对比文件的名称：2014-02-11_发明公开_KR1020140017294A 半导体器件及其制造方法
目标专利的名称：缩放布局设计中将虚栅极接地 CN105981157B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译为中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：半导体器件有源区中的虚栅极《隐含公开》 | [0006] “...상기 반도체 소자는, 기판 상에 배치되며, 게이트 절연 패턴, 게이트 전극 및 불순물 영역들을 포함하는 트랜지스터(transistor)...” （...该半导体器件包括，布置在基板上，包含栅极绝缘图案、栅极电极和杂质区域的晶体管...） | 根据目标专利说明书[0046]，虚栅极是用于控制器件（如ESD或高速器件）的额外栅极，需要接地以防止浮动偏置电压激活器件。对比文件公开了半导体器件包含栅极电极（게이트 전극），本领域技术人员知晓，在半导体器件中，栅极电极可以包括功能栅极，也可以包括需要被接地的非功能“虚栅极”。虽然对比文件未明确区分“虚栅极”，但其公开的“栅极电极”这一结构概念涵盖了目标专利中“虚栅极”的物理实体。本领域技术人员可以合理推断，为了实现电路功能（如防止浮动），该栅极电极可以被设计为需要接地的“虚栅极”。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征B**：毗邻于所述虚栅极的第一有源触点《隐含公开》 | [0006] “...상기 게이트 전극 및 상기 불순물 영역 중 하나와 전기적으로 연결되는 공용 콘택 플러그(shared contact plug)...” （...与所述栅极电极及所述杂质区域之一电连接的共享接触插塞...）<br>结合[0026]描述晶体管包含“불순물 영역들(108)”（杂质区域）。 | 根据目标专利说明书[0050]，第一有源触点是耦合至有源器件（例如源极和漏极区）的金属扩散（MD1）触点。对比文件公开了与栅极电极相邻的“杂质区域”（불순물 영역），其对应于晶体管的源/漏区。虽然对比文件未明确使用“有源触点”这一术语，但其公开的“杂质区域”是形成有源触点的必要基础，且共享接触插塞需要电连接到该区域。本领域技术人员能够毫无疑义地理解，为了实现电连接，必然存在与杂质区域电连接的有源触点结构（如MD触点）。因此，对比文件隐含公开了毗邻于栅极（即虚栅极）的第一有源触点。 |
| **技术特征C**：所述虚栅极和所述第一有源触点上的电介质层，所述电介质层上形成有开口《直接公开》 | [0030] “...상기 제1 식각 저지막(110) 상에 제1 절연막(112)을 형성할 수 있다.” （...可以在所述第一蚀刻停止膜110上形成第一绝缘膜112。）<br>[0031] “...상기 제1 절연막 상에 제2 절연막(112)을 형성할 수 있다.” （...可以在所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜112。）<br>[0038] “...상기 제2 절연막(112) 상에...제1 개구(122)를 포함하는 제3 절연막(120)을 형성할 수 있다.” （...可以在所述第二绝缘膜112上形成包含第一开口122的第三绝缘膜120。）<br>[0034] “...상기 제1 및 제2 절연막(111, 112)과 제1 식각 저지막(110)을 식각하여 상기 불순물 영역(108)을 노출시키는 제1 콘택 홀(114)을 형성할 수 있다.” （...可以蚀刻所述第一和第二绝缘膜111、112以及第一蚀刻停止膜110，形成暴露所述杂质区域108的第一接触孔114。） | 对比文件明确公开了在栅极电极（对应虚栅极）和杂质区域（对应第一有源触点）上方依次形成多层绝缘膜（제1 절연막, 제2 절연막, 제3 절연막），这些绝缘膜即相当于目标专利中的“电介质层”。同时，对比文件公开了在这些绝缘膜中形成“第一接触孔（제1 콘택 홀 114）”和“第一开口（제1 개구 122）”，这些都是在电介质层上形成的开口，用于后续形成导电连接。本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了“虚栅极和第一有源触点上的电介质层，电介质层上形成有开口”这一技术方案。