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对比文件列表
2006-03-02_发明申请_US20060046681A1 High frequency wireless receiver circuits and methods_+++A_C_D_Q_b_e_k_m_p+++.docx
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2006-05-11_发明申请_US20060097792A1 Variable gain amplifier_+++A_c_k+++.docx
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2006-05-17_发明公开_CN1773844A 可变增益放大器_+++A_b_c_k+++.docx
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2007-04-19_发明专利_JP2007104141A Variable gain circuit_+++A_B_C+++.docx
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2008-09-11_发明专利_JP2008211535A Amplifying circuit, receiver, and ic for receiver_+++A_B_C_D_E_K_P_j+++.docx
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2009-04-30_发明申请_US20090108943A1 LOW NOISE AMPLIFIER_+++A+++.docx
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2010-01-28_发明申请_US20100019848A1 Complementary Low Noise Transductor with Active Single Ended to Differential Signal Conversion_+++A_D_e_k_q_r+++.docx
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2010-03-02_发明授权_US07671686B2 Low noise amplifier_+++A+++.docx
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2010-06-01_发明授权_US07729672B2 Dynamic bias control in power amplifier_+++A_D_K_P_e_l+++.docx
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2010-09-09_发明专利_JP2010199840A Variable gain amplifier_+++A+++.docx
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2010-12-08_发明公开_CN101908863A 可编程增益MOS放大器_+++A_B_C+++.docx
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2011-03-17_发明申请_US20110063032A1 BALUN AMPLIFIER_+++A_D_Q_R+++.docx
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2011-04-01_发明专利_TW201112618A 單端輸入差動輸出的放大器 BALUN AMPLIFIER_+++A_D_G_I_Q_R_s+++.docx
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2011-05-12_发明申请_US20110109389A1 AMPLIFIER CIRCUIT, INTEGRATED CIRCUIT AND RADIO FREQUENCY COMMUNICATION UNIT_+++A_F_G_b_c+++.docx
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2012-08-08_发明授权_CN101908863B 可编程增益MOS放大器_+++A_C_K_b+++.docx
2026-02-23 21:23
2013-06-04_发明授权_US08456237B2 Low noise variable gain amplifier utilizing variable feedback techniques with constant input_output impedance_+++A+++.docx
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2013-07-04_发明申请_WO2013100463A1 APPARATUS AND METHOD FOR GAIN OF DRIVER AMPLIFIER EXPONENTIAL VARIABLE IN WIRELESS TRANSMITTER_+++A_C_b+++.docx
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2013-11-05_发明授权_US08577325B2 Low noise amplifier having both ultra-high linearity and low noise characteristic and radio receiver including the same_+++A_D_F_H_g_i+++.docx
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2014-06-19_发明申请_US20140171005A1 LOW-NOISE TIA-TO-ADC INTERFACE WITH A WIDE-RANGE OF PASSIVE GAIN CONTROL_+++A_F_g+++.docx
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2014-07-24_发明申请_WO2014113417A2 AMPLIFIER WITH SWITCHABLE COMMON GATE GAIN BUFFER_+++A+++.docx
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2014-07-24_发明申请_WO2014113417A3 AMPLIFIER WITH SWITCHABLE COMMON GATE GAIN BUFFER_+++A_C_D_K_b_e_q+++.docx
2026-02-23 21:23
2015-09-23_发明公开_CN104937842A 具有可切换共栅增益缓冲器的放大器_+++A_g_k+++.docx
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2015-10-01_发明公开_KR1020150109395A 스위칭가능한 공통 게이트 이득 버퍼를 갖춘 증폭기_+++A_D_E_K+++.docx
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2006-05-17_发明公开_CN1773844A 可变增益放大器_+++A_b_c_k+++.docx

