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对比文件列表
2012-03-01_US2012050015A_发明申请_US20120050015A1 PARASITIC CIRCUIT FOR DEVICE PROTECTION_+++G_K_g_h_i_j+++ - 副本.docx
2026-02-23 21:27
2012-03-01_US2012050015A_发明申请_US20120050015A1 PARASITIC CIRCUIT FOR DEVICE PROTECTION_+++G_K_g_h_i_j+++.docx
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2012-03-01_WO2012027397A_发明申请_WO2012027397A1 PARASITIC CIRCUIT FOR DEVICE PROTECTION_+++K_a_d_h_i_j+++ - 副本.docx
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2012-03-01_WO2012027397A_发明申请_WO2012027397A1 PARASITIC CIRCUIT FOR DEVICE PROTECTION_+++K_a_d_h_i_j+++.docx
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2012-06-07_US2012139356A_发明申请_US20120139356A1 DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING WIRELESS POWER SIGNAL IN WIRELESS POWER TRANSMISSION DEVICE_+++B_I_L_j_m+++ - 副本.docx
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2012-06-07_US2012139356A_发明申请_US20120139356A1 DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING WIRELESS POWER SIGNAL IN WIRELESS POWER TRANSMISSION DEVICE_+++B_I_L_j_m+++.docx
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2013-07-03_EP2609687A_发明公开_EP2609687A1 PARASITIC CIRCUIT FOR DEVICE PROTECTION_+++B_E_G_I_K_a_d_f_h_j_o+++ - 副本.docx
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2013-07-03_EP2609687A_发明公开_EP2609687A1 PARASITIC CIRCUIT FOR DEVICE PROTECTION_+++B_E_G_I_K_a_d_f_h_j_o+++.docx
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2013-11-28_JP2013543161A_发明专利_JP2013543161A Parasitic circuit for device protection_+++A_G_H_K_e_i_j+++ - 副本.docx
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2013-11-28_JP2013543161A_发明专利_JP2013543161A Parasitic circuit for device protection_+++A_G_H_K_e_i_j+++.docx
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2013-12-30_KR1020130143016A_发明公开_KR1020130143016A 디바이스 보호용 기생 회로_+++a_b_d_e_g_h_i_j_k_q+++ - 副本.docx
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2013-12-30_KR1020130143016A_发明公开_KR1020130143016A 디바이스 보호용 기생 회로_+++a_b_d_e_g_h_i_j_k_q+++.docx
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2014-06-05_DE102013224964A_发明专利_DE102013224964A1 Intelligentes NFC-Antennenanpassungsnetzwerksystem und Benutzervorrichtung, die dieses beinhaltet_+++H_I_J_a_b_d_f+++.docx
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2014-06-05_US2014154980A_发明申请_US20140154980A1 SMART NFC ANTENNA MATCHING NETWORK SYSTEM AND USER DEVICE INCLUDING THE SAME_+++B_H_I_J_f+++ - 副本.docx
