本次调用的模型名称：DeepSeek最新版本模型
目标专利名称：用于移动电子设备的面内主动冷却设备 CN108780344B
对比文件名称：2003-07-11_发明专利_JP2003198042A Optical module and optical transmitting or receiving apparatus
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：热电(TE)层，所述TE层具有第一横向表面、第二横向表面、第一侧表面、以及第二侧表面，其中，所述第一横向表面和所述第二横向表面中的每一者比所述第一侧表面和所述第二侧表面中的每一者更长<br>**《直接公开》** | 【0048】、图1(f): `２１は一端部における側面Ｓ１がパターン電極１５に接合され、他端部における側面Ｓ２がパターン電極１９に接合されたＰ型半導体であって、**伝熱方向に長い角柱形状を成している**。 ２２は一端部における側面Ｓ３がパターン電極１５に接合され、他端部における側面Ｓ４がパターン電極２０に接合されたＮ型半導体であって、**伝熱方向に長い角柱形状を成している**。`<br>（翻译：21是一端部的侧面S1接合在图案电极15上，另一端部的侧面S2接合在图案电极19上的P型半导体，其为**传热方向上长的角柱形状**。22是一端部的侧面S3接合在图案电极15上，另一端部的侧面S4接合在图案电极20上的N型半导体，其为**传热方向上长的角柱形状**。） | 对比文件明确公开了由P型半导体21和N型半导体22构成的热电半导体（即TE层），其被描述为“传热方向上长的角柱形状”。对于一个角柱体，其沿传热方向（即长度方向）的两个表面（相当于第一、第二横向表面）必然比垂直于该方向的两个侧面（相当于第一、第二侧表面）更长。这与技术特征A中“第一横向表面和第二横向表面中的每一者比第一侧表面和第二侧表面中的每一者更长”的描述完全一致。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征，属于直接公开。 |
| **技术特征B**：第一电极，所述第一电极在所述TE层的所述第一横向表面上，<br>**《直接公开》** | 【0048】: `１２は光素子１１を載置し、熱伝導率の大きい窒化アルミ（ＡＬＮ）や炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の誘電体を素材とした**第１の基板**、...１５は第１の基板１２の上面に設けられた**パターン電極**、`<br>【0048】、图1(f): `２１は一端部における**側面Ｓ１**が**パターン電極１５**に接合され、...`<br>【0051】: `２４はＰ型半導体２１の**一端面**とＮ型半導体２２の**一端面**にともに接合され、かつ**パターン電極１５に接合**されて、` | 对比文件公开了“图案电极15”设置在“第1的基板12”的上面（表面）。P型半导体21和N型半导体22的“一端面”通过焊料24与“图案电极15”接合。对于“传热方向上长的角柱形状”的热电半导体，其“端面”所在的表面即为长度方向上的表面，即横向表面。因此，“图案电极15”位于热电半导体（TE层）的一个横向表面上，并与之电连接和热连接，其作用相当于施加电压的电极。故对比文件直接公开了位于TE层第一横向表面上的第一电极。 |
| **技术特征C**：所述第一电极被配置成在第一结处与所述TE层对接<br>**《直接公开》** | 【0051】: `２４はＰ型半導体２１の一端面とＮ型半導体２２の一端面にともに接合され、かつパターン電極１５に接合されて、` | 对比文件明确描述了焊料24同时接合在P型半导体21的一端面、N型半导体22的一端面以及图案电极15上。这个接合界面构成了图案电极15（第一电极）与P型、N型半导体（共同构成TE层）之间的接触区域，即“结”。该结的功能是实现电连接和热传导，与目标专利中“对接”的含义（即相接触）和作用相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征D**：以及第二电极，所述第二电极在所述TE层的所述第一横向表面上或者所述第二横向表面上，<br>**《直接公开》** | 【0048】: `１８はキャリア１７上面に載置され、...の誘電体を素材とした**第２の基板**、１９は第２の基板１８の上面に設けられた**パターン電極**、２０は第２の基板１８の上面に設けられた**パターン電極**である。`<br>【0048】、图1(f): `...他端部における側面Ｓ２が**パターン電極１９**に接合された...` `...他端部における側面Ｓ４が**パターン電極２０**に接合された...`<br>【0051】: `２５はＰ型半導体２１の**他端面**と**パターン電極１９**にそれぞれ接合されて、` `２６はＮ型半導体２２の**他端面**と**パターン電極２０**にそれぞれ接合されて、` | 对比文件公开了图案电极19和图案电极20设置在“第2的基板18”的上面。