立实施方式择取并重组,或引入新的模式,便不宜继续把整项覆盖写成单篇已直接公开。

创造性路线应围绕确定的差异提出结合理由  以D1为起点,若争点只是已有普通横向GBAW结构中λ的含义,D2可证明同类设计的周期规则;这比机械拼接SAW文献更有联系。若真正差异涉及新材料 新支撑身份或压电层的改变,应明确改动是什么、解决什么问题,以及在原有波导机制中为何可行。D4至D8可支持低速介质采用范围内归一化膜厚的可选择性,但它们不能自动证明任意覆盖层改成承载基板后仍保持相同工作模式与效果。

对可能抗辩的处理应落到具体条件  “相邻节距并不总等于波长”的反驳本身成立,但目标权利要求并未要求该恒等式。普通单指中应比较完整电位周期,分裂指或高次模态则另核。针对D1厚度需把层系与介电层的相等条件交代清楚;针对D7和D8则可采用同一实例的内部数值,避免仅靠大区间相交。针对厚压电基板的抗辩,应分别判断其是否可解释为权1的压电膜及是否满足从属项,不能把权3的1.5λ上限倒加到权1。

最终评价  本次筛出的文献对特征E及其技术背景具有实质贡献,其中D1为整项主证据候选,D2和D3为关键波长解释材料,D4至D8为厚度及周期的直接补强,D9至D14用于中文韩文校验和几何边界控制。现有证据足以显著削弱以E单独维持权利要求1创造性的主张,但尚不能省略高声速支撑身份、材料共同选择、声速条件及单一方案可确定性的论证而直接宣布整项权利要求无效。对权利要求3至9及10以后的不同架构,还需按各自新增限定分别建立证据链。

实际采用顺序建议为D1作为主体,D2和D3解释工作波长与IDT,D7与D8优先证明具体范围内膜厚,D4至D6作独立补强,D9至D14用于数值 语种 几何和版本校验。采用较少而连贯的证据链,比把所有同族公开及所有近似数字并列为“整项已公开”更能经受逐项审查。

附录 原文来源和复核定位

下表链接直达Google Patents及其所列原始公报。PDF页码为文件连续页码,可能不同于公报印刷的说明书页码。引用所依据的为所列公开版本;电子页的机器翻译或后续授权仅用于辅助核读。复核日期统一为2026-10-21,原件已留存并记录完整性校验值。

证据

原文入口

关键定位

D1
DE102005055871A1

Google Patents

原始公报PDF

PDF 2 3 4 6 7 9 13页
[0005] PDF
第2页;[0033] PDF第3至4页;[0034] PDF第4页;[0037] PDF第4页;[0042] PDF第4页;[0073] PDF第6页

D2
DE102004049498A1

Google Patents

原始公报PDF

PDF 2 3 7页
[0012] PDF
第2页;[0015] PDF第3页;[0018] PDF第3页;[0082] PDF第7页

D3
DE10325281A1

Google Patents

原始公报PDF

PDF 4 6页
[0030] PDF
第4页;[0048] PDF第6页;[0048] PDF第6页

D4
US20100225201A1

Google Patents

原始公报PDF

PDF 3 4页
[0016] PDF
第3页;[0016] PDF第3页;[0028] PDF第4页

D5
US20070284965A1

Google Patents

原始公报PDF

PDF 4 12 14 15页
[0058] PDF
第12页;[0058] PDF第12页;[0097] PDF第15页

D6
WO2009133655A1

Google Patents

原始公报PDF

PDF 26 27 66页
[0051] PDF
第26页;[0052] PDF第27页

D7
CN101789769A

Google Patents

原始公报PDF

PDF 7 8 9页
[0092] PDF
第8页;[0098] PDF第8页

D8
WO2010131736A1

Google Patents

原始公报PDF

PDF 3 4 5 7 8页
[0013] PDF
第5页;[0013]及权利要求4;[0024]条件a1 PDF第7页

D9
CN101030764A

Google Patents

原始公报PDF

PDF 23页
说明书第7页 PDF第23页

D10
KR20070092110A

Google Patents

原始公报PDF

PDF 8页
说明书第0059段 PDF第8页;同段

D11
US20080266024A1

Google Patents

原始公报PDF

PDF 7 8页
说明书第0060段 PDF第7页;同段

D12
WO2008110576A1

Google Patents

原始公报PDF

PDF 6页
说明书第4页 PDF第6页

D13
FR2650919A1

Google Patents

原始公报PDF

PDF 3页
说明书第2页 PDF第3页;同页

D14
EP0802627A1

Google Patents

原始公报PDF

PDF 3 6页
说明书第3页及权利要求1

 

同族和日期的补充定位

D7日文核读  JP2010193429A  公开2010-09-02;与CN101789769A同一Google family,贡献不重复计算。

D2日文核读  JP2008516490A  公开2008-05-15;与DE102004049498A1相关。

D1英文核读  US20080252396A1  公开2008-10-16;与D11的不同PCT分支分别处理。

D6晚公开国家阶段  JPWO2009133655A1  公开2011-08-25;不以此日本版本冒充早于本案优先权的公开。

Google family标识用于来源分组,不能替代逐版本内容和公开日审查;本报告没有按现时权利状态筛掉早公开文献,也没有把失效状态当作缺乏技术证据价值的理由。完整检索轮次及执行日志保存在前次补充检索报告,本版不重复铺陈。

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B
无效检索报告

专利原文详析 · 权利要求1特征比对 · 总结性论述

检索核验日:2026年10月21日
对象:弹性波装置及其制造方法
重点:高声速支撑、低声速中间膜与工作模态的对应

主要判断

D1是本次无效论证最应优先组织的主证据。它在同一发明框架下给出Al₂O₃第二基板、LT或LN压电层、SiO₂中间层、界面IDT及0.15λ至0.5λ的优选介质厚度;[0017]还承接受电信号激发的声波作速度比较。不能仅因缺少一组Al₂O₃实测数值,就断言D1没有公开高声速关系。

更稳妥的主张是:先以D1[0015]至[0018]及权38解释其实际导波与支撑速度的关系,再核实该教导是否共同适用于Al₂O₃选择。若对比对象被严格区分为材料体波与整体模态相速,G1可提供明示条件之间的速度推导,V1可说明慢横波阈值;二者的层位和边界条件须单独论证。

E1提供金刚石横波通用值13000m/s与0阶SAW 8300至9500m/s的同文数值比较,是有贡献的替代材料证据。A1则明确金刚石与LN之间的SiO₂缓冲层。不过两篇结合后原模态、层序及归一化厚度会改变,不能直接宣布完整权利要求已经公开。

现有证据足以形成以D1为核心的新颖性主张和创造性备位论证,但不支持不附条件地宣布权利要求1必然无效。真正需要解决的是同一技术方案、同一波型和同一工作波长的对应,而不是再增加材料名称相同的文献数量。

证据分组:8组有贡献的专利家族;另列T1作推理边界核验。同族不同国家公报不重复计为独立发明。

一、无效对象及特征解释

目标专利主张优先权日为2010-12-24,申请日2011-12-20,授权公告日2016-08-10。本报告以该优先权有效为前提,按2010-12-24之前已公开的技术评价权利要求1;优先权主张的实体有效性另须结合优先权文本核对。

编号

特征

对应口径

A1

指定材料的机械支撑

AlN、Al₂O₃、SiC、SiN、SiON、DLC、金刚石,或权利要求列举的主成分材料、混合物。须承担支撑作用。

A2

高声速的功能含义

按说明书[0012]解释:支撑中的相关体波声速高于压电膜中实际工作弹性波的声速。该关系未在权1中再次展开书写。

B1

低声速膜的材料及层位

低声速膜在支撑上、压电膜之下;材料为SiO₂、玻璃、SiON、Ta₂O₅或所列掺杂与主成分材料。

B2

低声速的功能含义

按说明书[0012]解释:低速膜的体波声速低于压电膜中的相应体波声速。它与A2比较的工作模态相速不同。

C

压电膜

由LT即LiTaO₃或LN即LiNbO₃构成,并层叠于低声速膜上。

D

单面IDT

IDT形成于压电膜的一面。权1没有将这一面限定为自由外表面,也未排除埋入界面上的IDT。

E

与工作波长一致的膜厚

λ由IDT电极周期确定;在支撑上且在压电膜之下的低速膜厚度为0.1λ至0.5λ。不能拿覆盖层、压电层或其他模态的厚度替代。

 

A1、A2是将特征A拆成材料/承载与速度功能两部分;B1、B2同理,便于检查比较对象。权1采用材料择一结构,若同一现有技术方案完整公开其中一个材料分支,也可能影响该宽泛权项,无须逐个证明全部备选材料。

本次主表不直接评价权10的“支撑基板+高声速膜”分立结构,也不把权3、4的压电膜厚度限制加入权1。单篇新颖性必须评价同一技术方案;创造性组合须说明区别、技术问题、技术启示和适用条件。

授权文本权1至4、10至11;说明书[0012];原公报PDF第2、5页。 CN103262410B  ·  原始公报PDF

二、对本次无效有贡献的专利

以下按证明作用排序。公开号及公开日用于识别可用版本;优先权日不替代实际公开日。

代号

主公报/公开日

申请人或权利人线索

主要贡献

原文入口

D1

DE102005055871A1
2007-05-24

EPCOS

整项权利要求的主对比文件

[0015]至[0018]、[0032]至[0037]、[0042]、[0073]至[0076];权38、39;图1G。

G1

CN101569100A
2009-10-28

村田制作所

特征A的工作模态速度补强

中文权1、2及表达式(1)至(4);英文[0054]至[0060]、[0114]至[0115]及权1、7;图1、2。

E1

DE69617286T2
2002-07-25

住友电气工业

支撑体波与实际SAW的同文数值比较

构型E及Example 2;英文原公报PDF第5、61、66至67、73页,图8。

A1

CN101777622A
2010-07-14

郑州大学

目标层序与制备动机的替代路线

权1至4;PDF第2、3、6页,图1。

C1

FR2788176A1
2000-07-07

Thomson CSF

蓝宝石承载及SiO₂接合相容性

法文PDF第3、5页;英文PDF第9、10页,栏1至4;图1、2。

C2

JP2004343359A
2004-12-02

富士通等三申请人

切型及实际工作波速的参数线索

日文[0061]至[0064]及实施例;英文PDF第19至21页,栏5至10。

V1

US20060071579A1
2006-04-06

Hajime Kando;后转让村田

速度判据与调速手段的技术教导

[0135]至[0149]、[0210]至[0217];PDF第84、85、91页。

L1

DE102004049498A1
2006-04-13

EPCOS

特征E的解释性补证

[0012]、[0014]至[0018]、[0080]至[0082];PDF第2、3、7页。

 

D1的美国同族用于校读英文;E1、C1、C2亦用同族原文核对。跨语种同族的段号、权项编号不一定一致,必须按实际引用的公报定位。各版本链接和日期列在附录。

T1(FR2936100A1,2010-03-19)不计作完整攻击证据,其作用是检验“导波必然低于体波”的推理边界。L1则是波长解释补证,不能作为完整E的独立公开。

三、原始附图:层位不能被翻转替代

下图均截自Google Patents所链接的原始公报。D1仅旋转显示方向以便阅读,保留原编号;材料判断结合正文,不能只凭示意图线条认定。

图A D1原图1G(PDF第13页)。压电层1/含IDT31的层系统3/支撑2;Al₂O₃与SiO₂材料选项见正文。

图B(左) G1英文原图1(PDF第2页):背层4/压电层2/IDT5与盖层3。
图C(右) E1英文原图8(PDF第5页):金刚石1/IDT4/LN2/SiO₂盖层3。

D1具有目标所需的中间介质层序;G1、E1的SiO₂均在压电体另一面。把图片上下翻转,只改变阅读方向,不改变两层是否直接相邻。

图1G。 DE102005055871A1  ·  原始公报PDF

图1。 US20090236935A1  ·  原始公报PDF

图8。 US5838090A  ·  原始公报PDF

四、D1:结构、材料与共同方案

主公报DE102005055871A1,2007-05-24公开。它是本次最接近整项权利要求的单篇证据,不能只当作一般声速背景。

原文短引:[0034]“auch Al₂O₃”;[0073]“mechanische Stabilität”。前者对应氧化铝备选材料,后者说明第二基板的承载目的。

材料选项与机械承载

[0034]明确把Al₂O₃列为第二基板的替代材料;[0073]说明第二基板比第一基板厚,其厚度选择服务于机械稳定性。因而Al₂O₃并非仅作为保护层或粘接剂被提及,材料与承载角色有直接结合的文本基础。

D1 [0034] PDF第4页;[0073] PDF第6页。

压电膜并非只能解释成厚块体

[0032]列LT、LN等单晶材料;[0033]进一步允许在生长基板上形成压电层,并在后续去除生长基板,且将LT、LN列入该压电层选择。这比只用第一基板一词更有利于对应目标的压电膜。

D1 [0032]至[0033] PDF第3至4页。

中间介质和IDT的位置

[0037]优选SiO₂。[0018]把金属层放在第一压电基板上,器件结构嵌在第一基板与介电层之间;[0005]说明换能器具有相互交指的梳状电极。图1G的顺序为第二支撑基板2/SiO₂介质32及IDT31/第一压电层1。

D1 [0005]、[0018] PDF第2至3页;[0037]第4页;图1G第13页。

一般选项与具体实施例的关系

图1G的具体说明优选Si作为第二基板,而Al₂O₃出现在一般材料选项中。无效主张应说明一般替代选项与该层叠结构、厚度和导波教导能够共同适用;不能把所有一般选项都视作互不相关,也不能把Si实例的每个数值直接改称Al₂O₃实例。

D1 [0034]与[0073]至[0077]。

上述材料、层序与图示的德文原公报。 DE102005055871A1  ·  原始公报PDF

五、D1:高声速关系的核心争点

德文[0016]短引:“klingt in beiden Richtungen vertikal dazu ab”;[0017]以“dieser Welle”承接受激声波。前者指能量沿两侧垂向衰减。

[0015]先说明GBAW在层系统或其与第一压电基板的界面被激发,并主要沿该系统导引。[0016]随后说明能量集中于激发区域并沿两侧垂向衰减,由垂向速度剖面形成导引。因此这里的讨论针对器件实际工作的波,不是一份脱离工作状态的材料清单。

[0017]继续说明电信号激发声体波,优选横波,再用dieser Welle指回该波,陈述它在层系统、尤其介电层中的传播速度优选至少比两侧基板低10%。这给请求人留下实质性的文义路线:把所述工作GBAW理解为由这一低速导引条件形成的工作模态,所选高声速第二基板用于约束该模态。

权38又将层系统中体波传播速度限定为不大于两基板中的90%,权39增加第一基板体波速度低于第二基板。它们与正文共同支持速度梯度的设计,但权38的比较对象仍使用体波表述,而目标A2比较支撑体波与整体工作模态相速。二者是否是同一物理量,需要结合导波模式、波数和边界解释。

最有利于无效的解释是:dieser Welle指向实际受激并沿层系统导引的同一波,且该一般速度教导适用于[0034]的Al₂O₃替代。按这一解释,A2有直接的功能性公开主张,不以另行报告数值测量为必要条件。

最有力的反对意见则是:材料中的体波局部速度剖面只构成导波形成条件,整体GBAW相速度是多层色散关系的解;两侧能量衰减也必须落实到相应辐射分支。故本报告把D1对A2的评价写为有力文义主张及条件解释,既不写成已经无条件完成的数值证明,也不写成完全没有工作波比较。

英文同族的交叉校读

US20080252396A1[0017]分别使用“the propagation velocity of this wave”“by at least 10%”“than in the two substrates surrounding this layer”。这三段短引共同定位原句的比较主语、差额和两侧对象;中文分析不能省去同一段关于优选横波及速度剖面的上下文。

[0015]至[0017],PDF第2页;权38、39,第9页。 DE102005055871A1  ·  原始公报PDF

[0017],PDF第7页。 US20080252396A1  ·  原始公报PDF

六、D1:膜厚、波长与权项边界

德文[0042]优选区间短引:“zwischen 0,15 λ bis 0,5 λ”。断行及上下标作排版统一,数值与原文一致。

[0042]先给出层系统厚度等于介电层厚度的优选关系,原因是金属结构嵌在介电层内且优选不突出;其后给出0.1λ至λ的一般区间及0.15λ至0.5λ的优选区间。优选区间全部位于目标0.1λ至0.5λ内,因此该处不是仅在边界处重叠的薄弱参数证据。

对应E时应保留前提:采用金属嵌入且不突出、层系统厚度与介电层厚度相同的方案;将这里的λ解释为该IDT所激发工作波的波长。不能省去前半句,只把复合层系统厚度直接叫作任意SiO₂局部厚度。

D1[0040]的第一基板厚度3λ至50λ及某个50μm实例,不是权利要求1的自动排除理由。目标权3、4才另设压电膜的归一化厚度范围;本次主表只针对权1,不能将从属项限制倒灌到权1。

IDT埋在压电层与低速膜的界面也不当然欠缺D。权1仅限定在压电膜的一面形成IDT,并未限定必须位于远离低速膜的自由表面。需要争论的是层位、模态和波长的共同适用,而非附图上下方向。

公开内容

D1

目标权1

评价

一般层系统厚度

0.1λ至λ

0.1λ至0.5λ

有部分覆盖;应优先援引更具体优选项。

优选层系统厚度

0.15λ至0.5λ

0.1λ至0.5λ

优选区间全部在目标区间内。

厚度对应前提

金属嵌入介质且不突出,优选等厚

低速中间膜本身厚度

必须保留等厚条件,不能任意改称复合总厚度。

λ的对应

该IDT激发的工作波

IDT周期确定的弹性波

核实同一工作模态,不得改用其他谐波。

 

[0040]至[0043] PDF第4页;[0073]至[0077]第6至7页。 DE102005055871A1  ·  原始公报PDF

七、D1与权利要求1逐项比对

“明示选项”不等于已经证明所有选项任意拼接;“条件解释”也不等于完全没有公开。以下保留每项对应所需条件。

特征

目标内容

D1原文位置

对应分析

证据评价

A1

指定材料的机械支撑

[0034] Al₂O₃;[0073]机械稳定性;图1G

一般材料替代与承载结构相互对应,具体数值例优选Si。

明示选项

A2

支撑相关体波高于工作模态

[0015]至[0017]工作GBAW与速度剖面;权38、39

有力文义路线;仍须解释工作模态相速与原文体波速度对象的对应,并落实Al₂O₃。

条件解释

B1

低速膜材料及中间层位

[0037] SiO₂;[0018]、图1G

SiO₂位于第二支撑与第一压电层之间,符合所需层位。

明示

B2

低速膜体波低于压电体波

[0017]介电层中的受激波速度低于两侧基板

体波优选横波的上下文提供对应;保留同分支及含金属层系统与纯介质的区分。

明示教导

C

LT或LN压电膜

[0032]单晶;[0033]生长压电层

压电层变型明确列LT、LN,可援引而不必只依赖厚第一基板实例。

明示选项

D

压电膜一面上的IDT

[0005]、[0018]、图1G

交指梳状换能器在压电层与介质界面;权1未排除这一面。

明示

E

中间膜0.1λ至0.5λ

[0042]优选0.15λ至0.5λ

在层系统厚度等于介质厚度的所述条件下对应;λ须是工作波长。

有条件明示

 

单篇论证的组合关系

所主张的同一方案应明确为:Al₂O₃第二承载基板+SiO₂介质+LT或LN压电层+界面IDT,并采用[0042]等厚、优选厚度和相应导波条件。材料可替代、压电层制法可选择等一般教导,应在该发明整体上下文中阅读。其技术相容性是新颖性论证的一部分,不能只列七个孤立勾号。

比对涉及原始说明书[0005]至[0077]及权38、39。 DE102005055871A1  ·  原始公报PDF

八、G1:实际工作相速的不等式链

原文定位与器件结构

G1中文权1直接写出两组不等式,英文同族[0054]至[0060]给出结构和各速度对象。英文原文用“low thermal expansion medium layer”称背层4;其与机械刚性、热翘曲抑制有关。[0057]列蓝宝石、SiN等选择,[0114]再列SiC、Al₂O₃、DLC等。它们是压电层背侧的实体层,不只是保护涂层。

由明示条件推导实际工作波速

记介质层相关横波速度为c_d,压电层传播方向上的SH体波速度为c_p,背层相关横波速度为c_b,工作响应频率为f₀,高阶响应为f_h。权1的两个条件相乘、传递后,可以把实际工作相速v_ph=f₀λ与背层速度直接比较。该推导不需要把压电材料体波速度冒充工作模态速度。

前三式的前两式对应原文表达式(1)、(2);第三式为本报告在λ>0条件下的代数推导。c_p表示所选传播方向的SH体波速度,不是工作界面波速度。

同文推导的贡献与边界

这是一条比“某材料通常更快”更强的速度证据:同一器件工作频率、同一IDT波长及同方向的介质速度共同进入判据。[0059]明确各向同性S波与各向异性SH分支的区分。若用Stoneley模式,应对应中文权2/英文权7的SV表达,不能沿用SH符号而不作说明。

不能忽略的层位差异

图1为背层4/压电层2/界面IDT5/SiO₂介质3;SiO₂位于压电层的另一侧,并非背层与压电层之间。翻转附图不能改变相邻关系。G1因而能够补强A2的工作波判据,却不能单独补齐目标B1、E。多晶Si数值实例也不能在改称Al₂O₃之后继续照用。

文本校勘

英文[0110]某句对速度大小的叙述与权1、[0058]表达式的方向不一致。本报告依据中文原公报权1及英文权1的正式表达式作推导,不以该单句反向改写不等式。中文和英文的Stoneley独立项编号不同,引用时分别保留。

中文权1、2;原始PDF第2页。 CN101569100A  ·  原始公报PDF

[0054]至[0060]、[0110]至[0115];权1、7;PDF第12、16、17页。 US20090236935A1  ·  原始公报PDF

九、E1:金刚石与实际SAW的数值

为什么保留金刚石证据

E1的德国公报与US5838090A属于同一专利家族,不能计作两个独立发明。英文原公报栏2给出“velocity of transverse wave = 13,000 m/s”;栏13对构型E的一个0阶参数区域给出“SAW propagation velocity of 8,300≤V≤9,500 (m/s)”。前者是材料横波通用值,后者是明确模态、层厚区域的实际SAW速度。

把比较绑定到器件

图8为金刚石1/下界面IDT4/c轴取向LN层2/SiO₂盖层3。Example 2(栏26)在天然Ia型单晶金刚石的“(100) plane”上制造该构型,双电极宽1μm、周期8μm,金属400Å。它避免把Example 1中硅基CVD金刚石薄层误认成同一个整体金刚石支撑。

数值论证的强度

在采用该公报通用横波值的前提下,13000高于该0阶SAW速度上限9500。这是同文可复核的数量级和大小关系;不是仅用LN块体速度推测SAW。其保留条件是:公报没有为Example 2的具体面内传播方向另给一组方向分辨的金刚石慢横波值,不能把通用13000表述成该方向的实测下界。

不能从速度贡献跳到完整公开

构型E的IDT位于LN的一面,可以对应D;SiO₂却在LN外侧,欠缺目标中间膜层位。所选8300至9500m/s区域还有特定的kh限制。更换盖层位置、加入缓冲层或切换模式以后,旧速度区间不能自动保留。

这是采用E1通用金刚石横波值与所选0阶工作速度区间作出的同文大小比较;不是对单晶(100)任意传播方向的独立测量结论。

绑定对象

原文参数

在本案中的意义

支撑角色

Example 2天然Ia型单晶金刚石

与Example 1的Si上金刚石层区别处理。

实际模式

构型E,0阶,指定kh区域

比较对象是SAW工作模态。

压电与电极

c轴LN,下界面IDT,λ=8μm

D可对应;未指定全部方向参数。

SiO₂位置

LN外侧盖层

不能直接对应目标中间膜。

 

栏2、13、26;图8;原始PDF第5、61、67、73页。 US5838090A  ·  原始公报PDF

德国同族公报:用于识别对应家族和德文版本。 DE69617286T2

十、归一化膜厚:E1与A1的结合边界

E1构型E在所选0阶8300至9500m/s区域给出:LN的kh为0.25至0.35,SiO₂的kh为0.1至0.45。其k是波数2π/λ,kh并不是h/λ。

来源及取值

换算前

h/λ

能否直接补E

E1选定0阶区间的SiO₂盖层

kh=0.1至0.45

0.0159至0.0716

低于0.1,且层位是盖层。

E1 Example 2全部盖层制作范围

h=0.13至1.62μm;λ=8μm

0.01625至0.2025

不是全范围均属于上述0阶速度区域。

A1全部缓冲层,假定沿用E1的λ

h=0.05至0.6μm;λ=8μm

0.00625至0.075

全部低于0.1,且跨文献假定不是直接公开。

目标权1的中间膜

h=0.1λ至0.5λ

0.1至0.5

必须为支撑与压电膜之间同一膜。

 

E1全部样品盖层范围中,部分数值进入0.1λ以上,不等于所选速度区间也覆盖这些样品。只有把同一构型、同一模式、同一归一化厚度区域和同一速度绑定,数值比较才成立。

A1最大缓冲层0.6μm若要至少达到0.1λ,则λ至多6μm。这个算术条件可以帮助提出设计问题,却不是将E1的8μm器件自动改成6μm后仍保持原模式和速度的证据。改变λ还会改变LN和电极厚度相对波长的比例。

构型E栏12至13、Example 2栏26。 US5838090A  ·  原始公报PDF

权2至4。 CN101777622A  ·  原始公报PDF

十一、A1:中间SiO₂及成膜动机

真实的中间层

中文权1及图1依次给出金刚石衬底、非晶SiO₂和高c轴取向LN。可短引“非晶SiO₂缓冲层”“高c轴取向”。这直接补强目标B1的材料及相邻层序,且金刚石作为衬底的角色清楚。权2给出SiO₂ 0.05至0.6μm、LN 0.2至3μm;权3、4分别给出0.13/0.45μm和0.3/0.6μm的缓冲层/LN示例。

组合动机不是凭空假定

A1针对LN在金刚石上的薄膜生长引入非晶缓冲层,并讨论晶体取向和温度稳定性。若以E1的金刚石/LN表面波器件为起点,改善LN成膜质量是可写出的具体技术问题;A1的缓冲思路因此比任意取一篇材料列表更有组合价值。

仍须完成的器件对应

A1没有给出该三层结构自身的IDT周期、工作频率、实际模态及支撑速度链。文中背景高速SAW或旧LN/金刚石结构的理论速度,不能直接指定为本三层结构的工作速度。材料和工艺贡献不能自动替代A2、D及E。

加入缓冲层后的合理预期

缓冲层插入金刚石与LN之间会改变原E1下界面电极附近的机械、电气边界及色散。可以提出保留电极在LN界面、调节厚度以保持束缚的设计路线,但须说明选择哪个电极界面、哪个模式和哪个λ。原来位于金刚石/LN界面的电极不能在论证中无说明地穿越新增SiO₂。

可直接使用的内容

仍需论证的内容

金刚石/非晶SiO₂/LN的真实相邻层序

三层器件的实际工作模态与支撑体波关系。

SiO₂ 0.05至0.6μm及具体制作厚度

该膜厚与本器件IDT工作λ的比例。

缓冲层改善LN成膜的技术目的

加入层后电极位置、速度和温度性能的合理预期。

 

权1至4;说明书及图1;原始PDF第2、3、6页。 CN101777622A  ·  原始公报PDF

十二、C1:蓝宝石承载与分子接合

支撑和中间层同时出现

法文FR2788176A1较早公开;英文同族US6445265B1栏1列载体、薄压电层及分子接合方案,栏3列蓝宝石载体与LT、LN薄层。SiO₂为接合媒介,因而“同类材料出现于同一结构”的证明力高于仅在参考文献背景中提及。

体波比较原文及含义

英文栏3的短语“Speed of the bulk acoustic waves”及“greater in the carrier Substrate”直接说明载体体波速度更高。这里比较两种材料的体波;没有同时选定实际SAW或GBAW分支、IDT工作频率和相速。它可支持选择高声速载体的方向,单独对A2仍不足。

薄层与电极不应错误排除

栏3薄压电层厚度约为一个工作波长,给出1至30μm的尺度;原图应读μm,不能照OCR写成pm。器件允许表面或埋入的导体方案,目标D并未要求自由外表面。它对D1压电层和界面电极的结构相容性有辅助意义。

厚度证据必须留在原实例

几百埃接合SiO₂的具体描述涉及Si/GaAs载体示例,不能只把载体改成蓝宝石,再给它补一个未公开的工作λ。即使该接合膜符合B1,也不能据此宣布它落入0.1λ至0.5λ。C1宜作结构与接合可行性的补证,不宜列作完整单篇新颖性证据。

对D1路线的贡献

C1有助于回应“Al₂O₃承载与SiO₂接合、LT/LN薄层不能共同制造”的质疑,说明这种材料与工艺组合已有实质背景。但若在新颖性路线中必须依赖C1才能赋予D1缺失的技术关系,就应改按创造性组合评价,不再把缺失关系称为D1直接公开。

法文原公报第3、5页。 FR2788176A1  ·  原始公报PDF

栏1至4;原始PDF第9、10页。 US6445265B1  ·  原始公报PDF

十三、C2:切型、工作波速与实施例边界

可识别的晶体切型

日文JP2004343359A及英文同族的第一实施例给出R切蓝宝石单晶支撑和42°Y切、X传播LT。英文原公报可短引“R-cut sapphire single-crystal substrate”。蓝宝石约300μm、LT约30μm,机械支撑与压电层角色相对明确。

实际工作速度的可复核估算

该实施例为“1.9-GHz band SAW resonator”,并说明“the SAW wavelength is approximately 2.1 μm”。二者相乘约3990m/s。这是器件工作带与波长形成的估算,不是对某一精确谐振点的实测声速。数值可作为A2查证线索,不能抹掉band和approximately的精度限制。

中间膜在另一实施例

第三实施例允许SiO₂、SiN或AlN中间层,但实际制作是“15 nm thick AlN film”。不能把第一实施例的f、λ与第三实施例的可选SiO₂拼成一个已公开的SiO₂器件,更不能将AlN当作权1列举的低声速膜材料。若仅看15nm与2.1μm的假定比值也约0.0071,且该跨例比值不构成正式对应。

真正欠缺的环节

要完成A2,须取得该R切支撑在对应面内方向、相关横波分支的速度。其他专利中未绑定方向的蓝宝石代表值不能代替这一步。第一例LT约14.3λ也不是权1的自动排除理由,因为压电膜1.5λ以下限制属于目标从属权3。

本报告计算,采用原文“工作带”和“约波长”的精度;未把两个参数提升为精确同点测量。

实施例

已经取得的内容

不能跨例补入的内容

第一例

R切蓝宝石、42°Y-X LT;工作带与约波长

未绑定第三例可选SiO₂的厚度和工作模式。

第三例

中间层备选SiO₂/SiN/AlN,实际15nm AlN

不等于已制作目标SiO₂低速膜器件。

 

日文原公报及实施例。 JP2004343359A  ·  原始公报PDF

英文栏5至10;原始PDF第19至21页。 US7331092B2  ·  原始公报PDF

十四、V1:慢横波阈值与工作模态

工作SH与慢横波阈值

V1[0135]至[0139]及[0142]至[0144]讨论实际SH界面波,并要求其低于界面两媒质的慢横波速度。核心短引为“lower than that of slow transverse waves of two media forming the boundary”。这比较实际模式与材料辐射阈值,有助于解释为什么要选择相关慢横波分支。

能够提供的调节手段

文献讨论电极质量负载和金属化率对SH速度的降低,以及各向异性中SH、SV与慢横波分支的关系。[0210]又以响应频率乘电极条周期取得工作速度。它为D1若需进一步明确束缚工作模态时提供技术教导,而非要求用材料名称推断所有波型。

模型假设的边界

[0149]分析采用厚媒质近似,短语为“regarded as infinite”;但后文[0214]、[0215]允许压电膜和有限厚度扩展,不能说整篇只允许无限厚。应逐一对应扩展方案的边界与厚度,而不是把半空间速度判据不加说明地移到任意薄膜叠层。

材料角色与膜厚

[0213]的Al₂O₃、AlN用于保护盖层,不能自动认作目标机械支撑。[0216]的环氧/SiO₂/Au-IDT/LN示例中,LN等厚度涉及1λ与0.71λ等条件,不能据此直接补出目标中间SiO₂膜0.1λ至0.5λ。V1有判据贡献,但不承担完整层序或E的证明。

依据V1技术条件的符号整理。具体SH/SV分支及有限层边界须按其方案识别,不能把所有横波速度视为同一个常数。

其最实用的用途,是要求无效论证写清楚“哪一波型、哪一方向、哪一个媒质的哪一分支”。同一材料的纵波比工作波快,并不能回答工作波是否向更慢的横波分支泄漏;也不能只凭保护盖层材料名称证明目标承载结构。

[0135]至[0149],PDF第84、85页;[0210]至[0217],第91页。 US20060071579A1  ·  原始公报PDF

十五、L1:E所用的λ必须来自工作波

先定义本器件的λ

L1[0012]用“Wellenlänge der akustischen Welle bei der Betriebsfrequenz”说明λ是器件工作频率处的声波波长。[0014]至[0018]区分同电位与相反电位电极的距离。这使λ与实际激发的波建立联系,不能只从一张未定义尺寸的IDT图猜周期。

电极周期不总是相邻指中心距

标准交替极性的单指IDT中,同电位重复间距为λ,相邻异极指中心距为λ/2;E1双电极图的指宽d则有λ=8d。必须先读清楚p表示相邻指距、同极重复距还是双电极单元距,再作归一化换算。不能把任何文献中的p一律设成λ/2。

不同模态与不同层不能混用

[0080]把同极条间距对应主要模式λ₁;[0081]又将压电层厚度与次级模式λ₂关联。这里的h主要为压电层厚度,不是目标低声速SiO₂厚度。L1能校正E的解释,但其λ/2至2λ之类范围不能改称目标中间膜范围。

符号或描述

常见对应

使用条件

同极指重复间距L

通常对应主要模式λ

须为原文所指定的模式与指型。

相邻异极指中心距p

常见单指IDT中p=λ/2

p的定义必须明确,不能套到所有双电极结构。

E1双电极指宽d

λ=8d,实例d=1μm

原文已定义,不能按单指公式改成λ=4d。

L1次级模态λ₂

与主要模态λ₁区别

不得将压电层h/λ₂当作SiO₂膜h/λ₁。

 

因此,D1[0042]的区间有直接价值,但仍需说明该处波长就是所主张工作模式的IDT波长;C1的几百埃、C2的15nm和A1的微米厚度,若未与各自器件λ绑定,都不能只靠单位换算变成E的公开。

[0012]、[0014]至[0018]、[0080]至[0082];PDF第2、3、7页。 DE102004049498A1

十六、交叉比对表:D1、G1、C1、C2

本表以严格包含A2功能关系的解释评价权1。它显示各证据的具体用途,不能把不同列的内容直接拼成单篇新颖性。

权1特征

D1

G1

C1

C2

A1 机械支撑及材料

Al₂O₃替代明示

蓝宝石等刚性背层明示

蓝宝石载体明示

R切蓝宝石明示

A2 支撑体波与工作模态

有力文义及条件解释

同文不等式可推导

只有体波间比较

约3990m/s;缺对应支撑分支

B1 中间低速膜

SiO₂及中间层位明示

SiO₂在压电体另一侧

硅石分子接合层明示

第三例可选SiO₂

B2 低膜体波与压电体波

有速度梯度教导

公式有比较;层位不同

未单独固定低膜分支

未固定同例速度关系

C LT或LN膜

材料及生长膜变型明示

LT或LN可选

LT或LN薄层明示

第一例42Y X传播LT

D 单面IDT

界面交指结构明示

界面IDT明示

表面或埋入电极可选

表面IDT明示

E 中间膜归一化厚度

优选区间及等厚条件支持

未取得目标同层位区间

几百埃例不含同例λ

第一与第三例不能拼值

整体评价

优先主证据;A2是争点

用于速度补强

用于结构与制备相容性

用于切型及工作速度补证

 

读取结论

D1的优势是层序、材料选项和厚度区间相互接近,A2是集中争点。G1拥有清楚的工作速度不等式链,却有SiO₂层位差别。C1的接合结构有贡献,但体波间比较不等于实际模态比较。C2的具体晶体切型与工作参数较强,但第一、第三实施例不可直接拼接。

定位及原文短引见各专题页;公开版本与链接见附录。

十七、交叉比对表:E1、A1、V1

权1特征

E1

A1

V1

A1 机械支撑及材料

Example 2单晶金刚石

金刚石衬底

目标Al₂O₃等多为保护层

A2 支撑体波与工作模态

同文13000与8300至9500桥接

本三层工作模态未给

给实际SH与两媒质慢横波阈值

B1 中间低速膜

SiO₂为外盖层

SiO₂在金刚石与LN之间

SiO₂是界面媒质;目标支撑未绑定

B2 低膜体波与压电体波

未固定本方案独立分支

未固定本三层相关分支

有慢横波条件;角色须区分

C LT或LN膜

c轴取向LN膜

c轴取向LN膜

LN实例;压电膜扩展另述

D 单面IDT

构型E为下界面IDT

未给本三层器件的具体IDT

IDT位于LN与介质界面

E 中间膜归一化厚度

所选0阶盖层0.0159至0.0716λ

0.05至0.6μm但无本例λ

0.71λ等例不在目标区间

整体评价

有力速度证据;层位和支路保留

有力层序证据;器件与速度待补

技术判据补证;不能取代机械支撑

 

读取结论

E1、A1形成可论证的金刚石路线,但两篇各自欠缺的内容并非单靠叠加材料名称即可弥补:E1是盖层、A1没有本三层器件的工作λ,归一化膜厚亦未自动进入目标区间。V1则说明实际模式与慢横波阈值的关系,材料出现于保护层时不能充任机械支撑。

L1不单独列入完整结构矩阵,因为它主要解释工作λ;T1也不列入积极拼接矩阵,因为它主要用于防止无条件的导波推论。二者的证据角色不等同于完整公开权1。

十八、可以具体提出的无效论证路线

路线一:D1单篇新颖性主张,优先组织

以Al₂O₃第二支撑、LT或LN生长压电层、SiO₂中间介质、界面IDT及[0042]等厚优选方案为同一可相容的器件组合。用[0015]至[0017]的受激工作波、速度剖面及两侧衰减解释高声速功能,再以权38、39作一致性补证。一般材料替代与通用导波方案不是必须逐字出现在同一实施例才可共同阅读,但须证明它们没有技术冲突。

关键争点集中在A2是否直接且无歧义地涵盖整体工作相速,以及Al₂O₃选择是否承接该条件。若只证明局部材料体波速度差,还不能说新颖性攻击已经闭合。该路线不能借G1的缺失内容填入D1后继续称为单篇公开。

路线二:D1结合G1/V1的创造性备位论证

若A2被视为区别,实际技术问题可界定为:在D1既有承载、接合及厚度方案中,选择相关工作模态与速度条件以约束能量向支撑辐射。G1以同方向速度和工作响应频率给出阈值链,V1说明实际SH低于慢横波的作用及电极调速手段;二者与D1导波目的之间存在可陈述的关联。

需要论证技术人员为何保留D1层序而采用该判据、选择什么传播方向和极化、以及为何仍在优选中间膜范围内得到预期模式。G1盖层位置不同,V1的保护层材料角色不同;这些差异不能用抽象“均属声波器件”一笔带过。若该组合仍需重新发明模态或厚度,则创造性论证显著减弱。

路线三:E1结合A1的金刚石替代路线

以E1的金刚石/LN工作SAW和数值对比为基础,引用A1改善LN成膜的SiO₂缓冲教导,说明选择金刚石这一权1材料分支的现实依据。它有清楚的材料、层序和成膜问题链,可作为D1路线之外的实质性备选。

在E1的8μm波长下,A1全部缓冲膜厚只有0.00625λ至0.075λ,尚未达到0.1λ。还需说明改变λ、膜厚及电极位置的动机和成功预期,并重新核实A2及模态。不能把E1盖层的kh区间当作新增缓冲膜的区间,也不能保留原速度而忽略新增层影响。

新颖性与创造性分别陈述:单篇路线主张直接、明确的共同公开;组合路线解释为何修改、如何结合及结果是否可预期。不能在同一结论中交替切换两种标准而不指出依赖了哪些文献。

十九、关键反例及物理推理的适用限度

T1反例的准确作用

FR2936100A1于2010-03-19公开。原公报印刷第9页第19至24行(PDF第10页)说明某些纵向为主的界面波可以“guidées au-delà de la vitesse de rayonnement”。该公开提醒:只有“导波”“界面波”几个字,不能普遍推出相速低于任意支撑体波。其器件采用整面电极等结构,不是本案完整层序及IDT证据。

可使用的有限物理推理

对于均匀、无损、各向同性半空间中的解耦纯SH波,设沿支撑深度的场按exp(−αz)衰减;波动方程给出下式。若α为正实数,则工作相速低于该支撑SH速度。这说明特定条件下,原文明确的倏逝导波可隐含速度不等式,而不必另有实测数字。

本报告在限定的纯SH半空间模型下推导。α为深度衰减常数,k为沿界面波数,ω为角频率,c_s为该半空间SH体波速度。

推理不能越过模型

D1的各向异性压电体、含金属层、有限厚度、模式耦合和可能辐射分支,均须落实到实际边界;不能把上式当作已经完成的D1 Al₂O₃色散计算。T1否定的是无条件的普遍推断,并不否定经过具体分支和倏逝条件证明的D1论证。

权利要求解释会改变攻击难度

若高声速支撑仅按权1列举材料与承载功能识别,D1的对应更直接;若结合说明书[0012]将其理解为支撑体波严格高于工作相速,则A2必须进入比对。报告采用后一口径以检验较完整的无效主张,同时保留前一解释的备位意义。不能因为权1未重复不等式,就在结论中悄悄删掉该争点。

原公报印刷第9页第19至24行;PDF第10页。 FR2936100A1  ·  原始公报PDF

对照[0015]至[0017]的具体导波描述。 DE102005055871A1  ·  原始公报PDF

二十、总结性论述

本次有贡献的专利并非价值相同。D1提供最接近权利要求1的完整结构骨架和归一化中间膜厚度;G1、V1的主要价值是把实际工作波与材料辐射阈值联系起来;E1以金刚石分支给出可复核的模态速度区间;A1、C1分别补强真实中间层及接合结构,C2提供切型和工作带参数,L1校正波长含义。将它们按证明目的组织,比仅罗列命中数量更能支持无效理由。

D1应置于主位。Al₂O₃承载选项、LT/LN压电层、SiO₂介质与界面交指结构均有文本基础;优选0.15λ至0.5λ还完整落入目标0.1λ至0.5λ。目标权1并未限定IDT只能位于自由外表面,也没有权3、4的压电膜厚限制。因此,埋入电极或较厚压电层不构成当然排除,真正应审查的是一般选项是否共同适用及工作速度的对象。

对D1[0017]应给予其应有证明力:它指回电信号激发的那一声波,并比较层系统与两侧基板中的传播速度;结合[0015]、[0016]导引及两侧衰减,存在实质的新颖性论证空间。另一方面,局部材料体波速度与多层整体相速仍有物理区分,尤其当权38使用体波表述时,不能只把两个词相近就认定全部关系已证实。主张应把这一解释过程写出来,而不是以有无一组实测数字作为唯一标准。

如严格解释下仍存在A2区别,创造性路线宜围绕D1的原结构展开:以G1的工作频率不等式和V1的慢横波阈值说明选择束缚模态的教导,再论证该教导与D1的层序、Al₂O₃选项及厚度相容。组合理由应落在减少辐射及稳定导波的具体问题上,并回答模式、方向和电极负载的选择。跨文献补齐特征可以作为创造性论证,不能再包装为D1单篇的新颖性公开。

金刚石路线有独立贡献,却尚不能替代上述主线。E1的13000m/s与0阶8300至9500m/s支持速度优势,但通用横波值的方向适用性仍须说明;其SiO₂是盖层。A1能引入真正的中间缓冲层,但在8μm实例波长下全部膜厚仍低于目标下限。改变层位和厚度后,旧模态速度与温度性能不会自动保持。该路线适合作为具备明确问题链的备选,而不宜表述为已经由两篇文献完成直接公开。

据此,现阶段可提出“D1单篇的有力新颖性主张+D1结合工作波阈值教导的创造性备位主张”,并以金刚石分支及结构、波长补证辅助。能否最终据此宣告无效,取决于D1共同方案、相关波型及高声速术语解释能否被证据和技术推理支持。本报告的积极结论是已形成可具体审查的无效论证链,而不是以材料名称相同或参数跨例拼接代替整项权利要求评价。

附录一、主证据版本与原文入口

下列链接指向Google Patents条目及其所链接的原始PDF。日期为公报公开日;本报告的页码默认指原始PDF物理页,栏号/段号另行注明。原文短引与中文译义分开,数值换算及物理推论明确标作本报告分析。

D1 DE102005055871A1(2007-05-24)

主张优先权:2005-11-23。[0015]至[0018]、[0032]至[0037]、[0042]、[0073]至[0076];权38、39;图1G。

DE102005055871A1  ·  原始公报PDF

同族 2008-10-16 US20080252396A1

同族 2010-12-14 US7851977B2

同族 2009-04-23 JP2009516967A

英文原文校读:PDF第7、8、10、12页。 US20080252396A1  ·  原始公报PDF

G1 CN101569100A(2009-10-28)

主张优先权:2006-12-25。中文权1、2及表达式(1)至(4);英文[0054]至[0060]、[0114]至[0115]及权1、7;图1、2。

CN101569100A  ·  原始公报PDF

同族 2009-09-24 US20090236935A1

同族 2010-04-15 JPWO2008078481A1

英文原文及公式:PDF第12、16、17页。 US20090236935A1  ·  原始公报PDF

E1 DE69617286T2(2002-07-25)

主张优先权:1995-02-09。构型E及Example 2;英文原公报PDF第5、61、66至67、73页,图8。

DE69617286T2

同族 1998-11-17 US5838090A

同族 1996-08-14 EP0726649A1

同族 1996-08-30 JPH08222990A

原始英文公报:PDF第5、61、66至67、73页。 US5838090A  ·  原始公报PDF

A1 CN101777622A(2010-07-14)

主张优先权:2010-01-12。权1至4;PDF第2、3、6页,图1。

CN101777622A  ·  原始公报PDF

同族并不保证所有授权权利要求相同。本报告将美国公报的段落与栏号作为所引英文的定位,而不把它们冒充德国或中国权项编号。

附录二、补强证据、目标文本及评价依据

C1 FR2788176A1(2000-07-07)

法文PDF第3、5页;英文PDF第9、10页,栏1至4;图1、2。

FR2788176A1  ·  原始公报PDF

同族 2002-09-03 US6445265B1

同族 2001-05-09 CN1294780A

同族 2001-09-01 KR20010083777A

英文原始公报校读。 US6445265B1  ·  原始公报PDF

C2 JP2004343359A(2004-12-02)

日文[0061]至[0064]及实施例;英文PDF第19至21页,栏5至10。

JP2004343359A  ·  原始公报PDF

同族 2004-11-18 US20040226162A1

同族 2008-02-19 US7331092B2

英文原始公报校读;原申请公开US20040226162A1同样早于截止日。 US7331092B2  ·  原始公报PDF

V1 US20060071579A1(2006-04-06)

[0135]至[0149]、[0210]至[0217];PDF第84、85、91页。

US20060071579A1  ·  原始公报PDF

L1 DE102004049498A1(2006-04-13)

[0012]、[0014]至[0018]、[0080]至[0082];PDF第2、3、7页。

DE102004049498A1

T1、目标授权文本

T1公开日2010-03-19;反例范围见第十九节。 FR2936100A1  ·  原始公报PDF

目标授权公告2016-08-10;权1及说明书[0012]。 CN103262410B  ·  原始公报PDF

评价依据

专利法第二十二条的新颖性、创造性及现有技术定义用于组织上述技术评价。

国家知识产权局:2008年修正专利法文本

2026-01-01施行的审查指南修改强调对权利要求限定的整体技术方案评价创造性。上述分析据此区分单篇公开、技术启示及组合后的整体结果。

国家知识产权局:2025年审查指南修改决定

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B 补充检索报告

本轮取得了两组有实质新增价值的技术家族,补强了“有限 SiO₂ 中间层+高速外侧介质+电极负载调速”的证据;但尚未取得足以直接证明 D1 的 Al₂O₃ 支撑方案必然满足 A2 的完整证据。

检索依据为你上传的任务书。时间边界保持为:在目标专利 2010 年 12 月 24 日优先权有效的前提下,仅将 2010 年 12 月 23 日或此前实际公开的内容纳入在先技术证据。

本轮实际访问了 Google Patents 公报页面、家族及引证入口,并查看了重点原始公报 PDF 的首页、关键文字和附图。以下区分原文公开、读图结果、组合推断和未证条件。

一、先回答任务书的三个问题

1.是否取得了比既有种子更强的 A2 补证?

取得了,主要价值集中在下面两个新增家族,但不能把它们称为 Al₂O₃ 分支的完整 A2 证明。

新增家族 本轮取得的实质贡献 仍然不能证明的内容
N1:WO2006114930A1/EP1879291A1/US20090115287A1 在同一 SiN/0.5λ SiO₂/IDT/15°Y 切 X 传播 LN 模型中,给出实际工作 SH 边界波的速度曲线、SiN 横波速度及电极厚度影响;可核对“SiN 横波速度高于实际工作相速”。 SiN 在该具体模型中是否承担目标权项所要求的机械支撑角色;以及这些数值能否转用于 Al₂O₃。
N2:WO2008146489A1/US20100171389A1 给出 AlN/SiO₂/Cu/LN、LT 的薄层适配证据,包括 SiO₂ 为 0.225λ、0.25λ 的实际谐振器,以及外层厚度—工作速度曲线。 AlN 外覆薄膜不能自动等同于机械支撑基板;已核验部分不足以单独完成对应 AlN 支撑体波分支与工作相速的完整比较。

N1 的材料、切型、0.5λ 厚度和主工作模态出现在同一实施方式中;N2 的两个薄 SiO₂ 谐振器实例也已经在截止日前公开,并非从后来的授权文本补入。专利图像

2.能否把 D1 的 Al₂O₃、有限 SiO₂、LT/LN 和实际工作 GBAW 落实为已经证明相容的同一方案?

目前不能作出这一强结论。

D1 确实提供 Al₂O₃ 第二基板、LT/LN 压电材料、SiO₂ 介电层以及优选 0.15λ–0.5λ 层系统厚度,并明确第二基板可以承担机械稳定作用。但是,“这些选项可以在结构上共同选用”与“选定后的实际工作模态相速必然低于该 Al₂O₃ 支撑的相关体波速度”不是同一命题。专利图像

尚缺的关键对应是:**选定 Al₂O₃ 的材料状态和方向、有限 SiO₂ 厚度、电极条件以及实际工作分支,在同一方案中的速度依据。**本轮新增文献没有把这个缺口直接消除。

3.目前最简、最稳的论证链是什么?

本轮证据更支持以下分工:

D1 提供支撑构型与有限中间层基础;N1 提供相邻层序下、0.5λ SiO₂ 条件下的工作模态速度及电极负载证据;N2 提供更薄 SiO₂ 条件下的实验适配和边界条件。

其中,D1+N1 的 SiN 分支比继续把 V1 的厚 SiO₂ 实例直接外推至 D1 更具体。V1 可保留为调速机制补证,但不是必须再叠加的一篇。上述组合仍属于需要论证材料选择和机械支撑角色的组合路径,不是“D1 单篇已经完整公开”的结论。专利图像


二、目标权项及比较对象复核

已回查 CN103262410B 授权权利要求 1。其支撑材料范围包括氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅等所列材料;纯 Si 不在该材料列表中。权利要求 1 的低声速膜厚度为 0.1λ–0.5λ;未将从属权利要求中的压电膜厚度上限加入权利要求 1。专利图像

本报告分别处理:

\[ v_{\mathrm{support,rel}}>v_{\mathrm{ph,op}} \]\[ v_{\mathrm{low,rel}}<v_{\mathrm{piezo,rel}} \]

前者是本轮 A2,后者是低声速膜条件,不能相互替代。目标说明书表 1、表 2 还按工作位移分量区分所比较的体波分支:对 SH 为主的工作波,不能随意拿无关纵波速度证明“高声速”;各向异性材料的 SH、SV 分支也不能混用。专利图像


三、核心新增证据 N1:有限 0.5λ SiO₂ 下的明确速度证据

3.1 身份、公开时点和原始文本

名称: Boundary acoustic wave device,弹性边界波装置。
原始申请人: Murata Manufacturing Co., Ltd./株式会社村田制作所。

公报 实际公开日 本轮使用版本 原始公报
WO2006114930A1 2006-11-02 日文国际公开原文 WO 原始 PDF
EP1879291A1 2008-01-16 英文 EP A 文本 EP 原始 PDF
US20090115287A1 2009-05-07 英文 US A 文本 US 原始 PDF

上述公开日已经通过公报首页核验。这三份文件作为一个技术家族计数。专利图像

Google Patents 入口:WO、EP、US。

3.2 同一方案的结构和工作条件

EP [0054]–[0063]、US [0105]–[0116]及 WO 对应实施方式给出的模型可整理为:

项目 已核验内容
外侧第二介质 SiN;计算中设为半无限介质
中间第三介质 SiO₂,厚度 0.5λ
压电第一介质 15°Y 切、X 传播 LiNbO₃,欧拉角 (0°,105°,0°);计算中设为半无限介质
IDT 位于 LN/SiO₂ 界面;比较 Al、Cu、Ag、Au 电极
本轮选择的已公开参数点 Au 电极厚度约 0.05λ
实际工作模态 SH 边界波,U2 分支;P+SV 分支不是该实施方式的主工作模态
数据性质 速度曲线为文献公开的计算结果,不能称为实测速度
λ 的使用 文献以 IDT 电极指周期/pitch 归一化;本轮没有另取频率进行 \(f\lambda\) 换算

这些条件出现在同一组计算说明中,不是从不同切型、不同覆盖层或不同实施例拼接而来。专利图像

两处直接相关的英文原文短引如下:

“the SiO₂ layer was set at 0.5λ”

译义:SiO₂ 层厚度设为 0.5λ。定位:EP [0057],PDF 第 9 页。

“SH boundary waves are used as boundary acoustic waves in the main mode.”

译义:SH 边界波被用作主工作模态。定位:EP [0058],PDF 第 9 页。专利图像

3.3 可复核的速度关系

同一模型给出的体波速度约为:

介质及分支 速度
SiN 横波 5973 m/s
SiO₂ 横波 3757 m/s
该切型 LN 的快横波 4752 m/s
该切型 LN 的慢横波 4031 m/s

定位:WO [0065]–[0066],PDF 第 19 页/印刷第 17 页;EP [0064]–[0065];US [0116]–[0117]。这些数值不是从其他器件的材料表移入。专利图像

US 图 3 的实线为 Au 电极条件下的 U2 工作分支。在文献另行讨论的 约 0.05λ Au 电极厚度处,工作速度约为 3.2 km/s;采用较宽的人工读图区间,可记录为:

\[ v_{\mathrm{ph,op}}\approx 3000\text{–}3400\ \mathrm{m/s} \]

因此,该公开模型内可以核对:

\[ 5973\ \mathrm{m/s} > v_{\mathrm{ph,op}} \]

即 SiN 横波速度高于实际工作 SH 模态相速度。这次比较用的是工作分支曲线,不是仅凭“导波”“能量集中”或“高声速材料”的名称推断。图 3 位于 US PDF 第 3 页、附图第 2 张。专利图像

按上述保守读图上限,差值为 \(5973-3400=2573\) m/s。这个差值足以覆盖本次粗读图误差,但不能视为已经覆盖实际 SiN 膜质、应力、有限厚度或改换 Al₂O₃ 所带来的变化。

另外两个关系也应单独保留:

  • 低速层条件可比较 SiO₂ 横波 3757 m/s 与该 LN 的相关快横波 4752 m/s;
  • 文献用 约 4031 m/s 的慢横波阈值讨论泄漏损失。这是另一项辐射条件,不能将其直接改称为 SiN 支撑的体波速度。专利图像

3.4 为什么它比原有 V1 更有价值?

N1 不是仅重复“重金属电极可以降速”。它把该手段落实到了:

有限 0.5λ SiO₂+高速 SiN 外侧介质+明确 LN 切型+明确主工作 SH 分支。

US [0124]–[0125]还直接比较了不同电极条件:约 0.05λ Al 时,振动能量向 LN 侧逸出;约 0.05λ Au 时,能量被更紧密地约束,文献讨论的两侧分布深度均约为 0.9λ。这为“电极负载在有限低速层和高速外侧介质存在时仍有实际作用”提供了具体依据。专利图像

3.5 等级和最强反驳

对移用于 D1 的贡献,定为 C 级组合教导;不将整项 A2 直接评为 A 级。

原因是:

  1. 声速子命题较强:N1 自身同一模型中的 SiN 横波与实际工作相速可以明确比较。
  2. 机械角色未闭合:文献称 SiN 为第二介质,涉及沉积形成;本轮核验内容没有明确把这一具体 SiN 介质认定为承担机械支撑的基板。
  3. Al₂O₃ 不可替换套值:5973 m/s 是该 SiN 模型的数值,不能移给 D1 的 Al₂O₃。
  4. 半无限模型不是完整实物尺寸方案:有限支撑、有限压电层及其背面边界的影响仍需核对。
  5. 参数不能泛化:不能从这个 Au 参数点推出整个 0.15λ–0.5λ 区间或任意电极均成立。专利图像

四、核心新增证据 N2:0.225λ、0.25λ SiO₂ 的实验适配证据

4.1 身份和版本核验

名称: Elastic boundary wave substrate and elastic boundary wave functional element using the substrate。
原始申请人: Panasonic Corporation。

公报 实际公开日 原始语言/版本 原始公报
WO2008146489A1 2008-12-04 日文国际公开 WO 原始 PDF
US20100171389A1 2010-07-08 英文 A 公开文本 US 原始 PDF

首页确认了公开时点及对应 PCT 申请 PCT/JP2008/001329。本轮虽借后来的 US8508101B2 导航,但下面使用的关键内容已经回查到上述早期 A 公报。专利图像

Google Patents 入口:WO、US A 文本。

4.2 两个不得混拼的实际谐振器方案

条件 LN 实验方案 LT 实验方案
层序 AlN/SiO₂/Cu 电极/LN AlN/SiO₂/Cu 电极/LT
压电切型 Y 切 X 传播 LN 36°Y 切 X 传播 LT
SiO₂ 厚度 0.225λ 0.25λ
Cu 电极厚度 0.04λ 0.037λ
AlN 条件 增加厚度;约 0.5λ 以上时谐振中心频率趋于稳定 讨论 0.78λ,对应约 6.3 μm 的实例
公开的工作证据 图 13 的中心频率变化及图 14 的谐振响应 图 15 的导纳响应及表面附加光刻胶前后比较
主要定位 WO [0028]–[0029];US [0051]–[0053] WO [0030];US [0054]

这两组内容可在 WO PDF 第 12–13 页/印刷第 10–11 页及 US PDF 第 15 页/说明书第 4 页核验。专利图像

LN 图 13 的稳定频率读图约为 0.48 GHz。这提供了实际工作响应,但本轮没有把该频率与另一实例的绝对波长相乘,也没有借 LT 实例的尺寸去补 LN 实例。专利图像

4.3 有限厚度和工作速度的关联

N2 图 9 另行给出:

  • AlN/SiO₂/Cu/Y-X LN;
  • Cu 厚度 0.04λ;
  • 不同 SiO₂ 厚度下,工作传播速度随 AlN 厚度变化的曲线。

例如 SiO₂ 为 0.3λ、AlN 厚度进入曲线平台区时,图示速度约在 3.90–3.95 km/s。这是一个独立的计算组,不能与 0.225λ 的实验方案混成同一组数值。图 9 位于 US PDF 第 6 页、附图第 5 张。专利图像

更重要的是,原文给出了适配边界:在该 Cu 0.04λ、Y-X LN 条件下,SiO₂ 约 0.15λ 或以下没有其所讨论的边界波;SiO₂ 达到约 0.2λ 或以上时,增加 AlN 厚度可进入稳定的边界波区。定位:WO [0024];US [0047]。专利图像

这意味着 N2 支持“D1 优选区间内存在可用参数点”,不支持整个优选区间无条件可用。

4.4 等级、贡献及限制

等级:C 级薄层适配教导,同时包含 R 级反向证据。

它的新增价值可概括为:

在高速 AlN 外侧介质存在的条件下,公开了 0.225λ 和 0.25λ SiO₂ 的实际边界波谐振器,证明有限薄层适配并不限于 V1 的 0.71λ、1λ 实例。

但不能据此认定目标 A2 已完整证明。N2 将 AlN 描述为外覆薄膜;本轮没有取得该具体薄膜作为机械支撑基板的明确证据,也没有把图中“slow transverse wave”参考线擅自认作 AlN 支撑体波参考线。专利图像

此外,N2 明确指出,继续加厚外覆膜可能带来基板或膜层开裂、剥离。这是将声学覆盖层改成较厚机械支撑时必须处理的技术阻碍,而不是可以省略的制造细节。专利图像


五、对 D1 和组合路线的重新评价

5.1 D1 本身:保留有利解释,但不跳过体波与模态的差别

D1 原始德文文本已核验的重要位置如下:

定位 已确认内容 对本轮的作用
[0015]–[0018],PDF 第 2 页 GBAW、厚度方向衰减,以及相关速度排序 支持导波解释,但须辨别“dieser Welle”比较的是介质中的波速还是工作模态相速
[0032]–[0037] LT/LN、Al₂O₃ 第二基板选项、SiO₂ 接合相关内容 提供材料和层序基础
[0042],PDF 第 4 页 优选层系统厚度 0.15λ–0.5λ 在金属嵌入且不突出的条件下,才能按原文将其对应到介电层厚度
[0073],PDF 第 6 页 第二基板作为 Trägersubstrat,提供机械稳定 支撑角色较明确
权利要求 38、39,PDF 第 9 页 层系统与两基板的体波速度关系 是体波排序证据,不能未经说明替换成工作模态相速
图 1G,PDF 第 13 页 相应层系统构型 用于逐层对应,不以翻转附图改变邻接关系

以上以原始 DE 公报为依据。专利图像

**有利解释:**把 [0015]–[0018] 的导波和衰减说明与后续材料、支撑构型一起阅读,可以主张所选方案应遵从其导波条件。

**最强反对解释:**D1 的速度语句及权利要求 38、39仍可被理解为材料中的体波速度比较;它没有在已核验位置直接给出选定 Al₂O₃ 方向、有限 SiO₂、电极条件下的工作分支相速。将一般导波教导等同于该具体 A2,仍存在需要证明的物理对应环节。专利图像

5.2 D1+V1:本轮补强在哪里?

V1 的 US [0210]明确联系响应频率、条周期和工作速度;[0215]–[0217]讨论有限层及保护层。但其核验到的具体有限 SiO₂ 实例为 1λ、0.71λ,外侧为环氧树脂条件,不能直接替代 D1 的 0.15λ–0.5λ+高速支撑。专利图像

因此:

  • V1 提供电极负载和工作模态阈值的基本教导;
  • N1 把类似调速作用落实到 0.5λ SiO₂+SiN;
  • N2 进一步提供 0.225λ、0.25λ SiO₂+AlN 的实验适配。

这比只写“同领域、同目的,容易结合”具体得多,但仍没有证明把外侧介质换成 Al₂O₃ 后,原来的工作分支和速度关系必然保持。专利图像

5.3 最值得保留的具体组合候选

候选:D1 支撑构型+N1 的 SiN/SiO₂/LN 材料与 Au 负载条件。

拟议结构是:由足够厚的 SiN 承担支撑,SiO₂ 取 0.5λ,LN 采用 N1 的指定切型,界面采用约 0.05λ Au 电极。其结合理由不只是用途相近,而是两者都有相邻的压电体—含电极低速层—外侧介质结构;N1 明确显示电极材料和厚度如何降低实际工作速度、增强约束。专利图像

**这仍是组合构想,不是 D1 原有实施例。**最薄弱的环节是:将 N1 的 SiN 第二介质落实为 D1 式机械支撑时,是否保留其材料参数、边界条件和实际工作分支。这个问题应通过既有制造教导或针对已公开条件的可复算分析解决,不能仅以“SiN 很硬”代替。

对于 D1+G1,G1 虽然具有更明确的速度链,但其低热膨胀背层在压电层另一侧,SiO₂ 位于 IDT 覆盖侧。图 1 清楚显示了这一邻接关系,不能通过上下翻转消除。因此,以本轮证据看,N1 的相邻层序比 G1 更适合作为有限中间层调速的补证。专利图像


六、反向证据与排除结果

6.1 必须保留的反向证据

文献 已核验的不利内容 适用边界
N1:US20090115287A1 [0124]–[0125] 同样有限 SiO₂ 条件下,约 0.05λ Al 电极会向 LN 侧逸出能量;Au 条件不同 不能把重金属参数点泛化到任意电极。专利图像
N2:WO2008146489A1 [0023]–[0025] 边界波存在区依赖 SiO₂ 厚度、Cu/Al 电极和切型;外层加厚还有开裂、剥离问题 是有条件的适配证据,不是“越薄越好”或“外层越厚越好”。专利图像
新增 R1:KR20090057061A,2009-06-03 在其 SiO₂/嵌入 IDT/LN 结构中,〈88〉–〈89〉讨论 SiO₂ 小于 0.8λ 时能量到达上表面,不能按其要求作为该边界波器件使用 该结构没有 N1/N2 的高速外侧介质,不能据此否定 N1/N2;但说明不能无条件迁移薄层结论。专利图像
G1:US20090236935A1 [0019]–[0020] 低速层厚度、膜质影响速度和频率;加厚又可能引入高阶寄生模态 为组合后的参数敏感性提供直接提醒。专利图像
FR2936100A1,印刷第 5 页 讨论不同极化、切型与声辐射阈值,并给出特定石英切型例子 不能从“导波”一词推出对所有体波分支都成立的不等式;该文也不是目标 IDT/有限 SiO₂ 构型的直接证据。专利图像

R1 的韩国 B1 文本公开于 2011 年,本轮已回溯并使用其 2009 年 A 公开文本,没有用晚授权日内容倒填。Google Patents

6.2 已筛查但未进入核心正向证明链的文献

文献/家族 处理结果
WO1998052279A1 已核验到的具体例子采用 poly-Si 外侧介质,SiO₂ 为 2.5 μm、λ 为 4 μm,即约 0.625λ;不满足本轮优选材料及厚度对应。保留制造与外层边界线索,不计作完整 A2 补证。专利图像
US20050099091A1 网页初筛所见为 Si 分支及约 0.6λ 的 SiO₂ 相关结构;不能直接填补本任务 A1、E。未升级为核心证据。Google Patents
US20090066189A1 网页初筛含较具体电极和中间层参数,但外侧材料/层序未形成目标高速机械支撑对应;保留线索。Google Patents
US6767749B2 所属家族 LN/LT 与高速基底、氧化层接合的讨论分属不同构型;不能将不同附图拼成目标方案。Google Patents
CN101777622A,既有种子 原始公报确认金刚石/非晶 SiO₂/LN 结构及绝对厚度,例如 SiO₂ 0.13 μm、LN 0.45 μm;但缺同一器件 IDT 波长及工作模态数据,不能自行归一化为目标范围或证明 A2。专利图像
KR101636901B1 所属家族 已识别为后于截止日的申请/公开线索,不进入在先技术证明链。Google Patents

**家族去重结果:核心正向新增为 N1、N2 两组;R1 单列反向/适用边界证据。**同一组中的 WO、EP、US 公报不重复计数。上述其他候选的数量不用于推算任何无效成功率。


七、八条路径的实际执行范围

7.1 覆盖与访问限制

本轮记录了 52 次关键词查询,另有公报直达、家族追索、全文查找和 PDF 复核操作。52 次查询不等于 52 轮完整深检,更不等于完成了附件建议的 240 轮预算。

关键词发现主要通过网络索引中的 site:patents.google.com 查询完成,再进入 Google Patents 全文和原始公报。Google Patents 原生高级检索结果入口未成功取得可用结果,因此没有把网页检索的日期条件冒充为专利公开日字段筛选;候选是否早于截止日,按具体公开版本逐件核验。

路径 关键词查询次数 实际取得或处理的结果
CN 6 目标授权文本、CN 种子及金刚石分支;未得到新增的完整 Al₂O₃ A2 证据
FR 6 FR 原文入口及 FR2936100A1 原始页复核;主要贡献是适用边界
DE 6 D1 德文原始公报及 GBAW/周期线索;D1 关键段、权项和图已复核
EN 8 N1、N2 英文 A 文本及 V1、G1 等全文核查
JP 8 日文关键词查询、日文 WO 原始文本及日本家族入口
KR 6 回溯并核验 KR20090057061A,取得反向边界证据
WO 6 国际公开及引用追索;N1、N2 日文 WO 首页和关键段已核验
EP/EPO 6 EP1879291A1 原始英文公报已核验,归入 N1,不重复计数

Espacenet、PATENTSCOPE 和 EP Register 的相关入口访问未取得可供本轮分析的有效页面,因此没有完成这些数据库内部的独立全文检索、全球家族穷尽核查或卷宗意见分析。不能把通过 Google Patents 读取 EP/WO 公报描述为已完成 EPO/WIPO 官方数据库全部步骤。

附件中的 WO2009133655A1、CN101030764A、JP2004343359A 等线索已作页面或入口追索,但未全部完成任务书指定段图和参数的逐项复核;未将它们作为本轮新增核心结论的依据。US5838090A 等金刚石支线亦未完成深度核验。

7.2 实际关键词查询记录

执行日期均为 2026-10-22。下列记录保留实际查询词;不表示这些简化式等同于任务书全部布尔式或官方数据库全文字段。

除特别标明外,前缀为 site:patents.google.com;候选日期统一在打开公报后人工核查。

CN-01 "铌酸锂" "支撑基板" "相速度"
CN-02 "弹性边界波" "慢横波"
CN-03 "蓝宝石" "传播方向" "声表面波"
CN-04 "二氧化硅" "中间层" "边界波"
CN-05 "叉指" "电极周期" "相速"
CN-06 "铌酸锂" "质量负载" "氧化硅"

FR-01 "onde d'interface" "vitesse de phase"
FR-02 "niobate de lithium" "silice" "saphir"
FR-03 "ondes" "évanescent" "substrat"
FR-04 "silice" "dispersion" "acoustiques"
FR-05 "saphir" "cisaillement" "anisotrope"
FR-06 "ondes" "interdigitées" "période" "interface"

DE-01 GBAW Phasengeschwindigkeit Substrat
DE-02 Lithiumniobat Siliziumdioxid Aluminiumoxid
DE-03 Grenzflächenwelle Abklingen Substrat
DE-04 Siliziumdioxid Schichtdicke Phasengeschwindigkeit
DE-05 Saphir Transversalwelle Kristallorientierung
DE-06 GBAW Elektrodenperiode Wellenlänge

EN-01 site:patents.google.com/patent/
      "boundary acoustic wave" "phase velocity" "shear" "substrate"
EN-02 site:patents.google.com/patent/
      "lithium tantalate" "silicon dioxide" "sapphire" "wave" before:2011
EN-03 site:patents.google.com/patent/ "boundary acoustic wave" "nonleaky"
EN-04 site:patents.google.com/patent/ "SiO2" "0.3" "phase velocity" "boundary"
EN-05 patent "boundary acoustic wave" "phase velocity" 〔无 site 限制〕
EN-06 patent "sapphire" "silicon dioxide" "guided" acoustic 〔无 site 限制〕
EN-07 sapphire acoustic "slow shear"
EN-08 "guided bulk acoustic wave" "electrode period"

JP-01 site:patents.google.com/patent/JP
      "支持基板" "位相速度" "リチウム"
JP-02 site:patents.google.com/patent/JP "弾性境界波" "遅い横波"
JP-03 site:patents.google.com/patent/JP "サファイア" "弾性波" "伝搬方向"
JP-04 site:patents.google.com/patent/JP "酸化シリコン" "中間層" "境界波"
JP-05 "弾性境界波" "電極周期" "音速"
JP-06 "酸化シリコン" "電極膜厚" "閉じ込め"
JP-07 "支持基板" "位相速度" "リチウム"
JP-08 "弾性境界波" "遅い横波"

KR-01 "탄성파" "지지 기판" "위상 속도"
KR-02 "탄성 경계파" "느린 횡파"
KR-03 "사파이어" "탄성파" "결정"
KR-04 "SiO2" "중간층" "파장" "경계파"
KR-05 "경계파" "전극 주기" "음속"
KR-06 "LiNbO3" "SiO2" "전극 두께"

WO-01 WO "guided bulk acoustic wave" "phase velocity"
WO-02 WO "SiO2" "finite thickness" "boundary"
WO-03 WO GBAW "zweites Substrat"
WO-04 WO "onde d'interface" "vitesse"
WO-05 "H03H9/0222" "SiN" "0.5" "2006"
WO-06 WO "弾性境界波" "低い" "横波"

EP-01 EP "boundary acoustic wave" "shear" "velocity"
EP-02 site:patents.google.com/patent/EP GBAW "zweites Substrat"
EP-03 site:patents.google.com/patent/EP "saphir" "vitesse" "silice"
EP-04 site:patents.google.com/patent/EP "SiO2" "phase velocity" "0.5"
EP-05 site:patents.google.com/patent/EP "H03H9/0222" "electrode" "thickness"
EP-06 EP "boundary acoustic" "sapphire" "phase"

其中 EN-02 的 before:2011 是网络索引查询条件,不是本任务的专利公开日判定依据。JP 的前四个限定路径查询、EP 的部分限定路径查询未返回可用结果,之后通过放宽索引路径、家族和引证进入原始公报;未据此认定相应语言中不存在相关现有技术。


八、最终评价与剩余缺口

本轮已经取得的进展:

  • N1 把“实际工作模态速度”与“有限 0.5λ SiO₂+SiN 外侧介质”落实到了同一计算方案。
  • N2 把薄层适配推进到了 0.225λ、0.25λ 的实际谐振器,并给出了存在区和外层厚度敏感性。
  • R1、N1、N2 和 G1 的反向内容说明,薄层、电极、切型及外侧边界必须共同评估,不能只做材料速度的不等式传递。专利图像

本轮仍未证明的命题:

在 D1 所选的 Al₂O₃ 机械支撑/有限 SiO₂/LT 或 LN/实际工作 GBAW 同一方案中,相关 Al₂O₃ 体波速度必然高于实际工作模态相速度。

因此,当前应将结果表述为:已取得有价值的新增组合补证,但 Al₂O₃ 分支的 A2 证明尚未闭合;不能据此直接作出权利要求 1 的无效结论。

剩余最关键的取证任务是:取得明确 Al₂O₃ 材料状态与方向、有限 SiO₂ 厚度、电极条件及同一工作分支相速的在先公开依据;或者仅以 D1 已公开条件进行可复算的各向异性模态验证,并将这种后作验证与原始公开内容严格分列。

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B

高声速支撑与工作模态速度关系
八路径补充检索报告

检索日期 2026年10月22日
在先公开边界 2010年12月23日及以前
路径 中文 法文 德文 英文 日文 韩文 WO EP

一 检索结论

本轮最有价值的核验增量来自既有种子CN101030764A:其LN/SiO₂/Al₂O₃构型公开了0.33λ、0.38λ、0.42λ、0.45λ等有限SiO₂实物器件及频率测量,日文相关公开JP2007267366A原公报亦可独立核对相应参数。[F1] 新增家族中,WO2010119796A1提供0.4λ SiO₂与SiN外层的LT实例;WO2005093949A1/KR20060129514A说明三介质调速;EP2068442A1给出工作SH边界波定量降速条件。[N1—N3]

这些新增家族补强了创造性组合的物理依据,但尚未取得在D1所选Al₂O₃/有限SiO₂/LT或LN同一方案中,明确对应支撑体波分支、晶向及实际工作相速度的完整新增证明。不能据此把A2认定为已经无争议地补齐,也不宜仅因新增文献数量上升而上调无效成功率。

任务书提出的问题

本轮回答

是否取得更强A2证据

取得更具体的薄层与调速证据;未取得同时解决D1材料分支、层位和工作相速的新A类证据。

D1能否落实为同一相容方案

一般结构、材料选项和厚度可形成明确论证起点;Al₂O₃分支的速度对应仍需证明。

当前最简论证链

先完整提出D1自身的导波解释;备位以D1+V1+F1构建创造性论证,F0、N1、N2为适配补证。

 

本轮实际提交64组检索式,每路径8组;另进行全文、原始公报与家族核验。任务书的每路径30轮属于建议预算,本报告不将64组查询写成240轮。完整查询式、命中情况及排除理由见附录。

二 核对权项与比较对象

已回查CN103262410B授权权利要求1及说明书“用于解决课题的手段”。权1的高声速支撑材料清单不包含纯Si;高声速支撑与另一个支撑基板之上的高声速膜应分别处理。说明书将高声速与低声速定义为不同的速度比较,不能互相替代。[S0]

编号

需证明的内容

本轮核验要点

A1

所列材料构成机械支撑基板

AlN、Al₂O₃、SiC、SiN、SiON、DLC、金刚石及相应主成分材料;高速盖层不自动具备支撑角色。

A2

支撑相关体波速度高于实际工作弹性波相速

识别体波分支、传播方向与工作模态;不以材料名称或高声阻抗代替。

B

支撑与压电膜之间存在低声速膜

其相关体波低于压电体相应体波;须核对SiO₂层位。

C D

LT或LN压电膜及其一面上的IDT

界面IDT可以评估;不加入权1未规定的自由表面或固定SH条件。

E

中间低声速膜厚为0.1λ至0.5λ

λ为IDT周期确定的工作波长;压电膜厚度不能冒充中间膜厚度。

 

分别使用三项关系:支撑相关体波速度大于工作模态相速度;低速层相关体波速度小于压电体相应体波速度;在频率、周期及模态对应成立时,相速度等于频率与波长的乘积。前两项不是同一个条件。

权3、权4中的压电膜厚度上限不加到权1。GBAW、边界波或明确用作器件功能的高阶模态均不能仅凭名称排除;同样不能把寄生响应当作工作波速。

三 D1原始公开的补充核验

D1为DE102005055871A1,EPCOS AG,德文,2007年5月24日公开。已读取15页德国公报的可提取原文;下述页码为PDF从首页起计的页码,与该公报印刷页码一致。[D1]

定位

核验内容

对本轮的意义

第2页 [0015]至[0018]

GBAW在层系统或压电界面激发,能量向厚度两侧衰减;优选激发横向体波,介电层中的传播速度较两侧基板低。

支持导波结构解释;“dieser Welle”并未给出独立的工作模态相速数值。

第3至4页 [0032]至[0037]

LT/LN压电材料,第二基板可用Al₂O₃,介电层优选SiO₂。

支持选择所需材料;不能把Si数值实例直接迁移到Al₂O₃。

第4页 [0042]

金属嵌入且不突出时,层系统厚度对应介电层厚度;优选0.15λ至0.5λ。

E有直接文字基础;前提是层厚对应关系成立。

第6页 [0073]及图1G

较厚第二基板用于机械稳定,明确称为承载基板。

补强机械支撑角色。

第9页 权38与39

层系统体波不超过两侧基板体波速度90%;第一基板体波低于第二基板。

使材料速度链更清楚;仍须连接实际工作模态相速度。

 

关键原文 [0073]  vorzugsweise ein Trägersubstrat

译义  第二基板优选为承载基板。

有利解释是:[0015]至[0017]连续描述受激工作波的导引与衰减,权38、39给出同一导波结构的速度排序,A2可主张已隐含于该结构。最强反驳是:同一导波模态具有统一的平面传播常数,材料内体波速度排序与该模态相速并非同一事实;又缺少Al₂O₃状态、方向、相关分支及该有限层结构的色散数据。此处应保留争议,不以代词解释直接封闭A2。

四 有实质贡献的新增家族

“新增”仅指未被所附任务书列为种子家族;不表示这些文献在此前所有检索中均未出现。A为直接证明,B为可复核推导,C为组合教导,D为线索,R为反向证据。等级针对本轮A2补强,不等于整项权1的新颖性判断。

N1 WO2010119796A1 有限SiO2与高速外层

名称 Boundary acoustic wave device;申请人Murata Manufacturing Co Ltd;公开日2010年10月21日;原始语言日文。Google Patents所示同族包括JP5120497B2、US8525385B2,后两件授权本不作为本轮在先技术版本。[N1]

定位为图2及“第1の実施例”、权1与权9。结构为LT压电基板/部分埋入LT凹槽的多层IDT/SiO₂/SiN;外侧SiN承担声学覆盖与约束作用,原文未在该实例中将其认定为机械支撑本体。

同一实例参数

公开内容

主IDT波长

1.9 μm;相邻IDT边缘局部窄节距为1.7 μm;反射器为1.92 μm。

SiO₂及外层厚度

SiO₂为760 nm,即按主IDT λ归一化为0.4λ;SiN为2200 nm。

压电体与电极

LT欧拉角为(0°,138°,0°),占有率0.50,凹槽86 nm。自外侧向LT为Ti/Al/Ti/Pt/Ti,厚度10/150/10/76/10 nm。

工作功能

3IDT纵耦合边界波滤波器;公开了传输响应及切型对损耗的影响。

速度证据

明示外层比SiO₂音速高并将工作波限制在内侧;未取得该同例工作相速度与外层相关体波的直接数值比较。

 

原文短引  音速が速い誘電体材料

译义  选用音速高于SiO₂的介电材料。

可复核计算:760 nm÷1900 nm=0.400。该结果只证明同例SiO₂归一化厚度,不是相速度计算。存在局部不同周期时,不得把图中任一共振峰与1.9 μm机械相乘,更不能把所得速度移给D1。

新增贡献为C级:在0.4λ的有限SiO₂外确实存在高速SiN并实现滤波,可反驳“有限薄层加高速外层必然无法工作”的笼统意见。转用于D1仍需核验外层由SiN膜变为Al₂O₃厚支撑、切型与电极嵌入方式变化的影响;若移入凹槽、138°切型等条件,应作为组合改动明确论证。

N2 WO2005093949A1及KR20060129514A 三介质调速

名称 弾性境界波装置の製造方法及び弾性境界波装置;申请人村田制作所。WO2005093949A1于2005年10月6日公开,原文日文;KR20060129514A于2006年12月15日公开,原文韩文。KR公报首页记载同一PCT申请PCT/JP2005/005414及上述国际公开日,已由其18页可提取原文核对。[N2]

原始定位:KR公报第2至3页权1至9,第6页调速原理,第7页周期定义,第8至9页图1、4、5及实施例说明。同族KR100804407B1于2008年2月15日公开,但本报告使用早期A文本;US7322093B2、JP4535067B2及CN101714858B等仅作家族入口。

原文短引  F=V/λ

译义  工作频率等于边界波速度除以IDT条带配置周期。

三介质依次层叠,IDT位于第一、第二介质界面;先调第二介质层厚,再形成音速或材料不同的第三介质。第三介质可另备为薄膜或板材后接合。权2中的大于0.5λ针对第三介质,不能误记为低速第二层厚度。原文又以λ=2P说明条带周期,避免将相邻指距P误作λ。

材料列表包括LT、LN、SiO₂、蓝宝石、AlN、SiN等;第6页说明可调金属厚度或占有率,使边界波速度低于介质材料速度。该一般教导与三介质构型、层厚敏感性共同提供C级组合启示。它并未给出已核验的“Al₂O₃厚支撑+0.4λ SiO₂+指定LT/LN切型”完整实例,不能列为B级必然推导。

对D1的具体价值在于:D1已有层厚修调及后续接合步骤,N2解释为什么应在受能量影响的中间层修调,而不能假定外侧介质改变后工作频率不变。反面限制同样明确:三介质存在时调速仍受层厚、材料及能量分布约束,不能把两介质的速度结果直接传递。

N3 EP2068442A1 实际工作波速与电极负载

名称 Boundary acoustic wave device;申请人Murata Manufacturing Co Ltd;公开日2009年6月10日;原始公开语言英文。已取得18页EP A1原始公报。定位为[0030]至[0034]、[0054]至[0061]及图2、3、9、10;不同版本段号不混用。[N3]

同一工作结构为SiO₂/Au-IDT/LN,LN旋转Y切约15°±10°;也讨论多层电极。原文将图2的波速明确界定为有限元求得的阻带低端、相应滤波通带低频端的SH边界波速度,而非笼统材料声速。

原文短引 [0033]  an acoustic velocity at a lower end of a stopband

译义  为阻带低端的工作波速。

公报给出工作波降速门槛3210 m/s,并进一步说明相对于SiO₂慢横波3757 m/s及LN慢横波4031 m/s的关系;通带高端的对应目标为不超过3495 m/s。这里的数值适用于该文献的器件条件,不是D1实测值。3210/3757约为85.44%,可用于说明设计裕量;并不能由此证明Al₂O₃支撑方向性速度。

本轮定为C级。它比只说“质量负载可以降速”更具体,能支持为达到边界约束而选择电极厚度及占有率的动机与可调参数。所核验工作实例没有解决D1的Al₂O₃支撑及0.15λ至0.5λ中间层;不能将其3210 m/s直接写入D1,亦不能把电极归一化厚度当作SiO₂厚度。

N4 US20100231330A1 有限层衰减与承载基板

名称 Component Working with Guided Bulk Acoustic Waves;申请人EPCOS AG;公开日2010年9月16日;英文。5页US A1原始公报已读取,其首页注明PCT/EP2008/052955及德国申请102007012383.5;检索所得WO2008110576A1归入同一技术链,不另计新增家族。[N4]

原文短引 [0015]  not sufficient for the complete decay

译义  第一介电层厚度不足以使声波完全衰减。

PDF第3页[0015]至[0020]给出第一介电层0.2λ至1.0λ、外侧第二层至少λ且可至少2λ,并以工作频率处的波长定义λ;第4页[0027]至[0029]说明LN/LT压电层可由非压电层承载,后者可用Al₂O₃,并宜使非压电层声速高以促进衰减。

其具体层系包含TeO₂,且承载层位于压电体另一侧。TeO₂不属于权1所列低速层材料,因此本件不作为最小主组合新增构件。C级贡献限于:有限层内不完全衰减并不当然排除GBAW,高速承载层与能量衰减具有明确设计联系。将此一般原理转用为D1的具体色散结论仍缺数据。

五 既有种子的重新核验与证据边界

本节记录相对于任务书种子的核验增量,不把重复找到同一家族计作新发现。

F1 CN101030764A与日文相关公开 同材料有限层适配

CN101030764A为富士通及富士通媒体部品申请,2007年9月5日公开。第一示例性实施例及图2明确为LN/Cu主成分IDT/SiO₂/Al₂O₃膜;用作器件功能的波为SH边界波,邻近SV斯通利波是被抑制的寄生响应。相同λ=1.982 μm、h=188 nm、旋转Y切θ=30°下,公开制作SiO₂厚度H/λ=0.33、0.38、0.42、0.45、0.52、0.58的器件并测量频率响应;其中前四点处于D1的0.15λ至0.5λ优选区间。

相关JP2007267366A于2007年10月11日公开,申请人为富士通及富士通媒体部品。已读取其60页原公报的可提取日文;[0020]至[0022]分别对应Al₂O₃外膜结构、波长及参数定义、实物器件与频率测量。两件均指向日本2006053486优先权链,但数据库简单家族编号不同,故不据家族标签认定全部文本相同;上述共同内容已分件核验,不计为新增技术家族。

原文校读还消除一个潜在误用:0.095对应电极h/λ,188 nm÷1982 nm约为0.09485;它不是SiO₂的H/λ。中文网页相应句把H/λ写为0.095,不能据此主张中间低速膜为0.095λ。使用日文原公报[0022]所示小写h校核。

F1是当前比SiN外层实例更贴近D1 Al₂O₃分支的C级适配证据:材料组合、界面电极、目标有限膜厚及实际工作功能已有共同公开。尚未补齐的是Al₂O₃膜的相关体波分支与工作相速度的直接比较,以及声学覆膜向机械支撑本体的角色和厚度变化。不能把“覆膜材料相同”直接等同于“D1厚支撑的A2必然成立”。

文献

本轮确认的贡献

仍有的限制

V1 US20060071579A1

原PDF第91页[0210]把工作边界波速度与响应频率、IDT条带周期连接;[0212]至[0217]讨论外保护层和有限厚度。

0.71λ实例采用树脂外层;不等于D1的0.15λ至0.5λ及Al₂O₃支撑。

F0 WO2009133655A1

图1及实验例给出LT/SiO₂/SiN三介质;SiO₂可为0.4λ,图10至14分别讨论0.1λ至0.5λ的损耗分布。

外层声学覆盖与机械支撑角色不同;损耗低不能单独推出指定Al₂O₃分支的A2。

G1 CN101569100A

公式(1)(2)在同一工作方案内连接响应频率、介质横波及背层横波,保留为明确速度链种子。

背层/压电体/IDT/SiO₂盖层与目标中间SiO₂层位不同,不能翻转附图解决。

L1 DE102004049498A1

可作GBAW、周期与归一化参数线索,公开日2006年4月13日已核对。

未新增解决A2的完整同例参数。

CN101777622A

金刚石/SiO₂/LN层序直接相容;公开日2010年7月14日,适合备位材料支线。

公开绝对膜厚而缺相应IDT工作周期和模态速度,不能跨文献补λ。

FR2936100A1

2010年3月19日公开;法文原文直接讨论导波低于基板波速,并举蓝宝石、SiC、金刚石。

使用畴反转铁电层及平行电极,缺目标有限SiO₂及IDT;只能提供物理或备位组合教导。

 

V1原PDF第91页的0.71λ与1λ实例,还显示减薄后插损由1.5 dB升为1.8 dB。这是厚度敏感性的实证,不能只保留“仍能工作”而删除其损耗增加。其[0213]列出AlN或Al₂O₃保护层,但“保护层”不自动等于D1的机械支撑基板。

G1同一方案的可推导链为:工作频率乘以其所定义的λ,低于SiO₂相关横波速度;该速度又低于压电体SH波及背层相关横波速度。链条成立并不消除结构层位差异。

六 对照表与组合评价

权1要点

D1基础

新增证据补强

结论

机械支撑及材料

[0034]Al₂O₃选项;[0073]机械稳定

N2容许外层以板材接合;N4讨论Al₂O₃承载层

D1自身证据较强,外层角色须逐件识别。

A2实际工作相速

导波衰减及体波排序

N3定量降速;F1同材料有限层;N2调速方法

仍无D1指定同例的完整A/B级闭环。

低速中间SiO₂

[0037]优选SiO₂,层系统居中

F1的LN/SiO₂/Al₂O₃;N1及F0补证

同材料适配获补强;覆膜变厚支撑的影响仍需核验。

LT/LN和界面IDT

[0018][0032]及图1G

N1为LT,N3为LN

有相容材料分支;切型和嵌入方式变化不能省略。

0.1λ至0.5λ

[0042]优选0.15λ至0.5λ

N1同例760 nm/1.9 μm=0.4;F0含0.1至0.5区间研究

范围补强充分;没有因此自动得到A2。

 

路线一 D1自身解释及隐含公开

优点是无需拼接额外器件,机械支撑、所选材料、SiO₂层位、IDT与厚度均在D1内有公开依据。先用连续段落及权38、39说明这是为导波而共同设置的方案,再论证工作模态为何不能向第二基板辐射。

当前瓶颈是最后一步不能仅凭“导波”二字完成。各向异性时,辐射阈值取决于允许法向波数和极化分支;一个材料标称横波值也不必等同实际声线阈值。因此,本路线可以提出,但本轮不将其标为已经排除合理反对解释的新颖性证据。

路线二 D1加V1与有限层适配证据

现阶段较完整的创造性主张可围绕D1+V1+F1展开。D1给出目标支撑结构与中间膜厚;V1提供以电极质量、厚度和占有率降低工作边界波速度的手段;F1直接采用LN/SiO₂/Al₂O₃并在0.33λ至0.45λ取点制成器件,优先于只采用SiN外层的适配例。F0与N1为LT分支补证,N2为加入外侧介质及层厚修调影响的补证。

移入理由应写为:D1本来利用界面金属、有限介电层及两侧基板的速度剖面进行约束;若需要进一步压低工作模态速度以避免向支撑泄漏,V1的界面电极负载直接作用在D1的能量集中区域。F1说明同样的LN/有限SiO₂/Al₂O₃材料顺序有实际工作窗口,减少了由SiN改选Al₂O₃的额外材料步骤;N2说明仍应校核层厚与外侧边界。

必要限定是:不能直接移用V1的0.71λ树脂实例;F1的Al₂O₃覆膜不能直接当作D1机械厚支撑,亦不能把F0/N1的SiN外层直接当作Al₂O₃。主用LN分支时应对应F1的切型、电极及厚度;如改用LT、调整Pt厚度或增加凹槽,应说明实际改动。D1一般材料选项与其优选切型不能混写为同一已实施实例。改动后的工作相速关系仍须由同方案资料或复核计算证明。

路线三 使用G1或金刚石支线

G1的速度链更明白,但低速层在压电体另一侧,需要解释迁移层位后工作分支与能量分布能否保持。CN101777622A则有目标金刚石/SiO₂/LN层序,却缺IDT周期和同模态速度。两者目前均不比“保留D1结构并集中补足A2”更简洁。

最薄弱环节及下一步取证

最薄弱环节仍是同一指定方案的速度对应。需要锁定一个D1已公开的Al₂O₃材料状态、LT/LN切型、0.15λ至0.5λ SiO₂及电极条件,取得该工作分支的色散或同器件频率与周期,并以相同方向和相关分支的支撑体波依据比较。若关键条件是后来新增的优化条件,应按组合后的可实施性证据使用,不能回填为D1固有公开。

对照目标说明书所采用的体波比较对象,再评估非泄漏阈值与该对象是否一致。若仍缺材料状态、晶向或工作波速,证据等级维持C或D。

七 家族去重 反向证据及后公开线索

家族或版本

处置

理由

N1 WO2010119796A1

保留1个新家族

JP5120497B2、US8525385B2不另算新增;不以后来授权文本替代2010年WO公开。

N2 WO2005093949A1/KR20060129514A

保留1个新家族

KR原PDF确认同一国际申请;KR100804407B1为同申请后续公开。

N3 EP2068442A1

保留1个新家族

EP2068442B1及A4属于后续版本;原A1已有本报告引用的调速内容。

N4 US20100231330A1/WO2008110576A1

保留1个新家族

一般有限层/承载教导;具体TeO₂方案另有限制。

F1 CN101030764A/JP2007267366A

种子相关技术链不增计

共同日本优先权入口,简单家族标签不同;原文分别核验,不互相回填。

US20080111450A1/EP1909392A1

不进入核心组合

工作压电体为石英的方向性及慢横波条件可参考,不能替代LT/LN分支。

JP2008270904A

保留为反向提醒

LT/蓝宝石界面反射及寄生响应显示支撑与切型会影响器件;不能只看材料声速高。

US8283835B2/US20110266917A1

后公开线索

优先权为2010年4月30日,但A1到2011年11月3日才公开,不能用优先权日替代。

FR3079667A1及晚公开多层SAW族

排除本轮在先证据

虽含非常贴近的速度/层厚资料,公开日在截止日之后。

WO2010079575A1

线索与模态区分提醒

2010年7月15日公开;检索摘要涉及Stoneley高阶模态反谐振速度,全文访问未完成,暂不作反向结论。

FR2788176A1及US5838090A

保留未完成核验入口

任务书给定种子,本轮直接全文访问失败;不据既有摘要填入缺失参数。

 

反向内容的实际作用是限定推理:有能量约束并不代表任意高阶模态都满足同一速度关系;减少层厚也可能增加泄漏和频率敏感性。不能把高Q、低插损或“非泄漏”与目标高声速定义画等号。

八 访问范围与证据可复核程度

检索采用公开网页索引检索定位候选,并逐件打开Google Patents公报页面、引用链及原始PDF。Google Patents原生查询结果页本次访问失败,因此本报告不声称已完成其原生全文字段和公开日期字段筛选;所有候选是否在先,依据公报实际公开日另行筛查。检索式中的before:2011仅为网页索引辅助,不是专利公开日认定依据。

已取得可提取原文的关键PDF包括D1、V1、N2的KR A公报、N3的EP A1公报、N4的US A1公报及F1相关JP2007267366A。N1与F0的WO PDF、F1的CN PDF可访问,但当前返回扫描型内容,未完成逐页人工原文核验;对相应内容使用Google Patents保留的原文及图号、实施例名称定位,不虚构PDF段页。正式提交前应补作扫描公报对照取证。

Espacenet、European Patent Register及PATENTSCOPE的已访问入口均返回403,未取得本轮卷宗或审查意见。CNIPA、INPI、DPMA、J-PlatPat、KIPRIS的原生站内检索不在本轮已完成范围。六种语言是检索词与原文核验路径,不等于全部国家数据库均已检索。

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B权利要求1非专利文献补充检索报告

指定高速支撑 有限低速夹层与实际工作模态的证据核验

检索执行日期 2026年10月23日  |  主证据公开截止 2010年12月23日

本报告执行补充检索指示,围绕D1与基准日前原始论文,区分直接披露、确定推导、具体适配启示和仍待证明事项。先给结论,再列原文证据卡、工作声速核验、两张对照表及完整检索日志。

一 结论与剩余缺口

1 本轮最有价值的补强

本轮结果显著补强了“如何沿D1已有结构选取有限SiO₂、界面电极和高速外层”的具体技术启示,但尚未把“所选并援引的Al₂O₃具体方案确定满足目标工作声速关系”证明到无条件成立。最强路线不是把若干缺失特征分别拼在一起,而是以D1[0064]已经公开的沉积厚层支撑工艺为起点,结合N10实测Al₂O₃/约0.25λ SiO₂/Au/36°YX-LT的声学兼容性及增厚隔离建议,论证一个改动较少的候选方案。其声学连续性与实际承载条件仍需闭合。

对D1原文不应作两个极端判断。第一,D1已有低速层、双侧较高速材料、垂向衰减、有限厚度和机械支撑的明确基础,不能说只列了材料名称或缺少目标厚度。第二,权利要求38和39比较的是体波之间的速度,不能不加条件直接改写成“指定支撑相关体波大于实际混合工作模态相速度”。在真正非辐射、相关支撑部分波为倏逝场的方案中,该关系具有明确物理根据;是否能够对所援引Al₂O₃方案确定适用,仍需锁定实际分支和边界条件。

N9对LT/蓝宝石两层模型提供直接A等级的定性声速比较:同一计算模型中工作SAW速度低于蓝宝石体波速度,并据此判为非泄漏。这不是仅靠“高声速材料”标签的推测,也不因未列蓝宝石绝对声速而失去直接证据价值。但是该模型没有埋置有限SiO₂,其文后另一个SiO₂覆盖模型不能与前者拼接。N9显著补强指定材料及实际模式的可行性,有限补强完整目标结构。

N3与N4研究链则给出另一条具体路线:AlN/SiO₂/Cu/0°YX-LN实测结构,SiO₂为0.225λ、Cu为0.04λ、AlN为0.84λ。N4显示增加AlN厚度后谐振频率趋于稳定,顶部光刻胶负载影响较小。这直接支持声学厚层近似的方向,但不直接证明AlN覆盖膜已承担机械支撑,也不能把AlN的频散结果改称Al₂O₃结果。

2 对各证明环节的评价

显著补强:有限SiO₂与列举高速材料、LT或LN及界面电极能够在具体参数组合下共同工作;D1内部的沉积厚层制造选项与论文增厚隔离教导之间存在明确组合桥梁;蓝宝石机械选材与两层模型工作速度关系各有原始文献支持。

有限补强:以受导、垂向衰减解释D1工作速度关系的物理根据;由覆盖层增厚推及承载侧的工程可预期性;重金属负载与切型调整对有限三介质结构的可迁移性。这些方向已有实质证据,不是任意拼图,但不能省略同一方案的模式和工艺核验。

未补强到闭环:同一Al₂O₃承载体/0.1λ至0.5λ SiO₂/LT或LN/IDT方案中,指定材料形态和晶向、工作分支、相关辐射阈值、机械支撑与电极边界全部同时成立的完整证明。也未发现可据本轮全部已核内容直接认定权利要求1完整单篇命中的非专利文献。

