对比文件名称：US7843005B2_Description_20260218_2216
目标专利名称：183通孔材料选择和处理CN107004636B
本次调用模型名称：DeepSeek最新版模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：第一导电材料的第一通孔，所述第一通孔在第一导电互连层的第一部分与至少第一级上的第一中部制程MOL互连层之间。 《直接公开》 | [0005] “The field effect transistors are serially connected via a set of contact vias **88** and metal lines **98**. The contact vias **88** are embedded in a **middle-of-line (MOL) dielectric layer 80**, and the metal lines **98** are formed in a interconnect-level dielectric layer **90**.” | 对比文件明确公开了接触通孔（contact vias 88）嵌入在MOL电介质层（80）中，并且通过金属线（98）连接场效应晶体管。场效应晶体管形成于顶部半导体层（30）中，该层属于MOL工艺涉及的层级。因此，接触通孔88在功能上连接了互连层金属线（98，相当于“第一导电互连层”）和位于第一级上的半导体器件（其端子通过MOL层接触，相当于“第一MOL互连层”）。本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了“在第一导电互连层与第一MOL互连层之间的第一通孔”这一技术特征。 |
| **技术特征B**：，所述第一通孔是用单镶嵌工艺来制造的， 《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件通篇未提及“单镶嵌（single damascene）”工艺。对比文件描述了通孔的形成过程（例如形成通孔腔并填充导电材料），但并未限定具体的镶嵌工艺类型。单镶嵌工艺是目标专利中用于制造具有特定材料（如钨）和纵横比特性的通孔的关键制造方法。本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出第一通孔是使用单镶嵌工艺制造的。 |
| **技术特征C**：其中，所述第一导电互连层的所述第一部分是第二导电材料的并且所述第一通孔被布置在电介质层中 《隐含公开》 | [0005] “The contact vias **88** are embedded in a middle-of-line (MOL) dielectric layer **80**, and the metal lines **98** are formed in a interconnect-level dielectric layer **90**.” <br> [0126] “The first interconnect-level metal lines **98** and the second interconnect-level metal line **99** may comprise, for example, **Cu, Al, W, Ta, Ti, WN, TaN, TiN, or a combination thereof**.” | 对比文件明确公开了接触通孔（88）被布置（嵌入）在MOL电介质层（80）中，这对应于“所述第一通孔被布置在电介质层中”。同时，对比文件公开了互连层金属线（98）由多种导电材料（如Cu、Al、W等）构成。虽然对比文件没有明确将通孔88和金属线98的材质区分为“第一导电材料”和“第二导电材料”，但本领域技术人员能够理解，在半导体制造中，通孔和与之连接的互连层可以包含导电材料。由于技术特征G（第一导电材料不同于第二导电材料）未被公开，且对比文件未区分“第一部分”的材质，因此“第一部分是第二导电材料的”这一限定并未被直接公开。但基于对比文件公开了互连层包含导电材料以及通孔在电介质层中，本领域技术人员可以**合理推断**出存在“第一导电互连层的一部分是某种导电材料并且通孔在电介质层中”这样的技术方案。因此，该特征被**隐含公开**。 |
| **技术特征D**：所述第二导电材料的第二通孔，所述第二通孔在所述第一导电互连层的第二部分与至少第二级上的第二MOL互连层之间， 《未公开》 | 对比文件中描述了连接到掺杂半导体区域（28）的导电通孔（89, 37/87），例如[0052]描述“至少一个导电通孔从MOL电介质层的顶表面延伸通过所述MOL电介质层、所述浅沟槽隔离结构、所述埋入绝缘层、并到达所述掺杂半导体区域的顶表面。” | 目标专利的“第二通孔”连接的是“第二级上的第二MOL互连层”。对比文件中的导电通孔（89）是用于连接互连层金属线（99）和底部半导体层中的掺杂区域（28），以实现偏置，其功能是提供到衬底的接地或偏置路径，而非连接两个不同级别的MOL互连层。对比文件没有公开存在位于不同“级（level）”上的两个MOL互连层，也没有公开连接更高级别MOL互连层的“第二通孔”。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征E**：所述第二通孔和所述第一导电互连层是用双镶嵌工艺来制造的， 《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件通篇未提及“双镶嵌（dual damascene）”工艺。双镶嵌工艺是目标专利中用于制造铜互连层和通孔的关键制造方法。本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出第二通孔和第一导电互连层是使用双镶嵌工艺制造的。 |
| **技术特征F**：其中，所述第一导电互连层的所述第二部分是所述第二导电材料的并且所述第二通孔被布置在所述电介质层中， 《隐含公开》 | [0126] “The first interconnect-level metal lines **98** and the second interconnect-level metal line **99** may comprise, for example, **Cu, Al, W, Ta, Ti, WN, TaN, TiN, or a combination thereof**.” <br> [0052] “at least one conductive via extending from a top surface of a middle-of-line (MOL) dielectric layer through said MOL dielectric layer, said shallow trench isolation structure, said buried insulator layer, and to a top surface of said doped semiconductor region.” | 对比文件公开了互连层金属线（98,99）由导电材料（如Cu、Al、W等）构成，这可以对应“第一导电互连层的第二部分是导电材料”。同时，对比文件中的导电通孔（89）明确是延伸通过MOL电介质层（80）的，即被布置在电介质层中。虽然对比文件没有明确使用“第二导电材料”这一称谓，并且其通孔（89）的功能和连接对象与目标专利的“第二通孔”不同，但从结构上看，存在“互连层的一部分是导电材料并且一个通孔被布置在电介质层中”的技术方案。结合特征C的类似推理，该特征被**隐含公开**。 |