P型半导体21的“他端面”通过焊料25与图案电极19接合，N型半导体22的“他端面”通过焊料26与图案电极20接合。同样，热电半导体的“他端面”所在的表面也是其横向表面。图案电极19和20共同作为热电半导体回路另一端的电极，相当于第二电极。它们位于TE层（通过焊料连接）的另一横向表面上。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征E**：所述第二电极被配置成在第二结处与所述TE层对接，<br>**《直接公开》** | 【0051】: `２５はＰ型半導体２１の他端面とパターン電極１９にそれぞれ接合されて、` `２６はＮ型半導体２２の他端面とパターン電極２０にそれぞれ接合されて、` | 对比文件明确描述了焊料25接合在P型半导体21的他端面与图案电极19之间，焊料26接合在N型半导体22的他端面与图案电极20之间。这些接合界面构成了图案电极19、20（第二电极）与TE层之间的接触区域，即“第二结”。其作用同样是实现电连接和热传导。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征F**：其中，所述热量传递设备被配置成：当在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压差时，将由热量源产生的热量在所述TE层内从所述第一电极横向地传递到所述第二电极，<br>**《直接公开》** | 【0065】: `Ｐ型半導体２１とＮ型半導体２２が対となった熱電半導体２３は、**パターン電極１５側から吸熱した熱をペルチェ効果によって移送し、パターン電極１８、１９側に放熱する**ヒートポンプとして動作する。`<br>【0064】: `外部の電源回路５１がリード端子４２ｃに接続され、...正電極（＋）側が、...パターン電極２０に接続され、...負電極（－）側が、...パターン電極１９に接続されている。`<br>【0066】: `ＬＤ素子１１から発熱された発熱量は、第１の基板１２下面から熱電半導体に伝わるＱ１と、...熱Ｑ１は、...パターン電極１５に接合された半田２４に伝導する。` | 对比文件明确描述了当外部电源电路51在图案电极19（负）、20（正）之间施加电压时，由P型和N型半导体对构成的热电半导体23作为热泵工作，从图案电极15侧吸热，并将热量输送到图案电极19、20侧。热量源（LD元件11）产生的热量通过基板12传导至图案电极15（第一电极）。整个过程实现了热量在热电半导体内从第一电极侧（图案电极15）向第二电极侧（图案电极19、20）的横向传递。这与技术特征F的描述完全一致，作用相同，均为主动横向传热。因此，属于直接公开。 |
| **技术特征G**：以及其中，所述第一电极被配置成：在所述第一结处将来自所述热量源的热量热传导到所述TE层，<br>**《隐含公开》** | 【0066】: `ＬＤ素子１１から発熱された発熱量は、第１の基板１２下面から熱電半導体に伝わるＱ１と、...熱Ｑ１は、...**第１の基板１２の表面方向に熱が伝わって、パターン電極１５に接合された半田２４に伝導する**。 半田２４に伝導した熱は半田２４内を伝わり、Ｐ型半導体２１およびＮ型半導体２２との接合面から熱電半導体２３に入熱する。` | 对比文件详细描述了热量从LD元件11产生后，通过第1基板12在表面方向上传导至图案电极15及其上的焊料24，再通过焊料24（即第一结处）传入热电半导体23。图案电极15（第一电极）作为热传导路径的一部分，其作用正是在第一结处将来自热源的热量传导至TE层。虽然描述中热量先经过基板再到达电极，但电极是热路径上的关键环节，其热传导功能是隐含在整体热传递路径中的。本领域技术人员能够合理推断出第一电极承担了此热传导作用。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征H**：并且其中，所述第一结与所述热量源交叠，以使得所述第一电极位于所述热量源与所述TE层之间。<br>**《隐含公开》** | 【0048】图1(a), (b): 图示光素子11载置于第1基板12上，图案电极15也设置在第1基板12的同一表面上，且位于光素子11附近。<br>【0066】: `熱Ｑ１は、ＬＤ素子１１の下面が接合した地導体１４から第１の基板１２に伝導され、**第１の基板１２の表面方向に熱が伝わって**、パターン電極１５に接合された半田２４に伝導する。` | 对比文件附图显示热量源（光素子11）和第一电极（图案电极15）均设置在同一基板（第1基板12）的表面上，且位置相邻。热量传递路径描述为热量在基板12的“表面方向”上传导至图案电极15。这表明热源和第一结（焊料24与电极15的接合处）通过基板表面热连接。