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征D**：沉积于所述开口的侧壁上的第一隔离层《直接公开》 | [0029] “...상기 트랜지스터(TR)가 형성된 기판(100) 상에 컨포멀하게(conformally) 제1 식각 저지막(110)을 형성할 수 있다.” （...可以在形成有所述晶体管TR的基板100上共形地形成第一蚀刻停止膜110。）<br>[0034] “...상기 식각 공정에 의해 상기 스페이서(106) 측면에 형성된 제1 식각 저지막(110)의 일부가 식각될 수 있다. 상기 제1 콘택 홀(114)은 상기 스페이서(106)의 측면을 노출시키지 않도록 형성될 수 있다.” （...通过所述蚀刻工艺，可以蚀刻形成在间隔物106侧面的第一蚀刻停止膜110的一部分。所述第一接触孔114可以形成为不暴露所述间隔物106的侧面。）<br>[0046] “...상기 공용 콘택 플러그(134)의 제1 도전 패턴(118)의 측면과 상기 게이트 전극(104) 측면 사이에 스페이서(106)뿐만 아니라 제1 식각 저지막(110)이 개재되어...” （...在所述共享接触插塞134的第一导电图案118的侧面与所述栅极电极104的侧面之间，不仅介入有间隔物106，还介入有第一蚀刻停止膜110...） | 对比文件公开了在形成晶体管后，共形沉积第一蚀刻停止膜（제1 식각 저지막 110）。随后，在形成第一接触孔114时，虽然开口内的部分蚀刻停止膜被蚀刻掉，但根据[0034]和[0046]的记载，在栅极电极（虚栅极）侧面和最终形成的第一导电图案（对应后续的堆叠式触点）侧面之间，仍然残留有第一蚀刻停止膜110。该残留的蚀刻停止膜位于开口的侧壁上，其作用是提高栅极与接触插塞之间的电可靠性、抑制电流泄漏（参见[0018]），这与目标专利中第一隔离层“将第一堆叠式触点与虚栅极电隔离”的作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了“沉积于开口侧壁上的第一隔离层”。该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征E**：形成于所述开口中的第一堆叠式触点，所述第一堆叠式触点被电耦合至所述第一有源触点《隐含公开》 | [0035] “...상기 제1 콘택 홀(114) 내부에 제1 베리어 패턴(116) 및 제1 도전 패턴(118)을 형성할 수 있다.” （...可以在所述第一接触孔114内部形成第一势垒图案116和第一导电图案118。）<br>[0044] “...상기 제2 콘택 홀(128)을 매립하는 제2 도전 패턴(132)을 형성할 수 있다...이하, 상기 제1 및 제2 도전 패턴들(118, 132)을 콘택 플러그(134)라 한다.” （...可以形成填充所述第二接触孔128的第二导电图案132...以下，将所述第一和第二导电图案118、132称为接触插塞134。）<br>[0006] “...상기 공용 콘택 플러그는 상기 제1 불순물 영역과 전기적으로 연결되는 제1 도전 패턴 및 상기 게이트 전극과 전기적으로 연결되는 제2 도전 패턴을 포함하며...” （...所述共享接触插塞包括与所述第一杂质区域电连接的第一导电图案和与所述栅极电极电连接的第二导电图案...） | 目标专利的“第一堆叠式触点”指电耦合至第一有源触点的结构，例如说明书[0060]提到的“第一堆叠式触点1310”。对比文件公开了在第一接触孔114中形成的第一导电图案118，其电耦合至杂质区域（第一有源触点）。虽然对比文件的第一导电图案118是单层结构，但根据[0044]和[0006]，第一导电图案118是共享接触插塞134的组成部分，该插塞整体上是由第一导电图案118和上方的第二导电图案132“堆叠”构成。本领域技术人员可以合理推断，第一导电图案118作为接触插塞的下部结构，其功能和位置与目标专利中“形成于开口中、电耦合至第一有源触点的第一堆叠式触点”相对应。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征F**：沉积于所述第一堆叠式触点的表面上与所述第一有源触点相对的盖层，侧壁上的所述第一隔离层将所述第一堆叠式触点与所述虚栅极电隔离《未公开》 | 对比文件全文未提及在类似第一导电图案（第一堆叠式触点）的表面上沉积与有源触点相对的“盖层”结构。