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对比文件列表
1985-04-30_US4514750A_发明授权_US4514750A Integrated circuit package having interconnected leads adjacent the package ends_+++H_g_i_m+++.docx
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2003-10-07_US6630872B_发明授权_US06630872B1 Digital indirectly compensated crystal oscillator_+++A_B_D_J_c_e_f_g_h_l_m+++.docx
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2007-06-21_JP2007158464A_发明专利_JP2007158464A Piezoelectric oscillator_+++A_B_G_I_M_j+++.docx
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2008-08-21_US2008197755A_发明申请_US20080197755A1 SURFACE-MOUNT TYPE CRYSTAL UNIT_+++A_B_C_D_G_H_J+++.docx
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2008-09-04_JP2008205671A_发明专利_JP2008205671A Semiconductor device, voltage controlled oscillator, and method of manufacturing voltage controlled oscillator_+++G_h_m+++.docx
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2008-09-04_JP2008205938A_发明专利_JP2008205938A Crystal oscillator for surface mounting_+++A_B_G_J_c_d_e_h+++.docx
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2008-09-18_JP2008219123A_发明专利_JP2008219123A Temperature compensation piezoelectric oscillator_+++A_B_G_I_j+++.docx
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2008-09-30_KR100861087B_发明授权_KR100861087B1 멀티칩을 이용한 온도 보상형 수정 발진기 및 제조방법_+++A_B_g_m+++.docx
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2011-09-29_US2011234047A_发明申请_US20110234047A1 PIEZOELECTRIC DEVICE_+++A_B_G_I_J_c_d_h+++.docx
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2012-08-16_US2012209558A_发明申请_US20120209558A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_G_H_I_J_M_e_f_k_l+++.docx
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2012-08-23_WO2012112621A_发明申请_WO2012112621A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2013-12-11_CN103444075A_发明公开_CN103444075A 具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
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2013-12-25_EP2676364A_发明公开_EP2676364A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2014-04-24_JP2014510455A_发明专利_JP2014510455A Wireless chip set using a non-temperature compensated crystal reference unit_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
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2016-02-02_US9252782B_发明授权_US09252782B2 Wireless chipset with a non-temperature compensated crystal reference_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_k+++.docx
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2016-07-07_US2016197617A_发明申请_US20160197617A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_G_H_J_L_M_e_f_i_k+++.docx
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2016-10-06_KR101663203B_发明授权_KR101663203B1 온도 비보상형 크리스탈 레퍼런스를 갖는 무선 칩셋_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2019-03-26_US10243569B_发明授权_US10243569B2 Wireless chipset with a non-temperature compensated crystal reference_+++A_B_C_D_F_G_H_I_J_K_L_M_e+++.docx
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2019-12-24_CN106208966B_发明授权_CN106208966B 具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2020-01-01_EP2676364B_发明授权_EP2676364B1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_k+++.docx
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2020-04-01_EP3629474A_发明公开_EP3629474A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
2026-03-10 16:04
EP3629474A1_Description_20260223_1514_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
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EP3629474A1_Description_20260304_2030_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
2026-03-10 16:04
JP2010124022A_Description_20260223_1514_+++G_K_i+++.docx
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2011-09-29_US2011234047A_发明申请_US20110234047A1 PIEZOELECTRIC DEVICE_+++A_B_G_I_J_c_d_h+++.docx