| **技术特征G**：所述第一导电材料不同于所述第二导电材料 《未公开》 | 对比文件提到了多种导电材料（如Cu, Al, W等）可用于通孔和互连线，例如[0126]。但未明确指出用于不同通孔的具体材料，也未说明两个通孔使用了不同的材料。 | 目标专利的核心点之一是针对不同纵横比或性能要求的通孔使用不同的导电材料（如钨和铜）。对比文件虽然列举了多种可用材料，但并未教导或暗示在同一个器件中，为了连接不同级别MOL层而特意使用两种不同的导电材料来制造通孔。本领域技术人员无法从对比文件中直接或合理地推断出“第一导电材料不同于第二导电材料”这一特定技术手段。 |
| **技术特征H**：以及电路，所述电路耦合到所述第一MOL互连层或所述第二MOL互连层之一， 《直接公开》 | [0005] “a prior art radio frequency switch comprises a set of serially connected field effect transistors...” <br> [0013] “The present invention provides a semiconductor structure including a biased electrical contact...wherein an induced charge layer is stabilized...” <br> 场效应晶体管构成射频开关电路，并通过接触通孔（88）和金属线（98）进行互连。 | 对比文件明确公开了其半导体结构包含作为射频开关的场效应晶体管电路。这些场效应晶体管形成于顶部半导体层，并通过接触通孔（88）耦合到MOL电介质层（80）和互连金属线（98）。因此，电路（场效应晶体管射频开关）耦合到了MOL层（通过接触通孔88）。这直接公开了“电路耦合到所述第一MOL互连层或所述第二MOL互连层之一”的技术特征。 |
| **技术特征I**：所述第一MOL互连层和所述第二MOL互连层被布置在所述电路与所述第一导电互连层之间。 《直接公开》 | [0005] “The field effect transistors are serially connected via a set of contact vias **88** and metal lines **98**. The contact vias **88** are embedded in a **middle-of-line (MOL) dielectric layer 80**, and the metal lines **98** are formed in a interconnect-level dielectric layer **90**.” <br> 场效应晶体管（电路）位于顶部半导体层，MOL电介质层（80）覆盖在其上，互连金属线（98）又在MOL层之上。 | 对比文件的结构清楚地显示：场效应晶体管（电路）位于最下层（顶部半导体层30），其上覆盖着MOL电介质层（80，其中嵌有接触通孔88），再往上是互连层电介质（90）和第一互连层金属线（98）。因此，MOL层（具体表现为MOL电介质层80及其中的接触结构）在空间上和电学上被布置在电路（场效应晶体管）和第一导电互连层（金属线98）之间。本领域技术人员能够毫无疑义地得出这一结构关系。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述第一通孔的长度不同于所述第二通孔的长度。 《未公开》 | 无相关内容。 | 目标专利中，由于第一通孔连接第一级MOL层，第二通孔连接第二级MOL层，且两级处于不同深度，因此通孔长度自然不同。对比文件没有公开连接不同深度“级别”的MOL互连层的两个通孔的概念。其通孔（如88和89）的长度取决于具体工艺和设计，但并未被描述为具有特定不同的长度以对应不同的互连层级。该特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述第一通孔的电阻不同于所述第二通孔的电阻。 《未公开》 | 无相关内容。 | 目标专利中通孔电阻不同是由于材料不同（特征G）和/或尺寸不同导致的。对比文件没有公开两个通孔具有不同电阻的特性，也没有提及电阻差异的设计考量。该特征未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述第一导电材料是钨并且所述第二导电材料是铜。 《未公开》 | [0126] “...may comprise, for example, **Cu, Al, W**...” | 对比文件虽然将钨（W）和铜（Cu）列为可用于互连线和通孔的示例材料，但并未将这两种材料分别指定用于“第一通孔”和“第二通孔”。没有教导或暗示在同一个结构中使用钨作为第一通孔材料、铜作为第二通孔材料。因此，该具体的材料组合选择未被公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者是至少部分地基于所述第一通孔的纵横比来选择的。 《未公开》 | 无相关内容。 | 目标专利说明书中强调，通孔的纵横比是选择导电材料（例如，钨用于高纵横比，铜用于较低纵横比）的关键因素之一。对比文件完全没有提及通孔的“纵横比（aspect ratio）”，也没有将材料选择与纵横比相关联。该特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者是至少部分地基于耦合到所述第一MOL互连层和所述第二MOL互连层之一的所述电路来选择的。 《未公开》 | 无相关内容。 | 目标专利说明书中提到，材料选择可基于电路性能需求（如定时、电阻）。对比文件虽然描述了电路（射频开关），但其通孔材料的选择是为了形成到衬底的偏置连接或晶体管的互连，并未揭示材料选择是基于所连接的具体电路（或MOL层）的性能需求。该特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述半导体器件被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元和/或固定位置数据单元中。 《未公开》 | 对比文件涉及射频（RF）开关，其背景技术和应用场景暗示可用于无线通信设备，但并未具体列举目标专利权利要求中所述的任何特定终端产品。 | 对比文件没有明确公开将该半导体器件集成到所列出的任何具体设备中（如移动电话、音乐播放器等）。尽管其技术可能应用于通信领域，但该具体应用场景的列举属于目标专利权利要求的特定限定，未被对比文件公开。 |
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