**对比文件名称**：2010-10-13_EP2239561A_发明公开_EP2239561A1 OFET-based sensor for detecting an analyte
**目标专利名称**：1028包括纳米膜的装置和相关方法CN107923868B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括支撑衬底<br>《直接公开》 | [0008]“在衬底11上”；[0073]“由n++-Si制成的衬底61” | 对比文件明确公开了OFET传感器包含支撑衬底，用于承载其他层，与目标专利的支撑衬底作用相同。 |
| **技术特征B**：直接在所述支撑衬底上的纳米膜<br>《未公开》 | 对比文件中介电层不直接位于衬底上：底部栅极结构中，介电层位于栅极上，栅极位于衬底上；顶部栅极结构中，介电层位于半导体层上。 | 对比文件没有公开任何膜层“直接”在支撑衬底上，其介电层总是通过其他层（栅极或半导体/电极）间接置于衬底上，不符合“直接”要求。 |
| **技术特征C**：在所述纳米膜上的沟道构件<br>《未公开》 | 底部栅极结构中半导体层在介电层上，但介电层并非直接在衬底上的纳米膜（见B）。 | 由于技术特征B未被公开，且对比文件的沟道构件为有机半导体而非目标专利的石墨烯，本特征未被公开。 |
| **技术特征D**：在所述沟道构件上的第一电极和第二电极<br>《直接公开》 | [0008]“两个电极12（源极和漏极）可以设置在顶部（‘底栅/顶接触配置’）”。 | 对比文件明确公开了源漏电极位于半导体沟道层之上（顶接触结构），即电极在沟道构件上，实现电接触功能。 |
| **技术特征E**：所述第一电极和第二电极被配置为使电流能够从所述第一电极通过所述沟道构件流到所述第二电极<br>《直接公开》 | [0006]“这些载流子从源极穿过沟道移动到漏极”。 | 对比文件描述了源漏电极之间通过沟道的载流子传输，形成了从第一电极经沟道到第二电极的电流路径。 |
| **技术特征F**：其中，所述沟道构件通过所述纳米膜而与所述支撑衬底分离<br>《未公开》 | 底部栅极结构中，沟道（半导体层）通过介电层和栅极与衬底分离；顶部栅极结构中，沟道通过电极和衬底分离。 | 对比文件中沟道构件与支撑衬底之间至少存在栅极或电极等其他层，并非“通过纳米膜”直接分离。 |
| **技术特征G**：所述纳米膜被配置为通过抑制所述沟道构件与所述支撑衬底之间的相互作用来便于电流流过所述沟道构件；并且中，所述纳米膜包括碳纳米膜<br>《未公开》 | 对比文件未提及碳纳米膜，也未描述抑制沟道与衬底相互作用的机制。 | 对比文件的介电层主要作为传感层，其功能是感应分析物而改变电学性质，并非用于抑制沟道与衬底之间的相互作用以改善电流；且材料不是碳纳米膜。 |
| **技术特征H**：所述沟道构件包括石墨烯<br>《未公开》 | 对比文件使用有机半导体（如P3HT）作为沟道材料[0073]。 | 对比文件没有公开或暗示使用石墨烯作为沟道材料，其沟道材料为有机半导体。 |
| **技术特征I**：所述支撑衬底包括聚酰亚胺、聚酯、聚氨酯和聚二甲基硅氧烷中的一种或多种<br>《直接公开》 | [0051]“柔性的（例如PET，Mylar）”。 | 对比文件明确公开了聚酯（PET）作为柔性衬底材料，属于目标专利所列材料中的一种，因此直接公开。 |
| **技术特征J**：其中所述纳米膜具有预定厚度以在所述沟道构件与所述支撑衬底之间提供足以减小它们之间的电磁相互作用的间隔，从而便于电流流过所述沟道构件<br>《未公开》 | 对比文件讨论介电层厚度时仅涉及传感和泄漏控制[0074]，未提及通过厚度减小电磁相互作用。 | 对比文件没有公开纳米膜（或其介电层）具有预定厚度来减小沟道与衬底之间的电磁相互作用，其厚度选择目的不同。 |
| **技术特征K**：其中所述纳米膜为足够厚和可变形中的一种或多种，以减小由所述支撑衬底的表面处的粗糙度引起的所述沟道构件处的起伏以及相关联的载荷子迁移率的降低，从而便于电流流过所述沟道构件<br>《未公开》 | 对比文件未提及通过纳米膜的厚度或变形来平坦化衬底粗糙度。 | 对比文件没有任何关于纳米膜用于吸收衬底粗糙度、减小沟道起伏的教导或暗示。 |
| **技术特征L**：其中所述碳纳米膜被配置为抑制电流从所述沟道构件泄漏到所述支撑衬底，从而便于电流流过所述沟道构件<br>《未公开》 | 对比文件没有碳纳米膜；其介电层虽可防止栅极泄漏，但未描述抑制沟道到衬底的泄漏。 | 目标专利的碳纳米膜具有特定的抑制泄漏功能，对比文件中既无碳纳米膜，也无类似功能描述。 |
| **技术特征M**：其中所述纳米膜包括导电材料，所述导电材料被配置为屏蔽所述沟道构件免受由所述支撑衬底上的带电物质产生的电场影响，从而便于电流流过所述沟道构件<br>《未公开》 | 对比文件介电层通常为绝缘材料（如PVA、PVP、BCB等），未使用导电材料屏蔽。 | 对比文件未公开导电纳米膜用于屏蔽来自衬底带电物质的电场。 |
