**对比文件名称**：US6603382B1_Description_20260219_0446
**目标专利名称**：190具有变化厚度的电感器CN105493208B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek-R1
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括基板**<br>《直接公开》 | “As shown in FIG. 2, a thin-film inductor 10 comprises a first magnetic layer 11 **on a substrate**; a coil layer 12 formed on the first magnetic layer 11 ...”（DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS部分，第1段）<br>“a thin-film inductor comprises a first magnetic layer formed **on a substrate**”（BACKGROUND OF THE INVENTION部分，第2段） | 对比文件明确描述了电感元件（thin-film inductor）包含形成在基板（substrate）上的第一磁层，即公开了电感元件包括基板这一技术特征。该基板在对比文件中作为整个电感元件的支撑结构，其作用与目标专利中作为电感器载体的基板相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了技术特征A。 |
| **技术特征B：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器**<br>《隐含公开》 | 1. “As shown in FIG. 1, the coil layer 12 formed on the first magnetic layer 11 is **formed in a flat spiral**...”（DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS部分，第3段）<br>2. “As shown in FIGS. 1 and 2, the first magnetic layer 11 is formed by **laminating a plurality of magnetic films 11a to 11c**... The second magnetic layer 13... is formed by **laminating a plurality of magnetic films 13a to 13c**... the thickness of a magnetic film is larger according as the magnetic film is more distant from the coil layer 12.”（DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS部分，第2、5、6段）<br>3. “In the embodiments of the invention, as described above, the thickness of a magnetic film is larger according as the distance from the coil layer 12 is longer.”（DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS部分，第7段） | 对比文件明确公开了布置在基板上的平面螺旋线圈层（coil layer 12），即公开了“布置在基板上的螺旋电感器”的部分内容。虽然对比文件的核心发明点在于磁层的梯度堆叠（离线圈越远的磁膜越厚），其整体结构（基板-磁层-线圈层-磁层）可被视为一种“层堆叠”电感器。目标专利的“梯度层堆叠”主要指导电螺旋自身的厚度梯度变化，而对比文件是磁膜厚度的梯度变化，两者结构不同。但“梯度层堆叠电感器”作为一个整体概念，本领域技术人员阅读对比文件后，有可能从其揭示的“磁层梯度堆叠”结构进行推理，联想到或推断出为实现类似优化目的（如改善磁场分布、减少损耗）而采用“导电层梯度堆叠”的电感器结构。基于宽松的隐含公开判断标准，认为对比文件隐含公开了技术特征B。 |
| **技术特征C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度**<br>《未公开》 | 对比文件未记载或描述关于螺旋线圈层（coil layer 12）本身在垂直于基板方向上的厚度变化，更未提及“最内匝”的特定部分具有特定厚度。对比文件所描述的厚度变化（如“厚度h4, h5和h6根据距线圈层的距离增大而增大”）均针对覆盖在线圈层上下的**磁膜（magnetic films 11a-11c, 13a-13c）**，而非线圈层自身的匝。 | 目标专利的技术特征C限定了螺旋电感器**自身**的导电螺旋在最内匝的特定部分具有第一厚度。对比文件仅公开了磁层（与电感线圈分离的磁性材料层）的厚度梯度变化，并未公开线圈层导体本身的厚度在不同匝或同一匝的不同部分发生变化。本领域技术人员无法从对比文件中直接或通过合理推理得出线圈层导体具有如目标专利所述的变化厚度特征。因此，技术特征C未被对比文件公开。 |
| **技术特征D：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度**<br>《未公开》 | 同技术特征C，对比文件未记载线圈层自身厚度的变化。 | 理由同技术特征C。对比文件未公开螺旋线圈层自身具有不同厚度的部分。因此，技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度**<br>《未公开》 | 同技术特征C，对比文件未记载线圈层自身不同部分的厚度关系。 | 理由同技术特征C。由于对比文件未公开线圈层自身存在具有不同厚度的部分，因此也无从公开这些厚度之间的大小关系。因此，技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度**<br>《未公开》 | 同技术特征C，对比文件未记载线圈层自身厚度的变化。 | 理由同技术特征C。对比文件未公开线圈层自身具有多个不同厚度的部分。因此，技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度**<br>《未公开》 | 同技术特征C，对比文件未记载线圈层自身不同部分的厚度关系。 | 理由同技术特征C和E。由于基础特征（线圈层自身厚度变化）未被公开，厚度之间的比较关系也无从公开。