对比文件名称：发明公开_CN101978596A 步进式增益混频器
目标专利名称：131相移混频器
本次调用模型名称：深度专利特征比对模型
## 特征比对表格 ##
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：多个混频电路，其被配置为生成多个频率变换信号《直接公开》 | [0033] “两个步进式增益混频器20到21中的每一者从低噪声放大器17到19接收呈正相及负相的经放大RF信号的形式的差分信号。步进式增益混频器20降频转换经放大的RF信号且产生I相基带信号33...步进式增益混频器21降频转换经放大的RF信号且产生Q相基带信号34...” | 对比文件明确公开了用于接收差分RF信号并进行降频转换的步进式增益混频器20、21，它们生成了I相和Q相的基带信号，这些基带信号即为频率变换信号。因此，多个混频电路及其生成多个频率变换信号的功能被直接公开。 |
| 技术特征B：所述多个混频电路中的至少一个混频电路被配置有多个路径，每个路径表示一种线性模式，所述多个路径包括：高线性模式的第一路径，其被配置有第一金属氧化物半导体电阻器《未公开》 | [0038] “步进式增益混频器20到21中的每一者在四种增益模式中操作。”<br/>[0045] “在步进式增益混频器20的另一实例中，十六个晶体管62到77中的每一者不具有等同尺寸。举例来说，四个晶体管群组...的相对晶体管尺寸可经选择使得四个模式(4/4、3/4、2/4、1/4)的放大导致dB上的线性步进。” | 对比文件公开了混频器具有多种“增益模式”或“模式”（如4/4，3/4，2/4，1/4），这些模式通过控制开关来改变参与工作的晶体管数量，从而改变增益。然而，这些模式是“增益模式”，其目的是实现步进式增益控制，而不是目标专利中为了解决特定技术问题（如根据基带滤波器阻抗调整混频器大小以对抗干扰）而定义的“线性模式”（如高线性模式、低线性模式）。此外，对比文件中参与混频的晶体管在导通时本身具有导通电阻，但并未将其独立配置为特定“线性模式”的“第一金属氧化物半导体电阻器”。两者技术特征的作用和目的不同。 |
| 技术特征C：以及低线性模式的第二路径，其被配置有第二金属氧化物半导体电阻器和第一线性模式开关，所述第一金属氧化物半导体电阻器和所述第二金属氧化物半导体电阻器是由本地振荡信号控制的《未公开》 | [0033] “步进式增益混频器20降频转换经放大的RF信号且产生I相基带信号33...经提供到混频器20的I相LO信号30...”<br/>[0043] “开关50到61经配置使得在步进式增益混频器20的正相侧与负相侧之间维持对称性。通过对到开关50到61的切换信号进行断言及解除断言，步进式增益混频器20可经控制以在四个混频器增益模式(4/4、3/4、2/4及1/4)中操作。” | 对比文件公开了混频器中的晶体管（其导通电阻可视为MOS电阻）由LO信号控制其开关动作。同时，公开了用于改变混频器增益模式的开关（如50-61）。然而，这些开关是用于切换“增益模式”的“增益控制开关”，而非目标专利中用于选择特定“线性模式”的“线性模式开关”。对比文件的技术方案并未构建出“低线性模式的第二路径”这一概念。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征D：以及多个组合电路，其被配置为对所述多个频率变换信号进行组合以生成差分基带输出信号。《隐含公开》 | [0033] “步进式增益混频器20...产生I相基带信号33...步进式增益混频器21...产生Q相基带信号34...”<br/>[0043] 图3示出了步进式增益混频器20的电路结构，其中多个晶体管（62-77）的输出电流最终汇聚形成差分输出信号（正相48和负相49）。 | 对比文件公开了混频器输出差分基带信号（I相33和Q相34）。要生成这些差分信号，必然存在对内部多个混频单元（如图3中晶体管62-77）产生的电流信号进行汇合（即组合）的电路结构，例如通过将多个晶体管的漏极连接在一起实现电流求和。本领域技术人员能够从对比文件的电路图（图3）毫无疑义地推导出，存在对内部多个频率变换信号（各晶体管输出的电流）进行组合以生成最终差分基带输出信号的“组合电路”，尽管对比文件未明确命名该部分为“组合电路”。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征E：所述至少一个混频电路是全球移动通信系统(GSM)无SAW收发机的辅助混频器。《未公开》 | 对比文件全文未提及“GSM无SAW收发机”或“辅助混频器”。 | 目标专利说明书中明确强调该特征用于“GSM无SAW收发机”中以解决特定干扰问题。对比文件涉及的是OFDM系统接收机中的“步进式增益混频器”，用于增益控制，其应用场景和技术问题均不相同。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征F：所述第一线性模式开关是由低线性模式信号控制的金属氧化物半导体开关。《未公开》 | [0039] “步进式增益混频器38经配置使得当切换信号43被断言时开关41闭合且开关42断开。在一个实施例中，切换信号43在将数字一写入到混频器控制寄存器29的第八位中时被断言。” | 对比文件公开了由“切换信号”控制的MOSFET开关（如41，42）。然而，该“切换信号”是用于控制“增益模式”的，并非目标专利中定义的“低线性模式信号”。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征G：所述多个路径还包括：中等线性模式的第三路径，其被配置有第三金属氧化物半导体电阻器和第二线性模式开关，所述第三金属氧化物半导体电阻器也是由所述本地振荡信号控制的。《未公开》 | 对比文件未提及“中等线性模式”、“第三路径”或“第二线性模式开关”。 | 该技术特征是对技术特征B和C中“多个路径”的进一步限定。由于对比文件未公开基于“线性模式”划分的多路径结构，因此该进一步限定的技术特征也未被公开。 |
