好的，作为一名专利创造性评估经验丰富的资深专利代理师，我将严格遵循您提供的评估框架，对目标专利CN107534321B的权利要求技术特征与对比文件JP2010283777A5进行比对。
**对比文件名称：** 2010-12-16_JP2010283777A5
**目标专利名称：** CN107534321B 用于异相场减轻的方法和装置
**本次调用的模型名称：** DeepSeek最新版本模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A《直接公开》**<br>第一线圈，具有至少一个环路，所述至少一个环路在所述至少一个环路的边界内部形成内部区域并且在所述至少一个环路的边界外部形成外部区域 | 【说明书】[0005] “送電コイル１３は、電力伝送用の磁界を発生する。”<br>【附图说明】图1、图2明确示出了送电线圈（主线圈）13是一个环路结构。 | 对比文件明确公开了“送電コイル１３”（第一线圈），并且附图显示了其具有环路结构。根据电磁学基本原理及本领域技术人员的公知常识，一个线圈环路必然在物理上界定出一个内部区域（环路所包围的区域）和一个外部区域（环路之外的空间）。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件的送电线圈13具有形成内部区域和外部区域的环路结构。该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征B《直接公开》**<br>所述第一线圈被配置为生成用于对无线电力设备充电或供电的第一交变磁场 | 【说明书】[0005] “送電コイル１３は、電力伝送用の磁界を発生する。”<br>（送电线圈13产生用于电力传输的磁场。）<br>[0008] “送電コイル１３に高周波電流を流すことによって、送電コイル１３の周囲に磁界が形成される。”<br>（通过使高频电流流过送电线圈13，在送电线圈13周围形成磁场。） | 对比文件明确指出送电线圈13用于产生“电力传输用”的磁场，并且是通过流过“高频电流”来实现的。“高频电流”意味着电流方向周期性变化，因此产生的磁场是交变磁场。该磁场用于电力传输，其目的必然包含对无线电力设备（接收器）充电或供电。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C《未公开》**<br>所述第一交变磁场具有在所述内部区域中的具有第一相位的第一磁场分量，所述第一交变磁场还具有在所述外部区域中的具有第二相位的第二磁场分量，并且所述第二相位不同于所述第一相位 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件通篇未提及由送电线圈13产生的磁场存在相位差异，更没有区分内部区域和外部区域的磁场相位。目标专利说明书[0070]-[0071]段详细描述了此“异相场”现象（如附图7中的区域752a/b），并指出这是其要解决的技术问题。对比文件关注的是不同频率间的干扰抑制（例如[0006]段），完全不涉及同一磁场在空间不同区域的相位分布问题。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征D《直接公开》**<br>以及第二线圈，其围绕所述第一线圈的周界的至少一部分 | 【说明书】[0005] “補助コイル１４は、送電コイル１３の外周部に設けられ、特定の周波数の磁界を抑制する。”<br>（辅助线圈14设置在送电线圈13的外周部，抑制特定频率的磁场。）<br>【附图说明】图1、图2明确示出辅助线圈14环绕在送电线圈13的周围。 | 对比文件明确公开了“補助コイル１４”（第二线圈），并说明其“设置在送电线圈13的外周部”。附图也清晰显示辅助线圈14的环路结构完全包围了送电线圈13，即围绕了其整个周界。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征E《直接公开》**<br>所述第二线圈被配置为减小所述第二磁场分量的大小 | 【说明书】[0005] “補助コイル１４は、送電コイル１３の外周部に設けられ、特定の周波数の磁界を抑制する。”<br>（辅助线圈14设置在送电线圈13的外周部，抑制特定频率的磁场。） | 对比文件明确记载辅助线圈14的功能是“抑制特定频率的磁场”。“抑制”必然导致该被抑制的磁场分量的大小（强度）减小。虽然对比文件中“抑制”的对象是“特定频率的磁场”，而目标专利中是“第二磁场分量”，但“减小磁场大小”这一功能本身已被直接公开。两者作用都是通过第二线圈来减小某个不期望的磁场分量。 |
| **技术特征F《直接公开》**<br>其中所述第一线圈限定第一xy平面，并且其中所述第二线圈包括在第二xy平面中的从所述第一xy平面偏移的单个导线环路 | 【说明书】[0011] “図２に示すように、補助コイル１４は、送電コイル１３とは異なる平面に配置されている。”