因此，技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大**<br>《未公开》 | 对比文件公开了磁膜厚度根据距线圈层的距离梯度增大，例如：“the thickness of a magnetic film is larger according as the magnetic film is more distant from the coil layer 12.”（DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS部分，第6段） | 目标专利的技术特征H限定了**螺旋电感器自身（导电螺旋）**的厚度在其最内匝内根据梯度增大。对比文件公开的是**覆盖线圈层的磁层**的厚度根据距线圈层的距离梯度增大。这是两种完全不同的结构：目标专利是导体厚度的变化，对比文件是磁性材料厚度的变化。两者作用位置和物理结构均不同。本领域技术人员无法从对比文件中的磁层梯度厚度推理出目标专利中导电螺旋自身的梯度厚度。因此，技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。**<br>《未公开》 | 对比文件仅描述了一个单一的“coil layer 12”（线圈层），该线圈层被描述为平面螺旋。没有记载存在两个或多个相互覆盖的独立导电螺旋，更没有描述这些螺旋在不同匝的部分的包含关系（如“第一部分包括第二导电螺旋的第一端部且不覆盖第一导电螺旋”）。 | 技术特征I定义了螺旋电感器的一种具体叠层结构，涉及两个导电螺旋的空间覆盖关系和它们在电感器最内匝、最外匝特定部分的构成。对比文件完全没有公开这样的多层导电螺旋堆叠结构。本领域技术人员无法从对比文件的单一线圈层和覆盖其上的磁层结构，推理出目标专利中这种特定的导电螺旋间覆盖与包含关系。因此，技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。**<br>《未公开》 | 对比文件未记载任何关于“第一导电螺旋”和“第二导电螺旋”的长度信息，因为其根本未公开这样的结构。 | 由于技术特征I所依赖的多层导电螺旋结构未被对比文件公开，因此，对这些导电螺旋长度的比较关系（技术特征J）也未被公开。本领域技术人员无法从对比文件中得出该技术特征。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。**<br>《未公开》 | 对比文件在磁层之间或磁层与线圈层之间设置有绝缘层（insulating layer），但未公开在（不存在的）两个导电螺旋之间设置“导电层”。对比文件的“线圈层（coil layer）”是导电的，但其是单一结构，并非位于两个螺旋之间的附加导电层。 | 技术特征K在特征I的基础上进一步限定了在两层导电螺旋之间插入一个导电层，并规定了该导电层在最内匝第二部分的结构关系。对比文件完全没有公开这样的三层导体（两个螺旋加一个中间导电层）堆叠结构。因此，技术特征K未被公开。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。**<br>《未公开》 | 对比文件未公开如技术特征K所定义的“导电层”。 | 由于作为前提的“导电层”未被公开，其具体形态（是否为非连续螺旋）自然也未被公开。因此，技术特征L未被公开。 |
| **技术特征M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。**<br>《未公开》 | 对比文件提到了线圈层的端部连接到引出电极（outgoing electrode），例如：“The winding center 12a of the coil layer 12 is electrically connected to an outgoing electrode (not shown)...”（DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS部分，第4段）。但这些引出电极是连接至单一线圈层的，并非如目标专利所述集成在一个中间的“导电层”中。 | 目标专利的技术特征M限定的是“导电层”包含引线。对比文件虽然公开了引线/电极，但其连接对象和位置均与目标专利不同，且作为载体的“导电层”本身未被公开。因此，技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。**<br>《未公开》 | 对比文件在磁膜之间以及磁层与线圈层之间设置有绝缘层（insulating layer），例如：“the first magnetic layer 11 is formed by laminating a plurality of magnetic films 11a to 11c via an insulating film (not shown).”（DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS部分，第2段）。但这些绝缘层位于磁性材料之间或磁性与导电材料之间，其作用和位置与目标专利中在两个导电螺旋之间设置的“钝化层”不同。 | 技术特征N限定的钝化层位于两个导电螺旋之间。对比文件公开的绝缘层位于磁膜之间或磁层与线圈层之间，其材料、功能（绝缘、间隔磁性材料）和所处结构环境均与目标专利的钝化层不同。本领域技术人员无法从对比文件的绝缘层推理出目标专利中位于特定导电螺旋之间的钝化层。因此，技术特征N未被公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。**<br>《未公开》 | 对比文件提到了通孔（throughhole），例如用于连接线圈层中心与引出电极（DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS部分，第4段，及FIG.4相关描述）。但该通孔用于连接线圈层和外部电极，并非用于连接两个（不存在的）导电螺旋。 | 技术特征O限定了通过通孔连接两个导电螺旋。对比文件虽然公开了通孔结构，但其连接的对象和目的（线圈层-电极）与目标专利（螺旋-螺旋）完全不同。且该技术特征所依赖的两个导电螺旋及它们之间的钝化层均未被公开。因此，技术特征O未被公开。 |
| **技术特征P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。**<br>《未公开》 | 同技术特征C、D、H，对比文件未公开线圈层自身厚度的变化。其公开的厚度单调递增是针对磁膜，且是随着距线圈层距离的增大而递增，并非在线圈层自身的一个匝内从一部分到另一部分递增。 | 目标专利的技术特征P限定了螺旋电感器自身最内匝的厚度变化趋势。对比文件完全没有公开线圈层导体自身的厚度变化，更谈不上其在一个匝内的单调递增。因此，技术特征P未被公开。 |
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