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对比文件列表
1989-11-24_发明专利_JPH01291626A Heat protector for motor_+++A_B_I_J_d_e_f+++.docx
2026-02-23 21:21
2002-11-29_发明专利_JP2002345147A Motor controller_+++D_E_b_i_l+++.docx
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2003-01-15_发明专利_JP2003014552A Temperature detector_+++A_D_E_F_H_b_g_i_l+++.docx
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2003-05-09_发明专利_JP2003134795A Fault sensing system_+++A_D_E_G_H_I_J_b_l+++.docx
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2005-08-11_发明专利_JP2005218226A Method and apparatus for controlling motor_+++A_D_E_G_b_f_j+++.docx
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2005-09-29_发明专利_JP2005269832A Temperature-detecting device and program for temperature detection_+++A_B_D_E_G_I_L_f_h+++.docx
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2006-10-26_发明申请_US20060238267A1 Zoned thermal monitoring_+++A_E_F_b_d_i_j+++.docx
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2006-12-12_发明授权_US07149645B2 Method and apparatus for accurate on-die temperature measurement_+++A_b_j+++.docx
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2006-12-16_发明专利_TW200643391A 分區之熱監視 ZONED THERMAL MONITORING_+++A_E_F_b_c_d_g_h_i_j_k_l+++.docx
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2007-02-01_发明专利_JP2007028887A Motor temperature control using estimated motor temperature based on motor power dissipation_+++B_D_E_G_H_a_f_i_l+++.docx
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2011-02-17_发明专利_JP2011036095A Power converter and protection method of power converter_+++A_D_E_F_I_b_g_h_l+++.docx
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2011-05-12_发明专利_JP2011097812A Inverter device_+++A_B_D_E_G_I_L_h+++.docx
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2011-06-02_发明申请_US20110131004A1 DIE TEMPERATURE ESTIMATOR_+++B_E_J_d_g_l+++.docx
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2012-02-02_发明专利_JPWO2010029780A1 インバータ装置、インバータコントロールシステム、モータ制御システム、インバータ装置の制御方法_+++A_E_F_b_d_g_h_i_l+++.docx
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2012-08-30_发明申请_US20120217795A1 INVERTER APPARATUS_+++A_B_D_E_F_I_J_g_h_l+++.docx
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2013-01-02_发明授权_CN101617314B 具有可配置的输入_输出的裸片设备及其控制方法_+++b_l+++.docx
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2013-07-04_发明申请_US20130169347A1 Temperature Management Circuit, System on Chip Including the Same and Method of Managing Temperature_+++A_b_d_j+++.docx
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2014-05-07_发明公开_EP2728327A1 Portable electronic device_+++A_E_F_b_d_g_h_j_l+++.docx
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2014-05-08_发明申请_WO2014067022A1 PORTABLE ELECTRONIC DEVICE_+++A_F_b_d_e_i_j_l+++.docx
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2015-04-16_发明申请_US20150106642A1 PERFORMANCE STATE BOOST FOR MULTI-CORE INTEGRATED CIRCUIT_+++A_D_L_b_j+++.docx
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2015-06-25_发明专利_JP2015118099A 移動機器の周辺温度を求める方法_+++A_B_d+++.docx
2026-02-23 21:21
2015-07-01_发明公开_CN104755891A 便携式电子设备_+++A_B_D_E_F_J_g_h_i_l+++.docx
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2015-07-08_发明公开_KR1020150079652A 휴대용 전자 디바이스_+++A_F_b_d_e_g_h_j_l+++.docx
2026-02-23 21:21
2015-08-13_发明申请_US20150227391A1 THERMALLY-AWARE PROCESS SCHEDULING_+++A_C_J_b_c_k+++.docx
2026-02-23 21:21
2015-10-15_发明申请_US20150292959A1 PORTABLE ELECTRONIC DEVICE_+++A_B_D_E_F_I_J_c_g_h_k_l+++.docx
2026-02-23 21:21
2015-12-03_发明申请_US20150346798A1 SYSTEM AND METHOD FOR ADJUSTING PERFORMANCE BASED ON THERMAL CONDITIONS WITHIN A PROCESSOR_+++A_D_E_b_g_h_j_l+++.docx
2026-02-23 21:21
2016-03-31_发明申请_US20160092617A1 INTEGRATED CIRCUIT FOR ESTIMATING POWER OF AT LEAST ONE NODE USING TEMPERATURE AND A SYSTEM INCLUDING THE SAME_+++A_b_l+++.docx
2026-02-23 21:21
无说明书_+++A_B_D_E_F_G_J_K_L_c_h_i+++.docx
2026-02-23 21:21
2013-01-02_发明授权_CN101617314B 具有可配置的输入_输出的裸片设备及其控制方法_+++b_l+++.docx

