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对比文件列表
1980-05-06_发明授权_US4201960A Method for automatically matching a radio frequency transmitter to an antenna_+++A_C_D_F_H_L_j+++.docx
2026-03-10 19:07
1988-12-06_发明授权_US4789846A Microwave semiconductor switch_+++C_D_F_a_h+++.docx
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2000-09-12_发明授权_US6118985A High frequency switch device, front end unit and transceiver_+++C_D_H_I_J_Q_a_b_f+++.docx
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2002-09-04_发明公开_EP1237222A1 Multiband transformation stage for a multiband r.f. switching device_+++B_C_D_H_O_Q_a_p+++.docx
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2002-09-06_发明申请_WO2002069435A1 MULTIBAND R. F. SWITCHING DEVICE_+++C_D_H_Q_a_b_f_j+++.docx
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2003-11-28_发明专利_JP2003338773A High-frequency switching circuit_+++A_B_C_D_F_I_J_h_q+++.docx
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2004-05-13_发明申请_US20040092285A1 Multiband r f switching device_+++C_D_H_J_Q_a_b_e_f+++.docx
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2005-04-14_发明专利_JP2005101097A Semiconductor device and its manufacturing method_+++C_D_Q_f_h_j+++.docx
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2005-10-20_发明申请_US20050233706A1 Switching circuit_+++B_C_D_H_J_f_o_p_q+++.docx
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2005-11-04_发明专利_JP2005311447A Switch circuit_+++A_B_C_D_F_H_J_Q+++.docx
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2006-01-18_发明授权_EP1237222B1 Multiband transformation stage for a multiband r.f. switching device_+++C_D_H_Q_a_b_f+++.docx
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2006-10-19_发明专利_DE60116676T2 Multi-band transformation stage for a multi-band RF switching device_+++C_D_J_Q_a_f+++.docx
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2008-08-28_发明申请_US20080204338A1 METHOD AND SYSTEM FOR SOFTWARE DEFINED ANTENNA CONTROL_+++A_B_C_D_F_L_Q_h_j+++.docx
2026-03-10 19:07