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2014-06-05_US2014154980A_发明申请_US20140154980A1 SMART NFC ANTENNA MATCHING NETWORK SYSTEM AND USER DEVICE INCLUDING THE SAME_+++B_H_I_J_f+++.docx
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2014-06-11_CN103856250A_发明公开_CN103856250A 智能NFC天线匹配网络系统及其用户装置_+++D_H_I_J_b_f+++ - 副本.docx
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2014-06-11_CN103856250A_发明公开_CN103856250A 智能NFC天线匹配网络系统及其用户装置_+++D_H_I_J_b_f+++.docx
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2014-06-13_KR1020140072643A_发明公开_KR1020140072643A 스마트 근거리무선통신 안테나 매칭 네트워크 시스템 및 그것을 포함한 유저 장치_+++A_B_D_F_H_I_J+++ - 副本.docx
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2014-06-13_KR1020140072643A_发明公开_KR1020140072643A 스마트 근거리무선통신 안테나 매칭 네트워크 시스템 및 그것을 포함한 유저 장치_+++A_B_D_F_H_I_J+++.docx
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2014-06-26_JP2014117150A_发明专利_JP2014117150A Near field communication antenna matching network system and user device including the same_+++A_D_F_H_I_J_b+++ - 副本.docx
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2014-06-26_JP2014117150A_发明专利_JP2014117150A Near field communication antenna matching network system and user device including the same_+++A_D_F_H_I_J_b+++.docx
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2014-09-04_US2014246916A_发明申请_US20140246916A1 ACTIVE AND ADAPTIVE FIELD CANCELLATION FOR WIRELESS POWER SYSTEMS_+++A_B_D_G_I_K_L_O_e_f_h_j+++ - 副本.docx
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2014-09-04_US2014246916A_发明申请_US20140246916A1 ACTIVE AND ADAPTIVE FIELD CANCELLATION FOR WIRELESS POWER SYSTEMS_+++A_B_D_G_I_K_L_O_e_f_h_j+++.docx
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2014-10-16_JP2014197932A_发明专利_JP2014197932A 電力伝送システム_+++A_B_D_H_I_e_g_j_o+++ - 副本.docx
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2014-10-16_JP2014197932A_发明专利_JP2014197932A 電力伝送システム_+++A_B_D_H_I_e_g_j_o+++.docx
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2015-11-19_US2015334884A_发明申请_US20150334884A1 PARASITIC CIRCUIT FOR DEVICE PROTECTION_+++D_E_G_H_Q_a_b_c_i_j_k+++ - 副本.docx
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2015-11-19_US2015334884A_发明申请_US20150334884A1 PARASITIC CIRCUIT FOR DEVICE PROTECTION_+++D_E_G_H_Q_a_b_c_i_j_k+++.docx
