对比文件名称：2011-06-02_发明申请_US20110131004A1 DIE TEMPERATURE ESTIMATOR
目标专利名称：时间温度传感器位置偏移误差校正CN109642829B
模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：其包括：从传感器接收区的温度测量值** <br>**《未公开》** | 未发现相关描述。对比文件全文未提及从物理温度传感器接收“区的温度测量值”。其核心在于通过电路和模型估计温度，而非接收并校正来自传感器的测量值。 | 目标专利的技术特征A要求从实际的物理传感器接收特定区域的温度测量值，这是其进行后续校正的基础。对比文件公开的是一种完全不依赖物理传感器的温度估计方案，其通过接收与命令信号对应的通知信号，并基于预存的温度增量值和温度下降模型来“计算”或“估计”裸片温度（例如，第[0012]段）。因此，本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出“从传感器接收区的温度测量值”这一技术特征。 |
| **B：测量所述区的活动，所测量的活动包括流动于包含所述裸片的装置中的电流或包含所述裸片的所述装置的性能** <br>**《直接公开》** | 第[0012]段：“A temperature estimation circuit 200 for estimating a temperature of an integrated circuit die 114, 116 is disclosed, comprising a temperature increase estimation circuit 210, having one or more inputs 212-220 operable to receive one or more notification signals 118, each notification signal corresponding to a command signal 120 passed to the integrated circuit...” <br>第[0018]段：“...command signals 120 may be directly used as notification signals 118 for the temperature increase estimation circuit 210, triggering switches 260-268 to apply corresponding temperature increase values Kact (for D-RAM activate) 224, Kpre (for D-RAM precharge) 226, Kread (for D-RAM read) 228, Kwrite (for D-RAM write) 230, and Kref (for D-RAM refresh) 232...” | 目标专利中，“测量活动”是指监测SoC特定区域（如CPU核心）的运行状态，这种活动可体现为电流流动或装置性能（如执行特定操作）。对比文件公开了接收与发送给集成电路的命令信号相对应的通知信号（第[0012]段），这些命令信号（如D-RAM激活、读取、写入等）直接驱动集成电路工作，必然导致电流流动并体现为装置的性能活动。因此，接收这些通知信号，本质上就是在“测量所述区的活动”，且该活动包含了由命令信号引发的电流流动和装置性能变化。两者作用相同，都是将电路/芯片的动态操作作为热管理的输入依据。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **C：所述性能至少部分基于确定高速缓存未命中的数量或管线暂停的数量** <br>**《未公开》** | 未发现相关描述。对比文件第[0018]段列举了具体的DRAM命令（激活、预充电、读、写、刷新），并未提及任何基于高速缓存未命中或管线暂停等性能计数器来确定性能的活动测量方式。 | 目标专利明确限定了性能测量的具体方式，即至少部分基于确定高速缓存未命中或管线暂停的数量。对比文件公开的活动测量是基于接收到的、代表具体操作（如内存访问）的命令信号。这两者是不同的技术手段。本领域技术人员无法从对比文件关于DRAM命令的公开内容中，毫无疑义地得出或合理推断出基于高速缓存未命中或管线暂停数量来测量性能的方案。因此，该技术特征未被公开。 |
| **D：将所测量的活动转化为所述区的功率** <br>**《隐含公开》** | 第[0012]段：“...an output 222 providing a sum of one or more temperature increase values 224-232, each temperature increase value corresponding to a temperature increase of the integrated circuit 114, 116 due to one of the command signals 120...” <br>第[0018]段：“...triggering switches 260-268 to apply corresponding temperature increase values Kact (for D-RAM activate) 224, Kpre (for D-RAM precharge) 226...” | 目标专利的“将活动转化为功率”是校正过程中的一个步骤，旨在建立活动与热源（功率消耗）的关联。对比文件虽然没有直接使用“功率”一词，但其核心思想是：每个特定的命令信号（代表一种活动）会导致集成电路产生一个已知的、预定的温度增量值（Kact, Kpre等）（第[0012], [0018]段）。在热力学中，温度增量是由功耗引起的。因此，将“活动”（命令信号）与“温度增量”对应，实质上隐含了将“活动”与导致该温度变化的“功耗”建立了定量关联。本领域技术人员可以合理推断，每个命令信号对应的温度增量值（K值）是基于该命令所导致的功耗（功率对时间的积分，即能量）通过热模型预先标定或计算得出的。因此，对比文件隐含公开了“将所测量的活动转化为所述区的功率”这一思想。 |