被削弱的论证方式:把“guided”一词当作任何模式、任何晶向下的非泄漏保证;把高支撑声速误当作两侧均无辐射;把不同研究的理论切型、实验电极、AlN饱和值、蓝宝石体波数值交叉移用;把薄纳米非晶键合界面当作指定材料且0.1λ至0.5λ的膜。

3 最强反向证据及其准确边界

N11与N13说明,模式出现阈值、非泄漏阈值和实用器件窗口不是同一阈值。重金属和占空比可降速或改变模式耦合,有限SiO₂的特征又对厚度敏感;半无限SiO₂模型不能直接替代0.1λ至0.5λ有限夹层。N14及N15进一步说明形式色散根、局域位移或某一分量衰减不自动等同真实受导解。

N1、N2与N5显示,键合、温补或支撑非泄漏并不保证没有压电体内反射杂散。N12的气隙反例则把理想模型与实际制造完整性区分开。N10厚Al栅的响应畸变和残余顶部敏感性表明,改变电极或增加外层厚度不能仅凭“常规设计”四字跳过兼容性论证。

这些反向证据不等于否定所有目标材料、所有0.1λ至0.5λ厚度点。目标权利要求1也未要求特定SH波、零TCF、指定Q值或两侧完全无泄漏。反例的作用是限制证据可迁移范围,而不是额外增加权利要求限制。

4 建议优先采用的论证次序

在本轮新增论文支持的创造性适配路线中,第一优先采用D1加N10的Al₂O₃沉积厚层路线,并以D1[0064]作为制造桥梁,不把路线表述为单纯翻转覆盖层。第二保留D1加N3/N4的AlN备选,明确额外选材步骤及AlN独立参数。第三用N9与N2/N5说明蓝宝石支撑的声学及工程动机,再由N1说明保留埋置SiO₂的理由,但对这一链条必须承认新增夹层和界面电极后需要重新计算。

一件允许的支撑材料及目标区间内一个可证明厚度点或子区间即可形成有价值证据,不要求全部材料、全部实施方式或整个厚度区间都满足。上述优先次序不取代既有D1单篇新颖性主张。新颖性与创造性应当分开书写。外部论文若仅解释D1原有术语的必然属性,应保留原条件;若引入新的电极、切型或具体材料参数,就归入创造性适配分析。当前证据不支持给出无效成功概率,也不支持因为新增若干全文就自动提高整体结论。

二 对象与证据适用边界

1 本轮任务及判断框架

本报告针对CN103262410B授权权利要求1,在以DE102005055871A1为主要对比文件的既有路线基础上,实际检索和核读基准日前非专利文献。重点不是重新寻找已有的厚度范围,而是核验指定支撑材料、有限低声速夹层、LT或LN压电体、界面或表面IDT和实际工作模态之间是否存在同一兼容方案,以及工作模态相速度与相关体波声支能否可靠对应。

本轮暂按2010年12月24日为有效优先权日,主证据版本须在2010年12月23日或此前公开。未审查优先权是否成立。后公开资料仅作追溯入口或解释材料,不回填其新增技术内容。结论评价的是各证明环节的补强程度,不是无效成功概率。

文献采用N编号,N1至N8沿用任务附件的种子编号,保持已核全文、仅摘要及未取得全文之间的区别。D1仅指DE102005055871A1,不包括末位055870的另一申请。T1为目标专利。会议版和期刊版分别核对具体内容,连续研究不据版本数量重复夸大证据强度。

2 授权权利要求的实际边界

已核对T1授权公告原PDF物理第2页的权利要求书第1页,以及物理第5页说明书[0012]。权利要求1允许的高声速支撑包括AlN、Al₂O₃、SiC、氮化硅、SiON、DLC膜、金刚石及所列主成分材料;纯Si不在该清单内。允许的低速膜包括氧化硅、玻璃、SiON、氧化钽及指定掺杂氧化硅等。压电膜为LT或LN,IDT位于其一面,低速膜位于支撑与压电膜之间,厚度为0.1λ至0.5λ。

权利要求1没有从属权利要求3的压电膜厚度上限,也没有从属权利要求5的特定SH模式、切型或传播方向限制。不能以厚LT不够薄或IDT不在外露顶面为由,未经角色与原文分析就排除候选。相反,文献称“piezoelectric substrate”也不自动证明其为目标压电膜。

[0012]包含两个不同的速度比较。高声速支撑要求其相关体波速度高于压电膜中传播的工作弹性波速度;低声速膜要求其相关体波速度低于压电体的相关体波速度。前者不能简化成支撑比SiO₂快,后者也不是额外要求工作波相速度必须低于SiO₂体波速度。具体声支、晶向和偏振仍需与实际工作模态对应。

原文入口:https://patentimages.storage.googleapis.com/4b/8f/c9/f5e55b2baacc3b/CN103262410B.pdf 。

3 证据等级与解释纪律

A表示同一方案中的直接披露;B表示在公开条件下可确定复算的推导;C表示具有具体改动及动机的适配启示;D表示一般原理或制造背景;L表示关键全文、日期或参数尚待核验。R是可与A至D并列的反向标记。等级适用于具体命题,不等于整项权利要求的最终结论。

新颖性必须回到同一对比文件的完整技术方案。外部论文可以解释D1术语或说明必然属性,但若其新增了切型、介质、厚度或电极条件,这部分只能作为组合适配证据,不得拼入D1后称为D1单篇直接披露。创造性分析必须说明为何作具体改动、改动后模式是否兼容、效果是否可预期,以及不利结果的适用边界。

关于法律方法,本报告以本案申请时2008年修正专利法第22条为新颖性和创造性的实体基础核验入口,并核对2020年修正第22条及当前审查指南版本。当前指南按2023版及2025年第84号令修订(2026年1月1日施行)核验,不仅引用旧2010版。以下仅提供技术证据及证明用途区分,不代替完整无效法律意见。

权威入口:2008年修正专利法 https://www.cnipa.gov.cn/art/2015/9/2/art_97_28193.html ;2020年修正专利法 https://www.cnipa.gov.cn/art/2020/11/23/art_97_155167.html ;2023年指南 https://www.cnipa.gov.cn/art/2023/12/21/art_99_189202.html ;2025年修订 https://www.cnipa.gov.cn/art/2025/11/14/art_99_202568.html 。

4 本轮执行范围与数量

检索执行日期为2026年10月23日。实际文献相关公开网络查询117次,完整字面式117种,无完全相同字面重复;相似主题、同篇追索和变体仍有重合,不能称117条独立技术路线。查询包括界面材料37次、键合支撑40次、模态速度40次。没有声称在IEEE Xplore、CNKI或Scopus内执行原生订阅检索。打开网页、下载、PDF阅读、法律核验不计入117次。

编号N1至N19共19篇,其中14篇已取得并核读全文,5篇为题录、摘要或正文预览等有限材料。N12跨路径重复取得只计1篇;N3、N4及N16同一研究链,N2与N5同链,N11与N13同链。作者博士论文仅查相关部分,不计全文篇数;目标专利及D1也不计非专利文献命中。完整日志、公开版本及排除理由见附录。

检索覆盖英文及中文、日文、韩文、德文、法文查询,并查技术杂志定向入口。before:2011只是发现过滤,不能排除2010年12月24至31日,最终以具体版本公开时间人工筛选。并批查询结果只按批级归属,不假称每条式独立命中。

三 D1原文基础与真正待补的环节

1 已有公开不应降格为缺失

D1于2007年5月24日公开,已取得15页德文公开原PDF。第2页[0015]至[0017]描述导波激励、能量沿厚度向两侧衰减,以及低速导波层与外围较高速材料的关系。第3至4页[0032]至[0034]列举LT或LN单晶及Al₂O₃第二基板选项;第4页[0037]给出SiO₂优选介电层和直接晶圆键合;界面IDT是其既有结构基础。

第4页[0042]给出层系统一般0.1λ至1λ、优选0.15λ至0.5λ。金属埋入且不突出介电层表面的条件下,层系统厚度优选等于介电层厚度。因此0.15λ至0.5λ与目标范围重合已经存在;后续问题是所依赖的材料和电极方案能否同时适用,而不是把厚度范围重新标成未公开。

第6页[0073]说明较厚第二基板优选承担机械支撑。Al₂O₃虽为材料选项,不能据此把优选Si实施方案的全部性能和参数改写为Al₂O₃实测方案。需区分“明确列举可选材料”与“该材料的同一实施例已核全部条件”。

2 不应遗漏的增厚成支撑教导

第6页[0064]允许第二基板不是预制晶圆,而是在介电层上形成足够厚的层或层序,例如至少3λ。这一点为“有限高速外层增加厚度后形成承载侧”的适配提供了D1内部制造起点。不能仅因论文把高速层画在上方就排除该路线,也不能只把图翻转就视为完成适配。

真正需要证明的是:所选高速材料增厚后仍保持相应工作分支和衰减条件;足够厚层在实际工艺中能承担机械支撑;如实际制造路径需要减薄压电侧或去除生长基板,该步骤不破坏已援引结构及模式。权利要求1没有压电膜厚度上限,不能预设所有适配必须完全去除LT原承载体。后文应把高速层饱和、外界隔离和成膜或键合工艺分别对应到这些问题。

3 体波之间的关系不能替代实际工作模态

第9页权利要求38限制层系统体波速度不超过两个基板相应体波速度的90%,权利要求39另述第一基板体波慢于第二基板。这是材料体波之间的比较,不能直接把比较项改成混合工作波相速度。导波和衰减描述可能具有隐含物理含义,但须在明确的声支、偏振及边界条件下解释。

在各向同性纯SH的Love型模型中,受导分支可位于低速层剪切波速度与基体剪切波速度之间。各向异性、混合偏振、压电耦合和重电极界面波则需考虑相应部分波及辐射通道。显示位移局域化的曲线也不能自动排除弱泄漏、数值截断或另一声支的辐射。本轮因此将“D1的条件性物理解释”与“为指定材料选取兼容参数的外部教导”分别评价。

D1原文入口:https://patentimages.storage.googleapis.com/bd/e5/94/1ac3292786dcb0/DE102005055871A1.pdf 。关键页码均为PDF印刷页码;图1G及其说明用于还原层序,不依据图的上下方向单独确定支撑。

四 高贡献文献统一证据卡

N10 有限SiO₂与Al₂O₃的最短适配桥梁

题录与公开:K. Bhattacharjee, A. Shvetsov, S. Zhgoon. Cavityless Wafer Level Packaging of SAW Devices. 2007 IEEE Ultrasonics Symposium, 1886–1889. DOI https://doi.org/10.1109/ULTSYM.2007.474 。本轮核读四页出版版;原页脚为2007 IEEE,论文集目录和官方P3I-2摘要记录相互对应,作为明确早于基准日的2007论文集版本使用,不以当前下载日或会议举行日单独证明公开。

原文入口:https://engineering.purdue.edu/oxidemems/conferences/ultrasonics2007/DATA/P3I-2.PDF 。本文需区分高速层导引的WLAW与高阻抗或Bragg隔离的ILAW;后一结构W-Al或HfO₂镜的性能不能移用于Al₂O₃体波关系。

真实结构与角色:WLAW由外向内为Al₂O₃隔离覆盖膜/有限SiO₂/金属电极/LT原基板。覆盖层用于外表面隔离,原文没有把它制成承载体,也未披露去除LT原基板或由Al₂O₃承受机械载荷的步骤。沉积Al₂O₃的形态、织构及与单晶蓝宝石晶向的对应没有充分说明。

核心参数一 理论模型:p1887 Fig.1采用42°YX-LT、Al平均厚0.26 μm、SiO₂ 2 μm、Al₂O₃或W-Al镜总厚5 μm,中心频率约1.05 GHz。Table I及其续文采用Al平均厚0.2 μm、波长接近4 μm;Al₂O₃行Vsc=4090 m/s、Voc=4199 m/s,分别是理论短路与开路速度。两个Al厚度的语境不同,不能静默合并。平均连续Al层近似周期栅的负载,亦不是完整实体IDT的逐位置电声边界。

理论归一化:SiO₂ 2 μm约占0.5λ,Al₂O₃ 5 μm约占1.25λ;因波长只是接近4 μm,前者不能作误差为零的0.500λ端点。Fig.3的氧化层厚度扫描约1.5至4 μm,速度随厚度变化;近零TCF出现在约3 μm即约0.75λ,不可说目标区间内已经获得零TCF。目标权利要求1本身也没有零TCF限制。

核心参数二 实验样品:p1888第III节及III.A给出36°YX-LT、Au 80 nm、λ=4 μm,CVD SiO₂约1 μm,最终Al₂O₃覆盖层>3.5 μm。因此SiO₂约0.25λ,Au约0.02λ,Al₂O₃只可确定>0.875λ。沉积Au后约0.975 GHz,SiO₂及退火后约0.8 GHz,加Al₂O₃后串联共振约0.94 GHz。按同工作分支作fλ估计约3760 m/s,这是本报告的算术推导,不能与42°LT/Al理论表的4090和4199 m/s拼成一个实验数据链。

原文短引与定位:p1888 III.A “the wavelength is 4 microns”。译为“波长为4微米”。该短引用于锁定厚度分母,而不承担支撑体波声速的证明。Fig.4在上表面增加光刻胶后响应仍有小幅变化,作者建议进一步增加隔离层厚度来减弱外界影响。

证明作用与等级:A为Al₂O₃、有限SiO₂、LT、界面电极及工作响应在同一实验样品中共存;B为约0.25λ及fλ估算;C为增厚隔离方向及与D1[0064]沉积第二支撑层的具体适配桥梁。没有直接A或已闭合B证明Al₂O₃承载侧相关体波大于该工作分支。整体对具体适配显著补强,对完整目标结构仍是有条件组合。

边界与最强反驳:p1888至1889说明当合成波速高于较慢体波时仍可能泄漏,且两类结构可有多个速度不同的模式;厚Al栅约0.1λ时后续沉积可改变反射幅度与符号,明显畸变响应,故验证采用薄Au。不能把增厚外层视作无条件等效,也不能把覆盖与支撑直接同义。R标记针对泄漏、杂模、电极负载和残余表面敏感性。剩余任务是同一分支从现有覆盖厚度到D1足够厚支撑的连续性,以及厚层机械和工艺可靠性。

N4 AlN界面波的参数窗口与增厚饱和

题录与公开:Kazuhiko Yamanouchi, Yusuke Satoh. Piezoelectric acoustic boundary waves in the structure of multilayer thin films/electrode/piezoelectric substrates. Journal of Applied Physics 103(11), 114105-1至114105-5, 2008. DOI https://doi.org/10.1063/1.2936901 。首页明确2008年6月6日在线公开;本轮核读五页正文出版稿。下载副本附有出版封页,以下一律使用印刷页114105-1至-5,不以额外封页或2013年下载戳作出版日期。

原文入口:https://pubs.aip.org/aip/jap/article-pdf/doi/10.1063/1.2936901/14825804/114105_1_online.pdf 。出版者下载入口曾返回拦截HTML,另经公开全文版本取得并与原刊核对,访问失败没有冒记为下载成功。实际公开全文条目:https://www.researchgate.net/publication/257968618_Piezoelectric_acoustic_boundary_waves_in_the_structure_of_multilayer_thin_filmselectrodepiezoelectric_substrates 。

真实结构与角色:Fig.1和第II节为高速薄膜/SiO₂/金属/压电基板。材料名单包含AlN或Al₂O₃,金属包括Al、Cu、Ag、Au,压电体包括Y-X LN、128°Y-X LN及36°Y-X LT。但实际参数化曲线和实验图均用AlN,不得把材料列表中的Al₂O₃与AlN数值视为同一已验证方案。SiO₂和AlN为RF磁控溅射,Cu为电子束蒸发;没有高速层厚承载制造或压电原基板移除的实证。

核心参数与最稳样品:114105-4 Fig.12至14及114105-5 IV.A给出AlN 0.84λ/SiO₂ 0.225λ/Cu 0.04λ/0°Y-X LN,IDT共振器N=60.5,频率约500 MHz。Fig.13依次比较仅Cu、加SiO₂、再加AlN,作者分别讨论泄漏表面波、表面波及边界波工作分支。Fig.12在AlN厚度约超过0.5λ后谐振频率变化很小;Fig.14在顶面加3 μm黏弹性光刻胶,主导纳响应变化很小。

λ与速度身份:第II节把λ定义为波长,Fig.1画声学周期,但未给足以独立复算λ=2p的IDT绝对几何。Fig.13的SiO₂约1.8 μm和AlN约6.7 μm与约8 μm波长相容;Cu所标0.34 μm与0.04λ并非完全一致,不用这些近似值制造精确工作速度。文中vf与vm分别为自由与金属化边界相速度,k²=2(vf−vm)/vf,不是支撑材料快、慢体波。

原文短引与定位:114105-5 IV.A “The changes in the admittance are almost zero”。译为“导纳的变化几乎为零”。它描述特定样品涂胶前后的响应比较,不是测定全部空间声能严格为零,也不是机械承载测试。

不同切型与模式:Fig.2至3的Y-X LN、Cu 0.02λ、AlN 2λ在SiO₂约1.05λ零TCF点呈SH占优;Fig.6至7的128°LN、Cu 0.05λ在约1.35λ零TCF点呈SV占优;Fig.9至10的36°LT、Cu 0.05λ在约0.6λ点为SH占优。上述位移图不属于0.225λ实验点,不能说全文每个结构都纯SH,更不能把零TCF条件作为权利要求1限制。

原文不一致一:114105-2 Fig.4中,Cu 0.02λ对应的SiO₂存在边界图读值约0.3λ,而正文写0.45λ;Al 0.05λ处图约0.4至0.45λ,而正文写大于0.6λ。图读数只是目测近似,正文与图不能称为互相印证,也不能择更有利者作精确阈值。

原文不一致二:Fig.15与Fig.17图注的SiO₂为0.2λ,IV.B、IV.C正文为0.225λ;Fig.17的绝对厚度与归一化厚度也不能得到完全一致的λ。两种归一化数均落在目标范围,并不消除精确参数冲突。本报告因此以Fig.12至14的0°LN样品为最稳核心证据,保留而不修正其他样品矛盾。

证明作用与等级:A限于同一AlN覆盖层/有限SiO₂/IDT/LN工作样品;C为高速外层增厚饱和、外表面负载不敏感及切型/金属调节存在窗口;D为分析框架。不能直接证明AlN已是承载基板,也未给出该实测分支与相关AlN体波的完整对应。R包括图文冲突、杂散、金属和切型依赖。对D1加AlN路线构成显著具体启示,但AlN不是D1[0034]明列选项,仍需说明选材理由。

N3 同研究链的2007年原始会议版本

题录与公开:Yusuke Satoh, Kazuhiko Yamanouchi. New Piezoelectric Acoustic Boundary Waves in the Structure of Multi-Layer Thin Films/Electrode/Piezoelectric Substrates. Proceedings of Symposium on Ultrasonic Electronics 28, 157–158, paper 1-06-01, 2007。原论文集两页和主办方2007节目中的题名、作者、论文号及页码相符。按完整2007论文集版本认定早于基准日;未另证具体首发日,不以会议日期单独替代发行证据。

原文入口:https://www.use-jp.org/USE2010/proceedings/USE07_proceedings/1-X/157.pdf ;主办方目录:https://www.use-jp.org/USE2007/Program_en.pdf 。

真实结构与参数:外侧AlN薄覆盖层/SiO₂/Cu/Y-X LN原基板;IDT在LN面上、埋于SiO₂侧。p158第3节和Fig.6至7同一实验给Cu 0.04λ、SiO₂ 0.225λ、最终AlN 0.84λ,N=60,谐振约0.48 GHz。λ定义为界面波波长,未给绝对指宽与间距,不增加λ=2p或4w等未核说法。

原文短引与定位:p158 Fig.6说明旁“速度は殆ど変化せず”。译为“速度几乎不再变化”。适用条件是该AlN/SiO₂/Cu/Y-X LN样品中AlN厚度约0.5λ以上,不是所有高速材料的普遍饱和定律。

工作模态与速度身份:Fig.6显示频率随AlN增加趋于约0.478 GHz,Fig.7在谐振附近仍有杂散。结论所说AlN横波速度高于SiO₂,只直接比较两材料,不能替换成AlN相关体波高于实际工作相速度。未给AlN织构、密度及对应体波分支的完整数据;Fig.3是约1.05λ零TCF理论点位移,不能挪用到0.225λ实验。

证明作用与反驳:A为有限夹层、Cu和工作谐振;C为高速覆盖层及增厚趋稳启示;R为杂散和电极依赖。N4增加了其他切型、LT、表面负载试验和参数窗口,不把两版本当作两条独立技术路线。N3已早期披露的0.225λ不需要凭N4摘要反向猜测。

N16 同链IEEE会议扩展及其新增内容

题录与公开:K. Yamanouchi, Y. Satoh. Theoretical and Experimental Results of Flat Phase Linear-Wide Band–Low Loss Filters Using Dispersive Unidirectional Interdigital Transducers on Y-X LiNbO3 and New Acoustic Boundary Waves. 2007 IEEE Ultrasonics Symposium, 2099–2102, P4K-2。已核四页出版版及2007 IEEE页脚;原文入口:https://engineering.purdue.edu/oxidemems/conferences/ultrasonics2007/DATA/P4K-2.PDF 。

真实结构与参数:p2101 Fig.12为AlN/SiO₂/Cu/Y-X LN共振器涂覆3 μm光刻胶前后比较;p2102 Fig.14的滤波器则为AlN/SiO₂/TeO₂光栅/Al/Y-X LN,包含不同的第一和第二模态。没有把全部厚度与目标Cu共振器统一。

原文证据与贡献:依据Fig.12和Fig.14的结构及响应。A限于各自图示器件;C为同一研究链已有实际滤波与外界负载研究,不仅是抽象几何;R为不同器件的TeO₂光栅与模态不可移用。仍没有AlN厚机械承载证据,也不能把此滤波性能填入N4的Cu共振器。该版本与N3、N4一起计为一个连续研究链,而非第三条独立结构。其参考文献IEICE US2007-39尚未取得,不作为已核原文。

N9 蓝宝石与LT同一模型中的直接声速关系

题录与公开:Ken-ya Hashimoto, Tatsuya Omori, Masatsune Yamaguchi. Extended FEM/SDA Software for Characterising Surface Acoustic Wave Propagation in Multi-Layered Structures. 2007 IEEE Ultrasonics Symposium, 711–714. DOI https://doi.org/10.1109/ULTSYM.2007.183 。已核四页出版版,2007 IEEE页脚和连续页码证实为明确早于基准日的论文集版本。

原文入口:https://engineering.purdue.edu/oxidemems/conferences/ultrasonics2007/DATA/8E-6.PDF 。

真实结构与参数:p712模型为无限长Al IDT/42°YX-LT/半无限蓝宝石,LT厚度H=5p或10p,理想平面均匀键合。Al厚h=0.0p、宽w=0.5p是原文值,不能擅自改成0.01p;因而是零质量的电极理想化。另比较45°和48°LT切角,未见蓝宝石晶向的完整独立指定。

原文短引与定位:p712 “the SAW velocity is smaller than the BAW velocities in sapphire. Accordingly, the propagating SAWs are non-leaky”。译为“SAW速度低于蓝宝石中的体波速度,因此传播SAW非泄漏”。该段限定所计算的频率范围并给Re(Y)=0,是同一模型工作波与支撑体波的直接比较,不是材料名称推测。

速度与λ身份:VB=4226 m/s是LT沿面的快横体波,不是蓝宝石体波。文中既把p称为IDT周期,又出现每周期2p及Y(2π/p,ω)等表述,图使用fp/VB。为避免符号混用,本报告不据此输出绝对工作相速或把H=5p换为某确定λ数;直接声速不等式不依赖这一步强制换算。

证明作用与等级:A为该LT/蓝宝石两层模型的定性速度关系与非泄漏;C为指定支撑、切型与多层计算方法的适配启示;R为LT内部快、慢横波驻波杂散及切角敏感。非泄漏与内部杂散可同时存在,杂散不能倒推出支撑速度关系错误。

边界与最强反驳:pp713至714另研究SiO₂/Al IDT/42LT覆盖结构,SiO₂为0.1p,但不是前一LT/蓝宝石中添加埋置SiO₂。把这两个章节拼成目标三层结构将改变原文方案。加入有限夹层、界面IDT与实际金属质量之后,需重新求解分支与辐射条件。相较N10,本篇对支撑材料及速度更直接,对目标层序却更远。

N11 有条件的导波理论与金属负载教导

题录与公开:Yiliu Wang, Ken-ya Hashimoto, Tatsuya Omori, Masatsune Yamaguchi. Change in piezoelectric boundary acoustic wave characteristics with overlay and metal grating materials. IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control 57(1), 16–22, January 2010. DOI https://doi.org/10.1109/TUFFC.2010.1373 。本轮已核七页出版版;刊期首页与PubMed记录 https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/20040421/ 明确早于截止日。

实际作者公开全文条目:https://www.researchgate.net/publication/224093780_Change_in_piezoelectric_boundary_acoustic_wave_characteristics_with_overlay_and_metal_grating_materials 。

真实结构与理论边界:p17 Case 1为两半无限体,上层各向同性,下层6mm压电体,c轴平行界面且垂直传播,讨论纯SH。p18 Case 2另有有限中间介质及两侧半无限体。其数值器件图3主要为半无限SiO₂/金属周期栅/半无限YX-LN,不是有限SiO₂再加第三高速承载体的完整数值验证。

原文短引与定位:p17 “The PBAW velocity Vm should be less than both VB and VB′”。译为“PBAW速度Vm应低于VB及VB′两者”。在该纯SH模型中,实际速度超过相关阈值会使解出现泄漏;此句不是任意各向异性LN混合模态的无条件总定理。

有限三介质的具体教导:p18 Case 2明确提出SiO₂夹层配Si、Al₂O₃或Si₃N₄上层,通过选取中间层厚度使相应递推项改变符号,可扩大模式存在范围及耦合。原文同时指出SiO₂为约一个波长量级且性质对厚度敏感。这是实际三介质适配启示,不应遗漏;但“一波长量级”不是精确排除所有0.5λ点,也不能直接替代D1的0.15λ至0.5λ参数验证。

电极与速度参数:p18 Fig.3明写IDT周期2p=λ、金属化率0.5。p19 Fig.4用Vr=2frp与Va=2fap表示谐振和反谐振有效速度。SiO₂剪切体波为3766 m/s,LN慢剪切为4030 m/s。Au增厚降速,SH分支非漏阈约0.026λ,两模式均非漏的临界金属厚度hc约0.042λ;p20 Table II给Au、W、Cu的hc分别0.042、0.055、0.125λ。这些是金属厚度,不是SiO₂厚度。

证明作用与等级:A为给定模型的相关体波关系和数值结果;D为D1真正受导语义的条件性理论解释;C为重金属、有限夹层与第三介质的明确适配方向。未直接验证D1指定支撑结构的全部参数,不足以把Au阈值原样搬到有限SiO₂三介质结构。

边界与反证:p18直接用高速上覆材料时SH模式约4400 m/s,高于LN慢剪切约4030 m/s,可向压电侧漏能;高速支撑不保证整个器件双侧无泄漏。Fig.7在Au 0.1λ和0.2λ时,SiO₂衰减深度仍约1.6λ和1.2λ,不能把0.1λ至0.5λ有限SiO₂当作半无限体。W与Ta还伴随电阻代价。R标记限制的是迁移条件,不额外加入权利要求1必须完全无泄漏的限制。

N13 模式出现与非泄漏阈值不能混同

题录与公开:K. Hashimoto, Y. Wang, T. Omori, M. Yamaguchi, M. Kadota, H. Kando, T. Shibahara. Piezoelectric Boundary Acoustic Waves: Their Underlying Physics and Applications. 2008 IEEE Ultrasonics Symposium, 999–1005. DOI https://doi.org/10.1109/ULTSYM.2008.0242 。已核七页出版版与2008刊载信息。原文入口:https://engineering.purdue.edu/oxidemems/conferences/ultrasonics2008/files/IUS2008-000021.pdf 。

真实结构与参数:p1001 Fig.3为SiO₂/Cu栅/−5°YX-LN的SH分支,h/(2p)>0.035为出现条件,>0.085才为非泄漏条件;金属厚度与介质厚度不能互换。p1002 Fig.5在w/p约0.42时两种模式耦合,说明占空比不能被忽略。

原文短引与定位:p1001 “The PBAW is only non-leaky when h/2p >0.085”。译为“仅当h/2p>0.085时,该PBAW才不泄漏”。

有限层与贡献:p1001讨论有限SiO₂夹层约一波长量级并对厚度敏感;p1003 Fig.7在Au 0.04λ时SiO₂约0.75λ才接近速度饱和。A为具体模型结果,C/D为设计和解释;R为模式耦合及厚度敏感。没有目标清单承载体的完整同实例。该文与N11为连续研究链,不作为互相完全独立佐证;0.75λ也不是所有带第三高速层结构的普遍厚度下限。

N1 保留埋置SiO₂的键合与杂散动机

题录与公开:B. P. Abbott, J. Chocola, K. Lin, N. Naumenko, J. Caron. Characterization of Bonded Wafer for RF Filters with Reduced TCF. 2005 IEEE Ultrasonics Symposium, Vol.2, 926–929. DOI https://doi.org/10.1109/ULTSYM.2005.1603002 。已核四页出版版及2005 IEEE页脚,J-GLOBAL卷期记录亦一致;不以当前机构上传日作2005公开证明。

原文入口:https://engineering.purdue.edu/oxidemems/conferences/ultrasonics2005/DATA/H5H_4.PDF 。

真实结构与角色:p926 Fig.1为表面IDT/LT/埋置SiO₂/Si支撑,氧化物沉积于LT以实现共价键合。Si承担支撑但不在目标支撑材料清单中。工作波称LSAW,未给可直接用于指定蓝宝石支撑的体波分支、晶向以及完整金属和LT切型参数。

核心参数与λ:Fig.1中p对应相邻指条间距,Fig.2、3用h/(2p),正文关于一个波长厚度的叙述与横轴约1相符,故普通交替指基波下λ=2p有图文支持,列为B解释而非原文直接方程。Fig.6扫描hox/(2p)=0至2,LT=8.8p即约4.4λ,扫描覆盖目标0.1λ至0.5λ。Fig.4氧化层为2p即约1λ,不能误写成0.5λ。

原文短引与定位:p928 “The primary purpose of the SiO2 is enabling the bond.” 译为“SiO₂的首要用途是实现键合”。p927 Fig.4显示所比较氧化层可降低杂散幅度;p928 Fig.6主要显示频率随氧化层厚度变化,不能据此声称目标区间每点的杂散幅度都最优。

证明作用与反驳:A为埋置SiO₂结构及键合目的,C为在D1结构中保留有限夹层的具体理由;B仅用于归一化解释。p928至929实测Q仍有杂散陷波,另有晶圆翘曲问题,标R。把Si替换蓝宝石、表面IDT改为界面IDT均需新的声学兼容性分析,不能当作原文已经完成。

N2 蓝宝石机械支撑的选择依据

题录与公开:M. Miura, T. Matsuda, M. Ueda, Y. Satoh, O. Ikata, Y. Ebata, H. Takagi. Temperature Compensated LiTaO3/sapphire SAW Substrate for High Power Applications. 2005 IEEE Ultrasonics Symposium, Vol.1, 573–576. DOI https://doi.org/10.1109/ULTSYM.2005.1602917 。已核四页出版版与2005 IEEE页脚,作为明确早于截止日的论文集版本。

原文入口:https://engineering.purdue.edu/oxidemems/conferences/ultrasonics2005/DATA/E5E_2.PDF 。

真实结构与核心参数:表面IDT/LT/表面活化键合纳米非晶界面/蓝宝石支撑。实测LT厚度10至40 μm。pp574至575 Fig.2、3表明约0.5至2 nm非晶界面时键合较强,但界面材料不能直接指定为SiO₂,更不是0.1λ至0.5λ的膜。电极几何、传播方向及相关体波分支未充分报告,不据工作频带反推精确相速度。

原文短引与定位:p574 “sapphire is an ideal material for the support substrate.” 译为“蓝宝石是理想的支撑基板材料”。p574 Table 1比较玻璃、Si、蓝宝石和LT;蓝宝石弹性模量470 GPa、导热率42 W/(m·K)、电阻率大于10的12次方 Ω·m。此处是刚度、热与电学动机,不是体波声速证明。

证明作用与反驳:A为蓝宝石真实支撑角色,C为选材及室温键合制造。p575 Fig.4显示LT越薄,界面反射杂散越强,40 μm时实用抑制;表面活化不足或过度导致粗糙化也会降低键合强度。R限制是薄化和界面质量,不否定蓝宝石支撑。缺埋置有限SiO₂,故对完整三层速度关系仍未闭合。

N5 蓝宝石支撑后续器件与界面反射

题录与公开:Michio Miura, Shogo Inoue, Jun Tsutsumi, Takashi Matsuda, Masanori Ueda, Yoshio Satoh, Osamu Ikata, Yasuo Ebata. Temperature Compensated SAW Devices Using Bonded LiTaO3/Sapphire. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems 127(8), 1161–1165, 2007. DOI https://doi.org/10.1541/ieejeiss.127.1161 。已核日文五页正文及英文扩展摘要;出版页记2007年8月1日发行,2007年9月1日上线J-STAGE,均早于基准日。

原文入口:https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/127/8/127_8_1161/_pdf ;日期入口:https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/127/8/127_8_1161/_article/-char/en 。

真实结构与参数:表面IDT/42Y-X LT/直接键合蓝宝石。p1163第3节谐振器LT=37 μm≈18λ,蓝宝石250 μm;第4节双工器LT=40 μm≈20λ,均不是SiO₂厚度。p1162 FEM采用蓝宝石R面,c轴投影线45°方向与SAW传播方向一致;不能未经证明移用到N9或沉积Al₂O₃。

原文短引与定位:p1163 “LiTaO3 基板の厚さは 37 µm(約 18λ)”。译为“LT基板厚度为37 μm,约18λ”。Fig.5明确λ为SAW波长,缺完整IDT厚度和周期以复算精确相速。

证明作用与反驳:p1162 Table 1及Fig.2说明高刚性蓝宝石允许LT保持较厚而仍可温补;Fig.3至5分析界面反射杂散,LT约≥10λ时杂散可降至约2 dB以下。A为支撑角色与明确方向,C为选材和器件制造,R为界面反射及薄化代价。厚LT不是权利要求1的当然排除项;但其表面声能位置与D1界面导波不同,且没有埋置有限SiO₂。N2和N5作为同一发展链使用,不重复夸大独立佐证。

N12 界面电极和有限氧化物的低温键合

题录与公开:H. Majjad, V. Laude, S. Ballandras. Low Temperature Bonding of Interface Acoustic Waves Resonators on Silicon Wafers. 2005 IEEE Ultrasonics Symposium, 1307–1310。已核四页出版版与2005 IEEE页脚。本文所核PDF未印DOI,本报告不猜测补造。

原文入口:https://engineering.purdue.edu/oxidemems/conferences/ultrasonics2005/DATA/K5K_4.PDF 。

真实结构与参数:Si(100)晶圆约0.25 mm/SiO₂ 0.4 μm/埋入LN表面的Al IDT/LN晶圆约0.5 mm,LN取Y-cut或128°Y-cut。Fig.1、5、7说明界面氧化物、凹入电极和背面接点通孔;125 ℃退火5小时完成键合,未去除LN原基板,也未实际实现文末拟扩展的LT器件。

λ与厚度范围:摘要pitch为10、20或30 μm,模型Al厚50至200 nm。即使保守以最小pitch 10 μm直接当λ,0.4/10=0.04仍低于0.1;若λ=2pitch,则为0.02。不能据该文主张目标厚度点,也不能以纯Si代替权利要求列举材料。

原文短引与定位:p1308 “air gaps should be avoided”。译为“应避免气隙”。Fig.3无空隙时只有一个低损耗模态,Fig.4电极上方气隙引入局部陷获寄生模式;结论称制造优化仍在进行,以消除空洞。

证明作用与反驳:C为界面电极、有限SiO₂和低温键合能够共同制造的具体背景;D为工艺方法;R为气隙导致模式改变。它不闭合目标材料与厚度,却使“理想层序一定可制造”的推断受到实证约束。该论文在不同检索路径重复取得,全文统计只计一次。

N14 模态转化与泄漏的反向限定

题录与公开:Natalya Naumenko. Transformation of Surface Acoustic Waves into Boundary Waves in Piezoelectric/Metal/Dielectric Structures. 2009 IEEE Ultrasonics Symposium, 2635–2638. DOI https://doi.org/10.1109/ULTSYM.2009.5441706 。已核四页作者稿及会议页码,2009论文集目录与题名对应:https://www.proceedings.com/content/007/007493webtoc.pdf 。所用为已核作者稿,不把其与未核出版修订完全等同。作者公开条目:https://www.researchgate.net/publication/224128828_Transformation_of_surface_acoustic_waves_into_boundary_waves_in_PiezoelectricMetalDielectric_structures 。

真实结构与核心参数:128°YX-LN/均匀Cu/SiO₂,Cu固定0.2λ;SiO₂增加至约1.5λ时相关分支转为边界波,而较高分支仍会泄漏。Fig.1的BAW1为SiO₂剪切,BAW2、BAW3为LN慢、快剪切极限体波,不是任意方向的材料常数。均匀Cu膜不是实际IDT栅的全波器件。

原文短引与定位:作者稿第2页 “do not transform into BWs because of energy leakage into SiO2 half-space”。译为“由于能量向SiO₂半空间泄漏,并不转化为边界波”。

证明作用与反驳:A为其模型中的模式转化与泄漏,D为跟踪分支而非只看名称的原理,R为切型、开短路及模式耦合。该反例不否定所有有限三介质结构,也不把1.5λ当作目标夹层的必要厚度;它削弱的是无条件“表面波加覆盖即受导且不漏”的推论。

N15 形式色散根与真实衰减解的区别

题录与公开:B. Collet, M. Destrade. Piezoelectric Love Waves on Rotated Y-cut mm2 Substrates. IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control 53(11), 2132–2139, November 2006. DOI https://doi.org/10.1109/TUFFC.2006.153 。已核八页出版版及2006年11月刊期。作者机构原文:https://maths.universityofgalway.ie/~destrade/Publis/destrade_30.pdf 。

真实结构与参数:有限m3m介电层/半无限mm2压电体,上自由面金属化短路。Ge/KNbO₃例旋切50.08°,kh=0.1131达到极限速度,至0.9410前没有真实传播波。此处kh不能直接作h/λ。

原文短引与定位:p2138 “a forbidden band of frequencies is predicted”。译为“预测出现禁频带”。pp2135及2138强调形式色散根仍须满足衰减检验。

证明作用与反驳:D为各向异性分支与衰减条件的严格背景,R为截止和禁带。材料不是目标LT、LN或Al₂O₃,故它不是D1某一具体方案不可能的直接反证;用途仅是阻止将纯SH标量公式或任意剪切体波值无条件套入目标多层结构。

五 工作声速与层厚的强制核验

1 两个不等式分别证明

高声速支撑命题比较支撑的相关体波与器件实际工作分支相速度。低声速膜命题比较低速膜体波与压电体相关体波。这两个不等式并不相同,不能由“支撑比SiO₂快”替代前者,也不能额外要求工作相速低于SiO₂体波作为权利要求1的一般限定。

N11的YX-LN模型给出SiO₂剪切体波3766 m/s与LN慢剪切4030 m/s,直接支持该模型下低速介质与压电体的对应关系。N9则直接比较其LT/蓝宝石模型工作SAW与蓝宝石BAW,支持支撑侧命题。两条事实分别成立,并不允许把两个不同结构合并成同一器件已经证明两项关系。

实际速度名称也须区分。N10的Vsc与Voc是理论短路、开路速度;由实验频率乘以波长得到的是有效工作速度估计。N4的自由与金属化速度用于机电耦合计算,不是支撑快、慢体波;N9的4226 m/s是LT快横体波而非蓝宝石数值;N11的Vr与Va是谐振和反谐振有效速度而非群速度。

2 受导波能够推出什么

在均匀各向同性、无损半空间,采用纯SH、实频率ω和实面内波数k,并令支撑侧位移按exp(−qz)衰减时,有q²=k²−ω²/cT²。若同一支撑中非零SH场满足q>0,则v相=ω/k<cT。这是可复核的条件性物理推导,不依赖先找到一组实测声速数字。

但把此标量推导扩展到LT、LN和蓝宝石的各向异性、压电耦合、混合偏振、周期金属负载及有限厚度外体,必须核实际部分波根及辐射通道。某分量衰减、有限深度中的幅度下降或较高Q不足以证明所有耦合部分波均倏逝。相反,对称性解耦可能使一个开放通道的幅度为零,也不能机械要求相速度低于所有方向的任意体波。

因此,D1的导引与双向衰减不是无用文字;它可以构成确定隐含论证的核心。但是欲将其用于指定Al₂O₃结构,应说明所援方案为何属于上述真正受导条件,以及所比较的体波为何是该模式实际关联的分支。若这一点依靠修改电极、切型或层厚才成立,论证性质已经变为适配,不再是D1未改动方案的必然属性。

3 厚度与周期的可复算清单

D1[0042]的层系统0.1λ至1λ、优选0.15λ至0.5λ已经与目标范围重合;当金属嵌入而不突出时,层系统优选等于介电层厚度。必须核对所援引材料、电极布置与这项条件共同适用,不应重新制造一个厚度缺口。

N10实验明确λ=4 μm,SiO₂约1 μm,故h/λ≈1/4=0.25;Al₂O₃厚度>3.5 μm只保证>0.875λ,并不证明已经达到D1举例的至少3λ。其理论SiO₂=2 μm、波长接近4 μm仅支持约0.5λ,不能把约数当严格端点。0.94 GHz×4 μm≈3760 m/s是本报告算术估算,未加入图读数精度以外的有效数字。

N3及N4最稳实测点直接以λ归一化:SiO₂=0.225λ,Cu=0.04λ,AlN=0.84λ;N4图13约1.8 μm SiO₂和6.7 μm AlN与约8 μm波长相容。图15、17的0.2λ与正文0.225λ冲突应原样记录,不把两者融合成一个精确参数。

N1的h/(2p)和图文支持普通交替指基波λ=2p,但这是由图文联合得到的B等级解释;图4氧化物2p=1λ,不是0.5λ。图6扫描覆盖目标区间,只直接显示频率变化,不能据此断言每一点都达到最佳杂散抑制。

N5的37 μm≈18λ和40 μm≈20λ是LT厚度,不是SiO₂厚度。N12的0.4 μm氧化层即使以最小pitch 10 μm直接作λ,比例也只有0.04;若λ=2pitch则为0.02,均不能命中下限0.1。

N9同时出现p为IDT周期与每周期2p的描述,故本报告保留H=5p或10p原量,不强行换算LT厚度或绝对速度。N11明确2p=λ,可用于该文自己的参数计算,不能反向改写其他文献p定义。任何kh数据必须先确认k=2π/λ后再除以2π,不能直接把kh当h/λ。

4 外层增厚为什么不是简单几何翻转

声学隔离厚度与机械承载厚度是两种要求。N4在AlN增厚至约0.5λ以后显示频率趋于饱和,N10建议继续增加外层以减弱外界扰动;二者说明外表面逐渐退出有效声场的方向有依据。D1[0064]则已经允许在介电层上形成足够厚的第二基板层或层序,例如至少3λ,并由[0073]说明机械稳定目的。

将这些内容结合,可以提出有文本基础的增厚支撑路线,而非凭器件图朝向猜测。尚未解决的是同一材料形态下的全分支连续性、厚层应力与完整性、实际承载条件。N10沉积Al₂O₃未明确等同某一单晶蓝宝石晶向;N4的AlN厚层饱和也不自动是Al₂O₃的饱和。因此现阶段属于较强具体启示,不能升级为已完成全部工程验证。

 

六 特征对照表

表1结论:D1已有支撑角色、材料选项、夹层和重合厚度;N10与N3/N4补强有限夹层声学兼容性;N9直接给蓝宝石速度关系,却缺埋层。最薄弱处仍是同一支撑方案内的连接。“直接”“推导”“未公开”“待核”仅按所援具体方案判定。

特征与结论

D1

N10 Al₂O₃路线

N3与N4 AlN路线

N9 LT与蓝宝石

N11 模式与负载

支撑材料与角色

直接:Al₂O₃选项[0034];足够厚第二体及机械支撑[0064][0073]。具体组合仍需核。

直接:沉积Al₂O₃覆盖膜。未公开:机械承载转换。p1887–1888。

直接:AlN高速覆盖膜。未公开:机械支撑。N4 Fig.1、12–14。

直接:半无限sapphire承载侧理论模型。p712。

直接:Case 2列Al₂O₃、Si₃N₄等上层。实际承载工艺未公开。p18。

低速膜材料与位置

直接:SiO₂介电层、界面层系及键合。[0018][0037]。

直接:Al₂O₃与LT之间有限SiO₂。理论及实验须分开。p1887–1888。

直接:AlN与LN/LT之间SiO₂。N4 Fig.1、12–17。

未公开:所援LT/sapphire模型无SiO₂。后节帽层不能拼入。pp712–714。

直接:Case 2有限SiO₂三介质教导;Fig.3数值为半无限SiO₂。p18。

LT或LN压电体

直接:LT/LN;有生长压电层及去基板选项。[0032][0033]。

直接:实验36°YX-LT;理论42°YX-LT。不得互换。

直接:稳点0°YX-LN;另128°LN、36°LT。模式与厚度各异。

直接:42°YX-LT,另比较45°及48°;H=5p/10p。p712。

直接:数值YX-LN;纯SH理论另有6mm假设。pp17–18。

IDT位置和边界

直接:压电体与介电层界面梳状电极;嵌入条件须保留。[0005][0018][0042]。

直接:Au在LT/SiO₂界面。理论连续Al近似不等于同实验。p1888。

直接:Cu在压电体/SiO₂界面;0.04λ稳点。N4 Fig.12–14。

直接:LT外表面Al IDT,h=0.0p理想化;非界面栅。p712。

直接:周期金属栅,2p=λ、占空比0.5;不能把均匀层理论混同。Fig.3。

0.1λ至0.5λ及λ定义

直接:优选0.15–0.5λ;金属不突出时层系优选等介电层。λ与激励周期适用性待进一步说明。[0042]。

推导:实验1 μm/4 μm≈0.25;理论2 μm/约4 μm≈0.5,非严格端点。p1888。

直接:SiO₂0.225λ;λ为波长,绝对IDT几何未完整。N4 Fig.12–14;其他样品图文冲突保留。

未公开:无埋层。p定义存在歧义,保留H=5p/10p,不强制换算。

未直接验证目标三介质区间:有限SiO₂约波长量级讨论;金属hc非介质厚度。pp18–20。

高低声速关系

直接:导引、双向衰减及体波层级。推导须锁定模式、方向和辐射分支。[0015–17]、权38–39。

推导:实测工作v≈3760 m/s;待核同材料形态支撑相关体波。理论4090/4199不得移作实验。

直接:AlN比SiO₂快及边界工作响应;待核实测分支与AlN体波完整对应。

直接:同计算频段SAW<sapphire BAW。VB=4226为LT,非sapphire。p712。

直接:给定模型SiO₂剪切3766<LN慢剪切4030;纯SH非漏条件明确。未闭合D1支撑全结构。


 

七 候选组合及结论

表2比较本轮新增非专利文献支持的创造性适配路线,不取代D1单篇新颖性解释。各路线均应先固定一个具体材料形态、厚度点及工作分支;本表排序兼顾证据链长度、改动量和可核依据,不代表法律成功概率。

论证要素

路线A D1加N10

路线B D1加N3及N4

路线C D1加N9及键合研究

D1起点

Al₂O₃第二基板、LT/LN、界面IDT及SiO₂;[0064]可沉积足够厚层,例≥3λ;[0073]机械稳定。

相同层系及沉积支撑路径,但D1[0034]未明列AlN,需要论文给出具体材料选择。

D1明列Al₂O₃及有限SiO₂。N9为LT/sapphire实际工作速度关系,N2/N5为支撑工程动机。

实质差异

N10为覆盖膜而非支撑,实际厚度仅>0.875λ;实际模式与支撑体波对应未定。

AlN覆盖膜需增厚并承担支撑;须证明选材、织构、工作分支和机械完整性。

N9无埋SiO₂且表面零质量IDT;N1为Si支撑;需跨层位、材料及电极边界适配。

论文具体教导

同材料Al₂O₃/约0.25λ SiO₂/Au/36°LT实测,继续增厚隔离层可减弱表面响应。

AlN .84λ/SiO₂ .225λ/Cu .04λ/0°LN实测;AlN>.5λ后频率近饱和,涂胶响应变化小。

N9直接SAW<sapphire BAW;N2/N5支持蓝宝石刚度、温补和键合;N1说明保留埋氧键合及杂散动机。

具体改动

按D1既有工艺选Al₂O₃;保留有限SiO₂及薄Au界面条件,增加高速层到足够厚。必要时才安排压电体减薄。

将第二侧选为AlN,采用N4稳健Cu/SiO₂/LN窗口,按D1沉积支撑方向增厚。

由LT/sapphire两层加入有限SiO₂,并采用与D1兼容的实际界面IDT;不把各论文原方案称为一个已披露实施例。

组合动机

D1已有机械稳定与低速层导引目的;N10给有限夹层声学相容及表面隔离依据,改动较少。

N4给高速层隔离与厚度饱和,AlN为目标允许材料;须从技术效果而非目标答案说明选择。

蓝宝石刚度、导热及电阻率有具体取舍;SiO₂保留有键合理由,但需要同时满足声学约束。

模式兼容性

不能将42°LT/Al理论换成36°LT/Au实验;增厚必须跟踪同一WLAW分支及实际辐射阈值。

不得把SH零TCF位移图移至.225λ实测点;AlN饱和不能转称Al₂O₃;切型、电极窗口保留。

N9零金属质量、无夹层条件改变;蓝宝石方向与LT切角、界面栅需同模型重新核验。

预期效果

减少顶面扰动并获得足够支撑厚度;声学方向有依据,机械和完整声速关系尚待证明。

边界波主要响应对远端表面趋于不敏感;不等于已验证承载或所有模式均不辐射。

有望保留蓝宝石较高体波阈值并取得夹层键合作用;新夹层也可能引入杂散或改变模式。

反向证据

N10有残余顶部响应、厚Al响应畸变、慢体波泄漏与多模式;Al₂O₃形态未明。

N4图文阈值不一、其他样品.2/.225冲突、SV/SH切型差异;缺厚AlN应力和承载验证。

N1/N5界面杂散与Q下降;N12气隙寄生模态;非泄漏不等于无杂散。

结论与风险

优先适配路线。具体声学与制造桥梁显著补强,但不是单篇命中,尚待分支连续性与承载闭环。

有价值独立备选。增厚声学依据较直接,但新增AlN选择和机械工程证据不可省略。

支撑声速关系直接而完整层系桥梁较长。可辅助解释和设计动机,不宜拼作最短直接披露。

 

八 证明用途与可继续工作的三项任务

1 单篇解释与多篇组合分开使用

新颖性路线应以D1为单一文件,依其层序、支撑、有限夹层及真正受导条件说明直接或确定隐含公开。N11等可以提供原理解释,但外部文献新增的Au厚度、LN切型、半无限边界或某特定有限夹层点不能补入D1后再称为其直接披露。D1所列选项能否在同一技术方案中相互结合,也应由D1文本与其技术关系回答,不能仅靠材料清单的笛卡尔积。

创造性路线则应明确起点、实质差异、具体改动、改动动机和预期效果。对D1加N10路线,可把技术问题表述为在保留有限键合介质和界面换能条件下,选择兼顾声学约束、外界隔离和机械稳定的第二侧材料与厚度。不要把“得到Al₂O₃支撑及0.1λ至0.5λ夹层”直接写进技术问题,以免把答案预置其中。

组合是否成立不以每一特征分别可找到为终点。N10的同材料层序缩短了桥接距离;D1[0064]减少了新增制造步骤;N4的增厚饱和给出独立AlN路线。相较之下,N9加N1再加N2/N5虽各自有价值,但需要跨越表面SAW与界面波、有限夹层与无夹层、零质量模型与实际栅条等更多变化,优先级较低。

2 任务一 固定最小Al₂O₃适配方案并计算同一分支

需要材料:D1指定方案的Al₂O₃形态及弹性参数;N10实验36°YX-LT、Au 80 nm、SiO₂约0.25λ的完整电极与材料模型;实际厚Al₂O₃从约0.875λ以上增加到至少3λ乃至声学厚层的连续扫描。应跟踪复数色散根、模态极化、能量分布、辐射损耗和与支撑相关的体波阈值,而非只比较某个谐振频率。

期望产出:一个可复核模型、参数出处和误差区间,分别报告支撑体波大于工作相速及低速膜体波小于压电体体波。若同一分支稳定保留且满足条件,可显著提高D1加N10的具体可预期性;若出现模态跳变或额外辐射,则应缩窄参数窗口或转向AlN路线。该计算属于尚未完成工作,本报告未将其写成已执行仿真。

3 任务二 闭合沉积厚层的机械和工艺条件

需要材料:基准日前关于厚Al₂O₃或AlN在该SiO₂/电极/LT或LN层系上形成、应力控制、裂纹与翘曲、界面空隙及承载的原始论文或同期工艺记录;必要时辅以专家意见说明D1[0064]与实际器件工艺如何对应。若所选方案需要LT减薄或去除生长基板,再核这些步骤;不能预设全部路线均须额外转移。

期望产出:证明指定高速材料不仅是声学覆盖层,而且能在同一方案中承担第二支撑角色。成功将减少当前最重要的工程桥接;失败也不自动否定D1的全部支撑实施方式,但应停止把覆盖层例当作承载体实证。

4 任务三 完成关键原文和符号补证

优先获取N6、N7、N8合法全文,并解决N9周期符号及蓝宝石晶向信息。N7对金刚石支撑形态和是否存在埋置氧化层尚无全文级结论;N8对蓝宝石/LN工作声支可能有独立价值;N6不能因摘要含0.1λ就升级为完整结构证据。必要时核作者稿、同期论文及可验证的原出版版本。

同时,D1的λ应与IDT实际激励工作波长通过原文、同族一致说明或专家技术解释连接。N11的2p=λ只能作行业和模式背景,不可代替D1自身适用性证明。N4图文冲突宜获取原刊勘误或作者澄清;在解决前只使用没有该冲突的稳健实测点。

5 停止边界

本轮已经形成能继续开展技术论证的证据链、反向限定和剩余任务,不把重复同义词查询当作提高证据等级。未宣称穷尽全部数据库或所有语种;访问受限、摘要级记录、后公开资料和重复研究链在附录分别列出。任何法律提交仍须结合证据形式、公开性证明及案件具体程序要求复核。

附录一 有限证据与重要排除项

N6 LN与SiO₂理论结构仅摘要级

Monika Tomar, Vinay Gupta, Abhai Mansingh, K. Sreenivas. Temperature stability of c-axis oriented LiNbO3/SiO2/Si thin film layered structures. Journal of Physics D Applied Physics 34(15), 2267–2273, 2001. DOI https://doi.org/10.1088/0022-3727/34/15/305 。出版者日期为2001年7月17日。已核题录和摘要,多次完整题名、DOI、作者页码、机构库及PDF查询未取得合法开放全文;下载尝试返回HTML,不计全文。

摘要比较c轴LN/SiO₂/Si和增加SiO₂帽层结构,给上下SiO₂各0.1λ、LN 0.235λ、理论K²=3.45%及零TCD线索。IDT实体、电边界、λ定义、色散分支及材料替换均未全文核实。支撑仍为Si,不在目标清单;不得把理论优化写成器件实测。等级L,只保留参数与引文追索用途。

N7 金刚石种子没有取得全文

E. Dogheche, D. Remiens, S. Shikata, A. Hachigo, H. Nakahata. High-frequency surface acoustic wave devices based on LiNbO3/diamond multilayered structure. Applied Physics Letters 87(21), 213503, 2005. DOI https://doi.org/10.1063/1.2135383 。AIP官方题录与Crossref记录指向2005年11月17日在线、11月21日印刷。合法全文尝试包括DOI、出版者PDF、公开作者条目、题名与HAL定向查询;返回摘要、购买页或HTML,未取得原全文。

摘要称490 ℃磁控溅射LN到多晶金刚石基板,IDT在LN上表面,Rayleigh SAW带通频率>2.30 GHz、相速最高12000 m/s。短引“polycrystalline diamond substrates”仅确认“多晶金刚石基板”这一材料名称,不证明其是否还有其他承载体、埋置SiO₂及所需归一化厚度。缺同一工作分支相关体波与电极参数,不能把最高相速与任取单晶金刚石声速比较。等级L。

N8 LN与蓝宝石理论种子全文受限

T. Nishida, R. C. Ibrahim, T. Horiuchi, T. Shiosaki, K. Matsushige. Theoretical Study on Surface Acoustic Wave Characteristics of LiNbO3 Films on Sapphire Substrates. Japanese Journal of Applied Physics 36, 6077–6082, 1997. DOI https://doi.org/10.1143/JJAP.36.6077 。原期刊9B与当前IOP 9S标签存在版本展示差异,保留卷页标识。出版社及机构目录确认1997年9月刊期,不以收稿或接收日作为公开日。

已尝试出版者HTML与PDF、DOI、精确题名、作者和机构引用链,只得题录及登录/购买页面。摘要线索讨论LN/α-Al₂O₃中膜厚、模式和传播方向,但未核蓝宝石晶向、IDT、有限埋置SiO₂或实际模式与体波比较。不能因题名而标完整命中。等级L;合法取得全文可能提高独立蓝宝石分支的解释力,但目前不改变未闭合结论。

N17 新取全文的一般材料背景

V. Bornand, I. Huet, J. F. Bardeau, D. Chateigner, Ph. Papet. An Alternative Route for the Synthesis of Oriented LiNbO3 Thin Films. Integrated Ferroelectrics 43, 51–64, 2002. DOI https://doi.org/10.1080/10584580190043705 。已核完整2002卷期出版版;收稿2001不是公开日。作者机构原文:https://chateigner.ensicaen.fr/pdf/IF43_51.pdf 。

两步RF溅射/pyrosol形成c轴LN/Si(111)及LN/Al₂O₃(001),无埋置SiO₂;蓝宝石上有两个面内取向变体。p61 Fig.6的5600至3800 m/s为Rayleigh SAW理论趋势,约5700 m/s描述蓝宝石表面声波而非相关体波阈值。p62至63实测430 MHz和约4500 m/s属于LN/Si,并有较高损耗。

短引“Experiments are still in progress on Al2O3 substrates.”译为“Al₂O₃基板上的实验仍在进行”。因此不能把本篇写成已实测蓝宝石完整器件。D为高速承载提升频率及薄化耦合折衷背景,R为面内无序和晶界散射;不填补N8的完整各向异性参数,更不是目标有限夹层命中。

N18 DLC覆盖膜的截止线索

S. Zhgoon, Q. Zhang, S. F. Yoon, A. Revkov, B. Gan, J. Ahn, Rusli. Surface acoustic waves in diamond-like carbon films on LiNbO3. Diamond and Related Materials 9(8), 1430–1434, 2000. DOI https://doi.org/10.1016/S0925-9635(00)00262-4 。出版社日期为2000年8月10日;本轮仅核摘要、引言及章节预览,不计全文。

结构为DLC/SiC缓冲/Y切Z向传播LN;SiC用于解决DLC与复杂氧化物的附着相容性。约2 μm DLC在约538 MHz有截止,IDT位于未覆盖的LN区域,不是DLC承载且无埋SiO₂。短引“cut-off behavior”译为“截止行为”。等级L,兼作有限D/R线索;不能由这一覆盖结构否定所有DLC支撑,也不能把DLC常数当金刚石常数。

N19 金刚石与SiO₂帽层并非埋层

S. Shikata, A. Hachigo, H. Nakahata. Simulation of characteristics of a SiO2/c-axis-oriented LiNbO3/diamond surface acoustic wave. IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control 51(12), 1683–1689, December 2004. DOI https://doi.org/10.1109/TUFFC.2004.1386685 。原论文题录摘要:https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/15690728/ 。2004年12月明确早于截止日,但本文本轮未核全文。

摘要明确SiO₂/IDT/LN/diamond,研究Rayleigh及Sezawa模式;SiO₂是上覆盖温补,不在LN和金刚石之间。12100 m/s和10.1%只适用于该帽层研究,不能移到埋置夹层路线。等级L/D。另合法取得作者2004博士论文并检查目录及相关章节,但未逐页全文精读,也未证当年公开时间,因此不计独立基准日前全文主证据。

其他被保留或排除的来源

Tomar等2001 IEEE IUS论文 Theoretical studies on LiNbO3/sapphire layered structure with SiO2 over layer for zero TCD SAW device applications,DOI https://doi.org/10.1109/ULTSYM.2001.991623 ,摘要为SiO₂帽层0.3λ/LN 0.29λ/sapphire。未取得全文且层位不符;不与N6的LN/SiO₂/Si混为一篇。

Solal 2002 DOI https://doi.org/10.1109/ULTSYM.2002.1193369 及Pastureaud 2007 DOI https://doi.org/10.1109/TUFFC.2007.321 仅核题录或摘要,可作单晶薄层转移发展线索,不冒称全文。Camou等2003关于常见晶体切型的界面波论文,机构PDF返回403,未把索引文本当原文。Yamashita 1997、Kando 2006、Tsai 2004和IEICE US2007-39属于引用链后续来源,未在本轮完成全文核验,不能承担新增直接结论。

Wang 2009 DOI https://doi.org/10.1109/TUFFC.2009.1103 的作者文本可见但本轮未完成下载与逐页核读,不增加全文统计。Darinskii及Weihnacht 2001 Supersonic Love waves,DOI https://doi.org/10.1063/1.1376405 ,仅题录和摘要,特殊慢度面可能构成一般命题反例,仍须原文核验,不升级为目标结构证据。

后公开的Wu等2022 LiTaO₃/SiO₂/sapphire研究,DOI https://doi.org/10.1109/LED.2022.3200418 ,虽更贴近目标层序,只作回溯入口。2011年5月30日东京大学常温接合报道及现代IHP SAW、LN/SiO₂/SiC、2021或2025数值研究均不把新增教导倒推至2010年以前。Naumenko2010会议记录若缺具体版本公开证据,也不以会议日期代替截止日前公开。

SiC、氮化硅、SiON和DLC独立分支本轮没有取得“允许材料承载/有限埋置SiO₂/LT或LN/IDT及完整声速关系”基准日前闭环全文。该句只报告本次检索结果,不等于这些路线不存在。中文和韩文查询未产生新的原始目标全文;日文N5按同一论文计数;技术杂志限定查询未取得可承担该层序和速度证据的基准日前报道。

附录二 本轮实际检索日志

统计冻结:2026-10-23T03:25:45.337862+00:00。仅统计2026-10-23本轮实际记录,不继承前次轮数。

文献相关查询共117次:界面/材料37次,键合/支撑40次,模态/速度40次(其中39次发现或追索、1次题录日期核验)。原query完整字面式共117种;完全相同的字面重复组为0组。该数不是独立技术路线数、命中文献数、去重全文数或工具调用批次数。

全部主查询均为公开网络索引检索,不是IEEE Xplore、CNKI、Scopus等数据库原生检索。命中出版社页、机构库页或DOI不改变这一平台性质。网页打开、原文下载、PDF阅读及既有链接核查另属原文核验,不计查询。

日期口径:before:2011只是发现过滤,覆盖范围仍可能包含2010年12月24至31日;严格截止≤2010-12-23须人工核实际公开日期。未加该运算符的查询也只按逐篇核验纳入。

结果口径:查询和后续证据核查分开记录;并批结果只按批级陈述,不推断单式归因。未得到全文、只获题录或访问失败均不能记作全文。

字面重复与明显重合复核

不同字面式并不表示全部语义独立。下列是明显重合、同篇追索或近似式的例子,非穷尽语义聚类,故不另编造“独立检索式数”。

Q001、Q045:LT/蓝宝石/SiO2与before:2011同一材料发现主题;前者多acoustic,后者加引号,不是独立技术路线。

Q002、Q068:LN/蓝宝石/silica声波和before:2011主题高度重合,前者多phase velocity。

Q003、Q018、Q021、Q024:同一Nishida1997文献的作者、题名、DOI及PDF追索。

Q009、Q015、Q017、Q019、Q022、Q025:同一Dogheche2005金刚石论文的DOI、题名、作者与站点变体。

Q041、Q048、Q058、Q066、Q067:同一Tomar2001论文的题名、材料、文件类型和DOI追索。

Q084、Q093、Q115:Ruile/GBAW非专利研究发现的近似式,限定词和作者拼写有差异。

Q085、Q096、Q097、Q103:同一Wang2010文献的完整题名、缩略题名、DOI和机构站点追索。

Q086、Q094、Q104、Q113:同一Naumenko2009文献的题名、年份页码及站点追索。

Q092、Q114:Darinskii2001超声速Love波的短题名/完整题名变体。

Q073、Q107:法语LN/蓝宝石/硅石声波主题重合,后一式加入LT的OR扩展,非字面重复。

文献相关查询逐项记录

以下Q001–Q117为统一编号,原组内编号只保留作追溯,避免B01/B001混淆。

Q001 界面材料第1条(原号B01;P1)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:11:20.094Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:LiTaO3 sapphire SiO2 acoustic before:2011

过滤:原式含before:2011,仅为发现过滤,未严格排除2010-12-24至31日。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N8、Bornand2002、Tomar2001 SiO2-overlayer及后公开研究/专利。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:Bornand全文保留D/R;Tomar为帽层非埋层;其余后公开或非同一模态。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q002 界面材料第2条(原号B02;P1)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:11:20.094Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:LiNbO3 sapphire silica acoustic wave phase velocity before:2011

过滤:原式含before:2011,仅为发现过滤,未严格排除2010-12-24至31日。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N8、Bornand2002、Tomar2001 SiO2-overlayer及后公开研究/专利。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:Bornand全文保留D/R;Tomar为帽层非埋层;其余后公开或非同一模态。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q003 界面材料第3条(原号B03;P1)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:11:20.094Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Nishida" "6077" sapphire acoustic

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N8题录及摘要;IOP登录/购买页;作者机构题录。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:保留L;没有全文,不以题名证明埋SiO2。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q004 界面材料第4条(原号B04;P1)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:11:21.110Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Al2O3" "boundary waves" "SiO2"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):本批返回结果采用汇总记录,未能独立归因于本式;未取得新的基准日前完整命中。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:后公开、层序或材料不合,或仅有摘要;不计完整命中。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q005 界面材料第5条(原号B05;P3)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:11:21.110Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"acoustic boundary waves" "Yamanouchi" "Satoh"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N3/N4同一研究链;2007 IUS pp2099–2102补充版本;1978/2003/2010界面波引用链。

全文状态:N3及N4与2007 IUS全文已读并保存

筛选/限制:保留有限SiO2+高速AlN覆盖与隔离启示;覆盖不是支撑,Al2O3无独立数值。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q006 界面材料第6条(原号B06;P3)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:11:21.110Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"1.2936901" pdf

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N3/N4同一研究链;2007 IUS pp2099–2102补充版本;1978/2003/2010界面波引用链。

全文状态:N3及N4与2007 IUS全文已读并保存

筛选/限制:保留有限SiO2+高速AlN覆盖与隔离启示;覆盖不是支撑,Al2O3无独立数值。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q007 界面材料第7条(原号B07;P3)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:11:23.416Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"AlN" "SiO2" "LiNbO3" "thickness" boundary wave

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):本批返回结果采用汇总记录,未能独立归因于本式;未取得新的基准日前完整命中。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:后公开、层序或材料不合,或仅有摘要;不计完整命中。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q008 界面材料第8条(原号B08;P3)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:11:23.416Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"boundary wave" "high velocity" "thickness" saturation

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):本批返回结果采用汇总记录,未能独立归因于本式;未取得新的基准日前完整命中。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:后公开、层序或材料不合,或仅有摘要;不计完整命中。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q009 界面材料第9条(原号B09;P6)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:11:23.416Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"1.2135383" pdf

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N7 AIP原摘要、公开日期与Crossref;官方PDF转购买页。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:保留L;LN/多晶金刚石/IDT,未核埋SiO2和承载细节。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q010 界面材料第10条(原号B10;P6)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:11:24.380Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:diamond LiNbO3 SiO2 acoustic before:2011

过滤:原式含before:2011,仅为发现过滤,未严格排除2010-12-24至31日。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N7、Shikata2004模拟、2004学位论文、现代LN/diamond资料。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:SiO2为LN上方温补帽层;学位全文取到但原始公开日待核;不是目标埋层。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q011 界面材料第11条(原号B11;P6)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:11:24.380Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"silicon carbide" "LiNbO3" "SiO2" acoustic before:2011

过滤:原式含before:2011,仅为发现过滤,未严格排除2010-12-24至31日。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):本批返回结果采用汇总记录,未能独立归因于本式;未取得新的基准日前完整命中。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:后公开、层序或材料不合,或仅有摘要;不计完整命中。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q012 界面材料第12条(原号B12;P6)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:11:24.380Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"silicon nitride" "LiNbO3" acoustic before:2011

过滤:原式含before:2011,仅为发现过滤,未严格排除2010-12-24至31日。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):多为后公开器件、专利或无关氮化物/存储器;无核验合格完整结构。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:后公开、层序或材料不合,或仅有摘要;不计完整命中。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q013 界面材料第13条(原号B13;P6)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:11:25.175Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"DLC" "LiNbO3" "SiO2" acoustic

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):Zhgoon2000 DLC/SiC/YZ-LN论文及后公开综述。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:出版社摘要+正文预览;DLC覆盖层且SiC缓冲非SiO2;截止为R。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q014 界面材料第14条(原号B14;P6)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:11:25.175Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"SiON" "LiTaO3" acoustic before:2011

过滤:原式含before:2011,仅为发现过滤,未严格排除2010-12-24至31日。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):多为后公开器件、专利或无关氮化物/存储器;无核验合格完整结构。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:后公开、层序或材料不合,或仅有摘要;不计完整命中。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q015 界面材料第15条(原号B15;P6)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:27.738Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"High-frequency surface acoustic wave devices based on LiNbO3/diamond multilayered structure"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N7 AIP原摘要、公开日期与Crossref;官方PDF转购买页。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:保留L;LN/多晶金刚石/IDT,未核埋SiO2和承载细节。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q016 界面材料第16条(原号B16;P1)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:27.738Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Theoretical Study on Surface Acoustic Wave Characteristics" sapphire pdf

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N8题录及摘要;IOP登录/购买页;作者机构题录。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:保留L;没有全文,不以题名证明埋SiO2。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q017 界面材料第17条(原号B17;P6)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:27.738Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Dogheche" "213503" pdf

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N7 AIP原摘要、公开日期与Crossref;官方PDF转购买页。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:保留L;LN/多晶金刚石/IDT,未核埋SiO2和承载细节。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q018 界面材料第18条(原号B18;P1)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:40.612Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"10.1143/JJAP.36.6077"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N8题录及摘要;IOP登录/购买页;作者机构题录。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:保留L;没有全文,不以题名证明埋SiO2。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q019 界面材料第19条(原号B19;P6)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:40.612Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"213503" "Dogheche" "hal"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N7 AIP原摘要、公开日期与Crossref;官方PDF转购买页。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:保留L;LN/多晶金刚石/IDT,未核埋SiO2和承载细节。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q020 界面材料第20条(原号B20;P3)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:40.612Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Yamanouchi" "boundary" "1978" "384"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N3/N4同一研究链;2007 IUS pp2099–2102补充版本;1978/2003/2010界面波引用链。

全文状态:N3及N4与2007 IUS全文已读并保存

筛选/限制:保留有限SiO2+高速AlN覆盖与隔离启示;覆盖不是支撑,Al2O3无独立数值。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q021 界面材料第21条(原号B21;P1)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:13:12.461Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"LiNbO3 Films on Sapphire Substrates" Nishida abstract

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N8题录及摘要;IOP登录/购买页;作者机构题录。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:保留L;没有全文,不以题名证明埋SiO2。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q022 界面材料第22条(原号B22;P6)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:13:12.461Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"High-frequency" "Dogheche" site:pubs.aip.org/apl

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N7 AIP原摘要、公开日期与Crossref;官方PDF转购买页。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:保留L;LN/多晶金刚石/IDT,未核埋SiO2和承载细节。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q023 界面材料第23条(原号B23;P1)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:13:12.461Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"LiNbO3/sapphire" "SiO2 over" Tomar

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N8、Bornand2002、Tomar2001 SiO2-overlayer及后公开研究/专利。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:Bornand全文保留D/R;Tomar为帽层非埋层;其余后公开或非同一模态。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q024 界面材料第24条(原号B24;P1)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:14:26.826Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Theoretical Study" "Nishida" "sapphire" "pdf"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N8题录及摘要;IOP登录/购买页;作者机构题录。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:保留L;没有全文,不以题名证明埋SiO2。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q025 界面材料第25条(原号B25;P6)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:14:26.826Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Dogheche" "diamond" "213503" -site:tnbgame.com -site:mindat.org -site:researchgate.net

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N7 AIP原摘要、公开日期与Crossref;官方PDF转购买页。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:保留L;LN/多晶金刚石/IDT,未核埋SiO2和承载细节。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q026 界面材料第26条(原号B26;P6)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:14:26.826Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"LiNbO3" "diamond" "2004" "Shikata" theoretical

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N7、Shikata2004模拟、2004学位论文、现代LN/diamond资料。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:SiO2为LN上方温补帽层;学位全文取到但原始公开日待核;不是目标埋层。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q027 界面材料第27条(原号B27;P6)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:14:40.497Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Surface acoustic waves in diamond-like carbon films on LiNbO3"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):Zhgoon2000 DLC/SiC/YZ-LN论文及后公开综述。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:出版社摘要+正文预览;DLC覆盖层且SiC缓冲非SiO2;截止为R。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q028 界面材料第28条(原号B28;P6)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:14:40.497Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Simulation" "SiO2/c-axis" diamond 2004

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N7、Shikata2004模拟、2004学位论文、现代LN/diamond资料。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:SiO2为LN上方温补帽层;学位全文取到但原始公开日待核;不是目标埋层。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q029 界面材料第29条(原号B29;P1)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:14:40.497Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"LiNbO3" sapphire silica boundary before:2011 -site:tnbgame.com

过滤:原式含before:2011,仅为发现过滤,未严格排除2010-12-24至31日。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N8、Bornand2002、Tomar2001 SiO2-overlayer及后公开研究/专利。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:Bornand全文保留D/R;Tomar为帽层非埋层;其余后公开或非同一模态。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q030 界面材料第30条(原号B30;P3)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:14:40.497Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Satoh" "boundary" "Al2O3" 2009

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N3/N4同一研究链;2007 IUS pp2099–2102补充版本;1978/2003/2010界面波引用链。

全文状态:N3及N4与2007 IUS全文已读并保存

筛选/限制:保留有限SiO2+高速AlN覆盖与隔离启示;覆盖不是支撑,Al2O3无独立数值。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q031 界面材料第31条(原号B31;P1)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:15:04.372Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:铌酸锂 蓝宝石 氧化硅 声表面波 2001

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N8、Bornand2002、Tomar2001 SiO2-overlayer及后公开研究/专利。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:Bornand全文保留D/R;Tomar为帽层非埋层;其余后公开或非同一模态。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q032 界面材料第32条(原号B32;P6)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:15:04.372Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"silicon nitride" "LiTaO3" "boundary" before:2011

过滤:原式含before:2011,仅为发现过滤,未严格排除2010-12-24至31日。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):多为后公开器件、专利或无关氮化物/存储器;无核验合格完整结构。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:后公开、层序或材料不合,或仅有摘要;不计完整命中。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q033 界面材料第33条(原号B33;P3)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:15:04.372Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:弾性境界波 多層薄膜 電極 AlN サファイア

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):本批返回结果采用汇总记录,未能独立归因于本式;未取得新的基准日前完整命中。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:后公开、层序或材料不合,或仅有摘要;不计完整命中。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q034 界面材料第34条(原号B34;P6)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:15:04.372Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"SiON" "LiNbO3" "wave" before:2011

过滤:原式含before:2011,仅为发现过滤,未严格排除2010-12-24至31日。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):多为后公开器件、专利或无关氮化物/存储器;无核验合格完整结构。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:后公开、层序或材料不合,或仅有摘要;不计完整命中。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q035 界面材料第35条(原号B35;P3)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:15:59.053Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"New Piezoelectric Acoustic Boundary Waves" USE 2007 proceedings

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N3/N4同一研究链;2007 IUS pp2099–2102补充版本;1978/2003/2010界面波引用链。

全文状态:N3及N4与2007 IUS全文已读并保存

筛选/限制:保留有限SiO2+高速AlN覆盖与隔离启示;覆盖不是支撑,Al2O3无独立数值。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q036 界面材料第36条(原号B36;P1)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:15:59.053Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"LiNbO3/sapphire" "zero TCD" pdf

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):N8、Bornand2002、Tomar2001 SiO2-overlayer及后公开研究/专利。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:Bornand全文保留D/R;Tomar为帽层非埋层;其余后公开或非同一模态。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q037 界面材料第37条(原号B37;P6)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:15:59.053Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"silicon oxynitride" "LiNbO3" acoustic 2009

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原日志记录摘要;同批及后续汇总,不主张各命中独立归因本式):多为后公开器件、专利或无关氮化物/存储器;无核验合格完整结构。

全文状态:混合:题录/摘要/排除项

筛选/限制:后公开、层序或材料不合,或仅有摘要;不计完整命中。

后续:各文献取得状态见本报告相应证据卡;关键未取全文需文献馆际获取,已核实验点需同结构计算

Q038 键合支撑第1条(原号B001;P3/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:11:35Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"Characterization of Bonded Wafer" pdf

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):N1题录、N2 Purdue全文、N5待进一步定位;N6未命中全文

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q039 键合支撑第2条(原号B002;P3/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:11:35Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"Temperature Compensated LiTaO3/sapphire" pdf

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):N1题录、N2 Purdue全文、N5待进一步定位;N6未命中全文

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q040 键合支撑第3条(原号B003;P3/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:11:35Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"Temperature Compensated SAW Devices Using Bonded" pdf

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):N1题录、N2 Purdue全文、N5待进一步定位;N6未命中全文

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q041 键合支撑第4条(原号B004;P3/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:11:35Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"Temperature stability of c-axis oriented" pdf

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):N1题录、N2 Purdue全文、N5待进一步定位;N6未命中全文

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q042 键合支撑第5条(原号B005;P1/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:11:51Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"Abbott" "Reduced TCF" pdf 2005

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):IEEE2005摘要集;N5刊期;Tomar作者履历;现代2022三层回溯线索,后公开排除

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q043 键合支撑第6条(原号B006;P1/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:11:51Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"10.1541/ieejeiss.127.1161"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):IEEE2005摘要集;N5刊期;Tomar作者履历;现代2022三层回溯线索,后公开排除

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q044 键合支撑第7条(原号B007;P1/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:11:51Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"Tomar" "2267" "2001" LiNbO3 pdf

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):IEEE2005摘要集;N5刊期;Tomar作者履历;现代2022三层回溯线索,后公开排除

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q045 键合支撑第8条(原号B008;P1/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:11:51Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"LiTaO3" "sapphire" "SiO2" before:2011

过滤:原式含before:2011,仅为发现过滤,未严格排除2010-12-24至31日。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):IEEE2005摘要集;N5刊期;Tomar作者履历;现代2022三层回溯线索,后公开排除

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q046 键合支撑第9条(原号B009;P3/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:14Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"Temperature Compensated SAW Devices" Miura 1161

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):找到N1 H5H_4与N5 J-STAGE全文;N6出版社2001-07-17摘要;后公开不纳主证据

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q047 键合支撑第10条(原号B010;P3/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:14Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"Characterization" "Bonded" "RF Filters" Purdue

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):找到N1 H5H_4与N5 J-STAGE全文;N6出版社2001-07-17摘要;后公开不纳主证据

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q048 键合支撑第11条(原号B011;P3/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:14Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"Temperature stability" "LiNbO3/SiO2/Si" Tomar

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):找到N1 H5H_4与N5 J-STAGE全文;N6出版社2001-07-17摘要;后公开不纳主证据

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q049 键合支撑第12条(原号B012;P3/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:14Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"LiNbO3" sapphire "oxide interlayer" acoustic

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):找到N1 H5H_4与N5 J-STAGE全文;N6出版社2001-07-17摘要;后公开不纳主证据

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q050 键合支撑第13条(原号B013;P3)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:43Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:sapphire LiTaO3 layer transfer thinning surface activated bonding before:2011

过滤:原式含before:2011,仅为发现过滤,未严格排除2010-12-24至31日。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):Solal2002、Pastureaud2007转移Si文献线索;其他后公开或Si/蓝宝石非LN转移,不计完整命中

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q051 键合支撑第14条(原号B014;P3)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:43Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"piezoelectric film" sapphire "silica layer"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):Solal2002、Pastureaud2007转移Si文献线索;其他后公开或Si/蓝宝石非LN转移,不计完整命中

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q052 键合支撑第15条(原号B015;P3)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:43Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"LiNbO3" sapphire "bonding" "2008"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):Solal2002、Pastureaud2007转移Si文献线索;其他后公开或Si/蓝宝石非LN转移,不计完整命中

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q053 键合支撑第16条(原号B016;P3)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:43Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"Oriented Lithium Niobate Layers Transferred" 2002

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):Solal2002、Pastureaud2007转移Si文献线索;其他后公开或Si/蓝宝石非LN转移,不计完整命中

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q054 键合支撑第17条(原号B017;P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:43Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"bonded wafer" "oxide thickness" SAW spurious

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):N1相关重复及多数无关/后公开;中文日文未新增目标三层主证据,技术杂志未补参数

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q055 键合支撑第18条(原号B018;P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:43Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:サファイア 接合 弾性表面波 中間層 酸化シリコン

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):N1相关重复及多数无关/后公开;中文日文未新增目标三层主证据,技术杂志未补参数

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q056 键合支撑第19条(原号B019;P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:43Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:钽酸锂 蓝宝石 二氧化硅 键合 2010

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):N1相关重复及多数无关/后公开;中文日文未新增目标三层主证据,技术杂志未补参数

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q057 键合支撑第20条(原号B020;P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:43Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:site:microwavejournal.com sapphire SAW temperature compensated

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):N1相关重复及多数无关/后公开;中文日文未新增目标三层主证据,技术杂志未补参数

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q058 键合支撑第21条(原号B021;P1/P3/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:13:13Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"Temperature stability of c-axis oriented" filetype:pdf -site:researchgate.net

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):N6仍摘要;Pastureaud2007;Hashimoto2007新高价值候选,继续追全文;杂志未给目标主证据

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q059 键合支撑第22条(原号B022;P1/P3/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:13:13Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"High-Frequency Surface Acoustic Waves Excited" pdf

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):N6仍摘要;Pastureaud2007;Hashimoto2007新高价值候选,继续追全文;杂志未给目标主证据

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q060 键合支撑第23条(原号B023;P1/P3/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:13:13Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"sapphire" "SiO2" "SAW" "2007" bonded

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):N6仍摘要;Pastureaud2007;Hashimoto2007新高价值候选,继续追全文;杂志未给目标主证据

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q061 键合支撑第24条(原号B024;P1/P3/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:13:13Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:site:mwrf.com sapphire SAW temperature

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):N6仍摘要;Pastureaud2007;Hashimoto2007新高价值候选,继续追全文;杂志未给目标主证据

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q062 键合支撑第25条(原号B025;P1/P3/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:13:42Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"High-frequency surface acoustic waves excited" "pdf" Pastureaud

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):Hashimoto2007 Purdue全文;Pastureaud作者上传线索;N5 J-GLOBAL日期和日文题录

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q063 键合支撑第26条(原号B026;P1/P3/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:13:42Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"Extended FEM/SDA" "2007" pdf

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):Hashimoto2007 Purdue全文;Pastureaud作者上传线索;N5 J-GLOBAL日期和日文题录

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q064 键合支撑第27条(原号B027;P1/P3/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:13:42Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"LiTaO3" "sapphire" "SiO2" "2009"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):Hashimoto2007 Purdue全文;Pastureaud作者上传线索;N5 J-GLOBAL日期和日文题录

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q065 键合支撑第28条(原号B028;P1/P3/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:13:42Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"サファイア" "SAW" "接合" "2007"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):Hashimoto2007 Purdue全文;Pastureaud作者上传线索;N5 J-GLOBAL日期和日文题录

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q066 键合支撑第29条(原号B029;P1/P3/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:13:57Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"Temperature stability of c-axis" Tomar repository

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):N6无新增可下载全文;Torchinsky2008仅LT/LT接合,不补目标夹层;现代专利不计

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q067 键合支撑第30条(原号B030;P1/P3/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:13:57Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"0022-3727/34/15/305" pdf

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):N6无新增可下载全文;Torchinsky2008仅LT/LT接合,不补目标夹层;现代专利不计

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q068 键合支撑第31条(原号B031;P1/P3/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:13:57Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"LiNbO3" "sapphire" "silica" acoustic before:2011

过滤:原式含before:2011,仅为发现过滤,未严格排除2010-12-24至31日。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):N6无新增可下载全文;Torchinsky2008仅LT/LT接合,不补目标夹层;现代专利不计

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q069 键合支撑第32条(原号B032;P1/P3/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:13:57Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"lithium tantalate" sapphire bonding "2004" pdf

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):N6无新增可下载全文;Torchinsky2008仅LT/LT接合,不补目标夹层;现代专利不计

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

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Q070 键合支撑第33条(原号B033;P1/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:14:27Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"LiTaO3/sapphire" "phase velocity"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):2008 Light interaction with leaky acoustic wave radiation全文入口线索待核实;法文多光学论文不纳;无新目标三层主证据

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

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Q071 键合支撑第34条(原号B034;P1/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:14:27Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"LiNbO3" sapphire "buried" SiO2 acoustic before:2011

过滤:原式含before:2011,仅为发现过滤,未严格排除2010-12-24至31日。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):2008 Light interaction with leaky acoustic wave radiation全文入口线索待核实;法文多光学论文不纳;无新目标三层主证据

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

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Q072 键合支撑第35条(原号B035;P1/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:14:27Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"LiTaO3" sapphire "BAW velocities"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):2008 Light interaction with leaky acoustic wave radiation全文入口线索待核实;法文多光学论文不纳;无新目标三层主证据

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

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Q073 键合支撑第36条(原号B036;P1/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:14:27Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:"niobate de lithium" saphir silice ondes acoustiques

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):2008 Light interaction with leaky acoustic wave radiation全文入口线索待核实;法文多光学论文不纳;无新目标三层主证据

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q074 键合支撑第37条(原号B037;P1/P3/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:14:56Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:铌酸锂 蓝宝石 二氧化硅 声表面波 夹层

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):中文多现代专利/标准排除;日文2011-05-30新SAB新闻后公开排除;韩文无有效目标非专利候选

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

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Q075 键合支撑第38条(原号B038;P1/P3/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:14:56Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:サファイア 接合 弾性表面波 酸化シリコン before:2011

过滤:原式含before:2011,仅为发现过滤,未严格排除2010-12-24至31日。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):中文多现代专利/标准排除;日文2011-05-30新SAB新闻后公开排除;韩文无有效目标非专利候选

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

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Q076 键合支撑第39条(原号B039;P1/P3/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:14:56Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:리튬 니오베이트 사파이어 이산화규소 탄성파

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):中文多现代专利/标准排除;日文2011-05-30新SAB新闻后公开排除;韩文无有效目标非专利候选

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q077 键合支撑第40条(原号B040;P1/P3/P5)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:14:56Z。同批工具返回时刻,四查询并批执行。

原查询式:표면탄성파 사파이어 다층 접합 before:2011

过滤:原式含before:2011,仅为发现过滤,未严格排除2010-12-24至31日。

结果(原记录注明本批返回结果合并,不能逐式归因):中文多现代专利/标准排除;日文2011-05-30新SAB新闻后公开排除;韩文无有效目标非专利候选

全文状态:以本报告相应证据卡逐篇实取状态为准

筛选/限制:仅保留基准日前原始文献,后公开/专利/无关项排除;摘要不升全文

后续:见本报告相应证据卡及剩余工作

Q078 模态速度第1条(原号MODE-Q01;P2)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:04.985Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"guided bulk acoustic wave" Ruile Roesler Naumenko

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回GBAW专利与Bayreuth机构题录,未据此新增目标非专利全文。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:主要命中专利与Bayreuth ZnO/Si题录;专利只解释D1不计论文,ZnO/Si无目标材料未作直接证据。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q079 模态速度第2条(原号MODE-Q02;P2)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:05.829Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"boundary wave" anisotropic nonleaky Stoneley piezoelectric velocity

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回多层薄膜/电极/压电基底界面波论文和多件专利;论文结构与用途由证据卡另核。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:按全文结构筛选保留N10至N15;与目标无关和专利未计非专利命中。极化/有限层条件见本报告相应证据卡。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q080 模态速度第3条(原号MODE-Q03;P4)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:07.138Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:LiNbO3 SiO2 copper gold tungsten "boundary" wave velocity Yamanouchi

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回Hashimoto2008原PDF、边界波引用链及后公开论文;保留原始研究链,后公开仅作发现。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:原始论文依证据卡逐篇筛选;专利只作术语和来源链,非技术及晚于基准日结果不纳主证据。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q081 模态速度第4条(原号MODE-Q04;P4)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:07.897Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"boundary acoustic" "electrode thickness" 2005

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回USE会议材料、RF Filter using Boundary Acoustic Wave线索及专利;不将专利计入非专利证据。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:按全文结构筛选保留N10至N15;与目标无关和专利未计非专利命中。极化/有限层条件见本报告相应证据卡。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q082 模态速度第5条(原号MODE-Q05;P7)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:08.766Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:GBAW "wavelength" "period"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回一般周期、波长教学资料等噪声;未新增D1波长定义原始依据。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:原始论文依证据卡逐篇筛选;专利只作术语和来源链,非技术及晚于基准日结果不纳主证据。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q083 模态速度第6条(原号MODE-Q06;P7)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:09.592Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"boundary wave" "leaky" "Naumenko"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回Naumenko2009作者来源及后续多层/周期栅研究链。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:保留Naumenko2009原始作者全文;2010晚期公开日期未验证,2011仅回溯;均匀Cu膜非IDT器件。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q084 模态速度第7条(原号MODE-Q07;P2)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:18Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Ruile" "guided" acoustic waves 2006 2007 -site:patents.google.com -patent

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(并批综合结果,不能逐式归因):同批Q084–Q086:GBAW/Ruile线索、Wang2010与Naumenko2009;原日志未保留逐式归因,后续取全文状态见模式证据卡。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:主要命中专利与Bayreuth ZnO/Si题录;专利只解释D1不计论文,ZnO/Si无目标材料未作直接证据。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q085 模态速度第8条(原号MODE-Q08;P4)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:18Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Change in piezoelectric boundary acoustic wave characteristics"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(并批综合结果,不能逐式归因):同批Q084–Q086:GBAW/Ruile线索、Wang2010与Naumenko2009;原日志未保留逐式归因,后续取全文状态见模式证据卡。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:保留Wang2010正文和图表,原刊Jan2010核实;2009会议版同链去重;半无限SiO2不作有限膜。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q086 模态速度第9条(原号MODE-Q09;P2)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:18Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Transformation of surface acoustic waves into boundary waves" pdf

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(并批综合结果,不能逐式归因):同批Q084–Q086:GBAW/Ruile线索、Wang2010与Naumenko2009;原日志未保留逐式归因,后续取全文状态见模式证据卡。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:保留Naumenko2009原始作者全文;2010晚期公开日期未验证,2011仅回溯;均匀Cu膜非IDT器件。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q087 模态速度第10条(原号MODE-Q10;P2)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:29.805Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"guided bulk acoustic" Konopka dissertation 2008

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回Bayreuth ZnO/Si相关机构题录与GBAW专利;未取得目标器件论文全文。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:主要命中专利与Bayreuth ZnO/Si题录;专利只解释D1不计论文,ZnO/Si无目标材料未作直接证据。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q088 模态速度第11条(原号MODE-Q11;P2)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:30.758Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Acoustic boundary waves propagating along a thin layer"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回早期界面波引用、LN/Si界面激励线索、后公开结构和专利;无目标完整命中确认。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:按全文结构筛选保留N10至N15;与目标无关和专利未计非专利命中。极化/有限层条件见本报告相应证据卡。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q089 模态速度第12条(原号MODE-Q12;P4)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:31.861Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"boundary waves" "tungsten" Yamanouchi

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回Wang2009金属栅研究链、其他器件论文与专利。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:按全文结构筛选保留N10至N15;与目标无关和专利未计非专利命中。极化/有限层条件见本报告相应证据卡。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q090 模态速度第13条(原号MODE-Q13;P4)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:32.622Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"boundary waves" "gold" Yamanouchi

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回边界波专利与无关页面;未确认目标结构新原文。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:按全文结构筛选保留N10至N15;与目标无关和专利未计非专利命中。极化/有限层条件见本报告相应证据卡。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q091 模态速度第14条(原号MODE-Q14;P7)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:33.405Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"boundary wave" "period" "wavelength" Yamanouchi

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回海啸大气边界波等异义结果;不作为本案器件证据。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:按全文结构筛选保留N10至N15;与目标无关和专利未计非专利命中。极化/有限层条件见本报告相应证据卡。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q092 模态速度第15条(原号MODE-Q15;P7)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:34.232Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"supersonic Love waves" 2001

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回Darinskii/Weihnacht2001超声速Love波题录/摘要,未取全文。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:保留Darinskii2001题录/摘要作各向异性反例线索;未取得全文,不作全文主证据。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q093 模态速度第16条(原号MODE-Q16;P2)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:35.094Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"guided bulk acoustic" journal Ruile -patent -site:patents.google.com

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):排除Google Patents后仍返回其他专利站与相关题录;未得目标原始论文。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:主要命中专利与Bayreuth ZnO/Si题录;专利只解释D1不计论文,ZnO/Si无目标材料未作直接证据。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q094 模态速度第17条(原号MODE-Q17;P2)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:44Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Naumenko" "2009" "Transformation" "2635" pdf

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(并批综合结果,不能逐式归因):同批Q094–Q096:Naumenko2009、Yamanouchi研究链与Wang2010 DOI定位;原日志未保留逐式归因。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:保留Naumenko2009原始作者全文;2010晚期公开日期未验证,2011仅回溯;均匀Cu膜非IDT器件。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q095 模态速度第18条(原号MODE-Q18;P4)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:44Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Yamanouchi" "boundary waves" "2004" metal

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(并批综合结果,不能逐式归因):同批Q094–Q096:Naumenko2009、Yamanouchi研究链与Wang2010 DOI定位;原日志未保留逐式归因。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:按全文结构筛选保留N10至N15;与目标无关和专利未计非专利命中。极化/有限层条件见本报告相应证据卡。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q096 模态速度第19条(原号MODE-Q19;P4)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:12:44Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Change in Piezoelectric Boundary" "doi"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(并批综合结果,不能逐式归因):同批Q094–Q096:Naumenko2009、Yamanouchi研究链与Wang2010 DOI定位;原日志未保留逐式归因。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:保留Wang2010正文和图表,原刊Jan2010核实;2009会议版同链去重;半无限SiO2不作有限膜。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q097 模态速度第20条(原号MODE-Q20;P4)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:13:25.214Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"10.1109/TUFFC.2010.1373" pdf

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回Wang2010 PubMed、DOI及作者论文来源;刊期2010年1月核实。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:保留Wang2010正文和图表,原刊Jan2010核实;2009会议版同链去重;半无限SiO2不作有限膜。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q098 模态速度第21条(原号MODE-Q21;P4)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:13:25.979Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Analysis of highly piezoelectric non-leaky" Naumenko

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回Naumenko厚金属膜/栅非漏SAW研究线索;与后续2009转模研究区分。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:保留Naumenko2009原始作者全文;2010晚期公开日期未验证,2011仅回溯;均匀Cu膜非IDT器件。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q099 模态速度第22条(原号MODE-Q22;P7)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:13:27.103Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"boundary" wave "leakage" "Yamanouchi" 2007

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回含泄漏等词的异义/后公开资料;原日志未确认新增完整命中。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:原始论文依证据卡逐篇筛选;专利只作术语和来源链,非技术及晚于基准日结果不纳主证据。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q100 模态速度第23条(原号MODE-Q23;P7)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:13:28.406Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"GBAW" "pitch" -site:patents.google.com

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回CPC界面波/GBAW术语分类等材料;不能据其证明基准日前D1指距关系。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:原始论文依证据卡逐篇筛选;专利只作术语和来源链,非技术及晚于基准日结果不纳主证据。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q101 模态速度第24条(原号MODE-Q24;P2)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:13:29.330Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Love waves" "anisotropic" "limiting velocity"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回各向异性层/半空间Love波理论研究链;进一步核Collet/Destrade2006全文。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:保留Collet/Destrade2006理论全文,限制无条件Love类推;Ge/KNbO3非目标器件。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q102 模态速度第25条(原号MODE-Q25;P2)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:14:12Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Piezoelectric love waves on rotated" Destrade pdf

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(并批综合结果,不能逐式归因):同批Q102–Q104:Collet/Destrade2006、Wang及Naumenko作者/机构来源定位;原日志未保留逐式归因。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:保留Collet/Destrade2006理论全文,限制无条件Love类推;Ge/KNbO3非目标器件。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q103 模态速度第26条(原号MODE-Q26;P4)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:14:12Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Change in piezoelectric boundary" site:chiba-u.jp

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(并批综合结果,不能逐式归因):同批Q102–Q104:Collet/Destrade2006、Wang及Naumenko作者/机构来源定位;原日志未保留逐式归因。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:保留Wang2010正文和图表,原刊Jan2010核实;2009会议版同链去重;半无限SiO2不作有限膜。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q104 模态速度第27条(原号MODE-Q27;P2)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:14:12Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Transformation of surface acoustic" site:saw-filters.ru

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(并批综合结果,不能逐式归因):同批Q102–Q104:Collet/Destrade2006、Wang及Naumenko作者/机构来源定位;原日志未保留逐式归因。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:保留Naumenko2009原始作者全文;2010晚期公开日期未验证,2011仅回溯;均匀Cu膜非IDT器件。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q105 模态速度第28条(原号MODE-Q28;P2)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:14:55.792Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:("geführte Volumenwelle" OR "akustische Grenzflächenwelle") (Saphir OR Aluminiumoxid)

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):德语式返回蓝宝石材料商页、一般超声及专利等,无新增目标原始论文。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:德语式无新增目标结构原始论文;材料商页、一般超声、专利、非声学文献排除。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q106 模态速度第29条(原号MODE-Q29;P4)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:14:56.670Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:LiTaO3 LiNbO3 SiO2 Phasengeschwindigkeit Schichtdicke Trägersubstrat

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):德语式发现LT/SiO2传感博士线索,无指定外侧支撑,不作为直接证据。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:德语式发现LT/SiO2传感博士线索,但无指定外侧支撑;未作为直接证据。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q107 模态速度第30条(原号MODE-Q30;P2)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:14:57.579Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:("niobate de lithium" OR "tantalate de lithium") saphir silice ondes acoustiques

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):法语式返回一般材料/光声、标准及后公开研究,无新增基准日前目标结构证据。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:法语式返回一般材料/光声及后公开论文,无新增基准日前同结构证据;排除百科和2019+。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q108 模态速度第31条(原号MODE-Q31;P7)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:14:58.592Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:("onde de Love" OR "onde acoustique guidée") "vitesse de phase" substrat piézoélectrique

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):法语式返回Bragg导波论文线索和一般教学材料;未证明目标结构。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:法语式返回Bragg导波论文线索及一般教学材料;未证明目标结构,教学题/后公开排除。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q109 模态速度第32条(原号MODE-Q32;P2)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:15:40.057Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Highly piezoelectric shear-horizontal-type boundary waves"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回Camou2003机构PDF链接、Hashimoto2008及LN/Si界面波研究;Camou链接403,未作已得全文。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:按全文结构筛选保留N10至N15;与目标无关和专利未计非专利命中。极化/有限层条件见本报告相应证据卡。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q110 模态速度第33条(原号MODE-Q33;P4)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:15:41.266Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Piezoelectric boundary acoustic waves" "underlying physics" pdf