2008-10-02_发明申请_US20080238570A1 Spst Switch, Spdt Switch and Mpmt Switch_+++C_D_H_J_b_f_g_i_l+++.docx
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2009-02-26_发明公开_KR1020090020480A 스위치회로 및 이상기_+++D_H_c_f+++.docx
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2009-10-29_发明申请_US20090267588A1 METHOD AND APPARATUS TO DYNAMICALLY CONTROL IMPEDANCE TO MAXIMIZE POWER SUPPLY_+++A_B_C_D_F_K_L_q+++.docx
2026-03-10 19:07
2011-05-05_发明申请_US20110102291A1 Method and System for Software Defined Antenna Control_+++A_B_C_D_F_J_Q+++.docx
2026-03-10 19:07
2013-08-29_发明申请_US20130222075A1 Methods and Apparatuses for use in Tuning Reactance in a Circuit Device_+++A_C_D_F_H_J_b_g_i_q+++.docx
2026-03-10 19:07
2013-12-18_发明公开_CN103454654A 一种用于卫星导航射频前端的可配置的匹配网络_+++C_D_F_h_l_q+++.docx
2026-03-10 19:07
2014-10-23_发明申请_WO2014172077A1 TUNABLE MULTIBAND ANTENNA WITH PASSIVE AND ACTIVE CIRCUITRY_+++D_F_Q_c+++.docx
2026-03-10 19:07
2006-01-18_发明授权_EP1237222B1 Multiband transformation stage for a multiband r.f. switching device_+++C_D_H_Q_a_b_f+++.docx

对比文件名称:2006-01-18_发明授权_EP1237222B1 Multiband transformation stage for a multiband r.f. switching device

目标专利名称:223可切换的天线阵列CN105917581B

模型名称:DeepSeek-R1

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用公开性论述
**A:阻抗电路《隐含公开》**[0034]段:“The high-power stage 12 further comprises an individual biasing network not depicted in Fig. 3 for each pin-diode D3, D4. Each biasing network may be configured like the biasing network depicted in Fig. 1.” Fig.1 中显示了包括电感L1和电阻R1的偏置网络,其为控制电压VDC提供DC路径并为二极管D1、D2设定DC电流。该网络在电路中起到阻抗匹配和提供直流偏置的作用。在目标专利中,“阻抗电路”(如说明书中图4的404)是CDS网络的输入端匹配网络,用于提供阻抗匹配,确保信号传输效率。对比文件图1中的偏置网络(包括电感L1和电阻R1)以及图4中所示的电容C1、C2,其作用同样是提供阻抗匹配和/或形成谐振电路以改善隔离(见[0052]段)。虽然对比文件没有明确使用“阻抗电路”这一术语,但其电路包含实现类似阻抗匹配和信号调理功能的无源元件网络。本领域技术人员能够从对比文件公开的电路结构(如偏置网络、匹配/谐振元件)中,毫无疑义地推导出为实现信号传输和开关控制所必需的“阻抗电路”的存在。因此,该技术特征被对比文件**隐含公开**。
**B:多个电感器,所述多个电感器中的每个电感器被耦合至所述阻抗电路并且被耦合到多个非接地输出端子中的一个相应端子《隐含公开》**[0052]段:“As can be seen in Fig. 4, inductors L3 and L4 are connected in parallel to pin-diodes D3 and D4 in order to improve the isolation to the first and second signal inputs 30, 32 of the high-power stage.”