| **技术特征N**：其中所述纳米膜包括导电材料，所述导电材料被配置为屏蔽所述沟道构件免受由通过所述支撑衬底上的电互连传播的电信号所产生的电磁场影响，从而便于电流流过所述沟道构件<br>《未公开》 | 同上，对比文件无导电屏蔽层。 | 对比文件未公开导电纳米膜用于屏蔽来自电互连的电磁场。 |
| **技术特征O**：其中所述纳米膜包括一种或多种掺杂剂，所述一种或多种掺杂剂被配置为引起通过所述沟道构件的电流的变化<br>《未公开》 | 对比文件未在介电层中添加掺杂剂以改变沟道电流。 | 对比文件通过分析物与介电层相互作用改变电流，而非通过预置掺杂剂。 |
| **技术特征P**：其中所述装置包括位于所述纳米膜与所述支撑衬底之间的导电材料层，并且其中所述碳纳米膜被配置为充当所述沟道构件与所述导电材料层之间的电介质间隔物，以使得被施加到所述导电材料层的电压能够用来改变通过所述沟道构件的电流<br>《未公开》 | 对比文件底部栅极结构具有栅极（导电材料层）在衬底上，介电层在栅极上，半导体在介电层上[0008]。但介电层不是碳纳米膜。 | 虽然结构层次类似，但目标专利明确要求碳纳米膜作为电介质间隔物，对比文件的介电层为其他有机/无机材料，且未公开碳纳米膜，因此未公开。 |
| **技术特征Q**：其中所述装置包括通过另外的纳米膜而与所述沟道构件分离的第三电极，所述另外的纳米膜包括电介质材料，所述电介质材料被配置为充当所述第三电极与所述沟道构件之间的电介质间隔物，以使得被施加到所述第三电极的电压能够用来改变通过所述沟道构件的电流<br>《未公开》 | 对比文件顶部栅极结构具有栅极通过介电层与沟道分离[0009]，但介电层不是“另外的纳米膜”，沟道材料不同。 | 对比文件未公开另外的纳米膜，且沟道构件非石墨烯，因此未公开。 |
| **技术特征R**：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜包括受体物质，所述受体物质被配置为与来自周围环境的带电物质进行特异性结合，所述受体物质与所述带电物质的结合将所述带电物质定位在足够靠近所述沟道构件的位置，以引起通过所述沟道构件的电流的变化<br>《未公开》 | 对比文件未在沟道上方设置受体纳米膜；其传感机制基于介电层本身的分析物响应，而非通过额外的受体层。 | 对比文件没有公开受体物质位于沟道上的纳米膜中用于特异性结合带电物质的结构。 |
| **技术特征S**：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜包括一个或多个孔，所述一个或多个孔被配置为允许来自周围环境的特定分析物物质通过以与所述沟道构件相互作用，所述分析物物质与所述沟道构件的相互作用引起通过所述沟道构件的电流的变化<br>《未公开》 | 对比文件[0040]提及半透膜，但位于顶空间与传感介电层之间，非在沟道构件上的多孔纳米膜。 | 对比文件未公开在沟道构件上设置具有孔的选择性通过纳米膜。 |
| **技术特征T**：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜被配置为保护所述沟道构件和所述电极免受周围环境的影响<br>《未公开》 | 对比文件[0028]提及顶栅结构可保护半导体层，但未设置专门的保护纳米膜。 | 对比文件没有公开在沟道构件上方设置保护性纳米膜。 |
| **技术特征U**：其中所述纳米膜、所述沟道构件、所述电极和所述支撑衬底中的至少一者被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种<br>《隐含公开》 | [0051]“衬底材料可以是刚性的（例如玻璃、硅）或柔性的（例如PET、Mylar）”。 | 对比文件公开了支撑衬底可以是柔性的（如PET），柔性通常意味着可逆地弯曲变形，因此隐含公开了支撑衬底具有可逆地柔性。但未公开纳米膜、沟道构件或电极的类似特性。 |
| **技术特征V**：其中所述导电材料层被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种<br>《未公开》 | 对比文件未描述栅极（导电材料层）的柔性或可变形性。 | 对比文件没有公开或暗示导电材料层（栅极）具有可逆变形能力。 |
| **技术特征W**：其中所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种<br>《未公开》 | 对比文件不存在“另外的纳米膜”。 | 对比文件未公开任何另外的纳米膜，故无从讨论其可变形性。 |
| **技术特征X**：同上（描述与W相同）<br>《未公开》 | 同W。 | 同W。 |
| **技术特征Y**：同上<br>《未公开》 | 同W。 | 同W。 |
| **技术特征Z**：同上<br>《未公开》 | 同W。 | 同W。 |
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### 公开性代码
根据以上比对，对比文件直接公开了技术特征A、D、E、I，隐含公开了技术特征U。
<<<A>>> <<<D>>> <<<E>>> <<<I>>> <<<u>>>