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对比文件列表
2002-01-17_US2002005765A_发明申请_US20020005765A1 Digital indirectly compensated crystal oscillators_+++B_C_D_J_a_e+++.docx
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2003-03-27_US2003058057A_发明申请_US20030058057A1 Integrated CMOS high precision piezo-electrically driven clock_+++J_M_b_d_e+++.docx
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2003-10-02_US2003184399A_发明申请_US20030184399A1 Indirect temperature compensation process in an oscillator_+++A_B_C_D_H_J_M+++.docx
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2003-10-07_US6630872B_发明授权_US06630872B1 Digital indirectly compensated crystal oscillator_+++A_B_D_J_c_e_f_g_h_l_m+++.docx
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2006-04-06_US2006071728A_发明申请_US20060071728A1 Temperature compensated crystal oscillator_+++D_e+++.docx
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2007-05-10_US2007104298A_发明申请_US20070104298A1 Wireless device with a non-compensated crystal oscillator_+++D_J_M_a_b_c_e_f_h+++.docx
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2008-08-21_US2008197755A_发明申请_US20080197755A1 SURFACE-MOUNT TYPE CRYSTAL UNIT_+++A_B_C_D_G_H_J+++.docx
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2008-09-04_JP2008205938A_发明专利_JP2008205938A Crystal oscillator for surface mounting_+++A_B_G_J_c_d_e_h+++.docx
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2009-05-27_EP2062361A_发明公开_EP2062361A2 APPARATUS AND METHOD FOR TEMPERATURE COMPENSATION OF CRYSTAL OSCILLATORS_+++A_B_H_J_d+++.docx
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2009-12-24_JP2009303198A_发明专利_JP2009303198A Oscillator_+++C_D+++.docx
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2010-06-24_US2010156545A_发明申请_US20100156545A1 SYSTEM AND METHOD FOR USE OF A SWITCHED MODE TCXO FOR RECEIVER APPLICATIONS_+++D+++.docx
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2010-11-16_CA2394234C_发明专利_CA2394234C INDIRECT TEMPERATURE COMPENSATION PROCESS_+++A_C_D_J_b_h_m+++.docx
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2011-02-16_EP2284988A_发明公开_EP2284988A1 OSCILLATOR_+++C_D_m+++.docx
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2011-09-29_US2011234047A_发明申请_US20110234047A1 PIEZOELECTRIC DEVICE_+++A_B_G_I_J_c_d_h+++.docx
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2012-05-23_CN101517895B_发明授权_CN101517895B 用于晶体振荡器的温度补偿的设备和方法_+++A_B_H_J_d+++.docx
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2012-08-16_US2012209558A_发明申请_US20120209558A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_G_H_I_J_M_e_f_k_l+++.docx
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2012-08-23_WO2012112621A_发明申请_WO2012112621A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2013-07-17_EP2062361B_发明授权_EP2062361B1 APPARATUS AND METHOD FOR TEMPERATURE COMPENSATION OF CRYSTAL OSCILLATORS_+++A_B_H_J_c_d+++.docx
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2013-12-11_CN103444075A_发明公开_CN103444075A 具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
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2013-12-25_EP2676364A_发明公开_EP2676364A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2014-04-24_JP2014510455A_发明专利_JP2014510455A Wireless chip set using a non-temperature compensated crystal reference unit_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
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2016-02-02_US9252782B_发明授权_US09252782B2 Wireless chipset with a non-temperature compensated crystal reference_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_k+++.docx
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2016-07-07_US2016197617A_发明申请_US20160197617A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_G_H_J_L_M_e_f_i_k+++.docx
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2016-10-06_KR101663203B_发明授权_KR101663203B1 온도 비보상형 크리스탈 레퍼런스를 갖는 무선 칩셋_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2019-03-26_US10243569B_发明授权_US10243569B2 Wireless chipset with a non-temperature compensated crystal reference_+++A_B_C_D_F_G_H_I_J_K_L_M_e+++.docx
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2019-12-24_CN106208966B_发明授权_CN106208966B 具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2020-01-01_EP2676364B_发明授权_EP2676364B1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_k+++.docx
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2020-04-01_EP3629474A_发明公开_EP3629474A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
2026-03-10 16:04
EP3629474A1_Description_20260223_1514_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
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EP3629474A1_Description_20260304_2030_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
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JP2009260598A_Description_20260223_1514_+++J_d_e_f+++.docx
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2010-06-24_US2010156545A_发明申请_US20100156545A1 SYSTEM AND METHOD FOR USE OF A SWITCHED MODE TCXO FOR RECEIVER APPLICATIONS_+++D+++.docx