对比文件名称:2006-05-17_发明公开_CN1773844A 可变增益放大器

目标专利名称:173互补共栅和共源放大器中的增益控制CN107005202B

模型名称:DeepSeek-R1

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A《直接公开》说明书第[0035]段:“共阴共栅放大器放大单元200包括共源极放大单元210和可变增益确定单元220。...共源极放大单元210包括单个NMOS晶体管NM1...NMOS晶体管NM1的栅极连接到节点A以接收将被放大的信号。...NMOS晶体管NM1的源极接地,其漏极连接到构成可变增益确定单元220的NMOS晶体管NM2、NM3…和NMi的源极。”对比文件公开了一个放大器级(共源极放大单元210),其被配置为接收输入端口In处的输入信号(通过节点A)并进行放大,其输出(NM1的漏极电流)是后续放大的基础,可视为生成第一放大信号。该放大器级在对比文件中作为放大电路的第一级,其作用与目标专利中“第一放大器级”用于放大输入信号的作用相同。因此,本领域技术人员能毫无疑义地得出对比文件公开了技术特征A。
技术特征B《隐含公开》说明书第[0035]段:“可变增益确定单元220包括:NMOS晶体管NM2至NMi,它们共同连接到NMOS晶体管NM1的漏极;多个开关S2、S3…和Si,分别连接到NMOS晶体管NM2至NMi的栅极。” 图3示出了该结构。目标专利的“电流转向器”本质是通过控制多个并联路径的导通状态,来改变流向输出节点的电流比例,从而控制增益。对比文件的可变增益确定单元220包含多个并联的晶体管(NM2-NMi),并通过开关(S2-Si)选择性地控制这些晶体管的导通。当某个晶体管导通时,来自前级NM1的电流会流经该晶体管,这实质上构成了对前级输出电流的选择性“转向”或分配路径。虽然对比文件未明确使用“电流转向器”一词,但其结构(多个并联的受控开关晶体管连接在前级输出节点之后)所实现的功能(通过选择导通路径来影响增益)与本领域技术人员所理解的“电流转向器”的功能实质相同。因此,可以合理推断对比文件隐含公开了技术特征B。
技术特征C《隐含公开》说明书第[0036]段:“开关S2至Si连接到第二偏压Bias2,并且接通/断开以控制NMOS晶体管NM2至NMi的导通/截止操作。...在可变增益确定单元220的一级的放大增益根据晶体管NM2至NMi中哪个被导通而改变。” 说明书第[0038]段:“首先由NMOS晶体管 NM1放大的信号被输出为NMOS晶体管NM1的漏电流。放大的信号其次由可变增益确定单元220的NMOS晶体管NM2至NMi中处于导通状态的一个放大。”目标专利中“选择性地将第一电流转向以设置所述第一放大器级的增益”描述了电流转向器的功能。在对比文件中,来自第一级NM1的漏极电流(即“第一电流”)流至可变增益确定单元220的公共源极节点。通过开关S2-Si选择性地导通NM2-NMi中的不同晶体管,实质上是将来自NM1的电流“选择性地转向”至不同增益特性的放大路径(由不同晶体管提供)。这种选择性导通的直接结果就是改变了整体放大级的增益,如说明书第[0036]段所述。因此,本领域技术人员能够从对比文件公开的“通过开关选择不同晶体管导通以改变增益”的方案中,合理推断出“选择性地将第一电流转向以设置增益”这一技术特征,故判断为隐含公开。
技术特征D《未公开》对比文件全文未公开与“第一放大器级”并列的、同样从输入端子接收信号并生成第二放大信号的“第二放大器级”。图3、5、9、10等实施例均仅包含一个主放大通路(单端或差分)。目标专利要求两个独立的放大器级(共栅和共源)分别对同一输入信号进行放大,生成两个输出信号。对比文件公开的放大器(如图3共源-共栅结构,或图9的共源-共栅结构)是一个整体放大器级,其内部虽有共源和共栅晶体管,但它们串联工作,共同完成一次放大,输出一个信号。对比文件没有公开一个独立的、与第一放大器级(对比文件中的共源级)并联设置的、从同一输入点接收信号并独立生成另一个放大信号的“第二放大器级”。因此,该技术特征既未被直接公开,也无法从对比文件的内容中合理推断得出。
技术特征E《未公开》参见技术特征D的论述。由于对比文件未公开独立的“第二放大器级”,因此自然也谈不上为该级设置“增益控制电路”。该技术特征依赖于技术特征D的成立。鉴于技术特征D未被公开,技术特征E也未被公开。
技术特征F《未公开》对比文件图3、9等公开的放大器第一级均为NMOS或PMOS晶体管构成的共源放大器(如NM1),并非由PMOS和NMOS晶体管对构成的“互补共栅放大器”。目标专利的“互补共栅放大器”特指采用PMOS和NMOS晶体管对构成的特定结构(如图3中的308、314等)。对比文件公开的放大器第一级是单种极性晶体管(NMOS)的共源放大器。二者在电路结构上存在本质区别。因此,该技术特征未被公开。
技术特征G《未公开》参见技术特征F的论述。由于“互补共栅放大器”这一结构未被公开,其生成“非反相信号”的特性也未被公开。虽然共源-共栅结构整体通常为非反相,但该特性未被明确记载,且是基于不同结构得出的。该技术特征是对“互补共栅放大器”输出特性的描述。由于作为主体的“互补共栅放大器”结构(特征F)未被对比文件公开,因此其特定的输出特性“生成相对于所述输入信号非反相的所述第一放大信号”也未被公开。
