**对比文件名称**：发明专利_JP2013153011A Semiconductor device
**目标专利名称**：双侧电路
**本次调用模型名称**：专利创造性评估模型
以下是根据目标专利权利要求划分的技术特征与对比文件JP2013153011A的比对分析。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：绝缘体，具有第一表面、第二表面和外围**<br>**《隐含公开》** | [0011]段、[2]段（具体实施方式部分）：“絶縁膜３がスパイラルインダクタ２を覆っている。絶縁膜３上に...スパイラルインダクタ４が設けられている。”<br>译文：“绝缘膜3覆盖着螺旋电感器2。在绝缘膜3上设有...螺旋电感器4。” | **隐含公开**。对比文件公开了“絶縁膜３”（绝缘膜3），该绝缘膜覆盖了下层的螺旋电感器2，并作为上层螺旋电感器4的支撑基底。因此，该绝缘膜必然具有覆盖下层电感器的“第一表面”（下表面）、承载上层电感器的“第二表面”（上表面）以及连接这两个表面的“外围”（侧面）。虽然对比文件未明确强调“外围”这一术语，但作为具有厚度并覆盖下层结构的膜层，其外围侧面是本领域技术人员能够毫无疑义地理解其存在的物理结构。该绝缘膜在对比文件中起到支撑和电隔离上下层电感器的作用，与目标专利中绝缘体作为电路元件载体和隔离结构的基础作用相同。因此，本领域技术人员能够合理推断出该绝缘膜具有第一表面、第二表面和外围。 |
| **技术特征B：电路元件的第一子集，布置在所述第一表面上**<br>**《未公开》** | [2]段（具体实施方式部分）：“半導体基板１上に...スパイラルインダクタ２が設けられている。”<br>译文：“在半导体基板1上设有...螺旋电感器2。” | **未被公开**。对比文件公开了第一螺旋电感器（2）布置在半导体基板（1）上，而不是布置在**绝缘体**（即绝缘膜3）的**第一表面**上。目标专利的“第一表面”特指绝缘体的表面，而对比文件中的第一电感器位于绝缘膜下方的半导体基板上，两者载体不同。此外，目标专利的“电路元件的第一子集”是一个集合概念，可能包含多个无源元件（如电容和电感），而对比文件在此仅公开了单个电感元件。因此，该技术特征未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征C：电路元件的第二子集，布置在所述第二表面上**<br>**《未公开》** | [2]段（具体实施方式部分）：“絶縁膜３上に...スパイラルインダクタ４が設けられている。”<br>译文：“在绝缘膜3上设有...螺旋电感器4。” | **未被公开**。对比文件公开了第二螺旋电感器（4）布置在绝缘膜（3）上，这对应于布置在绝缘体的“第二表面”上。然而，目标专利的“电路元件的第二子集”同样是一个可能包含多种元件的集合。对比文件在此仅公开了单个电感元件作为第二子集，并未公开该子集包含如目标专利所述的电容等其他元件。虽然布置位置（绝缘膜/绝缘体的上表面）相似，但“子集”所涵盖的元件种类和范围不同。从整体技术方案看，对比文件旨在通过两个螺旋电感器的特定堆叠提高电感值，而目标专利的双面布局旨在分布整个滤波电路以减小尺寸和串扰。因此，本领域技术人员无法从对比文件推断出在第二表面上布置的是一个包含多种元件的“电路元件的第二子集”。 |
| **技术特征D：至少一个导电侧壁，布置在所述外围上，其中所述至少一个导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集，其中所述电路元件的第一子集包括第一电容器，并且其中所述第一电容器包括与所述绝缘体的所述第一表面接触的第一内部导电层、与所述第一内部导电层接触的第一介电层、以及与所述第一介电层接触的第一中间导电层。**<br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“导电侧壁”。<br>关于电容器：[0002]段：“ＭＩＭキャパシタは誘電体膜の上層金属と下層金属により構成される。”<br>译文：“MIM电容器由介电膜的上层金属和下层金属构成。” | **未被公开**。