对比文件名称：2014-02-06_发明申请_US20140035048A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
目标专利名称：缩放布局设计中将虚栅极接地CN105981157B
本次调用模型名称：gpt-4-turbo-2024-04-09
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：半导体器件有源区中的虚栅极** | 对比文件图2、3A-3F及对应描述展示了包括第一栅电极104a和第二栅电极104b的半导体器件（参见[0054]-[0073]段）。例如，[0054]段描述“第一晶体管TR1...第一栅电极104a...第二晶体管TR2...第二栅电极104b”。这些栅电极形成在基板100上的有源区Ac内（参见[0054]段）。 | **隐含公开**。目标专利中的“虚栅极”指不作为有源晶体管栅极，而是用于控制器件（如ESD器件）并需要被接地的栅极（参见目标专利[0046]段）。对比文件公开的“栅电极”是构成晶体管（TR1， TR2）的一部分，其本身在器件中作为功能性栅极使用。虽然对比文件未明确区分“虚栅极”与“有源栅极”，也未说明其需要被接地，但本领域技术人员公知，半导体器件中的栅电极可根据电路设计需要被配置为“虚栅极”（即不直接作为开关管栅极，而是用于电位固定或隔离）。在宽松的隐含公开判断标准下，对比文件公开的“栅电极”在物理结构上等同于目标专利的“栅极”，且位于有源区中，本领域技术人员有可能从对比文件公开的栅电极结构推理出将其用作“虚栅极”的技术方案。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **B：毗邻于所述虚栅极的第一有源触点** | [0054]段：“第一导电图案118a...电连接至第一杂质区域108a”。图3A显示第一导电图案118a与第一栅电极104a相邻设置。 | **直接公开**。对比文件明确公开了第一导电图案118a（相当于第一有源触点）与第一栅电极104a（在本次评估中视为虚栅极）相邻。第一导电图案118a通过第一接触孔114a电连接至第一杂质区域108a（源/漏区）（参见[0039]， [0054]段），其作用是为晶体管提供电连接，这与目标专利中第一有源触点的作用（提供电连接并用于后续接地路径）实质相同。本领域技术人员能毫无疑义地从对比文件得出该技术特征。 |
| **C：所述虚栅极和所述第一有源触点上的电介质层，所述电介质层上形成有开口** | [0036]段：“第二绝缘层112可以形成在第一绝缘层上...第二绝缘层112可以形成为覆盖暴露的栅电极104”。[0043]段：“第三绝缘层120可以形成在第二绝缘层112上以具有第一开口122...第一开口122可以形成为暴露第一导电图案118的顶表面和面对栅电极104顶表面的第二绝缘层112的一部分顶表面”。[0064]段：“第一开口122a可以形成为暴露第一导电图案118a和面对（或直接位于）第一栅电极104a的第二绝缘层112的一部分”。 | **隐含公开**。对比文件公开了在栅电极（104a）和第一导电图案（118a， 即第一有源触点）上方依次形成有第一绝缘层111、第二绝缘层112和第三绝缘层120（统称为电介质层）。第三绝缘层120上形成了第一开口122a，该开口暴露了下方的第一导电图案118a以及其旁边对应栅电极104a上方的第二绝缘层112区域。虽然对比文件的开口是用于形成共享接触插塞，而目标专利的开口用于形成堆叠式触点，但两者都是在电介质层上形成开口以进行下层结构的电连接。在宽松的隐含公开标准下，对比文件部分公开了“在覆盖栅极和有源触点的电介质层上形成开口”这一技术手段，本领域技术人员有可能由此推理出相似的结构安排。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **D：沉积于所述开口的侧壁上的第一隔离层** | [0051]段：“第二阻挡图案130可以进一步形成在第二导电图案132和第一及第二绝缘层112和120之间。