### 对比文件、目标专利及模型信息

- **对比文件名称**:2013-01-02_发明授权_CN101617314B 具有可配置的输入_输出的裸片设备及其控制方法

- **目标专利名称**:170时间温度传感器位置偏移误差校正 CN109642829B

- **本次调用模型名称**:GPT-4

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:其包括:从传感器接收区的温度测量值<br>**判断结果**:未公开对比文件全文中未提及“温度传感器”、“温度测量值”或类似概念。目标专利的技术特征A涉及从传感器(如热敏电阻器245)接收芯片上某个区域(区)的温度测量值,这是其热管理/校正方法的基础步骤(参见目标专利说明书[0028]-[0029], [0033])。对比文件(CN101617314B)的主题是集成电路的输入/输出(I/O)接口设计,涉及I/O环、I/O插槽的配置和阻抗校准(参见[0001]-[0006])。其全文核心在于如何通过金属化配置和共用校准电路来满足不同I/O标准(如电压、电流、阻抗)的要求,完全未涉及任何温度感测、热管理或温度测量值接收的技术内容。因此,本领域技术人员无法从对比文件得出或推断出“从传感器接收区的温度测量值”这一技术特征。
**技术特征B**:测量所述区的活动,所测量的活动包括流动于包含所述裸片的装置中的电流或包含所述裸片的所述装置的性能<br>**判断结果**:隐含公开 (<<<b>>>)对比文件说明书[0055]段:“校准单元包含经配置以输出指示激活一个或一个以上电路元件的指令的校准信号(通常采用多个信号的形式)的电路。所述电路元件中的每一者包含在接收校准信号的I/O插槽的子单元中。”<br>图6及相关描述([0056]-[0058]段)说明了校准电路通过比较器、状态机等测量电流(例如,通过下拉结构支路中的电阻和晶体管),以生成用于阻抗校准的代码。目标专利的技术特征B要求测量“区”的活动,活动形式包括电流或装置性能。这里的“区”在目标专利中对应SoC上消耗功率并产生热量的功能区域(如CPU核心)。活动测量是估计功率进而校正温度的关键前提(参见[0029]-[0031])。<br>对比文件虽不涉及热管理,但其校准电路(如图6)的核心功能之一正是测量裸片(装置)上的电流。具体地,为了生成校准I/O阻抗的代码,校准电路需要测量流过特定校准结构(如下拉结构617、625)的电流,并通过比较器和状态机处理这些测量结果(参见[0056]-[0058])。这个过程实质上是“测量流动于包含所述裸片的装置中的电流”。尽管对比文件中测量电流的目的是为了I/O阻抗校准,而非用于热管理或功率估计,但从技术动作本身来看,它公开了“测量电流”这一活动测量方式。根据宽松的隐含公开判断标准,本领域技术人员有可能通过对比文件的内容推理出在裸片装置上进行电流测量的技术方案。因此,技术特征B被认定为**隐含公开**。
**技术特征C**:所述性能至少部分基于确定高速缓存未命中的数量或管线暂停的数量<br>**判断结果**:未公开对比文件全文中未提及“高速缓存未命中”、“管线暂停”、“性能计数器”或任何基于此类事件的性能测量。目标专利的技术特征C明确了性能测量的具体指标,即高速缓存未命中数量或管线暂停数量,这是其“活动”测量的具体实施方式之一(参见[0030]-[0031])。对比文件(CN101617314B)专注于I/O接口的物理层特性(阻抗、电压、电流)校准,其所有测量和校准均围绕这些电气参数展开,与处理器的架构级性能指标(如高速缓存效率、管线状态)完全无关。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出基于此类性能指标进行测量的技术内容。
**技术特征D**:将所测量的活动转化为所述区的功率<br>**判断结果**:未公开对比文件全文中未提及将测量得到的“活动”或“电流”信息“转化”为“功率”的步骤或概念。目标专利的技术特征D是将测量的活动(如电流或性能)转化为对应区域的功率消耗,这是连接活动测量与后续温度偏移计算的关键步骤(参见[0029], [0071])。对比文件中虽然测量了电流(如特征B所述),但其测量结果直接被用于生成阻抗校准代码(如[0055], [0058]所述),以调整I/O插槽的晶体管开关状态,从而实现符合标准的阻抗匹配。整个过程中,电流测量值并未被用于计算或估计任何区域的“功率”消耗。本领域技术人员无法从对比文件的内容中推理出“将所测量的活动转化为所述区的功率”这一技术特征。
**技术特征E**:通过参考所存储的热量模型参数来解释所述区的所述功率或所述活动来导出温度偏移<br>**判断结果**:未公开对比文件全文中未提及“热量模型参数”、“温度偏移”,也未提及存储任何与热或温度相关的模型参数并用以解释功率或活动。目标专利的技术特征E是其核心创新点之一,涉及使用预先存储的热量模型参数(如FUSE或矩阵形式)来解释实时功率或活动数据,从而导出用于校正传感器读数的温度偏移(参见[0060]-[0062], [0071]-[0072], [0092])。