对比文件名称：2011-09-15_WO2011110734A_发明申请_WO2011110734A1 APPARATUS FOR ANALYTE SENSING AND ASSOCIATED METHODS
目标专利名称：包括纳米膜的装置和相关方法CN107923868B
模型名称：DeepSeek Chat
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| **A：包括：支撑衬底【直接公开】** | [p0063]“纳米线传感元件501被支撑在衬底502上”。[p0073]“纳米线被支撑在衬底814上，该衬底涂覆有电绝缘层815”。 | 对比文件明确公开了用于支撑纳米线（沟道构件）和电极的衬底，该衬底起到支撑作用，与目标专利的支撑衬底功能相同，因此该特征被直接公开。 |
| **B：直接在所述支撑衬底上的纳米膜【未公开】** | 未公开相关内容。 | 对比文件中，衬底上直接形成的是纳米线或绝缘层，没有公开直接位于支撑衬底上的纳米膜（如碳纳米膜）。脂质双层膜覆盖在纳米线上，而非直接在衬底上，因此未公开。 |
| **C：在所述纳米膜上的沟道构件【未公开】** | 未公开相关内容。 | 对比文件中，沟道构件（纳米线）直接位于衬底或绝缘层上，而非位于纳米膜上。脂质双层膜覆盖在纳米线外部，顺序相反，因此未公开。 |
| **D：在所述沟道构件上的第一电极和第二电极【直接公开】** | [p0073]“传感器装置还包括源电极810和漏电极811”。[p0058]“半导体连接到金属源电极103和漏电极104”。 | 对比文件明确公开了源电极和漏电极与沟道构件（纳米线）连接，电极位于沟道构件上或与其接触，因此该特征被直接公开。 |
| **E：所述第一电极和第二电极被配置为使电流能够从所述第一电极通过所述沟道构件流到所述第二电极【直接公开】** | [p0058]“通过施加电位差105，电流分别经由源电极103和漏电极104注入和收集”。 | 对比文件明确公开了源漏电极之间的电流流动，通过施加电位差使电流从源极经沟道流到漏极，功能完全相同，因此该特征被直接公开。 |
| **F：其中，所述沟道构件通过所述纳米膜而与所述支撑衬底分离【未公开】** | 未公开相关内容。 | 对比文件中，沟道构件（纳米线）直接接触衬底或通过绝缘层接触，没有纳米膜位于两者之间实现分离。脂质双层膜位于纳米线表面，不用于分离沟道与衬底，因此未公开。 |
| **G：所述纳米膜被配置为通过抑制所述沟道构件与所述支撑衬底之间的相互作用来便于电流流过所述沟道构件；并且中，所述纳米膜包括碳纳米膜【未公开】** | 未公开相关内容。 | 对比文件的脂质双层膜不是碳纳米膜，且位于纳米线表面，不用于抑制沟道与衬底的相互作用。没有公开碳纳米膜及其相关功能，因此未公开。 |
| **H：所述沟道构件包括石墨烯【未公开】** | 未公开相关内容。 | 对比文件的沟道构件为硅纳米线，未提及石墨烯，因此未公开。 |
| **I：所述支撑衬底包括聚酰亚胺、聚酯、聚氨酯和聚二甲基硅氧烷中的一种或多种【未公开】** | 未公开相关内容。 | 对比文件的衬底材料为硅或PEN等，未明确公开这些聚合物材料，因此未公开。 |
| **J：其中所述纳米膜具有预定厚度以在所述沟道构件与所述支撑衬底之间提供足以减小它们之间的电磁相互作用的间隔，从而便于电流流过所述沟道构件【未公开】** | 未公开相关内容。 | 对比文件未公开纳米膜厚度用于减小电磁相互作用，脂质双层厚度仅用于屏障功能，因此未公开。 |
| **K：其中所述纳米膜为足够厚和可变形中的一种或多种，以减小由所述支撑衬底的表面处的粗糙度引起的所述沟道构件处的起伏以及相关联的载荷子迁移率的降低，从而便于电流流过所述沟道构件【未公开】** | 未公开相关内容。 | 对比文件未公开纳米膜用于减小衬底粗糙度影响，因此未公开。 |
| **L：其中所述碳纳米膜被配置为抑制电流从所述沟道构件泄漏到所述支撑衬底，从而便于电流流过所述沟道构件【未公开】** | 未公开相关内容。 | 对比文件无碳纳米膜，脂质双层不用于防止泄漏到衬底，因此未公开。 |
| **M：其中所述纳米膜包括导电材料，所述导电材料被配置为屏蔽所述沟道构件免受由所述支撑衬底上的带电物质产生的电场影响，从而便于电流流过所述沟道构件【未公开】** | 未公开相关内容。 | 对比文件的脂质双层为绝缘材料，未公开导电纳米膜及其屏蔽功能，因此未公开。 |
