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对比文件列表
1985-06-18_发明授权_US4523471A Composite transducer structure_+++A_E_H_a_d_e_f_h+++.docx
2026-03-10 19:01
1998-04-28_发明授权_US5744898A Ultrasound transducer array with transmitter_receiver integrated circuitry_+++A_C_D_E_N_h+++.docx
2026-03-10 19:01
2004-05-18_发明授权_US06736779B1 Ultrasonic probe and ultrasonic diagnostic device comprising the same_+++A_C_D_E_N+++.docx
2026-03-10 19:01
2005-02-03_发明申请_US20050023937A1 Piezoelectric vibrator_+++C_M_a_d_e_l_n_o_p_r+++.docx
2026-03-10 19:01
2008-05-29_发明申请_US20080122317A1 MULTI-LAYER TRANSDUCERS WITH ANNULAR CONTACTS_+++B_N_c_d_e_f_g_j_l_m_o_p_q_r_s+++.docx
2026-03-10 19:01
2008-12-18_发明申请_US20080309200A1 Ultrasonic Transducer Module Comprising a Transmitter Layer and a Receiver Layer_+++A_E_H_I_N_d_m+++.docx
2026-03-10 19:01
2009-08-13_发明申请_US20090204001A1 ULTRASONIC PROBE AND ULTRASONIC DIAGNOSTIC APPARATUS_+++B_N_a_b_c_d_e_l_m_o+++.docx
2026-03-10 19:01
2011-08-03_发明公开_CN102143422A 圆形薄膜压电超声换能器_+++B_C_J_O_R_S_a_d_l_p+++.docx
2026-03-10 19:01
2011-09-08_发明申请_US20110215150A1 Biometric Sensor With Delay Layer_+++a_d_e_f_h_i+++.docx
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2012-07-26_发明申请_US20120188849A1 ULTRASONIC SENSOR AND ELECTRONIC DEVICE_+++A_B_C_D_E_F_G_o_p_t+++.docx
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2012-09-27_发明申请_US20120245408A1 METHODS AND SYSTEMS FOR IMPROVING ACTUATOR PERFORMANCE BY REDUCING TENSILE STRESSES IN PIEZOELECTRIC THIN FILMS_+++B_C_D_F_G_L_O_S_a_e_j_p_r+++.docx
2026-03-10 19:01
2013-05-30_发明申请_US20130134838A1 PIEZOELECTRIC MEMS TRANSFORMER_+++B_C_D_F_G_L_M_N_O_e_p+++.docx
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2013-07-11_发明专利_JP2013135793A Ultrasonic probe and ultrasonic inspection apparatus_+++A_B_C_D_E_F_G_L_M_N_O_P_R_s+++.docx
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2013-11-07_发明申请_US20130293065A1 ULTRA WIDE BANDWIDTH PIEZOELECTRIC TRANSDUCER ARRAYS_+++B_C_D_E_O_a_b_c_l_m_n_p+++.docx
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2014-06-24_发明授权_US08760971B2 Method for controlling an ultrasonic sensor and ultrasonic sensor_+++D_E_F_a+++.docx
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2014-07-17_发明申请_WO2014108960A1 IN-PIXEL ULTRASONIC TOUCH SENSOR FOR DISPLAY APPLICATIONS_+++D_n+++.docx
2026-03-10 19:01
2014-08-07_发明申请_US20140219521A1 BIOMETRIC SENSING DEVICE FOR THREE DIMENSIONAL IMAGING OF SUBCUTANEOUS STRUCTURES EMBEDDED WITHIN FINGER TISSUE_+++A_D_E_b_c_n_p+++.docx
2026-03-10 19:01
2014-12-04_发明申请_US20140354608A1 DEVICES AND METHODS OF SENSING_+++C_D_E_F_a_b_g+++.docx
2026-03-10 19:01
2016-04-21_发明申请_US20160107194A1 THREE-PORT PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
2026-03-10 19:01
2016-04-21_发明申请_WO2016061406A1 SUPERPIXEL ARRAY OF PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCERS FOR 2-D BEAMFORMING_+++A_B_C_D_E_G_H_I_f_l_m_o+++.docx
2026-03-10 19:01
2016-04-21_发明申请_WO2016061410A1 THREE-PORT PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
2026-03-10 19:01
2016-05-12_发明申请_US20160131747A1 ACTIVE BEAM-FORMING TECHNIQUE FOR PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER ARRAY_+++B_C_O_d_l_m+++.docx
2026-03-10 19:01
2017-04-20_发明申请_US20170110504A1 INTEGRATED PIEZOELECTRIC MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCER PIXEL AND ARRAY_+++A_B_C_D_F_G_H_I_J_L_M_N_O_P_b_e_k_q_r_s+++.docx
2026-03-10 19:01
2017-04-20_发明申请_WO2017066612A1 INTEGRATED PIEZOELECTRIC MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCER PIXEL AND ARRAY_+++A_B_C_D_G_H_I_L_M_N_e_f_j_o_p_r_s+++.docx
2026-03-10 19:01
2018-06-08_发明公开_CN108140115A 集成的压电微机械超声换能器像素和阵列_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_M_N_O_f_p_r_s+++.docx
2026-03-10 19:01
2018-06-18_发明公开_KR20180066096A 통합된 압전 마이크로기계식 초음파 트랜스듀서 픽셀 및 어레이_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_N_O_P_Q_R_S+++.docx
2026-03-10 19:01
2018-06-19_发明授权_US10001552B2 Three-port piezoelectric ultrasonic transducer_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
2026-03-10 19:01
EP3362943A1_Description_20260304_2047_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_N_P_k_o+++.docx
2026-03-10 19:01
WO2016061410A1_Description_20260304_2047_+++A_B_C_D_F_G_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_e_h+++.docx
2026-03-10 19:01
无说明书_+++B_C_O_d_n_p+++.docx
2026-03-10 19:01
1985-06-18_发明授权_US4523471A Composite transducer structure_+++A_E_H_a_d_e_f_h+++.docx