对比文件的图1f显示了在第二绝缘膜112和第一导电图案118上形成第二蚀刻停止膜113，但这是覆盖整个表面的层，并非仅位于第一导电图案表面上的“盖层”。目标专利说明书[0066]-[0068]及图16-17描述的“盖层”（内衬1600）是形成在第一堆叠式触点1310凹陷表面上的特定保护层/凹进间隔物层，其作用与通孔的形成相关。对比文件未公开此特定结构。 | 对比文件中没有公开“盖层”这一技术特征。目标专利中的“盖层”具有特定的结构位置（沉积于第一堆叠式触点表面上且与第一有源触点相对）和功能（与通孔工艺相关）。对比文件公开的第一蚀刻停止膜110位于侧壁，起隔离作用，但这只是“第一隔离层”。虽然对比文件有第二蚀刻停止膜113，但其覆盖整个表面，并非目标专利所定义的、位于堆叠式触点特定表面上的“盖层”。本领域技术人员无法从对比文件公开的内容中毫无疑义地得出或合理推断出该特定“盖层”结构。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征G**：以及穿过所述电介质层的第一通孔，所述第一通孔落在所述虚栅极上并通过所述盖层的一部分直接落在所述第一堆叠式触点的所述表面上以将所述第一堆叠式触点和所述第一有源触点电耦合至所述虚栅极以使所述虚栅极接地。《隐含公开》（注：基于通孔连接功能判断，但“通过盖层”这一限定未被公开） | [0044] “...상기 제2 콘택 홀(128)을 매립하는 제2 도전 패턴(132)을 형성할 수 있다. 상기 제2 도전 패턴(132)은 상기 제1 도전 패턴(118)과 전기적으로 연결될 수 있다.” （...可以形成填充所述第二接触孔128的第二导电图案132。所述第二导电图案132可以与所述第一导电图案118电连接。）<br>[0006] “...상기 공용 콘택 플러그는...제1 도전 패턴 및...제2 도전 패턴을 포함하며...” （...所述共享接触插塞包括...第一导电图案及...第二导电图案...）<br>第二导电图案132通过第二接触孔128连接下方的第一导电图案118和栅极电极104。 | 对比文件公开的共享接触插塞134，其第二导电图案132穿过上方的绝缘膜（第三绝缘膜120等，即电介质层），一端落在栅极电极104（虚栅极）上，另一端连接至第一导电图案118（第一堆叠式触点）。这实现了将第一导电图案118（进而连接到杂质区域，即第一有源触点）电耦合至栅极电极104。虽然对比文件未明确说明该连接是为了“使栅极接地”，但本领域技术人员知晓，将栅极电连接到源/漏区是一种常见的接地或电位固定方式。因此，对比文件隐含公开了“穿过电介质层的第一通孔（第二导电图案132），其落在虚栅极上并落在第一堆叠式触点上，从而将两者电耦合”这一技术方案的核心。**然而**，目标专利中“通过所述盖层的一部分直接落在...表面上”这一具体限定依赖于技术特征F的“盖层”，而该盖层未被公开。因此，特征G的整体技术方案未被完全公开，但其中的通孔连接功能被隐含公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括：直接耦合在所述虚栅极和所述第一通孔之间的栅极触点，所述栅极触点在侧壁上具有第二隔离层，所述栅极触点被自对齐到所述第一有源触点以及和所述第一堆叠式触点自对齐。《未公开》 | 对比文件未公开独立的“栅极触点”结构。在对比文件中，共享接触插塞的第二导电图案132直接与栅极电极104接触，中间没有插入另一个独立的“栅极触点”。目标专利说明书[0055]-[0059]及图4-9描述的“栅极触点810”是一个独立的、在虚栅极上形成的、侧壁有隔离层的结构，其后再通过通孔连接。对比文件没有这样的中间结构。 | 目标专利的“栅极触点”是一个独立于通孔和堆叠式触点的中间结构，具有自对齐特性和侧壁的第二隔离层。对比文件中的连接是通过共享接触插塞一次性形成，第二导电图案132同时充当了连接栅极和连接下导体的角色，没有分离出独立的“栅极触点”结构。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出存在这样一个具有特定自对齐关系和隔离层的独立栅极触点。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，进一步包括：毗邻于所述虚栅极的第二有源触点《隐含公开》 | [0009] “...제2 불순물 영역들을 포함하는 제2 트랜지스터...” （...包含第二杂质区域的第二晶体管...）<br>[0051] “...