对比文件名称:2011-09-29_US2011234047A_发明申请_US20110234047A1 PIEZOELECTRIC DEVICE

目标专利名称:具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集CN106208966B

模型名称:DeepSeek-R1

## 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:其包括:封装内的温度测量装置,所述封装的至少一部分为热传导的,所述温度测量装置经配置以测量所述封装的温度《直接公开》[0008]段:“Japanese Unexamined Publication ... discloses a piezoelectric device which has a thermistor element.” <br> [0111]段:“... the substrate portion 110a which is made of a ceramic material and having a high thermal conductivity is exposed at the first concave portion K1 and second concave portion K2.” <br> [0114]段:“In this way, in this embodiment, the substrate portion 110a functions as a heat conduction path ...”对比文件公开了压电设备包含热敏电阻元件(thermistor element),其作为温度检测单元(温度测量装置)。该设备具有由高热导率陶瓷材料(如氧化铝)制成的基板部分(substrate portion),该基板部分暴露在两个凹部中并起到热传导路径的作用,使得封装(即元件布置构件110)具有热传导部分。热敏电阻元件被配置为通过测量其电阻变化来检测温度,该温度通过基板的热传导与封装温度相关联。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了技术特征A。
**技术特征B**:所述封装内的时钟源,所述时钟源热耦合到所述封装且经受大体上与所述封装相同的温度《直接公开》[0004]段:“A piezoelectric device has a quartz or other piezoelectric vibration element and outputs an oscillation signal.” <br> [0114]段:“... the substrate portion 110a functions as a heat conduction path and adjusts the temperature of the first concave portion K1 in which the piezoelectric vibration element 120 is arranged and the temperature of the second concave portion K2 in which the thermistor element 140 is arranged to the same temperature as that of the outside.”对比文件中的压电振动元件(piezoelectric vibration element),例如石英板,产生振荡信号,其作用相当于目标专利中的“时钟源”。该元件被容纳在封装(元件布置构件110)的第一凹部K1内。对比文件明确说明,高热导率的基板部分作为共同的热传导路径,将容纳压电振动元件的凹部和容纳热敏电阻元件的凹部的温度调整到与外部相同,这意味着两个元件热耦合并通过封装经受大体相同的温度。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了技术特征B。
**技术特征C**:所述封装外部的控制器,所述控制器经配置以接收来自所述温度测量装置的温度测量结果《隐含公开》[0101]段:“The thermistor element 140 is connected to a main IC of the electronic apparatus, for example. The main IC is connected to the electrode terminal G.” <br> [0103]段:“The electronic apparatus applies a voltage to the thermistor element 140. ... converts the output voltage of the thermistor element 140 to a corresponding temperature value ...”对比文件描述了热敏电阻元件连接到电子设备的“主IC”(main IC),该主IC通过电极端子G连接到压电设备外部。主IC对热敏电阻施加电压并接收其输出电压,进而将其转换为温度值。这个过程包含了接收来自温度测量装置(热敏电阻)的温度测量结果(即输出电压,其代表温度信息)的功能。虽然对比文件没有明确使用“控制器”一词,但“主IC”或“电子设备”执行了接收和处理温度测量结果的控制功能,且位于封装外部。因此,本领域技术人员通过合理推断,能够得出对比文件隐含公开了技术特征C。
**技术特征D**:所述控制器经配置以基于所述温度测量结果估计所述时钟源的频率误差《隐含公开》[0007]段:“Incidentally, the oscillation frequency of a piezoelectric device has a temperature characteristic and changes also according to temperature.” <br> [0008]段:“By utilizing the piezoelectric device disclosed in the Publication, it is possible to compensate the temperature characteristic of the oscillation frequency.”对比文件明确指出压电设备(其包含作为时钟源的压电振动元件)的振荡频率具有温度特性并随温度变化,并且引用另一文献说明利用具有热敏电阻的压电设备可以补偿振荡频率的温度特性。补偿频率的温度特性的前提是知晓温度与频率误差之间的关系。