| **E：通过参考所存储的热量模型参数来解释所述区的所述功率或所述活动来导出温度偏移** <br>**《直接公开》** | 第[0012]段：“The temperature increase values 224-232 may be permanently stored within the temperature increase estimation circuit, for example using a static look-up table.” <br>第[0012]段：“The temperature decrease estimation circuit 234 may provide the temperature decrease value as a scaled difference of the calculated die temperature value 122 and an estimated die temperature value when no command signal is applied to the integrated circuit.” <br>第[0014]段：“The applied scaling factor may match the time constant of the integrated circuit die depending on the system clock frequency. The time constant may be the constant of an exponential junction temperature decrease of the integrated circuit.” | 目标专利的“参考所存储的热量模型参数来解释活动/功率以导出温度偏移”，是指利用预先存储的模型参数（如功率-温度对应关系）对当前活动或功率进行分析，计算出传感器读数与真实热点之间的温度差（偏移）。对比文件明确公开了：1. 存储了与不同命令（活动）对应的温度增量值（Kact, Kpre等）（第[0012]段），这些值可视为模型参数；2. 存储了用于计算温度下降的数学模型参数，如空闲时的结温估计值、比例因子（缩放系数）和时间常数（第[0012], [0014]段）。系统正是通过参考这些存储的参数（温度增量值、下降模型）来解释接收到的命令信号（活动），从而导出温度的变化值（即温度偏移，包括上升和下降）。两者作用完全相同，都是利用预存参数将活动信息转化为温度变化信息。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **F：以及至少部分地基于所述温度偏移调节所述温度测量值。** <br>**《未公开》** | 未发现相关描述。对比文件第[0012]段描述的温度计算电路（240）是基于温度增量值和下降值来计算一个新的“估计温度值”（calculated die temperature value 122），而不是对一个从物理传感器接收到的“温度测量值”进行“调节”或“校正”。 | 目标专利的技术特征F是校正方法的关键步骤，即使用导出的温度偏移去“调节”或“校正”从传感器接收到的原始温度测量值（见说明书第[0093]段公式：TSENScorr = TSENSraw + ΔTcorr）。对比文件从头到尾都没有涉及任何来自物理传感器的原始温度测量值（TSENSraw），其输出（calculated die temperature value 122）是一个完全由模型和活动信号估计出的独立温度值，不存在“调节”另一个测量值的过程。因此，本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出“基于温度偏移调节温度测量值”这一特征。 |
| **G：其中所述所存储的热量模型参数包含与温度差匹配的所估计的功率。** <br>**《隐含公开》** | 第[0012]段：“...each temperature increase value corresponding to a temperature increase of the integrated circuit 114, 116 due to one of the command signals 120...” <br>第[0012]段：“The temperature increase values 224-232 may be permanently stored within the temperature increase estimation circuit...” | 目标专利的特征G限定存储的热量模型参数包含“与温度差匹配的所估计的功率”。对比文件明确存储了与每个命令信号（代表一种活动）对应的“温度增量值”（temperature increase values）（第[0012]段）。这个“温度增量值”本身就是一种“温度差”（从某个基线温度上升的值）。如前所述（特征D），该温度差是由该命令活动所消耗的功率导致的。因此，对比文件存储的每个“温度增量值”（温度差），都隐含对应着一个导致该温升的“所估计的功率”。本领域技术人员能够理解，为了预先确定这些温度增量值（K值），必然需要知道或估计出不同活动（命令）对应的功率，并建立功率与温升的匹配关系。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **H：其中所述所存储的热量模型参数包含与绝对温度匹配的所估计的功率。** <br>**《未公开》** | 未发现相关描述。对比文件第[0012]段提到了“estimated die temperature value when no command signal is applied”（空闲时估计的裸片温度值），这可能被视为一个绝对温度参考点。但该参数并未被描述为与“所估计的功率”相匹配，而是作为温度下降计算的基准。 | 目标专利的特征H明确要求存储的参数包含“与绝对温度匹配的所估计的功率”。对比文件存储的参数主要是“温度增量值”（相对值，温度差）和用于计算温度下降的比例因子、时间常数等。虽然提到了“空闲时估计的裸片温度值”，但该值是一个环境或基线温度，并未被描述为与某个特定的“所估计的功率”相匹配的模型参数。本领域技术人员无法从对比文件公开的内容中，毫无疑义地得出或合理推断出存储了“与绝对温度匹配的所估计的功率”这样的参数集合。因此，该技术特征未被公开。 |
