**对比文件名称**：US2013181350A1_Description_20260218_2112
**目标专利名称**：183通孔材料选择和处理CN107004636B
**本次调用模型名称**：DeepSeek最新版本模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：第一导电材料的第一通孔，所述第一通孔在第一导电互连层的第一部分与至少第一级上的第一中部制程MOL互连层之间。<br>**结果**：未直接公开，也未隐含公开。 | 对比文件描述了导电通孔（如136, 142, 144等）连接互连层（156, 178）和下层导电结构（如110, 106, 104）。例如，第[0015]段：“Conductive vias 134, 136, 142, 144, 146 are thus formed...”。图10显示互连层178通过通孔168, 170, 174, 176连接到下方的互连层156。互连层156下方通过通孔134, 136, 142, 144, 146连接到下层结构（104, 106, 108）。 | 对比文件公开了通孔结构连接不同层级的导电互连层（例如156, 178）和下层结构（如掺杂区104、108或栅互连106）。然而，对比文件并未明确区分或定义“第一级上的第一中部制程(MOL)互连层”。其下层结构（104, 106, 108）可能对应于前端制程（FEOL）或中部制程（MOL）的器件，但文件未明确其为“MOL互连层”。更重要的是，对比文件没有明确公开一个通孔具体连接“第一导电互连层的第一部分”与“第一级上的第一MOL互连层”这种特定的层级和连接关系。目标专利强调的是在特定层级（第一级）的MOL互连层，而对比文件未明确此概念。因此，本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出技术特征A的完整技术方案。 |
| **技术特征B**：，所述第一通孔是用单镶嵌工艺来制造的，<br>**结果**：隐含公开 (<<<b>>>)。 | 对比文件描述了通孔的形成过程：在电介质层112中蚀刻开口（114-126），沉积导电填充材料132，然后进行平坦化以形成通孔（134-146）。见第[0010]-[0015]段及图1-7。例如，第[0014]段：“electrically conductive fill material 132 is deposited over dielectric layers 112, 128 and into openings 114-126.”；第[0015]段：“fill material 132...are removed using a planarization technique such as chemical mechanical polishing... Conductive vias 134, 136, 142, 144, 146 are thus formed...”。 | 对比文件详细描述了通孔制造工艺：在电介质层中蚀刻出开口，然后沉积导电填充材料，最后通过化学机械平坦化（CMP）去除多余材料以形成通孔。该工艺是典型的“单镶嵌”（Single Damascene）工艺，即先形成通孔开口，然后填充金属并进行平坦化。虽然对比文件未明确使用“单镶嵌工艺”这一术语，但其描述的工艺步骤（蚀刻开口-填充金属-平坦化）是本领域公知的单镶嵌工艺的核心步骤。本领域技术人员阅读对比文件后，能够合理推断出其所描述的通孔形成工艺即为单镶嵌工艺。因此，技术特征B被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征C**：其中，所述第一导电互连层的所述第一部分是第二导电材料的并且所述第一通孔被布置在电介质层中<br>**结果**：未直接公开，也未隐含公开。 | 对比文件第[0014]段：“Fill material 132 can be a single layer of material or composed of a combination of a barrier material (not shown) and conductive fill material 132... Fill material 132 can include aluminum, tungsten, copper, and/or other suitable conductive material(s).”。第[0010]段提及“dielectric layer 112”。通孔形成于该电介质层中。 | 对比文件公开了通孔（如134, 136）由导电填充材料（132）形成，该材料可以是铝、钨、铜等。也公开了电介质层112，通孔布置在其中。然而，技术特征C明确限定了“第一导电互连层的所述第一部分是第二导电材料的”。这意味着第一导电互连层（一个互连层）的特定“部分”由“第二导电材料”构成。对比文件虽然公开了互连层（如156, 178）和通孔材料，但并未明确互连层本身（或其一部分）是由“第二导电材料”构成的，更没有将互连层的材料与通孔材料（第一导电材料）进行区分和关联。目标专利中“第二导电材料”特指用于双镶嵌工艺通孔和互连层的材料，而对比文件未建立这种工艺与材料的对应关系。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征D**：所述第二导电材料的第二通孔，所述第二通孔在所述第一导电互连层的第二部分与至少第二级上的第二MOL互连层之间，<br>**结果**：未直接公开，也未隐含公开。 | 对比文件图10及第[0018]段描述了多层互连结构，存在上层互连178和下层互连156，以及连接它们的通孔（168, 170, 174, 176）。例如，第[0018]段：“interconnects 156 are formed over vias 134-146... interconnects 178 are then formed over vias 166-176.”