对比文件名称：1992-07-21_US5133037A_发明授权_US5133037A Polymeric optical modulator and waveguiding media
目标专利名称：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《未公开》 | 未找到相关内容。 | 对比文件涉及用于光调制的聚合物波导介质和调制器（电光调制器），其功能是利用电光效应（Pockels效应）调制光信号。整个文件未提及超声波能量的发射、接收或检测。目标专利的超声波接收器用于检测超声波能量（如反射的超声波），两者功能和技术领域（声学传感 vs. 光学调制）完全不同。因此，本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出“超声波接收器”这一技术特征。 |
| **技术特征B**：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《未公开》 | 未找到相关内容。 | 对比文件描述了一种多层波导结构，其包含衬底（如硅晶圆12）、电极（14, 26）和聚合物层（18, 20, 24）（参见图2及[0046]段）。该结构是一个整体的、连续的波导器件，用于引导和调制光。其中没有任何关于“像素电路的阵列”的记载或暗示，更没有每个像素电路独立传感或寻址的概念。目标专利的像素电路阵列是用于有源矩阵式超声波传感的核心结构，两者结构和工作原理完全不同。因此，该特征既未被直接公开，也无法从对比文件隐含得出。 |
| **技术特征C**：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《未公开》 | “A cladding layer 18 ... is spin coated onto the substrate and over the electrode...”（[0046]段）<br>“The 50/50 copolymer of example I is spin coated to form a core layer 20...”（[0046]段）<br>“...a very thin layer of 50/50 copolymer is spin coated over the layer 20...”（[0046]段）<br>“A second cladding layer 24 is provided ... in the same manner as before.”（[0046]段） | 对比文件公开了通过旋涂（spin coated）将含有聚合物的溶液涂布到衬底/电极或已有聚合物层上，以形成包层（cladding layer）和芯层（core layer）。然而，对比文件涂布的对象是“衬底”（substrate）和“电极”（electrode），或已形成的聚合物层，其目的是形成光波导结构。目标专利涂布的对象是“像素电路的阵列的第一侧”，其目的是为了后续形成与每个像素电极电接触的压电传感层。两者涂布的目标基底和最终器件的功能结构（整体波导 vs. 像素化传感器阵列）存在本质区别。因此，虽然涂布工艺本身相似，但涂布的具体对象和目的不同，本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含地得出将聚合物溶液涂布到“像素电路的阵列”上这一特定技术特征。 |
| **技术特征D**：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极《未公开》 | 未找到相关内容。 | 对比文件完全没有提及任何“薄膜晶体管（TFT）元件”或“像素输入电极”。其结构包含的是整体性的金属电极（14, 26）用于施加极化或调制电场。目标专利的每个像素电路包含TFT和独立的像素输入电极，构成了一个有源矩阵传感器阵列。这是目标专利特有的结构特征，在对比文件中没有任何基础。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征E**：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层《直接公开》 | “Following coating, the layer is sequentially cured two (2) hours at 160° C., one (1) hour at 130° C. and one (1) hour at 110° C.”（[0046]段）<br>“To achieve a non-centrosymmetric structure, device 10 is poled in an electric field... This may be accomplished in any suitable manner but is preferably performed by heating device 10 above the glass transition temperature of the material of layers 18,20 and 24...”（[0047]段） | 对比文件在涂布聚合物溶液后，明确记载了固化（cured）步骤，包括在特定温度下（如160°C, 130°C, 110°C）加热一定时间。虽然未直接使用“结晶”（crystallize）一词，但结合上下文（使用侧链型非线性光学聚合物）和工艺目的（形成稳定的非中心对称结构），这种加热固化过程必然涉及聚合物链的排列和有序化，是本领域技术人员公知的使此类聚合物从溶液状态转变为具有所需光电性能的固体薄膜的必要步骤，实质上等同于“使聚合物结晶以形成结晶聚合物层”。此外，在极化工艺描述中，明确提到将器件加热到聚合物材料的玻璃化转变温度（Tg）以上，这也间接说明了聚合物层在极化前已形成固态结晶/玻璃态。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件得出“使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层”这一技术方案。 |