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2014-06-13_KR1020140072643A_发明公开_KR1020140072643A 스마트 근거리무선통신 안테나 매칭 네트워크 시스템 및 그것을 포함한 유저 장치_+++A_B_D_F_H_I_J+++ - 副本.docx

对比文件名称:2014-06-13_KR1020140072643A_发明公开_KR1020140072643A 스마트 근거리무선통신 안테나 매칭 네트워크 시스템 및 그것을 포함한 유저 장치

目标专利名称:用于异相场减轻的方法和装置CN107534321B

本次调用的模型名称:深度分析对比文件公开性的专利代理师模型

## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括:第一线圈,具有至少一个环路,所述至少一个环路在所述至少一个环路的边界内部形成内部区域并且在所述至少一个环路的边界外部形成外部区域**第[0045]段**: “소스 코일(Ls10)은 리더기(210)로부터 전력을 공급받고, 공진 코일(Lr10)은 자기 유도(magnetic induction)에 의해서 소스 코일(Ls10)로부터 전력을 공급받는다. 공진 코일(Lr10)은 병렬 공진을 통해 NFC 신호들을 전송하거나 수신할 것이다。”<br>(翻译:源线圈(Ls10)从读取器(210)接收电力,谐振线圈(Lr10)通过磁感应从源线圈(Ls10)接收电力。谐振线圈(Lr10)将通过并联谐振发送或接收NFC信号。)<br>**第[0027]段**: “상기 제 1 도전 라인과 상기 제 2 도전 라인은 필름의 일면 상에 형성되며, 상기 제 2 도전 라인은 상기 제 1 도전 라인의 루프 형상을 둘러싸도록 형성된다。”<br>(翻译:所述第一导电线路和所述第二导电线路形成在薄膜的一面上,所述第二导电线路形成为围绕所述第一导电线路的环路形状。)<br>**第[0028]段**: “상기 제 1 도전 라인과 상기 제 2 도전 라인은 필름의 일면 상에 형성되며, 상기 제 2 도전 라인의 일부는 상기 제 1 도전 라인의 루프 형상을 둘러싸도록 형성되고 상기 제 2 도전 라인의 나머지는 상기 제 1 도전 라인에 의해서 정의된 내부 공간 내에 형성된다。”<br>(翻译:所述第一导电线路和所述第二导电线路形成在薄膜的一面上,所述第二导电线路的一部分形成为围绕所述第一导电线路的环路形状,并且所述第二导电线路的其余部分形成在由所述第一导电线路定义的内部空间内。)**隐含公开**。对比文件公开了“源线圈”(第一线圈)和“谐振线圈”(第二线圈)。源线圈(如Ls10)是一个具有环路的线圈(例如图3中的第1导电线路711),其环路本身在物理上定义了一个边界。本领域技术人员能够毫无疑义地理解,任何具有物理环路的线圈,其环路边界必然在空间上划分出“环路边界内部”和“环路边界外部”的区域。尽管对比文件没有明确使用“内部区域”和“外部区域”的表述,但结合其附图(如第[0027]段描述的“围绕第一导电线路的环路形状”)以及对线圈结构的常规理解,可以合理推断出源线圈的环路边界自然形成了内部区域和外部区域。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
**技术特征B**:,所述第一线圈被配置为生成用于对无线电力设备充电或供电的第一交变磁场,**第[0048]段**: “리더기(210)로부터 공급되는 전류가 소스 코일(Cs10)에 흐를 때, 소스 코일(Cs10)의 주변에 자기장이 형성될 것이다。”<br>(翻译:当从读取器(210)供应的电流流过源线圈(Cs10)时,将在源线圈(Cs10)周围形成磁场。)<br>**第[0043]段**: “NFC 송수신기(200)는 무선 통신을 위해 유도 결합(inductive coupling)을 이용하여 NFC 신호들을 송수신하도록 구성될 것이다。”<br>(翻译:NFC收发器(200)将被配置为使用感应耦合进行无线通信以发送和接收NFC信号。)**直接公开**。对比文件明确记载,源线圈(Ls10,即第一线圈)在流过电流时会在其周围形成磁场(第[0048]段)。该磁场用于通过磁感应与谐振线圈(Lr10)耦合,以传输NFC信号和能量(第[0043]段)。NFC通信本身涉及近场能量传输,虽然主要用于数据传输,但其物理原理包含了通过交变磁场传递能量。本领域技术人员知晓,用于感应耦合的磁场必然是交变的。因此,对比文件直接公开了第一线圈被配置为生成交变磁场。虽然对比文件的直接应用场景是通信,但其“生成用于传输能量的交变磁场”这一技术手段与目标专利的“生成用于对无线电力设备充电或供电的交变磁场”在物理原理和基本功能上相同,属于实质公开。
**技术特征C**:所述第一交变磁场具有在所述内部区域中的具有第一相位的第一磁场分量,所述第一交变磁场还具有在所述外部区域中的具有第二相位的第二磁场分量,并且所述第二相位不同于所述第一相位**未公开****未直接或隐含公开**。目标专利说明书(图7及对应描述)详细阐述了由电力发射线圈产生的磁场在线圈中心区域(内部区域)具有一个相位(例如正相位),在线圈边缘及外部区域,磁场大小变化并最终相位反转,产生一个异相(反相)分量。这是目标专利要解决的核心问题(异相场效应)的物理基础。对比文件完全没有提及或暗示由源线圈(第一线圈)产生的磁场存在这种内部区域和外部区域的相位差异。对比文件关注的是通过分离的源线圈和谐振线圈提高耦合效率和Q值(第[0051]段),其技术问题和技术效果均不涉及磁场相位的空间分布特性。