对比文件名称：2014-06-04_JP5509389B_发明专利_JP5509389B2 Parasitic circuit for device protection
目标专利名称：用于异相场减轻的方法和装置CN107534321B
本次调用的模型名称：gpt-4o
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括第一线圈，具有至少一个环路，所述至少一个环路在所述至少一个环路的边界内部形成内部区域并且在所述至少一个环路的边界外部形成外部区域。<br>**《未公开》** | 对比文件未明确描述具有“内部区域”和“外部区域”划分的第一线圈结构。其涉及线圈（例如图7的线圈704），但该线圈是用于设备保护的“寄生线圈”，并非作为生成主要充电磁场的第一线圈。对比文件中作为电力发射源的“送信アンテナ”（发射天线）[图1， 114； 图2， 114； 图4， 204] 也未明确描述其具有边界并据此划分内部和外部区域。 | 目标专利中的“第一线圈”特指无线电力发射线圈（如说明书[0048]、图7的710），其“内部区域”和“外部区域”是基于线圈环路的物理边界定义的磁场相位特性区域（参见说明书[0070]-[0071]）。对比文件中的发射天线用于生成无线充电场（如[0029]段），但并未揭示或暗示该发射天线产生的磁场存在基于线圈边界划分的、具有不同相位的内部和外部区域。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出该特定结构划分。 |
| **技术特征B**：所述第一线圈被配置为生成用于对无线电力设备充电或供电的第一交变磁场。<br>**《直接公开》** | “[0029] ...送信器200は、送信回路網202および送信アンテナ204を含む。一般に、送信回路網202は、発振信号を提供することにより、送信アンテナ204にRF電力を提供可能であり、その結果、送信アンテナ204の周辺に近距離場エネルギーが発生する。”（...发射器200包括发射电路202和发射天线204。通常，发射电路202通过提供振荡信号可以向发射天线204提供RF电力，从而在发射天线204周围产生近场能量。）<br>“[0036] ...送信アンテナ204は、充電区域内の受信デバイスに、そのデバイスを充電または給電するのに十分な電力レベルで電力を送信するように構成され得る。”（...发射天线204可以被配置为以足以对充电区域内的接收设备充电或供电的电力水平向该设备发射电力。） | 对比文件明确公开了发射天线（送信アンテナ204）被配置为生成用于对设备充电或供电的场（近场能量）。该场是交变的（由振荡信号驱动）。这与目标专利中第一线圈（电力发射线圈）的功能和作用完全相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征C**：所述第一交变磁场具有在所述内部区域中的具有第一相位的第一磁场分量，所述第一交变磁场还具有在所述外部区域中的具有第二相位的第二磁场分量，并且所述第二相位不同于所述第一相位。<br>**《未公开》** | 对比文件未描述由发射线圈产生的磁场存在基于线圈边界划分的、相位不同的内部和外部区域分量。 | 该技术特征定义了目标专利要解决的核心问题——异相场（反相场）的存在（参见说明书[0070]-[0071]，图7）。对比文件虽然涉及磁场（例如[0047]段描述外部生成的磁场），但完全没有提及磁场相位在发射线圈内部和外部区域的差异，也没有提及“反相场”（antiphase field）的概念。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出该特定的磁场相位分布特征。 |
| **技术特征D**：以及第二线圈，其围绕所述第一线圈的周界的至少一部分。<br>**《隐含公开》** | “[0047] ...寄生コイル856は、磁場からの遮蔽が望まれる領域860(例えば、LCD画面またはタッチ画面)の近傍にあり得る。”（...寄生线圈856可以位于希望屏蔽磁场的区域860（例如LCD屏幕或触摸屏）附近。）<br>图11显示了寄生线圈856位于设备840的受保护区域860附近。虽然图中未明确显示第一线圈（发射天线），但根据上下文，该寄生线圈用于对抗外部生成的磁场850，该磁场850源自无线电力发射器。 | 对比文件公开了用于产生对抗场的“第二线圈”（寄生线圈856）。虽然图11未直接显示其围绕发射线圈（第一线圈）的周界，但其作用位置（设备上需要屏蔽的区域附近）在功能上对应于目标专利中需要被保护的无线电力设备可能放置的区域。考虑到目标专利中第二线圈（补偿线圈）的目的也是放置在发射线圈周界附近以影响其外部磁场（参见说明书[0077]，图9），本领域技术人员基于对比文件公开的“在需要屏蔽的区域附近设置对抗线圈”这一技术手段，有可能进行合理推断，将类似线圈布置在发射线圈的周界附近以实现类似功能（对抗外部场）。