| **技术特征F**：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触《未公开》 | “To achieve a non-centrosymmetric structure, device 10 is poled in an electric field... by heating device 10 above the glass transition temperature ... and applying an electric field of 100 volts per micron or more to electrodes 14, 26. While the electric field is maintained, the device is cooled to below its glass transition temperature...”（[0047]段） | 对比文件明确公开了“极化”（poled）工艺，包括在加热条件下施加电场（如100伏/微米），然后冷却以锁定非中心对称结构。该工艺在形式上与目标专利的“成极”工艺相似。然而，目标专利的成极目的是为了形成“压电层”（piezoelectric layer），使其能够将机械应力（超声波）转换为电信号。对比文件的极化目的是为了使聚合物层获得电光活性（χ²非线性光学效应），用于调制光信号。两者目的和产生的功能性质量不同（压电性 vs. 电光性）。更重要的是，目标专利的压电层需要与“像素输入电极电接触”，而对比文件中施加电场的电极（14, 26）是用于整体极化和后续整体调制的电极，并非与像素化电路连接的“像素输入电极”。因此，虽然“施加电场”这一步骤被公开，但用于形成“压电层”并与“像素输入电极电接触”的完整技术特征并未被公开。 |
| **技术特征G**：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《未公开》 | “A second electrode 26 is patterned coextensively with rib 22...”（[0046]段） | 对比文件公开了在顶层聚合物包层（24）上图案化形成上电极（26）。然而，该电极在对比文件中的作用是：1）在极化工艺中与下电极（14）共同施加极化电场；2）在器件工作时与下电极共同施加调制电压以改变波导的折射率（电光效应）。其功能是用于施加整体性的控制电压以调制光信号，而非如目标专利所述“控制相应信号被传递至所述TFT元件”。目标专利的“接收器偏置电极”用于在超声波接收时建立偏置电场，控制压电层产生的电荷信号传递至下方像素电路中的TFT进行读取。两者电极的功能、所控制的信号类型（光调制电压 vs. 声学传感电荷信号）以及与之连接的下层结构（整体波导 vs. 像素TFT阵列）均不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征H**：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《未公开》 | “An aluminum or gold strip electrode 14 is deposited and patterned by conventional techniques...”（[0046]段）<br>“A second electrode 26 is patterned...”（[0046]段） | 对比文件公开了通过沉积和图案化形成的铝或金条状电极（14, 26）。这属于“导电薄膜”。但是，对比文件的这些电极是用于波导器件的整体驱动和调制电极，并非目标专利中与每个像素电路对应并电连接的“像素输入电极”。虽然材料类型可能相同，但电极的结构、布局和功能完全不同。因此，对比文件未公开“像素输入电极是由导电薄膜形成的”这一限定于像素电路上下文的技术特征。 |
| **技术特征I**：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《未公开》 | “Preferably, the substrate is suitably prepared using an adhesion promoter such as methacryl silane followed by baking at about 100° C. so that the structure will not delaminate.”（[0046]段） | 对比文件公开了在涂布聚合物层之前，使用助粘剂（adhesion promoter，如甲基丙烯酰氧基硅烷）处理衬底，并进行烘烤，以提高聚合物层与衬底（及电极）之间的附着力，防止分层。这与目标专利中涂布助粘剂的目的（增强聚合物层与下方阵列的附着力）相同。然而，对比文件中助粘剂是涂布在“衬底”（substrate）上，而目标专利是涂布在“像素电路阵列”上。尽管在对比文件中衬底上可能已有电极，但“像素电路阵列”是一个包含TFT等有源元件的复杂结构，与简单的衬底或电极不同。虽然从最宽泛的角度看，涂布助粘剂以提高附着力的概念是相似的，但鉴于涂布对象的本质差异（简单衬底/电极 vs. 像素电路阵列），且目标专利的权利要求明确限定了对象，不能认为对比文件直接或隐含公开了将助粘剂涂布到“像素电路阵列”上这一具体特征。 |
