对比文件名称：2008-01-24_US2008018199A_发明申请_US20080018199A1 HIGH FREQUENCY ULTRASOUND TRANSDUCERS
目标专利名称：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
本次调用的模型名称：DeepSeek最新版本模型
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：《直接公开》**<br>其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量。 | [0040] “An ultrasound beam is reflected from any discontinuities in the acoustic impedance of the sample. The reflected ultrasound waves return to the transducer where pressure variations are converted into an electrical signal.”<br>[0119] “When a single element transducer is used to form an image, ... The weak return waves are amplified by a pre-amplifier and a variable gain amplifier...” | 对比文件明确描述了超声波换能器（transducer）能够接收从样品反射回来的超声波，并将压力变化转换为电信号。这直接公开了目标专利中“超声波接收器，用于检测超声波能量”的技术特征。两者作用相同，都是将接收到的超声波能量转换为电信号。 |
| **技术特征B：《隐含公开》**<br>所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列。 | [0036] “Embodiments of the present invention include ultrasound transducer arrays...”<br>[0077] “The transducer spacing can be approximately half the acoustic wavelength... For a 50 MHz transducer, however, a transducer pitch of approximately 15 microns may be used.”<br>[0138] “Arrays of piezoelectric elements may also be created by a mold replication process...” | 对比文件详细描述了在衬底上制造二维超声波换能器阵列（array of transducers），并讨论了阵列的间距（pitch）等参数。本领域技术人员能够毫无疑义地理解，这种在衬底上规则排列的、用于独立感知超声波信号的换能器集合，即构成了一个“像素电路的阵列”。虽然对比文件未明确使用“像素电路”一词，但其描述的阵列中的每个换能器单元在成像时即对应一个像素的功能。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征C：《隐含公开》**<br>其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上。 | [0095] “Thin films may be deposited using spin-coating, mist deposition, vapor deposition, physical deposition, or other deposition technique.”<br>[0087] “The piezoelectric film deposition was done by spin coating a 0.75M 2-MOE (2-methoxyethanol) based PZT solution at 3000 rpm.”<br>[0102] “A PZT layer is deposited on the whole substrate and annealed.” | 对比文件多次公开了通过旋涂（spin coating）等溶液涂布工艺将含有压电材料（如PZT）的溶液沉积到衬底或模板上的制造方法。虽然对比文件主要使用陶瓷材料PZT而非目标专利的聚合物，但涂布溶液这一工艺步骤本身是相同的。本领域技术人员可以从对比文件公开的“spin coating a ... PZT solution”直接且毫无疑义地得出“将含有（压电）材料的溶液涂布到阵列上”的技术方案。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征D：《未公开》**<br>所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极。 | 无 | 对比文件全文描述了多种换能器阵列结构（如管状、柱状、木琴结构）及其制造方法，并提及了与CMOS或TTL电子驱动电路的集成。然而，对比文件从未提及在换能器阵列的每个单元（像素）中集成“薄膜晶体管（TFT）元件”和“像素输入电极”。其换能器单元是直接通过电极与外部驱动/读出电路连接，而非通过每个像素内集成的TFT进行有源寻址和信号转换。这是目标专利与对比文件在像素电路结构上的根本区别，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征E：《直接公开》**<br>使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层。 | [0058] “After infiltration and pyrolysis crystallization was obtained at a higher temperature, 750° C. in the case of the nickelate layer and 650° C. in the case of PZT.”<br>[0087] “...and one crystallization step for one minute in the RTA at 670° C. in air.” | 对比文件明确公开了在制造压电层（如PZT）过程中，需要进行“结晶（crystallization）”步骤以形成结晶薄膜。例如，通过高温（如650°C或670°C）热处理使沉积的PZT溶液结晶。虽然目标专利的聚合物与对比文件的PZT材料不同，但“使材料结晶以形成结晶层”这一核心工艺步骤及其作用（获得压电性能所需的晶体结构）是完全相同的。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征F：《隐含公开》**<br>执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触。 | [0083] “Piezoelectric thin films may be poled in situ...”