因此,本领域技术人员无法从对比文件的内容中推理出该技术特征。
**技术特征D**:以及第二线圈,其围绕所述第一线圈的周界的至少一部分,**第[0027]段**: “상기 제 2 도전 라인은 상기 제 1 도전 라인의 루프 형상을 둘러싸도록 형성된다。”<br>(翻译:所述第二导电线路形成为围绕所述第一导电线路的环路形状。)<br>**第[0028]段**: “상기 제 2 도전 라인의 일부는 상기 제 1 도전 라인의 루프 형상을 둘러싸도록 형성되고...”<br>(翻译:所述第二导电线路的一部分形成为围绕所述第一导电线路的环路形状...)<br>**附图3-6**: 图示了第二导电线路(712,对应谐振线圈Lr10)以螺旋形状围绕或部分围绕第一导电线路(711,对应源线圈Ls10)的环路。**直接公开**。对比文件多次明确记载并图示,第二线圈(谐振线圈Lr10,由第二导电线路712形成)被配置为围绕第一线圈(源线圈Ls10,由第一导电线路711形成)的环路形状(第[0027]段)。这直接对应于目标专利中“第二线圈围绕所述第一线圈的周界的至少一部分”的技术特征。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征E**:所述第二线圈被配置为减小所述第二磁场分量的大小。**未公开****未直接或隐含公开**。目标专利中,第二线圈(补偿线圈)的明确且唯一的功能是“减小所述第二磁场分量的大小”(即减小异相场)。对比文件中,第二线圈(谐振线圈Lr10)的功能是通过与第一线圈(源线圈)的磁感应来接收能量并谐振,以发送或接收NFC信号,从而提高系统整体的传输效率和Q值(第[0051]段)。其作用在于增强耦合和信号传输,而非有目的地、主动地去减小第一线圈在特定外部区域产生的、具有特定相位的磁场分量。两者功能完全不同。因此,对比文件没有公开该技术特征。
**技术特征F**:其中所述第一线圈限定第一xy平面,并且其中所述第二线圈包括在第二xy平面中的从所述第一xy平面偏移的单个导线环路。**第[0028]段**: “상기 제 1 도전 라인과 상기 제 2 도전 라인은 필름의 일면 상에 형성되며...”<br>(翻译:所述第一导电线路和所述第二导电线路形成在薄膜的一面上...)<br>**附图4**: 图示了第一导电线路(711)和第二导电线路(712)分别位于薄膜(700)的相反两面(上表面和下表面)。**隐含公开**。对比文件公开了第一线圈(第一导电线路711)和第二线圈(第二导电线路712)可以形成在薄膜的同一面(第[0027]段)或不同面(第[0028]段及图4)。当形成在不同面时,两个线圈必然位于空间上不同的平面。本领域技术人员可以毫无疑义地理解,将线圈制作在薄膜或PCB的不同层,即意味着它们在z轴方向(垂直于线圈平面的方向)上存在偏移。因此,可以合理推断出第二线圈在第二xy平面中从第一线圈所在的第一xy平面偏移。此外,对比文件的谐振线圈(Lr10)通常由单根螺旋形导线构成(如图3-6所示),可被视为“单个导线环路”。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
**技术特征G**:其中所述第二线圈被配置为生成对抗所述第二磁场分量的第二交变磁场以便减小所述第二磁场分量的大小。**未公开****未直接或隐含公开**。该特征限定了第二线圈工作的具体机制:生成一个与异相磁场分量(第二磁场分量)对抗的磁场来抵消它。对比文件中第二线圈(谐振线圈)确实会因磁感应而产生自己的磁场(第[0048]段提及在谐振线圈中感应出电流,继而会产生磁场),但其目的和效果是参与NFC信号的谐振和辐射/接收,是为了增强整体能量传输,而不是为了生成一个特定方向、特定相位的场来抵消源线圈在外部区域产生的异相场。目标专利的这一特征与解决特定相位干扰问题直接相关,而对比文件未涉及此问题,因此也未公开此解决方案。
**技术特征H**:其中所述第二交变磁场响应于电流流过所述第二线圈而被生成,所述电流响应于在所述第二线圈中感生的电压而流动,所述电压基于所述第一交变磁场而被感生。**第[0048]段**: “이때, 플로팅 상태에 있는 공진 코일(Lr10)에는 소스 코일(Ls10)에 형성된 자기장에 의해서 유도 전류가 흐를 것이다.”<br>(翻译:此时,在浮动状态下的谐振线圈(Lr10)中,将由于源线圈(Ls10)形成的磁场而产生感应电流。)**直接公开**。对比文件明确描述了谐振线圈(第二线圈)中的电流是如何产生的:由源线圈(第一线圈)产生的磁场(第一交变磁场)在谐振线圈中感生电压,从而产生感应电流(第[0048]段)。该感应电流流过第二线圈,自然会生成第二交变磁场。这一描述完整地公开了目标专利特征H所限定的因果关系链。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征I**:还包括:第一谐振电路,包括所述第一线圈并且被配置为以谐振频率谐振**第[0045]段**: “인덕터(Ls10)와 커패시터들(Cs10, Cs11)은 직렬 공진기를 구성할 것이다.”<br>(翻译:电感器(Ls10)和电容器(Cs10, Cs11)将构成串联谐振器。)<br>**第[0048]段**: “공진 코일(Lr10)의 인덕턴스와 커패시터(Cr10)의 커패시턴스는 ... 중심 주파수(예를 들면, 13.56MHz)에서 공진하도록 결정될 것이다.”<br>(翻译:谐振线圈(Lr10)的电感和电容器(Cr10)的电容将被决定为...在中心频率(例如13.56MHz)谐振。)**直接公开**。