| **技术特征J**：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《直接公开》 | “...is spin coated onto the substrate...”（[0046]段） | 对比文件明确且唯一地使用了“旋涂”（spin coated）工艺来涂布聚合物溶液。旋涂是目标专利所列举的涂布方式之一。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出“通过旋涂执行涂布含有聚合物的溶液”这一技术方案。虽然对比文件未提及槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射等其他方式，但权利要求中使用“或”连接，是一种选择关系。对比文件公开了其中一种具体方式（旋涂），因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征K**：其中所述聚合物包含铁电聚合物。《隐含公开》 | “...polymers such as those described herein may be blended...”（[0032]段）<br>“...polymers of the general structure: ##STR1## where P is a backbone polymer unit, S a spacer group of 1-20 carbon atoms, M a sidechain and preferably an NLO active chromophore...”（[0032]段）<br>“...electro-optic modulator produced from electrically poled polymeric materials.”（[0006]段）<br>“...polymeric electro-optic materials are known to change refractive index, or more accurately, refractive properties, upon poling to a stable non-centrosymmetric structure.”（[0004]段） | 对比文件的核心是使用可极化的（polable）聚合物材料来制作电光调制器。文件中反复提及“electrically poled polymeric materials”和通过极化获得“non-centrosymmetric structure”。虽然未明确使用“铁电聚合物”（ferroelectric polymer）这一术语，但本领域技术人员公知，具有显著二阶非线性光学（NLO）活性、可通过电场极化获得非中心对称结构的侧链型聚合物，通常具有铁电性（即具有自发极化且极化方向可由电场改变）。例如，目标专利说明书[0041]段提及的PVDF及其共聚物就是典型的铁电聚合物。对比文件实施例中使用的含有硝基芴类生色团的侧链聚合物，是典型的用于电光器件的铁电聚合物体系。因此，本领域技术人员阅读对比文件后，能够合理推断出其所使用的聚合物属于“铁电聚合物”范畴。 |
| **技术特征L**：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《未公开》 | “Following coating, the layer is sequentially cured two (2) hours at 160° C., one (1) hour at 130° C. and one (1) hour at 110° C.”（[0046]段）<br>“...heating device 10 above the glass transition temperature of the material...”（[0047]段） | 对比文件公开了在涂布后对聚合物层进行固化（cured），具体是在一系列温度下（160°C, 130°C, 110°C）加热数小时。也提到了玻璃化转变温度（Tg）。但是，对比文件完全没有提及聚合物的“居里温度”（Curie temperature）和“熔点”（melting point）这两个特性参数。目标专利明确限定了结晶步骤是在居里温度和熔点之间的温度下焙烤至少一小时。虽然对比文件的固化温度（如130°C, 160°C）可能客观上落在某些铁电聚合物（如PVDF-TrFE）的居里温度和熔点之间，但对比文件本身并未建立这种关联性，也未提及“居里温度”这一概念。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或必然推断出“在居里温度与熔点之间的温度下焙烤”这一具体限定的结晶条件。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《未公开》 | 未找到相关内容。 | 对比文件的极化工艺描述中，仅提到在电极（14, 26）之间施加电场。没有提及在极化前施加任何导电材料以将任何“电路的端子”短路到接地。目标专利此特征是为了在极化时保护像素电路中的TFT等敏感元件，而对比文件的结构中不存在需要此类保护的像素电路。因此，该特征在对比文件中完全没有依据。 |
| **技术特征N**：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《未公开》 | 未找到相关内容。 | 由于技术特征M（施加导电材料）未被公开，其具体材料（导电橡胶或导电墨水）自然也未被公开。对比文件中未提及任何导电橡胶或导电墨水。 |
| **技术特征O**：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《未公开》 | 未找到相关内容。 | 对比文件公开的上电极（26）材料是铝或金（“aluminum or gold”），并未提及由铜和镍子层构成的双层结构。目标专利的这一特征是接收器偏置电极的具体材料构成，对比文件未公开。 |
| **技术特征P**：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《未公开》 | 未找到相关内容。 | 对比文件完全没有公开任何关于电极层厚度的具体数值，更未公开150埃铜层和850埃镍层的组合。该特征是具体工艺参数，未被公开。 |
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