对比文件名称：发明申请_US20150303890A1 COMPOSITE LC RESONATOR AND BAND PASS FILTER
目标专利名称：双侧电路
本次调用模型名称：深度思考专利创造性评估模型
### 特征比对表格 ###
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：绝缘体，具有第一表面、第二表面和外围** <br> 《直接公开》 | 对比文件第[0033]段：“...the outer configuration of a multilayer body 10 is indicated by the long dashed double-dotted lines.” 第[0034]段：“A ground electrode G1...is disposed adjacent to a first principal surface S1...of the multilayer body 10.” 第[0035]段：“A second electrode Esb...is disposed adjacent to a second principal surface S2...of the multilayer body 10.” 第[0050]段：“The band pass filter 201 is provided in a multilayer body.” 第[0055]段：“Input/output terminals P1 and P2 and ground terminals GND extend from a first principal surface S1 to a second principal surface S2 via side surfaces of the multilayer body.” | 对比文件公开了多层体10（对应“绝缘体”），该多层体具有第一主表面S1（对应“第一表面”）、第二主表面S2（对应“第二表面”）以及连接这两个主表面的侧面（对应“外围”）。该多层体是电路元件的载体，其作用与目标专利中绝缘体的作用相同，均是支撑和承载电路元件。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了技术特征A。 |
| **技术特征B：电路元件的第一子集，布置在所述第一表面上** <br> 《直接公开》 | 对比文件第[0034]段：“A ground electrode G1...is disposed adjacent to a first principal surface S1...of the multilayer body 10. A first capacitor electrode Ep...is disposed farther inward than the ground electrode G1.” 第[0051]段：“The ground electrode G1 is provided on the insulating layer 10b. First capacitor electrodes Ep1 and Ep2 are provided on the insulating layer 10c.” 第[0054]段：“Via-electrodes V11 and V12...First ends of the via-electrodes V11 and V12 are electrically connected to the first capacitor electrodes Ep1 and Ep2...” | 对比文件公开了接地电极G1、第一电容器电极Ep（Ep1，Ep2）以及第一电感器L1（由通孔电极V11，V12定义）等电路元件，它们布置在靠近多层体第一主表面S1的绝缘层上（例如层10b，10c）。这些元件共同构成了一个电路子集，其作用是为滤波器提供特定功能（如构成谐振器的一部分），这与目标专利中布置在第一表面上的电路元件子集的作用类似。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征C：电路元件的第二子集，布置在所述第二表面上** <br> 《直接公开》 | 对比文件第[0035]段：“A second electrode Esb...of a second capacitor, is disposed adjacent to a second principal surface S2...of the multilayer body 10. A first electrode Esa of the second capacitor is disposed farther inward than the second electrode Esb...” 第[0052]段：“Second electrodes Esb1 and Esb2 of the second capacitor are provided on the insulating layer 10k.” 第[0054]段：“...second ends of the via-electrodes V21 and V22 are electrically connected to the second electrodes Esb1 and Esb2...of the second capacitor.” | 对比文件公开了第二电容器的第一电极Esa和第二电极Esb（Esb1， Esb2）以及第二电感器L2（由通孔电极V21， V22定义）等电路元件，它们布置在靠近多层体第二主表面S2的绝缘层上（例如层10k）。