对比文件明确记载,第一线圈(源线圈Ls10)与电容器(Cs10, Cs11)一起构成串联谐振电路(第一谐振电路)(第[0045]段)。并且,该电路被配置为在特定频率(例如13.56MHz)谐振(第[0048]段)。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征J**:以及第二谐振电路,包括所述第二线圈并且被配置为实质上以所述第一谐振电路的谐振频率谐振。**第[0045]段**: “커패시터(Cr10)와 인덕터(Lr10)는 병렬 공진기를 구성할 것이다.”<br>(翻译:电容器(Cr10)和电感器(Lr10)将构成并联谐振器。)<br>**第[0048]段**: “공진 코일(Lr10)의 인덕턴스와 커패시터(Cr10)의 커패시턴스는 자기 유도에 의해서 공급된 전력에 따라 리더기(210)로부터 출력된 NFC 신호에 의해서 점유되는 주파수들의 밴드 중 중심 주파수(예를 들면, 13.56MHz)에서 공진하도록 결정될 것이다.”<br>(翻译:谐振线圈(Lr10)的电感和电容器(Cr10)的电容将根据通过磁感应供应的电力,被决定为在从读取器(210)输出的NFC信号所占用的频带的中心频率(例如13.56MHz)谐振。)**直接公开**。对比文件明确记载,第二线圈(谐振线圈Lr10)与电容器(Cr10)一起构成并联谐振电路(第二谐振电路)(第[0045]段)。并且,该电路同样被配置为在中心频率(例如13.56MHz)谐振(第[0048]段)。由于第一谐振电路(串联)和第二谐振电路(并联)都是为了传输/接收同一NFC信号(例如13.56MHz),因此它们实质上以相同频率谐振。虽然目标专利权利要求K指定了“6.78MHz”,但频率值本身是具体的应用选择,不影响“以实质上相同频率谐振”这一电路配置关系的公开性。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征K**:78MHz。**第[0048]段**: “...중심 주파수(예를 들면, 13.56MHz)...”**未直接或隐含公开**。该特征是对谐振频率的具体数值限定(6.78MHz)。对比文件中公开的NFC工作频率示例为13.56MHz(第[0048]段)。6.78MHz和13.56MHz是不同的ISM频段,本领域技术人员不能从对比文件公开的13.56MHz毫无疑义地得出或合理推断出6.78MHz。因此,该具体频率数值特征未被公开。
**技术特征L**:其中所述第二线圈电耦合到驱动电路,所述驱动电路被配置为利用信号来操作地驱动所述第二线圈以减小所述第二磁场分量的大小。**未公开****未直接或隐含公开**。目标专利该特征限定了第二线圈由专门的驱动电路主动驱动,以实现减小异相场的功能。对比文件中的第二线圈(谐振线圈Lr10)是“浮动”的(第[0045]段),即它没有直接电连接到任何驱动电路;其能量完全通过磁感应从第一线圈获得(第[0048]段)。因此,对比文件没有公开第二线圈电耦合到驱动电路并被其操作地驱动。两者的工作模式和能量供给方式不同。
**技术特征M**:其中所述驱动电路进一步被配置为利用包括所述第二线圈的谐振电路的谐振频率的所述信号来操作地驱动所述第二线圈,所述谐振电路被配置为以所述谐振频率谐振。**未公开****未直接或隐含公开**。该特征进一步限定了驱动信号的特征。如上所述,对比文件并未公开第二线圈由驱动电路驱动,因此自然也谈不上驱动电路利用谐振频率的信号来驱动它。虽然第二线圈自身构成谐振电路并具有谐振频率,但这不是通过外部驱动电路注入信号实现的,而是通过磁感应激励其固有谐振。
**技术特征N**:还包括:控制器,被配置为确定指示所述无线电力设备的接收线圈处的电压的信息,其中所述驱动电路被配置为基于确定的所述信息来生成用于操作地驱动所述第二线圈的所述信号。**未公开****未直接或隐含公开**。该特征涉及一个基于反馈(接收线圈电压)的闭环控制系统。对比文件全文没有提及任何控制器用于监测接收线圈电压,并根据该信息来生成用于驱动第二线圈的信号。对比文件的系统是一个开环的、基于固定谐振的NFC天线匹配网络,不具备此类动态调节功能。因此,该特征未被公开。
**技术特征O**:还包括:位于所述外部区域中的多个线圈,所述多个线圈被配置为减小所述第二磁场分量的大小并且包括所述第二线圈。**未公开****未直接或隐含公开**。该特征限定了使用多个线圈来减小异相场,且第二线圈是其中之一。对比文件在所有实施例中均只描述了一个第二线圈(谐振线圈Lr10),并没有公开“多个线圈”位于外部区域并用于减小特定磁场分量的技术方案。因此,该特征未被公开。
**技术特征P**:还包括:控制器,被配置为:基于所述无线电力设备与所述多个线圈的至少一部分的耦合来确定所述无线电力设备的位置,以及部分地基于确定的所述位置来选择性地激活所述多个线圈中的一个或多个线圈,以减小所述第二磁场分量的大小。**未公开****未直接或隐含公开**。该特征描述了一个复杂的、基于设备位置检测的选择性多线圈激活控制系统。对比文件完全没有涉及检测无线设备位置、根据位置选择性激活多个线圈、以及以此来实现减小异相场的技术内容。因此,该特征未被公开。
**技术特征Q**:其中所述第二磁场分量包括反相场。**未公开****未直接或隐含公开**。该特征定义了第二磁场分量的性质为“反相场”。如特征C所述,对比文件根本没有提及或暗示第一线圈产生的磁场存在内部和外部的相位差异,更没有定义“反相场”这一概念。因此,该特征未被公开。

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