目标专利中,多个电感器(如图4的430-436)并联在开关上,一端通过公共节点(406)耦合至阻抗电路(404),另一端耦合至开关的输出端子(即非接地输出端子,如420-426)。对比文件图4明确公开了电感器L3和L4并联在开关(pin二极管D3和D4)上。虽然这些开关(D3, D4)位于高功率级12而非多频段变换级14中,但技术原理相同:使用并联电感改善开关断开时的隔离性能。电感器L3、L4的一端连接到开关(对应输出端子),另一端连接到电路中的其他节点(如节点36、信号路径34/38),这些节点并非接地,因此耦合到了“非接地输出端子”。虽然对比文件未明确描述这些电感器耦合到一个集中的“阻抗电路”,但其所在的整个高功率级12必然包含用于匹配和滤波的电路(如低通滤波器40, 42),这些电路共同起到了阻抗作用。本领域技术人员可以从对比文件公开的“并联电感改善隔离”这一技术启示中,合理推断出在包含开关和匹配网络的射频电路中,存在将电感器耦合至阻抗电路并连接到开关输出端子的方案。因此,该技术特征被对比文件**隐含公开**。
**C:并且所述多个电感器中的每个电感器被并联耦合至多个开关中的对应开关《直接公开》**[0052]段:“inductors L3 and L4 are connected in parallel to pin-diodes D3 and D4”目标专利要求每个电感器并联耦合至一个对应的开关。对比文件[0052]段及图4清楚、明确地公开了电感器L3和L4分别并联在开关(pin二极管D3和D4)上,即“connected in parallel to”。这构成了直接且毫无疑义的公开。虽然这些开关位于高功率级而非权利要求中的分配和加和网络,但“电感器并联耦合至开关”这一具体的结构关系已被对比文件直接披露。因此,该技术特征被对比文件**直接公开**。
**D:其中所述多个开关中的至少一个开关被配置为独立地被激活《直接公开》**[0038]段的表格及[0039]-[0040]段的描述:表格显示了在不同工作模式(如发射GSM 900、发射GSM 1800/1900、接收)下,开关D1和D2独立地处于“ON”或“OFF”状态。例如,发射GSM 900时D1为OFF,D2为ON;发射GSM 1800/1900时D1为ON,D2为OFF。目标专利要求开关能够独立地被激活(即控制其通断),以实现天线阵列的可配置性。对比文件明确描述了其多频段变换级14中的开关D1和D2(以及高功率级中的D3和D4)可以根据不同的工作模式独立地进行开关控制(ON/OFF)。例如,在发射GSM 900和发射GSM 1800/1900模式下,D1和D2的状态是相反且独立的。这直接对应于“至少一个开关被配置为独立地被激活”的技术特征。因此,该技术特征被对比文件**直接公开**。
**E:还包括组合器,所述组合器响应于所述多个开关并且被配置为组合由所述多个开关中的所选开关输出的信号以产生组合信号《未公开》**无对应内容。目标专利中的“组合器”(如说明书图4的450)是CDS(可配置分配和加和)网络的核心部件,用于在接收时组合来自多个天线的信号,或在发射时分配信号。对比文件公开的多频段变换级14是一个用于在不同频段提供阻抗变换和隔离的电路,其低功率级16是一个选择性地将信号路由至不同端口的开关矩阵(见[0037]段),其功能是选择路径而非组合多个路径的信号。对比文件没有描述任何用于主动组合来自多个并行开关输出信号的“组合器”结构。因此,该技术特征未被对比文件公开。
**F:其中,每个开关被配置为选择性地使从所述阻抗电路接收的信号旁路相应的电感器并从所述开关的输入传播至所述开关的输出《隐含公开》**[0052]段及电路工作原理:电感器L3、L4与开关(pin二极管D3、D4)并联。当开关导通(ON)时,信号主要通过开关(低阻抗路径)传播,电感器被旁路;当开关断开(OFF)时,信号无法通过开关,电感器与开关的寄生参数(如电容)相互作用,形成谐振或改变阻抗特性以改善隔离。目标专利描述了开关在闭合(激活)时,信号通过开关传播,并联的电感器被旁路;在断开时,电感器发挥作用。对比文件图4及[0052]段公开了并联在开关上的电感器用于“improve the isolation”。本领域技术人员公知,在射频开关电路中,当并联有电感的开关闭合时,信号主要流经低电阻的开关通道,电感呈现高阻抗而被旁路;当开关断开时,电感与开关的寄生电容可能形成谐振电路,呈现高阻抗,阻断或衰减信号。虽然对比文件没有用“旁路”一词描述信号路径,但根据基本的电路原理和对比文件公开的“并联连接以改善隔离”这一目的,可以毫无疑义地推断出开关具备所述的选择性旁路功能。