상기 제2 트랜지스터(TR2)는 제2 게이트 절연 패턴(102b), 제2 게이트 전극(104b), 제2 스페이서(106b) 및 제2 불순물 영역들(108b)을 포함할 수 있다.” （...所述第二晶体管TR2可以包含第二栅极绝缘图案102b、第二栅极电极104b、第二间隔物106b及第二杂质区域108b。）<br>图2和图3a显示第二晶体管与第一晶体管相邻，共享或毗邻同一栅极电极或具有相邻的栅极。 | 对比文件公开了包含第二杂质区域108b的第二晶体管TR2。这些第二杂质区域是源/漏区，相当于有源触点的基础。根据附图2、3a及描述，第二晶体管与第一晶体管相邻布置，其有源区（杂质区域）自然与第一晶体管的栅极电极（可视为虚栅极）或相邻的栅极电极毗邻。本领域技术人员可以合理推断，在器件有源区内，存在毗邻于目标虚栅极的第二有源触点（对应于第二杂质区域）。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征J**：以及相邻的堆叠式触点，所述相邻的堆叠式触点电耦合至所述第二有源触点并和所述第二有源触点对齐，且和所述第一通孔自对齐，以将所述相邻的堆叠式触点与所述第一通孔电隔离。《未公开》 | [0066] “...상기 제2 도전 패턴(118b) 및 제4 도전 패턴(132b)은 상기 제2 불순물 영역(108b)과 전기적으로 연결되는 제2 콘택 플러그(134b)로 기능할 수 있다.” （...所述第二导电图案118b和第四导电图案132b可以作为与所述第二杂质区域108b电连接的第二接触插塞134b而发挥作用。）<br>图3f显示了第二接触插塞134b与第一接触插塞（共享接触插塞134a）相邻。 | 对比文件公开了电耦合至第二有源触点（第二杂质区域108b）的第二接触插塞134b，其可被视为“相邻的堆叠式触点”。然而，目标专利进一步限定该相邻堆叠式触点“和所述第一通孔自对齐，以将所述相邻的堆叠式触点与所述第一通孔电隔离”。对比文件虽然显示了两个接触插塞相邻，但并未描述它们之间具有“自对齐”关系以实现特定的电隔离目的。目标专利中这种自对齐是实现严格设计规则下电隔离的关键（参见说明书[0077]）。对比文件没有公开或暗示这种特定的自对齐构造和功能。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述第一通孔和所述栅极触点自对齐，并且所述第一堆叠式触点的所述侧壁上的所述第一隔离层被安排成至少部分地与所述第一有源触点交叠，所述第一隔离层的交叠部分将所述第一堆叠式触点的一部分与所述第一通孔的一部分电隔离。《未公开》 | 此特征涉及第一通孔、栅极触点、第一隔离层和第一有源触点之间复杂的几何位置关系和自对齐关系。对比文件既未公开独立的“栅极触点”（特征H），也未描述第一蚀刻停止膜（第一隔离层）被特意安排成与杂质区域（第一有源触点）交叠，以实现将堆叠式触点的一部分与通孔的一部分隔离的特定功能。 | 该技术特征是多个已讨论特征的进一步组合和关系限定，其成立依赖于特征H（栅极触点）的存在以及特定的布局设计。如前所述，对比文件未公开独立的栅极触点，也未描述第一隔离层（蚀刻停止膜）具有与有源触点交叠以隔离通孔和堆叠式触点的特定部分的功能。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出这种详细且特定的几何与功能关系。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，进一步包括：有源栅极《隐含公开》 | [0006] “...게이트 절연 패턴, 게이트 전극 및 불순물 영역들을 포함하는 트랜지스터(transistor)...” （...包含栅极绝缘图案、栅极电极和杂质区域的晶体管...）<br>[0009] “...제2 게이트 절연 패턴, 제2 게이트 전극 및 제2 불순물 영역들을 포함하는 제2 트랜지스터...” （...包含第二栅极绝缘图案、第二栅极电极和第二杂质区域的第二晶体管...） | 目标专利中的“有源栅极”指具有开关控制功能的栅极，与“虚栅极”相对。对比文件明确公开了晶体管中的“栅极电极（게이트 전극）”，其必然是有源器件的一部分，即“有源栅极”。本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件公开的晶体管结构中识别出“有源栅极”的存在。