第二阻挡图案130可以形成为覆盖或围绕第二导电图案132的底部和侧表面。”[0070]段：“第三阻挡图案130a可以进一步形成为覆盖或围绕第三导电图案132a的底部和侧表面”。图1J和图3F显示了该结构。 | **隐含公开**。对比文件公开了在形成于开口（第三接触孔128a）中的导电图案（132a）的侧壁上形成有阻挡图案（130a）。该阻挡图案（由如钛氮化物的金属氮化物构成，参见[0038]段）位于导电图案与绝缘层之间，客观上起到了物理隔离和防止扩散的作用。虽然其名称为“阻挡图案”且主要被描述为用于改善电接触和防止材料扩散，但本领域技术人员理解，这种位于侧壁的层在结构上也具有电隔离相邻导体的潜在效果。目标专利的“第一隔离层”作用是将堆叠式触点与虚栅极电隔离。在宽松的隐含公开标准下，对比文件公开的“侧壁上的阻挡层”部分公开了“在开口侧壁沉积隔离层”的技术特征，本领域技术人员有可能推理出使用类似层实现电隔离。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **E：形成于所述开口中的第一堆叠式触点，所述第一堆叠式触点被电耦合至所述第一有源触点** | [0050]段：“接触插塞134可以是共享接触插塞，由分别电连接到杂质区域108和栅电极104的第一和第二导电图案118和132组成，并且彼此电连接。”[0071]段：“第一导电图案118a和第三导电图案132a可以彼此电连接...第一和第三导电图案118a和132a可以作为共享第一接触插塞134a，连接第一栅电极104a到第一杂质区域108a。”图1J和图3F显示了由118a和132a堆叠构成的接触插塞134a。 | **直接公开**。对比文件明确公开了第一接触插塞134a由第一导电图案118a和其上的第三导电图案132a堆叠而成，并且第一导电图案118a电耦合至第一杂质区域108a（即第一有源触点）。这与目标专利的“第一堆叠式触点”结构（由不同导电层堆叠构成）和作用（电耦合至第一有源触点）完全相同。本领域技术人员能毫无疑义地从对比文件得出该技术特征。 |
| **F：沉积于所述第一堆叠式触点的表面上与所述第一有源触点相对的盖层，侧壁上的所述第一隔离层将所述第一堆叠式触点与所述虚栅极电隔离** | 对比文件公开了第二蚀刻停止层113形成在第二绝缘层112和第一导电图案118上（参见[0042]段，图1F），以及第一蚀刻停止层110位于栅电极侧壁和第一导电图案118a侧壁之间（参见[0054]， [0072]段）。但未描述在第一堆叠式触点（即第一接触插塞134a）的顶部表面上沉积有“盖层”。 | **未被公开**。对比文件没有公开在堆叠式触点（接触插塞134a）的顶表面上沉积盖层（如目标专利图16-17中的内衬1600）。虽然对比文件有蚀刻停止层113覆盖在部分区域，但其并非特指沉积在堆叠式触点顶部的“盖层”。此外，虽然对比文件通过第一蚀刻停止层110和阻挡图案130a提供了侧壁隔离，但其具体的隔离层安排（例如第一蚀刻停止层110位于栅电极间隔物106a和第一导电图案118a之间，参见[0054]段）与目标专利中“侧壁上的第一隔离层将第一堆叠式触点与虚栅极电隔离”的具体结构（隔离层位于堆叠式触点侧壁与虚栅极之间）并不相同。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或通过合理推理得到该特定组合技术特征（盖层+特定位置的隔离层）。 |
