对比文件的名称：2012-11-29_JP2012235258A_发明专利_JP2012235258A Portable radio apparatus
目标专利的名称：用于无线通信的装置CN110854509B
本次调用的模型名称：Gemini Advanced
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A: 包括：第一馈送点 **《直接公开》** | [0008] “給電端子９” | 对比文件[0008]明确公开了“給電端子９”，其作为馈电点与电路连接，与本技术特征作用相同，因此被直接公开。 |
| B: 耦合到所述第一馈送点的第一辐射器 **《直接公开》** | [0008] “第１の金属フレーム６は、一端６ａが回路基板３上の整合回路部５に接続された給電端子９に接続され” | 对比文件[0008]公开了第1金属框架6，其一端6a通过馈电端子9连接到匹配电路5。该第1金属框架作为直接馈电的辐射器，耦合到第一馈送点，被直接公开。 |
| C: 壳体，所述壳体限定所述装置的内表面，并且包含耦合到所述第一辐射器的第一导电覆盖物部和不同于所述第一辐射器和所述第一导电覆盖物部的第二导电覆盖物部 **《未公开》** | [0008] “第１の金属フレーム６...第２の金属フレーム７” | 对比文件[0008]公开了壳体2及设于其上的第1、第2金属框架。在对比文件中，第1金属框架是直接馈电的辐射器，第2金属框架是接地寄生的导电部。本技术特征要求壳体包含耦合到第一辐射器的第一导电覆盖物部，以及不同于第一辐射器和第一导电覆盖物部的第二导电覆盖物部。对比文件中仅有两个金属元件，若第1金属框架为第一辐射器、第2金属框架为第一导电覆盖物部，则缺少第二导电覆盖物部；反之，若第1金属框架为第一导电覆盖物部，则缺少直接馈电的第一辐射器。因此，本特征限定的三个独立结构元件的组合未被对比文件公开。 |
| D: 其中所述第一导电覆盖部限定所述装置的第一外表面，并且所述第二导电覆盖物部限定所述装置的第二外表面 **《未公开》** | 依赖特征C的认定 | 本技术特征依赖于特征C中限定的第一导电覆盖物部和第二导电覆盖物部的存在。由于特征C未公开，本特征亦未被公开。 |
| E: 接地构件，所述接地构件耦合到所述第一导电覆盖物部 **《直接公开》** | [0008] “他端６ｂが回路基板３のグランド３Ｇと第１の接地端子１０を介して接続され”；“一端７ａが給電端子９付近で第２の接地端子１１によって回路基板３のグランド３Ｇに接続され” | 对比文件[0008]公开了电路基板3的接地部3G（接地构件），第1金属框架通过第1接地端子10接地，第2金属框架通过第2接地端子11接地。无论哪个金属框架被映射为第一导电覆盖物部，接地构件均与该导电覆盖物部耦合，被直接公开。 |
| F: 并且至少部分地被放置在由所述壳体的所述内表面限定的腔内，至少所述第一导电覆盖物部和所述第一辐射器具有被配置为在第一操作频带中谐振的电长度 **《直接公开》** | [0008] “回路基板３...筐体２の内部に設けられ”；[0008] “第１の金属フレーム６の全長が１８４ｍｍ...８００ＭＨｚで共振する” | 对比文件[0008]公开了电路基板3设于壳体2内部，具有接地部3G。第1、第2金属框架具有特定的电长度，并被配置为在800MHz等频带谐振。因此，本技术特征被直接公开。 |
| G: 并且所述第一辐射器被配置为电磁耦合到所述第一导电覆盖物部 **《直接公开》** | [0008] “アース電流が第１の金属フレームに流れてバランス動作する” | 对比文件[0008]公开了第1金属框架（辐射器）和第2金属框架（导电覆盖物部）之间通过电流分布实现平衡动作，即电磁耦合。本技术特征被直接公开。 |
| H: 其中所述第一导电覆盖物部和接地构件限定在它们之间的孔径，所述孔径的尺寸至少部分地确定所述第一导电覆盖物部的电长度 **《直接公开》** | [0008] “回路基板３のグランド３Ｇと第１の金属フレーム６及び第２の金属フレーム７のそれぞれとの間隔が５ｍｍである” | 对比文件[0008]公开了接地部与金属框架之间形成间隔（孔径），[0008]说明了该间隔为5mm且通过尺寸确定共振频率，即孔径的尺寸至少部分地确定电长度，被直接公开。 |
| I: 其中所述第一馈送点被放置在所述第一导电覆盖物部上或在耦合到所述第一导电覆盖物部的导电构件上 **《未公开》** | [0008] “一端６ａが...給電端子９に接続され” | 本技术特征要求第一馈送点被放置在第一导电覆盖物部上或在耦合到第一导电覆盖物部的导电构件上。在对比文件中，馈电端子9直接连接在第1金属框架（对应第一辐射器）的端部，而作为第一导电覆盖物部的第2金属框架并未设有馈送点。因此未被公开。 |