该技术特征包含多个限定：1）布置在外围的导电侧壁；2）该侧壁用于电耦合第一子集和第二子集；3）第一子集包含电容器；4）该电容器的具体三层结构（内部导电层-介电层-中间导电层）。<br>首先，对比文件完全没有提及任何“导电侧壁”结构，其上下层电感器之间的电连接是通过“コンタクトホール５”（接触孔5，即过孔）实现的（见[0011]及[2]段）。<br>其次，对比文件未公开目标专利权利要求中“电路元件的第一子集”包含电容器。其背景技术提到了MIM电容器，但具体实施方式中围绕电感器展开，未描述将电容器作为所述第一子集的一部分集成在所述第一表面上。<br>最后，对比文件概括性描述了MIM电容器的构成（上层金属、介电膜、下层金属），但并未公开该电容器与绝缘体第一表面接触的内部导电层、介电层、中间导电层的具体层叠关系，也未明确该电容器是所述第一子集的组成部分。因此，该技术特征的整体方案未被对比文件公开。 |
| **技术特征E：所述绝缘体包括玻璃**<br>**《未公开》** | [2]段（具体实施方式部分）：“絶縁膜３が...ＳｉＮ又はＳｉＯＮからなる...”<br>译文：“绝缘膜3由SiN或SiON构成...” | **未被公开**。对比文件明确记载绝缘膜3的材料是SiN或SiON（氮化硅或氮氧化硅），并未提及玻璃。玻璃作为一种常见的绝缘基板材料，与SiN/SiON薄膜在材料性质和应用场景上存在差异。本领域技术人员不能从对比文件推断出其绝缘体是玻璃。 |
| **技术特征F：所述绝缘体的厚度大于所述电路元件的第一子集的厚度并大于所述电路元件的第二子集的厚度。**<br>**《未公开》** | 无相应记载。 | **未被公开**。对比文件未提及绝缘膜3的厚度与螺旋电感器2、4的厚度之间的比较关系。目标专利中该特征限定了绝缘体作为支撑基板的厚度优势，而对比文件中的绝缘膜3更可能是一个用于隔离和支撑上层电感器的相对较薄的介电层，其厚度不一定大于其上布置的电感器（由金属导线构成）的厚度。该特征未被公开。 |
| **技术特征G：所述电路元件的第一子集被配置为对第一频带滤波，并且所述电路元件的第二子集被配置为对第二频带滤波，所述第二频带高于所述第一频带。**<br>**《未公开》** | 无相应记载。 | **未被公开**。对比文件聚焦于通过两个螺旋电感器的堆叠结构实现高电感值，用于“整合回路”（匹配电路）。全文未提及将电路子集配置为对特定频带进行滤波，更未提及对高频带和低频带进行滤波且高频带高于低频带的功能。该技术特征涉及目标专利电路的具体滤波功能和应用，未被对比文件公开。 |
| **技术特征H：所述电路元件的第一子集还包括第一电感器**<br>**《直接公开》** | [2]段（具体实施方式部分）：“半導体基板１上に...スパイラルインダクタ２が設けられている。”<br>译文：“在半导体基板1上设有...螺旋电感器2。” | **直接公开**。对比文件明确公开了“スパイラルインダクタ２”（螺旋电感器2），该电感器是布置在半导体基板上的电路元件。虽然其载体（半导体基板 vs 绝缘体第一表面）和所属集合（单一元件 vs 可能包含电容器的子集）与目标专利有差异，但技术特征H本身仅限定了“第一子集还包括第一电感器”。从元件类型和存在性上看，对比文件确实公开了“第一电感器”（螺旋电感器2）的存在。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征I：所述电路元件的第二子集包括具有比所述第一电感器更低电感的第二电感器，以及具有比所述第一电容器更低电容的第二电容器。**<br>**《未公开》** | 无相应记载。 | **未被公开**。对比文件未对两个螺旋电感器2和4的电感值进行比较，也未公开任何电容器，更无从比较电容值。该技术特征涉及元件之间具体的参数关系，完全未被对比文件公开。 |
| **技术特征J：所述第一电感器是第一螺旋电感器且所述第二电感器是第二螺旋电感器。**<br>**《直接公开》** | [0011]段、[2]段（具体实施方式部分）多次明确记载“スパイラルインダクタ”（螺旋电感器）。 | **直接公开**。对比文件的核心就是两个“スパイラルインダクタ”（螺旋电感器）的堆叠结构，即第一螺旋电感器（2）和第二螺旋电感器（4）。该技术特征被对比文件实质公开。 |
