对比文件名称：2015-10-20_发明授权_US09165706B2 Coil component
目标专利名称：高性能电感器CN108140467B
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：《隐含公开》<br>第一弯曲金属板 | [0038] 描述在绝缘层3a上形成环形线圈图案8a, 8b, 8c和8d。<br>[0041] 描述通过一系列步骤（如抗蚀剂涂覆、曝光、显影和蚀刻）形成线圈图案8a, 8b, 8c, 8d。 | 对比文件公开了在绝缘层上形成的螺旋形或环形“线圈图案”（coil patterns）8a, 8b, 8c, 8d（参见图3(B)）。这些线圈图案是弯曲的导电结构，由金属（如Ag, Pd, Cu, Al或其合金）制成（参见[0039]）。虽然对比文件使用了“线圈图案”而非“金属板”，但本领域技术人员可以理解，为了实现线圈的电感功能，这些图案必须是导电金属层，且通常具有一定厚度和宽度，实质上构成了“弯曲的金属板”或“弯曲的金属迹线”。因此，对比文件隐含公开了技术特征A。 |
| 技术特征B：《隐含公开》<br>第二弯曲金属板，在所述第一弯曲金属板下方、并且与所述第一弯曲金属板实质上垂直对准 | [0049] 描述在绝缘层3b上形成线圈图案10a, 10b, 10c和引出电极10d。<br>[0051] 描述线圈图案10a的一端通过过孔9a连接到线圈图案8a的另一端等。 | 对比文件公开了多个绝缘层和线圈图案层。具体地，在形成第一层线圈图案（8a-d）和绝缘层3b之后，在绝缘层3b上形成了第二组线圈图案（10a-c）（参见图5(B)）。这些图案（10a-c）位于第一组线圈图案（8a-d）的上方（根据堆叠顺序），并通过过孔（9a-g）与之连接。从层叠结构（图4-5）和连接关系可知，第二组线圈图案（10a-c）与第一组线圈图案（8a-d）在垂直方向上是交错的，并且为了通过过孔实现可靠的电连接，它们在连接点处必然是垂直对准的。因此，对比文件隐含公开了在第一弯曲金属板（第一层线圈图案）下方存在第二弯曲金属板（第二层线圈图案），并且两者实质上垂直对准。 |
| 技术特征C：《隐含公开》<br>第三弯曲金属板，在所述第二弯曲金属板下方、并且与所述第二弯曲金属板实质上垂直对准 | [0060] 描述在绝缘层3c上形成引出电极11a和线圈图案11b, 11c, 11d。<br>[0065] 描述在绝缘层3d上形成线圈图案13a, 13b, 13c, 13d。<br>[0066] 描述线圈图案13a通过过孔12a连接到引出电极11a，线圈图案13a通过过孔12b连接到线圈图案11b等。 | 对比文件公开了形成第三个线圈图案层。在第二组线圈图案（10a-c）和绝缘层3c之上，形成了第三组线圈图案（11b-d）（参见图7(A)）。随后，在绝缘层3d之上形成了第四组线圈图案（13a-d）（参见图9(A)）。根据[0066]的描述，线圈图案13a-d通过过孔（12a-g）与线圈图案11b-d连接。因此，线圈图案11b-d和13a-d分别构成了位于第二层线圈图案（10a-c）下方的另外两个导电层。权利要求中的“第三弯曲金属板”对应于这些层中的一层（例如11b-d或13a-d）。这些层与第二层线圈图案（10a-c）通过过孔连接，且在连接点处垂直对准。因此，对比文件隐含公开了在第二弯曲金属板下方存在第三弯曲金属板，并且两者实质上垂直对准。 |
| 技术特征D：《直接公开》<br>第一伸长过孔，在所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间垂直对准 | [0044] 描述在绝缘层3b中形成通孔，从而形成过孔9a, 9b, 9c, 9d, 9e, 9f和9g。<br>[0045] 描述线圈图案8a的另一端从过孔9a露出。线圈图案8b的一端从过孔9b露出，另一端从过孔9c露出等。<br>[0046] 描述每个过孔9a, 9b, 9c, 9d, 9e, 9f和9g被形成为细长形状，其在每个线圈图案8a至8d的纵向上具有更长的长度，并且其两端被尖锐地形成。 | 对比文件明确公开了在第一层线圈图案（8a-d）与第二层线圈图案（10a-c）之间的绝缘层（3b）中形成过孔（9a-g），用于连接上下两层线圈图案（参见[0044]-[0045]）。这些过孔被明确描述为“细长形状”（elongated shape），并且其长度方向沿着线圈图案的纵向（参见[0046]）。因此，这些过孔是“伸长的”。它们位于两层线圈图案之间，并实现垂直方向的电连接，构成了“在第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间垂直对准”的“第一伸长过孔”。技术特征D被对比文件直接公开。 |
