对比文件名称：US2009152724A1_Description_20260218_2240
目标专利名称：183通孔材料选择和处理CN107004636B
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：包括：第一导电材料的第一通孔，所述第一通孔在第一导电互连层的第一部分与至少第一级上的第一中部制程MOL互连层之间** <br>**未公开** | 无 | **论述**：目标专利中的特征A限定了第一通孔连接“第一导电互连层的第一部分”和“第一级上的第一中部制程(MOL)互连层”。对比文件公开了第一通孔102（图1-2）位于电介质120中，其一端106连接到高电流器件104（[0024]段）。高电流器件104被描述为FEOL级结构（如晶体管）（[0025]段）。对比文件未提及“中部制程(MOL)互连层”。MOL互连层是位于FEOL器件（如晶体管）和BEOL互连之间的特定导电层。对比文件中的高电流器件104是FEOL器件（如晶体管），而非MOL互连层。此外，对比文件中的第一通孔102连接的是FEOL器件104和缓冲金属段110，并非目标专利中定义的连接“第一导电互连层”和“MOL互连层”的结构。因此，对比文件既未直接也未隐含公开该特征。 |
| **B：，所述第一通孔是用单镶嵌工艺来制造的，** <br>**未公开** | “The above-described embodiments may be formed using any now known or later developed Damascene or dual Damascene techniques.” (段落 [0030]) | **论述**：目标专利特征B限定第一通孔是用单镶嵌(SD)工艺制造的。对比文件[0030]段提到可以使用“任何已知或后续开发的镶嵌或双镶嵌技术”来形成所描述的实施例。这仅一般性地提及了镶嵌工艺，但并未具体公开第一通孔102是使用“单镶嵌”工艺制造的。本领域技术人员无法从该一般性陈述中毫无疑义地确定第一通孔102必然是单镶嵌工艺的产物，因为双镶嵌工艺同样可以形成通孔。因此，该特征未被直接公开。同时，对比文件也未提供足够的信息（例如，描述仅涉及通孔形成的单一步骤）来隐含该第一通孔必然采用单镶嵌工艺。因此，该特征也未被隐含公开。 |
| **C：其中，所述第一导电互连层的所述第一部分是第二导电材料的并且所述第一通孔被布置在电介质层中** <br>**未公开** | “a first via positioned in a dielectric and coupled to a high current device at one end; a buffer metal segment positioned in a dielectric and coupled to the first via at the other end thereof;” (段落 [0006], [0007], [0024]) | **论述**：目标专利特征C限定了“第一导电互连层的第一部分是第二导电材料的”且“第一通孔被布置在电介质层中”。对比文件明确公开了第一通孔102位于电介质120中（[0024]段），这公开了“第一通孔被布置在电介质层中”这一位置特征。然而，对比文件未提及“第一导电互连层”这一元件。对比文件中的“buffer metal segment”（缓冲金属段110）是连接第一通孔102和多个第二通孔114的金属线段，其位于第一金属层124（[0025]段）。目标专利的“第一导电互连层”是通过双镶嵌工艺与第二通孔同时形成的层（见特征E），其功能是作为互连线路。对比文件中的缓冲金属段110在结构位置和形成工艺上均不同于目标专利的“第一导电互连层”。此外，对比文件未明确缓冲金属段110的材料是“第二导电材料”，也未建立其材料与第一通孔材料之间的差异关系（该关系由特征G限定）。因此，特征C中关于“第一导电互连层的所述第一部分是第二导电材料的”这一限定未被公开。 |
| **D：所述第二导电材料的第二通孔，所述第二通孔在所述第一导电互连层的第二部分与至少第二级上的第二MOL互连层之间，** <br>**未公开** | “a plurality of second vias positioned in a dielectric and coupled to the buffer metal segment at one end and to a metal power line at the other end thereof” (段落 [0006], [0007], [0024]) | **论述**：目标专利特征D限定了“第二导电材料的第二通孔”连接“第一导电互连层的第二部分”和“第二级上的第二MOL互连层”。对比文件公开了多个第二通孔114位于电介质中，一端116连接缓冲金属段110，另一端118连接金属电源线122（[0024]段）。然而，对比文件中的“缓冲金属段110”并非目标专利中的“第一导电互连层”，而“金属电源线122”是BEOL层的电源线，并非“第二级上的第二MOL互连层”。MOL互连层是特定的中间连接层，不同于一般的BEOL金属线（如电源线）。因此，对比文件未公开连接关系两端的元件与目标专利相同。特征D未被公开。 |