| J: 以及所述装置还包括：沿着所述第一导电覆盖物部的至少一部分提供的传输线 **《直接公开》** | [0008] “一端６ａが回路基板３上の整合回路部５に接続された給電端子９に接続され” | 对比文件[0008]公开了从匹配电路5至馈电端子9的连接，该连接作为传输线，必然沿着第1金属框架（第一导电覆盖物部）的至少一部分提供，被直接公开。 |
| K: 以及所述传输线被配置为使所述第一馈送点与射频电路相互连接 **《直接公开》** | [0008] “無線回路部４に接続された整合回路部５...給電端子９” | 对比文件[0008]公开了匹配电路5连接在无线电路部4和馈电端子9之间，传输线使馈送点与射频电路相互连接，被直接公开。 |
| L: 并且中所述第一辐射器是单极天线 **《未公开》** | [0008] “全長が（ｎ／２）λで共振する伝送線路アンテナとして動作し” | 对比文件[0008]明确指出，第1金属框架（对比文件中直接馈电的第一辐射器）作为传输线天线（伝送線路アンテナ）工作，而非单极天线。第2金属框架虽为单极天线，但其并非直接馈电的辐射器。因此本特征未被公开。 |
| M: 其中所述第一导电覆盖物部至少部分地限定所述装置的侧表面 **《直接公开》** | [0008] “筐体２の上部の外側面に沿って略半周の長さで設けられ” | 对比文件[0008]公开了第1金属框架沿壳体的上部外侧面设置，该外侧面即为装置的侧表面，被直接公开。 |
| N: 其中所述第一馈送点被放置在耦合到所述第一导电覆盖物部的导电构件上，并且所述第一馈送点位于所述腔的内部 **《未公开》** | [0008] “一端６ａが...給電端子９に接続され” | 本技术特征要求馈送点被放置在耦合到第一导电覆盖物部的导电构件上，且位于腔内部。对比文件中，馈电端子9直接连接在第1金属框架6的端部，并未通过一个额外的导电构件进行耦合。因此未被公开。 |
| O: 其中所述第一辐射器具有连接到所述第一馈送点的第一端，以及邻近所述接地构件放置的第二端 **《未公开》** | [0008] “他端６ｂが回路基板３のグランド３Ｇと第１の接地端子１０を介して接続され” | 本技术特征要求第一辐射器的第二端邻近接地构件放置。对比文件中，第1金属框架（第一辐射器）的端部6b直接通过接地端子10连接到接地部3G，是直接连接而非邻近放置。因此未被公开。 |
| P: 其中所述第一辐射器处于与所述第一导电覆盖物部不交叠的关系 **《直接公开》** | [0008] “第１の金属フレーム６...筐体２の上部の外側面...第２の金属フレーム７...筐体２の下部の外側面” | 对比文件[0008]公开了第1金属框架与第2金属框架分别设置在壳体的上部与下部，两者为分立的独立部件，不构成交叠关系，被直接公开。 |
| Q: 其中所述第二导电覆盖物部具有在第二操作频带中谐振的电长度，并且所述第一辐射器和所述第一导电覆盖物部被配置为电磁耦合到所述第二导电覆盖物部 **《未公开》** | 依赖特征C的认定 | 本技术特征依赖于特征C中第二导电覆盖物部的存在。由于特征C未公开，本特征亦未被公开。 |
| R: 还包括：第二馈送点 **《未公开》** | 对比文件全文 | 对比文件仅公开了一个馈电端子9，未公开第二馈送点，未被公开。 |
| S: 耦合到所述第二馈送点的第二辐射器，至少所述第二导电覆盖物部和所述第二辐射器具有被配置为在第三操作频带中谐振的电长度，所述第二辐射器被配置为电磁耦合到所述第二导电覆盖物部 **《未公开》** | 依赖特征R的认定 | 本技术特征依赖于第二馈送点和第二辐射器的存在。由于特征R未公开，本特征亦未被公开。 |
| T: 其中所述第一导电覆盖物部具有在第四操作频带中谐振的电长度，所述第二辐射器和所述第二导电覆盖物部被配置为电磁耦合到所述第一导电覆盖物部 **《未公开》** | 依赖特征R/S的认定 | 本技术特征依赖于第二辐射器和第二导电覆盖物部的存在。由于特征S未公开，本特征亦未被公开。 |
| U: 其中所述第一辐射器经由所述第一馈送点耦合到所述第一导电覆盖物部的端 **《未公开》** | [0008] “一端６ａが...給電端子９に接続され...一端７ａが給電端子９付近で第２の接地端子１１によって...グランド３Ｇに接続され” | 本技术特征要求第一辐射器经由第一馈送点耦合到第一导电覆盖物部的端。对比文件中，馈电端子9设于第1金属框架（第一辐射器）的一端6a，而第2金属框架（第一导电覆盖物部）的端部7a在馈电端子9附近通过接地端子连接到接地部。即，馈送点位于辐射器的端部，而非导电覆盖物部的端部，且导电覆盖物部的端部被接地。这种具体的耦合结构未被对比文件公开。 |
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