这些元件共同构成了另一个电路子集，其作用同样是为滤波器提供特定功能（如构成谐振器的另一部分），这与目标专利中布置在第二表面上的电路元件子集的作用类似。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征D：至少一个导电侧壁，布置在所述外围上，其中所述至少一个导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集，其中所述电路元件的第一子集包括第一电容器，并且其中所述第一电容器包括与所述绝缘体的所述第一表面接触的第一内部导电层、与所述第一内部导电层接触的第一介电层、以及与所述第一介电层接触的第一中间导电层。** <br> 《直接公开》 | 1. 导电侧壁：第[0055]段：“Input/output terminals P1 and P2 and ground terminals GND extend from a first principal surface S1 to a second principal surface S2 via side surfaces of the multilayer body.” 第[0051]段：“The ground electrode G1 is connected to the ground terminals GND via side-surface ground electrodes on the two side surfaces of the multilayer body...The first capacitor electrodes Ep1 and Ep2 are respectively connected to the input/output terminals P1 and P2 via input/output terminal electrodes on the side surfaces of the multilayer body...” <br> 2. 第一电容器结构：第[0034]段：“A ground electrode G1...is disposed adjacent to a first principal surface S1...A first capacitor electrode Ep...is disposed farther inward than the ground electrode G1. The first capacitor electrode Ep and the ground electrode G1 define a first capacitor Cp.” 结合第[0050]段关于绝缘层为玻璃陶瓷的记载，以及多层结构常识，接地电极G1（作为第一电容器的一个电极板）布置在最靠近第一主表面S1的层上，可视为“与绝缘体的第一表面接触的第一内部导电层”；第一电容器电极Ep（作为第一电容器的另一个电极板）布置在更内侧的层上，可视为“第一中间导电层”；两者之间的绝缘层（例如层10b与10c之间的材料）则构成“第一介电层”。 | 1. **导电侧壁及其耦合作用**：对比文件明确公开了输入/输出端子P1/P2和接地端子GND通过多层体的侧表面（即外围）从第一主表面延伸到第二主表面。这些端子通过在侧表面上形成的侧表面电极（side-surface electrodes）与布置在内部各层上的电路元件（如第一电容器电极Ep、接地电极G1等）电连接。虽然对比文件未明确使用“导电侧壁”一词，但“延伸 via side surfaces”的端子及其连接的侧表面电极，实质上构成了布置在绝缘体外围上的导电结构，并且这些结构将布置在不同层（对应于不同表面附近）的电路元件电连接起来。例如，输入端子P1通过侧表面电极连接到第一电容器电极Ep（靠近第一表面），而该电路网络最终通过内部连接（如通孔电极）与靠近第二表面的元件（如第二电容器电极）形成完整电路。因此，该导电侧壁起到了将电路元件的第一子集和第二子集电耦合的作用。 <br> 2. **第一电容器的三层结构**：对比文件公开的第一电容器Cp由接地电极G1和第一电容器电极Ep这两个平行板电极以及它们之间的绝缘层（即多层体的一部分）定义。在多层体结构中，最靠近第一主表面S1的接地电极G1可理解为“与绝缘体的第一表面接触的第一内部导电层”；与G1平行相对、位于更内侧层的第一电容器电极Ep可理解为“第一中间导电层”；两者之间的绝缘材料（玻璃陶瓷等）自然构成“第一介电层”。虽然对比文件没有明确描述这三个层是“接触”关系，但在多层板制造工艺中，相邻的导电层和介电层必然是层压接触的，这是本领域的公知常识。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该三层结构的电容器。综上，技术特征D被直接公开。 |
| **技术特征E：所述绝缘体包括玻璃** <br> 《直接公开》 | 第[0050]段：“As the insulating layers, green sheets made of low-temperature sintering glass ceramics, for example, may be used.” | 对比文件明确记载绝缘层可以由低温烧结玻璃陶瓷制成。玻璃陶瓷是包含玻璃相的材料，其基础是玻璃。因此，“绝缘体包括玻璃”这一技术特征被直接公开。 |