。 | 对比文件确实公开了多层互连结构和连接不同互连层的通孔。但是，技术特征D明确限定了“第二通孔”连接的是“第一导电互连层的第二部分”与“至少第二级上的第二MOL互连层”。首先，对比文件没有定义或区分“第二级上的第二MOL互连层”。其次，它没有明确描述一个特定的“第二通孔”连接的是同一“第一导电互连层”的不同部分（第二部分）到另一个不同层级的MOL互连层。对比文件中的通孔（如168, 170）连接的是不同层级的互连（如178到156），但未将其与目标专利中“第一导电互连层”的“第二部分”以及“第二级MOL互连层”的特定对应关系联系起来。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征E**：所述第二通孔和所述第一导电互连层是用双镶嵌工艺来制造的，<br>**结果**：未直接公开，也未隐含公开。 | 对比文件第[0018]段提到：“While FIG. 10 shows interconnects 178 made through a subtractive etch process, for example conventional aluminum wiring, alternate embodiments may include interconnects 178 made through damascene wiring process, for example copper wiring.” | 对比文件仅在一个可选实施例中提及互连层178可以通过镶嵌（damascene）工艺制造，例如铜布线。然而，该描述非常笼统，并未明确是“双镶嵌”（Dual Damascene）工艺。更重要的是，该描述仅涉及互连层178本身的制造，并未提及该工艺同时用于制造“第二通孔”。技术特征E要求“第二通孔和第一导电互连层”是“用双镶嵌工艺来制造的”，即通孔和互连层在同一双镶嵌工艺中同时形成。对比文件完全没有描述这样的工艺。其通孔（如168, 170）和互连层（178）的形成是分开描述的（见第[0018]段及之前描述），未体现双镶嵌工艺的核心特征（如先通孔后沟槽或先沟槽后通孔，同时形成通孔和互连线）。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征F**：其中，所述第一导电互连层的所述第二部分是所述第二导电材料的并且所述第二通孔被布置在所述电介质层中，<br>**结果**：未直接公开，也未隐含公开。 | 同特征C、D、E的引用。对比文件有电介质层（112, 158）和通孔。互连层材料未明确与通孔材料区分。 | 与特征C类似，此特征包含两个限定：1) 第一导电互连层的第二部分是第二导电材料；2) 第二通孔布置在所述电介质层中。对于限定1)，对比文件未明确互连层的任何“部分”是由“第二导电材料”构成，且未建立“第二导电材料”与特定工艺（双镶嵌）的关联。对于限定2)，对比文件中的通孔布置在电介质层中，但目标专利中的“所述电介质层”可能特指某一特定层（如308），而对比文件未明确对应关系。综合来看，对比文件未公开该组合特征。 |
| **技术特征G**：所述第一导电材料不同于所述第二导电材料<br>**结果**：未直接公开，也未隐含公开。 | 对比文件第[0014]段：“Fill material 132 can include aluminum, tungsten, copper, and/or other suitable conductive material(s).” 这表明可用于填充通孔的材料有多种选择。 | 对比文件列出了多种可能的导电填充材料（铝、钨、铜等），表明本领域技术人员可以根据需要选择材料。然而，这仅仅是一种材料清单式的公开。对比文件的具体实施例中，所有导电通孔（134, 136, 142, 144, 146, 168, 170, 174, 176）均使用相同的填充材料132形成（见第[0014]-[0015]，[0018]段）。文件中没有任何教导或暗示在同一器件中，为了不同的目的（如连接不同层级的MOL层）或采用不同的工艺（单镶嵌vs双镶嵌），需要或可以特意使用两种不同的导电材料来形成不同的通孔。其技术核心在于制造导电与非导电通孔，而非使用不同导电材料的导电通孔。因此，本领域技术人员无法从对比文件中得出“第一导电材料不同于第二导电材料”的技术启示。 |
| **技术特征H**：以及电路，所述电路耦合到所述第一MOL互连层或所述第二MOL互连层之一，<br>**结果**：隐含公开 (<<<h>>>)。 | 对比文件图11-13及对应描述（第[0021]-[0027]段）展示了标准单元电路（如NAND门1100、逻辑“1”生成器1200、反相器1300），这些电路通过互连和通孔连接到下方的器件结构。例如，第[0023]段描述了布局图中的连接结构1119通过通孔（1116, 1117, 1118）和活性区（1122, 1124）耦合到MOSFET的栅极。 | 对比文件明确公开了半导体器件中包含电路（如图11-13中的NAND门、逻辑“1”生成器、反相器等标准单元电路）。这些电路通过互连层（如未示出的信号层，见第[0023]段“The connecting signal layer... is not shown”）和通孔（包括导电和非导电通孔）与下层的器件结构（如MOSFET的栅、源、漏，对应于目标专利中的MOL互连层或更下层的器件）电性连接。虽然对比文件未明确使用“MOL互连层”这一术语，但其下层导电结构（如栅互连106、硅化物区域110）承担了将电路与晶体管等有源器件互连的功能，这对应于MOL层的功能。因此，本领域技术人员可以合理推断，对比文件中的电路耦合到了其互连结构（相当于目标专利的MOL互连层）。技术特征H被隐含公开。 |