| **I：其中所述所测量的活动包括电流流动穿过电源开关。** <br>**《未公开》** | 未发现相关描述。对比文件通篇未提及“电源开关”（power switch）。其测量的活动是通过命令信号（如DRAM命令）来体现的。 | 目标专利的特征I进一步限定了活动的一种具体形式：“电流流动穿过电源开关”。对比文件公开的活动测量是基于集成电路（如DRAM）接收到的功能命令信号，这些信号控制的是内存的读写等操作，而非特指控制“电源开关”的电流流动。这是两种不同的活动监测对象。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **J：其中所述所测量的活动包括至少部分地基于所述裸片的所述装置的所述性能。** <br>**《直接公开》** | 第[0018]段：“...command signals 120 may be directly used as notification signals 118 for the temperature increase estimation circuit 210, triggering switches 260-268 to apply corresponding temperature increase values Kact (for D-RAM activate) 224, Kpre (for D-RAM precharge) 226, Kread (for D-RAM read) 228, Kwrite (for D-RAM write) 230, and Kref (for D-RAM refresh) 232...” | 目标专利的特征J是特征B的进一步限定，强调活动是基于“裸片的装置的所述性能”。对比文件公开的“命令信号”（如DRAM激活、读取、写入、刷新）正是驱动集成电路（即“裸片的装置”）执行其特定功能（即其“性能”）的指令。接收这些命令信号作为输入，就是“至少部分地基于所述裸片的所述装置的所述性能”来测量活动。两者作用相同，都是将装置执行其设计功能（性能）的状态作为热管理的输入。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **K：其中所述性能的测量值是至少部分地基于性能计数器确定的。** <br>**《未公开》** | 未发现相关描述。对比文件第[0018]段公开的活动测量是基于接收到的外部命令信号（notification signals），并未提及任何内部“性能计数器”（performance counter）。 | 目标专利的特征K进一步限定了性能测量的一种具体实现方式：“至少部分地基于性能计数器确定”。对比文件公开的实现方式是通过电路接收代表外部命令的信号来感知活动，这与使用内部性能计数器（如CPU内部用于统计高速缓存未命中等的硬件计数器）是两种不同的技术手段。本领域技术人员无法从对比文件公开的命令信号监测方案中，毫无疑义地得出或合理推断出基于性能计数器的方案。因此，该技术特征未被公开。 |
| **L：其中所述活动的测量以及所述区所消耗的功率转换是通过数字功率监测器/计量器执行的。** <br>**《隐含公开》** | 第[0010]段：“...a temperature estimation circuit 200... comprising a temperature increase estimation circuit 210, having one or more inputs 212-220 operable to receive one or more notification signals 118...” <br>第[0012]段：“...the temperature increase estimation circuit 210 may comprise one or more switches 260-268, each switch having an input for one of the temperature increase values 224-232...” | 目标专利的特征L限定了执行“活动测量”和“功率转换”的具体硬件是“数字功率监测器/计量器”。对比文件公开了一个“温度估计电路”（200），其包含“温度增加估计电路”（210），该电路接收通知信号（代表活动），并基于预存的温度增加值（隐含了功率到温升的转换关系）进行处理。虽然对比文件没有明确使用“数字功率监测器/计量器”这一称谓，但其描述的电路（200, 210）在功能上正是用于监测与功耗相关的活动（命令）并进行处理（隐含了向代表热效应的量的转换）。考虑到“数字功率监测器/计量器”是一个功能性上位概念，本领域技术人员可以合理推断，对比文件中用于接收命令信号并关联温度增量的专用电路，其功能等同于或可被视为一种特定形式的功率活动监测和转换装置。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
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