| **G：以及穿过所述电介质层的第一通孔，所述第一通孔落在所述虚栅极上并通过所述盖层的一部分直接落在所述第一堆叠式触点的所述表面上以将所述第一堆叠式触点和所述第一有源触点电耦合至所述虚栅极以使所述虚栅极接地。** | 对比文件中，连接栅电极和杂质区域是通过共享接触插塞134a（由118a和132a组成）实现的，其中第三导电图案132a填充了连接第一开口122a和第三开口126a的第三接触孔128a（参见[0068]-[0071]段）。这不是一个独立的“通孔”落在另一个“堆叠式触点”上的结构，而是导电图案132a直接构成了堆叠式触点的一部分并同时连接栅极和下层触点。对比文件未提及“接地”目的。 | **未被公开**。目标专利的核心方案之一是使用一个独立的“通孔”（如图20中的2000）穿过电介质层，该通孔一端落在虚栅极（或其上的栅极触点）上，另一端通过蚀刻掉盖层的一部分后落在堆叠式触点的表面上，从而将两者电连接以实现虚栅极接地。对比文件公开的是单一的、连续的共享接触插塞134a，其第三导电图案132a同时充当了连接栅极和连接下层触点的角色，没有独立的“通孔”结构，也没有“通孔落在堆叠式触点表面上”的上下堆叠关系。此外，对比文件未公开将栅极接地的目的。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推理出该特定连接结构和目的。 |
| **H：其特征在于，进一步包括：直接耦合在所述虚栅极和所述第一通孔之间的栅极触点，所述栅极触点在侧壁上具有第二隔离层，所述栅极触点被自对齐到所述第一有源触点以及和所述第一堆叠式触点自对齐。** | 对比文件未描述在栅电极（104a）和上方的导电图案（132a）之间存在一个独立的“栅极触点”。图3F显示第三导电图案132a直接与第一栅电极104a接触。 | **未被公开**。目标专利描述了在虚栅极和通孔之间可以有一个独立的“栅极触点”（如图9中的810），其具有侧壁隔离层并被自对齐。对比文件中不存在这样的独立结构，上层的导电图案（132a）是直接形成在暴露的栅电极（104a）上的。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推理出该附加的栅极触点特征。 |
| **I：其特征在于，进一步包括：毗邻于所述虚栅极的第二有源触点** | [0054]段：“第二导电图案118b...电连接至第二杂质区域108b”。图3A显示第二导电图案118b与第二栅电极104b相邻设置。 | **直接公开**。对比文件明确公开了第二导电图案118b（相当于第二有源触点）与第二栅电极104b相邻。其作用和公开性同技术特征B。本领域技术人员能毫无疑义地从对比文件得出该技术特征。 |
| **J：以及相邻的堆叠式触点，所述相邻的堆叠式触点电耦合至所述第二有源触点并和所述第二有源触点对齐，且和所述第一通孔自对齐，以将所述相邻的堆叠式触点与所述第一通孔电隔离。** | [0071]段：“第二导电图案118b和第四导电图案132b可以作为连接至第二杂质区域108b的第二接触插塞134b。”图3F显示了第二接触插塞134b。但对比文件未描述该第二接触插塞134b与任何“第一通孔”自对齐以实现电隔离。 | **未被公开**。对比文件公开了第二接触插塞134b（相当于相邻的堆叠式触点）电耦合至第二有源触点（118b）并与之对齐。然而，目标专利要求该相邻堆叠式触点与“第一通孔”自对齐以实现隔离。对比文件中不存在“第一通孔”结构（见特征G、H分析），因此也就不存在与之自对齐的关系。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推理出该特定的自对齐隔离关系。 |
| **K：其特征在于，所述第一通孔和所述栅极触点自对齐，并且所述第一堆叠式触点的所述侧壁上的所述第一隔离层被安排成至少部分地与所述第一有源触点交叠，所述第一隔离层的交叠部分将所述第一堆叠式触点的一部分与所述第一通孔的一部分电隔离。** | 对比文件未描述“第一通孔”和“栅极触点”（特征H）的结构，因此也不存在它们之间的自对齐关系。关于隔离层交叠，对比文件中第一蚀刻停止层110位于栅电极间隔物侧壁和第一导电图案118a侧壁之间（图3A），其位置关系与目标专利中隔离层至少部分与有源触点交叠的安排不同。 | **未被公开**。该特征涉及“第一通孔”、“栅极触点”以及“第一隔离层”三者之间特定的自对齐和交叠安排，以实现堆叠式触点部分区域与通孔的电隔离。如前述，对比文件未公开通孔和栅极触点，其隔离层（第一蚀刻停止层110）的位置安排也不同。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推理出该复杂的特定结构关系。 |