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征M**：毗邻于所述有源栅极的第二有源触点《隐含公开》 | 同特征I的引用，第二晶体管TR2包含第二杂质区域108b，这些区域与第二栅极电极104b（有源栅极）相邻。 | 如特征I和L所述，对比文件公开了有源栅极（第二栅极电极104b）和与之相邻的第二有源触点（第二杂质区域108b）。本领域技术人员可以合理推断出此毗邻关系。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征N**：第二堆叠式触点，所述第二堆叠式触点被电耦合至所述第二有源触点且在侧壁上包括将所述第二堆叠式触点与所述有源栅极电隔离的第二隔离层《隐含公开》 | [0066] “...상기 제2 도전 패턴(118b) 및 제4 도전 패턴(132b)은 상기 제2 불순물 영역(108b)과 전기적으로 연결되는 제2 콘택 플러그(134b)로 기능할 수 있다.” （...所述第二导电图案118b和第四导电图案132b可以作为与所述第二杂质区域108b电连接的第二接触插塞134b而发挥作用。）<br>[0067] “...상기 제2 콘택 플러그(134b)의 제3 도전 패턴(118b)의 측면 및 상기 제2 게이트 전극(104b)의 측면 사이에 제2 스페이서(106b) 뿐만 아니라 제1 식각 저지막(110)이 더 개재되어 그들 사이의 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다.” （...在所述第二接触插塞134b的第三导电图案118b的侧面与所述第二栅极电极104b的侧面之间，不仅介入有第二间隔物106b，还介入有第一蚀刻停止膜110，可以提高它们之间的电可靠性。） | 对比文件公开的第二接触插塞134b（由第二/第四导电图案构成）电耦合至第二有源触点（第二杂质区域108b）。同时，[0067]明确指出，在该接触插塞的侧面与第二栅极电极（有源栅极）侧面之间，存在第一蚀刻停止膜110（以及间隔物）。该蚀刻停止膜位于侧壁，起到隔离、提高电可靠性的作用，相当于目标专利中的“第二隔离层”。因此，对比文件隐含公开了“第二堆叠式触点电耦合至第二有源触点，且侧壁有隔离层将其与有源栅极电隔离”的技术方案。 |
| **技术特征O**：以及电耦合至所述有源栅极且和所述第二堆叠式触点自对齐的第二通孔。《未公开》 | 对比文件中，对于第二晶体管TR2的第二栅极电极104b，没有描述存在一个电耦合至它的“第二通孔”。第二接触插塞134b仅连接到第二杂质区域，并未连接到第二栅极电极104b（参见图3f）。 | 目标专利要求存在一个电耦合至有源栅极，并且与第二堆叠式触点自对齐的第二通孔。对比文件未公开任何连接到第二栅极电极104b的通孔结构。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出存在这样的第二通孔，更不用说其与第二堆叠式触点的自对齐关系。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述器件被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。《直接公开》 | [0069] “...메모리 카드(300)에 응용될 수 있다.” （...可以应用于存储卡300。）<br>[0073] “...정보 처리 시스템(400)은 모바일 기기나 컴퓨터 등을 포함할 수 있다.” （...信息处理系统400可以包括移动设备或计算机等。）<br>[0074] “...카메라 이미지 프로세서(Camera Image Sensor) 및 그 밖의 응용 칩셋(Application Chipset)으로 제공될 수 있다.” （...可以提供为相机图像传感器及其他应用芯片组。） | 对比文件明确公开了其半导体器件可以应用于存储卡、信息处理系统、移动设备（모바일 기기）、计算机等。这些应用实例覆盖了目标专利权利要求中列举的移动电话、计算机、手持式PCS单元等设备类型。本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了将所述半导体器件集成到所述各类电子设备中的技术方案。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
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