**对比文件名称:** US4523471A Composite transducer structure

**目标专利名称:** CN107107114B 三端口压电超声换能器

**模型名称:** DeepSeek

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用 (翻译为中文)公开性论述
**技术特征A:在第一时间段期间,响应于来自收发器电路的信号,借助于压电微机械超声换能器PMUT的第一电极发射第一超声信号。** <br>**《隐含公开》**[2] “...发射器20...元件12, 14, 和 16 发射一脉冲的超声能量...”对比文件公开了由发射器20驱动特定的换能器元件(例如12、14、16)发射超声脉冲。虽然对比文件未明确使用“第一时间段”和“PMUT第一电极”的表述,但本领域技术人员能够毫无疑义地理解,发射超声信号必然发生在一个时间段内,且该发射操作是响应于发射器(相当于收发器电路的发射部分)的信号。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
**技术特征B:所述PMUT包含安置于腔上方的膜片。** <br>**《未公开》**无相关内容。目标专利中的PMUT(压电微机械超声换能器)特指一种包含腔上方膜片的微机械结构。对比文件描述的是传统的体块式压电换能器阵列(环形阵列),每个换能器元件是独立的环状压电体,未提及任何“腔”或“膜片”结构。因此,该区别特征未被公开。
**技术特征C:所述膜片包含压电层堆叠。** <br>**《未公开》**无相关内容。该技术特征依赖于特征B的膜片结构。由于对比文件未公开PMUT及其膜片结构,因此自然也未能公开膜片所包含的“压电层堆叠”这一具体构成。
**技术特征D:所述压电层堆叠包含压电层、所述第一电极和第二电极。** <br>**《隐含公开》**[2] “...换能器10由多个换能元件12, 13, 14, 15, 16, 和 17组成...”,“...元件12, 14, 和 16...连接到发射器20...元件13, 15, 和 17...连接到接收器24...”。 以及附图1-2显示每个环形元件具有电极。对比文件公开了多个换能器元件,每个元件必然包含压电材料(说明书提及PZPT材料)和用于电连接的电极。其中,元件12、14、16可对应于“第一电极”(发射电极),元件13、15、17可对应于“第二电极”(接收电极)。虽然这些电极分属于不同的独立物理元件,而非目标专利中同一压电层堆叠上的不同图案化电极,但从“包含压电材料和多个电极以实现发射和接收功能”这一广义的技术方案构成来看,可以认为对比文件隐含公开了该特征组合。但需注意,两者在电极的物理集成方式上存在本质差异。
**技术特征E:所述第一电极与所述收发器电路的第一部分电耦合。** <br>**《直接公开》**[2] “...元件12, 14, 和 16通过导体18连接到发射器20。”对比文件明确公开了发射元件(对应于第一电极)通过导体连接到发射器(相当于收发器电路的发射部分)。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征F:且所述第一电极和所述第二电极中的每一者安置于所述压电层的第一表面上或附近。** <br>**《隐含公开》**附图1-2显示了环形换能器元件的电极布置。对比文件的附图显示了每个环形换能器元件具有电极,本领域技术人员可以理解,为了使压电材料发生形变或产生电信号,电极需要安置在压电材料的表面或附近。因此,该布置方式被隐含公开。
**技术特征G:所述第一表面与所述腔对置。** <br>**《未公开》**无相关内容。该特征与PMUT的特定结构(膜片、腔)相关。由于对比文件未公开“腔”结构,因此“与腔对置的表面”这一位置关系无从谈起,未被公开。
**技术特征H:和在第二时间段期间,借助于所述第二电极接收第二超声信号,所述第二电极与所述收发器电路的第二且不同的部分电耦合,其中所述第一时间段和所述第二时间段至少部分地重叠。** <br>**《隐含公开》**[2] “来自内部组织的反射被元件13, 15, 和 17接收并呈现给接收器24...”; 以及背景技术提到“...一个环可以专用于发射能量,而其余的环可以用于接收能量。”对比文件明确公开了使用不同的元件(13, 15, 17,对应于第二电极)来接收反射的超声信号,并且这些元件连接到独立的接收器24(相当于收发器电路的第二且不同的部分)。关于“第一时间段和第二时间段至少部分地重叠”,对比文件未明确描述发射与接收操作的时间关系。