虽然对比文件未明确使用“交叠”一词，也未明示第一电极垂直位于热源与TE层之间，但从热传递路径（热量从热源下方通过基板水平传导至电极）和空间布局（电极与热源同平面且相邻）可以合理推断，为了实现有效的热传导，第一结（电极与TE层的接触区）在水平方向上与热源的热流路径是“交叠”或对准的。这种布局使得第一电极在热传导路径上位于热源（通过基板）与TE层之间。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征I**：其中，所述第一结是所述第一电极与所述TE层之间的触点区域，且所述第二结是所述第二电极与所述TE层之间的触点区域，并且其中，所述第二结具有比所述第一结更大的区域。<br>**《未公开》** | 无相关内容。对比文件未提及或暗示第一结与第二结的区域大小关系。焊料24、25、26的形状和大小未进行对比描述。 | 对比文件虽然公开了第一结（焊料24处）和第二结（焊料25、26处）的存在，但完全没有涉及这两个结的接触区域大小的比较。本领域技术人员阅读对比文件后，无法得知也无从推断第二结的区域比第一结更大。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征J**：其中，所述第一结开始于或者基本上开始于所述第一侧表面并朝向所述第二侧表面延伸，以及其中，所述第二结开始于或者基本上开始于所述第二侧表面并朝向所述第一侧表面延伸。<br>**《未公开》** | 【0048】、图1(f): `２１は一端部における側面Ｓ１がパターン電極１５に接合され、他端部における側面Ｓ２がパターン電極１９に接合された...` 图示热电半导体端面与电极接合。 | 对比文件仅公开了热电半导体的端面（侧面S1, S2, S3, S4）与电极接合。对于“结”在热电半导体表面上的具体延伸范围（例如，是覆盖整个端面，还是从某一侧开始延伸）并未描述。无法确定第一结是否从第一侧表面开始并向第二侧表面延伸，也无法确定第二结是否从第二侧表面开始并向第一侧表面延伸。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其中，所述TE层是第一TE层，所述热量传递设备进一步包括：第二TE层，所述第二TE层具有第三横向表面、第四横向表面、第三侧表面、以及第四侧表面，其中，所述第三横向表面和所述第四横向表面中的每一者比所述第三侧表面和所述第四侧表面中的每一者更长<br>**《未公开》** | 对比文件公开的实施例中，热电半导体由一对P型和N型半导体（21，22）构成，它们并置形成热电半导体23。这被视为一个热电单元或“对”。虽然【0100】提及了使用多个热电半导体对（94a-94d），但它们是在同一基板上交替串联连接，构成一个更强大的热电组件，而非独立且具有平行平面关系的“第二TE层”。目标专利中的“第二TE层”是与“第一TE层”并排定位、具有独立平行表面的另一层。对比文件未公开此种具有特定平行平面关系的、独立的第二TE层结构。 | 对比文件未公开目标专利中限定的具有独立横向和侧表面、且这些表面与第一TE层相应表面基本平行的“第二TE层”。其实施例6中的多个热电半导体对是串联在同一平面上的，不构成权利要求中定义的独立“层”及其几何关系。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征L**：第三电极，所述第三电极在所述第二TE层的所述第三横向表面上或者所述第四横向表面上，所述第三电极被配置成在第三结处与所述第二TE层对接，第四电极，所述第四电极在所述第二TE层的所述第三横向表面上，所述第四电极被配置成在第四结处与所述第二TE层对接，其中，所述第一横向表面的平面基本上平行于所述第三横向表面的平面，所述第二横向表面的平面基本上平行于所述第四横向表面的平面，所述第一侧表面的平面基本上平行于所述第三侧表面的平面，并且所述第二侧表面的平面基本上平行于所述第四侧表面的平面，其中，所述第二电极和所述第三电极电耦合，以使得串联电路径按照从所述第一电极、所述第一TE层、所述第二电极、所述第三电极、所述第二TE层、以及所述第四电极的顺序被形成，其中，所述热量传递设备被配置成：当在所述第一电极与所述第四电极之间施加电压差时，将由所述热量源产生的热量在所述第一TE层内从所述第一电极横向地传递到所述第二电极，并且在所述第二TE层内从所述第四电极横向地传递到所述第三电极，以及其中，所述第一电极被配置成：在所述第一结处将来自所述热量源的热量热传导到所述第一TE层，并且所述第四电极被配置成：在所述第四结处将来自所述热量源的热量热传导到所述第二TE层。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开如技术特征K所定义的“第二TE层”，因此也自然没有与之对应的第三电极、第四电极、第三结、第四结，以及这些表面之间复杂的平行平面关系。虽然【0100】描述了多个热电半导体对（94a-94d）的串联，但其连接顺序和热传递方向是单一平面内的蛇形路径，并非目标专利中两个独立TE层形成的、热路径基本平行的结构。