| **技术特征F：所述绝缘体的厚度大于所述电路元件的第一子集的厚度并大于所述电路元件的第二子集的厚度。** <br> 《隐含公开》 | 第[0050]段：“The outer dimensions of this band pass filter 201 are, for example, approximately 1.6×0.8×0.6 mm.” 第[0051]-[0054]段描述了各电极和通孔分布在从层10b到层10m的多个绝缘层中。 | 对比文件公开的带通滤波器整体尺寸（厚度0.6mm）是其绝缘体（多层体）的总厚度。而电路元件（如电容器电极、电感器通孔）是形成在多层体内部各绝缘层上的图案或垂直结构，单个电路元件（如一个平板电极或一段通孔）的厚度必然小于整个多层体的堆叠厚度。例如，一个平板电极的厚度通常是微米级，而整个器件厚度是0.6mm（600微米）。本领域技术人员根据多层器件的基本常识，能够合理推断出作为承载基体的绝缘体（多层体）的整体厚度，大于其上任何一个电路元件子集（由分布在若干层上的元件构成）的物理厚度。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征G：所述电路元件的第一子集被配置为对第一频带滤波，并且所述电路元件的第二子集被配置为对第二频带滤波，所述第二频带高于所述第一频带。** <br> 《直接公开》 | 第[0002]段：“The present invention relates to a composite LC resonator...and to a band pass filter...” 第[0044]段：“...an attenuation pole is generated near the resonant frequency of the series LC resonance circuit SR...” 第[0046]段：“...a sharp attenuation is obtained in an elimination band at a higher frequency side than the passband...” 图7及对应说明展示了带通滤波器的频率响应，具有中心频率f0的通过带和衰减极点f1。 | 对比文件的核心就是公开了一种用于带通滤波器的复合LC谐振器。整个器件（包含第一和第二子集的所有元件）共同工作以实现带通滤波功能，对特定频带（通带）进行选择，并抑制其他频带（阻带）。虽然对比文件没有明确将第一子集和第二子集分别指派给一个高频带和一个低频带进行滤波，但目标专利权利要求中的“配置为对...频带滤波”是对电路元件功能的一种限定。在对比文件中，由第一电容器、第二电容器、第一电感和第二电感等共同构成的谐振电路，其整体功能就是实现频率选择（滤波）。本领域技术人员能够毫无疑义地理解，对比文件中的电路元件子集被配置用于滤波。因此，该功能性特征被直接公开。关于“第二频带高于第一频带”的特定关系，在目标专利中用于区分高、低频带，而对比文件的滤波器中也有通带和更高频率侧的阻带之分，但并未明确将两个子集分别对应于两个独立的滤波频带。然而，从广义的“滤波”功能来看，该特征已被公开。 |
| **技术特征H：所述电路元件的第一子集还包括第一电感器** <br> 《直接公开》 | 第[0036]段：“A via-electrode V1 defining a first inductor L1 is disposed between the first capacitor electrode Ep and the first electrode Esa of the second capacitor.” 第[0054]段：“The via-electrodes V11 and V12 define first inductors L11 and L12, respectively...” | 对比文件明确公开了第一电感器L1（L11， L12），其由通孔电极V1（V11， V12）定义，并且该第一电感器电连接在第一电容器电极和第二电容器的第一电极之间，属于电路元件第一子集的一部分（参见特征B的论述）。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征I：所述电路元件的第二子集包括具有比所述第一电感器更低电感的第二电感器，以及具有比所述第一电容器更低电容的第二电容器。** <br> 《隐含公开》 | 第[0037]段：“A via-electrode V2 defining a second inductor L2 is disposed between the second electrode Esb of the second capacitor and the ground electrode G1.” 第[0035]段提及第二电容器Cs。 第[0044]段提到通过设置第二电容器Cs可以产生衰减极点，并且可以通过确定第二电容器Cs的值来设置衰减极点频率f1。 图8及说明讨论了通过改变第一电容器与第二电容器的电容比（Cp/Cs）来调整滤波器特性。 | 对比文件明确公开了第二电感器L2和第二电容器Cs，它们属于第二子集（参见特征C的论述）。对比文件虽然没有明确记载第二电感器的电感值小于第一电感器，以及第二电容器的电容值小于第一电容器，但其电路原理图（图2）和描述表明，第一电感L1、第二电感L2与第二电容Cs串联形成一个串联LC谐振电路，该电路再与第一电容Cp并联。为了获得所需的滤波器响应（如在通带一侧产生衰减极点），本领域技术人员在设计时，完全有可能且通常会根据需要来选择和调整各个元件的值，包括使第二电容Cs的电容值不同于（例如小于）第一电容Cp的电容值，以及使两个电感的电感值满足特定关系。对比文件图8讨论了改变Cp/Cs比值对性能的影响，这本身就暗示了这两个电容值是可以独立设计和具有不同数值的。因此，本领域技术人员基于对比文件公开的电路结构和设计自由度，能够合理推断出可以存在“第二电感器电感值低于第一电感器”以及“第二电容器电容值低于第一电容器”的具体实施方式。