| 技术特征E：《隐含公开》<br>所述第一伸长过孔被配置为将所述第一弯曲金属板导电耦合到所述第二弯曲金属板、并且具有至少2比1的所述第一伸长过孔的长度与高度的横纵比 | [0045] 描述线圈图案8a的另一端通过过孔9a露出等，以及后续[0051]描述通过过孔实现电连接。<br>[0046] 描述每个过孔9a至9g被形成为细长形状，其在每个线圈图案8a至8d的纵向上具有更长的长度。<br>[0047] 描述过孔9g，过孔9a, 9b, 9c, 9d, 9e和9f被形成为具有更长的长度...随着每个过孔从绝缘层3b的中心更靠近其外缘。 | 对比文件明确公开了过孔（9a-g）用于将上下两层线圈图案导电耦合（例如，线圈图案8a通过过孔9a连接到线圈图案10a）。同时，对比文件多次强调这些过孔是“细长的”（elongated），并且其长度（在线圈图案的纵向上）被特意设计得更长，特别是越靠近外缘的过孔长度越长（[0046], [0047]）。虽然对比文件没有明确给出“长度与高度的横纵比至少为2:1”的具体数值，但本领域技术人员根据“细长形状”的描述、以及为了降低连接电阻和提高可靠性而有意增加过孔长度的教导（[0047]提及更长的过孔可以减少因热膨胀导致的断开），可以合理推断出这些过孔的长度显著大于其穿过绝缘层的高度（即厚度），以满足“细长”的特征。在电子元件制造领域，为实现低电阻连接，将过孔设计为长宽比（即长度与高度之比）大于1是常见做法。结合对比文件强调“更长的长度”的教导，本领域技术人员能够且容易想到将过孔的长度设计为高度的至少2倍，这是为了实现更低电阻和更高可靠性的合理且直接的技术选择。因此，技术特征E被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征F：《直接公开》<br>所述第一伸长过孔实质上遵循所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板的曲线 | [0046] 描述每个过孔9a, 9b, 9c, 9d, 9e, 9f和9g被形成为细长形状...应当注意，过孔9g在中间位置弯曲以匹配线圈图案8d的形状。 | 对比文件在[0046]中明确记载了“过孔9g在中间位置弯曲以匹配线圈图案8d的形状”(via 9g is curved at a middle location so as to match the shape of coil pattern 8d)。线圈图案8d是弯曲的（环形/螺旋形），因此，过孔9g为了“匹配”其形状，也必然是弯曲的，即实质上遵循了其所连接的线圈图案（第一弯曲金属板8d和第二弯曲金属板10c/10d）的曲线。这直接公开了技术特征F。 |
| 技术特征G：《直接公开》<br>第二伸长过孔，在所述第二弯曲金属板与所述第三弯曲金属板之间垂直对准 | [0062] 描述在绝缘层3d中形成通孔，从而形成过孔12a, 12b, 12c, 12d, 12e, 12f和12g。<br>[0063] 描述引出电极11a的另一端从过孔12a露出。线圈图案11b的一端从过孔12b露出，另一端从过孔12c露出等。 | 对比文件明确公开了在形成第二组线圈图案（10a-c, 11a-d）和绝缘层3d之后，在绝缘层3d中形成了另一组过孔12a-g（参见[0062]）。这些过孔用于连接第二层线圈图案（例如11b-d）和第三层线圈图案（13a-d）（参见[0066]）。因此，过孔12a-g是位于第二弯曲金属板（如11b-d）与第三弯曲金属板（如13a-d）之间的“第二伸长过孔”。技术特征G被对比文件直接公开。 |
| 技术特征H：《隐含公开》<br>所述第二伸长过孔被配置为将所述第二弯曲金属板导电耦合到所述第三弯曲金属板、并且具有至少2比1的长度与高度的横纵比 | [0062] 描述形成过孔12a-g。<br>[0066] 描述线圈图案13a通过过孔12a连接到引出电极11a，线圈图案13a通过过孔12b连接到线圈图案11b等。<br>（基于整个文件的教导） | 对比文件明确公开了过孔12a-g用于将第二层线圈图案（11b-d等）导电耦合到第三层线圈图案（13a-d）（参见[0066]）。关于过孔的形状，虽然对12a-g没有像对9a-g那样详细描述其“细长形状”，但根据对比文件整体的发明构思和一致性，第二组过孔（12a-g）与第一组过孔（9a-g）在结构和功能上是对应的，都是用于连接上下层线圈图案的“细长”过孔（参见[0010]对“a plurality of vias”的一般性描述，以及附图显示的形状）。本领域技术人员在阅读对比文件后，会理解第二组过孔（12a-g）也具有与第一组过孔（9a-g）相同的“细长”特征和设计目的（即增加长度以降低电阻、提高可靠性）。因此，基于与特征E相同的推理，本领域技术人员能够合理推断第二伸长过孔（12a-g）也具有至少2:1的长度与高度的横纵比。技术特征H被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征I：《未公开》<br>其中所述第一弯曲金属板、所述第二弯曲金属板和所述第三弯曲金属板中的每一个由多层金属构成。 | 无相应记载。 | 对比文件描述了线圈图案（如8a, 10a, 11b, 13a）是通过溅射、蒸发等方式形成的导电膜（conductive film）（参见[0039], [0049], [0060], [0065]）。说明书和权利要求中均未提及这些线圈图案或导电膜是由“多层金属”构成。它们被描述为单层导电图案。因此，对比文件没有公开，也未暗示第一、第二、第三弯曲金属板中的每一个由多层金属构成。技术特征I未被公开。 |