此外，对比文件也未公开第四电极将来自同一热源的热量热传导到第二TE层的配置。 | 该技术特征定义了一个包含两个独立TE层、特定电极连接顺序（第二与第三电极耦合）、以及特定热传递方向（在两个层内方向相反但平行）的复杂系统。对比文件完全没有公开这样的结构。其实施例6中的多对串联结构是单一平面内的延伸，热流方向在同一平面内转折，与目标专利的双层平行热路径有本质区别。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其中，所述第一TE层和所述第二TE层被并排定位，以使得在所述第一TE层内从所述第一电极到所述第二电极的热路径基本上平行于在所述第二TE层内从所述第四电极到所述第三电极的热路径。<br>**《未公开》** | （同上）对比文件未公开两个独立的TE层，因此也无从谈起它们“并排定位”以及热路径“基本上平行”。 | 该技术特征依赖于技术特征K和L中定义的双TE层结构。由于对比文件未公开该结构，因此该特征也未被公开。 |
| **技术特征N**：其中，所述第一横向表面和所述第三横向表面基本上共面和/或所述第二横向表面和所述第四横向表面基本上共面和/或所述第一侧表面和所述第三侧表面基本上共面和/或所述第二侧表面和所述第四侧表面基本上共面。<br>**《未公开》** | （同上）对比文件未公开两个独立的TE层及其相应的表面，因此无法判断这些表面是否共面。 | 该技术特征进一步限定了两个TE层表面之间的共面关系，这同样基于双TE层结构的存在。由于该基础结构未公开，此特征也未被公开。 |
| **技术特征O**：其中，所述第一结和所述第四结的组合与所述热量源交叠，以使得所述第一电极垂直地位于所述热量源与所述第一TE层之间并且所述第二电极垂直地位于所述热量源与所述第二TE层之间。<br>**《未公开》** | （同上）对比文件未公开“第四结”及“第二TE层”。其实施例中的热量源（光素子11）仅与一个热电半导体单元（或一组串联单元的一端）热连接，不存在两个独立的结组合与热源交叠，且两个电极分别垂直位于热源与两个TE层之间的结构。 | 该技术特征描述了热源与两个TE层之间特定的垂直堆叠热连接关系。对比文件的热量连接主要是通过基板表面横向传导（参见技术特征H的论述），且仅涉及一个热电单元，未公开此种双层的垂直热连接配置。因此，未被公开。 |
| **技术特征P**：其中，所述第一结是所述第一电极与所述TE层之间的触点区域，所述第二结是所述第二电极与所述TE层之间的触点区域，所述第三结是所述第三电极与所述第二TE层之间的触点区域，且所述第四结是所述第四电极与所述第二TE层之间的触点区域，并且其中，所述第二结和所述第三结的组合具有比所述第一结和所述第四结的组合更大的区域。<br>**《未公开》** | （同上）对比文件未公开第三结、第四结及第二TE层。同时，也未对任何结的组合区域大小进行比较。 | 该技术特征涉及四个结以及其中两组结的区域大小比较。对比文件既未公开全部四个结，也未对任何结的区域大小进行描述或比较。因此，未被公开。 |
| **技术特征Q**：其中，所述第二电极和所述第三电极分别在所述第一横向表面和所述第三横向表面上或者分别在所述第二横向表面和所述第四横向表面上。<br>**《未公开》** | （同上）对比文件未公开“第三电极”及“第三横向表面”、“第四横向表面”。 | 该技术特征限定了第二和第三电极在各自TE层横向表面上的位置对应关系。由于对比文件未公开第三电极及第二TE层，该特征未被公开。 |
| **技术特征R**：其中，所述第一结开始于或者基本上开始于所述第一侧表面并朝向所述第二侧表面延伸，其中，所述第二结开始于或者基本上开始于所述第二侧表面并朝向所述第一侧表面延伸，其中，所述第三结开始于或者基本上开始于所述第四侧表面并朝向所述第三侧表面延伸，以及其中，所述第四结开始于或者基本上开始于所述第三侧表面并朝向所述第四侧表面延伸。<br>**《未公开》** | （同上）对比文件未公开第三结、第四结以及第二TE层的侧表面。对于第一结和第二结的延伸方向，如技术特征J所述，也未公开。 | 该技术特征详细定义了四个结在各自TE层表面的延伸方向。对比文件既未公开全部四个结，也未明确描述已公开的两个结的延伸方向。因此，未被公开。 |
| **技术特征S**：其中，单个电极用作所述第二电极并用作所述第三电极。<br>**《未公开》** | （同上）对比文件未公开“第三电极”。其实施例中的图案电极19和20是两个独立的电极，用于连接P型和N型半导体的不同端，并未公开一个电极同时充当两个角色的情况。 | 该技术特征涉及一个电极身兼第二和第三电极两职，这同样基于双TE层结构的存在。对比文件未公开此结构，也未公开单个电极同时连接两个TE层的配置。因此，未被公开。 |
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