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回Hashimoto2008原PDF、摘要及Wang同链资料;区分出现阈与非漏阈。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:保留Hashimoto2008原PDF,区分出现阈0.035与非漏阈0.085,及占空比耦合;和Wang同链。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q111 模态速度第34条(原号MODE-Q34;P7)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:15:42.152Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Full-wave analysis" "2009.1103"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回Wang2009题录及作者全文网页;本轮未下载PDF,不增加PDF全文数。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:Wang2009原始论文全文网页可见;与2010研究连续,未下载PDF,保留引用链不增加本轮PDF全文数。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q112 模态速度第35条(原号MODE-Q35;P2)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:15:42.992Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Theoretical and experimental investigation of guided acoustic waves in the GHz range"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回作者资料页、题录及后公开资料;未确认目标题名原始全文。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:原始论文依证据卡逐篇筛选;专利只作术语和来源链,非技术及晚于基准日结果不纳主证据。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q113 模态速度第36条(原号MODE-Q36;P2)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:16:20.109Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Naumenko" "Transformation of Surface" "pdf" "2009" -site:patents.google.com

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回Naumenko2009作者全文来源及后续研究链;后公开不纳主证据。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:保留Naumenko2009原始作者全文;2010晚期公开日期未验证,2011仅回溯;均匀Cu膜非IDT器件。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q114 模态速度第37条(原号MODE-Q37;P2)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:16:21.200Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"supersonic Love waves in strong piezoelectrics"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回Darinskii/Weihnacht2001题录/摘要及后续理论文献;未得原全文。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:保留Darinskii2001题录/摘要作各向异性反例线索;未取得全文,不作全文主证据。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q115 模态速度第38条(原号MODE-Q38;P4)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:16:22.296Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Ruile" "Rösler" "guided" symposium -patent -site:patents.google.com

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回Bayreuth机构题录及JASA2008卷册等;未得目标GBAW论文全文。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:主要命中专利与Bayreuth ZnO/Si题录;专利只解释D1不计论文,ZnO/Si无目标材料未作直接证据。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q116 模态速度第39条(原号MODE-Q39;P7)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:16:23.143Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"DE102005055871" "Wellenlänge"

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回既有非原始检索网站;不采用其推论,D1另核原始PDF,未见指距等式。

全文状态:逐候选见本报告相应证据卡;已取得PDF者6篇非专利及D1,另有摘要/题录和失败状态,不统一声称全文。

筛选/限制:返回既有非原始检索网页,不采用其推论;D1已自行核原PDF,未见IDT指距等式。

后续:已追踪相关引用链;未取得原件及剩余问题见模式证据卡。

Q117 模态速度第40条(原号MODE-Q40;P7)

平台:公开网络索引检索;UTC:2026-10-23T03:21:11Z。原日志记录时刻;不扩充未记录的开始/结束时间。

原查询式:"Cavityless Wafer Level Packaging of SAW Devices" DOI

过滤:无独立严格日期过滤;查询内年份/站点/文件类型保持原式。

结果(单式返回提炼;全文取得与技术判断属后续核验):返回2007 IEEE官方摘要集、论文集目录和Bhattacharjee原PDF,核得DOI 10.1109/ULTSYM.2007.474;2025综述仅发现用。

全文状态:原PDF已下载

筛选/限制:确认N10 DOI10.1109/ULTSYM.2007.474、IEEE官方摘要集、2007论文集目录1886;2025综述仅发现用,未计主证据。

后续:补刊期证据到证据卡

法律方法核验查询(另列,不计117次文献查询)

4条均为2026-10-23公开网络索引的CNIPA站点限定查询;原记录未保存精确UTC时刻,不补造。未施加本案文献日期截止,此处核对法律版本和方法而非技术现有技术。

L01 原查询式:site:cnipa.gov.cn 专利法 第二十二条 创造性 现有技术 2020

L02 原查询式:site:cnipa.gov.cn 2025 专利审查指南 修改 2026 1月1日 创造性

L03 原查询式:site:cnipa.gov.cn 中华人民共和国专利法 2008 第二十二条

L04 原查询式:site:cnipa.gov.cn 专利审查指南 直接地 毫无疑义 隐含 公开 新颖性

上述4式的核验结果按组报告,不冒充单式命中:核对2008与2020专利法第22条、2023指南及2025第84号令(2026-01-01施行),并查看CNIPA对对比文件隐含公开的解释。筛选:仅采用官方原文;法律方法说明不替代本案个案法律意见。后续:按具体程序和适用版本由专业人员复核。

原文核验来源:

https://www.cnipa.gov.cn/art/2015/9/2/art_97_28193.html

https://www.cnipa.gov.cn/art/2020/11/23/art_97_155167.html

https://www.cnipa.gov.cn/art/2023/12/21/art_99_189202.html

https://www.cnipa.gov.cn/art/2025/11/14/art_99_202568.html

https://www.cnipa.gov.cn/art/2019/5/9/art_2649_166810.html

文献计数与统一编号对照

编号主表共19篇非专利文献,其中14篇已取得并核读全文,5篇仅有题录、摘要或正文预览。该数与117次查询不是同一统计单位,不表示19个完整命中。

全文:N1、N2、N3、N4、N5、N9、N10、N11、N12、N13、N14、N15、N16、N17。

有限取得状态:N6、N7、N8、N18、N19。

N3/N4/N16属同一研究链;N2/N5连续;N11/N13连续,不能将各版本数当作彼此完全独立路线数。Majjad2005虽重复取得,仅计N12一篇。Shikata博士论文只检查部分章节且公开时间未核,不计全文主证据;D1/T1专利不计非专利数。

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B 高声速支撑基板材料无效检索报告

六语种各40轮检索  在先专利原文核验与贡献分析

检索基准  公开日早于2010年12月24日    报告日期  2026年10月23日

一 结论与证据使用重点

本次筛选保留18组具有材料选用、支撑结构或声学用途贡献的专利文件,并将同族文本归为同一证据组。七种点名材料均有基准日前的相关公开。氮化铝、氧化铝、氮化硅、碳化硅、DLC和金刚石均找到明确的基板或衬底用途;氮氧化硅已有较快声学层和机械承载膜两类证据,尚不能据此认定其作为目标连续高声速支撑基板的完整限定已被单篇公开。

主成分形式已有直接文字依据,重点是D1的三种主成分陶瓷支撑,以及D8、D10、D15和D16的主成分声学层或承载膜。混合材料方面,D18明确允许用所列金属及陶瓷化合物的固溶体或混合物构成支撑部材;其具体配方与目标相应高速条件仍须核实,不能把概括选材等同于任意混合支撑均已验证。

建议首先使用D1论述AlN、Al2O3和SiN支撑选材,使用D13论述SiC高速基板,使用D3论述金刚石与SiO2及LN层序,使用D4至D7论述DLC高速衬底及与LN或LT的关联。SiON分支采用D8、D9、D15及D16,分别说明较快声学层、承载膜、主成分形式及机械选材理由,并保留其结合障碍。

这些结论限定于本次材料特征的证据贡献。某一材料已经公开,不等于授权权利要求1的低速膜、LN或LT压电膜、IDT及0.1λ至0.5λ厚度等其余限定均由同一方案公开。

二 核验对象与判断口径

文本版本  您给出的材料清单位于CN103262410B授权权利要求1。CN103262410A公布权利要求1以体波与弹性波的相对声速限定高速支撑,未在该项中列出上述材料。本报告按您引用的B文本材料特征开展检索,并参照说明书第0077至0078及0178段理解高速与支撑的技术含义。

目标授权全文    目标公布全文

目标限定  高声速支撑基板由AlN、Al2O3、SiC、SiN、SiON、DLC膜、金刚石,或者以各材料为主成分、以各材料混合物为主成分的材料中的任意一者构成。说明书图25的基板33同时承担高速膜与支撑基板作用,因此应核实材料身份、实体承载与声学速度条件。

速度限定的文本区别  B权利要求1采用材料枚举,A权利要求1直接写入相对声速关系。本报告对声速证据的分级用于核查高声速支撑这一术语的技术含义,不把A项原句表述成B项的逐字限定;最终引用时仍应结合授权文本作权利要求解释。

时间资格  只纳入2010年12月23日及以前已经公开的具体文本。优先权日早不等于公开日早;后授权文本不代替已核的先公布文本。各组提供实际公开日、原文定位、全文及可取得的原PDF入口。D16仅核验原语言网页全文,原PDF未取得,其证据范围在该组单独标明。

技术口径  LN指LiNbO3(铌酸锂),LT指LiTaO3(钽酸锂),IDT指叉指换能电极;目标中的λ由IDT电极周期确定。区分支撑基板、独立声学膜、覆盖层、压电膜和绝缘膜,区分体波速度与器件模态相速度。蓝宝石可作为Al2O3具体形式;一般非晶碳不当然等于DLC;SiON不等于SiN;化合物和多层叠膜不直接等于实体混合物。

三 材料逐项覆盖

材料

最相关证据

已经直接证明的内容

仍须限定的范围

AlN

D1

主成分陶瓷支撑;具体替换选项

目标模式的体波比较

Al2O3

D1 D2 D11

陶瓷及蓝宝石承载基板;SiO2接合层

具体形态与声速;同方案厚度

SiC

D13 D12 D14

SiC声学基板;较快传播的设计理由

SAW或伸缩波与目标体波条件的区别

SiN

D1 D14

300 μm实体支撑;主成分陶瓷;较快被动板选项

目标三层组合与速度模式

SiON

D8 D9 D15 D16

较快声学外层;声学器件主成分承载膜

尚未闭合目标连续高速支撑基板

DLC膜

D4 D5 D6 D7

高速衬底;可省略另外基板;成分及LN LT关联

具体材料状态、承载实现及中间膜

金刚石

D3 D4

金刚石衬底;SiO2 LN目标层序

同例IDT及归一化低速膜厚度

主成分

D1 D8 D10 D15 D16

三种主成分陶瓷支撑;较快层及承载膜形式

不移植其他专利自定的含量门槛

混合物主成分

D18 D17

混合物与固溶体支撑的概括教导;含SiON梯度介质

具体目标混合配方及高速条件仍待核实

 

四 有贡献对比文件及详细分析

以下编号只列有技术贡献的文件。各组的中文题名为便于阅读的译名或简称;同族文本仅用于核对,不增加独立技术启示的数量。引文保留关键原词,完整上下文可由对应段落、附图及原PDF复核。

编号

主引公开号

实际公开日

材料或用途贡献

D1

US20040226162A1

2004-11-18

支撑材料直接公开

D2

DE102005055871A1

2007-05-24

氧化铝承载支撑与低速埋层

D3

CN101777622A

2010-07-14

金刚石支撑及目标层序

D4

CN1257940A

2000-06-28

DLC高速衬底的明确实例

D5

US20070085446A1

2007-04-19

DLC可省略另外基板的结构教导

D6

CN1750392A

2006-03-22

DLC的成分界定与实测增频

D7

US20050051870A1

2005-03-10

DLC声学层与LN LT材料关联

D8

WO2009133655A1

2009-11-05

SiON SiC高速声学外层及主成分教导

D9

US20050168104A1

2005-08-04

SiON在声学装置中的机械支撑膜

D10

CN101796727A

2010-08-04

主成分材料的明确界定与声速理由

D11

FR2788176A1

2000-07-07

较早的蓝宝石支撑与SiO2键合结构

D12

JP2004282232A

2004-10-07

压电膜下方的高速硬质介电层选材

D13

US20040173816A1

2004-09-09

SiC高速声学基板的明确方案

D14

US6107722A

2000-08-22

较快被动声学板与压电体接合的早期教导

D15

EP2066027A1

2009-06-03

SiON主成分绝缘层兼作空腔上方承载膜的教导

D16

WO2007119643A1

2007-10-25

SiON主成分承载膜与高弹性模量的选材理由

D17

JP2010088109A

2010-04-15

具体成分梯度与体波速度变化的声学设计教导

D18

JP2008054276A

2008-03-06

明确的陶瓷混合物及固溶体支撑部材教导

 

D1 US20040226162A1 声表面波器件的接合制造方法

实际公开日  2004-11-18    主要材料  AlN Al2O3 SiN 及其主成分陶瓷

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原文定位  说明书第0025至0029段 第0072至0073段 第0096至0099段 权利要求11 13 14 图7 图13 原PDF第17 20 22 23页

关键原文  “a ceramic substrate containing aluminum oxide, aluminum nitride, or silicon nitride as a main component”

第0026段及权利要求11把氧化铝 氮化铝 氮化硅列为支撑基板的主成分陶瓷选项,材料所在部件和支撑身份均明确。第0097至0098段进一步给出300 μm厚氮化硅支撑基板与30 μm厚LT基板的实体实例;第0099段允许以氧化铝或氮化铝陶瓷替代该支撑。它不是仅在压电膜中出现AlN的名称命中。

第0025段记载LT或LN压电材料,第0028至0029段记载两基板之间的候选中间膜。第三实施方式第0072至0073段在LT与蓝宝石支撑之间设置中间膜,并把SiO2列入绝缘材料选项。因此该文对三种支撑选材 主成分表述及接合结构都有直接贡献。

贡献边界  上述低热膨胀及易加工的理由不能直接替代目标的体波声速比较。不能把第三实施方式的候选SiO2与第八实施方式的氮化硅支撑未经说明拼成一个实测实例;也不能把具体AlN中间膜厚度当成SiO2厚度。本文未据此认定授权权利要求1整体被单篇公开。

同族核对  JP2004343359A  公开日 2004-12-02  第0025段 第0027至0028段 第0058至0065段 权利要求11 13 14

D2 DE102005055871A1 电声器件

实际公开日  2007-05-24    主要材料  Al2O3

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原文定位  说明书第0015至0017段 第0032 第0034 第0037 第0042 第0073至0076段 图1G 原PDF第3 4 6 11页

关键原文  “Möglich ist aber auch Al2O3 … vorzugsweise ein Trägersubstrat”

第0034段把Al2O3列为第二基板选项,第0073段说明较厚的第二基板优选作为载体,并以保证机械稳定性作为厚度选择依据。第0032段把LT与LN列为第一压电基板材料;第0037段优选SiO2介电层。图1G及第0076段把含换能结构和介电层的层系统置于两个基板之间。

第0015至0017段解释低传播速度介电层的导波作用,且该层的相关体波速度比两侧基板低。原PDF第0042段还给出介电层优选0.15λ至0.5λ的厚度范围,为后续对权利要求整体的比对提供重要入口,使用时仍需核对λ与IDT周期的对应。该文因而比单独的氧化铝名称清单更接近本案支撑及埋层的材料搭配。

贡献边界  文中明确比较的是层系统与两侧基板中的相应体波速度,不能直接改写成目标要求的支撑体波速度大于压电膜中所用弹性波相速度。还需核对具体选材能否用于同一实施方案及其余权利要求限定。

D3 CN101777622A LiNbO3 SiO2 金刚石多层压电膜及其制备方法

实际公开日  2010-07-14    主要材料  金刚石

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原文定位  权利要求1 发明内容 实施例一至三 唯一附图 原PDF第2至6页

关键原文  “在金刚石衬底和LiNbO3压电薄膜之间引入非晶SiO2缓冲层”

权利要求1及结构图直接给出金刚石衬底 非晶SiO2缓冲层 LN压电薄膜的顺序,金刚石处于承载衬底位置。背景将采用高速材料与提高声表面波器件频率联系起来;发明则通过SiO2缓冲层兼顾薄膜生长与温度稳定性。

说明书给出SiO2缓冲层0.05至0.6 μm和LN膜0.2至3 μm的范围,实施例一分别为0.13 μm与0.45 μm。对本次材料限定,其价值在于直接公开金刚石衬底,并与目标同样的SiO2及LN层序相连,而非只证明金刚石具有较高硬度。

贡献边界  该文未给出足以把所述SiO2厚度归一化为目标0.1λ至0.5λ的同例IDT周期,不能自行假定波长。背景声速说明也不等同于对目标指定体波模式的完整比较。

D4 CN1257940A 一种在高声速材料衬底上生长氮化铝压电薄膜的方法

实际公开日  2000-06-28    主要材料  DLC膜 金刚石 SiC背景选材

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原文定位  权利要求1至2 说明书第1至2页背景 实施例2 图1 原PDF第2 3 4 7 8页

关键原文  “采用离子束合成类金刚石薄膜,并以类金刚石薄膜为衬底”

权利要求1把金刚石 非晶金刚石和类金刚石薄膜列作高声速材料衬底。实施例2明确在类金刚石薄膜衬底上形成约20 nm ZnO过渡层,再形成0.5 μm的c取向AlN压电膜,并制作声表面波器件。DLC在这里承担的是压电层下方的衬底材料角色。

本案清单本身包括DLC膜,因此不能仅因证据使用薄膜一词就排除其材料贡献。该文提供了早期把DLC作为高速声学衬底的选材与制造路线。背景还讨论SiC一类高速衬底材料,可作检索与选材动机补强,但SiC没有在该文的具体实施例中闭合。

贡献边界  该文的压电层是AlN 中间层是ZnO,均不同于目标的LN或LT与限定低速膜组合。AlN在本文件中是压电材料,不能反过来把它计为AlN支撑证据。原PDF的SiC背景速度数字排印不清,不作为本报告定量比较依据。

D5 US20070085446A1 声表面波器件

实际公开日  2007-04-19    主要材料  DLC SiC Si3N4 Al2O3

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原文定位  说明书第0014至0015段 第0022段 权利要求1 5 6 12 图1至2 原PDF第3至6页

关键原文  “the DLC film 14 can be formed individually without using the non-piezoelectric substrate 12”

第0014段给出DLC膜 ZnO膜 IDT的叠层。第0015段先说明DLC形成在非压电基板上,随后明确给出不使用该另外基板而单独形成DLC膜的替代方案,并记载DLC通常具有不低于10000 m/s的传播速度。该替代方案为DLC承担压电膜下方结构层提供了比普通覆盖膜更直接的依据。

同段及权利要求6还把SiC Si3N4和Al2O3列为可选非压电基板材料。这一材料清单可证明SiC被用于同类声表面波装置的基板,但有DLC和无另设基板是两个替代情形,必须分别使用,不能合写成所有材料同时存在的单一结构。

贡献边界  本文的速度用语没有明确区分体波模式,且DLC是纳米级膜 配合ZnO压电膜。其不低于10000 m/s的表述不能直接充作目标LN或LT的指定模式比较。SiC作为基板的公开也不自动证明其已承担目标全部高速导波功能。

D6 CN1750392A 薄膜声表面波器件的非晶金刚石增频衬底及其制备方法

实际公开日  2006-03-22    主要材料  DLC膜 富sp3无氢非晶金刚石

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原文定位  背景技术末段 发明内容 具体实施方式五至七 图1至2 原PDF第4至9页

关键原文  “sp3杂化含量超过50%以上的无氢类金刚石碳”

该文明确把其aD非晶金刚石界定为富sp3的无氢类金刚石碳,避免把任意非晶碳均等同DLC。它在抛光单晶硅片上形成50至3000 nm的DLC类增频膜,器件层序为IDT ZnO aD Si。实施方式五报告350 nm膜下617.51 MHz 对照574.00 MHz,原文概括为约增频8%。

它既提供DLC材料身份 也提供声学增频的具体用途和样品结果,可补强D4及D5的选材理由。其对普通aC与aCH模量及热稳定性的讨论还说明DLC的具体成分和制法影响结果,不宜把材料简称当成所有状态都具有同一声速的证明。

贡献边界  硅基片仍是实体承载基础,DLC膜被称为增频衬底并不等于已经公开全部由DLC构成的独立承载基板。增频百分比是器件比较结果,不是目标体波声速比较;此处50%指sp3杂化含量,也不是目标主成分的通用重量阈值。

D7 US20050051870A1 半导体器件及其制造方法中的声表面波实施方式

实际公开日  2005-03-10    主要材料  DLC膜 与LN或LT压电膜的组合

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原文定位  实施方式4 第0119至0131段 特别第0121至0123及0126段 图5A至5F 原PDF第21页及图5

关键原文  “a DLC film containing hydrogen (10 to 50 μm in film thickness)”

该文虽以半导体器件为题,但实施方式4专门制造和转移SAW元件。第0121段形成10至50 μm的含氢DLC声表面波传播层,第0122段形成梳状电极,第0123段将LN和LT与ZnO AlN 石英并列为压电膜选项。它把DLC声学层与本案允许的LN或LT联系在同一制造框架中。

第0126段记载将初始基板分离,后续将声学元件安装到另一承载介质。这比只在无关半导体蚀刻工艺中出现DLC名称更有贡献,但仍应按图5区分声学传播层 初始工艺载体和最终载体。

贡献边界  第0121段100 nm SiON是DLC下方的基底绝缘膜,不在DLC与压电膜之间,不能冒充目标低速中间层或SiON高速支撑。该文没有直接给出DLC体波相对LN或LT弹性波的比较,亦没有目标的完整低速膜层序。

D8 WO2009133655A1 弹性边界波装置

实际公开日  2009-11-05    主要材料  SiON SiC AlN AlO SiN DLC及主成分选项

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原文定位  说明书第0008、第0010、第0047及第0106至0107段;权利要求1至3;图1至2;原PDF第4、5、26、49及50页

关键原文  “SiN、SiON、AlN、AlO、Si、SiC、ダイヤモンドライクカーボン”

第0010及0047段把SiON、SiC、DLC等列为第二媒质层材料,目的在于借助导波作用将波封闭在SiO2层。权利要求1明确第一媒质声速低于LT、第二媒质声速高于LT;权利要求3又使用以所选材料为主体的表述。原PDF第49页的第0106段还记载,把实验中的SiN改为SiON或AlN也得到同样结果,因此SiON并非只有材料清单中的名称公开。

该文因此直接贡献SiON SiC DLC等作为较快声学材料的选择及主成分形式。它与SiO2及LT的边界波框架相连,能为材料替换论述提供技术理由;其中AlO保留原文符号,不把它擅自改成所有氧化铝化学计量形式。

贡献边界  第二媒质层位于覆盖侧,原文未将其明确指定为本案在压电膜下方兼作机械承载的高速支撑基板。其声速表述也未在该处展开为目标使用模式对应的体波与相速度比较,不能通过旋转附图就完成支撑身份替换。对SiON的主成分公开不等于任意两种所列材料的实体混合物均已公开。

D9 US20050168104A1 声学谐振器装置

实际公开日  2005-08-04    主要材料  SiON Si3N4

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原文定位  原PDF第0027至0028 第0036至0037段 图1 原PDF第6页 谷歌HTML段落索引部分比原件少1

关键原文  “the membrane being made of silicon nitride Si3N4, or of silicon oxynitride SiON”

原PDF第0037段在硅基板形成的支柱和空腔上方设置小于2 μm的膜5,明确选用氮化硅或SiON;该膜上方承载下电极 压电层和上电极。它直接证明SiON在申请日前已经作为声学谐振器中的承载薄膜使用,比把SiON蚀刻停止膜或保护层算作支撑更有针对性。

该文可与D8分工使用:D8证明SiON的较快声学层用途,本文件证明SiON的机械支撑膜用途。两篇各自解决的事实应分别列出,是否能够结合到目标实心高速支撑结构中仍需独立的兼容性及动机分析。

贡献边界  膜依靠空腔隔离,与本案连续高速支撑及低速埋层的导波机制有实质差别。本文未直接给出目标的高声速比较,不能单独认定SiON高速支撑基板的全部限定已被公开,也不能用较高声阻抗代替较高声速。

D10 CN101796727A 弹性边界波装置

实际公开日  2010-08-04    主要材料  Al2O3 SiN SiC DLC的主成分形式

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原文定位  原PDF第0034至0035 第0043 第0047至0048段 权利要求8至9 原PDF第2及5至7页 谷歌HTML索引第0039至0040 第0048 第0052至0053段

关键原文  “作为主成分来包含是指50重量%以上的情况”

原PDF第0034段对本文件中的主成分作50重量%以上的定义;第0035段和权利要求9将氧化铝 SiN SiC及diamond like carbon列为第二介电层主成分选项,并说明其可使第二层比SiO2第一层传播更快。它对目标不是仅限纯材料的写法提供了更具体的在先选材证据。

原PDF第0043及0047至0048段还把声速与模量 密度及成膜方法相联系,并以SiN和氧化铝成膜例说明同名材料的声速可以变化。原中文有类金刚石墨的译名,但同段括注diamond like carbon,使用时应保持DLC身份而不误读为普通石墨。

贡献边界  50重量%是本文件自定含义,不应移植为目标专利的统一主成分门槛。该文件仍属于覆盖侧的第二介电层,不能自动当作目标支撑。由材料组中选一种为主成分,不等于已公开两种以上所列材料混合为主成分的具体配比。

D11 FR2788176A1 将薄压电层分子键合到承载基板的声学装置

实际公开日  2000-07-07    主要材料  蓝宝石即Al2O3

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原文定位  权利要求1至4及6 图1 图5 原PDF第3页及13页 说明书关于substrat porteur saphir及colle moléculaire silice的段落

关键原文  “Le matériau porteur peut être de type verre, saphir, silicium ou bien encore arséniure de gallium.”

权利要求1至3把承载基板 分子键合膜与薄压电层联系起来,承载材料包括蓝宝石,键合材料可为二氧化硅;权利要求6包括LN及LT。蓝宝石是氧化铝的具体晶体形式,因此该文在材料与层位上对氧化铝分支有直接贡献。

该文强调压电层中的声波导引与薄层制造,提供比单独的高速材料表更早的支撑及接合结构。它可用于补强氧化铝与SiO2及LN或LT的搭配,而不是把蓝宝石等同于所有氧化铝形态的声速数据。

贡献边界  其数百埃量级的分子键合层不能未经论证直接变成目标0.1λ至0.5λ的低速膜。材料层序较接近仍不代表目标的模式速度及厚度限定均已闭合。

同族核对  US6445265B1  公开日 2002-09-03  权利要求1至4 说明书分子键合与支撑材料段 图1 图5

D12 JP2004282232A 弹性表面波器件

实际公开日  2004-10-07    主要材料  SiC AlN Si3N4 蓝宝石 金刚石

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原文定位  说明书第0019 第0022 第0031段 权利要求10 图1至2 原PDF第2 5及6页

关键原文  “窒化シリコン、ダイヤモンド、サファイア、窒化アルミニウム、シリコンカーバイド”

第0019段将氮化硅 金刚石 蓝宝石 氮化铝和SiC列为硬质介电层材料,并说明其对表面波高速化的贡献。第0022段明确给出基板 硬质介电层 压电薄膜 IDT层序,压电膜选项包括LN和LT。因此SiC不是只能在远离压电膜的机械载体中找到,也已有置于压电膜下方以改变声学传播的教导。

这篇还被目标说明书作为背景文献引用。就本次材料限定,其贡献是具体揭示SiC等的下部高速声学层及LN或LT关联,可与直接承载基板文献分工使用。它并没有独立证明目标要求的材料层序全部成立。

贡献边界  高速硬质层与下方硅 玻璃或石英基板分属两个部件,本文件没有把该层明确合并成独立高速支撑基板。第0031段还讨论过厚会影响上层膜质和制造成本,不能只取其材料菜单而忽略结构调整的后果。

D13 US20040173816A1 基于氮化物的集成声波器件及其制造方法

实际公开日  2004-09-09    主要材料  SiC

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原文定位  说明书第0010至0011 第0051至0053 第0065至0066段 图1A至1B

关键原文  “the SAW velocity of the propagating wave may be dominated by the SiC substrate”

第0051段明确将SiC用作基板12,并列举4H 3C 6H及15R晶型。第0052段在该基板上形成AlN缓冲层14,并说明在图1A实施方式中该层同时是SAW器件的压电膜。SiC的承载基板身份因此与表面声波装置处于同一具体方案。

第0066段进一步教导:当AlN缓冲层约250 nm或更薄时,传播波的SAW速度可以主要由具有更高SAW速度的SiC基板决定。第0010至0011段解释在给定IDT周期下提高速度可以提高工作频率。这使SiC证据从一般候选材料或覆盖层推进到明确的下部声学基板及相应选材理由。

贡献边界  这里比较的是SiC与AlN的SAW速度,不能直接代换为目标的SiC体波速度与LN或LT膜中弹性波相速度比较。该实施方式没有目标低速中间膜,AlN也不是授权权利要求1限定的LN或LT压电膜,因此贡献仍以SiC支撑材料及声学动机为限。

同族核对  CN1757161A  公开日 2006-04-05  说明书图1A实施方式及关于250 nm缓冲层与SiC传播速度的段落

同族核对  WO2004079904A2  公开日 2004-09-16  图1A及SiC基板和AlN薄膜的对应说明

D14 US6107722A 超声换能器

实际公开日  2000-08-22    主要材料  SiC、SiN、Al2O3

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原文定位  权利要求1;说明书第2栏、第4栏第10至67行、第5栏及第6栏第1至18行;图1至2、图5;原PDF第6至8页

关键原文  “silicon nitride, silicon carbide or alumina”

权利要求1及第2栏明确将压电陶瓷板至少一面与另一块声速更高的板接合,使复合体的横向振动共振频率提高。第4栏把氮化硅、SiC及氧化铝列为这种较快材料体的选项。它提供了将较快被动板与压电体接合以改变声学响应的在先设计理由,超出了只在无关陶瓷清单中出现材料名的程度。

第6栏及图2给出直径23 mm、厚2.5 mm的PZT片,背面接合同直径、厚3.5 mm的氧化铝板;第5栏又说明换用SiC时,可因其速度高于氧化铝而进一步提高共振频率。这是有实际后置板体和速度理由的补强文件,但应保持其毫米级超声换能器结构与本案薄膜弹性波装置的区别。

贡献边界  第4栏定义和讨论的是伸缩波(dilational wave)及平面共振,不能直接等同目标支撑体波与LN或LT弹性波相速度的比较。其压电体为PZT,没有目标低速埋膜、LN或LT薄膜及IDT;第2栏的better mixture描述多层复合的性能均化,不是所列材料实体混合物的配方公开。

同族核对  DE19527018C1  公开日 1997-02-20  德文检索命中的同族;权利要求1、材料选择段及图2对应说明,主引分析以已核美国原PDF为准

D15 EP2066027A1 薄膜压电谐振器及其制造方法

实际公开日  2009-06-03    主要材料  SiON及其主成分膜;另述SiAlON但与SiON分开

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原文定位  说明书第0042、第0047至0049及第0053段;权利要求2至3、7;图2至3、图6;原PDF第6至9及11页

关键原文  “silicon oxynitride (Si2ON2) … 50 mol% or more”

原PDF第0042段把氮氧化硅Si2ON2列为绝缘层6的主成分材料选项,给出0.01至3.0 μm的层厚,并明确将本文件中的mainly containing定义为层中含量50 mol%以上。权利要求2同样使用至少一种所列材料为主成分的写法。这补充了SiON主成分形式在压电谐振器下部膜层中的具体公开。

第0047至0049段及图2至3表明,在这两种实施方式中空腔形成于半导体基板内,而绝缘层6保留在空腔上方,谐振叠层形成于该膜上。因此它可补强SiON主成分膜的承载角色。应区分图1中空腔区域不保留该绝缘层的情形;后续使用SiO2的具体样品结果,也不能当作SiON膜已经实测的结果。

贡献边界  它仍有独立半导体基板并采用空腔隔离,没有直接证明SiON连续高速支撑体及目标声速关系。第0053段的较高弹性材料清单涉及另设介电层22、24,所述SiAlON不能等同纯SiON,较高弹性也不能单独代替声速证明。50 mol%是本文自定的摩尔比例,不能替代D10的重量比例或目标自身含义;至少一种的宽泛选择未给出具体实体混合支撑配方。

D16 WO2007119643A1 压电薄膜谐振器、压电薄膜器件及其制造方法

实际公开日  2007-10-25    主要材料  SiON主成分下部膜;AlN、SiN及Al2O3并列选项

谷歌专利原语言全文

原文定位  谷歌专利日文全文第0046至0049段、权利要求20至23及图4A至4C;原PDF尚未取得,本组未作原件图像核验

日文网页原文摘录  “酸窒化ケィ素 … を主成分とする誘電体膜”

第0046段把下部绝缘层13置于下电极15及压电薄膜16之下,其露出部分与上方压电叠层共同构成跨越空腔20的振动膜21。第0048段优选较高弹性模量的下部绝缘层,并将氧氮化硅(即氮氧化硅,原文式Si2ON2)主成分介电膜列入材料选项。这里把SiON主成分、下部承载膜和机械选材理由连接到同一制造框架,可补充D9及D15。

该文与D15并非同族:本件最早优先权为2006年3月31日、PCT/JP2007/057379,D15对应2006年8月25日、PCT/JP2007/066425。权利要求20至23也把压电叠层下侧的绝缘层与SiON等主成分材料联系起来;不能仅因同属宇部且题名相似而合并。

贡献边界  本组仅完成原语言网页全文核验,尚未取得原PDF;网页中的50当量%句不用于定量成分证明。第0049段另允许移除振动区域的下部膜,须与保留该膜的方案分开。较高弹性模量没有同时给出所需密度及模式声速,不能据此推定为目标连续高速支撑;其下方仍有独立基板,压电薄膜主要是AlN。

D17 JP2010088109A 弹性波元件及采用该元件的电子设备

实际公开日  2010-04-15    主要材料  含SiON的SiO2与SiN成分梯度介质

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原文定位  说明书第0013至0018、第0026至0031段;权利要求1至4;表1;图1、4至6;原PDF第2至7页,关键文字在第3至5页

关键原文  “組成変化部分は、更に酸窒化シリコンを含んでも良い”

权利要求1至3及第0015至0017段规定,覆盖IDT的介质由下至上具有连续变快的横波传播速度:SiO2浓度逐渐降低,SiN浓度逐渐增加,并可含SiON,且SiON在中部的浓度高于两端。权利要求4和第0013段允许LN或LT压电体。因此这是一项具体的成分分布设计教导,超出了从互斥材料菜单中任取一种的公开。

第0026段具体令介质厚度为1λ,SiO2与SiN比率由下端1∶0变到上端0∶1;第0029段把远离压电界面处更快的体波媒质与主要波的能量封闭联系起来。该文对SiON所在混合声学介质的成分调节、速度与导波理由有补强作用,也说明成分分布需要随声学目标设计。

贡献边界  它是压电体上方的覆盖介质,未公开下部承载支撑。SiO2不在本次高速材料清单中,因此该梯度不能直接等同全部由所列高速材料混合为主成分的支撑体。表1比较采用SiO2与SiN梯度,不能当作SiON样品体波速度的单独测定;所述1λ及0.8λ以上覆盖层厚度也不同于目标低速埋膜范围。

D18 JP2008054276A 压电基板及其制造方法

实际公开日  2008-03-06    主要材料  Al2O3、SiC、AlN、SiN;固溶体与混合物支撑选项

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原文定位  说明书第0009、第0019至0026及第0036至0039段;权利要求5、7、11;图1、4;原PDF第2、4、5及7页

关键原文  “これら金属及び化合物の混合物でも良い … 基材11の支持部材”

第0021段和权利要求5列出氧化铝、SiC、AlN、SiN等陶瓷化合物,并明确允许这些化合物的固溶体,以及所列金属和化合物的混合物。第0023段进一步说明厚膜12承担薄压电基材11的刚性及支持部材作用,权利要求11也直接写入支持部材。因此本文件对采用混合材料形成压电基板支撑体的概括选材教导有直接贡献,不能仅按普通材料名称清单处理。

第0036至0039段提供具体制造实例:在LT背面喷涂0.5 mm厚莫来石(氧化铝与二氧化硅体系)温度补偿膜,孔隙率为9%,随后将LT减薄到20 μm,再在另一面制作SAW梳状电极。这证明厚膜实际承担支撑;但具体实例不是仅由目标高速清单材料构成的混合配方。

贡献边界  选材依据主要是低热膨胀及机械稳定性,没有直接给出目标高速关系。第0019段采用粗化界面散射体波,第0025至0026段讨论5%至40%孔隙率及相对降低的刚性,声速不能按致密纯陶瓷直接代入。其宽泛混合物教导不是七种材料任意组合、任意比例都已验证;SiON、DLC和金刚石也未在该混合材料清单中出现。底涂中间层没有被具体证明为目标低速膜及厚度范围。

五 无效论证中的具体使用方式

材料选择与权利要求整体应分开。目标清单使用任意一者,找到一个落入清单的具体材料方案即可成为相应分支的证据入口;本次逐项寻找全部材料是为了覆盖其他可能保留或进一步限定的材料分支。新颖性结论仍须由单一对比方案完整对应整体限定,不能把多篇或互斥实施例拼为单篇公开。

氧化铝路线较适合先审查层序。D2及D11均把承载基板、SiO2和压电层放在同一声学结构框架中;D1进一步给出氧化铝、氮化铝和氮化硅主成分陶瓷的替换理由。使用时先锁定同一实施方案,再核对高速关系、压电层、IDT位置和低速膜厚度。

SiC及DLC路线的新增贡献更集中在选材与结构身份。D13把SiC与较快SAW传播联系到实际下部基板;D4把DLC明确作为高速衬底;D5提供省略另外非压电基板的替代结构;D7提供与LN或LT的材料关联。若需在这些方案中增加低速膜或更换压电材料,应说明解决的问题、当时的技术动机及对声模、损耗和机械稳定性的影响。

DLC的具体状态应保留。D6偏重富sp3无氢材料的增频,D7则使用含氢DLC;两者不宜直接共用声速数值。D10也表明成膜工艺会改变密度、模量和声速。因此材料相同可以构成选材证据,证明具体高速条件时仍需对应该材料状态与工作模式。

D14提供较早的较快被动板与压电体接合教导,可补强SiC、SiN及Al2O3的选材理由。其目的在于改变平面共振并缩窄超声声束,与本案限制声波向支撑下方泄漏的目的有差别。把该教导移用于LN或LT薄膜及低速埋层时,仍应解释声模和结构的适配依据。

SiON路线目前适合谨慎作为补强。D8中有明确的SiON较快外层及替换实验教导;D9、D15和D16提供承载膜、主成分形式及高模量选材理由。把悬空承载膜转换为连续高速支撑基板会改变声学边界条件,不能仅以材料相同推定具有相同效果。D15的50 mol%与D10的50重量%分属两篇自身定义,也不应互相代换。具体混合物方案同样应有成分和实体结构依据。

混合材料分支优先使用D18:其厚膜明确承担支撑,并允许固溶体及混合物选材。D17另提供含SiON的具体成分梯度及体波速度变化理由。但D18的实例使用含SiO2的莫来石并具有孔隙,D17也是含SiO2的覆盖层;两者尚未把目标具体混合支撑配方及高速条件在同一方案中闭合。

规则依据  对目标在先技术的时间判断参照专利法2008年修正文本第二十二条;创造性应评价权利要求整体。国家知识产权局2025年修改决定第二部分第四章第6.4节再次明确整体评价,该修改自2026年1月1日起施行。规则引用不代替任何材料公开事实。

专利法2008年修正文本    审查指南修改决定及施行日期

六 六语种检索方法及执行核验

每轮由一个子代理通过一次独立任务调用执行一条调整后的实际检索式,随后核查必要的谷歌专利全文。轮次代理复用,但每一轮均单独调用并留存记录。按中文、英文、法文、德文、韩文和日文各40轮统计,共240轮;主代理的原件复核不充入轮数。

谷歌专利原生检索入口在当前环境未正常返回结果,后续采用外部索引中的site:patents.google.com限定查询,并回到谷歌专利原语言页面及公开PDF核验。附录记录真正执行的外部检索式;下述原生语法用于检索设计,不能表述为已返回原生结果。日期是否合格最终以具体公开文本核对,不以外部before算符或年份关键词替代。

检索语言

完成轮次

记录编号

执行方式

中文

40

CN01 至 CN40

逐轮单独子代理调用

英文

40

EN01 至 EN40

逐轮单独子代理调用

法文

40

FR01 至 FR40

逐轮单独子代理调用

德文

40

DE01 至 DE40

逐轮单独子代理调用

韩文

40

KO01 至 KO40

逐轮单独子代理调用

日文

40

JA01 至 JA40

逐轮单独子代理调用

 

检索式构造  用声学器件词、材料同义词及化学式、支撑角色词组合。发现一个材料的明确用途后,后续转向尚存材料、主成分、混合物或高速与支撑的同方案关系。没有使用排除整种材料的负关键词,以免错失同篇列出多种候选材料的有效文件。

中文构式

(声表面波 OR 弹性波) (支撑基板 OR 衬底 OR 承载膜) (氮化铝 OR 氧化铝 OR 蓝宝石 OR 碳化硅 OR 氮化硅 OR 氮氧化硅 OR 氧氮化硅 OR 类金刚石 OR 金刚石) before:publication:20101224

英文构式

("surface acoustic wave" OR "elastic wave") ("supporting substrate" OR substrate OR membrane) ("aluminum nitride" OR "aluminium nitride" OR alumina OR sapphire OR "silicon carbide" OR "silicon nitride" OR "silicon oxynitride" OR "diamond-like carbon" OR diamond) before:publication:20101224

法文构式

("ondes acoustiques" OR "ondes de surface") ("substrat porteur" OR support OR membrane) ("nitrure d’aluminium" OR alumine OR saphir OR "carbure de silicium" OR "nitrure de silicium" OR "oxynitrure de silicium" OR "carbone de type diamant" OR diamant) before:publication:20101224

德文构式

(Oberflächenwellen OR Schallwellen) (Trägersubstrat OR Substrat OR Membran) (Aluminiumnitrid OR Aluminiumoxid OR Saphir OR Siliciumcarbid OR Siliziumcarbid OR Siliciumnitrid OR Siliziumoxynitrid OR "diamantartiger Kohlenstoff" OR Diamant) before:publication:20101224

韩文构式

(탄성파 OR 표면탄성파) (지지기판 OR 기판 OR 지지막) (질화알루미늄 OR 산화알루미늄 OR 알루미나 OR 사파이어 OR 탄화규소 OR 질화규소 OR 산질화규소 OR 실리콘산질화물 OR 다이아몬드상탄소 OR 다이아몬드) before:publication:20101224

日文构式

(弾性波 OR 弾性表面波) (支持基板 OR 基板 OR 支持膜) (窒化アルミニウム OR アルミナ OR サファイア OR 炭化ケイ素 OR 窒化ケイ素 OR 酸窒化ケイ素 OR 酸窒化シリコン OR ダイヤモンドライクカーボン OR ダイヤモンド) before:publication:20101224

以上为检索设计式,逐轮实际执行式见附录。搜索返回、调整理由和候选判断另存工作记录。

 

 

附录 六语种逐轮实际检索式

本附录保留实际执行查询及其轮次编号,便于复核40轮的完成情况。每轮材料目标及调整理由另存于工作记录;本附录不列无贡献命中文献。

中文 40轮

CN01  site:patents.google.com 碳化硅 声表面波 基板 声速 支撑 before:2010-12-24

CN02  site:patents.google.com/patent 碳化硅 "声表面波" "非压电" 基板 2004 2005 2006

CN03  site:patents.google.com "类金刚石" "自支撑" "声表面波"

CN04  site:patents.google.com/patent "碳化硅" "声表面波" "衬底" "2000"

CN05  site:patents.google.com ("氮氧化硅" OR "氧氮化硅") "基板" "声波" "2006"

CN06  site:patents.google.com/patent "SiON" "弹性边界波" 基板

CN07  site:patents.google.com "氧氮化硅" "声波" ("第一" OR "基底") before:2011

CN08  site:patents.google.com ("Si2N2O" OR "氮氧化硅陶瓷") ("声表面波" OR "压电" OR "支撑基板")

CN09  site:patents.google.com "碳化硅" "氮化铝" "声表面波" ("混合" OR "复合基板")

CN10  site:patents.google.com "氮氧化硅" "氮化硅" ("烧结体" OR "陶瓷基底") 声波

CN11  site:patents.google.com ("金刚砂" OR "炭化硅") ("压电膜" OR "声表面波") 衬底

CN12  site:patents.google.com ("6H-SiC" OR "4H-SiC") "声表面波" "基片" "2008"

CN13  site:patents.google.com "碳化硅" ("钽酸锂" OR "铌酸锂") ("接合" OR "键合") "2007"

CN14  site:patents.google.com "碳化硅" "支承" "声波" "接合"

CN15  site:patents.google.com "碳化硅" "氧化锌" "表面声波" "衬底"

CN16  site:patents.google.com "碳化硅" "氮化物" "集成" "声表面波"

CN17  site:patents.google.com ("SiOxNy" OR "硅氧氮") ("声学" OR "声表面波") ("基板" OR "支撑")

CN18  site:patents.google.com "氮氧化硅" ("支承膜" OR "悬膜") "声波"

CN19  site:patents.google.com "氮氧化硅" "边界声波" "介质"

CN20  site:patents.google.com "氮化硅" "氧化铝" "混合物" "声表面波" "基板"

CN21  site:patents.google.com ("赛隆" OR "硅铝氧氮" OR "SiAlON") "声表面波" "基板"

CN22  site:patents.google.com ("硅铝氧氮" OR "氮氧化硅") ("弹性波" OR "压电") "陶瓷"

CN23  site:patents.google.com "氧氮化硅" "谐振器" ("载体" OR "机械支撑")

CN24  site:patents.google.com "氮氧化硅" "刚性" ("声学" OR "压电")

CN25  site:patents.google.com ("氮氧化硅" OR "氧氮化硅") "硬质" "声表面波"

CN26  site:patents.google.com "氮氧化硅" ("声速" OR "声速度") "压电" "2006"

CN27  site:patents.google.com "氧氮化硅" ("声阻抗" OR "弹性常数") "基板"

CN28  site:patents.google.com "氮氧化硅" "体声波" ("底膜" OR "支撑膜" OR "支承层")

CN29  site:patents.google.com "氮氧化硅" "非压电" ("基片" OR "单片")

CN30  site:patents.google.com "氮氧化硅" "钽酸锂" "接合" "2009"

CN31  site:patents.google.com "氮氧化硅" "铌酸锂" ("剥离" OR "转移")

CN32  site:patents.google.com "氮氧化硅" ("横波" OR "纵波") "基板"

CN33  site:patents.google.com "氮氧化硅" ("声反射镜" OR "声学反射器") "支撑"

CN34  site:patents.google.com ("混合陶瓷" OR "复相陶瓷") ("声表面波" OR "压电基板")

CN35  site:patents.google.com "碳化硅" "氮化硅" ("混合烧结" OR "主相") ("声波" OR "基板")

CN36  site:patents.google.com "氧化铝" "氮化铝" "复合陶瓷" "压电"

CN37  site:patents.google.com "氮氧化硅" "主成分" "基板" "2007"

CN38  site:patents.google.com "氧氮化硅" "压电" ("支承" OR "底板")

CN39  site:patents.google.com ("硅氧氮" OR "硅氮氧") ("声学" OR "声传播" OR "支持膜")

CN40  site:patents.google.com "氮氧化硅" ("基底" OR "抗弯") "弹性模量"

英文 40轮

EN01  site:patents.google.com "silicon oxynitride" "substrate" "acoustic" before:2010-12-24

EN02  site:patents.google.com "silicon oxynitride" "boundary acoustic" "2007"

EN03  site:patents.google.com "silicon oxynitride" "supporting substrate" "surface acoustic" "2005"

EN04  site:patents.google.com "diamond-like carbon" "acoustic wave" "substrate" "2001"

EN05  site:patents.google.com "silicon oxynitride" "acoustic" "substrate" "1998"

EN06  site:patents.google.com "silicon oxynitride" "ceramic substrate" "wave"

EN07  site:patents.google.com "Si2N2O" "acoustic" "substrate"

EN08  site:patents.google.com "acoustic wave" "substrate" "aluminum nitride" "silicon carbide" "mixture"

EN09  site:patents.google.com "surface acoustic" "aluminum nitride" "silicon carbide" "solid solution"

EN10  site:patents.google.com "acoustic" "substrate" "sintered" "oxynitride"

EN11  site:patents.google.com "SiOxNy" "acoustic" "substrate"

EN12  site:patents.google.com "silicon oxynitride" "membrane" "acoustic" "2004"

EN13  site:patents.google.com "oxynitride" "high velocity" "acoustic" "substrate"

EN14  site:patents.google.com "silicon oxynitride" "surface acoustic wave" "2003"

EN15  site:patents.google.com "oxynitride" "Love wave"

EN16  site:patents.google.com "silicon nitride oxide" "acoustic" "substrate" "2006"

EN17  site:patents.google.com "oxynitride" "piezoelectric layer" "2005" "velocity"

EN18  site:patents.google.com "silicon oxynitride" "bulk wave" "2007"

EN19  site:patents.google.com "oxynitride substrate" "piezoelectric"

EN20  site:patents.google.com "acoustic" "supporting substrate" "nitride" "oxide" "mixture" "2004"

EN21  site:patents.google.com "silicon oxynitride" "acoustic" "backing"

EN22  site:patents.google.com "oxynitride" "hard dielectric"

EN23  site:patents.google.com "oxynitride" "acoustic" "Young" "substrate" "2008"

EN24  site:patents.google.com "oxynitride" "plate" "ultrasonic" "2000"

EN25  site:patents.google.com "silicon oxynitride" "bonding" "acoustic" "2009"

EN26  site:patents.google.com "silicon oxynitride" "filter" "underlying" "2006"

EN27  site:patents.google.com "silicon oxynitride" "support layer" "resonator" "2006"

EN28  site:patents.google.com "silicon oxynitride" "propagation layer" "acoustic"

EN29  site:patents.google.com "acoustic" "oxynitride" "composite" "1999"

EN30  site:patents.google.com "silicon oxynitride" "lithium tantalate" "2008"

EN31  site:patents.google.com "silicon oxynitride" "lithium niobate" "transfer"

EN32  site:patents.google.com "oxynitride" "membrane" "velocity" "piezoelectric"

EN33  site:patents.google.com "silicon oxynitride" "reflector" "acoustic" "2005"

EN34  site:patents.google.com "acoustic" "substrate" "alumina" "aluminum nitride" "mixed" "2003"

EN35  site:patents.google.com "sialon" "acoustic" "substrate" "2005"

EN36  site:patents.google.com "surface acoustic" "substrate" "silicon nitride" "alumina" "weight"

EN37  site:patents.google.com "oxynitride" "acoustic" "main component" "2004"

EN38  site:patents.google.com "oxynitride" "acoustic" "thick" "2007"

EN39  site:patents.google.com "oxynitride" "piezoelectric" "supporting" "2001"

EN40  site:patents.google.com "oxynitride" "ceramic" "acoustic velocity" substrate

法文 40轮

FR01  site:patents.google.com "oxynitrure de silicium" "substrat" "ondes acoustiques"

FR02  site:patents.google.com "oxynitrure de silicium" "piézoélectrique" "rigide"

FR03  site:patents.google.com "oxynitrure de silicium" "membrane" "résonateur"

FR04  site:patents.google.com "oxynitrure de silicium" "acoustique" "dure"

FR05  site:patents.google.com "oxynitrure" "vitesse" "diélectrique" "acoustique"

FR06  site:patents.google.com "oxynitrure de silicium" "ondes" "surface" -vitrage -bougie

FR07  site:patents.google.com "oxynitrure de silicium" "acoustiques" "porteur"

FR08  site:patents.google.com (SiON OR "oxy-nitrure") "non piézoélectrique"

FR09  site:patents.google.com (SiOxNy OR Si2N2O) "acoustique" "support"

FR10  site:patents.google.com "céramique" "mélange" "oxynitrure" "piézoélectrique"

FR11  site:patents.google.com "oxynitrure de silicium" "résonateur" "soutien"

FR12  site:patents.google.com "oxynitrure de silicium" "transducteur" "mécanique"

FR13  site:patents.google.com "oxynitrure" "filtre" "ondes de volume"

FR14  site:patents.google.com "oxynitrure" "FBAR" "support"

FR15  site:patents.google.com "oxynitrure" "autoportante" "piézoélectrique"

FR16  site:patents.google.com "oxynitrure de silicium" "module de Young"

FR17  site:patents.google.com "oxynitrure" "cisaillement" "acoustique"

FR18  site:patents.google.com "oxynitrure" "longitudinale" "support"

FR19  site:patents.google.com "oxynitrure" "vitesse acoustique"

FR20  site:patents.google.com "oxynitrure" ("vitesse du son" OR célérité)

FR21  site:patents.google.com "SiON" "résonateur" "acoustique"

FR22  site:patents.google.com "oxynitrure de silicium" "film piézoélectrique"

FR23  site:patents.google.com "oxynitrure" "membrane" "renfort"

FR24  site:patents.google.com "oxynitrure" "guide d'ondes acoustiques"

FR25  site:patents.google.com "nitrure de silicium" "mélange" "ondes acoustiques"

FR26  site:patents.google.com "alumine" "nitrure d'aluminium" "mélange" "acoustique"

FR27  site:patents.google.com "carbure de silicium" "nitrure de silicium" "composite" "piézoélectrique" -hybride

FR28  site:patents.google.com "oxynitrure" "passive" "piézoélectrique"

FR29  site:patents.google.com "oxynitrure" "substrat" "élastique" before:2010-12-24

FR30  site:patents.google.com "Si2N2O" "acoustique"

FR31  site:patents.google.com "oxynitrure de silicium" "niobate de lithium" -FR3116652A1 -EP4006998

FR32  site:patents.google.com "nitrure de silicium" "oxygéné" "acoustique"

FR33  site:patents.google.com "oxynitrure" "rigidité" "piézoélectrique"

FR34  site:patents.google.com "oxynitrure" "frontière" "acoustique"

FR35  site:patents.google.com "oxynitrure" "acoustiques" "inférieure" "substrat"

FR36  site:patents.google.com "alumine" "nitrure" "constituant principal" "piézoélectrique"

FR37  site:patents.google.com "oxynitrure" "principalement" "acoustique"

FR38  site:patents.google.com "biphasée" "silicium" "acoustique"

FR39  site:patents.google.com "SiAlON" "piézoélectrique"

FR40  site:patents.google.com "oxynitrure de silicium" "substrat" "grande vitesse"

德文 40轮

DE01  site:patents.google.com Siliziumoxynitrid Trägersubstrat akustische Oberflächenwellen

DE02  site:patents.google.com "Siliziumoxynitrid" "akustische" Träger

DE03  site:patents.google.com "Siliziumoxynitrid" "Membran" "Resonator"

DE04  site:patents.google.com "Siliciumoxynitrid" "akustisch"

DE05  site:patents.google.com "Siliziumoxynitrid" "piezoelektrische" "2005"

DE06  site:patents.google.com "SiOxNy" "akustisch"

DE07  site:patents.google.com "Oxynitrid" "selbsttragend" akustisch

DE08  site:patents.google.com Oxynitridkeramik Oberflächenwellen Träger

DE09  site:patents.google.com "Siliziumoxynitrid" "Grenzflächenwelle"

DE10  site:patents.google.com Oxynitrid "Grenzwelle"

DE11  site:patents.google.com "Oxynitrid" "Grenzakustikwelle"

DE12  site:patents.google.com Oxynitrid piezoelektrischer Resonator Membran 2004

DE13  site:patents.google.com "Oxynitrid" "Schallgeschwindigkeit" "2004"

DE14  site:patents.google.com Siliziumoxynitrid Grundkörper Oberflächenwellen

DE15  site:patents.google.com "Siliziumoxidnitrid" "piezoelektrische" Substrat

DE16  site:patents.google.com "Siliziumoxidnitrid" Membran Resonator

DE17  site:patents.google.com "Siliziumoxynitrid" "Mischverhältnis" akustisch

DE18  site:patents.google.com "Mischkeramik" "akustisch" Substrat

DE19  site:patents.google.com "Siliziumoxynitrid" "Lithiumtantalat" "Verbundsubstrat"

DE20  site:patents.google.com "Siliziumoxynitrid" "Lithiumniobat" übertragen

DE21  site:patents.google.com "SiON" "Stützschicht" akustisch

DE22  site:patents.google.com "Siliziumoxynitrid" Volumenwellenresonator

DE23  site:patents.google.com "Siliziumoxynitrid" "Schwinger"

DE24  site:patents.google.com "Siliziumoxynitrid" "Schallwandler"

DE25  site:patents.google.com "Siliziumoxinitrid" "piezoelektrisch"

DE26  site:patents.google.com "Siliziumoxynitrid" "Ausbreitungsgeschwindigkeit"

DE27  site:patents.google.com "Siliziumnitrid" "Aluminiumoxid" "Gemisch" "Oberflächenwellen"

DE28  site:patents.google.com "Oxynitrid" "piezoelektrisch" "Platte"

DE29  site:patents.google.com "Siliziumoxynitrid" "Rückplatte"

DE30  site:patents.google.com "Si2N2O" "akustisch"

DE31  site:patents.google.com "Siliziumoxynitrid" "Transversalwelle"

DE32  site:patents.google.com "sauerstoffhaltiges" "Siliziumnitrid" "akustisch"

DE33  site:patents.google.com "Siliziumoxynitrid" "Steifigkeit" piezoelektrisch

DE34  site:patents.google.com "Oxynitrid" "Dünnfilmresonator"

DE35  site:patents.google.com "Aluminiumnitrid" "Siliziumcarbid" "Mischung" "akustische"

DE36  site:patents.google.com "Verbundkeramik" "piezoelektrisch" Träger

DE37  site:patents.google.com "Siliziumoxynitrid" "Hauptbestandteil" akustisch

DE38  site:patents.google.com "Siliziumoxynitrid" "Trägerfolie"

DE39  site:patents.google.com "Siliziumnitridoxid" "Schallwelle"

DE40  site:patents.google.com "Siliziumoxynitrid" "Sinterkörper" akustische

韩文 40轮

KO01  site:patents.google.com ("산질화규소" OR "실리콘 산질화물") "탄성파" "지지"

KO02  site:patents.google.com ("질화산화규소" OR "산화질화실리콘" OR "산화질화규소") "압전" "기판"

KO03  site:patents.google.com "산질화규소" ("표면탄성파" OR "음향")

KO04  site:patents.google.com ("산질화규소" OR "산질화실리콘") "공진기" "지지막"

KO05  site:patents.google.com ("옥시나이트라이드" OR "옥시니트라이드") "공진기"

KO06  site:patents.google.com "산화질화규소" "음향" "기판"

KO07  site:patents.google.com ("산질화" OR "SiON") "FBAR" "지지"

KO08  site:patents.google.com ("산질화규소" OR "산질화실리콘" OR "SiON") "자체" "압전" "지지"

KO09  site:patents.google.com ("산질화" OR "SiON") "공진자" "기계적"

KO10  site:patents.google.com "질화규소" "산질화규소" "혼합" "음향"

KO11  site:patents.google.com ("사이알론" OR "시알론" OR "SiAlON") "압전" "지지"

KO12  site:patents.google.com ("사이알론" OR "SiAlON") ("탄성파" OR "압전") "소결"

KO13  site:patents.google.com (Si2N2O OR SiOxNy) "음향" "지지"

KO14  site:patents.google.com "Si2ON2" "압전"

KO15  site:patents.google.com ("산질화" OR "SiON") "탄성률" "압전"

KO16  site:patents.google.com "산질화규소" ("영률" OR "음속") -표시장치 -지문

KO17  site:patents.google.com "산질화규소" "비압전"

KO18  site:patents.google.com "실리콘 산질화물" "압전" "지지체"

KO19  site:patents.google.com "산질화규소" ("종파" OR "횡파" OR "전파속도") "압전"

KO20  site:patents.google.com ("산화질화실리콘" OR "실리콘 산질화물") ("횡음파" OR "횡파") "속도" "기판"

KO21  site:patents.google.com ("실리콘 옥시나이트라이드" OR "실리콘 옥시니트라이드") ("음속" OR "음향") "지지"

KO22  site:patents.google.com "질화알루미늄" "산화알루미늄" "혼합" "압전" "기판"

KO23  site:patents.google.com "탄화규소" "질화규소" "혼합" ("소결체" OR "소결") "압전"

KO24  site:patents.google.com "질화알루미늄" "탄화규소" ("고용체" OR "복합세라믹") ("탄성파" OR "압전")

KO25  site:patents.google.com "산질화규소" "주성분" ("기판" OR "받침") "압전"

KO26  site:patents.google.com ("산질화규소" OR "SiON") "지지막" "공진기"

KO27  site:patents.google.com "산화질화규소" "지지" ("공진" OR "압전")

KO28  site:patents.google.com ("산질화규소" OR "산질화실리콘") ("경계파" OR "계면파")

KO29  site:patents.google.com "실리콘 산질화물" ("탄성" OR "음향") ("하부" OR "고속")

KO30  site:patents.google.com ("산질화규소" OR "산질화실리콘") "음향" ("반사" OR "고강성" OR "받침판")

KO31  site:patents.google.com ("산질화규소" OR "산질화실리콘") ("리튬탄탈레이트" OR "리튬나이오베이트" OR "탄탈산리튬" OR "니오브산리튬") "접합"

KO32  site:patents.google.com ("실리콘 산질화물" OR "산질화규소") ("니오브산리튬" OR "리튬 나이오베이트" OR "압전") ("전사" OR "캐리어")

KO33  site:patents.google.com ("산질화규소" OR "산질화실리콘") "질화규소" ("복합" OR "주상" OR "기지" OR "함량") ("압전" OR "탄성파")

KO34  site:patents.google.com ("산질화규소" OR "실리콘 산질화물") ("두꺼운" OR "벌크") ("음속" OR "지지층")

KO35  site:patents.google.com "질화규소" "산화알루미늄" "혼합" ("탄성파" OR "음향") ("소결" OR "지지")

KO36  site:patents.google.com "탄화규소" "질화알루미늄" "기판" ("중량비" OR "혼합비" OR "중량%") "압전"

KO37  site:patents.google.com ("산질화규소" OR "SiOxNy") ("비압전" OR "지지판" OR "고탄성") ("음파" OR "탄성파")

KO38  site:patents.google.com ("산질화규소" OR "실리콘옥시나이트라이드" OR "질화산화규소") "공진" "지지"

KO39  site:patents.google.com ("산화질화규소" OR "산소 함유 질화규소") ("탄성계수" OR "질량밀도") ("음향" OR "지지")

KO40  site:patents.google.com "실리콘" "산질화물" "SAW" "기판"

日文 40轮

JA01  site:patents.google.com "酸窒化ケイ素" "支持基板" "弾性波"

JA02  site:patents.google.com "酸窒化珪素" "弾性表面波" "基板"

JA03  site:patents.google.com "酸化窒化シリコン" "圧電" "支持"

JA04  site:patents.google.com "酸窒化" "自立膜" "圧電"

JA05  site:patents.google.com "酸窒化" "支持膜" "共振器"

JA06  site:patents.google.com "酸窒化ケイ素" "音速" "2005"

JA07  site:patents.google.com "酸窒化珪素" "セラミックス" "弾性波"

JA08  site:patents.google.com "酸窒化" "焼結体" "圧電"

JA09  site:patents.google.com "酸窒化シリコン" "圧電" "基体"

JA10  site:patents.google.com "酸窒化ケイ素" "横波" "圧電"

JA11  site:patents.google.com "酸窒化珪素" "境界波" "基体"

JA12  site:patents.google.com "シリコンオキシナイトライド" "圧電"

JA13  site:patents.google.com "酸窒化珪素" "接合" "リチウム"

JA14  site:patents.google.com "酸窒化ケイ素" "貼り合わせ" "圧電"

JA15  site:patents.google.com ("SiOxNy" OR "Si2N2O") "音響" "基板"

JA16  site:patents.google.com "酸窒化" "弾性率" "共振"

JA17  site:patents.google.com "酸窒化珪素" "剛性" "共振"

JA18  site:patents.google.com "酸窒化ケイ素" "超音波" "基台"

JA19  site:patents.google.com "窒化酸化シリコン" "弾性"

JA20  site:patents.google.com "酸窒化ケイ素" "混合" "圧電" "焼結"

JA21  site:patents.google.com "窒化アルミニウム" "混合" "弾性波" "主成分"

JA22  site:patents.google.com "炭化ケイ素" "窒化アルミニウム" "固溶体" "圧電"

JA23  site:patents.google.com "酸窒化ケイ素" "支持部材" "圧電"

JA24  site:patents.google.com "酸窒化珪素" "誘電体" "音速" before:2010-12-24

JA25  site:patents.google.com "酸窒化ケイ素" "ウエハ" "圧電" before:2010-12-24

JA26  site:patents.google.com "酸窒化ケイ素" "タンタレート" "基板" before:2010-12-24

JA27  site:patents.google.com "酸化窒化" "ニオブ酸リチウム" "支持" before:2010-12-24

JA28  site:patents.google.com "酸窒化ケイ素" "主成分" "支持" before:2010-12-24

JA29  site:patents.google.com "窒化ケイ素" "アルミナ" "配合" "弾性表面波"

JA30  site:patents.google.com "窒化アルミニウム" "炭化珪素" "混合物" "圧電" before:2010-12-24

JA31  site:patents.google.com "酸窒化ケイ素" "支持体" "音速" before:2010-12-24

JA32  site:patents.google.com "酸窒化珪素" "音響速度"

JA33  site:patents.google.com "酸窒化ケイ素" "下部絶縁層" "共振"

JA34  site:patents.google.com "酸窒化珪素" "音響反射" "圧電" before:2010-12-24

JA35  site:patents.google.com "酸窒化ケイ素" "保持" "圧電薄膜" before:2010-12-24

JA36  site:patents.google.com "酸窒化ケイ素" "主相" "基板"

JA37  site:patents.google.com "酸窒化ケイ素" "ヤング率" "圧電"

JA38  site:patents.google.com "酸窒化珪素" "下面" "弾性波" before:2010-12-24

JA39  site:patents.google.com "酸窒化ケイ素" "バルク波" "支持" "2009"

JA40  site:patents.google.com "酸化窒化珪素" "伝搬" "基板" before:2010-12-24

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B

高声速支撑基板材料专利检索报告

中文 英文 法文 德文 韩文 日文

公开日严格早于2010年12月24日  检索日期2026年10月23日

六种语言各40轮  合计240轮独立检索与逐轮调整

结论摘要

本报告针对授权权利要求1中的材料限定,而不是对整项权利要求作出无效结论。对七种列举材料均找到程度不同的在先专利贡献,但“出现该材料”“担当支撑”“满足所需声速关系”是不同层次,不能合并为全部材料已被完整公开。

氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、DLC和金刚石,均有明确的材料选项与支撑相关公开。其中DLC为高声速基板的可选方案,不能写成已经实作的DLC基板。各篇关于速度的证据强度不同,六项成分和角色的覆盖不等于六项均已严格满足目标实际模式不等式。

SiON的证据可分为高速介电选材、底部声学支持膜、实体烧结材料三个部分;目前入选证据尚未在一篇截止日前文献中同时确立其作为目标高声速支撑基板的全部关系。真实SiC与氮化硅、Si2N2O混合材料及AlN与SiC成品多数比例已找到;金刚石为主要体积分数组分的实体复材还有实测纵波速度,但均未补齐目标支撑与工作模式的联合关系。

报告择优保留14组有实际贡献的证据。优先研读D1至D4,D5补充金刚石物性;D6至D9分别补足声学选材、支持膜和模式速度;D10至D13补充真实混合体或SiON实体可制性;D14新增金刚石主成分复材及实测纵波。辅助材料文件均不被当作完整结构公开。

 

 

1 检索对象和比对边界

1.1 原权利要求限定

目标为CN103262410B授权权利要求1。所引材料原文经原PDF第2页即权利要求书第1页核对如下:

“高声速支撑基板,由氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜或金刚石、或者以这各材料为主成分的材料、以这各材料的混合物为主成分的材料中的任意一者构成”。

目标文本:CN103262410B 原公开页面

目标优先权日为2010年12月24日;本任务按用户指定以公开日严格早于该日筛选。以下每件入选证据均列其实际公开日期,不以优先权日或申请日替代公众可得日期,也不把较晚同族新增文字回填到较早公开。

权利要求1还包括低声速膜、LiTaO3或LiNbO3压电膜、IDT及0.1λ至0.5λ低声速膜厚度等其他限定。本报告只就所指定材料特征开展贡献检索;部分材料证据不能自动否定完整权利要求的新颖性或创造性。材料项采用备选关系,寻找全部七项是本次检索覆盖目标,不意味着评价某一被权利要求涵盖的实施方案时必须同时找到七种材料。

1.2 高声速应比较什么

目标说明书[0173]及图25将高声速膜与支撑基板合为高声速支撑基板33,说明其中传播的体波速度高于压电膜中实际利用的弹性表面波速度。[0073]至[0081]进一步按P、SH、SV主模式及材料各向同性或各向异性选择对应体波。因此,一般“高速”、纵波常数、比SiO2快或两种材料的SAW速度比较,都不应无条件替代这一对应关系。

本报告把速度证据分别标为材料声速数值、层间一般关系、特定计算模式关系或未给出。跨文献的材料属性是否能转用,仍取决于组成、相态、孔隙率、晶向、织构、沉积工艺和工作模式。杨氏模量、断裂强度、声阻抗、光学折射率不能直接当作横波声速。

1.3 支撑角色和主成分如何认定

只在压电膜、保护层、牺牲层或电极附近出现材料名,不等于该材料担当目标高声速支撑。底部膜如果实际承载声学层叠,则属于相关角色证据,但需要进一步比较其悬膜构型、独立基板和实际工作模式。目标权利要求没有规定支撑必须达到某一额外刚度或最小厚度,故本报告不以自行添加的“必须厚”门槛排除支持膜。

目标并不要求IDT暴露在器件最顶面,[0070]允许它设于压电膜上表面或下表面。因此,对上覆第二介质的判断不能仅靠画图方向,而应核实谁实际承载、是否需要替换或去除原基板,以及改变构型后声速关系是否仍成立。

主成分按各文献实际措辞处理;“主要”“实质构成”、50当量%和具体体积分数不混写。多层叠置不是材料混合物,OR选项不是AND共存相,起始粉末比例也不是最终烧结相比例。SiAlON不视为SiON同义词;SiN加SiO2两层或粉末并列也不自动证明已形成化学SiON。

 

 

2 材料覆盖和证据强度

表中“联合公开”专指同一证据是否已经同时建立目标材料、该器件支撑角色及所需对应速度关系,不代表对完整权利要求的法律结论。明确选项与实际实施分别标注。

材料分支

组成

支撑角色

速度证据

联合公开

证据

氮化铝

D4 主成分陶瓷明确选项

D4 真实SAW支撑替代方案

D6 高速介质条件;D4无对应速度

尚未闭合

D4 D6

氧化铝

D1 D4 明确选项

D1 承载第二基板;D4 陶瓷支撑

D1 一般体波层间关系

实际模式待核

D1 D4

碳化硅

D3 具体器件材料

D3 下方基板承载AlN及IDT

D3 瑞利SAW约>6800与5800

体波比较待核

D3

氮化硅

D4 主成分及实例

D4 300 μm陶瓷支撑LT

D9 5973大于工作模≤4031 条件计算

跨篇转用待证

D4 D9

氮氧化硅

D6选项 D7 D8主成分 D12晶相

D7 D8底部支持膜;D12非声学实体

D6慢横波至少约5000的选材条件

未获完整同篇证据

D6至D8 D12

DLC

D2 明确可选 非实作

D2高声速基板或膜的选项

D2定性高速 D6介质条件

特定组成模式待核

D2 D6

金刚石

D2实例 D5整块 D14主成分复材

D2去载体300 μm;D14无声学承载

D5横13000 纵16000;D14复材纵7800或9100 m/s

完整目标映射待核

D2 D5 D14

各材料为主成分

D4陶瓷 D7 D8膜 D14复材

依材料与构型分别成立

D14有5 MHz实测纵波 非工作模比较

分支性覆盖

D4 D7 D8 D14

混合物为主成分

D10实质共存 D11复体 D13成品72%或88%

均为结构材料 非已证声学支撑

未给目标体波与工作模关系

材料可制性贡献

D10 D11 D13

 

表内SiN、氮化硅包括原文未固定化学计量的泛称;Si3N4只在原文明确该相时使用。SiON也不是单一不变物性的化学式,D12中的Si2N2O只是其具体晶态分支。

 

 

3 入选对比文件详细分析

下列引文均来自所标具体公开文本。仅为便于阅读合并换行、规范化化学下标和单位排版;省略的上下文不据以补造特征。网页索引全文、原PDF文字和原PDF页图核对分别说明,未取得PDF者不宣称经过原件页图校验。中文译文用于本次技术分析,不替代正式程序中可能需要的译文。

D1 氧化铝支撑基板与低速层约束结构

公开文件  DE102005055871A1    公开日  2007-05-24

主题  Elektroakustisches Bauelement 电声元件

原文入口  DE102005055871A1

核验层级  原公开PDF文字及公开日已核;关键位置为PDF第2、4、6页及权利要求38至39。

纳入理由  主要材料与支撑证据。对应氧化铝选项,并提供高速两侧介质夹持低速层的相关声约束构思。

原文1  [0034] PDF第4页

Als Material für das zweite Substrat kommt insbesondere hochohmiges Si in Betracht.

译文  第二基板的材料尤其可考虑高电阻率硅。

原文2  [0034] 同段

Möglich ist aber auch Al2O3

译文  也可以是氧化铝。

原文3  [0073] PDF第6页

Das zweite Substrat ist aufgrund seiner höheren Dicke vorzugsweise ein Trägersubstrat.

译文  第二基板由于厚度较大,优选作为承载基板。

原文4  [0017] PDF第2页 对应完整速度句

Die Ausbreitungsgeschwindigkeit dieser Welle ist im Schichtsystem, insbesondere in der dielektrischen Schicht vorzugsweise deutlich – z. B. um mindestens 10% – kleiner als in den beiden diese umgebenden Substraten.

译文  该波在层系中,尤其在介电层中的传播速度,优选明显小于其两侧基板中的传播速度,例如至少低10%。

材料与真实角色

[0032]至[0034]将第一压电基板和第二基板的选材分开;氧化铝是第二基板选项,不是从压电材料名单挪用而来。[0073]进一步说明,第二基板的厚度应足以保证器件机械稳定。两段结合,支持氧化铝可用于承载侧基板的判断。该文另一处出现的AlN属于压电层材料,不能据此把D1也列作氮化铝支撑的独立直接证据。

声速与结构

文献围绕导引体声波及其约束展开;[0017]前句说明体声波优选为横波。[0037]优选二氧化硅介电层;权利要求38至39进一步限定层系与两侧基板的体波速度关系。因此它不是仅列出一种硬质陶瓷的无关文献,而具有与目标低速层夹持机制相近的技术联系。

本次贡献

对氧化铝材料选项、承载基板用途以及低速介质夹在较高速介质之间的原理均有实质贡献,适合作为优先展开的对比文件。引用时应把一般选材段、支撑段和速度段分别定位,而不写成存在一个已经实测的氧化铝完整实施例。

尚未证明

上述一般体波层间关系,不等同于已经明确证明“氧化铝支撑内相应体波速度高于目标压电膜中实际使用模式的相速度”。尚需对应实际模式、方向和层厚。D1也不能仅凭这些段落即被认定单篇公开目标权利要求1所有材料以外的限定。

D2 金刚石和DLC作为高声速基板的明确选项

公开文件  JP2002290182A    公开日  2002-10-04

主题  高音速基板与压电薄膜接合的制造技术

原文入口  JP2002290182A

核验层级  原公开日文索引权利要求及说明书已核;未取得原公开PDF,故不列PDF页码。

纳入理由  主要材料与支撑证据。DLC和金刚石分别覆盖,不能把两者合并后只计算一个材料项。

原文1  权利要求4 换行合并

前記高音速基板または高音速薄膜が、ダイヤモンドもしくはダイヤモンド状炭素である

译文  所述高声速基板或者高声速薄膜为金刚石或类金刚石碳。

原文2  [0010]

前記高音速基板もしくは高音速薄膜は、例えばダイヤモンドあるいはダイヤモンド状炭素である。

译文  所述高声速基板或高声速薄膜,例如为金刚石或者类金刚石碳。

材料与真实角色

权利要求1、2及4区分了高声速基板分支,以及高声速薄膜与另一承载基板构成复合体的分支。由于原文明确包含“基板または薄膜”,DLC并非只出现在无关的上覆保护层名单中。它被直接列作最终高声速基板或薄膜的可选材料。

实施例与可选方案必须分开

[0018]记载在单晶硅上形成厚300 μm的多晶金刚石,随后溶解除去硅基材,得到金刚石高声速基板。[0019]至[0021]再说明在MgO临时基板上形成500 nm的LiNbO3膜,接合后去除MgO。该实例支持金刚石作为最终承载基板的具体实现;它不是DLC实例。

本次贡献

该文对DLC分支最有价值之处是明确选项和目标用途同时出现;对金刚石还存在去除临时载体后的具体基板实施例。因此应把“DLC明确可选”和“金刚石具体实施”作为不同强度的结论。

尚未证明

“高音速”称谓本身没有给出DLC特定组成的体波速度、偏振方向或对应实际工作模式的不等式。已核段落也不足以证明0.1λ至0.5λ低声速中间膜等完整目标限定。MgO、SiO2、GaAs、蓝宝石等临时成膜支持材料不能被当作最终高声速基板的选项。

D3 碳化硅承载氮化铝压电膜及其较高SAW速度

公开文件  US7112860B2    公开日  2006-09-26

主题  Integrated nitride-based acoustic wave devices and methods of fabricating integrated nitride-based acoustic wave devices

原文入口  US7112860B2

核验层级  原授权公开PDF及扉页公开日已核。以下PDF页码为电子文件页码,另标栏号。

纳入理由  主要材料与支撑证据。SiC是下方基板;AlN在所引结构中是压电膜,不能混淆。

原文1  图1A说明 PDF第12页 第7栏

The integrated device 10 includes a substrate 12 that may, for example, be silicon carbide (SiC), such as semi-insulating silicon carbide of the 4H polytype.

译文  集成器件10包括基板12,其例如可以为碳化硅,如4H多型的半绝缘碳化硅。

原文2  图1A说明 同页同栏

In the embodiments illustrated in FIG. 1A, the aluminum nitride buffer layer 14 also forms a piezoelectric film on which a SAW device 10B is fabricated as described in more detail below.

译文  在图1A的实施方式中,氮化铝缓冲层14也构成压电膜,并在其上制备SAW器件10B。

原文3  PDF第13页 第9栏

In that case, the SAW velocity of the propagating wave may be dominated by the SiC substrate, which has a higher SAW velocity than AlN.

译文  在该情况下,传播波的SAW速度可由SiC基板主导,其SAW速度高于AlN。

原文4  背景技术 PDF第9页 第2栏

the propagation velocity (also called the SAW velocity) of first order Rayleigh-mode acoustic waves in GaN is around 3600 m/s, while the corresponding SAW velocity in AlN is about 5800 m/s, and over 6800 m/s in SiC.

译文  一阶瑞利模声波的传播速度在GaN中约为3600 m/s,在AlN中约为5800 m/s,在SiC中超过6800 m/s。

材料与真实角色

图1A中基板12承载AlN膜14及输入、输出叉指换能器26、28。权利要求19也明确基板包括SiC。该记载解决的是实际声学器件中承载侧的SiC材料,不是一般碳化硅硬质部件或者无关声反射层。

速度证据的准确读法

当AlN缓冲层厚度约250 nm或以下时,文献说明传播SAW速度可由SiC基板主导,并给出特定一阶瑞利模材料速度。6800与5800 m/s的比较是SAW对SAW,不是SiC体波对复合器件实际使用弹性波的严格比较。

本次贡献

SiC选材、承载角色和利用其较高声传播速度三个环节具有同篇联系,是碳化硅分支的重要材料对比文件。它也提供薄压电膜与高SAW速度基材相结合的明确技术动机。

尚未证明

不能把该处AlN膜同时当成目标中的独立低声速中间膜,也不能把一阶瑞利波速度改写为横体波速度。图1A所引SAW区域没有据此确认目标所要求的单独低速中间层;目标限定的LiTaO3或LiNbO3压电膜及完整层厚关系仍需另行比对。

D4 氮化铝和氮化硅主成分陶瓷支撑的直接公开

公开文件  US20040226162A1    公开日  2004-11-18

主题  压电基板与支撑基板接合的SAW器件制造技术

原文入口  US20040226162A1

核验层级  原公开PDF已核;权利要求11位于PDF第23页、印刷第8页并经页图核对;实例位于PDF第22页、印刷第7页。

纳入理由  主要材料与支撑证据。覆盖AlN、氮化硅以及以其为主成分的陶瓷,也重复支持氧化铝。

原文1  权利要求11及[0026] 陶瓷分支节录

a ceramic substrate containing aluminum oxide, aluminum nitride, or silicon nitride as a main component.

译文  以氧化铝、氮化铝或者氮化硅为主成分的陶瓷基板。

原文2  [0097] 化学下标规范化

As for the supporting substrate 20, silicon nitride (SiₓNᵧ) having a linear expansion coefficient of 2.6 ppm/° C. in the SAW propagation direction X is employed.

译文  支撑基板20采用在SAW传播X方向上线膨胀系数为2.6 ppm/°C的氮化硅。

原文3  [0098]

The LT substrate 11 is 30 μm thick, while the silicon nitride substrate 51 is 300 μm thick.

译文  LT基板11厚30 μm,氮化硅基板51厚300 μm。

原文4  [0096] 两处节录

A 1.9-GHz band SAW resonator 30 is formed on the LT substrate 11. / the SAW wavelength is 2.1 μm.

译文  在LT基板11上形成1.9 GHz频段SAW谐振器30;SAW波长为2.1 μm。

材料与真实角色

权利要求11的主语是supporting substrate,并非压电膜或表面钝化层。其陶瓷分支明列AlN和氮化硅为主成分。[0097]至[0098]进一步给出300 μm氮化硅支撑30 μm LT的具体实例;[0099]明确允许以氧化铝、氮化铝等陶瓷替代。因此氮化硅属于实例层面的公开,AlN属于明确替代选项。

主成分与化学名称

“as a main component”直接对应用户关注的主成分分支,但所引文句没有规定统一质量或体积分数阈值。原文写silicon nitride并使用SiₓNᵧ,目标权利要求也仅称氮化硅;无须额外要求它必须注明固定化学计量Si3N4,亦不应擅自把全部氮化硅实例限定为该晶相。

速度侧可以得到什么

由[0096]名义频段与波长可作估算:1.9 GHz × 2.1 μm ≈ 3990 m/s。该数是本报告据参数作出的名义相速度推算,不是原文报告的精确实测速率或严格上界。原文主要以热膨胀、温度系数和加工性解释陶瓷支撑的效果。

本次贡献与缺口

该篇直接解决AlN及氮化硅的材料、主成分和真实SAW支撑角色,是这两项最重要的材料证据;尚未解决具体陶瓷支撑中相应体波速度高于实际工作模式的关系。不能直接将D9另一结构的5973 m/s移植到此陶瓷,也不能把权利要求14的中间膜材料误当权利要求11的支撑基板。

D5 整块金刚石基板及横波和纵波速度补充

公开文件  EP1225694A1    公开日  2002-07-24

主题  Surface acoustic wave device 表面声波器件

原文入口  EP1225694A1

核验层级  原公开网页全文及公开日已核;原PDF未取得,不把网页位置写成PDF页码。

纳入理由  与D2不同的材料证据组。新增金刚石横波、纵波数值及整块基板选项,非仅重复材料名称。

原文1  说明书 Background 网页正文

transversal wave velocity: 13,000 m/s, longitudinal wave velocity: 16,000 m/s

译文  横波速度13000 m/s,纵波速度16000 m/s。

原文2  说明书 Method for the Embodiment

The diamond layer may constitute part of a substrate or constitute an entire substrate.

译文  金刚石层可以构成基板的一部分,也可以构成整个基板。

材料与真实角色

原文围绕金刚石与ZnO压电层、叉指换能器构成的SAW器件展开,既允许金刚石层由其他基材承载,也允许金刚石本身构成整个基板。后一分支避免了仅凭薄膜覆盖就误判为整块支撑材料的问题。

相较D2的独立增量

D2的优势是高声速基板材料选项及去除临时载体的金刚石实例;D5另外明确区分金刚石横波和纵波数值,并说明利用高声速基材提高SAW相速度的设计思路。故保留D5有实际增量,而不是用相同材料堆积文献数量。

尚未证明

这些数值是文献对金刚石材料性质的陈述,不能在未核晶向、传播模式和复合层条件时,直接视为目标任意金刚石实施方式的严格不等式。器件使用ZnO,不能自动替代目标限定的LiTaO3或LiNbO3;完整低速中间层和厚度条件也没有仅由这两句话成立。

D6 SiON等高速介电材料的慢横波条件

公开文件  EP2211462A2 与 US20100187947A1    公开日  2010-07-28 与 2010-07-29

主题  Acoustic wave device 声波器件

原文入口  EP2211462A2  同组公开或原PDF

核验层级  两份原公开PDF文字已核;EP文本[0018]、[0101]至[0103]和权利要求4可交叉定位;PDF页图未完成核对。两件作为同族一组,不算两份独立技术启示。

纳入理由  重要声学选材补充,尤其用于SiON。公开的是第二介电介质,不是已证明的目标支撑基板。

原文1  EP [0018] PDF第3页

having a slow transverse wave acoustic velocity of at least about 5000 m/second.

译文  慢横波声速至少约为5000 m/s。

原文2  EP [0102] PDF第8页

As a dielectric material, a dielectric material selected from the group of silicon nitride (SiN), aluminum oxide (Al2O3), aluminum nitride (AlN), silicon (Si), silicon oxynitride (SiON) and diamond-like carbon (DLC), for example, can preferably be used.

译文  介电材料例如优选从氮化硅、氧化铝、氮化铝、硅、氮氧化硅及DLC中选取。

原文3  EP [0102] 同段

Thereby, the boundary acoustic wave can be reliably confined under the second dielectric layer.

译文  由此可将边界声波可靠地限制在第二介电层下方。

结构与选材

所述结构以LiNbO3为压电基板,IDT位于其与SiO2介质的界面,第二介电层位于SiO2另一侧。[0101]说明优选较SiO2横波更快的第二介电材料;[0102]给出SiON等可选项;权利要求4明确结合慢横波至少约5000 m/s条件。

本次贡献

它把SiON与高速声学约束介质联系起来,不是光学折射率文献或无关绝缘膜名单;还为AlN、Al2O3、氮化硅、DLC提供声学选材补充。SiON与慢横波条件的明确同篇关联,是其在本报告中保留的主要理由。

不能扩大之处

该条件针对选用的介电材料,不能视为所有化学比例、沉积工艺或孔隙率的SiON均已实测达到5000 m/s。文献没有据所引结构把第二介质明确分配为目标机械支撑基板,也未证明去除或替换原LiNbO3基板后的工作状态。

为何不是完整联合公开

问题不在于简单称其为“上层”就必然排除,而在于材料、承载角色、层序和实际模式关系尚未同时对应。将这份性能选材教导与D7或D8的支撑膜教导相结合仍是多篇组合论证,需要说明实施动机、几何和工艺可兼容性。所述多种介电膜叠层也不能被当成主混合物陶瓷。

D7 以SiON为主成分的声学底部支持膜

公开文件  JP2003298131A    公开日  2003-10-17

主题  圧電薄膜素子およびその製造方法 压电薄膜元件及制造方法

原文入口  JP2003298131A

核验层级  原公开日文索引[0006]、[0009]、[0021]、[0035]、[0053]及权利要求1已核;原PDF未取得。

纳入理由  SiON机械声学角色及主成分的部分贡献,不是完整高声速支撑基板结论。

原文1  [0006]及权利要求1 换行合并

酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、およびアルミニウムマグネシウム酸化物からなる群から選択される材料を主成分とする層を含む支持膜

译文  含有以二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝和铝镁氧化物中所选材料为主成分的层的支持膜。

原文2  [0009] 换行合并

支持膜は、弾性的損失が小さく、軽量であり、機械的強度が高いことが必要とされる。

译文  支持膜要求弹性损耗小、质量轻且机械强度高。

原文3  [0035] 换行合并

支持膜2、下部電極3、圧電膜4、および上部電極5を浮き構造とした、バルク超音波共振素子が得られる。

译文  可得到由支持膜2、下电极3、压电膜4和上电极5构成悬浮结构的体声谐振元件。

原文4  [0009] 必须限定对象的速度句

酸化アルミニウムは、弾性的損失が小さく、音速が速いことから好適である

译文  氧化铝因弹性损耗小且声速快而适用。

材料与真实角色

SiON不是只见于顶部保护膜。权利要求1的支持膜位于下电极和压电膜之下,并跨越背面凹部;它与上下电极、压电膜共同构成参与厚度振动的悬膜结构。因此存在真实声学机械支持角色,且材料选项直接使用“主成分”。

本次贡献

D6解决SiON作为高速声学介质的选择条件;D7则补充它可以作为声学器件底部支持膜材料的明确公开。这是不同维度的贡献,不应因两者各自不完整而全部忽略,也不能因合读而声称单篇已完整公开。

实例不应移植

[0021]约2500 Å即0.25 μm的实际支持膜是氮化硅;[0053]3000 Å即0.30 μm膜是氧化铝。两者都不能写成已制造的SiON支持膜厚度。[0009]上述“声速快”语句特指氧化铝;摘要及[0004]的高速度材料还可能指压电膜,不能移作SiON性能。

尚未证明

独立基板仍存在,支持膜的工作方式是跨凹部的体声谐振悬膜;未给出SiON自身声速、对应体波偏振或目标实际使用模式的不等式。目标权利要求没有额外的“必须厚”或最小刚度限制,因此差异应落在真实承载构型和速度关系,而不是擅加尺寸门槛。

D8 SiON下部膜主成分定义及保留支撑分支

公开文件  WO2007119643A1    公开日  2007-10-25

主题  Film bulk acoustic resonator piezoelectric thin film device and manufacturing method

原文入口  WO2007119643A1

核验层级  原WO公开日文正文与对应索引译文已核;原PDF未取得。以下日文引句保留所见文字,公式排版损坏处不据此补造化学式。

纳入理由  SiON的下部声学膜角色及主成分量词增量,不能写成SiON速度实测或其下部膜实作例。

原文1  [0046]

下部絶縁層 13の一部は振動空間 20に向けて露出している。

译文  下部绝缘层13的一部分朝向振动空间20露出。

原文2  [0048] 材料名单关键词

酸窒化ケィ素

译文  氮氧化硅。

原文3  [0048] 主成分定义 空格按索引保留

この下部絶縁層 13の材質について、主成分とは、誘 電体膜中の含有量が 50当量%以上である成分を指す。

译文  就该下部绝缘层13的材料而言,主成分指介电膜中含量为50当量%以上的成分。

材料与结构对应

[0046]将基板11、绝缘层12、下部绝缘层13与压电层叠结构14区分;下部绝缘层13紧接下电极下方,其露出部分与对应压电结构共同构成振动膜21。[0048]将以氮氧化硅为主成分的介电膜列入下部绝缘层选项,并偏好高弹性模量材料。

相较D7的独立增量

D7已提供主成分支持膜名单;D8新增明确的“50当量%以上”定义及该定义对下部绝缘层的适用范围。准确表达是≥50当量%,而非>50%,也不能自动换算为质量、体积或原子百分比。这个定义属于D8自身,不能无根据套用为目标专利“主成分”的统一解释。

保留与移除是两个分支

[0049]另允许将对应振动膜区域的下部绝缘层全部去除,使下电极朝向空腔露出。因此本报告仅援引[0046]所述保留该层的分支,不称所有实施方式都具有SiON机械支持膜。

尚未证明

[0064]25至300 nm、优选30至200 nm是一般下部层厚度,不是SiON实测厚度。已核实例[0103]下层为氧化铝;[0111]实际SiON位于上电极侧间隔体,不能搬到下部膜。高弹性模量也不是剪切速度,本篇没有据此闭合目标高声速支撑关系。

D9 氮化硅慢横波速度与计算工作模式的直接比较

公开文件  US20090115287A1    公开日  2009-05-07

主题  Boundary acoustic wave device 边界声波器件

原文入口  US20090115287A1

核验层级  原A1网页全文已核,关键位置为图3至18计算条件及图3至6和11至14前后的说明;原PDF未取得。

纳入理由  有条件的实际模式速度补充。不是把通用SiN声速直接赋给任意烧结支撑。

原文1  图3至6及图11至14讨论前 SiN纵波与慢横波

The acoustic velocities of longitudinal waves and slow transverse waves in the SiN layer are about 10642 m/s and about 5973 m/s, respectively.

译文  SiN层中纵波与慢横波的声速分别约为10642 m/s和5973 m/s。

原文2  紧随其后的零损失SH边界波条件

FIGS. 3 to 6 and FIGS. 11 to 14 show that in any case using different metal electrodes, the propagation loss αm of SH boundary waves is 0 at a thickness at which the acoustic velocity of SH boundary acoustic waves is less than or equal to the lowest value of about 4031 m/s of the acoustic velocities of longitudinal waves, fast transverse waves and slow transverse waves.

译文  图3至6和图11至14表明,采用不同金属电极时,若在相应厚度下SH边界声波的声速不大于纵波、快横波和慢横波声速中的最低值约4031 m/s,则SH边界波的传播损失αm为0。

计算条件必须随数值引用

图3至18的计算采用SiN与LiNbO3厚度视为无限的条件、SiO2厚0.5λ、15°Y切X传播LiNbO3即欧拉角(0°,105°,0°),并分析以SH为主的边界波。结果基于文献所用计算方法,不应写成特定SiN陶瓷试样的直接实验测量。

可以成立的限定结论

该计算结构采用SiN纵波约10642 m/s、慢横波约5973 m/s;文献将零传播损失SH边界波速度限制在不高于约4031 m/s的区间。因此在该明确条件下,SiN慢横波5973 m/s高于该工作模不高于4031 m/s的速度,确有比泛称“高速”更具体的模式比较价值。

与D4的关系

D4有真实氮化硅陶瓷支撑及LT膜,缺支撑的对应体波速度;D9有对应模式速度,却没有把该SiN介质确认为D4那种制造、孔隙率、组分与织构的陶瓷支撑。两者可构成待论证的材料选择路线,但不是无条件将两个数相减即可完成目标比对。

尚未证明

该篇没有在所引实施结构中明确由SiN替代原压电基板的机械支撑作用;更换材料几何和支撑方式后的模式还需重新核验。不能仅因为它画在某一侧就认定必然不符合,亦不能仅因速度比较成立就补出承载角色。它不含SiON速度实测。

D10 SiC和氮化硅颗粒置于氮氧化硅基体的真实混合体

公开文件  WO2007055776A2    公开日  2007-05-18

主题  Reverse reaction sintering of Si3N4 SiC composites 复合陶瓷反向反应烧结

原文入口  WO2007055776A2

核验层级  原WO公开文本及公开日已核;原PDF未取得。与US7446066B1存在已核优先权和申请关联,作为同一关联公开组处理,不将后者再算独立增量。

纳入理由  混合物主成分分支的材料可制性补充。真实共存相,不是OR选项或多层结构。

原文1  权利要求7 化学下标转为同行

substantially comprised of grains of silicon carbide and grains of silicon nitride distributed in a Si2N2O matrix

译文  实质上由分布在Si2N2O基体中的碳化硅颗粒和氮化硅颗粒构成。

原文2  权利要求15 基体限定节录

substantially composed Of Si2N2O

译文  实质上由Si2N2O构成。

材料对应

权利要求7使用and联结SiC颗粒和氮化硅颗粒,并指定Si2N2O基体,描述对象是最终烧结体。Si2N2O属于硅氮氧化物的一个具体化学分支;该表述因此对“列举材料的混合物为主成分”有比孤立的可选名单更直接的材料学贡献。

定性主成分不等于定量结果

“substantially comprised of”提供最终体的定性实质组成;权利要求15的“substantially composed”则针对基体本身。两者不能被改写成已经测得整个烧结体中各相的准确质量或体积百分比,也不应擅自指定>50%的解释阈值。

原料与最终体不可混写

权利要求3至5中的85/15、80/15/5、75/15/10配方是混合粉末投入比例,烧结包含氧化、反应及玻璃相形成,不能直接用作最终相含量。说明书对试样P3所作XRD主要晶相描述也属于定性相识别,不等于定量相分析。

本次贡献与缺口

该篇证明相关氮化物、碳化物、氮氧化物可以共同形成致密混合结构材料,且对最终组成使用实质构成语言。未证实其用于SAW或边界波器件支撑,没有相应体波速度,也没有与目标压电层、低速层搭配的替换动机。故只作为混合材料可制性的辅助文件,不是完整声学结构对比文件。

D11 SiC纤维与氮化硅基体复合体的实例数据

公开文件  EP0188270A2    公开日  1986-07-23

主题  碳化硅纤维增强氮化硅基复合结构材料

原文入口  EP0188270A2  同组公开或原PDF

核验层级  欧洲专利局原公开PDF扉页、权利要求及实例关键页已逐页图核对。以下同时列电子页和印刷页。

纳入理由  真实混合体及最终实例物性补充。与D10不同的增量是实际纤维体积分数及结构力学数据。

原文1  权利要求1(a) 电子第18页 权利要求印刷第1页

a reinforcing phase of silicon carbide filaments at least one millimeter in length disposed throughout the body of the material, and

译文  分布于整个材料体内、长度至少1 mm的碳化硅纤维增强相,以及

原文2  权利要求1(b) 同页

a matrix of predominantly silicon nitride surrounding said reinforcing phase.

译文  包围上述增强相、主要由氮化硅构成的基体。

原文3  说明书印刷第10页末至第11页首 电子第11至12页

These composites contain 46-50 volume percent silicon carbide filaments and have an overall bulk density of 2.4-2.5 gm/cm³.

译文  这些复合体含46%至50%体积分数的碳化硅纤维,总体积密度为2.4至2.5 g/cm³。

原文4  说明书印刷第11页 电子第12页

The test specimens exhibited an elastic deformation range in bending up to as much as 700 MPa, with Young's moduli of 380-420 GPa through this range of strains.

译文  试样在弯曲载荷下呈现最高约700 MPa的弹性变形范围,在该应变范围内杨氏模量为380至420 GPa。

材料对应及实际增量

权利要求将SiC纤维增强相和主要为氮化硅的基体并列组合,实例还报告最终复合体46%至50%体积分数的纤维。因此不是把两种材料的备选名单当作混合物,也不是仅有烧结前的粉末配方。

主成分范围

“predominantly”直接修饰基体;纤维还包括碳芯及可能的表面富碳或富硅部分,不能将该材料称为化学纯双相体。已核文本没有给出整块材料SiC加SiN的完整定量相分数,故本报告不虚构100%或精确合计比例。

物性不能过度换算

380至420 GPa是杨氏模量,不是剪切模量。没有完整的泊松比、各向异性弹性张量和传播条件,不能用它与密度直接算横波速度。文献对基体密度1.8至1.9 g/cm³还使用“believed”措辞;不得把它移植成D4声学陶瓷的测量值。

本次贡献与缺口

D11提供已有刚性混合结构材料及实际组成形式的证据,可补充混合物分支的材料可行性;用途是机械、耐热结构而非所核声学支撑。它没有SiON、具体工作模式或目标速度不等式。与D10并用的价值是两种不同实际复合路线,不是自动证明任一混合体都适合目标声学器件。

D12 以Si2N2O为主要晶相的烧结体实例

公开文件  US4975394A    公开日  1990-12-04

主题  Sintered high density silicon oxnitride and method for making the same

原文入口  US4975394A

核验层级  原公开网页正文和表1已核;原PDF未取得。表格中的化学下标仅作排版规范化,不补入未见数据。

纳入理由  SiON实体材料可制性的有限补充,不是另一个声学支撑文献。

原文1  实施例1 表1 样品1 X射线衍射栏

Si.sub.2 N.sub.2 O and a minute amount of Si.sub.3 N.sub.4

译文  Si2N2O以及微量Si3N4。

原文2  实施例1 表1之前

The modulus of elasticity was determined by the supersonic wave pulse method

译文  弹性模量通过超声脉冲法测定。

实际材料而非词语命中

实施例1表1样品1的最终相描述是Si2N2O和微量Si3N4,并给出密度2.82 g/cm³及弹性模量23000 kgf/mm²。制备条件包括1700°C热压和氧化铝添加剂。该数据说明SiON的具体晶态分支可以制成实体烧结材料,而不只存在于纳米级光学涂层。

保留它的独立理由

D6是声学高速介质选材,D7和D8是机械声学膜,D12则提供实际烧结实体和相识别、密度、模量数据。三者回答不同问题。即便D12没有声学应用,它对把SiON视作结构材料的可制性有有限而具体的贡献。

尚未证明

XRD的“微量”描述不是完整相含量分析,不能据此声称全部成分只有两相或给出精确SiON比例。超声法用于测模量不等于原文披露了传播速度;此处不能直接推横波速度。原应用为燃气轮机或柴油机等零件,尚无目标声学支撑角色及组合动机。

D13 AlN与SiC烧成复合材料的合计成品比例

公开文件  CN101182210A    公开日  2008-05-21

主题  一种控制碳氮含量合成AlN SiC复合材料的方法

原文入口  CN101182210A

核验层级  原公开PDF扉页、电子第4页即说明书第2页及电子第5页图1均经页图核对。

纳入理由  混合物主成分分支的定量措辞增量。比例明确针对烧成制品,不是仅有起始粉末配方。

原文1  实施例1 PDF第4页 说明书第2页

通过XRD分析可知得到的烧成制品中的AlN-SiC成分比例可达72%。

释义  原文将72%直接归于得到的烧成制品中AlN与SiC的合计成分。

原文2  实施例2 同页

通过XRD分析可知得到的烧成制品中的AlN-SiC成分比例可达88%。

释义  另一制备例报告相应合计成分比例可达88%;未注明为质量百分比还是体积百分比。

与既有混合材料证据的区别

D10使用最终烧结体“实质构成”的定性语言,D11给出纤维体积分数但没有目标各相的完整合计定量;D13则直接报告烧成制品的AlN–SiC合计72%和88%。这不是另一个含两种名称的备选名单,而是新的材料组合及针对成品多数成分的明确表达。

化学和定量边界

图1分别标识AlN、SiC与C,相图支持AlN和SiC同时存在,也提示残余碳,不能改称无杂相的完全固溶体。说明书优点段提到烧成后70%至90%的范围;但所核原文没有说明这些百分数的质量或体积计量基准,也未给出可复核的XRD定量相分析流程。故准确说法是“原文报告合计比例”,而非本报告独立测得精确相含量。

本次贡献与缺口

AlN和SiC都是目标明确列举材料,本篇对以其混合物为主要成分的实际烧成材料有直接材料组成贡献。文献关注合成、强度和导热相关性能,没有所核声学器件支撑用途、体波速度或实际工作模式关系。其背景中AlN可作基板的介绍不能转移成该复合体已经用于SAW支撑的事实。

D14 金刚石为主要体积分数组分的复材及实测纵波速度

公开文件  US20100319900A1    公开日  2010-12-23

主题  金刚石颗粒与金属基体复合材料的制造及物性

原文入口  US20100319900A1

核验层级  原A1公开PDF扉页及电子第10至11页即印刷第9至10页经页图核对。公开日距截止日前一天,满足本任务严格早于2010年12月24日的要求。

纳入理由  单项列举材料为主成分分支的独立增量。实体复材同时具有金刚石多数体积分数和明确波型的实测声速。

原文1  [0119] PDF第10页 印刷第9页 测量方法

The longitudinal velocity of a sound V_L in samples of composites was measured at frequency of 5 MHz.