**对比文件名称**:2010-06-24_US2010156545A_发明申请_US20100156545A1 SYSTEM AND METHOD FOR USE OF A SWITCHED MODE TCXO FOR RECEIVER APPLICATIONS

**目标专利名称**:具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集CN106208966B

**本次调用的模型名称**:专利创造性评估模型

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:封装内的温度测量装置,所述封装的至少一部分为热传导的,所述温度测量装置经配置以测量所述封装的温度<br>**判断结果**:**未公开**对比文件[0017]段描述了DTCXO 109包含一个温度传感器:“The switched mode DTCXO 109 may include a bandgap temperature sensor 101...”。然而,全文未明确描述该温度传感器被置于一个“封装”内,也未描述该封装具有热传导的部分。对比文件公开了温度测量装置(带隙温度传感器101),但其作用是感知环境温度以用于后续的温度补偿计算([0017]段)。该传感器是DTCXO模块的一个组成部分,但对比文件并未描述该DTCXO模块本身具有一个“热传导的封装”来容纳传感器并用于测量封装温度。目标专利中“封装”是一个具有特定热传导结构、用于容纳并热耦合晶体与温度传感器的物理实体(参见说明书[0057]-[0063]段)。对比文件未公开此特定的封装结构及其热传导属性,也未公开温度测量装置被配置用于测量所述封装温度。因此,本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出该技术特征。
**技术特征B**:所述封装内的时钟源,所述时钟源热耦合到所述封装且经受大体上与所述封装相同的温度<br>**判断结果**:**未公开**对比文件[0017]段公开了晶体106作为振荡器电路107的一部分,用于生成参考时钟。对比文件公开了时钟源(晶体106)。然而,如特征A所述,对比文件未公开容纳时钟源的“封装”结构,因此“热耦合到所述封装且经受大体上与所述封装相同的温度”这一限定条件无从谈起。目标专利中“热耦合”是通过将晶体和温度测量装置共同置于热传导封装内实现的(参见说明书[0057]段)。对比文件仅提及晶体和温度传感器是同一振荡器模块(DTCXO 109)的组成部分,但未描述它们通过封装实现热耦合以经受相同温度。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征C**:所述封装外部的控制器,所述控制器经配置以接收来自所述温度测量装置的温度测量结果<br>**判断结果**:**未公开**对比文件[0017]段描述了:“The microcontroller 103 drives the compensation voltage to the DAC 104 which then converts the compensation voltage to a varactor voltage...”。微控制器103是DTCXO 109的内部组成部分(参见图1及[0017]段描述)。对比文件公开了控制器(微控制器103)接收来自ADC 102的温度测量结果(数字化后的带隙电压值)。然而,该微控制器是集成在“封装内”的DTCXO 109内部的(参见图1,DTCXO 109包含微控制器103),其作用是根据温度计算补偿电压。目标专利的控制器明确位于“封装外部”,用于接收温度测量结果并估计频率误差以供外部系统使用(参见说明书[0066]-[0067]段)。两者位置和作用不同。对比文件未公开位于封装外部的控制器。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征D**:所述控制器经配置以基于所述温度测量结果估计所述时钟源的频率误差<br>**判断结果**:**《直接公开》**对比文件[0017]段:“...the microcontroller stores data that characterize the uncompensated frequency error of the reference clock output as a function of the bandgap voltage. By reading the digitized bandgap voltage from the ADC 102 and the characterization data the microcontroller 103 is able to compute the compensation voltage that needs to be applied to the varactor 105 to compensate for the temperature induced frequency error.”对比文件直接公开了该技术特征。微控制器103(控制器)存储了表征参考时钟输出未补偿频率误差与带隙电压(即温度测量结果)关系的数据。