| **E：所述第二通孔和所述第一导电互连层是用双镶嵌工艺来制造的，** <br>**未公开** | “The above-described embodiments may be formed using any now known or later developed Damascene or dual Damascene techniques.” (段落 [0030])<br>“Second vias 114 and metal power line 122 may be formed simultaneously, or separately.” (段落 [0030]) | **论述**：目标专利特征E限定了第二通孔和第一导电互连层是用双镶嵌工艺制造的。对比文件[0030]段提到可以使用镶嵌或双镶嵌技术，并且第二通孔114和金属电源线122可以“同时或分别”形成。这公开了通孔和金属线可以同时形成，这是双镶嵌工艺的一个特点。然而，对比文件中与第二通孔114同时形成的是“金属电源线122”，而目标专利中与第二通孔同时形成的是“第一导电互连层”。如前所述，对比文件的“金属电源线122”在功能和层级上不同于目标专利的“第一导电互连层”。此外，对比文件并未明确该同时形成的过程必然是“双镶嵌工艺”，仅提及了该工艺作为可能性之一。因此，该特征未被直接公开。同时，由于连接对象不同，本领域技术人员也无法从对比文件合理推断出目标专利所限定的特定结构是用双镶嵌工艺制造的。该特征未被隐含公开。 |
| **F：其中，所述第一导电互连层的所述第二部分是所述第二导电材料的并且所述第二通孔被布置在所述电介质层中，** <br>**未公开** | “a plurality of second vias positioned in a dielectric and coupled to the buffer metal segment at one end and to a metal power line at the other end thereof” (段落 [0006], [0007], [0024]) | **论述**：目标专利特征F限定了“第一导电互连层的第二部分是第二导电材料的”且“第二通孔被布置在电介质层中”。对比文件明确公开了第二通孔114位于电介质中（[0024]段），这公开了“第二通孔被布置在电介质层中”。然而，如特征C和E所述，对比文件未提及“第一导电互连层”，其“缓冲金属段110”和“金属电源线122”的材料可能相同或不同，但未被明确限定为“第二导电材料”，也未建立与第一通孔材料的差异关系。因此，特征F中关于“第一导电互连层的所述第二部分是所述第二导电材料的”这一限定未被公开。 |
| **G：所述第一导电材料不同于所述第二导电材料** <br>**未公开** | “The metal of buffer metal segment 110 and metal power line 122 may be any conventional IC metal such as copper (Cu), aluminum (Al), etc.” (段落 [0026])<br>（注：未提及第一通孔102的材料，也未明确第一通孔材料与缓冲金属段/第二通孔材料不同） | **论述**：目标专利特征G限定了第一导电材料与第二导电材料不同。对比文件[0026]段提到缓冲金属段110和金属电源线122的金属可以是任何常规IC金属，如铜(Cu)、铝(Al)等，但未具体说明第一通孔102或第二通孔114的材料。全文未提及第一通孔102由何种材料制成，也未提及第一通孔材料与缓冲金属段/第二通孔材料之间存在差异。本领域技术人员阅读对比文件后，无法得知或推断出存在两种不同的导电材料分别用于不同的通孔。因此，该特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **H：以及电路，所述电路耦合到所述第一MOL互连层或所述第二MOL互连层之一，** <br>**未公开** | “coupled to a high current device 104 at one end” (段落 [0024]) | **论述**：目标专利特征H限定了有电路耦合到第一或第二MOL互连层之一。对比文件公开了第一通孔102的一端106耦合到高电流器件104（[0024]段）。高电流器件104（如晶体管、电阻器）可以视为一种“电路”。然而，如特征A和D所述，对比文件未公开“MOL互连层”。高电流器件104是FEOL器件，它直接连接到第一通孔102，而不是通过目标专利所定义的MOL互连层进行连接。因此，对比文件公开的“电路”（高电流器件）的连接对象（第一通孔）和连接层级（FEOL）与目标专利限定的连接对象（MOL互连层）和连接层级不同。该特征未被公开。 |