因此,该技术特征被对比文件**隐含公开**。
**G:其中,所述多个开关中的每个开关包括晶体管,并且每个所述晶体管的大小基于标准被确定以充分平衡第一模式中的阻抗匹配与第二模式中的串联损耗《未公开》**对比文件中所有开关均为pin二极管(如D1, D2, D3, D4),例如[0035]段:“two switching elements in the form of pin-diodes D1, D2”。未提及晶体管,也未提及基于平衡阻抗匹配和串联损耗的标准来确定开关(或晶体管)的尺寸。目标专利明确限定开关包括晶体管(如FET),并且其尺寸需要根据特定标准进行设计,以在开关闭合(第一模式,关注阻抗匹配)和开关断开(第二模式,关注串联损耗引起的插入损耗)之间取得平衡。对比文件使用的开关元件是pin二极管,其工作原理和结构特性与晶体管不同。对比文件虽然提到了改善隔离和匹配,但完全没有涉及基于平衡两种模式下不同性能参数(阻抗匹配 vs. 串联损耗)的标准来设计或确定开关元件尺寸的技术内容。因此,该技术特征未被对比文件公开。
**H:其中,所述第一模式对应于闭合的开关,而所述第二模式对应于断开的开关《直接公开》**[0038]段的表格及全文描述:表格中“ON”状态对应开关闭合,“OFF”状态对应开关断开。例如,发射模式对应开关D1或D2为“ON”(闭合),接收模式对应开关D1和D2均为“OFF”(断开)。目标专利对第一模式(闭合)和第二模式(断开)进行了定义。对比文件在其工作模式描述中,明确使用了“ON”(导通/闭合)和“OFF”(关断/断开)来定义开关的状态(见[0038]段表格),并且这些状态直接对应于不同的工作模式(如发射和接收)。这直接公开了技术特征H的内容。因此,该技术特征被对比文件**直接公开**。
**I:其中,所述多个电感器中的每个电感器的大小基于与所述多个开关的多个配置相关的标准被确定《未公开》**无对应内容。对比文件[0052]段仅提到使用并联电感来改善隔离,未提及如何确定电感器的大小,更没有提及基于所有可能的开关配置来确定电感器大小。目标专利说明书[0031]段明确描述了确定电感器大小的标准是基于“多个开关的所有可能的激活/未激活配置”,通过模拟所有配置下的插入损耗和回波损耗来选择电感值。这是一种针对可配置网络(CDS)中所有开关状态组合的综合性设计方法。对比文件完全没有提及这种设计理念或方法。其电感器(L3, L4)的作用是改善特定开关的隔离,设计考量可能基于单一频点或状态,而非所有开关配置的组合。因此,该技术特征未被对比文件公开。
**J:其中,所述多个电感器经由公共节点被耦合至所述阻抗电路,并且其中所述至少一个开关被配置为基于控制信号的值而被激活《未公开》**关于开关激活:[0035]段:“The two pin-diodes D1, D2 can be switched independently from each other by means of individual biasing networks”。关于公共节点耦合:对比文件未明确描述多个电感器通过一个公共节点耦合至一个集中的阻抗电路。图4中电感器L3、L4分别连接在开关D3、D4两端,其连接点(节点36)是信号路径节点,并非专门耦合至一个明确的“阻抗电路”的公共节点。目标专利的特征J包含两个部分:1) 电感器经由公共节点耦合至阻抗电路;2) 开关基于控制信号激活。对于第一部分,对比文件未公开图4中406那样的“公共节点”结构,其电感器L3、L4的连接方式不同。对于第二部分,对比文件提到开关通过“biasing networks”(偏置网络)控制,这隐含了需要控制信号(如偏置电压)来激活开关。本领域技术人员可以理解偏置网络需要接收控制信号。因此,第二部分可被认为隐含公开。然而,由于特征J是一个整体技术特征,包含了具体的连接关系(公共节点)和控制方式,而关键的连接关系未被公开,因此整体上特征J未被对比文件公开。
**K:其中,所述阻抗电路包括:第二电感器,被耦合至输入并被耦合至所述多个电感器《未公开》**无对应内容。对比文件图4或说明书中未描述在信号输入端口(如20或30,32)处串联一个如目标专利图4中位于阻抗电路404输入端的电感器(与电容并联再与公共节点连接的结构)。目标专利的阻抗电路(404)具体包括一个与输入串联的电感器(第二电感器)。对比文件的多频段变换级14或高功率级12的输入路径中,没有公开这样一个明确作为“阻抗电路”组成部分且与输入串联的第二电感器。图4中的电感器L3、L4是并联在开关上的,其连接方式和功能与目标专利中串联在输入端的第二电感器不同。因此,该技术特征未被对比文件公开。
**L:以及电容器,被耦合至所述输入并被耦合至地《未公开》**无对应内容。