| **N：其中所述纳米膜包括导电材料，所述导电材料被配置为屏蔽所述沟道构件免受由通过所述支撑衬底上的电互连传播的电信号所产生的电磁场影响，从而便于电流流过所述沟道构件【未公开】** | 未公开相关内容。 | 对比文件未公开导电纳米膜屏蔽电磁场，因此未公开。 |
| **O：其中所述纳米膜包括一种或多种掺杂剂，所述一种或多种掺杂剂被配置为引起通过所述沟道构件的电流的变化【未公开】** | 未公开相关内容。 | 对比文件的脂质双层未提及掺杂剂用于改变沟道电流，因此未公开。 |
| **P：其中所述装置包括位于所述纳米膜与所述支撑衬底之间的导电材料层，并且其中所述碳纳米膜被配置为充当所述沟道构件与所述导电材料层之间的电介质间隔物，以使得被施加到所述导电材料层的电压能够用来改变通过所述沟道构件的电流【未公开】** | 未公开相关内容。 | 对比文件未公开在纳米膜与衬底之间有导电材料层，无碳纳米膜作为电介质间隔物，因此未公开。 |
| **Q：其中所述装置包括通过另外的纳米膜而与所述沟道构件分离的第三电极，所述另外的纳米膜包括电介质材料，所述电介质材料被配置为充当所述第三电极与所述沟道构件之间的电介质间隔物，以使得被施加到所述第三电极的电压能够用来改变通过所述沟道构件的电流【未公开】** | 未公开相关内容。 | 对比文件虽有栅极（第三电极）通过电介质层，但电介质层不是纳米膜，且无另外的纳米膜结构，因此未公开。 |
| **R：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜包括受体物质，所述受体物质被配置为与来自周围环境的带电物质进行特异性结合，所述受体物质与所述带电物质的结合将所述带电物质定位在足够靠近所述沟道构件的位置，以引起通过所述沟道构件的电流的变化【未公开】** | 未公开相关内容。 | 对比文件的受体物质位于侧流条上，不在纳米膜上，脂质双层膜无受体，因此未公开。 |
| **S：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜包括一个或多个孔，所述一个或多个孔被配置为允许来自周围环境的特定分析物物质通过以与所述沟道构件相互作用，所述分析物物质与所述沟道构件的相互作用引起通过所述沟道构件的电流的变化【未公开】** | 未公开相关内容。 | 对比文件的脂质双层通过酶产生孔，但孔是动态的且允许离子通过，并非允许特定分析物通过，因此未公开。 |
| **T：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜被配置为保护所述沟道构件和所述电极免受周围环境的影响【未公开】** | 未公开相关内容。 | 对比文件的脂质双层保护纳米线免受溶液影响，但电极由单独的介电涂层保护，没有同时保护沟道和电极的单一纳米膜，因此未公开。 |
| **U：其中所述纳米膜、所述沟道构件、所述电极和所述支撑衬底中的至少一者被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种【未公开】** | 未公开相关内容。 | 对比文件未提及任何部件的可逆变形性、柔性、可拉伸性或可压缩性，因此未公开。 |
| **V：其中所述导电材料层被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种【未公开】** | 未公开相关内容。 | 对比文件无导电材料层，因此未公开。 |
| **W：其中所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种【未公开】** | 未公开相关内容。 | 对比文件未公开另外的纳米膜的可变形性，因此未公开。 |
| **X：其中所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种【未公开】** | 未公开相关内容。 | 与W相同，未公开。 |
| **Y：其中所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种【未公开】** | 未公开相关内容。 | 与W相同，未公开。 |
| **Z：其中所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种【未公开】** | 未公开相关内容。 | 与W相同，未公开。 |
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