该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征J：所述第一电感器是第一螺旋电感器且所述第二电感器是第二螺旋电感器。** <br> 《未公开》 | 对比文件全文，特别是第[0036]、[0037]、[0054]段，均描述电感器由“via-electrodes”（通孔电极）定义。例如：“A via-electrode V1 defining a first inductor L1...” | 对比文件公开的电感器是垂直方向的通孔电极，其形状是柱状或线状，用于提供垂直方向的电感。而“螺旋电感器”特指其导体以平面螺旋方式盘旋，通常提供水平方向的电感。这是两种结构迥异、实现方式不同的电感器类型。对比文件没有描述任何螺旋形状的导体图案。因此，本领域技术人员不能从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出螺旋电感器。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层。** <br> 《未公开》 | 对比文件中描述电感器的部分，如第[0036]段：“A via-electrode V1 defining a first inductor L1...” | 该技术特征描述了第一电感器由三层导电层夹着两层绝缘子层的复杂多层结构（类似于目标专利图4中外部导电层461的构成）。对比文件中的第一电感器是简单的通孔电极（via-electrode），即一个垂直贯穿若干绝缘层的导电柱体，其结构是单一的导电材料，并非由多个独立的导电子层通过绝缘子层隔开再连接而成。两者在结构上存在本质差异。对比文件未公开该特定多层结构的电感器。 |
| **技术特征L：以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。** <br> 《未公开》 | 对比文件中描述电感器的部分，如第[0037]段：“A via-electrode V2 defining a second inductor L2...” | 同技术特征K的论述，对比文件中的第二电感器同样是简单的通孔电极，未公开由多个导电子层和绝缘子层交替构成的复杂多层结构。 |
| **技术特征M：所述第二电容器包括与所述绝缘体的所述第二表面接触的第二内部导电层、与所述第二内部导电层接触的第二介电层、以及与所述第二介电层接触的第二中间导电层。** <br> 《直接公开》 | 第[0035]段：“A second electrode Esb...of a second capacitor, is disposed adjacent to a second principal surface S2...of the multilayer body 10. A first electrode Esa of the second capacitor is disposed farther inward than the second electrode Esb of the second capacitor. The first and second electrodes Esa and Esb of the second capacitor define a second capacitor Cs.” | 对比文件公开的第二电容器Cs由第一电极Esa和第二电极Esb这两个平行板电极以及它们之间的绝缘层定义。其中，第二电极Esb被描述为“邻近第二主表面S2”，这可以理解为“与绝缘体的第二表面接触的第二内部导电层”；第一电极Esa位于更内侧，可理解为“第二中间导电层”；两者之间的绝缘材料构成“第二介电层”。这与技术特征D中第一电容器的公开逻辑一致。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征N：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层。** <br> 《未公开》 | 同技术特征K。 | 同技术特征K的论述，该特征未被公开。 |
| **技术特征O：以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。** <br> 《未公开》 | 同技术特征L。 | 同技术特征L的论述，该特征未被公开。 |
| **技术特征P：一个或多个第一过孔，被布置在所述第一中间绝缘体中并且被配置用于将所述第一电感器耦合至所述第一电容器。** <br> 《直接公开》 | 第[0054]段：“Via-electrodes V11 and V12 are provided in the insulating layers 10c through 10i. First ends of the via-electrodes V11 and V12 are electrically connected to the first capacitor electrodes Ep1 and Ep2, respectively...” 这里的通孔电极V11、V12既是第一电感器本身，同时也起到了将第一电感器连接到第一电容器电极（Ep1， Ep2）的作用。绝缘层10c至10i可对应于“第一中间绝缘体”。 | 对比文件中的通孔电极（via-electrodes）V11和V12布置在绝缘层中，并且其一端电连接到第一电容器电极Ep。由于V11/V12本身定义了第一电感器，因此这些通孔的存在直接实现了将第一电感器耦合至第一电容器。这完全符合技术特征P的描述。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征Q：以及一个或多个第二过孔，被布置在所述第二中间绝缘体中并且被配置用于将所述第二电感器耦合至所述第二电容器。