| 技术特征J：《隐含公开》<br>其中所述第一伸长过孔完全位于由所述第一弯曲金属板的内侧边缘和外侧边缘限定的垂直周界内。 | [0041] 描述线圈图案8a, 8b, 8c, 8d是环形的（annular）。<br>[0045] 描述线圈图案8a的另一端从过孔9a露出等。<br>附图3(B), 4(B), 11显示了过孔（9a等）位于环形线圈图案的端部，并在线圈图案的线宽范围内。 | 对比文件公开的线圈图案（如8a）是环形的或螺旋形的，具有内侧边缘和外侧边缘（参见附图）。过孔（如9a）形成在线圈图案的端部，用于连接到另一层线圈图案。从附图3(B), 4(B), 11可以明确看出，过孔（9a, 9c, 9e等）设置在线圈图案的端部，并且其整体（特别是其与线圈图案的连接部分）位于线圈图案本身的线宽范围内，即位于由线圈图案的内侧边缘和外侧边缘在垂直方向上投影所限定的区域（垂直周界）内。虽然对比文件文字未明确使用“垂直周界”一词，但本领域技术人员根据附图和过孔连接于线圈图案端部的描述，能够毫无疑义地确定过孔完全位于该线圈图案的宽度投影区域内。因此，技术特征J被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征K：《未公开》<br>其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板是八角形的。 | 无相应记载。 | 对比文件中的线圈图案被描述和显示为环形或螺旋形（例如，[0041]描述为“annular coil patterns”）。说明书和附图中均未提及或显示线圈图案是“八角形”的。因此，对比文件没有公开技术特征K。 |
| 技术特征L：《未公开》<br>其中所述电感器器件包括射频(RF)前端模块、滤波器或功率放大器(PA)中的一项。 | [0077] 线圈组件可以是共模扼流圈、功率电感器、高频匹配电感器、隔离变压器、平衡-不平衡变换器或耦合器。 | 对比文件[0077]列举了线圈组件可能的应用，包括“功率电感器”(power inductor)、“高频匹配电感器”(high-frequency matching inductor)等，但并未明确提及“射频(RF)前端模块”、“滤波器”或“功率放大器(PA)”。虽然“功率电感器”可能用于PA电路，“高频匹配电感器”可能用于RF前端或滤波器，但这是具体的应用场景，而非对器件本身类型的限定。权利要求L明确限定了电感器器件“包括”RF前端模块、滤波器或PA中的一项，这意味着该电感器是这些模块或电路的组成部分或本身就是该模块。对比文件仅公开了线圈组件本身，未公开其被包含在或构成为RF前端模块、滤波器或PA。因此，技术特征L未被公开。 |
| 技术特征M：《未公开》<br>进一步包括位于所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间的无芯衬底。 | [0038] 描述在第一个磁基板1上形成绝缘层3a。<br>[0032] 第一磁基板1和第二磁基板2由例如铁氧体制成。<br>[0033] 层叠体3是通过光刻法堆叠线圈图案和绝缘层而形成的。 | 对比文件公开的线圈组件包含磁基板（1, 2）和由绝缘层（3a-e）与线圈图案构成的层叠体（3）。目标专利中的“无芯衬底”特指没有增加刚性的“芯”绝缘层的衬底，使得衬底更薄（参见目标专利[0017]）。对比文件的磁基板（铁氧体）和绝缘层（树脂）的结构与目标专利的“无芯衬底”概念不同。对比文件没有公开或暗示使用“无芯衬底”。因此，技术特征M未被公开。 |
| 技术特征N：《未公开》<br>其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板具有相同的长度。 | 无相应记载。 | 对比文件公开了不同层的线圈图案（如8a-d和10a-c），但并未描述或暗示这些不同层的线圈图案具有“相同的长度”。线圈图案的长度取决于其所在的层和设计的线圈匝数。因此，对比文件没有公开技术特征N。 |
| 技术特征O：《未公开》<br>其中所述电感器器件被包含到选自以下组的设备中... | 无相应记载。 | 对比文件未提及将线圈组件包含到任何具体的终端设备（如音乐播放器、移动电话等）中。因此，技术特征O未被公开。 |
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