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征E**：所述第二线圈被配置为减小所述第二磁场分量的大小。<br>**《隐含公开》** | “[0047] ...寄生コイル856は、磁場850に対抗する(参照番号852により示す)磁場を発生可能である。”（...寄生线圈856可以产生对抗（由参考标号852表示）磁场850的磁场。）<br>“[0034] ...レンツの法則により、外部の磁場により励起される受信コイルの付近の範囲内に置かれる、任意の非同調の短絡した寄生コイルは、外部で励起された磁場に対抗する磁場電流を発生させることになる。その結果、短絡した寄生コイルは、その近傍の磁場での無の状態を生成可能である。”（...根据楞次定律，放置在受接收线圈附近范围内、由外部磁场激发的任何非调谐的短路寄生线圈将产生对抗外部激发磁场的磁场电流。结果，短路寄生线圈可以在其附近产生磁场为零的状态。） | 对比文件明确公开了第二线圈（寄生线圈）被配置为生成对抗外部磁场的磁场，从而在其附近产生“零状态”，这实质上就是减小了该区域原有磁场的大小。虽然目标专利中要减小的对象是特指的“第二磁场分量”（异相场），而对比文件是针对“外部磁场”的整体，但两者在“使用第二线圈生成对抗场以减小特定区域原有磁场大小”这一技术手段和作用原理上是相同的。本领域技术人员可以从对比文件公开的“产生对抗磁场以减小/抵消局部磁场”这一技术教导中，合理推断出该手段可用于减小目标专利中所述的第二磁场分量。 |
| **技术特征F**：其中所述第一线圈限定第一xy平面，并且其中所述第二线圈包括在第二xy平面中的从所述第一xy平面偏移的单个导线环路。<br>**《未公开》** | 对比文件未描述第一线圈和第二线圈之间存在xy平面的定义以及偏移关系。图11中的寄生线圈856与受保护区域（可能对应接收设备）在同一设备上，其与发射线圈（第一线圈）的空间位置关系未明确。 | 该技术特征限定了第一线圈和第二线圈之间具体的空间位置关系（不同平面且偏移）。对比文件完全没有涉及线圈之间这种特定的空间布置关系。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出该具体结构特征。 |
| **技术特征G**：其中所述第二线圈被配置为生成对抗所述第二磁场分量的第二交变磁场以便减小所述第二磁场分量的大小。<br>**《隐含公开》** | 同技术特征E的引用。<br>“[0047] ...寄生コイル856は、磁場850に対抗する...磁場を発生可能である。” | 该技术特征是对技术特征E的进一步具体化，明确第二线圈通过生成对抗场来减小目标场。对比文件已公开第二线圈（寄生线圈）生成对抗外部磁场（磁场850）的磁场（磁场852）。虽然目标专利中对抗的对象是特定的“第二磁场分量”，但技术手段完全相同。因此，基于与技术特征E相同的理由，本领域技术人员有可能合理推断出该特征。 |
| **技术特征H**：其中所述第二交变磁场响应于电流流过所述第二线圈而被生成，所述电流响应于在所述第二线圈中感生的电压而流动，所述电压基于所述第一交变磁场而被感生。<br>**《隐含公开》** | “[0034] ...レンツの法則により、外部の磁場により励起される受信コイルの付近の範囲内に置かれる、任意の非同調の短絡した寄生コイルは、外部で励起された磁場に対抗する磁場電流を発生させることになる。”<br>（根据楞次定律，放置在受接收线圈附近范围内、由外部磁场激发的任何非调谐的短路寄生线圈将产生对抗外部激发磁场的磁场电流。） | 对比文件明确说明了寄生线圈中对抗磁场的电流是由“外部磁场”激发的。根据电磁感应基本原理，外部变化磁场（即第一交变磁场）会在闭合线圈中感生电压，从而驱动电流流动。因此，对比文件隐含公开了第二线圈中的电流及其产生的对抗场是基于第一交变磁场感生而来的。本领域技术人员能够从对比文件的描述中合理推断出这一工作原理。 |
| **技术特征I**：还包括第一谐振电路，包括所述第一线圈并且被配置为以谐振频率谐振。<br>**《直接公开》** | “[0029] ...送信アンテナは、一般に、結合効率を向上させるために、共振長のものである。”（...发射天线通常是谐振长度的，以提高耦合效率。）<br>“[0031] ループまたは磁気アンテナの共振周波数は、インダクタンスおよびキャパシタンスに基づく。...コンデンサ152およびコンデンサ154を、共振信号156を発生させる共振回路を生成するために、アンテナに付加することができる。”（环路或磁性天线的谐振频率基于电感和电容。...电容器152和154可以添加到天线，以产生生成谐振信号156的谐振电路。） | 对比文件明确公开了发射天线（第一线圈）通常为谐振长度以提高效率，并且可以通过添加电容器形成谐振电路以在特定频率谐振。这直接对应于目标专利中包括第一线圈的第一谐振电路。 |