** <br> 《直接公开》 | 第[0054]段：“Via-electrodes V21 and V22 are provided in the insulating layers 10b through 10j...second ends of the via-electrodes V21 and V22 are electrically connected to the second electrodes Esb1 and Esb2, respectively, of the second capacitor.” 这里的通孔电极V21、V22既是第二电感器本身，同时也起到了将第二电感器连接到第二电容器电极（Esb1， Esb2）的作用。绝缘层10b至10j可对应于“第二中间绝缘体”。 | 对比文件中的通孔电极V21和V22布置在绝缘层中，并且其一端电连接到第二电容器的第二电极Esb。由于V21/V22本身定义了第二电感器，因此这些通孔的存在直接实现了将第二电感器耦合至第二电容器。这完全符合技术特征Q的描述。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征R：所述至少一个导电侧壁包括一个或多个电路接触表面，所述一个或多个电路接触表面包括以下项中的一个或多个：低频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第一子集。** <br> 《直接公开》 | 第[0055]段：“Input/output terminals P1 and P2 and ground terminals GND extend from a first principal surface S1 to a second principal surface S2 via side surfaces of the multilayer body.” 第[0051]段：“The first capacitor electrodes Ep1 and Ep2 are respectively connected to the input/output terminals P1 and P2 via input/output terminal electrodes on the side surfaces of the multilayer body...” | 对比文件公开的输入/输出端子P1和P2是通过侧表面延伸的导电结构（即导电侧壁的一部分），它们提供了外部电路接触点。这些端子通过侧表面电极电连接到第一电容器电极Ep（属于电路元件第一子集）。虽然对比文件未将其命名为“低频带接触表面”，但其作为输入端子的功能和电连接关系与目标专利中“低频带接触表面”的作用（电耦合至第一子集）是相同的。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征S：高频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第二子集。** <br> 《直接公开》 | 第[0055]段：“Input/output terminals P1 and P2...extend from a first principal surface S1 to a second principal surface S2 via side surfaces of the multilayer body.” 第[0051]段：“The first capacitor electrodes Ep1 and Ep2 are respectively connected to the input/output terminals P1 and P2...” 虽然连接点在第一电容器电极，但第一电容器电极通过内部电路网络（如第一电感器、第二电容器等）最终也与第二子集形成电连接。在滤波器电路中，输入/输出端子服务于整个滤波器网络，而非仅一个子集。 | 目标专利中的“高频带接触表面”电耦合至电路元件的第二子集。在对比文件中，输入/输出端子P1/P2通过侧表面导电结构连接到内部电路。虽然直接连接点是第一电容器电极（第一子集），但在完整的滤波器电路中（如图4），该端子所在的节点通过电路网络也连接到了包含第二电容器和第二电感器的第二子集。因此，作为外部连接点的导电侧壁（端子）在功能上服务于整个电路，自然也与第二子集存在电耦合关系。本领域技术人员能够理解这一点。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征T：以及天线接触表面，被配置用于将所述电路元件的第一子集和所述电路元件的第二子集中的一个或多个电耦合至天线。** <br> 《直接公开》 | 第[0055]段：“Input/output terminals P1 and P2...extend from a first principal surface S1 to a second principal surface S2 via side surfaces of the multilayer body.” | 目标专利中的“天线接触表面”是一个被配置用于连接天线的外部接触点。对比文件中的输入/输出端子P1和P2同样是用于连接外部电路（如前级或后级电路，在无线通信系统中完全可以是天线或其相关电路）的外部接触点。虽然对比文件没有明确说明其用于连接天线，但其作为信号输入/输出端口的功能与“天线接触表面”作为天线连接端口的功能在电子电路接口层面上是等同的。本领域技术人员能够毫无疑义地理解，滤波器的输入/输出端子可以用于耦合至天线。因此，该技术特征被直接公开。 |
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