译文  复合材料试样的纵向声速V_L在5 MHz频率下测量。

原文2  [0138] 实施例12 PDF第11页 印刷第10页

As a result, the composite had a pycnometric density of 5.99 g/cm³, a closed porosity of 3.1%, a volume fraction of diamond of 61%, a TC of 830 W/(m K), CTE of 8.6 ppm/K, and a longitudinal sound velocity of 7.8 km/s.

译文  所得复合材料的比重瓶法密度为5.99 g/cm³,闭孔率3.1%,金刚石体积分数61%,热导率830 W/(m K),热膨胀系数8.6 ppm/K,纵向声速7.8 km/s。

成品与实际声速

[0129]实施例3得到金刚石、碳化钨和铜构成的实体圆柱复材,报告金刚石63 vol%、密度5.54 g/cm³、闭孔率0.4%、纵向声速9.1 km/s。[0138]实施例12以银替代铜,采用相应钨涂层,得到上述61 vol%及7.8 km/s结果。[0119]明确测试波型是纵波、频率为5 MHz,因此这里不是从硬度或杨氏模量间接推算声速。

体积分数的来源

[0119]及式(10)依据最终试样实测密度、基体与填料质量比及涂层质量分数计算成品填料体积分数。63%和61%应称为专利报告的成品计算体积分数,不能说成独立化学相含量实测,也不能换写成重量百分比。它们仍区别于单纯投入配方,因为计算针对已经制成的复合试样。

对应哪一材料分支

金刚石在所述成品中超过一半体积,使本篇对“以金刚石为主成分的材料”具有实质贡献。铜、银和碳化钨并不属于目标列举的七种材料,因此不把它归为“全由列举材料形成的主混合物”证据。它新增的是单项主成分复材及其声学物性,不只是重复D2和D5的纯金刚石选材。

尚未证明

纵向声速7.8或9.1 km/s不能转换成横波速度,亦没有与目标压电膜中实际使用模式作对应比较。文献面向导热与散热部件,所核实例没有给出SAW或边界波器件的机械支撑角色。故本篇补强材料主成分和有波型的实测速度,但仍未闭合目标支撑与工作模的联合关系。

 

 

4 对无效论证的贡献和未闭合环节

4.1 可优先展开的材料路线

氧化铝路线可优先从D1的承载第二基板和低速层约束构思入手,再逐项核目标的压电膜、IDT和层厚限定。D4可加强主成分陶瓷支撑的公开。应避免把D1关于一般材料体波的关系直接写成已测得的氧化铝实际工作模结论。

氮化铝与氮化硅路线以D4为核心:支撑身份、主成分及实际SAW器件已明确。D9可提供特定SiN结构下对应横波和实际SH模式的关系,但要论证为什么其物性可用于D4陶瓷,且LT和LN结构、几何及工艺差异不会使推断失效。

DLC与金刚石路线以D2为核心,分别引用可选材料及实际金刚石实例;D5补充整块金刚石及波型数值。SiC路线以D3为核心,承认其比较是SAW对SAW,另核目标所需体波与工作模式关系,不把AlN压电膜冒充独立低速层。

4.2 SiON不能被文字拼接为单篇完整公开

D6的高速条件、D7和D8的支持膜、D12的烧结实体,分别有贡献,但三者并未自然构成同一个器件。要进一步主张材料替换具有启示,至少需要说明选择哪种SiON组成,如何形成所需机械承载构型,是否保持低速中间层和压电膜,并确认相应体波速度高于改变后实际模式。

将支持膜与目标基板区分,不是规定SiON一定要厚或一定要无其他基板;将第二介质与目标支撑区分,也不是以顶面或底面标签作为唯一依据。当前缺口是具体结构和性能的联合证据,而非人为添加的几何限制。

4.3 混合材料证据的合理用途

D10、D11和D13表明目标列举材料可以共同构成真实复体,D13还报告成品AlN与SiC的合计多数比例。但这些材料文件不能单独说明为什么会将该结构陶瓷用于目标SAW层叠。烧结反应、孔隙、纤维方向、界面与次生相都会影响有效弹性常数和损耗。

D14进一步说明,以金刚石为主要体积分数组分的实体复材具有实测纵波速度,因而不能笼统说本次“所有复合材料都没有声速”。准确缺口是:尚未取得目标材料占优、实际声学支撑角色及对应体波高于工作模式三者的联合证据;尤其不能将纵波直接代替横波。

4.4 当前结论与下一步证据需求

本次可确认的是材料特征的多层次在先贡献,不是整项权利要求已经被单篇完整公开。后续若形成正式无效请求,应围绕选定主对比文件再制作完整权利要求要素对照;优先补齐对应模式速度、实际材料工艺和组合动机。对尚无原PDF的入选文件,应在正式提交前补取官方公开件并复核引文页码。

 

 

5 六语检索方法与记录口径

本次完成中文、英文、法文、德文、韩文、日文各40轮,共240轮。每轮分别独立执行并根据已知材料和上一轮结果调整检索式。轮数是独立检索轮次,不是查询词条数、命中文献数,也不是Google Patents原生搜索成功次数。

检索对象以Google Patents收录公开文本为核心。原生搜索入口尝试均未取得可用原生结果,实际执行的检索经外部索引以site:patents.google.com等方式定位,再回读具体公开页、原文索引或原PDF。本报告不将失败的原生请求记成成功结果,也不声称240轮在原生数据库界面成功完成。

搜索式中的before等词法或外部搜索日期过滤并不始终可靠;候选是否入选最终按其原公开日期逐件复核。因此即使某查询使用较宽日期、优先权筛选词或仅作为导航的后来公开文献,亦不能使后公开内容获得截止日前证据资格。

5.1 六语构式和逐轮调整

各语言不限文献国家,而是实际使用该语言构建材料、角色、声学关系和缺口词组。基本思路是“材料同义词+支撑角色+声学模式或速度”,确认成分后转向未解决的SiON、主混合物及对应模式关系,不再用纯材料换词反复扩展已经确认的六项。必要的既有文献核验保留为证据补强,而非新独立材料发现。

语言

初始和调整方向示例

中文

高声速支撑基板 氧化铝 弹性波;氮氧化硅 陶瓷 声波导;氧氮化硅 横波 剪切模量

英文

silicon oxynitride support substrate acoustic velocity;support film bulk acoustic;shear modulus density

法文

oxynitrure de silicium substrat support vitesse acoustique;membrane autoporteuse;module de cisaillement

德文

Siliciumoxynitrid Trägersubstrat Schallgeschwindigkeit;Siliziumoxinitrid Membran;Transversalwelle

韩文

산질화규소 지지 기판 음속;산질화 실리콘 지지막;전단파 탄성계수

日文

酸窒化ケイ素 高音速 支持基板;酸窒化シリコン 支持膜;横波 弾性定数

 

本表展示构式与词汇路线,非逐轮原样执行清单;实际每轮的主检索式见附录。精确公开号、原文段落和同族追溯属于相应轮内的核验操作,不另计新轮。

逐轮主检索式均有调整;个别放宽式、原文核验式和文献导航记录重复,不计作新增独立证据。文字不同并不意味着技术主题完全不同,因此报告不宣称全部查询在语义上互不重复,也不以查询条数代替独立轮次。

5.2 纳入和排除规则

只有具有新增实质贡献的公开文本进入D1至D14。保留直接材料与支撑证据,以及能具体补足性能、真实声学机械角色、主成分或真实混合体的有限补充。单纯出现材料名、来源日期不能核实、后公开文本、光学或制样过程误命中、重复同族及不增加信息的相似上覆层,不作为报告对比文件列出。

同族或存在明确优先权关联的公开按技术公开组处理。D6两份文本用于交叉定位,D10关联公开不再重复计独立启示;不同文献恰好同材料也不会自动合并。入选不是全文相关性的评分,更不是预先给定数量,目的是保留可逐句解释的实际贡献。

检索仍有公开页索引、语言转写、分类覆盖及原PDF可得性的限制;负结果表示本轮未取得合格证据,不证明世界范围内不存在该技术,也不宣称搜索穷尽全部专利。原文索引核验与官方PDF核验的区别已逐件标注。

 

 

附录 逐轮主检索式与结果记录

以下按语言列出240个独立轮号,每轮展示一条实际执行的外部索引主检索式,以及相对于本报告入选证据的结果。此处不展示失败的原生入口式冒充成功检索。轮内可以另有放宽、排除词、同族导航及原文核验式;一条主式不代表该轮全部查询。检索路线均为外部索引定位Google Patents公开文本,证据再按第5节核验。

“未新增入选证据”包括无合格命中、角色或日期不符、原文未证实,以及重复或贡献弱于已选证据;不等于没有任何搜索结果。出现D编号表示与入选证据有关,不意味着该轮独立发现一项新材料或一组新专利。

中文 40轮

ZH01  site:patents.google.com 氧化铝 蓝宝石 高声速 支撑 基板 声表面波

结果  D1 氧化铝承载基板及一般层间速度关系。

ZH02  site:patents.google.com 氮化硅 高声速 支撑基板 表面声波 复合基板

结果  氮化硅层兼任另一滤波器基板的线索;对应速度未证。

ZH03  site:patents.google.com "声表面波" "氮氧化硅" "基板" before:2011

结果  真实混合介质命中过晚,未获合格新证据。

ZH04  site:patents.google.com "氧氮化硅" "声波" "基底"

结果  找到真实SiC与SiN及Si2N2O混相;最终以D10和D13择优展开。

ZH05  site:patents.google.com 氮氧化硅 声速 谐振器 支撑

结果  重复声学支持膜家族,未补速度。

ZH06  site:patents.google.com "WO2010122993" 氮氧化硅 声速

结果  早同族日期有线索,原公开技术内容未取得。

ZH07  site:patents.google.com 氮氧化硅 谐振器 支撑膜 声速

结果  既有支持膜的速度和阻抗语句不能补SiON速度。

ZH08  site:patents.google.com 氮氧化硅 声波 波导 包层 基板

结果  光波导与光学折射率命中,不作为声速证据。

ZH09  site:patents.google.com 氮氧化硅 (剪切模量 OR 弹性常数 OR 超声波速度) 陶瓷

结果  排除超声粉体分散和SiN加SiO2即化学SiON的误读。

ZH10  site:patents.google.com (氮氧化硅 OR 氧氮化硅 OR Si2N2O) (声匹配 OR 声阻抗 OR 超声换能器 OR 声学基板) 陶瓷

结果  实体陶瓷背片与平面振动有有限启示,未补SAW关系。

ZH11  site:patents.google.com ("氮氧化硅" OR "氧氮化硅" OR "Si2N2O") (超声 OR 压电) (振动板 OR 背衬 OR 粘合 OR 陶瓷基板) before:2010-12-24

结果  SiON实际振动板命中过晚,早引文未证实成分。

ZH12  site:patents.google.com ("WO2009004558" OR "压电超声") ("氧氮化硅" OR "氮氧化硅") (隔膜 OR 支撑膜)

结果  膜层化学名称有歧义,不能把SiN和SiO2叠层当SiON。

ZH13  site:patents.google.com ("Si2N2O" OR "氮氧化硅") ("弹性波" OR "声表面波") ("基板" OR "压电薄膜")

结果  晶态Si2N2O承载查询无新增;透波与超声分散非声速。

ZH14  site:patents.google.com 氮氧化硅 (延迟线 OR 声波导) 基板 -光学 -粉体 -粉末

结果  转向延迟线和声波导,未获合格新证据。

ZH15  site:patents.google.com 氮氧化硅 陶瓷 声波导

结果  陶瓷声波导查询主要转入光学和电磁用途。

ZH16  site:patents.google.com 氮氧化硅 超声 延迟线 固体传声

结果  实际声学层叠仍为SiN和SiO2,未新增SiON。

ZH17  site:patents.google.com 氧氮化硅 厚度切变 承载 声谐振器

结果  分类检索得到SiON支持结构但公开过晚。

ZH18  site:patents.google.com 氮化硅 碳化硅 复相陶瓷 (乐甫波 OR 剪切导波) 支撑

结果  非声学SiC与SiN混合材料有成分贡献,较D10和D11累积。

ZH19  site:patents.google.com 氮氧化硅 固态装配 声反射 下绝缘层 主成分

结果  下部承载及声反射路线未新增合格证据。

ZH20  site:patents.google.com 烧结氮化硅 支撑陶瓷 横波速度 表面波 相速度

结果  既有SH模式家族补核,陶瓷支撑速度缺口仍在。

ZH21  site:patents.google.com 氮氧化硅 剪切模量 泊松比 密度 声速 before:2010-12-24

结果  泊松比命中不属于SiON试样,不能组成物性数据组。

ZH22  site:patents.google.com 氮氧化硅 布里渊散射 弹性常数 横波 薄膜 before:2010-12-24

结果  早引文强调工艺改变SiN物性,未补SiON实测常数。

ZH23  site:patents.google.com 氮氧化硅 陶瓷 背衬 吸声 超声探头

结果  背衬和匹配层路线未获SiON结构声学新证据。

ZH24  site:patents.google.com 氮氧化硅 电容微机械超声换能器 下部 空腔 支撑 基板

结果  CMUT下部基板和空腔底板路线无合格新证据。

ZH25  site:patents.google.com 氮氧化硅 陶瓷 扭转共振 脉冲激振 剪切模量 密度

结果  多孔混相候选有模量,但无同试样剪切模量与密度。

ZH26  site:patents.google.com 氮氧化硅 声光 波导 弹性波 模式转换 声约束

结果  声光声约束命中为其他材料,不能转归SiON。

ZH27  site:patents.google.com 氮化铝 氧化铝 混合陶瓷 基板 声表面波 压电薄膜

结果  AlN与氧化铝或金刚石与SiC声学混合支撑未证实。

ZH28  site:patents.google.com 超声 延迟线 氧化铝 氮化铝 复合陶瓷 温度补偿

结果  陶瓷延迟线命中属于电磁用途,未证目标混合体。

ZH29  site:patents.google.com 氮氧化硅 化学气相沉积 自支撑 厚膜 声学 振膜

结果  厚沉积膜和释放膜路线未获SiON高速承载。

ZH30  site:patents.google.com 氮氧化硅 Si2N2O 超声传播 MHz 声速 m/s

结果  MHz及传播查询未获组成对应的SiON声速。

ZH31  site:patents.google.com Si2N2O 氧氮化硅 扭转超声 横波 换能器 后盖板

结果  扭转超声与后盖板路线无合格SiON性能证据。

ZH32  site:patents.google.com 氮氧化硅 致密 多孔 二氧化硅 声波 波导

结果  致密SiON与多孔介质声波导路线无新增。

ZH33  site:patents.google.com/patent "H03H9/25" ("氧氮化硅" OR "氮氧化硅" OR "Si2N2O") 陶瓷 基板

结果  中文分类与陶瓷基板查询无截止日前新证据。

ZH34  site:patents.google.com "碳化硅" "氧化铝" ("双晶片" OR "非压电" OR "背衬板")

结果  双晶片与背衬候选为备选名单,不是实际混相。

ZH35  site:patents.google.com ("氮氧化硅" OR "氧氮化硅") ("水平剪切" OR "剪切水平") 传感器

结果  水平剪切传感器查询未补SiON承载及模式速度。

ZH36  site:patents.google.com 氧氮化硅 陶瓷 声透镜 楔块 纵波速度

结果  透镜和楔块查询未获SiON实测速度。

ZH37  site:patents.google.com "碳化硅" "氮化铝" "固溶体" 声波

结果  D13 烧成AlN与SiC成品合计72%及88%;无声学用途。

ZH38  site:patents.google.com 氮氧化硅 透声 超声 衰减

结果  超声衰减命中为聚合物镜片,不是SiON。

ZH39  site:patents.google.com 金刚石 碳化硅 复合 声传导 互穿

结果  真实金刚石及B4C及SiC复体有声速;目标相占优未证,择优未列。

ZH40  site:patents.google.com "金刚石" "金属" "复合" "声表面波" before:2011

结果  D14金刚石金属复材仍未找到早期SAW支撑应用桥梁。

英文 40轮

EN01  site:patents.google.com/patent "silicon oxynitride" "high acoustic velocity"

结果  D6 SiON高速介质条件;与真实机械支撑分开。

EN02  site:patents.google.com "aluminum nitride" "high velocity" "support" "piezoelectric" before:2010-12-24

结果  D4 AlN和氮化硅主成分陶瓷支撑。

EN03  site:patents.google.com "silicon oxynitride" "guided" "substrate" acoustic

结果  已知蓝宝石承载补核,未新增SiON或主混合体。

EN04  site:patents.google.com "silicon oxynitride" membrane support resonator "shear"

结果  发现SiON声学支持膜;最终以D7和D8择优展开。

EN05  site:patents.google.com/patent "silicon oxynitride" "Love" before:2010-12-24

结果  Love波相关SiON命中过晚,未新增合格证据。

EN06  site:patents.google.com "silicon oxynitride" "Grahn"

结果  早期物性论文引文未转化为可核专利声速证据。

EN07  site:patents.google.com/patent "silicon oxynitride" "transverse" "velocity"

结果  D6原PDF及D9特定计算结构中的实际模式速度。

EN08  site:patents.google.com/patent "silicon oxynitride" ("boundary acoustic" OR "boundary wave") ("medium" OR "backing")

结果  SiON介电层及相对速度有补充,与D6相比增量有限。

EN09  site:patents.google.com/patent "silicon oxynitride" "supporting substrate" piezoelectric before:2010-12-24

结果  D7 SiON主成分底部支持膜。

EN10  site:patents.google.com/patent "silicon oxynitride" "support film" "bulk acoustic"

结果  D7支持膜参与厚度谐振;纠正厚度和材料归属。

EN11  site:patents.google.com/patent "silicon oxynitride" "shear" "resonator"

结果  未获定量SiON声学支持膜数据,传感器膜不升级。

EN12  site:patents.google.com/patent ("silicon oxy nitride" OR "silicon oxy-nitride") (acoustic OR resonator) (membrane OR support OR substrate) velocity before:2010-12-24

结果  SiON化学传感器膜有物性,但声学关联较弱。

EN13  site:patents.google.com/patent "oxynitride" ("fast substrate" OR "high velocity" OR "high acoustic velocity") ("underlayer" OR "ground layer" OR substrate) before:2010-12-24

结果  针对性声阻抗查询无新候选。

EN14  site:patents.google.com/patent "silicon oxynitride" ("acoustic impedance" OR "shear velocity") (support OR substrate OR underlayer) before:2010-12-24

结果  声学匹配层候选公开过晚。

EN15  site:patents.google.com/patent/ "silicon oxynitride" "H03H9/25"

结果  较早同族日期及高速盖层补核,较D6增量有限。

EN16  site:patents.google.com/patent/ "silicon oxynitride" ("picosecond" OR "Grahn" OR "Tauc")

结果  SiON论文被光学计量专利引用,不等于公开材料速度。

EN17  site:patents.google.com/patent/ "silicon nitride" "silicon carbide" ("shear" OR "Love wave") substrate acoustic before:2010-12-24

结果  真实SiN与SiC声学混相查询无合格新证据。

EN18  site:patents.google.com/patent/ "silicon oxynitride" ("solidly mounted" OR "acoustic mirror") resonator before:2010-12-24

结果  D8 下部SiON膜及主成分≥50当量%的定义。

EN19  site:patents.google.com/patent/ "silicon nitride" sintered ceramic "shear" "velocity"

结果  SiN薄膜比SiO2快的补充,不能转用为陶瓷速度。

EN20  site:patents.google.com/patent/ "silicon oxynitride" "Poisson" density acoustic

结果  未获同组SiON密度与弹性常数;韧性不作声速。

EN21  site:patents.google.com/patent/ "silicon oxynitride" acoustic membrane stress oxygen

结果  SiON组成及应力属于晶体管绝缘,无声学速度。

EN22  site:patents.google.com/patent/ WO2006082155 silicon oxynitride acoustic membrane tensile stress

结果  移动麦克风膜与CMUT线索未闭合角色和速度。

EN23  site:patents.google.com/patent/ "silicon oxynitride" capacitive ultrasonic membrane modulus

结果  确认CMUT保留SiON中间膜,非主厚度;相较D7和D8累积。

EN24  site:patents.google.com/patent/ "silicon oxynitride" ("phononic crystal" OR "acoustic bandgap") before:2010-12-24

结果  声子结构存在其他材料数值,未补SiON或对应横波。

EN25  site:patents.google.com/patent/ "silicon oxynitride" ("graded" OR "gradient") ("acoustic" OR "ultrasonic") before:2010-12-24

结果  梯度声学介质命中过晚,未新增。

EN26  site:patents.google.com/patent/ "silicon oxynitride" "acoustic" "cladding" before:2010-12-24 -US20180081113 -US20190267770 -US20250192749

结果  早声约束引文使用其他材料,不回填后来SiON。

EN27  site:patents.google.com/patent/ "ceramic sonotrode" (EP1194772 OR FR2796155 OR "silicon oxynitride")

结果  早超声延迟体实为SiAlON,不等同SiON。

EN28  site:patents.google.com/patent "silicon oxynitride" "flexural" "plate"

结果  板波实例材料为硅,不能转用其速度到SiON。

EN29  site:patents.google.com/patent/ "silicon oxynitride" ("freestanding" OR "free-standing") (acoustic OR substrate OR piezoelectric)

结果  所谓自承厚膜实为树脂加薄SiON涂层。

EN30  site:patents.google.com/patent/ "Si2N2O" "MHz" (ultrasonic OR attenuation OR velocity)

结果  微波加热、超声测模量和外部论文不能拼成SiON声速。

EN31  site:patents.google.com/patent/ "silicon oxynitride" acoustic "support structure"

结果  早引文SiON是保护绝缘层,非所需固定支撑。

EN32  site:patents.google.com "reaction bonded" "silicon carbide" (acoustic OR ultrasonic) (matching OR backing OR substrate)

结果  反应结合陶瓷有真实多相,但无声学承载。

EN33  site:patents.google.com/patent/ "silicon oxynitride" (orthorhombic OR "elastic constants" OR "elastic tensor")

结果  晶态SiON弹性张量路线未获合格数据。

EN34  site:patents.google.com/patent/ "surface acoustic wave" "sintered" "aluminum nitride" "silicon carbide"

结果  烧结AlN与SiC的SAW混合承载路线无新增。

EN35  site:patents.google.com/patent/JP2010022000A "column" "substrate" "silicon oxynitride"

结果  温补柱线索为已知家族,非独立固定支撑。

EN36  site:patents.google.com diamond "silicon carbide" sintered "acoustic" substrate

结果  早金刚石与SiC声学复合体是两层结构,不是烧结混相。

EN37  site:patents.google.com "silicon oxynitride" "Poisson" "density" ("carrier" OR "support") -"EP1428661" -"CN1471388"

结果  未获同试样SiON杨氏模量及泊松比及密度。

EN38  site:patents.google.com/patent/ "silicon oxynitride" "H03H9/02" substrate

结果  分类定点检索为一般材料列举,未证SiON支撑体。

EN39  site:patents.google.com "diamond" "silicon carbide" "sound" "composite" before:2011

结果  D14 实际金刚石多数体积复材及实测纵波;另有占优未明复体。

EN40  site:patents.google.com "diamond" "metal" "transverse" "velocity" composite before:2011

结果  未补D14横波或SAW支撑,不从纵波推横波。

法文 40轮

FR01  site:patents.google.com/patent diamant "substrat" "vitesse" "ondes acoustiques"

结果  D2和D5 金刚石及DLC高声速基板选项。

FR02  site:patents.google.com "oxynitrure de silicium" "substrat" "acoustiques"

结果  未新增SiON高声速支撑证据。

FR03  site:patents.google.com substrat céramique composite mélange nitrure oxynitrure silicium ondes acoustiques support

结果  分层反射结构不是材料混合体。

FR04  site:patents.google.com "oxynitrure de silicium" "substrat" "ondes"

结果  既有SiC与SiN及Si2N2O混相补核,未补声学关系。

FR05  site:patents.google.com "oxynitrure de silicium" "Love"

结果  Love波路线使用其他导引材料,未新增SiON。

FR06  site:patents.google.com "oxynitrure de silicium" "intergranulaire"

结果  SiON结构陶瓷主成分补核,无声学速度。

FR07  site:patents.google.com "ondes acoustiques" "substrat" "oxynitrure" "carbure"

结果  纳米粘结层和声学检测不等于声学支撑材料。

FR08  site:patents.google.com ("Si2N2O" OR "oxynitrure de silicium") ("impédance acoustique" OR "propagation ultrasonore" OR "support acoustique")

结果  Si2N2O及超声耦合路线未获合格新证据。

FR09  site:patents.google.com ("oxynitrure de silicium" OR "SiON" OR "Si2N2O") ("ligne à retard" OR "résonateur acoustique" OR "ondes de volume") -optique -collage

结果  SiON温补柱位于振动体内,未证多数相或固定支撑。

FR10  site:patents.google.com ("oxynitrure de silicium" OR SiON) ("substrat composite" OR "substrat porteur" OR "matrice") (acoustique OR colonnes) -optique -collage

结果  既有温补柱角色澄清,不新增独立证据。

FR11  site:patents.google.com ("oxynitrure de silicium" OR SiON) ("régions isolées" OR tranchée OR ancrage) (résonateur OR "support mécanique")

结果  SiON刻蚀或牺牲层未证永久承载。

FR12  site:patents.google.com ("oxynitrure de silicium" OR "oxy-nitrure de silicium") membrane "ultrasons"

结果  SiN与SiO2叠层命名不能确认化学SiON。

FR13  site:patents.google.com ("oxynitrure de silicium") ("support porteur" OR "substrat support") ("ondes élastiques" OR "film piézoélectrique")

结果  载体路线主要为较晚转移技术和中间膜。

FR14  site:patents.google.com (Si2N2O OR SiOxNy OR "oxynitrure de silicium") ("module de cisaillement" OR "vitesse transversale") (céramique OR support)

结果  物性查询无截止日前新声速证据。

FR15  site:patents.google.com "oxynitrure de silicium" ("autoporteuse" OR "autoportante" OR "ondes acoustiques")

结果  自承及声波导路线无合格SiON新证据。

FR16  site:patents.google.com/patent "oxynitrure de silicium" "Lamb"

结果  Lamb波底部支撑路线无合格新证据。

FR17  site:patents.google.com/patent "nitrure de silicium" "carbure de silicium" transducteur mélange acoustique

结果  实际混合陶瓷承载与模式关系仍未证实。

FR18  site:patents.google.com/patent "oxynitrure de silicium" "réflecteur" acoustique

结果  保留声反射下层未获SiON支撑新证据。

FR19  site:patents.google.com/patent "oxynitrure de silicium" membrane résonateur "principal"

结果  主成分下部膜查询未超过D7和D8的已有贡献。

FR20  site:patents.google.com/patent "nitrure de silicium" "onde de Love" vitesse

结果  氮化硅陶瓷支撑的对应横波速度仍缺。

FR21  site:patents.google.com/patent "oxynitrure de silicium" "coefficient de Poisson"

结果  未得SiON同组弹性常数与密度。

FR22  site:patents.google.com/patent "oxynitrure de silicium" "Brillouin"

结果  布里渊测量线索未获早SiON专利数据。

FR23  site:patents.google.com/patent "carbure de silicium" "nitrure de silicium" ("guide ultrasonore" OR "ligne à retard" OR "charge arrière") composite

结果  混合陶瓷声波导和背衬用途未证实。

FR24  site:patents.google.com/patent "oxynitrure de silicium" ("couche enterrée" OR "couche de liaison") ("impédance acoustique" OR piézoélectrique)

结果  SiON埋置粘结及阻抗变换路线无新增。

FR25  site:patents.google.com/patent "oxynitrure de silicium" poreux ("adaptation acoustique" OR "amortissement acoustique" OR ultrasons)

结果  多孔SiON陶瓷日期补核,缺同试样剪切数据。

FR26  site:patents.google.com/patent "oxynitrure de silicium" (sonotrode OR "tige tampon" OR "coupleur ultrasonore")

结果  早耦合体家族日期有线索,材料在本轮未核。

FR27  site:patents.google.com/patent "nitrure d’aluminium" alumine composite (transducteur OR "substrat collé") acoustique

结果  AlN及氧化铝真实混合声学支撑未获。

FR28  site:patents.google.com/patent "oxynitrure de silicium" ("ondes de Love" OR "cisaillement horizontal") capteur plaque

结果  SH与Love传感器承载路线无新增。

FR29  site:patents.google.com/patent "oxynitrure de silicium" ("autoportant" OR "couche épaisse") dépôt acoustique

结果  SiON纳米光学粘结膜应力可调,不是声速证据。

FR30  site:patents.google.com/patent (Si2N2O OR "oxynitrure de silicium") ("temps de vol" OR "impulsion ultrasonore") vitesse

结果  传播时间及超声脉冲路线未获SiON速度表。

FR31  site:patents.google.com/patent "ondes de Love" "substrat" (céramique OR oxynitrure OR Si2N2O) composite

结果  Love波实例为其他材料,未获目标混相或SiON承载。

FR32  site:patents.google.com/patent "Si2N2O" ("C44" OR "constantes élastiques") ("masse volumique" OR "cisaillement")

结果  未得Si2N2O的C44与质量密度对应数据。

FR33  site:patents.google.com/patent "carbure de silicium" "nitrure de silicium" ("adaptation acoustique" OR "bloc d’adaptation" OR "lame piézoélectrique")

结果  声背衬命中不证明致密目标混相。

FR34  site:patents.google.com/patent "oxynitrure" "filtre" "support" acoustique ancrage

结果  柱形支撑线索原文未核,后由EN35判为既有家族。

FR35  site:patents.google.com/patent "oxynitrure de silicium" (grains OR polycristallin) ("atténuation acoustique" OR "vitesse de phase")

结果  晶粒和衰减路线未取得SiON早期声速。

FR36  site:patents.google.com/patent "oxynitrure de silicium" "haute densité" (ultrasons OR "module de Young" OR Poisson)

结果  既有SiON结构陶瓷成品90%至98 wt%补核;非声学,择优未列。

FR37  site:patents.google.com "oxynitrure" "support monolithique" piézoélectrique

结果  整体SiON基板路线无合格新证据。

FR38  site:patents.google.com diamant "carbure de silicium" composite acoustique interpénétrant

结果  金刚石及SiC声学复体命中过晚或仅备选名单。

FR39  site:patents.google.com/patent "oxynitrure de silicium" "plaque" "transversales"

结果  横波及自承查询未获SiON新数据。

FR40  site:patents.google.com/patent "oxynitrure de silicium" résonateur collage "vitesse"

结果  粘结支撑路线未补SiON实际模式速度。

德文 40轮

DE01  site:patents.google.com Aluminiumnitrid hoch Schallgeschwindigkeit Trägersubstrat Oberflächenwelle

结果  AlN支撑替代选项有贡献,较D4累积且无速度。

DE02  site:patents.google.com Siliziumnitrid Aluminiumnitrid Hauptbestandteil Trägersubstrat Schallgeschwindigkeit

结果  D4既有支撑核验;其他SiN数值不属SAW承载。

DE03  site:patents.google.com Siliziumoxynitrid Sialon Keramik Trägersubstrat akustische Wellen

结果  早SiAlON保护膜不能当SiON高速支撑。

DE04  site:patents.google.com Siliziumoxynitrid Schallgeschwindigkeit

结果  断裂强度和密度不能换算SiON横波速度。

DE05  site:patents.google.com Siliziumoxinitrid Trägerplatte Volumenwelle Phasengeschwindigkeit piezoelektrisch

结果  SiON结构陶瓷及载体拼写变体未补声学用途。

DE06  site:patents.google.com Siliziumoxynitrid akustischer Resonator Membran Träger Schallgeschwindigkeit

结果  既有支持膜一般阻抗式不能补SiON速度。

DE07  site:patents.google.com Grenzflächenwelle Trägersubstrat transversale Volumenwelle Phasengeschwindigkeit Love Welle

结果  D1体波及导引术语补核,未升级实际工作模结论。

DE08  site:patents.google.com (Grenzflächenwelle OR "geführte Volumenwelle") (Phasengeschwindigkeit OR Transversalwellengeschwindigkeit) (WO0129964 OR WO03088475 OR WO03088482)

结果  界面波速度存在非严格上界,具体材料模式仍待核。

DE09  site:patents.google.com "DE60008569" (Grenzflächenwellengeschwindigkeit OR Transversalwellengeschwindigkeit OR Saphir)

结果  同族原PDF速度表补核,允许等号且非目标层叠。

DE10  site:patents.google.com Keramikträger Lithiumtantalat Scherwellengeschwindigkeit

结果  D4频段与波长给名义3990 m/s推算,非实测速度上界。

DE11  site:patents.google.com Siliziumnitrid Keramik (Schubmodul OR Schermodul OR Transversalgeschwindigkeit) Dichte

结果  未获该陶瓷对应横波速度或完整弹性数据。

DE12  site:patents.google.com (Siliciumnitrid OR Siliziumnitridkeramik) (Torsionsmodul OR Scherwellengeschwindigkeit OR Querwellengeschwindigkeit)

结果  D11 真实SiC纤维及SiN基体和最终实例数据。

DE13  site:patents.google.com Siliziumoxynitrid akustischer Träger Volumenwellen piezoelektrisch

结果  转向SiON声学混相,未获新支撑速度证据。

DE14  site:patents.google.com "Siliciumoxynitrid" (Membran OR Trägerfilm) (Scherwellen OR Schallgeschwindigkeit)

结果  旧拼写和承载膜路线无新增。

DE15  site:patents.google.com Siliciumoxynitrid (Schallwellenleiter OR Mischkeramik OR Verbundkeramik)

结果  SiON复合声波导查询未证实声学承载。

DE16  site:patents.google.com keramische Ultraschall-Verzögerungsleitung (Mischkörper OR Siliciumoxynitrid OR Si2N2O)

结果  延迟线和传声体路线未闭合目标混相及速度。

DE17  site:patents.google.com whiskerverstärktes Siliciumoxynitrid akustisch Schallausbreitung

结果  晶须SiON路线未建立声学应用桥梁。

DE18  site:patents.google.com Siliciumoxynitrid akustischer Spiegel tragende Schicht Dünnfilmresonator

结果  下部声反射镜路线未获保留SiON支撑。

DE19  site:patents.google.com Siliziumnitrid Trägerkeramik Scherwellengeschwindigkeit Love-Welle

结果  横向强度不是横波速度,SiN陶瓷模式缺口仍在。

DE20  site:patents.google.com Siliciumoxynitrid Schubmodul Dichte Querkontraktionszahl akustisch

结果  未获SiON配对的剪切模量和质量密度。

DE21  site:patents.google.com Siliciumoxynitrid Stickstoffgehalt Membranspannung akustische Resonanz

结果  组成与应力路线未得声学支持膜速度数据。

DE22  site:patents.google.com Siliciumoxynitrid Brillouin Streuung elastische Konstanten Schallgeschwindigkeit

结果  既有引文链未补SiON实测弹性或横波。

DE23  site:patents.google.com "Si2N2O" (Schubmodul OR Scherwelle OR Ultraschallgeschwindigkeit) Sinterkörper

结果  精确化学式及超声脉冲查询无SiON剪切数据。

DE24  site:patents.google.com "Si2N2O" (C44 OR C55 OR C66) elastische Konstanten

结果  压痕硬度和核反应表征不是声学弹性常数。

DE25  site:patents.google.com (Siliciumoxynitrid OR Siliziumoxynitrid OR Si2N2O) (Ultraschallankopplung OR Vorlaufstrecke OR Schallleitstab) Hochtemperatur

结果  超声耦合和延迟体为其他材料,不转归SiON。

DE26  site:patents.google.com Aluminiumnitrid (Siliciumcarbid OR Aluminiumoxid) (Mischkristall OR Verbundkeramik) akustisches Trägersubstrat

结果  AlN混晶或复合声学载体路线未获截止前证据。

DE27  site:patents.google.com (Siliciumoxinitrid OR Siliziumoxinitrid OR Si2ON2) (Longitudinalgeschwindigkeit OR Transversalgeschwindigkeit OR Ultraschall)

结果  历史拼写命中超声清洗,不是SiON传播速度。

DE28  site:patents.google.com Siliziumoxynitrid (Resonanzbalken OR Schwingplatte OR Mikrowaage) Resonanzfrequenz

结果  振梁及板波命中为多晶硅和分层膜,非SiON承载。

DE29  site:patents.google.com Siliciumoxynitrid (freitragend OR selbsttragend) CVD (Resonator OR Ultraschallwandler)

结果  CVD自承超声层缺化学或速度对应。

DE30  site:patents.google.com (Siliciumoxynitrid OR Siliziumoxynitrid OR Si2N2O) (Laufzeit OR MHz) Ultraschall Keramik

结果  SiON结构试条仅有致密化和显微数据,无声速。

DE31  site:patents.google.com Siliciumcarbid Siliciumnitrid Verbundkeramik geführte Scherwellen Träger

结果  真实SiC和SiN互穿相有配比,非声学,较D10和D11累积。

DE32  site:patents.google.com Siliziumoxynitrid Lambwellen Trägermembran

结果  Lamb波承载膜未获明确SiON传播证据。

DE33  site:patents.google.com (Siliziumoxynitrid OR Siliciumoxynitrid OR Si2N2O) (Ultraschallmotor OR Resonatorträger OR Schwingungsträger) Keramik

结果  超声电机摩擦件名单不能代替SiON谐振支撑。

DE34  site:patents.google.com (Siliciumoxynitrid OR Siliziumoxynitrid) akustische Anpassungsschicht Dichte Schallgeschwindigkeit

结果  空腔声匹配属性不能转归SiON刻蚀层。

DE35  site:patents.google.com Aluminiumnitrid Siliciumcarbid Mischkristall akustisch

结果  AlN与SiC块体合金可制性有补充;最终以D13成品比例择优。

DE36  site:patents.google.com Siliciumoxynitrid Ultraschall Pufferstab Verzögerungskörper

结果  缓冲杆及延迟体为玻璃等其他材料。

DE37  site:patents.google.com Siliziumoxynitrid Trägerplatte piezoelektrische Dünnschicht Schubwellengeschwindigkeit

结果  SiON压电薄膜承载板及剪切速度路线无新增。

DE38  site:patents.google.com "horizontal" "Scherwellen" ("Siliziumoxynitrid" OR "Siliciumoxynitrid")

结果  水平剪切路线无早SiON或目标混相承载。

DE39  site:patents.google.com Aluminiumnitrid Siliciumcarbid Mischkeramik Schallleiter

结果  AlN与SiC烧结配比有辅助贡献,未补声学用途。

DE40  site:patents.google.com Diamant Metall Verbundwerkstoff akustisch Träger Transversalwelle

结果  金刚石多数体积选项用于扬声器振膜;无速度和基板角色,择优未列。

韩文 40轮

KO01  site:patents.google.com 탄화규소 고음속 지지 기판 탄성 표면파

结果  D3 SiC承载AlN声学膜及SAW速度。

KO02  site:patents.google.com "산질화규소" "탄성파" 기판

结果  SiON为移动振膜选项,未证目标支撑。

KO03  site:patents.google.com "탄성파" "혼합물" "지지" "질화"

结果  近似真实混合介质公开过晚,未新增。

KO04  site:patents.google.com 산질화규소 음속 기판

结果  Si2N2O实体陶瓷路线未补声学性能。

KO05  site:patents.google.com "산질화규소" "음속"

结果  多孔SiAlON不能替代SiON,未获新贡献。

KO06  site:patents.google.com 산질화규소 탄성계수 음속 기판 Boch

结果  D12 Si2N2O实体相识别、密度和模量。

KO07  site:patents.google.com 산질화규소 음향 공진기 지지막 FBAR

结果  FBAR及Lamb膜查询无新增合格成分速度证据。

KO08  site:patents.google.com 산질화규소 (판파 OR 램파) (지지막 OR 음속)

结果  浮动板波日期合格,SiON组成和速度未核。

KO09  site:patents.google.com (산질화규소 OR 질화규소) 탄화규소 복합 세라믹 (음향 OR 압전 OR 초음파) before:2010-12-24

结果  D10关联公开确认SiC与SiN颗粒实际共存。

KO10  site:patents.google.com ("산질화규소" OR "Si2N2O") "탄화규소" ("중량" OR "비정질") "치밀" before:2010-12-24

结果  D10 最终体及Si2N2O基体的实质组成。

KO11  site:patents.google.com ("산질화규소" OR "Si2N2O") "탄화규소" ("소성체" OR "소결체") ("상분율" OR "중량") before:2010-12-24

结果  烧成真实混相有补充,但比例推算不稳且无声学用途,择优未列。

KO12  site:patents.google.com ("산질화규소" OR "질화물 결합 탄화규소" OR "Si2N2O") ("음향 지연선" OR "초음파 기판" OR "탄성파") before:2010-12-24

结果  既有混合体声学用途桥梁未获。

KO13  site:patents.google.com "산질화실리콘" 지지막 횡파 속도 FBAR before:2010-12-24

结果  SiON支持膜及横波路线无新增。

KO14  site:patents.google.com ("실리콘 옥시나이트라이드" OR "산질화규소") "전단파" 속도 before:2010-12-24

结果  放宽膜术语并改剪切词,仍无合格新证据。

KO15  site:patents.google.com 산질화규소 세라믹 (음향 OR 초음파) (도파관 OR 유도파) before:2010-12-24

结果  实体超声陶瓷为SiAlON,不是SiON。

KO16  site:patents.google.com ("질화산화규소" OR "산질화규소" OR "Si2N2O") (공진기 OR 공진자) (하부 OR 지지체 OR 지지층) before:2010-12-24

结果  分类及保留基底路线未得截止前SiON支撑。

KO17  site:patents.google.com "질화규소" "탄화규소" "복합" (탄성파 OR 표면탄성파 OR 초음파) 기판 before:2010-12-24

结果  SiC只是制样磨料,不是声学复合相。

KO18  site:patents.google.com ("산질화규소" OR "실리콘 옥시나이트라이드" OR "산질화실리콘") ("음향 반사" OR "고체 장착" OR "브래그") before:2010-12-24

结果  固态下部声镜没有可核SiON材料对应。

KO19  site:patents.google.com "질화규소" "세라믹" ("횡파" OR "전단파" OR "음속") "기판" before:2010-12-24

结果  硅载体横波不能替代氮化硅陶瓷的速度。

KO20  site:patents.google.com 질화규소 소결 (전단탄성계수 OR 전단탄성률 OR 횡파) 밀도 before:2010-12-24

结果  烧结氮化物路线未得所需横波或完整弹性数据。

KO21  site:patents.google.com (산질화규소 OR 산질화실리콘) (질소 OR 조성) (응력 OR 진동막 OR 공진) before:2010-12-24

结果  耐火SiAlON组成不能补SiON声学支持膜。

KO22  site:patents.google.com (산질화규소 OR 산질화실리콘 OR 산화질화실리콘) (브릴루앙 OR "탄성 상수" OR "횡파 속도") before:2010-12-24

结果  布里渊与速度表属于后公开技术,未新增。

KO23  site:patents.google.com (산질화규소 OR 산질화실리콘 OR SiON) (포노닉 OR "음향 밴드갭" OR "음향 밴드 갭") (지지 OR 앵커) before:2010-12-24

结果  声子及锚路线命中晚SiON支撑领圈,不合日期。

KO24  site:patents.google.com (산질화규소 OR 산질화실리콘 OR SiON) (멤브레인 OR 진동막) (칼라 OR 고정부 OR 지지대) before:2010-12-24

结果  早加固结构为SiO2或分层SiN和SiO2,非SiON。

KO25  site:patents.google.com (산질화규소 OR 산질화실리콘 OR SiON) (음향광학 OR 음향광 OR "음향 도파관") (탄성파 OR 음속 OR 구속) before:2010-12-24

结果  真实SiON声约束命中过晚,早引文为其他材料。

KO26  site:patents.google.com ("질화알루미늄" OR "AlN") ("알루미나" OR "탄화규소") (복합체 OR 혼합물 OR 소결체) 압전 접합 기판 열팽창 before:2010-12-24

结果  热匹配陶瓷为独立部件或替代样品,非混合声学支撑。

KO27  site:patents.google.com (소결 OR 다결정) 다이아몬드 (탄성표면파 OR 탄성파 OR 압전막) (기판 OR 결합재) before:2010-12-24

结果  多晶金刚石声学基板为单体或沉积层,未得所需混相。

KO28  site:patents.google.com (산질화규소 OR 산질화실리콘 OR SiON) (미세기계 OR 공진기) (앵커 OR 음차 OR 브리지 OR 응력격리) before:2010-12-24

结果  SiON支持臂属于红外传感器,未补声学速度。

KO29  site:patents.google.com (산질화규소 OR 산질화실리콘 OR SiON) (화학기상증착 OR PECVD OR CVD) (후막 OR 자립 OR 하부층) (음속 OR 음향 OR 공진) before:2010-12-24

结果  厚沉积膜路线未得SiON陶瓷声学承载。

KO30  site:patents.google.com (산질화규소 OR Si2N2O OR 산질화실리콘) (초음파 OR MHz) (전파시간 OR 시험편 OR 종파 OR 횡파) before:2010-12-24

结果  传播时间数值试样为钢,不能转归SiON。

KO31  site:patents.google.com (산질화규소 OR 산질화실리콘 OR Si2N2O) (공진주파수 OR "공진 주파수" OR 전단탄성률) (밀도 OR 시험편 OR 세라믹) before:2010-12-24

结果  介电电磁共振不构成SiON剪切模量证据。

KO32  site:patents.google.com (산질화실리콘 OR 산질화규소 OR SiON) (스톤리 OR 스톤레이 OR 계면파 OR 경계파) before:2010-12-24

结果  SiON上部介质的累积选材,未补支撑或具体模式速度。

KO33  site:patents.google.com (산질화규소 OR 산질화실리콘 OR Si2N2O) ("음향 지연선" OR "음향 메모리" OR "초음파 지연")

结果  声学存储词实际指数字音频,未得实体SiON延迟材料。

KO34  site:patents.google.com (탄성표면파 OR 탄성파) "기판" (질화물 OR 탄화물) ("중량%" OR "체적%" OR "중량퍼센트")

结果  比例词命中装配基片和刀具体,不是目标声学混相。

KO35  site:patents.google.com (산질화실리콘 OR 산질화규소 OR SiON) (횡방향 OR 측방향) (공진기 OR 음향) (앵커 OR 지지대 OR 누설) before:2010-12-24

结果  泄漏与隔离属于电学,未证SiON声学锚。

KO36  site:patents.google.com "질화알루미늄" "탄화규소" "고용체" "탄성파"

结果  AlN与SiC固溶体声学使用桥梁未获。

KO37  site:patents.google.com (산질화규소 OR 산질화실리콘 OR SiON) ("음향 반사" OR "브래그 반사") (기판 OR 압전) before:2010-12-24

结果  声反射和高阻抗不能替代速度;近似例过晚。

KO38  site:patents.google.com (산질화규소 OR 산질화실리콘) (초음파 OR 음향) (투과창 OR 하우징 OR 음향창)

结果  声窗材料为聚合物或金属,没有SiON。

KO39  site:patents.google.com (산질화규소 OR 산질화실리콘 OR SiON) ("기계적 지지체" OR "H03H9/24")

结果  SiON保留下部粘结支撑用于硅MEMS,有有限角色贡献;非目标压电速度,择优未列。

KO40  site:patents.google.com "Si2N2O" (음향 OR 횡파속도 OR 전단계수 OR 질량밀도)

结果  均匀Si2N2O沉积及物性路线仍无新对应声速证据。

日文 40轮

JA01  site:patents.google.com 酸窒化シリコン 高音速 支持基板 弾性波

结果  SiON电极保护层不是高声速支撑。

JA02  site:patents.google.com 窒素添加 酸化シリコン 酸窒化珪素 支持基板 弾性波

结果  早SiON介质上覆层补核,无支撑增量。

JA03  site:patents.google.com 酸窒化珪素 複合 支持基板 バルク波

结果  温补薄膜和SiN及SiO2并列不证明SiON支撑。

JA04  site:patents.google.com 酸窒化珪素 焼結体 音速 弾性波 基板

结果  SiON烧结保持具有结构物性,最终以D12实际晶相择优。

JA05  site:patents.google.com 酸窒化シリコン 弾性定数 音響 支持層

结果  物性论文引文只用于光学计量,未给SiON声速。

JA06  site:patents.google.com/patent "酸窒化珪素" "音響インピーダンス"

结果  SiON曝光台材料有刚性,但无对应声学速度。

JA07  site:patents.google.com/patent 酸窒化シリコン (ラム波 OR SH波 OR 板波) 支持

结果  早Lamb波支持结构未核SiON,保留缺口。

JA08  site:patents.google.com/patent ("酸窒化珪素" OR "酸窒化シリコン") ("支持板" OR "支持基板") ("圧電薄板" OR "圧電薄膜")

结果  SiON层间绝缘不是所需机械支持膜。

JA09  site:patents.google.com/patent 酸窒化ケイ素 横波 弾性表面波 支持体

结果  一般电极厚度调边界波速度,不是SiON支撑公开。

JA10  site:patents.google.com/patent 酸窒化シリコン 支持膜 圧電 膜厚 積層

结果  D7原日文补核;实例厚度和高速语句不能移植SiON。

JA11  site:patents.google.com/patent ("酸窒化珪素" OR "Si2N2O") 焼結 (超音波 OR 音速 OR 振動子 OR 伝搬)

结果  超声杆为SiAlON;次要Si2N2O相不作主成分。

JA12  site:patents.google.com/patent 酸窒化 珪素 音響 レンズ 位相速度

结果  氧氮化物透镜未明确硅化学组成,不确认SiON。

JA13  site:patents.google.com/patent 酸窒化シリコン 高音速 下地 層 弾性波

结果  下部SiON约束层命中过晚。

JA14  site:patents.google.com/patent 酸窒化珪素 ラブ波 導波 支持基板

结果  导波路线主要转向光波导,未新增。

JA15  site:patents.google.com/patent/ "酸窒化" "導波路" "弾性波"

结果  早同族高速SiON盖层补核,与D6相比累积。

JA16  site:patents.google.com/patent/ "酸窒化" ("ラム波" OR "板波")

结果  底板及Lamb波路线无SiON材料速度新证据。

JA17  site:patents.google.com/patent/ "複相" "窒化ケイ素" "炭化ケイ素" "弾性表面波"

结果  SiC与SiN复相查询未获截止前声学支撑。

JA18  site:patents.google.com/patent/ "酸窒化シリコン" "音響反射器"

结果  所核下反射层为铪氧氮化物,不是SiON。

JA19  site:patents.google.com/patent/JP2006508598A 酸窒化ケイ素 バルク音響共振器 支持構造

结果  保留支撑使用SiOC,不是SiON。

JA20  site:patents.google.com/patent/ "酸窒化珪素" 焼結体 (剛性率 OR ポアソン比 OR 横波)

结果  比刚性原文为杨氏模量除密度,不能当剪切比模量。

JA21  site:patents.google.com/patent/ ("酸窒化ケイ素" OR "酸窒化シリコン") 振動膜 残留応力 共振

结果  应力平衡实例为SiO2和SiN分层,未证SiON。

JA22  site:patents.google.com/patent/ ("酸窒化ケイ素" OR "酸窒化シリコン" OR "酸窒化珪素") ("ブリルアン" OR "弾性定数" OR "横波音速")

结果  弹性常数及早引文路线无新增SiON速度。

JA23  site:patents.google.com/patent/ ("酸窒化シリコン" OR "酸窒化ケイ素" OR "酸窒化珪素") ("フォノニック" OR "音響バンドギャップ" OR "アンカー")

结果  声子和锚隔离路线未获早SiON支撑。

JA24  site:patents.google.com/patent/ ("酸窒化シリコン" OR "酸窒化珪素" OR "酸窒化ケイ素") ("タンタル酸リチウム" OR "ニオブ酸リチウム") ("接合" OR "界面")

结果  SiON与锂压电体接合命中过晚或化学不符。

JA25  site:patents.google.com/patent/ ("酸窒化シリコン" OR "酸窒化ケイ素" OR "酸窒化珪素") ("ねじり" OR "捩り" OR "音叉")

结果  扭转及音叉路线无组成特定SiON模态数据。

JA26  site:patents.google.com/patent/ "ダイヤモンド" ("炭化ケイ素" OR "炭化珪素" OR "窒化アルミニウム") ("複合焼結" OR "複合材料") ("弾性表面波" OR "音響共振")

结果  混合金刚石声学路线为填料列表,未证实际复体。

JA27  site:patents.google.com/patent/ "ダイヤモンド" "焼結" ("弾性波" OR "弾性表面波") "基板"

结果  烧结关联实际是ZnO靶材,不是金刚石混合基板。

JA28  site:patents.google.com/patent/ ("酸窒化シリコン" OR "酸窒化ケイ素" OR "酸窒化珪素") ("超音波" OR "板波") ("支持梁" OR "固定部" OR "支持部")

结果  超声支持梁早族原文待核,未在本轮升级。

JA29  "WO2007046180" "酸窒化"

结果  确认SiON可用于移动振膜加强梁,非固定支撑;相较D7和D8累积。

JA30  site:patents.google.com/patent/ ("Si2N2O" OR "酸窒化珪素") ("伝播時間" OR "縦波" OR "横波") 超音波

结果  超声传播时间路线未获SiON纵横波实测。

JA31  site:patents.google.com/patent/ (酸窒化シリコン OR 酸窒化珪素 OR SiON) (ラブ波 OR ラブ型 OR Love)

结果  Love波埋置界面未得SiON承载新证据。

JA32  site:patents.google.com/patent/ ("酸窒化" OR "セラミックス" OR "焼結体") ("ストーンリー" OR "ストンリー")

结果  Stoneley波陶瓷路线无新候选。

JA33  site:patents.google.com/patent/ ("酸窒化珪素" OR "酸窒化ケイ素" OR "酸窒化シリコン") ("探触子" OR "シュー" OR "くさび")

结果  接触探头名单不证明SiON传声承载材料。

JA34  site:patents.google.com/patent/ "酸窒化ケイ素" "焼結" "圧電素子"

结果  陶瓷压电传感路线为AlON或晚SiAlON,非目标SiON。

JA35  site:patents.google.com/patent/ ("酸窒化珪素" OR "酸窒化シリコン" OR "Si2N2O") ("横弾性係数" OR "剛性率") "密度"

结果  未获同试样SiON剪切模量及质量密度。

JA36  site:patents.google.com/patent/ "窒化珪素" "炭化珪素" "超音波" "ホットプレス"

结果  超声用于分散晶须,不是运行中的陶瓷声波传播。

JA37  site:patents.google.com/patent/ "酸窒化シリコン" ("クラッド" OR "クラッディング") ("音響" OR "弾性波") -US20180081113 -光導波路

结果  包层命中光学或后公开材料,未补SiON声约束。

JA38  site:patents.google.com/patent/ "固溶体" "窒化アルミニウム" ("音響" OR "遅延線" OR "導波")

结果  AlN与SiC固溶体延迟或导波应用未获。

JA39  site:patents.google.com/patent/ "酸窒化" ("自立" OR "底板" OR "下部基板") ("表面波" OR "横波")

结果  SiON自立底板及表面波交集无新候选。

JA40  site:patents.google.com ダイヤモンド 炭化ケイ素 複合基板 横波 音速

结果  最终混合基板横波查询未闭合占优、支撑及工作模联合关系。

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B

低声速膜材料专利检索报告

中文 英文 法文 德文 韩文 日文

公开日严格早于2010年12月24日

检索期间  2026年10月23日至24日(UTC+08:00)

六种语言各40轮  合计240轮独立检索与逐轮调整

结论摘要

本报告针对CN103262410B授权权利要求1的低声速膜材料限定,寻找可对无效论证作出实际贡献的截止日前专利。七类材料均已取得不同层次的材料、层位或物性证据,但不等于每一类都已在某一篇文献中同时具备目标材料、层位和低体波关系,更不等于完整权利要求已被证明无效。

氧化硅证据最直接:D1给出二氧化硅中间层及体波优选横波的低速导引关系,D2又明示SiO2主成分与3757<4031 m/s慢横波数值。玻璃D3有实际薄膜、配方和横波数据,D4及D5分别补充玻璃主成分支持侧选项和实际玻璃键合,但构型与波型仍须逐项映射。

Ta2O5的贡献不止材料名称:D8公开实际低横波膜及声能分布功能,D7补固体背衬下的缓冲层,D9补主成分支撑膜。三者各有增量,却不能拼接成单篇完整公开。F、C和B添加氧化硅也分别有明确化学、保留声学层及有限降速依据;跨文献移用仍需要配方和模式相容性。

SiON仍是最关键的未闭合路线。D6确有第一层SiON选项,但实际实例把SiON置于第二层;其比较是低于两个速度中的较快者,不必然低于压电体波。材料名称、低介电常数、低阻抗、器件频率下降和温度系数都不能替代目标体波不等式。

正文择优保留14组有具体贡献的公开,不罗列无关误命中或大量重复盖层。以下按原始公开日期、证据取得层级、详细原文及中文释义分析,并把直接公开与跨篇推理分开。

 

 

1 检索对象和解释边界

1.1 原权利要求的材料限定

目标授权文本原PDF第2页、权利要求书第1页中,权利要求1的相关原文为:

“低声速膜,其层叠于所述高声速支撑基板上,且由氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、或者在氧化硅添加了氟或碳或硼而成的化合物、或者以这各材料为主成分的材料中的任意一者构成;”

目标原文  CN103262410B 授权公开文本

本次按七类覆盖:氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、F添加氧化硅、C添加氧化硅、B添加氧化硅。“以这各材料为主成分的材料”是各类的扩展分支,不是第八种材料。低膜条款没有另列“以这些材料的混合物为主成分”的分支,不移用高声速支撑条款的不同措辞。

权利要求1还限定LN或LT压电膜、其一面上的IDT,以及以IDT周期确定λ时,压电膜下方低膜厚度0.1λ至0.5λ。权1并未要求IDT必须暴露于最顶面,也未另给支撑最小厚度或刚度。压电膜≤1.5λ等从属限定不冒充权1必要特征,低声阻抗也不是权1另加的必要条件。

本任务以2010年12月24日为截止界点,仅纳入实际公开日不晚于2010年12月23日的技术公开。较早申请日、优先权日和后公开授权均不能使新增内容自动成为在先公开。对比文件的逐项完整权利要求分析及法律评价仍需后续进行。

寻找全部七项是用户指定的检索覆盖目标。它不意味着评价某一被权利要求备选范围涵盖的实施方案时,法律上必须同时证明七种互为备选的材料。报告不对整项无效给出概率,也不把材料证据总数当成法律结论。

1.2 低膜比较的是对应体波

说明书[0073]明确:“低声速膜是指,较之于在压电膜5传播的体波,该低声速膜中的体波的声速为低速的膜。”[0083]再要求低膜材料的体波声速低于压电膜中的体波。目标判据因此是低膜体波<适当的压电膜体波,而不是低膜<实际器件SAW,也不是高支撑体波>工作模式。

原文[0074]至[0081]区分P、SH和SV。低膜应按实际利用波的主极化及材料的各向同性或各向异性选对应体波。目标[0098]的38.5°Y切LT、U2示例为:SiO2的S体波3750<LT的SH体波4212 m/s;LT的另一SV体波3367 m/s不是该U2关系的比较对象。AlN的S体波6000>工作SAW约3950 m/s则是另一条高膜关系。

以上3750 m/s保留目标该段原数值;D2的3757 m/s来自另一文献,不擅自合并。各篇数据须随其晶向、配方、模式和测量或计算语境使用,不把纵波、剪切波、表面波代理、导波相速度相互替代。

1.3 保留层和主成分的判断

目标[0173]把普通支撑与高膜合并成高声速支撑基板33,形成支撑/低膜/压电膜结构。中间存在电极不自动否定层叠,但低膜位于何处、是否保留并参与工作、是否承担所述声学作用必须查证。被蚀刻去除的牺牲层不能作为工作低膜。

上覆层仍可提供材料物性和能量约束教导,不能因为位置不同就一概无贡献;但移动上覆层到支撑侧也不是已被原文直接公开。悬膜、边缘介电体、连续反射层、键合体和普通支持基板应分别说明。

SiON、SiOC、SiOF并非各只有一种不变的化学计量、密度和孔隙率。材料同名、低介电常数、低折射率或低声阻抗均不能自动证明低声速。高阻抗也可能来自高密度,不当然是高速度。“主成分”按原文具体措辞与比例核实,不能人为地为所有候选材料设定同一含量阈值。

 

 

2 七类材料与主成分覆盖矩阵

“同篇联合”仅指本次材料、保留位置与对应低体波关系的联合程度,不表示完整权利要求法律结论。选项不写成实作,跨篇组合不写成同篇直接公开。

材料分支

组成或配方

保留层位置

声学证据

同篇联合与缺口

氧化硅

D1 SiO2;D2 SiO2及主成分

D1 D2 介于压电与另一媒质之间

D1体波优选横波更低;D2慢横3757<4031

该材料路线最直接;完整权1仍另核

玻璃

D3明确玻璃配方及实作;D4主成分;D5 As–S–Se

D3上覆;D4支持侧选项;D5实际键合

D3横2880/3380<表内LT/LN;D5 900/930未定波型

性能和支持侧证据分置;未完整闭合

氮氧化硅

D6第一媒质SiON明确选项

D6实际第一SiO2/第二SiON;上侧边界层

第一<max(LN慢横,第二),不蕴含<LN

未证实际第一SiON配方和目标体波关系

氧化钽

D7 Ta2O5选项;D8实际膜;D9主成分

D7固体背衬缓冲;D8上侧;D9悬膜

D8材料横1580及能量约束;LN比较跨篇

结构、主成分、物性分置;转用需论证

F添加氧化硅

D11明确定义;D13 F 0.8–1.1 wt%

D10连续保留反射层选项;D11周边

D13光纤纵/剪切降速;无该沉积膜绝对值

材料明确;目标同篇体波与层位尚缺

C添加氧化硅

D11明确定义;D12 ≥90 wt% SiOC

D10反射层;D12下电极的保留支持层

D12明确缓慢传播;未给适当体波不等式

配方同一性及目标模式关系待证

B添加氧化硅

D14 CVD SiO2后B植入;D3 B2O3玻璃

D14保留温补声学膜;D3上覆玻璃

D3玻璃横波;D13掺杂降速;D14仅温度系数

实作材料明确;不可无条件跨配方用数值

各材料主成分

D2 SiO2;D4玻璃;D9 TaOx;D12 SiOC ≥90 wt%

依各自明确层位,不作统一结构推定

D3/D13给具体硅氧配方;非所有分支通用

SiON等未获完整主成分与目标关系联合公开

 

D3的玻璃和含B2O3硅氧体系可交叉贡献,但只计一组文献。D12的90 wt%是SiOC占低阻抗材料的比例,不是SiOC内部SiO2比例。D13的F与B2O3浓度各按原文物种计。

 

 

3 入选对比文件详细原文分析

公开组按实质增量选择,不按固定配额凑数。同一族已核验的早晚公开可合并定位,CIP新增内容则采用自身公开日。以下引文只整理换行和化学下标,表格摘录注明列转写;省略或合列处不补造原文。中文译释用于本次研究,不代替正式程序可能要求的认证译文。

D1 二氧化硅中间层及明确体波低速关系

公开文件  DE102005055871A1    公开日  2007年5月24日

原文入口  DE102005055871A1

核验层级  原始德国公开PDF;[0017]见PDF第2页,[0037]见第4页。文中页码为公开件页序。

纳入理由  同一文献明确介电中间层、二氧化硅材料和体波优选横波的低速导引关系,是氧化硅路线的优先主对比候选。

原文1  [0017] PDF第2页

Ein an die Bauelementstrukturen angelegtes elektrisches Signal ruft Auslenkungen von Atomen im piezoelektrischen Substrat – z. B. ersten Substrat – hervor, wobei eine akustische Volumenwelle, vorzugsweise eine Transversalwelle angeregt wird.

译文  施加于器件结构的电信号使压电基板例如第一基板中的原子发生位移,由此激发声学体波,优选横波。

原文2  [0017] PDF第2页

Die Ausbreitungsgeschwindigkeit dieser Welle ist im Schichtsystem, insbesondere in der dielektrischen Schicht vorzugsweise deutlich – z. B. um mindestens 10% – kleiner als in den beiden diese umgebenden Substraten.

译文  该波在层系统尤其介电层中的传播速度优选显著低于周围两个基板中的速度,例如至少低10%。

原文3  [0037] PDF第4页

Die dielektrische Schicht ist vorzugsweise aus Siliziumdioxid.

译文  介电层优选由二氧化硅构成。

组成与层位

[0009]的第一基板与第二基板之间设金属层和介电层;[0018]将器件电极结构埋在压电第一基板与介电层之间;[0037]明确介电层优选二氧化硅。此处明确的是介电中间层,并非普通玻璃支撑基板。第一压电基板、介电层和第二基板可形成与目标中间低膜相关的层叠关系。

声速与导引贡献

[0017]先限定所激发者为体波、优选横波,再说明该波在介电层中的速度优选至少低于周围两基板10%,并由此建立垂向速度分布,使体波沿水平面在介电层及附近导引。这比单纯低阻抗或器件频率降低更直接地支持目标的低膜体波关系。

尚未证明的差异

“优选”关系是技术教导,不等于对每一种候选基板和任意沉积二氧化硅都完成实测。需要继续逐项核对具体压电膜晶向及模式、高声速支撑材料和0.1λ至0.5λ厚度条件。电极埋置本身不构成排除理由;本组不直接给出完整权利要求无效结论。

D2 二氧化硅主成分与慢横波数值

公开文件  US20090115287A1    公开日  2009年5月7日

原文入口  US20090115287A1

核验层级  原始美国A1公开PDF及原文。以下定位分别为PDF第30、34至35页及第38页;印刷说明书页序与含附图的PDF页序不同。

纳入理由  第三媒质明确为SiO2或以SiO2为主的材料,并在同一原文给出3757与4031 m/s慢横波比较,补强D1的材料和主成分分支。

原文1  [0020] PDF第30页;权利要求3见PDF第38页

the third medium is made of SiO2 or a material mainly containing SiO2.

译文  第三媒质由SiO2或主要含有SiO2的材料构成。

原文2  [0105] PDF第34页

the third medium 13 in which slow transverse waves used in the device have a relatively low acoustic velocity is disposed between the first and second media 11 and 12 in which the slow transverse waves have relatively high acoustic velocities.

译文  慢横波声速较低的第三媒质13位于慢横波声速较高的第一和第二媒质11、12之间。

原文3  [0106] PDF第34页

The second medium 12 preferably is made of non-electroconductive SiN. The third medium 13 preferably is made of SiO2.

译文  第二媒质优选由非导电SiN构成,第三媒质优选由SiO2构成。

原文4  [0116] PDF第34至35页

The acoustic velocities of longitudinal waves, fast transverse waves and slow transverse waves in a Y-rotated X-propagating LiNbO3 are about 6547 m/s, about 4752 m/s and about 4031 m/s, respectively. The acoustic velocities of longitudinal waves and slow transverse waves in the SiO2 layer are about 5960 m/s and about 3757 m/s, respectively.

译文  Y旋转X传播铌酸锂的纵波、快横波、慢横波声速分别约6547、4752、4031m/s;SiO2层纵波、慢横波分别约5960、3757m/s。

组成与层位

第一媒质11为LiNbO3;低速第三媒质13位于第一媒质和第二媒质12之间,第二媒质优选SiN。IDT位于第一与第三媒质界面,属于被埋置的边界波构型。第三媒质同时具有材料、低速和中间位置的同篇公开。

同篇数值贡献

[0116]将LiNbO3纵波、快横波、慢横波区分为约6547、4752、4031 m/s,SiO2纵波及慢横波约5960、3757 m/s。故适用原文对应晶向和慢横波时,3757<4031成立;不能拿3757与任意晶向的另一极化波速作替代比较。SiN慢横波5973 m/s是第二媒质参数,亦非所有氮化硅材料的无条件常数。

主成分及剩余差异

“mainly containing SiO2”直接补足以氧化硅为主成分分支,但不提供统一质量百分比门槛。厚介质或半空间边界波模型与目标支撑上的薄压电膜仍需完整对照;数值是公开材料参数,不应写成对目标样品实测。已知线索经本次重新核验不计为新发现的独立发明。

D3 含硼硅酸盐玻璃声学薄膜及横波速度

公开文件  WO2007138844A1    公开日  2007年12月6日

原文入口  WO2007138844A1  同组相关公开

核验层级  原始日文国际公开PDF页图;[0029]至[0031]及表1、2位于PDF第9页、印刷第7页。德文同族DE112007001259T5于2009年6月25日公开,合并为一组。

纳入理由  实际制备的声学玻璃薄膜具有明确组成及横波数据;同时贡献独立“玻璃”分支和含B2O3硅氧玻璃的材料属性,但不改变其上覆层位置。

原文1  [0029] PDF第9页/印刷第7页

温度特性改善膜4上に、下記の表1及び表2のガラスA〜E及びXの内いずれか1種のガラスを用い、かつ様々な厚みの周波数調整膜を成膜し、複数種類の弾性波装置1を作製した。

译文  在温度特性改善膜4上,采用表1、表2中的玻璃A至E及X之一,形成不同厚度的频率调整膜,制备多种弹性波器件1。

原文2  [0030] 表1 PDF第9页/印刷第7页 相关行转写

ガラスの組成(単位は重量%); D: SiO2 55, B2O3 22, ZnO 15, Al2O3 5, 他3. E: SiO2 68, B2O3 13, Al2O3 5, Na2O 6, BaO 6, 他2. X: SiO2 81, B2O3 13, Al2O3 2, Na2O 4, 他0.

译文  玻璃组成以质量百分数计。D为SiO2 55%、B2O3 22%、ZnO 15%、Al2O3 5%、其他3%;E为SiO2 68%、B2O3 13%、Al2O3 5%、Na2O 6%、BaO 6%、其他2%;X为SiO2 81%、B2O3 13%、Al2O3 2%、Na2O 4%。

原文3  [0031] 表2 PDF第9页/印刷第7页 相关行转写

横波音速(m/秒): D 2880; E 3380; X3770; LiTaO3 3895; LiNbO3 4496.

译文  横波声速单位为m/s:D为2880、E为3380、X为3770;LiTaO3为3895、LiNbO3为4496。

化学组成与实际实施

D、E、X均为含SiO2和B2O3等成分的无机玻璃。D与E的SiO2分别为55 wt%和68 wt%,是有具体配方的玻璃,而非只出现玻璃名称。原文明确按这些玻璃制膜和测试;它们不是假定的任选材料。把B2O3并入硅氧玻璃网络作为“硼添加氧化硅”的材料线索属于化学解释,不是原文逐字使用该中文表达。

模式与层位

原文[0029]的实作条件为38°Y切X传播LT、Cu IDT厚0.05λ及SiO2层0.25λ。表2给材料横波声速,D和E分别2880、3380 m/s,均低于表内LT 3895和LN 4496 m/s。该表LT 3895与目标[0098]的38.5°切型及SH 4212来源条件不同,不能机械统一或改写原值。它们与后文绘制的Love波或器件相速度不同。玻璃膜位于压电基板及IDT上方的SiO2膜之上,另一实施方式将玻璃夹在两个SiO2膜之间;并非已公开目标支撑与压电膜之间的低膜。

证据精度和剩余差异

德文原PDF把相关氧化硼条目印成Ba2O3,E的“其他”还印成3;这不是仅有OCR错误。本组采用日文原公开中的B2O3及E其他2,不按德文错误转写。该组对玻璃低横波物性和真实可制薄膜贡献强,但将其移至承载侧的理由、应力和损耗影响、目标对应体波及层厚仍需论证。

D4 以玻璃为主的承载侧中间层选项

公开文件  CN101391496A    公开日  2009年3月25日

原文入口  CN101391496A

核验层级  已取得原中文公开全文网页;原PDF提取未成功。以图20说明及其层号、段落起句定位,不虚列未核验的印刷页或段号。

纳入理由  相较D3上覆玻璃,本组直接补足基部与压电体之间的玻璃主成分基底层选项,具有独立层位和主成分增量。

原文1  图20说明 网页全文第1498行

基板620在基部621上依次层叠基底层622及压电体层623而构成。

释义  图20直接给出基部621、基底层622和压电体层623的顺序。

原文2  图20基底层622功能段 网页全文第1506行

基底层622具有设定(规定)在压电体层623中被激振的弹性表面波的特性(条件)的功能。作为该特性,例如,可以举出振荡频率、振幅、传送速度等。

释义  基底层622具有设定SAW振荡频率、振幅和传送速度等特性的作用。

原文3  图20基底层622材料段 网页全文第1509行

作为该基底层622的构成材料,例如,优选以金刚石、硅、蓝宝石、玻璃、水晶、钽酸锂、铌酸钾、铌酸锂中的至少一种为主的材料

释义  玻璃是基底层622主成分材料的明确选项之一。

原文4  图20基底层622厚度段 网页全文第1511行

基底层622的平均厚度不特别限定,但优选1~20μm左右

释义  基底层622的平均厚度优选约1至20微米。

材料和结构贡献

层序为基部621/基底层622/压电体层623,压电体上形成IDT。“玻璃”出现在基底层622的候选材料中,而不只在最下方基部。原文还直接说“以……至少一种为主”,因此可用于玻璃主成分分支,不应自行把这一措辞统一换成超过某一质量比例。

有限声学贡献

基底层能够设定声表面波传送速度、振荡频率等,说明其是参与声学结构设计的保留层。该一般功能不等于玻璃层体波速度低于压电体体波,也没有证明玻璃实作样品。1至20 μm是实际公开的尺寸范围,不能直接等同目标0.1λ至0.5λ。

尚未证明的差异

缺玻璃具体配方、对应体波模式及数值、基部的高声速支撑关系,以及选用玻璃后完整工作结构。本文不能用来声称玻璃键合工艺已经实现或全部目标限定已同篇联合公开。

D5 实际砷硫硒玻璃键合及材料声速

公开文件  US3413187A    公开日  1968年11月26日

原文入口  US3413187A

核验层级  原始美国PDF第1页图2、第2页第2栏及表I均已视读;表I另经高分辨率核对小数和单位。

纳入理由  该文件不是硅氧玻璃,而是独立玻璃备选范围内的实际非硅玻璃键合,联合提供组成、压电侧保留位置和材料声速。

原文1  PDF第2页 第2栏第17至33行

The transducer 21 is affixed to the delay medium 20 with an arsenic-sulfur-selenium glass 26 having a composition within the area A of FIG. 1.

译文  换能器21通过组成处于图1区域A内的砷硫硒玻璃26固定于延迟介质20。

原文2  PDF第2页 第2栏第30至33行

Alternatively, the metal film 23 may be applied to the transducer in which case the bond occurs between the metal film and the delay medium.

译文  也可以把金属膜23形成在换能器上,此时键合发生在金属膜与延迟介质之间。

原文3  PDF第2页 第2栏第34至39行

The glass bond is made by simply heating the glass to approximately 150° C. at which the glass flows freely, coating the transducer and the delay medium with the glass, and pressing the two elements together.

译文  将玻璃加热至约150°C使其自由流动,分别涂覆换能器和延迟介质并压合,即可形成玻璃键合。

原文4  PDF第2页 第2栏 表I 相关列转写

Nominal composition: 5As–60S–35Se; 8As–40S–52Se. Velocity, cm./sec. × 10^5: 0.90; 0.93.

译文  两种名义质量组成为5%As、60%S、35%Se,以及8%As、40%S、52%Se;表中声速按0.90及0.93×10^5 cm/s列示,换算为900及930 m/s。表格按列转写。

组成与实际位置

原文说明百分数为质量百分数,表I的两种组成各合计100%。图2为延迟介质20/金属电极23/玻璃26/压电换能器21/另一电极22;另允许电极23转到换能器侧,玻璃仍用于声学连接。玻璃是最终器件中的实际保留键合体,不是被去除的牺牲层。

数值能证明什么

原表速度0.90和0.93×10^5 cm/s分别为900和930 m/s,密度分别2.581和2.901 g/cm³。数值来自所制玻璃键合材料测试,但原文没有标明纵波或横波极化,也未给压电材料对应体波。因此只能称材料声速,不能标为已测横波或直接满足目标不等式。

对组合论证的用途与缺口

相比仅有光纤玻璃物性,本组把实际玻璃放在压电换能器与承载声学介质之间,结构增量明确。其目的为超声延迟线键合和声传递,不是目标导波约束;玻璃厚度、压电材料类型、IDT、支撑速度和λ比例均未建立。不同用途的改造动机及材料适用性仍需另证。

D6 SiON第一媒质选项及比较关系边界

公开文件  WO2009139108A1    公开日  2009年11月19日

原文入口  WO2009139108A1

核验层级  原始日文国际公开PDF页图及原文全文;[0014]至[0015]为PDF第5页/印刷第3页,[0026]至[0028]为PDF第7页/印刷第5页,[0030]为PDF第8页/印刷第6页。

纳入理由  截止前较早的明确第一层SiON选项。它比保护盖膜仅出现材料名称更相关,但原文比较为小于两者最大值,不能被误写成小于压电体波。

原文1  [0014] PDF第5页/印刷第3页

本発明に係る弾性境界波装置の別の特定の局面では、前記第1の媒質層の音速が、前記LiNbO3の遅い横波音速と、第2の媒質層の音速の内速い方の音速よりも遅くされている。

译文  第一媒质层声速低于铌酸锂慢横波声速与第二媒质层声速二者中较快者。

原文2  [0015] PDF第5页/印刷第3页

本発明に係る弾性境界波装置において、第1の媒質層を構成する材料としては、好ましくは、SiO2またはSiONが用いられる。

译文  第一媒质层的优选构成材料为SiO2或SiON。

原文3  [0026] PDF第7页/印刷第5页

圧電基板2上に、第1の媒質層3及び第2の媒質層4がこの順序で積層されている。

译文  第一媒质层3及第二媒质层4按此顺序层叠于压电基板2上。

原文4  [0027] PDF第7页/印刷第5页

第1の媒質層3は誘電体からなり、本実施形態ではSiO2からなる。

译文  第一媒质层3为介电体,在本实施方式中由SiO2构成。

原文5  [0028] PDF第7页/印刷第5页

本実施形態では、第2の媒質層4は、SiONからなる。

译文  在本实施方式中,第二媒质层4由SiON构成。

原文6  [0030] PDF第8页/印刷第6页

圧電基板2と、第1の媒質層3との界面に、IDT電極5及び反射器6,7が形成されている。

译文  IDT5与反射器6、7位于压电基板和第一媒质层的界面。

明确材料与实际实施须分开

[0015]把SiON列为第一媒质优选材料,故不是仅可作为第二高速层的资料。然而[0027]至[0028]的实际例是第一层SiO2、第二层SiON,不能将第二层SiON的实作身份转给第一层。第一层SiON的氮氧比、密度及沉积配方没有被确定。

原文的最大值关系

[0014]严格表达v第一<max(vLN慢横波,v第二),而非v第一同时低于二者。当v第二大于vLN时,v第一即使高于vLN也可能满足该原句。因此它不能单独完成目标SiON体波<压电膜体波的证明。机器英文译文在此处失真,分析采用已核验日文原件。

层位和贡献范围

压电基板/第一媒质/第二媒质的上侧边界波构型仍保留第一层,IDT埋置于其下界面;它对第一层材料选择及声学层叠有贡献,但未证明第一SiON位于目标高声速支撑与薄压电膜之间。不得额外要求IDT顶面暴露来排除它;真正缺口是指定构型、实际配方与对应体波关系的联合证据。

D7 氧化钽固体背衬缓冲层选项

公开文件  US20090224853A1    公开日  2009年9月10日

原文入口  US20090224853A1  同组相关公开

核验层级  A1原始公开全文已核验,未取得A1 PDF;同申请授权US7846490B2于2010年12月7日公开,其原PDF图1至2及第1、4、5栏已视读,均早于截止。B2页栏不冒充A1页栏。

纳入理由  与悬膜支撑或上覆声学层不同,本组将Ta2O5明确置于固体基底和压电构件之间,提供支持侧保留层的新结构贡献。

原文1  A1网页第336行;B2 PDF第6页第1栏第41至44行

The piezoelectric substrate 1 consists of a wafer 1a made of silicon (Si) or diamond, a piezoelectric member 1b, and a buffer member 1c.

译文  压电基板1由硅或金刚石晶圆1a、压电构件1b和缓冲构件1c组成。

原文2  A1网页第338行;B2 PDF第6页第1栏第56至59行

the buffer member 1c is interposed between the wafer 1a and the piezoelectric member 1b.

译文  缓冲构件1c介于晶圆1a与压电构件1b之间。

原文3  A1网页第339行;B2 PDF第6页第1栏第59至63行

The buffer member 1c uses any one of silicon oxide (SiO2), alumina (Al2O3), and oxide tantalum (Ta2O5)

译文  缓冲构件1c使用氧化硅、氧化铝和氧化钽中的任一种。

原文4  A1网页第373行;B2 PDF第7页第4栏第20至24行

the buffer member 13 may use any one of alumina (Al2O3), oxide niobium (Nb2O5), oxide tantalum (Ta2O5), oxide zirconium (ZrO2), oxide titanium (TiO2), oxide copper (CuO), and oxide zinc (ZnO).

译文  缓冲构件13可使用氧化铝、氧化铌、氧化钽、氧化锆、氧化钛、氧化铜和氧化锌中的任一种。

原文5  A1网页第376行;B2 PDF第7页第4栏第38至40行

Since the piezoelectric member 15 is formed using the buffer member 13 as a medium, it is possible to more easily manufacture the piezoelectric member 15.

译文  由于压电构件15以缓冲构件13为中间媒介形成,因此更易制造压电构件15。

两种构型及材料身份

背景图1为硅或金刚石晶圆1a/缓冲构件1c/压电构件1b/IDT,1c明确可用Ta2O5。实施图2至5为固体基部11/带沟槽氧化层12/填中央沟槽的缓冲构件13/压电构件15/IDT,13同样可选Ta2O5。侧边露出沟槽不等于主有源区下方悬空。氧化钽与其他位置的金属Ta不混同。

积极贡献和限度

该组直接支持Ta2O5作为保留的基底侧中间膜,而不是只能作上表面盖层。其明示作用是改善压电构件形成的表面或制造条件;未给Ta2O5专门实作样品、主要成分比例、横波速度或低速导引作用。

与D8和D9配合的边界

D8可另供Ta2O5低横波和声能分布启示,D9补主成分用语,但三者不是同一器件。需要说明缓冲层的组成、孔隙、相态和制程为何与D8材料参数相容,及更改后是否保持目标声学模式。原文压电备选表中存在个别异常化学项,本报告不据此确认每项均为有效压电材料。

D8 Ta2O5低横波和实际声能约束薄膜

公开文件  WO2007138840A1    公开日  2007年12月6日

原文入口  WO2007138840A1  同组相关公开

核验层级  原始日文WO PDF及页图;同族US20090066189A1于2009年3月12日公开,其原PDF亦核验。WO各段页序见引文;US[0054]至[0055]见PDF第12页、印刷第4页。不是玻璃文献WO2007138844A1。

纳入理由  实际Ta2O5膜、1580 m/s材料横波参数、SiO2对照及低声速调配声能分布的明确教导,强于一般质量负载或频率下降证据。

原文1  WO[0023] PDF第8页/印刷第6页

本実施形態では、第1の媒質11は、15°YカットX伝搬のLiNbO3基板からなる。

译文  本实施方式中,第一媒质11由15°Y切X传播铌酸锂基板构成。

原文2  WO[0024] PDF第8页/印刷第6页

本実施形態で、第3の媒質13は、酸化タンタル膜としてのTa2O5からなる。

译文  本实施方式中,第三媒质13由作为氧化钽膜的Ta2O5构成。

原文3  WO[0025] PDF第8页/印刷第6页

Ta2O5からなる第3の媒質13における横波の音速は1580m/秒である。

译文  由Ta2O5构成的第三媒质13中的横波声速为1580米/秒。

原文4  WO[0025]续 PDF第8至9页/印刷第6至7页

他方、SiO2からなる第2,第4の媒質中の横波の音速は3757m/秒である。

译文  另一方面,由SiO2构成的第二、第四媒质中的横波声速为3757米/秒。

原文5  WO[0059] PDF第15页/印刷第13页

他方、Ta2O5は低音速であり、かつ重く、硬い誘電体材料である。

译文  另一方面,Ta2O5具有低声速,且是重而硬的介电材料。

原文6  US20090066189A1 [0054] PDF第12页/印刷第4页

The vibration energy of the boundary acoustic wave is concentrated on a medium having a low sound velocity.

译文  边界声波的振动能量集中在低声速媒质。

原文7  US20090066189A1 [0055] PDF第12页/印刷第4页

Ta2O5 defining the third medium in which the sound velocity of transverse wave is relatively low is disposed between the SiO2 layers defining the second medium and the fourth medium.

译文  横波声速相对较低的Ta2O5第三媒质,设置在构成第二与第四媒质的SiO2层之间。

同篇材料参数与实际试作

WO[0025]及表3给Ta2O5横波1580 m/s、SiO2横波3757 m/s。表3是媒质参数;表4的3332 m/s是计算的器件边界波传播速度,不能互相替换。原件另有170 nm及改为68 nm的Ta2O5试作膜,位于SiO2之间;该1580参数不是声称对这些样品新测得的体波值。

低速声学功能并非只有温补

US[0054]明确低声速媒质集中边界波振动能量,[0055]据此将低横波Ta2O5插入两层SiO2之间以改变能量分布和温度特性。这是实际低速介电层和声能约束启示,不应降格为仅普通盖膜或单纯频率加载。原文虽称横波而未逐字称体波,但将其作为独立媒质参数并与器件相速度分列,支持材料横波性质的技术解释。

目标映射仍需的推理

层序是15°Y切X传播LN/IDT/SiO2/Ta2O5/SiO2,Ta膜仍在压电体上侧,非已证目标支持侧低膜。该WO的LN参数行没有横波数值;与D2的4031 m/s比较得到1580<4031属于跨文献、同类晶向条件下的材料推理,不是本篇实测或原句。材料微结构和模式可转用性、移层后的工作构型及0.1λ至0.5λ范围都要另行说明。

D9 以氧化钽为主的保留支撑膜

公开文件  EP0771070A2    公开日  1997年5月2日

原文入口  EP0771070A2  同组相关公开

核验层级  A2公开全文的外部索引原文已独立核验,直接网页与A2 PDF未取得;以实施例1、图10讨论及权利要求33定位。同族B1于2002年8月21日公开,本组不把B1新增措辞倒填至A2。

纳入理由  本组的必要增量是明确“主要由氧化钽构成”以及永久支撑声学结构的用法,补D7、D8尚未明确的Ta主成分分支。

原文1  A2索引原文 优选实施方式 实施例1

A dielectric substance 4 is mainly composed of silicon oxide (SiO_{2}), silicon nitride (SiN) or tantalum oxide (Ta_{2}O_{5}).

译文  介电体4主要由氧化硅、氮化硅或氧化钽构成。

原文2  A2索引原文 图10及PZT支持讨论

The ground conductor 5 is electrically connected to a semiconductor circuit 3 through the lead electrode 26. In the structure shown in Fig. 10, the dielectric substance 4 supports the bulk ultrasonic wave resonator 35. If the dielectric substance is running short of mechanical strength, then the lead titanate-zirconate (PZT) 32 becomes warped and the resonance characteristics of the bulk ultrasonic wave resonator deteriorates. In this case, the dielectric substance mainly composed of tantalum oxide (Ta_{2}O_{5}) is most suitable.

译文  图10中介电体4支撑体超声谐振器35。机械强度不足会导致PZT32弯曲及谐振特性恶化;在此情况下以Ta2O5为主的介电体最适合。

原文3  A2索引原文 权利要求33

The film bulk acoustic wave device of claim 31, wherein the dielectric substance layer is mainly composed of one of silicon oxide, silicon nitride and tantalum oxide.

译文  权利要求33规定介电层以氧化硅、氮化硅和氧化钽之一为主成分。

材料主成分与层位

介电体4上为接地电极5和压电薄膜;部分构型在介电膜下形成通孔或气隙,膜保留并支撑PZT等谐振结构。Ta2O5是材料选择和加强机械支撑的明确教导,不能因位于电极下方而说它被去除或不参与层叠。

与目标的差异

本组是悬膜支撑,不是已经证明连续固体背衬的目标低膜;也没有Ta2O5的体波速度、与压电体模式比较或确定的质量分数。强度高不等于声速高或低,且具体试验材料不可从可选Ta2O5偷换。

为何仍纳入

它在主成分限定上比D7纯材料选项和D8Ta2O5膜参数多一步,所以保留为窄范围补充,不重复充作另一组已完成低膜联合公开。正式援引时宜补取A2官方公开件,索引全文不能冒充已视读PDF。

D10 连续保留的多孔SiOF和SiOC声反射层

公开文件  KR20030032401A    公开日  2003年4月26日

原文入口  KR20030032401A

核验层级  原始韩文PDF封面、第4至5页正文及第9至10页图2、3、5已视读。下列中文为对应原句译文。

纳入理由  在有源电极重叠区域下方给出连续保留的SiOF或SiOC多孔反射层选项,比周边平坦化或普通钝化层更接近目标支持侧位置。

原文1  PDF第4页 发明构成及作用 材料段

상기한 음향반사층을 형성하는 재료로는 음향 임피던스가 압전박막을 형성하는 재료보다 낮은 포토레지스트(photoresist), 폴리머 등의 고분자재료, SiOC 또는 SiOF 등의 다공성 재료, 연질재료 등이 바람직하게 사용된다.

译文  形成声反射层的材料优选采用声阻抗低于压电薄膜材料的光刻胶、聚合物等高分子材料、SiOC或SiOF等多孔材料及软材料。

原文2  PDF第4页 第一实施方式结构段

상기한 압전박막(30)보다 음향 임피던스가 대략 1/20 이하인 재료로 기판(2)과 압전박막(30) 사이에 소정의 형상과 두께로 형성하는 음향반사층(10)

译文  以声阻抗约为压电薄膜(30)的1/20以下的材料,在基板(2)与压电薄膜(30)之间形成具有规定形状和厚度的声反射层(10)。

原文3  PDF第5页 第二段

상기한 포토레지스트(photoresist), 폴리머 등의 고분자재료, SiOC 또는 SiOF 등의 다공성 재료, 연질재료 등의 재료는 압전박막(30)을 형성하는 재료보다 음향 임피던스가 대략 1/20 정도 이하이다.

译文  上述光刻胶、聚合物等高分子材料、SiOC或SiOF等多孔材料及软材料的声阻抗约为形成压电薄膜(30)的材料的1/20以下。

原文4  PDF第5页 声反射层厚度段

상기한 음향반사층(10)은 대략 1~2㎛ 정도의 두께로 형성한다.

译文  声反射层(10)形成约1至2微米厚。

组成和永久层位

结构为基板2/声反射层10/下电极20/压电膜30/上电极40。图中反射层在有源区域下连续存在,不等于全晶圆毯覆。SiOF和SiOC为多孔材料明示选项,详细制造例则是固化光刻胶;不能把固化过程或实际样品改称已制成SiOF或SiOC。

可用贡献和不能换算的数值

声反射层位于压电膜与支撑之间并承担声学隔离功能,属于直接结构和功能贡献。原文约1/20是声阻抗比,而声阻抗还受密度影响;没有孔隙率、密度及对应波型,不能换算为速度比或证明目标体波关系。1至2 μm也不能不结合实际λ便认作目标厚度。

与直接化学定义的关系

D11把SiOF和SiOC明确解释为在氧化硅中添加F或C,为化学名称桥接提供相关声学专利证据。但不同专利配方未必相同,孔隙、掺杂和工艺都可能不同。D10没有F/C比例、主成分措辞或膜体波<压电体波关系;声反射层亦不自动等于低速导引层。

D11 声学专利对F和C添加氧化硅的明确化学定义

公开文件  JP2010087578A    公开日  2010年4月15日

原文入口  JP2010087578A

核验层级  A公开原文的扩展索引全文。直接日文网页、PDF和原件图像未取得,不能宣称已看图;按图5a、5b相关说明的层号及段落起句定位,未编造段号或页码。

纳入理由  在声学器件文献中直接定义SiOF和SiOC的硅氧宿主,避免仅凭缩写或另领域词典认定目标F/C添加氧化硅。

原文1  图5相关说明 低介电体19材料段

例えば、酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコン(SiNx)、SiOF(酸化シリコンにフッ素を添加したもの)、SiOC(酸化シリコンに炭素を添加したもの)、有機ポリマー系の材料等を用いればよい。

译文  例如可使用氧化硅、氮化硅、SiOF即在氧化硅中添加氟的材料、SiOC即在氧化硅中添加碳的材料、有机聚合物等。

原文2  图5相关说明 低介电体19位置段

低誘電率体19は、第3電極18の第2領域18bと圧電体層15との間に第2電極17の、第2領域18bを臨む端部と接するように設けている。

译文  低介电体19设置于第三电极18的第二区域18b与压电体层15之间,并与朝向该第二区域的第二电极17端部相接。

原文3  图5b基板侧变形

また、図5(b)に示す共振子70のように、第3電極18を基板11側に配置してもよい。

译文  也可如图5b的谐振器70,将第三电极18配置于基板11一侧。

化学贡献

原句分别说明SiOF为“酸化シリコンにフッ素を添加したもの”、SiOC为“酸化シリコンに炭素を添加したもの”,对应氟或碳添加氧化硅。这是直接定义,强于只出现F、C、Si、O元素或泛称碳掺杂氧化物。它没有给掺杂质量分数,也不定义所有SiOC制程均产生相同材料。

层位和作用限制

低介电体19托住第三电极超出第二电极的周边悬伸部分并减小寄生电容;基板侧变形仍是这一周边结构。不能把19描述成全有源区连续低速导引膜,也不能在没有原图的情况下声称平面范围已视觉核验。

与D10和D12的用途

本组用于解释D10及D12的化学候选路径,但不是证明跨篇SiOC或SiOF组成完全一致。这里的low-k是低介电常数,没有材料体波数值,更不能被译为低声速。后公开授权文本不用于回填A公开尚未核实的特征。

D12 SiOC主成分保留膜及缓慢传播教导

公开文件  US20050023931A1    公开日  2005年2月3日

原文入口  US20050023931A1

核验层级  原始美国A1 PDF,权利要求5及[0006]至[0011]页图已核验,全文及[0044]至[0046]层位文本可定位。该申请为CIP;90 wt%主张采用本A1自身公开日,不回填至其2004年PCT母案。

纳入理由  在支持侧声学层中同时给SiOC/SiOC基材料、至少90 wt%主成分限定和缓慢传播文字,是碳添加氧化硅路线的核心候选之一。

原文1  权利要求5 PDF第8页/印刷第4页

the low-acoustic-impedance material comprises at least 90% SiOC in weight.

译文  低声阻抗材料含至少90 wt%的SiOC。

原文2  [0011] PDF第5页/印刷第1页

In such a material, an acoustic wave propagates slowly.

译文  声波在这种材料中缓慢传播。

原文3  [0044] PDF第6页/印刷第2页

The support 7 comprises a high-acoustic-impedance layer 11 resting on the upper surface 3a of the set of interconnects 3 and a low-acoustic-impedance layer 12 that supports the lower electrode 8 of the active element 6.

译文  支撑7包括位于互连组3上表面3a上的高声阻抗层11,以及支撑有源元件6下电极8的低声阻抗层12。

原文4  [0046] PDF第7页/印刷第3页

For example, SiOC or SiOC based material may be used.

译文  例如可以使用SiOC或以SiOC为基础的材料。

材料和主成分限定

权利要求5的90 wt%是低声阻抗材料中SiOC的比例,不是SiOC内部SiO2的质量分数,更不是目标“主成分”的通用法律阈值。原文还允许多孔SiOC、孔中含氩等情形,说明材料属性可随微结构变化。D11的化学定义使SiOC与碳添加硅氧宿主建立相关路径,仍不能视为完全同配方。

层位及积极声学贡献

高阻抗层11上设低阻抗层12,12支撑下电极8及压电层9。这是永久支持侧层而非只存在于器件顶部的盖层。原文明确说声波在所选低阻抗材料中缓慢传播,因此可引用这一独立速度教导,而不能只靠low-k或low-Z推断。

未闭合的模式关系

文献未给SiOC和压电体对应纵波或横波的数值或严格不等式;底层高阻抗也不等于目标高声速支撑。[0006]明确Z=ρv,恰能说明阻抗需要同时考虑密度。附近速度与C33的印刷公式本身存在格式歧义,不据其改写公式或计算未公开声速。BAW上下电极结构、压电材料选择及目标IDT关系仍需单独比较。

D13 F与B2O3掺杂硅氧材料的纵横波降速教导

公开文件  US5170457A    公开日  1992年12月8日

原文入口  US5170457A

核验层级  原始美国PDF第16至17页、第7至10栏及相关表格已视读。成分范围以权利要求7至10为准,测量斜率来自第8栏无编号表。

纳入理由  同一早期文献把F及B2O3掺杂硅氧材料与纵波、剪切波降速明确联系;是材料属性补充,不是目标平面声学器件的结构公开。

原文1  权利要求7 PDF第17页 第9栏

said core material is pure silica and wherein said cladding material is doped silica containing at least one dopant which lowers the refractive index, longitudinal and shear acoustic wave velocities of the cladding region.

译文  芯材为纯二氧化硅;包层为掺杂二氧化硅,至少一种掺杂剂使包层的折射率、纵向声波速度和剪切声波速度降低。

原文2  权利要求8至10分别摘录 PDF第17页 第9栏

said dopant is F or B2O3, … said cladding material is F doped silica containing F in a concentration ranging from about 0.8 to about 1.1% by weight. … said cladding material is B2O3 doped silica containing B2O3 in a concentration ranging from about 2 to about 15% by weight.