技术特征H《未公开》对比文件全文未公开由PMOS和NMOS晶体管对构成的“互补共源放大器”。目标专利的“互补共源放大器”是另一个由PMOS和NMOS晶体管对构成的特定结构(如图3中的340、346等)。对比文件未公开此结构。因此,该技术特征未被公开。
技术特征I《未公开》参见技术特征H的论述。由于“互补共源放大器”这一结构未被公开,其生成“反相信号”的特性也未被公开。该技术特征是对“互补共源放大器”输出特性的描述。由于作为主体的“互补共源放大器”结构(特征H)未被对比文件公开,因此其特定的输出特性“生成相对于所述输入信号反相的所述第二放大信号”也未被公开。
技术特征J《未公开》对比文件未公开如目标专利图7中电流切削器704或图10中电流转向器1000那样的、由“互补共源共栅晶体管的并联支路”构成的增益控制电路。目标专利的该特征非常具体,限定了增益控制电路由“互补共源共栅晶体管的并联支路”构成。对比文件中的增益控制部分(如可变增益确定单元220)由简单的NMOS晶体管和开关构成,并非“共源共栅”结构,也非“互补”型。因此,该技术特征未被公开。
技术特征K《隐含公开》说明书第[0035]段:“多个开关S2、S3…和Si,分别连接到NMOS晶体管NM2至NMi的栅极。” 说明书第[0036]段:“开关S2至Si连接到第二偏压Bias2,并且接通/断开以控制NMOS晶体管NM2至NMi的导通/截止操作。” 说明书第[0035]段还提及“开关控制单元(未显示)”。目标专利的“控制器”输出控制信号以设置增益。对比文件明确提到了“开关控制单元(未显示)”,并且其开关S2-Si接收控制信号以导通/截止晶体管NM2-NMi,从而改变增益(如特征C所述)。虽然对比文件仅涉及对一个放大器级(其整体)的增益控制,而目标专利要求控制两个级,但“输出控制信号以控制…设置…增益”这一基本控制概念是对比文件明确公开的。基于宽松的隐含公开判断标准,可以认为对比文件隐含公开了“控制器输出控制信号设置增益”这一上位概念。但需注意,对比文件控制的范围(单个放大器级)小于目标专利(两个放大器级)。
技术特征L《未公开》对比文件未公开将电流转向到“形成AC接地的节点”以设置增益的具体机制,也未公开如技术特征J所述的“互补共源共栅晶体管的并联支路”。该技术特征包含了两个非常具体的控制动作:1) 控制电流转向到AC接地节点;2) 控制互补共源共栅晶体管并联支路的使能。对比文件既未公开AC接地节点在增益控制中的作用(其电容器C1用于使共栅晶体管AC接地,但与增益控制开关无关),也未公开“互补共源共栅晶体管的并联支路”。因此,该技术特征未被公开。
技术特征M《未公开》参见技术特征D、E的论述。对比文件未公开独立的“第二放大器级”,因此也不存在为其设置的“第二电流转向器”。该技术特征依赖于独立的第二放大器级及其增益控制电路的存在。鉴于这些前提特征均未被公开,技术特征M也未被公开。
技术特征N《未公开》对比文件未公开两个电流转向器,也未公开两者将电流转向到同一个“形成AC信号接地”的节点。该技术特征描述了两个电流转向器共同作用于一个AC接地节点的具体架构。对比文件仅有一个增益控制单元(可变增益确定单元220),且其输出节点(晶体管漏极连接点)连接到输出匹配电路和电源,并非专门的AC信号接地节点。因此,该技术特征未被公开。
技术特征O《未公开》对比文件图3中虽有电容器C1连接在共栅晶体管(对应NM2-NMi的栅极?实际上C1连接在NM2-NMi的源极?译文存在歧义,通常C1连接在共栅管栅极)与地之间用于AC接地,但未描述如目标专利中两个电流在节点相反方向流动导致第三电流等具体电流关系。该技术特征描述了非常具体的电流节点关系:第一、第二电流在节点处反向流动,导致一个更小的第三电流流入接地电容。对比文件完全没有公开这样的电流交互关系和设计细节。因此,该技术特征未被公开。
技术特征P《未公开》参见技术特征M、N的论述。对比文件未公开需要被控制的“第二电流转向器”。该技术特征要求控制器同时控制两个电流转向器。对比文件仅有一个增益控制单元(可变增益确定单元220),可被视为一个“电流转向器”(如特征B、C所述),但不存在“第二电流转向器”。因此,控制器控制“第二电流转向器”这一内容未被公开。
技术特征Q《未公开》对比文件未公开用于接收两个放大信号并将其合并为差分信号的“累积电路”。其输出匹配单元(如图3的300)仅进行阻抗变换和单端输出。目标专利的“累积电路”(如变压器352)用于将第一、第二放大信号组合成差分输出。对比文件的放大器输出是单端的(图3)或本身就是差分的(图5、10),无需额外的信号累积电路。因此,该技术特征未被公开。
技术特征R《未公开》对比文件未公开“累积电路”,因此也未公开该电路中包含的“偏置信号发生器”。对比文件中的偏置由独立的偏压源Bias1、Bias2提供。该技术特征依赖于技术特征Q的成立。鉴于“累积电路”未被公开,其内部包含的“偏置信号发生器”也未被公开。
技术特征S《未公开》对比文件未公开包含变压器和中心抽头的“累积电路”。该技术特征具体限定了累积电路采用变压器结构并有中心抽头输出共模电压。对比文件完全没有公开这样的电路结构。因此,该技术特征未被公开。

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