对比文件(CN101617314B)的技术方案完全不涉及热管理或温度校正。其校准过程依赖于实时电路测量(电流、电压比较)和状态机逻辑来生成校准代码,没有引用任何预先存储的、用于描述热行为的“模型参数”。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出这一技术特征。
**技术特征F**:以及至少部分地基于所述温度偏移调节所述温度测量值。<br>**判断结果**:未公开对比文件全文中未提及“温度偏移”,也未提及对“温度测量值”进行任何调节。目标专利的技术特征F是方法的最终目的,即利用导出的温度偏移来调节(校正)原始的传感器温度测量值,以获得更精确的温度读数(参见[0093]及公式5)。对比文件的技术方案终点是调整I/O接口的阻抗特性(参见[0082]),以确保其符合通信标准,与温度测量值的精度调节毫无关联。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征G**:其中所述所存储的热量模型参数包含与温度差匹配的所估计的功率。<br>**判断结果**:未公开对比文件全文中未提及与“温度差”匹配的“所估计的功率”这类存储参数。该特征是对特征E中“所存储的热量模型参数”的具体化说明(参见目标专利[0060]-[0062])。如对特征E的论述,对比文件完全不涉及热量模型或任何与温度相关的参数存储,因此该具体特征自然也未被公开。
**技术特征H**:其中所述所存储的热量模型参数包含与绝对温度匹配的所估计的功率。<br>**判断结果**:未公开对比文件全文中未提及与“绝对温度”匹配的“所估计的功率”这类存储参数。该特征同样是对特征E中“所存储的热量模型参数”的具体化说明(参见目标专利[0060]-[0062])。与特征G同理,对比文件未涉及相关内容,因此未被公开。
**技术特征I**:其中所述所测量的活动包括电流流动穿过电源开关。<br>**判断结果**:未公开对比文件全文中未提及测量“电流流动穿过电源开关”。对比文件涉及的电流测量是在校准结构的特定支路中进行的(如图6的下拉/上拉结构),这些结构用于阻抗校准,并非特指“电源开关”。该特征是对特征B中“电流”测量方式的一种具体限定。目标专利说明书[0031]提及了“电流流动穿过电源开关”作为活动测量的一个例子。对比文件中测量的电流路径是校准电路内部的电阻-晶体管支路,其目的是采样以进行阻抗计算,与“电源开关”的电流测量在应用场景和技术目的上均不相同。本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出这一具体限定。
**技术特征J**:其中所述所测量的活动包括至少部分地基于所述裸片的所述装置的所述性能。<br>**判断结果**:未公开该特征实质上是特征B中“包含所述裸片的所述装置的性能”这一部分的重复陈述。对比文件未涉及基于处理器架构性能(如IPC、缓存命中率)的测量。该特征已在特征B和C中进行了分析和判断。对比文件未公开任何基于“装置性能”(如目标专利所定义)的测量活动。
**技术特征K**:其中所述性能的测量值是至少部分地基于性能计数器确定的。<br>**判断结果**:未公开对比文件全文中未提及“性能计数器”。该特征是对特征B、C、J中“性能”测量实现方式的具体说明(参见目标专利[0031])。对比文件的校准完全基于模拟/数字电路(比较器、状态机)对电气信号(电压、电流)的直接处理,不涉及任何用于统计架构事件(如指令数、缓存访问)的“性能计数器”。因此,该特征未被公开。
**技术特征L**:其中所述活动的测量以及所述区所消耗的功率转换是通过数字功率监测器/计量器执行的。<br>**判断结果**:隐含公开 (<<<l>>>)对比文件说明书[0055]段:“校准单元包含经配置以输出指示激活一个或一个以上电路元件的指令的校准信号(通常采用多个信号的形式)的电路。”<br>[0056]-[0058]段描述了校准电路包含比较器、状态机等,用于测量电流并生成校准代码。图6展示了该电路的细节。目标专利的技术特征L指定了执行活动测量和功率转换的具体硬件装置——“数字功率监测器/计量器”(参见[0026], [0029], [0071])。对比文件为了实现I/O阻抗校准,公开了一个包含测量电路(如比较器用于感测电流/电压差)和处理逻辑(状态机)的“校准单元”或“校准电路”。该电路负责测量电流(一种活动)并基于测量结果进行处理(生成代码)。虽然该电路在对比文件中被称为“校准单元”,其目的(阻抗校准)与目标专利的“数字功率监测器/计量器”(用于热管理)不同,但根据非常宽松的隐含公开判断标准,本领域技术人员有可能从对比文件“测量电流并基于此进行处理”的电路模块,推理出存在一个用于执行“活动的测量以及……转换”的专用硬件装置。尽管功能和名称不完全相同,但“测量+处理”的核心硬件功能被部分公开。因此,该特征被认定为**隐含公开**。

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