| **技术特征I**：所述第一MOL互连层和所述第二MOL互连层被布置在所述电路与所述第一导电互连层之间。<br>**结果**：隐含公开 (<<<i>>>)。 | 对比文件图10显示了层级结构：底部是衬底102及形成的器件（104, 106, 108），之上是电介质层112和第一组通孔（134-146）及互连层156，再之上是另一电介质层158和第二组通孔（166-176）及互连层178。电路（如图11-13的MOSFET）形成于衬底中。 | 对比文件公开了多层互连结构。电路元件（如MOSFET）形成于半导体衬底中（见第[0009]段）。互连层（如156）形成在通孔（134-146）之上，而这些通孔连接到衬底上的电路元件（如掺杂区104、108或栅106）。更上层的互连层（178）又通过通孔（166-176）连接到互连层156。因此，互连层156位于电路（衬底中的器件）和更上层的互连（178）之间。虽然对比文件未明确使用“第一MOL互连层”、“第二MOL互连层”和“第一导电互连层”这些术语，但其结构明确展示了：下层互连/连接层（功能上相当于MOL互连层）位于电路（衬底器件）和上层互连层（相当于目标专利中的“第一导电互连层”，如M1或更高金属层）之间。本领域技术人员能够从对比文件的层级结构（电路-下层互连-上层互连）合理推断出这一位置关系。因此，技术特征I被隐含公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述第一通孔的长度不同于所述第二通孔的长度。<br>**结果**：未直接公开，也未隐含公开。 | 对比文件未明确讨论或比较不同通孔的长度。图1-10显示的通孔开口（114-126）深度可能相同（都蚀刻至停止层104或衬底102），但宽度可能不同。 | 对比文件虽然图示了不同尺寸的开口（如宽度不同），但并未提及或暗示通孔的“长度”（通常理解为深度或高度）存在差异。其工艺描述（第[0010]段）指出开口被蚀刻“completely through dielectric layer 112”，暗示所有通孔可能穿透同一电介质层，深度相同。文件中没有出于任何目的（如连接不同层级的MOL层）而特意制造具有不同深度的通孔的技术教导。因此，本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出“第一通孔的长度不同于第二通孔的长度”这一特征。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述第一通孔的电阻不同于所述第二通孔的电阻。<br>**结果**：未直接公开，也未隐含公开。 | 对比文件未讨论通孔的电阻特性。 | 对比文件的发明目的和内容完全围绕制造难以检测的非导电通孔以阻碍逆向工程，并未涉及优化或区分不同通孔的电阻特性。文件中没有提及通孔电阻，更没有教导或暗示通过任何手段（如使用不同材料、不同尺寸）使两个通孔具有不同的电阻。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述第一导电材料是钨并且所述第二导电材料是铜。<br>**结果**：未直接公开，也未隐含公开。 | 对比文件第[0014]段：“Fill material 132 can include aluminum, tungsten, copper, and/or other suitable conductive material(s).” | 对比文件仅将钨和铜列为可用于导电填充材料的若干选项之一。它没有在任何一个实施例中具体指定某个通孔使用钨而另一个通孔使用铜。更重要的是，如特征G所述，对比文件没有在同一器件中为不同通孔使用不同导电材料的技术动机或教导。因此，公开材料选项列表不等于公开了“第一导电材料是钨并且第二导电材料是铜”这一具体的技术选择组合。该特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者是至少部分地基于所述第一通孔的纵横比来选择的。<br>**结果**：未直接公开，也未隐含公开。 | 对比文件未提及通孔的纵横比，也未讨论基于纵横比选择材料。 | 对比文件完全未涉及通孔的纵横比这一概念，更没有将材料选择与纵横比相关联。目标专利的核心思想之一是根据通孔纵横比（受工艺影响）选择不同材料（如钨用于高纵横比单镶嵌，铜用于双镶嵌）。对比文件的技术主题（防逆向工程）与此无关，因此不存在相关教导或启示。 |
| **技术特征N**：其特征在于，所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者是至少部分地基于耦合到所述第一MOL互连层和所述第二MOL互连层之一的所述电路来选择的。<br>**结果**：未直接公开，也未隐含公开。 | 对比文件未讨论基于所连接的电路特性来选择通孔材料。 | 对比文件描述非导电通孔的位置选择是为了改变电路功能（如图11-13所示，通过选择性地将某些通孔设为非导电，使相同布局实现不同逻辑功能）。然而，这涉及的是通孔的“导电与否”，而非“使用哪种导电材料”。对于导电通孔，对比文件没有给出任何基于其连接的具体电路（如时序关键路径、驱动能力等）来选择特定导电材料（如钨或铜）的教导。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述半导体器件被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元和/或固定位置数据单元中。<br>**结果**：未直接公开，也未隐含公开。 | 对比文件未提及将所述半导体器件集成到任何具体的终端产品中。 | 对比文件通篇描述的是半导体器件本身及其制造方法，旨在防止电路设计被逆向工程。其应用场景是保护集成电路设计，但并未具体列举或暗示该器件被集成到目标专利权利要求中所列举的任何特定类型的消费电子或通信设备中。该特征属于具体的应用领域限定，对比文件没有提供相应的公开内容。 |
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