然而,在超声成像领域,为了实时成像,发射脉冲后立即开始接收回波是常见操作,发射脉冲的持续时间与回波到达的时间可能存在重叠(例如,在发射长脉冲时,远端回波可能在脉冲未结束时即到达)。本领域技术人员从对比文件公开的“专用发射环和接收环”结构出发,结合超声成像的常规操作模式,有可能合理推断出发射和接收动作在时间上可以存在至少部分的重叠,以实现连续或快速的信号获取。因此,该特征被隐含公开。
**技术特征I:其进一步包括同时地借助于所述第一电极发射所述第一超声信号并借助于所述第二电极接收所述第二超声信号。** <br>**《未公开》**无相关内容。对比文件仅描述了发射元件发射脉冲以及接收元件接收反射的常规时序,未在任何部分提及或暗示发射和接收操作可以“同时”进行。目标专利强调的“同时”发射和接收是其核心创新点之一,用于解决双端口PMUT的切换延迟问题。对比文件未公开此特征。
**技术特征J:所述第一电极安置于所述膜片的内部部分中,且所述第二电极安置于所述膜片的外部部分中,所述外部部分接近于所述腔的壁且处在所述壁与所述第一电极之间。** <br>**《未公开》**无相关内容。该特征详细描述了在同一膜片上,发射电极和接收电极相对于腔壁的内外位置关系。这完全依赖于目标专利特有的PMUT膜片和腔体结构。对比文件是独立的环形元件阵列,不存在“同一膜片”、“内部部分”、“外部部分”及“腔的壁”的概念。因此,该特征未被公开。
**技术特征K:其中所述第二电极的一部分延伸超出所述腔的所述壁。** <br>**《未公开》**无相关内容。该特征是关于电极相对于腔壁的延伸关系,是目标专利PMUT结构的进一步细节。对比文件无对应结构,未被公开。
**技术特征L:其中所述膜片包含第三电极,所述第三电极安置于所述压电层与所述腔之间。** <br>**《未公开》**无相关内容。该特征描述了作为参考电极的第三电极及其位置。对比文件中的换能器元件是简单的双电极(上下电极)结构,未提及或暗示存在第三个电极,更无此电极与“腔”的相对位置关系。因此,未被公开。
**技术特征M:其中所述第三电极被配置为与所述第一电极和所述第二电极中的每一者一样的参考电极。** <br>**《未公开》**无相关内容。该特征依赖于特征L的第三电极。由于第三电极未被公开,其作为公共参考电极的配置自然也未被公开。
**技术特征N:其中所述参考电极的电压箝位到接地或其它参考电压。** <br>**《未公开》**无相关内容。该特征是对参考电极电压状态的限定。对比文件未公开参考电极,因此该特征未被公开。
**技术特征O:所述膜片受锚定结构支撑并在所述腔上方延伸,所述膜片经配置以在所述PMUT接收或发射超声信号时,经历挠曲运动和振动中的一者或两者并在第一挠曲模式中操作。** <br>**《未公开》**无相关内容。该特征描述了PMUT膜片特有的机械支撑方式(锚定结构)和振动模式(挠曲模式)。对比文件中的体块式压电换能器通过厚度方向振动工作,而非膜片的挠曲振动,也没有“锚定结构支撑腔上方膜片”的结构。因此,该特征未被公开。
**技术特征P:其中,在所述第一挠曲模式中,所述第一电极和所述第二电极中的每一者经历包含拉伸和压缩应力的交替周期的相应的第一振荡负载循环和第二振荡负载循环。** <br>**《未公开》**无相关内容。该特征描述了PMUT膜片在挠曲振动时,其不同区域电极所经历的特定应力状态。这完全依赖于PMUT的挠曲振动模式。对比文件的换能器工作模式不同,未公开此特征。
**技术特征Q:其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环大致同相。** <br>**《未公开》**无相关内容。该特征是关于PMUT电极应力循环相位关系的进一步限定。在对比文件未公开特征P的前提下,此特征无法被公开。
**技术特征R:其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环异相。** <br>**《未公开》**无相关内容。同上,该特征未被公开。
**技术特征S:其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环异相180°。** <br>**《未公开》**无相关内容。同上,该特征未被公开。
**技术特征T:其中所述第二电极经配置以在所述第一时间段期间处于发射模式中且在所述第二时间段期间处于接收模式中。** <br>**《未公开》**无相关内容。该特征描述了同一个电极可在不同时间段切换发射/接收模式。对比文件明确将元件分为专用的发射元件(12,14,16)和专用的接收元件(13,15,17),没有提及任何元件具备模式切换功能。因此,该特征未被公开。

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