<br>[0130] “Piezoelectric materials used in example transducers may include... ferroelectric polymers and copolymers (such as PVDF, polyvinyldine fluoride), other ferroelectric polymers (including copolymers)...” | 对比文件提到了压电薄膜可以“被极化（poled）”，这是赋予铁电材料压电性的常见工艺。同时，对比文件在列举可用压电材料时，明确包含了铁电聚合物如PVDF及其共聚物。对于本领域技术人员而言，为了使铁电聚合物（如PVDF）具有压电性，对其进行“极化（poling）”即施加电场是公知的必要步骤。因此，从对比文件公开的“材料包含铁电聚合物”和“薄膜可被极化”，可以合理推断出“执行成极工艺，包含施加电场以形成压电层”。关于“与像素输入电极电接触”，对比文件中的压电层必然与其上下电极电接触以实现功能，这属于隐含的必然要求。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征G：《未公开》**<br>沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。 | [0100] 图中显示了“outer electrode 100”。<br>[0121] “...the high voltage requirement for conventional ultrasound transducer excitation...” | 对比文件确实描述了在压电层上沉积电极（如外电极），但这些电极主要用于施加驱动电压或收集信号，其作用是作为换能器的工作电极。目标专利中的“接收器偏置电极”是特指用于控制信号传递至下方TFT元件的电极，这与对比文件中作为换能器功能电极的作用不同。更重要的是，由于对比文件未公开TFT元件（特征D），因此也就不存在“控制信号传递至TFT元件”这一配置和作用。该特征未被公开。 |
| **技术特征H：《未公开》**<br>其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。 | [0087] “...sputtering a 300 Å Ti adhesion layer and ~700 Å of Pt electrode...”<br>[0102] “...Ti (200 Å)/Pt (1000 Å) layers were deposited and patterned for the bottom electrodes.” | 对比文件公开了使用溅射等方法形成金属薄膜（如Ti/Pt）作为电极。虽然这属于“导电薄膜”，但目标专利的“像素输入电极”特指与像素电路中的TFT输入端电连接的电极。由于对比文件未公开像素电路和TFT（特征D），因此其所公开的电极并非用于此特定目的和结构的“像素输入电极”。该特征未被公开。 |
| **技术特征I：《未公开》**<br>其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。 | 无 | 对比文件全文未提及在涂布压电材料溶液之前，需要先涂布“助粘剂（adhesion promoter）”这一工艺步骤。该特征是目标专利中用于改善聚合物层与衬底/阵列之间粘附性的特定方法，未被对比文件公开。 |
| **技术特征J：《直接公开》**<br>其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。 | [0095] “Thin films may be deposited using spin-coating, mist deposition, vapor deposition, physical deposition, or other deposition technique.”<br>[0087] “The piezoelectric film deposition was done by spin coating...” | 对比文件明确列举了包括“旋涂（spin-coating）”在内的多种薄膜沉积技术。同时，在具体实施例中详细描述了通过旋涂（spin coating）工艺涂布PZT溶液。这直接公开了目标专利权利要求中限定的涂布方法之一。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征K：《未公开》**<br>其中所述聚合物包含铁电聚合物。 | [0130] “Piezoelectric materials used in example transducers may include... ferroelectric polymers and copolymers (such as PVDF, polyvinyldine fluoride)...” | 对比文件在列举可能的压电材料时，明确提到了铁电聚合物（ferroelectric polymers），例如PVDF。虽然这是在材料列举部分而非具体实施例中，但属于对材料类型的明确公开。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征L：《未公开》**<br>其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。 | [0058] “...crystallization was obtained at a higher temperature, ... 650° C. in the case of PZT.”<br>[0087] “...one crystallization step for one minute in the RTA at 670° C. in air.” | 对比文件公开了PZT等陶瓷材料的结晶温度（如650°C），但PZT作为陶瓷材料，其结晶过程涉及的是相变温度而非明确的“居里温度”和“熔点”。目标专利该特征是关于特定聚合物（如PVDF-TrFE）的结晶工艺，其温度范围（居里点与熔点之间）和时长（至少一小时）是针对聚合物材料的特定条件。对比文件未公开针对铁电聚合物的此类具体结晶温度条件和时长要求。该特征未被公开。 |
| **技术特征M：《未公开》**<br>其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。 | 无 | 对比文件未提及在极化工艺之前，需要施加导电材料将像素电路端子短路到接地。这是目标专利中为了保护敏感的TFT像素电路在高压极化过程中免受损坏而采取的特定防护措施。由于对比文件未公开TFT像素电路，自然也不会公开此保护措施。该特征未被公开。 |
| **技术特征N：《未公开》**<br>其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。 | 无 | 由于特征M未被公开，作为其下位概念的特定导电材料（导电橡胶或导电墨水）也未被对比文件公开。 |
| **技术特征O：《未公开》**<br>其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。 | 无 | 对比文件虽然提到了电极可由金属制成，但从未具体公开接收器偏置电极具有“第一铜子层和第二镍子层”这种特定的多层结构。该特征未被公开。 |
| **技术特征P：《未公开》**<br>其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。 | 无 | 对比文件完全没有提及电极具有150埃厚的铜子层和850埃厚的镍子层这一具体的厚度参数。该特征未被公开。 |
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