对比文件图4中虽有电容器C1和C2,但它们分别与开关D1和D2串联连接至地,用于形成谐振电路(见[0052]段:“a series resonant circuit consisting of the parasitic inductance of pin-diode D1 and of capacitor C1”),其连接位置和功能(与开关串联谐振)与目标专利中直接耦合在输入和地之间的电容器(作为阻抗电路的一部分用于匹配)不同。目标专利的阻抗电路(404)包括一个直接连接在输入和地之间的电容器。对比文件没有公开这样的电路结构。其电容器C1、C2是串联在开关和地之间,用于与开关的寄生电感形成串联谐振,目的是在特定频率下呈现短路或开路,而非作为输入端的并联匹配电容。因此,该技术特征未被对比文件公开。
**M:其中,所述多个电感器和所述多个开关形成分配和加和网络的第一级《未公开》**无对应内容。对比文件描述的是“multiband transformation stage”(多频段变换级,14)和“high-power stage”(高功率级,12),其功能是在不同频段下提供阻抗变换和隔离,以实现天线端口在发射和接收路径间的切换。没有描述如目标专利图3、4中所示的用于将信号分配至多个天线或从多个天线组合信号的“分配和加和网络”(CDS网络)及其“级”的概念。目标专利的核心在于一种多级可配置的分配和加和网络(CDS),用于相控天线阵列,其第一级由特定连接的开关和并联电感器构成。对比文件的电路结构(多频段变换级)本质上是用于单一天线端口的频段选择/隔离开关,其目的和结构均不同于目标专利的“分配和加和网络”。因此,对比文件完全没有公开“分配和加和网络的第一级”这一技术特征。
**N:其中,所述分配和加和网络的第二级包括第二多个开关,其中,所述第二级经由多个放大器被耦合至多个天线《未公开》**无对应内容。对比文件没有公开任何多级的分配和加和网络结构,因此也不存在“第二级”。其天线端口(22)是单端口,并非“多个天线”。文中也未提及通过“多个放大器”将开关网络耦合至天线。该技术特征明确限定了分配和加和网络具有第二级,且该第二级通过放大器连接到多个天线。对比文件的系统是单天线端口(22)的开关,不具备多级分配/加和结构,也没有连接到多个天线阵列。因此,该技术特征未被对比文件公开。
**O:其中,所述分配和加和网络的第一级以及所述分配和加和网络的第二级在被耦合至所述多个天线的发射路径和接收路径之间共享《未公开》**无对应内容。如对特征M、N的分析,对比文件不存在目标专利所述的“分配和加和网络”及其第一级、第二级。虽然对比文件的多频段变换级14在发射和接收路径中都有作用(见[0039]-[0045]段),但其电路结构和功能与“分配和加和网络”不同。该技术特征的前提是存在“分配和加和网络”的第一级和第二级。由于对比文件未公开这样的网络(特征M、N),因此该共享特征也无从谈起。即使考虑对比文件电路在发射和接收中均被使用,其电路本质也非“分配和加和网络”。因此,该技术特征未被对比文件公开。
**P:其中,所述第一级、所述第二级和所述多个放大器在射频集成电路内《未公开》**无对应内容。对比文件[0036]段描述多频段变换级14和高功率级12采用“multi-layer technology”(多层技术)或分立元件实现,低功率级16是“GaAs MMIC”(砷化镓微波单片集成电路)。各部分作为模块(modular stages)组合(见[0028]段),并未提及将所有部件集成在一个单一的“射频集成电路”(RFIC)内。目标专利明确限定分配和加和网络的级以及放大器集成在RFIC内(见说明书[0024]段)。对比文件描述的实施方式是模块化的,使用不同的技术(多层技术、MMIC)分别制造不同部分,并未公开或暗示将这些部件集成到单个RFIC中。因此,该技术特征未被对比文件公开。
**Q:其中,所述阻抗电路和所述多个电感器被包含到移动通信设备中《直接公开》**[0031]段:“The antenna switch 10 is part of a mobile telephone...” [0002]段:“As an example, antenna switching circuits for mobile telephones can be mentioned.”目标专利要求阻抗电路和电感器被包含在移动通信设备中。对比文件明确其描述的天线开关(10)是移动电话(mobile telephone)的一部分,而移动电话是典型的移动通信设备。因此,对比文件直接公开了包含该电路(即包含阻抗功能和电感器)的设备应用于移动通信设备中。该技术特征被对比文件**直接公开**。

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