对比文件名称：2006-12-12_发明授权_US07149645B2 Method and apparatus for accurate on-die temperature measurement
目标专利名称：时间温度传感器位置偏移误差校正CN109642829B
模型名称：本次调用的模型名称未提供。
根据对目标专利说明书及权利要求书，以及对比文件US07149645B2的详细分析，现创建特征比对表格如下：
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：从传感器接收区的温度测量值**<br>**《直接公开》** | [0014] “Embodiments of the present invention integrate and continually monitor multiple thermal sensors at hotspots across a processor.”<br>[0021] “The output from the sensor selection block is converted into a digital temperature code.” | 对比文件明确公开了在处理器热点处集成多个热传感器并进行持续监测（[0014]段），并且传感器选择块的输出被转换为数字温度码（[0021]段）。这对应于从传感器接收温度测量值。对比文件中传感器位于热点（即处理器上的特定区域），其作用是为了获取该区域的温度信息，以用于热管理。这与目标专利中“从传感器接收区的温度测量值”的技术特征相同，都是为了获取特定区域的温度数据。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B：测量所述区的活动，所测量的活动包括流动于包含所述裸片的装置中的电流或包含所述裸片的所述装置的性能，**<br>**《隐含公开》** | [0015] “die temperature profiles for different applications (like integer and floating point) and processor subsections 115 may cause distinct hotspots 120 on the processor 110.” | 对比文件[0015]段指出，不同的应用程序（如整数和浮点运算）会导致处理器不同子部分产生不同的热点。这隐含了处理器不同区域的活动（执行不同应用程序）与热点温度的产生直接相关。虽然对比文件未明确描述“测量活动”这一动作，但其通过监测不同热点（即不同区域）的温度，本质上是在监测由该区域活动（执行特定应用程序）引起的热效应。本领域技术人员可以合理推断，为了管理由不同活动引起的不同热点温度，需要感知或关联到该区域的活动状态。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征C：所述性能至少部分基于确定高速缓存未命中的数量或管线暂停的数量**<br>**《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件全文未提及通过“高速缓存未命中的数量”或“管线暂停的数量”这类性能计数器来评估或测量处理器性能。对比文件关注的是通过物理温度传感器直接测量温度，而非通过性能计数器间接评估活动或性能。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征D：将所测量的活动转化为所述区的功率**<br>**《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件描述了监测热点温度并生成数字温度码（[0021]段），但从未提及将“活动”（如应用程序类型或处理器子部分的运行状态）转化为该区域的“功率”消耗。目标专利的核心思想之一是利用功率监测器将活动转换为功率，进而用于温度校正。对比文件中缺乏将活动量化为功率的这一转换步骤或概念。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E：通过参考所存储的热量模型参数来解释所述区的所述功率或所述活动来导出温度偏移**<br>**《未公开》** | [0017] “Prior to fabrication, the hotspots of the processor are identified by modeling, empirical data, analysis of the package, and/or by other conventional techniques.” | 对比文件[0017]段提到在制造前通过建模等方式识别热点位置，以便放置传感器。此处的“建模”是用于确定传感器位置，而不是用于在运行时“解释功率或活动以导出温度偏移”。对比文件在运行时是直接读取传感器温度值（[0021]段），并将其与阈值比较以触发控制（[0024]段），不存在一个参考存储的“热量模型参数”来解释功率或活动，从而计算出一个用于校正原始温度读数的“温度偏移”的过程。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F：以及至少部分地基于所述温度偏移调节所述温度测量值。**<br>**《未公开》** | [0024] “The temperature value output from measurement circuit 250 is also input (point “C”) into the temperature trip generation block 280. Event triggers output (point “D”) from the temperature trip generation block 280 may used for thermal control both on-die (e.g., thermal control circuits 112, 113) and off-die...” | 对比文件公开了基于测量的温度值来触发热控制动作（如调整时钟频率、电压等，见[0024]段）。然而，这是基于原始温度测量值直接进行控制决策，并非目标专利所描述的“基于温度偏移调节温度测量值”。目标专利中的“调节温度测量值”是指对传感器读出的原始温度值本身进行校正（例如，TSENScorr = TSENSraw + ΔTcorr），得到一个更精确的温度值。对比文件中没有对原始温度读数进行此类校正的步骤或概念。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征G：其中所述所存储的热量模型参数包含与温度差匹配的所估计的功率。**<br>**《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件中没有提及存储任何“热量模型参数”，更没有提及这些参数包含“与温度差匹配的所估计的功率”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征H：其中所述所存储的热量模型参数包含与绝对温度匹配的所估计的功率。**<br>**《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件中没有提及存储任何“热量模型参数”，更没有提及这些参数包含“与绝对温度匹配的所估计的功率”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I：其中所述所测量的活动包括电流流动穿过电源开关。**<br>**《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件全文未提及通过测量“电流流动穿过电源开关”来表征活动。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J：其中所述所测量的活动包括至少部分地基于所述裸片的所述装置的所述性能。**<br>**《隐含公开》** | [0015] “die temperature profiles for different applications (like integer and floating point) and processor subsections 115 may cause distinct hotspots 120 on the processor 110.” | 此特征与技术特征B部分重叠。对比文件[0015]段明确指出，运行不同的应用程序（如整数、浮点）会导致处理器不同子部分产生不同的热点。这隐含了“活动”与处理器（即裸片装置）的“性能”（执行特定类型计算任务的能力和状态）相关。热点温度的变化是装置性能（执行何种应用）的体现。本领域技术人员可以合理推断，监测热点温度即是在间接监测导致该热点的装置性能活动。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征K：其中所述性能的测量值是至少部分地基于性能计数器确定的。**<br>**《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未提及使用“性能计数器”来确定性能测量值。其温度测量完全依赖于物理温度传感器，而非基于软件或硬件性能计数器。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征L：其中所述活动的测量以及所述区所消耗的功率转换是通过数字功率监测器/计量器执行的。**<br>**《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件中用于温度感知的元件是“thermal sensors”（热传感器，如二极管）和相关的测量电路，并未提及使用“数字功率监测器/计量器”来测量活动或进行功率转换。目标专利中的“数字功率监测器/计量器”是其实现活动到功率转换的关键装置，在对比文件中没有对应公开。因此，该技术特征未被公开。 |
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