| **I：所述第一MOL互连层和所述第二MOL互连层被布置在所述电路与所述第一导电互连层之间。** <br>**未公开** | 无 | **论述**：目标专利特征I限定了第一和第二MOL互连层布置在电路与第一导电互连层之间。这描述了一个特定的层叠结构：电路（如半导体器件）通过MOL互连层再连接到第一导电互连层。对比文件完全没有提及“MOL互连层”这一概念。其公开的结构是：高电流器件104（电路）直接连接到第一通孔102，然后连接到缓冲金属段110（[0024]段）。其中不存在位于电路（高电流器件）和第一导电互连层（对比文件中无此对应元件）之间的MOL互连层。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **J：其特征在于，所述第一通孔的长度不同于所述第二通孔的长度。** <br>**未公开** | 无 | **论述**：目标专利特征J限定了第一通孔的长度不同于第二通孔的长度。对比文件中的第一通孔102和第二通孔114都是垂直方向的连接结构（见图2，4，6截面图）。对比文件的文字描述和附图均未提及或暗示第一通孔和第二通孔的长度存在差异。本领域技术人员从对比文件中无法得知或推断出这一具体尺寸关系。因此，该特征未被公开。 |
| **K：其特征在于，所述第一通孔的电阻不同于所述第二通孔的电阻。** <br>**未公开** | 无 | **论述**：目标专利特征K限定了第一通孔的电阻不同于第二通孔的电阻。对比文件全文关注于通过引入缓冲金属段来缓解电流拥挤和电迁移问题，未提及或讨论各个通孔本身的电阻值，更未比较第一通孔和第二通孔之间的电阻差异。电阻差异可能由材料、尺寸等因素引起，但对比文件未提供任何相关信息。因此，该特征未被公开。 |
| **L：其特征在于，所述第一导电材料是钨并且所述第二导电材料是铜。** <br>**未公开** | “The metal of buffer metal segment 110 and metal power line 122 may be any conventional IC metal such as copper (Cu), aluminum (Al), etc.” (段落 [0026]) | **论述**：目标专利特征L具体限定了第一导电材料是钨，第二导电材料是铜。对比文件[0026]段列举了缓冲金属段和金属电源线可以使用的金属材料，包括铜(Cu)和铝(Al)等，但未指定第一通孔102的材料是钨，也未指定第二通孔114的材料是铜。虽然铜是常见的互连材料，但对比文件并未明确将铜与第二通孔114相关联，也未提及钨。因此，该具体材料组合未被公开。 |
| **M：其特征在于，所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者是至少部分地基于所述第一通孔的纵横比来选择的。** <br>**未公开** | 无 | **论述**：目标专利特征M限定了材料选择至少部分基于第一通孔的纵横比。对比文件全文未提及“纵横比”（aspect ratio）这一概念，也未讨论基于通孔的纵横比来选择导电材料。对比文件选择材料的考虑因素在于解决高电流下的电迁移和电流拥挤问题（[0004], [0032]段），而非通孔的几何形状（纵横比）。因此，该特征未被公开。 |
| **N：其特征在于，所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者是至少部分地基于耦合到所述第一MOL互连层和所述第二MOL互连层之一的所述电路来选择的。** <br>**未公开** | 无 | **论述**：目标专利特征N限定了材料选择至少部分基于所耦合的电路。对比文件确实公开了互连结构用于连接高电流器件（电路）（[0024]段），但其发明点在于通过缓冲金属段的结构设计来改善电流分布和可靠性，并未提及基于所连接的具体电路（例如，其类型、性能要求）来选择通孔的材料。材料选择被描述为“任何常规IC金属”（[0026]段），是基于通用导电性而非特定电路。因此，该特征未被公开。 |
| **O：其特征在于，所述半导体器件被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元和/或固定位置数据单元中。** <br>**隐含公开** | “The end product can be any product that includes integrated circuit chips, ranging from toys and other low-end applications to advanced computer products having a display, a keyboard or other input device, and a central processor.” (段落 [0037]) | **论述**：目标专利特征O限定了半导体器件被集成到一系列具体的电子设备中。对比文件[0037]段指出，包含所公开集成电路芯片的最终产品可以是“任何产品”，并举例范围从玩具到具有显示器、键盘和中央处理器的高级计算机产品。虽然该列举未完全覆盖目标专利所列的所有具体设备类型（如移动电话、机顶盒等），但“高级计算机产品”隐含了计算机，“任何产品”的范围非常宽泛。本领域技术人员知晓，集成电路芯片是这些电子设备的通用核心组件。基于对比文件对最终产品范围的开放性描述（“任何产品”），并结合本领域的公知常识，可以合理推断出包含所述互连结构的半导体器件能够被集成到诸如移动电话、计算机等目标专利所列的电子设备中。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
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