| 技术特征H：所述第二线性模式开关是由中等线性模式信号控制的金属氧化物半导体开关。《未公开》 | 对比文件未提及“中等线性模式信号”。 | 该技术特征依赖于技术特征G。由于技术特征G未被公开，且对比文件中无相关内容，因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征I：所述多个混频电路被配置为接收差分本地振荡器信号和差分RF输入信号，所述差分本地振荡器信号包括正差分本地振荡器信号和负差分本地振荡器信号，以及所述差分RF输入信号包括正差分RF输入信号和负差分RF输入信号。《直接公开》 | [0033] “低噪声放大器17到19输出差分RF输入电流的0度(正)相46及180度(负)相47两者。”<br/>“经提供到混频器20的I相LO信号30...在0度(正)相以及180度(负)相上差分地产生。” | 对比文件明确且详细地描述了混频器接收差分RF输入信号（正相46、负相47）和差分LO信号（正相、负相）。该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征J：所述多个混频电路包括第一混频电路、第二混频电路、第三混频电路和第四混频电路，所述多个混频电路被配置为将所述差分本地振荡器信号与所述差分RF输入信号进行混频，以生成包括第一频率变换信号、第二频率变换信号、第三频率变换信号和第四频率变换信号的所述多个频率变换信号。《未公开》 | [0043] “步进式增益混频器20的正相侧包括晶体管62到69，且步进式增益混频器20的负相侧包括晶体管70到77。”<br/>图3和图5展示了由多个晶体管构成的混频器整体结构。 | 对比文件公开的混频器（如图3的20）是一个由多个晶体管（62-77）构成的整体双平衡混频器电路。虽然这些晶体管可以视为执行混频功能的基本单元，但对比文件并未将其明确划分或描述为四个独立的、分别具有特定输入输出对应关系的“混频电路”（如第一、第二、第三、第四混频电路）。目标专利的特征J-M明确限定了四个独立的混频电路及其具体的输入信号配对，这种特定的结构性划分在对比文件中没有体现。 |
| 技术特征K：所述第一混频电路被配置为将所述正差分本地振荡器信号和正差分RF输入信号进行混频，以生成所述第一频率变换信号。《未公开》 | 参见技术特征J的引用。图3中，晶体管62的栅极接收LO负相，源极接收RF正相46，其输出贡献于最终信号。但对比文件并未将晶体管62单独定义为一个独立的“第一混频电路”并明确其生成“第一频率变换信号”。 | 该技术特征是对特征J中一个独立混频电路的具体限定。由于特征J中四个独立混频电路的划分未被公开，因此该具体混频电路的功能也未被公开。 |
| 技术特征L：所述第二混频电路被配置为将所述负差分本地振荡器信号和正差分RF输入信号进行混频，以生成所述第二频率变换信号。《未公开》 | 参见技术特征J的引用。同理，对比文件未公开独立的“第二混频电路”。 | 同特征K的论述。 |
| 技术特征M：所述第三混频电路被配置为将所述负差分本地振荡器信号和负差分RF输入信号进行混频，以生成所述第三频率变换信号。《未公开》 | 参见技术特征J的引用。同理，对比文件未公开独立的“第三混频电路”。 | 同特征K的论述。 |
| 技术特征N：所述第四混频电路被配置为接收所述正差分本地振荡器信号和负差分RF输入信号，以生成所述第四频率变换信号。《未公开》 | 参见技术特征J的引用。同理，对比文件未公开独立的“第四混频电路”。 | 同特征K的论述。 |
| 技术特征O：所述多个组合电路包括第一组合电路和第二组合电路，所述多个组合电路被配置为生成所述差分基带输出信号的正基带输出信号和负基带输出信号。《未公开》 | [0043] “步进式增益混频器20输出I相基带信号33的输出电流的正相48及负相49两者。” | 对比文件公开了混频器输出差分信号（正相48和负相49）。然而，对比文件并未描述存在独立的、被称为“第一组合电路”和“第二组合电路”的电路模块来分别生成正负输出。信号的组合是在混频器内部的晶体管连接中完成的（如多个晶体管漏极相连），并未进行如此明确的模块化划分。 |
| 技术特征P：所述第一组合电路被配置为对所述第一频率变换信号和所述第三频率变换信号进行组合，以生成所述正基带输出信号。《未公开》 | 参见技术特征J和O的引用。 | 该技术特征依赖于特征J中定义的“第一频率变换信号”、“第三频率变换信号”以及特征O中定义的“第一组合电路”。由于这些特征均未被公开，因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征Q：所述第二组合电路被配置为对所述第二频率变换信号和所述第四频率变换信号进行组合，以生成所述差分基带输出信号的负基带输出信号。《未公开》 | 参见技术特征J和O的引用。 | 同特征P的论述。 |
| 技术特征R：所述至少一个混频电路包括：与至少一个压控可变电阻器串联的本地振荡器控制的金属氧化物半导体电阻器。《未公开》 | 对比文件全文未提及“压控可变电阻器”与LO控制的MOS电阻器串联的结构。 | 对比文件中的混频器使用晶体管作为开关和混频元件，其导通电阻受栅极电压（LO信号）控制，但不存在与之串联的、独立的“压控可变电阻器”。目标专利该特征描述的是另一种调整混频器大小的具体实现方式，在对比文件中未见公开。 |
| 技术特征S：所述至少一个压控可变电阻器中的每个被配置成一组可开关的电阻器。《未公开》 | 对比文件全文未提及“压控可变电阻器”或“一组可开关的电阻器”。 | 该技术特征是对特征R中“压控可变电阻器”的进一步限定。由于特征R未被公开，且对比文件中无相关内容，因此该技术特征未被公开。 |
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