<br>（如图2所示，辅助线圈14配置在与送电线圈13不同的平面上。）<br>【附图说明】图2的侧视图明确显示辅助线圈14与送电线圈13在Z轴方向上是错开的，即位于不同的平行平面内。 | 对比文件明确指出辅助线圈14与送电线圈13处于“不同的平面”。结合图2，本领域技术人员能够毫无疑义地理解，送电线圈13所在的平面可视为第一xy平面，辅助线圈14所在的平面可视为第二xy平面，且两者在垂直方向（Z轴）上存在偏移。同时，附图显示辅助线圈14是一个导线环路。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征G《直接公开》**<br>其中所述第二线圈被配置为生成对抗所述第二磁场分量的第二交变磁场以便减小所述第二磁场分量的大小 | 【说明书】[0009] “この高調波磁界によって補助コイル１４に誘導電流が流れ、この誘導電流によって、高調波磁界を打ち消す方向の磁界が補助コイル１４から発生する。”<br>（该谐波磁场使感应电流在辅助线圈14中流动，该感应电流从辅助线圈14产生与谐波磁场抵消方向的磁场。） | 对比文件描述了辅助线圈14通过感应电流产生一个磁场，该磁场的方向是“与谐波磁场抵消的方向”。这里的“抵消”即意味着“对抗”。虽然对比文件中对抗的是“谐波磁场”，而目标专利中是“第二磁场分量”，但“生成对抗特定磁场分量的磁场以减小其大小”这一技术手段已被直接公开。两者作用原理相同：通过第二线圈产生一个反向磁场来抵消/对抗目标磁场。 |
| **技术特征H《隐含公开》**<br>其中所述第二交变磁场响应于电流流过所述第二线圈而被生成，所述电流响应于在所述第二线圈中感生的电压而流动，所述电压基于所述第一交变磁场而被感生 | 【说明书】[0008]-[0009] “送電コイル１３に高周波電流を流すことによって、送電コイル１３の周囲に磁界が形成される。...この磁界の一部が高調波磁界として補助コイル１４と結合すると、この高調波磁界によって補助コイル１４に誘導電流が流れ...”<br>（通过使高频电流流过送电线圈13，在送电线圈13周围形成磁场。...当该磁场的一部分作为谐波磁场与辅助线圈14耦合时，该谐波磁场使感应电流在辅助线圈14中流动...） | 对比文件明确记载了：1）送电线圈13中流过高频电流产生磁场（即第一交变磁场）；2）该磁场的一部分（谐波磁场）与辅助线圈14耦合；3）该耦合在辅助线圈14中产生感应电流；4）该感应电流产生抵消磁场（即第二交变磁场）。根据电磁感应定律（法拉第定律），变化的磁场（第一交变磁场的一部分）会在闭合线圈（辅助线圈14）中感生出电动势（电压），从而驱动电流。因此，对比文件虽未明确提及“电压”一词，但已完整披露了“第一交变磁场→耦合→在第二线圈中感生电流→生成第二交变磁场”的因果链。本领域技术人员阅读对比文件后，能够毫无困难地推导出其中隐含了“电压基于第一交变磁场而被感生”这一环节。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征I《直接公开》**<br>还包括：第一谐振电路，包括所述第一线圈并且被配置为以谐振频率谐振 | 【说明书】[0005] “送電コイル１３と、これに直列に接続されたコンデンサ１５とにより、共振回路が構成される。”<br>（由送电线圈13和与其串联连接的电容器15构成谐振电路。）<br>[0010] “この共振回路は、送電コイル１３に流れる電流の周波数で共振するように設定されている。”<br>（该谐振电路被设置为在流过送电线圈13的电流频率下谐振。） | 对比文件明确指出，送电线圈13与串联的电容器15构成了一个谐振电路（即第一谐振电路），并且该电路被设置为在特定频率（谐振频率）下谐振。因此，技术特征I被直接公开。 |
| **技术特征J《直接公开》**<br>以及第二谐振电路，包括所述第二线圈并且被配置为实质上以所述第一谐振电路的谐振频率谐振 | 【说明书】[0005] “補助コイル１４と、これに直列に接続されたコンデンサ１６とにより、共振回路が構成される。”<br>（由辅助线圈14和与其串联连接的电容器16构成谐振电路。）<br>[0010] “また、補助コイル１４とコンデンサ１６からなる共振回路も、高調波の周波数で共振するように設定されている。”<br>（此外，由辅助线圈14和电容器16构成的谐振电路也被设置为在谐波频率下谐振。）<br>[0008] “高調波磁界は、送電コイル１３に流れる電流の周波数とは異なる周波数を有する。”<br>（谐波磁场具有与流过送电线圈13的电流频率不同的频率。） | 对比文件明确公开了由辅助线圈14和电容器16构成的第二谐振电路。关键在于其谐振频率。对比文件指出，第一谐振电路在“流过送电线圈13的电流频率”（即基波频率f0）下谐振。而第二谐振电路被设置为在“谐波频率”下谐振，该谐波频率是“与流过送电线圈13的电流频率不同的频率”。因此，第二谐振电路的谐振频率（谐波频率）与第一谐振电路的谐振频率（基波频率f0）**不相同**。目标专利要求“实质上以所述第一谐振电路的谐振频率谐振”，意味着两个电路的谐振频率相同或非常接近。对比文件未公开此特征，且其技术目的（抑制特定谐波）决定了其频率设置与目标专利不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K《未公开》**<br>78MHz | 对比文件未记载任何具体的谐振频率数值。 | 对比文件全文未提及“6.78MHz”这一具体的频率值。该频率是无线充电领域的一个特定ISM频段，属于具体的技术选择，未被对比文件公开。 |