译文  掺杂剂为F或B2O3;F掺杂硅氧包层的F浓度约0.8至1.1 wt%;B2O3掺杂硅氧包层的B2O3浓度约2至15 wt%。省略号分隔三项摘录,不表示必须同时共掺。

原文3  PDF第16页 第7栏 测量方法段

Because the leaky surface acoustic wave and the leaky surface-skimming compressional wave have predominantly shear and longitudinal wave components, respectively

译文  漏表面声波和漏表面掠射压缩波分别以剪切与纵向分量为主。此处仅摘录原句前半;原文继而以两者作为速度变化的近似,而后续比值存在公式歧义,不据此推算绝对体波值。

组成和正面属性

F范围的计量对象是氟元素,B2O3范围的计量对象是氧化硼,不能都写成元素硼或原子百分比。纯硅氧宿主加少量F、或加入B2O3的具体范围,使“添加”不是仅凭名称推测。文献亦分别定义纵波和剪切波,并非只谈光折射率降低。

测量数据的正确等级

表内相对纯二氧化硅的斜率为:F的LSAW约−3.1%/wt%、LSSCW约−3.6%/wt%;B2O3的LSAW约−1.0%/wt%,LSSCW栏为空缺而非0。LSAW与LSSCW分别主要反映剪切与纵向分量,是SAM方法下的近似表面波代理,不是直接沉积薄膜体波实测值。

不能普遍化的原因

同文F与Al2O3共同掺杂还可使纵、横速度增加,示例约1.1 wt% F加8 wt% Al2O3。因此“含F”本身不保证低声速。这里是拉制光纤或预制棒径向包层,不是压电膜下沉积层;若借D2形成掺杂硅氧<纯SiO2<适当压电体波的链条,必须明确配方、工艺、密度、应力及模式一致性假设,不能写成同篇直接证明。

D14 硼离子植入二氧化硅的保留声学薄膜

公开文件  US20070120625A1    公开日  2007年5月31日

原文入口  US20070120625A1  同组相关公开

核验层级  原始美国A1共26页,PDF第14、16页及第4页图3C至3E已视读;[0047]等见PDF第17页。日文同族JP2007159123A于2007年6月21日公开,合为一组;2010年12月24日A5更正不纳入截止前证据。

纳入理由  明确CVD二氧化硅再植入B离子的真实声学薄膜,证明硼添加材料可以保留在谐振器电极和压电层之间,而非只有被去除的BPSG。

原文1  [0039] PDF第16页/印刷第4页

In an embodiment of temperature-compensating layer 115 in which the temperature-compensating material was silicon dioxide doped with boron, a thickness of less than about 80 nm was sufficient

译文  温补材料为掺硼二氧化硅的层115实施例中,小于约80nm的厚度已足够。

原文2  [0041] PDF第16页/印刷第4页

After deposition, the silicon dioxide was doped with boron ions implanted with an energy of about 30 keV and a density of about 2.5×10^15 cm−3.

译文  沉积后以约30keV能量植入硼离子,公开密度约2.5×10^15cm−3。

原文3  [0042] PDF第16页/印刷第4页

Temperature-compensating layer 115 forms part of the acoustically-resonant structure of FBAR 110.

译文  温补层115构成FBAR110声谐振结构的一部分。

原文4  [0047] PDF第17页/印刷第5页;图3D见PDF第4页

temperature-compensating layer 113 is located between electrode 112 and piezoelectric element 116.

译文  温补层113位于电极112与压电元件116之间。

原文5  [0050] PDF第17页/印刷第5页

FBAR stack 111 may alternatively be isolated from substrate 102 by an acoustic Bragg reflector

译文  FBAR叠层111也可由声学Bragg反射器与基板102隔离。

原文6  [0027] PDF第14页/印刷第2页

Equation (1) applies to both longitudinal and shear modes of propagation.

译文  式(1)适用于纵波和剪切波传播模式。

配方工艺及保留层位

[0041]在已沉积SiO2中以约30 keV植入B离子,原文密度写作2.5×10^15 cm−3,本报告保留该单位而不私自改成常见的cm−2剂量。温补层115构成FBAR声谐振结构的一部分;图3D另有层113位于下电极112与压电元件116之间,图3E还有嵌入压电体的变形。

实际技术贡献

小于约80 nm的掺硼SiO2层用于温补并有测试;不是仅在材料清单中出现。声学Bragg反射器可替代腔体的变形,使其不必局限于一种悬空架构。这为硼添加硅氧的可制造性及保留声学层角色提供直接证据。

速度和目标关系缺口

约+300 ppm/°C属于温度系数及补偿讨论,不能用来代替绝对声速或膜<压电体波不等式。式(1)适用于纵波和剪切波并不代表已测出该硼膜两种绝对速度。[0075]在另一Bragg组合中说掺杂二氧化硅可作高阻抗材料,也不等于高声速。原文未给目标高声速支撑、IDT及对应λ范围的全部关系,D13的属性不能无条件转移到植入膜。

4 可用论证路径与尚待证明的环节

4.1 氧化硅可以优先作为主线

D1与D2分别从体波低速导引、中间材料及主成分和具体慢横波数值支持氧化硅路线。建议完整权利要求对比从这两组展开,而非从只有材料名单或器件频率偏移的弱证据开始。仍须核对具体高声速支撑材料、LN或LT压电膜形态、IDT以及0.1λ至0.5λ低膜厚度。

4.2 玻璃与氧化钽具有实质物性和结构增量

玻璃可将D3作为实际低横波声学薄膜资料,D4、D5作为支持侧主成分选项及实际键合的结构补充。D5的900/930 m/s未定极化,不能代替D3的横波值,更不能被视为所有玻璃配方通用常数。D3硅氧硼玻璃的性质也不能直接赋给D5砷硫硒玻璃。

Ta2O5路线中,D8给出低横波材料与能量分布的明确功能,D7给固体背衬下位置,D9给主成分支撑膜。合理使用方式是分别说明每组公开什么,以及为何本领域人员会作具体改变;不把不同设备画成一张未经原文支持的“既有结构图”。

4.3 F和C添加氧化硅不能只依赖缩写或低阻抗

D11提供直接声学化学定义,D10提供连续保留的有源区下层,D12则把SiOC支持层、主成分比例与缓慢传播文字联系起来。它们使材料和位置不再是纯名称命中,却没有给一套共同配方下的目标体波不等式。正式组合须说明孔隙、组成和制程的可兼容性。

D13可以加强F添加硅氧材料的降速方向,但其光纤配方与D10多孔薄膜并不相同。尤其F与Al2O3共掺可能反而升速,不能写“凡氟掺SiO2必然低于压电膜”。C路线也不能从低介电常数或低Z单独推导出具体横波值。

4.4 B添加路线已有实际声学膜但绝对速度仍缺

D14确认沉积硅氧膜后植入硼并保留在谐振器内的真实方案。D13是独立降速属性资料,D3是含B2O3玻璃实作及横波资料。三者共同形成有意义的材料选择路径,但离子植入、玻璃熔制和光纤拉制不同,不能把某一配方的横波值原封不动移给另一工艺的膜。温度系数也不是绝对体波声速。

4.5 SiON的明确负边界

D6的第一SiON备选很重要,应保留其正面贡献;同时必须承认实际示例第一层不是SiON,且第一<max条件不能证明第一<压电。当前未取得同时明确第一SiON配方、支持侧低膜位置与适当体波低于LN/LT的同篇截止前证据。主成分措辞也不能从邻近电极合金段移用到介电膜。

4.6 从材料贡献到正式无效论证

本报告完成的是定向材料检索与证据分层。拟提出正式无效理由时,应围绕选定主文件制作全部权利要求要素表,论证组合动机和预期声学效果,并核对公开、译文和证据形式。对仅取得原文索引的D9、D11,以及未取得PDF的D4,应优先补取官方公开件;不能将当前来源层级包装成原件页图已经核验。

 

 

5 六语检索方法与记录口径

本次新检索完成中文、英文、法文、德文、韩文、日文各40轮,共240轮,每轮独立执行并调整检索式。此前高声速支撑材料检索的轮次未计入本次。公开文本回读、PDF核验及同族追溯属于对应轮内操作,不因一次打开或一次查询另加独立轮数。

检索以Google Patents收录的公开文本为核心。开始时原生搜索入口未取得可用结果,随后停止重复失败入口,使用各指定语言的外部索引检索式定位公开件,再核查原始全文或PDF。不能把240轮表述成240次原生搜索成功,也不能把初始失败放大成每轮都做了原生尝试。

确认某类材料成分后,后续检索转向尚未解决的保留层位、对应体波、具体配方、主成分和早期原文证据,不再只以通用材料别名机械重复扩展。为补原件、核主成分或辨清比较关系而重访已知文献属于定向核验,不冒充新发现。

查询中的日期词、before语法或外部检索时间过滤并不能代替逐件公开日核验。后公开文件可供追踪早期同族,但只在早期公开文本被独立查验后,才承认其相应内容;没有以较早优先权日期回填后来技术。

审计核对240份逐轮记录及对应原始检索记录,每轮独立执行,各语言恰为40轮。查询记录共557条,其中可显示检索字符串557条;它们包含轮内检索、放宽和核验操作,不能当成独立检索轮数。

同族重复、无增量盖层、日期不符、材料与声学角色错配及无法核实的候选未列入正文对比文件。附录记录每轮具体结果,包括无新增证据;负结果只表示该轮未取得所需证据,不证明所有在先技术中绝不存在该特征。

最终逐轮附录只展示实际执行的一条指定语言外部索引主式及结果,不把失败原生URL列作成功查询,也不含内部任务路径或工具标识。原文页、索引全文和原PDF页图的取得程度已在每个入选组明确区分。

 

 

附录 逐轮主检索式与结果记录

按语言列出240个独立轮号。一轮可有多条补充查询和原文核验;下列只展示该轮一条实际执行主式。结果中的D编号表示与正文入选证据有关,不等于该轮首次发现此族。没有新增贡献的轮次据实记述,不以默认成功填充。

中文 40轮

ZH01  site:patents.google.com 压电 声波 氧化硅 中间层 低 声速

结果  D1、D2确认SiO2中间层、主成分及对应低体波关系;3757与4031 m/s慢横波比较有原PDF依据。

ZH02  site:patents.google.com "碳掺杂" "氧化硅" "声"

结果  核SiOC声学支持层和缓慢传播旧线索;本轮未明确SiOC的硅氧宿主,未补体波比较。

ZH03  site:patents.google.com "氟掺杂" "温度补偿"

结果  F添加硅氧温补层最贴切原文晚于截止;较早引证未取得原件,未新增合格证据。

ZH04  site:patents.google.com "氮氧化硅" "导波层"

结果  发现SAW半绝缘SiON膜的背景描述,但未确认目标中间低膜位置及体波关系。

ZH05  site:patents.google.com "硼掺杂" "声表面波"

结果  D14日文同族明确B掺SiO2及保留温补膜;30 keV植入和温度系数不能代替绝对低体波值。

ZH06  site:patents.google.com "氟" "二氧化硅" "剪切波"

结果  连续F硅氧导波层及横波查询只获晚期或未核实引证,未新增截止前速度与位置证据。

ZH07  site:patents.google.com "US20100259342A1" "氮氧化硅"

结果  核SiON第一介质备选及其与另一WO家族的区别;层间快慢关系仍不证明SiON低于压电体波。

ZH08  site:patents.google.com "玻璃中间层" "压电" "声速"

结果  D4新增玻璃主成分基底层622及支持侧位置,优选1至20 μm;无玻璃体波不等式。

ZH09  site:patents.google.com 氮氧化硅 第一电介质 体波 声速 压电

结果  原PDF确认SiON及≥5000 m/s要求属于第二高速层,不能移给第一低层;本轮未补SiON关系。

ZH10  site:patents.google.com 掺硼 二氧化硅 温度补偿膜 纵波 声速 谐振器

结果  D14取得美国早期A1原PDF及准确页段,确认保留B植入膜;一般纵横模式公式不等于绝对声速。

ZH11  site:patents.google.com SiOC 声反射器 密度 弹性模量 主成分 纵波 横波

结果  半导体OSG模量与含氟材料密度并非同一声学膜;具体SiOC反射器数值晚于截止,未补数据链。

ZH12  site:patents.google.com/patent 掺氟 二氧化硅 声学 反射层 压电 基板

结果  未获非多孔F硅氧连续下层。旁支硼硅玻璃是反射器下钝化选项而非实作低速反射膜。

ZH13  site:patents.google.com/patent/WO2010116995A1 第一电介质膜 氮氧化硅 声速 主要成分

结果  复核2010年WO的第一及第二SiON备选;无主成分或膜低于压电体波新增依据,原PDF仍缺。

ZH14  site:patents.google.com/patent 玻璃 中间层 压电 薄膜 基板 横波 声速

结果  玻璃支持侧连续层及剪切比较的强命中均晚于截止,未新增合格原文。

ZH15  site:patents.google.com/patent "氧化钽" "压电" ("基板" OR "衬底") ("中间层" OR "下层" OR "主成分") -CN103262410 -CN107342748

结果  TaOx主成分固体背衬下层查询只得后期、光学或无关结果,未增强实际保留低膜证据。

ZH16  site:patents.google.com/patent 硼 掺杂 二氧化硅 声速 压电 基板 薄膜 主要成分

结果  B硅氧主成分、支持侧实作与低体波联合查询未获新增;硼化硅和牺牲膜不算目标材料层。

ZH17  site:patents.google.com 氮氧化硅 薄膜 压电 弹性常数 密度 剪切模量

结果  SiON沉积膜弹性常数、密度和横波联合查询未获合格声学候选;术语回退亦未补证据。

ZH18  site:patents.google.com 多孔 氟硅酸盐 声反射层 压电 密度 弹性模量

结果  多孔SiOF反射层未找到匹配孔隙、密度与模量数据;光学麦克风和半导体属性不能移用。

ZH19  site:patents.google.com ("碳掺杂氧化硅" OR "掺碳二氧化硅" OR "SiOC") ("皮秒" OR "布里渊" OR "纵波声速") 薄膜

结果  碳添加硅氧沉积膜实测纵波或纵向模量及同配方查询未获合格原件候选。

ZH20  site:patents.google.com ("氮氧化硅" OR "氧氮化硅") ("主成分" OR "主要成分" OR "复合") ("声波" OR "谐振器")

结果  SiON主成分声学中间层未获具体配方;栅介质及后期声学材料不能补该联合缺口。

ZH21  site:patents.google.com 硼掺杂 氧化硅 薄膜 离子注入 弹性模量 密度

结果  B浓度或植入量与同膜模量、密度链条未闭合;候选的优选模量门槛不是BSG实测参数。

ZH22  site:patents.google.com "二氧化硅" "氟" ("干凝胶" OR "溶胶凝胶") ("声匹配" OR "声学匹配" OR "声速")

结果  干凝胶声匹配原文中的F属于有机表面处理,未证明进入硅氧骨架;≤500 m/s不能转给F膜。

ZH23  site:patents.google.com ("氮氧化硅" OR "氧氮化硅") ("富氧" OR "氧含量" OR "二氧化硅含量") ("声速" OR "横波速度" OR "声波传播速度")

结果  富氧或连续组分SiON查询为空或无关,未得同配方体波低于适当压电体波的证据。

ZH24  site:patents.google.com "二氧化硅" "有机基团" "声匹配" ("声速" OR "密度" OR "弹性模量")

结果  核已知有机硅凝胶家族中文索引,确认骨架有机基和同密度较低弯曲模量;无新体波或支持侧关系。

ZH25  site:patents.google.com ("氮氧化硅" OR "氧氮化硅" OR "SiON") ("布里渊" OR "皮秒超声" OR "声学声子") ("声速" OR "速度")

结果  SiON与布里渊、皮秒超声及声学声子查询无结果,未获得材料声速数据源。

ZH26  site:patents.google.com ("氢化氮氧化硅" OR "含氢氮氧化硅" OR "SiON:H") ("声速" OR "声学" OR "压电") ("密度" OR "氢含量" OR "底层")

结果  含氢SiON与声学物性联合查询无结果,未把氢含量或密度关联到目标体波和层位。

ZH27  site:patents.google.com "氧化钽" "混合" ("声速" OR "弹性常数" OR "杨氏模量")

结果  TaOx主成分混合氧化物未获声速或弹性关联配方,复合氧化物术语调整亦为空。

ZH28  site:patents.google.com ("Si-F" OR "硅氟键") ("声速" OR "弹性模量") 薄膜

结果  Si–F网络和薄膜属性联合查询无结果,未补同配方沉积F硅氧物性。

ZH29  site:patents.google.com (硼硅 OR 硼硅酸盐 OR BSG) (脉冲 OR 回波) 薄膜

结果  候选超声测量专利仅给一般表面波色散,不含BSG体波传时或材料速度表。

ZH30  site:patents.google.com (SiOC OR 掺碳氧化硅) (Love OR SH波) (导波层 OR 波导层)

结果  类金刚石玻璃成分是粘接层,剪切低速条件属于另一导引层;不能拼接成同层公开。

ZH31  site:patents.google.com 等离子体 氮化 氧化硅 声波

结果  等离子氮化硅氧的工艺命中未关联保留声学下层及体波;微波等离子术语不是材料声速。

ZH32  site:patents.google.com ("MSQ" OR "甲基倍半硅氧烷" OR "有机硅酸盐") ("压电" OR "声学") ("中间层" OR "接合层")

结果  MSQ或有机硅酸盐与声学接合、中间层联合查询无结果,未新增支持侧实作证据。

ZH33  site:patents.google.com (氮氧化硅 OR 氧氮化硅) (湿氧 OR 水蒸气 OR 氧化退火) (压电 OR 声学)

结果  氧化或再氧化形成富氧SiON的命中仅为非声学工艺,未建立同膜弹性、体波和下层关系。

ZH34  site:patents.google.com (氟硅玻璃 OR 氟硅酸盐 OR SiOF) 薄膜 (C11 OR C44 OR 剪切模量)

结果  F硅氧C11/C44或剪切模量查询未得匹配数据;其他保护胶模量和样品编号不能移用。

ZH35  site:patents.google.com (SiOC OR 有机硅酸盐 OR 碳掺杂氧化硅) (色散 OR 反演) (纵波 OR 横波 OR 密度)

结果  SiOC纵横模态及密度查询未得同膜数据;氮化硅密度和光学TO振动不是目标声学体波。

ZH36  site:patents.google.com 多孔玻璃 (分相 OR 浸出) (声速 OR 声学 OR 压电)

结果  硼硅玻璃分相浸出路线未得保留声学薄膜及实测体波;原料含硼不证明浸出后残留组成。

ZH37  site:patents.google.com (硫系玻璃 OR 硫族玻璃 OR 硫属玻璃) (粘结 OR 接合) (横波 OR 剪切波)

结果  硫系玻璃粘接与剪切查询为光学接合或机械剪切,未补D5实际键合玻璃的声学波型。

ZH38  site:patents.google.com ("Black Diamond" OR "Coral" OR "Aurora") ("声隔离" OR "声学隔离" OR "声反射")

结果  商业有机硅介质牌号与声隔离查询为空,宽式仅为CMP或电学互连,未得声学同配方速度。

ZH39  site:patents.google.com (氮氧化硅 OR 氧氮化硅 OR SiON) (兰姆波 OR Lamb波) (色散 OR 反演)

结果  SiON Lamb对称反对称色散反演未获材料体波;复合AlN/Mo的S0导波、光学色散不是本征SiON。

ZH40  site:patents.google.com (硼硅 OR 硼掺杂) (弛豫 OR 粘弹性 OR 黏弹性) (横波 OR 剪切 OR 声学)

结果  硼硅动态剪切、弛豫或黏弹性未得同膜声频数据;其他材料热弛豫、NMR及晚期玻璃不补体波。

英文 40轮

EN01  site:patents.google.com "acoustic" "glass" "intermediate layer" "piezoelectric"

结果  窗玻璃超声匹配层提供有限材料与层位线索,仅给阻抗而无目标体波关系;未作为正文独立组。

EN02  site:patents.google.com "silicon oxynitride" "acoustic reflector"

结果  相关SiON低层或反射层命中均晚于截止,未核实合格早期公开。

EN03  site:patents.google.com "carbon doped silicon oxide" "acoustic" before:2010-12-24

结果  确认F硅氧边缘平坦化介质及SiOC缓慢传播旧线索;连续有源区位置和碳的硅氧宿主仍缺。

EN04  site:patents.google.com "silicon oxynitride" "surface acoustic wave" before:2010-12-24

结果  取得SiON盖膜原PDF及同族制造描述;为SiO2上保护膜,不是支持侧低膜或体波证据。

EN05  site:patents.google.com "SiOC" "silicon dioxide" "acoustic" before:2010-12-24

结果  半导体原文可辅助SiOC与碳含硅氧的化学映射,不能赋予声学层位置、同配方或体波速度。

EN06  site:patents.google.com "tantalum oxide" "shear velocity"

结果  TaOx剪切声速检索的直接物性命中均晚于截止,本轮无合格早期数值。

EN07  site:patents.google.com "WO2004051848" "carbon"

结果  D12取得CIP原件,明确≥90 wt% SiOC支持层及缓慢传播;比例不能倒填2004母案。

EN08  site:patents.google.com "fluorine-doped silica" "acoustic velocity"

结果  F硅氧光纤包层有纵波降速文字,仅为物性补充;正文择优采用D13的更早纵横波资料。

EN09  site:patents.google.com/patent/ "tantalum oxide" "shear" "velocity" "piezoelectric" before:2010-12-24

结果  D8核Ta2O5材料横波1580 m/s、实际上侧薄膜及导波相速度3332的区别;支持侧关系仍缺。

EN10  site:patents.google.com "silicon oxynitride" "acoustic velocity" "nitrogen" before:2011

结果  SiON≥5000 m/s属于第二高速媒质;后来组分表不能回溯,未补低第一层体波关系。

EN11  site:patents.google.com "SiOF" "acoustic reflection" "porous" piezoelectric density

结果  D10已知KR家族再核,未新增SiOF宿主定义、F含量、密度、孔隙率或体波比较。

EN12  site:patents.google.com "Love wave" "glass" "piezoelectric film" "shear"

结果  Love波玻璃结果主要为触屏叠片或普通表面导层,未补薄压电体下玻璃层的联合关系。

EN13  site:patents.google.com SiOC "reflector" "longitudinal" "velocity" AlN

结果  SiOC反射器候选的数值只对应其他材料;后期SiOC阻抗密度表被排除,未得自身体波比较。

EN14  site:patents.google.com/patent "silicon oxynitride" "transverse" "waveguide"

结果  D6追得2009年WO原PDF,确认第一SiON选项及小于最大值关系;实际仍为第一SiO2、第二SiON。

EN15  site:patents.google.com "boron doped" "silicon dioxide" ("acoustic reflector" OR "low acoustic velocity" OR "underlayer") before:2010-12-24

结果  B掺硅氧连续支持侧下层查询主要命中后期、周边或牺牲结构,未新增同膜体波证据。

EN16  site:patents.google.com/patent/ ("tantalum oxide" OR "Ta2O5") ("between the substrate" OR "guiding layer" OR "low velocity layer") piezoelectric before:2010-12-24

结果  D7新增固体Si或金刚石背衬下Ta2O5缓冲选项及合格B2原PDF;未证明低速导引和实际Ta样品。

EN17  site:patents.google.com ("carbon doped silicon oxide" OR "SiOC") ("bonding layer" OR "acoustic coupling") piezoelectric ("velocity" OR "transfer")

结果  SiOC声学键合及转移查询回到已知延续案,仍只有慢传播和低阻抗,未补适当体波关系。

EN18  site:patents.google.com "silicon oxynitride" "oxygen" "nitrogen" ("sound velocity" OR "shear velocity") piezoelectric

结果  SiON氧氮比与声速结果为晚期组分资料,早期体波回退为空,未得合格新增。

EN19  site:patents.google.com ("fluorinated silicon dioxide" OR "fluorosilicate glass" OR FSG) ("picosecond" OR "acoustic microscopy") ("modulus" OR "density" OR "velocity")

结果  沉积F硅氧的皮秒或声显微物性两条查询均为空,未获得同膜模量、密度或速度。

EN20  site:patents.google.com ("organosilicate" OR "methylsilsesquioxane") ("acoustic" OR "sound velocity") ("modulus" OR "decoupling")

结果  取得电学有机硅膜密度及SAWS杨氏模量,依赖假定泊松比且无声学层位;不作直接体波实测。

EN21  site:patents.google.com "silicon oxynitride" piezoelectric ("bonding layer" OR "layer transfer" OR "ion cutting") before:2011

结果  发现实际沉积保留SiON,但它位于DLC之下而非其与压电膜之间;未补低膜顺序和速度。

EN22  site:patents.google.com "acoustic matching" "silica" ("organosilane" OR "methyl") "sound velocity"

结果  有机硅干凝胶原PDF明确骨架保留有机基及同密度较低弯曲模量;气体侧匹配用途、无体波值,正文不累加。

EN23  site:patents.google.com borosilicate (sputtered OR PECVD) ("acoustic impedance" OR "thickness mode" OR "sound velocity")

结果  玻璃基板候选未限定硼硅配方,其2800 m/s为导波SAW;不补B硅氧沉积膜体波。

EN24  site:patents.google.com ("silicon oxynitride" OR "SiON") ("phononic" OR "acoustic bandgap" OR "acoustic band gap") ("density" OR "elastic")

结果  SiON声子晶体或带隙查询为空或后期、光学噪声,未获得同配方属性及位置桥接。

EN25  site:patents.google.com "silicon oxynitride" ("Brillouin" OR "dispersion curve") ("shear" OR "elastic constants") -Grahn -US5748318

结果  SiON布里渊或色散弹性常数定向查询无结果,未重复一般测量方法作为材料数据。

EN26  site:patents.google.com (SiCOH OR SiOC OR "carbon-doped silicon oxide") (curing OR densification) ("acoustic velocity" OR "transit time" OR "longitudinal velocity" OR "shear velocity")

结果  SiOC固化致密化及声学传时查询未得体波实测;低k互连制造工艺不能补声学膜关系。

EN27  site:patents.google.com borosilicate piezoelectric "stress relief"

结果  应力释放硼硅下层近似命中于2015年后且悬空,未得合格固体支持侧材料属性。

EN28  site:patents.google.com ("silicon oxynitride" OR "SiON") (porous OR "low density") acoustic

结果  早期文献将SiON悬膜与SiOC低阻抗层分开;直接多孔SiON耦合选项晚于截止。

EN29  site:patents.google.com fluorine implantation silica acoustic

结果  F植入查询只有半导体氧化、扩散或牺牲层剂量,未建立保留声学膜的配方声速链。

EN30  site:patents.google.com "tantalum oxide" "buffer" (transfer OR epitaxial) acoustic

结果  Ta2O5反射器选项是AlN结构,未提供转移LN/LT下实作缓冲膜及同配方物性。

EN31  site:patents.google.com "boron" "fluorine" "silica" "acoustic" "film" -fiber -fibre

结果  排除光纤后,未找到B与F共掺平面声学膜的联合配方和对应体波或弹性数据。

EN32  site:patents.google.com (SiON OR "silicon oxynitride") (graded OR gradient) (acoustic OR "slow layer")

结果  SiON梯度声学层为后公开,早期电学及光学梯度不补目标同膜速度与位置。

EN33  site:patents.google.com "silicon oxynitride" ("strain pulse" OR "time of flight" OR "transit time") density -Grahn -US5748318

结果  SiON应变脉冲及传时命中混有SIMS、通用测量法和后期文件,未得同配方密度体波数据。

EN34  site:patents.google.com ("borosilicate" OR "borosiloxane") ("spin-coated" OR "spin on") ("piezoelectric" OR "lithium niobate") bonding

结果  B硅氧旋涂键合路线的实配方是IC介质,声学键合则另列不同化学选项,未闭合同层证据。

EN35  site:patents.google.com ("fluorosilicate glass" OR "fluorinated silica" OR "SiOF") piezoelectric ("bonding" OR "layer transfer")

结果  核实SiOF保留键合层,但用于非声学结合且无压电或物性桥接,未新增目标层证据。

EN36  site:patents.google.com ("tantalum oxide" OR "Ta2O5") ("Brillouin" OR "laser ultrasonics") density

结果  TaOx布里渊或激光超声结果主要为光学体玻璃和后期技术,精确薄膜弹性回退为空。

EN37  site:patents.google.com SiOC ("stopband" OR "quarter wavelength") ("thickness" OR "GHz")

结果  SiOC止带、厚度和四分之一波长近似数值源后公开,早期数字属于普通SiO2,不能倒算SiOC实测速度。

EN38  site:patents.google.com oxynitride "N2O" "SiH4" "acoustic velocity"

结果  N2O/SiH4候选原文实际制备SiO2而非SiON,蚀刻或温漂数据不补SiON本征体波。

EN39  site:patents.google.com ("borosilicate" OR "BSG") ("phononic" OR "acoustic bandgap" OR "acoustic band gap")

结果  硼硅或BSG声子带隙两条查询均无结果,未得保留包层的配方体波或压电比较。

EN40  site:patents.google.com "plasma polymer" "shear" acoustic silicon

结果  等离子聚合硅基候选虽有化学和密度,却明确不同于非晶硅氧且无目标声学层位或速度。

法文 40轮

FR01  site:patents.google.com "onde acoustique" "oxynitrure de silicium"

结果  SiON温补柱及TaOx抗蚀层角色不符;SiOC支持层为有限旧线索,未补化学宿主和体波。

FR02  site:patents.google.com "silice fluorée" "acoustique"

结果  F硅氧命中属于蚀刻、光纤或后期键合,未获得合格早期声学中间膜。

FR03  site:patents.google.com "bore" "oxyde de silicium" "résonateur"

结果  未找到B添加硅氧声学膜;掺硼硅与独立硅氧层不能等同,明确反射器物性命中晚于截止。

FR04  site:patents.google.com "oxyde de tantale" "vitesse" "acoustique"

结果  TaOx近似早期原文中的速度为蚀刻速率,而非材料声速;未补体波数据。

FR05  site:patents.google.com "oxynitrure" "ondes de frontière"

结果  SiON边界波旧线索原文无法取得,其他命中后公开,未新增层位或速度证据。

FR06  site:patents.google.com "SiOC" "vitesse de propagation" "piézoélectrique"

结果  核SiOC缓慢传播母案及半导体中碳掺硅氧定义;定义不能自动转移为同配方声学体波关系。

FR07  site:patents.google.com "silice fluorée" "vitesse acoustique"

结果  F硅氧声速精确查询为空,宽式命中无关或晚期体玻璃,原文亦未补证据。

FR08  site:patents.google.com "oxyde de tantale" "module de cisaillement"

结果  TaOx清单与其他膜的机械属性并置,或光学横向结构误命中,未获得TaOx剪切体波。

FR09  site:patents.google.com "verre" "couche de liaison" "piézoélectrique" vitesse transversale

结果  玻璃键合及横波查询主要是错位玻璃、聚合物键合或后期数据,未补目标联合关系。

FR10  site:patents.google.com silice dopée fluor vitesse acoustique cisaillement longitudinale concentration

结果  D13新增1992年F/B2O3硅氧纵横降速及浓度证据;LSAW/LSSCW为近似代理,仍非目标薄膜实测。

FR11  site:patents.google.com "oxynitrure de silicium" "première" "principal" "onde"

结果  SiON第一层主成分查询未得具体配方和压电体波不等式,既有纯材料选项未升级。

FR12  site:patents.google.com résonateur acoustique "borosilicate" "réflecteur" couche substrat

结果  原PDF确认硼硅玻璃选项是反射器下钝化层,实际例为SiN;无玻璃低速反射层新证据。

FR13  site:patents.google.com ("pentoxyde de tantale" OR "oxyde de tantale") "réflecteur acoustique" piézoélectrique substrat

结果  固体背衬TaOx反射或导引层查询命中后期、光学或错误材料,未新增合格下层来源。

FR14  site:patents.google.com SiOC "couche" "vitesse" "confinement" acoustique

结果  新增低阻抗SiOC反射器候选仍无对应纵横体波比较,贡献不优于D12,正文不累加。

FR15  site:patents.google.com verre solide couche liaison continue film piézoélectrique vitesse ondes cisaillement

结果  两个早期原文把玻璃放在基板或顶部覆盖层,未补连续支持侧玻璃耦合膜及体波。

FR16  site:patents.google.com "oxynitrure de silicium" "vitesse" "transversales" piézoélectrique

结果  早期导波原文涉及铁电层而无SiON,其他结果后期或无关,未补SiON横波反差。

FR17  site:patents.google.com ("oxyde de tantale" OR "Ta2O5") ("constantes élastiques" OR "module de cisaillement" OR "vitesse transversale") couche tampon piézoélectrique substrat

结果  TaOx固体背衬缓冲及弹性、密度联合查询未获匹配来源,不能复用其他工艺参数。

FR18  site:patents.google.com "silice" "bore" ("module élastique" OR "module de cisaillement" OR "masse volumique") couche acoustique

结果  B硅氧保留膜的浓度、模量、密度联合查询未得同配方可用证据。

FR19  site:patents.google.com ("oxynitrure de silicium" OR "SiON") ("Lamb" OR "ondes de plaque" OR "membrane") ("vitesse" OR "lent")

结果  SiON Lamb或板波膜查询未得支持侧低膜体波比较;化学膜、光学膜和晚期构型被筛除。

FR20  site:patents.google.com "silice" "fluor" "recuit" "acoustique"

结果  F硅氧退火与声学命中无关或后期,未获得工艺关联的材料速度。

FR21  site:patents.google.com ("silice dopée au carbone" OR "SiOC" OR "oxycarbure de silicium") ("ondes de Love" OR "cisaillement horizontal" OR "couche guidante")

结果  Love波候选中普通SiO2导层与聚硅氧烷传感层分离,不能合称碳添加硅氧低速导层。

FR22  site:patents.google.com "B2O3" "SiO2" couche liaison piézoélectrique vitesse élasticité

结果  具体B2O3/SiO2键合声学配方原件于2020年公开,未得合格截止前层位物性桥。

FR23  site:patents.google.com "silice" "fluor" ("réseau" OR "liaisons") ("cisaillement" OR "élasticité") -fibre -fibres

结果  F硅氧网络软化查询主要命中化妆及流变体系,剪切或弹性术语不能当作材料声波数据。

FR24  site:patents.google.com "bore" "implantation" ("vitesse longitudinale" OR "vitesse acoustique") silice résonateur

结果  B植入硅氧的浓度及纵横绝对声速未获新来源,温补斜率证据不因此变成速度值。

FR25  site:patents.google.com ("SiOF" OR "silice fluorée") ("niobate de lithium" OR "tantalate de lithium") ("collage" OR "liaison" OR "transfert")

结果  SiOF与LN/LT键合或转移的联合查询无结果,未新增保留中间层。

FR26  site:patents.google.com ("oxynitrure de silicium" OR "SiON") ("hydrogène" OR "hydrogéné") ("vitesse acoustique" OR "module élastique" OR "élasticité")

结果  含氢SiON与弹性或声速查询只命中无关热塑性泡沫,未获材料关系。

FR27  site:patents.google.com borosilicate pulvérisation dépôt ultrasons

结果  硼硅沉积与超声结果混用加工、清洗术语,未得薄膜声传播数据候选。

FR28  site:patents.google.com "pentoxyde de tantale" dépôt (vitesse OR cisaillement)

结果  TaOx候选为CVD电容介质,其柔顺性和气体速率非声学体波;声学回退后公开。

FR29  site:patents.google.com (SiOC OR organosilice) (résonance OR "temps de vol") épaisseur acoustique

结果  SiOC厚度共振或声学传时未得自身体波值;既有定性传播与器件层面数据不能替代。

FR30  site:patents.google.com SiOF ("ondes de Love" OR "cisaillement horizontal") vitesse

结果  SiOF Love或水平剪切导层两条查询未得合格薄膜体波低于压电体波关系。

FR31  site:patents.google.com oxynitrure "sol-gel" acoustique

结果  SiON溶胶凝胶或化学转化未关联保留声学缓冲及适当体波,未发现可核验候选。

FR32  site:patents.google.com (méthylsilice OR silsesquioxane) (guide OR sous-couche) acoustique

结果  甲基硅氧或倍半硅氧烷导层结果为普通硅氧、独立聚合物或后期反射层,未增同膜证据。

FR33  site:patents.google.com "silice" "fluor" "densification" acoustique

结果  F硅氧致密化原文讨论电学耐湿,退火背景不是声学软化,未补工艺速度链。

FR34  site:patents.google.com "oxynitrure" ("porogène" OR "microvides" OR "poreux") ("miroir acoustique" OR "couplage acoustique" OR "vitesse acoustique")

结果  多孔SiON候选原文实际区分多孔硅与非多孔SiON且用于光学,未补声学多孔配方。

FR35  site:patents.google.com "bore" "silice" ("dose" OR "diffusion") ("coefficient élastique" OR "constantes élastiques" OR "vitesse du son")

结果  B植入或扩散浓度与弹性系数、绝对声速两条查询未获合格新增,D14温补证据界限不变。

FR36  site:patents.google.com ("organosilice" OR "organosilicate" OR "silsesquioxane") collage piézoélectrique silicium

结果  固化有机硅键合与压电转移查询只得电学多孔介质或后期材料,未得支持侧配方属性链。

FR37  site:patents.google.com "tantale" "silice" "couche tampon" acoustique

结果  Ta与硅氧邻层、吸收层或候选清单不能证明Ta2O5主体加SiO2的真实声学缓冲配方。

FR38  site:patents.google.com (Pyrex OR "borosilicate de plomb") collage cisaillement ultrasons

结果  Pyrex或铅硼硅键合剪切查询为机械强度、微流体或金属接点,未得该沉积玻璃胶自身横波。

FR39  site:patents.google.com (fluorosilicate OR "FSG" OR "SiOF") "GHz" ("module dynamique" OR "atténuation acoustique" OR "vitesse de phase")

结果  FSG/SiOF的GHz动态模量、衰减或相速度两条查询均无结果;衰减本身也不足以给低体波。

FR40  site:patents.google.com "oxynitrure" "impédance acoustique" ("densité" OR "masse volumique")

结果  SiON阻抗密度查询未得同配方声学数据对;早期PECVD表是非声学属性,后期复材参数不可移用。

德文 40轮

DE01  site:patents.google.com "Tantaloxid" "akustische" "Schicht"

结果  D9合格B1明确氧化钽主成分介电层及下部支撑;无体波比较,A2早期文字需独立核验。

DE02  site:patents.google.com "Borsilikatglas" "Siliziumdioxid" "akustisch"

结果  硼硅声学及掺杂查询未得合格层,组成背景不具相关声学角色,未作为正文证据。

DE03  site:patents.google.com "Siliziumoxynitrid" "Oberflächenwelle"

结果  SiON电容麦克风膜、发光材料和晚期声学结构角色或日期不符,未补低膜。

DE04  site:patents.google.com "Glas" "Transversalwellengeschwindigkeit" "piezoelektrisch"

结果  D3取得日文玻璃原PDF,明确D/E/X组成及横波;纠正德文原件B2O3误印,保持上覆层限制。

DE05  site:patents.google.com "kohlenstoffdotiertes" "Siliziumoxid" "akustisch"

结果  碳掺硅氧精确查询为空,声学镜回退为后期碳介质或普通SiO2,未新增合格来源。

DE06  site:patents.google.com "bordotiert" "Siliziumdioxid" "Schallgeschwindigkeit"

结果  B掺SiO2声速及对应模式三条德文查询均无结果,未获得待核原件。

DE07  site:patents.google.com "Tantalpentoxid" "Schallgeschwindigkeit"

结果  早期Ta2O5实作盖膜频率调整有有限贡献,但频率下降非Ta材料体波;正文择优D8。

DE08  site:patents.google.com "Siliziumoxynitrid" "Volumenwellen" "Geschwindigkeit"

结果  SiON体波和速度查询主要命中后公开关系,未得截止前低膜不等式。

DE09  site:patents.google.com SiOC akustischer Reflektor Ausbreitungsgeschwindigkeit Volumenwellen Elastizitätsmodul

结果  D12原件核实定性慢传播;C33附近公式本身含歧义,不修造公式或计算未公开速度。

DE10  site:patents.google.com Tantaloxid dielektrischer Film Hauptbestandteil Substrat Erdung piezoelektrisch "0771070"

结果  D9独立核A2索引原文的TaOx主成分与永久悬膜支撑,未回填B1;A2 PDF仍未取得。

DE11  site:patents.google.com Borosilikatglas Bindeschicht Scherwellen Schallgeschwindigkeit piezoelektrisch

结果  D5发现实际As–S–Se玻璃键合及900/930 m/s原表,未标极化;其他玻璃数值错误未擅改。

DE12  site:patents.google.com Siliziumoxynitrid Zwischenschicht Resonator Longitudinalwellen Scherwellen Schallgeschwindigkeit

结果  模式反射器原文只含SiO2/SiN而无SiON,纵波回退为空,未补SiON低体波。

DE13  site:patents.google.com fluoriertes Siliziumdioxid akustischer Reflektor Schallgeschwindigkeit piezoelektrische Schicht

结果  F硅氧沉积反射层查询为后期或非F材料,两次定向回退为空,未新增物性桥。

DE14  site:patents.google.com Glaslot Glasschicht piezoelektrisch Scherwellengeschwindigkeit Verbindungsschicht

结果  玻璃耦合候选依赖高温黏流,3500 m/s属于背衬玻璃成分,不是固态键合膜剪切值。

DE15  site:patents.google.com SiOC akustischer Reflektor Elastizitätsmodul Dichte Schallgeschwindigkeit

结果  SiOC反射器密度与模量未找到配套数值,只回到既有低阻抗来源;未据此计算声速。

DE16  site:patents.google.com Bor dotiertes Siliziumdioxid Zwischenschicht piezoelektrisch Schallgeschwindigkeit Volumenwellen

结果  有希望的早期导波原文实际是TeO2/SiO2且无硼,未补B添加硅氧下层关系。

DE17  site:patents.google.com ("fluordotiert" OR "fluoriertes Siliziumdioxid" OR "SiOF") ("Schubmodul" OR "Transversalwellengeschwindigkeit" OR "Scherwellengeschwindigkeit") Schicht -Glasfaser -Lichtwellenleiter

结果  排除光纤后的F硅氧剪切或模量查询为空或光伏噪声,未获沉积膜自身数据。

DE18  site:patents.google.com Glas Verbindungsschicht piezoelektrisch Saphir Diamant Love Scherwellen

结果  玻璃键合至蓝宝石或金刚石的查询未得同配方材料剪切、SH及支持侧联合证据。

DE19  site:patents.google.com ("Siliziumoxynitrid" OR "Siliciumoxynitrid" OR "SiON") ("Longitudinalwellengeschwindigkeit" OR "Kompressionswellen") Dünnschicht Resonator Aluminiumnitrid

结果  SiON纵波与压缩波薄膜查询未得数值或合适压电纵波不等式,未新增来源。

DE20  site:patents.google.com (Borosilikatglas OR Borphosphorsilikatglas OR BSG OR BPSG) akustischer Bragg Reflektor Viertelwellenlänge

结果  BPSG只在存储器平坦化背景出现,实际声学镜是SiO2/SiN,不能改为保留BSG反射层。

DE21  site:patents.google.com ("SiF4" OR "TEOS") "fluor" "Schallgeschwindigkeit"

结果  SiF4或TEOS制程关联F硅氧声速的两条查询均为空,未补工艺与物性链。

DE22  site:patents.google.com Siliziumoxynitrid akustischer Spiegel Resonator untere Elektrode Viertelwellenlänge

结果  SiON连续下电极层与四分之一波长查询只得通用镜层或光学器件,未补同膜速度。

DE23  site:patents.google.com (SiOC OR "kohlenstoffdotiertes Siliciumdioxid" OR "kohlenstoffdotiertes Siliziumdioxid") (Kalibrierung OR Referenzschicht) (Schallgeschwindigkeit OR Elastizitätsmodul)

结果  SiOC校准或参考层的同配方密度、弹性和体波转换未获来源,不能借无关校准数值。

DE24  site:patents.google.com ("fluordotiert" OR "fluoriertes Siliziumdioxid" OR "SiOF") ("Lithiumniobat" OR "Lithiumtantalat") ("Zwischenschicht" OR "Wellenleiter" OR "gebondet")

结果  埋置F硅氧与LN/LT最接近命中均为2018年以后,早期为普通SiO2,未新增合格证据。

DE25  site:patents.google.com ("Borosilikat" OR "bordotiertes Siliziumdioxid" OR "Borosilicatglas") (Sputtern OR "Sol-Gel") ("Schubmodul" OR "Scherwellengeschwindigkeit" OR "Schallgeschwindigkeit")

结果  硼硅薄膜溅射或溶胶凝胶与剪切物性联合查询无结果,未得可核查原件。

DE26  site:patents.google.com (Tantaloxid OR TaOx) (Sauerstoffgehalt OR unterstöchiometrisch) (Transversalwellen OR Schallgeschwindigkeit OR Schermodul) Schicht

结果  TaOx缺氧组成命中仅有光电性质或后期存储器应用,未关联对应体波与层位。

DE27  site:patents.google.com (HMDSO OR Hexamethyldisiloxan) (akustisch OR Schallgeschwindigkeit) (Plasma OR Beschichtung)

结果  HMDSO薄膜消除聚合物粘滑吱声,低剪切强度不是低声速,且无压电支持侧结构。

DE28  site:patents.google.com ("Spin-on" OR "SOG") ("Bor" OR "Borosilikatglas") ("Schallgeschwindigkeit" OR "Scherwellen" OR "akustischer Wellenleiter")

结果  B掺旋涂玻璃与声导或剪切速度联合查询无结果,未新增保留声学层。

DE29  site:patents.google.com (SiON OR Siliziumoxynitrid) Schallgeschwindigkeit Temperaturkoeffizient

结果  SiON速度温度系数查询未得到绝对体波及压电比较;不以温度斜率升级关系。

DE30  site:patents.google.com (SiOC OR SiCOH) (Porosität OR porös) (Entkopplungsschicht OR Schallwellenleiter) Schallgeschwindigkeit

结果  多孔SiOC解耦及声导查询为晚期声学或早期电学低k,未获孔隙控制的同膜体波。

DE31  site:patents.google.com SiOF (nanoporös OR Nanoporen) (piezoelektrisch OR "akustischer Reflektor")

结果  纳米多孔声学镜原件举SiLK、BCB和泛硅酸盐,无SiOF;孔隙及低阻抗不能替代F组成。

DE32  site:patents.google.com (fluordotiertes OR bordotiertes) Siliciumdioxid Gewichtsprozent akustische Schicht -Glasfaser -Lichtwellenleiter

结果  排除光纤后的F/B硅氧质量比例查询仍为光学包层或无关复材,未补声学下层配方。

DE33  site:patents.google.com (Borsäure OR Trimethylborat OR Triethylborat) (Vernetzung OR Verdichtung) (Schallgeschwindigkeit OR Schubmodul OR Transversalwellen) Siliziumdioxid

结果  硼酸或硼酸酯前驱体交联致密化未得同膜剪切或体波;精确术语调整为空。

DE34  site:patents.google.com (SiOC OR Siliziumoxycarbid OR Siliciumoxycarbid) Pyrolyse (Ultraschall OR Schallgeschwindigkeit OR Brillouin)

结果  SiOC热解骨架出现在非声学玻璃、颜料或掩模;可能物性表未取得原文,不算速度证据。

DE35  site:patents.google.com (SiON OR Siliziumoxynitrid OR Siliciumoxynitrid) (Gleitschicht OR Grenzflächengleiten OR nachgiebige OR Entkopplungsschicht) piezoelektrisch

结果  SiON界面滑移或柔顺解耦查询为上覆保护和后期分层,未得自身低体波及目标位置。

DE36  site:patents.google.com (SiOF OR "fluordotiertes Siliziumdioxid" OR Fluorsilikatglas) (Bruchzähigkeit OR Nanoindentation OR Brillouin) Schicht

结果  F硅氧力学测试候选只有电互连强度片段且原文未得,不能把硬度或断裂性能转成体波。

DE37  site:patents.google.com (Borosilikat OR Borsäure) ("Sol-Gel" OR Sprühbeschichtung) (Anpassungsschicht OR Longitudinalwellen)

结果  B硅氧喷涂或溶胶凝胶匹配层结果为光学膜、玻璃基板及纤维硅胶复材,未补同膜纵波。

DE38  site:patents.google.com (SiON OR Siliziumoxynitrid) (Schrägbedampfung OR säulenförmig) (akustische Anisotropie OR Scherwellen)

结果  SiON斜向沉积或柱状形貌查询为磁性各向异性及晚期声学层,未得对应低体波。

DE39  site:patents.google.com (Tantaloxid OR Tantalpentoxid OR TaOx) Anpassungsschicht (Longitudinalwellen OR Dickenresonanz)

结果  TaOx匹配层纵波或厚度共振未得配方实测,光学、质量加载及钝化不等同;近似原文访问失败。

DE40  site:patents.google.com (Borimplantation OR Ionenstrahlmischen) Siliziumdioxid (Dispersion OR Scherwellengeschwindigkeit OR Schallgeschwindigkeit)

结果  B离子束混合或植入命中为半导体超声加工、硅或SiGe宿主,不是B添加SiO2膜的体波。

韩文 40轮

KO01  site:patents.google.com "불소" "산화규소" "탄성파"

结果  F硅氧弹性波查询主要是现代器件或无关化学,日期词未可靠过滤,未新增合格低膜。

KO02  site:patents.google.com "탄소" "도핑" "실리카" "음향"

结果  碳掺硅氧声学查询未得早期膜;后来晶体管SiOC化学不能倒填声学器件。

KO03  site:patents.google.com "탄소 도핑 산화물" "공진기"

结果  原文CDO仍未说明硅氧宿主,未把泛碳掺杂氧化物升级为目标C添加SiO2。

KO04  site:patents.google.com "불소" "실리카" "음속"

结果  F硅氧声速及导引查询为食品、光学、半导体或晚期声学结果,未获合格体波。

KO05  site:patents.google.com "붕소" "산화규소" "전단"

结果  BPSG抛光和掺硼硅沉积是错角色或错宿主,工艺流速非声速,未补B膜体波。

KO06  site:patents.google.com "산질화규소" "횡파" "압전"

结果  核SiON第一层选项原PDF但无其低于压电体波的证明;与ZH07为同一候选核验。

KO07  site:patents.google.com "탄소 도핑" "음속" "산화물"

结果  碳掺氧化物声速三条查询无合格声学关系,初始结果为无关发电资料。

KO08  site:patents.google.com "유리" "중간층" "전단파" "압전"

结果  玻璃中间层与剪切查询的相关命中均后公开,未补支持侧键合和对应体波。

KO09  site:patents.google.com/patent 불소 첨가 산화규소 압전 기판 사이 음향 도파층 벌크파 음속

结果  D10新增多孔SiOF/SiOC连续保留反射层及原PDF;约1/20是阻抗比而非速度比。

KO10  site:patents.google.com 압전 붕규산 유리 접합층 실리콘 사파이어 음향

结果  玻璃键合旧线索未补属性;旁及真实SiO1.8N0.2盖膜制程,但仍无SiON低体波关系。

KO11  site:patents.google.com "산화질화규소" "보호막" "탄성표면파" 속도 분산

结果  核SiON保护膜同族与确切配方,器件相速度或薄覆层效应不是材料体波,原PDF未得。

KO12  site:patents.google.com "SiOC" "다공성" "음속" 반사층

结果  取得既有SiOC支持层法文原PDF;2.9、2.5和2为介电常数,不是密度或声速。

KO13  site:patents.google.com 붕소 "이온 주입" "산화규소" "음속" 공진기

结果  B植入SiO2绝对速度查询只得后期清单或无关工艺,未增强D14的体波比较。

KO14  site:patents.google.com 산화 탄탈륨 음향 반사기 압전 기판 유전체 층

结果  支持侧Ta氧化物查询为后期镜层、Ta金属电极或电容制造,未新增固体背衬证据。

KO15  site:patents.google.com 불소 도핑 실리카 음향 반사층 주성분 벌크 탄성파

结果  SiOF连续反射层主成分查询只回到D10选项,含量查询为空,未得数值配方。

KO16  site:patents.google.com/patent "산질화규소" "압전" "횡파" "기판"

结果  SiON保留下层与剪切比较查询未得合格早期候选,既有上覆或第二层不能移用。

KO17  site:patents.google.com "붕소" "스핀 온 글라스" "압전" 접합

结果  B掺SOG永久键合未形成目标有源区和体波链;较早线索原文访问失败,未计为证据。

KO18  site:patents.google.com "메틸실란" "공진기" (탄성률 OR 밀도 OR 탄소)

结果  甲基硅烷前驱体及谐振器定量属性查询主要为光学或晚期,声学回退为空。

KO19  site:patents.google.com "SiOF" "압전" ("불소 농도" OR "불소 함량" OR "원자%")

结果  SiOF中F浓度、含量或原子分数两条查询均无结果,未补定量声学配方。

KO20  site:patents.google.com "압전" "산질화" ("경사" OR "구배" OR "질소 함량") ("하부" OR "중간층" OR "탄성률")

结果  SiON氧氮渐变、下层与模量两条联合查询无结果,未新增保留低膜。

KO21  site:patents.google.com ("붕규산" OR "붕소 도핑 실리카") "다공성" ("음향" OR "정합층") ("밀도" OR "음속")

结果  多孔B硅氧的密度、声速和匹配层联合查询未得候选,未建立同配方体波。

KO22  site:patents.google.com "SiOC" "음향" ("탄소 함량" OR "원자비" OR "조성식" OR "Si-O-C")

结果  SiOC声学碳含量或原子比两条查询均为空,未得到具体网络配方。

KO23  site:patents.google.com ("산질화규소" OR "SiON") "스퍼터링" ("산소" OR "질소") ("음속" OR "음향 속도")

结果  反应溅射SiON与O/N过程、声速联合查询无结果,未补工艺对应物性。

KO24  site:patents.google.com "불소" "실리카" ("음향 정합" OR "음속") ("겔" OR "결합")

结果  F硅氧凝胶或键合声匹配命中无关或晚期,Si–F网络定向回退为空。

KO25  site:patents.google.com ("SiOC" OR "탄소 도핑 산화규소") 박막 ("펄스 에코" OR "초음파 비행시간" OR "종파 속도" OR "전단파 속도")

结果  SiOC薄膜脉冲回波、超声传时和纵横声速联合查询无结果,未获取材料数值。

KO26  site:patents.google.com (붕규산 OR BSG) 압전 (응력 OR 디커플링 OR 음향격리)

结果  BSG声学隔离及应力解耦查询为后期、封装或非声学结果,未补沉积膜属性。

KO27  site:patents.google.com ("SiON" OR "산질화규소") "압전" ("친수성" OR "직접 접합")

结果  SiON亲水或直接键合查询只得后期或错层位,未新增第一低层及适当体波证据。

KO28  site:patents.google.com ("졸겔" OR "졸-겔") "실리카" "탄소" ("반사층" OR "압전")

结果  碳硅氧溶胶凝胶与反射或压电查询仅得非声学用途,未获得固体支持侧实作。

KO29  site:patents.google.com "SiOF" ("탄성 상수" OR "음향 속도" OR "음속")

结果  SiOF弹性常数或速度仅命中2019年公开,日期独立核验后排除,未补早期表格。

KO30  site:patents.google.com ("산화탄탈륨" OR "Ta2O5") ("원자층 증착" OR "ALD") ("음향" OR "횡파")

结果  Ta2O5原子层沉积与声学、横波联合查询无结果,未找到同配方属性。

KO31  site:patents.google.com (붕규산 OR "붕소 실리카" OR BSG) ("러브파" OR "러브 파" OR "Love" OR "수평 전단파")

结果  硼硅或B硅氧Love/SH导层查询无结果,未新增保留导膜或材料比较。

KO32  site:patents.google.com ("실리카" OR "산화규소") "질화" ("압전" OR "탄성파") "접합"

结果  硅氧氮化、压电键合及弹性波联合查询无结果,未将一般阻隔膜计为声学低膜。

KO33  site:patents.google.com "SiOC" ("메틸" OR "가교" OR "Si-C") ("음향 격리" OR "음향 반사" OR "디커플링")

结果  SiOC甲基、Si–C交联与声学反射或解耦两条查询均为空,未补保留网络配方。

KO34  site:patents.google.com (BSG OR "붕규산") 박막 ("두께 진동" OR "두께 공진" OR "음향 탄성률")

结果  BSG厚度振动或共振模量查询为空,放宽后为半导体阻隔及晚期谐振器,未增体波证据。

KO35  site:patents.google.com ("플루오로실리케이트" OR "불소화 규산염" OR "SiOF") "압전" ("전사" OR "컨포멀" OR "접합층")

结果  SiOF转移或共形键合查询为空,术语调整的早期配方是电学层间介质,非声学叠层。

KO36  site:patents.google.com ("SiON" OR "산질화규소") "수소" ("음향" OR "압전")

结果  含氢SiON结果为阻隔、OLED或半导体保护,未关联声学保留层及同配方体波。

KO37  site:patents.google.com ("TaOx" OR "산화탄탈륨") ("산소 결핍" OR "어닐링") ("음향" OR "압전")

结果  缺氧或退火TaOx声学缓冲查询未得合格属性链,氧化态、应力及质量加载不代替材料速度。

KO38  site:patents.google.com ("SiCOH" OR "유기실리케이트") "포로겐" ("음향" OR "동적 탄성률")

结果  去造孔剂SiCOH仅有低k工艺、UV固化和表面修复,未得保留碳骨架的GHz动态模量或体波。

KO39  site:patents.google.com ("텔루라이트" OR "칼코게나이드") 유리 ("전단파" OR "러브파" OR "음향 도파")

结果  碲酸盐或硫系玻璃SH导引查询未得保留膜;唯一数字线索为吸收体表且原文未取得。

KO40  site:patents.google.com ("SiOF" OR "불소 도핑 실리카" OR "불소화 실리카") ("에코" OR "음향 공동" OR "왕복 시간")

结果  SiOF或F硅氧与回波、声腔或往返传时联合查询无结果,未得同配方薄膜体波桥。

日文 40轮

JA01  site:patents.google.com "ホウ素" "酸化ケイ素" "弾性波"

结果  确认玻璃键合中间层及玻璃低于LN的一般描述,但模式与目标高支撑关系未定;未闭合B添加分支。

JA02  site:patents.google.com "酸窒化シリコン" "音響結合"

结果  SiON耦合层明确文本晚于截止,较早通用耦合引证不能倒填该材料组成。

JA03  site:patents.google.com "ホウ素添加" "接合" "圧電"

结果  BPSG声学线索原件未得,其他硼层或缩写错配,未确认保留B硅氧低膜。

JA04  site:patents.google.com "JP2007181185A" "BPSG"

结果  回读BPSG原文确认它被HF去除而属牺牲层,同族核验一致,不作为工作低膜。

JA05  site:patents.google.com "WO2010116995A1" "酸窒化"

结果  核2010年WO第一SiON介质备选,比盖膜相关但无第一SiON实作及压电体波不等式。

JA06  site:patents.google.com "フッ素添加" "横波"

结果  低速干凝胶的F仅在有机表面处理,氟树脂与硅氧填料也不能冒充F添加SiO2。

JA07  site:patents.google.com "ホウ素" "酸化シリコン" "音速"

结果  D14日文旧源再核仍是B植入膜温度系数,未得到所需绝对体波速度。

JA08  site:patents.google.com "SiOC" "音速" "圧電"

结果  D11在声学原文直接定义SiOC为C添加硅氧、SiOF为F添加硅氧;尚无对应速度。

JA09  site:patents.google.com/patent/JP2010087578A "低誘電率体" "19" "酸化シリコン"

结果  D11进一步确认保留体19的周边悬伸位置及同族,非连续导层;PDF和可靠段页仍缺。

JA10  site:patents.google.com "ホウ珪酸ガラス" "圧電" "反射"

结果  BPSG在谐振区被去除、仅周边保留,未提供连续有源区低膜及体波关系。

JA11  site:patents.google.com/patent/WO2007138840A1 酸化タンタル 横波 音速 ニオブ酸リチウム 1580

结果  D8取得更早日文WO原PDF,确认Ta2O5横波1580及试作;同篇无LN横波比较和主成分比例。

JA12  site:patents.google.com フッ素 添加 酸化珪素 薄膜 横波 音速 濃度

结果  早期F取代硅氧涂层只属上覆选项,实际样品不是F配方;2019年剪切表不能倒填。

JA13  site:patents.google.com "炭素" "酸化シリコン" "縦波" "音速"

结果  C硅氧纵横声速查询主要为晚期直接关系或旧有元素共现,未得合格自身数值。

JA14  site:patents.google.com 圧電 薄板 ガラス 接合 横波 音速 遅い

结果  薄压电体玻璃键合及横波查询未补联合关系;新触屏线索原文未得,不能靠片段确认。

JA15  site:patents.google.com/patent "酸窒化シリコン" "横波" "第1の誘電体"

结果  原件是SiO2向SiN渐变的上覆层、内部可有SiON;未证实际第一SiON低于压电体波。

JA16  site:patents.google.com/patent/ ("フッ素添加" OR "フッ素を添加した" OR "フッ素ドープ") ("酸化シリコン" OR "シリカ") ("バルク波" OR "横波音速" OR "縦波音速") 圧電 -光ファイバ -光ファイバー -JP2019068309

结果  F硅氧体波与支持侧配方精确式为空,宽式仅得后期低膜,未新增合格来源。

JA17  site:patents.google.com 低融点 カルコゲナイド ガラス 接合 超音波 横波 音速

结果  新硫系玻璃1432 m/s属于另一组成的体延迟介质,不能修补D5键合玻璃未定波型。

JA18  site:patents.google.com "Grahn" ("窒化酸化シリコン" OR "酸窒化シリコン" OR "窒化酸化ケイ素") ("音速" OR "弾性" OR "ピコ秒")

结果  Grahn相关早期专利仅引用测量方法,不含SiON组成速度表;不计为新材料属性发现。

JA19  site:patents.google.com ホウケイ酸 圧電 接合 弾性率

结果  硼硅粘接仅为选项,实作是石英玻璃;另一文献低模量属于金属板,不能转给玻璃胶。

JA20  site:patents.google.com "音響整合層" ("炭素添加" OR "SiOC" OR "SiOC") ("音速" OR "密度")

结果  找到有机硅凝胶声匹配线索,但该轮未核最终碳骨架及数值声速;不与不同家族混并。

JA21  site:patents.google.com "酸窒化シリコン" "窒素" ("弾性率" OR "ヤング率") 膜

结果  低氮SiON候选为OLED阻隔或未配齐密度、泊松比,不能由杨氏模量直接给出低体波。

JA22  site:patents.google.com フッ素 シリカ ("ラブ波" OR "Love波" OR "SH波") ("導波" OR "横波" OR "弾性定数")

结果  F硅氧Love/SH导引与弹性三条查询均为空,未得保留导膜及同配方数据。

JA23  site:patents.google.com (ホウ素 OR 硼素 OR ホウケイ酸) (シリカ OR 酸化シリコン) ("ラブ波" OR "Love波" OR "SH波") (薄膜 OR 導波)

结果  B硅氧Love/SH结果为组成、层位错配或后期,专门导层回退为空。

JA24  site:patents.google.com ("酸窒化シリコン" OR "酸窒化珪素" OR "SiON") "主成分" ("圧電体" OR "圧電基板") ("よりも遅い" OR "より遅い" OR "低い音速")

结果  SiON主成分及低于压电的精确式和两次回退均无结果,未得可核验原文。

JA25  site:patents.google.com ("酸化タンタル" OR "Ta2O5") ("非晶質" OR "結晶化" OR "酸素欠損") ("横波" OR "音速" OR "剪断弾性率")

结果  TaOx非晶、晶化或缺氧与横波联合未得同膜配方及数值,精确式为空。

JA26  site:patents.google.com フッ素 (SiF4 OR CF4) スパッタ (音速 OR 弾性波) -JP2019068309 -光ファイバ -光ファイバー

结果  F气体溅射与弹性波命中是后期涂层、光纤或蚀刻化学,未新增保留F硅氧物性。

JA27  site:patents.google.com メチル シリカ 圧電 (音響分離 OR 音響絶縁 OR 低音速)

结果  甲基硅氧解耦结果主要为表面疏水或硅橡胶,潜在早期反射器原文未得,未证骨架碳。

JA28  site:patents.google.com 窒素 イオン注入 酸化シリコン 弾性波 音速

结果  N植入硅氧声学查询为后期、错宿主或一般保护膜,未建立剂量与SiON体波关系。

JA29  site:patents.google.com ホウ素 酸化シリコン (ニオブ酸リチウム OR タンタル酸リチウム) (直接接合 OR 貼り合わせ) (注入 OR 拡散)

结果  B硅氧与LN/LT直接键合查询早期仅普通硅氧,植入硼的保留膜及声学属性未证。

JA30  site:patents.google.com フッ素 炭素 シリカ 膜 (音速 OR 音響速度)

结果  1315 m/s属于甲基苯基硅胶片,氟丙基和硅氧填料是可选项,不是F/C共掺硅氧实测。

JA31  site:patents.google.com "酸化タンタル" "密度" ("弾性定数" OR "超音波")

结果  早期TaOx膜有密度和残余应力而无弹性或体波,超声是清洗;较近物性表晚于截止。

JA32  site:patents.google.com (ホウケイ酸 OR フッ素添加) ガラス (陽極接合 OR 直接接合) (音速 OR 弾性波)

结果  F或B玻璃阳极、直接键合查询为普通玻璃SAW、非声学或后期,未增强同膜关系。

JA33  site:patents.google.com "酸化タンタル" (ゾルゲル OR 陽極酸化) (弾性波 OR 音速 OR 弾性率)

结果  TaOx溶胶凝胶或阳极氧化查询的早期压电线索仅索引,未核保留层位及体波属性。

JA34  site:patents.google.com 酸窒化シリコン 膜 応力 (動的弾性率 OR 剪断弾性率 OR 横波速度)

结果  应力调节富氧SiON的候选只见残余应力补偿,缺动态剪切及同膜体波且原件日期未完全核实。

JA35  site:patents.google.com (炭素添加 OR SiOC OR 炭素含有) (音響結合層 OR 音響結合器) 共振器

结果  早期层叠耦合器用BCB等有机材料,明确SiOCH耦合文本在2013年,未新增合格C硅氧关系。

JA36  site:patents.google.com (ホウ素 OR BSG OR ホウケイ酸) 薄膜 (カンチレバー OR 振動膜) (密度 OR ポアソン比)

结果  硼硅薄膜振动测量未配齐独立密度、泊松比或剪切模量;封装膜只有比重不足以算体波。

JA37  site:patents.google.com フッ素 シリカ (スピンコート OR 塗布) (硬化 OR 焼成) (音速 OR 弾性波)

结果  F硅氧旋涂固化只有电学配方或含氟前驱体,未证固化后F保留及材料体波传播。

JA38  site:patents.google.com 低融点 (ホウ酸 OR ホウケイ酸) ガラス スパッタ (横波 OR 音速)

结果  低熔点硼酸或硼硅溅射膜候选用于光学、封装或燃料电池,未附同配方剪切声速表。

JA39  site:patents.google.com シリカ (エチレン架橋 OR メチレン架橋 OR 架橋有機基) (音速 OR 音響 OR 弾性波)

结果  乙烯或亚甲基桥联有机硅氧命中为既有甲基凝胶、表面处理或后期材料,未获新骨架声速。

JA40  site:patents.google.com (酸窒化シリコン OR 酸窒化珪素) (相互拡散 OR 混合層) (音速 OR 厚み共振)

结果  氧化物与氮化物互扩散成SiON的保留混合层及厚度共振查询未获早期配方速度关系,不能用后期混合数据补齐。

 


权利要求2

根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,在所述压电膜进行传播的弹性波的能量的一部分分布在所述低声速膜以及所述高声速支撑基板中。


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B 权利要求2
六语专利无效检索报告

检索日期 2026年10月17日    截止公开日 2010年12月23日

1 检索结论

本次已完成中文、英文、日文、法文、德文和韩文各10轮,共60轮检索,每轮由一个独立子代理执行。逐轮记录保留检索式、结果、调整理由和Google Patents来源链接。日期条件按具体公开件核查,优先权早于截止日但公开较晚的文件仅用于追溯。

首位候选为D1 WO2010004741A1,2010年1月14日公开。 图11至13及同一实施例明确给出下金刚石层、0.1λ的下SiO2、LN压电体和IDT;位移图在两个指定下层中均有非零分布。它为权利要求2的单篇新颖性攻击提供较强基础,不能仅因其采用Lamb板波或另有上覆层而排除。

D1仍有需要明确论证的对应关系:其下金刚石称为媒质层,需判断是否构成目标高声速支撑基板;目标对低声速的比较对象须按实际模式核验;F的能量对应为本报告依据机械位移图作出的分析。报告据此将D1列为优先候选,不把尚需解释的对应关系写成已经确认的无效结论。

备选路线包括D9的低速导层厚度及双侧声能衰减教导,以及D2 CN101777622A与D3 JPH06326553A的组合。D4补充跨层振动机制,D5提供更早的下SiO2厚度范围。各路线的已公开事实、计算和剩余缺口见第4及第5部分。

方向

有贡献的证据

仍需解决的问题

优先单篇路线

D1 同例层序 厚度 位移

高速支撑的功能对应及声速定义

备选材料组合

D2 D3 D6 D7

组合启示与目标模式下的F

膜厚及跨层机制

D4 D5 D8 D9

具体层位 材料与λ定义

 

2 权利要求及检索边界

目标为2016年8月10日授权的CN103262410B,优先权日为2010年12月24日。已核对用户提供的权利要求2文档与授权PDF权利要求书第1页。权利要求2从属于权利要求1,应同时审查继承的A至E及新增F。

新增限定为“在所述压电膜进行传播的弹性波的能量的一部分分布在所述低声速膜以及所述高声速支撑基板中”。这里的“以及”要求两处均有分布。权利要求2没有规定最低能量占比,也没有引入其他从属项的压电膜厚度上限。

代号

技术特征

核对内容

A

高声速支撑基板

氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜或金刚石,或权利要求列明的以这些材料为主成分的材料及混合物。

B

下置低声速膜

位于高声速支撑基板上、压电膜下;材料为氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、掺氟或碳或硼的氧化硅等所列材料。

C

压电膜

位于低声速膜上,由LiTaO3或LiNbO3构成。

D

IDT电极

形成于压电膜的一面。该面可为上面或下面,不能额外限定为上表面。

E

低声速膜厚度

0.1λ至0.5λ,λ为IDT电极周期确定的弹性波波长;数值须属于压电膜下方的低声速膜。

F

两处能量分布

在压电膜传播的弹性波,其部分能量同时分布于低声速膜以及高声速支撑基板。

 

声速术语参照授权说明书0073至0081:高速侧的体波声速应高于器件实际使用的弹性波模式;低速侧的体波声速应低于压电体中的相应体波。比较用的纵波、SH或SV波须随使用模式及各向异性确定,不能只凭材料名或声阻抗大小代替这一核验。

本次按用户指定,采用公开日严格早于2010年12月24日的口径,包含2010年12月23日,排除同日及其后的公开。检索语言表示查询词语言,文献可以来自不同国家;翻译页、授权件及分案不自动作为独立技术来源。

授权说明书第9实施方式将高速膜和支撑合为高声速支撑基板,见段落0173及图25。权利要求2的F指向这一支撑;其他实施方式中“高声速膜”和其下另设的普通支撑基板必须分别辨认。

目标原文  CN103262410B 授权权利要求及说明书

3 检索方法及执行核验

每种语言的下一轮均读取上一轮结果,改变特征组合、同义词、波型、材料或引文路径。相同文献可能在不同组合下再次命中,但重复命中会标明,不作为新增来源。单轮内的修复或收窄查询计入该轮,不另加轮数。

Google Patents原生检索入口使用before=publication:20101224。原生结果页受到访问限制时,采用搜索引擎限定site:patents.google.com,随后访问Google Patents专利正文核验。搜索引擎的before条件并不等同专利公开日字段,故合格性最终以各公开件元数据和原文核查为准。

60轮记录属于实际执行的检索轮次,原生页面失败亦已记录;不把失败请求当作全库零命中,不报告无法核实的数据库命中总量。正文核验与主代理补充核验不增加轮次。数据库检索受索引、翻译及返回范围影响,轮数不代表穷尽全部同族或全部分页。

Google的普通before日期入口默认按申请日检索,复查时须改为公开日;复杂布尔式可在高级检索的Search Term框输入。附录复用链接已经统一指定publication字段。

检索语法依据  Google Patents官方检索帮助

语言

轮数

记录范围

独立子代理

中文

10

ZH01 至 ZH10

10

英文

10

EN01 至 EN10

10

日文

10

JA01 至 JA10

10

法文

10

FR01 至 FR10

10

德文

10

DE01 至 DE10

10

韩文

10

KO01 至 KO10

10

 

本报告将直接公开、同一文献中的备选方案、计算换算及本报告推断分别标注。新颖性采用单项对比;组合路线另审查技术启示、作用和相容性。

方法依据  国家知识产权局 专利审查指南 第二部分第三章及第四章

4 重点文献及技术特征对照

编号及公开件

公开日

主要贡献

D1
WO2010004741A1

2010-01-14

本次首位候选。A至E的材料层序及数值显著贴近,图13对F提供同一结构的直接图示和物理推导基础;可优先形成单篇新颖性攻击路线。

D2
CN101777622A

2010-07-14

材料与层序最贴近的起点,直接贡献A至C的材料结构。

D3
JPH06326553A

1994-11-25

对相同层位的SiO2和IDT以及E的0.1λ、0.5λ边界值有明确贡献,亦提供支持材料参与传播的间接线索。

D4
JP2007228225A

2007-09-06

本次F检索中值得优先采用的跨层振动机制辅助证据,并提供下置SiO2的结构选项。

D5
US4354130A

1982-10-12

直接提供高速氧化铝支撑与下SiO2的器件布局。由原公式换算d′/λ为约0.318至1.432,与E的0.318至0.5部分重叠;换算是本报告计算。

D6
JP2004343359A

2004-12-02

A至D结构路线的辅助证据;JP3774782B2为其同族。ZH02检出的CN1665131A属于另一直接接合技术来源,应另行保留。

D7
JP2002016468A

2002-01-18

玻璃低速膜路线,对A至D有结构贡献。

D8
WO2005093949A1

2005-10-06

对E及跨层能量分布的关联有贡献;JA02检出的JPWO2005093949A1与JP2010166592A按同一技术来源归并。

D9
DE102005055870A1

2007-05-24

补充E及双侧声能衰减的独立备选路线,具有A至C材料选项和下置层位。

 

下表是筛选矩阵。“直接选项”表示文献明确允许该材料或构造,仍须结合完整方案判断其共同适用性;“未证明”表示本次证据不足,不能推导为物理上绝无该现象。

证据

A

B

C

D

E

F

D1

材料及速度明确

下SiO2明确

LN及薄膜选项

同例明确

同例0.1λ

图13强支持

D2

材料直接

层序直接

直接

不足

未公开

未证明

D3

DLC身份欠证

SiO2选项直接

直接

直接

边界值贡献

间接线索

D4

直接选项

另有弛豫层

备选材料

直接

层位及λ不符

机制相关

D5

直接

直接

ZnO不符

直接

换算部分重叠

未证明

D6

直接选项

直接选项

直接

直接

未公开

未证明

D7

直接选项

玻璃层直接

直接

直接

未公开

未证明

D8

实例不符

SiO2直接

LN基板待辨

直接

直接数值

相关结构有图

D9

Al2O3选项

下SiO2明确

LT或LN薄板

换能器待核

0.15至0.5λ

双侧衰减文字

 

D1 WO2010004741A1

公开日 2010-01-14    板波素子と これを用いた電子機器

定位  段落0033至0045及0050至0053 图11至13 原始PDF第34及35页

图11自下而上为金刚石209、SiO2 261、LN206和LN上面的IDT207;上方另有SiO2 211及金刚石208。段落0051同例给出下SiO2厚0.1λ、LN厚0.4λ、金刚石厚2λ。图13实线对应含SiO2的2205,在下SiO2 261及下金刚石209区域均有非零位移。

贡献  本次首位候选。A至E的材料层序及数值显著贴近,图13对F提供同一结构的直接图示和物理推导基础;可优先形成单篇新颖性攻击路线。

缺口  需论证下金刚石209虽称媒质层,能否对应权利要求的高声速支撑基板;段落0042称这些层可作封装,支持其结构功能。低声速的比较对象须按目标说明书及A1主模核验。图13为位移而非能量占比,F的对应为本报告据图分析。Lamb板波属于弹性波,不能仅因模式名称而排除;额外上层也不当然排除开放式权利要求。

图示复核  以下为D1原始公开附图节选。图11是层序,图13实线2205是含0.1λ SiO2方案;虚线205是无该层的对照。

 

D1 图11 原始PDF第34页 下金刚石209与下SiO2 261

 

D1 图13 原始PDF第35页 含SiO2方案在261和209区域的位移

D2 CN101777622A

公开日 2010-07-14    LiNbO3 SiO2 金刚石多层压电膜及其制备方法

定位  权利要求1和2 具体实施方式实施例1和2 唯一附图

明确给出金刚石衬底、非晶SiO2缓冲层及LN薄膜的层序。SiO2厚度0.05至0.6 μm,两个实例分别为0.13 μm及0.3 μm,并说明调节SiO2厚度可改善温度稳定性。

贡献  材料与层序最贴近的起点,直接贡献A至C的材料结构。

缺口  未给实际IDT器件及其波长,也未给两处能量分布。因此不能自选波长把绝对厚度改写成E,也不能以相同材料直接断言F。高低声速关系仍应结合实际波型说明。

D3 JPH06326553A

公开日 1994-11-25    表面弾性波素子

定位  段落0175至0182及0224至0228 图15及图20

图20采用高速硼、非晶碳或石墨基板,经SiO2或SiN中间层与单晶LN薄板复合,并设梳齿电极。中间层不大于0.5λ,优选不大于0.1λ;图15的说明给出薄板厚度改变后复合传播特性发生变化。

贡献  对相同层位的SiO2和IDT以及E的0.1λ、0.5λ边界值有明确贡献,亦提供支持材料参与传播的间接线索。

缺口  非晶碳的上位概念不能自动等同于DLC。没有直接给出目标三层中的能量剖面。应审查声学比较及具体材料;不能把其他背景实施例的金刚石移入图20作单篇公开。

D4 JP2007228225A

公开日 2007-09-06    弾性表面波デバイス

定位  段落0020至0025 0034至0037 0044至0049 图1至3及图5至8 原PDF第5至10页

高速基体可自身作为金刚石或蓝宝石支撑,压电材料列有LN和LT。段落0034说明振动经声学弛豫层进入高速基体;图5至8给出深度位移变化。另允许把SiO2温补膜置于压电层下。

贡献  本次F检索中值得优先采用的跨层振动机制辅助证据,并提供下置SiO2的结构选项。

缺口  弛豫层仍与SiO2温补层有区别。图中具体体系为Al2O3弛豫层、ZnO和金刚石;段落0024的λ是弛豫层内波长,段落0045的图示λ为SAW波长。不能把该图的0.1至0.3λ改作SiO2及LN方案的E或F结论。

D5 US4354130A

公开日 1982-10-12    Surface acoustic wave device using a multi layer substrate

定位  说明书第3至4栏 图1 图4 图5 原PDF第6页

采用蓝宝石、SiO2、ZnO和IDT层状结构。图4以kd′=2πd′/λ定义氧化硅膜厚,并公开2≤kd′≤9的温度补偿区间。

贡献  直接提供高速氧化铝支撑与下SiO2的器件布局。由原公式换算d′/λ为约0.318至1.432,与E的0.318至0.5部分重叠;换算是本报告计算。

缺口  实际压电层为ZnO,不是C的LN或LT;背景提LN不等于该层状器件已用LN。未找到F双处能量分布的直接记载。更换压电材料后的速度、耦合和温补关系须重新论证。

D6 JP2004343359A

公开日 2004-12-02    Manufacturing method of surface acoustic wave device

定位  段落0058至0064及0068 图7 权利要求10至14

公开LT或LN、含SiO2选项的中间膜、蓝宝石等支撑及IDT的接合路线。中间膜用于连接压电体和支撑。

贡献  A至D结构路线的辅助证据;JP3774782B2为其同族。ZH02检出的CN1665131A属于另一直接接合技术来源,应另行保留。

缺口  倾向中间膜尽量薄。15 nm具体数值对应AlN,1 μm对应其他Si例,不能归给SiO2。缺E;较厚LT方案也不能仅凭机械接合推断F。

D7 JP2002016468A

公开日 2002-01-18    弾性表面波素子及びその製造方法

定位  段落0022至0025及0044 图6

Al2O3或AlN支撑与LT或LN压电体之间设置玻璃接合层,并有交错IDT。玻璃候选包括硼硅酸玻璃及石英玻璃。

贡献  玻璃低速膜路线,对A至D有结构贡献。

缺口  未给玻璃厚度与λ之比,也无F对应能量分布。[0048]的材料表述有不一致,应以各段实际限定分别引用,不能将电极尺寸当玻璃膜厚。

D8 WO2005093949A1

公开日 2005-10-06    Boundary acoustic wave device manufacturing method and boundary acoustic wave device

定位  段落0062至0068及0084至0091 图5 图6 图9

说明界面波能量跨媒质分布,并通过层厚控制其向相邻层的分布。实例2采用LN基板、IDT、SiO2和多晶Si,SiO2有0.1λ、0.3λ、0.5λ实例。

贡献  对E及跨层能量分布的关联有贡献;JA02检出的JPWO2005093949A1与JP2010166592A按同一技术来源归并。

缺口  具体高速侧为多晶Si,非A所列材料;LN为基板,器件界面和支撑角色与目标仍需逐项解释。材料总表中的蓝宝石等备选与实例不能无条件拼装。英文机译对几乎不分布的语句存在反转,引用应核日文原文。

D9 DE102005055870A1

公开日 2007-05-24    Elektroakustisches Bauelement

定位  段落0006至0016及0023 图1G 权利要求8至13 原PDF第2至3页

下置SiO2介电层优选厚0.15λ至0.5λ;支持可选Al2O3,压电单晶可选LT或LN。段落0012描述低速导层中的声能向垂直两侧衰减,0016将换能器金属结构直接置于压电体与介电层界面。

贡献  补充E及双侧声能衰减的独立备选路线,具有A至C材料选项和下置层位。

缺口  图1G具体用LT与Si,Al2O3为通用选项。λ按GBAW工作或中频定义,IDT梳状结构、周期对应、薄板与膜及所选支持声速仍需核验。两侧衰减文字不是目标Al2O3组合的能量剖面;不跨篇补作单篇公开。

5 新颖性与创造性论证路线

5 1 D1的优先单篇路线

D1的图11、段落0050及0051共同给出同一结构和数值,无须从实施形态1搬入材料。下金刚石209、SiO2 261、LN206及IDT207构成目标要求的主要层序;上SiO2 211及上金刚石208是额外构件。权利要求2采用开放式具备表述,没有限定只存在这些层,也没有限定弹性波必须为SAW。

特征

D1的对应依据

评价

A

金刚石209及高速条件 0033 0038 0051 图11

材料和声速有依据 支撑基板功能需解释

B

下SiO2 261 位于209与206之间 0050 0051

材料层位明确 目标低声速比较仍须核验

C

LN206 厚0.4λ 0035 0051

同例及薄膜备选有依据

D

IDT207形成于LN上面206A 0050

同例明确

E

下层261的H23为0.1λ 0051

直接落在目标区间边界

F

图13实线2205跨261及209均非零

图示机械位移支持能量分布 分析须明示

 

支撑角色方面,段落0042说明上下高速媒质层可作为封装,段落0041讨论传统悬空薄压电体的强度问题。下209厚2λ并在图11中承托其上的SiO2和LN;目标权利要求未限定支撑基板的最小厚度,说明书图25也允许高速媒质兼作支撑。因此可提出209承担高声速支撑作用的解释,但原文未直接将其命名为support substrate,应明确这一术语对应。

声速方面,D1明确其高速层横波速度高于板波速度,但将SiO2称为低音速层时主要比较于高速层。目标低声速膜的定义比较于压电体中的相应体波;应按D1的A1主模及材料常数核验,避免直接套用目标LT的SH例数据。图13从位移到能量的判断也须在同一模式、同一材料体系中说明。

因此,D1应先完成上述术语和声学对应后,再决定是否提出单篇新颖性理由。若存在未被直接公开的区别,另作创造性分析;不得用D2或其他材料事后拼入D1而仍称单篇公开。

5 2 D9的备选导波路线

D9把下置SiO2的优选膜厚设为0.15λ至0.5λ,并给出双侧声能衰减。应先核实换能器的梳状结构、周期与λ的对应及Al2O3选项的声学条件。其引文DE10325281A1可作组合启示背景,不能替代D9未直接公开的内容后仍主张单篇新颖性。

D9的后续引证DE102006019961A1进一步关联电极周期、约0.4λ的SiO2与两侧波导核,适合评估组合教导;该篇具体支持是Si或玻璃,其压电体也较厚。应用于目标Al2O3支持和压电膜的理由及F仍须论证,不能把不同文献中的最佳参数合并视作直接公开。

5 3 D2与D3及D4的备选组合

D2提供金刚石、SiO2、LN材料层序;D3为类似复合SAW结构提供IDT及0.1λ和0.5λ中间膜边界。二者对温度及传播特性的调节存在关联,可评估组合技术启示。D4说明中间层可使振动进入高速基体,对F有辅助价值。

组合仍需说明从非晶碳等支撑转为金刚石、选取目标膜厚及产生两处能量分布的理由。D4的阻抗递增弛豫层和目标低速约束层机制有差异,不能只凭同为中间层认定相容。

5 4 D2与D5的材料替换路线

D5已有蓝宝石、下SiO2、ZnO及IDT,SiO2厚度换算后与E部分重叠;D2讨论LN的较高耦合及SiO2温补,可用于评估压电材料替换的动机。仍应核实替换后的晶向、声速、温补和模态能量,不沿用ZnO条件下的曲线作为LN的既定结果。D8提供膜厚与跨媒质能量相互作用的辅助教导。

5 5 F的证据强度及补强方式

D1图13的横轴以LN中心为零并按λ归一化,左侧为下方。根据图示层界,下SiO2 261约在负0.3至负0.2区间,下金刚石209在负0.3以外;实线2205在两区域均非零。这是同一结构的机械位移证据,可支持两处存在模态机械能的判断;不由图中峰值推算能量占比。

上述推导基于周期性传播模态:非零位移振幅对应非零振动速度,因而材料中存在振动动能。图13据此支持两区域中各有部分机械能;这属于本报告的物理分析,原文没有给出分层能量百分比。

若需进一步补强,可按D1原例的晶向、厚度及电极条件复核模态能量,并分别核算两区域。计算用于检验已公开结构的性质,不填补未公开的构造。F没有最低能量比例限定,不能另加主要能量必须进入支撑的要求。本次已查看原始图示,未另作数值模拟。

6 排除规则及其他有用线索

公开件及日期

有贡献的内容及缺口

US20100187947A1
2010-07-29

图1及权利要求1、2、4有LN、SiO2及SiN和0.2至0.7λ条件,并讨论SiN中位移衰减;压电薄膜、下置低速层及机械支撑角色仍需区分。

WO2007085237A1
2007-08-02

图2、权利要求11至12给晶圆键合、SiOx中间层0.2至2λ及0.25λ实例;支持为Si,压电体较厚,未补A及F。

US6025636A
2000-02-15

图2及图74有金刚石承托接合并抛薄的单晶LN和IDT,有助支撑与薄膜术语;缺下SiO2,kh1为LN厚度,不能对应E。

FR2788176A1
2000-07-07

薄LN或LT经SiO2分子接合层与支撑结合,支撑含蓝宝石选项;SiO2仅数百埃,E及F不足。与EP1060562、DE69923667同源;原A方案不应受后来B的强制挖空限制代替。

DE19949739C1
2001-08-23

图1至2及说明书讨论Love波能量在导波涂层和近表面基板区域分布;Parylene覆层位置及材料不同,仅作跨层分布机理辅助。

JPH0595249A
1993-04-16

段落0006至0008及图1给出高速材料夹持压电膜和振动强度分布,材料含DLC、金刚石和LN或LT选项;缺独立下低速膜及E。

EP2128980A2
2009-12-02

LN基板、IDT、SiO2及AlN封覆,SiNx或AlOx可替代;覆层厚比0.475至0.775λ与E部分数值相交,但位置及支撑角色不同。0.325λ属于隔离区,不可换作目标膜厚;F未核得。

US5838089A
1998-11-17

图1及图4至6、权利要求22等给金刚石/下置SiO2/压电层,LN/LT列作候选,具体例用ZnO;图6有膜上IDT。SiO2厚度是绝对数值,未与该例λ绑定,E/F不足;金刚石层与Si底材的支撑角色应另辨。

US20020104691A1
2002-08-08

表II及段落0058至0063的三层玻璃/聚苯乙烯触屏,计算声能分配83%/6%/11%,明确中间层与较快底板均有能量及倏逝尾场。缺目标A至E,仅作双下层分布机理的类比,不能代替目标结构F。

DE10325281A1
2004-12-23

图1至3及说明书有周期交指电极、GBAW导波与支持内位移衰减,系D9引用背景。0.1λ至1λ针对压电层,不能转作SiO2厚度;具体材料和层栈仍有差距。

DE102006019961A1
2007-10-31

段落0004、0024至0025、0039及0047:SiO2约0.4λ₀,异极相邻电极距λ₀/2,导波核含两侧基板邻界面区域;补充D/E及F线索。支持为Si或玻璃,缺A;LT优选厚至少10λ₀,薄膜对应仍须解释。

DE102007012383A1
2008-09-18

段落0014至0016及0027至0028明确部分能量进入相邻介质,并条件性讨论Al2O3支撑中的能量;实际为支持/压电/TeO2/SiO2,低速层位置与材料不同,不能改作目标B/E。

 

其他来源原文  US20100187947A1  WO2007085237A1  US6025636A  FR2788176A1  DE19949739C1  JPH0595249A  EP2128980A2  US5838089A  US20020104691A1  DE10325281A1  DE102006019961A1  DE102007012383A1

以下常见命中保留为背景或追溯来源:压电基板上方的SiO2覆盖膜不对应B;反射镜高低声阻抗不直接等于高低声速;单纯向体内辐射的漏波不当然证明目标结构中的F;优先权早但公开晚的授权件应追溯到实际早公开件。

DE19949739C1公开Love波在导波涂层和压电基板中的能量分布,但覆层材料和层位不同。EP1060562B1与DE69923667T2为分子接合薄压电层路线的同源文件,不能重复累计;其纳米级接合层和能量限制在压电层的教导尚不足以补齐E及F。CN1665131A与JP2005252550A是另一直接接合族,应与D6分开。

授权PDF首页列出的US20080211602A1、CN101145767A、JP2005354650A、JP2003017967A及JP2007228120A是应复查的既有引文。仅因其出现在引用表中,不能据此认为已完整公开权利要求2;例如上置SiO2、归一化的压电膜厚度、反射器参数和目标下置膜厚度须分别辨认。

逐轮记录列示候选审阅、日期筛选及重复命中的摘要,完整排除项和检索响应保存在同目录轮次记录中。后公开文件只承担引文追溯作用,其后加入的内容不回溯为早公开事实。

 

7 六语60轮检索记录

本部分按执行记录列出原式、补检式、核验件和调整依据。复用查询链接按各轮技术词重建,移除式中的日期写法,统一使用Google Patents专利公开日过滤字段;执行时的原始链接保存在轮次JSON中。原生入口受限时的域名检索方式见第3部分。合格日期不代表已完整满足权利要求。

中文检索 10轮

ZH01 中文第1轮

执行子代理 /root/zh01    首轮建立基线

检索式 弹性波 压电膜 低声速 能量

同轮补检式 site:patents.google.com/patent 弹性表面波 二氧化硅 金刚石 铌酸锂 能量 before:2010-12-24

同轮补检式 site:patents.google.com 弹性波 压电膜 低声速 能量 分布 基板

核验 JP2004282232A 2004-10-07 日期符合; CN1391725A 2003-01-15 日期符合

结果摘要 原生结果页未成功,无原生总量。主检索主要返回目标专利及后公开文献,精确的‘低声速/能量分布’词组有明显后文献偏向;材料修复检索返回CN1391725A及HK1207483B等。核验得到2004年早期高速膜/压电膜/IDT技术来源,但未得到A-F全项直接公开文献。

本轮调整 第1轮无上一轮。针对F先采用‘低声速+能量’,后因结果主要为目标及后续文献改用材料+波型术语;修复仍受现代文献干扰。

查询及记录 复用Google Patents查询    ZH01.json    ZH01_raw.txt

ZH02 中文第2轮

执行子代理 /root/zh02    承接ZH01

检索式 site:patents.google.com 声表面波 位移分布 复合基片 蓝宝石 钽酸锂 before:2010-12-24

同轮补检式 site:patents.google.com 声表面波 蓝宝石 钽酸锂 玻璃 接合 2002

核验 CN1665131A 2005-09-07 日期符合; JP2002016468A 2002-01-18 日期符合

结果摘要 原生结果页未成功,无命中总量。位移/复合基片主式主要返回后公开文献;修复式检得2005年CN1665131A这一新技术来源,含蓝宝石/LT/梳状电极但仅纳米级非晶接合区。回核2002年JP2002016468A有Al2O3或AlN支撑/玻璃/LN或LT/IDT布局;

本轮调整 依据ZH01反馈,改由位移分布/复合基片及蓝宝石-LT接合材料切入,避开低声速/能量现代精确措辞。主式仍后文献偏向,修复删除位移分布并加入玻璃接合及年代线索。

查询及记录 复用Google Patents查询    ZH02.json    ZH02_raw.txt

ZH03 中文第3轮

执行子代理 /root/zh03    承接ZH02

检索式 site:patents.google.com 拉夫波 剪切水平波 导波 二氧化硅 铌酸锂 金刚石 before:2010-12-24

同轮补检式 site:patents.google.com 金刚石 二氧化硅 铌酸锂 波长 厚度 1994 2008

核验 JPH06326553A 1994-11-25 日期符合; CN104641555A 2015-05-20 排除或待核

结果摘要 波型/三材料中文组合仍主要返回2010年后文献;没有新增合格族。晚文献CN104641555A明确有SiO2的0.2λ—0.5λ及能量分布措辞,但为压电基板上方覆盖结构,且2015年公开,不能用作本案截止前证据。旧JPH06326553A回核确认图20高速非晶碳/SiO2/LN/梳齿和无机膜≤0.5λ,但未找到所需深度能量剖面,非晶碳是否DLC仍缺证明。

本轮调整 按ZH02建议改用拉夫波/剪切水平波/导波及SiO2-LN-金刚石,避开蓝宝石-LT接合。由于波型主式只返回晚文献,唯一修复式删波型并加入波长、厚度和1994/2008年代线索,仍未得新合格族。

查询及记录 复用Google Patents查询    ZH03.json    ZH03_raw.txt

ZH04 中文第4轮

执行子代理 /root/zh04    承接ZH03

检索式 site:patents.google.com 弹性边界波 界面波 二氧化硅 铌酸锂 归一化厚度 before:2010-12-24

核验 WO2005034347A1 2005-04-14 日期符合; CN101523720A 2009-09-02 日期符合

结果摘要 核验两件截止前公开的技术来源,均非目标层序的完整公开。WO2005034347A1的SiO2 0.15λ—0.4λ为LN/IDT上覆盖层。CN101523720A图12、13确有能量分布示意及0.8λ阈值,但同为SiO2覆盖压电基板,且不含目标高声速支撑。未获得A至F同实施例组合,也未发现支撑中能量的直接证据。

本轮调整 依ZH03反馈从Love/三材料导波改为边界波、界面波和归一化厚度,并追踪WO2005034347A1。核对后发现两种SiO2覆盖结构,避免将数值厚度相同误认目标层序相同;记录CN101523720A能量图的实际适用边界。

查询及记录 复用Google Patents查询    ZH04.json    ZH04_raw.txt

ZH05 中文第5轮

执行子代理 /root/zh05    承接ZH04

检索式 site:patents.google.com 薄板 板波 声位移 氮化硅 氮化铝 氧化硅 before:2010-12-24

同轮补检式 site:patents.google.com 声表面波 氮化铝 支撑基板 氧化硅 铌酸锂 before:2010-12-24

核验 JP2002016468A 2002-01-18 日期符合; CN104205629B 2016-12-28 排除或待核

结果摘要 未发现新增合格氮化物支撑族。早期JP2002016468A确认玻璃接合层/可选氮化铝保护基板/单晶压电基板/IDT,但没有E及F。CN104205629B确有AlN或SiN高声速膜、下置SiO2、LN、IDT和位移分布图,却为2016-12-28公开,A文本也在2014-12-10,排除为截止前证据。

本轮调整 依ZH04从上覆盖边界波改为薄板/板波与声位移及氮化物支撑;主式结果以晚公开为主,唯一修复改用氮化铝支撑基板、氧化硅、LN材料层序。确认早期接合族缺E/F,防止把后公开位移分布方案回填。

查询及记录 复用Google Patents查询    ZH05.json    ZH05_raw.txt

ZH06 中文第6轮

执行子代理 /root/zh06    承接ZH05

检索式 site:patents.google.com 晶片转移 离子切割 接合层 铌酸锂 高速支撑 before:2010-12-24

同轮补检式 site:patents.google.com "铌酸锂" "离子" "2009" "接合" "氧化硅"

核验 JP2006319679A 2006-11-24 日期符合; WO2009093376A1 2009-07-30 日期符合

结果摘要 本轮首次正文核验前轮待追两族,均在截止前公开,但均不能补齐目标。JP2006319679A下置Si氧化膜通用0.1–40 μm,例4明确3 μm、同例λ=2.1 μm,约1.43λ,且LN与氧化层间另有5 μm树脂;下置氧化膜用于减翘曲及绝缘,没有声学能量分布目的。

本轮调整 按ZH05反馈转入晶片转移、离子切割、接合层和LN高速支撑中文路线,停止薄板/板波氮化物泛查。网页查询仍主落晚公开,故正文限额用于核实前轮引文两族及SiO2厚度、用途;两条待追路线均未给出目标F。

查询及记录 复用Google Patents查询    ZH06.json    ZH06_raw.txt

ZH07 中文第7轮

执行子代理 /root/zh07    承接ZH06

检索式 site:patents.google.com 声场穿透 支撑基板 能量分布 低声速膜 倏逝波 before:2010-12-24

同轮补检式 site:patents.google.com 声表面波 位移分布 金刚石 氧化硅 before:2010-12-24

核验 CN1750392A 2006-03-22 日期符合; JPH06326553A 1994-11-25 日期符合

结果摘要 主式主要命中目标及晚公开文献;修复式返回一族截止前增频衬底CN1750392A,新增明确DLC定义和三介质传播方程背景,但没有SiO2低声速膜,压电为ZnO,不能补F。另核既有JPH06326553A的声速随薄板厚度变化及图20同例:仍只有复合传播间接线索,没有低声速膜和支撑两处的非零位移剖面或能量分布。

本轮调整 依据ZH06反馈从移膜/机械接合改为中文声场穿透、双区域能量、倏逝波物理机制;严格式检索结果过晚,唯一修复式放宽为位移分布+金刚石+氧化硅。新中期a-D族不能补双区域F,故利用同一物理维度回核既有D3而不重开D1。

查询及记录 复用Google Patents查询    ZH07.json    ZH07_raw.txt

ZH08 中文第8轮

执行子代理 /root/zh08    承接ZH07

检索式 site:patents.google.com 非晶金刚石 氧化硅 铌酸锂 中间层 波长 before:2010-12-24

同轮补检式 site:patents.google.com 金刚石 二氧化硅 铌酸锂 声表面波 中间层 before:2010-12-24

核验 DE10206480A1 2002-09-19 日期符合; JP2004336600A 2004-11-25 日期符合

结果摘要 两条指定引文均追到截止前A公开:DE10206480A1(2002-09-19)及JP2004336600A(2004-11-25)。前者重点是Cu电极抗声致迁移,SiO2为电极覆盖/包围层,不能直接当作支撑与LN之间连续低声速膜;后者为导电掺杂金刚石抗静电,LN/LT只在候选材料列表,实际实施例为ZnO且无SiO2中间层。

本轮调整 按ZH07反馈从泛声场/倏逝波改为早引文与具体材料层序,主式使用非晶金刚石、氧化硅、LN、中间层及波长;对两条指定引文核A公开。一次修复去掉过强非晶限定并加声表面波,但仍无新合格组合。没有把amorphous carbon自动等同DLC。