| **技术特征J**：以及第二谐振电路，包括所述第二线圈并且被配置为实质上以所述第一谐振电路的谐振频率谐振。<br>**《未公开》** | 对比文件中的寄生线圈856被描述为“非同調の短絡した寄生コイル”（非调谐的短路寄生线圈）[0034]，或通过电路706在特定频率下呈现低阻抗（如6.78MHz）[0041]。但并未公开其构成一个被配置为以发射天线谐振频率谐振的“谐振电路”。其作用机理是呈现低阻抗（短路），而非以谐振方式工作。 | 目标专利中的第二线圈与调谐电容器形成谐振电路，并被驱动或以谐振频率工作（参见说明书[0079]-[0080]）。对比文件中的寄生线圈工作方式不同，它被设计为在特定频率下呈现低阻抗（短路）以产生对抗场，而不是作为一个谐振电路被调谐到与第一线圈相同的频率。本领域技术人员无法从对比文件得出或推断出第二线圈构成谐振电路并与第一线圈同频谐振的技术方案。 |
| **技术特征K**：78MHz。<br>**《直接公开》** | “[0023] 発振器は、調整信号123に応答して調整可能である、468.75KHz、6.78MHzまたは13.56MHzなどの所望の周波数で信号を発生させるように構成される。”（振荡器被配置为生成信号，该信号以例如468.75KHz、6.78MHz或13.56MHz等期望频率生成，并可响应于调整信号123进行调整。） | 对比文件明确将6.78MHz列举为无线电力传输的期望操作频率之一。这直接公开了谐振频率可以为6.78MHz。 |
| **技术特征L**：其中所述第二线圈电耦合到驱动电路，所述驱动电路被配置为利用信号来操作地驱动所述第二线圈以减小所述第二磁场分量的大小。<br>**《未公开》** | 对比文件中的寄生线圈856是“短絡した”（短路的）[0034]，或通过无源电路706耦合[0041]。未提及有驱动电路主动地利用信号来驱动该线圈。其工作依赖于外部磁场感生的电流。 | 目标专利中的第二线圈可以通过驱动电路主动驱动（参见说明书[0080]）。对比文件中的寄生线圈是被动工作的（基于感应），没有公开任何主动驱动电路。本领域技术人员无法从对比文件得出或推断出该特征。 |
| **技术特征M**：其中所述驱动电路进一步被配置为利用包括所述第二线圈的谐振电路的谐振频率的所述信号来操作地驱动所述第二线圈，所述谐振电路被配置为以所述谐振频率谐振。<br>**《未公开》** | 同技术特征L和J的理由。对比文件既未公开驱动电路驱动第二线圈，也未公开第二线圈构成谐振电路。 | 该特征涉及驱动电路以谐振频率驱动谐振电路形式的第二线圈。对比文件均未公开这些要素及其组合。 |
| **技术特征N**：还包括控制器，被配置为确定指示所述无线电力设备的接收线圈处的电压的信息，其中所述驱动电路被配置为基于确定的所述信息来生成用于操作地驱动所述第二线圈的所述信号。<br>**《未公开》** | 对比文件虽然包含控制器214（プロセッサ），但其功能涉及调整发射功率、检测负载等（参见[0030]-[0032]），并未公开该控制器被配置为确定接收线圈处的电压信息，并据此生成用于驱动第二线圈（寄生线圈）的信号。 | 该特征涉及一个基于反馈（接收线圈电压）的闭环控制系统，用于控制第二线圈的驱动。对比文件完全没有公开这样的系统。 |
| **技术特征O**：还包括位于所述外部区域中的多个线圈，所述多个线圈被配置为减小所述第二磁场分量的大小并且包括所述第二线圈。<br>**《未公开》** | 对比文件图11显示了一个寄生线圈856。说明书未提及使用多个此类线圈来共同减小磁场。 | 目标专利中公开了使用多个外部线圈的方案（如说明书[0087]，图11a）。对比文件仅公开了单个寄生线圈用于局部保护，没有给出使用多个线圈的教导或启示。本领域技术人员无法合理推断出该特征。 |
| **技术特征P**：还包括控制器，被配置为：基于所述无线电力设备与所述多个线圈的至少一部分的耦合来确定所述无线电力设备的位置，以及部分地基于确定的所述位置来选择性地激活所述多个线圈中的一个或多个线圈，以减小所述第二磁场分量的大小。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开基于设备与多个线圈的耦合来确定设备位置，也未公开根据位置选择性地激活多个线圈。 | 该特征涉及一个复杂的基于位置检测的选择性激活控制系统。对比文件完全没有相关描述。 |
| **技术特征Q**：其中所述第二磁场分量包括反相场。<br>**《未公开》** | 对比文件未提及“反相场”（antiphase field）或磁场相位在空间上的反转。 | “反相场”是目标专利中定义的特定现象（参见说明书[0070]）。对比文件未公开任何关于磁场相位反转或“反相场”的内容。 |
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