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权利要求与技术特征

G 还包括：触点，被设置在所述MOL层中的所述金属电阻器上方，所述触点电耦合至所述金属电阻器的触点区域
H 互连件，被设置在所述MOL层上方的互连层中，所述互连层电耦合至所述触点，以将所述互连件电耦合至所述金属电阻器的所述触点区域。

I 其中所述金属电阻器被定位在所述MOL层中位于所述第一半导体器件的7纳米内。

J 其中所述互连件包括金属线。

K 还包括：垂直互连通路过孔，被设置在所述互连层中，所述过孔与所述金属电阻器的所述触点区域和所述互连件接触，以将所述触点区域电耦合到所述互连件。

L 其中所述第一金属材料包括钨。

M 其中所述金属电阻器的尺寸为大约0.21μm/0.21μm的W/L。

N 其中所述金属电阻器的电阻为每1.0μm/1.0μm的W/L比至少400欧姆。

O 被集成到片上系统SoC中。

P 被集成到选自由以下项组成的组的设备中：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、智能电话、平板电脑、平板手机、计算机、个人数字助理PDA、监视器、电视、调谐器、收音机、音乐播放器、视频播放器和汽车。

Q 包括：形成衬底
R 在所述衬底上方形成有源半导体层
S 在所述有源半导体层中形成至少一个半导体器件
T 在所述有源半导体层上方形成线中MOL层，包括： 在所述MOL层中形成具有电阻并包括第一金属材料的金属电阻器，所述金属电阻器包括触点区域
U 其中在所述有源半导体层中形成所述至少一个半导体器件包括形成晶体管，所述晶体管包括源极、漏极和被设置在所述源极和所述漏极之间的栅极；并且中形成所述金属电阻器包括：在所述MOL层中邻近所述晶体管的所述栅极地形成包括所述第一金属材料的所述金属电阻器，来减小栅极到漏极寄生电容；并且中形成所述MOL层包括形成具有18纳米或更小的厚度的所述MOL层，并且所述MOL层的所述厚度与所述有源半导体层的厚度的比率为0.26或更小。

V 还包括： 形成触点，所述触点在所述MOL层中的所述金属电阻器上方并且与所述金属电阻器的所述触点区域接触
W 在所述MOL层上方形成至少一个互连层
X 在电耦合到所述触点的所述至少一个互连层中形成互连件，以将所述互连件电耦合到所述金属电阻器的所述触点区域。

Y 还包括： 在所述互连件中形成垂直互连通路过孔，所述过孔与所述金属电阻器的所述触点区域和所述互连件接触，以将所述触点区域电耦合到所述互连件。

Z 其中在所述MOL层中形成所述金属电阻器在所述半导体器件的7纳米内。
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