查询及记录 复用Google Patents查询    ZH08.json    ZH08_raw.txt

ZH09 中文第9轮

执行子代理 /root/zh09    承接ZH08

检索式 site:patents.google.com 金刚石 二氧化硅 中间层 压电膜 声表面波 before:2010-12-24

同轮补检式 site:patents.google.com 金刚石 "中间层" "氧化锌" 声波 before:2010-12-24

核验 US5838089A 1998-11-17 日期符合; JPH0220910A 1990-01-24 日期符合

结果摘要 追到真正的diamond/SiO2/piezo interlayer早源US5838089A(1998-11-17)。其LN/LT为候选,图1及显微例为ZnO;图6/权22有压电层表面IDT,但绝对膜厚不能绑定到背景λ例。备用JPH0220910A(1990-01-24)也明确diamond/SiO2/AlN及0.01H–0.1H,但压电不是LN/LT且E范围不足。

本轮调整 按ZH08反馈切离抗静电和Cu抗迁移,围绕diamond/SiO2/piezo实际层序及早期interlayer引用。主式去掉过强LN限定,修复式换用ZnO来识别真正中间层来源;核验后把材料候选、具体ZnO实施例、IDT位置和λ背景严格分开。

查询及记录 复用Google Patents查询    ZH09.json    ZH09_raw.txt

ZH10 中文第10轮

执行子代理 /root/zh10    承接ZH09

检索式 site:patents.google.com 铌酸锂 金刚石 多层膜 中间层 温度补偿 before:2010-12-24

同轮补检式 site:patents.google.com 铌酸锂 金刚石 "多层膜" before:2010-12-24

核验 US20030151329A1 2003-08-14 日期符合; CN1731676A 2006-02-08 日期符合

结果摘要 核实US20030151329A1于2003-08-14公开,确为US5838089A的前向引文,但其具体结构是LT基板/表面IDT/上置SiO2,0.03–0.45λ也属于上置温补膜。核实CN1731676A于2006-02-08公开,为diamond/ZnO/LN而非diamond/SiO2/LN。

本轮调整 承接ZH09从diamond/SiO2早期interlayer来源转向前向引文与LN缓冲层成长路线,不再重做US5235233A AlN分支。主式保留中文材料与温补词,唯一修复式删掉过强中间层/温补限定;核验严格区分上置温补SiO2与下置缓冲层,并区分ZnO和SiO2。

查询及记录 复用Google Patents查询    ZH10.json    ZH10_raw.txt

该语言10轮完成。

英文检索 10轮

EN01 英文第1轮

执行子代理 /root/en01    首轮建立基线

检索式 surface acoustic wave piezoelectric film energy distribution low velocity layer high velocity substrate before=publication:20101224

同轮补检式 site:patents.google.com/patent/ "surface acoustic wave" "energy" "low" "substrate" "film" "2010"

同轮补检式 site:patents.google.com/patent/ "piezoelectric" "energy distribution" "silicon dioxide" "diamond" before:2010-12-24

核验 WO2010100967A1 2010-09-10 日期符合; WO2010101166A1 2010-09-10 日期符合

结果摘要 英文首轮围绕能量/深度分布取得两件截止日前公开文献,均为单块压电基板上表面覆盖膜,不能证明目标F在下置低速膜及高速支撑两处的分布。域名限定收窄检索主要返回2013年以后BAW文献,未得到合格的直接F证据。

本轮调整 首轮起始查询;用能量/速度层组合建立F检索基线。由于广义energy返回表面覆膜及后公开BAW,下轮更换到位移深度图和导波模式。

查询及记录 复用Google Patents查询    EN01.json    EN01_raw.txt

EN02 英文第2轮

执行子代理 /root/en02    承接EN01

检索式 site:patents.google.com/patent/ "Love wave" "displacement" "lithium niobate" "silicon dioxide" sapphire before:2010-12-24

同轮补检式 site:patents.google.com/patent/ "SH wave" "displacement" sapphire "layer" before:2010-12-24

核验 US7482732B2 2009-01-27 日期符合; US8049395B2 2011-11-01 排除或待核

结果摘要 主查询得到Love/SH传感器线索;补查删除LN/SiO2约束并保留SH位移和蓝宝石,得到边界波层结构。核验2项原文,其中US7482732B2在截止前但低速导波层位于压电基板上方;US8049395B2为截止后公开,仅用其同族表定位2009年A1及2008年WO待下一轮核对。

本轮调整 EN01 broad energy词命中表面覆膜,故本轮实质更换为Love/SH导波、横向位移及蓝宝石材料组合,补查以SH位移和支持材料修复过窄查询。

查询及记录 复用Google Patents查询    EN02.json    EN02_raw.txt

EN03 英文第3轮

执行子代理 /root/en03    承接EN02

检索式 site:patents.google.com/patent/ "boundary acoustic wave" "dielectric layer" thickness wavelength bonded before:2010-12-24

核验 US20090236935A1 2009-09-24 日期符合; US8264122B2 2012-09-11 排除或待核

结果摘要 核实EN02追溯族的早公开US20090236935A1。图5确有Si/SiO2/LN的接合层位(按支撑至压电方向读),但SiO2为4λ、LN为125λ且Si非A清单;主波与高阶模式须分开。另实际检索得到US8264122B2的0.2–0.7λ/SiN位移线索,因2012年公开仅作下一轮早公开核验路径。

本轮调整 依EN02反馈实质更换为boundary介电层归一化厚度和接合路径;直接追早公开并核图5,避免继续Love/SH位移泛查。

查询及记录 复用Google Patents查询    EN03.json    EN03_raw.txt

EN04 英文第4轮

执行子代理 /root/en04    承接EN03

检索式 site:patents.google.com/patent/ "acoustic wave" "reflection coefficient" "Euler angles" "SiN" displacement thickness before:2010-12-24

核验 US20100187947A1 2010-07-29 日期符合; WO2010100967A1 2010-09-10 日期符合

结果摘要 早公开US20100187947A1于2010-07-29公布,直接证实LN/SiO2/SiN、SiO2优选0.2–0.7λ(与E部分交叠)、SiN中边界波位移沿厚度衰减及λ由IDT指间距确定。F有较强场分布线索,但LN记为基板、SiN记为第二介电膜,未证机械支持角色或压电薄膜。

本轮调整 依EN03反馈从bonded接合层/主高阶模式区分,实质改为反射系数、Euler晶向与SiN位移衰减物理组合,并追踪US20100187947A1早公开。避免再次依赖晚公开B2或接合厚介质层。

查询及记录 复用Google Patents查询    EN04.json    EN04_raw.txt

EN05 英文第5轮

执行子代理 /root/en05    承接EN04

检索式 site:patents.google.com/patent/ thin piezoelectric film supporting substrate buried dielectric layer bonded before:2010-12-24

同轮补检式 site:patents.google.com/patent/ "US6025636A" OR "US6400061B1" piezoelectric thin film

核验 US6025636A 2000-02-15 日期符合; US6400061B1 2002-06-04 日期符合

结果摘要 独立核验US6025636A(2000-02-15),补得diamond承托接合并抛薄的单晶LN层、其表面或界面IDT的明确早公开证据,支持A材料及支撑形态/C/D;正文无SiO2低速中间层,kh1为LN厚度,不能当E或F。US6400061B1(2002-06-04)实际是La/Sr/Ta/Ga/O单晶SAW基板,不是薄膜支撑文献,排除该引文方向。

本轮调整 依EN04反馈转到thin piezoelectric film / supporting substrate / buried dielectric / bonded及两条具体引文追踪;本轮核2篇独立族,重点辨清真正LN薄膜承托与无关晶向基板文献。主代理已核WO2010004741A1图11/13,本轮没有重开或伪作独立发现。

查询及记录 复用Google Patents查询    EN05.json    EN05_raw.txt

EN06 英文第6轮

执行子代理 /root/en06    承接EN05

检索式 site:patents.google.com/patent/ acoustic wave diamond intermediate silicon dioxide penetration displacement before:2010-12-24

同轮补检式 site:patents.google.com/patent/ "US5565725A" OR "US5838090A" diamond silicon dioxide

核验 US5565725A 1996-10-15 日期符合; US5838090A 1998-11-17 日期符合

结果摘要 核2篇早公开独立族。US5565725A为diamond/LN/IDT,无SiO2;US5838090A为diamond/LN/上置SiO2/IDT变体,SiO2温补厚度虽局部可与0.1λ–0.5λ数值交叉,但位置不是diamond与LN之间。均未定位目标双区域能量或位移分布证据,无新增A–F完整公开。

本轮调整 依EN05反馈从bonded薄膜支持转为声场穿透/位移与diamond中间SiO2,并精确追US5565725A及US5838090A。发现前者无SiO2、后者上置SiO2,表明这条温补覆膜引文路径无法直接解决B/F。

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EN07 英文第7轮

执行子代理 /root/en07    承接EN06

检索式 site:patents.google.com/patent/ "lithium tantalate" sapphire "low velocity" "shear horizontal" before:2010-12-24

同轮补检式 site:patents.google.com/patent/ "lithium tantalate" "sapphire" "silicon dioxide" "2004"

核验 JP2003535546A 2003-11-25 日期符合; JP2010153962A 2010-07-08 日期符合

结果摘要 主查询主要命中2019年以后多层SH/边界波文献,日期不合格。一次材料层序修复检索找到2个早公开独立族:JP2003535546A可选蓝宝石/SiO2缓冲/下电极/LT或LN/单相二维电极;JP2010153962A披露LT或LN背面0.1–5μm SiO2与蓝宝石/AlN/Al2O3支撑选项,但另含有机接合层。

本轮调整 依EN06反馈离开diamond/LN上覆SiO2温补引文链,改用LT、蓝宝石与低速SH导波组合。主查偏向晚公开,唯一补查收回LT/蓝宝石/下置SiO2材料层序并核2族。发现单相电极与电场图、热补偿接合层都不能替代目标D/F。

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EN08 英文第8轮

执行子代理 /root/en08    承接EN07

检索式 site:patents.google.com/patent/ "Love wave" dispersion "normalized thickness" cutoff substrate "piezoelectric film" before:2010-12-24

同轮补检式 site:patents.google.com/patent/ "Love wave" dispersion ("cutoff" OR "cut-off" OR "evanescent") substrate before:2010-12-24

核验 US20020104691A1 2002-08-08 日期符合; EP0823108A1 1998-02-11 日期符合

结果摘要 主查被2019年后归一化厚度文献主导,唯一早期命中JP2002152003A的H/λ针对金属反射器而非下置低速膜,未开正文。一条修复补查放开normalized thickness及piezoelectric film、保留Love wave色散与cutoff/evanescent物理条件,转得两个早公开触屏结构族。

本轮调整 依EN07建议转用归一化膜厚、Love色散、截止与倏逝尾场,区别EN02的材料+位移查询。主查结果偏晚,唯一补查移除造成稀疏的normalized thickness和piezoelectric film,同时保留Love/dispersion/cutoff/evanescent,得到旧三层结构的分层能量证据,明确区分目标主模导波与Rayleigh杂模截止。

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EN09 英文第9轮

执行子代理 /root/en09    承接EN08

检索式 site:patents.google.com/patent/ "interdigital transducers" "Love wave" "layered substrate"

同轮补检式 site:patents.google.com/patent/ "interdigital" "piezoelectric film" "LiNbO3" "diamond"

核验 US20080106528A1 2008-05-08 日期符合

结果摘要 按EN08前向引文追踪,US20080106528A1(2008-05-08)直接公开面板涂覆压电膜、膜上形成IDT,LiNbO3为膜材料选项,且明确替代楔形换能器;补足先前玻璃Love触屏缺少C/D的桥接线索。该新族没有目标高声速支撑/下置低速膜,不能与EN08层压触屏分层能量拼接为单篇A–F公开。

本轮调整 EN08仅得外置楔换能器和玻璃层压能量。本轮采用前向引文桥接,英文主式为interdigital transducers/Love wave/layered substrate,并定点打开上一轮尚未核的US20080106528A1。主式被旧同族占据,唯一修复式改用interdigital/piezoelectric film/LiNbO3/diamond,转向压电膜及高速材料来源;

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EN10 英文第10轮

执行子代理 /root/en10    承接EN09

检索式 site:patents.google.com/patent/ "LiNbO3" "diamond" "temperature coefficient" "first mode"

核验 US5838090A 1998-11-17 日期符合

结果摘要 完成EN09所留1990年代多模/电极拓扑追踪:DE69617286T2的英语原文同族为US5838090A(1998-11-17);EP0726649A1在同族表列1996-08-14。A–G七拓扑均为diamond/LiNbO3/SiO2自下而上,变化仅IDT及短路电极,未发现下置SiO2实施例。

本轮调整 遵循EN09反馈,停止触屏/Love截止路线,英语主式改LiNbO3/diamond/temperature coefficient/first mode;直接依同族链接核1990年代七电极拓扑及归一化厚度,检索特征与上一轮实质不同。

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该语言10轮完成。

日文检索 10轮

JA01 日文第1轮

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检索式 弾性波 圧電膜 エネルギー 分布 低音速 高音速 支持基板

同轮补检式 弾性表面波 エネルギー 分布 酸化珪素 ダイヤモンド

核验 JPH0595249A 1993-04-16 日期符合; JP2004312198A 2004-11-04 日期符合

结果摘要 主检索偏向2012年以后术语,搜索日期运算未可靠过滤。修复检索返回早期技术。核验2篇有部分贡献的新族;未找到完整公开A-F的文献。未获得原生数据库命中总量。

本轮调整 第1轮无上轮。本轮发现当前低音速膜/高音速支持基板术语主要引出后公开文献,修复为早期弾性表面波+能量分布+材料。

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JA02 日文第2轮

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检索式 (境界波 OR 界面波) (介在層 OR 中間層) ニオブ酸リチウム

同轮补检式 site:patents.google.com 境界波 ニオブ酸リチウム 酸化珪素 サファイア 膜厚 before:2010-12-24

核验 JPWO2005093949A1 2008-02-14 日期符合; JP2010166592A 2010-07-29 日期符合

结果摘要 找到一个符合截止日的新技术族35056527,包含明确SiO2 0.1/0.3/0.5λ和能量进入相邻各层的说明,但实际示例是LN块体/IDT/SiO2/poly-Si结构,不能直接对应目标高声速支持材料与LN薄膜下置低声速膜。第二篇为同族分案,按技术来源去重。

本轮调整 依JA01反馈,由低音速/高音速现代表述切换为境界波/界面波与介在层/中间层、LN的界面路线;追加材料收窄检索。得到三/四媒质能量图,但仍无法确认目标下置膜与规定支撑材料。

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JA03 日文第3轮

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检索式 (接合 OR 貼り合わせ OR 薄板化) タンタル酸リチウム (サファイア OR ガラス) (音響 OR 弾性波)

同轮补检式 site:patents.google.com タンタル酸リチウム サファイア ガラス 接合 膜厚 弾性表面波 before:2010-12-24

核验 JP2005252550A 2005-09-15 日期符合; JP2010232725A 2010-10-14 日期符合

结果摘要 接合/薄板化路线核验2个截止日前候选族:LT/蓝宝石纳米非晶接合层,以及经胶层贴合并减薄的LT复合基板。两者提供A/C/D的结构辅助,均缺目标B/E/F完整组合。第二篇由第一篇Cited By路径取得。不是JA02四媒质边界波族;WO2005093949A1(2005-10-06)与JPWO2005093949A1族合并,本轮不重复计入。

本轮调整 依据JA02反馈,从境界波/介在层切换到接合、貼り合わせ、薄板化及LT/蓝宝石/玻璃材料路线;收窄式加入膜厚。核下层厚度并区分工艺变形与声学位移,避免将纳米接合层或激光波长误作E。

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JA04 日文第4轮

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检索式 (ラブ波 OR SH波) (変位分布 OR エネルギー分布) 酸化ケイ素 ニオブ酸リチウム

同轮补检式 site:patents.google.com (ラブ波 OR SH波) (変位 OR エネルギー) ダイヤモンド (酸化シリコン OR 酸化ケイ素) before:2010-12-24

核验 WO2010004741A1 2010-01-14 日期符合

结果摘要 无新增独立族,但对协议已有WO2010004741族发现重要增强:原始公开文本实施形态2的图11—13及[0050]—[0051]在同一实施例明确diamond/SiO2/LN/IDT,且SiO2厚度0.1λ。不能仅以实施形态1的Si支持说明概括全族。两指定下层的能量分布F仍待原图及PDF补核;

本轮调整 遵JA03反馈从接合工艺改为Love/SH模态、位移/能量分布与SiO2/LN;主式多为后公开噪声,唯一补查改用diamond材料和日语全角SH,仍围绕声学物理。由主式命中JP5392258B2追至已知族的原始WO,发现同例具体厚度及材料组合,严格区分F间接线索与完整公开。

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JA05 日文第5轮

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检索式 (窒化アルミニウム OR 窒化ケイ素) (酸化ケイ素 OR 五酸化タンタル) (圧電薄膜 OR ニオブ酸リチウム) (規格化膜厚 OR 波長)

同轮补检式 site:patents.google.com (窒化アルミニウム OR 窒化ケイ素) 酸化ケイ素 ニオブ酸リチウム (膜厚 OR λ) 弾性波 before:2010-12-24

核验 JP2009267904A 2009-11-12 日期符合; JP6198536B2 2017-09-20 排除或待核

结果摘要 本轮核得新独立线索族JP2009267904A(2009-11-12,family41393164),材料包含SiN或AlN/SiO2或Ta2O5/LN或LT并有H/λ条件;但层序为压电厚基板/IDT/低速覆膜/高速覆膜,不能对应目标的高速支撑/低速膜/压电薄膜。

本轮调整 遵JA04反馈以AlN/SiN、SiO2/Ta2O5、压电薄膜/LN和归一膜厚/波长组合取代Love位移路径。因主式多为后公开,唯一修复式加入弾性波、放宽归一化词以排除光学噪声并找旧公开。未再打开D1或重复其位移核验。

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JA06 日文第6轮

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检索式 サファイア (音響インピーダンス OR 整合層) (酸化ケイ素 OR 中間層) (ニオブ酸リチウム OR タンタル酸リチウム)

同轮补检式 site:patents.google.com サファイヤ 中間層 タンタル酸リチウム 波長 before:2010-12-24

核验 JP2005102182A 2005-04-14 日期符合; JP2006135443A 2006-05-25 日期符合

结果摘要 新增2个截止前独立技术族线索,均不能完整覆盖A—F。JP2005102182A具有基板/中间层/LN或LT/IDT通用层序,但中间层优选蓝宝石或金刚石等而SiO2位于上覆保护层;JP2006135443A有蓝宝石或金刚石基板/LN或LT/晶态绝缘层/IDT,SiO2仍为上覆温补。

本轮调整 按JA05反馈改蓝宝石/声阻抗整合层/中间层/LN-LT路径,避开AlN/SiN上覆层厚度旧式。主式多为后公开;唯一修复式改用旧拼写サファイヤ并加波長、放宽声阻抗词,找到2005/2006旧文献。

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JA07 日文第7轮

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检索式 (薄膜転写 OR ガラス接合) ニオブ酸リチウム 支持基板 膜厚

同轮补检式 site:patents.google.com ニオブ酸リチウム ガラス 接合 弾性表面波 before:2010-12-24

核验 JP2001053579A 2001-02-23 日期符合; JP2009094661A 2009-04-30 日期符合

结果摘要 核得2个截止日前技术族线索,未新增完整覆盖A—F的文献。JP2001053579A明确无机玻璃接着层/LN/IDT,接着层15μm且λ=4μm,故为3.75λ而非E;部分体波穿过接着层到辅助基板是杂散波机制,不能等同F。JP2009094661A含SiN系陶瓷支持/LT或LN/IDT,但接着剂为紫外固化型或直接接合,无目标B/E/F。

本轮调整 按JA06建议将路线改为薄膜転写/ガラス接合/LN/支持基板/膜厚,避开蓝宝石声阻抗整合结构重复。主式以光学和后公开噪声为主,唯一修复式放宽转写词、加入弾性表面波以取得旧接合文献,并沿正文引文记录可追溯路径。

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JA08 日文第8轮

执行子代理 /root/ja08    承接JA07

检索式 (酸化タンタル OR 酸窒化ケイ素) 圧電薄膜 高音速 支持 波長

同轮补检式 site:patents.google.com/patent ("酸化タンタル" OR "酸窒化ケイ素") "弾性表面波" "波長" before:2010-12-24

核验 JPWO2008146449A1 2010-08-19 日期符合; JP5565474B2 2014-08-06 排除或待核

结果摘要 未新增A—F完整文献。新增截止日前1族:JPWO2008146449A1(2010-08-19;WO2008146449A1 2008-12-04),明确LN/IDT/SiO2 400nm与λ2μm,即0.2λ,但膜在IDT上方,SiON亦是上置阻氩保护膜;不能作为下置B/E。

本轮调整 依JA07反馈从玻璃接合改为酸化タンタル/酸窒化ケイ素替代B及高音速支持/波長A/E组合。原生一次失败后主式仅返后公开;唯一修复式移除圧電薄膜/高音速/支持,保持两种材料和日语弾性表面波/波長,核到上覆SiON旧族并确认结构位置,避免把材料词命中误当下置膜。

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JA09 日文第9轮

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检索式 圧電薄膜 中間層 支持基板 波長 H03H9/0222

同轮补检式 site:patents.google.com/patent ("JP2003209458A" OR "H03H9/0222") "弾性表面波" "中間層" "波長" before:2010-12-24

核验 JP2003209458A 2003-07-25 日期符合; JP2010166592A 2010-07-29 日期符合

结果摘要 新增本轮核验的两个截止日前来源,未找到A—F全部直接公开。JP2003209458A确有H/λ=0.115—0.31与IDT,但SiO2为LN基板上的上覆膜;其能量向基板放射叙述系有损泄漏。JP2010166592A(2010-07-29)给出三层能量分布图5和第3介质内少量能量、SiO2 0.1λ及IDT周期λ,构成较有用的F物理线索;

本轮调整 按JA08反馈从酸化タンタル/酸窒化ケイ素泛材料路线转向H03H9/0222界面波分类及JP2003209458A引文链。主式保留圧電薄膜/中間層/支持基板/波長,空结果后唯一修复删强限制并绑定分类或引文入口,获得能量分布图而不是重复SiON上覆膜材料。

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JA10 日文第10轮

执行子代理 /root/ja10    承接JA09

检索式 圧電薄板 裏面 接合層 ダイヤモンド 変位分布

同轮补检式 site:patents.google.com/patent "圧電" "裏面" "接合" "支持基板" "波長" before:2010-12-24

核验 JP2006319679A 2006-11-24 日期符合; JP2001053579A 2001-02-23 日期符合

结果摘要 本轮核验两个截止日前来源,均未补齐A—F。新增可定位的背面接合/位移深度及寄生体波透过说明:JP2001053579A[0025]称SAW大部分能量在表面一波长内;[0052]明确另有副次激励体波穿过玻璃接着层到辅助基板,不能把此寄生波直接当作目标F。JP2006319679A例4有LN/接着剂/SiO2/Si背面接合,但Si不在A清单、SiO2厚度约1.43λ且多一层5μm接着剂。

本轮调整 按JA09反馈离开H03H9/0222界面波分类和泛材料表,主式转压电薄板背面接合/金刚石/位移分布。主式多为晚公开和无关压电构件,唯一修复删金刚石强约束并加入支持基板/波長,追新引文JP2001053579A。未重核WO2005093949族,也未沿旧误读排除D1。

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该语言10轮完成。

法文检索 10轮

FR01 法文第1轮

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检索式 ondes acoustiques couche piézoélectrique répartition énergie substrat haute vitesse couche basse vitesse

核验 EP1748556A1 2007-01-31 日期符合; FR2815351A1 2002-04-19 日期符合

结果摘要 未取得原生结果总量。检索混入后公开,已逐件日期筛选。核验两篇截止前文献,均仅部分背景贡献,未取得A-F完整组合。

本轮调整 首轮法语能量分布+速度结构检索噪音较多;同轮修复为LN/金刚石/SiO2材料组合,发现HBAR能量分布线索。

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FR02 法文第2轮

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检索式 ("ondes d'interface" OR "ondes de Stoneley") "niobate de lithium" silice

核验 EP1060562B1 2005-02-09 日期符合; EP1500191B1 2005-10-05 日期符合

结果摘要 原生查询未成功,无命中总数可报告。主式实际返回两组有用的截止前技术来源,核验2篇B1正文;不是HBAR。未找到A-F完整组合,尤其E及F仍缺。A1/A2日期仅由对应B1时间线核对,不将其未成功打开的正文冒充已核验。

本轮调整 FR01主要得到HBAR与上置Love波层,本轮改为Stoneley/界面波+LN+硅石,获得薄层分子接合与双基板界面波路线,避免重复HBAR;精确couche intermédiaire不强制以免漏掉colle moléculaire术语。

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FR03 法文第3轮

执行子代理 /root/fr03    承接FR02

检索式 "collage moléculaire" "saphir" "niobate" "longueur d'onde"

核验 FR2788176A1 2000-07-07 日期符合; WO2009013236A1 2009-01-29 日期符合

结果摘要 原生检索失败,无法报告总命中量。主式重新返回FR02分子接合族,核到该族2000年FR A1版本的权利要求1比已读EP B1更宽,无强制挖空。另一新来源实际为HBAR传感器,不是目标层叠SAW。补式噪声为光学及后公开。未获得埋置低速膜与高速支撑同时分布能量的新合格证据。

本轮调整 依FR02反馈,主式改用分子接合+蓝宝石+LN+波长而非LT/LT界面波;补式试用位移分布术语。验证原始FR申请,区分电场穿透、传统基板扩散与机械能量分布。

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FR04 法文第4轮

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检索式 "diamant" "silice" "niobate de lithium" "épaisseur" "longueur d'onde"

核验 EP1748556A1 2007-01-31 日期符合; FR3079667A1 2019-10-04 排除或待核

结果摘要 没有获得新的合格目标结构证据。主式早期命中为HBAR混合谐振器,硅石是上置附加层候选,非埋置低速膜;修复式直接命中金刚石/SiO2/LN实例,但FR3079667A1公开于2019-10-04,严格排除为截止日前证据。其家族引用表提供界面波/高频声波的下一轮追溯线索。

本轮调整 依FR03反馈,从分子接合工艺切换到diamant+silice+niobate de lithium+épaisseur+longueur d'onde的具体三材料/厚度组合;修复式用dioxyde de silicium+ondes de surface区分硅石同义词并减少泛HBAR噪声。没有重复分子接合作为检索必要词。

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FR05 法文第5轮

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检索式 "carbure de silicium" "tantalate de lithium" "couche" "ondes de frontière"

核验 JPWO2005060094A1 2007-07-12 日期符合; JP2008270904A 2008-11-06 日期符合

结果摘要 法语SiC/LT/界面波主式只命中2013年后铁电周期结构,同族去重后无合格主式命中;修复式无结果。引文追溯核验两族合格早期A文本,均不直接公开目标A-F。新增确认SiC是界面波固体层的材料列表项,不能与Si/SiO2实例任意替换;另一族的0.1λ属于Al电极,界面非晶区仅0.3–2.5nm,不能冒作E。

本轮调整 依FR04反馈,从diamond/LN厚度组合切到carbure de silicium+tantalate de lithium+ondes de frontière,修复式去掉过窄SiC并加入ondes d’interface。由于词检索无早期合格结果,执行FR04给出的两条界面波引文追溯,区分能量集中与杂波泄漏,不重开首位WO2010004741A1。

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FR06 法文第6轮

执行子代理 /root/fr06    承接FR05

检索式 "nitrure de silicium" "niobate de lithium" "couche intermédiaire" "onde guidée"

核验 JPH1084247A 1998-03-31 日期符合; EP2128980A2 2009-12-02 日期符合

结果摘要 主式无命中;修复式仅返回2013年以后文献。引文追溯新增核实两族合格早期公开:JPH1084247A为Si/SiO2/LN,Si不满足指定A材料;EP2128980A2有LN/SiO2/AlN及SiN替代,厚度范围局部与E重叠,但结构为LN基板上的封覆层、IDT埋在LN/SiO2界面,未核得目标F。

本轮调整 依据FR05反馈从SiC/LT上覆材料族切到nitrure de silicium/niobate de lithium/couche intermédiaire/onde guidée;无词命中后只作一次法语边界波修复并沿已知JPH1084247A引文查两族。EP2128980A2的SiN替代、厚度重叠及隔离区位置分别记录,未拼接成A–F完整公开。

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FR07 法文第7轮

执行子代理 /root/fr07    承接FR06

检索式 "onde de Love" "déplacement" "couche";同轮修复:"ondes de Love" "silice"

核验 WO1996026435A1 1996-08-29 日期符合; FR2732768A1 1996-10-11 日期符合

结果摘要 Love/位移/层的主式只返回晚公开应用文献,未取得深度位移剖面。修复式核实两个1996年已公开的新族,均为化学传感器:WO1996026435A1明确低速SiO2引导Love波,例2厚度1.48/32=0.04625λ;FR2732768A1为GaPO4/低速中间层结构。

本轮调整 按FR06反馈从SiN上覆层厚度转向Love/SH横向位移及低速层导波物理维度。主式位移词导致晚期应用噪声,只用一次silice修复;核对两篇早期文献后明确其低速层导波不能补足F,也不把功能化材料清单、Lamb薄膜例拼接到Love例。

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FR08 法文第8轮

执行子代理 /root/fr08    承接FR07

检索式 ("oxynitrure de silicium" OR "oxyde de tantale") "piézoélectrique" "substrat";同轮修复:"oxynitrure de silicium" "acoustiques" before:2010-12-24

核验 EP2738939B1 2018-12-05 排除或待核; WO2019186011A1 2019-10-03 排除或待核

结果摘要 SiON/氧化钽替代B膜材料路线未产生截止日前合格新族。核验的两篇均后公开,仅排除及引文追溯。EP2738939B1中的Ta/TaOx是半导电混合层,不能当成目标纯低声速膜;WO2019186011A1中的SiON是保护层、四分之一波长限定粉末粒径而非膜厚。F仍缺。

本轮调整 按FR07反馈离开Love化学传感器,改从SiON/TaOx材料检索下置B膜。实际结果集中后期POI扩散屏障;一次声学词修复后仍后公开,遂严格排除并记录具体引文,不增加第三篇或新检索式。

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FR09 法文第9轮

执行子代理 /root/fr09    承接FR08

检索式 "couche intermédiaire" "film piézoélectrique" "substrat" H03H9/02574 "ondes acoustiques";修复/引文检索:site:patents.google.com "US6117341" "couche" "piézoélectrique" "substrat"

核验 US6117341A 2000-09-12 排除或待核; FR2616021A1 1988-12-02 日期符合

结果摘要 分类加法语严格组合未命中。追溯FR08具体引文发现US6117341A为液体过滤膜而非声学滤波,纠正该引文方向;另一引文JPS63294009A同族FR2616021A1截止前公开,披露半导体支持/可选SiO2界面膜/薄压电层/IDT,但压电材料是ZnO或AlN,主要支持为Si,E及F均未落实。

本轮调整 按FR08反馈停止SiON/TaOx泛搜,切换H03H9/02574与法语多层词组合。零结果后仅一次US6117341引文修复;实际检查纠正其非声学性质,并沿FR08另一明确引文核验早期法国同族。

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FR10 法文第10轮

执行子代理 /root/fr10    承接FR09

检索式 ("silice dopée" OR "oxyde de silicium fluoré" OR bore) (niobate OR tantalate) (diamant OR saphir) "ondes acoustiques";唯一修复(去除支撑材料限制):(silice OR "oxyde de silicium") (fluor OR bore OR dopée) (niobate OR tantalate) acoustiques

核验 EP2330737A1 2011-06-08 排除或待核; WO2013135886A1 2013-09-19 排除或待核

结果摘要 严格掺杂SiO2+LN/LT+金刚石/蓝宝石组合无结果。去除支撑限制后,核验两件较相关文献均晚于2010-12-23:EP2330737A1为2011-06-08,WO2013135886A1为2013-09-19。前者的氟是牺牲层刻蚀剂,后者的掺杂对象是LN/LT晶体,均不能充作目标下置F/C/B掺杂SiO2低声速膜。

本轮调整 FR09未补E/F,并建议能量/位移/深度路线;结合父代理反馈,FR01/FR07已覆盖该物理路径,故FR10有意改查尚未覆盖的B材料残余:法语掺杂silice、含氟氧化硅、bore,结合LN/LT与高声速支撑材料。严格主式无结果后只修复一次,去除金刚石/蓝宝石限制但保留掺杂和压电材料词。未重复US6117341液体过滤器,也未重开已有核心候选。

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该语言10轮完成。

德文检索 10轮

DE01 德文第1轮

执行子代理 /root/de01    首轮建立基线

检索式 site:patents.google.com "akustische" "piezoelektrische" "Schicht" "Energie" "Substrat" "Schallgeschwindigkeit" before:2010-12-24

核验 DE19949739C1 2001-08-23 日期符合; DE69029080T2 1997-04-03 日期符合

结果摘要 搜索返回大量后公开族;核验两个期限内族,均仅属分特征背景,未找到A-F完整组合。

本轮调整 第1轮以声学物理词建立德语基线;发现能量词引出大量晚期多层SAW,下一轮转具体材料与层间位置。

查询及记录 复用Google Patents查询    DE01.json    DE01_raw.txt

DE02 德文第2轮

执行子代理 /root/de02    承接DE01

检索式 site:patents.google.com (Diamant OR Saphir) Siliziumdioxid (Lithiumniobat OR Lithiumtantalat) Oberflächenwellen before:2010-12-24

核验 DE69923667T2 2006-04-06 日期符合; DE68921811T2 1995-07-13 日期符合

结果摘要 1条主查询,无补查。实际核验2篇期限内Google Patents正文。发现蓝宝石/SiO2/LN或LT键合层叠族,低声速层厚及双处能量分布仍不足;另一族SiO2厚度0.16-0.26λ但为上覆层,不能挪作下置层。

本轮调整 依DE01反馈取消宽泛Energie检索,改以Diamant/Saphir+SiO2+LN/LT明确材料组合;搜到分子键合三层但主要薄黏接层,另一个数值命中是相反层序。

查询及记录 复用Google Patents查询    DE02.json    DE02_raw.txt

DE03 德文第3轮

执行子代理 /root/de03    承接DE02

检索式 site:patents.google.com (Verschiebungsverteilung OR Eindringtiefe OR Grenzflächenwellen) Diamant piezoelektrisch before:2010-12-24

核验 DE112004000499T5 2006-02-16 日期符合; DE60315286T2 2008-02-14 日期符合

结果摘要 1条主查询,无补充检索。核验2个截止日前公开族:WO2004095699族给SiO2/LN界面波主模和杂模位移分布,另有更慢第三介质层概括;WO2003092915族给金刚石/SiO2+TiO2屏障/PZT膜实施例及LN材料选择。未检出目标A-F完整直接公开。

本轮调整 依DE02反馈,从材料四联词切换为Verschiebungsverteilung/Eindringtiefe/Grenzflächenwellen与Diamant/piezoelektrisch组合,专查F的场分布线索。实得可定位位移图,但须区分上覆厚层、下置薄层以及主模/杂模。

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DE04 德文第4轮

执行子代理 /root/de04    承接DE03

检索式 site:patents.google.com "Grenzakustikwellen" "dritte Medienschicht" (Dicke OR Wellenlänge) H03H9/0222 before:2010-12-24

核验 WO1998052279A1 1998-11-19 日期符合; WO2005069485A1 2005-07-28 日期符合

结果摘要 主查询空结果;修复查询返回DE03既有族和多项无关文献,未精确返回指定WO正文,按上一轮指定引文路径直接打开2篇。两项均在2010-12-24前公开。新增三介质界面波SiO2局限摘要与Stoneley电极质量加载族,未找到A-F完整组合或E与目标F的直接公开。

本轮调整 按DE03反馈从泛位移分布词转为Grenzakustikwellen/dritte Medienschicht与Dicke/Wellenlänge、H03H9/0222的拓扑和厚度约束;主查询过窄无结果后,以两指定WO引文标识进行唯一修复。未新增泛位移词。

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DE05 德文第5轮

执行子代理 /root/de05    承接DE04

检索式 site:patents.google.com (Waferbonden OR "Wafer-Bonding" OR Waferbonding) (Zwischenschicht OR Dünnschicht) (Saphir OR Aluminiumoxid) (Lithiumniobat OR Lithiumtantalat) before:2010-12-24

核验 WO2007085237A1 2007-08-02 日期符合; DE69609559T2 2001-04-19 日期符合

结果摘要 核验2篇独立族。WO2007085237A1明确SiOx键合/平坦化中间层厚0.2-2λ,并给0.25λ实例及IDT周期定义,属E的有效局部补充;但另一基板为Si,压电LN为厚基板且电极埋在中间层界面,缺目标A/C及双层能量F。DE69609559T2为LN/LT复合晶圆低温直接键合背景,缺目标A/B/E/F。

本轮调整 由DE04第三媒质/界面波泛词改为Waferbonden、Dünnschicht、Zwischenschicht、Saphir制造维度;主查多为后期文献或压力传感器后,用前轮已留两公开号修复,仍只实施一主查一补查,核2篇独立族。

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DE06 德文第6轮

执行子代理 /root/de06    承接DE05

检索式 site:patents.google.com (Ionenimplantation OR Ionenschnitt OR Schichttransfer) (Lithiumniobat OR Lithiumtantalat) (Siliziumoxid OR Trägersubstrat) before:2010-12-24

核验 DE69923667T2 2006-04-06 日期符合; DE102010002594A1 2010-09-09 日期符合

结果摘要 离子注入薄层转移维度首次核验DE69923667T2(2006-04-06,族ID9534704),给SiO2分子粘合层、LN/LT薄层、蓝宝石支撑选项、IDT及H离子注入热剥离。SiO2只有数十nm,未给目标0.1λ-0.5λ;薄压电层约一波长1-30μm而非SiO2厚度。

本轮调整 由DE05晶圆键合/中间层泛检转到Ionenimplantation、Ionenschnitt、Schichttransfer,核实际薄层剥离;以DE05已留下DE69923667T2补足制造/厚度证据。查询结果普遍忽略截止日期,逐个依公开信息判定,不将晚公开成果纳入。

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DE07 德文第7轮

执行子代理 /root/de07    承接DE06

检索式 site:patents.google.com ("akustische Energiedichte" OR Tiefenverteilung OR "evaneszente Welle") (Trägersubstrat OR Saphir) (Siliziumdioxid OR Glas) (Oberflächenwelle OR Lithiumniobat) before:2010-12-24

核验 DE2600138A1 1976-07-08 日期符合; DE102009001192A1 2009-10-29 日期符合

结果摘要 已核2个日期合格的独立技术来源,均未直接公开完整A-F。DE2600138A1的SiO2在LN/LT与IDT上方,声能进入压电体内部后转为体振动属于损失,不能作为目标F;DE102009001192A1有高速支撑候选和LN/LT薄板,但中间层是有机胶,不是SiO2/玻璃。

本轮调整 按DE06反馈从离子注入/薄层转移实质改为akustische Energiedichte、Tiefenverteilung、evaneszente Welle及支撑/SiO2或玻璃。主查物理术语命中少且受后期专利噪声支配,唯一修复放宽为Energieverteilung/Eindringtiefe/evaneszent与界面波以寻找机械深度分布。

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DE08 德文第8轮

执行子代理 /root/de08    承接DE07

检索式 主查:site:patents.google.com (Temperaturkompensation OR Verbundsubstrat) (Siliziumdioxid OR Oxidfilm) (Lithiumtantalat OR Lithiumniobat) (Saphir OR Aluminiumnitrid) before:2010-12-24;唯一修复:site:patents.google.com (Temperaturkompensation OR Temperaturcharakteristik) (Saphir OR Aluminiumnitrid) (Oxidschicht OR Siliziumdioxid) Oberflächenwellen before:2010-12-24

核验 JP2005229455A 2005-08-25 日期符合; JP2006042008A 2006-02-09 日期符合

结果摘要 核验2个截止前独立族。JP2005229455A确有压电体下方Si氧化膜,但其上另有有机胶且支撑为Si,不符目标A。JP2006042008A例2明确下置硼硅玻璃/石英玻璃/玻璃陶瓷接合层,支撑通用清单含蓝宝石;具体试作为LT/石英玻璃/石英,未给胶层λ厚度。未取得E或低速膜与高速支撑均分布能量的F证据,不能把粗面抑制体波反射当作F。

本轮调整 遵DE07反馈,实质切换为Temperaturkompensation/Verbundsubstrat与氧化物及LN/LT/蓝宝石或AlN材料组合;不重复深度能量词或离子转移。德语主查被后期复合晶片文献占据,唯一修复改为温度特性及SAW并取消LN/LT门槛;正文沿既有引文路径核下置层。

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DE09 德文第9轮

执行子代理 /root/de09    承接DE08

检索式 (Metallschicht OR Elektrodenschicht) (dielektrische Zwischenschicht OR Siliziumdioxid) (Piezosubstrat OR Lithiumtantalat);降级site:patents.google.com保持德语技术词并加before:2010-12-24;未使用额外修复式。

核验 DE102005055870A1 2007-05-24 日期符合; DE10325281A1 2004-12-23 日期符合

结果摘要 核验2个截止前独立族。重点DE102005055870A1公开日2007-05-24,明确下置SiO2层优选0.15λ–0.5λ,支持材料一般选项含Al2O3;其声能垂直两侧衰减的文字为F重要间接线索,且不是电场隔离/体波散射。具体实施例仍为LT/SiO2/Si,λ为GBAW中频波长,正文未明确IDT周期对应和梳状结构,尚不能完整映射A–F。

本轮调整 执行DE08反馈,从温度补偿/玻璃接合转向金属电极与介电中间层;沿寄生容量隔离结构的引文发现GBAW低速导层,实际核出明确厚度与双侧声能衰减。未将隔离或粗面散射当成F。

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DE10 德文第10轮

执行子代理 /root/de10    承接DE09

检索式 (Grenzflächenwelle OR geführte Volumenwelle) (Eindringtiefe OR Energieverteilung OR Auslenkung) (Aluminiumoxid OR Saphir OR Diamant);降级site:patents.google.com保持德语技术词,加before:2010-12-24;无额外修复式。

核验 DE102006019961A1 2007-10-31 日期符合; DE102007012383A1 2008-09-18 日期符合

结果摘要 主查主要返回截止后族,唯一有用早期来源WO2004109913A1是DE09已核DE10325281A1同族,未新增。沿DE09引文首次核两篇独立族:DE102006019961A1明确相反极性相邻电极间距λ0/2、SiO2约0.4λ0及波导核进入两基板约一波长,但第二基板仅Si/玻璃,缺A。

本轮调整 遵循DE09反馈,从金属/介电工艺切换波型与深度分布,并沿截止前前向引文检验周期、λ及高速支持。核出DE102006019961A1的周期定义和波导核双侧延伸;核出DE102007012383A1能量跨层条件,但严格保留不同层栈缺口。

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该语言10轮完成。

韩文检索 10轮

KO01 韩文第1轮

执行子代理 /root/ko01    首轮建立基线

检索式 탄성파 압전막 "에너지" "저음속" "고음속" before:publication:20101224

同轮补检式 site:patents.google.com "탄성 표면파" "다이아몬드" "산화 규소" "니오브" before:2010-12-24

核验 未取得可核实的新候选。

结果摘要 主检索与补检返回后公开或目标族,未发现本轮可确认公开于2010-12-24之前的新合格族;web的before过滤未可靠排除后公开,按正文日期人工筛除。未获得原生命中总量。

本轮调整 第1轮从F能量分布与高/低声速韩文术语切入;精确术语主要返回目标族,补检改为材料组合仍只得后公开噪声。

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KO02 韩文第2轮

执行子代理 /root/ko02    承接KO01

检索式 표면탄성파 "압전 박막" 사파이어 SiO2 니오브산리튬 before:publication:20101224

同轮补检式 site:patents.google.com "탄성 표면파" "사파이어" "탄탈산리튬" "산화규소" before:2010-12-24

核验 JP3774782B2 2006-05-17 日期符合

结果摘要 完成1主查询、1补查,核验2个技术来源。主查询出现SiO2/3C-SiC/AlN族,压电材料与层序不符;补查通过后公开韩文摘要追到已知JP2004343359A同族JP3774782B2,未发现新的合格A–F完整公开族。

本轮调整 遵照KO01反馈,从能量/高低声速专用词转向表面波、压电薄膜、蓝宝石、SiO2、LN具体材料。因主查被AlN及后公开结果污染,补查改用LT与氧化硅接合层,沿韩语摘要引文回溯。

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KO03 韩文第3轮

执行子代理 /root/ko03    承接KO02

检索式 파장 두께 변위 분포 이산화규소 압전 박막 before:publication:20101224

同轮补检式 site:patents.google.com "탄성파" "변위" "산화규소" "파장" before:2010-12-24

核验 KR100427188B1 2004-04-30 日期符合

结果摘要 完成1主查询及1条修复检索,核验2篇不同技术来源。主检索被薄膜测试、印刷膜及后公开声波器件污染;修复检索仍以2019年后文献为主。无新增满足A–F的合格来源。明确辨认两类假线索:电极厚度制造偏差并非SiO2归一化厚度;横向位移轮廓并非深度能量分布。

本轮调整 依KO02反馈,主查不再广列基板材料,改用韩语波长、厚度、位移分布、二氧化硅和压电薄膜。主查噪声高后仅作一次修复,加入弹性波并用산화규소替代较少见的이산화규소,保留位移和波长物理维度。

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KO04 韩文第4轮

执行子代理 /root/ko04    承接KO03

检索式 경계 탄성파 매립 IDT 중간층 석영 산화규소 before:publication:20101224

同轮补检式 site:patents.google.com "경계 탄성파" "매립" "산화규소" before:2010-12-24

同轮补检式 site:patents.google.com "경계 탄성파" "중간층" "석영" before:2010-12-24

核验 JPH1022764A 1998-01-23 日期符合; JP2000165185A 2000-06-16 日期符合

结果摘要 主查回退无结果;唯一补查只返回半导体噪声。随后沿KO03明确列出的两篇公开号线索核验2篇早期文献,发现均不是界面波/埋置IDT来源,而是IDT合金耐功率和倒装封装识别来源。两篇日期合格,但无新增满足A–F的对比族;这两篇是上一轮线索核验,不是本轮搜索命中。

本轮调整 依KO03反馈,从波长/位移分布转向경계 탄성파(界面弹性波)、매립(埋置)、IDT、中间层与石英/氧化硅;避免继续将电极制造厚度偏差和横向轮廓作目标E/F。检索过窄且补查落入半导体噪声后,使用上一轮明确留下的两篇公开号核验,纠正其相关性。

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KO05 韩文第5轮

执行子代理 /root/ko05    承接KO04

检索式 site:patents.google.com 러브파 도파층 탄탈산리튬 사파이어 before:2010-12-24

同轮补检式 site:patents.google.com/patent/ "러브파" "도파" "산화" before:2010-12-24

核验 KR101711755B1 2017-03-02 排除或待核; KR20190001535A 2019-01-04 排除或待核

结果摘要 主查回退返回12项、其中同一公开号存在/ko和/en重复,均为后公开题材;唯一补查无结果。核验与Love/LT/蓝宝石最相关的2篇正文,两篇分别公开于2017-03-02与2019-01-04,均不合格。无本轮新增合格独立族。新追溯线索为第二篇引文表中的KR20050021876A、JP2005065050A,尚未打开,不作合格证据;

本轮调整 依据KO04反馈,改用러브파/도파층/LT/蓝宝石材料组合,避开埋置IDT及封装对准噪声。主查过宽且后公开噪声多,唯一补查改为准确Love波/导波/氧化物韩语词组合,但未返回结果。本轮不重开首位WO2010004741A1,接受parent_findings中同实施例diamond/SiO2/LN及图13的更正。

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KO06 韩文第6轮

执行子代理 /root/ko06    承接KO05

检索式 site:patents.google.com 경계파 압전 박막 산화규소 before:2010-12-24

同轮补检式 site:patents.google.com/patent/ KR20050021876A 압전 산화규소

核验 KR20050021876A 2005-03-07 日期符合; JP2005065050A 2005-03-10 日期符合

结果摘要 主查web返回12项,多数为截止后题材;未开这些噪声正文。唯一补查沿KR20050021876A修复定位,返回其EP同族检索摘要等。核验前轮引文中的KR20050021876A与JP2005065050A共2个独立族,具体公开日分别为2005-03-07、2005-03-10,时间合格。

本轮调整 依据KO05反馈,停止Love波材料泛查,主式改경계파/압전 박막/산화규소,并从KR20190001535A引文追两个2005年公开号;补查专用于KR号的韩语定位修复。明确区分早公开与技术覆盖,不把两篇上置SiO2的厚度移至下层。

查询及记录 复用Google Patents查询    KO06.json    KO06_raw.txt

KO07 韩文第7轮

执行子代理 /root/ko07    承接KO06

检索式 site:patents.google.com 깊이 방향 변위 에너지 분포 지지 기판 압전층 산화규소

同轮补检式 site:patents.google.com 탄성파 변위 분포 깊이 압전 산화규소

核验 KR20080093370A 2008-10-21 日期符合; KR20190109521A 2019-09-25 排除或待核

结果摘要 主查返回12项,多为复合基板或晚公开噪声;唯一补查删除泛化支撑词,保留深度位移,返回12项。核验2个独立族:KR20080093370A在2008-10-21公开、含图7深度位移分布但无下置SiO2及F;其族已见本次FR05,属韩语核验而非全局新族。KR20190109521A在2019-09-25公开,仅作后公开追溯,不能作截止前证据。

本轮调整 承接KO06,改用深度方向位移/能量分布的声场维度;Google q仅韩语技术词,日期另置before=publication:20101224,无before:publication。补查删泛化词后找到深度位移图,避开界面IDT和上覆温补检索。

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KO08 韩文第8轮

执行子代理 /root/ko08    承接KO07

检索式 site:patents.google.com 복합 기판 탄성파 변위 접합 산화규소

同轮补检式 site:patents.google.com 감쇠 진폭 지지층 압전막 사파이어

核验 JP2010187373A 2010-08-26 日期符合; KR20190122913A 2019-10-30 排除或待核

结果摘要 主查返回12项,唯一修复改用振幅/衰减与蓝宝石维度,返回12项。核验2个独立族正文。JP2010187373A公开日2010-08-26合格,但为Si(111)/有机接合层/LT或LN,SiO2见于另一FBAR空腔例而非同例SAW;未证E/F。KR20190122913A于2019-10-30公开,明确F两处分布但时间不合格。

本轮调整 承接KO07追JP2010187373A同族并改复合基板/接合词组;唯一修复改衰减/振幅/蓝宝石,实质避开上轮单LT近表面图7。q只技术词,日期独立before=publication:20101224。核查发现JP早公开族无韩语成员;韩语新正文给出F明确语句但晚公开。

查询及记录 复用Google Patents查询    KO08.json    KO08_raw.txt

KO09 韩文第9轮

执行子代理 /root/ko09    承接KO08

检索式 site:patents.google.com 러브파 비누설 전단파 산화규소 고속 기판

同轮补检式 site:patents.google.com 러브파 압전 박막 사파이어 산화 실리콘

核验 JP2005354650A 2005-12-22 日期符合; FR2882205A1 2006-08-18 日期符合

结果摘要 主式及唯一修复各返回12条可见项,非总命中数。指定早期引文2族首次正文核验,均无KR成员,均未补齐A/E/F。完整命中0。

本轮调整 承KO08转早期Love非泄漏SH导波与指定引文路径;主式纯韩语技术词,日期独立before参数。唯一修复增压电膜及蓝宝石,避开接合强度/高阶模。

查询及记录 复用Google Patents查询    KO09.json    KO09_raw.txt

KO10 韩文第10轮

执行子代理 /root/ko10    承接KO09

检索式 site:patents.google.com 다이아몬드 비정질 탄소 산화규소 니오브산 리튬 변위 분포

同轮补检式 site:patents.google.com 다이아몬드 탄성표면파 산화규소 니오브산리튬 변위

核验 JP4245103B2 2009-03-25 日期符合; KR102320449B1 2021-11-02 排除或待核

结果摘要 主式与修复均返回12条可见项(含同族中英页,非总量)。主式大量电池材料误命中;修复结果以截止日后SAW为主。核1个后公开追溯入口及其引用1个早期族;未找到新的合格碳材料波导证据,完整A–F命中0。新增早期引用排除依据1族,不提高现有首位候选强度。

本轮调整 从KO09的Love/非泄漏SH及蓝宝石路径改为金刚石/非晶碳、LN、SiO2和位移分布组合;主式误入电池后唯一修复改用弹性表面波限定,去除导致电池泛化的非晶碳及分离的锂词。

查询及记录 复用Google Patents查询    KO10.json    KO10_raw.txt

该语言10轮完成。

8 文献链接及复核要点

D1  WO2010004741A1  2010-01-14  Google Patents原文

D2  CN101777622A  2010-07-14  Google Patents原文

D3  JPH06326553A  1994-11-25  Google Patents原文

D4  JP2007228225A  2007-09-06  Google Patents原文

D5  US4354130A  1982-10-12  Google Patents原文

D6  JP2004343359A  2004-12-02  Google Patents原文

D7  JP2002016468A  2002-01-18  Google Patents原文

D8  WO2005093949A1  2005-10-06  Google Patents原文

D9  DE102005055870A1  2007-05-24  Google Patents原文

复核应使用本报告所列具体公开件及定位,尤其保留D5的kd′换算、D4的两种λ定义、D3的材料身份问题及D8的日文原意。独立代理记录和原始检索响应保存于本报告同目录的rounds文件夹。

执行核验:6种语言各10轮,60个轮次文件,60个不同子代理,60条不同的主检索记录。该核验仅验证执行数量及记录完整性;文献实质贡献以第4及第5部分为准。


权利要求3

根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时,所述压电膜的膜厚被设为1.5λ以下。


权利要求4

根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时,所述压电膜的膜厚被设为0.05λ~0.5λ的范围。


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B权利要求4专利无效检索报告

六种语言 60轮检索 公开截止2010年12月23日

检索日期 2026年10月17日

1 检索结论

WO2010004741A1是本次检索的首选证据。其2010年1月14日公开的第二实施方式,在同一图11至13方案中给出金刚石层209、下置氧化硅层261、铌酸锂压电体206及上面梳齿电极207;压电体厚度为0.4λ,氧化硅层厚度为0.1λ。两个数值分别落入权利要求4新增的压电膜范围和其引用的权利要求1的低声速膜范围。

建议优先围绕该单篇文献建立新颖性攻击,集中处理金刚石媒质层209是否属于高声速支撑基板,以及文献中的主波波长与权利要求所述IDT周期确定的波长是否对应。材料、层序和数值的对应已有明确出处;支撑基板的术语对应属于需要论证的权利要求解释问题。如结合说明书解释声速术语,还须核对低速膜与LN体波的比较关系。

CN101777622A等文献可提供材料堆叠或制造方面的补强。含悬空腔体、上覆氧化层、仅有电极归一化厚度的文献均单独评价,不能据此直接补足权利要求4。

首选证据 WO2010004741A1  公开PDF

2 目标权利要求和日期范围

项目

核验内容

目标专利

CN103262410B 弹性波装置及其制造方法

专利权人

株式会社村田制作所

目标权利要求

授权权利要求4 直接引用权利要求1

优先权

日本JP 2010-288453 2010年12月24日

公开截止

严格早于2010年12月24日 即截至2010年12月23日

 

根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时,所述压电膜的膜厚被设为0.05λ~0.5λ的范围。

权利要求4须与其引用的权利要求1整体评价。下表保留两个膜层的独立厚度限定。

编号

特征

内容

A

高声速支撑基板

AlN、Al₂O₃、SiC、SiN、SiON、DLC或金刚石,以及权利要求规定的主成分材料或混合物

B

下置低声速膜

位于支撑基板上;SiO₂、玻璃、SiON、氧化钽、掺氟碳硼的SiO₂或规定的主成分材料

C

压电膜和层序

LiTaO₃或LiNbO₃压电膜层叠在低声速膜上

D

IDT电极

形成于压电膜的一面;λ为其电极周期确定的弹性波波长

E

低声速膜厚度

0.1λ至0.5λ;对象是压电膜下方的低声速膜

H

压电膜厚度

0.05λ至0.5λ;这是权利要求4直接增加的限定

 

核验依据为附件权利要求4及2016年8月10日授权文本的权利要求书第1页。Google Patents授权文本

3 首选证据WO2010004741A1

名称为Plate wave element and electronic equipment using same。申请人为Panasonic Corporation,国际申请号PCT/JP2009/003178;公开日2010年1月14日,早于基准日。Google Patents家族号41506868。

核心位置为第二实施方式第0050至0053段及图11至13。原PDF说明书第13至15页对应PDF第14至16页,图11在附图第8页即PDF第34页,图12和13在附图第9页即PDF第35页。

特征

D1对应公开

位置

评价

A

金刚石媒质层209 厚2λ

第0051段 图11

材料明确 支撑基板功能对应需解释

B

下方SiO₂层261 位于209与206之间

第0050至0051段 图11

层序与材料明确

C

LiNbO₃压电体206

第0051段

明确

D

206上面的梳齿电极207 激励波长λ的板波

第0050至0051段 图11

电极明确 λ与周期关系需说明

E

下置SiO₂厚H23为0.1λ

第0051段 跨说明书第14至15页 图13

位于目标范围下端点

H

LiNbO₃厚H21为0.4λ

第0051段 说明书第14页

位于0.05λ至0.5λ内

 

D1正文和日文原文  D1原始公开PDF

图1 D1图11的层叠结构局部 保留原图编号

 

图中209为下方金刚石层,261为下置氧化硅层,206为铌酸锂压电体,207为梳齿电极。图下注明的膜厚符号分别为H22 H23 H21。来源为D1图11。

支撑基板与波长的对应

图11的下部层叠从下到上为金刚石209、氧化硅261和铌酸锂206,电极207在206的上面。上方另有氧化硅211及金刚石208。权利要求使用具备式表述,额外上层是否影响落入范围,应结合权利要求整体解释,不能仅因上层存在就排除该文献。

原文称209为媒质层。第二实施方式说明208和209可充当外壳并省去空隙,且第0053段讨论209承载压电体的接合或成膜工艺,可为其支撑作用提供依据。报告将这种作用对应列为论证点,并不把名称不同自动视为结构差异。

文献的λ是梳齿电极激励的主要板波的波长;其与IDT周期的关系应在无效理由中明确。权利要求4本身未限定只能使用表面波,故不能仅凭Lamb波或板波名称不同就排除该文献。波型差异仍可能影响权利要求解释及组合动机。

第0051段在图13比较描述中出现媒质层211和206的编号,前后文及图11至13均将两低速层标作211和261。应保留原文编号问题,并用材料描述、层序和图号共同解释,不据单处编号误写改变膜层对象。

声速比较对象也须保持一致。D1明确外侧媒质的横波快于主要板波,以及低速层横波慢于外侧媒质横波。授权权利要求1以具体材料列表表述高低声速结构;如结合说明书进一步解释这些术语,还应核对SiO₂与LN的相应体波声速关系,不能把声阻抗或不同模式的相速度互相替代。

第0051段的数值是同一方案:H21为0.4λ,H22为2λ,H23在图13比较例中为0.1λ。0.1λ包含在E的端点范围内。无需从第一实施方式移入厚度,也无需把不同材料实施例拼接。

对数值范围的比较采用已公开具体数值落入目标范围的规则;文献不必复述目标范围的两个端点。该规则以其余技术特征对应为前提,因而A和D的术语解释仍须完成。

审查指南第二部分第三章第3.1节及第3.2.4节

同族CN102089970A于2011年6月8日公开,可辅助阅读中文术语;US20110109196A1于2011年5月12日公开。两者均不能取代WO文献的2010年公开证据,也不计作新增来源。

4 补强文献和组合价值

编号

公开号和公开日

可贡献内容

主要缺口

D2

CN101777622A
2010-07-14

金刚石 SiO₂ LN材料堆叠

无具体IDT及波长 不能直接确定E和H

D9

JP2007228225A
2007-09-06

LN或LT一般选项 压电层优选0.20至0.30λ 下置SiO₂选项

SiO₂温补层厚度未量化 缺E

D11

JP2004282231A
2004-10-07

LN本体kh为2至3 换算H约0.3183至0.4775λ

下方为半导体ZnO底电极层 缺指定低速膜及E A对应需解释

D3

EP0616426A1 及 JPH06326553A
1994-09-21 及 1994-11-25

高速非晶碳与LN薄层 下置SiO₂技术来源

DLC身份及不同实施例的H和E关联待证

D4

FR2788176A1
2000-07-07

薄压电层向支撑转移 SiO₂分子接合

未明确同时满足两个归一化厚度范围

D5

DE102009046875A1
2010-05-20

LN压电膜h/λ为0.20 薄膜厚度证据

激励区悬空 缺连续下置低速膜及E

D6

CN101292423A
2008-10-22

按IDT波长设LN厚0.155λ

悬空膜 缺B和E及完整支撑层序

D7

JP2003017967A
2003-01-17

LN薄膜0.4μm与金刚石支撑制造

未给同例λ 氧化层位置不对应E

D8

US20030199105A1
2003-10-23

LN或LT向蓝宝石金刚石转移

绝对厚度不能自动转为H 缺E

D10

JP2004282232A
2004-10-07

一般LN或LT压电膜kh为0.5至1.5 换算H约0.0796至0.2387λ

缺下置低速SiO₂和E 高速硬质层另有底基

 

D9的压电层厚度独立于缓和层厚度

JP2007228225A的压电层14一般材料列表包括LN和LT;紧接的厚度段落推荐0.8乘λ除4至1.2乘λ除4,即0.20λ至0.30λ,更优选0.225λ至0.275λ。该段与声缓和层13的厚度段分开,应按膜层编号逐一引用。

该文献还允许SiO₂温补层位于压电层与声缓和层之间,因而可贡献下置SiO₂的结构选择;但未给此温补层的目标归一化厚度。其ZnO数值仿真不能直接作为LN或LT的实测结果。

JP2007228225A原文及权利要求6

D11的LN专属厚度窗口

JP2004282231A第0014段及权利要求6针对LN压电层给出kh为2至3;k为2π除以λ,故h除以λ约为0.3183至0.4775。第二实施方式将LN与前例ZnO区分,可提供LN本身的H证据。其下方采用半导体ZnO底电极层,不能据此补足本案指定低声速膜和E;高速硬质层的支撑作用也须单独解释。

JP2004282231A原文及权利要求6

D2的绝对膜厚与设计计算

D2实施例一给SiO₂厚0.13μm和LN厚0.45μm,实施例二给0.3μm和0.6μm。若仅从数学上求可同时满足E和H的波长,前者为0.9至1.3μm,后者为1.2至3μm。这些区间是检索分析中的设计计算,原文没有给出这样的IDT或λ,不能当作D2已直接公开两个范围。

可具体审查的备选组合为D2实施例二加D9的压电层厚度设计:若将0.6μm的LN厚度选为0.25λ,便得到λ为2.4μm,0.3μm的SiO₂厚度为0.125λ。两个比值均在目标范围内。该计算仅说明组合在几何比例上可相容;电极周期选择的启示、实际声学模式及效果可预期性仍需论证。

D3共同优先权与实施例边界

EP0616426A1和JPH06326553A均列日本JP53431 93即1993年3月15日优先权,发明人和主要技术内容重合;Google家族编号分别为12942660和26394142。报告按共同技术来源合并评价,不把编号不同或语言不同累加为独立攻击证据。图15的LN厚度与图20的SiO₂中间层须分别定位,不能仅凭效果引用就自动组成一个全部特征方案。

可采用的无效论证路径

顺位

证据路径

贡献及逻辑

仍须论证

优先路径

D1单篇新颖性

按A B C D E H逐项比对 同一图11至13方案

处理209的支撑作用以及λ与IDT周期的对应

备选路径

D2结合D9的SAW厚度设计

D2的金刚石 SiO₂ LN堆叠 加D9的IDT和压电膜0.20至0.30λ设计

仍需证明下置SiO₂的E选择及具体组合动机 不可把缓和层厚度移作温补层

备选路径

D2结合D11的LN厚度窗口

D2提供金刚石 SiO₂ LN层序 D11提供LN专属亚波长厚度及IDT

须说明将带半导体底电极体系的厚度设计用于SiO₂体系的动机和可预期性

备选路径

D2结合D1的电极及厚度设计

D2材料堆叠与D1量化的薄层声学设计可相互参照

须证明将D1设计用于D2材料制备体系的动机和可预期性

补强路径

D3或D4结合D5或D6

直接接合或低速中间层骨架 加亚波长LN或LT厚度启示

悬空板波与实心支撑的边界条件不同 不能只拼数值

 

单篇新颖性评价采用全部技术特征逐项对应;多篇组合另行评价创造性,并说明技术问题、组合动机和边界条件。现有证据支持优先深入D1,但检索命中本身不等于已经获得无效宣告结论。

评价框架参照专利法第二十二条及单独对比原则。国家知识产权局2008年修正专利法

5 六语检索方法和去重规则

以2010年12月24日为优先权基准,严格选取公开日在该日前的文献,即最晚2010年12月23日。优先权早于基准而首次公开晚于基准的成员仅用于引文或译文核对。

中英文日文法文德文韩文各10轮,共60轮。每轮均单独调用一个子代理执行,三个子代理复用,每次仅执行指定语言的一轮。每一语言的后轮根据前轮结果切换材料、层序、声学模式、数值、制造工艺或引文方向。

每轮构造含before=publication:20101224的Google Patents检索链接并尝试访问。原生结果列表受工具访问限制时,使用site:patents.google.com域名检索进入,再核验Google Patents正文;首选文献D1另核公开PDF及原始附图。域名检索的日期限制不替代具体公开号的公开日核验。

检索语言与文献国别分别处理。法德韩检索可以返回其他国家专利或翻译页,同族重复返回不计作新来源。Google家族编号用于初步去重,共同优先权且实质内容重合的记录进一步合并技术来源。

对h/λ与kh分别核对。若k为2π/λ,kh需要除以2π才能转成h/λ。电极厚度、覆膜厚度、光学波长和亚波长压电厚度分别记录;绝对微米数缺少同例λ时,不作直接归一化公开。

语言

主要术语

中文

压电膜 膜厚 波长 低声速膜 金刚石 氧化硅

英文

piezoelectric film normalized thickness wavelength low velocity layer diamond silicon dioxide

日文

圧電薄膜 規格化膜厚 波長 低音速層 ダイヤモンド 酸化ケイ素

法文

couche piézoélectrique épaisseur normalisée longueur d’onde couche lente diamant silice

德文

piezoelektrische Schicht normierte Dicke Wellenlänge Zwischenschicht Diamant Siliziumdioxid

韩文

압전 박막 정규화 두께 파장 저음속층 다이아몬드 산화규소

 

语言

轮次

合格日期记录数

轮次编号

中文

10

7

ZH01, ZH02, ZH03, ZH04, ZH05, ZH06, ZH07, ZH08, ZH09, ZH10

英文

10

7

EN01, EN02, EN03, EN04, EN05, EN06, EN07, EN08, EN09, EN10

日文

10

5

JA01, JA02, JA03, JA04, JA05, JA06, JA07, JA08, JA09, JA10

法文

10

7

FR01, FR02, FR03, FR04, FR05, FR06, FR07, FR08, FR09, FR10

德文

10

3

DE01, DE02, DE03, DE04, DE05, DE06, DE07, DE08, DE09, DE10

韩文

10

2

KO01, KO02, KO03, KO04, KO05, KO06, KO07, KO08, KO09, KO10

 

合格日期记录数仅表示该语言各轮实际核验且公开时间合格的不同公开号,包含部分相关文献;跨语言及同技术来源仍有重复,不能将各行数字相加作为独立有效证据数。零新增结果也保留实际检索记录。

6 经核验的截止日前专利记录

公开号和名称

公开日

Google家族或来源

实际核验轮次

US3965444A
Temperature compensated surface acoustic wave devices

1976-06-22

24147093

EN01

FR2474243A1
Dispositif générateur d’ondes acoustiques de surface

1981-07-24

15825082

FR07

EP0616426A1
Surface acoustic wave device having a lamination structure

1994-09-21

12942660

FR02

JPH06326553A
表面弾性波素子

1994-11-25

26394142

JA02

US5838089A
Acoustic wave devices on diamond with an interlayer

1998-11-17

25183273

FR08

FR2788176A1
Dispositif à ondes acoustiques guidées dans une couche mince de matériau piézo-électrique collée par une colle moléculaire sur un substrat porteur et procédé de fabrication

2000-07-07

9534704

FR01

KR20010083777A
지지 기판상에 분자 접합제로 접합되는 압전 재료의 박층에서 안내되는 표면 음파 장치와, 그 제조 방법

2001-09-01

9534704

KO02

JP2002016468A
Surface acoustic wave device / 弾性表面波装置

2002-01-18

18697191

ZH02

JP2002152000A
Surface acoustic wave device

2002-05-24

18820739

EN05

JP2003017967A
弾性表面波素子及びその製造方法

2003-01-17

19035213

JA03

US20030199105A1
Method for making piezoelectric resonator and surface acoustic wave device using hydrogen implant layer splitting

2003-10-23

29215074

EN03

WO2003098800A2
Dispositif à ondes acoustiques d’interface en tantalate de lithium

2003-11-27

27799062

FR06

JP2004282231A
弾性表面波デバイス及びその製造方法

2004-10-07

33285710

JA08

JP2004282232A
弾性表面波デバイス

2004-10-07

33285711

KO04

JP2004343359A
弾性表面波素子の製造方法

2004-12-02

33410745

JA01

WO2005069486A1
Dispositif à onde limite acoustique / Acoustic boundary wave device

2005-07-28

34797762

FR03

JP2005354650A
Surface acoustic wave device

2005-12-22

35588686

ZH09

DE102004045181A1
SAW-Bauelement mit reduziertem Temperaturgang und Verfahren zur Herstellung

2006-03-23

35426948

DE02

WO2006114930A1
Boundary acoustic wave device / 弾性境界波装置

2006-11-02

37214561

ZH04

US20070182279A1
Surface acoustic wave device and electronic apparatus

2007-08-09

38333343

EN01

JP2007228225A
弾性表面波デバイス

2007-09-06

38549590

JA04

JP2007312164A
Piezoelectric thin film resonator, high frequency filter and high frequency module using the same

2007-11-29

38711370

ZH06

CN101292423A
兰姆波器件

2008-10-22

37962332

ZH03

US20090066189A1
Boundary acoustic wave device

2009-03-12

38778360

EN09

WO2010004741A1
Plate wave element and electronic equipment using same

2010-01-14

41506868

FR09, ZH03

DE102009046875A1
Lamb-Wellenvorrichtung

2010-05-20

42105370

DE01

US20100141086A1
Surface acoustic wave devices

2010-06-10

42230286

EN02

JP2010153961A
Method of manufacturing compound substrate, and compound substrate

2010-07-08

42572579

EN02

CN101777622A
LiNbO3/SiO2/金刚石多层压电膜及其制备方法

2010-07-14

42514012

ZH01

WO2010082571A1
Piezoelectric device and method for manufacturing piezoelectric device

2010-07-22

42339825

DE03

 

公开号均可点击打开Google Patents正文。记录表不将后公开的同族成员列为截止日前证据。各文献的具体贡献、缺口及原文位置见随后逐轮记录。

7 六语逐轮检索记录

以下保留每轮主检索式及必要的修复或收窄式。所有原生检索链接均采用公开日前限20101224。每轮的子代理调用独立进行,同一语言的后轮读取前轮结果并调整。访问方式统一说明为原生结果列表受限后进行域名检索,再访问专利正文;具体差异在结果中列出。

中文10轮检索

ZH01 中文第1轮

主式  弹性波 压电薄膜 低声速膜 金刚石 二氧化硅 厚度

补充式  声表面波 金刚石 铌酸锂 二氧化硅 薄膜 before:2010-12-24

调整依据  中文首轮从金刚石/SiO2/LN多层声表面波的材料堆叠起步;初始低声速术语集中命中后公开文献,修复时改为早期常用的声表面波/铌酸锂/多层薄膜材料词,并添加日期词。

结果和取舍  域名检索未产生新的截止日前候选;按协议已知线索实际核验CN101777622A全文,确认其2010-07-14公开以及金刚石/SiO2/LN层序和绝对厚度。该文献能贡献A、B、C及层序,尚不能凭它单篇认定覆盖权4全部特征。

证据定位  CN101777622A Google Patents全文L38–42公开日;说明书发明内容L78;实施例一L91–94;实施例二L98–101;权利要求1–4,L109–124;家族ID L144–152

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ZH02 中文第2轮

主式  压电薄膜 蓝宝石 二氧化硅 波长 厚度 铌酸锂

补充式  声表面波 复合基板 玻璃 接合 氮化铝 厚度 before:2010-12-24

调整依据  读取ZH01与主代理复核后,从金刚石/LN沉积材料堆叠转向蓝宝石及AlN/Al2O3支撑、玻璃接合及压电薄膜厚度。初式大量命中后公开,修复式改为早期复合基板、玻璃、接合术语。

结果和取舍  本轮域名命中仍以后公开为主;依据已知早期玻璃接合线索核验JP2002016468A,新增坐实其LN/LT材料、Al2O3/AlN支撑、下置玻璃、IDT以及压电板30–100μm(实施例50μm)的具体披露。E/H均未确认,材料/结构可贡献但不能作为完整单篇公开。

证据定位  JP2002016468A 公开日GP L36–40;段0022–0025(L221–256)结构/玻璃/Al2O3/AlN/IDT;段0043–0044(L343–363)IDT尺寸和压电板厚度;段0048(L378–397)实施例50μm;权1–3(L499–506);家族L525–533。

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ZH03 中文第3轮

主式  板波 金刚石 铌酸锂 氧化硅 厚度 波长

补充式  兰姆波 金刚石 氧化硅

调整依据  从ZH02玻璃接合封装与厚板减薄转为板波/金刚石/氧化硅/归一化双层厚度,并按主代理PDF新发现核中文家族对照;不将WO第二实施方式按第一实施方式缺A而排除。

结果和取舍  确认WO2010004741A1第二实施方式图11–13同一构造:LN H21/λ=0.4,金刚石H22/λ=2,上下SiO2 H23/λ=0.1。CN102089970A于2011-06-08公开,只作中文译文辅助,不能取代WO2010公开日。沿引文另核截止日前中文CN101292423A(2008-10-22)明确IDT波长下LN厚0.155λ和LN/LT多个0.09–0.30λ窗口;但为悬空膜,缺下置SiO2/高速支撑完整层序。

证据定位  WO2010004741A1 GP L36–37公开日;图11结构L448–454;同一图12/13数值L455–459,日文原文与英语机器翻译并列。中文辅助CN102089970A L237–239;中文L225解释介质层可作外壳、无空隙。WO原PDF[0050]–[0051]由主代理另存核验。

证据定位  CN101292423A GP L37–42公开日;实验例1 L201–227,尤其L227;LN参数L143–149及权2 L281–293;LT参数L150–156及权3 L295–304;悬空结构L201及L217;家族L330–348。WO对应公开日2007-04-26(其L36–42)。

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ZH04 中文第4轮

主式  界面波 压电薄膜 氧化硅 氮化硅 基板 厚度

补充式  "弹性边界波" "氧化硅" "高速"

调整依据  读取ZH03后从板波/金刚石/双厚度转向界面波、SiN高速介质和SiO2中间层,重点区分压电体基板与薄膜、介质层与支撑功能。修复式用早期名称弹性边界波与高速替代泛压电薄膜,避免重复FR03的DLC导热层。

结果和取舍  WO2006114930A1(2006-11-02)公开SiN/SiO2/IDT/LN界面波堆叠,SiO2取0.5λ且建议≤0.5λ,说明高速两侧介质夹持低速层以约束声能。但其模拟的LN与SiN均无限厚,LN是基板,不能满足H;原图SiO2位于LN的IDT面之上,不能不经说明就写成目标压电膜下置低速层,SiN介质也不能自动改称支撑基板。

证据定位  WO2006114930A1 GP L34–39公开日;段0051–0056(L858–876)层序、IDT与低速夹层;段0058(L880–887)SiO2=0.5λ且第一/第二介质均无限厚;段0065(L907–910)材料声速;段0083–0085(L989–993)≤0.5λ;族ID L1142–1158。

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ZH05 中文第5轮

主式  弹性波 铌酸锂 (氮氧化硅 OR 氧化钽 OR 掺氟 OR 掺硼) 薄膜 厚度

补充式  "声表面波" "氟" "氧化硅" 膜 钽酸锂

调整依据  读取ZH04后改为权1低速材料替代:SiON、TaOx、掺F/B的SiO2与LN薄膜声学厚度。修复式聚焦氟与氧化硅、LT、声表面波,避免半导体掺杂与一般SiO2噪声。

结果和取舍  零新增截止前合格主证据。本轮确实覆盖SiON/TaOx及F/B/C掺杂SiO2方向,但域名结果均为后公开或目标相关族。正文确认CN109039298A中掺杂对象是温度补偿介质膜,然而其位于IDT上方且2018-12-18公开,不能用于本目标截止日前下置低速膜证据。

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ZH06 中文第6轮

主式  固贴式 声镜 叉指 压电薄膜 铌酸锂 波长

补充式  site:patents.google.com 声学镜 交替 阻抗 压电 叉指 before:2010-12-24

调整依据  ZH05针对SiON、TaOx及掺F/B的SiO2材料替代无合格新证据;本轮改为固贴式声镜、交替声阻抗层与IDT,重点检验声镜四分之一波长能否对应E,以及h是否真为LN/LT的H。避开已核US20080211602A1的800nm AlN例。

结果和取舍  中文主检索与修复式主要返回2018—2025年固贴式/声光器件;搜索引擎before条件未可靠排除后公开,逐件按公开号日期筛选。依WO2010004741A1的既知在先引文入口核验新技术族JP2007312164A:其确有IDT及Bragg声镜,但反射层λ为−z方向各材料中的波长,和横向IDT周期λ0分开定义;数字0.05—10及0.1—1涉及双压电层与电极的总叠层厚h,且实际为AlN/Mo,不是单层LN/LT的H。本轮没有新增直接覆盖E、H的合格文献,保留该在先技术作声镜一般概念与负筛边界。

证据定位  JP2007312164A Google Patents正文图1—3对应L174—190;材料与总叠层尺寸L200—203;图6对应L230—232;图8—11对应L236—247;图12—15对应L250—260;图16—17对应L262—275;公开日L36—37及L487—489;同族信息L491—505、740—742。

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ZH07 中文第7轮

主式  (剪切水平波 OR 勒夫波) (铌酸锂 OR 钽酸锂) 薄膜 二氧化硅 厚度

补充式  site:patents.google.com "声波" "导波层" "钽酸锂" 厚度 before:2010-12-24

调整依据  ZH06声镜路线中λz和IDT横向λ0不同,h为双压电叠层总厚。本轮改检剪切水平/勒夫导波、LN或LT薄膜、二氧化硅及导波层,试图排除上覆厚压电基板和Bragg厚度混淆。没有重读已知厚体US20090108961及US20080292127。

结果和取舍  本轮零新增截止日前贡献文献。主检索返回2023—2025年光学与声光薄膜结构;修复式中before条件未可靠筛除2026年文献,检索命中只有当代Love波传感与ZnO/AlN/Si及一件光学显示面板。实际核验CN118688986A虽具蓝宝石/SiO2/LN/IDT及类勒夫波,但2024-09-24公开,不能用于2010前无效证据。未将光学波导λ、上覆Love导波层或指宽当作目标E/H。

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ZH08 中文第8轮

主式  (剥离 OR 晶片转移) 压电薄膜 (铌酸锂 OR 钽酸锂) 叉指 波长 蓝宝石

补充式  site:patents.google.com "离子注入" "声表面波" "铌酸锂" "波长" before:2010-12-24

调整依据  ZH07的SH/Love术语大量返回近年声光或光学器件,本轮改为剥离、晶片转移和离子注入与LN/LT、叉指和波长交叉,寻找转移膜实际声学器件的同例厚度及完整IDT周期。避免重读已知无λ的US20030199105/JP2003017967及FR2788176原有内容。

结果和取舍  零新增符合截止日期的贡献文献。主式多为2019年以后SAW/声波制造,且“剥离”经常只是金属lift-off;修复式最接近的是2012年优先权、2014/2016公开的CN104205629A/B,含薄LN和低速膜数值但本身不合日期。其前引文是已知JP2004282232A,无新增历史族。未将金属剥离、光学激光波长、IDT电极厚度或后公开双厚数值混入H/E。

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ZH09 中文第9轮

主式  铌酸锂 薄板 导波 电极 周期 厚度 (氧化铝 OR 氮化铝) -硅

补充式  site:patents.google.com "声表面波" "铌酸锂" "kh" before:2010-12-24

调整依据  ZH08剥离/转移路线被近年制造覆盖,本轮改用旧薄板导波、电极周期、Al2O3/AlN及排硅词;主式仍被电光器件占据,于是修复式明确声表面波及kh,不重复已核JP2004282231A、JP2004282232A、JP2007228225A。用审查引证追溯补查H范围。

结果和取舍  新增核目标审查引证JP2005354650A(2005-12-22)。其同一泛用实施方式列LN候选、下置SiO2/Ta2O5等绝缘层,并给压电层khp=.005—2.5,即tp/λ≈.000796—.397887,与H部分重合。缺具体目标高速支撑和E;ZnO专用kh及测试实例未移给LN。中文主/修检索其余命中为光学后公开或电极/上覆保护层厚度,未当成H。

证据定位  JP2005354650A 公开日L34—35、L332—338;泛用层叠与LN、kh定义L200—208;IDT L210—213;指宽/间隙/结构对应L222—226;ZnO专用模型L266—278和实物L279—284;权8—10 L313—315。

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ZH10 中文第10轮

主式  (氮化铝 OR 氧化铝 OR 碳化硅 OR 金刚石) 氧化硅 (铌酸锂 OR 钽酸锂) "0.5" "0.1" 波长 -CN103262410B -CN102089970A -CN101777622A

补充式  site:patents.google.com H03H9/02574 "氧化硅" "压电膜" "0.05" before:2010-12-24 -CN103262410B -CN103262410A -CN106209007A

调整依据  读ZH09的泛用LN/kh范围与FR09的D1实心封装功能后,本轮收束至高速材料+下置SiO2+LN/LT+双厚数字的同时组合,排除已知公开号减重复;修复式以H03H9/02574及.05检索不同表达,避免再泛搜剥离或光学周期。

结果和取舍  本轮零新增截止日前贡献族。高精度主式返回目标CN103262410A/B自身及2020年后材料广列/电极/上覆温补层;排除公开号未被域名搜索可靠执行。修复式主要为MEMS/PZT麦克风、水听器、泛接合层与光学膜,0.05—0.5多为μm或电极厚。没有发现另一个早公开完整族,也不据现代同族或数据追溯宣称早披露。

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英文10轮检索

EN01 英文第1轮

主式  "surface acoustic wave" "lithium niobate" "silicon dioxide" diamond thickness wavelength

补充式  site:patents.google.com/patent/ "diamond" "lithium niobate" "piezoelectric" "2008" "thickness"

调整依据  首轮以声表面波 金刚石 LN 氧化硅和两层厚度建立基线,核对各材料是否同处一实施例。

结果和取舍  US20070182279A1于2007年8月9日公开,可贡献金刚石层、LN或LT备选材料及IDT;但SiO₂为上覆层,kh为0.82的数值仅对应ZnO,不能用于H。US3965444A于1976年6月22日公开,仅提供上覆氧化层温补背景,其压电基板为多波长厚度,缺目标E和H。后轮转实心接合结构。

证据定位  US20070182279A1 Claims 1-4; description Embodiment 1, FIGS.1-3, Google Patents lines 414-430; numeric KH definition and ZnO value lines 465-467; publication lines 32-36; family lines 593-607.

证据定位  US3965444A Description preferred embodiments FIGS.1-5, Google Patents lines 313-323; publication lines 33-34; family lines 492-509.

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EN02 英文第2轮

主式  "bonded" "lithium tantalate" sapphire "silicon oxide" thickness wavelength

补充式  site:patents.google.com/patent/ "lithium niobate" "glass" "aluminum nitride" "bonding" "2001"

调整依据  由EN01金刚石上覆层结构转向LN或LT与蓝宝石 AlN的接合结构,并用玻璃及历史接合文献修复低命中检索。

结果和取舍  JP2010153961A于2010年7月8日公开,允许LN或LT背面的SiO₂厚0.1至5μm及蓝宝石 AlN 氧化铝支撑,但有额外有机胶且缺对应声波λ。US20100141086A1于2010年6月10日公开,仅有机接合,LT实例厚度为5至15λ。两者可提供制造或结构线索,不能直接确认E和H。

证据定位  JP2010153961A Description lines117-126 (optional back SiO2 0.1–5μm, support list and organic glue); FIGS.1-3 and claims3-4 lines186-193; publication lines40-41; family line229.

证据定位  US20100141086A1 FIGS.1-3; description lines475-488 (materials, glue, electrode); Example7 lines596-598 (10μm LT, 0.14μm electrode=7%λ); claims1,2,7,9 lines677-698; date lines34-35; family739.

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EN03 英文第3轮

主式  "hydrogen implantation" "lithium niobate" "surface acoustic wave" "layer splitting"

调整依据  从常规薄板接合改为氢离子注入 分层和薄层转移,寻找可制造亚波长LN或LT的早期技术。

结果和取舍  US20030199105A1于2003年10月23日公开,允许LN或LT向蓝宝石或金刚石转移,并形成上面电极。其100至2000nm薄膜范围缺少同例IDT周期,不能直接确定H;半导体实例中的氧化层也不能移作E。与JP2003017967A是不同家族。

证据定位  US20030199105A1 Description[0068]-[0072],FIGS.10-11 (lines424-431); claims15-19(lines541-558); publication lines34-35; family ID593.

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EN04 英文第4轮

主式  "surface acoustic wave" "lithium niobate" "silicon nitride" "low acoustic velocity"

补充式  site:patents.google.com/patent/ "lithium niobate" "silicon carbide" "layer" "2004" "oxide"

调整依据  由EN03离子分层制造转至SiN/AlN/SiC高速层与LN、下置低速层声学结构。修复式增加SiC与历史2004上下文,以减少近期同语句重复族。

结果和取舍  本轮无新增合格的截止日前贡献文献。接近的US9413334B2同时有SiO2 E=0.20λ、LN H=0.20λ,但优先权2012、最早同族WO公开2013,必须排除。其旧引文US20060114081A1实际为Si/SiO2/ZnO半导体集成平坦化结构,不是目标LN/LT高声速支撑结构。

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EN05 英文第5轮

主式  "guided acoustic wave" "lithium niobate" "thickness" "wavelength"

补充式  site:patents.google.com/patent/ "lithium niobate" "kh" "silicon dioxide" sapphire

调整依据  由EN04现代高速/低速措辞改为guided acoustic wave及厚度波长;发现guided薄板仅定性后,修复式转kh和SiO2归一化,以核对数值归属。

结果和取舍  新增一件截止日前归一化厚度设计背景族JP2002152000A,但数值kh=.1–2对应ZnO和上覆SiO2;LN/LT仅备选,不能直接贡献目标H/E。US20080156100A1导波传感器无可对应的压电膜h/λ和目标高速支撑,未提升为候选。

证据定位  JP2002152000A A1权利要求2、6、7及图2;B2说明书[0010]、[0016]、[0027]、[0030]、[0033](GP行240、253、281、287、293);A1日期行36-40、家族427。

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EN06 英文第6轮

主式  ("lithium niobate" OR "lithium tantalate") "piezoelectric thickness" "silica" "wavelength"

补充式  site:patents.google.com/patent/ "lithium niobate" "quarter wavelength" diamond before:2010-12-24

调整依据  由EN05导波/kh转查LN/LT自身piezoelectric thickness与silica波长配对;修复式追四分之一波长及diamond,继而追既有SAW文献旧引文,核对上下层与材料归属。

结果和取舍  未新增可补目标E/H的截止日前证据。严格厚度式主要落入后公开XBAR;quarter wavelength大量为光学或体波厚度。引文JPH06232677A虽列LN/LT压电层和diamond/DLC,但下置层为导电金属氧化物、SiO2为上覆,未给LN/LT目标H;JPH0998059A归一化数值仅ZnO和上覆SiO2,排除。

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EN07 英文第7轮

主式  ("Love wave" OR Sezawa) ("lithium niobate" OR "lithium tantalate") "film" "silicon dioxide" wavelength

补充式  site:patents.google.com/patent/ ("Love waves" OR Sezawa) "piezoelectric film" glass thickness before:2010-12-24

调整依据  由EN06四分之一波长/早期diamond引文改Love/Sezawa导波模式与薄膜、SiO2;修复式放宽LN/LT词以捕捉早期Sezawa,避免只用现代low-velocity措辞。

结果和取舍  无新增可补H/E的合格来源。新追JP2010187373A(2010-08-26,族42336479)虽涉及LN/LT、Si支撑及可选SiO2,但实测主要为LT20或30μm/有机胶,无声λ归一化;不能据后公开文献对其SiO2层的概括反推E/H。Love/Sezawa旧命中主要为ZnO膜或上覆薄膜,不满足目标层位/材料。

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EN08 英文第8轮

主式  H03H9/145 "lithium niobate" "glass" "bonded" thickness

补充式  site:patents.google.com/patent/ "lithium niobate" "glass" "interdigital" "microns" before:2010-12-24

调整依据  由EN07 Love/Sezawa模式检索转旧分类H03H9/145交叉glass bonded/thickness;主式光学偏多后,修复式加入interdigital/microns寻找同一声学实例的尺寸。

结果和取舍  无新增目标H/E配对证据。EP1596972B1为旧LN+IDT/玻璃液体驱动结构,虽明确λ为双指间距,但压电件厚为数十μm至数mm,玻璃是声传播主体,没有目标A与夹层E。EP0598395A1的2μm低折射层和1.5μm光波长属于光学结构,不能折算为E或H。分类域名替代检索未实现原生分类过滤,不据此声称全面分类查全。

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EN09 英文第9轮

主式  (Ta2O5 OR "silicon oxynitride" OR "boron doped silica") ("lithium niobate" OR "lithium tantalate") "underlying" "acoustic"

补充式  site:patents.google.com/patent/ "tantalum oxide" "lithium niobate" "interdigital" thickness before:2010-12-24

调整依据  由EN08玻璃接合/分类改Ta2O5、SiON、掺硼硅氧材料及underlying acoustic;主式光学差分波导偏多后,修复式用interdigital明确声学器件。

结果和取舍  新增一件截止日前Ta2O5低声速材料/归一化设计背景US20090066189A1,但未补目标下置E或压电H。其Ta2O5在LN上方SiO2之间,实测LN500μm/λ3.42μm约146.2λ;上覆SiO2约.199λ虽数值落E范围,层位不符,不能记E。

证据定位  US20090066189A1 GP行225至233、图1(层序、Ta2O5声速);行468至472、图3至8(Ta2O5归一化厚度);表5行493至502(λ及所有层厚);行599、604(日期/家族)。

Google Patents原生检索链接  子代理B单轮执行  原始记录 EN09

EN10 英文第10轮

主式  ("lithium niobate" OR "lithium tantalate") (diamond OR sapphire OR "aluminum nitride") "silicon dioxide" "0.05" "0.1" "0.5" interdigital

补充式  site:patents.google.com/patent/ "piezoelectric film" "silicon dioxide" "0.05" "0.5" wavelength sapphire before:2010-12-24

调整依据  由EN09非SiO2低速膜切回完整层序与H/E双窗口,同时约束LN/LT、高速支撑备选、SiO2和IDT;修复式放松材料组与.1端点,保留.05/.5及波长以查漏。

结果和取舍  本轮无新增截止日前完整覆盖族,也未补新的同例E/H。精确数字主式只得到半导体/后公开热结构噪声;修复式旧族JP2006066795A的.05/.4/.5是Pb-Bi-Zr/Ti-Nb/Ta钙钛矿成分参数,不是h/λ且非LN/LT。其他接近完整层序的结果为后公开文献。英文10轮据此收束,不把无新结果写成已知D1失效或全球查全。

Google Patents原生检索链接  子代理B单轮执行  原始记录 EN10

 

日文10轮检索

JA01 日文第1轮

主式  弾性表面波 サファイア 酸化シリコン 圧電薄膜 膜厚 波長

补充式  site:patents.google.com/patent/ タンタル酸リチウム サファイア 酸化シリコン 膜厚 波長 before:2010-12-24

调整依据  日文第1轮;以蓝宝石/SiO2/压电薄膜材料组合和归一化膜厚为入口。首式混入大量后公开AlN、ZnO及新近薄层文献,故同轮一次收窄至タンタル酸リチウム。未有上一日文轮次。

结果和取舍  完成主式及一次日文收窄检索。可核验的截止日前重要结构线索为JP2004343359A;确认其LT30μm/波长约2.1μm,H约14.29λ,远离权4,不能误报H。第三实施形态列LT/SiO2/蓝宝石/IDT,但SiO2中间膜厚未给出;AlN15nm实例不等于SiO2厚度。另一命中JP2004336600A仅作材料/引文线索。未发现单篇同时公开A–E及H的新颖性文献。

证据定位  JP2004343359A 公开日:首页Publication date,网页行48–53;[0036];[0045]–[0047]图1–3;[0051];[0057]–[0059]图7;[0064];[0068];[0083]–[0085]。

Google Patents原生检索链接  子代理C单轮执行  原始记录 JA01

JA02 日文第2轮

主式  非晶質炭素 ニオブ酸リチウム 酸化シリコン 圧電 膜厚 波長 kh

补充式  site:patents.google.com "非晶質炭素" "ニオブ酸リチウム" "膜厚" -2025 -2024 -2023 before:2010-12-24

调整依据  已读JA01及parent_findings;从蓝宝石厚板接合转到非晶碳高速支撑/LN/SiO2,重点追查压电膜厚与DLC材料身份,不重复JA01同族。

结果和取舍  本轮确认旧线索的新段落:[0180]/[0182]的LN厚0.25–1λ与目标H部分重叠,但属于无SiO2的实施例3-2;[0228]的插入SiO2实施例4-2引用3-2效果,却未独立重述H,宜作组合/设计启示。DLC身份未证实,无完整新颖性结论。搜索同族JP3435789B2仅去重。

证据定位  JPH06326553A [0175]–[0182](图15,实施例3-2);[0194]–[0202];[0224]–[0228](图20,实施例4-2);权29;首页公开日1994-11-25;Family ID26394142。

Google Patents原生检索链接  子代理C单轮执行  原始记录 JA02

JA03 日文第3轮

主式  イオン注入 剥離 転写 圧電薄膜 ニオブ酸リチウム 膜厚 電極周期

补充式  site:patents.google.com "イオン注入" "ダイヤモンド" "弾性表面波" before:2010-12-24

调整依据  已读JA02;从非晶碳薄板接合改为离子注入剥离/转移薄LN及IDT周期。首式后公开结果较多,唯一一次收窄为イオン注入+ダイヤモンド+弾性表面波。

结果和取舍  核验截止日前JP2003017967A,证实LN0.4μm/金刚石层/表面IDT与离子剥离工艺,但未给IDT周期或声波λ;其SiO2是LN上方层,无法对应E。故仅新增制造/薄LN骨架证据,无新完整H/E范围。

证据定位  JP2003017967A [0033]–[0038]图1;[0039]–[0040];[0048];[0055];[0062]–[0067]图5–6;权9;首页公开日。

Google Patents原生检索链接  子代理C单轮执行  原始记录 JA03

JA04 日文第4轮

主式  H03H9/02574 窒化アルミニウム 炭化珪素 支持基板 酸化シリコン 圧電薄膜

补充式  site:patents.google.com "窒化アルミニウム" "ニオブ酸リチウム" "緩和層" before:2010-12-24

调整依据  已读JA03;从离子剥离转材料/CPC组合,寻找AlN/SiC/SiN高速基板与下置氧化膜。首式主要后公开,唯一收窄式改用音响缓和层,核验早期协议线索中独立的压电厚度。

结果和取舍  JP2007228225A新增明确H通用设计范围:压电层14材料列表含LN/LT,随后给H<0.5λ、优选0.20–0.30λ及0.225–0.275λ。该H段落不是仅ZnO仿真;SiO2温补层也允许下置,但E厚缺失。可作为材料堆叠及SAW薄膜厚度组合证据,非完整新颖性公开。

证据定位  JP2007228225A Google Patents正文“第1実施形態”图1–2:行291–313为高速材料/省底基;行327–338仅声缓和层13厚;行339–356为压电层14材料及H;行369–386为IDT及λ=2×电极条排列间距;行431–444为SiO2上下位置;“作用効果”行472–487为ZnO仿真;权6;Family行569。

Google Patents原生检索链接  子代理C单轮执行  原始记录 JA04

JA05 日文第5轮

主式  酸窒化シリコン 酸化タンタル 低音速層 ニオブ酸リチウム 膜厚

补充式  site:patents.google.com "フッ素" "酸化ケイ素" "弾性表面波" before:2010-12-24

调整依据  已读JA04;转SiON/TaOx及氟/硼掺杂SiO2低速材料替代,不重复已知声缓和层H。主式过多后公开模板式低声速材料列表,唯一修复式改为氟+SiO2+SAW以查掺杂膜早期来源。

结果和取舍  未发现可新增的截止日前关键文献。主式与修复式均主要回传2015年后文献;实际核验JP2020080519A(2020-05-28,最早优先2018-11-14),其SiON/F-SiO2明确为LN及IDT上覆温补膜,既后公开又不是下置E。不得以材料名相同视为层序相同。

Google Patents原生检索链接  子代理C单轮执行  原始记录 JA05

JA06 日文第6轮

主式  複合圧電基板 接合 ガラス 薄膜 波長 -パッケージ -フリップチップ

补充式  site:patents.google.com "圧電薄膜" "ガラス" "接合" "波長" -パッケージ -フリップチップ before:2010-12-24

调整依据  已读JA05,改为复合压电基板/接合玻璃薄膜;附排除封装词仍出现封装噪声,唯一修复式改为精确圧電薄膜/ガラス/接合/波長词组。JP2002016468A只作引文入口,不作新增。

结果和取舍  无新增合格H/E证据。新核JP2006319679A公开合格但实际LN厚20μm/λ2μm=10λ;实施例4 LN10μm/λ2.1μm≈4.76λ,埋置Si氧化膜3μm≈1.43λ,另有聚合物接合层5μm,均不能满足H/E。其0.04、0.06等为电极厚,SiON≤0.1λ为上覆保护膜。早期引文JPS5125951A仅元数据无正文,未支持新贡献。

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JA07 日文第7轮

主式  (ラブ波 OR SH波 OR 境界波) (ニオブ酸リチウム OR タンタル酸リチウム) 圧電膜 規格化厚さ

补充式  site:patents.google.com "圧電膜" "ラブ波" "膜厚" before:2010-12-24

调整依据  承接JA06接合玻璃负筛,改以ラブ波/SH波/境界波与规一厚度查H;主式大多现代,修复式精确圧電膜/ラブ波/膜厚。未重复US4354130A、已知旧界面厚体或既有kh来源。

结果和取舍  无新增合格H/E文献。JP2006025396A虽对压电体自身明确t/λ,但LT为1–22λ、LN为1–29λ,均不在H;新追JP4315174B2为石英薄板Lamb空腔,SiO2是牺牲层并移除,不是E。主式Love/SH早期结果多为电极膜厚,现代薄LN结果均后公开。

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JA08 日文第8轮

主式  H03H 水素イオン 剥離 薄膜転写 単結晶 ニオブ酸リチウム 電極周期

补充式  site:patents.google.com "イオン注入" "弾性表面波" "薄膜" "波長" -JP2003017967A -US20030199105A1 before:2010-12-24

调整依据  已读JA07,转氢离子剥离/薄膜转移制造与IDT周期,主式加H03H抑制光学;回传2016年后转移工艺多,唯一修复式精确イオン注入/弾性表面波/薄膜/波長并排除已知缺λ族,追到另一早期SAW沉积结构。

结果和取舍  新增明确H组合线索一族:JP2004282231A(2004-10-07),[0014]、权6及LN第二实施方式给LN压电膜khp=2πTp/λ≈2–3,换算H≈0.3183–0.4775λ,完全落入权4H。IDT完整周期λ定义明确。下层为半导体ZnO短路电极,不是指定低速膜;高速硬质层另在底基板之上,A/E未满足。不将其ZnO专用kh .1–.8误套LN;也不与相邻公开号JP2004282232A同族合并。

证据定位  JP2004282231A A版[0014]行211–212;权6行325;LN第二实施方式[0034]行253–255、[0038]行262–263及图9–14;IDTλ[0026]行237–238;硬质材料[0023]行229–230、图17/[0039]行264–266;公开/家族行354–359。B版权1行204–206也明确LN与kh2–3。

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JA09 日文第9轮

主式  H03H9/02574 圧電膜 酸化ケイ素 下地 高音速 基板

补充式  site:patents.google.com "二酸化珪素" "ニオブ酸リチウム" "ダイヤモンド" "膜厚" before:2010-12-24

调整依据  已读JA08,本轮优先E;转复合基板分类H03H9/02574+下地SiO2/高音速。替代检索现代列表多,修复式撤分类及现代高音速措辞,改二酸化珪素/LN/diamond旧词。避免重读2231/2232/JP2007228225既有H。

结果和取舍  没有新增合格E证据。JP2001196896A之SiO2缓冲膜位于Si与高速Al2O3硬层之间,层序Si/SiO2/高硬层/压电/IDT,不能当高速支撑与压电之间E;其保护SiO2另在上面。JP3780790B2为石英/LN/IDT/上覆Al2O3,硬层在压电上,未公开H/E目标数值。替代分类词检索多数后公开,不能宣称完成了GP原生CPC过滤。

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JA10 日文第10轮

主式  高速支持体 SiO2 (LiNbO3 OR LiTaO3) 圧電膜 膜厚比 波長 -WO2010004741A1 -JP2004282231A -JP2004282232A

补充式  site:patents.google.com "ニオブ酸リチウム" "酸化ケイ素" "下地膜" "波長" before:2010-12-24

调整依据  已读JA09后把高声速支持体、下置SiO2、LN/LT和膜厚比/波长同查,排除已知D1及2231/2232。主式多数现代文献后公开,修复式改下地膜以减少现代高低速术语,并查明一个新边界波族的具体版本与归一化对象。

结果和取舍  没有新增可完整满足权4的来源,也没有新增压电H证据。新核WO2010131736A1于2010-11-18公开,虽有LN/SiO2/SiN及明确IDT λ=1.9μm,但LN为基板,SiO2、SiN为其上覆媒质;0.3–0.7λ是SiO2厚度,0.05–0.25λ是Al第二电极层,均不能当LN H。高速度SiN上盖未作为支撑基板公开;SiO2几何上处于LN与SiN之间,但缺A与H,不能仅以堆叠翻转视为完整权4。已知JP4345328B2同族2231仍由搜索回传,不计新证据。

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法文10轮检索

FR01 法文第1轮

主式  "niobate de lithium" "couche mince" épaisseur longueur onde

补充式  piézoélectrique épaisseur "0,5" longueur lithium avant 2010

调整依据  法文首轮,以couche mince/épaisseur/longueur onde探查LN压电薄层的波长归一化厚度;不重复中文首轮金刚石材料堆叠。收窄式加入piézoélectrique及0,5。

结果和取舍  检出并核验截止日前FR2788176A1:可贡献高速支撑/SiO2接合层/LN或LT薄层/导波能量约束的组合动机,但压电层厚度为声波波长量级,并未明确公开权4所需0.05–0.5λ。另识别WO2003010888A1的归一化数字实际属于电极/TiO2层而非压电膜,排除数字混用。

证据定位  FR2788176A1 GP L35–48公开日;说明书L147–150支撑与压电/SiO2材料;L173–186图1结构及薄层导波;权2、3、4、6、7,L321–326;Family L367–388

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FR02 法文第2轮

主式  "collage moléculaire" saphir silice "ondes acoustiques"

补充式  niobate diamant épaisseur onde "0,5" avant 2010

调整依据  从FR01泛薄层/归一化厚度词转为collage moléculaire、saphir、silice与ondes acoustiques的接合结构引文链。遇旧族后追溯更早EP0616426A1;修复式转niobate/diamant/0,5但后公开占多。已接受主代理WO2010004741A1第二实施例纠正,本轮不再把整族按缺A排除,也不重复深读该族。

结果和取舍  新增核验EP0616426A1的两个相关实施例:例3-2直接公开高速非晶碳等/LN/IDT及压电厚1/4–1λ;例4-2加SiO2/SiN中间层且E≤1/2λ、优选≤1/10λ,并引用例3-2类似效果。H、E跨例不能硬拼;A的非晶碳与DLC关系仍待证明。该内容可能与已知JPH06326553A为同技术/家族线索,需总报告去重,不能多计。

证据定位  EP0616426A1 GP公开表L1055–1060;例3-2图15 L874–884(尤L880);例4、图17 L899–916;例4-2图20 L951–956;家族L1062–1077。

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FR03 法文第3轮

主式  "ondes de Lamb" diamant "couche" épaisseur

补充式  ondes diamant silice vitesse avant 2010

调整依据  按FR02下一轮方向,由分子接合转为ondes de Lamb、diamant、couche、épaisseur的板波/高速材料结构,随后以vitesse和silice替换泛厚度收窄材料与声速关系。另已接受纠正:EP0616426A1与JPH06326553A的Google family分别12942660、26394142,文本高度相似只能记同技术来源组,未经关联核实不称法律同族。

结果和取舍  未获得新的完整覆盖候选。核验WO2010004741A1的早期界面波引文WO2005069486A1(2005-07-28),确认其DLC层为覆于SiO2上的导热材料层,LN例为无限厚基板,不能用此文补证D1金刚石层209当然等于支撑基板,也不能把SiO2≥0.5λ上覆膜读为权4的下置E。

证据定位  WO2005069486A1 GP L34–35公开日;L334–337给无限厚LN/1.5λ SiO2/电极模拟;图24对应L461–478给LN、SiO2、上置DLC导热层82及功能;家族ID L602–620;公开族表L841–858。

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FR04 法文第4轮

主式  ("carbure de silicium" OR "nitrure d’aluminium" OR saphir) silice "niobate de lithium" épaisseur

补充式  "tantalate de lithium" saphir silice longueur avant 2010 -FR3079053A1 -FR3079667A1

调整依据  从FR03板波/金刚石和界面波导热层切换为carbure de silicium、nitrure d’aluminium、saphir支撑材料替代,加silice和LN薄膜厚度。后公开过多后改用LT、saphir、longueur,尝试排除已知2019公开号,但搜索仍返回被排除号,说明外部搜索筛选不可当严格过滤,逐项人工日期核验。

结果和取舍  零新增合格主证据。新命中的材料/薄膜堆叠几乎均为2017–2025后公开。唯一深入核验的早期FR2919051A1(2009-01-23)是上下平板电极HBAR应变计,四分之一波长用于埋入支撑中的Bragg反射层,不能冒充IDT定义的E/H,故列负筛。

Google Patents原生检索链接  子代理A单轮执行  原始记录 FR04

FR05 法文第5轮

主式  ("carbone amorphe" OR "carbone de type diamant") "onde acoustique" niobate

补充式  "carbone amorphe" "ondes de surface"

调整依据  从FR04大材料替代清单改为carbone amorphe、carbone de type diamant与onde acoustique/niobate,试图核实DLC身份及其与LN薄层的关系。修复式去掉LN限定,探索早期表面声波/非晶碳定义以降低漏检。

结果和取舍  零新增贡献明确的目标专利证据;未找到可把JPH06326553A/EP0616426A1高速非晶碳直接认定DLC的在先专利定义。FR2938373A1于2010-05-14公开,但属SOD半导体热管理与多晶金刚石集成,区分混入的非晶sp2相和金刚石sp3相,并不把任意非晶碳等同DLC,也没有LN/LT/IDT/E/H声学堆叠。

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FR06 法文第6轮

主式  H03H9/02574 "couche piézoélectrique" "transducteur" silice épaisseur

补充式  site:patents.google.com H03H9/145 "interdigités" "niobate" épaisseur before:2010-12-24 -FR2788176A1

调整依据  FR05非晶碳关键词主要命中电子/金刚石工艺,且不能建立DLC身份;本轮改以H03H9/02574与couche piézoélectrique/transducteur/silice/épaisseur交叉,再用H03H9/145及interdigités/niobate收窄。排除FR2788176A1已知分子接合族。

结果和取舍  无新增覆盖权4E/H的文献。原始分类查询仍大量命中2023—2025年POI厚度校正或多层声学结构;修复式命中2003年WO2003098800A2,其法文原文明确两块LT晶体基板厚度大于工作声波波长,界面介质区才远小于λ。故该文只提供IDT界面封装/接合背景,不能把薄界面层当薄LT或E的数值范围。

证据定位  WO2003098800A2 Google Patents L40—41公开日期;L155—185背景IDT和通用材料;L214—241发明结构及厚度;L279—298制造;权1、3—4 L308—337;L368—388 family。

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FR07 法文第7轮

主式  ("onde de Love" OR "onde de Sezawa") "film piézoélectrique" substrat verre

补充式  site:patents.google.com "Love" "couche" "niobate" "épaisseur" avant 2010

调整依据  FR06分类交叉得到厚LT界面器件,本轮用Love/Sezawa、薄压电膜及玻璃旧词替代分类,扩大对早期导波层叠的覆盖;不重读WO2003098800A2。

结果和取舍  新增核验一个1981/1982年法美同族:FR2474243A1/US4354130A,公开蓝宝石/SiO2/ZnO/IDT及以kd、kd'选择压电膜和下置SiO2厚度。SiO2大范围换算后与E部分重合;ZnO kd=1为0.1592λ,但C不是LN/LT,不能据此直接证明权4H。法文主检索另有GaAs/Si Sezawa族,材料不合;修复式主要为石英上覆Love敏感层或后公开器件。

证据定位  FR2474243A1 法文公开日L619—626;图2—4正文L269—366;权1及4—6 L496—531;同族L633—640、688—694。英语同族US4354130A公开日L34—39,图1—4正文L180—196,权1—6 L216—225。英语核验URL https://patents.google.com/patent/US4354130A/en。

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FR08 法文第8轮

主式  "couche intermédiaire" verre "niobate de lithium" épaisseur électrodes

补充式  site:patents.google.com "liaison directe" "niobate" "ondes" épaisseur période

调整依据  FR07已得蓝宝石/SiO2/ZnO旧族,本轮以couche intermédiaire、verre、liaison directe、niobate、électrodes替换Love/Sezawa,追查真正LN/LT的中间层启示和周期。未再读FR2474243或FR2788176既有证据。

结果和取舍  法文检索主要为2013年后POI与清洁/除冰器件。沿旧引文链新核US5838089A(1998-11-17),权22/27明确膜上IDT及LN/LT候选,权23有SiO2中间层;提供材料和改善成核/形貌的制造动机。具体图1/4仍是ZnO,diamond是Si基板上的膜;无LN/LT的H和同例IDT周期,也无E归一化值,本轮未新增完整组合或双厚的直接公开。

证据定位  US5838089A Google Patents HTML DC.date scheme=issue 1998-11-17;SUMMARY以“This invention discloses an interlayer”起段;DESCRIPTION图1、4、6—8对应段;权22、23、27、28。原始HTTP200及相关全文和权项保存在FR08_raw.txt。

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FR09 法文第9轮

主式  "onde de Lamb" diamant silice support substrat

补充式  site:patents.google.com diamant "couche de silice" "vitesse" "support" acoustique avant 2010

调整依据  FR08中间层路线缺E/H与承载角色,本轮转实心支撑、封装和速度功能,专查D1下金刚石209能否合理对应支撑基板,避免只因diamond材料或2λ数字即认定A。

结果和取舍  零新增技术族。实际补核D1速度与实心封装功能:208/209横波速度大于板波主波、可自身作package且无空隙,同材同厚可减小应力翘曲,并能直接接合或承接薄膜制造。以上使209承担实心承载的解释获得功能支持,仍不是直接将其命名为support substrate。法文替代检索未找到可消除此术语映射疑点的新截止日前专利。

证据定位  WO2010004741A1 第二实施方式图7正文L407—418;图7/8功能L427—437;薄膜/接合L462—464;权19—20 L551—566;公开日/族L591—610。第一实施方式另加Si支持基板L363仅作区分。

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FR10 法文第10轮

主式  "niobate de lithium" silice (diamant OR saphir) épaisseurs transducteur -FR2788176A1 -FR2474243A1 -WO2010004741A1

补充式  site:patents.google.com silice "niobate de lithium" "vitesse de cisaillement" before:2010-12-24

调整依据  FR09已补D1封装/速度功能,本轮综合LN、silice、diamond/sapphire、两层厚度及换能器作最后漏检检查,排除既知强族;修复式只查SiO2和LN剪切速度关系,减少泛制造与上覆材料噪声。

结果和取舍  零新增完整源,亦未取得明确SiO2体波慢于对应LN体波的新增旧来源。主式重复返回已知FR2788176/FR2919051族,公开号排除项未被替代搜索可靠执行;其他主要为2013年后。新追到合格早公开FR2936100A1,但其为周期极化畴夹上下整面电极结构,明确以整面电极替代分布IDT;无目标下SiO2及E/H,作为排除记录,不升级为完整无效证据。法文10轮至此结束。

Google Patents原生检索链接  子代理A单轮执行  原始记录 FR10

 

德文10轮检索

DE01 德文第1轮

主式  piezoelektrische Dünnschicht Lithiumniobat Zwischenschicht Schichtdicke Wellenlänge

补充式  site:patents.google.com/patent/ Lithiumtantalat Saphir Siliziumdioxid Zwischenschicht Oberflächenwelle

调整依据  首轮以德文薄压电层 中间层和波长建立检索基线,优先核对压电膜自身的归一化厚度。

结果和取舍  DE102009046875A1于2010年5月20日公开,明确LN膜厚h/λ为0.20,并给LN或LT的S0模式薄膜范围。支撑选项含Al₂O₃和AlN,但激励区为悬空腔体,SiO₂仅在腔外支撑,缺连续下置低速膜及E数值。它可贡献H,不能整体对应权利要求4。

证据定位  DE102009046875A1 FIGS.1-4,7,10; German description lines 285-307 (cavity and h/λ=0.20); lines 309-331 (LN/LT, IDT, λ=2p, sapphire/AlN list and SiO2 spacer); publication lines 37-42; family ID at line 475.