| **技术特征L《未公开》**<br>其中所述第二线圈电耦合到驱动电路，所述驱动电路被配置为利用信号来操作地驱动所述第二线圈以减小所述第二磁场分量的大小 | 【说明书】[0005] “制御部１７は、補助コイル１４に流れる電流を制御する。”<br>（控制部17控制流过辅助线圈14的电流。） | 对比文件提到了“控制部17”控制辅助线圈14的电流，这相当于一个驱动电路。但是，对比文件并未明确描述该驱动电路是“利用信号来操作地驱动”第二线圈。更重要的是，根据对比文件[0009]段的描述，辅助线圈14中的电流是由第一线圈产生的谐波磁场“感应”产生的（“この高調波磁界によって補助コイル１４に誘導電流が流れ”），控制部17的作用是“控制”这个感应电流（可能指调节其幅度或相位等），而不是主动提供一个独立的驱动信号来“操作地驱动”线圈。这与目标专利中可能通过驱动电路主动提供激励信号来驱动补偿线圈的工作模式存在区别。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征M《未公开》**<br>其中所述驱动电路进一步被配置为利用包括所述第二线圈的谐振电路的谐振频率的所述信号来操作地驱动所述第二线圈，所述谐振电路被配置为以所述谐振频率谐振 | 对比文件未记载相关内容。 | 如上文特征L所述，对比文件未公开“操作地驱动”这一方式。更进一步地，对比文件也完全没有公开驱动信号需包含谐振频率这一特征。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N《未公开》**<br>还包括：控制器，被配置为确定指示所述无线电力设备的接收线圈处的电压的信息，其中所述驱动电路被配置为基于确定的所述信息来生成用于操作地驱动所述第二线圈的所述信号 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件中的“控制部17”虽然控制辅助线圈的电流，但其控制依据并未被公开为“接收线圈处的电压信息”。对比文件要解决的是抑制特定频率干扰的问题，其控制逻辑很可能基于检测到的干扰频率或强度，而非目标专利中基于接收端电压来动态调整补偿的策略。该特征涉及一个具体的反馈控制架构，未被对比文件公开。 |
| **技术特征O《未公开》**<br>还包括：位于所述外部区域中的多个线圈，所述多个线圈被配置为减小所述第二磁场分量的大小并且包括所述第二线圈 | 对比文件仅公开了一个辅助线圈14。 | 对比文件的图1、图2及全文描述中，仅示出并描述了一个“補助コイル１４”。没有公开使用“多个线圈”来实施其功能。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征P《未公开》**<br>还包括：控制器，被配置为：基于所述无线电力设备与所述多个线圈的至少一部分的耦合来确定所述无线电力设备的位置，以及部分地基于确定的所述位置来选择性地激活所述多个线圈中的一个或多个线圈，以减小所述第二磁场分量的大小 | 对比文件未记载相关内容。 | 该特征涉及一个复杂的控制系统，包括基于耦合检测设备位置，并根据位置选择性地激活多个补偿线圈。对比文件仅有一个辅助线圈，且其控制目的（抑制固定频率干扰）与目标专利中针对异相场和接收设备位置的动态补偿完全不同。该特征未被公开。 |
| **技术特征Q《未公开》**<br>其中所述第二磁场分量包括反相场 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件从未描述其要抑制的“谐波磁场”或送电线圈产生的磁场具有“反相”特性。目标专利中的“反相场”特指与内部区域磁场相位相差约180度的特定空间磁场分量（见说明书[0070]段）。对比文件未涉及磁场相位的空间分布问题。因此，该技术特征未被公开。 |
### 总结与结论
根据以上比对分析：
- **直接公开**的技术特征有：A, B, D, E, F, G, I。
- **隐含公开**的技术特征有：H。
- **未公开**的技术特征有：C, J, K, L, M, N, O, P, Q。
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