| **L：其特征在于，进一步包括：有源栅极** | 对比文件中公开的“第一栅电极104a”和“第二栅电极104b”均是晶体管（TR1， TR2）的组成部分，作为功能性栅极使用（参见[0033]， [0054]段）。 | **隐含公开**。目标专利中的“有源栅极”指的是作为晶体管开关功能部分的栅极，与“虚栅极”相对。对比文件公开的“栅电极”正是这样的功能性栅极。在宽松的隐含公开判断标准下，本领域技术人员有可能从对比文件公开的作为晶体管部件的栅电极推理出“有源栅极”的特征。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **M：毗邻于所述有源栅极的第二有源触点** | 同技术特征I。第二导电图案118b毗邻于第二栅电极104b（参见[0054]段）。 | **直接公开**。此特征与技术特征I实质相同。对比文件明确公开了第二有源触点（118b）毗邻于有源栅极（104b）。本领域技术人员能毫无疑义地从对比文件得出该技术特征。 |
| **N：第二堆叠式触点，所述第二堆叠式触点被电耦合至所述第二有源触点且在侧壁上包括将所述第二堆叠式触点与所述有源栅极电隔离的第二隔离层** | [0071]段：“第二导电图案118b和第四导电图案132b可以作为连接至第二杂质区域108b的第二接触插塞134b。”[0072]段：“不仅第二间隔物106b而且第一蚀刻停止层110可以插入在第二接触插塞134b的第三导电图案118b的侧表面和第二栅电极104b之间，从而改善它们之间的电可靠性或泄漏电流特性。” | **直接公开**。对比文件明确公开了第二接触插塞134b由第二导电图案118b和第四导电图案132b堆叠构成，电耦合至第二有源触点（第二杂质区域108b）。同时，第一蚀刻停止层110位于第二接触插塞134b（具体是其下部118b）的侧壁与第二栅电极104b之间，起到了将两者电隔离的作用（即“第二隔离层”）。这与目标专利技术特征N的结构和作用完全相同。本领域技术人员能毫无疑义地从对比文件得出该技术特征。 |
| **O：以及电耦合至所述有源栅极且和所述第二堆叠式触点自对齐的第二通孔。** | 对比文件中，与第二栅电极104b电连接的是共享接触插塞134a（连接第一栅电极）或独立的接触插塞134b（连接第二杂质区域），没有描述一个独立的、专门电耦合至第二栅电极104b且与第二堆叠式触点（134b）自对齐的“第二通孔”。 | **未被公开**。目标专利描述了电耦合至有源栅极的第二通孔（如图22A中的2200），并与第二堆叠式触点自对齐。对比文件没有公开这样的独立通孔结构。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推理出该特征。 |
| **P：其特征在于，所述器件被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。** | [0077]段：“根据本发明构思的一些实施例的半导体器件可被应用于形成存储卡300。”[0078]段：“信息处理系统400可以包括移动设备或计算机...例如，存储器系统410可以是固态硬盘(SSD)。信息处理系统400可以稳定可靠地将数据存储在存储器系统410中。”[0079]段：“信息处理系统400可以被提供为存储卡、固态硬盘、相机图像传感器和应用芯片组。” | **直接公开**。对比文件明确公开了包含所述半导体器件的存储卡、信息处理系统、固态硬盘等，并指出信息处理系统可以是移动设备或计算机。这直接涵盖了目标专利权利要求中列举的多种电子设备类型，如移动电话、计算机等。本领域技术人员能毫无疑义地从对比文件得出该半导体器件可被集成到此类设备中的技术特征。 |
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