通过读取来自ADC 102的数字化带隙电压(温度测量结果)和该表征数据,微控制器103能够计算出为补偿温度引起的频率误差所需施加到变容二极管105的补偿电压。这一计算过程本身就是基于温度测量结果来估计(确定)时钟源(晶体106)的频率误差(即“temperature induced frequency error”)。虽然对比文件中该估计用于生成内部补偿电压,而目标专利中是将频率误差估计提供给外部系统,但“基于温度测量结果估计频率误差”这一功能已被对比文件明确公开。因此,本领域技术人员能毫无疑义地从对比文件得出该技术方案。
**技术特征E**:以及信号产生器,其耦合到所述时钟源以接收来自所述时钟源的非补偿信号且耦合到所述控制器以接收所述频率误差<br>**判断结果**:**未公开**对比文件未明确描述一个独立的“信号产生器”模块。图1显示了DTCXO 109产生参考时钟输出给接收器子系统108,接收器子系统108使用该参考时钟生成其所需的所有时钟([0017]段)。目标专利中的“信号产生器”是一个明确的模块,其接收来自时钟源的“非补偿信号”和来自控制器的“频率误差”,并基于两者产生第一和第二参考信号(参见说明书[0033]-[0035]段,描述了LO产生器132和时钟产生器170基于参考信号和频率误差估计进行操作)。对比文件中,DTCXO 109输出的参考时钟是已经过(或即将经过)内部温度补偿处理的信号(在主动补偿模式下),并非目标专利中定义的“非补偿信号”。接收器子系统108使用该参考时钟,但并未描述其作为一个独立的“信号产生器”模块,同时接收“非补偿信号”和“频率误差”。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征F**:所述信号产生器经配置以基于所述非补偿信号和所述频率误差产生第一参考信号和第二参考信号。<br>**判断结果**:**未公开**(同特征E)对比文件未描述信号产生器基于所述非补偿信号和所述频率误差产生两个参考信号的功能。由于对比文件未公开技术特征E(特定的信号产生器模块及其输入连接关系),因此自然也未能公开该信号产生器的具体配置功能,即基于非补偿信号和频率误差产生两个参考信号。目标专利中该功能涉及产生用于不同路径(如接收和发射)的LO信号和数字时钟(参见说明书[0033]-[0035]段)。对比文件未公开此技术方案。
**技术特征G**:其中所述封装包括陶瓷材料且所述时钟源包括晶体。<br>**判断结果**:**未公开**对比文件[0017]段提及晶体(crystal)106,但未提及封装材料。对比文件公开了时钟源包括晶体。然而,未公开封装,更未公开封装包括陶瓷材料。目标专利说明书[0060]段明确描述了封装可由陶瓷材料制成。该技术特征未被公开。
**技术特征H**:其中所述封装和所述控制器实现在电子板上。<br>**判断结果**:**未公开**对比文件未提及封装和控制器实现在电子板上。对比文件未公开该具体实施结构。该技术特征未被公开。
**技术特征I**:其中所述封装经配置以将所述时钟源容纳于所述封装的上部空腔中且将所述温度测量装置容纳于所述封装的下部空腔中。<br>**判断结果**:**未公开**对比文件未描述封装具有空腔结构,也未描述时钟源和温度测量装置分别容纳于上下空腔中。这是目标专利的特定封装配置(参见说明书[0057]-[0063]段及图5)。对比文件完全没有涉及此结构特征。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征J**:其中所述温度测量装置包括热敏电阻。<br>**判断结果**:**未公开**对比文件[0017]段描述的温度测量装置是“bandgap temperature sensor 101”(带隙温度传感器)。对比文件公开的温度测量装置是带隙温度传感器,而非热敏电阻。目标专利说明书[0057]段及图4描述了温度测量装置可为热敏电阻。两者属于不同类型的温度传感器。该技术特征未被公开。
**技术特征K**:其中所述封装按H构型而配置。<br>**判断结果**:**未公开**对比文件未提及封装的构型。这是目标专利的特定封装构型(参见说明书[0060]段)。对比文件未公开此特征。
**技术特征L**:其中所述封装包括与电路卡组合件热隔离的基底层。<br>**判断结果**:**未公开**对比文件未提及封装的基底层及其与电路卡组合件的热隔离关系。这是目标专利的特定封装结构特征(参见说明书[0060]段)。对比文件未公开此特征。
**技术特征M**:其集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元以及固定位置数据单元中的至少一者中。<br>**判断结果**:**未公开**对比文件背景技术及具体实施方式提及了接收器可用于GPS接收器、通信接收器等(例如[0002], [0025], [0030]段),但未明确描述将包含所述特征的设备(或系统)集成到所列出的具体终端设备中。对比文件公开了其系统和方法可用于接收器(如GPS接收器),但并未将其所描述的TCXO/VC-TCXO系统本身限定为或被集成到如移动电话等具体列举的终端设备中。目标专利权利要求中的该特征是对设备应用场景的限定。对比文件未公开此特定限定。

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