Google Patents原生检索链接  子代理B单轮执行  原始记录 DE01

DE02 德文第2轮

主式  "Verbundsubstrat" Lithiumniobat "Glas" "Zwischenschicht"

补充式  site:patents.google.com/patent/ "SAW-Bauelement" "reduziertem Temperaturgang" "045181"

调整依据  从DE01悬空Lamb结构改检实心接合 玻璃中间层及在先引文,避免只追薄膜厚度。

结果和取舍  DE102004045181A1于2006年3月23日公开。其压电层范围为5至50个声波波长,图1例约5λ,明显不满足H;上覆SiO₂为5%至20%声波波长。第0014段的λ/4中间层指光刻光波长,不能认作E。Google Patents网页正文受限后,直接取得其原始HTML并核验段落。

证据定位  DE102004045181A1 Actual Google Patents HTML meta DC.date and itemprop publicationDate; paragraphs[0008],[0014],[0017]-[0018],[0029]-[0032],[0060], FIG.1; full source work/DE02_DE102004045181A1.html.

Google Patents原生检索链接  子代理B单轮执行  原始记录 DE02

DE03 德文第3轮

主式  Ionenimplantation Schichtübertragung Lithiumniobat Diamant Wellenlänge

补充式  site:patents.google.com/patent/ Lithiumniobat "Wasserstoffionen" "Oberflächenwellen"

调整依据  从厚板温补结构改检离子注入 层转移和单晶LN薄膜制造,区分绝对薄膜厚度与归一化H。

结果和取舍  WO2010082571A1于2010年7月22日公开,披露约1μm的LN或LT薄膜和氢离子分层工艺,但缺少声波λ及IDT周期,且活性区通过刻蚀悬空。只能贡献制造线索,缺完整A B E。后公开德文同族仅用于进入在先WO原文。

证据定位  WO2010082571A1 图1A-1C、图2-4;正文Google Patents行300-301、317-326;公开日行35-40;德文同族家族ID行428。

Google Patents原生检索链接  子代理B单轮执行  原始记录 DE03

DE04 德文第4轮

主式  "piezoelektrische Schicht" "Siliziumdioxid" "normierte" "Wellenlänge"

补充式  site:patents.google.com/patent/ "Lithiumniobat" "Dicke" "Wellenleiter" "0,4" -"DE112017" -"2018" -"2019"

调整依据  由DE03离子分层转为normierte/Wellenlänge与SiO2压电膜设计参数;修复式用0,4与Wellenleiter检数值,排除已知近期词组。

结果和取舍  无新增合格截止日前证据。主式集中返回DE112017005316B4后公开族,实际核验图39的LN=.5λ、下SiO2=.1λ,但2016优先/2018最早同族公开,排除。修复式转入光学波导旁支,不能以光波长、畴反转梳齿周期对应本案弹性波λ。

Google Patents原生检索链接  子代理B单轮执行  原始记录 DE04

DE05 德文第5轮

主式  Grenzflächenwelle Lithiumtantalat Saphir Zwischenschicht

补充式  site:patents.google.com/patent/ "Schichtwelle" "Lithiumniobat" "Dicke"

调整依据  由DE04归一化数值转向早期Grenzflächenwelle/Schichtwelle、Lithiumtantalat、Saphir和Zwischenschicht,区分厚体界面波与亚波长压电膜。

结果和取舍  无新增合格贡献文献。实际核验DE60301794T2旧族,两个LT基板均明确远厚于声学λ,薄的是界面区而非压电膜;介电中间层未限定目标材料或0.1λ至0.5λ。不能以界面区薄推定H。主式其余结果以2010年后族为主,修复式零命中。

Google Patents原生检索链接  子代理B单轮执行  原始记录 DE05

DE06 德文第6轮

主式  "akustischer Spiegel" ("Lithiumniobat" OR "Lithiumtantalat") interdigital Schicht

补充式  site:patents.google.com/patent/ Bragg Lithiumniobat Schicht Dicke Wellenlänge Viertel before:2010-12-24

调整依据  由DE05厚体界面波转查akustischer Spiegel/Bragg与薄LN/LT,核验λ/4是声镜层内体波波长还是IDT横向声λ,以及压电层自身H。

结果和取舍  未新增可用于目标E/H配对的旧族。DE10208169A1(2003)明确SAW压电膜薄于约半波长以让能量进入磁敏层,但未限定LN/LT、目标下置氧化膜及H下限。其λ/4声镜在另一FBAR结构内,定义为各材料内声波波长,不能转为IDT横向λ或移植为本案E。

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DE07 德文第7轮

主式  ("diamantähnlicher Kohlenstoff" OR "diamantartiger Kohlenstoff") Lithiumniobat Wellenlänge

补充式  site:patents.google.com/patent/ Kohlenstoff Oberflächenwellen Schicht DLC before:2010-12-24 -DE102018111013

调整依据  由DE06声镜波长转碳材料身份与支撑功能。用两种德语DLC称谓,再以Oberflächenwellen限定声学用途,核查下方支撑与上覆/通用耐磨涂层差异。

结果和取舍  无新增截止日前声学DLC支撑证据。最接近的DLC块体支撑/下介质/LN或LT/IDT层序属于DE102018111013A1,公开2019-11-14;旧DE102004004177B4只证明其所述DLC为a-C:H涂层,未披露声学器件。不能倒推已知旧族所有amorpher Kohlenstoff均为DLC,也不能把耐磨涂层当高声速支撑。

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DE08 德文第8轮

主式  (Aluminiumnitrid OR Aluminiumoxid OR Siliciumcarbid) (Lithiumniobat OR Lithiumtantalat) Zwischenschicht Trägersubstrat

补充式  site:patents.google.com/patent/ Aluminiumoxid Lithiumtantalat Oxidschicht Wellenlänge before:2010-12-24

调整依据  由DE07碳材料身份改AlN/Al2O3/SiC支撑组与LN/LT及Zwischenschicht;主式多后公开接合文献,修复式去Trägersubstrat并用Oxidschicht捕捉早期具体器件。

结果和取舍  未新增下置SiO2 E与LN/LT H来源。主式旧引文JP3774782B2实际确认为已知JP2004343359A同族,合并排重;修复式新核DE19758195C2的Al2O3在电极表面,0.03至0.15λ是金属指+硬层总厚,不能算压电膜H,更不是高声速支撑A。

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DE09 德文第9轮

主式  "JP2007228120" piezoelektrische Schichtdicke Wellenlänge

调整依据  由DE08材料组检索改目标授权审查引证链,选择尚未实查的JP2007228120A;避免重复已核JP2005354650A泛H、JP2003017967A无λ及CN101145767A上覆SiO2。

结果和取舍  未新增可补E/H的来源。新核目标审查引证JP2007228120A(2007-09-06,族38549507),虽有Al2O3支撑与LN/LT/IDT,但下置为5μm有机胶,具体压电20μm、λ2/2.1/1.8μm约9.52至11.11λ。0.04/.06/.1归一化属于电极;SiON≤.1λ及约.05λ属于上覆保护层,均不能挪为E/H。

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DE10 德文第10轮

主式  (Lithiumniobat OR Lithiumtantalat) Siliziumdioxidschicht Trägersubstrat Interdigitalwandler ("0,05" OR "0.05") ("0,1" OR "0.1")

调整依据  由DE09审查引证链转完整层序与双归一化厚度高精度补漏,组合LN/LT、下置SiO2、支撑、IDT与0.05/0.1数值。主式出现数字伪相关,修复式去除数值并用normierte Dicke保留德文层厚语义,避免继续追查已知旧族。

结果和取舍  零新增可用于本目标的截止日前家族。主检索多为氧化物配比/合金成分数字伪相关,不能声称全部技术词匹配。修复式最近的完整多层器件DE102018108605A1于2019-10-17公开,早于公开截止条件不成立;其Si/多晶Si/SiO2/LT/IDT结构仅宽范围0.01至1λ,不是本轮新增旧证据。较早DE2600138A1为EN01已核US3965444A同族,去重。截止日前其他完整E/H同例未获新来源;不影响总任务对已知WO2010004741A1的独立评价。

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韩文10轮检索

KO01 韩文第1轮

主式  압전 박막 두께 파장 니오브산리튬 이산화규소 고음속 기판

补充式  site:patents.google.com 탄성 표면파 니오브산리튬 다이아몬드 산화규소 두께 before:2010-12-24

调整依据  韩文第1轮;从LN薄膜/SiO2/高速支撑及波长切入,避免已知LT30μm/蓝宝石同族。首式多数为后公开高音速结构,故同轮唯一一次收窄为表面波+LN+金刚石+SiO2,区别FBAR与上覆膜。

结果和取舍  无可新增为权4关键技术组合证据的截止日前文献。实际核验两件早期候选:KR20070088397A为上下电极驱动的FBAR,SiO2在激励区被刻除形成空腔;KR100961481B1中的7.8%–9.8%是Al换算电极厚度,SiO2为上覆保护膜,均不可误报压电H或下置E。后公开薄膜结构均排除。

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KO02 韩文第2轮

主式  러브파 경계 음향파 리튬 니오베이트 층 두께 파장 저음속 막

补充式  site:patents.google.com "경계 탄성파" "압전" "산화규소" "두께" before:2010-12-24

调整依据  已读KO01及parent_findings;改用Love/边界导波及薄层波长入口,排除KO01的FBAR与电极h。一次收窄至确切경계 탄성파+산화규소,结果为空;从近似后公开多层文献追溯早期引文。

结果和取舍  新增早期结构/制造线索KR20010083777A,公开LN/LT薄层、SiO2分子键合层及蓝宝石等支撑选项,H/E仍不明。边界波近似结构KR20190121708A已晚至2019,其审查引用WO2010004741A1和目标韩族;未重读已知强证据。Love波旧文献参数为金属层厚,排除。

证据定位  KR20010083777A 公开日首页行32–35;正文图1、图2a–2e、图4a–4c,行224–247、256–257、268–272;权2–7;同族FR页面Family ID9534704。

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KO03 韩文第3轮

主式  수소 이온 주입 박리 전사 압전 박막 사파이어 두께 파장

补充式  site:patents.google.com "압전" "이온 주입" "산화규소" "박리" before:2010-12-24

调整依据  已读KO02;转氢离子注入剥离/转移+蓝宝石支撑,以区别上一轮边界波及已知FR分子接合族。因主式回传大量SOS半导体转移,收窄增加确切압전、산화규소及박리。

结果和取舍  无新增对权4关键限定有贡献的截止日前族。主式主要为后公开SOS/GaN/SOI转移;收窄后较早命中KR20090004526A,但实际正文为Si层SOI制造,其파장为激光/电磁波190–600nm,既非LN/LT膜也非IDT声波λ,已排除。未重复FR2788176/KR20010083777A、JP2003017967A及CN101777622。

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KO04 韩文第4轮

主式  램파 판파 니오브산리튬 정규화 두께 파장 저음속층

补充式  site:patents.google.com "판파" "고주파" "압전막" "두께" before:2010-12-24

调整依据  已读KO03;从离子剥离转Lamb/板波及亚波长压电层设计。主式多为后公开,修复式移除罕见정규화译法并改为판파+고주파+압전막+두께,以便追溯早期技术引用。

结果和取舍  新增截止日前JP2004282232A:khp=2πTp/λ≈0.5–1.5,正确换算H≈0.0796–0.2387λ;权9明确材料可LN/LT并可继承权1,较仅ZnO仿真更有组合价值。其下方为硬质高速层,无B/E低速膜。未重复D1。

证据定位  JP2004282232A [0010]、[0018]–[0020]、[0022]–[0027];权1、9、10、11;公开日行36–40;Family ID行339。

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KO05 韩文第5轮

主式  유리 접합층 매립 산화막 사파이어 지지 니오브산리튬 박막 두께

补充式  site:patents.google.com "탄성표면파" "접합" "유리" "박막" before:2010-12-24

调整依据  承接KO04板波/kh数值路径,改用유리 접합층、매립 산화막、사파이어 지지和LN薄层,重点辨别玻璃接合层与埋置氧化层;主式后公开转移工艺噪声多,修复式去掉过窄材料词后出现早期SAW封装,逐项负筛。

结果和取舍  本轮没有新增可贡献权4的截止日前文献。主式多数返回2018年后的氧化膜转移/接合族;修复式命中早期KR100561319B1,正文核验为SAW倒装及树脂封装,玻璃是封装或基板材料,非声传播堆叠中LN下置低速膜。results为空,已核验负例保留excluded。

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KO06 韩文第6轮

主式  (질화알루미늄 OR 탄화규소 OR 질화규소) 지지 기판 매립 산화규소 니오브산리튬 H03H9/02574

补充式  site:patents.google.com "질화알루미늄" "니오브산리튬" "산화규소" before:2010-12-24

调整依据  已读KO05,转AlN/SiC/SiN三类高速度支撑替代材料与埋置SiO2/LN,并辅分类号减少包装。主式仅现代材料长列表,唯一修复式删除分类和매립等过窄词,使用三项精确韩文材料词查更早来源。

结果和取舍  没有新增截止日前合格材料替换来源。主式与修复式回传现代弹性波材料列表和无关喷墨材料。核验KR102142868B1优先2017-11-13、A版2019-05-22、B版2020-08-10,不能作为2010年前证据;其引文亦未追出截止日前的新H/E来源。不重新核已知JP2007228225A和JP2004282232A。

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KO07 韩文第7轮

主式  (판파 OR 전단파) (LiNbO3 OR LiTaO3) 정규화 두께 -JP2004282232A

补充式  site:patents.google.com "전단파" "압전" "SiO2" "두께" before:2010-12-24

调整依据  已读KO06,避免现代高低速长术语,改用旧판파/전단파、通用LiNbO3/LiTaO3和정규화 두께;主式多后公开板波与无关材料,唯一修复式引入SiO2并放宽为전단파/압전/두께。已知JP2004282232A排除且未重读。

结果和取舍  无新增截止日前H/E证据。主式新核早期KR100552382B1为沉积单晶铁电膜制造方法,LN/LT为材料候选、膜厚0.1–20μm,但采用上下电极并无IDT或声波λ;SiO2是Si上可选氧化薄层并另有STO模板层,不能换算H/E。修复式显示数值接近的现代器件及RFID复合基板,均后公开排除。

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KO08 韩文第8轮

主式  ("리튬 나이오베이트" OR "리튬 탄탈레이트") 박막 전사 웨이퍼 접합 IDT 파장 -메모리

补充式  site:patents.google.com ("리튬니오베이트" OR "리튬탄탈레이트") "박막" "파장" before:2010-12-24

调整依据  已读KO07,改用旧音译리튬 나이오베이트/리튬 탄탈레이트配薄膜转移/晶圆接合/IDTλ,尝试同例绝对膜厚可归一化;主式仍有现代或铁电噪声,唯一修复式改不加空格的리튬니오베이트/리튬탄탈레이트,去掉过窄转移限定但保留박막/파장。未重复US5838089A、JP2004282231A。

结果和取舍  新核KR100674071B1/JP2004336503A族具LT/蓝宝石/IDT且同例明λ=2.1μm、LT=30μm,归一H≈14.29λ,不符合H;直接接合,未见指定下玻璃E。注意它与JA01的JP2004343359A虽尺寸相同但为不同族。没有新增权4H/E合格证据。

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KO09 韩文第9轮

主式  복합 압전 기판 접합 SiO2 IDT 주기 박막 두께 -KR100674071B1 -JP2004336503A

补充式  site:patents.google.com "압전" "접합" ("JPH1155070A" OR "WO2009081651A1") 두께 파장 before:2010-12-24

调整依据  已读KO08,转复合压电接合基板及IDT周期,以μm厚度与同例声波λ配对为目标。主式仍回传已知LT30μm族及现代堆叠,修复式沿其早期JPH1155070A/前向WO2009081651A1引用核原始正文,未重读30μm/2.1μm例。

结果和取舍  没有新增合格E/H。JPH1155070A第五例LT约1λ(下为Cr)、第六例LT100μm/埋SiO2约1000Å/Si支撑;不能拼第五例薄板厚与第六例氧化层。WO2009081651A1有LT约1μm剥离并研去约100nm,但无实际IDT声波λ,例用Si且直接/金属微量接合,仍不能把绝对薄厚归一化。

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KO10 韩文第10轮

主式  압전막 (LiNbO3 OR LiTaO3) 하부 SiO2 고속 지지 기판 IDT 두께 파장 -WO2010004741A1 -JP2004282232A

补充式  site:patents.google.com (니오브산리튬 OR "리튬 나이오베이트" OR "리튬 탄탈레이트") (다이아몬드 OR 사파이어) (완충층 OR 유리) 두께 파장 before:2010-12-24 -KR101534654B1 -KR101623099B1

调整依据  已读KO09与parent_findings,从旧接合引用转完整高速度支撑/下部SiO2/LN或LT/IDT/厚度波长共同出现的高精度补漏。主式多数现代族;唯一修复式撤现代高低速度词,加入리튬 나이오베이트/리튬 탄탈레이트旧音译与diamond/sapphire、buffer/glass,避免仅改变词序。

结果和取舍  零新增合格完整文献及零新增E/H数值。主式高精度结构命中现代堆叠和目标后公开同族。修复式KR20040053744A=KO08曾摘要筛除KR100570586B1同族,本轮正文确认1–100μm为磨薄的单晶膜,采用导电胶/金属接合与上下电极,FBAR/微致动器示例,无IDT λ可归一化。另一新查KR101350244B1虽优先权2010-01-28,但WO原始公开2011-08-04,不能用;0.3λ亦为上覆SiO2、H/λ是Au电极,不是压电膜H。

Google Patents原生检索链接  子代理C单轮执行  原始记录 KO10


权利要求5

根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,所述压电膜由欧拉角(0±5°,θ,ψ)的单晶LiTaO3构成,欧拉角(0±5°,θ,ψ)位于以SH波为主成分的弹性表面波模式的机电耦合系数为2%以上的范围。


权利要求6

根据权利要求5所述的弹性波装置,其中,所述压电膜的欧拉角(0±5°,θ,ψ)位于以SH波为主成分的弹性表面波模式的机电耦合系数为2%以上、且以成为寄生的SV波为主成分的弹性表面波模式的机电耦合系数成为1%以下的范围。


权利要求7

根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,所述低声速膜的固有声阻抗小于所述压电膜的固有声阻抗。


权利要求8

根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,在所述压电膜以及所述IDT电极之上形成有电介质膜,弹性表面波在所述压电膜进行传播。


权利要求9

根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,在所述压电膜以及所述IDT电极之上形成有电介质膜,弹性边界波在所述压电膜与所述电介质膜的边界进行传播。


权利要求10

分析


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

 

CN103262410B权利要求1:请求人最薄弱环节及补充检索指示

根据现有《权利要求1无效概率与证据组合评估》、此前六语检索结果,并进一步核对目标专利及主要对比文件,当前无效请求人的首要任务,不是继续寻找公开0.1λ~0.5λ膜厚的文献,而是补强高声速支撑基板与工作弹性波模态之间的技术对应关系。

一、当前最薄弱环节的排序

排名

薄弱环节

风险等级

补充检索价值

1

主证据DE102005055871A1的体波声速关系能否对应实际工作弹性波相速度

极高

最高,直接影响A特征是否成立

2

DE中Al₂O₃支撑、SiO₂夹层、LT/LN压电层、IDT及层厚能否构成相容的同一技术方案

极高

最高,决定单篇新颖性攻击的稳定性

3

能否找到单篇明确公开高速支撑/低速夹层/压电薄膜/IDT的完整结构,并具有明确波长参数

高

很高,可减少对DE一般选项的依赖

4

DE与WO2009133655A1、US6445265B1之间是否存在足够明确的结合启示

高

很高,关系到创造性备位理由

5

DE所称压电基板、压电层与目标专利“压电膜”的对应,以及具体导波机理差别

中高

较高,可对抗专利权人的限缩解释

6

λ是否由IDT电极周期确定

中

中等,已有辅助证据

7

低声速膜厚度0.1λ~0.5λ

低

较低,现有证据基本可以覆盖

风险等级表示请求人证据被质疑的风险,并非对权利要求技术价值的评级。

1. 最薄弱的技术特征:A中的高声速关系

以目前最强单篇文献 DE102005055871A1 为例,其权利要求38、39提供了中间层、第一基板和第二基板之间的体波速度关系,原则上支持:

\[ c_{\mathrm{中}}<c_{\mathrm{压}}<c_{\mathrm{支}} \]

但目标专利说明书对“高声速”的解释,涉及支撑材料中相应体波速度与所使用弹性波模态速度的比较,即:

\[ \boxed{v_{\mathrm{工作模态}}<c_{\mathrm{支}}} \]

上述两个关系并非无条件等价。

目标专利说明书还明确区分P波、SH波、SV波及各向异性材料中的快、慢横波,要求按照实际使用的弹性波模式确定比较对象。这意味着,不能简单取Al₂O₃的一项纵波声速,再与LiTaO₃任意方向的一项横波声速比较。

Google Patents
+1

 

需要补强的关键内容是:

  • DE实际激励的导波模式及其相速度;

  • Al₂O₃支撑基板在相应传播方向上的有关体波速度;

  • 该模式是否在支撑基板一侧衰减,而非形成泄漏波;

  • 这些条件是否适用于DE本身公开的材料组合和电极边界。

**这是补充检索的P0级任务。**若能找到申请日前直接讨论相应模态、传播常数及支撑侧能量衰减的文献,价值可能超过再找到十篇普通三层结构专利。

2. 第二个核心风险:单篇证据存在“从不同选项组装方案”的争议

DE确实公开了多个非常有价值的选项,但请求人还需要证明它们共同适用,而非从彼此不相容的实施例中事后拼接。

尤其需要检查:

  • Al₂O₃与LiTaO₃/LiNbO₃是否属于可以共同采用的材料选择;

  • SiO₂夹层厚度0.15λ~0.5λ适用的前提条件;

  • 压电层转移、键合、减薄工艺能否适用于所选层结构;

  • 金属电极处于压电层与介质界面时,导波模式是否保持;

  • 对应声学条件是否需要其他未写入目标权利要求1的结构。

如果这些相容性问题无法解决,即使单篇文献出现了所有关键词,新颖性攻击仍存在明显风险。

因此,应当同时推进两条补证路线:一条补强DE内部技术方案的完整性;另一条独立寻找无需拼接一般选项的完整单篇文献。

二、补充检索的总体指示

建议采用六语48轮定向补检,而不是继续重复此前180轮的宽泛检索。以技术缺口组织检索,每种语言8轮,重点寻找尚未充分核实的技术方案及其物理依据。

专项

建议轮次

检索任务

希望获得的证据

P0-A

12轮

声速、工作模态及支撑侧衰减

证明相关支撑体波声速高于实际导波相速度

P0-B

12轮

同一器件的完整层序及材料相容性

单篇公开Al₂O₃或其他限定支撑+SiO₂+LT/LN+IDT

P1-C

12轮

压电薄膜、IDT周期、归一化夹层厚度

补强λ定义及具有实际对应关系的0.1λ~0.5λ

P1-D

12轮

技术启示、导波机理与反向教导

证明材料选择和层厚调整有合理技术动机

**检索边界统一为:公开日严格早于2010年12月24日,即截至2010年12月23日。**初检阶段不只限制申请日或优先权日。

在 Google Patents 中,日期字段务必选择 Publication;网址参数可以使用 before=publication:20101224。Google官方检索帮助确认支持布尔检索、全文检索、CPC分类及单独的日期类型筛选。

Google Help
+1

 

六语分别检索时,不应从一开始就同时限制公开国别和语言,否则可能漏掉WO、EP及其他国家公开的原文。

三、六种语言的定向检索式

以下检索式用于Google Patents高级检索的关键词栏。每组分别检索,统一叠加前述公开日限制,不要一次性将全部条件相与。

1. 英文:优先检索实际工作模态和完整三层结构

建议优先级最高,尤其是GBAW、SAW、Love wave的模态关系。

("phase velocity" OR "guided mode")
("bulk wave velocity" OR "shear wave velocity")
("supporting substrate" OR "second substrate")

("guided bulk acoustic wave" OR "Love wave"
OR "boundary acoustic wave")
("evanescent" OR "decay" OR "non-leaky")
(substrate OR support)

(alumina OR sapphire OR diamond OR
"silicon carbide")
("silica" OR "silicon dioxide")
("lithium tantalate" OR "lithium niobate")
(IDT OR interdigital)

("dielectric layer" OR "silica layer")
("0.15 wavelength" OR "0.3 wavelength"
OR "0.4 wavelength")
("electrode period" OR "finger pitch")

这里尤其要核查DE同类guided bulk acoustic wave文献中,是否记载支撑侧波场衰减、垂直波数或相速度条件。

2. 德文:以DE主证据及其技术分支为中心

("Volumenwellengeschwindigkeit" OR
"Scherwellengeschwindigkeit")
("Phasengeschwindigkeit" OR
"Ausbreitungsgeschwindigkeit")

("geführte Volumenwellen" OR
"Grenzflächenwellen")
("Energieabnahme" OR "Abklingen")
("zweites Substrat" OR "Trägersubstrat")

(Aluminiumoxid OR Saphir OR Diamant)
(Siliziumdioxid OR Siliziumoxid)
(Lithiumtantalat OR Lithiumniobat)
(Interdigitalwandler OR "Kamm-Elektroden")

("dielektrische Schicht" OR
"Zwischenschicht")
("Schichtdicke" AND "Wellenlänge")
(Interdigitalwandler OR Elektrodenperiode)

德文专项优先核对DE102005055871A1权利要求38、39,以及同一申请人2004—2008年前后的相关申请。尤其需要查找对其层厚范围、晶向和声波模式有更详细实验解释的平行申请,但不同申请分支不得作为同一篇文献混用。

3. 日文:寻找表面弹性波、压电薄膜与高速基板的组合

(表面弾性波 OR 境界弾性波)
(サファイア OR アルミナ OR ダイヤモンド)
(酸化シリコン OR 二酸化ケイ素)
(タンタル酸リチウム OR ニオブ酸リチウム)

(バルク波音速 OR 横波音速)
(位相速度 OR 伝搬速度)
(支持基板 OR 高音速基板)

(ラブ波 OR SH波 OR 非漏洩弾性表面波)
(圧電薄膜 OR 圧電層)
(中間層 OR 低音速層)

(酸化シリコン OR SiO2)
(膜厚 OR 規格化膜厚)
(波長 OR 電極周期)
(櫛形電極 OR IDT)

日文专项应额外追溯目标专利背景技术引用的 JP2004282232A,并从其前后引证中寻找在高速介质和压电膜之间设置低速介质的早期设计。该文献属于目标专利自己提到的技术发展起点,但不能预先认定其公开了全部区别特征。

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+1

 

4. 中文:重点寻找同一层序和归一化厚度

("高声速基板" OR "高声速支撑基板")
("低声速膜" OR "缓冲层")
("压电薄膜" OR "压电层")

("氧化铝" OR "蓝宝石" OR "金刚石")
("二氧化硅" OR "氧化硅")
("钽酸锂" OR "铌酸锂")
("叉指电极" OR IDT)

("体波声速" OR "横波声速")
("相速度" OR "传播速度")
("界面波" OR "表面弹性波")

("低声速层" OR "介质夹层")
("膜厚" OR "归一化厚度")
("电极周期" OR "波长")

中文检索尤其要避免把覆盖在压电体上方的SiO₂温度补偿层当成目标权利要求所需的位于支撑与压电膜之间的低声速膜。

5. 法文:重点检索高速承载薄膜导波

("vitesse de phase" OR
"vitesse de propagation")
("ondes de volume" OR
"ondes de cisaillement")
(substrat OR support)

("ondes de Love" OR
"ondes acoustiques guidées")
("confinement" OR "atténuation")
("substrat porteur" OR "substrat de support")

(saphir OR alumine OR diamant)
(silice OR "dioxyde de silicium")
("niobate de lithium" OR
"tantalate de lithium")

("couche intermédiaire" OR
"couche diélectrique")
("épaisseur" AND "longueur d'onde")
("électrodes interdigitées" OR IDT)

重点复核FR2788176A1/US6445265B1的薄层承载机理,并检索其同一研究领域的早期引用文献。目标不是简单增加另一篇蓝宝石薄膜专利,而是寻找其为何采用高声速承载体及低速中间介质的技术解释。

6. 韩文:重点寻找层状波导和非泄漏模态

(표면탄성파 OR 경계탄성파 OR 러브파)
(사파이어 OR 알루미나 OR 다이아몬드)
(산화규소 OR 이산화규소)

(벌크파 속도 OR 체적파 속도)
(위상속도 OR 전파속도)
(지지기판 OR 지지 기판)

(압전박막 OR 압전층)
(저음속층 OR 저음속막)
(탄탈산리튬 OR 니오브산리튬)
(IDT OR 빗살형 전극)

(중간층 OR 유전체층)
(막 두께 OR 정규화 두께)
(파장 OR 전극 주기)

韩文检索建议同时使用 LiTaO3、LiNbO3、SiO2、Al2O3 替代韩文材料名称,避免译名差异造成漏检。

四、检索范围和证据种子

建议在六语关键词检索之外,统一加做三个入口的交叉追溯。

分类号入口

CPC分类号

主要意义

H03H9/02574

多层复合基板、非压电基板上的压电层

H03H9/0222

界面波、边界波及相关结构

H03H9/145

声表面波器件的激励电极、IDT

H03H9/25

声表面波谐振器结构

不要把分类号作为全部必选条件,而应分别与“SiO₂、LiTaO₃/LiNbO₃、高声速承载、波速差”相交叉。上述分类方向也可从目标专利的分类记录得到印证。

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优先复核的现有专利

证据

补检任务

处理原则

DE102005055871A1

主证据模态和同一方案相容性

最高优先级

US20080252396A1

对照DE正确英文平行文本、参数和制造说明

同族不作为独立结合启示

WO2009133655A1

电极周期定义和界面导波设计

创造性首位备位

US6445265B1

高声速承载压电薄膜和导波关系

创造性专项备位

JPH06326553A

SAW三层结构及归一化厚度

独立备选基础

WO2010004741A1

低速中间层数值及Lamb波

严格核查波型差异

非专利文献入口

重点补检2000年出版的 Surface Acoustic Wave Devices in Telecommunications: Modelling and Simulation,特别是第1章声波基础、第7章基板材料选择、第8章SH型SAW器件仿真。其纸质版出版于2000年,能够作为优先权日前的技术常识或物理机理说明的候选来源。

Springer Nature Link

 

还应重点查找2000—2010年的IEEE Ultrasonics Symposium、IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control及Japanese Journal of Applied Physics相关论文。

对这类非专利文献,必须核实其实际公开日期、原始版本及具体页码,不能将后来出版的电子版日期或后来新增的研究结论直接作为2010年前证据。

五、每轮检索应当如何调整,避免重复

建议采用以下统一工作流程:

第1步:选择唯一缺口

声速模态/完整结构/λ定义/结合启示,四选一

 

第2步:运行一轮定向检索

保持技术主体,改变一个变量:材料、波型、层名称或电极术语

 

第3步:逐件核查候选

核对最早合格公开文本、具体图号、段落和技术方案

 

第4步:按专利族去重、记录缺口

同族不同公开保留差异,不重复计入独立证据数量

 

第5步:调整下一轮检索方向

根据具体缺失特征缩窄或放宽,不简单交换近义词重复搜索

每轮至少保存:检索式、日期筛选、命中家族数、新增家族、公开号、实际公开日、相关段落、图号、贡献特征、剩余缺口及下一轮调整原因。

应把“没有结果”“全部重复”“文献不符合结构”“公开日晚于界限”区别记录。无效请求中的证据价值取决于新获得了哪项可证明的技术事实,不是检索式总数量。

六、补充证据的合格标准

补检结果建议划分为三级:

等级

判断标准

实际用途

A级:完整单篇

同一文献的相容方案具有指定高速支撑、低速夹层、LT/LN压电膜、IDT和目标归一化层厚;速度关系明确或能够直接、无歧义确定

优先考虑新颖性攻击

B级:决定性补强

明确证明DE某一缺失的声学关系,或给出相同技术问题下明确的结合启示

用于技术解释或创造性备位;不能直接移入DE单篇公开

C级:辅助佐证

仅提供材料声速、工艺、波导原理、单独膜厚等

技术常识和专家意见的辅助支持

对于P0-A,应进一步形成一份可以复核的声学技术说明,至少固定材料、晶向、传播方向、IDT周期、相关体波分支和所用工作模态,使用申请日前已经公开的材料常数分析速度关系及支撑侧衰减。之后形成的专家计算可以解释在先技术的固有性质,但不能替代申请日前公开的技术方案本身。

此外,必须加入反向核验:检索是否存在说明DE器件使用另一工作模态、所选支撑产生泄漏波,或者某些制造选项不相容的文献。若发现这种证据,应当下调相应无效路径的把握,而不是只保留有利结果。

七、补充检索后如何调整最优无效策略

补检结果

无效策略调整

找到直接公开全部技术特征的申请日前单篇

将该文献升为新颖性主证据,DE改作备位

找到DE所选材料和工作模态的可靠物理对应证据

保留DE单篇新颖性主攻,强化隐含公开论证

找到DE选项能够共同实现的原始说明和实验

降低不同实施例拼接的风险

只找到明确结合启示,不能消除DE单篇缺口

重点改为DE+WO或DE+US的创造性理由

发现DE模态不兼容或相速度条件不成立

不应继续将DE视为无条件最强主证据,应启用SAW薄膜结构备选路线

另应独立核查目标专利的日本优先权基础文件JP2010-288453及中国审查档案。若某项关键限定不能享有2010年12月24日的优先权,才针对相应可认定的有效日期另外扩展检索时间范围;目前不能预设其优先权不成立。

八、最终建议

现阶段,我仍将此前约70%—80%的整体无效概率视为有条件的主观评估区间,而不是所有关键证据已经闭合后的稳定胜率。若未能解决DE的模态及方案相容性问题,实际把握可能明显下降;若取得可靠补证,再考虑提高评估。

下一轮建议优先完成两个成果:

成果一:DE102005055871A1声速与模态专项。 要求给出固定技术方案、速度比较对象、传播方向、相关物理原理、原文依据及不能证明的事项。

成果二:六语完整单篇补检。 重点找出2010年12月24日之前,真正将“指定高声速支撑材料+低速中间膜+LT/LN压电膜+IDT+0.1λ~0.5λ”用于同一器件的公开文献。

最重要的优先级判断:先解决模态和同一方案问题,再继续扩大文献数量。 这两个问题最直接决定请求人能否将目前较强的结构相似证据,转化为真正稳定的新颖性或创造性无效理由。

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

 

根据《CN103262410B六语48轮补充检索报告》,并重新核对新增重点文献JP2004343359A、US20060071579A1的原文,我对权利要求1补充检索后的无效成功概率作如下判断。

一、总体无效成功概率

补充检索后,权利要求1整体无效成功概率(主观评估)

70%—80%

工作估计值约75%;维持原有概率区间,但证据针对性有所增强。

**不建议直接上调至85%或90%。**本轮发现了两篇较有价值的新文献,但没有找到一篇能够无争议地公开全部技术特征的新对比文件,也没有完成DE102005055871A1固定技术方案的声学模态证明。

评估项目

补检前

补检后

综合无效成功概率

70%—80%

70%—80%

DE单篇新颖性攻击

60%—75%

60%—75%

声速、工作模态证明强度

存在明显缺口

有针对性补强,但尚未闭合

材料与制造相容性

依赖DE一般选项

新增相同材料框架的明确公开

是否发现更强的完整单篇

DE为首选

DE仍为首选

是否建议提出无效请求

建议

仍建议,以DE为核心组织主备理由

以上概率是依据目前证据作出的专业判断,不是历史案件统计概率,也不代表各项无效理由可以简单相加。

二、新增文献究竟提高了多少证据强度

1. JP2004343359A:明显增强材料相容性

这篇日本文献于2004年12月2日公开。

它在[0057]—[0059]中提供了LiTaO₃压电体、蓝宝石支撑和中间膜共同使用的技术框架,并明确将SiO₂列为中间膜的可选材料。

Google Patents

 

对请求人非常有利的是,它能够削弱专利权人可能提出的以下抗辩:

DE中的Al₂O₃、LiTaO₃和SiO₂只出现在不同的材料选项中,缺少能够共同使用的技术依据。

但JP2004343359A也存在局限:没有核实SiO₂中间膜在0.1λ—0.5λ范围内的具体工作实例。其15nm实际实施例使用AlN,而不是SiO₂。

评价:材料相容性得到实质补强,但没有直接消除DE单篇新颖性攻击的证据缺口。

2. US20060071579A1:增强最薄弱的声速和模态论证

这篇美国文献于2006年4月6日公开,是本次补检中对请求人原有最薄弱环节更有针对性的证据。

其说明书明确讨论通过电极质量负载,使实际SH型界面弹性波速度低于两侧介质的慢横波速度,从而改善波能量约束和传播损耗。

Google Patents

 

这有助于解释:

\[ v_{\mathrm{工作模态}}<c_{\mathrm{支撑体波}} \]

但需要注意:其表11采用SiO₂厚度为3λ的具体条件,明显不同于目标专利要求的0.1λ—0.5λ。改变中间膜厚度可能影响模态、色散关系和泄漏条件,不能直接搬用其数值结果。

Google Patents

 

评价:显著加强了相关声学原理和设计动机的证据,但还不能证明DE所选具体层状结构必然满足目标声速关系。

三、补检后各项技术特征的证据强度

技术特征

目前证据强度

风险判断

A1:指定材料的高声速支撑基板

强

DE提供材料选项,JP进一步补强共同材料结构

A2:支撑体波声速与实际工作模态的关系

中等偏强

仍为最薄弱环节

B:位于支撑与压电膜之间的SiO₂低声速膜

强

结构与材料已有较强依据

C:LT或LN压电膜

强

仍需注意DE具体制造选项的相容性

D:压电膜一面设置IDT

强

界面电极可对应“一面”的解释

E:SiO₂膜厚为0.1λ—0.5λ

强

DE已公开0.15λ—0.5λ优选范围

λ与IDT周期的对应关系

较强

WO2009133655A1及新增US文献可辅助

这意味着,补充检索的主要成果不是补齐一个此前完全没有证据的普通结构特征,而是加强了对关键功能特征的解释。

四、补检后的最优无效组合

建议继续以DE102005055871A1单篇新颖性攻击为主位,同时按争点设置创造性备位。

路径

证据组合

战略作用

主位

DE102005055871A1

攻击新颖性,覆盖绝大部分结构、材料、层厚

模态优先备位

DE102005055871A1+US20060071579A1

解决实际工作模态速度和波能量约束的技术启示

材料相容性备位

DE102005055871A1+JP2004343359A

补强LT/SiO₂/蓝宝石共同使用及制造动机

λ参数备位

DE102005055871A1+WO2009133655A1

补强IDT周期定义和归一化层厚设计

其中,DE+US20060071579A1应当提升为最值得重点论证的模态专项组合,但不宜无条件宣称它已经成为所有争点下的最优组合。

特别需要防止将JP的材料结构与US的工作模态条件直接相加,然后声称DE单篇已经公开这些新增内容。

五、什么证据能够进一步显著提高成功概率?

我认为最有效的工作不是继续扩大六语检索轮数,而是取得DE具体技术方案的可复核声学论证。

后续证据条件与可能概率变化

目前证据状态

70%—80%

有较强的结构与参数证据,关键功能仍需论证

模态证明及审查档案均有利

80%—85%

可能达到的补证后情景,尚未实现
 

若DE模态或选项相容性遭到有效反驳

可能降至50%—60%

条件性风险情景,需重新评估创造性备位证据

最需要完成的是在DE原文支持的材料、晶向、电极、层厚与工作模态条件下,明确相关体波速度、工作导波相速度以及支撑侧能量衰减情况。还应核查中国审查档案中是否存在对“压电膜”“高声速支撑”的限缩解释。

六、最终判断

当前权利要求1具有较高的无效可行性,综合概率维持在70%—80%,但尚不足以认定为高度确定的无效案件。

本轮补检的积极意义是:请求人现在可以更有针对性地回应“材料不能共同使用”和“体波排序不等于工作模态速度”两项潜在抗辩。相反,如果仅凭新增两篇文献就将胜率上调至90%,会高估它们的实际证明能力。

**我建议下一步集中解决DE102005055871A1所公开方案的工作模态声速关系。**如果这一环节能够通过可靠的原文证据、申请日前技术常识及可复核的物理分析形成闭合论证,才有充分理由把成功概率进一步提高至80%—85%。

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

一、当前成功率

针对CN103262410B现授权权利要求1,以2010年12月24日前公开的证据、权利要求不进一步限缩为前提,我的综合判断是:约60%–75%,属于“中等偏强、值得推进,但尚非稳胜”。

这是基于证据强弱的主观工作区间,不是统计胜率,也不代表全部从属权利要求或整件专利被无效的概率。尚未结合完整审查档案、专利权人的反证及可能的修改方案,不能合理承诺80%–90%以上。

本次新增材料确有价值,但主要加强了膜厚和周期的证据。最关键的“同一工作模式下,高声速支撑的相关体波速度是否高于实际工作波相速度”仍需严谨解释,因此不宜仅因检索轮数或文献数量增加而上调概率。

二、最优无效方案

以下重新统一编号,不沿用附件11份报告中彼此不同的D1编号。

  1. 主攻:D1单篇新颖性

D1=DE102005055871A1,公开日2007年5月24日。

它已经在同一导波结构框架内公开Al₂O₃承载基板选项、LT/LN压电层、埋置SiO₂、界面IDT及0.15λ–0.5λ优选厚度。确实存在一篇覆盖绝大多数关键技术内容的文件,不必从几篇结构差异很大的文献中重新拼装。D1原文

但“公开绝大多数内容”不等于已经无争议地破坏新颖性。必须论证材料选项、层结构、实际波型及λ属于可直接、无歧义理解的同一方案。

  1. 首选创造性备位:D1+D2

D2=WO2008110576A1,公开日2008年9月18日。

这是我目前优先推荐的实质性双文献组合:保留D1原有的埋SiO₂、IDT及厚度窗口,仅用D2补强“为什么选择较高声速的Al₂O₃等非压电承载体来加强声波约束”的技术启示。D2属于相近GBAW技术,明确讨论LN/LT、Al₂O₃非压电层及较高声速有利于衰减的关系。D2原文

结合时不能把D2的TeO₂/SiO₂覆盖结构搬进D1,也不能声称D2已给出D1具体晶向下的相速度验算。

  1. 周期争点的专项备位:D1+US20090108961A1

该文公开于2009年4月30日,给出异极电极间距λ₀/2及0.4λ₀–0.5λ₀等教导;更重要的是,正文末明确关联DE102005055871.2等实施方式。这比单纯“材料相似”更有利于说明技术联系,但不能未经分析就把两篇合称为一篇新颖性证据。专项辅证原文

JP2004343359A主要用于回应键合可行性争议;US6445265B1主要用于回应薄膜及实际承载角色争议。现阶段不建议把它们和全部数值文献堆成一个总组合。

三、权利要求1特征比对表

按附件外层A–E编号,以DE102005055871A1为主证。下列段号均指德国文本,不能与美国同族段号混用。德国公开文本

特征 D1的具体公开 当前评价及剩余争点
A:具有压电膜,采用限定材料的高声速支撑基板 [0033]生长LT/LN压电层并可移除生长基板;[0034]第二基板可用Al₂O₃;[0073]明确机械承载;[0016]–[0017]两侧衰减;权38、39规定体波速度关系 材料、压电层及承载角色证据强。支撑相关体波速度与实际工作模态相速度的对应,是主要争点。
B:限定材料的低声速膜层叠于支撑上 [0037]SiO₂;[0018]及图1G显示介质位于两基板之间;[0017]及权38给出较低体波速度关系 材料和埋层位置有较强公开。须使用相应波型、方向的速度,不能拿声阻抗替代声速。
C:低声速膜上为LT或LN压电膜 [0032]–[0033]材料、生长膜方案及图1G层序 对应较强。权1没有“压电膜≤1.5λ”限制;优先引用明确的生长膜方案,而非把任意厚块体直接称为膜。
D:IDT形成于压电膜一面 [0005]交错梳形电极;[0018]界面设置;权26及图1G 对应较强。“一面”包括界面侧,不要求只能在外露顶面。
E:埋置低声速膜为0.1λ–0.5λ,λ由IDT周期确定 [0042]金属嵌入且不突出时,层系统厚度优选等于介质厚度;优选范围0.15λ–0.5λ 数值区间已整体落入目标范围,不必另找0.1λ端点。但IDT周期与该λ的对应仍需依据正常工作模式解释,不能伪称D1存在逐字定义句。

这张表支持“D1高度覆盖,具备较强攻击基础”,不支持把五行简单勾选后宣布必然无效。新颖性还要审查这些内容能否在同一方案中直接、无歧义地确定。

四、请求人最薄弱的环节

最薄弱的不是0.1λ–0.5λ有没有在先公开,而是:能否把D1的Al₂O₃选材、LT/LN切型、IDT负载与同一实际工作模态联系起来,证明其满足目标所称“高声速支撑”。

D1已有体波排序和两侧衰减,属于有力的隐含公开依据,不能说完全没有证据;但“支撑体波比夹层体波快”,不能直接替代“支撑相关体波比工作导波快”。也不能用另一切型、另一波型或最快纵波的数字来填补。

最有效的处理是固定一套D1原文允许的相容配置,逐项说明材料、层位、周期、工作模态及相关体波分支。必要时再用可复核计算或专家意见固化,数值计算并不是证明隐含公开的唯一方式。

新增JP2007267366A的条件厚度窗口、WO1998052279A1的数值范围确实有贡献,但仍不能自动把高声速覆盖膜认定为机械支撑,或把压电基板认定为压电膜,所以目前不足以替换D1或显著抬高胜率。

最后,附件外层11项理由反复使用“专利法第二条”作为依据,需要纠正:这里的新颖性、创造性理由应分别落到第二十二条第二款、第三款,而不是第二条。专利法原文

总评:以D1为中心推进,单篇新颖性与D1+WO2008110576A1创造性备位并列提出,比继续堆叠膜厚文献更有价值。

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B

权利要求1无效可行性评估报告

重点专利原文核查与技术特征比对

评估日期  2026年10月19日    评估视角  无效宣告请求人

一 核心结论

存在一件公开权利要求1绝大多数技术内容的强主证据,即DE102005055871A1。其氧化铝承载选项、SiO₂夹层、LT或LN压电层、梳状换能电极及0.15λ至0.5λ优选厚度均有原文依据。五组特征都能找到对应出处,但尚不能将这种对应直接表述为全部限定已在一个无争议的具体方案中公开。[D1]

目前最值得推进的是以D1为中心的新颖性主张,并以D1自身教导结合针对性补充证据的创造性主张作为备位。请求人最薄弱的环节,是证明材料选择、压电层形式、工作模态及声速关系能够共同适用于同一装置,而非寻找更多落在0.1λ至0.5λ内的厚度数值。

评估事项

当前判断

授权权利要求1被否定的总体可能性

主观工作区间65%至80%,中心判断约70%。以当前授权范围及证据正确组织为前提。

D1单篇新颖性路线

有实质基础,约45%至60%;主要受同方案公开、压电膜解释及声速对应影响。

创造性路线

相对更强,约65%至80%;以D1为起点,按实际争点使用D6或D3补强。

是否已经接近必胜

否。不能据此给出90%以上把握,也不能把权利要求1的风险等同于全部专利权无效。

 

上述数字是证据强弱的判断性表达,未经案件样本或统计模型校准;新颖性与创造性路线共享解释风险,不能相加。本报告的“成功”仅指现授权文本的权利要求1不能按原范围维持,不包括任何进一步限缩后的权利要求必然无效。

阅读重点:第四部分的D1逐项比对表、第七部分的最薄弱环节,以及第八部分的概率条件。末尾列出可点击的原文与关键定位。

 

 

二 权利要求范围与比对基准

目标为株式会社村田制作所的CN103262410B《弹性波装置及其制造方法》。申请日为2011年12月20日,授权公告日为2016年8月10日,载明日本优先权日为2010年12月24日。用户提供的权利要求1与本次取得的授权PDF第2页一致。[T]

本次按优先权成立的较早界限筛选,即采用实际公开日早于2010年12月24日的普通现有技术。该界限内的核心证据不依赖对优先权提出异议。早申请晚公开的中国申请是否构成抵触申请,应另按其内容与日期判断,不能直接用来评价创造性。[L1]

编号

授权权利要求1的限定

A

高声速支撑基板;材料为AlN、Al₂O₃、SiC、SiN、SiON、DLC膜或金刚石,以及权利要求列明的以这些材料或其混合物为主成分的材料。

B

指定低声速膜层叠在上述基板上。材料包括氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、掺氟或碳或硼的氧化硅及相应主成分材料。

C

LiTaO₃或LiNbO₃压电膜层叠在低声速膜上。下文简称LT或LN。

D

IDT电极形成在压电膜的一面。IDT是叉指换能电极。

E

以IDT电极周期确定所用弹性波波长λ;位于该支撑与压电膜之间的低声速膜厚度为0.1λ至0.5λ。

 

解释中必须保留的边界

“高声速”“低声速”应结合说明书的技术含义解释:前者涉及支撑材料相关体波速度高于所用弹性波速度,后者涉及低速膜相关体波速度低于压电材料体波速度。材料名称相同、声阻抗较低或两种任意声速的排序,都不能自行替代这一判断。高低声速的比较应使用一致的波型、传播方向和晶向口径。[T]

权利要求1未限定压电膜厚度上限、特定切角、特定Q值或仅限表面波;1.5λ以下等限制属于从属权利要求。IDT也未被限定于外露上表面,说明书明确允许下表面IDT。因此,不能仅凭“基板”“GBAW”名称或埋置电极就排除D1;也不能仅将附图翻转便把覆盖膜认定为支撑基板。[T]

对材料清单式权利要求,一种明确落入清单且满足其余限制的方案即可构成有效攻击,无需对比文件公开全部可选材料;但从多份菜单挑选出的组合是否已被直接公开,仍须独立判断。[L2]

 

 

三 当前检索情况与证据排序

附件包含16个“理由”条目,混合论文检索、六语种专利检索、阶段性评估及待执行检索提示。它形成了有价值的线索池,尚不是已统一编号、逐项固定原件和译文的无效证据目录。检索轮数、语种数和同族命中数不能替代证明力。附件中的任务语句仅作为历史线索处理。

本次定向访问15个Google Patents公开文本页面,保存14份PDF,其中包括目标专利;JPH06326553A取得日文网页原文。重点复核D1材料、厚度、承载角色和权利要求38至39,D5同例数值,以及D3的薄层与键合层区分。论文线索保留为辅助,不把附件所称的全文取得状态当成本次独立核验。

优先级

公开文本与公开日

贡献与当前边界

主证据

D1 DE102005055871A1
2007
年5月24日

五组特征均有对应出处;厚度直接且强。材料菜单共同适用及声速与模态仍须论证。

平行核对

D1e US20080252396A1
2008
年10月16日

D1的英文对应分支;便于核对,不能当另一项独立技术启示累计。

第二主线

D2 DE102005055870A1
2007
年5月24日

也有Al₂O₃、SiO₂及0.15λ至0.5λ;IDT和压电层表述不及D1集中。英文分支为US20080292127A1。

结构补强

D3 US6445265B1
2002
年9月3日

蓝宝石承载、SiO₂接合、LN或LT薄层与换能器;SiO₂为数百埃,归一厚度未补齐。

独立备选

D4 JPH06326553A
1994
年11月25日

实施例4之2有LN薄板、SiO₂、梳状电极及半波长上限;支撑为硼、非晶碳或石墨。

数值强证

D5 CN101789769A
2010
年7月28日

同例712 nm与λ=1.9 μm,约0.3747λ;SiN覆盖层的机械支撑角色未闭合。

参数补强

D6 WO2009133655A1
2009
年11月5日

明确IDT指周期λ及SiO₂=0.4λ;高速层为覆盖媒质,不能直接承担D1支撑证明。

次级补强

D7 JP2007267366A
2007
年10月11日

LN与SiO₂厚度窗口落入目标范围;需保留晶切、电极厚度及覆盖层角色条件。

 

编号纠错:D1应与US20080252396A1/WO2007059740A2核对;US20080292127A1属于D2/WO2007059733A1分支。WO2007059741A1不能因编号接近就作为D1的可互换译文。相近文本的重复内容不构成重复实验证据。

 

 

四 最强单篇文件的特征比对

D1公开的是导引体声波器件。第二基板2承担机械稳定,夹层3位于第二基板与第一压电基板1之间,金属换能结构31位于压电体与介电层32的界面。比对中保留其埋置电极、金属层和实际层序,不把金属厚度当作SiO₂厚度。[D1 图1G及0073段]

判定口径:“明确”表示可从原文字句直接定位该子特征;“需解释”表示已有较强依据,但整体对应尚需技术或权利要求解释。此表评价一个公开文本,不把其他文件的内容移入D1。

特征

D1原文公开与定位

公开程度和剩余争点

A 材料及承载

[0034]列第二基板可用Al₂O₃;[0073]明确第二基板厚度用于机械稳定,图1G给出承载结构。PDF第4、6、13页。

材料选项与承载角色明确。Al₂O₃来自一般选材段,具体数值例优选Si,不能写成已有氧化铝实测例。

A 高声速含义

[0015]至[0017]说明低速夹层、纵向衰减及导波。权38规定夹层体系体波速度不超过两侧的90%;权39规定第一基板体波速度小于第二基板。PDF第2、9页。

强解释依据。体波排序不直接等于工作模态相速度小于支撑体波速度;应固定相同波型与选定材料方案。

B 材料与层位

[0037]优选SiO₂,说明适于直接晶圆键合;[0018]、[0076]及图1G公开夹层位于两基板间。权8明确SiO₂。

材料和层位明确。[0017]具体涉及介电层较慢;权38涉及夹层体系,不宜将二者无条件等同。

C LN或LT膜

[0032]列LT与LN单晶;[0033]另允许在生长基板上形成压电层并在结合后去除生长基板;权14为LT。PDF第3至4页。

压电材料明确,膜形式有直接依据。优选第一基板厚3λ至50λ,但目标权1未设数值上限;仍须说明该层形式与其余选择可同时适用。

D 一面IDT

[0005]说明交错梳状电极;[0018]及权26说明金属结构直接形成于第一压电基板,并埋置于介电层界面。

明确。界面位于压电层一面,外侧另有封装或金属层并不当然排除开放式“具备”结构。

E 低速膜厚

[0042]先说明金属嵌入且不突出时,夹层体系厚度优选等于介电层厚度,再给0.1λ至λ及优选0.15λ至0.5λ;权36另明确介电层0.1λ至λ。PDF第4、9页。

数值子特征明确而强。优选范围整体落入目标,无需再找恰为0.1λ的实测点。必须保留体系厚度等于介电层厚度的条件。

E λ的含义

[0021]说明换能器的周期结构,正文多处以声波波长λ表示层厚;本次核查未见与目标完全同句的电极周期定义。

周期换能与设计波长有较强对应基础,但不能只假定λ为指宽或相邻指间距。D6可作创造性备位补强,不能补入单篇新颖性事实。

 

单篇公开的整体评价

D1已达到“公开绝大多数特征”的程度,是本轮最强单篇候选;其优势超过仅有三层结构或仅有厚度交集的文件。仍需解决的是同一相容方案的直接公开:Al₂O₃选项、LT或LN压电层选项、该厚度与该导波条件能否被技术人员直接共同理解。不能仅按七行中有多少行打勾来计算覆盖率。

 

 

五 其他重点文件的交叉比对

下表保持A至E的同一编号。“部分”表示含相关材料或数值,但其结构角色或其他限定尚未对应;“缺”表示未取得该限定的充分公开。不能将各列相加形成单篇新颖性结论。

特征

D2
DE055870

D3
US6445265

D4
JP H06326553

D5
CN101789769

D6
WO2009133655

A 支撑

有Al₂O₃选项
声速待解释

有蓝宝石
导波承载

具体例材料
不在清单

SiN为覆盖层
支撑待证

SiN为覆盖层
支撑待证

B 中间膜

有SiO₂
低速夹层

有SiO₂
接合层

有SiO₂
接合层

有SiO₂
夹在LN与SiN间

有SiO₂
夹在LT与SiN间

C 压电膜

有LN或LT
膜解释待证

明确LN或LT
薄层

明确LN薄板

LN压电体
膜角色待证

LT基板
膜角色待证

D 一面IDT

有换能结构
梳形不及D1明

有换能电极

有梳形电极

明确界面IDT

明确界面IDT

E 0.1至0.5λ

优选0.15至0.5λ
λ
对应待证

缺
仅数百埃

≤0.5λ
优选≤0.1λ

712/1900
≈0.3747

直接0.4λ
定义指周期

 

数值强证与结构强证应分开使用

D5的数值链可在同一实验例闭合:PDF第8页[0092]载IDT节距确定λ=1.9 μm,[0098]载SiO₂厚712 nm,第9页[0099]载SiN厚2000 nm,故h/λ=712/1900≈0.3747。该数值不是SiN厚度,也不是从不同实施例拼成。[0110]说明声学夹持与泄漏模式,但不证明SiN承担机械支撑,也不直接将原LN基板变为受其支撑的压电膜。[D5]

D6在[0051]明确定义IDT指周期λ,[0052]明确SiO₂归一厚度0.4,采用LT与SiN。它适合澄清同类界面导波中电极周期与厚度的技术联系;不宜将其高速盖层旋转后直接认作目标支撑。[D6]

D3提供实际的薄压电层、承载与分子键合框架,并将较快承载体与低损耗导波联系起来;其SiO₂仅数百埃。压电层约一个波长的厚度属于另一层,不能移用为SiO₂的0.1λ至0.5λ。[D3 说明书第2至3栏及图1]

D4实施例4之2给出LN薄板/SiO₂/非压电承载体和梳状电极,SiO₂≤0.5λ、进一步优选≤0.1λ。该上限与端点具有数值证据价值,不能要求原文逐字重复目标整个区间;但硼、石墨及一般非晶碳不能直接认作权1的指定支撑或DLC。其日文网页原文已核,未取得该日本公开文本的PDF。[D4 0224至0228段]

 

 

六 无效理由的组织与组合评价

首位理由 D1单篇缺乏新颖性

以Al₂O₃第二基板、SiO₂介电夹层、LT第一压电层、界面梳状换能结构与0.15λ至0.5λ为所论证方案。分别指出直接公开内容与需要解释的隐含公开,并以D1自身的承载、低速夹层及声场衰减说明技术对应。金属电极、附加封装等增加结构不当然构成区别;“具备”并未排除额外部件。

这一理由的成败不在于厚度范围是否有交集,而在于技术人员能否从D1直接、无歧义地读出上述共同选择及其功能。说明书不同段落可以共同解释一个方案,但不能把不相容方案或未经教导的多项选择拼成新方案。若相容性达不到这一门槛,应转入创造性分析。[L2]

第一备位 D1结合D6的参数设计教导

仅在审理方认为D1的λ与IDT周期对应或中间膜参数设计尚不足时,使用D6。起点仍为D1,承载支撑仍由D1提供;D6用于说明同类LT/SiO₂界面导波器件已将指周期作为λ,并采用0.4λ。所处理的问题可表述为依工作波长与换能几何确定中间介质厚度。0.4λ已处于D1优选区间,技术联系较直接。

反方最强回应是两个器件的厚度、边界、金属和工作模态不同,周期定义不能消除D1的高速支撑解释问题。请求人应说明采用的是相同的归一化设计方法,避免整体搬用D6声场或将其SiN当作D1的Al₂O₃声速证明。

第二备位 D1结合D3的薄层承载教导

若主要区别被认定为“受高速支撑的压电膜”,D3比单纯厚度文献更有针对性。它给出蓝宝石/SiO₂/LN或LT薄层的制造和导波用途;可用于解释D1已有压电层选择与承载选择的可实现性及动机。由于D1本身已有材料与厚度,不能再将D3包装为从无到有补齐全部结构。

若需要把D1优选厚基板显著减薄,必须评价模式、两侧边界及损耗是否仍可预期。D3自身的数百埃接合层也不能反过来证明目标厚度;主张保留D1厚度须有声学设计联系,不能只说“各个特征分别已知”。

独立备选 D4结合材料证据

可从D4的LN薄板、SiO₂、IDT与半波长上限出发,用D3的蓝宝石承载或D11的金刚石/SiO₂/LN层序论证支撑选材。需要说明换材后保留原接合与归一厚度的技术理由。D11是多层膜及制造证据,未给完整的实际IDT与λ实例,不能任取λ用其绝对膜厚倒算。该路线推理步骤较多,排在D1路线之后。

 

 

七 请求人最薄弱的环节

最薄弱环节是“同方案的声学与实体角色对应”。D1并非没有速度关系,但其体波速度排序与目标所用模态相速度的关系仍需准确连接。能否完成这一步,决定其是强单篇证据,还是只能作为组合起点。

D1可选择依附链39 → 38 → 36 → 26 → 25 → 14 → 8 → 2 → 1,同时容纳体波排序、介电层厚度、界面换能金属、LT与SiO₂,且不必经过权34的3λ至50λ限制。但Al₂O₃及优选0.15λ至0.5λ仍来自说明书[0034]、[0042],依附链未逐字列出二者。[D1]

分别记低速介质相关体波速度为c低,压电体为c压,支撑为c支,器件所用模态相速度为v模。D1的导波叙述与权38、39给出有关体波排序和衰减依据;目标高声速含义涉及v模<c支。不能把c低<c压<c支的文字排序直接当成后一不等式的逻辑证明。对于选定非泄漏导波,该关系可能是固有属性,但需结合相应晶向、波型与边界来证明。

顺位

对方最有力的质疑

请求人的有效回应与仍需完成的工作

1

氧化铝、压电膜和优选厚度分别来自不同选项,未见同一实例。

指出D1为同一器件框架给出这些一般选项;结合权项依附链。固定一种相容的LT或LN与Al₂O₃方案,解释为什么不需额外设计才能共同采用。

2

只公开体波排序,没有证明目标实际工作模态的高速支撑。

引用[0015]至[0017]两侧衰减与权38、39。进一步给出相关体波分支、选定导波模态及支撑侧衰减说明,避免混用纵波与不同剪切分支。

3

第一基板厚3λ至50λ,并不是目标压电膜。

目标权1无数值厚度上限,D1[0033]明确压电层并允许去除生长基板;如仍须限缩解释,使用D3并评价减薄后的模式。

4

D1的λ未明确就是IDT电极周期。

利用其周期换能结构解释设计波长,区分全周期、相邻指节距与分裂指配置;创造性备位才使用D6的明确定义。

5

覆盖层或声学夹持不足以构成机械支撑。

D1[0073]有真实承载依据,应保留该起点;对D5、D6、D7则承认角色缺口,不靠旋图或名称替换补齐。

 

最有价值的下一份技术成果,是一份可复核的模态说明,而非继续堆积相同厚度文件。应固定文献支持的材料与边界,交代材料常数、晶向、金属、电极周期和层厚,解释所选工作模态及支撑侧衰减。事后计算可证明已公开方案的固有性质,不能倒造优先权日前缺失的选择或结合动机。

 

 

八 成功可能性的依据与敏感性

总体65%至80%的工作区间,反映当前证据已覆盖主体结构与关键数值,而直接公开和声学对应仍有实质争点。区间中心约70%,并非案件胜率统计。当前没有依据将附件中40%至65%或70%至80%的既有结论原样继承,也不应因本次多下载了几份同族原件而机械上调。

情景

主观判断

原因和适用边界

当前授权范围与现有证据

总体65%至80%

D1强于单纯材料或厚度拼合;依附链与压电层选项可应对多项抗辩。声速、模态及同方案选择风险仍共存。

仅主张D1单篇新颖性

约45%至60%

需达到直接且无歧义的整体公开,不能借D6、D3补齐缺口。对菜单选择和隐含公开的审查口径影响较大。

组织完整的创造性备位

约65%至80%

可以按实际区别引入针对性教导;仍须证明动机、相容性及合理预期,不能把两条路线当独立概率相加。

提交材料与数字的打勾式比对

可能降至45%至60%

没有解释实体角色与工作模态时,最强证据也可能被认为是事后选择,参数辅助文件无法补救全部缺口。

取得有利档案与可靠模态证明

可重新评估至约75%至85%

必须实际补强当前争点,而非只增加专家结论。此为条件情景,并非本次已取得结果。

权利要求1进一步限缩

本概率不适用

若增加压电膜厚度、晶切、模式或其他限制,应针对获接受的新文本重新比对;原范围不能维持不等于整个专利消灭。

 

影响判断的三项前提

第一,评价对象是本次核对的授权权利要求1。本报告不将Google Patents的“Active”字段当作官方法律状态证明;既往无效决定、法院解释及审查档案可能改变结论。

第二,材料、厚度及导波公开应在正式证据与准确中文译文中一一对应。原文网页便于检索,关键争议仍应以可固定公开日的公报、完整上下文和附图为基础。

第三,优先权按2010年12月24日成立处理。列为核心的证据均在该日前实际公开,因此当前路线不需要靠否定优先权才能成立。概率也未额外计入说明书支持、公开充分或修改超范围等尚未完成专题取证的其他理由。

 

 

九 法律评价与现有材料的必要修正

本案申请于2011年,实体新颖性和创造性评价以相关适用的专利法第二十二条第二款、第三款为核心。附件多处将这些主张统一列为“专利法第二条”,应改正;第二条关于发明创造的定义,不能替代第二十二条对应的无效理由。[L1]

新颖性原则上单独对比,明确记载和能够直接、无歧义确定的隐含内容均可考虑;不得把一篇文件中的多项不同方案任意组合。数值判断先以其余特征相同为前提:D1优选子范围处于目标范围内,数值本身已形成强攻击,不要求现有技术逐字写出完整目标区间。[L2 第二部分第三章2.3、3.1、3.2.4]

D4的≤0.5λ及优选≤0.1λ不能因为没有0.1λ下限就被视为“毫无数值贡献”;区间或共同端点可有新颖性意义。但其支撑材料差异并未消失,仍不能据此直接认定权1全部特征被公开。D3仅有数百埃则不同:缺乏同方案λ关系,不能自行换算。

创造性应从最接近现有技术出发,确定实际区别、该区别产生的作用与实际技术问题,再说明采用其他教导的启示。应评价整体方案,不因某个材料或数值孤立已知就省略组合论证。2025年发布的第84号令自2026年1月1日起施行,强调针对权利要求整体评价;2023版指南应与该修改并读。[L2、L3]

需要修正的事项

具体处理

同族与版本混淆

统一使用本报告T、D1至D12编号。D1英文采用US20080252396A1;D2英文采用US20080292127A1;不要跨分支移入段落或权项。

厚度对象混淆

D1保留体系厚度等于介电层厚度的条件;D5保留712 nm与1.9 μm同例链。电极厚、LN或LT厚、SiN盖膜厚不能替代SiO₂厚。

功能与材料混淆

声阻抗不是声速;非晶碳不当然等于DLC;声学夹持不等于机械承载。对不同波型、晶向和模式分别核对。

检索进度与证据混淆

附件待执行查询不计入本次检索实绩;同族和相近文本不累计为多次独立验证。论文摘要和旧报告的全文声明不冒充本次原文核验。

概率与结果口径混淆

概率须注明主观性质、当前文本和条件,不作精确统计承诺;限定于权利要求1,不外推至全部权利要求。

 

公开日晚于界限的文件不能仅凭较早优先权列入普通现有技术。例如附件所列FR2947398A1、DE102010056053A1等晚公开线索不作为本报告主证据;是否存在合格的较早公开版本,应另行落实,而非用优先权日期替代。

 

 

十 补证顺序与请求书准备建议

当前已有提出有重点无效请求的实质基础。工作重心应由扩大命中数量转为固定D1、完成同方案解释和建立分层备位理由。

顺序

具体工作

形成的可核验成果

1

固定D1的完整公开件和译文

首页公开日、PDF第2至4及6页有关段落、第8至9页权项、图1G;标清原文、译文、证据编号与页码。

2

形成一个D1具体对应方案

Al₂O₃/SiO₂/LT或LN/界面IDT;分别注明材料选项、制造选项、厚度与声速教导的来源及共同适用理由。

3

完成声速与模态的技术说明

分清c低、c压、c支与v模,列出所选波型、晶向、边界与衰减;结论需可复核,并说明哪些是固有性质、哪些依赖进一步选择。

4

调取授权与确权档案

核对“压电膜”“高声速支撑”及厚度范围的修改依据和既往解释;若已有有效决定或修改,先更新评价对象。

5

独立撰写备位理由

D1结合D6处理参数与周期;D1结合D3处理压电薄层与承载。各自写明区别、技术问题、动机、相容性和反方回应。

6

保留独立SAW备选

D4结合D3或D11,重点补强换支撑且保留接合与归一厚度的理由;不把它与D1线混成四五篇必需的长组合。

 

请求书可采用的论证次序

先解释授权权利要求1,并证明D1是最接近且主体对应完整的现有技术;随后提出D1单篇新颖性理由,明确哪些关系属于隐含公开。再分别提出针对具体争点的创造性备位。对方若主张更窄的“膜”或“支撑”解释,应同步指出其原文依据及这种解释对各路线的影响。

不建议把主要篇幅花在D1已经明确的厚度数值上,也不建议以泛称“常规优化”跳过声学问题。每项组合只采用补充文件真正提供的教导,并保留其电极、晶切和边界条件。

报告使用条件

本报告是供请求人决策和代理人组织证据使用的技术与法律风险评估,不是无效宣告请求书。当前概率依赖授权文本及公开证据的上述对应;正式提交前,决定性工作是原件与译文固定、档案核对以及针对最弱环节的可复核技术说明。

 

 

附录一 原文来源与关键定位

以下链接均为本次实际访问的Google Patents公开文本;PDF从页面的Download PDF取得。原语言文本优先,英文页面涉及机译时应与原件核对。访问日均为2026年10月18日。编号在本报告内统一使用。

[T] CN103262410B  2016年8月10日

授权权1与权3、4、9;PDF第2页。说明书关于下表面IDT、高低声速含义与第12实施方式。

[D1] DE102005055871A1  2007年5月24日

[0005]、[0015]至[0018]、[0032]至[0042]、[0073];权8、14、26、36、38、39;图1G。关键PDF第2至4、6、8至9、13页已目视核查。

[D1e] US20080252396A1  2008年10月16日

D1英文对应分支;材料及厚度段与原德文核对。该版本权项依附形式应按自身原文处理。

[D2] DE102005055870A1  2007年5月24日

[0008]、[0009]、[0012]至[0014]、[0023];PDF第3页厚度原文已目视核查。

[D2e] US20080292127A1  2008年11月27日

D2英文分支;[0023]为0.15λ至0.5λ,不能作为D1的可互换英文原件。

[D3] US6445265B1  2002年9月3日

说明书第1至4栏、图1及图2;权2至7。PDF第9至10页已目视核查。数百埃属于分子键合层。

[D4] JPH06326553A  1994年11月25日

日文网页[0224]至[0228]实施例4之2、[0234];本次仅取得网页原文,无日本公报PDF。

[D5] CN101789769A  2010年7月28日

PDF第7至9页:[0072]至[0073]、[0081]至[0084]、[0092]、[0098]至[0099]、[0110]。原页已目视核查。

 

 

附录二 补充专利与规则来源

[D6] WO2009133655A1  2009年11月5日

[0045]至[0052]与图2;原文含日文。0.4λ、LT与SiN采用同一实验例。PDF已保存。

[D7] JP2007267366A  2007年10月11日

权1的0.39λ≤H<0.46λ等窗口及权7至9外侧媒质;日文HTML已核,PDF已保存。当前PDF渲染缺失部分日文字形,参数按日文HTML核对。

[D8] JP2004343359A  2004年12月2日

[0024]至[0025]及[0057]至[0065];蓝宝石/LT接合和中间膜。15 nm实际例为AlN,非SiO₂;宜薄倾向应保留。

[D9] FR2474243A1  1981年7月24日

权4及正文k=2π/λ;SiO₂为2/k至9/k,换算约0.3183λ至1.4324λ,优选3.2/k下限约0.5093λ。压电材料为ZnO。

[D10] WO2007124732A1  2007年11月8日

德文原文[0058]至[0061]等;中间SiOx优选0.4λ至0.5λ。第二基板为Si或玻璃,不补齐指定高速支撑。

[D11] CN101777622A  2010年7月14日

权1至4及制造例;金刚石/SiO₂/LN多层膜。绝对厚度不能在无完整IDT实例时任意归一化。

[D12] US5446330A  1995年8月29日

例2之2、2之3及权10、31等;无机中间层半波长上限。与D4有共同优先权背景,不重复累计相同教导。

法律及审查规则

[L1] 专利法2008年修正。第二十二条及本案相关实体条件。

[L2] 专利审查指南2023官方文本。第二部分第三章2.3、3.1、3.2.4及第四章;第四部分第三章4.6.2。

[L3] 修改专利审查指南的决定第84号令。2026年1月1日起施行;第二部分第四章6.4整体评价要求等。

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

我的判断是:DE102005055871A1 对目标权利要求1的覆盖度很高。B、C、D已有明确公开;A的材料和支撑作用明确,“高声速”的具体比较关系需要补强;E的膜厚范围已有强证据,需要补强的是 λ 与IDT电极周期的对应解释。

不能把“0.1λ~0.5λ膜厚未公开”作为主要区别特征。德国专利第[0042]段已经明确记载优选范围 0.15λ~0.5λ。

以下按你提供的A—E拆分分析,德国专利简称 D1。页码均为D1的PDF页码。“弱公开”表示证据尚需解释或补证,并非法定的公开类型;新颖性判断仍须满足同一技术方案中直接、无歧义公开的要求。依据:《专利审查指南》第二部分第三章

逐项对照结果

技术特征 D1的具体公开及位置 判断
A:具有压电膜及指定材料构成的高声速支撑基板 第[0032]—[0033]段明确第一基板可为压电晶体或压电层;第[0034]段明确第二基板可采用 Al₂O₃(氧化铝),对应权利要求1列举的一种材料;第[0073]段明确第二基板作为载体,保证机械稳定性。见第3—4、6页。 压电层、氧化铝材料及支撑作用明确公开;“高声速”比较关系需补强。
B:低声速膜层叠于上述支撑基板上,并采用指定材料 第[0037]段明确介电层优选 SiO₂;第[0017]段说明该层中体波传播速度比两侧基板低,例如至少低10%;第[0073]、[0076]段及图1D—1G显示介电层32位于两基板之间。见第2、4、6—7页及附图。 明确公开SiO₂这一备选方案及其低声速、层叠关系。
C:LiTaO₃或LiNbO₃压电膜层叠于低声速膜上 第[0032]段列举LiTaO₃、LiNbO₃;第[0033]段进一步明确第一基板可以是生长形成的压电层,材料也包括两者。图1D—1G显示第一压电层1与介电层32相邻。见第3—4页及附图。 明确公开。不能仅因其名称为“第一基板”就认定缺少压电膜。
D:IDT电极形成于压电膜的一面 第[0005]段明确换能器具有相互交错的梳状电极;第[0018]段说明金属层设置于压电第一基板上;第[0076]段及图3A、3B进一步给出结构。见第2、6—7、15页。 明确公开。 电极位于压电层与SiO₂层之间,仍属于压电膜的“一面”。
E中的膜厚数值及位置:低声速膜位于支撑基板与压电膜之间,厚度0.1λ~0.5λ 第[0042]段说明层系统厚度优选等于介电层厚度,范围为0.1λ~λ,优选0.15λ~0.5λ;权利要求36另明确介电层32的厚度为0.1λ~λ。见第4、9页。 数值条件已有明确覆盖。 优选范围落入目标范围,证据很强。
E中的λ定义:由IDT电极周期确定的弹性波波长 D1使用λ表示相关厚度,并在第[0021]段将换能器响应与周期结构联系起来,但没有同样明确地写出目标权利要求中的定义句。 较强的隐含公开,建议补充解释证据。

上述层叠关系可以按照“支撑基板→压电膜”的方向对应为:

D1第二基板2 → SiO₂介电层32 → 第一压电层1,IDT位于第一压电层1与介电层32的界面。图纸朝向及先制作哪一层,不改变产品的相对层叠关系。

对于E,D1无需逐字记载完全相同的“0.1λ~0.5λ”。其明确公开的 0.15λ~0.5λ 已落入目标范围;在其余技术特征相同、λ含义一致的前提下,可据此评价新颖性。依据:《专利审查指南》第二部分第三章第3.2.4节

真正需要补强的三项内容

优先级 补强对象 应当找到什么证据
高 A中“高声速”的准确含义 证明所选氧化铝支撑基板的相关体波声速,高于所利用弹性波模式的相速度。应对应波型、晶向和传播方向,避免只给出不相干的纵波速度。
高 E中λ与IDT周期的对应关系 找到申请日前资料,明确D1这类GBAW换能器的声波波长由叉指电极周期决定,并区分相邻异极指间距与完整电极周期。
中 材料选项属于同一完整方案 加强“Al₂O₃支撑/SiO₂/LiTaO₃或LiNbO₃/IDT/上述膜厚”可以共同采用的证据,降低从不同段落挑选、拼接方案的争议。优先寻找完整实施例。

这里有两个值得特别说明的证据点:

第一,A并不是完全没有声速证据。 D1第[0016]—[0017]段已经说明快—慢—快的波导结构,权利要求39还明确第一基板中的体波速度小于第二基板中的体波速度。但目标说明书第[0012]、[0073]段涉及的是“支撑材料体波声速”与“所利用弹性波声速”的比较,不能直接混同为两个材料体波速度的比较。因此,A适合列为有较强依据、需要补齐比较基准的公开。

第二,λ的补强已有具体线索。 D1引用的 DE10325281A1,公开日为2004年12月23日,其第[0013]段说明GBAW波长λ,第[0030]段明确:用于激励声波的相邻异电位电极指中心间距优选为半波长。该文献适合用于解释D1的λ及电极周期关系。查看原文

另有一条适合补强材料组合和约束机制的论文线索:Yamanouchi、Satoh于2008年发表的多层薄膜边界波研究,涉及 AlN或Al₂O₃/SiO₂/金属电极/LiNbO₃或LiTaO₃,并给出了SiO₂厚度约0.225λ的实验结构。不过,其中高声速层属于薄膜,其承担目标“支撑基板”作用仍需论证,不能直接视为权利要求1的完整对应。论文原文

无效论证建议

以D1作为主证据,优先建立单篇新颖性攻击;把声速资料和电极周期资料用于说明其固有属性、术语含义。若必须从其他文件实质加入缺失的技术手段,则应另行建立创造性组合及结合动机。

还应避免三个误判:

  • 不必补齐全部备选材料。 氧化铝、SiO₂、LiTaO₃这一完整落入方案成立即可,不要求D1同时公开金刚石、DLC等所有选项。
  • 不能把压电膜厚度限制读入权利要求1。 “≤1.5λ”“0.05λ~0.5λ”属于从属权利要求3、4。
  • 不能把IDT必须位于上表面作为区别。 权利要求1只要求“一面”,目标说明书第[0070]段也允许下表面布置。

D1公开于 2007年5月24日,早于目标专利记载的优先权日 2010年12月24日。目前最值得投入检索资源的是 A的声速比较证据、E的λ解释,以及完整材料组合的共同公开。

本次核对的授权文本及权利要求拆解稿:

德国对比文件:

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

一、总体判断

以 DE102005055871A1 为最接近现有技术,我认为,当前授权权利要求1的主要结构、材料和膜厚限制已经具有较强的对应基础。真正需要集中论证的是:

  1. DE 文献所选具体方案是否满足“支撑基板中的相关体波速度,高于实际使用弹性波模态的相速度”这一高声速条件。
  2. DE 文献中的 λ,能否直接理解为由该器件 IDT 电极周期确定的工作波长。
  3. 氧化铝支撑、LT/LN压电层、SiO₂中间层、界面IDT和优选膜厚,是否能够依据 DE 文献的整体教导共同采用。

在已有对比文件中,我建议将最优核心创造性组合确定为:

DE102005055871A1+US20060071579A1。

同时保留 DE102005055871A1 单篇新颖性理由;CN101569100A 用于补强工作模态与支撑声速关系的技术认识,DE102004049498A1 用于补强 λ 与IDT周期的对应。与主要补充膜厚数值的组合相比,这种组织方式更切中目前剩余的争点。

以现有文本证据、尚未完成针对 DE 所选具体层系的同模态验证为前提,我对当前授权权利要求1被宣告无效的主观工作估值为 65%~75%,中点约70%。这是根据证据强弱作出的判断,并非案件统计胜率;后文分别说明提高和限制这一判断的因素。

本次分析依据你提供的 CN103262410B_1_无效理由及技术特征(4).docx,并复核了主要对比文件原文。以下以2010年12月24日优先权有效、现有授权权利要求1未进一步限缩为前提,不将权利要求3、4的压电膜厚度限制加入权利要求1。目标授权文本也明确区分了这些权项。Google Patents

二、DE102005055871A1与权利要求1的逐项对比

为避免附件各份报告中编号重复,下文将 DE102005055871A1 简称为 D1,其余文件直接使用公开号。

1. 特征对比表

权利要求1的限制 D1的原文位置及内容 对应判断 是否应作为主要区别
A中的材料及承载身份:指定材料构成的高声速支撑基板 [0034]将Al₂O₃列为第二基板材料选项;[0073]说明第二基板承担机械支撑、提供机械稳定性 氧化铝材料与支撑角色均有明确基础 不宜笼统列为未公开
A中的高声速功能:支撑相关体波速度高于实际工作弹性波速度 [0015]~[0017]说明GBAW导引、垂向声能衰减和速度分布;权38限定中间层系统的体波速度较低;权39进一步限定第一基板体波速度低于第二基板 有较强的功能性、隐含公开论据,但局部材料体波速度与整体模态相速度仍需对应 是最重要的潜在区别或解释争点
B:位于支撑与压电膜之间的指定低声速膜 [0018]及图1G给出中间介电层的位置;[0037]优选SiO₂;[0017]说明介电层中的相关波速低于两侧基板 材料、层位和低速导波作用均有基础 通常不构成主要区别
C:低声速膜上的LT或LN压电膜 [0032]列举LiTaO₃、LiNbO₃;[0033]允许第一基板为生长形成的压电层,接合后可去除生长基板 不仅有压电材料名称,也有压电层形式 不宜仅因其称为“第一基板”而认定未公开
D:形成于压电膜一面的IDT [0005]为交错梳状电极;[0018]将其设置在第一压电基板与介电层之间 对应压电膜一面的界面IDT 不构成主要区别
E中的膜厚:中间低声速膜为0.1λ~0.5λ [0042]说明电极嵌入且不突出时,层系统厚度优选等于介电层厚度;优选范围为0.15λ~0.5λ 优选子范围全部落入目标范围,且有厚度对象对应的文字依据 膜厚数值本身不是主要缺口
E中的波长基准:λ由IDT电极周期确定 D1具有周期性换能器,但本次未核到将λ与IDT周期直接对应的明文定义 可争取按本领域技术含义理解,亦有明确补证 属于次级解释或证明争点

上述对应主要依据德国A1公报[0005]、[0015]~[0018]、[0032]~[0042]、[0073]以及权利要求38、39。尤其应保留[0042]关于“层系统厚度等于介电层厚度”的适用条件。Google Patents

2. 膜厚范围已经不是最薄弱的特征

这里的关系是:

\[ [0.15\lambda,\;0.5\lambda]\subset[0.1\lambda,\;0.5\lambda] \]

D1已经给出落入权利要求范围的明确优选子范围。因此,请求人不需要再证明D1公开了0.1λ~0.5λ内的每一个厚度值。

《专利审查指南》关于数值范围的规则明确:在其余技术特征相同的前提下,已知数值或范围落入要求保护的范围,可以影响其新颖性。本案需要继续证明的是“正确的中间膜+正确的λ+正确的整体方案”,而非继续寻找相同的两个端点。cnipa.gov.cn

3. 三项不应额外加入权利要求1的限制

以下内容不能用来人为扩大D1与权利要求1之间的差异:

  • 压电膜必须小于1.5λ:这是从属权利要求3的限制。
  • IDT必须位于压电膜外露上表面:权利要求1仅限定“一面”,说明书还明确允许下表面IDT。
  • 器件必须仅使用SAW:权利要求1的主题是弹性波装置,目标专利也包含边界波实施方式。

因此,D1的第一压电体相对较厚、IDT埋在界面或采用GBAW名称,都不足以单独排除其对应。Google Patents

三、真正可能成立的区别技术特征

区别一:高声速支撑与实际工作模态的速度关系

这是最需要准备正反两套论证的地方。

结合目标说明书,高声速支撑的核心关系可以写成:

\[ c_{\mathrm{支撑相关体波}}>v_{\mathrm{实际工作模态}} \]

其中,右侧是器件实际采用的表面波或边界波模态的相速度。目标说明书还要求根据所用模态、材料各向同性或各向异性,确定相应体波分支;并非任取一个纵波速度或横波速度进行比较。第9实施方式对高声速支撑基板直接说明了上述关系。Google Patents

D1对请求人有利的内容已经相当充分:

  • 它讨论的是实际受激的GBAW及其声能约束;
  • 中间低速层用于形成垂向速度分布;
  • 权38给出了中间层与两侧基板的体波速度关系;
  • 权39还给出了第一压电基板与第二支撑基板之间的体波速度排序。

因此,不能将D1概括为“完全没有高声速功能,只列出了材料名称”。

但也不能直接把以下两个命题等同:

中间介电材料的体波速度低于支撑材料的体波速度。

该多层装置实际使用的整体导波相速度低于支撑材料的相关体波速度。

整体模态相速度还受膜厚、电极负载、晶向和边界条件影响。D1的导波及衰减描述为后一个命题提供了有力依据,但仍存在解释空间。

我的判断是:这一点应表述为“D1具有较强隐含公开理由;如不被接受,再作为创造性区别处理”,不宜预先承认D1完全缺失该功能。

此外,权利要求1属于装置权利要求。如果能够证明D1所选装置与权利要求限定的结构、组成相同,而该速度关系是其固有性质,不应仅因D1未写出上述数学式就认定存在新颖性区别。也不必机械地要求D1提供实测速度数字;可靠的技术解释可以具有证明作用。cnipa.gov.cn

区别二:λ与IDT周期的明确对应

这一争点的强度低于前一项。

D1使用λ表示归一化尺寸,并采用周期性梳状换能器。从技术理解看,将λ解释为相应工作声波的波长有较强合理性;但正式论证仍应说明:

  • λ对应哪一个工作模态;
  • “电极周期”是同极重复周期,还是相邻异极指间距;
  • 所引用膜厚与该工作波长是否使用同一基准。

这更接近“已有技术含义是否足够明确”的问题。若只需第二文献解释D1中λ的通常含义,可以支持对D1的理解;若必须根据第二文献重新选择工作模态或改变电极结构,便应进入创造性组合,不能继续称为D1单篇直接公开。

“多个选项属于同一方案”不是第三个独立区别特征

D1图示具体例主要采用Si第二基板,Al₂O₃来自一般材料替代选项。因此,请求人不能把图1G直接说成“实测的氧化铝器件”。

但也不必要求所有选项逐字出现在同一个编号实施例中。应当判断:一般材料段、压电层变型、共用层叠结构及优选膜厚是否相互承接,有无技术冲突。

这属于“整体公开是否成立”的问题,不能通过把材料名称逐个打勾来替代。

四、上述争点是否已经被其他对比文件公开

1. 已有证据的具体分工

已检索对比文件 对本次区别判断的主要贡献 仍需保留的限制
US20060071579A1,2006-04-06 在SiO₂/界面IDT/LN体系中,说明通过电极厚度、负载及金属化率调节实际SH边界波速度,使其低于相关慢横波阈值;[0210]还给出实际波速与响应频率、IDT周期的关系 较厚介质及有限厚度示例,不能未经分析直接套到D1的0.15λ~0.5λ SiO₂
CN101569100A,2009-10-28 以明确不等式联系实际工作响应、介质体波、压电体体波及背层体波速度 SiO₂在压电体另一侧,层位不同;文献还指出高速介质夹低速薄层的膜厚、膜质敏感性
DE102004049498A1,2006-04-13 在GBAW背景下,直接将工作λ与电极周期对应;同极中心距约λ,异极中心距约λ/2 用于波长解释;其压电层厚度不能转作目标SiO₂膜厚
US6445265B1,2002-09-03;对应FR2788176A1 对蓝宝石载体/SiO₂分子接合层/LT或LN薄层的共同采用和制造相容性提供支持 不能单独证明实际工作相速关系,也没有同例目标归一化膜厚
WO2009133655A1,2009-11-05 明确给出按IDT周期归一化的SiO₂厚度0.4λ,以及LT/SiO₂/较高速媒质结构 外侧媒质的机械支撑身份仍需解释;对D1已有的膜厚证据属于补强

这些文件均早于本案所采用的优先权界限。其作用应按上表分开使用,不能把各文件的局部内容拼成一篇文献的公开。Google Patents

2. US20060071579A1为何更适合作为第二对比文件

它的优势在于,可以同时处理目前两个主要争点。

首先,其研究对象直接包含SiO₂与LN之间的界面IDT,与D1的发声界面更接近。它说明通过电极负载等手段降低实际SH边界波速度,并将速度降至相关体波辐射阈值以下,从而使能量集中于界面、减少传播损耗。其次,[0210]明确使用响应频率与IDT条状电极周期的乘积表示实际界面波速度。Google Patents

其可以提供的技术教导包括:

为什么要降低工作模态速度,以及通过什么已知手段实现这一目标。

这比仅提供一组“蓝宝石速度较高”的材料常数,更有利于构建创造性结合理由。

不过,US20060071579A1虽然允许有限厚度介质和附加外层,其相关示例不能直接视为已经证明D1的薄SiO₂范围可照常使用。请求人仍需解释有限厚度及Al₂O₃外侧边界对该降速手段的影响。

3. CN101569100A确实公开了更直接的速度关系,但结构迁移负担较大

其权利要求1给出两组条件,可整理为:

\[ c_d<c_p<c_b \]\[ f_0<c_d/\lambda<f_h \]

其中,\(c_d\)为电介质相关横波速度,\(c_p\)为压电体SH体波速度,\(c_b\)为背层相关横波速度,\(f_0\)为实际工作响应频率。由此,在同一器件、同一λ条件下可以推得:

\[ v_{\mathrm{ph}}=f_0\lambda<c_d<c_p<c_b \]

最后一行是根据原文条件作出的代数推导,确实涉及实际工作模态,而非仅比较两种材料的体波常数。Google Patents

问题在于,该文件的基本层序为“背层/压电体/界面IDT/SiO₂”,与D1的“支撑/SiO₂/界面IDT/压电层”不同。它还明确讨论了高速介质之间的低速夹层对膜厚、膜质变化敏感的问题。

因此,我将它放在速度判据的辅助证据位置,而不把它作为首选唯一第二文献。它能够证明相关设计思想已知,但不能自动消除向D1具体薄层结构迁移的困难。

4. λ问题已有较强补证

DE102004049498A1的[0012]、[0015]和[0018]对工作波长和周期关系的说明比较直接,而且同属GBAW技术背景。它比跨用未定义“pitch”的普通SAW文献更适合解释D1的λ。Google Patents

因此,我认为λ目前是可以较有针对性地处理的争点,其风险低于高声速条件与薄层模态适用性问题。

五、建议采用的最优无效组合

1. 主位保留D1单篇新颖性理由

建议围绕D1自身的一条明确分支组织:

Al₂O₃第二支撑基板+SiO₂中间介电层+LT或LN压电层+界面IDT+[0042]等厚条件下的0.15λ~0.5λ优选膜厚。

再利用其导波、垂向衰减及权38、39的速度关系,论证该装置已经具有目标高声速功能;利用本领域对周期性IDT的理解解释λ。

该路线的优点是:主要结构和参数均来自D1,避免不必要的跨文献结构改造。

该路线的风险是:合议组可能认为高声速功能或多个选项的共同采用,尚不能从D1直接、无歧义地确定。

2. 首选创造性组合为D1+US20060071579A1

这应当成为目前重点准备的双文献组合。

论证环节 建议内容
最接近现有技术 D1已有的Al₂O₃/SiO₂/LT或LN及界面IDT结构
潜在区别 严格解释下,明确选择满足高声速支撑条件的实际工作模态
实际技术问题 在既有多层器件中控制工作声波的辐射损耗,保持有效的界面声能约束
第二文献的启示 US20060071579A1提出降低实际SH模态速度,并给出电极厚度、负载及金属化率等调节手段
组合方式 保留D1的承载结构、层序及优选SiO₂膜厚,采用第二文献的选模和电极调节教导
仍需证明 在D1的有限薄层及Al₂O₃支撑边界下,技术人员有理由预期该手段仍能得到满足条件的工作模态

这里有一处必须特别严谨:

不能直接将“D1中的一个体波速度关系”和“另一器件中的实际模态速度”拼起来,就宣称D1本身必然满足目标条件。

正确的创造性论证应当是:采用第二文献的调节教导后,所得到的同一装置的工作模态满足相应关系。例如,在统一传播方向、分支及边界条件后,论证:

\[ v'_{\mathrm{工作模态}} <c_{\mathrm{SiO_2相关横波}} <c_{\mathrm{Al_2O_3支撑相关体波}} \]

其中的 \(v'\) 表示组合后装置的工作相速度。第一项不等式能否在D1的薄层结构中实现,正是需要解释的内容,不能以不同文件中的数值作形式上的传递来替代。

3. 辅助文件按争点使用

建议将其他证据定位如下:

  • CN101569100A:补强“实际工作模态低于相关支撑体波阈值”的已知技术认识。
  • DE102004049498A1:补强GBAW的λ与IDT周期对应。
  • US6445265B1:回应Al₂O₃/SiO₂/LT或LN薄层的制造、接合相容性质疑。
  • WO2009133655A1:作为膜厚和λ的备位证据。

不建议把全部文件写成一组缺一不可的五篇组合。当前最值得集中论证的仍是D1+US20060071579A1;其他文件用于解决特定异议。

六、无效成功概率评估

以下估值针对当前授权权利要求1,不等于全部从属权利要求或者专利整体的无效概率。

攻击方式 当前主观工作区间 主要依据及限制
D1单篇新颖性 55%~65% 材料、结构、IDT及膜厚对应较强;高声速含义和同一方案公开仍有争议
D1+US20060071579A1创造性 60%~70% 第二文献提供具体选模、降速手段及周期关系;薄层适用性仍需充分说明
两条理由并列,并有针对性使用辅助证据 65%~75% 对不同争点形成了较完整应对,但各路线共享部分风险,概率不能相加

支持较高无效把握的因素

D1已经给出大部分构成和落入目标范围的优选膜厚。请求人无需为每一种材料、每一个结构位置分别寻找新的对比文件,组合改动可以集中于实际工作模态及其调节。

同时,目标权利要求1没有限定压电膜必须很薄,也没有限定特殊晶向、特定Q值或只能使用某一种表面波模式。因此,一条落入其保护范围、能够成立的具体材料和工作模式分支,就具有重要意义。

限制目前估值的因素

当前尚未获得一个已经充分核验的对应证明,说明:

在D1所选Al₂O₃/0.15λ~0.5λ SiO₂/LT或LN结构中,保持相应IDT及边界条件后,第二文献的选模、降速手段能够合理预期地得到目标要求的速度关系。

第二文献公开了原理和手段,但其较厚介质条件不能被省略。更多材料名称或膜厚命中,并不会自动填补这一环节。

如果后续以可靠理论、基准日前材料参数及可复核计算,证明D1已公开结构的固有速度关系,或者证明上述组合的适用性,整体把握可以明显提高。该验证的作用应是解释已有技术,而非补造原文没有给出的技术方案。

七、无效请求人最薄弱的环节

第一薄弱环节:同一薄层装置中的工作模态是否成立

最有力的专利权人反驳可能是:

D1给出了某种导波结构和优选厚度;第二文献给出了另一种边界条件下的降速原理。请求人尚未证明,保留D1的薄SiO₂及Al₂O₃支撑以后,第二文献所依赖的工作模式和低损耗条件仍然存在。

这一反驳同时影响创造性中的结合动机、技术适配性及成功预期。它比单独争论“有没有0.1λ~0.5λ”更可能决定结果。

请求人应当固定一条具体材料分支,并统一以下对象:

  • 实际采用的工作模态和传播方向;
  • 支撑材料与压电材料的相关体波分支;
  • SiO₂实际厚度、IDT周期和电极负载;
  • 组合后的同一工作频率与相速度。

无需证明所有材料、所有模态和整个厚度区间都获得最佳效果,但必须把所依赖的一条具体方案论证清楚。

第二薄弱环节:D1通用选项的共同适用

D1内部的Al₂O₃、LT/LN压电层和优选厚度都有文字依据。请求人仍应解释这些教导为何可以共同适用,不能只引用分散段落而不交代上下文。

这里最有价值的辅助是US6445265B1关于载体、SiO₂接合层及LT/LN薄层的一般共同结构。它可以增强制造相容性论证,但若必须借它新增D1中缺失的结构关系,就应明确作为创造性组合使用。Google Patents

第三薄弱环节:对专利权人技术效果的回应是否准确

目标说明书确有Q值改善及声学性能分析,不能主张其“没有效果证据”。

不过,对现有权利要求1而言,仍应区分:

  • 有无中间SiO₂所产生的改善;
  • 0.1λ~0.5λ这一具体范围相对于D1已有范围所产生的额外效果;
  • 未写入权利要求1的超薄压电膜、晶向等条件所产生的效果。

目标第3实施方式讨论了0.1λ~0.5λ附近的机电耦合稳定性;第10实施方式则说明,在其扫描条件下,低声速SiO₂膜厚超过零时Q值即有改善。这些内容不能直接证明两个端点具有独特临界性,也不能直接证明相对于D1已具备的中间低速层结构仍存在预料不到的效果。Google Patents

请求人的有效回应应集中于“这些改善究竟由现有权利要求1中的哪个真正区别产生”,并继续完成技术启示论证。缺少预料不到效果本身,并不自动等于缺乏创造性。

最后,附件中多处“专利法第二条”的标注应在正式无效理由中调整:本案现有技术新颖性、创造性攻击分别对应第二十二条第二款、第三款;创造性应针对权利要求限定的整体技术方案评价。当前应优先投入的工作,是D1所选薄层结构的同模态解释与适用性证明,其价值高于继续增加重复的材料或膜厚文献。cnipa.gov.cn

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

已按照附件中的 A—E 特征划分,核对 Google Patents 上的 DE102005055871A1 德文原文及其原始公开公报,并查验了与声速、工作模态及 λ 定义有关的其他对比文件。以下“D1”均指 DE102005055871A1,段落号以其德文 A1 公报为准。

本次核验后的核心判断是:

  1. D1已经公开了权利要求1绝大部分结构、材料及厚度内容,包括氧化铝第二基板、SiO₂中间层、LT/LN压电层、位于压电层一面的交指电极,以及落入目标范围的0.15λ~0.5λ介电层厚度。
  2. 最主要的争点,是D1的同一氧化铝支撑方案是否能够按照目标专利对工作模态和体波分支的定义,满足“支撑基板中的相关体波声速高于实际使用的弹性波声速”。
  3. 这一争点目前主要属于隐含公开的证明强度问题,不能简单写成“D1肯定没有公开高声速关系”。D1自身的导波、法向衰减及速度分布记载,对请求人具有实质支持。patentimages.storage.googleapis.com

一、先确定比对口径:高声速和低声速比较的不是同一个对象

D1于2007年5月24日公开,早于目标专利主张的2010年12月24日优先权日,时间上可以作为本次在先技术证据。以下沿用该优先权有效的分析前提。Google Patents

目标授权权利要求1列出了材料名单,但没有把声速比较不等式再次完整写出。解释其中的“高声速支撑基板”和“低声速膜”,仍需要结合说明书:

概念 目标说明书中的比较关系 原文位置
高声速支撑基板 支撑基板中的相关体波声速,高于压电膜中实际使用的弹性波声速 [0012];第9实施方式[0173]、图25
低声速膜 低声速膜中的相关体波声速,低于压电膜中的相关体波声速 [0012]、[0073]
实际使用的弹性波 用于获得滤波器或谐振器特性的特定模式,不是IDT能够激发的任意模式 [0073]
参与比较的体波分支 根据工作主模式及材料是否各向异性确定 [0073]~[0081]、表1及表2

因此,本案需要分别核验:

\[ v_{\text{支撑基板相关体波}}>v_{\text{实际工作弹性波}} \]

以及

\[ v_{\text{低声速膜相关体波}}<v_{\text{压电膜相关体波}} \]

两者不能合并成一条简单的“各层材料体波速度排序”。目标说明书还明确区分了实际工作模式和寄生模式。Google Patents

还有一个容易影响结论的细节:目标说明书并未要求所有情况下均与“最慢横波”比较。其表1、表2的对应关系为:

压电膜中的工作主模式 各向同性介质中的比较体波 各向异性介质中的比较体波
U1 P波 P波
U2 S波 SH波
U3+U1 S波 SV波

所以,请求人不能任取一个材料手册中的声速值完成比较;专利权人同样不能把权利要求解释成“工作波必须低于支撑材料所有方向、所有极化中的最低声速”。这一点直接决定A特征的证明范围。Google Patents

二、D1对权利要求1的逐项公开情况

为便于说明,下面把附件特征A拆成“材料及支撑作用”和“高声速含义”,把特征B拆成“材料及层位”和“低声速含义”。这些只是分析标签,并非给权利要求增加新限定。

权利要求1的技术内容 D1原文依据 公开程度及判断
A1:由所列材料构成的支撑基板 [0034]列出Al₂O₃作为第二基板材料;[0073]说明第二基板承担承载及机械稳定作用;图1G 材料与支撑角色均有明确依据。应采用其中的Al₂O₃分支进行比对,无须证明D1公开目标名单内的全部材料。
A2:“高声速”所包含的速度关系 [0015]~[0017]记载导波、能量向两侧衰减及速度剖面;权38、39记载相关体波速度关系 有较强的隐含公开论据。仍需说明它与目标专利“实际工作模态—相关体波分支”的比较规则如何对应。
B1:指定低声速材料位于支撑与压电膜之间 [0037]优选SiO₂;[0018]、[0076]及图1G给出中间介电层位置 明确公开SiO₂材料和夹层位置。
B2:低声速膜相对压电膜的体波速度关系 [0017];权38 明确存在中间层体波速度低于两侧基板的设计条件;在具体比对时应保持相应波型一致。
C:低声速膜上的LT或LN压电膜 [0032]列出LiTaO₃、LiNbO₃;[0033]明确第一基板也可采用生长的压电层,且允许剥离生长基板 有直接文字依据。不能仅凭D1称其为“第一基板”,就认定其未公开压电膜。
D:形成于压电膜一面的IDT电极 [0005]交错梳状电极;[0018]、[0076]电极位于压电层与介电层之间;权26 明确公开界面IDT。目标“一面”的文字范围包含这种位置。
E1:中间低声速膜厚0.1λ~0.5λ [0042]明确层系统厚度优选等于介电层厚度,并给出0.15λ~0.5λ优选范围;权36另有介电层厚度限定 厚度数值已有强直接对应。0.15λ~0.5λ全部落入目标范围。
E2:λ是由IDT电极周期确定的工作波长 D1记载周期换能结构及以λ归一化的厚度,但未检得与目标完全相同的定义句 本件需要技术解释;同领域早期文献已有直接补证,属于次级证明点。

上述结构、材料和膜厚判断分别可以在D1原公报第3~4页、第6~7页、权利要求部分及图1G核对。patentimages.storage.googleapis.com

1. 氧化铝材料和机械支撑作用已经有明确依据

D1第[0034]段的关键短语是:

“Möglich ist aber auch Al₂O₃”

该句将Al₂O₃列为第二基板的材料选项。

第[0073]段进一步将第二基板称为:

“vorzugsweise ein Trägersubstrat”

并说明其厚度应足以保证器件机械稳定性。因此,针对D1,不宜再把“只有氧化铝覆膜,没有承担机械支撑作用的基板”列为主要区别。patentimages.storage.googleapis.com

需要保持准确的是:这里直接公开的是Al₂O₃。若请求人进一步采用某一特定晶向的单晶蓝宝石声速数据,就需要交代该材料状态与所选择的D1方案之间的关系,不能直接把“Al₂O₃”改写成某个已经确定晶向的蓝宝石实施例。

2. 0.15λ~0.5λ不能被排除为“只是金属加介质的总厚度”

第[0042]段并非只给出一个无法分解的复合层总厚度。它先说明层系统厚度优选:

“gleich der Dicke der dielektrischen Schicht”

即等于介电层厚度,原因是金属电极结构嵌入介电层且优选不突出。随后给出:

“0,15λ bis 0,5λ”

因此,在其优选变型下,该数值可以对应介电层自身厚度;结合第[0037]段的SiO₂选材,可以形成目标中间低声速膜的厚度对应。patentimages.storage.googleapis.com

其数值关系为:

\[ [0.15\lambda,\;0.5\lambda]\subset[0.1\lambda,\;0.5\lambda] \]

在其余技术特征相同的前提下,现有技术公开的数值范围落入权利要求的数值范围,可以影响新颖性。因此,不能以“D1没有公开0.1λ~0.15λ这一段”为由,认为权利要求1的整个厚度范围仍然构成区别。cnipa.gov.cn

3. 压电膜及IDT位置也不宜作为主要区别

D1第[0033]段已经提供“生长压电层并可剥离生长基板”的路线。目标权利要求1又未限定压电膜必须小于1.5λ或位于0.05λ~0.5λ;这些属于其从属权利要求3、4的进一步限定。patentimages.storage.googleapis.com

对于IDT,目标说明书第[0070]段明确允许在压电膜下表面设置电极。因此,D1的界面IDT与目标图1所画的上表面IDT之间,并不存在当然成立的位置区别。目标权利要求1也没有把器件限定为只采用自由表面SAW;仅凭D1使用GBAW名称,不能直接排除其落入“弹性波装置”的范围。Google Patents

三、目前应当怎样认定区别技术特征

1. 主要候选区别集中在A2的速度关系

如果按照目标说明书解释“高声速支撑基板”,目前最需要补足的对应关系是:

在D1所选择的Al₂O₃支撑/SiO₂中间层/LT或LN压电层/界面IDT方案中,实际用于滤波或谐振的工作模态,其声速是否低于目标定义所对应的Al₂O₃体波声速。

这是一项需要进一步论证的功能关系。现阶段宜称为“尚待巩固的对应关系”或“主要争议特征”,不宜直接表述为“D1确定不具备的技术特征”。

原因在于,D1第[0015]~[0017]段已经将被激发的声波、导波速度分布及向两侧衰减联系起来。第[0017]段承接被激发的声波进行速度比较,不只是孤立罗列材料名称。patentimages.storage.googleapis.com

2. λ的定义属于次级证明点,已有较强补证

本轮进一步核验了DE102004049498A1。其:

  • 第[0012]段将λ定义为器件工作频率处的声波波长;
  • 第[0015]段说明横向电极周期安排决定GBAW的λ;
  • 第[0018]段区分同极性电极指中心距约为λ、相邻反极性电极指中心距约为λ/2。

这能够支持对D1中λ技术含义的解释,尤其可避免把相邻指条间距与完整电极重复周期混淆。Google Patents

但在证据写法上,应当区分:

  • 用该文件说明本领域如何理解D1已有的周期电极和工作波长;
  • 用该文件给D1添加原本不存在的结构或工作模式。

前者可以作为解释性证明;后者涉及组合评价,不能直接称为D1自身公开。因此,E2应当认真说明,但目前不是比A2更突出的薄弱环节。

3. “同一技术方案”是证明要求,不是另一项新增技术特征

D1中的材料选项、压电层变型、厚度优选及速度条件,分布于不同段落。请求人需要证明这些记载共同适用于所选择的方案。

不能仅列出:

“某段有Al₂O₃、某段有LN、某段有0.15λ~0.5λ、某项权利要求有速度条件”,

就省略这些内容之间的技术关联。新颖性判断也不能把同一文献中互不相容的不同方案任意拼接。cnipa.gov.cn

不过,这并不意味着必须找到一段把所有材料、尺寸和性能完整写在一起的文字。关键在于,本领域技术人员能否从D1整体内容直接、明确地理解所主张的同一方案。

四、对于请求人而言,最薄弱的环节是什么

最薄弱的环节是:把“D1已经公开相同材料、层序、厚度及导波原理”,进一步证明到“所选择的同一D1方案必然满足目标专利定义的实际工作模态速度关系”。

这一环节有以下四个具体风险。

1. 材料体波速度排序与器件工作模态声速之间,还需要一个证明步骤

按照材料体波速度的理解,D1权38、39提供了中间层相对两侧基板的速度关系,以及第一基板和第二基板之间的体波速度关系。Google Patents

但目标A2的右侧,是实际用于滤波器或谐振器的工作弹性波声速。该声速会受到层厚、压电切型、电极材料和电极负载等条件影响。US20060071579A1对改变电极厚度及材料以降低工作边界波速度,就提供了明确实例和技术说明。Google Patents

因此,请求人还需要利用D1的导波约束条件,把实际工作模态纳入速度比较。单独写“氧化铝声速高,所以满足A2”,论证不够完整。

2. 必须选择正确的体波分支和工作模式

目标说明书第[0073]段限定的是实际使用的特定模式。请求人应当说明:

  • D1所援引的是哪个工作模式;
  • 该模式的主要位移分量是什么;
  • 按目标表1、表2,应当采用支撑材料的哪一体波分支;
  • 所引用声速数据是否与该材料状态、传播方向相符。

尤其不能把其他文件中的寄生Stoneley模式、某个高阶模态或不同切型下的速度,直接移作D1的主工作波速度。Google Patents

3. D1的优选硅基板实例不能无说明地替换成氧化铝性能实例

D1第[0077]段具体讨论了LT及高阻硅第二基板;Al₂O₃则在第[0034]段作为第二基板材料选项列出。二者都属于D1的公开内容,但不应把前者的特定性能直接写成后者的实测结果。patentimages.storage.googleapis.com

请求人应证明一般导波教导及厚度选择能够共同适用于Al₂O₃分支,而不是把几个不同层次的记载包装成“D1已经制成并测试的同一个实施例”。

4. 不能用组合后才获得的性能,反填D1的隐含公开

如果必须借助其他文件:

  • 改变电极材料或厚度;
  • 选择新的压电切型;
  • 改变外侧介质厚度或结构角色;

才能获得所需工作声速,那么这首先是组合后的技术方案,应当进入创造性分析。

相反,如果只是用可靠的理论、材料常数或计算,验证D1原有公开条件本来就必然具备的性质,则可以用于支持隐含公开。两者的区别在于是否增加了决定性技术条件。

对专利权人最强反驳的预判

专利权人较有力的反驳可能是:

请求人已经证明材料名称、层序和膜厚相近,但没有证明所选择的Al₂O₃方案实际使用的工作模态,按照本专利规定的体波分支比较规则,满足高声速支撑条件;其他器件的速度不能直接移入D1。

请求人的回应应当抓住D1自身的第[0015]~[0017]段及权38、39,说明其速度设计和导波衰减本来就属于同一技术构思,再补足具体模式对应。

也应防止把证明负担无限扩大:请求人不需要证明D1所有Al₂O₃状态、所有切型、所有高阶模态都满足条件;需要建立的是一个明确公开、可实施且落入权利要求1范围的方案。

五、相关对比文件能补强到哪一步

1. US20060071579A1:补强工作波速的调节手段

该文件于2006年4月6日公开。第[0135]段附近说明,通过使用密度较高、声速较低的金属并增加电极厚度,可以降低边界波速度、增强界面附近的能量集中;第[0210]段还明确连接了IDT区域工作波速度、响应频率和电极条带周期。Google Patents

其贡献在于提供可用于D1界面电极的调速原理和手段,也有助于解释工作波长。

限制在于,其第[0216]~[0217]段的0.71λ薄SiO₂实例采用环氧树脂外层,不是D1所选择的Al₂O₃机械支撑,且0.71λ不落入目标0.1λ~0.5λ。因此,该例不能直接证明D1目标薄层范围中的工作速度。patentimages.storage.googleapis.com

2. CN101030764A:补强相同材料顺序及有限SiO₂层的适配性

该文件于2007年9月5日公开。第一示例性实施例及图2公开了LN/Cu为主成分的IDT/SiO₂/Al₂O₃结构;在相同电极、波长及切型条件下,实际制造并测量了SiO₂归一化厚度为0.33、0.38、0.42、0.45、0.52、0.58的器件。前四个厚度点落在D1的优选范围及目标权利要求范围内。Google Patents

这件文件的价值是:为LN、有限厚度SiO₂、Al₂O₃这一材料顺序存在实际可工作的器件提供支持,能够增强创造性组合的适配性论证。

但其中Al₂O₃被描述为介质膜,不能直接等同于D1的机械承载基板。其器件结果也不能不经分析就转化为D1厚支撑条件下的声速结论。

3. CN101569100A:速度链明确,但主方案层位不同

该文件于2009年10月28日公开。其公式(1)、(2)在同一主方案中,能够把工作响应频率、λ、电介质横波速度、压电体SH波速度及背层横波速度连接起来。Google Patents

其局限是:主方案将低热膨胀背层设置在压电体的另一面,SiO₂与该背层分处压电体两侧;而本案D1路线要求SiO₂位于支撑与压电体之间。

因此,它适合用来解释速度判据、模式选择和声能约束,但不能仅把公式拿来,就认定D1的全部声速对应已经完成。

4. DE102004049498A1:补强λ与电极周期的理解

该文件于2006年4月13日公开,其主要贡献是同领域GBAW器件中工作波长与横向电极周期的明确联系。

使用时应保留其模式条件,并区分同极指完整周期与相邻反极指间距,避免出现二倍换算错误。它对E2的补强较直接,但不解决A2中的具体Al₂O₃工作模态速度问题。Google Patents

六、请求人应当如何组织本次无效论证

第一顺位:充分组织D1单篇新颖性理由

目前不宜在论证起点就承认“D1缺少高声速支撑”,然后直接转向多文件组合。

更合理的顺序是:

  1. 用D1的材料、层序、压电层变型、IDT位置和膜厚记载,建立完整结构对应。
  2. 用目标说明书限定“高声速”的正确解释范围。
  3. 用D1自己的导波、法向衰减及速度剖面论证A2。
  4. 用同领域文献解释λ及声学术语,必要时用原公开条件下的技术计算补强必然性。

《专利审查指南》允许考虑本领域技术人员能够直接、明确确定的隐含内容;对于性能、参数限定的产品,也需要判断该限定是否实际造成结构或组成上的可识别区别。因此,“D1未写出一个具体工作声速数字”本身,不足以否定其新颖性攻击价值。cnipa.gov.cn

第二顺位:围绕未能证明的声速对应提出创造性备位理由

如果A2的隐含公开仍不能充分成立,可重点考虑:

  • D1提供主体结构、材料分支及中间膜厚度;
  • US20060071579A1提供通过界面电极负载调节实际工作声速的技术手段;
  • CN101030764A提供相同材料顺序和有限SiO₂厚度的适配性支持;
  • DE102004049498A1承担λ含义的解释性证明。

这条路线仍需说明:为什么技术人员会在D1中采用该调速手段,以及调整后在所选层厚和支撑条件下,能够合理预期获得所需工作模式。不能把几件文件各自的有利结论直接相加。

当前最值得优先补强的证据

请求人下一步最有价值的工作,是选定一个有D1原文依据的Al₂O₃方案,明确其压电材料、工作模式、SiO₂厚度、电极条件及相关体波分支,然后完成速度关系证明。

可以优先形成一份技术说明或专家分析,集中回答:

  • D1所述向支撑侧衰减的导波条件,对所选工作模式意味着什么;
  • 该条件与目标说明书表1、表2的比较对象是否一致;
  • 所用材料常数和晶向依据来自何处;
  • 论证是在验证D1原有性质,还是依赖后来新增的优化条件。

这项证明的价值,高于继续增加仅具有相同材料名称或相近厚度数字的文件。

主要原文入口

对当前证据最准确的定位是:D1已经具有很强的整项权利要求对比价值;材料、层序、IDT位置和膜厚数值不应再被列为主要缺口。请求人最需要巩固的是同一方案内的工作模态与相关体波速度对应,A2是否构成真正区别,应在完成这一解释和证明后判断。

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

DE102005055871A1 是目前很强的主对比文件。它对权利要求1的指定支撑材料、三层结构、LT/LN压电层、界面IDT,以及低声速夹层的厚度范围,都有实质性的公开依据。真正需要重点论证的,是这些内容能否共同构成一个满足“高声速支撑”含义的技术方案,尤其是支撑中的相关体波声速与实际工作导波相速度之间的关系。

基于本次核验的原文,我对现授权权利要求1的综合无效成功可能性给出约60%—75%的工作区间。其中,D1单篇新颖性路线约45%—65%;以D1为起点、结合针对性补强证据的创造性路线约60%—75%。这些是证据强弱的主观评估,不是案件统计胜率;两条路线的风险高度相关,不能相加。

本次以您上传的 CN103262410B_1_无效理由及技术特征(7).docx 中的技术特征和既有检索结果为线索,访问了Google Patents,重新核对了目标授权文本、DE102005055871A1德文公报及主要补强文献。以下段号均对应所注明的具体公开文本。

一、比对前需要确定的权利要求解释

本次以CN103262410B现授权权利要求1为对象,并暂按2010年12月24日的优先权成立处理,使用该日之前已经公开的技术。D1即DE102005055871A1,公开日为2007年5月24日,时间上符合要求。Google Patents

1. “高声速”与“低声速”不能只按材料名称理解

目标说明书第[0012]段明确区分了两种比较关系:

\[ v_{\text{支撑体波}}>v_{\text{实际工作弹性波}} \]\[ v_{\text{低声速膜体波}}<v_{\text{压电膜体波}} \]

第一项比较支撑材料中的体波与器件实际使用的弹性波;第二项比较两种材料中的体波。二者并不是同一条件。因此,“氧化铝通常具有较高声速”可以支持选材判断,但不能直接代替对实际工作模态的解释。另一方面,也不能因为D1没有提供一组实测声速,就认定它必然没有公开相应关系。Google Patents

2. 不能把从属权利要求的限制加入权利要求1

授权权利要求1没有限定:

  • 压电膜必须薄于1.5λ或0.5λ;
  • IDT只能位于压电膜外露的上表面;
  • 必须采用某一特定切型或某一特定SH模式;
  • 必须达到某个定量Q值。

其中,压电膜厚度和特定模式条件出现在从属权利要求中;说明书也明确允许在压电膜下表面形成IDT。因此,不能仅凭D1使用“第一基板”这一名称、IDT位于埋置界面,或者其工作波被称为GBAW,就排除其对权利要求1的公开。Google Patents

现行《专利审查指南》也要求针对权利要求限定的整体方案评价创造性;说明书中记载、但未进入权利要求的贡献特征,不能当然作为该权利要求的区别。cnipa.gov.cn

二、DE102005055871A1逐项公开了哪些特征

为避免把材料、结构与声学功能混为一谈,下表将附件中的A、B进一步拆分。

目标权利要求1的技术内容 D1原文依据 本次评价
A1:指定材料构成的支撑基板 第[0034]段明确列出Al₂O₃作为第二基板材料;第[0073]段和图1G说明第二基板用于机械稳定,并称其为承载基板 材料与支撑角色均有直接依据。不能将D1概括为“只公开硅支撑”
A2:“高声速支撑”的声速关系 第[0015]—[0017]段说明低速层导波、能量向两侧衰减及声速分布;权利要求38、39规定层系统与两基板的体波速度关系 有较强的文字及隐含公开依据,但与实际工作模态相速度的对应仍是主要争议
B1:支撑与压电膜之间的指定低声速膜 第[0037]段优选SiO₂;第[0018]段及图1G明确夹层位置 材料和层序公开明确
B2:低声速膜相对于压电体的低声速性质 第[0016]—[0017]段及权利要求38;具体实施方式另说明两侧基板声速高于介质层 对低速关系的依据较强,应保持比较波型的一致性
C:低声速膜上的LT或LN压电膜 第[0032]段列出LiTaO₃、LiNbO₃;第[0033]段允许先形成压电层,结合后去除生长基板;另有减薄方案 不是缺失特征。“第一基板”这一名称不足以排除其压电膜属性
D:压电膜一面上的IDT 第[0005]段记载交错梳状电极;第[0018]段将电极放在第一压电基板与介质层之间 已公开界面IDT,符合“一面”的通常含义
E1:中间低声速膜厚0.1λ—0.5λ 第[0042]段记载一般范围0.1λ—λ,优选0.15λ—0.5λ,并解释层系统厚度与介质层厚度相等的条件 数值范围具有很强的直接对应
E2:λ由IDT电极周期确定 D1有周期换能结构,并以λ规定层厚;但未核到与目标完全相同的定义句 有较强技术解释基础,仍应作专门说明,属于次要衔接问题

上述定位已经与D1德文原始公报核对,尤其是第[0033]—[0034]、[0042]、[0073]段及图1G。patentimages.storage.googleapis.com

1. D1确实公开了氧化铝承载选项

D1第[0034]段将Al₂O₃列为第二基板的可选材料,第[0073]段说明第二基板承担机械稳定作用。二者讨论的是同一类器件中的第二基板,并非两个完全无关的对象。

但正式论证应保留一个区别:图1G的具体说明优选使用硅,Al₂O₃来自一般材料选择段落。可以主张该一般选择适用于图示结构,却不能把硅实施例中的每个数值直接改称为“氧化铝实测实施例”。

我的判断是:这一点存在论证任务,但并不构成“未公开指定支撑材料”的明确缺口。

2. 膜厚范围不是当前的主要区别

D1第[0042]段的关键并不仅是出现了0.15λ—0.5λ,还在于它解释了:

金属结构嵌入介质层、且不突出介质层时,层系统的厚度优选等于介质层的厚度。

因此,将该优选范围对应于SiO₂夹层厚度,有直接文字基础;不能一概认为该数值只是“金属层加介质层的总厚度”。patentimages.storage.googleapis.com

并且:

\[ [0.15\lambda,\;0.5\lambda]\subset[0.1\lambda,\;0.5\lambda] \]

在其他特征相同、λ含义相同的前提下,在先范围落入权利要求范围,已经具有新颖性破坏力,不需要D1另外覆盖0.1λ—0.15λ这一段。《专利审查指南》第二部分第三章第3.2.4节对此有明确规定。cnipa.gov.cn

3. 不能把“压电膜”和“界面IDT”人为扩大为缺口

D1不仅有减薄后的第一压电基板,还明确允许以生长压电层形式形成第一基板,随后去除生长基板。目标权利要求1又没有给压电膜设置厚度上限,因此,仅依赖“substrate不是film”的字面区别,抗辩力度有限。

同样,目标要求IDT在压电膜“一面”,D1的IDT形成于压电体与SiO₂之间的界面,仍位于压电体的一面。是否埋入介质层,不会自动使这一特征失去对应。

三、真正可能成立的区别技术特征是什么

严格说,当前不能先验地断定D1一定存在一个明确的结构性缺口。应当采用两层判断。

第一层:若接受D1整体教导及其隐含公开

如果本领域技术人员能够从D1直接理解:

  • 采用Al₂O₃第二承载基板;
  • 采用SiO₂夹层及LT或LN压电层;
  • 采用落入0.15λ—0.5λ的夹层厚度;
  • 由界面IDT激励该装置的工作导波;
  • 该导波受第二基板的较高相关体波声速约束;

那么,权利要求1可能不存在实质区别,D1单篇新颖性攻击可以成立。

这里不要求D1逐字采用目标专利的术语,也不要求每个材料选择都另有实测表格。对比文件的公开内容包括本领域技术人员能够直接、毫无疑义确定的隐含内容。cnipa.gov.cn

第二层:若不接受上述直接或隐含对应

需要进入创造性评价的潜在区别,主要是以下两项。

潜在争点 应如何准确表述 重要程度
支撑声速与工作模态的对应 在所选择的Al₂O₃/SiO₂/LT或LN装置中,支撑中的相关体波声速高于实际使用的弹性波相速度 主要争点
工作波长的对应 D1用于规定介质层厚度的λ,与该IDT周期所确定的工作弹性波波长一致 次要争点

“氧化铝材料缺失”“没有SiO₂夹层”“没有压电膜”“IDT位置不符”“0.1λ—0.5λ完全没有公开”,均不宜继续作为主要区别。

为什么声速问题仍然需要论证

D1的声速内容比“高声阻抗”强得多:

  • 第[0015]—[0017]段讨论的是实际被激励并受导引的波;
  • 第[0016]段记载声能向激发区域两侧垂直衰减;
  • 权利要求38规定层系统中的体波传播速度不超过两侧基板中的90%;
  • 权利要求39进一步规定第一基板中的体波速度低于第二基板。Google Patents

这些内容足以支持有力的隐含公开主张。但材料体波的声速排序,与多层器件整体工作模态的相速度,仍属于不同层次的物理量。

对于适用的非泄漏导波,向支撑内部衰减通常能够支持工作相速度低于相关支撑体波辐射阈值的解释;然而,不能把这一解释不加条件地推广到任意泄漏模式、混合极化模式或各向异性传播方向。US20060071579A1正是通过区分实际界面波与相关慢横波,讨论泄漏和能量约束条件。Google Patents

因此,当前的准确评价是:D1对该关系有很强的公开依据,但其适用于所选氧化铝方案的完整性,仍可能成为合议组审查的重点。

四、这些潜在区别是否已被检索到的文献公开

已经检索到的文献可以显著补强,但其贡献并不相同。应区分“直接公开了某一速度关系”“证明同材料有限层器件可工作”与“直接证明D1具体方案满足全部限定”。

1. CN101030764A/JP2007267366A:最有针对性的氧化铝方案补强

CN101030764A公开于2007年9月5日,JP2007267366A公开于2007年10月11日。

两件相关文本的第一实施例公开了:

  • LN压电体;
  • 以Cu为主要成分的界面IDT;
  • SiO₂膜;
  • 外侧Al₂O₃膜;
  • 由电极几何周期确定的λ。

还实际制造并测量了SiO₂厚度为0.33λ、0.38λ、0.42λ、0.45λ、0.52λ、0.58λ的器件。其中前四个厚度位于目标范围内,也位于D1的优选范围内。日文原文的关键定位为第[0020]—[0022]段,中文对应第一示例性实施例及图2、图4—7。Google Patents

它对请求人的价值很大:同种LN/有限厚度SiO₂/Al₂O₃材料组合及界面IDT,已有实际器件依据,不能再笼统认定为未经验证的拼接。

仍需保留的限制是:该文献将Al₂O₃称为介质膜,没有在该实例中明确赋予其机械承载角色;其速度文字主要比较介质材料声速,没有直接给出D1所选厚支撑方案的工作相速度不等式。

因此,我将其定位为首选的材料、有限膜厚及声学适配证据,而不是单独补齐D1全部争点的文件。

另一个需要纠正的细节是:中文对应段落中的“H/λ=0.095”,应结合日文原文校核为电极厚度h/λ。188nm÷1982nm约为0.095,不能将该数值当成SiO₂厚度。Google Patents

2. US20060071579A1:直接提供实际工作波降速的技术手段

该文献公开于2006年4月6日。第[0135]—[0144]段及权利要求1、2,明确讨论通过电极厚度、材料负载或电极占空比,使实际SH界面波速度低于两侧介质中的相关慢横波速度,从而实现能量约束并降低传播损耗。Google Patents

它回答了一个比“材料比较快”更具体的问题:如何调整器件,使实际工作的波达到所需的速度条件。

其局限是,基本论证对象为两介质及界面电极,不能将其具体电极阈值、速度数值,未经分析便移植到D1的有限SiO₂夹层和氧化铝厚支撑中。

因此,它适合用于创造性中的技术启示和设计手段,而不应被写成“已经测得D1的氧化铝方案符合条件”。

3. 其他主要补强文献的实际作用

文献及公开日 经核验的主要贡献 不能直接补齐的内容
EP2068442A1,2009-06-10 将实际工作边界波速度与电极厚度、占空比及慢横波阈值直接联系,提供更具体的调速依据 没有直接验证D1的Al₂O₃厚支撑及有限SiO₂方案。Google Patents
WO2009133655A1,2009-11-05 LT/SiO₂/高速外侧介质结构;明确用电极指周期定义λ;具有SiO₂=0.4λ实例,并研究0.1λ—0.5λ厚度条件 外侧高速层的机械承载角色仍需说明;材料速度排序不能自动代替实际模态速度。Google Patents
WO2010119796A1,2010-10-21 LT/SiO₂/SiN实际滤波器;SiO₂为760nm、主IDT波长1.9μm,对应0.4λ;提供有限低速层与高速外层工作的实例 实物例采用SiN,并含特定切型、电极凹槽等条件,不能写成Al₂O₃支撑实测例。Google Patents
US6445265B1,2002-09-03 蓝宝石承载、LT/LN薄层、SiO₂分子键合层及波导目的,支持材料和结构相容性 未明确给出所需SiO₂归一化厚度,速度表述也不能直接替代D1具体模态证明。Google Patents
CN101569100A,2009-10-28 通过材料横波速度及工作响应频率不等式,连接实际工作波与高速背层;速度关系较明确 主方案的SiO₂与高速背层分居压电体两侧,层序与目标不同,不能通过翻转附图消除。Google Patents
DE102004049498A1,2006-04-13 明确工作频率下的波长,以及横向周期电极结构决定GBAW波长的关系 适合补λ的解释,不能当作D1氧化铝工作模态的完整证明。Google Patents
CN101777622A,2010-07-14 金刚石/SiO₂/LN的层序、材料和制备依据直接,适合金刚石备位路线 没有对应完整IDT及工作λ的参数,不能把绝对SiO₂厚度直接换算成目标归一化范围。Google Patents

由此可见,相关声速认识、调速手段、周期定义和同材料有限层结构,均已找到有实质贡献的现有技术。尚未被直接证实的,是这些内容在D1所选具体分支中的共同适用性;这不能仅凭文献数量来替代。

五、建议采用的无效理由组织方式

路线一:保留D1单篇新颖性攻击

这条路线值得提出,不宜提前放弃。

论证重点应当是D1自身的整体公开,而不是把其他文献内容补进D1:

  1. 以第[0034]、[0073]段确认Al₂O₃第二承载基板。
  2. 以第[0032]—[0033]、[0037]段及图1G确认压电层、SiO₂夹层及层序。
  3. 以第[0005]、[0018]段确认界面IDT。
  4. 以第[0042]段确认介质层厚度。
  5. 以第[0015]—[0017]段及权利要求38、39解释实际导波受高声速支撑约束的关系。
  6. 对λ的含义作同一工作波长的技术解释。

D1的若干从属权利要求可以沿同一引用关系共同适用。例如,权利要求39、38、36、26、14、8、2和1之间,可以构成包含速度条件、介质厚度、压电材料及电极关系的依附路径。这有助于说明这些内容并非全部来自互不相容的实施例。但Al₂O₃选项和0.15λ—0.5λ优选区间,仍分别来自说明书,不能宣称该权利要求链本身已经逐字列出二者。Google Patents

需要守住的界限是:同一文件中的相容通用教导可以整体理解,但不同技术方案不能随意拼接后认定缺乏新颖性。cnipa.gov.cn

路线二:优先准备D1+CN101030764A的创造性理由

这是一条比较简洁、材料对应较好的路线。

建议在这一组合中明确采用D1已经允许的LN分支,避免一边使用D1的LT具体条件,一边直接套用CN101030764A的LN实例。

可以据此提出的技术问题是:

如何在既有多层导波器件中减少向支撑侧的声能泄漏,并保持可用的谐振或滤波性能。

组合分工为:

  • D1提供承载结构、界面IDT、低速夹层、厚度范围和导波设计基础;
  • CN101030764A提供LN/有限SiO₂/Al₂O₃的实际工作窗口,以及清楚的周期—波长对应。

这里应保留D1已有的机械支撑角色,以CN101030764A支持其声学适配性;不必先把第二文献的Al₂O₃覆膜重新认定成承载基板。

路线三:针对声速争议,进一步加入US20060071579A1

如果合议组认为D1+CN101030764A尚不能充分解释实际工作波的速度配置,则准备:

DE102005055871A1+CN101030764A+US20060071579A1。

三篇文献分别承担“主体结构”“同材料有限层适配”“实际工作波调速手段”的证明任务。

这条路线的结合理由并非泛泛地说“同属弹性波领域”。D1已经在界面附近设置金属换能结构,并以速度分布约束声波;US20060071579A1提出的电极负载和占空比调整,也作用于该能量集中区域。因此,可以论证本领域技术人员有动机利用既有电极参数进行调节。

但还必须解释:为什么这种调节适用于有限厚度SiO₂及Al₂O₃支撑,为什么不会使工作模式或损耗表现发生不可预期的变化。创造性评价允许组合现有技术,却仍要求对结合动机和整体方案进行判断。Google Patents

六、无效成功概率的客观评估

以下区间以现授权权利要求1、优先权成立、所引用版本及译文能够正确提交为前提;未将未调取的审查档案、优先权争议或权利人可能作出的进一步限定计入。

评价路径 当前工作区间 主要判断
仅凭D1主张不具备新颖性 45%—65% 大部分结构和参数对应很强;主要风险在同一方案合读、实际模态及λ解释
以D1为起点,结合现有针对性证据主张不具备创造性 60%—75% 区别已较集中,有同材料有限层器件及明确调速手段;仍需完成适配和可预期性论证
两类理由并列提出,对现授权权利要求1的总体无效可能性 60%—75% 两类理由共享同一核心争点,不能将概率相加

为什么不宜评得过低

对请求人有利的因素相当集中:

  • D1已经列出权利要求允许的Al₂O₃支撑材料;
  • 中间SiO₂层及界面IDT的位置基本对应;
  • 归一化厚度具有明确的范围内优选记载;
  • D1并非只有材料名称,还具有声速分布、导波和垂向衰减教导;
  • 已有同种LN/SiO₂/Al₂O₃有限层实物器件补强。

因此,若将本案评价为“只有一般三层示意,缺少多项核心特征”,会明显低估现有证据。

为什么目前也不宜评为85%—90%以上

当前仍未取得可以完全消除争议的对应说明:在所选择的Al₂O₃材料状态、压电体切型、夹层厚度及电极条件下,D1所使用的工作分支为何满足目标的高声速定义。

现有补强文件分别很有价值,但有的采用覆膜、有的采用两介质模型、有的层序不同。如果请求书没有清楚解释这些差别,权利人仍有较强的反驳空间。

这里的扣分原因是技术对应和组合论证尚未完全落实,而不是“没有实测就不能无效”。

七、对于无效请求人,最薄弱的环节

最薄弱的环节可以准确概括为:

能否证明D1的Al₂O₃材料选择、有限SiO₂夹层、LT/LN压电层、界面电极和声速教导,共同指向一个满足权利要求1的可实施方案;若不属于直接公开,能否证明在该结构中配置所需工作模态属于有明确技术启示、结果可合理预期的调整。

专利权人最有力的反驳,预计是:

“请求人把D1的一般材料选项、硅实施例的参数、另一文献的覆膜结构和第三篇文献的速度结果,合成了一个原文没有公开的器件。”

请求人应当正面回答这一质疑,重点做好以下三项工作。

1. 固定一个主张分支

新颖性路线可围绕D1自身的LT分支和引用关系展开;采用CN101030764A进行创造性补强时,明确选择D1已经允许的LN分支。

每条路线都应标清材料、层位、电极、厚度和工作波长的来源,避免在不同分支之间无说明地切换。

2. 把“材料声速”与“实际工作波速”之间的推理写完整

优先利用D1自身的垂向衰减和导波教导,说明相关工作模式为何满足支撑侧的速度约束。

如需要计算或专家意见,应明确材料参数、晶向、波型、边界条件及电极负载。只有采用D1已公开或本领域能够直接确定的条件,才能用于支持其固有或隐含公开;若依赖后来新增的优化条件,则应作为创造性组合后的可实施性证明,不能反填为D1原有公开。

3. 将补强文献用于它真正能够证明的内容

CN101030764A适合证明同材料、有限夹层及实际工作窗口;US20060071579A1适合证明调节实际工作波速的手段;DE102004049498A1适合解释工作波长与周期电极的关系。

不宜把这些文献各自的一项优点直接叠加成“全部特征已经无争议公开”。目前继续提高成功率,最有效的工作是完成上述同一方案的技术论证,而不是继续增加只有材料名称相同的文献。

最后,附件中各轮报告的“法律依据”多标为《专利法》第二条。正式组织本次无效理由时,新颖性和创造性应分别落实到第二十二条第二款、第三款,避免沿用附件中的泛化标注。cnipa.gov.cn

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

CN103262410B 权利要求1
材料公开与无效论证报告

高声速支撑基板与低声速膜  谷歌专利原文核验

报告日期 2026年10月23日    在先公开基准 2010年12月24日

一 核心结论与证据使用顺序

建议把“氧化铝支撑基板+氧化硅中间膜”作为材料特征论述的主线。DE102005055871A1在同一器件框架内列出Al₂O₃第二基板、SiO₂介电层,并明确第二基板承担机械支撑作用;它比仅罗列高速材料名称的边界波覆盖膜文献更适合作为主证据。[E1]

第二顺位是US20040226162A1及其日本同族JP2004343359A:其支撑材料包括以氧化铝、氮化铝或氮化硅为主成分的陶瓷基板,并公开位于支撑基板与LT之间的SiO₂候选中间膜。金刚石分支则优先采用CN101777622A,其金刚石/非晶SiO₂/LN层序更直接。[E3、E5]

材料清单中的选项是“任意一者”,不要求请求人把全部选项逐一找齐后才可以提出无效理由。应首先找到一个落入该清单、并与其余权利要求限定相容的具体方案。材料名称和中间层位被公开,仍不等于授权权利要求1整体已经丧失新颖性;完整评价还要处理高低声速术语、LT或LN压电膜、IDT及0.1λ至0.5λ厚度。[T、L1、L2]

要回答的问题

本次结论

首选材料组合

Al₂O₃+SiO₂;E1主证据,E2及E3作独立路线或补强。

最强备选分支

AlN/Al₂O₃/SiN陶瓷支撑+SiO₂候选中间膜用E3;金刚石+SiO₂用E5。

是否还有完全未见名称的材料

在纳入本次定向补充后,14种点名材料均有在先名称或成分公开;这不表示14种均已按目标层位和声速关系公开。

真正尚未闭合的重点

SiC、SiON、DLC作为目标支撑的角色;玻璃、SiON、Ta氧化物及F/C/B掺杂SiO₂作为目标低声速中间膜的组合;具体混合主成分方案。

 

整体无效路线:先就E1中的材料与层位作直接公开论述;如声速模式及其他限定能够在单一相容方案中闭合,再提出新颖性攻击。对仍需材料替换、结构转移或参数适配的部分,使用创造性论证并给出具体技术启示。当前证据不支持把“全部材料均已完整公开”或“权利要求1必然全部无效”作为结论。

二 评价对象与判断口径

授权文本与时间边界

评价对象为CN103262410B授权公告权利要求1,而不是申请公开权利要求或后来同族权利要求。该专利主张2010年12月24日日本优先权,申请日为2011年12月20日,授权公告日为2016年8月10日。本报告以该优先权成立为工作前提,普通现有技术采用不晚于2010年12月23日公开的具体版本。[T]

附件汇集了24组既有分析,其结论及“法律依据”标签需要回到原文核查。重点证据的公开日、正文、权利要求和层位已经重新访问谷歌专利核对;不能以某一后授权版本的早优先权替代其实际公开日。

需要保留的五组限定

编号

授权权利要求1中需要对应的内容

A

指定材料或相应主成分材料构成的高声速支撑基板。

B

层叠于该支撑基板上的指定低声速膜;它位于支撑与压电膜之间。

C

层叠于低声速膜上的LiTaO₃或LiNbO₃压电膜。

D

形成于压电膜一面的IDT电极;未限定必须在外露上表面。

E

上述中间低声速膜厚度为0.1λ至0.5λ,λ由IDT电极周期确定。

 

本报告重点评价A、B的材料及结构角色。权利要求1没有把压电膜厚度限制为1.5λ或0.5λ,不能直接加入从属权利要求的限定。反之,也不能因为文献中有一层“高速膜”,就省略其是否承担支撑基板作用的判断。

公开强度的三个层次

第一层是材料名称或化学成分公开,例如某专利列举SiON或含氟SiO₂。第二层是用途和声学作用公开,例如SiON作为比SiO₂更快的外侧介质,或者掺硼SiO₂作为声学温度补偿层。第三层是本案角色公开,即材料在指定支撑/中间低速膜/LT或LN的相容结构中发挥相应作用。后文的“直接支撑”与“尚未闭合”均按这一口径理解。

SiON既出现在高声速材料表又出现在低声速材料表,不能凭同名推定任何SiON膜在两处都满足条件。氧氮比例、密度、制膜方式、传播方向和所比较的波模都会影响速度。低介电常数、低声阻抗或低热膨胀,也分别不等于低声速或高声速。

三 高声速支撑材料逐项核验

材料

最相关公开与定位

可用于本案的范围

氮化铝
AlN

E3:US20040226162A1第[0026]段、权利要求11;JP2004343359A第[0025]段。以AlN为主成分的陶瓷支撑。

支撑材料及角色直接公开;同篇SiO₂中间膜为候选选材。高声速条件仍需与具体模式对应。

氧化铝
Al₂O₃

E1第[0034]、[0037]、[0073]段;E3陶瓷/蓝宝石支撑;E4蓝宝石支撑与硅氧键合层。

最强材料分支。Al₂O₃选材、机械支撑及SiO₂埋层可以同框架论述。蓝宝石是Al₂O₃的具体晶体形式。

碳化硅
SiC

E8第[0010]段及权利要求3;E9权利要求9及说明书;E10材料替换段也列SiC。

高速外侧介质或低热膨胀层已有公开。尚未据此确认目标三层结构中的SiC承载支撑方案。

氮化硅
SiN
/Si₃N₄

E3第[0026]段、权利要求11:主成分为氮化硅的陶瓷支撑;E7、E8另有高速外层。

支撑材料及角色已见。不得把E3中另一个“氮化硅中间膜”选项当成目标低速膜。

氮氧化硅
SiON

E7权利要求4与材料替换段;E8第[0010]段、权利要求3及末尾替换说明。

作为高速外层、与SiO₂及LN/LT配合的证据强;仍缺将该层确定为本案支撑基板的直接依据。

DLC膜

E7权利要求4;E8第[0010]段及权利要求3;E9权利要求9。

类金刚石碳用于较快外层已有公开;承载角色及具体DLC状态尚需补证。非晶碳或石墨不能自动替代DLC。

金刚石

E5 CN101777622A权利要求1、说明书与附图:金刚石衬底/非晶SiO₂缓冲层/LN薄膜。

指定支撑及中间SiO₂层序直接,优先用于金刚石分支。该文未闭合IDT周期和归一化膜厚。

 

主成分及混合物表述

E3对Al₂O₃、AlN和SiN陶瓷基板使用“作为主成分”的表述,也对SiO₂候选中间膜采用主成分限定。这比把高纯单晶以外的一切材料一概排除更符合原文。E9还明确第一、第二介质层的主成分选项,并在自身说明书中给出50重量%的解释;该百分比仅是E9的定义,不能移植为本专利的统一阈值。

“材料为主成分”不是一个需要与纯材料互相排斥的独立新材料:纯材料具体方案足以落入含该材料的宽泛选择。但这并不证明任意添加剂、任意孔隙率或任意配比混合物均已公开。现有文献中的多层叠膜、从若干材料中选择至少一种、以及均匀混合物,应分别判断;不能把叠层直接写成混合物。

四 低声速膜材料逐项核验

材料

在先公开及准确用途

目标中间膜的结论

氧化硅
SiO₂
/SiOₓ

E1介电埋层;E3 SiO₂候选键合中间膜;E4分子键合层;E5金刚石与LN之间非晶SiO₂。

直接证据最强。宜把具体SiO₂方案作为宽泛“氧化硅”选项的下位实施方式。

玻璃

E12 WO2010009719A1公开蒸镀玻璃及硼硅玻璃介电膜;E13也公开硼硅玻璃声学补偿层。

材料及声学膜用途已见,尚未确认指定高速支撑与LT/LN之间的完整低速膜方案。E1、E4中的玻璃是支撑选项。

氮氧化硅
SiON

E11 WO2009087290A1允许氮氧化硅分子键合层并调节O/N比例;E7、E8中的SiON主要为高速外层。

键合膜材料有公开,但其低声速及与指定支撑的组合尚未闭合。高速外层SiON不能直接充作低速中间膜证据。

氧化钽
TaOₓ
/Ta₂O₅

E10 CN101569100A将Ta₂O₅列为介质候选;E11列其为键合氧化物。

不能写成从未公开氧化钽。当前缺口是所需低速中间层位与具体声速条件。金属Ta电极不是氧化钽。

掺氟氧化硅
SiOF

本次补充E14:CN101908865A原PDF第12页第[0105]段列含氟SiO₂;US7602102B1权利要求19也明示。

材料名称已经在基准日前公开;主要为BAW边缘介电隔离或介电片段,不能据其低介电常数证明本案低声速。

掺碳氧化硅
SiOC
/SiOCH

E14列“碳掺杂氧化物”;本次补充E15 US20050124151A1明确碳掺杂SiO₂及成膜方法。

确切材料已知;E15为半导体介电工艺。E14的CDO术语仍需核对化学基体,目标声学中间层组合未闭合。

掺硼氧化硅
BSG
等

本次补充E13:US20070222336A1第[0043]段、权利要求1及3;US20070120625A1亦明示掺硼SiO₂。

声学补偿层中的具体材料公开较强;器件为FBAR路线,尚缺目标指定支撑/低速埋层/LT或LN/IDT组合。

 

应排除的几类伪对应

氢氟酸清洗、氟硝酸抛光、含氟刻蚀气体,不当然形成作为器件最终组成的掺氟氧化硅。普通碳电极、石墨、含碳树脂,也不是在氧化硅中添加碳形成的化合物。硼基板、四硼酸锂压电材料及笼统“硼化合物”,不能自动替代掺硼SiO₂。E16中的相应词项应按原来的层位和成分理解。

E13直接把SiO₂与硼相结合并给出硼硅玻璃的实施方法,因此可作掺硼材料公开证据;但不能由此反推所有玻璃都是掺硼SiO₂。E15中的碳掺杂SiO₂是制成后的介电膜,其材料身份强于仅在沉积气体中出现有机硅或碳元素的记载。

五 重点专利原文及证明目的

E1 德国文献是氧化铝与氧化硅的主证据

DE102005055871A1于2007年5月24日公开。第[0034]段在第二基板材料中明确列出Al₂O₃,第[0037]段优选SiO₂介电层;第[0073]段结合图1G说明较厚第二基板是支撑基板,并按机械稳定性选择厚度。原PDF第4页和第6页已核查,材料与支撑角色的证据相互连贯。

第[0015]至[0017]段把较低声速介电层置于较快外侧介质之间,说明导波约束。第[0032]、[0033]段还允许LT/LN及压电层形式;第[0042]段给出优选0.15λ至0.5λ,同时说明金属结构埋入、通常不高出介电层,因而层系厚度优选等于介电层厚度。材料论述不必先借助另一篇文献补入Al₂O₃。

使用限制:文献同时列出Si、玻璃与有机材料等支撑备选;不能主张其中每个选项天然满足本案高声速解释。层系中的体波比两侧基板体波慢,也不直接等于“Al₂O₃中的相应体波快于具体工作弹性模式”。这需要结合被选择的工作模式、材料状态及本专利说明书表1、表2处理。

E1 德文原文  |  E1 英文相关家族版本

E2 相邻德国申请提供另一条相近路线

DE102005055870A1同样于2007年5月24日公开,其美国同族US20080292127A1于2008年11月27日公开。美国文本第[0008]段列Al₂O₃载体,第[0014]段给出SiO₂介电层,第[0023]段给出0.15λ至0.5λ优选厚度。它适合与E1分开组织各自的完整对应,不应把两份文件的不同段落合并后称为单篇公开。

E1与E2是不同德国申请;E1中的美国版本与E2中的美国版本也不能混写。提交时固定公开号、语言及段落编号,避免从授权版本或其他家族成员移入新增文字。

E2 德文原文  |  E2 美国公开文本

E3 陶瓷支撑与中间膜的结构角色最清楚

US20040226162A1于2004年11月18日公开,日本同族JP2004343359A于2004年12月2日公开。美国第[0026]段及权利要求11直接覆盖以Al₂O₃、AlN、SiN为主成分的陶瓷支撑;日本相应第[0025]段内容一致。这里AlN与SiN是支撑选项,不能因两者在其他文献中也作压电层或阻挡层而忽略本篇的支撑公开。

日本第[0058]、[0059]段及图7,在LT与蓝宝石之间设置中间膜23,SiO₂是绝缘中间膜的明确候选。美国第[0072]、[0073]段与图7可作交叉核对。其一般材料选项与第三实施方式的相容关系,应结合全文说明;主张AlN/SiN支撑时须说明这是同一支撑位置的既有替换教导。

关键限制:具体制得的15 nm中间膜是AlN,不是SiO₂。它不能被改写为“15 nm SiO₂实施例”,也不能用该值证明本案低声速膜厚度。E3支持SiO₂候选材料及正确埋层位置,未直接给出该SiO₂层的0.1λ至0.5λ。

E3 美国公开文本  |  E3 日本原文

E4 蓝宝石分子键合路线

US6445265B1于2002年9月3日公开,同一家族较早法文公开FR2788176A1为2000年7月7日,中国公开CN1294780A为2001年5月9日。US权利要求1至4及图1、图2给出支撑/分子键合层/薄压电层,分别列蓝宝石、硅氧键合材料及LT/LN选项。

它适合作为蓝宝石支撑与SiO₂中间层的另一结构证据。正文中的玻璃是载体材料,不能将其转写为低声速中间膜;具体键合层厚度及本案归一化区间仍需独立核对。

E4 英文原文  |  E4 较早法文公开  |  E4 中文公开

E5 金刚石分支的直接层序证据

CN101777622A于2010年7月14日公开。权利要求1、原PDF说明书第1至3页及附图明确金刚石衬底1、非晶SiO₂缓冲层2和LiNbO₃压电薄膜3。说明书第[0005]段起给出SiO₂厚0.05至0.6 μm、LN厚0.2至3 μm等制备条件。该层序直接对应本案所要分析的支撑和埋置膜位置。

它对金刚石+SiO₂+LN材料组合的贡献,强于只在高速介质候选表中出现“金刚石”。但绝对厚度不能脱离同一器件的IDT周期换算成目标区间;本文没有据此确认D、E。其关于复合SAW速度的背景叙述也不能直接替代指定工作模态的高声速判断。

E5 中文原文

E6至E9 不能把高速覆盖层直接当成支撑

CN101030764A的图2为LN/Cu电极/SiO₂/Al₂O₃外层结构,另有SiO₂归一化厚度0.33、0.38、0.42、0.45等实验点。它对高速外侧介质与有限SiO₂层的声学配合有贡献,但外层承担支撑的证据不同于E1、E3。相关日文JP2007267366A明确列氮化铝;中国网页中“硅化铝”的文字应回到原公报及日文相应内容核对,不直接当作AlN的准确中文表述。[E6]

CN101789769A权利要求4列Si、SiN、Al₂O₃、AlN、SiON、DLC,并对第二介质层选择较慢横波速度5000 m/s以上的材料。WO2009133655A1第[0008]、[0010]段则在LT边界波结构中列SiN、SiON、AlN、AlO、SiC、DLC等第二媒质层,说明通过导波效应封入SiO₂。二者说明SiON、DLC及SiC用作相对高速介质已有技术教导。[E7、E8]

CN101796727A权利要求8、9还公开SiO₂主成分第一介质层及Al₂O₃、SiN、SiC、DLC主成分第二介质层,并讨论改变成膜方法来改变声速。这些材料用途不能再称为全无在先公开;但将原覆盖层转作承载基板、把原压电基板做成被支撑压电膜,会改变机械角色或边界条件,必须另外论证。[E9]

E6 中文原文  |  E6 日文相关文本

E7 中文原文  |  E8 日文WO原文  |  E9 中文原文

E10至E12 玻璃 氮氧化硅和氧化钽的证据边界

CN101569100A在说明书末尾将Ta₂O₅列入介质材料选项,并将SiC、Al₂O₃、蓝宝石与DLC等列为低热膨胀介质层候选。这里的不同层位要按图示分别识别。该文可以否定“氧化钽名称从未被声学专利使用”的说法,不能仅凭材料表证明目标Ta氧化物低速埋层。[E10]

WO2009087290A1于2009年7月16日公开,提出IBS沉积的分子键合层,列Ta₂O₅等氧化物及SiON,并允许调整氧氮比例;正文涉及LT、LN等非硅材料表面的键合。这对中间层制备和选材可行性有帮助,但其微电子键合工艺本身没有给出目标工作弹性模式及声速比较。[E11]

WO2010009719A1于2010年1月28日公开,在电声器件中热蒸镀玻璃材料,列硼硅玻璃及具体玻璃牌号;该介电层可覆盖压电基板上的电极。原文支持玻璃声学介电膜,而非仅支撑玻璃。不过,没有据此确认该玻璃层就是指定高速支撑与LT/LN之间的目标低速膜。[E12]

E10 中文原文  |  E11 法文原文  |  E12 德文原文

E13至E15 本次定向补充的掺杂材料

US20070222336A1于2007年9月27日公开。第[0043]段直接将补偿层描述为SiO₂与硼相结合,可通过离子注入或沉积硼硅玻璃实现;权利要求1、3分别覆盖组合和玻璃形式。US20070120625A1于2007年5月31日公开,同样公开掺硼SiO₂补偿层。因此,掺硼材料在声学器件中的使用不是本案基准日后的首次提出;器件架构和声速限定仍有差异。[E13]

CN101908865A于2010年12月8日公开,早于本案基准日。原PDF第12页第[0105]段明示含氟SiO₂和碳掺杂氧化物,其上下文是体波谐振器边缘的低介电常数填充材料。US7602102B1于2009年10月13日公开,权利要求19明示含氟SiO₂用于介电片段。两者证明含氟材料已有在先专利记载;“低介电常数”不能换成“低声速”。[E14]

US20050124151A1于2005年6月9日公开,题名和正文明确碳掺杂SiO₂介电膜及其制备。本篇解决了仅凭“carbon doped oxide”还不能确定其氧化物基体的问题,但它属于半导体互连工艺,不能单独补齐本案声学三层组合。将E14与E15并列说明既有材料知识可以;将它们拼成单篇新颖性证据不可以。[E15]

E13 掺硼补偿层  |  E13 另一掺硼公开

E14 中国在先公开  |  E14 含氟介电片段  |  E15 掺碳SiO₂原文

六 无效程序中最适合的论述策略

先锁定具体分支 再评价整体

第一步,将授权权利要求1中的并列选项固定为“Al₂O₃支撑+SiO₂低速膜+LT或LN压电膜”。第二步,以E1正文和图1G说明这几个位置属于同一器件框架,而不是从互斥实施例抽取。第三步,继续在该具体方案中核对声速、IDT和厚度。对A、B的证明目的应明确写为“该具体材料与埋层配置已经公开”。

若整体限定均被单一相容方案直接、无歧义地公开,可依据专利法第二十二条第二款提出该分支缺乏新颖性。只证明材料表相交,不足以完成该结论。《审查指南》新颖性部分要求单独对比,也不允许把同一文件内多个不同技术方案任意拼合。不得把E1的材料、E3的外露电极与E5的薄膜形态拼成“E1单篇全公开”。[L1、L2]

创造性论证应围绕具体改动

以E1为最接近现有技术时,先承认其已给出的Al₂O₃支撑选项和SiO₂埋层,不再将已明确列出的材料人为设置为区别。剩余争点若是高声速解释对应或具体工作模态,应从模式条件及能量约束的技术作用出发。E6至E9可以提供相邻技术中的导波约束和高速介质选材启示,但不能单凭“都属于滤波器”完成组合理由。

以E3为独立备选起点时,Al₂O₃/AlN/SiN支撑及SiO₂候选中间膜已有结构基础;仍需处理SiO₂厚度、材料状态及对应声学作用。可以论证E1中有限低速层兼顾导波和键合的启示为何适用于该结构,同时正面回应E3倾向薄中间膜、具体15 nm AlN实例及不同模态的反向因素。

金刚石分支以E5为起点最自然。任何引入IDT或厚度选择的补充证据,都要解释为什么在E5的LN/SiO₂/金刚石体系中会作出该设计,以及所得声学行为是否可预期。不能从0.05至0.6 μm出发任意选择一个波长,事后使其进入0.1λ至0.5λ。

证据路线

优先证明内容

剩余主要负担

E1单篇

Al₂O₃支撑、SiO₂埋层及同框架材料选择;已有归一化厚度教导。

具体模式与高声速术语对应;同一可实施方案中的其余限定。

E3为起点
必要时结合E1

Al₂O₃/AlN/SiN陶瓷支撑与SiO₂候选中间膜。

厚度选择、声学作用及结合理由;不得把15 nm AlN改写成SiO₂。

E5为起点

金刚石支撑/非晶SiO₂/LN的实际材料层序。

IDT及其周期、归一化厚度、工作模态。

E7至E9作辅助

SiC、SiON、DLC等高速外层与SiO₂的选材启示。

覆盖膜转成承载支撑的动机与边界条件。

 

高低声速术语必须单独处理

授权权利要求1使用“高声速支撑基板”和“低声速膜”这两个术语,未逐字重复说明书中的全部比较句。应先结合说明书解释术语,再作比对,不宜完全忽略“高/低”,也不宜无说明地将所有说明书条件逐项加入权利要求。说明书对于高速材料中体波与压电膜中工作弹性波、低速膜中体波与压电膜中体波的比较对象并不相同。[T]

对于各向异性材料,应明确采用哪个横波分支及方向;对于E7的5000 m/s,应明确它约束的是第二介质层的较慢横波。E8关于外层比LT快的教导有价值,但仍须判断它与本案工作弹性模式是否为同一个比较。声阻抗Z与速度v还受密度联系,低阻抗不直接推出低速。

如果需要补证,应围绕E1的实际Al₂O₃/SiO₂/LT或LN方案固定晶向、弹性常数、材料密度、膜厚、电极及频率,说明工作分支与相应体波速度。理论推导或后补计算可用于解释在先公开及必然属性,不能用来补写在先文献没有提供的任意选材或新结构。

预期反驳与回应

可能的反驳

适合的回应与证据边界

没有公开材料清单中的全部选项

指出权利要求采用并列选择,先审查已被完整覆盖的具体分支;同时保留其余分支的补证任务。

E1只公开硅支撑

指向第[0034]段Al₂O₃选项及第[0073]段支撑角色,避免用“通常如此”代替原文。

E3只有直接键合没有中间膜

指向第三实施方式、图7及SiO₂候选中间膜;同时承认15 nm具体样品为AlN。

E8的SiON或DLC已经完全对应支撑

说明高速声学作用已公开,但机械支撑角色须有独立依据,不能仅翻转示意图。

掺杂材料或混合物可保留整个宽权利要求

审查修改后的范围及具体分支;不能仅凭未被讨论的备选材料,当然维持包含已知完整方案的原有宽范围。

 

七 可以用于请求书的材料特征论述

氧化铝与氧化硅主线

权利要求1以并列方式列举支撑基板与低声速膜的材料,氧化铝支撑基板和氧化硅膜属于其明确覆盖的具体材料选择。对比文件E1第[0034]段将Al₂O₃列为第二基板材料,第[0037]段明确优选SiO₂介电层,第[0073]段结合图1G说明该第二基板因厚度和机械稳定性要求而承担支撑作用。因此,Al₂O₃材料、支撑结构角色以及位于该支撑和压电材料之间的SiO₂介电层,已有同一文献框架内的直接公开。仅因权利要求1同时列有其他材料选项,不能将上述具体材料选择认定为本专利新增的选材贡献。

上述论述的直接结论是该具体材料及层位配置已有公开。对权利要求1整体的新颖性或创造性评价,还应将E1相应方案的工作波模、相关声速、压电膜与IDT配置和介电膜归一化厚度逐项对应;本段不以跨文件拼接代替该整体比对。

陶瓷主成分材料的备选论述

对比文件E3的US20040226162A1第[0026]段及权利要求11,将以氧化铝、氮化铝或氮化硅为主成分的陶瓷基板明确用作支撑基板。其第三实施方式又在LT压电材料与蓝宝石支撑之间设置中间膜,并在第[0073]段列举SiO₂作为绝缘中间膜的优选主成分。这证明本领域已经考虑了与本案材料表重合的承载基板和埋置氧化硅膜。对于非蓝宝石支撑选项,应说明一般支撑材料教导与该中间膜位置的相容性;具体样品中的AlN中间膜厚度不得充作SiO₂膜厚证据。

材料名称已有公开但目标用途仍需论证

含氟二氧化硅、碳掺杂氧化物及掺硼氧化硅,在E13至E15所示在先专利中已有材料或成分记载。因此,本案不能仅凭这些材料名称主张它们在基准日前不存在。但这些记载中的补偿层、边缘介电层或半导体工艺膜,并不直接证明其在指定高声速支撑与LT/LN压电膜之间承担本案低声速膜作用。若据其作创造性补充,应进一步证明材料选择的具体动机、制备相容性及声学效果的可预期性。

法律依据应对应专利法第二十二条第二款或第三款。附件中反复出现的“专利法第二条”标签,不能直接替代现有技术公开所对应的新颖性、创造性理由。[L1]

八 尚未闭合的材料与后续取证重点

材料名称层面已经有来源

原有核心证据对F/C/B掺杂氧化硅的覆盖较弱;本次已补入E13至E15。因此,就点名材料本身,不宜再列出一个“完全没有任何在先专利名称”的清单。应改列“尚未按权利要求所需层位、功能与组合公开的材料”。这一结论只针对本报告核验的证据集,不代表全球绝对不存在其他在先文件。

严格按本案角色仍需补证的分支

缺口组

尚需取得的直接证据

优先级

高速支撑
SiC SiON DLC

由该材料实际承载LT/LN薄膜,且中间为目标低速材料的同一结构;并有对应声速模式。已有高速覆盖层证据可作为检索入口。

中;若权利人删去氧化铝等分支后保留这些材料,则升高。

低速中间膜
玻璃 SiON TaOₓ

指定高速支撑/该膜/LT或LN的明确层序及低速关系。SiON键合、Ta₂O₅介质与玻璃蒸镀已有线索。

中高;优先查真正的键合埋层。

低速中间膜
F C B
掺杂SiO₂

从BAW边缘/补偿层及一般介电工艺推进到目标埋层;补充密度、组分和相应体波速度。

中高;不要重复只检索材料名称。

主成分混合物

具体配比、制备后相态、混合或叠层形式及速度;不能以任意组合表推定全部混合物。

在所保留具体方案明确后定向取证。

 

实际补证顺序

• 先完成E1的Al₂O₃/SiO₂具体方案与工作模态的对应,它决定是否可以形成较短的整体攻击路线。

• 整理E3的陶瓷主成分支撑及第三实施方式译文,固定“SiO₂候选”和“15 nm AlN实例”的区别。

• 为可能的权利要求限缩保留E5金刚石路线,并围绕SiC、SiON、DLC的真正承载结构追加检索。

• 仅当权利人转向玻璃、SiON、Ta氧化物或掺杂SiO₂时,重点补其声学埋层用途;避免把一般微电子材料已知误写成完整声学公开。

专利权人在无效程序中可以依法删除并列技术方案或进一步限定权利要求。即使一个具体分支足以攻击原有宽范围,也不保证限缩后的其余方案随之全部无效。提交理由及证据应分别列清每条分支和组合,后续按实际修改文本重新对应。[L2]

九 证据目录与可核验出处

以下编号仅用于本报告。同一家族的不同国家文本主要用于语言、公开日与内容交叉核对,不按相互独立的技术启示重复计算。段落号优先采用原公报编号;中文网页的自动分段号与原PDF有时不同,因此中文文件同时给出权利要求、图号或说明书定位。

T  CN103262410B  公开日 2016-08-10

证明目的:目标授权文本。定位:权利要求1;说明书高低声速定义和表1、表2。

谷歌专利原文

E1  DE102005055871A1  公开日 2007-05-24

证明目的:氧化铝支撑与SiO₂埋层。定位:第[0015]至[0017]、[0032]至[0042]、[0073]、[0076]段;图1G。

谷歌专利原文

E1相关  US20080252396A1  公开日 2008-10-16

证明目的:E1相关家族英文公开。定位:用于交叉核对;不把英文段落号移植到德文。

谷歌专利原文

E2  DE102005055870A1  公开日 2007-05-24

证明目的:另一电声器件申请。定位:Al₂O₃载体、SiO₂介电层及相对厚度。

谷歌专利原文

E2同族  US20080292127A1  公开日 2008-11-27

证明目的:E2英文公开。定位:第[0008]、[0014]、[0023]段及相关器件结构。

谷歌专利原文

E3  US20040226162A1  公开日 2004-11-18

证明目的:陶瓷支撑与候选中间膜。定位:第[0026]、[0072]、[0073]段;权利要求11、13、14;图7。

谷歌专利原文

E3同族  JP2004343359A  公开日 2004-12-02

证明目的:日文原文。定位:第[0025]、[0058]至[0065]段;权利要求11、13、14;图7。

谷歌专利原文

E4  US6445265B1  公开日 2002-09-03

证明目的:分子键合薄压电膜器件。定位:权利要求1至4;图1、图2及蓝宝石/硅氧键合材料段。

谷歌专利原文

E4同族  FR2788176A1  公开日 2000-07-07

证明目的:更早法文公开。定位:载体、硅氧分子键合层和薄压电层。

谷歌专利原文

E4同族  CN1294780A  公开日 2001-05-09

证明目的:中文家族公开。定位:权利要求及分子键合薄膜器件说明。

谷歌专利原文

E5  CN101777622A  公开日 2010-07-14

证明目的:LN/SiO₂/金刚石。定位:权利要求1;PDF第3至5页说明书;PDF第6页附图。

谷歌专利原文

E6  CN101030764A  公开日 2007-09-05

证明目的:LN/SiO₂/高速外层。定位:图2;实测SiO₂归一化厚度点及介质膜选材段。

谷歌专利原文

E6相关  JP2007267366A  公开日 2007-10-11

证明目的:日文对应技术核对。定位:第[0012]、[0064]段;图2;氮化铝原词核对。

谷歌专利原文

E7  CN101789769A  公开日 2010-07-28

证明目的:LN边界波与高速外层。定位:权利要求4;说明书第二介质层材料及5000 m/s条件。

谷歌专利原文

E8  WO2009133655A1  公开日 2009-11-05

证明目的:LT边界波与第二媒质层。定位:第[0008]、[0010]段;权利要求2、3;SiON等替换说明。

谷歌专利原文

E9  CN101796727A  公开日 2010-08-04

证明目的:主成分与高速外层。定位:权利要求8、9;主成分定义及第二介质层材料段。

谷歌专利原文

E10  CN101569100A  公开日 2009-10-28

证明目的:Ta₂O₅等介质选材。定位:说明书末尾介质及低热膨胀层的材料替换段。

谷歌专利原文

E11  WO2009087290A1  公开日 2009-07-16

证明目的:IBS键合膜材料。定位:说明书Ta₂O₅氧化物、SiON及氧氮比例的材料选择段。

谷歌专利原文

E12  WO2010009719A1  公开日 2010-01-28

证明目的:电声器件蒸镀玻璃。定位:说明书玻璃材料及电极覆盖膜制造段;相关权利要求。

谷歌专利原文

E13  US20070222336A1  公开日 2007-09-27

证明目的:掺硼SiO₂补偿层。定位:第[0043]段;权利要求1、3;FBAR器件结构。

谷歌专利原文

E13补强  US20070120625A1  公开日 2007-05-31

证明目的:掺硼SiO₂声学层。定位:掺杂温度补偿材料段;权利要求31至36等。

谷歌专利原文

E14  CN101908865A  公开日 2010-12-08

证明目的:含氟SiO₂与CDO。定位:原PDF第12页第[0105]段;边缘介电填充结构。

谷歌专利原文

E14补强  US7602102B1  公开日 2009-10-13

证明目的:含氟SiO₂介电片段。定位:权利要求19;图2A及介电片段材料段。

谷歌专利原文

E15  US20050124151A1  公开日 2005-06-09

证明目的:明确碳掺杂SiO₂。定位:题名、摘要及介电膜成分/沉积工艺;非声学互连工艺。

谷歌专利原文

E16  US5446330A  公开日 1995-08-29

证明目的:早期无机键合埋层。定位:无机薄膜与波长关系;注意硼/非晶碳支撑和掺杂膜的区别。

谷歌专利原文

E16相关  JPH06326553A  公开日 1994-11-25

证明目的:日文早期埋层方案。定位:无机中间膜及相对波长限定;不将非晶碳自动等同DLC。

谷歌专利原文

法律与审查规则来源

L1 中华人民共和国专利法2008年修正第二十二条。本案申请于2011年,现有技术公开与创造性理由应使用相应实体规范;本报告涉及的第二十二条新颖性、创造性内容与后续修法文本在本问题上没有实质冲突。

国家知识产权局公布的2008年修正文本

L2 专利审查指南2023年版2025年修订。第二部分第三章第3.1、3.2.1节涉及单独对比和直接确定的公开内容;第四章涉及创造性整体评价与判断;第四部分第三章第4.6节涉及技术方案删除及进一步限定。已核对国家知识产权局公布的2026年1月1日起施行修订及合并PDF。本报告不以2025年新增规则倒推某个材料的公开事实。

修订决定与合并PDF入口  |  合并指南PDF

十 原文核验与提交材料安排

已保存重点谷歌专利网页、正文及可取得的原公报PDF,并对E1的材料与支撑角色、E5的三层结构和E14的含氟SiO₂/CDO记载作原页复核。E3使用日文结构化原文和早公开美国同族交叉核对。

正式证据册优先组织E1、E2、E3、E5和必要辅助文件,每件固定公开号与公开日期,附封面、涉及的权利要求、完整相关段落和相应附图。外文材料准备对应中文译文,并保留原文与译文的逐段关系。谷歌专利链接便于复核,但正式证据应保持原公报完整性及来源说明;网页法律状态不作为本报告无效结论的依据。

建议把“材料直接公开”证据页和“声速解释/推导”说明分开列明证明目的,并把创造性各组合分别写清,避免以一句“常规材料替换”代替技术启示。E13至E15优先用于材料知识和备选分支分析,不作为替代E1结构主线的材料堆叠。

本次执行的代表性定向检索

除直接访问附件重点公开号外,本轮针对材料缺口执行了下列检索,并沿结果读取实际专利文本及公开日期。检索引擎的时间筛选和页面抓取时间未被当作公开日证明。

1. site:patents.google.com/patent "acoustic" "fluorine" "silicon dioxide" before:2010-12-24

2. patent "fluorine doped" "surface acoustic wave"

3. site:patents.google.com "fluorinated silicon dioxide" "2008" "resonator"

4. patent "borosilicate" "acoustic wave" "2008"

5. site:patents.google.com "carbon-doped oxide" "2009" "acoustic"

6. site:patents.google.com "carbon-doped silicon dioxide" "2003"

7. site:patents.google.com/patent "silicon carbide" "supporting substrate" "lithium tantalate" "2007"

8. site:patents.google.com/patent "silicon oxynitride" "support substrate" "2008" "acoustic"

9. site:patents.google.com/patent "diamond-like carbon" "support substrate" "2009" "acoustic"

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

我的判断是:德国文件对B、C、D,以及E中的膜厚范围已有明确公开;A中的支撑功能和氧化铝材料也已公开。真正需要重点补强的是:德国结构是否满足本专利结合具体波模态定义的“高声速”关系。不能直接把“支撑基板材料”或“0.1λ~0.5λ膜厚”列为德国文件缺失的特征。

以下按照Word中的A—E拆分评估,已与授权权利要求1核对一致。德国文件公开日为2007年5月24日,早于涉案专利记载的优先权日2010年12月24日。段号均按原PDF印刷编号。

先明确权利要求1应如何解释。

涉案专利第[0012]、[0073]、[0173]段说明,两种声速比较的基准不同:

  • **高声速支撑基板:**其相应体波声速,高于压电膜中所利用的弹性波模态的传播声速。
  • **低声速膜:**其相应体波声速,低于压电膜中的相应体波声速。

因此,不能仅凭“材料通常声速较高”判断A,也不能把高声阻抗直接等同于高声速。具体应按第[0073]—[0081]段及表1、表2确定比较的波模态。

同时,权利要求1没有限定压电膜必须小于一个波长;1.5λ以下、0.05λ~0.5λ分别是从属权利要求3、4的进一步限定。说明书第[0070]段还明确允许IDT位于压电膜下表面,因而“德国文件的电极埋在下方”本身不构成区别。结合说明书解释术语,应与权利要求整体相适应。国家知识产权局相关评析

技术特征 德国文件的具体公开 客观评价
A:列举材料构成的高声速支撑基板 第[0034]段,第4页:第二基板可采用Al₂O₃,即氧化铝;第[0073]段,第6页:第二基板承担机械支撑功能。权利要求39,第9页:第一基板的体波传播速度小于第二基板。 **氧化铝材料及支撑功能明确公开。**但“第二基板体波速度高于第一基板体波速度”,与本专利要求的“高于工作弹性波模态声速”并非文字上完全相同,需要补足物理推导和模态对应。
B:支撑基板上的特定材料低声速膜 第[0037]段,第4页:介电层优选SiO₂;图1G显示该层位于第二基板与第一压电基板之间。第[0017]段及权利要求38公开,层系统中、特别是介电层中的体波传播速度低于两侧基板。 **材料、层间位置及低声速关系均有明确依据。**正式论证仍应说明德国文件所指横波与本专利比较模态的对应。
C:低声速膜上的LiTaO₃或LiNbO₃压电膜 第[0032]段列举LiTaO₃、LiNbO₃;第[0033]段进一步明确,第一基板也可以是生长形成的压电层,并列举这两种材料。图1G显示其与介电层的层叠关系。 **已有充分公开依据。**不能仅因德国文件称其为“第一基板”,或者第[0040]段记载3λ~50λ,就认定其不属于权利要求1的压电膜。
D:形成于压电膜一面的IDT电极 第[0005]段,第2页:换能器具有相互交错的梳状电极;第[0018]、[0076]段及图1G:电极位于第一压电基板与介电层之间。 **明确公开。**梳状交错电极对应IDT;位于压电层下表面符合“一面”的限定。
E:低声速膜厚度0.1λ~0.5λ,λ由IDT周期确定 第[0042]段,第4页:层系统厚度优选等于介电层厚度,范围为0.1λ~λ,优选0.15λ~0.5λ;权利要求36直接限定介电层厚度为0.1λ~λ。 **膜厚范围已公开,不能作为主要区别。**德国文件未用与本专利完全相同的句子定义λ,需补充说明其工作波长与叉指周期的关系。

这里最容易误判的是E。德国文件不仅公开了较宽范围,还明确公开:

0.15λ~0.5λ ⊂ 权利要求1的0.1λ~0.5λ。

只要对应的是同一膜层、同一波长定义,该优选范围已经足以对应这一数值限定,并不要求德国文件把0.1λ~0.15λ也逐一公开。数值范围的新颖性判断也应结合其他技术特征整体进行。《专利审查指南》第二部分第三章第3.2.4节

对于“哪些应列为区别技术特征进行补强”,建议分清以下三类。

  1. 优先保留的待核实区别:A中按工作模态定义的高声速关系。

    建议具体表述为:第二支撑基板中的相应体波声速,高于压电膜中所利用的特定弹性波模态的传播声速。

    德国文件第[0016]段记载波导结构以及能量向两侧衰减,权利要求39又记载第二基板体波速度高于第一基板,这些是支持其满足该关系的重要依据,但仍需把推导过程写出来。

    补强应围绕德国文件已公开的Al₂O₃/SiO₂/LiTaO₃或LiNbO₃结构,确定材料形态、晶向、极化及工作模态,再用声学资料或可复核计算证明速度关系。不能用本专利氮化铝实施例中的6000 m/s数值代替德国氧化铝基板的证明。

  2. 需要解释性补强、通常不宜直接列为实质区别:E中的λ定义,以及B的模态对应。

    德国文件第[0005]、[0021]段提供了交错梳状电极和周期性结构依据,但应说明其λ为何对应IDT激发的工作波长,避免把相邻电极指间距、完整电极周期或其他波长混用。

    对B,也应依据同一极化和传播条件比较。涉案专利第[0098]段本身就区分了LiTaO₃的快、慢横波,说明“随便取一个横波速度”会造成错误对应。

  3. 不宜列为稳定区别:材料清单、压电层名称或厚度、电极上下位置、GBAW名称。

    德国文件明确给出氧化铝,已经落入A的一个替代选项;不需要同时公开氮化铝、碳化硅等全部选项。压电层厚度上限未写入权利要求1,不能从实施例或从属权利要求中读入。德国文件称其为GBAW,也不能单凭名称认定不同,应比较实际结构、模态和传播关系。

无效论证还应说明这些公开属于同一器件构造下可以共同采用的技术教导:第[0032]—[0042]段围绕同一层叠器件说明材料和尺寸,不能只罗列分散段落就直接宣布全部特征已公开。

就目前材料,**尚未发现B—E中明确、稳定的实质缺口;A的声速关系是最值得投入补强的争点。**若该关系及上述组合对应能成立,可以提出德国文件破坏权利要求1新颖性的论证;若只能支持“作出选择或调整后才能满足”,则应转入创造性论证。即使保守地以第[0077]段的硅基板实施例为起点,将氧化铝视为材料区别,第[0034]段也已提供同一文件中的替代材料教导,无需先把整个材料清单作为检索缺口。

核对的权利要求拆分:C:/patent/CN103262410B_1000036弹性波装置及其制造方法_权利要求/权利要求1.docx

涉案授权文本:C:/patent/CN103262410B_1000036弹性波装置及其制造方法_权利要求/CN201180059880.4(CN103262410B)_弹性波装置及其制造方法.pdf

德国对比文件:C:/patent/CN103262410B_1000036弹性波装置及其制造方法_权利要求/DE_102005055871_A1.pdf

 


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

现有对比文件能够组成有实质力度的创造性无效证据链,但尚不能认为德国文件的全部争议已经被无条件补齐。我的优选策略是:保留德国文件单篇新颖性理由,以“德国文件+US20090115287A1”的SiN分支主攻创造性,另设氧化铝体系的备位理由。

以附件所列授权权利要求1为对象、暂按2010年12月24日优先权有效,目前综合成功可能性可作 60%—75%的主观工作估计。这一判断针对权利要求1,不等于整个专利全部无效,也不是案件统计胜率。以下按无效请求人视角分析。

我已重新访问Google Patents,核查重点专利全文,并核对关键公报原页。附件中的历次结论、概率和后续指示均作为待核查材料处理。

德国文件仍应作为主证据。其第[0034]、[0037]、[0042]、[0073]段分别提供氧化铝支撑选项、SiO₂中间介质、优选0.15λ~0.5λ厚度以及机械支撑作用。**容易被忽略的第[0064]段还允许第二基板通过形成足够厚的层或层序实现,例如至少3λ。**这为后续“高速外层如何成为承载侧”的组合提供了文件内部依据。DE102005055871A1原文

因此,补证重点应从“再找一个厚度数字”,转为证明选定材料、有限SiO₂、电极及工作模态共同采用时,能够获得权利要求要求的速度关系和支撑结构。

重点文件的价值可以作如下排序:

文件及公开日 能补强什么 尚不能直接证明什么 建议用途
US20090115287A1,2009-05-07;同族EP1879291A1于2008-01-16公开 同一有限SiO₂/SiN/LN模型中的工作模态、相速度、相关体波速度及电极调速依据 SiN介质在实际有限器件中承担机械支撑,以及改变外边界后的对应 第一优先组合证据
CN101789769A,2010-07-28 LN/SiO₂/SiN实物器件;同例712 nm÷1.9 μm≈0.375λ;第二介质可通过基板粘合形成;讨论基模泄漏条件 覆盖介质已经承担支撑作用;全部实验参数可以直接移给德国文件 SiN路线的制造及相容性补证
CN101030764A,2007-09-05 原公报第23页明确LN/Cu/SiO₂/Al₂O₃结构,SiO₂实物厚度包括0.33λ、0.38λ、0.42λ、0.45λ Al₂O₃覆盖膜等于支撑基板;其相关体波与该工作分支相速的完整比较 氧化铝分支的重要备位证据
CN101569100A,2009-10-28 权利要求1的两组不等式能够严格推导:工作相速度低于背层相关横波速度 其SiO₂位于压电体另一侧,不能直接证明德国夹层结构的同一关系 速度设计原理补证
US6445265B1,2002-09-03 蓝宝石承载、压电薄层、SiO₂接合及减薄制造 “greater than it is in the guide”仍承接体波,不能直接改称工作模态相速度 承载及薄膜制造备位,降低其速度证明权重
US20100231330A1,2010-09-16 高速非压电承载层、薄压电层及衰减设计 低速层位置与目标不同,不能补成同一完整结构 工程背景及组合动机
US20100171389A1,2010-07-08 AlN/SiO₂/电极/LN或LT的实验相容性,SiO₂为0.225λ、0.25λ等 AlN覆盖膜承担机械支撑,或其结果可以直接替代Al₂O₃ AlN分支备选
CN101777622A,2010-07-14 金刚石/SiO₂/LN真实层序及制备理由 实际工作模态、IDT及归一化膜厚的完整对应 第三顺位,暂不主攻

第一,独立保留德国文件的新颖性理由,但不要把外部文献的新增设计拼进去。

德国文件对材料、层序、电极和厚度已经非常接近权利要求1。第[0015]—[0017]段又是在讨论实际受激GBAW、速度剖面及垂向衰减,不能将其降格为一份材料清单。

请求人可以主张:一般材料选项、优选厚度及导波条件共同适用于所选氧化铝方案。**没有实测速度数字,不等于没有功能性公开。**但若必须新增切型、电极或其他参数,才能使声速关系成立,这部分就应进入创造性理由,不能继续称为德国文件单篇公开。

这里也无须证明德国文件的所有材料、所有模态都满足要求;需要落实的是被援引的那一项可实施方案。

第二,创造性主攻可以转向SiN分支,不必始终锁定氧化铝。

权利要求1明确包含氮化硅。US20090115287A1第[0106]、[0109]、[0110]、[0116]—[0117]段及图3,在同组条件下给出:

  • SiN/0.5λ SiO₂/IDT/15°Y切X传播LN;
  • 约0.05λ Au电极条件下,SH工作分支相速度读图约为3200 m/s;
  • SiN横波速度约5973 m/s;SiO₂横波约3757 m/s,LN快横波约4752 m/s。

因此,该公开模型能够实际对应“高速侧相关体波速度高于工作相速度”,而且低速层厚度落在目标范围。这些是原文计算结果,模型两外侧介质为半无限,不能写成有限承载器件的实测值。原文及图3

组合论证应具体写成:

从德国文件已有的承载构型、有限中间层及界面IDT出发,为降低工作波泄漏、改善谐振特性,采用上述已公开的SiN/SiO₂/LN及电极条件;再依据德国文件第[0064]、[0073]段选择能够承载的高速侧厚层结构。

这条路线有明确的结构和声学依据。**但“至少3λ”只是德国文件中的例示,不能直接当作任何SiN材料都具有足够机械刚度的证明。**仍应说明有限厚度、材料状态及外边界变化为什么不会破坏所援引的工作分支。CN101789769A的基板粘合教导及有限层实物器件,可在这一点上补强。

第三,氧化铝路线应保留,重点补相容性,而不是重复补E。

CN101030764A的价值是:氧化铝、有限厚度SiO₂、LN及界面电极已经共同用于实际器件。它适合支持德国文件氧化铝选项的可实施性和参数选择。

附件最新报告提出的“德国文件+Bhattacharjee 2007论文”路线,也应归入这一备位组:选材连续性较好,但仍须处理覆盖层增厚成为承载体后的声学连续性及机械条件,不能仅靠翻转附图完成对应。

相较之下,US20080292127A1的0.15λ~0.5λ和WO2009133655A1的0.4λ及周期定义,主要补强E。它们有用,但不应因为厚度明确,就被排在速度缺口更有针对性的文件之前。

CN101569100A也应准确使用。其权利要求1提供:

\[ c_{\text{介质}}<c_{\text{压电SH}}<c_{\text{背层}},\qquad f_0<c_{\text{介质}}/\lambda \]

故可推得:

\[ v_{\text{工作}}=f_0\lambda<c_{\text{介质}}<c_{\text{压电SH}}<c_{\text{背层}} \]

这个推导对该文献自身方案成立;其层位差异决定了它更适合作为设计原理和技术启示,不能把结果直接登记为德国文件已经具有的性质。权利要求1原文

成功可能性建议这样掌握:

评估对象 当前主观工作区间
仅凭德国文件的新颖性理由 45%—60%
德国文件+US20090115287A1的具体SiN创造性路线 60%—75%
新颖性与有分工的创造性理由共同提交,权利要求1至少一项理由成立 60%—75%

各条路径共享权利要求解释和模式对应风险,概率不能相加。我不建议直接采用附件中的70%—80%作为当前基准:尚未调阅审查修改说明、优先权原始文本及既有无效案卷,也尚未完成选定组合的有限承载结构核验。

**对请求人而言,最薄弱的环节是“从各文献自身成立,跨到组合后的同一器件仍可预期成立”。**具体有三处:

  1. **工作模态与速度对象的对应。**不能把材料体波排序、低损耗、局部能量集中或“guided”名称直接换成所需不等式;也不应额外要求权利要求1未限定的“全部模式均无泄漏”。
  2. **高速外层承担支撑作用后的连续性。**N1已有明确速度依据,但机械角色需交代;氧化铝文件已有真实器件,但覆盖层成为承载侧后的条件仍需交代。这是两条路线各自的核心薄弱点。
  3. **组合动机与反向因素。**应解释为什么保留有限SiO₂、采用该电极和切型,以及为什么能预期减小泄漏。不能只写“常规选择”。同样,说明书具体Q值提升是否构成有效反驳,应结合区别特征的贡献评价,不能仅因权利要求没写Q值就全部忽略。

还有一项可以立即修正的文本问题:附件把历次理由统一挂在《专利法》第二条。这里的新颖性和创造性主张,应分别落实到第二十二条第二款、第三款;检索报告应整理成证据、特征对照和明确的组合理由。适用实体条款原文

下一步最值得投入的是固定一套参数,形成能复核的声学解释或复现意见,并核对审查档案中的修改理由。继续增加同类膜厚文献,对当前成功率的提升会明显小于补完上述环节。

本次评估所据的附件汇编:C:/Users/16011/Desktop/下载/CN103262410B_1_无效理由及技术特征(9).docx

 


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