虽然对比文件没有详细描述“估计频率误差”的具体算法,但本领域技术人员基于公知常识(晶体频率随温度漂移)和对比文件给出的“利用温度检测补偿频率特性”的明确教导,可以合理推断出,为了实现频率温度补偿,外部的主IC(控制器)需要基于接收到的温度测量结果(来自热敏电阻)来估计时钟源(压电振动元件)的频率误差。因此,技术特征D被对比文件隐含公开。
**技术特征E**:以及信号产生器,其耦合到所述时钟源以接收来自所述时钟源的非补偿信号且耦合到所述控制器以接收所述频率误差,《未公开》无相应内容。对比文件描述了压电设备输出振荡信号,以及外部主IC处理温度信息。但没有公开任何被称为“信号产生器”的模块,该模块需要同时接收来自时钟源的非补偿信号和来自控制器的频率误差估计。对比文件也未揭示任何具有此类输入和功能的电路单元。因此,技术特征E未被对比文件公开。
**技术特征F**:所述信号产生器经配置以基于所述非补偿信号和所述频率误差产生第一参考信号和第二参考信号。《未公开》无相应内容。由于技术特征E中的“信号产生器”未被公开,且对比文件中没有任何内容涉及基于非补偿信号和频率误差产生两个不同的参考信号,因此技术特征F未被对比文件公开。
**技术特征G**:其中所述封装包括陶瓷材料且所述时钟源包括晶体。《直接公开》[0061]段:“The substrate portion 110a and the second frame portion 110c are formed by stacking plurality sheets of ceramic material of alumina (AlO) ceramic, or glass-ceramic, for example.” <br> [0076]段:“The quartz plate 121 is formed by cutting a manmade crystal ...”对比文件明确说明元件布置构件(即封装)的基板部分和第二部分由陶瓷材料(例如氧化铝陶瓷)形成。同时,压电振动元件包含石英板(quartz plate),石英是一种晶体。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了封装包含陶瓷材料,且时钟源(压电振动元件)包含晶体。技术特征G被直接公开。
**技术特征H**:其中所述封装和所述控制器实现在电子板上。《隐含公开》[0108]段:“The piezoelectric device 100 is mounted on a printed circuit board of a electronic apparatus. The external connection electrode terminals G are soldered to the printed circuit board.” <br> [0101]段:“The thermistor element 140 is connected to a main IC of the electronic apparatus, for example. The main IC is connected to the electrode terminal G.”对比文件明确记载压电设备(封装)通过其外部连接电极端子G被安装(焊接)在电子设备的印刷电路板(即电子板)上。同时,处理温度信息的主IC(控制器)也连接到同一电极端子G,暗示其也位于同一电子系统(很可能在同一印刷电路板)上。本领域技术人员可以合理推断,封装和控制器都实现在电子板(印刷电路板)上。因此,技术特征H被隐含公开。
**技术特征I**:其中所述封装经配置以将所述时钟源容纳于所述封装的上部空腔中且将所述温度测量装置容纳于所述封装的下部空腔中。《直接公开》[0054]段:“The piezoelectric vibration element 120 is arranged in the first concave portion K1.” <br> [0057]段:“The thermistor element 140 is arranged in the second concave portion K2.” <br> 图1-2显示第一凹部K1在上,第二凹部K2在下。对比文件的附图(图1、2)和文字说明清晰地显示,压电振动元件(时钟源)被容纳在第一凹部K1中,热敏电阻元件(温度测量装置)被容纳在第二凹部K2中。从剖面图可见,第一凹部K1位于上部,第二凹部K2位于下部,形成了上下布局的空腔结构。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了技术特征I。
**技术特征J**:其中所述温度测量装置包括热敏电阻。《直接公开》[0008]段:“... discloses a piezoelectric device which has a thermistor element.” <br> [0057]段:“The thermistor element 140 is arranged in the second concave portion K2.”对比文件通篇将温度检测单元描述为“热敏电阻元件”(thermistor element)。这是其温度测量装置的具体实施方式。因此,技术特征J被直接公开。
**技术特征K**:其中所述封装按H构型而配置。《未公开》无相应内容。对比文件描述了封装具有上下两个凹部的结构,但从未提及或暗示该构型为“H构型”。目标专利说明书中提及的“H构型”是特定的封装形状描述。对比文件未公开此特定构型特征。因此,技术特征K未被公开。
**技术特征L**:其中所述封装包括与电路卡组合件热隔离的基底层。《未公开》无相应内容。对比文件没有描述封装包含任何与电路卡组合件(例如印刷电路板)热隔离的基底层。其强调的是基板部分(substrate portion)作为热传导路径,将热量传导至外部,而非热隔离。因此,技术特征L未被公开。
**技术特征M**:其集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元以及固定位置数据单元中的至少一者中。《未公开》无相应内容。对比文件仅一般性地提及压电设备用于“电子设备”(electronic apparatus)或“通信设备”(communication apparatus),但并未具体列举或暗示其集成到目标专利权利要求M中所限定的任何特定设备(如移动电话、音乐播放器等)中。因此,技术特征M未被公开。

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