| **技术特征K：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层。**<br>**《未公开》** | 无相应记载。 | **未被公开**。对比文件未描述螺旋电感器2或4具有如此详细的多层结构（内部导电子层、绝缘子层、外部导电子层）。其附图和文字描述将电感器描绘为单一的金属导线图案。该技术特征限定了电感器的具体制造层次结构，未被对比文件公开。 |
| **技术特征L：以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。**<br>**《未公开》** | 无相应记载。 | **未被公开**。理由同技术特征K。对比文件未公开第二电感器（4）的此类多层结构。 |
| **技术特征M：所述第二电容器包括与所述绝缘体的所述第二表面接触的第二内部导电层、与所述第二内部导电层接触的第二介电层、以及与所述第二介电层接触的第二中间导电层。**<br>**《未公开》** | 无相应记载。 | **未被公开**。对比文件未公开“第二电容器”的存在，更未公开其具体的层状结构。 |
| **技术特征N：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层。**<br>**《未公开》** | 无相应记载。 | **未被公开**。同技术特征K，未被公开。 |
| **技术特征O：以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。**<br>**《未公开》** | 无相应记载。 | **未被公开**。同技术特征L，未被公开。 |
| **技术特征P：一个或多个第一过孔，被布置在所述第一中间绝缘体中并且被配置用于将所述第一电感器耦合至所述第一电容器。**<br>**《未公开》** | [0011]段、[2]段（具体实施方式部分）：“コンタクトホール５が絶縁膜３を貫通して内端部２ａと内端部４ａを電気的に接続している。”<br>译文：“接触孔5贯通绝缘膜3，将内端部2a和内端部4a电连接。” | **未被公开**。对比文件公开了“コンタクトホール”（接触孔，即过孔）贯通绝缘膜，用于连接两个螺旋电感器的内端部。这与“过孔布置在绝缘体中用于电连接”的概念在结构上相似。然而，目标专利的技术特征P明确限定了该过孔的功能是“将所述第一电感器耦合至所述第一电容器”。对比文件中过孔连接的是两个电感器，并未涉及电容器。因此，虽然过孔结构本身被公开，但其连接对象和功能不同，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征Q：以及一个或多个第二过孔，被布置在所述第二中间绝缘体中并且被配置用于将所述第二电感器耦合至所述第二电容器。**<br>**《未公开》** | 无相应记载。 | **未被公开**。对比文件只有一个连接上下电感器的接触孔（5）。未公开布置在所谓“第二中间绝缘体”中用于连接第二电感器和第二电容器的过孔。 |
| **技术特征R：所述至少一个导电侧壁包括一个或多个电路接触表面，所述一个或多个电路接触表面包括以下项中的一个或多个：低频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第一子集。**<br>**《未公开》** | 无相应记载。 | **未被公开**。对比文件未公开“导电侧壁”，因此也不可能公开其上的“低频带接触表面”。 |
| **技术特征S：高频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第二子集。**<br>**《未公开》** | 无相应记载。 | **未被公开**。理由同技术特征R，未被公开。 |
| **技术特征T：以及天线接触表面，被配置用于将所述电路元件的第一子集和所述电路元件的第二子集中的一个或多个电耦合至天线。**<br>**《未公开》** | 无相应记载。 | **未被公开**。理由同技术特征R，未被公开。 |
### 结论代码
根据上述分析，对比文件直接公开了技术特征H和技术特征J，隐含公开了技术特征A。
<<<H>>>
<<<J>>>
<<<a>>>